JP2002252085A - Organic electric field light-emitting element - Google Patents

Organic electric field light-emitting element

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JP2002252085A
JP2002252085A JP2001050632A JP2001050632A JP2002252085A JP 2002252085 A JP2002252085 A JP 2002252085A JP 2001050632 A JP2001050632 A JP 2001050632A JP 2001050632 A JP2001050632 A JP 2001050632A JP 2002252085 A JP2002252085 A JP 2002252085A
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fluorene
aromatic amine
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博章 大橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electric field light-emitting element drivable at a low voltage and superior in a heat resistance. SOLUTION: A light-emitting layer 5 pinched by a positive electrode 2 and a negative electrode 7 is formed on a substrate 1, and a positive hole injection layer 3 is formed between the light-emitting layer 5 and the positive electrode 2. The positive hole injection layer 3 contains fluorene containing aromatic amine high polymer having a specific structure and weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, and contains an electron-accepting compound.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a thin film device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難で特に青色に問題がある、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescent (EL) element, Zn, which is a group II-VI compound semiconductor of an inorganic material, is used.
In general, S, CaS, SrS, and the like are doped with Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm, or the like) which is a luminescence center. However, EL devices manufactured from the above inorganic materials include: 1) AC drive is required (50-1000Hz), 2) High drive voltage (up to 200V), 3) It is difficult to achieve full color, and there is a problem especially with blue color. 4) Cost of peripheral drive circuit is high. are doing.

【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51巻,
913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結
晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善が
なされ、実用特性に近づいている。
However, in recent years, in order to improve the above problems,
Development of EL devices using organic thin films has been started. In particular, in order to enhance the luminous efficiency, the type of the electrode was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode, and a hole transport layer composed of an aromatic diamine and a luminescent layer composed of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline were used. Of an organic electroluminescent device equipped with an organic layer (Appl. Phys. Lett., Vol. 51,
913, 1987), the luminous efficiency has been greatly improved as compared with the conventional EL device using a single crystal such as anthracene or the like, and the practical characteristics have been approached.

【0004】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシル
オキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキル
チオフェン)、ポリフルオレン等の高分子材料を用いた
電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高
分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合分散した
素子の開発も行われている。
In addition to the electroluminescent device using a low molecular material as described above, poly (p-phenylenevinylene) and poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy)- Development of electroluminescent devices using polymer materials such as 1,4-phenylenevinylene], poly (3-alkylthiophene), and polyfluorene, and the use of low-molecular light-emitting materials and electron transfer materials in polymers such as polyvinylcarbazole Development of mixed-dispersed devices is also underway.

【0005】ところで、有機電界発光素子の最大の課題
は、駆動時の寿命である。駆動時の不安定性としては、
発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発光部分
(ダークスポット)の発生等が挙げられる。これらの不
安定性の原因はいくつか存在するが、有機層の薄膜形状
の劣化が支配的である。この薄膜形状の劣化は、素子駆
動時の発熱による有機非晶質膜の結晶化(または凝集)
等に起因すると考えられている。特に、駆動電圧の上昇
については陽極と正孔輸送層のコンタクトが重要であ
る。
By the way, the biggest problem of the organic electroluminescent device is the life during driving. As for the instability during driving,
Examples include a decrease in light emission luminance, an increase in voltage at the time of constant current driving, and generation of a non-light-emitting portion (dark spot). Although there are several causes of these instabilities, deterioration of the thin film shape of the organic layer is dominant. The deterioration of the thin film shape is caused by crystallization (or aggregation) of the organic amorphous film due to heat generated during driving of the device.
It is thought to be caused by such factors. In particular, the contact between the anode and the hole transport layer is important for increasing the drive voltage.

【0006】そこで、陽極と正孔輸送層のコンタクトを
向上させるために、両層の間に正孔注入層を設け、駆動
電圧を低下させることが検討されている。正孔注入層に
用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコ
ンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即
ち、融点及びガラス転移温度(Tg)が高いこと、好まし
くは 300℃以上の融点と 100℃以上のガラス転移温度を
有することが要求される。さらに、イオン化ポテンシャ
ルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度
が大きいことが挙げられる。
Therefore, in order to improve the contact between the anode and the hole transport layer, it has been studied to provide a hole injection layer between both layers to lower the driving voltage. The conditions required for the material used for the hole injection layer are that a uniform thin film can be formed with good contact with the anode and that it is thermally stable, that is, the melting point and the glass transition temperature (Tg) are high. It is required to have a melting point of 300 ° C or higher and a glass transition temperature of 100 ° C or higher. In addition, the ionization potential is low, holes can be easily injected from the anode, and the hole mobility is high.

【0007】従来、正孔注入層の材料としても種々のも
のが検討されており、例えばポルフィリン誘導体やフタ
ロシアニン化合物(特開昭63−295695号公報)、スター
バスト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公
報)、ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ
アニリン等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜や、
バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化
物等の金属酸化物などが報告されている。
Conventionally, various materials have been studied as a material for the hole injection layer. For example, porphyrin derivatives and phthalocyanine compounds (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-295695), starburst type aromatic triamines (Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 308688), organic compounds such as polythienylenevinylene, polythiophene and polyaniline, sputtered carbon films,
Metal oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide, and molybdenum oxide have been reported.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、陽極と
正孔輸送層との間に正孔注入層を挿入する方法におい
て、ポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物を正孔
注入層として用いた場合、これらの膜自体による光吸収
のためにスペクトルが変化したり、外観上着色して透明
でなくなるという問題がある。
However, when a porphyrin derivative or a phthalocyanine compound is used as the hole injection layer in the method of inserting the hole injection layer between the anode and the hole transport layer, these films themselves are not used. There is a problem that the spectrum is changed due to light absorption by the light source, or the external appearance is colored and becomes invisible.

【0009】スターバスト型芳香族トリアミンでは、イ
オン化ポテンシャルが低く透明性がよいという利点はあ
るものの、ガラス転移点や融点が低いために耐熱性に難
点がある。
[0009] Starburst-type aromatic triamines have the advantage of low ionization potential and good transparency, but have difficulty in heat resistance due to their low glass transition point and melting point.

【0010】ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェ
ン、ポリアニリン等の共役系ポリマーでは、可溶性に問
題があり、製造プロセス上での問題がある。
[0010] Conjugated polymers such as polythienylenevinylene, polythiophene and polyaniline have a problem in solubility and a problem in the production process.

【0011】また、電子受容性化合物を混合していない
非共役系ポリマーを正孔輸送層として用いる試み(特開
平9−188756号公報、特開平11−135262号公報)も行わ
れているが、素子の効率は特開平9−188756号公報中17
頁図4に記載されているように、6Vで20cd/mと駆動電
圧が高く、その時の発光効率も1 cd/Aと低い。
Attempts have also been made to use a non-conjugated polymer in which no electron-accepting compound is mixed as a hole transport layer (JP-A-9-188756 and JP-A-11-135262). The efficiency of the element is described in JP-A-9-188756, 17
As shown in FIG. 4, the driving voltage is as high as 20 cd / m 2 at 6 V, and the luminous efficiency at that time is as low as 1 cd / A.

【0012】更に、非共役系の正孔輸送性ポリマーに電
子受容性化合物を混合することで低電圧駆動が可能なこ
とが開示されているが(特開平11−283750号公報)、こ
こで開示されるポリマーはガラス転移温度Tgが低く、ま
た、耐熱性が向上したとの記載もない。
Furthermore, it is disclosed that low voltage driving is possible by mixing an electron-accepting compound with a non-conjugated hole transporting polymer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-283750). There is no description that the resulting polymer has a low glass transition temperature Tg and improved heat resistance.

【0013】このように有機電界発光素子の駆動時にお
ける電圧が高く、耐熱性を含めた安定性が低いことは、
ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライ
ト等の光源としては大きな問題であり、特にフルカラー
フラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望
ましくない。
As described above, the fact that the voltage at the time of driving the organic electroluminescent element is high and the stability including heat resistance is low is as follows.
This is a serious problem as a light source for a facsimile, a copying machine, a backlight of a liquid crystal display, etc., and is particularly undesirable as a display element for a full-color flat panel display.

【0014】また、従来の有機電界発光素子で通常陽極
として用いられるインジウム・スズ酸化物(ITO)
は、その表面粗さが10nm程度の粗さ(Ra)を有するのに
加えて、局所的に突起を有することが多く、素子作製時
に短絡欠陥を生じるという問題もあった。
Further, indium tin oxide (ITO) usually used as an anode in a conventional organic electroluminescent device
In addition to having a surface roughness of about 10 nm (Ra), the semiconductor device often has local protrusions, and has a problem that short-circuit defects occur during device fabrication.

【0015】本発明は、上記従来の問題点を解決し、低
電圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ良好な
耐熱性を有し、長期間に亙って安定な発光特性を維持す
ることができる有機電界発光素子を提供することを目的
とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, can be driven at low voltage and high luminous efficiency, has good heat resistance, and maintains stable luminous characteristics for a long period of time. It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device capable of performing the above.

