JP2002250754A - Semiconductor test apparatus - Google Patents

Semiconductor test apparatus

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JP2002250754A
JP2002250754A JP2001049862A JP2001049862A JP2002250754A JP 2002250754 A JP2002250754 A JP 2002250754A JP 2001049862 A JP2001049862 A JP 2001049862A JP 2001049862 A JP2001049862 A JP 2001049862A JP 2002250754 A JP2002250754 A JP 2002250754A
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voltage
output
output voltage
pin
semiconductor device
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JP2001049862A
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Japanese (ja)
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Masahiro Ishibashi
昌宏 石橋
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor test apparatus which can perform a yes-no decision even regarding the difference voltage between the positive-polarity gradation output voltage and the negative-polarity gradation output voltage of a semiconductor device which is provided with a plurality of output pins and which is constituted in such a way that multistage positive-polarity voltages and negative-polarity voltages are changed over and output. SOLUTION: The semiconductor test apparatus is provided with a first D/A converter 10 which outputs an expected-value voltage corresponding to the gradation output voltage of the semiconductor device, subtracters 20 which detect the voltage difference between an output voltage in each pin and the output voltage of the converter 10, a second D/A converter 40 which outputs a reference voltage corresponding to the output voltage of the subtracter 20 in each pin, first comparators 50 which compare the magnitude relationship between the output of the subtracter 20 is each pin and the reference voltage of the converter 40, counters 80 which count the number of clocks corresponding to the difference voltage between the positive-polarity gradation voltage and the negative-polarity gradation voltage in each pin and magnitude comparators 90 which perform the yes-no decision on the basis of the counted value of each counter.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体テスト装置に
関し、詳しくは例えば液晶表示器を駆動するために多段
階の電圧を出力するように構成された多数の出力ピンを
有する半導体集積回路の出力電圧テストの高速化に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and more particularly, to an output voltage of a semiconductor integrated circuit having a large number of output pins configured to output multi-stage voltages for driving a liquid crystal display. It is about speeding up testing.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばTFT液晶の駆動方式には、極性
切換によってドット反転とライン反転の2種がある。こ
こで、液晶駆動用半導体集積回路(以下液晶ドライバと
いう)から出力される液晶駆動電圧に着目すると、最大
電圧3,5,13Vなどを表示階調度に応じて多段階の
所定電圧に分圧したD/A変換電圧として出力する。例
えば256階調表示の場合、ドット反転方式では512
段階の駆動電圧が出力され、ライン反転方式では256
段階の駆動電圧が出力される。
2. Description of the Related Art For example, there are two types of driving methods for a TFT liquid crystal: dot inversion and line inversion by polarity switching. Here, focusing on the liquid crystal driving voltage output from the liquid crystal driving semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as a liquid crystal driver), the maximum voltage 3, 5, 13 V, etc. is divided into a multi-step predetermined voltage according to the display gradation. Output as D / A conversion voltage. For example, in the case of 256 gradation display, 512 dots are used in the dot inversion method.
Step drive voltages are output, and in the line inversion method, 256
The drive voltage of the step is output.

【0003】現行のTFT液晶ドライバは、RGBの3
系統を128ドットずつ駆動するように1パッケージ3
84ピンとして構成されているのが一般的である。縦1
024ドット*横1280ドットのSXGA規格の液晶
表示器を駆動する場合には、このような1パッケージ3
84ピンのドライバ10個を用いることになる。ところ
でこのような液晶ドライバの出荷にあたっては、全数テ
ストを行って所定の仕様を満たさないものを選別除去し
ている。
[0003] Current TFT liquid crystal drivers are RGB 3
One package 3 so that the system is driven by 128 dots at a time.
It is common to have 84 pins. Vertical 1
When driving an SXGA standard liquid crystal display device having 024 dots * 1280 horizontal dots, such one package 3
Ten 84-pin drivers will be used. When shipping such a liquid crystal driver, a 100% test is performed to selectively remove those that do not satisfy a predetermined specification.

【0004】図3は、従来のこのような液晶ドライバテ
スト装置の一例を示すブロック図である。図において、
テスト対象物である液晶ドライバ(以下DUTという)
1の各出力ピンは、スイッチ2を介してA/D変換器3
に接続されている。A/D変換器3は、スイッチ2を介
して入力されるDUT1の各ピンの出力電圧をデジタル
信号に変換する。A/D変換器3の出力データは一旦メ
モリ4に格納される。そして、これらメモリ4に格納さ
れた出力データをデジタル信号処理部5に取り込み、各
ピンの出力電圧の絶対値の大きさ、ピン間の出力電圧の
バラツキの大きさなどを演算処理して、DUT1の合否
判定を行う。
FIG. 3 is a block diagram showing an example of such a conventional liquid crystal driver test apparatus. In the figure,
LCD driver to be tested (hereinafter referred to as DUT)
1 are connected to an A / D converter 3 via a switch 2.
It is connected to the. The A / D converter 3 converts the output voltage of each pin of the DUT 1 input via the switch 2 into a digital signal. Output data of the A / D converter 3 is temporarily stored in the memory 4. Then, the output data stored in the memory 4 is taken into the digital signal processing unit 5, and the magnitude of the absolute value of the output voltage of each pin, the magnitude of the variation of the output voltage between the pins, and the like are calculated and processed. Is determined.

