JP2002261138A - Standard particle coating machine - Google Patents

Standard particle coating machine

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JP2002261138A
JP2002261138A JP2001055391A JP2001055391A JP2002261138A JP 2002261138 A JP2002261138 A JP 2002261138A JP 2001055391 A JP2001055391 A JP 2001055391A JP 2001055391 A JP2001055391 A JP 2001055391A JP 2002261138 A JP2002261138 A JP 2002261138A
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JP
Japan
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wafer
container
standard
standard particles
partition plate
Prior art date
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Application number
JP2001055391A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyo Hokataneda
泰代 外種子田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To apply standard particles of different diameters on each partitioned area of a wafer for calibration and check the presence of the coat. SOLUTION: A plurality of containers 1, in which the standard particles of different diameters are put respectively, are set on a container stage 11. In the upper part of the wafer stage 8 on which the wafer 6 for calibration is put, a partitioning panel 10 is installed so as to cover the wafer 6, and this partitioning panel 10 is provided with an opening part 10a constituted by cutting out a part of the circumference in a sector shape. A nozzle 5 for jetting the standard particles is provided above this opening part 10a, and by an up-down operation and a rotation operation of the container stage 11, the container 1 to feed the standard particle is exchanged, and by interlocking with this exchanging, the wafer stage 8 is rotated, and the position facing to the opening part 10a of the wafer 6 is exchanged, and thus the standard particles of different diameters are applied to each area of one wafer. In addition, the laser that is irradiated from a laser irradiation mechanism 15 so as to pass under the opening part 10a is detected by a laser detection mechanism 16, and thus the presence of coating of the standard particles is detected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーに付着し
た異物の検査を行う異物検査装置の校正に用いられる標
準粒子を校正用のウェハーに塗布する標準粒子塗布機に
関する。詳しくは、1枚の校正用ウェハーに粒子径の異
なる標準粒子を領域を分けて塗布できるようにするとと
もに、塗布の有無を確認できるようにすることで、作業
の効率化を図る技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a standard particle coating machine for applying standard particles used for calibration of a foreign substance inspection apparatus for inspecting foreign substances adhered to a wafer on a calibration wafer. More specifically, the present invention relates to a technique for improving the work efficiency by enabling standard particles having different particle diameters to be applied to one calibration wafer in different regions and confirming the presence or absence of application.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造組立プロセスの中では各種の
異物検査が行われるが、ウェハーに付着した異物の数と
分布を、異物の粒子径を比較検査することで検出する異
物検査装置においては、標準粒子を用いた校正が行われ
る。そのレシピの作成に際しては、校正用のウェハーに
標準粒子を塗布する作業があり、この作業には標準粒子
塗布機が用いられる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing and assembling process, various foreign substance inspections are performed. In a foreign substance inspection apparatus which detects the number and distribution of foreign substances adhering to a wafer by comparing and inspecting particle diameters of the foreign substances, Calibration using standard particles is performed. In preparing the recipe, there is an operation of applying standard particles to a calibration wafer, and a standard particle coating machine is used for this operation.

【0003】図5は従来の標準粒子塗布機の斜視図で、
容器1には、純水にある粒子径の標準粒子を入れ、これ
を攪拌して作成した標準粒子溶液が入れられる。容器載
置台2は、1個の容器1がセットできる構造となってい
る。
FIG. 5 is a perspective view of a conventional standard particle applicator.
In the container 1, standard particles having a particle diameter in pure water are charged, and a standard particle solution prepared by stirring the standard particles is charged. The container mounting table 2 has a structure in which one container 1 can be set.

【0004】吸引・気化機構3は前記容器1内の溶液を
吸引し、これを気化するもので、吸引パイプ4を前記容
器1に入れて、該容器1内の溶液を吸引し、これを気化
して、ノズル5から噴射する。
A suction / vaporization mechanism 3 is for sucking the solution in the container 1 and vaporizing the solution. A suction pipe 4 is put in the container 1 to suck the solution in the container 1 and evaporate the solution. And sprayed from the nozzle 5.

【0005】校正用のウェハー6はウェハーステージ7
に載せられ、該ウェハー6の上方に位置する前記ノズル
5より標準粒子を噴射することで、ウェハー6全体に標
準粒子が塗布されるようになっていた。
A wafer 6 for calibration is a wafer stage 7
And the standard particles are applied to the entire wafer 6 by spraying the standard particles from the nozzle 5 located above the wafer 6.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】異物検査装置によるウ
ェハーの検査工程では、測定対象としてより径の小さな
異物を含めるようになってきているため、複数の粒子径
の標準粒子を用いる必要がある。しかしながら、上述し
た従来の標準粒子塗布機では、粒子径の異なる標準粒子
を塗布するためには、一度、純水を入れた容器1を容器
載置台2にセットしてノズル5の洗浄を行ってから、粒
子径の異なる標準粒子で作成した標準粒子溶液を入れた
容器1を容器載置台2にセットする、という作業が必要
であり、手間がかかるという問題があった。
In a wafer inspection process using a foreign object inspection apparatus, foreign objects having a smaller diameter are increasingly included as objects to be measured. Therefore, it is necessary to use standard particles having a plurality of particle sizes. However, in the conventional standard particle coating machine described above, in order to apply standard particles having different particle sizes, the container 1 containing pure water is once set on the container mounting table 2 and the nozzle 5 is washed. Therefore, there is a problem that the operation of setting the container 1 containing the standard particle solutions prepared with the standard particles having different particle diameters on the container mounting table 2 is required, and it is troublesome.

【0007】また、1枚のウェハー6には、1種類の粒
子径の標準粒子しか塗布できないので、ウェハー6も新
しいものに交換する必要があり、手間がかかるととも
に、ウェハーの使用量が多くなるという問題があった。
さらに、ウェハー6に標準粒子が付着したか確認する手
段がないので、付着不足があった場合、再度、標準粒子
を塗布する必要があり、手間と時間がかかるという問題
があった。
Further, since only one type of standard particle size particle can be applied to one wafer 6, it is necessary to replace the wafer 6 with a new one, which is troublesome and increases the amount of used wafer. There was a problem.
Furthermore, since there is no means for confirming whether the standard particles have adhered to the wafer 6, if there is insufficient adhesion, it is necessary to apply the standard particles again, which is troublesome and time-consuming.