【0016】本発明はまた、上述の陽極の表面粗さに起
因する素子作製時の短絡欠陥を防止することができる有
機電界発光素子を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device which can prevent short-circuit defects at the time of device fabrication due to the above-mentioned surface roughness of the anode.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、基板上に、陽極、陰極及び該両極間に存在する発
光層を有する有機電界発光素子において、該発光層と陽
極との間に、下記一般式(I)で表される繰り返し単位
を有し、かつ、重量平均分子量が1,000〜1,000,000であ
るフルオレン含有芳香族アミン高分子と、電子受容性化
合物とを含有する層が設けられていることを特徴とする
有機電界発光素子である。
According to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and a light emitting layer present between the two electrodes on a substrate. A layer containing a fluorene-containing aromatic amine polymer having a repeating unit represented by the following general formula (I), and having a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, and an electron-accepting compound. An organic electroluminescent device characterized in that:

【0018】[0018]

【化4】 (式中、環D及び環Eは各々独立に、置換基を有してい
てもよいベンゼン環を表し、R及びRは各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、ハロアルキ
ル基、水酸基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水
素環基または芳香族複素環基を表わし、Arは置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素
環基を示す。)
Embedded image (Wherein, ring D and ring E each independently represent a benzene ring which may have a substituent, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, Alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylamino group, haloalkyl group, hydroxyl group, aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent Or Ar represents an aromatic heterocyclic group, and Ar represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

【0019】一般式(I)で表される繰り返し単位を有
することにより、該フルオレン含有芳香族アミン高分子
は比較的高いガラス転移温度Tgを示す傾向がある。
By having the repeating unit represented by the general formula (I), the fluorene-containing aromatic amine polymer tends to show a relatively high glass transition temperature Tg.

【0020】即ち、本発明者らは、従来の問題点を解決
し、高温において安定な発光特性を維持できる有機電界
発光素子を提供するべく鋭意検討した結果、基板上に、
陽極及び陰極により挟持された発光層を有する有機電界
発光素子において、陽極と発光層との間に、電子受容性
化合物を含有し、かつ、高いガラス転移温度Tgを有する
特定のフルオレン含有芳香族アミン高分子を母体とする
層を設けることで、上記課題を解決することができるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
That is, the present inventors have intensively studied to solve the conventional problems and to provide an organic electroluminescent device capable of maintaining stable light emitting characteristics at a high temperature.
In an organic electroluminescent device having a light emitting layer sandwiched by an anode and a cathode, a specific fluorene-containing aromatic amine containing an electron accepting compound between the anode and the light emitting layer, and having a high glass transition temperature Tg It has been found that the above-mentioned problems can be solved by providing a layer having a polymer as a base, and the present invention has been completed.

【0021】本発明においては、高いTgを有する特定の
フルオレン含有芳香族アミン高分子と電子受容性化合物
とを混合して用いることで、素子の発光特性と耐熱性を
同時に改善することを可能とした。即ち、電子供与性の
フルオレン含有芳香族アミン高分子に電子受容性化合物
を混合することにより、電荷移動が起こり、結果として
フリーキャリアである正孔が生成し、この層の電気伝導
度が高くなる。このような層を設けることで、発光層と
陽極との電気的接合が改善され、駆動電圧が低下すると
同時に連続駆動時の安定性も向上する。また、例えば10
0℃以上の高ガラス転移温度を有する特定のフルオレン
含有芳香族アミン高分子を母体とすることにより、素子
の耐熱性も大きく改善される。本発明で用いるフルオレ
ン含有芳香族アミン高分子のガラス転移温度は特に120
℃以上、とりわけ150℃以上であることが好ましい。
In the present invention, by mixing and using a specific fluorene-containing aromatic amine polymer having a high Tg and an electron-accepting compound, it is possible to simultaneously improve the luminous characteristics and heat resistance of the device. did. That is, by mixing the electron-accepting compound with the electron-donating fluorene-containing aromatic amine polymer, charge transfer occurs, and as a result, holes serving as free carriers are generated, and the electric conductivity of this layer increases. . By providing such a layer, the electrical connection between the light emitting layer and the anode is improved, and the driving voltage is reduced, and at the same time, the stability during continuous driving is also improved. Also, for example, 10
By using a specific fluorene-containing aromatic amine polymer having a high glass transition temperature of 0 ° C. or higher as a base, the heat resistance of the device is also greatly improved. The glass transition temperature of the fluorene-containing aromatic amine polymer used in the present invention is particularly 120.
C. or higher, particularly preferably 150.degree. C. or higher.

【0022】しかも、このような高分子材料を母体とす
る層を塗布プロセスにより陽極上に形成することによ
り、前述の陽極の表面粗さが緩和され、良好な表面平滑
化効果が得られ、素子作製時の短絡欠陥が防止されると
いう効果も奏される。
Further, by forming such a layer having a polymer material as a base on the anode by a coating process, the surface roughness of the anode is reduced, and a good surface smoothing effect is obtained. There is also an effect that a short circuit defect at the time of fabrication is prevented.

【0023】なお、本発明に係るフルオレン含有芳香族
アミン高分子と電子受容性化合物とを含む層は、正孔輸
送性を示す層であり、陽極と発光層との間であればどこ
にあっても良く、後掲の図1〜3に示す如く、陽極上に
接して設けるものに何ら限定されないが、陽極(無機材
料)との電気的接合が良く、耐熱性が高いというこの層
の長所を十分に生かすためには、陽極と接する位置に正
孔注入層として形成するのが最も有利である。
The layer containing the fluorene-containing aromatic amine polymer and the electron-accepting compound according to the present invention is a layer exhibiting a hole transporting property and may be located anywhere between the anode and the light emitting layer. As shown in FIGS. 1 to 3, which will be described later, the layer is not limited to the one provided in contact with the anode. However, the advantage of this layer that the electric connection with the anode (inorganic material) is good and the heat resistance is high is high. In order to make full use of it, it is most advantageous to form a hole injection layer at a position in contact with the anode.

【0024】本発明においては、フルオレン含有芳香族
アミン高分子のイオン化ポテンシャルから電子受容性化
合物の電子親和力を引いた値は0.7eV以下であることが
好ましく、また、これらを含有する層中の電子受容性化
合物の含有量は、フルオレン含有芳香族アミン高分子に
対して0.1〜50重量%の範囲であることが好ましい。
In the present invention, the value obtained by subtracting the electron affinity of the electron-accepting compound from the ionization potential of the fluorene-containing aromatic amine polymer is preferably 0.7 eV or less. The content of the acceptor compound is preferably in the range of 0.1 to 50% by weight based on the fluorene-containing aromatic amine polymer.

【0025】本発明において、電子受容性化合物は、下
記一般式(II)で表される化合物或いは、下記化合物群
から選ばれる化合物の少なくとも1種であることが好ま
しい。
In the present invention, the electron accepting compound is preferably a compound represented by the following general formula (II) or at least one compound selected from the following compound group.

【0026】[0026]

【化5】 (式中、Xはハロゲン原子を示し、環A,B及びCは各
々独立して、置換基を有していてもよいベンゼン環を示
す。)
Embedded image (In the formula, X represents a halogen atom, and rings A, B, and C each independently represent a benzene ring which may have a substituent.)

【0027】[0027]

【化6】 Embedded image

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の有
機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the organic electroluminescent device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0029】図1〜3は本発明の有機電界発光素子の実
施の形態を示す模式的な断面図であり、1は基板、2は
陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、
6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。
1 to 3 are schematic cross-sectional views showing an embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention, wherein 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, and 4 is a hole transport layer. 5 is a light emitting layer,
6 represents an electron transport layer, and 7 represents a cathode.

【0030】基板1は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎる
と、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化
することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂
基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化
膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方
法の一つである。
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and is made of a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film or a sheet, or the like. Particularly, a glass plate or a plate of a transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too low, the organic air-emitting device may be deteriorated by outside air passing through the substrate, which is not preferable. Therefore, a method of providing a dense silicon oxide film or the like on one or both sides of the synthetic resin substrate to ensure gas barrier properties is also a preferable method.

【0031】基板1上には陽極2が設けられるが、陽極
2は正孔注入層3への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/また
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック等により構成される。陽
極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法など
により行われることが多い。また、銀などの金属微粒
子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性
の金属酸化物微粒子等を適当なバインダー樹脂溶液に分
散し、基板1上に塗布することにより陽極2を形成する
こともできる。陽極2は異なる物質で積層して形成する
ことも可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性
により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の
透過率を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とする
ことが望ましく、この場合、厚みは、通常、10〜1000n
m、好ましくは20〜500nm 程度である。不透明でよい場
合は陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上
記の陽極2の発光層側の界面に異なる導電材料よりなる
層を積層することも可能である。
The anode 2 is provided on the substrate 1, and the anode 2 plays a role of injecting holes into the hole injection layer 3. The anode is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum; a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin; a metal halide such as copper iodide; and carbon black. You. Usually, the formation of the anode 2 is often performed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. Further, the anode 2 is formed by dispersing metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and the like in an appropriate binder resin solution and applying the dispersion on the substrate 1. Can also. The anode 2 can be formed by laminating different materials. The thickness of the anode 2 depends on the required transparency. When transparency is required, the transmittance of visible light is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 10 to 1000 n.
m, preferably about 20 to 500 nm. If opaque, the anode 2 may be the same as the substrate 1. Further, a layer made of a different conductive material can be laminated on the interface of the anode 2 on the light emitting layer side.

