JP2002252186A - 半導体ウェハ切断装置 - Google Patents
半導体ウェハ切断装置Info
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- JP2002252186A JP2002252186A JP2001048737A JP2001048737A JP2002252186A JP 2002252186 A JP2002252186 A JP 2002252186A JP 2001048737 A JP2001048737 A JP 2001048737A JP 2001048737 A JP2001048737 A JP 2001048737A JP 2002252186 A JP2002252186 A JP 2002252186A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハを切断しながら半導体ウェハの
断面を容易に研磨することができる半導体ウェハ切断装
置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ切断装置のブレード部１０
は、切断用砥石１１と、研磨用砥石１２とを有する。切
断用砥石１１は、ドーナツ状の金属薄板の外周部にダイ
ヤモンド等の砥粒を固着したものである。研磨用砥石１
２は、その金属薄板の外周部の内側にダイヤモンド等の
砥粒を固着したものである。研磨用砥石１２の砥粒の粒
径は切断用砥石１１の砥粒の粒径よりも小さい。金属薄
板の中心軸方向に沿っての研磨用砥石１２の厚さは、切
断用砥石１１の厚さよりも大きく且つ金属薄板の外周側
から内側に向かうに従って徐々に大きくなっている。
断面を容易に研磨することができる半導体ウェハ切断装
置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ切断装置のブレード部１０
は、切断用砥石１１と、研磨用砥石１２とを有する。切
断用砥石１１は、ドーナツ状の金属薄板の外周部にダイ
ヤモンド等の砥粒を固着したものである。研磨用砥石１
２は、その金属薄板の外周部の内側にダイヤモンド等の
砥粒を固着したものである。研磨用砥石１２の砥粒の粒
径は切断用砥石１１の砥粒の粒径よりも小さい。金属薄
板の中心軸方向に沿っての研磨用砥石１２の厚さは、切
断用砥石１１の厚さよりも大きく且つ金属薄板の外周側
から内側に向かうに従って徐々に大きくなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
ェハの不良解析等を行う際に用いられる半導体ウェハ切
断装置に関するものである。
ェハの不良解析等を行う際に用いられる半導体ウェハ切
断装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウェハの不良解析の際
に、半導体ウェハの所望の断面を観察することが行われ
ている。従来、かかる半導体ウェハの断面を観察するに
は、まず、作業者は、ダイシング装置を用いて、サンプ
ルとなる半導体ウェハを適当な大きさにカットする。こ
のとき、必要に応じて、サンプルの断面を樹脂で封止す
る。次に、作業者は、研磨装置を用いて、サンプルの所
望の断面を端面加工（鏡面加工）する。こうして得られ
たサンプルの断面を観察することにより、半導体ウェハ
の不良解析を行っている。
に、半導体ウェハの所望の断面を観察することが行われ
ている。従来、かかる半導体ウェハの断面を観察するに
は、まず、作業者は、ダイシング装置を用いて、サンプ
ルとなる半導体ウェハを適当な大きさにカットする。こ
のとき、必要に応じて、サンプルの断面を樹脂で封止す
る。次に、作業者は、研磨装置を用いて、サンプルの所
望の断面を端面加工（鏡面加工）する。こうして得られ
たサンプルの断面を観察することにより、半導体ウェハ
の不良解析を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、ダイシング装置を用いて半導体ウェハを切断した
後、研磨装置を用いて半導体ウェハの断面を研磨してい
たので、作業工程の数が多く、作業時間に長時間を要す
るという問題があった。また、研磨装置を用いて半導体
ウェハの断面を研磨する際に、その仕上げをよくするに
は、作業者の熟練を要し、かかる研磨作業は新たに作業
に従事する者にとって困難な作業であった。
は、ダイシング装置を用いて半導体ウェハを切断した
後、研磨装置を用いて半導体ウェハの断面を研磨してい
たので、作業工程の数が多く、作業時間に長時間を要す
るという問題があった。また、研磨装置を用いて半導体
ウェハの断面を研磨する際に、その仕上げをよくするに
は、作業者の熟練を要し、かかる研磨作業は新たに作業
に従事する者にとって困難な作業であった。
【０００４】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、半導体ウェハを切断しながら半導体ウェハの断
面を容易に研磨することができる半導体ウェハ切断装置
を提供することを目的とするものである。
であり、半導体ウェハを切断しながら半導体ウェハの断
面を容易に研磨することができる半導体ウェハ切断装置
を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、ブレード部を用いて半導体ウェハを切断
する半導体ウェハ切断装置において、前記ブレード部
は、金属薄板の外周部に砥粒を固着した第一の砥石と、
前記金属薄板の外周部の内側に、前記第一の砥石の砥粒
の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した第二の砥石と
を有し、砥石軸方向に沿っての前記第二の砥石の厚さ
は、前記第一の砥石の厚さよりも大きく且つ前記金属薄