【0005】しかし、このような従来の構成によれば、
DUT1の各ピンの出力電圧の測定にあたり、DUT1
の各ピンの出力電圧をスイッチ2で切り換えてA/D変
換器3に入力しているので、かなりの測定時間を要す
る。例えば、384ピン構造で256階調のドット反転
形ドライバの場合、1階調・1ピン当りの測定時間を2
0μsとすると、1個のDUT1を1個のA/D変換器
3で測定するためには、 20μs*512*384≒4sec から明らかなように4秒かかってしまう。
However, according to such a conventional configuration,
In measuring the output voltage of each pin of DUT1, DUT1
Since the output voltage of each pin is switched by the switch 2 and input to the A / D converter 3, a considerable measurement time is required. For example, in the case of a dot inversion type driver having a 384-pin structure and 256 gradations, the measurement time per one gradation / pin is 2
Assuming 0 μs, it takes 4 seconds to measure one DUT 1 with one A / D converter 3, as is clear from 20 μs * 512 * 384 ≒ 4 sec.

【0006】このような測定所要時間を短縮する方法と
して、A/D変換器3を複数n系統設けて並列測定する
ことにより測定所要時間を4/nにすることが行われて
いるが、高速なA/D変換器3を複数個用いることはコ
スト増要因であり、好ましくない。
As a method of shortening the time required for such a measurement, the number of A / D converters 3 provided in a plurality of n-systems is measured in parallel to reduce the required time to 4 / n. The use of a plurality of A / D converters 3 is a factor of cost increase and is not preferred.

【0007】また、デジタル信号処理部5としても高速
処理性能が要求されることから、コスト高要因になって
いる。
[0007] Further, the digital signal processing section 5 is also required to have high-speed processing performance, which is a factor of high cost.

【0008】出願人は、これらの課題を解決するものと
して、図4に示すような装置を提案している。
The applicant has proposed an apparatus as shown in FIG. 4 to solve these problems.

【0009】図4において、差動アンプ20はDUTの
各出力ピン系統毎に設けられていて、DUTの各出力ピ
ンの出力電圧と第1の電圧発生手段として用いるD/A
変換器10の出力電圧との差電圧を求める。電圧増幅器
30は、この差電圧を拡大して比較器40の一方の入力
端子に入力する。比較器40の他方の入力端子には、第
2の電圧発生手段として用いるD/A変換器50の出力
電圧が入力されている。これら比較器40の比較出力
は、DUTの良否判定を行うための変化検出手段として
用いるデジタルコンパレータ60に入力されている。
In FIG. 4, a differential amplifier 20 is provided for each output pin system of the DUT, and the output voltage of each output pin of the DUT and a D / A used as first voltage generating means.
A difference voltage from the output voltage of the converter 10 is obtained. The voltage amplifier 30 expands the difference voltage and inputs the difference voltage to one input terminal of the comparator 40. The output voltage of the D / A converter 50 used as the second voltage generating means is input to the other input terminal of the comparator 40. The comparison outputs of the comparators 40 are input to a digital comparator 60 used as a change detection unit for determining the quality of the DUT.

【0010】図4の動作を説明する。検査実行時には、
DUTの各出力ピンから、例えば図5のように単調増加
する階段波形状の階調電圧が同時一斉に出力される。一
方、第1の電圧発生手段として用いるD/A変換器10
は、例えば図6に破線で示すようなDUTから出力され
る各階調電圧の期待電圧に対し、実線で示すように山形
に変化する電圧を乗せたのと等価な電圧波形を出力す
る。この場合、第2の電圧発生手段として用いるD/A
変換器40は、比較器50の基準電圧として例えばDU
Tに対するテスト装置のオフセット電圧およびD/A変
換器10の誤差を補正する値(通常0V)を補正する電
圧を出力する。
The operation of FIG. 4 will be described. At the time of inspection,
From each output pin of the DUT, for example, a stepwise waveform gradation voltage that monotonically increases as shown in FIG. 5 is simultaneously and simultaneously output. On the other hand, the D / A converter 10 used as the first voltage generating means
Outputs, for example, a voltage waveform equivalent to an expected voltage of each gradation voltage output from the DUT as indicated by a broken line in FIG. 6 and a voltage that changes in a mountain shape as indicated by a solid line. In this case, the D / A used as the second voltage generating means
The converter 40 uses, for example, DU as a reference voltage of the comparator 50.
An offset voltage of the test apparatus with respect to T and a voltage for correcting a value (normally 0 V) for correcting an error of the D / A converter 10 are output.