【0008】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、1枚の校正用ウェハーに粒子径の異
なる標準粒子を領域を分けて塗布できるようにするとと
もに、塗布の有無を確認できるようにすることで、作業
の効率化を図ることが可能な標準粒子塗布機を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and enables standard particles having different particle diameters to be applied to one calibration wafer in different regions, and whether or not the coating is performed is determined. It is an object of the present invention to provide a standard particle applicator capable of improving work efficiency by enabling confirmation.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明に係る標準粒子塗
布機は、校正用のウェハーに塗布される標準粒子が入れ
られる容器と、前記容器から標準粒子を吸引するととも
に、吸引した標準粒子を噴射する塗布手段とを備えた標
準粒子塗布機において、粒子径の異なる標準粒子が入れ
られた複数の前記容器が取り付けられる容器取付手段
と、前記容器取付手段に取り付けられた複数の容器の中
から1つの容器を前記塗布手段と対応させる容器移動手
段と、前記ウェハーが載せられるウェハーステージと、
前記ウェハーステージ上のウェハーを覆うように該ウェ
ハーステージの上側に取り付けられ、その一部を開口さ
せた開口部を備えた仕切板と、前記ウェハーステージを
移動させて、前記仕切板の開口部に対するウェハーの位
置を切り替えるウェハー移動手段と前記仕切板の開口部
の上方から前記塗布手段による標準粒子を塗布するノズ
ルとを備えたものである。
According to the present invention, there is provided a standard particle coating machine comprising: a container in which standard particles to be coated on a calibration wafer are put; a standard particle sucked from the container; In a standard particle applicator equipped with an application means for spraying, a container mounting means to which a plurality of containers containing standard particles having different particle diameters are attached, and a plurality of containers attached to the container mounting means. Container moving means for associating one container with the coating means, a wafer stage on which the wafer is mounted,
A partition plate attached to the upper side of the wafer stage so as to cover the wafer on the wafer stage and provided with an opening partly opened, and moving the wafer stage to move the wafer to the opening of the partition plate. It is provided with a wafer moving means for switching the position of the wafer and a nozzle for applying standard particles by the applying means from above the opening of the partition plate.

【0010】また、本発明に係る標準粒子塗布機は、前
記ノズルより噴射した標準粒子を、前記仕切板の開口部
に対応した位置で、かつ、前記ウェハーステージの側方
から吸引する吸引手段を備えたものである。さらに、本
発明に係る標準粒子塗布機は、前記ノズルより噴射して
塗布された標準粒子の有無を検出する検出手段を備えた
ものである。
[0010] The standard particle applicator according to the present invention further comprises a suction means for sucking the standard particles jetted from the nozzle at a position corresponding to the opening of the partition plate and from the side of the wafer stage. It is provided. Further, the standard particle applicator according to the present invention is provided with a detecting means for detecting the presence or absence of the standard particles sprayed and applied from the nozzle.

【0011】本発明では、粒子径の異なる標準粒子を、
それぞれ別の容器に入れて、各容器を容器取付手段に取
り付ける。この容器取付手段に取り付けられた容器の中
から、容器移動手段により1つの容器が塗布手段に対応
付けられ、この容器に入れられた標準粒子がノズルから
噴射される。
In the present invention, standard particles having different particle sizes are
Each container is placed in a separate container, and each container is attached to the container attaching means. One of the containers attached to the container attaching means is associated with one container by the container moving means, and the standard particles contained in the container are ejected from the nozzle.

【0012】このノズルから噴射された粒子は、仕切板
の開口部を通過してウェハーに塗布されるが、この際、
ウェハーの前記仕切板で覆われている部分には標準粒子
は塗布されず、前記開口部と対向している部分のみが塗
布領域となって、この塗布領域に標準粒子が塗布され
る。また、前記ノズルから噴射された標準粒子は、検出
手段によりその塗布の有無が検出される。
The particles ejected from the nozzle pass through the opening of the partition plate and are applied to the wafer.
The standard particles are not applied to the portion of the wafer that is covered with the partition plate, and only the portion facing the opening becomes the application region, and the standard particles are applied to the application region. The detection means detects whether or not the standard particles ejected from the nozzles are applied.

【0013】さらに、前記ノズルから噴射された標準粒
子は、吸引手段により吸引されて、ウェハー上の塗布領
域に満遍なく塗布されるとともに、余分な標準粒子は外
部に飛散することなく吸引される。ある粒子径の標準粒
子の塗布が終了すると、別の容器と前記塗布手段を対応
させるとともに、ウェハーステージを移動させて、前記
仕切板の開口部に、ウェハーの標準粒子が塗布されてい
ない別の部分を対応させて、別の粒子径の標準粒子を塗
布して行く。このとき、前記ウェハー上の前回標準粒子
を塗布した領域は前記仕切板に覆われているので、別の
粒子径の標準粒子が塗布されることはない。
Further, the standard particles ejected from the nozzle are sucked by the suction means to be applied evenly to the coating area on the wafer, and the extra standard particles are sucked without scattering to the outside. When the application of the standard particles of a certain particle size is completed, another container is made to correspond to the application means, and the wafer stage is moved to another opening where the standard particles of the wafer are not applied to the opening of the partition plate. The standard particles of different particle sizes are applied corresponding to the portions. At this time, since the region on the wafer to which the standard particles have been previously coated is covered with the partition plate, the standard particles having a different particle size are not coated.

【0014】上述した動作の繰り返しで、1枚の校正用
のウェハーに粒子径の異なる標準粒子を領域を分けて塗
布できるとともに、その塗布の有無を確認することがで
き、作業の効率化を図ることができる。
By repeating the above-described operation, standard particles having different particle diameters can be applied to one calibration wafer in different areas, and the presence or absence of the application can be confirmed, thereby improving the work efficiency. be able to.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1は本発明の標準粒子塗布機の
実施の形態の一例を示す斜視図である。ウェハーステー
ジ8は、校正用のウェハー6が載せられる。このウェハ
ーステージ8は、該ウェハーステージ8を移動させて、
後述する仕切板10の開口部10aに対するウェハー6
の位置を切り替えるウェハー移動手段としてのウェハー
ステージ駆動機構9により矢印a方向に回転駆動され
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an embodiment of a standard particle coating machine according to the present invention. On the wafer stage 8, the wafer 6 for calibration is placed. This wafer stage 8 moves the wafer stage 8,
The wafer 6 with respect to the opening 10a of the partition plate 10 described later
Are rotationally driven in the direction of arrow a by a wafer stage drive mechanism 9 as a wafer moving means for switching the position of the wafer.

【0016】前記ウェハーステージ8の上部には、仕切
板10が取り付けられる。この仕切板10には、その円
周の一部を扇形に切り欠いて構成した開口部10aが設
けられている。この開口部10aは、その頂点が例えば
45°の扇形とする。前記ウェハーステージ8は前記ウ
ェハーステージ駆動機構9により、この仕切板10に対
して回転する構造となっており、該ウェハーステージ8
上のウェハー6は、前記仕切板10の開口部10aの部
分では露出し、それ以外の部分は該仕切板10に覆われ
る構造で、かつ、前記ウェハーステージ8が回転するこ
とで、その露出する部分を変化させることができる構造
となっている。
A partition plate 10 is mounted above the wafer stage 8. The partition plate 10 is provided with an opening 10a formed by cutting a part of the circumference of the partition plate into a fan shape. The opening 10a has a fan-like shape whose apex is, for example, 45 °. The wafer stage 8 is configured to rotate with respect to the partition plate 10 by the wafer stage driving mechanism 9.
The upper wafer 6 is exposed at the opening 10 a of the partition plate 10, and the other portion is covered with the partition plate 10, and is exposed by the rotation of the wafer stage 8. The structure can be changed.

