JP2002246683A - 光送信器及び光伝送システム - Google Patents
光送信器及び光伝送システムInfo
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- H04J14/0278—WDM optical network architectures
- H04J14/028—WDM bus architectures
Abstract
(57)【要約】
【課題】 親局と複数の子局におけるパッシブ光多重ア
クセス系の上りリンクにおいて、光ビート雑音の影響を
抑圧することを目的とする。 【解決手段】 情報信号（１００）に応じた光信号（１
０２）を出力する光送信器（１０）をそれぞれ備える複
数の子局（２）と、前記複数の子局からの光信号が光多
重された光多重信号（１０５）を受信する親局（１）を
備える光伝送システムであって、前記子局は、前記光送
信器の発熱のみの熱源（１７）の発熱量を調節すること
によって、前記光送信器のレーザダイオード（１１）か
ら出力される光信号の波長を制御する波長制御器（１
８）をさらに備えることを特徴とする光伝送システム。
クセス系の上りリンクにおいて、光ビート雑音の影響を
抑圧することを目的とする。 【解決手段】 情報信号（１００）に応じた光信号（１
０２）を出力する光送信器（１０）をそれぞれ備える複
数の子局（２）と、前記複数の子局からの光信号が光多
重された光多重信号（１０５）を受信する親局（１）を
備える光伝送システムであって、前記子局は、前記光送
信器の発熱のみの熱源（１７）の発熱量を調節すること
によって、前記光送信器のレーザダイオード（１１）か
ら出力される光信号の波長を制御する波長制御器（１
８）をさらに備えることを特徴とする光伝送システム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバを介し
て親局と複数の子局を接続する光伝送システムにおい
て、伝送品質に対して信頼性の高い、子局から親局への
上りリンクに関するものである。
て親局と複数の子局を接続する光伝送システムにおい
て、伝送品質に対して信頼性の高い、子局から親局への
上りリンクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】FTTH (Fiber-To-The-Home) に代表され
る光加入者アクセス系の加入者宅、携帯電話やITS (Int
elligent Transport Systems) の無線基地局等 (子局)
を光ファイバで制御局（親局）に収容するパッシブ光多
重伝送システムが注目されている。パッシブ光多重伝送
技術は、サブキャリア多重技術と併用することにより、
親局は一対のみの光送受信器で、複数の子局との送受信
を一括して同時に行え、伝送システム構成の簡易化及び
小型化に適している。但し、パッシブ光多重伝送系に
は、子局から親局への上りリンクにおいて、複数の子局
からの光信号が干渉することによって発生する光ビート
雑音の問題がある。図１０は、光ビート雑音を説明する
ための図である。光ビート雑音とは、図１０（ａ）に示
されるように、複数子局から出力される光信号の波長差
がΔλである光信号Ａと光信号Ｂを一括して受信した場
合に、図１０（ｂ）に示されるように、親局で受信した
情報信号のΔλに相当する周波数帯に発生する雑音成分
である。子局間から出力される光信号の波長が接近しΔ
λが小さくなると、情報信号帯域（例えば１ＧＨｚ程度
の無線信号帯域）近傍に光ビート雑音が現れ、伝送品質
を劣化させる。この光ビート雑音に対しては、幾つかの
解決方法が提案されている。
る光加入者アクセス系の加入者宅、携帯電話やITS (Int
elligent Transport Systems) の無線基地局等 (子局)
を光ファイバで制御局（親局）に収容するパッシブ光多
重伝送システムが注目されている。パッシブ光多重伝送
技術は、サブキャリア多重技術と併用することにより、
親局は一対のみの光送受信器で、複数の子局との送受信
を一括して同時に行え、伝送システム構成の簡易化及び
小型化に適している。但し、パッシブ光多重伝送系に
は、子局から親局への上りリンクにおいて、複数の子局
からの光信号が干渉することによって発生する光ビート
雑音の問題がある。図１０は、光ビート雑音を説明する
ための図である。光ビート雑音とは、図１０（ａ）に示
されるように、複数子局から出力される光信号の波長差
がΔλである光信号Ａと光信号Ｂを一括して受信した場
合に、図１０（ｂ）に示されるように、親局で受信した
情報信号のΔλに相当する周波数帯に発生する雑音成分
である。子局間から出力される光信号の波長が接近しΔ
λが小さくなると、情報信号帯域（例えば１ＧＨｚ程度
の無線信号帯域）近傍に光ビート雑音が現れ、伝送品質
を劣化させる。この光ビート雑音に対しては、幾つかの
解決方法が提案されている。
【０００３】例えば、登録特許第3096694号公報では、
親局側の雑音検出器で光ビート雑音の有無を検出して、
サブキャリア多重信号の伝送品質を劣化させないよう、
各子局の光源の波長を設定値に制御する方法が提案され
ている。この波長制御方法は、ペルチェ素子による熱源
素子の発熱及び吸熱効果から、子局側レーザダイオード
の温度を制御して、波長を所定値に安定化させている。
しかし、発熱及び吸熱を用いて温度制御する方法は、子
局側レーザダイオードのパッケージを含めた熱伝達の固
体差から、制御系が発振を起こしやすく、また温度が定
常状態になるのに時間がかかったりする場合がある。そ
のため波長がふらつき、光ビート雑音を回避できない場
合が発生する。
親局側の雑音検出器で光ビート雑音の有無を検出して、
サブキャリア多重信号の伝送品質を劣化させないよう、
各子局の光源の波長を設定値に制御する方法が提案され
ている。この波長制御方法は、ペルチェ素子による熱源
素子の発熱及び吸熱効果から、子局側レーザダイオード
の温度を制御して、波長を所定値に安定化させている。
しかし、発熱及び吸熱を用いて温度制御する方法は、子
局側レーザダイオードのパッケージを含めた熱伝達の固
体差から、制御系が発振を起こしやすく、また温度が定
常状態になるのに時間がかかったりする場合がある。そ
のため波長がふらつき、光ビート雑音を回避できない場
合が発生する。
【０００４】発熱及び吸熱効果による温度制御には、ペ
ルチェ素子が適している。そして、レーザダイオードの
パッケージがバタフライ型の場合は、パッケージの中に
レーザダイオードとペルチェ素子を内蔵することが可能
である。しかしながら、バタフライ型は、ピンを配置す
るスペースを必要とし、さらにコストが高いという問題
がある。光送信部の小型化及び低コスト化のためには、
レーザダイオードのみがパッケージされている簡易な構
成の同軸型やMini-DIL（Minimum Dual-In-Line）型が望
まれる。簡易な構成の同軸型やMini-DIL型はすでにパッ
ケージされているので、ペルチェ素子を内蔵するのは不
可能であり、パッケージされたレーザダイオードに外付
けで取り付けることが必要となる。しかし、外付けのペ
ルチェ素子とパッケージされたレーザダイオードを十分
に封止することは困難であり、空気の混入による結露が
ペルチェ素子に起こり、短絡して故障する等が予想さ
れ、長期的な信頼性が低下する問題がある。
ルチェ素子が適している。そして、レーザダイオードの
パッケージがバタフライ型の場合は、パッケージの中に
レーザダイオードとペルチェ素子を内蔵することが可能
である。しかしながら、バタフライ型は、ピンを配置す
るスペースを必要とし、さらにコストが高いという問題
がある。光送信部の小型化及び低コスト化のためには、
レーザダイオードのみがパッケージされている簡易な構
成の同軸型やMini-DIL（Minimum Dual-In-Line）型が望
まれる。簡易な構成の同軸型やMini-DIL型はすでにパッ
ケージされているので、ペルチェ素子を内蔵するのは不
可能であり、パッケージされたレーザダイオードに外付
けで取り付けることが必要となる。しかし、外付けのペ
ルチェ素子とパッケージされたレーザダイオードを十分
に封止することは困難であり、空気の混入による結露が
ペルチェ素子に起こり、短絡して故障する等が予想さ
れ、長期的な信頼性が低下する問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】パッシブ光多重伝送技
術は、親局は一対のみの光送受信器で、複数の子局との
送受信を一括して同時に行え、伝送システム構成も簡易
及び小型となる利点がある。但し、複数の子局から親局
への上りリンクにおいては、光ビート雑音の影響を回避
するため、各子局のレーザダイオードの波長を制御する
必要がある。従来は、ペルチェ素子のような熱源素子の
発熱及び吸熱効果を用いて、温度を制御し、波長を所定
値に安定させる方法がとられていた。しかし、この方法
は、レーザダイオードのパッケージを含めた熱伝達の固
体差から、制御系が発振を起こすことがあり、また温度
が定常状態になるのに時間がかかったりする場合があ
る。そのため波長がふらつき、光ビート雑音を回避でき
ない場合が発生する。また、レーザダイオードのパッケ
ージにおいて、ペルチェ素子を内蔵可能なバタフライ型
は、コストが高く、ピン配置のスペースも必要とするこ
とから小型化には適していない。小型化及び低コスト化
に適した同軸型パッケージやMini-DIL型パッケージで
は、発熱及び吸熱効果を与えるペルチェ素子を内蔵でき
ず、レーザダイオードに外付けで取り付けることが必要
である。しかし、レーザダイオードと外付けペルチェ素
子の間で封止を十分とることは困難であり、空気の混入
による結露を引き起こし、長期的な信頼性が低下する問
題がある。
術は、親局は一対のみの光送受信器で、複数の子局との
送受信を一括して同時に行え、伝送システム構成も簡易
及び小型となる利点がある。但し、複数の子局から親局
への上りリンクにおいては、光ビート雑音の影響を回避
するため、各子局のレーザダイオードの波長を制御する
