JP2002250885A

JP2002250885A - 導波路光源装置および当該装置を備えた画像形成装置

Info

Publication number: JP2002250885A
Application number: JP2001050848A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Hamada; 明佳濱田
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 2001-02-26
Filing date: 2001-02-26
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】エネルギ消費を多くすることなく光ビームの
光量調整を安定して行える導波路光源装置を提供するこ
と。【解決手段】半導体レーザＬＤ１から出射され、導波
路基板１２内に導波路として形成されたコア２１を介し
て出射されるレーザビームＬＢ１の光量を、製造時にお
いて適正に調整したときに、導波路基板１２のクラッド
２５内に漏れるレーザビームを検出センサ３１、３２で
検出し、そのときの検出信号の値を光量基準値として予
め記憶しておく。そして、画像形成時において、次の走
査ラインの露光走査が開始される前に、半導体レーザＬ
Ｄ１を駆動させ、そのときの検出センサ３１、３２から
の検出信号の値が、上記光量基準値と同じ値になるよう
に半導体レーザＬＤ１の出力を調整し、調整された出力
で当該次の走査ラインの露光走査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光源部から出射さ
れた光ビームを３次元光導波路部材を介して出射する構
成の導波路光源装置および当該装置を備えた画像形成装
置に関し、特に導波路光源装置から出射される光ビーム
の光量を一定に制御する技術の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】デジタル複写機、レーザプリンタ等のデ
ジタル式の画像形成装置の分野では、近年、複数の半導
体レーザから出射されるそれぞれのレーザビームを、各
レーザビームに対応して形成された導波路を備える３次
元光導波路基板を介して出射する構成の導波路光源装置
を用いたもの（例えば、特開平１１−１６０５５７号公
報参照）が出現してきており、光源装置の小形化に有利
な構成であることから注目されている。

【０００３】ところで、デジタル式の画像形成装置は、
一般的に、表面が帯電された感光体ドラムをレーザビー
ムで露光して潜像を形成し、形成された潜像を現像、転
写プロセスを経て記録シート上に画像を形成している。
そのため、感光体ドラムを露光する各レーザビームの光
量に差があると、記録シート上に形成される画像にムラ
が生じ画質の劣化につながることから、感光体ドラム上
における各レーザビームの露光量が一定になるように、
１走査ライン毎に半導体レーザの出力を調整することが
行われている。

【０００４】例えば、感光体ドラムの露光走査開始端の
近辺にフォトダイオードなどの受光素子を配設して、こ
こを露光走査したときの検出信号に基づいて各半導体レ
ーザの出力を調整する構成（以下、この構成例を「第１
の従来例」という。）や、光源装置と感光体ドラム間の
光路途中にレーザビームを分離するビームスプリッタを
配し、分離された一方のレーザビームを感光体ドラムの
露光走査に用い、他方のレーザビームを受光素子に入射
させ、その検出信号に基づいて各半導体レーザの出力を
調整する構成（以下、この構成例を「第２の従来例」と
いう。）などがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来例の構成では、レーザビームの光量調整を安定
して行えない場合があるという問題があった。すなわ
ち、感光体ドラムの露光走査開始端に受光素子を配する
構成のため、受光素子が光源装置から離れてしまう。そ
のため、光源装置と受光素子を結ぶ配線が長くなって、
画像形成装置内の他のユニットからの突発的な電気ノイ
ズなどがその配線に乗りやすくなり、その影響により正
確な検出信号が得られなくなると、レーザビームの光量
調整を安定して行えなくなってしまう。

【０００６】一方、第２の従来例の構成では、受光素子
を感光体ドラムの近辺に配置しなくてもレーザビームの
光量を検出できるため、第１の従来例の構成よりも、受
光素子を光源装置に近づけることができ、ノイズの影響
を少なくできるが、レーザビームを光路途中で分離する
構成のため、第１の従来例の構成に比べて半導体レーザ
の出力を上げる必要が生じ、エネルギ消費が多くなると
いう問題がある。

【０００７】上記のような問題は、導波路光源装置とし
て１本のレーザビームを出射する構成のものを用いた場
合に、感光体ドラム上におけるレーザビームの露光量を
一定に調整する場合にも起こりうるものである。本発明
は、上述のような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、エネルギ消費を多くすることなく光ビームの光量調
整を安定して行える導波路光源装置および当該装置を備
えた画像形成装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光量制御が可能な光源部からの光ビーム
を、３次元光導波路部材を介して出射する構成の導波路
光源装置であって、前記３次元光導波路部材のクラッド
内に漏れた光ビームの少なくとも一部を検出する第１の
検出素子と、第１の検出素子により検出される信号に基
づいて光源部から出射される光ビームの光量を制御する
制御手段とを備えることを特徴とする。

【０００９】また、前記第１の検出素子は、その光ビー
ム検出面が前記クラッドの外面の少なくとも一部に当接
もしくは近接する位置に配されていることを特徴とす
る。また、前記制御手段は、前記３次元光導波路部材の
導波路として用いられるコアから出射された光ビームの
光量が適正なときに、第１の検出素子により検出される
信号の値を第１の光量基準値として記憶している第１の
記憶部を備え、第１の検出素子により検出される信号の
値が前記第１の光量基準値と同じになるように、光源部
から出射される光ビームの光量を制御することを特徴と
する。

【００１０】さらに、前記コアから出射された光ビーム
の少なくとも一部を検出する第２の検出素子を備え、前
記制御手段は、前記コアから出射された光ビームの光量
が適正なときに、第２の検出素子により検出される信号
の値を第２の光量基準値として記憶している第２の記憶
部を備え、所定のタイミングで、第２の検出素子により
検出される光ビームの光量が第２の光量基準値になるよ
うに、光源部から出射される光ビームの光量を制御する
と共に、第１の記憶部に記憶されている第１の光量基準
値を、現在、第１の検出素子により検出されている信号
の値に書き換えることを特徴とする。

【００１１】また、前記光源部は、複数の発光素子を備
えると共に、前記３次元光導波路部材は、各発光素子に
対応して、当該各発光素子から出射される光ビームの導
波路となる複数のコアを備え、前記制御手段は、各発光
素子について、当該第１の検出素子により検出される信
号に基づいて当該発光素子から出射される光ビームの光
量を個別に制御することを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、光源装置から出射される
光ビームを走査手段により走査して像担持体上に潜像を
形成する画像形成装置であって、前記光源装置に前記導
波路光源装置を用いたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る導波路光源装
置の実施の形態について、図面を参照しながら説明す
る。（実施の形態１）図１は、本発明の導波路光源装置を備
えたレーザ走査光学装置の全体構成の概略を示す斜視図
であり、説明の都合上、導波路光源装置（以下、単に
「光源装置」という。）１０については部分的に透視図
としている。