【0011】図7は図6の部分拡大図である。図7にお
いて、V1はDUT出力各階調電圧のピン間ばらつき検
査における下限値よりも低い電圧であり、V2はDUT
出力各階調電圧のピン間ばらつき検査における上限値よ
りも高い電圧である。山形部分は電圧V1から電圧V2
に向かって階段状に微小増加し、電圧V2に到達すると
電圧V2に向かって階段状に微小減少する。このような
山形階段状変化の大きさは、D/A変換器10に入力す
るデジタルデータの値を変更することにより任意に設定
できる。
FIG. 7 is a partially enlarged view of FIG. In FIG. 7, V1 is a voltage lower than the lower limit value in the inter-pin variation test of each gradation voltage of the DUT output, and V2 is the DUT output.
The output voltage is a voltage higher than the upper limit in the pin-to-pin variation inspection. The chevron is from voltage V1 to voltage V2
, And slightly increases in a stepwise manner toward the voltage V2. When the voltage reaches the voltage V2, the voltage slightly decreases in a stepwise manner toward the voltage V2. The magnitude of such a mountain-shaped step change can be arbitrarily set by changing the value of digital data input to the D / A converter 10.

【0012】このようなDUTの出力電圧は同一の階調
電圧に設定しても出力ピンによってばらつきがあり、そ
のばらつきが許容値を超えると表示色むらなどを生じる
原因になり好ましくない。
[0012] Even if the output voltage of such a DUT is set to the same gradation voltage, there is a variation depending on the output pin, and if the variation exceeds an allowable value, it may cause display color unevenness or the like, which is not preferable.

【0013】そこで、図4の構成において、以下のよう
な測定を実行することにより良否の判定を行う。
Therefore, in the configuration of FIG. 4, the quality is determined by executing the following measurement.

【0014】D/A変換器10の出力電圧をV1に設定
する初期状態では、デジタルコンパレータ60の全出力
はH(DUTの電圧が比較値よりも高い)になってい
る。このような初期状態からD/A変換器10の出力電
圧をV1からV2に向って徐々に上げて行くと、デジタ
ルコンパレータ60の出力がDUTの各ピンの出力電圧
のばらつきに応じて逐次HからLに反転してゆく。そし
て、全ピンがLに反転した時点でのD/A変換器7の出
力電圧からDUT出力ピン間ばらつきの最大値VAを求
める。
In an initial state where the output voltage of the D / A converter 10 is set to V1, all outputs of the digital comparator 60 are H (the voltage of the DUT is higher than the comparison value). When the output voltage of the D / A converter 10 is gradually increased from V1 to V2 from such an initial state, the output of the digital comparator 60 sequentially changes from H in accordance with the variation of the output voltage of each pin of the DUT. Inverts to L. Then, the maximum value VA of the variation between the DUT output pins is obtained from the output voltage of the D / A converter 7 when all the pins are inverted to L.

【0015】次に、D/A変換器10の初期電圧をV2
とする。このときデジタルコンパレータ60の出力は全
ピンはLになっている。D/A変換器10の出力電圧を
V1に向って徐々に下げて行くと、デジタルコンパレー
タ60の出力はDUTの各ピンの出力電圧のばらつきに
応じて逐次LからHに反転してゆく。そして、全ピンが
反転した時点でのD/A変換器10の出力電圧からDU
T出力ピン間ばらつきの最小値VBを求める。デジタル
コンパレータ60による全ピンがHまたはLかの検知
は、従来から半導体テスタでごく一般に用いられている
パターンマッチ機能を使用する。
Next, the initial voltage of the D / A converter 10 is set to V2
And At this time, all the pins of the output of the digital comparator 60 are at L level. When the output voltage of the D / A converter 10 is gradually decreased toward V1, the output of the digital comparator 60 is sequentially inverted from L to H according to the variation of the output voltage of each pin of the DUT. Then, DU is calculated from the output voltage of the D / A converter 10 when all the pins are inverted.
A minimum value VB of variation between T output pins is obtained. The detection of whether all the pins are H or L by the digital comparator 60 uses a pattern matching function which is conventionally and generally used in a semiconductor tester.

【0016】このようにして各階調の全ピンが反転する
電圧VA,VBを求め、全ピン、全階調の出力電圧偏差
(ばらつき)VA−VBを求める。その値が例えば±3
mVや±5mVなどの規格内であれば合格、それらの規
格から外れていれば不合格にする。
In this manner, voltages VA and VB at which all pins of each gradation are inverted are obtained, and output voltage deviations (variations) VA-VB of all pins and all gradations are obtained. The value is, for example, ± 3
The test is passed if the standard is within mV or ± 5 mV, and is rejected if the standard is not met.

【0017】例えば、64階調で300ピンのDUTの
出力偏差を求める場合、図5に示した従来のA/D変換
器方式によれば64×300=19200データの演算
をする必要があったが、図1に示す本発明の方式では6
4×2=128データの演算ですむことになる。
For example, when calculating the output deviation of a 300-pin DUT with 64 gradations, it is necessary to calculate 64 × 300 = 19200 data according to the conventional A / D converter system shown in FIG. However, in the method of the present invention shown in FIG.
An operation of 4 × 2 = 128 data is sufficient.