必要がある。従来は、ペルチェ素子のような熱源素子の
発熱及び吸熱効果を用いて、温度を制御し、波長を所定
値に安定させる方法がとられていた。しかし、この方法
は、レーザダイオードのパッケージを含めた熱伝達の固
体差から、制御系が発振を起こすことがあり、また温度
が定常状態になるのに時間がかかったりする場合があ
る。そのため波長がふらつき、光ビート雑音を回避でき
ない場合が発生する。また、レーザダイオードのパッケ
ージにおいて、ペルチェ素子を内蔵可能なバタフライ型
は、コストが高く、ピン配置のスペースも必要とするこ
とから小型化には適していない。小型化及び低コスト化
に適した同軸型パッケージやMini-DIL型パッケージで
は、発熱及び吸熱効果を与えるペルチェ素子を内蔵でき
ず、レーザダイオードに外付けで取り付けることが必要
である。しかし、レーザダイオードと外付けペルチェ素
子の間で封止を十分とることは困難であり、空気の混入
による結露を引き起こし、長期的な信頼性が低下する問
題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、外部と熱
的に接触可能な第１の熱的接触部を有し、パッケージさ
れたレーザダイオード（１１）と、前記第１の熱的接触
部に設けられ、外部と熱的に接触可能な第２の熱的接触
部を有する発熱のみの熱源（１７）を備える光送信器で
ある。
的に接触可能な第１の熱的接触部を有し、パッケージさ
れたレーザダイオード（１１）と、前記第１の熱的接触
部に設けられ、外部と熱的に接触可能な第２の熱的接触
部を有する発熱のみの熱源（１７）を備える光送信器で
ある。
【０００７】第２の発明は、前記第１の熱的接触部に設
けられた熱検出器（１９）を備えることを特徴とする第
１の発明記載の光送信器である。
けられた熱検出器（１９）を備えることを特徴とする第
１の発明記載の光送信器である。
【０００８】第３の発明は、前記レーザダイオードから
発振される光の波長が前記発熱のみの熱源から与えられ
る熱によって制御されることを特徴とする第１又は第２
の発明記載の光送信器である。
発振される光の波長が前記発熱のみの熱源から与えられ
る熱によって制御されることを特徴とする第１又は第２
の発明記載の光送信器である。
【０００９】第４の発明は、前記発熱のみの熱源がトラ
ンジスタであることを特徴とする第１乃至第３の発明記
載の光送信器である。
ンジスタであることを特徴とする第１乃至第３の発明記
載の光送信器である。
【００１０】第５の発明は、前記レーザダイオードのパ
ッケージが同軸型パッケージ（１１−ａ）であることを
特徴とする第１乃至第４の発明記載の光送信器である。
ッケージが同軸型パッケージ（１１−ａ）であることを
特徴とする第１乃至第４の発明記載の光送信器である。
【００１１】第６の発明は、前記レーザダイオードのパ
ッケージがMini-DIL型パッケージ（１１−ｂ）であるこ
とを特徴とする第１乃至第４の発明記載の光送信器であ
る。
ッケージがMini-DIL型パッケージ（１１−ｂ）であるこ
とを特徴とする第１乃至第４の発明記載の光送信器であ
る。
【００１２】第７の発明は、情報信号（１００）に応じ
た光信号（１０２）を出力する第１乃至第６の発明記載
の光送信器（１０）をそれぞれ備える複数の子局（２）
と、前記複数の子局からの光信号が光多重された光多重
信号（１０５）を受信する親局（１）を備える光伝送シ
ステムであって、前記子局は、前記光送信器の発熱のみ
の熱源の発熱量を調節することによって、前記光送信器
のレーザダイオードから出力される光信号の波長を制御
する波長制御器（１８）をさらに備えることを特徴とす
る光伝送システムである。
た光信号（１０２）を出力する第１乃至第６の発明記載
の光送信器（１０）をそれぞれ備える複数の子局（２）
と、前記複数の子局からの光信号が光多重された光多重
信号（１０５）を受信する親局（１）を備える光伝送シ
ステムであって、前記子局は、前記光送信器の発熱のみ
の熱源の発熱量を調節することによって、前記光送信器
のレーザダイオードから出力される光信号の波長を制御
する波長制御器（１８）をさらに備えることを特徴とす
る光伝送システムである。
【００１３】第８の発明は、前記親局は、前記受信した
光多重信号から光ビート雑音を検出する検出器（２４）
を備え、前記親局は前記検出器の出力結果を元に前記光
送信器のレーザダイオードの波長を制御するための波長
制御信号を前記子局へ出力し、前記子局の波長制御器
は、受け取った前記波長制御信号に応じて前記レーザダ
イオードから出力される光信号の波長を制御することに
より、前記光ビート雑音を抑制することを特徴とする第
７の発明記載の光伝送システムである。
光多重信号から光ビート雑音を検出する検出器（２４）
を備え、前記親局は前記検出器の出力結果を元に前記光
送信器のレーザダイオードの波長を制御するための波長
制御信号を前記子局へ出力し、前記子局の波長制御器
は、受け取った前記波長制御信号に応じて前記レーザダ
イオードから出力される光信号の波長を制御することに
より、前記光ビート雑音を抑制することを特徴とする第
７の発明記載の光伝送システムである。
【００１４】第９の発明は、前記波長制御器は、前記レ
ーザダイオードの温度を測定し、温度情報信号を出力す
る温度測定器（２０）を備え、前記子局は前記温度情報
信号にも応じた前記光信号を前記親局へ送信し、前記親
局は前記温度情報信号を受信する温度情報受信器（２
５）を備え、前記親局は前記検出器及び温度情報受信器
の出力結果を元に前記レーザダイオードの波長を制御す
るための波長制御信号を前記子局へ出力することを特徴
とする第８の発明記載の光伝送システムである。
ーザダイオードの温度を測定し、温度情報信号を出力す
る温度測定器（２０）を備え、前記子局は前記温度情報
信号にも応じた前記光信号を前記親局へ送信し、前記親
局は前記温度情報信号を受信する温度情報受信器（２
５）を備え、前記親局は前記検出器及び温度情報受信器
の出力結果を元に前記レーザダイオードの波長を制御す
るための波長制御信号を前記子局へ出力することを特徴
とする第８の発明記載の光伝送システムである。
【００１５】第１０の発明は、前記子局はアンテナ（１
２）を備え、前記情報信号は前記アンテナで受信した無
線信号であることを特徴とする第７乃至９の発明記載の
光伝送システムである。
２）を備え、前記情報信号は前記アンテナで受信した無
線信号であることを特徴とする第７乃至９の発明記載の
光伝送システムである。
【００１６】第１１の発明は、前記子局は周波数変換器
（９）を備え、前記情報信号は子局毎に異なる周波数帯
に前記周波数変換器で周波数変換され、この周波数変換
された信号に応じた光信号が、前記親局へ光サブキャリ
ア多重伝送されることを特徴とする第７乃至第１０の発
明記載の光伝送システムである。
（９）を備え、前記情報信号は子局毎に異なる周波数帯
に前記周波数変換器で周波数変換され、この周波数変換
された信号に応じた光信号が、前記親局へ光サブキャリ
ア多重伝送されることを特徴とする第７乃至第１０の発
明記載の光伝送システムである。
【００１７】本発明によれば、発熱のみ（吸熱しない）
の一方向の温度変化により、光信号の波長を制御する簡
易な方法で、光ビート雑音の伝送品質への影響を抑圧す
ることが可能となる。波長制御は一方向のみの温度制御
であるため、制御系の発振は起こりにくく、レーザダイ
オードパッケージの熱伝達の固体差に依存せず、安定し
て波長を制御することが可能である。発熱のみの熱源を
用いると、結露を引き起こすことはなく、長期的な信頼
性を提供することが可能である。また、波長制御器の回
路規模は一方向のみの温度制御で良いため、従来の放熱
及び吸熱の波長制御器の回路規模と比較して構成は約半
分となる。そのため、子局の小型化の推進に適してい
る。また、本発明による波長制御方法は、低コスト化に
適した同軸型やMini-DIL型パッケージにも適用すること
が可能であり、光送信器の低コスト化を促進することが
できる。
の一方向の温度変化により、光信号の波長を制御する簡
易な方法で、光ビート雑音の伝送品質への影響を抑圧す
ることが可能となる。波長制御は一方向のみの温度制御
であるため、制御系の発振は起こりにくく、レーザダイ
オードパッケージの熱伝達の固体差に依存せず、安定し
て波長を制御することが可能である。発熱のみの熱源を
用いると、結露を引き起こすことはなく、長期的な信頼
性を提供することが可能である。また、波長制御器の回
路規模は一方向のみの温度制御で良いため、従来の放熱
及び吸熱の波長制御器の回路規模と比較して構成は約半
分となる。そのため、子局の小型化の推進に適してい
る。また、本発明による波長制御方法は、低コスト化に
適した同軸型やMini-DIL型パッケージにも適用すること
が可能であり、光送信器の低コスト化を促進することが
できる。
【００１８】また、レーザダイオードは、周辺温度、経
年劣化等の様々な要因から、波長が長期的に変動してい
く。従来は、親局側で常に光ビート雑音を監視して子局
側の波長を発熱及び吸熱を用いて設定値に制御し、その
ような波長変動に対しても、光ビート雑音の伝送品質へ
の影響を回避していた。しかし、光ビート雑音は、ある
程度以上の波長間隔があいてさえいれば、影響を回避す
ることが可能である。従って、本発明のように、熱源の
みで波長を変化させる一方向の簡易な波長制御方法で、
光ビート雑音を回避することが可能である。本発明によ
れば、簡易な制御系として伝送システム構成を小型化
し、初期導入時だけでなく、長期的に伝送システムの信
頼性を高めることが可能となる。
年劣化等の様々な要因から、波長が長期的に変動してい
く。従来は、親局側で常に光ビート雑音を監視して子局
側の波長を発熱及び吸熱を用いて設定値に制御し、その
ような波長変動に対しても、光ビート雑音の伝送品質へ
の影響を回避していた。しかし、光ビート雑音は、ある
程度以上の波長間隔があいてさえいれば、影響を回避す
ることが可能である。従って、本発明のように、熱源の
みで波長を変化させる一方向の簡易な波長制御方法で、
