JP2002240432A - 光記録媒体、その製造方法および光記録再生装置 - Google Patents
光記録媒体、その製造方法および光記録再生装置Info
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- recording
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化記録において、CAV,ZCAV方式の場合
に、線速度が速い外周ではマーク後端の結晶化が不十分
となり、アモルファスマーク後端の裾引きが発生する従
来の問題点を解決するために、特定の成分構成の記録媒
体の、半径方向のゾーンのレーザーパワーの変調方法を
変える方法により、媒体全面に渡ってアモルファスマー
クを安定に形成できる記録媒体および記録再生装置を提
供する。 【解決手段】 少なくとも相変化型光記録層を有する光
記録媒体において、相変化型記録層はｘ／ｙ＝１〜４の
範囲にあるSb(x)-Te(y) を主成分としてかつ添加元素と
してB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,Bi,Gd の群から
選ばれる少なくても１元素を含むことを特徴とする光記
録媒体を主たる構成にしたこと。
に、線速度が速い外周ではマーク後端の結晶化が不十分
となり、アモルファスマーク後端の裾引きが発生する従
来の問題点を解決するために、特定の成分構成の記録媒
体の、半径方向のゾーンのレーザーパワーの変調方法を
変える方法により、媒体全面に渡ってアモルファスマー
クを安定に形成できる記録媒体および記録再生装置を提
供する。 【解決手段】 少なくとも相変化型光記録層を有する光
記録媒体において、相変化型記録層はｘ／ｙ＝１〜４の
範囲にあるSb(x)-Te(y) を主成分としてかつ添加元素と
してB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,Bi,Gd の群から
選ばれる少なくても１元素を含むことを特徴とする光記
録媒体を主たる構成にしたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体及び記録
再生装置に関し、さらに詳しくは、CAV およびZCAV方式
に対応する光により情報を記録、再生する相変化記録媒
体及び記録再生装置に関する。
再生装置に関し、さらに詳しくは、CAV およびZCAV方式
に対応する光により情報を記録、再生する相変化記録媒
体及び記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報を記録再生する光
記録媒体において、相変化材料を記録層に用いた書き換
え型の記録媒体がある。この媒体は、記録層として光照
射によりアモルファス−結晶間の可逆的な相変化が生じ
る材料を用い、簡単な光学系で記録・消去ができるとと
もに、既に記録された情報を消去しながら新たな情報を
記録することができる特徴を持っている。
記録媒体において、相変化材料を記録層に用いた書き換
え型の記録媒体がある。この媒体は、記録層として光照
射によりアモルファス−結晶間の可逆的な相変化が生じ
る材料を用い、簡単な光学系で記録・消去ができるとと
もに、既に記録された情報を消去しながら新たな情報を
記録することができる特徴を持っている。
【０００３】一般的には、記録層におけるアモルファス
状態を記録状態とし、結晶状態を消去状態としている。
情報の記録は、記録レベルのレーザビームを照射し融点
以上に加熱した後に急冷することでアモルファスマーク
を形成し、消去は消去レベルのレーザ光を照射し結晶化
温度まで昇温した後に徐冷することでマークを結晶化す
る。そして、記録された情報は、アモルファス−結晶間
での反射率差や位相差による反射光量の変化を検出して
再生される。記録媒体の回転方式はCLV(Constant Linea
r Velocity) 方式とCAV(Constant Angular Velocity)方
式の２種類に分類できる。CLV 方式は一定線速度で回転
させる方式であり、CAV 方式は一定角速度で回転させる
方式である。CLV 方式では回転数制御が必要になる。回
転数を制御するには時間がかかるために、高速アクセ
ス、高速転送が要求される書き換え型光ディスクには不
向きである。よって近年、CAV 方式もしくはZCAV(Zoned
Constant Angular Velocity) 方式が採用されることが
多くなっている。CAV,ZCAV方式では、媒体外周の線速度
は内周よりも速くなる。このような方式に対応する相変
化型ディスクが提案されている。特開平１０−１９９０
３９は、ディスク半径方向をゾーンに分割し、各ゾーン
に結晶化速度が異なる相変化材料を張り合わせる方法で
ある。また、特開平０８−０７７６００では、ディスク
半径方向をゾーンに分けて、外周ゾーンの記録層を結晶