【0017】容器1には、純水にある粒子径の標準粒子
を適量入れ、これを攪拌して作成した標準粒子溶液が入
れられる。前記ウェハー6には、粒子径の異なる標準粒
子を塗布するため、容器1を複数用意して、粒子径の異
なる標準粒子を用いて作成した溶液をそれぞれ別個の容
器1に入れる。また、洗浄用の純水を入れた容器1も用
意される。
In a container 1, a standard particle solution prepared by stirring an appropriate amount of standard particles having a particle diameter in pure water is placed. In order to apply standard particles having different particle diameters to the wafer 6, a plurality of containers 1 are prepared, and solutions prepared using the standard particles having different particle sizes are put into separate containers 1, respectively. Also, a container 1 containing pure water for cleaning is prepared.

【0018】複数の容器1が取付られる容器取付手段と
しての容器ステージ11は、複数の前記容器1を同一円
周上に並べてセット可能な構造で、例えば5個の容器1
がセットされる。前記容器ステージ11にセット可能な
容器1の数が5個である場合、4個の容器1は粒子径の
異なる標準粒子でそれぞれ作成した溶液が入れられるも
ので、残り1個の容器は洗浄用の純水が入れられるもの
とする。これにより、4種類の標準粒子を塗布可能とな
る。
A container stage 11 as a container mounting means to which a plurality of containers 1 are mounted has a structure in which a plurality of the containers 1 can be arranged and set on the same circumference, for example, five containers 1
Is set. When the number of containers 1 that can be set on the container stage 11 is five, the four containers 1 are for holding solutions respectively prepared with standard particles having different particle diameters, and the remaining one container is for cleaning. Of pure water. This makes it possible to apply four types of standard particles.

【0019】前記容器ステージ11は、該容器ステージ
11に取り付けられた複数の容器1の中から1つの容器
1を、塗布手段としての吸引・気化機構3の吸引パイプ
4と対応させる容器移動手段としての容器ステージ駆動
機構12により矢印b,c方向に回転駆動されるととも
に、矢印d,e方向に昇降駆動される。ここで、前記容
器ステージ11上の複数の容器1は、該容器ステージ1
1を矢印bあるいは矢印c方向に回転駆動する際の軸を
中心とする同一円周上に並ぶようにセットされる。
The container stage 11 serves as container moving means for associating one container 1 among a plurality of containers 1 attached to the container stage 11 with the suction pipe 4 of the suction / vaporization mechanism 3 as an application means. Are driven to rotate in the directions of arrows b and c by the container stage driving mechanism 12 and are driven to move up and down in the directions of arrows d and e. Here, the plurality of containers 1 on the container stage 11 are
1 are set so as to be arranged on the same circumference centered on the axis at the time of rotationally driving in the direction of arrow b or arrow c.

【0020】前記吸引・気化機構3は前記容器1内の溶
液を吸引し、これを気化するもので、吸引パイプ4を前
記複数の容器1の中から選択した容器1に入れて、該容
器1内の溶液を吸引し、これを気化して、ノズル5から
噴射する。
The suction / vaporization mechanism 3 sucks the solution in the container 1 and vaporizes the solution. The suction pipe 4 is inserted into the container 1 selected from the plurality of containers 1 and the container 1 The solution inside is sucked, vaporized and ejected from the nozzle 5.

【0021】前記容器ステージ11は容器ステージ駆動
機構12により矢印b,c方向に回転駆動されるととも
に、矢印d,e向に昇降駆動される構造であり、該容器
ステージ11を矢印d方向に下降させると、前記吸引パ
イプ4が前記選択されていた容器1から抜けることで該
容器1は吸引パイプ4から退避して、前記容器ステージ
11は回転可能な状態となる。次に該容器ステージ11
を矢印bあるいは矢印c方向に回転させると、前記吸引
パイプ4に別の容器1が対向する。そして、容器ステー
ジ11を矢印e方向に上昇させることで、該吸引パイプ
4がこの別の容器1に入り、該容器1内の溶液を吸引可
能な状態となる。
The container stage 11 is rotatably driven in directions of arrows b and c by a container stage driving mechanism 12 and is driven to move up and down in directions of arrows d and e. Then, when the suction pipe 4 comes out of the selected container 1, the container 1 retreats from the suction pipe 4, and the container stage 11 becomes rotatable. Next, the container stage 11
Is rotated in the direction of arrow b or arrow c, another container 1 faces the suction pipe 4. Then, by raising the container stage 11 in the direction of the arrow e, the suction pipe 4 enters this another container 1 and becomes in a state where the solution in the container 1 can be sucked.

【0022】この動作により供給対象の容器1を切り替
えることが可能となり、本実施の形態では、5個の容器
1のうち、4個の容器1は径の異なる標準粒子を入れて
あるので、供給対象の容器1としてこの4個の容器1の
中の1つを選択すれば、4種類の標準粒子の中から選択
された標準粒子をノズル5から噴射可能である。また、
純水を入れた容器1も用意してあるので、供給対象の容
器1をこの純水の入れられた容器1とすれば、吸引パイ
プ4およびノズル5等の洗浄が可能となる。なお、容器
1を同一円周上に並べることで、前記容器ステージ11
の回転動作と昇降動作で容器1の切り替えが可能とな
り、複数の容器1の中から1つの容器を選択する機構を
省スペースで実現可能となる。
By this operation, it is possible to switch the container 1 to be supplied. In the present embodiment, among the five containers 1, four containers 1 contain standard particles having different diameters. If one of the four containers 1 is selected as the target container 1, the standard particles selected from the four types of standard particles can be ejected from the nozzle 5. Also,
Since the container 1 containing pure water is also prepared, if the container 1 to be supplied is the container 1 containing this pure water, the suction pipe 4 and the nozzle 5 can be washed. By arranging the containers 1 on the same circumference, the container stage 11
The container 1 can be switched by the rotation operation and the raising / lowering operation, and a mechanism for selecting one container from a plurality of containers 1 can be realized in a small space.

【0023】前記ノズル5は、前記仕切板10の上方
で、該仕切板10に設けた扇形の開口部10aの中心付
近に位置するように設けられる。そして、前記ウェハー
ステージ8の側方で、前記仕切板10の開口部10aが
設けられている部分に対応する位置には、吸引機構13
による吸引を行うための吸引ノズル14が設けられてい
る。なお吸引ノズル14の形状は、図1に示すようなパ
イプ形状のものでもよいし、例えば前記仕切板10の開
口部10aの幅に合わせて口が広がっている形状でもよ
い。
The nozzle 5 is provided above the partition plate 10 so as to be located near the center of the fan-shaped opening 10a provided in the partition plate 10. A suction mechanism 13 is provided on the side of the wafer stage 8 at a position corresponding to the portion where the opening 10a of the partition plate 10 is provided.
Is provided with a suction nozzle 14 for performing suction by means of. The shape of the suction nozzle 14 may be a pipe shape as shown in FIG. 1, or may be, for example, a shape having a wide mouth in accordance with the width of the opening 10 a of the partition plate 10.