光ビート雑音を回避することが可能である。本発明によ
れば、簡易な制御系として伝送システム構成を小型化
し、初期導入時だけでなく、長期的に伝送システムの信
頼性を高めることが可能となる。
【００１９】また、無線基地局のような屋外に配置され
る子局では、天候などによりレーザダイオード周辺の温
度が著しく変化するという問題点がある。しかし、本発
明のように、親局側で子局のレーザダイオードの温度を
把握することで、波長設定値の指針を得ることができ、
波長制御のステップ数を削減し、迅速に光ビート雑音を
回避することが可能となる。
る子局では、天候などによりレーザダイオード周辺の温
度が著しく変化するという問題点がある。しかし、本発
明のように、親局側で子局のレーザダイオードの温度を
把握することで、波長設定値の指針を得ることができ、
波長制御のステップ数を削減し、迅速に光ビート雑音を
回避することが可能となる。
【００２０】通常、ヒータ等の発熱素子をドライブする
ために大電力トランジスタを用いるが、このトランジス
タ自体も発熱素子となりうる。ヒータの場合は、発熱が
ヒータとトランジスタの２箇所になるが、本発明のよう
に、トランジスタを発熱素子とした場合は、発熱点が一
箇所に集約され、効率よくレーザダイオードを加熱する
ことができる。本発明は、[発明の実施の形態]で後述す
るように、レーザダイオードに対して数℃程度のわずか
な温度変化を与えることさえできれば良いので、小型で
消費電力の少ないトランジスタ素子による波長制御で、
光ビート雑音を回避することが可能となる。また、トラ
ンジスタは、封止されているため酸化の心配もない。
ために大電力トランジスタを用いるが、このトランジス
タ自体も発熱素子となりうる。ヒータの場合は、発熱が
ヒータとトランジスタの２箇所になるが、本発明のよう
に、トランジスタを発熱素子とした場合は、発熱点が一
箇所に集約され、効率よくレーザダイオードを加熱する
ことができる。本発明は、[発明の実施の形態]で後述す
るように、レーザダイオードに対して数℃程度のわずか
な温度変化を与えることさえできれば良いので、小型で
消費電力の少ないトランジスタ素子による波長制御で、
光ビート雑音を回避することが可能となる。また、トラ
ンジスタは、封止されているため酸化の心配もない。
【００２１】また、本発明で使用する同軸型のパッケー
ジのレーザダイオードは、フランジに熱を伝えること
で、容易にパッケージ内のレーザダイオードの温度変化
を行うことができる。フランジは面積がある程度あるた
め、トランジスタと接して配置することが可能であり、
熱伝達の効率を上げ、消費電力を節約して温度変化を与
えることが可能である。またバタフライ型に比べて構成
が簡易であるため、低コストである利点がある。
ジのレーザダイオードは、フランジに熱を伝えること
で、容易にパッケージ内のレーザダイオードの温度変化
を行うことができる。フランジは面積がある程度あるた
め、トランジスタと接して配置することが可能であり、
熱伝達の効率を上げ、消費電力を節約して温度変化を与
えることが可能である。またバタフライ型に比べて構成
が簡易であるため、低コストである利点がある。
【００２２】また、本発明は、光サブキャリア多重アク
セスとパッシブ多重伝送の併用により、各子局からは、
情報信号がない場合においても、常にCW (Continuous W
ave)の光信号が親局側に伝送されている。従って、光ビ
ート雑音の監視は常時することが可能である。無線信号
のようなバースト的な変調信号を伝送する系において
も、常に光ビート雑音を抑圧して、高い伝送品質を確保
することが可能である。
セスとパッシブ多重伝送の併用により、各子局からは、
情報信号がない場合においても、常にCW (Continuous W
ave)の光信号が親局側に伝送されている。従って、光ビ
ート雑音の監視は常時することが可能である。無線信号
のようなバースト的な変調信号を伝送する系において
も、常に光ビート雑音を抑圧して、高い伝送品質を確保
することが可能である。
【００２３】
【発明の実施の形態】図面を用いて本発明の実施形態を
説明する。子局数は説明上３つと想定したが、複数個で
あれば幾つでもよい。
説明する。子局数は説明上３つと想定したが、複数個で
あれば幾つでもよい。
【００２４】（第１の実施形態）第１の実施形態に係る
光伝送システムの概略構成図を図１に示す。図１におい
て、親局１と複数の子局２ａ〜２ｃが光ファイバ３で接
続されている。本実施形態では、親局１から子局２への
下りリンク及び子局２から親局１への上りリンクは、バ
ス型の光ファイバ３ａ及び３ｂで接続しているが、スタ
ー型、ツリー型、あるいはパッシブ光多重であれば、そ
れ以外の伝送系でも構わない。本実施形態では、光ビー
ト雑音が問題となる上りリンクについて説明する。子局
２ａは、親局１へ伝達する情報信号１００を、変調器９
で変調信号１０１に変換し、光送信器１０内のレーザダ
イオード１１に入力する。情報信号１００がアンテナ１
２で受信した無線信号である場合には、変調器９は周波
数変換器として動作しても、あるいはレベル調整などの
動作をしても構わない。レーザダイオード１１は、変調
信号１０１により直接変調されて、予め子局２ａに割り
当てられた波長λａをもつ光信号１０２を親局１へ伝送
する。同様に、各子局２ｂ、２ｃからも波長λｂ、λｃ
をもつ光信号１０３、光信号１０４を出力する。各光信
号１０２、１０３、１０４は、光カプラ４を介して光フ
ァイバ３ｂで光多重される。光多重された光信号１０５
は、親局１内の光受信器１５で受信されて、受信信号１
０６となる。受信信号１０６は、復調器１６で復調され
て、各子局２からの情報信号１００を得る。子局２から
の光信号１０２、１０３、１０４の波長λa、λｂ、λ
ｃが接近すると、受信信号１０６の帯域内に光ビート雑
音が現れ、各子局から送られてくる情報信号１００の伝
送品質が劣化する。従って、光信号１０２、１０３、１
０４の波長λa、λｂ、λｃを制御して、光ビート雑音
の影響を回避する必要があり、各子局２は波長制御器１
８を備える。図１に示される波長制御器１８の概略構成
図を図２に示す。
光伝送システムの概略構成図を図１に示す。図１におい
て、親局１と複数の子局２ａ〜２ｃが光ファイバ３で接
続されている。本実施形態では、親局１から子局２への
下りリンク及び子局２から親局１への上りリンクは、バ
ス型の光ファイバ３ａ及び３ｂで接続しているが、スタ
ー型、ツリー型、あるいはパッシブ光多重であれば、そ
れ以外の伝送系でも構わない。本実施形態では、光ビー
ト雑音が問題となる上りリンクについて説明する。子局
２ａは、親局１へ伝達する情報信号１００を、変調器９
で変調信号１０１に変換し、光送信器１０内のレーザダ
イオード１１に入力する。情報信号１００がアンテナ１
２で受信した無線信号である場合には、変調器９は周波
数変換器として動作しても、あるいはレベル調整などの
動作をしても構わない。レーザダイオード１１は、変調
信号１０１により直接変調されて、予め子局２ａに割り
当てられた波長λａをもつ光信号１０２を親局１へ伝送
する。同様に、各子局２ｂ、２ｃからも波長λｂ、λｃ
をもつ光信号１０３、光信号１０４を出力する。各光信
号１０２、１０３、１０４は、光カプラ４を介して光フ
ァイバ３ｂで光多重される。光多重された光信号１０５
は、親局１内の光受信器１５で受信されて、受信信号１
０６となる。受信信号１０６は、復調器１６で復調され
て、各子局２からの情報信号１００を得る。子局２から
の光信号１０２、１０３、１０４の波長λa、λｂ、λ
ｃが接近すると、受信信号１０６の帯域内に光ビート雑
音が現れ、各子局から送られてくる情報信号１００の伝
送品質が劣化する。従って、光信号１０２、１０３、１
０４の波長λa、λｂ、λｃを制御して、光ビート雑音
の影響を回避する必要があり、各子局２は波長制御器１
８を備える。図１に示される波長制御器１８の概略構成
図を図２に示す。
【００２５】子局２内のレーザダイオード１１に対する
波長制御手段として、発熱のみの熱源素子１７を用い
る。発熱のみによる波長制御方法として、比例制御型を
例にとり説明する。図２において、レーザダイオード１
１のまわりには、発熱のみの熱源１７とレーザダイオー
ド１１の温度を検出するための熱検出器（例えば、サー
ミスタ等）１９を備える。すなわち、光送信器１０はレ
ーザダイオード１１、熱源１７を備え、さらに、サーミ
スタ１９を備えても良い。温度測定回路２０は、サーミ
スタ１９の抵抗値変化から、レーザダイオード１１の温
度を測定し、温度測定値１０７を出力する。温度測定値
１０７は、温度設定器２１からの温度設定値１０８と比
較回路２２で比較され、その誤差信号１０９を熱源駆動
回路２３に入力する。熱源駆動回路２３は、誤差信号１
０９の大きさに応じて、熱源１７の発熱量を比例制御し
て、レーザダイオード１１の温度を温度設定値１０８に
安定化させる。サーミスタ１９は、例えば、レーザダイ
オード１１のフランジに接着させ、レーザダイオード１
１の温度を感知しやすい位置に設置する。熱源１７も、
レーザダイオード１１のフランジに接着して、熱抵抗成
分を減らして消費電力の低減等を行うとよい。このよう
な発熱のみの温度制御においても、1.0 ℃以下の温度安
定度は達成でき、レーザダイオード１１から出力される
光信号１０２の波長λを0.1nm以下で制御することが可
能である。
波長制御手段として、発熱のみの熱源素子１７を用い
る。発熱のみによる波長制御方法として、比例制御型を
例にとり説明する。図２において、レーザダイオード１
１のまわりには、発熱のみの熱源１７とレーザダイオー
ド１１の温度を検出するための熱検出器（例えば、サー
ミスタ等）１９を備える。すなわち、光送信器１０はレ
ーザダイオード１１、熱源１７を備え、さらに、サーミ
スタ１９を備えても良い。温度測定回路２０は、サーミ
スタ１９の抵抗値変化から、レーザダイオード１１の温
度を測定し、温度測定値１０７を出力する。温度測定値
１０７は、温度設定器２１からの温度設定値１０８と比
較回路２２で比較され、その誤差信号１０９を熱源駆動
回路２３に入力する。熱源駆動回路２３は、誤差信号１