化速度が速い組成とする方法が提案されている。
状態を記録状態とし、結晶状態を消去状態としている。
情報の記録は、記録レベルのレーザビームを照射し融点
以上に加熱した後に急冷することでアモルファスマーク
を形成し、消去は消去レベルのレーザ光を照射し結晶化
温度まで昇温した後に徐冷することでマークを結晶化す
る。そして、記録された情報は、アモルファス−結晶間
での反射率差や位相差による反射光量の変化を検出して
再生される。記録媒体の回転方式はCLV(Constant Linea
r Velocity) 方式とCAV(Constant Angular Velocity)方
式の２種類に分類できる。CLV 方式は一定線速度で回転
させる方式であり、CAV 方式は一定角速度で回転させる
方式である。CLV 方式では回転数制御が必要になる。回
転数を制御するには時間がかかるために、高速アクセ
ス、高速転送が要求される書き換え型光ディスクには不
向きである。よって近年、CAV 方式もしくはZCAV(Zoned
Constant Angular Velocity) 方式が採用されることが
多くなっている。CAV,ZCAV方式では、媒体外周の線速度
は内周よりも速くなる。このような方式に対応する相変
化型ディスクが提案されている。特開平１０−１９９０
３９は、ディスク半径方向をゾーンに分割し、各ゾーン
に結晶化速度が異なる相変化材料を張り合わせる方法で
ある。また、特開平０８−０７７６００では、ディスク
半径方向をゾーンに分けて、外周ゾーンの記録層を結晶
化速度が速い組成とする方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】相変化記録において
は、マーク記録の最終段でレーザーパワーレベルを記
録、ボトム、消去レベルの順序で変調し、マーク裾引き
部分を消去することにより所定のマーク長とする。ここ
で、マーク後端の形状が媒体面内において変動しやすく
ジッターの原因となる。特に、CAV,ZCAV方式の場合に
は、線速度が速い外周ではアモルファスマーク後端の裾
引きが顕著になる。線速度が速くなり、レーザービーム
がトラックの一点を通過する時間が短くなることで、マ
ーク後端の結晶化が不十分となりマークの裾引きが発生
する。さらに、線速度が記録層材料のマージンを外れる
とマーク後端が不鮮明になり後端エッジが再生できなく
なることもある。
は、マーク記録の最終段でレーザーパワーレベルを記
録、ボトム、消去レベルの順序で変調し、マーク裾引き
部分を消去することにより所定のマーク長とする。ここ
で、マーク後端の形状が媒体面内において変動しやすく
ジッターの原因となる。特に、CAV,ZCAV方式の場合に
は、線速度が速い外周ではアモルファスマーク後端の裾
引きが顕著になる。線速度が速くなり、レーザービーム
がトラックの一点を通過する時間が短くなることで、マ
ーク後端の結晶化が不十分となりマークの裾引きが発生
する。さらに、線速度が記録層材料のマージンを外れる
とマーク後端が不鮮明になり後端エッジが再生できなく
なることもある。
【０００５】本発明は、この様な従来の問題点を解決す
るためになされたものであり、CAV,ZCAV方式において
も、媒体全面に渡ってアモルファスマークを安定に形成
できる記録媒体および記録再生装置を提供する。
るためになされたものであり、CAV,ZCAV方式において
も、媒体全面に渡ってアモルファスマークを安定に形成
できる記録媒体および記録再生装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。本発明によれば、請求項１
では、少なくとも相変化型光記録層を有する光記録媒体
において、相変化型記録層はｘ／ｙ＝１〜４の範囲にあ
るSb(x)-Te(y) を主成分として、かつ添加元素としてB,
Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,Bi,Gd の群から選ばれ
る少なくても１元素を含むことを主要な特徴とする。
記の手段により達成される。本発明によれば、請求項１
では、少なくとも相変化型光記録層を有する光記録媒体
において、相変化型記録層はｘ／ｙ＝１〜４の範囲にあ
るSb(x)-Te(y) を主成分として、かつ添加元素としてB,
Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,Bi,Gd の群から選ばれ
る少なくても１元素を含むことを主要な特徴とする。
【０００７】第二に、請求項１に記載する相変化型記録
層をスパッタリング法にて形成するに際して、２θ／θ
法によるＸ線回折の最大ピークから求める面間隔が、3.
1 〜3.2 Åの範囲にあるスパッタリングターゲットを用
いることを特徴とする。
層をスパッタリング法にて形成するに際して、２θ／θ
法によるＸ線回折の最大ピークから求める面間隔が、3.