【0018】図4の構成によれば、演算処理ステップを
格段に削減でき、従来のような高精度のA/D変換器や
高速処理を行うためのデジタル信号処理部は不要であ
り、高精度回路としてはD/A変換器を用いるだけでよ
く、コストを大幅に削減できて安価に実現できる。そし
て、DUTの全ピン系統に同一回路を用いて全ピン同時
測定を行うので、テスト時間を大幅に短縮できる。
According to the configuration shown in FIG. 4, the number of arithmetic processing steps can be remarkably reduced, and a high-precision A / D converter and a digital signal processing section for performing high-speed processing are not required. It is only necessary to use a D / A converter as a circuit, and the cost can be greatly reduced and the circuit can be realized at low cost. Since the same circuit is used for all the pins of the DUT and the same circuit is used for simultaneous measurement, the test time can be greatly reduced.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図4のような
差動アンプ20と比較器50を用いた構成では、DUT
がドット反転形のTFTソースドライバであって、その
出力電圧として正極電圧と負極電圧が交互に出力され、
ドライバの出力精度指標が正極電圧と負極電圧の差電圧
で表わされる場合には、合否判定が行えないという問題
がある。
However, in the configuration using the differential amplifier 20 and the comparator 50 as shown in FIG.
Is a dot inversion type TFT source driver, and a positive voltage and a negative voltage are alternately output as the output voltage thereof.
When the output accuracy index of the driver is represented by the difference voltage between the positive electrode voltage and the negative electrode voltage, there is a problem that a pass / fail judgment cannot be made.

【0020】本発明は、このような問題点を解決するも
のであって、その目的は、多数の出力ピンを有し多段階
の正極電圧と負極電圧を交互に出力する表示器駆動用な
どの半導体集積回路の出力電圧の差電圧についても合否
判定が行える半導体テスト装置を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to drive a display device which has a large number of output pins and alternately outputs a multi-stage positive voltage and negative voltage alternately. It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus capable of making a pass / fail judgment even on a difference voltage between output voltages of a semiconductor integrated circuit.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の請求項1の半導体テスト装置は、複数の出力ピンを
有し各ピンに多段階の正極電圧と負極電圧を交互に切り
換え出力するように構成された半導体装置の出力電圧特
性をテストする半導体テスト装置であって、半導体装置
の階調出力電圧に対応した期待値電圧を出力する第1の
電圧発生手段と、半導体装置の各ピン系統毎に設けら
れ、各ピンの出力電圧と第1の電圧発生手段の出力電圧
との電圧差を検出する電圧差検出手段と、電圧差検出手
段の出力電圧に対応した基準電圧を出力する第2の電圧
発生手段と、半導体装置の各ピン系統毎に設けられ、各
ピンの電圧差検出手段の出力と第2の電圧発生手段の基
準電圧との大小関係を比較する第1の比較手段と、半導
体装置の各ピン系統毎に設けられ、各ピンの正極階調出
力電圧と負極階調出力電圧の差電圧に対応したクロック
数をカウントするカウンタと、各カウンタのカウント値
に基づいて半導体装置の合否判定を行う判定手段、とを
具備したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus which has a plurality of output pins and alternately outputs a multi-stage positive voltage and a negative voltage to each pin. A first voltage generating means for outputting an expected value voltage corresponding to a gradation output voltage of a semiconductor device, and a pin for each pin of the semiconductor device. A voltage difference detecting means provided for each system for detecting a voltage difference between an output voltage of each pin and an output voltage of the first voltage generating means, and a reference voltage corresponding to the output voltage of the voltage difference detecting means, A second voltage generating means, and a first comparing means provided for each pin system of the semiconductor device and comparing the magnitude relationship between the output of the voltage difference detecting means of each pin and the reference voltage of the second voltage generating means. , Each pin system of semiconductor device A counter that counts the number of clocks corresponding to the difference voltage between the positive gray scale output voltage and the negative gray scale output voltage of each pin; and a determination unit that performs pass / fail determination of the semiconductor device based on the count value of each counter. And characterized in that:

【0022】このような構成において、各カウンタは、
各ピンの正極階調出力電圧と負極階調出力電圧の差電圧
に対応したクロック数をカウントする。すなわち、各カ
ウンタのカウント値から、各ピン毎の正極階調出力電
圧、負極階調出力電圧、および正極階調出力電圧と負極
階調出力電圧の差電圧を測定できる。
In such a configuration, each counter is
The number of clocks corresponding to the difference voltage between the positive gradation output voltage and the negative gradation output voltage of each pin is counted. That is, the positive gradation output voltage, the negative gradation output voltage, and the difference voltage between the positive gradation output voltage and the negative gradation output voltage for each pin can be measured from the count value of each counter.

【0023】請求項2は、請求項1の半導体テスト装置
において、前記第1の電圧発生手段を、半導体装置の全
ピン出力で共通としたしたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus of the first aspect, the first voltage generating means is common to all pin outputs of the semiconductor device.

【0024】これにより、装置全体の構成を簡略化でき
る。
Thus, the configuration of the entire apparatus can be simplified.

【0025】請求項3は、請求項1の半導体テスト装置
において、前記第1の電圧発生手段を、半導体装置の偶
数ピンと奇数ピンのグループ毎に設けたことを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus of the first aspect, the first voltage generating means is provided for each group of even-numbered pins and odd-numbered pins of the semiconductor device.