０９の大きさに応じて、熱源１７の発熱量を比例制御し
て、レーザダイオード１１の温度を温度設定値１０８に
安定化させる。サーミスタ１９は、例えば、レーザダイ
オード１１のフランジに接着させ、レーザダイオード１
１の温度を感知しやすい位置に設置する。熱源１７も、
レーザダイオード１１のフランジに接着して、熱抵抗成
分を減らして消費電力の低減等を行うとよい。このよう
な発熱のみの温度制御においても、1.0 ℃以下の温度安
定度は達成でき、レーザダイオード１１から出力される
光信号１０２の波長λを0.1nm以下で制御することが可
能である。
【００２６】図３は、発熱のみの熱源１７としてトラン
ジスタを用いた場合の光送信器及び波長制御器の回路構
成図である。基準電圧V1、抵抗R1、抵抗R2、サーミスタ
１９により、パッケージされたレーザダイオード１１の
温度を測定する。サーミスタ１９は、レーザダイオード
１１のフランジなどの外部と熱的に接触可能な熱的接触
部に接して配置し、パッケージ内のレーザダイオード１
１の温度変化に敏感にさせる。また、抵抗R3、R4、R5、
R6、コンデンサC、オペアンプにより、上記の測定した
レーザダイオード１１の温度値と温度設定値を比較す
る。比較された差分信号は、抵抗R7を介して、熱源であ
るトランジスタ１７のベースに入力される。パッケージ
内のレーザダイオード１１の温度と温度設定値の差分値
と負荷抵抗R8に応じて、トランジスタ１７に流入する電
流値を変化させ、トランジスタ１７の発熱量を変化させ
ることによって、パッケージ内のレーザダイオード１１
に対して温度制御を行う。通常、トランジスタ１７は個
別にパッケージされているが、放熱用に接地電極などの
外部と熱的に接触可能な熱的接触部が設けられている。
このトランジスタの熱的接触部とレーザダイオード１１
の外部と熱的に接触可能な熱的接触部を接して実装する
ことで、電子回路素子においても、レーザダイオード１
１の温度を変化させて、波長を制御することが可能であ
る。熱源素子１７として、図３ではNPNトランジスタを
用いたが、それ以外のPNPトランジスタやFETの電子回路
素子等を用いてもよいし、発熱するものであれば何でも
よい。レーザダイオード１１のパッケージが同軸型であ
る場合、レーザダイオードのアノードは、フランジと電
気的に接続され、グラウンドにおとされて動作特性を安
定させることが多い。そのため、面積があるフランジに
トランジスタを接して実装することは容易であり、熱伝
達の点から、温度変化を与えやすく、波長変化の効率は
良い。
ジスタを用いた場合の光送信器及び波長制御器の回路構
成図である。基準電圧V1、抵抗R1、抵抗R2、サーミスタ
１９により、パッケージされたレーザダイオード１１の
温度を測定する。サーミスタ１９は、レーザダイオード
１１のフランジなどの外部と熱的に接触可能な熱的接触
部に接して配置し、パッケージ内のレーザダイオード１
１の温度変化に敏感にさせる。また、抵抗R3、R4、R5、
R6、コンデンサC、オペアンプにより、上記の測定した
レーザダイオード１１の温度値と温度設定値を比較す
る。比較された差分信号は、抵抗R7を介して、熱源であ
るトランジスタ１７のベースに入力される。パッケージ
内のレーザダイオード１１の温度と温度設定値の差分値
と負荷抵抗R8に応じて、トランジスタ１７に流入する電
流値を変化させ、トランジスタ１７の発熱量を変化させ
ることによって、パッケージ内のレーザダイオード１１
に対して温度制御を行う。通常、トランジスタ１７は個
別にパッケージされているが、放熱用に接地電極などの
外部と熱的に接触可能な熱的接触部が設けられている。
このトランジスタの熱的接触部とレーザダイオード１１
の外部と熱的に接触可能な熱的接触部を接して実装する
ことで、電子回路素子においても、レーザダイオード１
１の温度を変化させて、波長を制御することが可能であ
る。熱源素子１７として、図３ではNPNトランジスタを
用いたが、それ以外のPNPトランジスタやFETの電子回路
素子等を用いてもよいし、発熱するものであれば何でも
よい。レーザダイオード１１のパッケージが同軸型であ
る場合、レーザダイオードのアノードは、フランジと電
気的に接続され、グラウンドにおとされて動作特性を安
定させることが多い。そのため、面積があるフランジに
トランジスタを接して実装することは容易であり、熱伝
達の点から、温度変化を与えやすく、波長変化の効率は
良い。
【００２７】本実施形態では、温度制御として比例制御
型について述べたが、それ以外の方法でも構わない。例
えば、熱源をOnとOffで単純に切り替えるOn-Off制御型
もある。On-Off制御の場合は、温度測定値１０７が温度
設定値１０８より高ければ熱源１７をOffとし、温度測
定値１０７が温度設定値１０８より低ければ熱源１７を
Onにする。熱源駆動回路２３では、例えば、動作感度を
上げてヒステリシスをもたせたり、また熱源容量を考慮
した時間遅れをもたせたりして、On-Offが頻繁に起こり
すぎないようにする。また、On-Off制御型の変形とし
て、パルス間隔制御型もある。このパルス間隔制御は、
On-Offを切り替える間隔及びその周期を変化させて、比
例制御型に近い制御が可能な方法である。これら以外の
方法を用いた温度制御でも構わない。
型について述べたが、それ以外の方法でも構わない。例
えば、熱源をOnとOffで単純に切り替えるOn-Off制御型
もある。On-Off制御の場合は、温度測定値１０７が温度
設定値１０８より高ければ熱源１７をOffとし、温度測
定値１０７が温度設定値１０８より低ければ熱源１７を
Onにする。熱源駆動回路２３では、例えば、動作感度を
上げてヒステリシスをもたせたり、また熱源容量を考慮
した時間遅れをもたせたりして、On-Offが頻繁に起こり
すぎないようにする。また、On-Off制御型の変形とし
て、パルス間隔制御型もある。このパルス間隔制御は、
On-Offを切り替える間隔及びその周期を変化させて、比
例制御型に近い制御が可能な方法である。これら以外の
方法を用いた温度制御でも構わない。
【００２８】図４及び図５は、光送信器１０の概略構成
図である。発熱のみの熱源１７としてトランジスタを用
いている。図４はレーザダイオードとして同軸型パッケ
ージ１１−ａを用いた場合の具体例である。図４におい
て、同軸型レーザダイオード１１−ａの熱的接触部（フ
ランジ）３１を筐体３２にネジ３３でネジ穴３４に固定
する。その際、ネジ３３に例えば樹脂、アクリル等の非
導電体を用い、さらに、筐体３２とフランジ３１の間
に、同様に樹脂、アクリル、テフロン（登録商標）等の
非導電体３５を設けることにより、同軸型レーザダイオ
ード１１−ａから筐体３２への熱伝導を抑えている。ま
た、ネジ止めする際には、熱源であるトランジスタ１７
の熱的接触部（熱伝導部、例えば放熱部）もフランジ３
１に接着して固定させる。通常、フランジ３１はグラン
ドにおとすことが多く、トランジスタ１７の熱伝導部も
グランド電極と共用になるようにすればよい。このよう
な構成とすることで、同軸型レーザダイオード１１−ａ
から筐体３２への熱伝導を抑えて、トランジスタ１７の
熱が同軸型レーザダイオード１１−ａに効率的に伝わ
り、かつ熱が逃げにくくなる。従って、少ない消費電力
のトランジスタによって同軸型レーザダイオード１１−
ａの波長を変化させることができる。また、同軸型レー
ザダイオード１１−ａの温度を測定するためのサーミス
タ１９はフランジ３１に接着させることで、同軸型レー
ザダイオード１１−ａの温度変化に敏感に反応して、温
度を正確に測定することが可能となる。
図である。発熱のみの熱源１７としてトランジスタを用
いている。図４はレーザダイオードとして同軸型パッケ
ージ１１−ａを用いた場合の具体例である。図４におい
て、同軸型レーザダイオード１１−ａの熱的接触部（フ
ランジ）３１を筐体３２にネジ３３でネジ穴３４に固定
する。その際、ネジ３３に例えば樹脂、アクリル等の非
導電体を用い、さらに、筐体３２とフランジ３１の間
に、同様に樹脂、アクリル、テフロン（登録商標）等の
非導電体３５を設けることにより、同軸型レーザダイオ
ード１１−ａから筐体３２への熱伝導を抑えている。ま
た、ネジ止めする際には、熱源であるトランジスタ１７
の熱的接触部（熱伝導部、例えば放熱部）もフランジ３
１に接着して固定させる。通常、フランジ３１はグラン
ドにおとすことが多く、トランジスタ１７の熱伝導部も
グランド電極と共用になるようにすればよい。このよう
な構成とすることで、同軸型レーザダイオード１１−ａ
から筐体３２への熱伝導を抑えて、トランジスタ１７の
熱が同軸型レーザダイオード１１−ａに効率的に伝わ
り、かつ熱が逃げにくくなる。従って、少ない消費電力
のトランジスタによって同軸型レーザダイオード１１−
ａの波長を変化させることができる。また、同軸型レー
ザダイオード１１−ａの温度を測定するためのサーミス
タ１９はフランジ３１に接着させることで、同軸型レー
ザダイオード１１−ａの温度変化に敏感に反応して、温
度を正確に測定することが可能となる。
【００２９】図５はレーザダイオードとしてMini-DIL型
パッケージ１１−ｂを用いた場合の具体例である。図５
のMini-DIL型レーザダイオード１１−ｂにおいては、基
板３９に対向する第１主面と反対側の第２主面に熱伝導
部がある。この熱伝導部に熱源であるトランジスタ１７
とサーミスタを接着させて固定する構成とする。放熱効
果の強い基板３９とトランジスタ１７との間にMini-DIL
型レーザダイオード１１−ｂを設けることにより、トラ
ンジスタ１７の熱をなるべく基板３９に逃がさずに、Mi
ni-DIL型レーザダイオード１１−ｂに伝えることが可能
である。
パッケージ１１−ｂを用いた場合の具体例である。図５
のMini-DIL型レーザダイオード１１−ｂにおいては、基
板３９に対向する第１主面と反対側の第２主面に熱伝導
部がある。この熱伝導部に熱源であるトランジスタ１７
とサーミスタを接着させて固定する構成とする。放熱効
果の強い基板３９とトランジスタ１７との間にMini-DIL