【0032】図1〜3に示す素子構造においては、陽極
2の上に正孔注入層3が設けられる。一般に、この正孔
注入層3に用いられる材料に要求される条件としては、
陽極2からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正
孔を効率よく輸送することができる材料であることが挙
げられる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動
度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
上記の一般的な要求条件以外に、車載表示用への応用を
考えた場合、さらに 100℃以上の耐熱性を持つものが好
ましい。
In the device structure shown in FIGS. 1 to 3, a hole injection layer 3 is provided on an anode 2. Generally, the conditions required for the material used for the hole injection layer 3 include:
It is a material having a high hole injection efficiency from the anode 2 and capable of efficiently transporting the injected holes. For that purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities serving as traps are unlikely to be generated during production or use. Required.
In addition to the above general requirements, in view of application to in-vehicle display, those having a heat resistance of 100 ° C. or more are preferable.

【0033】本発明の有機電界発光素子は、好ましくは
この正孔注入層3を、前記一般式(I)で表される繰り
返し単位を有する、重量平均分子量1,000〜1,000,000、
好ましくは1,000〜100,000のフルオレン含有芳香族アミ
ン高分子と、電子受容性化合物を含有する層とする。
In the organic electroluminescent device of the present invention, preferably, the hole injecting layer 3 has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 having a repeating unit represented by the general formula (I).
The layer preferably contains 1,000 to 100,000 fluorene-containing aromatic amine polymer and an electron-accepting compound.

【0034】本発明においては、高いガラス転移温度Tg
を有する特定のフルオレン含有芳香族アミン高分子と電
子受容性化合物を混合して用いることで、素子の発光特
性と耐熱性を同時に改善することを可能とした。即ち、
電子供与性のフルオレン含有芳香族アミン高分子に電子
受容性化合物を混合することにより、電荷移動が起こ
り、結果としてフリーキャリアである正孔が生成し、正
孔注入層の電気伝導度が高くなる。このため、このよう
な正孔注入層を設けることで、発光層と陽極との電気的
接合が改善され、駆動電圧が低下すると同時に連続駆動
時の安定性も向上する。また、例えば100℃以上の高ガ
ラス転移温度Tgを有する芳香族アミン含有高分子を正孔
注入層の母体とすることにより、素子の耐熱性も大きく
改善される。本発明で用いるフルオレン含有芳香族アミ
ン高分子のガラス転移温度は特に120℃以上、とりわけ1
50℃以上であることが好ましい。
In the present invention, the high glass transition temperature Tg
By mixing and using a specific fluorene-containing aromatic amine polymer having an electron-accepting compound, the light-emitting characteristics and heat resistance of the device can be simultaneously improved. That is,
By mixing an electron-accepting compound with an electron-donating fluorene-containing aromatic amine polymer, charge transfer occurs, resulting in the generation of holes as free carriers and an increase in the electrical conductivity of the hole injection layer. . For this reason, by providing such a hole injection layer, the electrical junction between the light emitting layer and the anode is improved, and the driving voltage is reduced, and at the same time, the stability during continuous driving is also improved. Further, by using an aromatic amine-containing polymer having a high glass transition temperature Tg of, for example, 100 ° C. or more as a base material of the hole injection layer, the heat resistance of the device is greatly improved. The glass transition temperature of the fluorene-containing aromatic amine polymer used in the present invention is particularly 120 ° C or higher, especially 1 ° C.
Preferably it is 50 ° C. or higher.

【0035】前記一般式(I)において、環D及び環E
は、各々独立に置換基を有していても良いベンゼン環を
表し、該置換基としては、例えばR及びRとして後
述する基が挙げられる。
In the general formula (I), ring D and ring E
Represents a benzene ring which may have a substituent independently of each other, and examples of the substituent include groups described below as R 1 and R 2 .

【0036】R及びRは各々独立に、水素原子;ハ
ロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜20、
好ましくは4〜12のアルキル基;ベンジル基等のアラ
ルキル基;ビニル基等のアルケニル基;シアノ基;アミ
ノ基;アシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基等の炭素数2〜9のアルコキシカルボニル基;
カルボキシル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1
〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基
等のアリールオキシ基;メチルアミノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等の
アルキルアミノ基;トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基;水酸基;置換基を有していてもよいフェニル
基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基;置換基を有し
ていてもよいチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環
基を表わし、前記置換基としては、フッ素原子等のハロ
ゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアル
キル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコ
キシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数
1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ
基等のアリールオキシ基;メチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基;アセ
チル基等のアシル基、トリフルオロメチル基等のハロア
ルキル基、シアノ基が挙げられる。
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom; a halogen atom;
Preferably an alkyl group of 4 to 12; an aralkyl group such as a benzyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; a cyano group; an amino group; an acyl group; an alkoxycarbonyl group having 2 to 9 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. ;
Carboxyl group; carbon number 1 such as methoxy group and ethoxy group
Aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; alkylamino groups such as methylamino group, dimethylamino group, diethylamino group and diisopropylamino group; haloalkyl groups such as trifluoromethyl group; hydroxyl group; An aromatic hydrocarbon ring group such as a phenyl group or a naphthyl group which may have a group; an aromatic heterocyclic group such as a thienyl group or a pyridyl group which may have a substituent; Is a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; Group; methylamino group, dimethylamino group, an alkylamino group such as a diethylamino group; an acyl group such as an acetyl group, a haloalkyl group such as trifluoromethyl group, a cyano group.

【0037】Arは置換基を有していてもよい芳香族炭
化水素環基または芳香族複素環基、好ましくは5または
6員環の芳香族の単環、或いはこれらの2〜3個が縮合
または直接結合してなる基を表し、好ましくは、各々置
換基を有していてもよい、フェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、
キノキサリル基、チエニル基、ビフェニル基が挙げら
れ、前記置換基としてはハロゲン原子;メチル基、エチ
ル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニル基等のアル
ケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基等の炭素数1〜6のアルコキシカルボニル基;メトキ
シ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フ
ェノキシ基、ベンジルオキシ基等のアリールオキシ基;
ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアル
キルアミノ基が挙げられる。
Ar is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, preferably a 5- or 6-membered aromatic monocyclic ring, or a condensed two or three of these. Or represents a group directly bonded, preferably, each may have a substituent, phenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyridyl group, triazyl group, pyrazyl group,
Examples of the substituent include a halogen atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group and the like; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy group and ethoxy group; an aryloxy group such as phenoxy group and benzyloxy group;
Examples thereof include a dialkylamino group such as a diethylamino group and a diisopropylamino group.

【0038】一般式(I)で表される繰り返し単位を有
するフルオレン含有芳香族アミン高分子は、例えば、以
下の原料を用いて、2段階の反応で合成される。
The fluorene-containing aromatic amine polymer having a repeating unit represented by the general formula (I) is synthesized by, for example, a two-step reaction using the following raw materials.

【0039】[0039]

【化7】 Embedded image

【0040】反応1では、例えば、クロロホルム溶媒
中、塩化第二鉄を触媒として臭素を加えて臭素化を行
い、反応2では、オルトキシレン溶媒中、反応1で生成
したジブロモ体と芳香族アミンを溶解させ、パラジウム
触媒を用いて窒素雰囲気下で24時間程度の反応時間で反
応させる。得られた生成物を再沈殿精製してフルオレン
含有芳香族アミン高分子を得ることができる。
In the reaction 1, for example, bromination is carried out by adding bromine in a chloroform solvent using ferric chloride as a catalyst. In the reaction 2, the dibromo compound and the aromatic amine produced in the reaction 1 are converted into an orthoxylene solvent. It is dissolved and reacted under a nitrogen atmosphere using a palladium catalyst for a reaction time of about 24 hours. The obtained product is purified by reprecipitation to obtain a fluorene-containing aromatic amine polymer.

【0041】なお、本発明に係るフルオレン含有芳香族
アミン高分子は、前記一般式(I)で表される繰り返し
単位のみからなるホモポリマー(単独重合体)であるこ
とが最も好ましいが、その性能を損なわない範囲で、一
般式(I)以外の繰り返し単位を含有するコポリマー
(共重合体)であってもよい。本発明に係るフルオレン
含有芳香族アミン高分子がコポリマーである場合、コポ
リマー中の一般式(I)以外の繰り返し単位の含有割合
は、好ましくは50モル%以下、特に好ましくは20モ
ル%以下であり、最も好ましくは0%即ち一般式(I)
で表される繰り返し単位のみからなるホモポリマーであ
る。なお、一般式(I)で表される繰り返し単位は、1
分子中に複数種含まれていてもよい。
The fluorene-containing aromatic amine polymer according to the present invention is most preferably a homopolymer (homopolymer) composed of only the repeating unit represented by the above general formula (I). May be a copolymer (copolymer) containing a repeating unit other than the general formula (I) as long as the above does not impair. When the fluorene-containing aromatic amine polymer according to the present invention is a copolymer, the content of the repeating unit other than the general formula (I) in the copolymer is preferably 50 mol% or less, particularly preferably 20 mol% or less. , Most preferably 0%, ie the general formula (I)
Is a homopolymer consisting of only the repeating unit represented by The repeating unit represented by the general formula (I) is 1
More than one kind may be contained in the molecule.

【0042】前記一般式(I)で表される繰り返し単位
を有するフルオレン含有芳香族アミン高分子の好ましい
具体例を表1,表2に示すが、これらに限定するもので
はない。
Preferred specific examples of the fluorene-containing aromatic amine polymer having a repeating unit represented by the general formula (I) are shown in Tables 1 and 2, but are not limited thereto.

