JP2002252467A - 多層配線基板とその製造方法 - Google Patents

多層配線基板とその製造方法

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JP2002252467A JP2001052157A JP2001052157A JP2002252467A JP 2002252467 A JP2002252467 A JP 2002252467A JP 2001052157 A JP2001052157 A JP 2001052157A JP 2001052157 A JP2001052157 A JP 2001052157A JP 2002252467 A JP2002252467 A JP 2002252467A
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insulating
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Shinichi Akai
晋一 赤井
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 バンプ付き銅箔を絶縁性コア基板に積層する
ときに、コア基板に凹みが生じたり、バンプに亀裂が生
じたりすることのない多層配線基板とその製造方法を提
供する。 【解決手段】 配線パターン11を形成した絶縁性コア
基板10に絶縁性プリプレグ12を介して銅箔13を積
層し、この銅箔13に形成した導電性バンプ14をもっ
て絶縁性プリプレグ12を嵌挿して絶縁性コア基板10
の配線パターン11に圧着接合し、銅箔13により配線
パターンを形成してなる多層配線基板において、配線パ
ターン11における導電性バンプ14の先端との圧着接
合面に、この圧着接合面より小さなバンプ接合凹部21
としての凹みや孔を形成してなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付き銅箔を
積層するときに、絶縁性コア基板に凹みが生じたり、導
電性バンプに亀裂が発生したりするのを防止するように
した多層配線基板とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】多層配線基板は、益々の高度化と製造工
程の単純化が進んでいるが、それにも増して品質の向上
が望まれている。最近の高度化された多層配線基板18
の一種として、図5に示すようなものが知られている
(特開平11−284350)。これは、図3に示すよ
うに、中心部の絶縁性コア基板10と、この絶縁性コア
基板10の両側に配置されている厚さが30〜100μ
m程度の絶縁性プリプレグ12と、さらにこの絶縁性プ
リプレグ12の外側に配置されている厚さが10〜50
μm程度の銅箔13とによって主に構成されている。前
記絶縁性コア基板10には、少なくともいずれか一方の
面(この例では両面)に、配線パターン11が形成され
ている。この絶縁性コア基板10は、スルーホールを具
備したものであってもよい。前記銅箔13には、絶縁性
コア基板10の配線パターン11に対応するように、導
電性の銀ペーストの印刷と乾燥を行った円錐状の導電性
バンプ14を設けてある。
【0003】このようにして形成された絶縁性コア基板
10の両面の配線パターン11に、それぞれ絶縁性プリ
プレグ12とバンプ付き銅箔13を順次積層し、加熱し
ながらプレスする。すると、絶縁性プリプレグ12は、
基材に絶縁性樹脂を含浸させてあって半硬化状態(Bス
テージ)にあるため、加熱されると一時的に軟化して図
4に示すように銅箔13の導電性バンプ14がこの絶縁
性プリプレグ12を貫通して絶縁性コア基板10の対応
する位置の配線パターン11に圧着して電気的に接続さ
れる。絶縁性プリプレグ12は、さらに加熱されること
により、一旦溶融状態になった絶縁性樹脂が硬化するの
で、絶縁体層と接着層とを兼ね備えた状態で絶縁性コア
基板10に固着される。積層接着された外表面の銅箔1
3は、通常の露光処理やその他の電気化学的処理により