型レーザダイオード１１−ｂを設けることにより、トラ
ンジスタ１７の熱をなるべく基板３９に逃がさずに、Mi
ni-DIL型レーザダイオード１１−ｂに伝えることが可能
である。
【００３０】次に、発熱のみの温度制御が、発熱及び吸
熱による温度制御と異なる点について説明する。この異
なる点とは、レーザダイオード１１の温度は、レーザダ
イオード１１の周辺温度よりも高い温度設定値１０８に
しか安定化させられないことである。以下、本実施形態
に係る発熱のみの温度制御について詳細に説明してい
く。
熱による温度制御と異なる点について説明する。この異
なる点とは、レーザダイオード１１の温度は、レーザダ
イオード１１の周辺温度よりも高い温度設定値１０８に
しか安定化させられないことである。以下、本実施形態
に係る発熱のみの温度制御について詳細に説明してい
く。
【００３１】温度設定値１０８が子局２の周辺温度より
も十分高い場合は、レーザダイオード１１の温度は、温
度設定値１０８に追従する。しかし、子局２の周辺温度
が、温度設定値１０８よりも高い場合は、レーザダイオ
ード１１の温度は周辺温度に追従してしまう。従って、
レーザダイオード１１の温度は、温度設定値１０８から
外れて、波長制御がかかっていない状態となる。温度測
定値１０７は、波長制御がかかっている場合には、温度
設定値１０８と一致し、子局２の周辺温度が高くなり波
長制御が外れた場合には、周辺温度に追従したレーザダ
イオードの温度を示している。周辺温度とレーザダイオ
ード１１の温度測定値はほとんど等しいと考えられる。
従って、温度設定値１０８と温度測定値１０７の関係か
ら、波長制御の状態を把握することが可能である。本発
明における波長制御は、このような２つの波長状態を想
定する必要があり、その制御方法は幾つか考えられる。
も十分高い場合は、レーザダイオード１１の温度は、温
度設定値１０８に追従する。しかし、子局２の周辺温度
が、温度設定値１０８よりも高い場合は、レーザダイオ
ード１１の温度は周辺温度に追従してしまう。従って、
レーザダイオード１１の温度は、温度設定値１０８から
外れて、波長制御がかかっていない状態となる。温度測
定値１０７は、波長制御がかかっている場合には、温度
設定値１０８と一致し、子局２の周辺温度が高くなり波
長制御が外れた場合には、周辺温度に追従したレーザダ
イオードの温度を示している。周辺温度とレーザダイオ
ード１１の温度測定値はほとんど等しいと考えられる。
従って、温度設定値１０８と温度測定値１０７の関係か
ら、波長制御の状態を把握することが可能である。本発
明における波長制御は、このような２つの波長状態を想
定する必要があり、その制御方法は幾つか考えられる。
【００３２】波長制御の目的は、光ビート雑音の影響を
回避することであるため、親局１において、受信信号１
０６に光ビート雑音の影響が現れていない状態であれ
ば、波長λが、波長制御から外れて周辺温度に依存して
いても問題ではない。複数の光信号１０２の波長が近傍
にあり、光ビート雑音の影響を回避するために波長制御
を行う際には、波長制御器１８は、温度設定値１０８を
温度測定値１０７よりも高く設定することが必要であ
る。他の波長制御方法としては、予め、温度設定値１０
８を、レーザダイオード１１の周辺温度よりも十分高い
値に設定しておき、レーザダイオード１１への波長制御
が外れる状態を回避してもよい。子局２が室内などの周
辺温度が安定した場所に設置されるのであれば、レーザ
ダイオード１１の温度を温度設定値１０８に安定化させ
ておくことは容易である。従って、初期導入時、あるい
は定期点検時等において、受信信号１０６の帯域内に光
ビート雑音が発生しないように、子局２の波長λに対し
て、波長間隔を充分確保して波長設定する方法もある。
回避することであるため、親局１において、受信信号１
０６に光ビート雑音の影響が現れていない状態であれ
ば、波長λが、波長制御から外れて周辺温度に依存して
いても問題ではない。複数の光信号１０２の波長が近傍
にあり、光ビート雑音の影響を回避するために波長制御
を行う際には、波長制御器１８は、温度設定値１０８を
温度測定値１０７よりも高く設定することが必要であ
る。他の波長制御方法としては、予め、温度設定値１０
８を、レーザダイオード１１の周辺温度よりも十分高い
値に設定しておき、レーザダイオード１１への波長制御
が外れる状態を回避してもよい。子局２が室内などの周
辺温度が安定した場所に設置されるのであれば、レーザ
ダイオード１１の温度を温度設定値１０８に安定化させ
ておくことは容易である。従って、初期導入時、あるい
は定期点検時等において、受信信号１０６の帯域内に光
ビート雑音が発生しないように、子局２の波長λに対し
て、波長間隔を充分確保して波長設定する方法もある。
【００３３】但し、レーザダイオード１１は、通常、経
年劣化により発振波長λが変化していくことは珍しくな
い。また、子局２が室外に設定される場合などは、天候
による子局の周辺温度の変動により、レーザダイオード
１１の温度が大きく変化することが考えられる。そのよ
うな要因による波長変動に対して高い信頼性を提供する
波長制御方法を、第２の実施形態として示す。
年劣化により発振波長λが変化していくことは珍しくな
い。また、子局２が室外に設定される場合などは、天候
による子局の周辺温度の変動により、レーザダイオード
１１の温度が大きく変化することが考えられる。そのよ
うな要因による波長変動に対して高い信頼性を提供する
波長制御方法を、第２の実施形態として示す。
【００３４】（第２の実施形態）第２の実施形態に係る
光伝送システムの概略構成図を図６に示す。第１の実施
形態と同一の構成については同一番号を付した。第２の
実施形態は、親局１において光ビート雑音の有無を検出
し、その検出情報に基づいて各子局２の波長λを制御す
る方法である。
光伝送システムの概略構成図を図６に示す。第１の実施
形態と同一の構成については同一番号を付した。第２の
実施形態は、親局１において光ビート雑音の有無を検出
し、その検出情報に基づいて各子局２の波長λを制御す
る方法である。
【００３５】親局１において、光受信器１５で受信した
受信信号１０６の一部は、雑音検出器２４に入力され
る。雑音検出器２４は、受信信号１０６に含まれる光ビ
ート雑音の有無を検出する。周辺温度変化や経年劣化等
の影響から、いずれかの光信号１０２〜１０４の波長が
序々に接近して光ビート雑音が発生することが想定され
る。従って、光ビート雑音は、高い周波数帯域から、受
信信号１０６の情報信号帯域に接近してくるように発生
する。雑音検出器２４は、光ビート雑音が受信信号１０
６の伝送品質を劣化させる前に検出したいため、例え
ば、受信信号１０６よりも高い帯域に、雑音量のスレッ
ショルド値を設けて、光ビート雑音の有無を監視する。
光ビート雑音が無い場合は、各子局２のレーザダイオー
ド１１の波長λに対して制御は行わない。そして、光ビ
ート雑音が検出された場合は、光ビート雑音を低減する
ように、各子局２のレーザダイオード１１の波長λに対
して独立又は共通に制御を行う。雑音検出器２４は、子
局２の波長を制御するための波長制御信号１１１を発生
する。変調器５は、下りリンクの情報信号１１２を変調
信号に変換するとともに、波長制御信号１１１を重畳し
て、下り信号１１４を出力する。情報信号１１２が無線
信号である場合は、変調器５は各子局２に各情報信号を
割り当てるための周波数変換などを行い、波長制御信号
１１１をサブキャリア多重させる。下り信号１１４は、
光送信器６で光信号１１３に変換されて、親局１から子
局２へ伝送する。光信号１１３は、光ファイバ３ａ、光
カプラ４を介して、各子局２へ伝送される。
受信信号１０６の一部は、雑音検出器２４に入力され
る。雑音検出器２４は、受信信号１０６に含まれる光ビ
ート雑音の有無を検出する。周辺温度変化や経年劣化等
の影響から、いずれかの光信号１０２〜１０４の波長が
序々に接近して光ビート雑音が発生することが想定され
る。従って、光ビート雑音は、高い周波数帯域から、受
信信号１０６の情報信号帯域に接近してくるように発生
する。雑音検出器２４は、光ビート雑音が受信信号１０
６の伝送品質を劣化させる前に検出したいため、例え
ば、受信信号１０６よりも高い帯域に、雑音量のスレッ
ショルド値を設けて、光ビート雑音の有無を監視する。
光ビート雑音が無い場合は、各子局２のレーザダイオー
ド１１の波長λに対して制御は行わない。そして、光ビ
ート雑音が検出された場合は、光ビート雑音を低減する
ように、各子局２のレーザダイオード１１の波長λに対
して独立又は共通に制御を行う。雑音検出器２４は、子
局２の波長を制御するための波長制御信号１１１を発生
する。変調器５は、下りリンクの情報信号１１２を変調
信号に変換するとともに、波長制御信号１１１を重畳し
て、下り信号１１４を出力する。情報信号１１２が無線
信号である場合は、変調器５は各子局２に各情報信号を
割り当てるための周波数変換などを行い、波長制御信号
１１１をサブキャリア多重させる。下り信号１１４は、
光送信器６で光信号１１３に変換されて、親局１から子
局２へ伝送する。光信号１１３は、光ファイバ３ａ、光
カプラ４を介して、各子局２へ伝送される。
【００３６】各子局２は、親局１から伝送されてきた光
信号１１３を、光受信器７で受信する。光受信器７は、
親局１からの下り信号１１４を復調器８へ出力する。復
調器８は、下り信号１１４から、情報信号１１２と波長
制御信号１１１を抽出し、波長制御信号１１１は波長制
御器１８へ出力する。波長制御器１８は、波長制御信号
１１１に基づいて、レーザダイオード１１の波長λを制
御する。波長制御信号１１１は、例えば、“+0.05nm”
または“―0.10nm”等の波長シフトの情報とする。子局
２側は、その波長制御信号１１１に基づいて、波長λを
制御して、光ビート雑音の影響を回避する。ここで第１
の実施形態において言及したように、波長制御器１８内
の温度設定値１０８が子局２の周辺温度よりも十分高い
場合は、上記のような波長シフト情報でもよい。但し、
子局２が室外に設置され、仮に温度設定値１０８が室温