【0024】前記ノズル5から噴射される標準粒子は、
前記仕切板10の開口部10aを通過してウェハーステ
ージ8上の校正用のウェハー6に塗布されるが、前記吸
引ノズル14により該ウェハー6の外周に向けての吸引
が行われることで、標準粒子は該ウェハー6の中心から
外周に向かってウェハー6上に満遍なく塗布されるとと
もに、余分な標準粒子は吸引ノズル14で吸引され、外
部に飛散することがない構造となっている。また、ま
た、前記ウェハー6の仕切板10で覆われている部分に
は、標準粒子は塗布されない。
The standard particles injected from the nozzle 5 are as follows:
It is applied to the calibration wafer 6 on the wafer stage 8 through the opening 10 a of the partition plate 10, and the suction is performed by the suction nozzle 14 toward the outer periphery of the wafer 6, whereby the standard The particles are uniformly applied on the wafer 6 from the center to the outer periphery of the wafer 6, and the extra standard particles are sucked by the suction nozzle 14 and are not scattered outside. Further, the standard particles are not applied to the portion of the wafer 6 covered with the partition plate 10.

【0025】ここで、ウェハー6上における塗布領域の
切り替えは、前記ウェハーステージ8を回転させること
で行うので、前記ノズル5および吸引ノズル14を移動
させる必要はなく、装置の簡略化が図れる。
Here, since the application area on the wafer 6 is switched by rotating the wafer stage 8, it is not necessary to move the nozzle 5 and the suction nozzle 14, and the apparatus can be simplified.

【0026】レーザ照射機構15は、前記ウェハーステ
ージ8上のウェハー6と前記仕切板10の間で、かつ、
前記開口部10aの下を通過するレーザを照射する。レ
ーザ検出機構16は、このレーザ照射機構15から照射
されたレーザを検出するもので、該レーザ照射機構15
に対して前記仕切板10およびウェハーステージ8を挟
んだ位置に設けられる。前記ノズル5から噴射される標
準粒子は、前記開口部10aを通過してウェハー6に塗
布されるので、ウェハー6に標準粒子を正常に塗布して
いる状態では、前記レーザ照射機構15から照射された
レーザは標準粒子で遮られ、前記レーザ検出機構16に
到達しない。これにより、レーザ検出機構16の出力の
変化から、ウェハー6へ標準粒子が正常に塗布されたか
否かを検出可能となっている。なお、前記レーザ照射機
構15が照射するレーザは、前記仕切板10の上で、か
つ前記開口部10aの上を通過する構造としてもよい。
また、前記レーザ照射機構15が照射するレーザをウェ
ハーステージ8上のウェハー6に照射し、その反射光を
前記レーザ検出機構16で検出する構造としてもよい、
この場合、ウェハー6に標準粒子が塗布されたか否かを
より確実に検出可能となる。
The laser irradiation mechanism 15 is provided between the wafer 6 on the wafer stage 8 and the partition plate 10, and
The laser beam passing under the opening 10a is irradiated. The laser detecting mechanism 16 detects the laser beam emitted from the laser irradiating mechanism 15.
Is provided at a position sandwiching the partition plate 10 and the wafer stage 8. Since the standard particles ejected from the nozzle 5 pass through the opening 10a and are applied to the wafer 6, when the standard particles are normally applied to the wafer 6, the standard particles are irradiated from the laser irradiation mechanism 15. The laser beam is blocked by the standard particles and does not reach the laser detection mechanism 16. This makes it possible to detect whether or not the standard particles have been normally applied to the wafer 6 from a change in the output of the laser detection mechanism 16. The laser irradiated by the laser irradiation mechanism 15 may be configured to pass over the partition plate 10 and over the opening 10a.
Further, a structure may be employed in which the laser irradiated by the laser irradiation mechanism 15 is irradiated on the wafer 6 on the wafer stage 8, and the reflected light is detected by the laser detection mechanism 16.
In this case, it is possible to more reliably detect whether or not the standard particles have been applied to the wafer 6.

【0027】図2は本実施の形態の標準塗布機の制御ブ
ロック図である。上述した図1に示す構成の標準粒子塗
布機は、例えばこの図2に示す制御部17により制御さ
れる構造とすることで、一枚の校正用のウェハー6に粒
子径の異なる標準粒子を領域を分けて塗布する動作を自
動で行うことが可能となる。
FIG. 2 is a control block diagram of the standard coating machine of the present embodiment. The standard particle applicator having the configuration shown in FIG. 1 described above has, for example, a structure controlled by the control unit 17 shown in FIG. 2 so that the standard particles having different particle diameters are formed on one calibration wafer 6. Can be automatically performed.

【0028】すなわち、前記制御部17は、前記吸引・
気化機構3を制御して、前記吸引パイプ4が入っている
容器1内の溶液を吸引し、これを気化して、前記ノズル
5から噴射する。また、前記制御部17は、前記吸引機
構13を制御して、前記ノズル5から噴射された標準粒
子を前記吸引ノズル14で吸引することで、前記ウェハ
ー6の、前記仕切板10の開口部10aと対向した位置
の中心から外周に向けて標準粒子が塗布されるようにす
るとともに、余分な標準粒子を吸引する。
That is, the control unit 17 controls the suction
By controlling the vaporizing mechanism 3, the solution in the container 1 containing the suction pipe 4 is sucked, and the solution is vaporized and ejected from the nozzle 5. Further, the control unit 17 controls the suction mechanism 13 to suck the standard particles ejected from the nozzle 5 with the suction nozzle 14, thereby opening the opening 10 a of the partition plate 10 of the wafer 6. In addition, the standard particles are applied from the center of the position opposite to the outer periphery to the outer periphery, and excess standard particles are sucked.