図5に示すような配線パターン15が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方法で形
成された従来の多層配線基板18では、図6(a)に示
すように、導電性バンプ14に亀裂19が生じて接続不
良を起こしたり、図6(b)に示すように、配線パター
ン11と絶縁性コア基板10に凹み20が生じて、絶縁
性コア基板10の接続位置ずれや、接続不良(接続面積
の減少)が生じる等のおそれがあった。
【0005】これらの現象は、配線パターン11が平坦
なため、プレス時の圧力が導電性バンプ14の先端の小
径部分に集中して分散されずに配線パターン11と絶縁
性コア基板10にかかってしまったり、導電性バンプ1
4の先端部に位置ずれを生じたりすることによるものと
考えられる。
【0006】本発明は、バンプ付き銅箔13を絶縁性コ
ア基板10に積層するときに、絶縁性コア基板10や配
線パターン11に凹み20が生じたり、導電性バンプ1
4に亀裂19が生じたりすることのない多層配線基板と
その製造方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
よれば、配線パターン11を形成した絶縁性コア基板1
0に絶縁性プリプレグ12を介して銅箔13を積層し、
この銅箔13に形成した導電性バンプ14をもって前記
絶縁性プリプレグ12を嵌挿して前記絶縁性コア基板1
0の配線パターン11に圧着接合し、前記銅箔13によ
り配線パターン15を形成してなる多層配線基板18に
おいて、前記配線パターン11における導電性バンプ1
4の先端との圧着接合面に、この圧着接合面より小さな
バンプ接合凹部21を形成したことを特徴とする多層配
線基板である。
【0008】請求項2に記載の発明によれば、バンプ接
合凹部21は、圧着接合面の数分の一の面積を持ち、配
線パターン11の厚さを薄くした円形の凹みからなるこ
とを特徴とする請求項1記載の多層配線基板である。
【0009】請求項3に記載の発明によれば、バンプ接
合凹部21は、圧着接合面の数分の一の面積を持ち、配
線パターン11の一部を穿設した円形の孔からなること
を特徴とする請求項1記載の多層配線基板である。
【0010】請求項4に記載の発明によれば、絶縁性コ
ア基板10に配線パターン11を形成すると共に、この
配線パターン11にバンプ接合凹部21を形成する工程
と、この絶縁性コア基板10の配線パターン11側に絶
縁性プリプレグ12を積層すると共に、前記配線パター
ン11のバンプ接合凹部21に導電性バンプ14の先端
部が一致するように位置合わせをして導電性バンプ14
付きの銅箔13を積層する工程と、前記絶縁性コア基板
10、絶縁性プリプレグ12及び銅箔13を加熱と加圧
により、前記導電性バンプ14をもって絶縁性プリプレ
グ12を嵌挿して絶縁性コア基板10の配線パターン1
1に圧着接合して一体化する工程と、前記銅箔13によ
り配線パターン15を形成する工程とからなることを特
徴とする多層配線基板の製造方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明は、バンプ付き銅箔13を
絶縁性コア基板10に積層する際に、絶縁性コア基板1
0に形成された配線パターン11に、バンプ接合凹部2
1を設けて安定した接合が行われるようにしたものであ
る。前記バンプ接合凹部21は、導電性バンプ14の圧
着接合面の数分の一程度の凹みや孔により構成される。
【0012】前記絶縁性コア基板10の配線パターン1
1に、バンプ接合凹部21を形成することにより、導電
性バンプ14の先端部がこのバンプ接合凹部21内に確
実に位置決めされ、このバンプ接合凹部21内で押しつ
ぶされる。また、導電性バンプ14の中間であって、導
電性バンプ14の先端の小径部分よりもやや径の大きな
部分は、バンプ接合凹部21の外周の配線パターン11
の平坦部に接触して押しつぶされる。このように、プレ
ス時の圧力がバンプ接合凹部21内外に分散され、か
つ、位置ずれもなくなり、導電性バンプ14の亀裂19
の発生や絶縁性コア基板10の凹み20の発生を防止す
ることができる。