程度である場合、レーザダイオード１１の温度が温度設
定値１０８よりも高くなることが考えられる。そのた
め、子局２は、波長制御を行う際には、必ず、温度設定
値１０８をレーザダイオード１１の温度測定値１０７よ
りも高く設定する。
信号１１３を、光受信器７で受信する。光受信器７は、
親局１からの下り信号１１４を復調器８へ出力する。復
調器８は、下り信号１１４から、情報信号１１２と波長
制御信号１１１を抽出し、波長制御信号１１１は波長制
御器１８へ出力する。波長制御器１８は、波長制御信号
１１１に基づいて、レーザダイオード１１の波長λを制
御する。波長制御信号１１１は、例えば、“+0.05nm”
または“―0.10nm”等の波長シフトの情報とする。子局
２側は、その波長制御信号１１１に基づいて、波長λを
制御して、光ビート雑音の影響を回避する。ここで第１
の実施形態において言及したように、波長制御器１８内
の温度設定値１０８が子局２の周辺温度よりも十分高い
場合は、上記のような波長シフト情報でもよい。但し、
子局２が室外に設置され、仮に温度設定値１０８が室温
程度である場合、レーザダイオード１１の温度が温度設
定値１０８よりも高くなることが考えられる。そのた
め、子局２は、波長制御を行う際には、必ず、温度設定
値１０８をレーザダイオード１１の温度測定値１０７よ
りも高く設定する。
【００３７】（第３の実施形態）親局１で各子局２の波
長を集中管理する場合は、波長制御を正確に行うため
に、親局１は、子局２内のレーザダイオード１１の温度
を把握する必要がある。そのような伝送システムを、第
３の実施形態として説明する。
長を集中管理する場合は、波長制御を正確に行うため
に、親局１は、子局２内のレーザダイオード１１の温度
を把握する必要がある。そのような伝送システムを、第
３の実施形態として説明する。
【００３８】第３の実施形態に係る光伝送システムの概
略構成図を図７に示す。子局２ａは、親局１へ伝送する
変調信号１０１に、温度測定回路２０からの温度情報信
号１０７を重畳して、これらの信号１０１、１０７でレ
ーザダイオード１１を駆動する。レーザダイオード１１
は光信号１０２を出力し、親局１へ伝送する。親局１で
は、各子局２からの光信号１０２、１０３、１０４が光
多重された光信号１０５を、光受信器１５で受信し、受
信信号１０６を得る。受信信号１０６は３つに分岐され
て、温度情報受信器２５、雑音検出器２４、復調器１６
へ出力される。温度情報受信器２５は、各子局２からの
温度情報信号１０７を抽出する。一方、雑音検出器２４
は、光ビート雑音の有無を検出する。雑音検出器２４に
おいて、光ビート雑音が検出されていない状態であれ
ば、各子局２の波長制御を行う必要はない。光ビート雑
音が検出された場合は、子局２の波長制御を行う。波長
制御信号発生器２６では、温度情報受信器２５及び雑音
検出器２４から伝達される情報から、各子局２の温度設
定値を決める波長制御信号１１１を出力する。波長制御
信号１１１は、変調器５において、情報信号１１２に重
畳されて、下り信号１１４となり、子局２側へ伝送され
る。この際、波長制御信号発生器２６は、子局２側の温
度情報がわかっているので、レーザダイオード１１の温
度よりも高い温度設定値の情報を出力する。従って、子
局２の周辺温度が温度設定値よりも高くなり、波長制御
器１８が機能しないことを回避し、子局２の波長λを確
実に制御することが可能なる。また、親局１で温度情報
を把握することは、各子局２の波長制御器１８が機能し
ているかを親局１で把握することになり、保守及び管理
が容易になる利点もある。
略構成図を図７に示す。子局２ａは、親局１へ伝送する
変調信号１０１に、温度測定回路２０からの温度情報信
号１０７を重畳して、これらの信号１０１、１０７でレ
ーザダイオード１１を駆動する。レーザダイオード１１
は光信号１０２を出力し、親局１へ伝送する。親局１で
は、各子局２からの光信号１０２、１０３、１０４が光
多重された光信号１０５を、光受信器１５で受信し、受
信信号１０６を得る。受信信号１０６は３つに分岐され
て、温度情報受信器２５、雑音検出器２４、復調器１６
へ出力される。温度情報受信器２５は、各子局２からの
温度情報信号１０７を抽出する。一方、雑音検出器２４
は、光ビート雑音の有無を検出する。雑音検出器２４に
おいて、光ビート雑音が検出されていない状態であれ
ば、各子局２の波長制御を行う必要はない。光ビート雑
音が検出された場合は、子局２の波長制御を行う。波長
制御信号発生器２６では、温度情報受信器２５及び雑音
検出器２４から伝達される情報から、各子局２の温度設
定値を決める波長制御信号１１１を出力する。波長制御
信号１１１は、変調器５において、情報信号１１２に重
畳されて、下り信号１１４となり、子局２側へ伝送され
る。この際、波長制御信号発生器２６は、子局２側の温
度情報がわかっているので、レーザダイオード１１の温
度よりも高い温度設定値の情報を出力する。従って、子
局２の周辺温度が温度設定値よりも高くなり、波長制御
器１８が機能しないことを回避し、子局２の波長λを確
実に制御することが可能なる。また、親局１で温度情報
を把握することは、各子局２の波長制御器１８が機能し
ているかを親局１で把握することになり、保守及び管理
が容易になる利点もある。
【００３９】図８に、親局１と子局２間における波長制
御のアルゴリズム例を示す。但し、図８のアルゴリズム
中における、親局１の雑音検出器２４で光ビート雑音の
発生に関与している子局２を判断する方法は、例えば特
開平11-275010号公報に示されている方法である。大き
く異なる点は、子局の周辺温度が温度設定値よりも高い
場合でも正確に波長制御が行えるように、長波長側への
波長シフトから波長制御フローが始まることにある。
御のアルゴリズム例を示す。但し、図８のアルゴリズム
中における、親局１の雑音検出器２４で光ビート雑音の
発生に関与している子局２を判断する方法は、例えば特
開平11-275010号公報に示されている方法である。大き
く異なる点は、子局の周辺温度が温度設定値よりも高い
場合でも正確に波長制御が行えるように、長波長側への
波長シフトから波長制御フローが始まることにある。
【００４０】親局１内の雑音検出器２４は、光ビート雑
音 (以下、OBI: Optical Beat Interferenceと記述) を
定期的に監視し、光ビート雑音の雑音量がスレッショル
ド (以下、Vthと記述) 以上となった場合に、子局２の
波長を制御するフローに入る（Ｓ１００）。各子局２
は、サブキャリア多重するため、それぞれ固有の周波数
帯が割り当てられている。親局１は、OBIに含まれてい
る周波数成分を検出して（Ｓ１１０）、その検出結果か
ら、OBIに関与している子局2i、子局2i+1を特定する
（Ｓ１２０）。そして、どちらかの子局２を選択する。
ここでは子局2i+1を選択したと想定する。親局１は、子
局２i+1のための温度設定値を、子局２i+1のレーザダイ
オードの温度よりも高く設定し（Ｓ１３０）、確実に波
長制御が行えるようにする。そして、波長制御信号１１
１を子局２i+1に伝達し、子局2i+1の波長を長波長側に
シフトする（Ｓ１４０）。波長シフト量dλは、例えば
0.05nmとする。波長シフト量dλの大きさは、OBIを低減
させる十分なシフト量であり、かつ、他子局２間との新
たなOBIを発生しない程度のシフト量が望まれる。後述
するように、隣接波長間隔は、0.16nm以上あれば、光ビ
ート雑音量はほとんど影響を及ぼさない。まず光ビート
雑音を検出するには、光ビート雑音量に変化が現れはじ
める0.16nm辺りが最適である。それ以上の波長差では光
ビート雑音量は-140dB/Hz以下で横ばいの状態であり、
光ビート雑音の発生を検出することが困難である。光ビ
ート雑音を検出し、0.05 nmとしたdλの波長シフトを施
すと、波長間隔は0.11nmまたは0.21nmとなる。子局2iと
子局2i+1の波長間隔が0.21 nmとなればOBIは十分低減さ
れる。また、0.11nmの場合は、OBIが大きくなるが -130
dB/Hz程度であり、受信信号１０６の伝送品質に致命的
な影響はまだ及ぼさない。そのためdλ=0.05nmあたりが
適当であるが、ｄλはそれ以外の値でも構わない。波長
をシフトした後、雑音検出器でOBIを測定する（Ｓ１５
０，Ｓ１６０）。OBIがVth以下まで低減されていれば、
制御フローは終了する（Ｓ１７０）。
音 (以下、OBI: Optical Beat Interferenceと記述) を
定期的に監視し、光ビート雑音の雑音量がスレッショル
ド (以下、Vthと記述) 以上となった場合に、子局２の
波長を制御するフローに入る（Ｓ１００）。各子局２
は、サブキャリア多重するため、それぞれ固有の周波数
帯が割り当てられている。親局１は、OBIに含まれてい
る周波数成分を検出して（Ｓ１１０）、その検出結果か
ら、OBIに関与している子局2i、子局2i+1を特定する
（Ｓ１２０）。そして、どちらかの子局２を選択する。
ここでは子局2i+1を選択したと想定する。親局１は、子
局２i+1のための温度設定値を、子局２i+1のレーザダイ
オードの温度よりも高く設定し（Ｓ１３０）、確実に波
長制御が行えるようにする。そして、波長制御信号１１
１を子局２i+1に伝達し、子局2i+1の波長を長波長側に
シフトする（Ｓ１４０）。波長シフト量dλは、例えば
0.05nmとする。波長シフト量dλの大きさは、OBIを低減
させる十分なシフト量であり、かつ、他子局２間との新
たなOBIを発生しない程度のシフト量が望まれる。後述
するように、隣接波長間隔は、0.16nm以上あれば、光ビ
ート雑音量はほとんど影響を及ぼさない。まず光ビート
雑音を検出するには、光ビート雑音量に変化が現れはじ
める0.16nm辺りが最適である。それ以上の波長差では光
ビート雑音量は-140dB/Hz以下で横ばいの状態であり、
光ビート雑音の発生を検出することが困難である。光ビ
ート雑音を検出し、0.05 nmとしたdλの波長シフトを施
すと、波長間隔は0.11nmまたは0.21nmとなる。子局2iと