【0029】さらに、前記制御部17は、前記ウェハー
ステージ駆動機構9を構成する図示しないモータ等の駆
動手段を制御して、図1に示すウェハーステージ8を回
転させることで、前記仕切板10の開口部10aに対向
する前記ウェハー6の位置を切り替える。なお、本実施
の形態では、ウェハーステージ8は90°単位で回転で
きるような機構を有する。また、前記制御部17は、前
記容器ステージ駆動機構12を構成する図示しないモー
タ等の駆動手段を制御して、図1に示す容器ステージ1
1を昇降および回転させることで、前記吸引パイプ4に
よる吸引対象の容器1を切り替える。そして、前記吸引
対象の容器1の切り替えに応じて前記開口部10aに対
向するウェハー6の位置を切り替えることで、一枚のウ
ェハー6に粒子径の異なる標準粒子を領域を分けて塗布
可能となる。
Further, the control section 17 controls driving means such as a motor (not shown) constituting the wafer stage driving mechanism 9 to rotate the wafer stage 8 shown in FIG. The position of the wafer 6 facing the opening 10a is switched. In the present embodiment, the wafer stage 8 has a mechanism that can be rotated in units of 90 °. Further, the control unit 17 controls driving means such as a motor (not shown) constituting the container stage driving mechanism 12 so that the container stage 1 shown in FIG.
The container 1 to be sucked by the suction pipe 4 is switched by raising and lowering and rotating 1. By switching the position of the wafer 6 facing the opening 10a in accordance with the switching of the container 1 to be suctioned, standard particles having different particle diameters can be applied to one wafer 6 in different regions. .

【0030】また、前記制御部17は、前記レーザ照射
機構15を制御してレーザを照射するとともに、レーザ
検出機構16の出力から該レーザ照射機構15から照射
されたレーザが該レーザ検出機構16に到達したか否か
を検出し、前記吸引・気化機構3を制御してウェハー6
に標準粒子を塗布する工程で、レーザが前記レーザ検出
機構16に到達している場合は、ノズル5からの噴射が
正常に行われていない等で標準粒子の塗布が十分に行わ
れていないと判断する。
The controller 17 controls the laser irradiating mechanism 15 to irradiate a laser, and outputs the laser radiated from the laser irradiating mechanism 15 to the laser detecting mechanism 16 from the output of the laser detecting mechanism 16. Detecting whether or not the wafer has arrived, and controlling the suction / vaporization mechanism 3 to control the wafer 6
In the step of applying the standard particles, if the laser reaches the laser detection mechanism 16, it is considered that the application of the standard particles is not sufficiently performed because the injection from the nozzle 5 is not performed normally. to decide.

【0031】以下、上述した本実施の形態の標準粒子塗
布機の動作を説明すると、まず、容器1に純水を入れ、
そこにある粒子径の標準粒子を適量入れ、これを攪拌し
て標準粒子の溶液を作成する。本実施の形態では、4種
類の径の異なる標準粒子を用いてそれぞれ溶液を作成し
て、別個の容器1に入れておく。例えば、粒子径が0.
1μの標準粒子が入れられた容器1を容器1a、粒子径
が0.2μの標準粒子が入れられた容器1を容器1b、
粒子径が0.5μの標準粒子が入れられた容器1を容器
1c、粒子径が1.0μの標準粒子が入れられた容器1
を容器1dとする。また、純水が入れられた容器1を容
器1eとする。そして、前記容器1(容器1a〜1e)
を、前記容器ステージ11上に、同一円周上に並べてセ
ットする。また、ウェハーステージ8には、校正用のウ
ェハー6をセットする。
Hereinafter, the operation of the standard particle applicator according to the present embodiment will be described. First, pure water is put into the container 1,
An appropriate amount of standard particles having a certain particle size is added thereto, and the mixture is stirred to prepare a standard particle solution. In the present embodiment, a solution is prepared using four types of standard particles having different diameters, and is placed in separate containers 1. For example, when the particle diameter is 0.
The container 1 containing 1 μm standard particles is a container 1a, the container 1 containing 0.2 μm standard particles is a container 1b,
The container 1 containing the standard particles having a particle diameter of 0.5 μm is a container 1 c, and the container 1 is holding the standard particles having a particle diameter of 1.0 μm.
Is the container 1d. Further, the container 1 in which the pure water is put is referred to as a container 1e. And the container 1 (containers 1a to 1e)
Are set side by side on the same circumference on the container stage 11. In addition, a calibration wafer 6 is set on the wafer stage 8.

【0032】各容器1およびウェハー6のセットが終了
すると、前記制御部17は、容器ステージ駆動機構12
を制御して前記容器ステージ11を矢印b方向に回転さ
せ、まず、粒子径が0.1μの標準粒子を入れた容器1
aを吸引パイプ4と対向させる。そして、前記制御部1
7は、容器ステージ駆動機構12を制御して前記容器ス
テージ11を矢印e方向に上昇させ、吸引パイプ4を容
器1aに入れる。
When the setting of the containers 1 and the wafers 6 is completed, the controller 17 controls the container stage driving mechanism 12
, The container stage 11 is rotated in the direction of arrow b. First, the container 1 containing standard particles having a particle diameter of 0.1 μm is set.
a is opposed to the suction pipe 4. And the control unit 1
7 controls the container stage drive mechanism 12 to raise the container stage 11 in the direction of arrow e, and puts the suction pipe 4 into the container 1a.

【0033】次に、制御部17は、吸引・気化機構3を
制御して、前記吸引パイプ4が入っている容器1a内の
溶液を吸引し、これを気化して、前記ノズル5から噴射
する。また、前記制御部17は、前記吸引機構13を制
御して、前記ノズル5から噴射された標準粒子を前記吸
引ノズル14で吸引する。
Next, the control unit 17 controls the suction / vaporization mechanism 3 to suck the solution in the container 1 a containing the suction pipe 4, vaporizes the solution, and jets the solution from the nozzle 5. . Further, the control unit 17 controls the suction mechanism 13 to suck the standard particles ejected from the nozzle 5 by the suction nozzle 14.

【0034】図3は本実施の形態の動作を示す説明図
で、前記ノズル5は前記仕切板10の開口部10aの中
心付近に設けられ、前記吸引ノズル14は前記ウェハー
ステージ8の側方で前記仕切板10の開口部10aが設
けられている部分に対応する位置に設けられているの
で、前記ノズル5から噴射された標準粒子は、図3に破
線で示すような経路で前記吸引ノズル14に向かって流
れ、前記ウェハー6の、前記仕切板10の開口部10a
と対向した位置の中心から外周に向けて塗布される。ま
た、ノズル5から噴射した標準粒子でウェハー6に付着
しなかった余分な標準粒子は、前記吸引ノズル14に吸
引されて、外部への飛散が抑えられる。
FIG. 3 is an explanatory view showing the operation of the present embodiment. The nozzle 5 is provided near the center of the opening 10 a of the partition plate 10, and the suction nozzle 14 is located on the side of the wafer stage 8. Since the partition plate 10 is provided at a position corresponding to the portion where the opening 10a is provided, the standard particles ejected from the nozzle 5 pass through the suction nozzle 14 along a path shown by a broken line in FIG. To the opening 10a of the partition plate 10 of the wafer 6.
Is applied from the center of the position opposed to the outer periphery to the outer periphery. In addition, extra standard particles ejected from the nozzle 5 and not adhered to the wafer 6 are sucked by the suction nozzle 14 to suppress scattering to the outside.