【0026】これにより、偶数ピンと奇数ピンのテスト
を同時に行うことができ、テスト時間を1/2に短縮で
きる。
As a result, the test of the even-numbered pins and the test of the odd-numbered pins can be performed simultaneously, and the test time can be reduced to half.

【0027】請求項4は、請求項1〜請求項3のいずれ
かに記載の半導体テスト装置において、前記合否判定手
段は、半導体装置の各ピン系統毎に設けられ、各カウン
タのカウント値と所定の基準値との大小関係を比較する
比較手段であることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus according to any one of the first to third aspects, the pass / fail determination means is provided for each pin system of the semiconductor device, and determines whether a count value of each counter is equal to a predetermined value. A comparison means for comparing the magnitude relation with the reference value.

【0028】これにより、半導体テスト装置が備えてい
るパターンマッチ機能を使って合否の判定が行える。
Thus, the pass / fail judgment can be made by using the pattern matching function provided in the semiconductor test apparatus.

【0029】請求項5は、請求項1〜請求項3のいずれ
かに記載の半導体テスト装置において、前記合否判定手
段は、デジタルシグナルプロセッサであることを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus according to any one of the first to third aspects, the pass / fail determination means is a digital signal processor.

【0030】これにより、半導体テスト装置が備えてい
るパターンマッチ機能によらないデジタルシグナルプロ
セッサ独自の観点からの合否判定が行える。
Thus, the pass / fail judgment can be made from the unique viewpoint of the digital signal processor without using the pattern matching function provided in the semiconductor test apparatus.

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図1は本発明の実施の形態例を示す
ブロック図であり、図4と共通する部分には同一の符号
を付けている。図において、アンドゲート70の一方の
入力端子には比較器50の出力信号が入力され、他方の
入力端子には外部からクロック信号CLKが入力されて
いる。アンドゲート70の出力信号はアップダウンカウ
ントを行うカウンタ80のクロック端子に入力されてい
る。カウンタ80の制御端子にはアップカウントまたは
ダウンカウントを指示するUP/DOWN制御信号が入
力されている。カウンタ80の出力信号は予め設定され
ている比較値を比べその大小をデジタル値として出力す
るマグニチュードコンパレータ90に入力されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and portions common to FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the figure, an output signal of the comparator 50 is input to one input terminal of the AND gate 70, and a clock signal CLK is input to the other input terminal from outside. The output signal of the AND gate 70 is input to a clock terminal of a counter 80 that counts up and down. An UP / DOWN control signal for instructing up-counting or down-counting is input to a control terminal of the counter 80. The output signal of the counter 80 is input to a magnitude comparator 90 which compares a comparison value set in advance and outputs a magnitude as a digital value.

【0031】図1の動作を図2のタイミングチャートを
用いて説明する。DUTはドット反転TFTソースドラ
イバであり、a時点でN番目のピンは正極性の階調出力
電圧を出力しているものとする。
The operation of FIG. 1 will be described with reference to the timing chart of FIG. The DUT is a dot inversion TFT source driver, and it is assumed that the Nth pin outputs a grayscale output voltage of positive polarity at the time point a.

【0032】D/A変換器10は、正極性の理想階調出
力PmVよりもXmVだけ低い電圧から逐次更新しなが
ら出力電圧を上げていく。なお、D/A変換器10の出
力電圧を更新するタイミングは、カウンタ80の動作ク
ロックと同期しているものとする。比較器50の出力信
号は、D/A変換器10の出力電圧がDUTの出力電圧
(PmV+ΔPmV)を越えるまでの間アンドゲート7
0を開き、カウンタ80にクロックCLKを入力する。
この状態でカウンタ80はカウントアップモードに設定
されていて、初期値からカウントアップを開始する。
The D / A converter 10 increases the output voltage while sequentially updating from a voltage lower by XmV than the ideal gradation output PmV of the positive polarity. The timing at which the output voltage of the D / A converter 10 is updated is synchronized with the operation clock of the counter 80. The output signal of the comparator 50 is supplied to the AND gate 7 until the output voltage of the D / A converter 10 exceeds the output voltage of the DUT (PmV + ΔPmV).
Open 0 and input the clock CLK to the counter 80.
In this state, the counter 80 is set to the count-up mode, and starts counting up from the initial value.

【0033】D/A変換器10の出力電圧は、上昇して
いく過程の時点bにおいてDUTの出力電圧(PmV+
ΔPmV)を上回り、比較器50の出力を反転させる。
比較器50の出力が反転することによりアンドゲート7
0は閉じられ、カウンタ80のカウントアップ動作は停
止する。
The output voltage of the D / A converter 10 becomes higher than the output voltage (PmV +
ΔPmV), the output of the comparator 50 is inverted.
When the output of the comparator 50 is inverted, the AND gate 7
0 is closed, and the count-up operation of the counter 80 stops.