子局2i+1の波長間隔が0.21 nmとなればOBIは十分低減さ
れる。また、0.11nmの場合は、OBIが大きくなるが -130
dB/Hz程度であり、受信信号１０６の伝送品質に致命的
な影響はまだ及ぼさない。そのためdλ=0.05nmあたりが
適当であるが、ｄλはそれ以外の値でも構わない。波長
をシフトした後、雑音検出器でOBIを測定する（Ｓ１５
０，Ｓ１６０）。OBIがVth以下まで低減されていれば、
制御フローは終了する（Ｓ１７０）。
【００４１】OBIは減少したが、依然としてVth以上であ
れば、他子局2とのOBIが新たに発生した可能性があるた
め、再度OBIに関与している子局2を特定する（Ｓ１８
０）。OBIに関与している子局2に変化がなければ、子局
2i+1の波長を、再度、長波長側にシフトさせる（Ｓ１４
０へ）。また新たに関与している子局2i+2を検出した場
合は、波長シフトされた子局2i+1とのOBIであるため、
子局2i+1と子局2i+2について波長制御フローを行う（Ｓ
１２０へ）。図８では、（ａ）2i+1、2i+2を2i、2i+1と
変数を置換して示している。一方、OBIが増加した際に
は、２つの場合が考えられる。一つめは、子局2i+1が子
局2i以外の子局2i+2と新たなOBIを発生させた場合であ
り、もう一つは、子局2i、子局2i+1の波長を接近させて
しまった場合である。そのため、OBIが増加したら、ま
ずOBIに関与している子局２を特定する（Ｓ１９０）。O
BIに関与している子局２に変化があれば、前者の場合で
ある。前者の場合は、子局２i+1と子局２iのOBIを低減
させておく必要があるため、子局２i+1の波長はシフト
させたままとする。そして、子局２i+2の波長を長波長
側にシフトさせることになる。図８においては、（ａ）
子局２i+1、２i+2を子局２i、２i+1と置換して、波長制
御のフローを繰りかえす形態で図示している。また、OB
Iに関与している子局２に変化がなければ、後者の場合
なので、シフトさせた子局２i+1の波長を元の設定値に
戻し、子局２iの波長を長波長側にシフトさせる。図８
ではこのフローを※印で示している。このとき、子局２
iの波長をシフトさせた場合に、他子局２i+2との新たな
OBIを発生させる可能性がある。その場合は、子局２i+2
の波長をシフトさせる必要がある。図８では、※印の制
御フローの後に、OBIに関与している新たな子局２i+2を
特定した場合の変数置換は、（ｂ）(i, i+2) → (i, i+
1) と示している。波長制御のアルゴリズムは、図８以
外にもいろいろ考えられ、他の方法でも構わない。
れば、他子局2とのOBIが新たに発生した可能性があるた
め、再度OBIに関与している子局2を特定する（Ｓ１８
０）。OBIに関与している子局2に変化がなければ、子局
2i+1の波長を、再度、長波長側にシフトさせる（Ｓ１４
０へ）。また新たに関与している子局2i+2を検出した場
合は、波長シフトされた子局2i+1とのOBIであるため、
子局2i+1と子局2i+2について波長制御フローを行う（Ｓ
１２０へ）。図８では、（ａ）2i+1、2i+2を2i、2i+1と
変数を置換して示している。一方、OBIが増加した際に
は、２つの場合が考えられる。一つめは、子局2i+1が子
局2i以外の子局2i+2と新たなOBIを発生させた場合であ
り、もう一つは、子局2i、子局2i+1の波長を接近させて
しまった場合である。そのため、OBIが増加したら、ま
ずOBIに関与している子局２を特定する（Ｓ１９０）。O
BIに関与している子局２に変化があれば、前者の場合で
ある。前者の場合は、子局２i+1と子局２iのOBIを低減
させておく必要があるため、子局２i+1の波長はシフト
させたままとする。そして、子局２i+2の波長を長波長
側にシフトさせることになる。図８においては、（ａ）
子局２i+1、２i+2を子局２i、２i+1と置換して、波長制
御のフローを繰りかえす形態で図示している。また、OB
Iに関与している子局２に変化がなければ、後者の場合
なので、シフトさせた子局２i+1の波長を元の設定値に
戻し、子局２iの波長を長波長側にシフトさせる。図８
ではこのフローを※印で示している。このとき、子局２
iの波長をシフトさせた場合に、他子局２i+2との新たな
OBIを発生させる可能性がある。その場合は、子局２i+2
の波長をシフトさせる必要がある。図８では、※印の制
御フローの後に、OBIに関与している新たな子局２i+2を
特定した場合の変数置換は、（ｂ）(i, i+2) → (i, i+
1) と示している。波長制御のアルゴリズムは、図８以
外にもいろいろ考えられ、他の方法でも構わない。
【００４２】図９に、２つの子局から出力される光信号
の波長間隔Δλ [nm]と、光ビート雑音の大きさを表すR
OBIN (Relative Optical Beat Interference noise) [d
B/Hz]の関係を、レーザダイオードの光変調度OMI (Opti
cal Modulation Index)をパラメータにとり示す。各レ
ーザダイオードを100MHzまたは110MHzの正弦波信号で変
調した場合のROBINを1GHz帯で測定した。図９から、Δ
λが小さくなるにつれて、光ビート雑音量が大きくなっ
ていることがわかる。光ビート雑音量の影響が無視でき
るレベルを、レーザダイオードの相対強度雑音相当とし
て-140dB/Hz以下とすると、OMIに応じてROBINの変化差
はあるものの、Δλは0.16 nm以上であればよい。ま
た、レーザダイオードの波長の温度依存性は、典型値と
して0.1nm/℃である。仮に、全てのレーザダイオードの
出力波長が一致している場合においても、各レーザダイ
オードに対して1.6 ℃以上の温度差を与えることで、光
ビート雑音は回避可能である。子局数が２つであれば少
なくとも1.6 ℃、子局数が４つであれば少なくとも4.8
℃、子局数が８個であれば少なくとも12.8 ℃の温度変
化を付加すれば良い。さらに、パッシブ光多重伝送系に
おいては、各子局の波長は等間隔に並んでいる必要はな
い。そのため、波長制御器は、波長間隔として0.16 nm
以上の波長変化を与えることが可能な構成であれば十分
であり、例えば、周囲温度を１．６°以上上げることが
可能な小電力トランジスタが挙げられる。
の波長間隔Δλ [nm]と、光ビート雑音の大きさを表すR
OBIN (Relative Optical Beat Interference noise) [d
B/Hz]の関係を、レーザダイオードの光変調度OMI (Opti
cal Modulation Index)をパラメータにとり示す。各レ
ーザダイオードを100MHzまたは110MHzの正弦波信号で変
調した場合のROBINを1GHz帯で測定した。図９から、Δ
λが小さくなるにつれて、光ビート雑音量が大きくなっ
ていることがわかる。光ビート雑音量の影響が無視でき
るレベルを、レーザダイオードの相対強度雑音相当とし
て-140dB/Hz以下とすると、OMIに応じてROBINの変化差
はあるものの、Δλは0.16 nm以上であればよい。ま
た、レーザダイオードの波長の温度依存性は、典型値と
して0.1nm/℃である。仮に、全てのレーザダイオードの
出力波長が一致している場合においても、各レーザダイ
オードに対して1.6 ℃以上の温度差を与えることで、光
ビート雑音は回避可能である。子局数が２つであれば少
なくとも1.6 ℃、子局数が４つであれば少なくとも4.8
℃、子局数が８個であれば少なくとも12.8 ℃の温度変
化を付加すれば良い。さらに、パッシブ光多重伝送系に
おいては、各子局の波長は等間隔に並んでいる必要はな
い。そのため、波長制御器は、波長間隔として0.16 nm
以上の波長変化を与えることが可能な構成であれば十分
であり、例えば、周囲温度を１．６°以上上げることが
可能な小電力トランジスタが挙げられる。
【００４３】以上説明した第１〜第３の実施形態におい
ては、レーザダイオード１１の波長制御に発熱のみの熱
源１７を用いていたが、温度を制御する方向が一方向で
あるという点から、吸熱のみの波長制御でも構わない。
レーザダイオード１１に対して吸熱のみを提供する方法
は、例えば、ペルチェ素子を、一方向のみで電流を注入
して使用し、吸熱面をレーザダイオード１１に接して実
装させる、インバータ付きのファンをレーザダイオード
に向けてまわし、レーザダイオードの温度上昇を抑える
等が考えられる。発熱素子としては、ニクロム線などの
発熱体であっても良い。また、情報信号１００がバース
ト的であり強度が変動するような無線信号である場合
は、レーザダイオード１１の光変調度が0.0から1.0を超
えて広範囲にばらつくことが考えられる。しかし、光ビ
ート雑音は、図９に示されるように、光変調度に依存せ
ず、Δλが0.16nm近傍から増加する同様の振る舞いを示
し、本発明による第１〜第３の実施形態を適用すること
が可能である。
ては、レーザダイオード１１の波長制御に発熱のみの熱
源１７を用いていたが、温度を制御する方向が一方向で
あるという点から、吸熱のみの波長制御でも構わない。
レーザダイオード１１に対して吸熱のみを提供する方法
は、例えば、ペルチェ素子を、一方向のみで電流を注入
して使用し、吸熱面をレーザダイオード１１に接して実
装させる、インバータ付きのファンをレーザダイオード
に向けてまわし、レーザダイオードの温度上昇を抑える
等が考えられる。発熱素子としては、ニクロム線などの
発熱体であっても良い。また、情報信号１００がバース
ト的であり強度が変動するような無線信号である場合
は、レーザダイオード１１の光変調度が0.0から1.0を超
えて広範囲にばらつくことが考えられる。しかし、光ビ
ート雑音は、図９に示されるように、光変調度に依存せ
ず、Δλが0.16nm近傍から増加する同様の振る舞いを示
し、本発明による第１〜第３の実施形態を適用すること
が可能である。
【００４４】尚、本実施形態が適用可能なレーザダイオ
ードのパッケージは同軸型やMini-DIL型に限定されるも
のではなく、レーザダイオードのみがパッケージされて