板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大きくなっ
ていることを特徴とするものである。
めの本発明は、ブレード部を用いて半導体ウェハを切断
する半導体ウェハ切断装置において、前記ブレード部
は、金属薄板の外周部に砥粒を固着した第一の砥石と、
前記金属薄板の外周部の内側に、前記第一の砥石の砥粒
の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した第二の砥石と
を有し、砥石軸方向に沿っての前記第二の砥石の厚さ
は、前記第一の砥石の厚さよりも大きく且つ前記金属薄
板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大きくなっ
ていることを特徴とするものである。
【０００６】上記の目的を達成するための本発明に係る
ダイシングブレードは、金属薄板の外周部に砥粒を固着
した第一の砥石と、前記金属薄板の外周部の内側に、前
記第一の砥石の砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固
着した第二の砥石とを有し、砥石軸方向に沿っての前記
第二の砥石の厚さが、前記第一の砥石の厚さよりも大き
く且つ前記金属薄板の外周側から内側に向かうに従って
徐々に大きくなっていることを特徴とするものである。
ダイシングブレードは、金属薄板の外周部に砥粒を固着
した第一の砥石と、前記金属薄板の外周部の内側に、前
記第一の砥石の砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固
着した第二の砥石とを有し、砥石軸方向に沿っての前記
第二の砥石の厚さが、前記第一の砥石の厚さよりも大き
く且つ前記金属薄板の外周側から内側に向かうに従って
徐々に大きくなっていることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の一実
施形態である半導体ウェハ切断装置に使用するブレード
部の概略正面図、図１（ｂ）はそのブレード部の概略側
面図である。また、図２はその半導体ウェハ切断装置を
用いて半導体ウェハを切断する様子を示す図である。
て図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の一実
施形態である半導体ウェハ切断装置に使用するブレード
部の概略正面図、図１（ｂ）はそのブレード部の概略側
面図である。また、図２はその半導体ウェハ切断装置を
用いて半導体ウェハを切断する様子を示す図である。
【０００８】本実施形態では、半導体ウェハ切断装置と
して、図１に示す専用のブレード部１０を既存のダイシ
ング装置に取り付けたものを使用する。かかるブレード
部１０は、切断用砥石（第一の砥石）１１と、研磨用砥
石（第二の砥石）１２とを有する。切断用砥石１１は、
ドーナツ状の金属薄板の外周部にダイヤモンド等の砥粒
を固着したものである。ここで、切断用砥石１１の砥粒
の粒径をＡとする。
して、図１に示す専用のブレード部１０を既存のダイシ
ング装置に取り付けたものを使用する。かかるブレード
部１０は、切断用砥石（第一の砥石）１１と、研磨用砥
石（第二の砥石）１２とを有する。切断用砥石１１は、
ドーナツ状の金属薄板の外周部にダイヤモンド等の砥粒
を固着したものである。ここで、切断用砥石１１の砥粒
の粒径をＡとする。
【０００９】一方、研磨用砥石１２は、その金属薄板の
外周部の内側にダイヤモンド等の砥粒を固着したもので
ある。ここで、研磨用砥石１２の砥粒の粒径をＢとす
る。この研磨用砥石１２の砥粒の粒径Ｂは切断用砥石１
１の砥粒の粒径Ａよりもかなり小さい。
外周部の内側にダイヤモンド等の砥粒を固着したもので
ある。ここで、研磨用砥石１２の砥粒の粒径をＢとす
る。この研磨用砥石１２の砥粒の粒径Ｂは切断用砥石１
１の砥粒の粒径Ａよりもかなり小さい。
【００１０】また、金属薄板の中心軸（砥石軸）方向に
沿っての研磨用砥石１２の厚さは、切断用砥石１１の厚
さよりも大きく、且つ、金属薄板の外周側から内側に向
かうに従って徐々に大きくなっている。すなわち、図１
（ｂ）に示すように側面から見ると、研磨用砥石１２
は、研磨用砥石１２と切断用砥石１１の境界部から徐々
に突出している。特に、本実施形態では、研磨用砥石１
２はその境界部において切断用砥石１１と滑らかに繋が
り、その境界部近傍における砥石１１，１２の厚さは連
続的に変化している。
沿っての研磨用砥石１２の厚さは、切断用砥石１１の厚
さよりも大きく、且つ、金属薄板の外周側から内側に向
かうに従って徐々に大きくなっている。すなわち、図１
（ｂ）に示すように側面から見ると、研磨用砥石１２
は、研磨用砥石１２と切断用砥石１１の境界部から徐々
に突出している。特に、本実施形態では、研磨用砥石１
２はその境界部において切断用砥石１１と滑らかに繋が
り、その境界部近傍における砥石１１，１２の厚さは連
続的に変化している。
【００１１】次に、本実施形態の半導体ウェハ切断装置
を用いて半導体ウェハを切断・研磨する作業について説
明する。ここでは、図２に示すように、半導体ウェハ
（被切断物）５０として、Ｓｉ基盤５１上に半導体プロ
セス構造を有する部分５２を形成したものを用いる。ま
た、かかるプロセス構造を有する部分５２の厚さは約１
０μｍである。
を用いて半導体ウェハを切断・研磨する作業について説
明する。ここでは、図２に示すように、半導体ウェハ
（被切断物）５０として、Ｓｉ基盤５１上に半導体プロ
セス構造を有する部分５２を形成したものを用いる。ま
た、かかるプロセス構造を有する部分５２の厚さは約１
０μｍである。
【００１２】図２の場合、ブレード部１０は砥石軸が水
平となるように配置され、時計回りに回転する。一方、
半導体ウェハ５０は右側から左側へ、ブレード部１０に