【００１４】同図に示されるように、レーザ走査光学装
置は、４本のレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４により感光体
ドラム２０を露光走査するマルチビーム走査光学装置で
あって、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４からのレーザビー
ムＬＢ１〜ＬＢ４を３次元光導波路基板（以下、単に
「導波路基板」という。）１２を介して出射する構成の
光源装置１０、光源装置１０からのレーザビームＬＢ１
〜ＬＢ４をコリメートするコリメータレンズ１５、コリ
メートされたレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４を面倒れ補正
のために副走査方向に集光するシリンドリカルレンズ１
６、図示しないポリゴンモータにより矢印Ａ方向に高速
回転し、シリンドリカルレンズ１６からのレーザビーム
ＬＢ１〜ＬＢ４を主走査方向に走査するポリゴンミラー
１７、走査レンズ群１８、折り返しミラー１９および検
出センサ３３を含んでいる。

【００１５】折り返しミラー１９により反射されたレー
ザビームＬＢ１〜ＬＢ４は、矢印ａ方向に回転する感光
体ドラム２０表面を同時に露光走査し、感光体ドラム２
０表面に、１回の露光走査で４ライン分の静電潜像が形
成される。図２（ａ）は、図１に示す光源装置１０の導
波路基板１２を矢印Ｂ方向から見たときの図であり、図
２（ｂ）は、図２（ａ）に示す導波路基板１２を矢印Ｃ
方向から見たときの図であり、図２（ｃ）は、図２
（ａ）に示す導波路基板１２をＤ−Ｄ線で切断したとき
の矢視断面図である。

【００１６】光源装置１０は、導波路基板１２、半導体
レーザＬＤ１〜ＬＤ４、検出センサ３１、３２、および
ここでは図示していないが半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４
の駆動制御等を行う制御部（図３参照）などからなる。
導波路基板１２は、シリコンウェハからなる基板１２０
上に、ポリイミドからなる膜状の導波路部材１２１が積
層されてなり、図示しない基台に保持されている。

【００１７】導波路部材１２１は、その内部に半導体レ
ーザＬＤ１〜ＬＤ４からのレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４
を伝播させるための４本の導波路２１〜２４がレーザビ
ームの進行方向に沿って帯状に形成されている。この導
波路２１〜２４として形成された部分は、その周囲の部
分よりも屈折率が高くなっており、導波路２１〜２４が
光ファイバでいうコアとして、その周囲の部分２５がク
ラッドとして機能するようになっている（以下、導波路
部材１２１の導波路を「コア」と、導波路周囲の部分を
「クラッド」という。）。

【００１８】なお、図２では、導波路２１〜２４として
形成された部分を解りやすくするために、クラッド２５
の内部に位置する導波路２１〜２４を実線で示すように
すると共に基板１２０に対するクラッド２５の厚さを誇
張して示している。実際には、基板１２０の厚さが約
０．４ｍｍ、クラッド２５の厚さが約３０μｍとなって
いる。また、各導波路２１〜２４は、断面形状が四角形
（図２（ｃ）参照）になっており、その幅および高さが
約４μｍになっている。

【００１９】クラッド２５のレーザビーム入射側の側面
１２２には、コア２１〜２４の一端（以下、「入射端」
という。）２１１〜２４１が当該側面１２２と面一な状
態で露出している。一方、クラッド２５のレーザビーム
出射側の側面１２３と、基板１２０の側面１１２とは、
ほぼ面一となっており、クラッド２５の側面１２３に
は、コア２１〜２４の他端（以下、「出射端」とい
う。）２１２〜２４２が当該側面１２３と面一な状態で
露出しており、この各出射端２１２〜２４２からレーザ
ビームＬＢ１〜ＬＢ４がコリメータレンズ１５に向けて
出射される。ここでは、隣接する各出射端２１２〜２４
２の間隔が約２０μｍにされており、感光体ドラム２０
上において６００ｄｐｉの解像度に対応できるように構
成されている。

【００２０】半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４は、副走査方
向（図２（ａ）の上下方向）にほぼ等間隔をおいて、基
板１２０の取付面１１１上に配された電極部（不図示）
に、そのレーザビーム出射口（以下、単に「出射口」と
いう。）５１〜５４が、コア２１〜２４の入射端２１１
〜２４１と近接して対向する位置に半田付けや銀ペース
トなどにより固定される。

【００２１】このような構成において、例えば半導体レ
ーザＬＤ１が駆動された場合、出射口５１から出射され
たレーザビームＬＢ１は、その大部分がコア２１の入射
端２１１からコア２１内に入るが、その一部は、クラッ
ド２５の側面１２２からクラッド２５内に進入する。こ
のように一部のレーザビームがクラッド２５内に漏れる
のは、出射口５１とコア２１の入射端２１１とが空間を
介して対向しており、一般的に出射口５１とコア２１の
入射端２１１との開口径が異なるため、出射口５１の位
置を調整しても、出射口５１から拡散光として出射され
るレーザビームの一部がどうしてもコア２１の入射端２
１１から外れてクラッド２５内に入り込んでしまうから
である。

【００２２】図２（ａ）に示す一点鎖線６１は、当該側
面１２２からクラッド２５内に進入したレーザビームを
模式的に示したものである。同図に示すように、クラッ
ド２５内に入ったレーザビームは、半導体レーザＬＤ１
の出射口５１が向いている方向、ここでは同図の右方向
にある程度拡散しながら進行していく。クラッド２５内
に進入するレーザビームは、そのほとんどが導波路基板
１２の側面１２２からクラッド２５内に入るものである
が、コア２１内を通るレーザビームであっても、例えば
コア２１の湾曲部分において臨界角と入射角の関係から
クラッド２５に出ていくものもある。以下、導波路基板
１２の側面１２２からクラッド２５内に入るレーザビー
ムおよびコアからクラッド２５に出ていくレーザビーム
を含めて、クラッド２５内に漏れたレーザビームとして
「漏れ光」という。

【００２３】なお、コア２１内に入るレーザビームとク
ラッド２５の側面１２２からクラッド２５内に入るレー
ザビームの割合は、半導体レーザＬＤ１の取付面１１１
上への固定位置により変わる。また、漏れ光としてクラ
ッド２５内に入ったレーザビームは、コアとクラッドの
屈折率の関係からクラッド２５内からコア２１内に戻っ
て、コア２１の出射端２１２から出射することはなく、
感光体ドラム２０を露光するためのレーザビームとして
用いられることはない。したがって、通常は、半導体レ
ーザＬＤ１から出射されたレーザビームを効率よく感光
体ドラム２０への露光に用いるべく、コア内に入る割合
が出来るだけ大きくなるように半導体レーザＬＤ１の固
定位置が調整される。

【００２４】以上説明したことは、他の半導体レーザＬ
Ｄ２〜ＬＤ４をそれぞれ個別に駆動した場合にも生じ
る。一点鎖線６２は、半導体レーザＬＤ２を駆動した場
合、一点鎖線６３は、半導体レーザＬＤ３を駆動した場
合、一点鎖線６４は、半導体レーザＬＤ４を駆動した場
合に、導波路基板１２の側面１２２からクラッド２５内
に入って進行するレーザビームを模式的に示したもので
ある。