【0034】ここで、カウンタ80に入力されるクロッ
ク数は、DUTの理想階調出力電圧PmVに対する誤差
電圧ΔPmVに応じて変化するので、カウンタ80のカ
ウント停止後のカウント値は、 ΔPmV+XmV を示すことになる。
Here, since the number of clocks input to the counter 80 changes in accordance with the error voltage ΔPmV with respect to the ideal gradation output voltage PmV of the DUT, the count value of the counter 80 after the count is stopped indicates ΔPmV + XmV. become.

【0035】図2の例では、カウントアップ初期値での
カウント値が1000、理想階調出力電圧でのカウント
値が1500としているが、c時点でのピンNの出力電
圧は理想階調出力電圧よりもD/A変換器10の電圧更
新クロック数で21個分電圧が高かったので、カウンタ
80のカウント値は1521となった。
In the example of FIG. 2, the count value at the initial count-up value is 1000, and the count value at the ideal gradation output voltage is 1500, but the output voltage of the pin N at the point c is the ideal gradation output voltage. Therefore, the count value of the counter 80 was 1521 because the voltage was higher by 21 in the number of voltage update clocks of the D / A converter 10 than in the first embodiment.

【0036】次に、d時点でDUTのピンNに負極性の
階調出力電圧を出力させる。D/A変換器10は、負極
性の理想階調出力電圧NmVよりもXmV低い電圧から
出力電圧を逐次更新しながら上げていく。なお、D/A
変換器10の出力電圧を更新するタイミングは、正極性
の場合と同様に、カウンタ80の動作クロックと同期し
ているものとする。
Next, at the time point d, a negative gradation output voltage is output to the pin N of the DUT. The D / A converter 10 increases the output voltage while sequentially updating the output voltage from a voltage lower by XmV than the ideal grayscale output voltage NmV of the negative polarity. D / A
The timing at which the output voltage of the converter 10 is updated is synchronized with the operation clock of the counter 80 as in the case of the positive polarity.

【0037】比較器50の出力信号は、D/A変換器1
0の出力電圧がDUTの出力電圧(NmV+ΔNmV)
を越えるまでの間アンドゲート70を開き、カウンタ8
0にクロックCLKを入力する。この状態でカウンタ8
0はカウントダウンモードに設定されていて、初期値か
らカウントダウンを開始する。
The output signal of the comparator 50 is the D / A converter 1
The output voltage of 0 is the output voltage of the DUT (NmV + ΔNmV)
Open AND gate 70 until it exceeds
The clock CLK is input to 0. In this state, the counter 8
0 is set to the countdown mode, and the countdown starts from the initial value.

【0038】D/A変換器10の出力電圧は、上昇して
いく過程の時刻eにおいてDUTの出力電圧(NmV+
ΔNmV)を上回り、比較器50の出力を反転させる。
比較器50の出力が反転することによりアンドゲート7
0は閉じられ、カウンタ80のカウントダウン動作は停
止する。
The output voltage of the D / A converter 10 rises at time e in the process of rising, and the output voltage of the DUT (NmV +
ΔNmV), the output of the comparator 50 is inverted.
When the output of the comparator 50 is inverted, the AND gate 7
0 is closed, and the countdown operation of the counter 80 stops.

【0039】カウンタ80に入力されるクロック数は、
DUTの理想階調出力電圧NmVに対する誤差電圧ΔN
mVに応じて変化する。カウントダウン直前のカウンタ
70の初期値は(ΔPmV+XmV)であったので、停
止後のカウント値は、 (ΔPmV+XmV)−(ΔNmV+XmV)=ΔPm
V−ΔNmV となり、正極性階調出力電圧と負極性階調出力電圧の差
電圧を示すことになる。
The number of clocks input to the counter 80 is
Error voltage ΔN with respect to ideal gradation output voltage NmV of DUT
It changes according to mV. Since the initial value of the counter 70 immediately before the countdown is (ΔPmV + XmV), the count value after the stop is (ΔPmV + XmV) − (ΔNmV + XmV) = ΔPm
V−ΔNmV, which indicates a difference voltage between the positive gradation output voltage and the negative gradation output voltage.

【0040】図2では、カウントダウンの初期値(=カ
ウントアップ最終値)が1521であり、ピンNの出力
電圧は負極性理想階調出電圧NmVよりD/A変換器1
0の出力電圧の更新クロック数で49個分だけ高かった
ので、549クロック(理想階調までのカウント分50
0クロック+49クロック)カウントダウンし、時点g
におけるカウンタ80のカウントダウン最終値は972
(1521−549)となった。
In FIG. 2, the initial value of the countdown (= the final value of the countup) is 1521, and the output voltage of the pin N is obtained from the negative ideal tone output voltage NmV by the D / A converter 1.
Since the number of update clocks of the output voltage of 0 is 49 clocks higher, the number of clocks is 549 clocks (50 counts to the ideal gradation).
0 clock + 49 clocks) count down, time point g
The final countdown value of the counter 80 is 972
(1521-549).