【0013】以下、本発明の具体的実施例を図1及び図
2に基づき説明する。 第1実施例:配線パターン11にバンプ接合凹部21と
して凹みを形成して接合する多層配線基板の製造方法を
図1に基づき説明する。 第1工程:この工程では、絶縁性コア基板10に配線パ
ターン11を形成すると共に、この配線パターン11に
バンプ接合凹部21としての凹みを形成する。さらに詳
しくは、図1(a)(b)に示すように、絶縁性コア基
板10の配線パターン11に、ハーフエッチング、レー
ザー加工等によりバンプ接合凹部21としての凹みを形
成する。このバンプ接合凹部としての凹み21は、配線
パターン11の中心部に位置し、圧着接合面の数分の一
の面積を持っており、その直径が、例えば、50〜10
0μm程度の円形とし、深さが配線パターン11の厚さ
を略半分程度に薄くした凹みとしている。
【0014】第2工程:この工程では、絶縁性コア基板
10の配線パターン11側に絶縁性プリプレグ12を積
層すると共に、前記配線パターン11のバンプ接合凹部
21に導電性バンプ14の先端部が一致するように位置
合わせをして導電性バンプ14付きの銅箔13を積層す
る。
【0015】第3工程:この工程では、前記絶縁性コア
基板10、絶縁性プリプレグ12及び銅箔13を加熱と
加圧により、前記導電性バンプ14をもって絶縁性プリ
プレグ12を嵌挿して絶縁性コア基板10の配線パター
ン11に圧着接合して一体化する。さらに詳しくは、配
線パターン11のバンプ接合凹部21に、銅箔13にお
ける導電性バンプ14の先端部の小径部分が対応するよ
うに位置させて、絶縁性コア基板10と絶縁性プリプレ
グ12とバンプ付き銅箔13を順次積層し、加熱しなが
らプレスする。すると、絶縁性プリプレグ12は、基材
に絶縁性樹脂を含浸させてあって半硬化状態にあるた
め、加熱されると一時的に軟化する。そのため、図1
(c)に示すように銅箔13の導電性バンプ14は、こ
の軟化した絶縁性プリプレグ12を貫通して絶縁性コア
基板10における対応する配線パターン11のバンプ接
合凹部21としての凹みに圧接して押しつぶされる。同
時に、導電性バンプ14における先端よりも基部側で径
のやや大きな部分は、バンプ接合凹部21からはみ出す
ようにしてバンプ接合凹部21の外周縁における11の
平坦部に圧着して押しつぶされる。このように、導電性
バンプ14の先端の小径部分がバンプ接合凹部21内に
圧接するのと、導電性バンプ14の中間のやや径の大き
な部分がバンプ接合凹部21の外周の配線パターン11
の平面部に圧接するのとに分散されるので、亀裂19が
発生したり、凹み20が生じることなく、銅箔13と配
線パターン11は、導電性バンプ14を介して確実に電
気的に接続される。絶縁性プリプレグ12は、さらに加
熱されることにより、絶縁性樹脂が一旦溶融状態になっ
た後に硬化するので、絶縁体層と接着層とを兼ね備えた
状態で絶縁性コア基板10に固着される。
【0016】第4工程:この工程では、前記銅箔13に
より配線パターン15を形成する。積層接着された外表
面の銅箔13は、通常の露光処理やその他の電気化学的
処理により図5に示すような配線パターン15が形成さ
れる。
【0017】第2実施例:配線パターン11にバンプ接
合凹部21としての孔を形成して接合する多層配線基板
の製造方法を(図2)に基づき説明する。この第2実施
例では、図2(a)(b)に示すように、絶縁性コア基
板10の配線パターン11に、ハーフエッチング、レー
ザー加工等によりバンプ接合凹部21としての孔を形成
する。このバンプ接合凹部としての孔21は、配線パタ
ーン11の中心部に位置し、圧着接合面の数分の一の面
積を持っており、その直径が、例えば、50〜100μ
m程度の円形とし、配線パターン11を貫通するように
穿設した円形の孔としている。
【0018】このような構成において、配線パターン1
1のバンプ接合凹部21としての孔に、銅箔13におけ
る導電性バンプ14の先端部の小径部分が対応するよう
に位置させて、絶縁性コア基板10と絶縁性プリプレグ
12とバンプ付き銅箔13を順次積層し、加熱しながら