【0035】前記制御部17は、上述したウェハー6に
標準粒子を塗布する工程で、前記レーザ照射機構15を
制御して図3に一点鎖線で示すようにレーザを照射する
とともに、レーザ検出機構16の出力から該レーザ照射
機構15から照射されたレーザが該レーザ検出機構16
に到達したか否かを検出し、レーザが前記レーザ検出機
構16に到達しなくなった場合は、標準粒子がウェハー
6に塗布されたものと判断する。これに対して、レーザ
が前記レーザ検出機構16に到達している場合は、ノズ
ル5からの噴射が正常に行われていない等で標準粒子の
塗布が十分に行われていないと判断する。この場合、例
えばノズル5からの噴射時間を長くする等の処理を行
い、それでもレーザが前記レーザ検出機構16に到達し
ている場合は、ブザー等の図示しない警報出力手段を用
いて塗布不足を通知する等の処理を行うものとするとよ
い。
In the step of applying the standard particles to the wafer 6, the control section 17 controls the laser irradiation mechanism 15 to irradiate a laser as shown by a dashed line in FIG. From the output of the laser irradiation mechanism 15, the laser irradiated from the laser irradiation mechanism 15
Is detected, and if the laser does not reach the laser detection mechanism 16, it is determined that the standard particles have been applied to the wafer 6. On the other hand, when the laser has reached the laser detection mechanism 16, it is determined that the application of the standard particles is not sufficiently performed because the injection from the nozzle 5 is not normally performed. In this case, for example, processing such as prolonging the injection time from the nozzle 5 is performed, and if the laser still reaches the laser detection mechanism 16, notification of insufficient coating is notified using a not-shown alarm output unit such as a buzzer. And the like.

【0036】容器1aからの標準粒子の塗布が終了する
と、前記制御部17は、容器ステージ駆動機構12を制
御して前記容器ステージ11を矢印d方向に下降させ、
容器1aを吸引パイプ4から退避させる。次に、前記容
器ステージ11を矢印c方向に回転させ、純水を入れた
容器1eを吸引パイプ4と対向させる。そして、前記容
器ステージ11を矢印e方向に上昇させ、吸引パイプ4
を容器1eに入れる。
When the application of the standard particles from the container 1a is completed, the control unit 17 controls the container stage driving mechanism 12 to lower the container stage 11 in the direction of arrow d.
The container 1a is retracted from the suction pipe 4. Next, the container stage 11 is rotated in the direction of arrow c so that the container 1e containing pure water is opposed to the suction pipe 4. Then, the container stage 11 is raised in the direction of arrow e, and the suction pipe 4
Into the container 1e.

【0037】次に、制御部17は、吸引・気化機構3を
制御して、前記吸引パイプ4が入っている容器1e内の
純水を吸引し、吸引パイプ4等を洗浄する。洗浄が終了
すると、前記制御部17は、容器ステージ駆動機構12
を制御して前記容器ステージ11を矢印d方向に下降さ
せ、前記容器1eを吸引パイプ4から退避させる。次
に、前記容器ステージ11を矢印b方向に回転させ、粒
子径が0.2μの標準粒子を入れた容器1bを吸引パイ
プ4と対向させる。そして、前記容器ステージ11を矢
印e方向に上昇させ、吸引パイプ4を容器1bに入れ
る。また、前記制御部17は、ウェハーステージ駆動機
構9を制御して前記ウェハーステージ8を矢印a方向に
90°回転させる。
Next, the controller 17 controls the suction / vaporization mechanism 3 to suck the pure water in the container 1e containing the suction pipe 4, and cleans the suction pipe 4 and the like. When the cleaning is completed, the controller 17 controls the container stage driving mechanism 12
Is controlled, the container stage 11 is lowered in the direction of arrow d, and the container 1e is retracted from the suction pipe 4. Next, the container stage 11 is rotated in the direction of arrow b, and the container 1 b containing the standard particles having a particle diameter of 0.2 μ is opposed to the suction pipe 4. Then, the container stage 11 is raised in the direction of arrow e, and the suction pipe 4 is put into the container 1b. Further, the control unit 17 controls the wafer stage driving mechanism 9 to rotate the wafer stage 8 by 90 ° in the direction of arrow a.

【0038】次に、制御部17は、吸引・気化機構3を
制御して、前記吸引パイプ4が入っている容器1b内の
溶液を吸引し、これを気化して、前記ノズル5から噴射
する。また、前記制御部17は、前記吸引機構13を制
御して、前記ノズル5から噴射された標準粒子を前記吸
引ノズル14で吸引する。
Next, the control unit 17 controls the suction / vaporization mechanism 3 to suck the solution in the container 1 b containing the suction pipe 4, vaporizes the solution, and jets the solution from the nozzle 5. . Further, the control unit 17 controls the suction mechanism 13 to suck the standard particles ejected from the nozzle 5 by the suction nozzle 14.

【0039】これにより、前記ノズル5から噴射された
標準粒子は、前記ウェハー6の、前記仕切板10の開口
部10aと対向した位置の中心から外周に向けて塗布さ
れることになるが、該ウェハー6は、容器1aの標準粒
子を塗布したときに対して90°回転させてあるので、
前記仕切板10aと対向する位置が切り替えられてお
り、前記ウェハー6の前記容器1aの標準粒子を塗布し
た領域は仕切板10に覆われている。したがって、1枚
のウェハー6上に、領域を異ならせて粒子径の異なる標
準粒子が塗布可能となる。
Thus, the standard particles sprayed from the nozzle 5 are applied from the center of the wafer 6 at a position facing the opening 10a of the partition plate 10 toward the outer periphery. Since the wafer 6 is rotated by 90 ° with respect to the time when the standard particles in the container 1a are applied,
The position facing the partition plate 10a is switched, and the region of the wafer 1 on which the standard particles are applied is covered with the partition plate 10. Therefore, standard particles having different particle diameters can be applied to one wafer 6 in different regions.

【0040】なお、前記制御部17は、上述したウェハ
ー6に容器1bの標準粒子を塗布する工程でも、容器1
aの標準粒子を塗布する工程と同様にレーザ検出機構1
6の出力から塗布の有無を判断する。
The control unit 17 also controls the container 1b in the step of applying the standard particles of the container 1b to the wafer 6 described above.
a laser detection mechanism 1 as in the step of applying the standard particles a
The presence or absence of application is determined from the output of 6.