【0043】[0043]

【表1】 [Table 1]

【0044】[0044]

【表2】 [Table 2]

【0045】上述のフルオレン含有芳香族アミン高分子
と組み合わせて用いる電子受容性化合物としては、フル
オレン含有芳香族アミン高分子との間で電荷移動を起こ
すものであればよいが、本発明者が鋭意検討した結果、
フルオレン含有芳香族アミン高分子のイオン化ポテンシ
ャルIP(高分子)と、電子受容性化合物(アクセプ
タ)の電子親和力EA(アクセプタ)の2つの物性値
が、 IP(高分子)−EA(アクセプタ)≦ 0.7eV の関係式で表される時に、本発明の目的の達成にさらに
効果的であることを見出した。
The electron-accepting compound used in combination with the above-mentioned fluorene-containing aromatic amine polymer may be any as long as it causes charge transfer with the fluorene-containing aromatic amine polymer. As a result of consideration,
The two physical property values of the ionization potential IP (polymer) of the fluorene-containing aromatic amine polymer and the electron affinity EA (acceptor) of the electron accepting compound (acceptor) are as follows: IP (polymer) −EA (acceptor) ≦ 0.7 It has been found that when expressed by the relational expression of eV, it is more effective in achieving the object of the present invention.

【0046】このことを図4のエネルギー準位図を用い
て説明する。一般に、イオン化ポテンシャル及び電子親
和力は真空準位を基準として決定される。イオン化ポテ
ンシャルは物質のHOMO(最高被占分子軌道)レベル
にある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギー
で定義され、電子親和力は真空準位にある電子が物質の
LUMO(最低空分子軌道)レベルに落ちて安定化する
エネルギーで定義される。本発明において、図4に示す
フルオレン含有芳香族アミン高分子のHOMOレベルの
イオン化ポテンシャルと、電子受容性化合物のLUMO
レベルの電子親和力との差が 0.7eV以下であることが好
ましい。イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測
定されるが、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極
に対して補正しても求められる。後者の方法の場合は、
例えば、飽和甘コウ電極(SCE)を基準電極として用
いたとき、 イオン化ポテンシャル=酸化電位(vs.SCE)+4.3 eV で表される("Molecular Semiconductors", Springer-V
erlag, 1985年、98頁)。電子親和力は、上述のイオン
化ポテンシャルから光学的バンドギャップを差し引いて
求められるか、電気化学的な還元電位から上記の式で同
様に求められる。
This will be described with reference to the energy level diagram of FIG. Generally, the ionization potential and the electron affinity are determined based on the vacuum level. The ionization potential is defined as the energy required to release electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of a substance to a vacuum level, and the electron affinity is determined by the LUMO (lowest empty molecule) of the substance at a vacuum level. Orbit) is defined as the energy that falls to a level and stabilizes. In the present invention, the HOMO level ionization potential of the fluorene-containing aromatic amine polymer shown in FIG.
It is preferable that the difference from the level of electron affinity is 0.7 eV or less. The ionization potential is directly measured by photoelectron spectroscopy, but can also be obtained by correcting the electrochemically measured oxidation potential with respect to a reference electrode. In the latter case,
For example, when a saturated sweet potato electrode (SCE) is used as a reference electrode, ionization potential = oxidation potential (vs. SCE) + 4.3 eV ("Molecular Semiconductors", Springer-V
erlag, 1985, p. 98). The electron affinity can be obtained by subtracting the optical band gap from the above-mentioned ionization potential, or similarly from the above-mentioned formula from the electrochemical reduction potential.

【0047】前記イオン化ポテンシャルと電子親和力の
関係式は、酸化電位と還元電位を用いて、高分子の酸化
電位−アクセプタの還元電位≦ 0.7 eVと表現すること
もできる。
The relational expression between the ionization potential and the electron affinity can be expressed by using the oxidation potential and the reduction potential as follows: oxidation potential of polymer−reduction potential of acceptor ≦ 0.7 eV.

【0048】なおIP(高分子)−EA(アクセプタ)
の値の下限値は、実質的には−0.7eV程度である。
IP (polymer) -EA (acceptor)
Is substantially about -0.7 eV.

【0049】正孔注入層3中の電子受容性化合物の含有
量は、フルオレン含有芳香族アミン高分子に対して、
0.1〜50重量%の範囲にあることが好ましい。さらに好
ましくは、1〜30重量%の濃度範囲が実用特性上望まし
い。
The content of the electron-accepting compound in the hole injection layer 3 is based on the amount of the fluorene-containing aromatic amine polymer.
Preferably it is in the range of 0.1 to 50% by weight. More preferably, a concentration range of 1 to 30% by weight is desirable in practical characteristics.

【0050】電子受容性化合物としては、上記の関係を
満たすものであれば特に限定はされないが、好ましく
は、以下に示す一般式(II)で表される化合物から選ば
れる。
The electron accepting compound is not particularly limited as long as it satisfies the above relationship, but is preferably selected from compounds represented by the following general formula (II).

【0051】[0051]

【化8】 (式中、Xはハロゲン原子を示し、環A、B及びCは、
各々独立して、置換基を有していてもよいベンゼン環を
示す。)
Embedded image (Wherein X represents a halogen atom, and rings A, B and C are
Each independently represents a benzene ring which may have a substituent. )

【0052】前記一般式(II)において、好ましくは、
式中、Xは塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子を示
し、ベンゼン環に置換する基として好ましくは、水素原
子;塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子;メチル基、
エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;トリフロロメ
チル基等のハロアルキル基;シアノ基;ニトロ基が挙げ
られる。これらの置換基の置換位置は中心窒素原子に対
してオルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよい。
In the general formula (II), preferably,
In the formula, X represents a halogen atom such as chlorine, fluorine and bromine, and preferably represents a hydrogen atom; a halogen atom such as chlorine, fluorine and bromine; a methyl group;
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as an ethyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; and a nitro group. The substitution position of these substituents may be any of the ortho, meta and para positions with respect to the central nitrogen atom.

【0053】前記一般式(II)で表される電子受容性化
合物の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられ
る。
Specific examples of the electron-accepting compound represented by the general formula (II) include the following compounds.

【0054】[0054]

【化9】 Embedded image

【0055】電子受容性化合物の他の好ましい例を、以
下に省略名とともに示す。
Other preferred examples of the electron accepting compound are shown below with their abbreviations.

【0056】[0056]

【化10】 Embedded image

【0057】本発明において、前記フルオレン含有芳香
族アミン高分子と電子受容性化合物とを含有する正孔注
入層3は塗布法により前記陽極2上に形成される。例え
ば、前記フルオレン含有芳香族アミン高分子と電子受容
性化合物の所定量を、必要により正孔のトラップになら
ないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加
し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法やディ
ップコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥
して正孔注入層3を形成する。
In the present invention, the hole injection layer 3 containing the fluorene-containing aromatic amine polymer and the electron accepting compound is formed on the anode 2 by a coating method. For example, a predetermined amount of the fluorene-containing aromatic amine polymer and the electron-accepting compound is added, if necessary, to an additive such as a binder resin or a coating improver that does not trap holes, and dissolved to prepare a coating solution. Then, the hole injection layer 3 is formed by applying the solution on the anode 2 by a method such as a spin coating method or a dip coating method, and then drying.

【0058】前述の如く、従来の有機電界発光素子で
は、ITO等の陽極2の表面粗さに起因する素子作製時
の短絡の問題があったが、このようなフルオレン含有芳
香族アミン高分子を含む塗布溶液を塗布して形成された
正孔注入層3は、表面が平滑なものとなるため、この短
絡の問題を解消することができる。
As described above, in the conventional organic electroluminescent device, there was a problem of short-circuiting at the time of manufacturing the device due to the surface roughness of the anode 2 such as ITO. However, such a fluorene-containing aromatic amine polymer was used. The hole injecting layer 3 formed by applying the coating solution containing the solution has a smooth surface, so that the problem of the short circuit can be solved.

【0059】このようにして形成される正孔注入層3の
膜厚は、通常5〜1000 nm、好ましくは10〜500 nmであ
る。
The thickness of the hole injection layer 3 thus formed is usually 5 to 1000 nm, preferably 10 to 500 nm.

【0060】正孔注入層3の上には発光層5が設けられ
る。発光層5は、電界を与えられた電極間において陰極
からの注入された電子と正孔注入層3から輸送された正
孔を効率よく再結合し、かつ、再結合により効率よく発
光する材料から形成される。
The light emitting layer 5 is provided on the hole injection layer 3. The light-emitting layer 5 is made of a material that efficiently recombines electrons injected from the cathode and holes transported from the hole injection layer 3 between the electrodes to which an electric field is applied, and emits light efficiently by the recombination. It is formed.

【0061】このような条件を満たす材料としては、8
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、
ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公
報、同2−222484号公報)、ビススチリルアリーレン誘
導体(特開平2−247278号公報)、(2-ヒドロキシフェ
ニル)ベンゾチアゾールの金属錯体(特開平8−315983
号公報)、シロール誘導体等が挙げられる。これらの発
光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔注入層3上に
積層される。
As a material satisfying such conditions, 8
Metal complexes such as aluminum complexes of -hydroxyquinoline (JP-A-59-194393);
[h] quinoline metal complex (JP-A-6-322362),
Bisstyrylbenzene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-245087 and 2-222484), bisstyrylarylene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-247278), and metal complexes of (2-hydroxyphenyl) benzothiazole (Japanese Patent Application Laid-Open No. −315983
Publication), silole derivatives and the like. These light emitting layer materials are usually laminated on the hole injection layer 3 by a vacuum evaporation method.