【００２５】検出センサ３１、３２は、共にフォトダイ
オードからなる受光素子であり、漏れ光を受光して光強
度を表わす信号を制御部１００に送出する。本実施の形
態では、漏れ光をできるだけ多く受光できるように、導
波路基板１２のレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４出射側に２
つの検出センサ３１、３２を配置し、その受光面がクラ
ッド２５の側面１２３に当接された状態で、基板１２０
の側面１１２に配された電極部（不図示）上に半田付け
や銀ペーストなどにより固定される。

【００２６】本発明は、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を
個別に順次駆動させ、そのときにクラッド２５内に漏れ
るレーザビームを検出センサ３１、３２で検出し、その
検出信号に基づいて、感光体ドラム２０上を露光するレ
ーザビームの光量が適切な光量になるように、駆動させ
た半導体レーザの出力を調整するものである。この処理
は、後述の光量信号補正処理において実行される。

【００２７】このように本実施の形態の光源装置１０
は、導波路基板１２を用いており、そのためハーフミラ
ーやプリズムなどを用いて各レーザビームの光路を変更
させて副走査方向におけるビーム間隔を所定の間隔、例
えば２０μｍまで狭くするといった、導波路基板を用い
ない構成の光源装置に比べて、ハーフミラーやそれの角
度を調整するための調整機構などを必要としない分、大
幅な小型化を実現できる。

【００２８】なお、導波路基板を作製する技術は、公知
の技術であり、例えば特開平１１−１６０５５７号公報
に詳しい。また、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４や検出セ
ンサ３１、３２などの部材をチップ化し、これらを製造
工程において自動化実装すれば、量産時の大幅なコスト
ダウンを図ることができる。図３は、制御部１００の構
成を示すブロック図である。

【００２９】同図に示すように、制御部１００は、ＣＰ
Ｕ１０１、駆動回路１０２〜１０５、光量信号値記憶部
１０６からなり、ＣＰＵ１０１などの構成部材が１枚の
基板上に実装され、導波路基板１２に近接した位置に配
設される。ＣＰＵ１０１は、画像形成装置の制御部（不
図示）から、画像形成のための画像信号が送られてくる
と、その画像信号に基づいて半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ
４を駆動させるための駆動信号１〜４を生成し、駆動回
路１０２〜１０５へ送出する。その際、半導体レーザＬ
Ｄ１〜ＬＤ４の出力、すなわち発光量を指示するための
光量信号１〜４も合わせて送出する。この光量信号１、
２、３、４は、０〜２５５までの数値データであり、光
量信号値記憶部１０６に、光量信号値Ｘ１、Ｘ２、Ｘ
３、Ｘ４として記憶されているものである。

【００３０】駆動回路１０２は、ＣＰＵ１０１からの駆
動信号１に応じて半導体レーザＬＤ１に駆動電流を供給
するが、その際、光量信号１の大きさに応じて供給する
電流量を変えており、半導体レーザＬＤ１の出力、すな
わちレーザビームＬＢ１の光量を変化させる。ここで
は、光量信号１の値が大きくなると、発光量が大きくな
るように駆動電流が半導体レーザＬＤ１に供給される。

【００３１】他の駆動回路１０３、１０４、１０５につ
いても駆動回路１０２と同様の構成であり、それぞれが
ＣＰＵ１０１からの駆動信号２〜４と光量信号２〜４に
応じて半導体レーザＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４を駆動させ
る。光量信号値記憶部１０６は、ＥＥＰＲＯＭなどの不
揮発性メモリであり、光量信号値Ｘ１〜Ｘ４および後述
の光量基準値Ｄ１〜Ｄ４を記憶するための管理テーブル
を備えている。光量信号値Ｘ１〜Ｘ４は、光量信号補正
処理が実行される毎に、ＣＰＵ１０１により上書き保存
されるようになっている。

【００３２】光量基準値Ｄ１〜Ｄ４は、出力調整時の基
準値となる数値データであり、光源装置１０の製造時に
決定されて光量信号値記憶部１０６に記憶される。製造
時において、まず半導体レーザＬＤ１だけを駆動し、コ
ア２１の出射端２１２から出射されるレーザビームＬＢ
１の光量が適正な光量（感光体ドラム２０上を露光する
のに適正となる光量）になるように半導体レーザＬＤ１
の出力を調整すると共に、そのときの漏れ光を検出セン
サ３１、３２で検出する。そして、検出センサ３１、３
２それぞれから送られてくる光強度を表わす信号のデー
タを加算した値を上記適正な光量に対する漏れ光の光強
度を表わすデータとし、これを光量基準値Ｄ１として光
量信号値記憶部１０６に記憶させる。

【００３３】上述したように、半導体レーザＬＤ１は、
導波路基板１２の取付面１１１上に半田付け等により固
定されており、その状態では通常、半導体レーザＬＤ１
と導波路基板１２の位置関係が変わることはほとんどな
いと考えられる。そうであれば、半導体レーザＬＤ１の
出射口５１とコア２１の入射端２１１の位置関係も、製
造時と製造時以降とで変わらないことになるから、半導
体レーザＬＤ１を駆動させたときに出射口５１から出射
されるレーザビームの内、コア２１の入射端２１１に入
る分と、クラッド２５内に入る分との割合も変わらない
ことになる。また、コア２１の湾曲部分からクラッド２
５側に出ていくレーザビームの割合も製造時から変わら
ないと考えられる。すなわち、コア２１の出射端２１２
から出射される分と、クラッド２５内に入る分との割合
が変わらないと考えられる。このような構成は、他の半
導体レーザＬＤ２〜ＬＤ４についても同様である。

【００３４】そこで、本実施の形態では、製造時におい
て、各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を個別に駆動し、各
コア２１〜２４から出射されるレーザビームＬＢ１〜Ｌ
Ｂ４の光量がそれぞれ適正なときの、検出センサ３１、
３２により検出される漏れ光の光強度を表わす信号の値
を、光量基準値Ｄ１〜Ｄ４として予め光量信号値記憶部
１０６に記憶させておく。

【００３５】そして、画像形成時において露光走査前
に、光量信号補正処理として、まず半導体レーザＬＤ１
を駆動させ、そのときに検出センサ３１、３２により受
光される漏れ光の光強度を表わす値が、記憶されている
光量基準値Ｄ１と同じ値になるように半導体レーザＬＤ
１の出力を調整する。次に半導体レーザＬＤ２を駆動さ
せ、そのときに受光した漏れ光の光強度を表わす値が光
量基準値Ｄ２と同じ値になるように半導体レーザＬＤ２
の出力を調整する。続いて半導体レーザＬＤ３、ＬＤ４
についても同様に漏れ光の光強度を表わす値がそれぞれ
光量基準値Ｄ３、Ｄ４と同じ値になるように出力調整す
る。そして、次の４ライン分についての露光走査を行う
ときに、調整された出力で各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ
４を駆動させることで、各コア２１〜２４から出射され
るレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４の光量を適正にするもの
である。

【００３６】検出センサ３３は、フォトダイオードから
なり、走査されるレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４を検出す
るものであり、いわゆるＳＯＳ（ＳｔａｒｔＯｆＳ
ｃａｎ）センサの役目を果たすものである。また、受光
面が感光体ドラム２０上の露光走査面と光学的に等価な
位置に配置されているので、当該検出センサ３３は、実
質的に感光体ドラム２０上における露光量の光強度を検
出することもできるセンサである。