プレスする。すると、絶縁性プリプレグ12は、一時的
に軟化し、図2(c)に示すように銅箔13の導電性バ
ンプ14は、この軟化した絶縁性プリプレグ12を貫通
して絶縁性コア基板10における対応する配線パターン
11の孔からなるバンプ接合凹部21を貫通して絶縁性
コア基板10の上面に圧接して押しつぶされる。同時
に、導電性バンプ14における先端よりも基部側で径の
やや大きな部分は、孔からなるバンプ接合凹部21から
はみ出すようにしてバンプ接合凹部21の外周縁におけ
る11の平坦部に圧着して押しつぶされる。このよう
に、導電性バンプ14の先端の小径部分が孔からなるバ
ンプ接合凹部21を貫通して絶縁性コア基板10の上面
に圧接するのと、導電性バンプ14の中間のやや径の大
きな部分がバンプ接合凹部21の外周の配線パターン1
1の平面部に圧接するのとに分散されるので、亀裂19
が発生したり、凹み20が生じることなく、銅箔13と
配線パターン11は、導電性バンプ14を介して確実に
電気的に接続される。絶縁性プリプレグ12は、さらに
加熱されて絶縁体層と接着層とを兼ね備えた状態で絶縁
性コア基板10に固着される。積層接着された外表面の
銅箔13は、通常の露光処理やその他の電気化学的処理
により図5に示すような配線パターン15が形成され
る。
【0019】前記実施例では、導電性バンプ14が円錐
形状としたので、配線パターン11のバンプ接合凹部2
1を円形としたが、導電性バンプ14の形状に応じて、
バンプ接合凹部21の形状を変えるようにしてもよい。
前記実施例では、絶縁性コア基板10の片面に、配線パ
ターン11を形成し、絶縁性プリプレグ12を介して銅
箔15を積層するようにしたが、本発明は、絶縁性コア
基板10の両面に、それぞれ配線パターン11を形成
し、それぞれ絶縁性プリプレグ12を介して銅箔15を
積層するようにした場合も利用できることはもちろんで
ある。
【0020】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、配線パタ
ーン11を形成した絶縁性コア基板10に絶縁性プリプ
レグ12を介して銅箔13を積層し、この銅箔13に形
成した導電性バンプ14をもって前記絶縁性プリプレグ
12を嵌挿して前記絶縁性コア基板10の配線パターン
11に圧着接合し、前記銅箔13により配線パターン1
5を形成してなる多層配線基板18において、前記配線
パターン11における導電性バンプ14の先端との圧着
接合面に、この圧着接合面より小さなバンプ接合凹部2
1を形成したので、導電性バンプ14の先端の小径部分
がバンプ接合凹部21に圧接するときの圧力と、導電性
バンプ14の中間のやや径の大きな部分がバンプ接合凹
部21の外周の配線パターン11の平面部に圧接すると
きの圧力とに分散されるので、亀裂19が発生したり、
凹み20が生じることなく、銅箔13と配線パターン1
1は、導電性バンプ14を介して確実に電気的に接続さ
れ、電気的にも特性の優れた多層配線基板が得られる。
【0021】請求項2記載の発明によれば、バンプ接合
凹部21は、圧着接合面の数分の一の面積を持ち、配線
パターン11の厚さを薄くした円形の凹みからなるの
で、配線パターン11と導電性バンプ14との接合面を
減らすことなくより確実に接合できる。
【0022】請求項3記載の発明によれば、バンプ接合
凹部21は、圧着接合面の数分の一の面積を持ち、配線
パターン11の一部を穿設した円形の孔からなるので、
配線パターン11の厚さが薄いために深さ調整が困難な
ときに有効である。
【0023】請求項4記載の発明によれば、絶縁性コア
基板10に配線パターン11を形成すると共に、この配
線パターン11にバンプ接合凹部21を形成する工程
と、この絶縁性コア基板10の配線パターン11側に絶
縁性プリプレグ12を積層すると共に、前記配線パター
ン11のバンプ接合凹部21に導電性バンプ14の先端
部が一致するように位置合わせをして導電性バンプ14
付きの銅箔13を積層する工程と、前記絶縁性コア基板
10、絶縁性プリプレグ12及び銅箔13を加熱と加圧
により、前記導電性バンプ14をもって絶縁性プリプレ