【0062】素子の発光効率を向上させるとともに発光
色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phys., 65
巻, 3610頁, 1989年)等が行われている。
For the purpose of improving the luminous efficiency of the device and changing the luminescent color, for example, doping a fluorescent dye for laser such as coumarin using an 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host material (J. Appl. Phys. , 65
Vol. 3610, 1989).

【0063】素子の駆動寿命を改善する目的において
も、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をド
ープすることは有効である。例えば、8−ヒドロキシキ
ノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料
として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体(特開
平4−335087号公報)、キナクリドン誘導体(特開平5
− 70773号公報)、ペリレン等の縮合多環芳香族環(特
開平5−198377号公報)を、ホスト材料に対して 0.1〜
10重量%ドープすることにより、素子の発光特性、特に
駆動安定性を大きく向上させることができる。発光層の
ホスト材料に上記ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導
体、ペリレン等の蛍光色素をドープする方法としては、
共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃度で混合して
おく方法がある。
For the purpose of improving the driving life of the device, it is effective to dope a fluorescent dye by using the light emitting layer material as a host material. For example, using a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material, a naphthacene derivative represented by rubrene (Japanese Patent Laid-Open No. 4-335087) and a quinacridone derivative (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 70773), condensed polycyclic aromatic rings such as perylene (JP-A-5-198377) are added to the host material in an amount of 0.1 to 0.1%.
By doping at 10% by weight, the light emitting characteristics of the device, particularly the driving stability, can be greatly improved. As a method of doping a fluorescent dye such as the naphthacene derivative, quinacridone derivative, or perylene into the host material of the light-emitting layer,
There are a method of co-evaporation and a method of mixing evaporation sources at a predetermined concentration in advance.

【0064】高分子系の発光層材料としては、先に挙げ
たポリ(p-フェニレンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5
-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレ
ン]、ポリ(3-アルキルチオフェン)等の高分子材料
や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電
子移動材料を混合した系等が挙げられる。これらの材料
は正孔注入層と同様にスピンコートやディップコート等
の方法により正孔注入層3上に塗布して薄膜化される。
Examples of the polymer-based light emitting layer materials include poly (p-phenylenevinylene) and poly [2-methoxy-5] described above.
-(2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene], a polymer material such as poly (3-alkylthiophene), a system in which a luminescent material and an electron transfer material are mixed with a polymer such as polyvinylcarbazole, and the like. Can be These materials are applied on the hole injection layer 3 by a method such as spin coating or dip coating in the same manner as in the case of the hole injection layer to be thinned.

【0065】このようにして形成される発光層5の膜厚
は、通常10〜200 nm、好ましくは30〜100 nmである。
The thickness of the light emitting layer 5 thus formed is usually 10 to 200 nm, preferably 30 to 100 nm.

【0066】素子の発光特性を向上させるために、図2
に示すように、正孔注入層3と発光層5との間に正孔輸
送層4を設けたり、さらには、図3に示すように発光層
5と陰極7との間に電子輸送層6を設けるなど、いわゆ
る機能分離型素子としてもよい。
In order to improve the light emission characteristics of the device, FIG.
As shown in FIG. 3, a hole transport layer 4 is provided between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 5, and an electron transport layer 6 is provided between the light emitting layer 5 and the cathode 7 as shown in FIG. For example, a so-called function-separated element may be provided.

【0067】図2及び図3の機能分離型素子において、
正孔輸送層4の材料としては、正孔注入層3からの正孔
注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送
することができる材料であることが必要である。そのた
めには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移
動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不
純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求され
る。また、発光層5と直接接する層であるために、発光
を消光する物質が含まれていないことが望ましい。
In the function-separated element shown in FIGS. 2 and 3,
The material of the hole transport layer 4 needs to be a material having high hole injection efficiency from the hole injection layer 3 and capable of efficiently transporting the injected holes. For that purpose, it is required that the ionization potential is small, the hole mobility is large, the stability is further excellent, and impurities serving as traps are hardly generated during production or use. In addition, since the layer is in direct contact with the light-emitting layer 5, it is preferable that a substance that quenches light emission is not included.

【0068】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2
個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジア
ミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumi
n., 72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの
四量体からなる芳香族アミン化合物(Chem.Commun., 21
75頁、1996年)、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Syn
th. Metals, 91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。
これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じ
て、2種以上を混合して用いてもよい。
As such a hole transport material, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino]
Containing two or more tertiary amines represented by biphenyl;
Aromatic diamines in which at least two condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (JP-A-5-234681), 4,4 ', 4 "-tris (1-
Aromatic amine compounds having a starburst structure such as naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumi
n., 72-74, 985, 1997), an aromatic amine compound comprising a tetramer of triphenylamine (Chem. Commun., 21).
75, 1996), spiro compounds such as 2,2 ', 7,7'-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Syn
th. Metals, vol. 91, p. 209, 1997).
These compounds may be used alone or, if necessary, in combination of two or more.

【0069】上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料
として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェ
ニルアミン(特開平7− 53953号公報)、テトラフェニ
ルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホ
ン(Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年)等の高分
子材料が挙げられる。
In addition to the above compounds, as a material of the hole transport layer 4, polyarylene ether sulfone containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-39553), and tetraphenylbenzidine (Polym. Tech., 7, 33, 1996).

【0070】正孔輸送層4は上記の正孔輸送材料を塗布
法あるいは真空蒸着法により前記正孔注入層3上に積層
することにより形成する。
The hole transport layer 4 is formed by laminating the above hole transport material on the hole injection layer 3 by a coating method or a vacuum evaporation method.

【0071】塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種また
は2種以上と、必要により正孔のトラップにならないバ
インダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、溶
解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法に
より正孔注入層3上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を
形成する。ここで、バインダー樹脂としては、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられ
る。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下
させるので、少ない方が望ましく、通常50重量%以下
が好ましい。
In the case of the coating method, one or more hole transport materials and, if necessary, additives such as a binder resin or a coating property improving agent which do not trap holes are added and dissolved to form a coating solution. Is prepared, applied on the hole injection layer 3 by a method such as spin coating, and dried to form the hole transport layer 4. Here, examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. If the amount of the binder resin added is large, the hole mobility is lowered. Therefore, a small amount is desirable, and usually 50% by weight or less is preferable.

【0072】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、ルツボ
を加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合
って置かれた、陽極2及び正孔注入層3が形成された基
板1上に正孔輸送層4を形成させる。
In the case of the vacuum evaporation method, the hole transporting material is put into a crucible provided in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa by a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated. Then, the hole transporting material is evaporated, and the hole transporting layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode 2 and the hole injection layer 3 are formed facing the crucible.

【0073】このようにして形成される正孔輸送層4の
膜厚は、通常10〜300nm、好ましくは30〜100nmである。
この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空
蒸着法がよく用いられる。
The thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 10 to 300 nm, preferably 30 to 100 nm.
In order to uniformly form such a thin film, generally, a vacuum deposition method is often used.

【0074】また、図3における電子輸送層6に用いら
れる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電子の
輸送能力がさらに大きいことが要求される。この様な電
子輸送材料としては、既に発光層材料として挙げた8−
ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体、オキサジアゾ
ール誘導体(Appl. Phys. Lett., 55巻, 1489頁, 1989
年) やそれらをポリメタクリル酸メチル(PMMA)
等の樹脂に分散した系、フェナントロリン誘導体(特開
平5−331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N'-ジシア
ノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリ
コン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられ
る。
The compound used for the electron transporting layer 6 in FIG. 3 is required to be capable of easily injecting electrons from the cathode and having a higher electron transporting ability. As such an electron transporting material, the 8-emitting material already mentioned as the light emitting layer material is used.
Aluminum complex of hydroxyquinoline, oxadiazole derivative (Appl. Phys. Lett., 55, 1489, 1989)
Years) and those polymethyl methacrylate (PMMA)
A phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, Examples include n-type zinc sulfide and n-type zinc selenide.

【0075】電子輸送層6の膜厚は、通常5〜200nm、好
ましくは10〜100 nmである。
The thickness of the electron transport layer 6 is usually 5 to 200 nm, preferably 10 to 100 nm.

【0076】陰極7は、図1,2における発光層5又は
図3における電子輸送層6に電子を注入する役割を果た
す。陰極7として用いられる材料は、前記陽極2に使用
される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子
注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニ
ウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられ
る。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシ
ウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等
の低仕事関数合金電極が挙げられる。
The cathode 7 plays a role of injecting electrons into the light emitting layer 5 in FIGS. 1 and 2 or the electron transport layer 6 in FIG. As the material used for the cathode 7, the material used for the anode 2 can be used, but for efficient electron injection, a metal having a low work function is preferable, and tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include a low work function alloy electrode such as a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, and an aluminum-lithium alloy.