【００３７】制御部１００は、検出センサ３３からレー
ザビームＬＢ１〜ＬＢ４を受光したことを示す信号が送
られてくると、それから所定時間経過後に、感光体ドラ
ム２０上への１回分の露光走査（すなわち４ライン分の
露光走査）を開始するために、半導体レーザＬＤ１〜Ｌ
Ｄ４を駆動させる。また、ＣＰＵ１０１は、感光体ドラ
ム２０上への現在の４ライン分の露光走査が終了してか
ら、次の４ライン分の露光走査が開始されるまでの間
（非描画時間内）に、光量信号補正処理を実行する。

【００３８】図４は、光量信号補正処理の内容を示すフ
ローチャートである。同図に示すように、制御部１００
は、まず半導体レーザＬＤ１について光量調整が終了し
たか否かを判断する（ステップＳ１）。ここでは、まだ
終了していないと判断して（ステップＳ１で「Ｎ」）、
ステップＳ４へ進み、変数ｎの値を「１」に設定する。
この変数ｎは、出力調整すべき半導体レーザを特定する
ために用いられるものであり、後述のステップＳ１９に
おいて当該処理を終了する直前に「０」に設定されるも
のである。ここでは、ｎに「１」が設定されたので、半
導体レーザＬＤ１の出力調整がこれから行われる。

【００３９】半導体レーザＬＤ１の出力調整を行うため
に、ＣＰＵ１０１は、まず光量信号値記憶部１０６内の
管理テーブルに記憶されている光量信号値Ｘ１のデータ
を読み出す（ステップＳ８）。そして、半導体レーザＬ
Ｄ１を点灯させるための駆動信号１と、読み出した光量
信号値Ｘ１のデータを光量信号１として駆動回路１０２
に送出し、半導体レーザＬＤ１を点灯させる（ステップ
Ｓ９）。

【００４０】そして、検出センサ３１、３２双方に受光
される漏れ光の光量Ｙ１を、検出センサ３１、３２から
それぞれ送られてくる光強度を表わす信号のデータを加
算することにより求める（ステップＳ１０）。次に、光
量信号値記憶部１０６の管理テーブルに記憶されている
光量基準値Ｄ１のデータを読み出す（ステップＳ１
１）。

【００４１】そして、求められた漏れ光の光量Ｙ１のデ
ータと光量基準値Ｄ１のデータとが等しいか否かを判断
する（ステップＳ１２）。ここで、Ｙ１＝Ｄ１であれば
（ステップＳ１２で「Ｙ」）、コア２１の出射端２１２
から出射されるレーザビームＬＢ１の光量が適正になっ
ていると判断して、ステップＳ１６へ移る。一方、Ｙ１
＝Ｄ１でなければ、Ｙ１＞Ｄ１であるか否かを判断する
（ステップＳ１３）。

【００４２】Ｙ１＞Ｄ１と判断した場合は（ステップＳ
１３で「Ｙ」）、コア２１の出射端２１２から出射され
るレーザビームＬＢ１の光量が適正値よりも大きいこと
になるので、半導体レーザＬＤ１の出力を下げるべく、
現在の光量信号値Ｘ１のデータから「１」を引いた値を
新たなＸ１として（ステップＳ１４）、ステップＳ９に
戻り、当該新たなＸ１のデータを光量信号１として半導
体レーザＬＤ１を駆動させる。このとき半導体レーザＬ
Ｄ１の出力は、Ｘ１の値を「１」下げた分だけ低下して
いることになる。一方、ステップＳ１３でＹ１＞Ｄ１で
ない、すなわちＹ１＜Ｄ１と判断した場合は、逆に半導
体レーザＬＤ１の出力を上げるべく、現在の光量信号値
Ｘ１のデータから「１」を加算した値を新たなＸ１とし
て（ステップＳ１４）、ステップＳ９に戻る。このとき
は半導体レーザＬＤ１の出力は、Ｘ１の値を「１」上げ
た分だけ上昇していることになる。

【００４３】最終的にステップＳ１２において、Ｙ１＝
Ｄ１となるまで、ステップＳ９〜Ｓ１５の処理を繰り返
し行い、Ｙ１＝Ｄ１となると、ステップＳ１６におい
て、光量信号値記憶部１０６の管理テーブルに記憶され
ている光量信号値Ｘ１のデータを、現在のＸ１のデータ
に書き換える。そして、半導体レーザＬＤ１の駆動を停
止して消灯させる（ステップＳ１７）。これで、半導体
レーザＬＤ１についての出力調整が終了したことにな
る。

【００４４】続いて、ＣＰＵ１０１は、現在の「ｎ」の
値が「４」であるか否かを判断する（ステップＳ１
８）。ここでは、ｎ＝１なので、ステップＳ１８で
「Ｎ」となって、ステップＳ１に戻る。半導体レーザＬ
Ｄ１の出力調整が終了したので（ステップＳ１で
「Ｙ」）、ステップＳ２において、半導体レーザＬＤ２
の出力調整が終了したか否かを判断し、まだであれば
（ステップＳ２で「Ｎ」）、ステップＳ５において変数
ｎの値を「２」にして、ステップＳ８へ移る。

【００４５】ステップＳ８では、今度は半導体レーザＬ
Ｄ２の出力調整を行うために、光量信号値記憶部１０６
内の管理テーブルに記憶されている光量信号値Ｘ２の値
を読み出す。そして、半導体レーザＬＤ２を点灯させ
（ステップＳ９）、そのときに出射されたレーザビーム
ＬＢ２の内、検出センサ３１、３２双方に受光される漏
れ光の光量Ｙ２を算出すると共に（ステップＳ１０）、
半導体レーザＬＤ２についての光量基準値Ｄ２を光量信
号値記憶部１０６内の管理テーブルから読み出す（ステ
ップＳ１１）。そして、Ｙ２＝Ｄ２になるまで半導体レ
ーザＬＤ２の出力調整を、半導体レーザＬＤ１のときと
同様に実行する（ステップＳ９〜Ｓ１５）。

【００４６】ステップＳ１２において、Ｙ２＝Ｄ２にな
れば、光量信号値記憶部１０６の管理テーブルに記憶さ
れている光量信号値Ｘ２を、現在のＸ２の数値に書き換
え（ステップＳ１６）、半導体レーザＬＤ２を消灯させ
る（ステップＳ１７）。これで、半導体レーザＬＤ２に
ついての出力調整が終了したことになる。ステップＳ１
８では、現在の「ｎ」の値が「２」であるので、「Ｎ」
と判断し、ステップＳ１に戻り、ステップＳ１で
「Ｙ」、Ｓ２で「Ｙ」、Ｓ３で「Ｎ」と判断して、ステ
ップＳ６において変数ｎを「３」に設定して、ステップ
Ｓ８に移る。ステップＳ８〜Ｓ１７では、半導体レーザ
ＬＤ１、ＬＤ２と同様の処理を行い、半導体レーザＬＤ
３についての出力調整を行う。