向かって進行する。このとき、半導体プロセス構造を有
する部分５２が上を向くように半導体ウェハ５０を配置
しており、しかも、半導体プロセス構造を有する部分５
２の高さが、図２においてリング状に表された研磨用砥
石１２の下端部の高さ範囲内に含まれるように、半導体
ウェハ５０の高さ方向の位置を定めている。
平となるように配置され、時計回りに回転する。一方、
半導体ウェハ５０は右側から左側へ、ブレード部１０に
向かって進行する。このとき、半導体プロセス構造を有
する部分５２が上を向くように半導体ウェハ５０を配置
しており、しかも、半導体プロセス構造を有する部分５
２の高さが、図２においてリング状に表された研磨用砥
石１２の下端部の高さ範囲内に含まれるように、半導体
ウェハ５０の高さ方向の位置を定めている。
【００１３】図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ５
０がブレード部１０に向かって進行し、ブレード部１０
に達すると、半導体ウェハ５０は切断用砥石１１により
切断される。半導体ウェハ５０がさらに左側へ進行する
と、図２（ｂ）に示すように、切断された半導体ウェハ
５０のうち半導体プロセス構造を有する部分５２は研磨
用砥石１２に達する。そして、半導体プロセス構造を有
する部分５２における切断面は研磨用砥石１２により研
磨される。すなわち、半導体ウェハの所望の位置を切断
しながら、粒度の細かい研磨用砥石１２により、ウェハ
断面を研磨することができる。作業者は、こうして得ら
れた半導体ウェハの断面を観察して、半導体ウェハの不
良解析等を行う。
０がブレード部１０に向かって進行し、ブレード部１０
に達すると、半導体ウェハ５０は切断用砥石１１により
切断される。半導体ウェハ５０がさらに左側へ進行する
と、図２（ｂ）に示すように、切断された半導体ウェハ
５０のうち半導体プロセス構造を有する部分５２は研磨
用砥石１２に達する。そして、半導体プロセス構造を有
する部分５２における切断面は研磨用砥石１２により研
磨される。すなわち、半導体ウェハの所望の位置を切断
しながら、粒度の細かい研磨用砥石１２により、ウェハ
断面を研磨することができる。作業者は、こうして得ら
れた半導体ウェハの断面を観察して、半導体ウェハの不
良解析等を行う。
【００１４】本実施形態の半導体ウェハ切断装置では、
ブレード部が、金属薄板の外周部に砥粒を固着した切断
用砥石と、金属薄板の外周部の内側に、切断用砥石の砥
粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した研磨用砥石
とを有し、金属薄板の中心軸方向に沿っての研磨用砥石
の厚さが、切断用砥石の厚さよりも大きく且つ金属薄板
の外周側から内側に向かうに従って徐々に大きくなって
いることにより、半導体ウェハの所望の位置を切断しな
がら、粒度の細かい研磨用砥石でウェハ断面を容易に研
磨することができる。このため、従来よりも作業工程数
が少なくなり、作業時間の短縮化を図ることができると
共に、熟練者でなくとも良好な研磨仕上げがなされたウ
ェハ断面を得ることができる。
ブレード部が、金属薄板の外周部に砥粒を固着した切断
用砥石と、金属薄板の外周部の内側に、切断用砥石の砥
粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した研磨用砥石
とを有し、金属薄板の中心軸方向に沿っての研磨用砥石
の厚さが、切断用砥石の厚さよりも大きく且つ金属薄板
の外周側から内側に向かうに従って徐々に大きくなって
いることにより、半導体ウェハの所望の位置を切断しな
がら、粒度の細かい研磨用砥石でウェハ断面を容易に研
磨することができる。このため、従来よりも作業工程数
が少なくなり、作業時間の短縮化を図ることができると
共に、熟練者でなくとも良好な研磨仕上げがなされたウ
ェハ断面を得ることができる。
【００１５】また、本実施形態の半導体ウェハ切断装置
は、半導体製造用切断機においてそれに用いられるブレ
ード部を上記のブレード部に交換するだけで実現できる
ので、既存のダイシング装置を利用できるというメリッ
トがある。
は、半導体製造用切断機においてそれに用いられるブレ
ード部を上記のブレード部に交換するだけで実現できる
ので、既存のダイシング装置を利用できるというメリッ
トがある。
【００１６】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体ウェ
ハ切断装置によれば、ブレード部が、金属薄板の外周部
に砥粒を固着した第一の砥石と、金属薄板の外周部の内
側に、第一の砥石の砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒
を固着した第二の砥石とを有し、砥石軸方向に沿っての
第二の砥石の厚さが、第一の砥石の厚さよりも大きく且
つ金属薄板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大
きくなっていることにより、半導体ウェハの所望の位置
を切断しながら、粒度の細かい研磨用砥石でウェハ断面
を容易に研磨することができる。このため、従来よりも
作業工程数が少なくなり、作業時間の短縮化を図ること
ができると共に、熟練者でなくとも良好な研磨仕上げが
なされたウェハ断面を得ることができる。
ハ切断装置によれば、ブレード部が、金属薄板の外周部
に砥粒を固着した第一の砥石と、金属薄板の外周部の内
側に、第一の砥石の砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒
を固着した第二の砥石とを有し、砥石軸方向に沿っての
第二の砥石の厚さが、第一の砥石の厚さよりも大きく且
つ金属薄板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大