【0077】陰極7の膜厚は通常、陽極2と同様であ
る。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、陰
極7上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金
属層を積層することは素子の安定性を増す上で有効であ
る。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケ
ル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
The thickness of the cathode 7 is usually the same as that of the anode 2. Laminating a metal layer having a high work function and being stable to the atmosphere on the cathode 7 for the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal is effective for increasing the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum and the like are used.

【0078】さらに、陰極7と発光層5または電子輸送
層6との界面にLiF、MgF2、Li2Oなどの極薄絶縁膜(膜
厚0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させ
る有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70巻,152
頁,1997年;特開平10− 74586号公報;IEEE Trans. El
ectron. Devices,44巻,1245頁,1997年)。
Further, an ultra-thin insulating film (film thickness: 0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , or Li 2 O may be inserted at the interface between the cathode 7 and the light emitting layer 5 or the electron transporting layer 6. This is an effective method for improving the quality of life (Appl. Phys. Lett., 70, 152
Page, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. El.
ectron. Devices, 44, 1245, 1997).

【0079】図1〜3は、本発明で採用される素子構造
の一例であって、本発明は何ら図示のものに限定される
ものではない。例えば、図1とは逆の構造、即ち、基板
1上に陰極7、発光層5、正孔注入層3、陽極2の順に
積層することも可能であり、既述したように少なくとも
一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界
発光素子を設けることも可能である。同様に、図2及び
図3に示したものについても、前記各構成層を逆の構造
に積層することも可能である。また、各層間に前述の層
以外の任意の層が形成されていても良い。
FIGS. 1 to 3 show an example of an element structure employed in the present invention, and the present invention is not limited to the illustrated one. For example, it is also possible to stack the cathode 7, the light emitting layer 5, the hole injection layer 3, and the anode 2 in this order on the substrate 1, that is, at least one of them is transparent as described above. It is also possible to provide the organic electroluminescent device of the present invention between two highly-substrate substrates. Similarly, the components shown in FIGS. 2 and 3 can be stacked in the opposite structure. Further, an arbitrary layer other than the above-described layers may be formed between the respective layers.

【0080】[0080]

【実施例】次に、合成例、実験例、比較実験例、実施例
及び比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載
に限定されるものではない。
Now, the present invention will be described more specifically with reference to Synthesis Examples, Experimental Examples, Comparative Experimental Examples, Examples and Comparative Examples.
The present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.

【0081】合成例1 表1の(3)に示す繰り返し単位のみからなるフルオレ
ン含有芳香族アミン高分子(ホモポリマー)(以下「高
分子(3)」と称す。)を、以下に示す反応条件で合成し
た。
Synthesis Example 1 A fluorene-containing aromatic amine polymer (homopolymer) consisting of only the repeating units shown in (3) of Table 1 (hereinafter referred to as “polymer (3)”) was reacted under the following reaction conditions. Was synthesized.

【0082】9,9-ジオクチルフルオレン(17.9mmol)を
クロロホルムに溶解させ、 0℃に冷却し、そこへ塩化第
二鉄(0.42mmol)と臭素(41.2mmol)を加え、暗所で3
時間反応させた。反応終了後、混合物を水に注ぎ、赤い
溶液が白色になるまでチオ硫酸ナトリウムで中和した。
そして、有機層をクロロホルムで3回抽出した。それを
硫酸マグネシウムにより一晩乾燥させた。その後、濾過
し、エバポレーターでクロロホルムを除去し、淡い茶色
の固体を得た。この固体をヘキサンに溶解し、カラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒n-ヘキサン)を行い、メタ
ノールにより再結晶を行い、真空乾燥(40℃−12時間)
により白色固体の2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオ
レンを得た。同定は、H-NMR、IRにて行った。
収率は49%(30g)であった。
9,9-Dioctylfluorene (17.9 mmol) was dissolved in chloroform, cooled to 0 ° C., and ferric chloride (0.42 mmol) and bromine (41.2 mmol) were added thereto.
Allowed to react for hours. After completion of the reaction, the mixture was poured into water and neutralized with sodium thiosulfate until the red solution turned white.
Then, the organic layer was extracted three times with chloroform. It was dried over magnesium sulfate overnight. Thereafter, the mixture was filtered and chloroform was removed with an evaporator to obtain a light brown solid. This solid is dissolved in hexane, subjected to column chromatography (developing solvent n-hexane), recrystallized with methanol, and dried in vacuum (40 ° C. for 12 hours).
As a result, 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene was obtained as a white solid. Identification was performed by 1 H-NMR and IR.
The yield was 49% (30 g).

【0083】上記反応で得た2,7-ジブロモ-9,9-ジオク
チルフルオレン(3.65mmol)、アニリン(3.6mmol)、
エンドキャップ剤としてのジフェニルアミン(0.055mmo
l)、t−ブチルホスフィン(1.46mmol)、酢酸パラジ
ウム(0.182mmol)、ナトリウム第三級ブチラート(7.2
9mmol)、o-キシレン(24.4ml)を窒素雰囲気下、 130
℃で24時間還流した。反応終了後、イオン交換水を入れ
た。THFを抽出溶媒とし、濾過後、再沈精製(貧溶媒
メタノール:良溶媒クロロホルムあるいはTHF)によ
り精製した。最終生成物をH−NMR及びIRにより
構造確認を行ったところ、目的のフルオレン含有芳香族
アミン高分子が合成されていることが確認された。収率
は63%で、得られた高分子(3)の分子量は、数平均分
子量15,800、重量平均分子量35,000、分子量分布 2.2で
あった。ガラス転移温度は268℃であった。
The 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene (3.65 mmol), aniline (3.6 mmol),
Diphenylamine (0.055mmo
l), t-butylphosphine (1.46 mmol), palladium acetate (0.182 mmol), sodium tert-butylate (7.2
9 mmol) and o-xylene (24.4 ml) under nitrogen atmosphere.
Reflux at 24 ° C. for 24 hours. After the completion of the reaction, ion-exchanged water was added. After filtration using THF as an extraction solvent, purification was carried out by reprecipitation purification (methanol poor solvent: chloroform good solvent or THF). When the structure of the final product was confirmed by 1 H-NMR and IR, it was confirmed that the desired fluorene-containing aromatic amine polymer was synthesized. The yield was 63%, and the molecular weight of the obtained polymer (3) was number average molecular weight 15,800, weight average molecular weight 35,000, and molecular weight distribution 2.2. Glass transition temperature was 268 ° C.

【0084】合成例2 表1の(5)に示す繰り返し単位のみからなるフルオレ
ン含有芳香族アミン高分子(ホモポリマー)(以下「高
分子(5)」と称す。)を、合成例1と同様の反応条件で
合成した。最終生成物をH−NMR及びIRにより構
造確認を行ったところ、目的のフルオレン含有芳香族ア
ミン高分子が合成されていることが確認された。収率は
58%で、得られた高分子(5)の分子量は、数平均分子
量 7,000、重量平均分子量16,700、分子量分布 2.4であ
った。ガラス転移温度は266℃であった。
Synthesis Example 2 A fluorene-containing aromatic amine polymer (homopolymer) (hereinafter referred to as “polymer (5)”) consisting of only the repeating unit shown in (5) of Table 1 was used in the same manner as in Synthesis Example 1. Under the following reaction conditions. When the structure of the final product was confirmed by 1 H-NMR and IR, it was confirmed that the desired fluorene-containing aromatic amine polymer was synthesized. The yield is
The molecular weight of the obtained polymer (5) was 58,000, the number average molecular weight was 7,000, the weight average molecular weight was 16,700, and the molecular weight distribution was 2.4. Glass transition temperature was 266 ° C.

【0085】合成例3 表1の(6)に示す繰り返し単位のみからなるフルオレ
ン含有芳香族アミン高分子(ホモポリマー)(以下「高
分子(6)」と称す。)を、合成例1と同様の反応条件で
合成した。最終生成物をH−NMR及びIRにより構
造確認を行ったところ、目的のフルオレン含有芳香族ア
ミン高分子が合成されていることが確認された。収率は
43%で、得られた高分子(6)の分子量は、数平均分子
量 6,400、重量平均分子量11,600、分子量分布 1.8であ
った。ガラス転移温度は 260℃であった。
Synthesis Example 3 A fluorene-containing aromatic amine polymer (homopolymer) consisting of only the repeating units shown in (6) of Table 1 (hereinafter referred to as “polymer (6)”) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1. Under the following reaction conditions. When the structure of the final product was confirmed by 1 H-NMR and IR, it was confirmed that the desired fluorene-containing aromatic amine polymer was synthesized. The yield is
With a molecular weight of 43%, the obtained polymer (6) had a number average molecular weight of 6,400, a weight average molecular weight of 11,600 and a molecular weight distribution of 1.8. Glass transition temperature was 260 ° C.