【0041】これらカウンタ80のカウント値の大小は
マグニチュードコンパレータ90において予め設定され
ている比較値と比較され、デジタル値として出力され
る。これらマグニチュードコンパレータ90の出力パタ
ーンに基づいて、DUTの合否判定を行う。すなわち、
半導体テスト装置が備えているパターンマッチ機能を使
って合否の判定が行える。
The magnitude of the count value of these counters 80 is compared with a preset comparison value in a magnitude comparator 90 and output as a digital value. Based on the output pattern of these magnitude comparators 90, pass / fail determination of the DUT is performed. That is,
A pass / fail judgment can be made using the pattern matching function provided in the semiconductor test apparatus.

【0042】なお、カウンタ80に外部からテストレー
トと同期したクロックを入力してカウントアップさせな
がら、キャリーが出るまでのクロック数を各ピン毎に監
視するようにしてもよい。この場合も、監視には半導体
テスト装置のパターンマッチ機能を使うことができる。
It is also possible to monitor the number of clocks until a carry is output for each pin while inputting a clock synchronized with the test rate from the outside to the counter 80 and counting it up. Also in this case, the pattern matching function of the semiconductor test device can be used for monitoring.

【0043】また、カウンタ80にバスを介してデジタ
ルシグナルプロセッサ(DSP)を接続し、DSPでカ
ウンタ80のカウント値を読み出してDUTの合否判定
を行うようにしてもよい。これにより、半導体テスト装
置が備えているパターンマッチ機能によらないデジタル
シグナルプロセッサ独自の観点に基づく合否判定が行え
る。
Also, a digital signal processor (DSP) may be connected to the counter 80 via a bus, and the count value of the counter 80 may be read out by the DSP to determine the acceptability of the DUT. As a result, the pass / fail judgment can be made based on a unique viewpoint of the digital signal processor without using the pattern matching function of the semiconductor test apparatus.

【0044】また、図1の構成では、DUTの出力電圧
に対応した理想電圧を発生するD/A変換器10は、全
ピン出力で共通とする構成になっているが、各ピンまた
は各グループ毎に複数個具備してもよい。
In the configuration of FIG. 1, the D / A converter 10 for generating the ideal voltage corresponding to the output voltage of the DUT is configured to be common to all the pin outputs. A plurality may be provided for each.

【0045】DUTがドット反転TFTソースドライバ
の場合には、ピンの配列方向に沿って正極性出力電圧と
負極性出力電圧が交互に出力される。従って、偶数ピン
と奇数ピンのグループ毎にD/A変換器を設けることに
より両極性のテストを同時に行うことができ、時分割で
各極性毎のテストを行う場合に比べてテスト時間を1/
2に短縮できるという効果が得られる。
When the DUT is a dot inversion TFT source driver, a positive output voltage and a negative output voltage are alternately output along the pin arrangement direction. Therefore, by providing a D / A converter for each group of even-numbered pins and odd-numbered pins, it is possible to perform tests of both polarities at the same time.
2 can be obtained.

【0046】また、DUTがドット反転TFTソースド
ライバの場合、DUTの出力ピン数の半分のD/A変換
器を用意し、偶数ピンと奇数ピンのグループで切り替え
て測定すれば、全体の回路規模は半分になる。
When the DUT is a dot inversion TFT source driver, a D / A converter having half the number of output pins of the DUT is prepared, and the measurement is performed by switching between even and odd groups. Halve.

【0047】上記一連の説明ではTFT液晶を駆動する
ドライバのテスト装置に適用する例を示したが、各種の
多段階の電圧を出力するように構成された多数の出力ピ
ンを有するD/A変換器などの半導体集積回路のテスト
装置にも適用できるものである。
In the above series of description, an example is shown in which the present invention is applied to a test apparatus for a driver for driving a TFT liquid crystal. However, a D / A converter having a large number of output pins configured to output various multi-step voltages is described. The present invention is also applicable to a test device for a semiconductor integrated circuit such as a tester.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
減算器と比較器を組み合わせた方式の半導体テスト装置
により、ドット反転TFTソースドライバ出力のような
正極性電圧と負極性電圧が交互に出力される半導体の出
力差電圧に対する合否判定が行える。
As described above, according to the present invention,
The semiconductor test apparatus of the type in which the subtractor and the comparator are combined can determine whether or not the semiconductor has a positive output voltage and a negative output voltage, such as a dot inversion TFT source driver output, which are output alternately.

【0049】また、従来の半導体テスト装置では階調毎
のピン間ばらつき(最大出力電圧、最小出力電圧)しか
測定できなかったが、本発明の半導体テスト装置によれ
ば、カウンタのカウント値を読むことで、ピン毎の正極
性階調出力電圧、負極性階調出力電圧、および正極性階
調出力電圧と負極性階調出力電圧の差電圧も測定でき
る。
In the conventional semiconductor test apparatus, only the variation between pins (maximum output voltage, minimum output voltage) for each gradation can be measured. According to the semiconductor test apparatus of the present invention, the count value of the counter is read. Thus, the positive gradation output voltage, the negative gradation output voltage, and the difference voltage between the positive gradation output voltage and the negative gradation output voltage for each pin can be measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態例を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
FIG. 2 is a timing chart illustrating the operation of FIG.

【図3】従来の装置の一例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing an example of a conventional device.

【図4】従来の装置の他の例を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing another example of a conventional device.