【0041】以後、容器1bからの標準粒子の塗布が終
了すると、前記制御部17は上述した純水による洗浄を
行い、ウェハーステージ8を90°回転させて塗布領域
を切り替えるとともに、容器ステージ11の昇降および
回転により吸引パイプ4による吸引対象の容器1を容器
1bから容器1cに切り替えて、前記レーザ検出機構1
6の出力を監視しながら容器1cの標準粒子の塗布を行
い、容器1cからの標準粒子の塗布が終了すると、上述
した純水による洗浄を行い、ウェハーステージ8を90
°回転させて塗布領域を切り替えるとともに、容器ステ
ージ11の昇降および回転により吸引パイプ4による吸
引対象の容器1を容器1cから容器1dに切り替えて、
前記レーザ検出機構16の出力を監視しながら容器1d
の標準粒子の塗布を行う。これにより、1枚のウェハー
6に粒子径の異なる4種類の標準粒子を、塗布領域を異
ならせて塗布することが可能となる。
Thereafter, when the application of the standard particles from the container 1b is completed, the control unit 17 performs the above-described cleaning with pure water, rotates the wafer stage 8 by 90 ° to switch the application region, and switches the application region of the container stage 11. The container 1 to be suctioned by the suction pipe 4 is switched from the container 1b to the container 1c by raising and lowering and rotating, and the laser detection mechanism 1 is switched.
While the output of 6 is monitored, the application of the standard particles in the container 1c is performed. When the application of the standard particles from the container 1c is completed, the above-described cleaning with pure water is performed, and the wafer stage 8 is moved to 90
While rotating the container area, the container 1 to be suctioned by the suction pipe 4 is switched from the container 1c to the container 1d by moving the container stage 11 up and down and rotating.
While monitoring the output of the laser detection mechanism 16, the container 1d
Is applied. This makes it possible to apply four types of standard particles having different particle diameters to one wafer 6 with different application areas.

【0042】図4は上述した仕切板10とウェハー6上
の塗布領域の関係を示す平面図で、仕切板10には扇形
の開口部10aが設けられ、この扇形の頂点の角度が4
5°であり、前記仕切板10に対して回転するウェハー
6は、上述したウェハーステージ駆動機構9によるウェ
ハーステージ8の回転で90°単位で回転する。また、
前記ウェハーステージ8は、前記仕切板10の扇形の開
口部10aの頂点を中心として回転する構造で、前記ウ
ェハー6は、その中心をこのウェハーステージ8の中心
に合わせて載せられる。
FIG. 4 is a plan view showing the relationship between the above-mentioned partition plate 10 and the coating area on the wafer 6. The partition plate 10 is provided with a fan-shaped opening 10a.
The wafer 6 that rotates at 5 ° and rotates with respect to the partition plate 10 rotates in units of 90 ° by the rotation of the wafer stage 8 by the wafer stage drive mechanism 9 described above. Also,
The wafer stage 8 has a structure that rotates around the apex of the fan-shaped opening 10 a of the partition plate 10, and the wafer 6 is placed with its center aligned with the center of the wafer stage 8.

【0043】これにより、前記ウェハー6には、頂点が
45°の扇形の標準粒子の塗布領域が形成される。本実
施の形態では、領域6aは0.1μの標準粒子の塗布領
域、領域6bは0.2μの標準粒子の塗布領域、領域6
cは0.5μの標準粒子の塗布領域、領域6dは1.0
μの標準粒子の塗布領域となる。そして、各塗布領域の
間は頂点が45°の扇形でスペースが開くので、隣接す
る塗布領域に粒子径の異なる標準粒子が塗布されること
はない。
As a result, a fan-shaped standard particle application area having a vertex of 45 ° is formed on the wafer 6. In the present embodiment, the area 6a is an application area of the 0.1 μ standard particle, the area 6b is an application area of the 0.2 μ standard particle, and the area 6a.
c is a coating area of 0.5 μm standard particles, and area 6d is 1.0
It becomes the application area of the standard particles of μ. Since a space is opened between the application areas in a fan shape having a vertex of 45 °, standard particles having different particle diameters are not applied to adjacent application areas.

【0044】この図4に示すように粒子径の異なる標準
粒子が領域を分けて塗布されたウェハー6を用いて異物
検査装置の校正を行うこととすれば、1枚のウェハー6
のみで、粒子径の異なる標準粒子によるレシピを作成す
ることができる。
As shown in FIG. 4, if the calibration of the foreign substance inspection apparatus is to be performed using the wafer 6 coated with the standard particles having different particle diameters in different regions, one wafer 6
Only with this, a recipe using standard particles having different particle diameters can be created.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、校正用
のウェハーに塗布される標準粒子が入れられる容器と、
前記容器から標準粒子を吸引するとともに、吸引した標
準粒子を噴射する塗布手段とを備えた標準粒子塗布機に
おいて、粒子径の異なる標準粒子が入れられた複数の前
記容器が取り付けられる容器取付手段と、前記容器取付
手段に取り付けられた複数の容器の中から1つの容器を
前記塗布手段と対応させる容器移動手段と、前記ウェハ
ーが載せられるウェハーステージと、前記ウェハーステ
ージ上のウェハーを覆うように該ウェハーステージの上
側に取り付けられ、その一部を開口させた開口部を備え
た仕切板と、前記ウェハーステージを移動させて、前記
仕切板の開口部に対するウェハーの位置を切り替えるウ
ェハー移動手段と前記仕切板の開口部の上方から前記塗
布手段による標準粒子を塗布するノズルとを備えたもの
である。
As described above, the present invention provides a container for containing standard particles to be applied to a calibration wafer,
Aspirating the standard particles from the container, and a standard particle applicator including an application unit for spraying the sucked standard particles, a container mounting unit to which a plurality of containers containing standard particles having different particle sizes are mounted. A container moving unit for associating one container from the plurality of containers attached to the container mounting unit with the coating unit, a wafer stage on which the wafer is mounted, and a wafer covering the wafer on the wafer stage. A partition plate attached to the upper side of the wafer stage and having an opening partly opened, a wafer moving means for moving the wafer stage and switching a position of a wafer with respect to the opening of the partition plate, and the partition A nozzle for applying standard particles by the coating means from above the opening of the plate.

【0046】また、本発明の標準粒子塗布機は、前記ノ
ズルより噴射した標準粒子を、前記仕切板の開口部に対
応した位置で、かつ、前記ウェハーステージの側方から
吸引する吸引手段を備えたものである。さらに、本発明
の標準粒子塗布機は、前記ノズルより噴射して塗布され
た標準粒子の有無を検出する検出手段を備えたものであ
る。したがって、これによれば、1枚の校正用のウェハ
ーに粒子径の異なる標準粒子を領域を分けて塗布でき、
ウェハーの使用量を削減することができる。
Further, the standard particle coating machine of the present invention is provided with suction means for sucking the standard particles jetted from the nozzle at a position corresponding to the opening of the partition plate and from the side of the wafer stage. It is a thing. Further, the standard particle applicator of the present invention is provided with detection means for detecting the presence / absence of standard particles sprayed and applied from the nozzle. Therefore, according to this, standard particles having different particle diameters can be applied to one calibration wafer in different regions,
Wafer usage can be reduced.