きくなっていることにより、半導体ウェハの所望の位置
を切断しながら、粒度の細かい研磨用砥石でウェハ断面
を容易に研磨することができる。このため、従来よりも
作業工程数が少なくなり、作業時間の短縮化を図ること
ができると共に、熟練者でなくとも良好な研磨仕上げが
なされたウェハ断面を得ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態である半導体ウェ
ハ切断装置に使用するブレード部の概略正面図、（ｂ）
はそのブレード部の概略側面図である。
ハ切断装置に使用するブレード部の概略正面図、（ｂ）
はそのブレード部の概略側面図である。
【図２】その半導体ウェハ切断装置を用いて半導体ウェ
ハを切断する様子を示す図である。
ハを切断する様子を示す図である。
１０ ブレード部 １１ 切断用砥石 １２ 研磨用砥石 ５０ 半導体ウェハ ５１ Ｓｉ基盤 ５２ 半導体プロセス構造を有する部分
Claims (2)
- 【請求項１】 ブレード部を用いて半導体ウェハを切断
する半導体ウェハ切断装置において、前記ブレード部
は、金属薄板の外周部に砥粒を固着した第一の砥石と、
前記金属薄板の外周部の内側に、前記第一の砥石の砥粒
の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した第二の砥石と
を有し、砥石軸方向に沿っての前記第二の砥石の厚さ
は、前記第一の砥石の厚さよりも大きく且つ前記金属薄
板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大きくなっ
ていることを特徴とする半導体ウェハ切断装置。 - 【請求項２】 金属薄板の外周部に砥粒を固着した第一
の砥石と、前記金属薄板の外周部の内側に、前記第一の
砥石の砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を固着した第
二の砥石とを有し、砥石軸方向に沿っての前記第二の砥
石の厚さが、前記第一の砥石の厚さよりも大きく且つ前
記金属薄板の外周側から内側に向かうに従って徐々に大
きくなっていることを特徴とするダイシングブレード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048737A JP2002252186A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体ウェハ切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048737A JP2002252186A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体ウェハ切断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252186A true JP2002252186A (ja) | 2002-09-06 |
Family
ID=18909953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001048737A Pending JP2002252186A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体ウェハ切断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002252186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018008920A1 (de) * | 2018-11-13 | 2020-05-14 | Hochschule Trier | Scheibenförmiges Werkzeug und Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken, Trennvorrichtung sowie Verwendung einer Trenn-, Schleif- und Polierscheibe zum Erzeugen einer Oberflächenstruktur auf einem Werkstück |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048737A patent/JP2002252186A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018008920A1 (de) * | 2018-11-13 | 2020-05-14 | Hochschule Trier | Scheibenförmiges Werkzeug und Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken, Trennvorrichtung sowie Verwendung einer Trenn-, Schleif- und Polierscheibe zum Erzeugen einer Oberflächenstruktur auf einem Werkstück |
| WO2020098852A3 (de) * | 2018-11-13 | 2020-07-09 | Hochschule Trier - Trier University of Applied Sciences | Trenn-, schleif- und polierscheibe, trennvorrichtung und verfahren zur bearbeitung von werkstücken |
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