グ12を嵌挿して絶縁性コア基板10の配線パターン1
1に圧着接合して一体化する工程と、前記銅箔13によ
り配線パターン15を形成する工程とからなるので、配
線パターン11にバンプ接合凹部21を形成する工程を
付加するだけでより高品質の多層配線基板を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による多層配線基板とその製造方法の第
1実施例を示すもので、(a)は、配線パターン11に
バンプ接合凹部21としての凹みを形成した絶縁性コア
基板10の断面図、(b)は、(a)の平面図、(c)
は、(a)に示す絶縁性コア基板10に、絶縁性プリプ
レグ12を介して銅箔13を積層した断面図である。
【図2】本発明による多層配線基板とその製造方法の第
2実施例を示すもので、(a)は、配線パターン11に
バンプ接合凹部21としての孔を形成した絶縁性コア基
板10の断面図、(b)は、(a)の平面図、(c)
は、(a)に示す絶縁性コア基板10に絶縁性プリプレ
グ12を介して銅箔13を積層した断面図である。
【図3】従来の多層配線基板とその製造方法を示す積層
前の分解断面図である。
【図4】図3に示す絶縁性コア基板10の両面に絶縁性
プリプレグ12を介して銅箔13を積層した断面図であ
る。
【図5】図4に示す積層後の銅箔13から配線パターン
15を形成した断面図である。
【図6】従来の製造方法により欠陥を生じた例を示すも
ので、(a)は、導電性バンプ14に亀裂19が生じた
ときの断面図、(b)は、絶縁性コア基板10と配線パ
ターン11に凹み20が生じたときの断面図である
【符号の説明】
10…絶縁性コア基板、11…配線パターン、12…絶
縁性プリプレグ、13…銅箔、14…導電性バンプ、1
5…配線パターン、16…凹凸面、17…塗膜面、18
…多層配線基板、19…亀裂、20…凹み、21…バン
プ接合凹部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配線パターン11を形成した絶縁性コア
    基板10に絶縁性プリプレグ12を介して銅箔13を積
    層し、この銅箔13に形成した導電性バンプ14をもっ
    て前記絶縁性プリプレグ12を嵌挿して前記絶縁性コア
    基板10の配線パターン11に圧着接合し、前記銅箔1
    3により配線パターン15を形成してなる多層配線基板
    18において、前記配線パターン11における導電性バ
    ンプ14の先端との圧着接合面に、この圧着接合面より
    小さなバンプ接合凹部21を形成したことを特徴とする
    多層配線基板。
  2. 【請求項2】 バンプ接合凹部21は、圧着接合面の数
    分の一の面積を持ち、配線パターン11の厚さを薄くし
    た円形の凹みからなることを特徴とする請求項1記載の
    多層配線基板。
  3. 【請求項3】 バンプ接合凹部21は、圧着接合面の数
    分の一の面積を持ち、配線パターン11の一部を穿設し
    た円形の孔からなることを特徴とする請求項1記載の多
    層配線基板。
  4. 【請求項4】 絶縁性コア基板10に配線パターン11
    を形成すると共に、この配線パターン11にバンプ接合
    凹部21を形成する工程と、この絶縁性コア基板10の
    配線パターン11側に絶縁性プリプレグ12を積層する
    と共に、前記配線パターン11のバンプ接合凹部21に
    導電性バンプ14の先端部が一致するように位置合わせ
    をして導電性バンプ14付きの銅箔13を積層する工程
    と、前記絶縁性コア基板10、絶縁性プリプレグ12及
    び銅箔13を加熱と加圧により、前記導電性バンプ14
    をもって絶縁性プリプレグ12を嵌挿して絶縁性コア基
    板10の配線パターン11に圧着接合して一体化する工
    程と、前記銅箔13により配線パターン15を形成する
    工程とからなることを特徴とする多層配線基板の製造方
    法。
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