1 〜3.2 Åの範囲にあるスパッタリングターゲットを用
いることを特徴とする。
【０００８】第三に、請求項１に記載する光記録媒体に
おいて、半径方向を２以上のゾーンに分割し、各ゾーン
開始位置にレーザーパワーの変調方法を変えるタイミン
グ信号源となるプリピットを設けることを特徴とする。
おいて、半径方向を２以上のゾーンに分割し、各ゾーン
開始位置にレーザーパワーの変調方法を変えるタイミン
グ信号源となるプリピットを設けることを特徴とする。
【０００９】第四に、請求項３に記載する光記録媒体の
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwは一定とし
て、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を
ゾーン毎に変え、かつ内周ゾーンよりも外周ゾーンにお
いてPe/Pw を大きくすることを特徴とする。
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwは一定とし
て、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を
ゾーン毎に変え、かつ内周ゾーンよりも外周ゾーンにお
いてPe/Pw を大きくすることを特徴とする。
【００１０】第五に、請求項１に記載する光記録媒体の
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフ
ォーマットされたディスク半径位置を表すアドレス信号
をレーザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一定とし
て，記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pwを
半径位置に比例するように変えることを特徴とする。
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフ
ォーマットされたディスク半径位置を表すアドレス信号
をレーザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一定とし
て，記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pwを
半径位置に比例するように変えることを特徴とする。
【００１１】第六に、請求項１に記載する光記録媒体の
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフ
ォーマットされた内部クロック周波数を発生するウォー
ブリング信号をレーザーパワー変調機構に取り入れて、
Pwは一定として，記録パワーに対する消去パワーレベル
の比Pe/Pw をクロック周波数に比例するように変えるこ
とを特徴とする。
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフ
ォーマットされた内部クロック周波数を発生するウォー
ブリング信号をレーザーパワー変調機構に取り入れて、
Pwは一定として，記録パワーに対する消去パワーレベル
の比Pe/Pw をクロック周波数に比例するように変えるこ
とを特徴とする。
【００１２】第七に、請求項１に記載する光記録媒体の
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwを一定とし
て、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を
変えるに際して、最短マーク信号の振幅と、最長マーク
信号の振幅を??から求める信号振幅比を検出し、予め設
けた規格値に対する差をレーザー変調機構に取り入れ
て、その差プラスであればPe/Pw を大きくし、その差が
マイナスであればPe/Pw を小さくする変調をかけること
を特徴とする。
記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去
Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwを一定とし
て、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を
変えるに際して、最短マーク信号の振幅と、最長マーク
信号の振幅を??から求める信号振幅比を検出し、予め設
けた規格値に対する差をレーザー変調機構に取り入れ
て、その差プラスであればPe/Pw を大きくし、その差が
マイナスであればPe/Pw を小さくする変調をかけること
を特徴とする。
【００１３】第八に、請求項７に記載する記録再生装置
において、少なくても媒体の最内周位置と最外周位置の
２カ所において、記録前に予め信号振幅比を検出し規格
値に一致するPe/Pw を求め、情報を記録するに際して
は，半径位置もしくはクロック周波数に比例するよう
に、Pe/Pw を予め最内周で求めた値から、最外周で求め
た値へ変えることを特徴とする。
において、少なくても媒体の最内周位置と最外周位置の
２カ所において、記録前に予め信号振幅比を検出し規格
値に一致するPe/Pw を求め、情報を記録するに際して