【0086】実験例1 ガラス基板を、アセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イ
ソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、
UV/オゾン洗浄を行った後、合成例1にて得られた高
分子(3)を下記の条件で、上記ガラス基板上にスピン
コートした。 溶媒 1,2-ジクロロエタン 塗布液濃度 5[mg/ml] スピナ回転数 2000[rpm] スピナ回転時間 30[秒] 乾燥条件 窒素雰囲気120℃−1時間乾燥
Experimental Example 1 A glass substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone, water cleaning with pure water, ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, and drying with dry nitrogen.
After performing UV / ozone cleaning, the polymer (3) obtained in Synthesis Example 1 was spin-coated on the glass substrate under the following conditions. Solvent 1,2-dichloroethane Coating solution concentration 5 [mg / ml] Spinner rotation speed 2000 [rpm] Spinner rotation time 30 [sec] Drying condition Nitrogen atmosphere 120 ° C-1 hour drying

【0087】上記のスピンコートにより40nmの膜厚の均
一な薄膜が形成された。この薄膜試料のイオン化ポテン
シャルを理研計器(株)製の紫外線電子分析装置(AC
−1)を用いて測定したところ、5.30eVの値を示した。
A uniform thin film having a thickness of 40 nm was formed by the above spin coating. The ionization potential of this thin film sample was measured using an ultraviolet electron analyzer (AC, manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.).
When measured using -1), a value of 5.30 eV was shown.

【0088】下記構造式で表される電子受容性化合物:
TBPAH(トリス(4−ブロモフェニル)アミニウム
ヘキサクロロアンチモネート)については、還元電位は
1.06V[vs.SCE]と報告されているので、電子親和力は
5.36eVとなる。従って、上記高分子(3)のイオン化ポ
テンシャルとの差は−0.06eVである。
An electron accepting compound represented by the following structural formula:
For TBPAH (tris (4-bromophenyl) aminium hexachloroantimonate), the reduction potential is
1.06V [vs.SCE], the electron affinity is
5.36 eV. Therefore, the difference from the ionization potential of the polymer (3) is -0.06 eV.

【0089】[0089]

【化11】 Embedded image

【0090】実験例2 合成例1で得られた高分子(3)に電子受容性化合物の
TBPAHを混合し、実験例1と同様にしてガラス基板
上にスピンコートした。
Experimental Example 2 The polymer (3) obtained in Synthetic Example 1 was mixed with TBPAH as an electron accepting compound, and spin-coated on a glass substrate in the same manner as in Experimental Example 1.

【0091】このスピンコートにより30nmの膜厚の均一
な、高分子(3)80重量%とTBPAH20重量%とを含
む薄膜が形成された。この薄膜試料の可視部分の吸収ス
ペクトルを測定した結果、400〜700nmの波長範囲におい
て、透過率90%以上の透明な膜が得られた。
By this spin coating, a uniform thin film having a thickness of 30 nm and containing 80% by weight of the polymer (3) and 20% by weight of TBPAH was formed. As a result of measuring the absorption spectrum of the visible portion of the thin film sample, a transparent film having a transmittance of 90% or more in a wavelength range of 400 to 700 nm was obtained.

【0092】比較実験例1 実験例1と同様にして洗浄したガラス基板を真空蒸着装
置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプによ
り行った後、装置内の真空度が2×10−6Torr(約2.7×
10−4Pa)以下になるまで液体窒素トラップを備えた油
拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置された
モリブデンボートに入れた、下記構造式で示される銅フ
タロシアニンを加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度
は2×10−6Torr(約2.7×10−4Pa)で、蒸着速度 0.2
nm/秒で膜厚20nmの膜を成膜した。
Comparative Experimental Example 1 A glass substrate washed in the same manner as in Experimental Example 1 was set in a vacuum evaporation apparatus. After the rough evacuation of the above apparatus was performed by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the apparatus was 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 ×
Evacuation was performed using an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until the pressure became 10 -4 Pa) or less. The copper phthalocyanine represented by the following structural formula, which was placed in a molybdenum boat placed in the above apparatus, was heated to perform vapor deposition. The degree of vacuum during deposition is 2 × 10 -6 Torr (about 2.7 × 10 -4 Pa), deposition rate 0.2
A film having a thickness of 20 nm was formed at a rate of nm / sec.

【0093】[0093]

【化12】 Embedded image

【0094】この薄膜試料の可視部分の透過スペクトル
を測定した結果、550〜700nmの波長領域において吸収が
あり、透過率は80%で、この膜はフルカラー表示への
適用には問題があることが確認された。
As a result of measuring the transmission spectrum of the visible portion of this thin film sample, absorption was observed in the wavelength region of 550 to 700 nm, and the transmittance was 80%. This film may have problems in application to full color display. confirmed.

【0095】実験例3 芳香族アミン含有高分子として、合成例2で得られた高
分子(5)を用いたこと以外は実験例1と同様にしてガ
ラス基板上にスピンコートを行い、40nmの膜厚の均一な
薄膜を形成した。この薄膜試料のイオン化ポテンシャル
を測定したところ、5.10eVの値を示した。
EXPERIMENTAL EXAMPLE 3 Spin coating was performed on a glass substrate in the same manner as in Experimental Example 1 except that the polymer (5) obtained in Synthesis Example 2 was used as the aromatic amine-containing polymer, and a polymer having a thickness of 40 nm was obtained. A thin film having a uniform thickness was formed. When the ionization potential of this thin film sample was measured, it showed a value of 5.10 eV.

【0096】従って、この高分子(5)のイオン化ポテ
ンシャルと電子受容性化合物であるTBPAHの電子親
和力との差は−0.26eVであることが確認された。
Accordingly, it was confirmed that the difference between the ionization potential of the polymer (5) and the electron affinity of TBPAH, which is an electron accepting compound, was -0.26 eV.

【0097】実験例4 芳香族アミン含有高分子として、合成例3で得られた高
分子(6)を用いたこと以外は実験例1と同様にしてガ
ラス基板上にスピンコートを行い、40nmの膜厚の均一な
薄膜を形成した。この薄膜試料のイオン化ポテンシャル
を測定したところ、5.20eVの値を示した。
Experimental Example 4 Spin coating was performed on a glass substrate in the same manner as in Experimental Example 1 except that the polymer (6) obtained in Synthesis Example 3 was used as the aromatic amine-containing polymer. A thin film having a uniform thickness was formed. When the ionization potential of this thin film sample was measured, it showed a value of 5.20 eV.

【0098】従って、この高分子(6)のイオン化ポテ
ンシャルと電子受容性化合物であるTBPAHの電子親
和力との差は−0.16eVであることが確認された。
Therefore, it was confirmed that the difference between the ionization potential of this polymer (6) and the electron affinity of TBPAH, which is an electron accepting compound, was -0.16 eV.

【0099】実施例1 図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
Example 1 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 2 was manufactured by the following method.

【0100】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を 120nm堆積したもの(シート抵
抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチ
ングを用いて 2mm幅のストライプにパターニングして陽
極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセ
トンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピル
アルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブロー
で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate in a thickness of 120 nm (sheet resistance: 15 Ω) was patterned into 2 mm-wide stripes using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching to form an anode 2. Was formed. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water cleaning with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally cleaned with ultraviolet and ozone.

【0101】このITOガラス基板上に、合成例1で得
られた高分子(3)とTBPAHとの混合物を実験例2
と同一条件でスピンコートし、30nmの膜厚の均一な薄膜
形状を有する正孔注入層3を形成した。
A mixture of the polymer (3) obtained in Synthesis Example 1 and TBPAH was placed on this ITO glass substrate in Experimental Example 2.
The hole injection layer 3 having a uniform thin film shape with a thickness of 30 nm was formed by spin coating under the same conditions as described above.

【0102】次に、上記正孔注入層3を塗布成膜した基
板1を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を
油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10
−6Torr(約2.7×10−4Pa)以下になるまで液体窒素
トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記
装置内に配置されたセラミックルツボに入れた下記構造
式で示される芳香族アミン化合物:4,4'-ビス[N-(1-
ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルを加熱して
蒸着を行った。蒸着時の真空度は2.0×10−6Torr(約
2.7×10−4Pa)、蒸着速度は0.3nm/秒で、膜厚20nmの
膜を高分子(3)及びTBPAHからなる正孔注入層3
の上に積層して正孔輸送層4を完成させた。
Next, the substrate 1 on which the hole injection layer 3 was coated and formed was set in a vacuum evaporation apparatus. After rough exhaust of the above device was performed by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the device was 2 × 10
Evacuation was performed using an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until the pressure became -6 Torr (about 2.7 × 10 -4 Pa) or less. An aromatic amine compound represented by the following structural formula and placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus: 4,4′-bis [N- (1-
[Naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl was heated for vapor deposition. The degree of vacuum during the deposition is 2.0 × 10 −6 Torr (about
2.7 × 10 −4 Pa), a deposition rate of 0.3 nm / sec, and a 20-nm-thick film formed of a hole-injecting layer 3 composed of polymer (3) and TBPAH.
And the hole transport layer 4 was completed.

【0103】[0103]

【化13】 Embedded image

【0104】引続き、発光層5の材料として、下記構造
式で示されるアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯
体:Al(CNO)を正孔輸送層4と同様にし
て蒸着を行った。この時のアルミニウムの8−ヒドロキ
シキノリン錯体のルツボ温度は265〜275℃の範囲で制御
し、蒸着時の真空度は1.5×10−6Torr(約2.0×10
Pa)、蒸着速度は0.5nm/秒で、蒸着された発光層5の
膜厚は70nmであった。
Subsequently, as a material for the light emitting layer 5, 8-hydroxyquinoline complex of aluminum represented by the following structural formula: Al (C 9 H 6 NO) 3 was deposited in the same manner as the hole transport layer 4. Crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this procedure was controlled within the range of two hundred sixty-five to two hundred seventy-five ° C., vacuum degree during deposition was 1.5 × 10 -6 Torr (about 2.0 × 10 - 4
Pa), the deposition rate was 0.5 nm / sec, and the thickness of the deposited light-emitting layer 5 was 70 nm.