【図5】図4のDUTから出力される電圧波形例図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a voltage waveform output from the DUT of FIG. 4;

【図6】図4の減算器に入力される期待電圧波形例図で
ある。
FIG. 6 is an example diagram of an expected voltage waveform input to the subtractor of FIG. 4;

【図7】図6の要部拡大波形図である。FIG. 7 is an enlarged waveform diagram of a main part of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 減算器 10,40 D/A変換器 30 増幅器 50 比較器 70 アンドゲート 80 カウンタ 90 マグニチュードコンパレータ Reference Signs List 20 subtractor 10, 40 D / A converter 30 amplifier 50 comparator 70 AND gate 80 counter 90 magnitude comparator

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の出力ピンを有し各ピンに多段階の正
極電圧と負極電圧を交互に切り換え出力するように構成
された半導体装置の出力電圧特性をテストする半導体テ
スト装置であって、 半導体装置の階調出力電圧に対応した期待値電圧を出力
する第1の電圧発生手段と、 半導体装置の各ピン系統毎に設けられ、各ピンの出力電
圧と第1の電圧発生手段の出力電圧との電圧差を検出す
る電圧差検出手段と、 電圧差検出手段の出力電圧に対応した基準電圧を出力す
る第2の電圧発生手段と、 半導体装置の各ピン系統毎に設けられ、各ピンの電圧差
検出手段の出力と第2の電圧発生手段の基準電圧との大
小関係を比較する第1の比較手段と、 半導体装置の各ピン系統毎に設けられ、各ピンの正極階
調出力電圧と負極階調出力電圧の差電圧に対応したクロ
ック数をカウントするカウンタと、 各カウンタのカウント値に基づいて半導体装置の合否判
定を行う判定手段、とを具備したことを特徴とする半導
体テスト装置。
1. A semiconductor test apparatus for testing output voltage characteristics of a semiconductor device having a plurality of output pins and configured to alternately output a multi-stage positive voltage and a negative voltage to each pin and output the voltage, First voltage generating means for outputting an expected value voltage corresponding to the gradation output voltage of the semiconductor device; and an output voltage of each pin and an output voltage of the first voltage generating means provided for each pin system of the semiconductor device. Voltage difference detecting means for detecting a voltage difference between the output voltage of the semiconductor device and a second voltage generating means for outputting a reference voltage corresponding to the output voltage of the voltage difference detecting means. First comparing means for comparing the magnitude relationship between the output of the voltage difference detecting means and the reference voltage of the second voltage generating means; provided for each pin system of the semiconductor device; The difference between the negative gradation output voltage A counter for counting the number of clocks, and judging means for performing acceptance judgment of the semiconductor device based on the count value of each counter, a semiconductor test apparatus characterized by comprising the city.
【請求項2】前記第1の電圧発生手段を、半導体装置の
全ピン出力で共通としたことを特徴とする請求項1記載
の半導体テスト装置。
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein said first voltage generating means is common to all pin outputs of the semiconductor device.
【請求項3】前記第1の電圧発生手段を、半導体装置の
偶数ピンと奇数ピンのグループ毎に設けたことを特徴と
する請求項1記載の半導体テスト装置。
3. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein said first voltage generating means is provided for each group of even-numbered pins and odd-numbered pins of the semiconductor device.
【請求項4】前記合否判定手段は、半導体装置の各ピン
系統毎に設けられ、各カウンタのカウント値と所定の基
準値との大小関係を比較する比較手段であることを特徴
とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体テ
スト装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein said pass / fail determination means is provided for each pin system of said semiconductor device, and is a comparison means for comparing a magnitude relationship between a count value of each counter and a predetermined reference value. The semiconductor test apparatus according to claim 1.
【請求項5】前記合否判定手段は、デジタルシグナルプ
ロセッサであることを特徴とする請求項1〜請求項3の
いずれかに記載の半導体テスト装置。
5. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein said pass / fail determination means is a digital signal processor.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005265636A (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Sharp Corp Method of inspecting semiconductor integrated circuit
JP2007147469A (en) * 2005-11-29 2007-06-14 Yokogawa Electric Corp Ic tester
JP2007218585A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Yokogawa Electric Corp Test system
JP2008505329A (en) * 2004-07-07 2008-02-21 アジレント・テクノロジーズ・インク Evaluating the output signal of the device under test
JP2010156628A (en) * 2008-12-29 2010-07-15 Yokogawa Electric Corp Semiconductor-testing device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005265636A (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Sharp Corp Method of inspecting semiconductor integrated circuit
JP2008505329A (en) * 2004-07-07 2008-02-21 アジレント・テクノロジーズ・インク Evaluating the output signal of the device under test
JP2007147469A (en) * 2005-11-29 2007-06-14 Yokogawa Electric Corp Ic tester
JP2007218585A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Yokogawa Electric Corp Test system
JP4635895B2 (en) * 2006-02-14 2011-02-23 横河電機株式会社 Test system
JP2010156628A (en) * 2008-12-29 2010-07-15 Yokogawa Electric Corp Semiconductor-testing device

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