は，半径位置もしくはクロック周波数に比例するよう
に、Pe/Pw を予め最内周で求めた値から、最外周で求め
た値へ変えることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】相変化記録方式に用いられる記録
層材料としては、カルコゲン系材料を中心に多くの多元
材料が提案されてきた。特に実用化に至っている材料
は、金属間化合物組成のSbTeを主成分としたGeSbTeと、
共晶組成のSbTeを主成分としたAgInSbTeの２種類であ
る。このうち、AgInSbTeは高速記録、消去性能に優れた
材料として注目されてきた。AgInSbTeの母相となる共晶
組成SbTeの場合、添加元素種によって結晶化速度は照射
光パワー依存性が変化する。
層材料としては、カルコゲン系材料を中心に多くの多元
材料が提案されてきた。特に実用化に至っている材料
は、金属間化合物組成のSbTeを主成分としたGeSbTeと、
共晶組成のSbTeを主成分としたAgInSbTeの２種類であ
る。このうち、AgInSbTeは高速記録、消去性能に優れた
材料として注目されてきた。AgInSbTeの母相となる共晶
組成SbTeの場合、添加元素種によって結晶化速度は照射
光パワー依存性が変化する。
【００１５】図１には、アモルファスマークの消去時間
の測定方法を示す。(a) に示すようにレーザーパワーを
記録レベル（１０１）、消去レベル（１０２）の２段階
で変調し、(b) に示すようにマークが消失する時間を反
射光強度が５０％変化する時間で定義した。
の測定方法を示す。(a) に示すようにレーザーパワーを
記録レベル（１０１）、消去レベル（１０２）の２段階
で変調し、(b) に示すようにマークが消失する時間を反
射光強度が５０％変化する時間で定義した。
【００１６】図２は、共晶組成付近のSbTeに対して添加
元素種を変えて消去時間の照射光パワー依存性を調べた
結果である。パワー依存性は３通りの傾向に分類され
る。ここでは仮に組成１、２、３として説明する。組成
１は顕著なパワー依存が表れず消去時間が長い、つま
り、結晶化速度が遅い組成である。組成２もパワー依存
は見られないが、組成１よりも結晶化速度が速い組成で
ある。組成３は１および２と異なりパワー依存性が大き
い組成である。この組成の結晶化速度は、レーザーパワ
ーが強くなるに従って速くなる。
元素種を変えて消去時間の照射光パワー依存性を調べた
結果である。パワー依存性は３通りの傾向に分類され
る。ここでは仮に組成１、２、３として説明する。組成
１は顕著なパワー依存が表れず消去時間が長い、つま
り、結晶化速度が遅い組成である。組成２もパワー依存
は見られないが、組成１よりも結晶化速度が速い組成で
ある。組成３は１および２と異なりパワー依存性が大き
い組成である。この組成の結晶化速度は、レーザーパワ
ーが強くなるに従って速くなる。
【００１７】請求項１は、図２に示した組成３の特性を
示す相変化型記録層材料である。SbTeの場合、金属間化
合物組成はSb2Te3(Sb/Te＝0.67) 付近である。この組成
以外が共晶形になるが、特にSbリッチな共晶組成で結晶
化速度のパワー依存が表れる。
示す相変化型記録層材料である。SbTeの場合、金属間化
合物組成はSb2Te3(Sb/Te＝0.67) 付近である。この組成
以外が共晶形になるが、特にSbリッチな共晶組成で結晶
化速度のパワー依存が表れる。
【００１８】この場合、SbTeの組成比は，Sb/Te=1 〜４
である。このSbTeに対してB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,
La,Au,Bi,Gd のなかの少なくても一種を２０％以下の比
率で添加する。さらに、他の元素を添加してもかまわな
い。たとえば、Ge-3at% Ga-7at% Sb-65at% Te-25at% 、
Ge-3at% Si-7at% Sb-65at% Te-25at% 、Ge-3at% B-7at%
Sb-65at% Te-25at%などの組成のように、請求項１に示
した添加元素種と、組成比を最適化することによって結
晶化速度の照射光パワー依存性が強くなる。
である。このSbTeに対してB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,
La,Au,Bi,Gd のなかの少なくても一種を２０％以下の比
率で添加する。さらに、他の元素を添加してもかまわな
い。たとえば、Ge-3at% Ga-7at% Sb-65at% Te-25at% 、
Ge-3at% Si-7at% Sb-65at% Te-25at% 、Ge-3at% B-7at%
Sb-65at% Te-25at%などの組成のように、請求項１に示
した添加元素種と、組成比を最適化することによって結
晶化速度の照射光パワー依存性が強くなる。
【００１９】請求項２は前記相変化型記録層を形成する
際に用いるスパッタリングターゲットに関する。共晶組
成付近のSbTeのターゲットにおける２θ／θ法によるＸ
線回折スペクトルの最大ピークは特有の角度範囲に現れ
る。この角度から計算される面間隔は3.11〜3.12Åの範
囲にある。添加元素を加えた場合においても同じ面間隔