【0105】[0105]

【化14】 Embedded image

【0106】なお、上記の正孔輸送層4及び発光層5を
真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 was kept at room temperature.

【0107】ここで、発光層5までの蒸着を行った素子
を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰
極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シャドー
マスクを、陽極2のITOストライプとは直交するよう
に素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有
機層と同様にして装置内の真空度が2×10−6Torr(約
2.7×10−4Pa)以下になるまで排気した。その後、陰
極7の材料として、マグネシウムと銀を用い、二元蒸着
法にて原子比Mg:Ag=10:1となるように成膜し
て 200nmの膜厚の陰極7を発光層5の上に形成した。
Here, the element on which the light-emitting layer 5 was deposited was once taken out of the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm-wide striped shadow mask was used as a cathode deposition mask, and the ITO stripe of the anode 2 was used. And placed in another vacuum vapor deposition apparatus in the same manner as the organic layer, and the degree of vacuum in the apparatus is 2 × 10 −6 Torr (approx.
Evacuation was performed until the pressure became 2.7 × 10 −4 Pa) or less. After that, using magnesium and silver as a material of the cathode 7, a film is formed by a binary deposition method so that an atomic ratio of Mg: Ag = 10: 1, and the cathode 7 having a thickness of 200 nm is formed on the light emitting layer 5. Formed.

【0108】以上のようにして、2mmx×2mmのサイズの
発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。こ
の素子の発光特性を表3に示す。この素子は、電圧 11V
で5000cd/m2という高い輝度を示した。
As described above, an organic electroluminescent device having a light emitting area of 2 mm × 2 mm was obtained. Table 3 shows the light emission characteristics of this device. This element has a voltage of 11V
Showed a high luminance of 5000 cd / m 2 .

【0109】実施例2 正孔注入層の材料として高分子(3)の代わりに合成例
2で得られた高分子(5)を用いた他は、実施例1と同
様にして素子を作製し、得られた素子の発光特性を表3
に示した。表3より明らかなように実施例1と同様に低
い動作電圧が得られた。
Example 2 An element was produced in the same manner as in Example 1, except that the polymer (5) obtained in Synthesis Example 2 was used instead of the polymer (3) as a material for the hole injection layer. Table 3 shows the emission characteristics of the obtained device.
It was shown to. As is clear from Table 3, a low operating voltage was obtained as in Example 1.

【0110】実施例3 正孔注入層の材料として高分子(3)の代わりに合成例
2で得られた高分子(6)を用いた他は、実施例1と同
様にして素子を作製し、得られた素子の発光特性を表3
に示した。表3より明らかなように実施例1と同様に低
い動作電圧が得られた。
Example 3 An element was produced in the same manner as in Example 1 except that the polymer (6) obtained in Synthesis Example 2 was used instead of the polymer (3) as a material for the hole injection layer. Table 3 shows the emission characteristics of the obtained device.
It was shown to. As is clear from Table 3, a low operating voltage was obtained as in Example 1.

【0111】比較例1 正孔注入層にTBPAHを含有しない他は、実施例1と
同様にして素子を作製し、得られた素子の発光特性を表
3に示した。
Comparative Example 1 An element was prepared in the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer did not contain TBPAH. Table 3 shows the emission characteristics of the obtained element.

【0112】比較例2 正孔注入層にTBPAHを含有しない他は、実施例2と
同様にして素子を作製し、得られた素子の発光特性を表
3に示した。
Comparative Example 2 An element was prepared in the same manner as in Example 2 except that the hole injection layer did not contain TBPAH. Table 3 shows the emission characteristics of the obtained element.

【0113】比較例3 正孔注入層にTBPAHを含有しない他は、実施例3と
同様にして素子を作製し、得られた素子の発光特性を表
3に示した。
Comparative Example 3 An element was produced in the same manner as in Example 3 except that the hole injection layer did not contain TBPAH. Table 3 shows the light emission characteristics of the obtained element.

【0114】[0114]

【表3】 [Table 3]

【0115】[0115]

【発明の効果】以上詳述した通り、特定のフルオレン含
有芳香族アミン高分子と電子受容性化合物とを含有する
層を形成した本発明の有機電界発光素子によれば、低電
圧での高発光効率駆動が可能で、しかも耐熱性が良好な
素子が提供される。
As described in detail above, according to the organic electroluminescent device of the present invention in which a layer containing a specific fluorene-containing aromatic amine polymer and an electron accepting compound is formed, high light emission at a low voltage is obtained. An element which can be driven efficiently and has good heat resistance is provided.

【0116】従って、本発明による有機電界発光素子
は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピ
ュータ用や壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生
かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイ
や計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応
用が考えられ、特に、高耐熱性が要求される車載用表示
素子として、その技術的価値は大きいものである。
Accordingly, the organic electroluminescent device according to the present invention can be used as a light source (for example, a light source of a copier, a liquid crystal display, or an instrument) utilizing the characteristics of a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television) or a surface light emitting body. It can be applied to various types of backlight sources, display boards, and marker lights, and has a great technical value especially as a display element for a vehicle that requires high heat resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例
を示す模式的な断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of an organic electroluminescent device of the present invention.

【図2】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の他の
例を示す模式的な断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図3】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の
例を示す模式的な断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図4】イオン化ポテンシャルと電子親和力の関係を示
したエネルギー準位図である。
FIG. 4 is an energy level diagram showing the relationship between ionization potential and electron affinity.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 正孔注入層 4 正孔輸送層 5 発光層 6 電子輸送層 7 陰極 Reference Signs List 1 substrate 2 anode 3 hole injection layer 4 hole transport layer 5 light emitting layer 6 electron transport layer 7 cathode

フロントページの続き (72)発明者 大橋 博章 山形県米沢市城南5−3−48 タウンハイ ツ城南203号 (72)発明者 佐藤 佳晴 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB06 AB14 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 4J002 BC122 CM011 DA016 DD056 DD076 DF006 DK006 EN136 ET006 EZ006 FD202 FD206 GP00 Continued on the front page (72) Inventor Hiroaki Ohashi 5-3-48 Town Heights Jonan 203-5, Jonan, Yonezawa-shi, Yamagata (72) Inventor Yoshiharu Sato 1000 Kamoshida-cho, Aoba-ku, Aoba-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama 3K007 AB02 AB06 AB14 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 4J002 BC122 CM011 DA016 DD056 DD076 DF006 DK006 EN136 ET006 EZ006 FD202 FD206 GP00

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、陽極、陰極及び該両極間に存
在する発光層を有する有機電界発光素子において、 該発光層と陽極との間に、下記一般式(I)で表される
繰り返し単位を有し、かつ、重量平均分子量が1,000〜
1,000,000であるフルオレン含有芳香族アミン高分子
と、電子受容性化合物とを含有する層が設けられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。 【化1】 (式中、環D及び環Eは各々独立に、置換基を有してい
てもよいベンゼン環を表し、R及びRは各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、ハロアルキ
ル基、水酸基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水
素環基または芳香族複素環基を表わし、Arは置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素
環基を示す。)
1. An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and a light emitting layer present between the two electrodes on a substrate, wherein a repeating unit represented by the following general formula (I) is provided between the light emitting layer and the anode. Unit and weight average molecular weight of 1,000 ~
An organic electroluminescent device comprising a layer containing 1,000,000 fluorene-containing aromatic amine polymer and an electron-accepting compound. Embedded image (Wherein, ring D and ring E each independently represent a benzene ring which may have a substituent, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, Alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylamino group, haloalkyl group, hydroxyl group, aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent Or Ar represents an aromatic heterocyclic group, and Ar represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
【請求項2】 前記フルオレン含有芳香族アミン高分子
のイオン化ポテンシャルから前記電子受容性化合物の電
子親和力を引いた値が0.7eV以下であることを特徴とす
る請求項1に記載の有機電界発光素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the value obtained by subtracting the electron affinity of the electron-accepting compound from the ionization potential of the fluorene-containing aromatic amine polymer is 0.7 eV or less. .
【請求項3】 前記フルオレン含有芳香族アミン高分子
と電子受容性化合物とを含有する層中の該電子受容性化
合物の含有量が、該芳香族アミン含有高分子に対して0.
1〜50重量%の範囲であることを特徴とする請求項1又
は2に記載の有機電界発光素子。
3. The layer containing the fluorene-containing aromatic amine polymer and the electron-accepting compound, wherein the content of the electron-accepting compound in the layer containing the fluorene-containing aromatic amine polymer is 0.
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the content is in a range of 1 to 50% by weight.
【請求項4】 前記電子受容性化合物が、下記一般式
(II)で表されることを特徴とする請求項1ないし3の
いずれか1項に記載の有機電界発光素子。 【化2】 (式中、Xはハロゲン原子を示し、環A,B及びCは各
々独立して、置換基を有していてもよいベンゼン環を示
す。)
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the electron accepting compound is represented by the following general formula (II). Embedded image (In the formula, X represents a halogen atom, and rings A, B, and C each independently represent a benzene ring which may have a substituent.)
【請求項5】 前記電子受容性化合物が、下記化合物群
から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請
求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機電界発光素
子。 【化3】
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the electron accepting compound is at least one selected from the following compound group. Embedded image
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