【００４７】再びステップＳ１８では、現在の「ｎ」の
値が「３」であるので、「Ｎ」と判断し、ステップＳ１
に戻り、ステップＳ１で「Ｙ」、Ｓ２で「Ｙ」、Ｓ３で
「Ｙ」と判断して、ステップＳ７において変数ｎを
「４」に設定して、ステップＳ８に移り、ステップＳ８
〜Ｓ１７において半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２と同様の
処理を行い、半導体レーザＬＤ４についての出力調整を
行う。

【００４８】ステップＳ１８では、現在の変数ｎの値が
「４」であるので、「Ｙ」と判断して、ステップＳ１９
では変数ｎの値を「０」に戻して光量信号補正処理を終
了する。以上説明した処理が、１回の非描画時間内に行
われることになる。ＣＰＵ１０１は、次の４ライン分の
露光走査を実行する際には、現在、光量信号値記憶部１
０６に記憶されている光量信号値Ｘ１〜Ｘ４を読み出
し、これを光量信号１〜４として駆動回路１０２〜１０
５に送出して半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を点灯させ
る。

【００４９】このように光量信号補正処理は、１回の露
光走査が終了する毎に実行され、光量信号値Ｘ１〜Ｘ４
の値が当該処理が実行される毎に適正値に書き換えられ
ていくので、たとえ周辺温度の変動により半導体レーザ
ＬＤ１〜ＬＤ４の出力に変動が生じても、感光体ドラム
２０表面を露光走査するレーザビームＬＢ１〜ＬＢ４の
光量を走査ライン毎に適正に維持できることになる。

【００５０】このように、本発明は、クラッド２５内に
漏れる漏れ光を検出してレーザビームの光量を制御する
構成なので、上記第２の従来例の構成のような、光路途
中にビームスプリッタを配するために半導体レーザの出
力を上げる必要が生じ、エネルギ消費が多くなるという
問題が起こらない。また、導波路基板１２上に検出セン
サ３１、３２を配置して漏れ光を検出する構成なので、
上記第１の従来例の構成に比べて当該センサまでの配線
を十分に短くすることができ、そのため外部からのノイ
ズが乗りにくくなり、光量調整を安定して行うことがで
きる。

【００５１】なお、導波路を形成できればよいので、導
波路部材１２１としては、ポリイミドなどの樹脂部材に
限らず、石英ガラスやソーダガラスなどの素材を用いる
こともできる。また、板状のものに限らず、例えばブロ
ック状であってもよい。また、上記では、クラッド２５
の側面１２３と基板１２０の側面１１２とをほぼ面一に
して検出センサ３１、３２を当該側面１１２に固定する
ようにしたが、例えば図５に示すように基板１２０の面
１２０１上に当該検出センサを配置するようにしてもよ
い。

【００５２】また、検出センサ３１、３２の検出面を導
波路基板１２の側面１２３に当接させたが、漏れ光を検
出でき、ノイズの影響を受けにくい範囲であれば、必ず
しも当接させる必要はなく、例えば図５に示す構成にし
て、当該各検出面を当該側面１２３から離間させ近接す
る位置に配するようにしてもよい。また、上記では非描
画時間内に、４つの半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４につい
ての光量調整を順次行うようにしたが、非描画時間が大
変短いことから、例えば１回の露光走査が終わる毎に、
調整対象となる半導体レーザを順次変えて光量調整を実
行していく処理にしてもよい。

【００５３】（実施の形態２）上記実施の形態１では、
コアの出射端から出射されるレーザビームの光量とクラ
ッド内に進入するレーザビーム（漏れ光）の光量との割
合が変わらないことを前提に、例えば半導体レーザＬＤ
１については、漏れ光の光量Ｙ１が光量基準値Ｄ１とな
るように半導体レーザＬＤ１の出力を調整することで、
コア２１から出射されるレーザビームＬＢ１の光量が適
正になるように制御した。

【００５４】しかしながら、例えば画像形成装置からの
機械的振動が導波路基板１２に継続的に伝播されたり、
半導体レーザＬＤ１から発する熱が半田付け等している
部分に伝播されることなどにより、コア２１の入射端２
１１に対する半導体レーザＬＤ１の出射口５１の位置が
微小な単位で経時的に徐々に変化する場合も考えられ
る。

【００５５】上述したように、光量基準値Ｄ１は、光源
装置１０の製造時において、コア２１から出射されるレ
ーザビームＬＢ１の光量が適正になったときの漏れ光の
光量の値として、光量信号値記憶部１０６に記憶される
ものである。したがって、コア２１の入射端２１１に対
する半導体レーザＬＤ１の出射口５１の位置が製造時の
位置から変われば、導波路基板１２の側面１２２からク
ラッド２５内に入るレーザビームの量も変わり、上記割
合も変わってくることになる。そうなれば、記憶されて
いる光量基準値Ｄ１の値は、もはやコア２１から出射さ
れるレーザビームＬＢ１が適正なときの漏れ光の光量に
相当するものではなくなってしまい、記憶されたままの
光量基準値Ｄ１に応じて光量調整を行うと、レーザビー
ムＬＢ１の光量を適正に維持できなくなってしまう。こ
のことは、他の半導体レーザＬＤ２〜ＬＤ４についても
同様である。

【００５６】そこで、本実施の形態２では、光量基準値
補正処理において、光量基準値Ｄ１〜Ｄ４それぞれを所
定のタイミングで適正値に書き換えていくことにより、
各コア２１〜２４から出射されるレーザビームＬＢ１〜
ＬＢ４の光量を適正に維持できるように制御している。
図６は、光量基準値補正処理の内容を示すフローチャー
トであり、この処理は、制御部１００のＣＰＵ１０１に
より実行され、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を個別に順
次駆動させ、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４それぞれにつ
いて光量基準値Ｄ１〜Ｄ４の値を書き換えていくもので
ある。

【００５７】なお、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４の位置
が変化するとしても、それは長期に渡るものと考えられ
るため、この光量基準値補正処理は、上記所定のタイミ
ング、例えば画像形成装置本体の電源がオンされてから
１枚目の記録シートへの画像形成動作が開始される前に
限って実行されるようになっている。また、感光体ドラ
ム２０が適正な光量で露光走査されたときに、検出セン
サ３３により検出される光強度を表わす信号の値（適正
光量値）Ｌが、製造時において光量信号値記憶部１０６
内の管理テーブルに予め記憶されるようになっている。
また、当該処理が行われるときには、ポリゴンミラー１
７が所定の回転数で回転されているものとする。

【００５８】図６に示すように、ＣＰＵ１０１は、まず
半導体レーザＬＤ１について光量基準値Ｄ１の書き換え
が終了したか否かを判断する（ステップＳ２１）。ここ
では、まだ終了していないと判断して（ステップＳ２１
で「Ｎ」）、ステップＳ２４へ進み、変数ｍの値を
「１」に設定する。この変数ｍは、出力調整すべき半導
体レーザを特定するために用いられるものであり、上述
の「ｎ」と同じ働きをし、後述のステップＳ４０におい
て当該処理を終了する直前に「０」に設定されるもので
ある。ここでは、ｍに「１」が設定されたので、半導体
レーザＬＤ１についての光量基準値Ｄ１の書き換えがこ
れから行われる。

