JP2002246376A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、
前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、
前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、
前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層と
を具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項2】 前記熱線吸収層は、溶射膜であることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項3】 前記熱線吸収層は、前記誘電体壁の前記処理室側の面を覆うカバー部材であることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項4】 前記カバー部材の前記誘電体壁側の面には、熱線吸収性膜が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項5】 前記熱線吸収層は、セラミックスからなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項6】 前記誘電体壁の上方に設けられ、前記アンテナを収容するアンテナ室をさらに具備し、前記ランプは前記アンテナ室の外方から熱線を照射することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項7】 前記アンテナ室を減圧する減圧手段をさらに具備することを特徴とする請求項6に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項8】 前記アンテナは、前記ランプからの熱線を反射する反射皮膜を有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項9】 前記誘電体壁は、熱線透過性を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項1】 被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、
前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、
前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、
前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層と
を具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項2】 前記熱線吸収層は、溶射膜であることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項3】 前記熱線吸収層は、前記誘電体壁の前記処理室側の面を覆うカバー部材であることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項4】 前記カバー部材の前記誘電体壁側の面には、熱線吸収性膜が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項5】 前記熱線吸収層は、セラミックスからなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項6】 前記誘電体壁の上方に設けられ、前記アンテナを収容するアンテナ室をさらに具備し、前記ランプは前記アンテナ室の外方から熱線を照射することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項7】 前記アンテナ室を減圧する減圧手段をさらに具備することを特徴とする請求項6に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項8】 前記アンテナは、前記ランプからの熱線を反射する反射皮膜を有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項9】 前記誘電体壁は、熱線透過性を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層とを具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層とを具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
上記構成によれば、前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層とを具備するので、前記ランプからの熱線により前記熱線吸収層を発熱させることによって、前記誘電体壁の処理室側の全面を直接的に効率よく加熱して高温化することができ、前記誘電体壁への反応生成物の付着を有効に防止することができる。
さらにまた、前記アンテナは、前記ランプからの熱線を反射する反射皮膜を有することが好ましい。これにより前記ランプからの熱線により前記アンテナが加熱されることを防止することができる。さらにまた、前記誘電体壁は、熱線透過性を有することが好ましい。
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JP2001045556A JP4554097B2 (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001045556A JP4554097B2 (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
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---|---|
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JPH05343361A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nec Corp | 反応性イオンエッチング装置 |
JP3153768B2 (ja) * | 1995-08-17 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4194164B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2008-12-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2000340548A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
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2001
- 2001-02-21 JP JP2001045556A patent/JP4554097B2/ja not_active Expired - Fee Related
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