いる簡易な構成のものであれば種々適用可能である。
ードのパッケージは同軸型やMini-DIL型に限定されるも
のではなく、レーザダイオードのみがパッケージされて
いる簡易な構成のものであれば種々適用可能である。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、発熱一方向の温度変化
により、光信号の波長を制御する簡易な方法で、光ビー
ト雑音の伝送品質への影響を抑圧することを可能とす
る。波長制御は一方向のみの温度制御であるため、制御
系の発振は発生しにくく、レーザダイオードのパッケー
ジを含めた熱伝達による固体差に依存せず、安定して波
長を制御することが可能である。ペルチェ素子が内蔵不
可能な同軸型やMini−DIL型等のパッケージのレーザダ
イオードに対しても、本発明による発熱のみの波長制御
を適用することで、光伝送部の低コスト化を果たすこと
が可能となる。波長制御器の回路規模は一方向のみの温
度制御で良いため、従来の放熱及び吸熱の波長制御器の
回路規模と比較して構成は約半分となる。そのため、子
局の小型化にも適している。
により、光信号の波長を制御する簡易な方法で、光ビー
ト雑音の伝送品質への影響を抑圧することを可能とす
る。波長制御は一方向のみの温度制御であるため、制御
系の発振は発生しにくく、レーザダイオードのパッケー
ジを含めた熱伝達による固体差に依存せず、安定して波
長を制御することが可能である。ペルチェ素子が内蔵不
可能な同軸型やMini−DIL型等のパッケージのレーザダ
イオードに対しても、本発明による発熱のみの波長制御
を適用することで、光伝送部の低コスト化を果たすこと
が可能となる。波長制御器の回路規模は一方向のみの温
度制御で良いため、従来の放熱及び吸熱の波長制御器の
回路規模と比較して構成は約半分となる。そのため、子
局の小型化にも適している。
【００４６】また、パッシブ光多重伝送系においては、
各子局の波長は等間隔に並んでいる必要はなく、各子局
の波長間隔が0.16 nm以上であればよい。発熱素子に
は、大規模なヒータ等ではなく、小型で消費電力の少な
いトランジスタを用いることで、発熱点を一箇所に集約
し、効率よくレーザダイオードを加熱することができ
る。またトランジスタ自体は、封止されているため結露
の心配がない。
各子局の波長は等間隔に並んでいる必要はなく、各子局
の波長間隔が0.16 nm以上であればよい。発熱素子に
は、大規模なヒータ等ではなく、小型で消費電力の少な
いトランジスタを用いることで、発熱点を一箇所に集約
し、効率よくレーザダイオードを加熱することができ
る。またトランジスタ自体は、封止されているため結露
の心配がない。
【００４７】従って、長期的に高い信頼性を備えてお
り、簡易な構成であり、かつ効率的な消費電力の波長制
御系を提供することが可能となる。
り、簡易な構成であり、かつ効率的な消費電力の波長制
御系を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る光伝送システ
ムの概略構成図。
ムの概略構成図。
【図２】 波長制御器１８の概略構成図。
【図３】 発熱のみの熱源としてトランジスタを用いた
場合の波長制御器１８の回路構成図。
場合の波長制御器１８の回路構成図。
【図４】 レーザーダイオードとして同軸型パッケージ
を用いた場合の光送信器１０の概略構成図。
を用いた場合の光送信器１０の概略構成図。
【図５】 レーザーダイオードとしてMini-DIL型パッケ
ージを用いた場合の光送信器１０の概略構成図。
ージを用いた場合の光送信器１０の概略構成図。
【図６】 本発明の第２の実施形態に係る光伝送システ
ムの概略構成図。
ムの概略構成図。
【図７】 本発明の第３の実施形態に係る光伝送システ
ムの概略構成図。
ムの概略構成図。
【図８】 本発明の波長制御アルゴリズムを示した構成
図。
図。
【図９】 波長間隔と光ビート雑音の関係を示した図。
【図１０】 光ビート雑音を説明するための図。
１ 親局 ２ 子局 ３ 光ファイバ ４ 光カプラ ５ 変調器 ６ 光送信器 ７ 光受信器 ８ 復調器 ９ 変調器 １０ 光送信器 １１ レーザダイオード １２ アンテナ １５ 光受信器 １６ 復調器 １７ 発熱のみの熱源（トランジスタ） １８ 波長制御器 １９ 熱検出器（サーミスタ） ２０ 温度測定回路 ２１ 温度設定器 ２２ 比較回路 ２３ 熱源駆動回路 ２４ 雑音検出器 ２５ 温度情報受信器 ２６ 波長制御信号発生器１００ 情報信号 １０１ 変調信号 １０２ 子局２ａからの上り光信号 １０３ 子局２ｂからの上り光信号 １０４ 子局２ｃからの上り光信号 １０５ 光多重信号 １０６ 受信信号 １０７ 温度情報信号 １０８ 温度設定値 １０９ 差分信号 １１１ 波長制御信号 １１２ 情報信号 １１３ 下り光信号 １１４ 下り信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｑ 7/26 7/30 (72)発明者 大島 茂 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 5F073 BA02 EA03 EA15 EA27 GA02 GA14 GA18 GA23 5K002 AA01 BA13 CA05 DA02 FA01 5K067 CC02 DD57 EE10 EE16 EE37 GG01 GG11 KK01
Claims (11)
- 【請求項１】 外部と熱的に接触可能な第１の熱的接触
部を有し、パッケージされたレーザダイオードと、 前記第１の熱的接触部に設けられ、外部と熱的に接触可
能な第２の熱的接触部を有する発熱のみの熱源を備える
光送信器。 - 【請求項２】前記第１の熱的接触部に設けられた熱検出
器を備えることを特徴とする請求項１記載の光送信器。 - 【請求項３】 前記レーザダイオードから発振される光
の波長が前記発熱のみの熱源から与えられる熱によって
制御されることを特徴とする請求項１又は２記載の光送
信器。 - 【請求項４】 前記発熱のみの熱源がトランジスタであ
ることを特徴とする請求項１乃至３記載の光送信器。 - 【請求項５】 前記レーザダイオードのパッケージが同
軸型パッケージであることを特徴とする請求項１乃至４
記載の光送信器。 - 【請求項６】 前記レーザダイオードのパッケージがMi
ni-DIL型パッケージであることを特徴とする請求項１乃
至４記載の光送信器。 - 【請求項７】 情報信号に応じた光信号を出力する請求
項１乃至６記載の光送信器をそれぞれ備える複数の子局
と、 前記複数の子局からの光信号が光多重された光多重信号
を受信する親局を備える光伝送システムであって、前記
子局は、前記光送信器の発熱のみの熱源の発熱量を調節
することによって、前記光送信器のレーザダイオードか
ら出力される光信号の波長を制御する波長制御器をさら
に備えることを特徴とする光伝送システム。 - 【請求項８】 前記親局は、前記受信した光多重信号か
ら光ビート雑音を検出する検出器を備え、 前記親局は前記検出器の出力結果を元に前記光送信器の
レーザダイオードの波長を制御するための波長制御信号
を前記子局へ出力し、 前記子局の波長制御器は、受け取った前記波長制御信号
に応じて前記レーザダイオードから出力される光信号の
波長を制御することにより、前記光ビート雑音を抑制す
ることを特徴とする請求項７記載の光伝送システム。 - 【請求項９】 前記波長制御器は、前記レーザダイオー
ドの温度を測定し、温度情報信号を出力する温度測定器
を備え、 前記子局は前記温度情報信号にも応じた前記光信号を前
記親局へ送信し、 前記親局は前記温度情報信号を受信する温度情報受信器
を備え、 前記親局は前記検出器及び温度情報受信器の出力結果を
元に前記レーザダイオードの波長を制御するための波長
制御信号を前記子局へ出力することを特徴とする請求項
８記載の光伝送システム。 - 【請求項１０】 前記子局はアンテナを備え、 前記情報信号は前記アンテナで受信した無線信号である
ことを特徴とする請求項７乃至９記載の光伝送システ
ム。 - 【請求項１１】 前記子局は周波数変換器を備え、 前記情報信号は子局毎に異なる周波数帯に前記周波数変
換器で周波数変換され、この周波数変換された信号に応
じた光信号が、前記親局へ光サブキャリア多重伝送され
ることを特徴とする請求項７乃至１０記載の光伝送シス
テム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038022A JP2002246683A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 光送信器及び光伝送システム |
| US10/073,974 US20020109892A1 (en) | 2001-02-15 | 2002-02-14 | Light transmitter and optical transfer system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038022A JP2002246683A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 光送信器及び光伝送システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246683A true JP2002246683A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18901073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001038022A Pending JP2002246683A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 光送信器及び光伝送システム |
Country Status (2)
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