【００５９】ＣＰＵ１０１は、まず光量信号値記憶部１
０６内の管理テーブルに記憶されている光量信号値Ｘ１
のデータを読み出す（ステップＳ２８）。そして、半導
体レーザＬＤ１を点灯させるための駆動信号１と、読み
出した光量信号値Ｘ１のデータを光量信号１としてそれ
ぞれ駆動回路１０２に送出し、半導体レーザＬＤ１を点
灯させる（ステップＳ２９）。

【００６０】そして、ポリゴンミラー１７により走査さ
れたレーザビームＬＢ１が検出センサ３３の上を通過し
たときに、当該検出センサ３３から送られてくるレーザ
ビームＬＢ１の光強度を表わす信号を受信して、感光体
ドラム２０上における露光量Ｐ１のデータを求める（ス
テップＳ３０）。検出センサ３３からの検出信号により
露光量Ｐ１を求められるのは、上述したように、検出セ
ンサ３３の受光面が、感光体ドラム２０上の露光走査面
と光学的に等価な位置に配置されており、検出センサ３
３が実質的に感光体ドラム２０上を露光するレーザビー
ムの光強度を検出しているからである。

【００６１】そして、光量信号値記憶部１０６の管理テ
ーブルに記憶されている適正光量値Ｌのデータを読み出
す（ステップＳ１１）。そして、求められた露光量Ｐ１
と適正光量値Ｌのデータとが等しいか否かを判断する
（ステップＳ３１）。ここで、Ｐ１＝Ｌであれば（ステ
ップＳ３１で「Ｙ」）、コア２１の出射端２１２から出
射されるレーザビームＬＢ１の光量が適正になっている
と判断して、ステップＳ３５へ移る。一方、Ｐ１＝Ｌで
なければ、Ｐ１＞Ｌであるか否かを判断する（ステップ
Ｓ３２）。

【００６２】Ｐ１＞Ｌと判断した場合は（ステップＳ３
２で「Ｙ」）、コア２１から出射されるレーザビームＬ
Ｂ１の光量が適正値よりも大きいことになるので、半導
体レーザＬＤ１の出力を下げるべく、現在の光量信号値
Ｘ１の値から「１」を引いたデータを新たなＸ１として
（ステップＳ３３）、ステップＳ２９に戻り、当該新た
なＸ１のデータを光量信号１として半導体レーザＬＤ１
を駆動させる。このときは半導体レーザＬＤ１の出力
は、Ｘ１の値を「１」下げた分だけ低下していることに
なる。

【００６３】一方、ステップＳ３２でＰ１＞Ｌでない、
すなわちＰ１＜Ｌと判断した場合は、逆に半導体レーザ
ＬＤ１の出力を上げるべく、現在のＸ１の値から「１」
を加算したデータを新たなＸ１として（ステップＳ３
４）、ステップＳ２９に戻る。このときは半導体レーザ
ＬＤ１の出力は、Ｘ１の値を「１」上げた分だけ上昇し
ていることになる。

【００６４】最終的にステップＳ３１において、Ｐ１＝
Ｌとなるまで、ステップＳ２９〜Ｓ３４の処理を繰り返
し行い、Ｐ１＝Ｌとなると、ステップＳ３５において、
このときの漏れ光の光量Ｙ１を検出センサ３１、３２そ
れぞれから送られてくる信号に基づいて算出する（ステ
ップＳ３５）。そして、算出された光量Ｙ１のデータを
新たな光量基準値Ｄ１として、光量信号値記憶部１０６
の管理テーブルに記憶されているＤ１のデータを、当該
新たな光量基準値Ｄ１のデータに書き換える（ステップ
Ｓ３６）。

【００６５】そして、光量信号値記憶部１０６の管理テ
ーブルに記憶されている光量信号値Ｘ１を、現在の光量
信号値Ｘ１の値に書き換えて（ステップＳ３７）、半導
体レーザＬＤ１を消灯させる（ステップＳ３８）。これ
で、半導体レーザＬＤ１についての光量基準値Ｄ１の書
き換えが終了したことになる。ステップＳ３９では、現
在の「ｍ」の値が「１」であるので、「Ｎ」と判断し、
ステップＳ２１に戻り、ステップＳ２１で「Ｙ」、Ｓ２
２で「Ｎ」と判断して、ステップＳ２５において変数ｍ
を「２」に設定して、ステップＳ２８に移る。ステップ
Ｓ２８〜Ｓ３８では、半導体レーザＬＤ１と同様の処理
を行い、半導体レーザＬＤ２について光量基準値Ｄ２の
書き換えを行う。

【００６６】再び、ステップＳ３９では、現在の「ｎ」
の値が「２」であるので、「Ｎ」と判断し、ステップＳ
２１に戻り、ステップＳ２１で「Ｙ」、Ｓ２２で
「Ｙ」、Ｓ２３で「Ｎ」と判断して、ステップＳ２６に
おいて変数ｍを「３」に設定して、ステップＳ２８に移
り、ステップＳ２８〜Ｓ３８において半導体レーザＬＤ
１と同様の処理を行い、半導体レーザＬＤ３について光
量基準値Ｄ３の書き換えを行う。

【００６７】再び、ステップＳ３９では、現在の「ｎ」
の値が「３」であるので、「Ｎ」と判断し、ステップＳ
２１に戻り、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３で「Ｙ」
と判断して、ステップＳ２７において変数ｍを「４」に
設定して、ステップＳ２８に移り、ステップＳ２８〜Ｓ
３８において半導体レーザＬＤ１と同様の処理を行い、
半導体レーザＬＤ４について光量基準値Ｄ４の書き換え
を行う。

【００６８】ステップＳ３９では、現在の変数ｎの値が
「４」であるので、「Ｙ」と判断して、ステップＳ４０
では変数ｍの値を「０」に戻して光量基準値補正処理を
終了する。このように本実施の形態２では、光量基準値
補正処理において、感光体ドラム２０を露光走査するレ
ーザビームＬＢ１〜ＬＢ４それぞれの光量を個別に適正
に調整したときの漏れ光の光量Ｙ１〜Ｙ４のデータを新
たな光量基準値Ｄ１〜Ｄ４のデータとして書き換えてい
く。したがって、次の光量信号補正処理では、書き換え
られた新たな光量基準値Ｄ１〜Ｄ４に基づいて半導体レ
ーザＬＤ１〜ＬＤ４の出力調整が行われることになり、
たとえ経時的に半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４の出射口５
１〜５４と、各出射口５１〜５４に対応するコア２１〜
２４の入射端２１１〜２４１との間に相対的な位置変化
が生じても、感光体ドラム２０を露光するレーザビーム
ＬＢ１〜ＬＢ４の光量を適正に維持できることになる。