【0047】また、一度複数の容器を取り付ければ、1
枚のウェハーに粒子径の異なる標準粒子を塗布する工程
で、人手により容器を交換する作業は必要なく、作業性
の向上を図ることができる。さらに、ウェハーの上方か
ら噴射される標準粒子を、該ウェハーの側方から吸引す
ることで、ウェハー上の塗布領域には満遍なく標準粒子
が塗布できる。また、余分な標準粒子の外部への飛散を
防止でき、環境へ配慮することができる。
Also, once a plurality of containers are attached,
In the step of applying standard particles having different particle diameters to one wafer, there is no need to manually replace the container, and the workability can be improved. Further, by sucking the standard particles ejected from above the wafer from the side of the wafer, the standard particles can be applied evenly to the application region on the wafer. Further, extra standard particles can be prevented from scattering outside, and the environment can be considered.

【0048】さらに、標準粒子の塗布の有無を検出する
ことで、ウェハー上に標準粒子が塗布されたかを、この
塗布の段階で確認でき、再度の塗布作業の発生を減らし
て、作業の効率化を図ることができる。
Further, by detecting the presence or absence of the application of the standard particles, whether or not the standard particles have been applied on the wafer can be confirmed at this coating stage. Can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の標準粒子塗布機の実施の形態の一例を
示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an embodiment of a standard particle applicator of the present invention.

【図2】本実施の形態の標準塗布機の制御ブロック図で
ある。
FIG. 2 is a control block diagram of the standard coating machine of the present embodiment.

【図3】本実施の形態の動作を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing the operation of the present embodiment.

【図4】仕切板とウェハー上の塗布領域の関係を示す平
面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a relationship between a partition plate and a coating area on a wafer.

【図5】従来の標準粒子塗布機の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a conventional standard particle applicator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・容器、3・・・吸引・気化機構、4・・・吸引
ノズル、5・・・ノズル、6・・・ウェハー、8・・・
ウェハーステージ、9・・・ウェハーステージ駆動機
構、10・・・仕切板、10a・・・開口部、11・・
・容器ステージ、12・・・容器ステージ駆動機構、1
3・・・吸引機構、14・・・吸引ノズル、15・・・
レーザ照射機構、16・・・レーザ検出機構、17・・
・制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Container, 3 ... Suction / vaporization mechanism, 4 ... Suction nozzle, 5 ... Nozzle, 6 ... Wafer, 8 ...
Wafer stage, 9 ... Wafer stage drive mechanism, 10 ... Partition plate, 10a ... Opening, 11 ...
・ Container stage, 12 ・ ・ ・ Container stage drive mechanism, 1
3 ... suction mechanism, 14 ... suction nozzle, 15 ...
Laser irradiation mechanism, 16 ... Laser detection mechanism, 17 ...
・ Control unit

フロントページの続き Fターム(参考) 4F033 QA01 QB02Y QB05 QB12Y QB18 QD04 QD14 4F041 AA06 AB05 BA22 BA38 BA59 4F042 AA07 AB06 BA12 CA06 CB03 CB12 CC03 CC08 DF29 DF32 DF34 DH09 EB09 EB13 EB29 EC04 EC08 4M106 AA01 CA41 DH60 DJ19 Continued on the front page F-term (reference) 4F033 QA01 QB02Y QB05 QB12Y QB18 QD04 QD14 4F041 AA06 AB05 BA22 BA38 BA59 4F042 AA07 AB06 BA12 CA06 CB03 CB12 CC03 CC08 DF29 DF32 DF34 DH09 EB09 EB09 EC04 EB13 EC04

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 校正用のウェハーに塗布される標準粒子
が入れられる容器と、前記容器から標準粒子を吸引する
とともに、吸引した標準粒子を噴射する塗布手段とを備
えた標準粒子塗布機において、 粒子径の異なる標準粒子が入れられた複数の前記容器が
取り付けられる容器取付手段と、 前記容器取付手段に取り付けられた複数の容器の中から
1つの容器を前記塗布手段と対応させる容器移動手段
と、 前記ウェハーが載せられるウェハーステージと、 前記ウェハーステージ上のウェハーを覆うように該ウェ
ハーステージの上側に取り付けられ、その一部を開口さ
せた開口部を備えた仕切板と、 前記ウェハーステージを移動させて、前記仕切板の開口
部に対するウェハーの位置を切り替えるウェハー移動手
段と前記仕切板の開口部の上方から前記塗布手段による
標準粒子を塗布するノズルとを備えたことを特徴とする
標準粒子塗布機。
1. A standard particle coating machine comprising: a container in which standard particles to be coated on a calibration wafer are placed; and a coating unit for sucking the standard particles from the container and jetting the sucked standard particles. Container mounting means to which the plurality of containers containing the standard particles having different particle diameters are attached; and container moving means for associating one container from the plurality of containers attached to the container attachment means with the coating means. A wafer stage on which the wafer is mounted, a partition plate attached to the upper side of the wafer stage so as to cover the wafer on the wafer stage, and having an opening partly opened, and moving the wafer stage Then, the wafer moving means for switching the position of the wafer with respect to the opening of the partition plate and from above the opening of the partition plate Standard particle coater, characterized in that a nozzle for applying the standard particles by serial application means.
【請求項2】 前記ノズルより噴射した標準粒子を、前
記仕切板の開口部に対応した位置で、かつ、前記ウェハ
ーステージの側方から吸引する吸引手段を備えたことを
特徴とする請求項1記載の標準粒子塗布機。
2. The apparatus according to claim 1, further comprising suction means for sucking standard particles ejected from said nozzle at a position corresponding to an opening of said partition plate and from a side of said wafer stage. Standard particle coater as described.
【請求項3】 前記ノズルより噴射して塗布された標準
粒子の有無を検出する検出手段を備えたことを特徴とす
る請求項1記載の標準粒子塗布機。
3. The standard particle applicator according to claim 1, further comprising detection means for detecting the presence or absence of the standard particles sprayed and applied from the nozzle.
【請求項4】 前記仕切板の開口部の形状は、扇形であ
ることを特徴とする請求項1記載の標準粒子塗布機。
4. The standard particle applicator according to claim 1, wherein the shape of the opening of the partition plate is a sector shape.
【請求項5】 前記ウェハー移動手段は、前記仕切板の
扇形の開口部の頂点を中心として前記ウェハーを回転さ
せることを特徴とする請求項4記載の標準粒子塗布機。
5. The standard particle applicator according to claim 4, wherein the wafer moving means rotates the wafer about a vertex of a sector-shaped opening of the partition plate.
【請求項6】 前記容器取付手段は、同一円周上に複数
の容器が並べて取り付けられ、 前記容器移動手段は、前記容器の並べられた円周の中心
を軸として、前記容器取付手段を回転させることを特徴
とする請求項1記載の標準粒子塗布機。
6. The container mounting means has a plurality of containers arranged side by side on the same circumference, and the container moving means rotates the container mounting means about the center of the arranged circumference of the containers as an axis. The standard particle applicator according to claim 1, wherein the coating is performed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113747977A (en) * 2019-04-26 2021-12-03 株式会社资生堂 Liquid discharging device

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