【００６９】なお、本実施の形態２は、導波路基板１２
から離れた位置に配される検出センサ３３からの検出信
号を受信して感光体ドラム２０上のレーザビームＬＢ１
〜ＬＢ４の露光量を検出する構成のため、上記第１の従
来例のようなノイズの影響が考えられるが、当該処理
は、上述したように画像形成装置本体の電源がオンされ
てから１枚目の記録シートへの画像形成動作が開始され
るまでの間にだけ行われる処理であり、光量信号補正処
理のように露光走査が１回行われる毎に実行される処理
に比べて極めて実行回数が少なく、そのため突発的な電
気ノイズの影響を受けにくい。また、処理時間に十分余
裕が有るため、検出信号を複数回検出して平均化するこ
ともでき、実際にはノイズの影響を受けない状態で検出
センサ３３からの信号を受信することができる。

【００７０】なお、本実施の形態２では、検出センサ３
３を用いて感光体ドラム２０の露光量を検出するように
したが、これに限られず、例えば折り返しミラー１９の
走査終了端付近に別の検出センサを配置し、当該別の検
出センサで露光量を検出する構成にすることもできる。
この場合、適正光量値Ｌの値として、感光体ドラム２０
が適正な光量で露光走査されたときに、当該別の検出セ
ンサにより検出される光強度を表わす信号の値が、製造
時において記憶されることになる。

【００７１】（変形例）なお、本発明は、上記実施の形
態に限定されないのは言うまでもなく、以下のような変
形例を考えることができる。（１）上記実施の形態１では、２つの検出センサ３１、
３２を用いてクラッド２５内の漏れ光を検出するように
したが、例えば図７に示す構成にすることもできる。

【００７２】図７に示す光源装置２００は、基台２２
０、４本のコア２０１〜２０４が内部に形成された導波
路基板２１０、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４、検出セン
サ２０９などからなる。導波路基板２１０は、基台２２
０上に配置されている。半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４
は、各出射口が導波路基板２１０の各コア２０１〜２０
４の入射端に近接して対向配置されるように基台２２０
上に実装される。

【００７３】破線２０５〜２０８は、導波路基板２１０
の側面２１０２からクラッド２１０１内に入って進行す
るレーザビームをそれぞれ模式的に示している。フォト
ダイオードからなる検出センサ２０９は、基台２２０上
に実装され、クラッド２１０１内の漏れ光を検出する。
このように、各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４の出射口が
向いている方向（破線２０５〜２０８で示す方向）に検
出センサ２０９を取り付ければ、クラッド２１０１内の
漏れ光を効率よく検出することができる。なお、本図で
は制御部を示していないが、基本的に制御部は上記実施
の形態１のものと同じ構成なので、ここでの説明を省略
する。また、このことは、本変形例に示す他の構成例に
ついても同じことがいえるので、以下、制御部について
の説明を省略することにする。

【００７４】図８は、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４と導
波路基板３１５を光ファイバケーブル３０１〜３０４で
接続した構成例を示す図である。同図に示す光源装置３
００は、４本のコア３０５〜３０８が内部に形成された
導波路基板３１５と、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４と、
当該半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を導波路基板３１０と
結ぶ光ファイバケーブル３０１〜３０４と、フォトダイ
オードからなる検出センサ３１３、３１４などからな
る。

【００７５】導波路基板３１５、検出センサ３１３、３
１４は、図示しない基台上に配置される。光ファイバケ
ーブル３０１〜３０４の一端は、半導体レーザＬＤ１〜
ＬＤ４の各レーザビーム出射口と結合され、その他端
は、コア３０５〜３０８の各入射端と結合されており、
半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４から出射されたレーザビー
ムＬＢ１〜ＬＢ４が、光ファイバケーブル３０１〜３０
４を介してコア３０５〜３０８内に入るようになってい
る。

【００７６】破線で示す３０９〜３１２は、光ファイバ
ケーブル３０１〜３０４からコア３０５〜３０８の各入
射端に向けて出射されたレーザビームの内、導波路基板
３１５の側面３１５１からクラッド３１５２内に入り進
行するレーザビームをそれぞれ模式的に示している。検
出センサ３１３、３１４は、クラッド３１５２内の漏れ
光を検出する。

【００７７】半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４と導波路基板
３１５とを柔軟性のある光ファイバケーブル３０１〜３
０４で結んでいるので、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ４を
基台上に固定する必要がなくなり、半導体レーザＬＤ１
〜ＬＤ４の取付位置について設計の自由度が広がり有利
となる。（２）上記実施の形態１では、導波路基板１２のレーザ
ビーム出射側の側面１２３に検出センサ３１、３２を配
置して漏れ光を検出するようにしたが、漏れ光を効率よ
く検出できるのであれば、当該基板の側面に限らず、例
えば図９〜図１１に示すように基板の上面に配置するこ
ともできる。

【００７８】図９に示す光源装置４００は、断面の形状
が山形の基台４０１と、当該基台４０１の両斜面上を覆
うように配置され、内部にコア４０３が形成された導波
路基板４０２と、半導体レーザＬＤ１と、フォトダイオ
ードからなる検出センサ４０５などからなる。半導体レ
ーザＬＤ１は、そのレーザビーム出射口がコア４０３の
入射端と近接して対向するように基台４０１上に実装さ
れている。

【００７９】同図の波線４０４は、当該レーザビーム出
射口から出射されたレーザビームの内、導波路基板４０
２の側面からクラッド内に入って進行するレーザビーム
を模式的に示したものである。検出センサ４０５は、波
線４０４で示すレーザビームだけでなく、コア４０３の
屈曲部から漏れるレーザビームをも検出できるように、
導波路基板４０２の出射端側の斜面上に配置されてい
る。

【００８０】本構成例では、導波路基板４０２からのレ
ーザビームの出射方向を任意に変更することができ、レ
ーザ走査光学装置内における光源装置の取付位置につい
て設計の自由度が広がり有利となる。なお、ここでは半
導体レーザＬＤ１だけしか示していないが、副走査方向
（同図の紙面垂直方向）に複数の半導体レーザとそれに
対応するコアとを並設する構成にすることもできる。

【００８１】また、図１０に示すような構成にすること
もできる。図１０に示す光源装置５００は、基台５０１
と、内部にコア５０３が形成された導波路基板５０２
と、半導体レーザＬＤ１と、フォトダイオードからなる
検出センサ５０５などからなる。基台５０１の一方の端
部には、斜面５０１１が形成されており、半導体レーザ
ＬＤ１は、当該斜面５０１１上であって、レーザビーム
出射口がコア５０３の入射端と近接して対向する位置に
実装されている。

【００８２】同図の破線５０４は、当該レーザビーム出
射口から出射されたレーザビームの内、導波路基板５０
２の側面からクラッド内に入ったレーザビームを模式的
に示したものである。検出センサ５０５は、破線５０４
で示すレーザビームを十分に検出できるようにコア５０
３の入射端付近の導波路基板４０２上に配置されてい
る。

【００８３】さらに、図１１に示すような構成にするこ
ともできる。図１１に示す光源装置６００は、基台６０
１と、内部にコア６０３が形成された導波路基板６０２
と、半導体レーザＬＤ１と、半導体レーザＬＤ１と導波
路基板６０２とを結ぶ光ファイバケーブル６０５と、フ
ォトダイオードからなる検出センサ６０６などからな
る。

【００８４】導波路基板６０２は、基台６０１上に配設
されている。光ファイバケーブル６０５の一端は、半導
体レーザＬＤ１のレーザビーム出射口と結合され、その
他端は、レーザビームが斜め上方向に向かって出射され
るようにコア６０３の入射端と結合されており、半導体
レーザＬＤ１からのレーザビームＬＢ１が、光ファイバ
ケーブル６０５を介してコア６０３内に入るようになっ
ている。

【００８５】破線で示す６０４は、光ファイバケーブル
６０５から出射されたレーザビームの内、導波路基板６
０２の端面からクラッド内に入ったレーザビームを模式
的に示したものである。検出センサ６０６は、破線６０
４で示すレーザビームを十分に検出できるようにコア６
０３の入射端付近の導波路基板６０２上に配置されてい
る。

【００８６】半導体レーザＬＤ１と導波路基板６０２と
を柔軟性のある光ファイバケーブル６０５で結んでいる
ので、上記図８の構成と同様に、半導体レーザＬＤ１を
基台６０１上に固定する必要がなくなり、半導体レーザ
ＬＤ１の取付位置について設計の自由度が広がり有利と
なる。なお、クラッド内に入ったレーザビームの内、検
出センサに検出されなかったものは、導波路基板（すな
わちクラッド）の側面や上面などから外側に出ていくこ
とになる。したがって、例えば導波路基板の周囲に検出
センサを配して当該基板から出ていくレーザビームも検
出できるように構成すれば漏れ光の全部を検出するよう
にすることもできる。

【００８７】（３）上記実施の形態１では、本発明に係
る導波路光源装置をレーザ走査光学装置の光源装置に適
用した例について説明したが、レーザ走査光学装置の光
源装置に限らず、複数の光ビームを被照射面に向けて照
射する光源装置に適用することもできる。また、一の発
光素子から発射された１本の光ビームを導波路基板を介
して出射する構成の導波路光源装置としてもよい。

【００８８】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、３次元光導波路部材のクラッド内に漏れる光ビーム
を検出して光ビームの光量を制御する構成なので、上記
第２の従来例の構成のような、光路途中にビームスプリ
ッタを配するために光源部の出力を上げる必要が生じエ
ネルギ消費が多くなるという問題が起こらない。また、
光源装置内に検出素子を配置する構成なので、光源部と
検出素子を十分に近づけることができる。したがって、
上記第１の従来例の構成に比べて配線を十分に短くする
ことができ、そのため外部からのノイズが乗りにくくな
り、光量調整を安定して行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の導波路光源装置の適用例としてのレー
ザ走査光学装置の全体構成の概略を示す斜視図である。

【図２】（ａ）は、図１に示す光源装置の導波路基板を
矢印Ｂ方向から見たときの図であり、（ｂ）は、（ａ）
に示す導波路基板を矢印Ｃ方向から見たときの図であ
り、（ｃ）は、（ａ）に示す導波路基板をＤ−Ｄ線で切
断したときの矢視断面図である。

【図３】上記光源装置の制御部の構成を示すブロック図
である。

【図４】光量信号補正処理の内容を示すフローチャート
である。

【図５】上記とは別の導波路基板の構成を示す図であ
る。

【図６】光量基準値補正処理の内容を示すフローチャー
トである。

【図７】上記とは別の光源装置の構成例を示す図であ
る。

【図８】上記とはさらに別の光源装置の構成例を示す図
である。

【図９】上記とはさらに別の光源装置の構成例を示す図
である。

【図１０】上記とはさらに別の光源装置の構成例を示す
図である。

【図１１】上記とはさらに別の光源装置の構成例を示す
図である。

【符号の説明】

１０、２００、３００、４００、５００、６００光
源装置１２、２１０、３１５、４０２、５０２、６０２導
波路基板１５コリメータレンズ２１〜２４、２０１〜２０４、３０５〜３０８、４０
３、５０３、６０３導波路（コア）２５、２１０１、３１５２クラッド３１〜３３、２０９、３１３、３１４、４０５、５０
５、６０６検出センサ５１〜５４レーザビーム出射口６１〜６４、２０５〜２０８、３０９〜３１２、４０
４、５０４、６０４漏れ光１００制御部１０１ＣＰＵ１０２〜１０５駆動回路１０６光量信号値記憶部１２０基板２１１〜２４１入射端２１２〜２４２出射端２２０、４０１、５０１、６０１基台３０１〜３０４、６０５光ファイバケーブル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2C362 AA12 AA53 AA54 BA67 2H045 BA22 BA32 CB42 5C072 BA13 CA06 DA21 HA02 HA13 HB11 5C074 BB03 CC26 DD08 EE02 GG05 GG19 HH02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光量制御が可能な光源部からの光ビーム
を、３次元光導波路部材を介して出射する構成の導波路
光源装置であって、前記３次元光導波路部材のクラッド内に漏れた光ビーム
の少なくとも一部を検出する第１の検出素子と、第１の検出素子により検出される信号に基づいて光源部
から出射される光ビームの光量を制御する制御手段とを
備えることを特徴とする導波路光源装置。
【請求項２】前記第１の検出素子は、その光ビーム検
出面が前記クラッドの外面の少なくとも一部に当接もし
くは近接する位置に配されていることを特徴とする請求
項１に記載の導波路光源装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記３次元光導波路部
材の導波路として用いられるコアから出射された光ビー
ムの光量が適正なときに、第１の検出素子により検出さ
れる信号の値を第１の光量基準値として記憶している第
１の記憶部を備え、第１の検出素子により検出される信号の値が前記第１の
光量基準値と同じになるように、光源部から出射される
光ビームの光量を制御することを特徴とする請求項１も
しくは２に記載の導波路光源装置。
【請求項４】前記コアから出射された光ビームの少な
くとも一部を検出する第２の検出素子を備え、前記制御手段は、前記コアから出射された光ビームの光
量が適正なときに、第２の検出素子により検出される信
号の値を第２の光量基準値として記憶している第２の記
憶部を備え、所定のタイミングで、第２の検出素子により検出される
光ビームの光量が第２の光量基準値になるように、光源
部から出射される光ビームの光量を制御すると共に、第
１の記憶部に記憶されている第１の光量基準値を、現
在、第１の検出素子により検出されている信号の値に書
き換えることを特徴とする請求項３に記載の導波路光源
装置。
【請求項５】前記光源部は、複数の発光素子を備える
と共に、前記３次元光導波路部材は、各発光素子に対応
して、当該各発光素子から出射される光ビームの導波路
となる複数のコアを備え、前記制御手段は、各発光素子について、当該第１の検出
素子により検出される信号に基づいて当該発光素子から
出射される光ビームの光量を個別に制御することを特徴
とする請求項１もしくは２に記載の導波路光源装置。
【請求項６】光源装置から出射される光ビームを走査
手段により走査して像担持体上に潜像を形成する画像形
成装置であって、前記光源装置に請求項１〜５のいずれかに記載の導波路
光源装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。