を示す。
際に用いるスパッタリングターゲットに関する。共晶組
成付近のSbTeのターゲットにおける２θ／θ法によるＸ
線回折スペクトルの最大ピークは特有の角度範囲に現れ
る。この角度から計算される面間隔は3.11〜3.12Åの範
囲にある。添加元素を加えた場合においても同じ面間隔
を示す。
【００２０】その他の構成は、従来の相変化型ディスク
と同様である。基板としては、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン、アクリル、ガラスなどが使用できる。誘電
体層としては、B,Al,Si,Ca,Ti,Zn,Ge,Ta, などの酸化物
もしくは窒化物もしくは硫化物もしくは炭化物を単体、
もしくは混合物として使用できる。反射層としては、Al
Ti,AlCuTi,AlSiCuなどのAl系材料、AgPd,AgCuPd,AgTiPd
などのAg系材料が使用できる。
と同様である。基板としては、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン、アクリル、ガラスなどが使用できる。誘電
体層としては、B,Al,Si,Ca,Ti,Zn,Ge,Ta, などの酸化物
もしくは窒化物もしくは硫化物もしくは炭化物を単体、
もしくは混合物として使用できる。反射層としては、Al
Ti,AlCuTi,AlSiCuなどのAl系材料、AgPd,AgCuPd,AgTiPd
などのAg系材料が使用できる。
【００２１】図３は相変化マークを形成するレーザーパ
ワーの変調方法を示している。相変化記録の場合、通常
はレーザーパワーを記録レベルPw（３０１) 、消去レベ
ルPe（３０２) 、ボトムレベルPb（３０３) の３値変調
する。図示のように、Pw,Pb,Peの順序で変調することに
よって、アモルファスマークの裾引きを消去し狙いのマ
ーク長とする。マーク後端３０５の裾引きは、結晶化速
度に依存する。つまり、結晶化が遅い記録層材料では、
レーザー発光パルスのスピードにマーク後端の結晶化が
追従できず、マークの裾引きが起こる。
ワーの変調方法を示している。相変化記録の場合、通常
はレーザーパワーを記録レベルPw（３０１) 、消去レベ
ルPe（３０２) 、ボトムレベルPb（３０３) の３値変調
する。図示のように、Pw,Pb,Peの順序で変調することに
よって、アモルファスマークの裾引きを消去し狙いのマ
ーク長とする。マーク後端３０５の裾引きは、結晶化速
度に依存する。つまり、結晶化が遅い記録層材料では、
レーザー発光パルスのスピードにマーク後端の結晶化が
追従できず、マークの裾引きが起こる。
【００２２】請求項１に示す記録層材料は、結晶化速度
は消去パワーに依存する。消去パワーを上げると結晶化
速度が速くなり、下げると遅くなる。このことは、消去
レベルのパワーによって、マーク後端の裾引きが制御で
きることを示す。一般的な記録方式では、図３に示した
３値のパワーレベルはディスク面内において一定でマー
クを記録する。
は消去パワーに依存する。消去パワーを上げると結晶化
速度が速くなり、下げると遅くなる。このことは、消去
レベルのパワーによって、マーク後端の裾引きが制御で
きることを示す。一般的な記録方式では、図３に示した
３値のパワーレベルはディスク面内において一定でマー
クを記録する。
【００２３】これに対して本方法では、請求項１に記載
した消去パワーに対してマークの消去速度（結晶化速
度）が強く依存する記録層材料を用いて、消去パワーレ
ベルをディスク半径方向において変調する。発光パルス
の変調速度が速いディスク外周では消去パワーレベルを
上げることによってマーク後端の裾引きが抑制でき、デ
ィスク面内において均一なマークが形成できる。
した消去パワーに対してマークの消去速度（結晶化速
度）が強く依存する記録層材料を用いて、消去パワーレ
ベルをディスク半径方向において変調する。発光パルス
の変調速度が速いディスク外周では消去パワーレベルを
上げることによってマーク後端の裾引きが抑制でき、デ
ィスク面内において均一なマークが形成できる。
【００２４】請求項３に示すように、ディスク半径方向
をいくつかのゾーンに分割し、ゾーン開始位置に消去パ
ワー変調のタイミングを示すプリピットを設けておく。
をいくつかのゾーンに分割し、ゾーン開始位置に消去パ
ワー変調のタイミングを示すプリピットを設けておく。
【００２５】請求項４に示す装置では、タイミング信号
を元にゾーン毎に消去パワーを変調し、線速度が速くな
るディスク外周において消去パワーを上げてマークの裾
引きを抑制する。
を元にゾーン毎に消去パワーを変調し、線速度が速くな
るディスク外周において消去パワーを上げてマークの裾
引きを抑制する。
【００２６】また、請求項５の記録再生装置では、ディ
スク半径位置を示すアドレス信号を使ってレーザーパワ
ーを変調する。
スク半径位置を示すアドレス信号を使ってレーザーパワ
ーを変調する。
【００２７】また、請求項６の記録再生装置では、内部
クロックの発生源となるウォーブリング信号を使ってレ
ーザーパワーを変調する。
クロックの発生源となるウォーブリング信号を使ってレ
ーザーパワーを変調する。
【００２８】請求項７及び８の記録再生装置では、記録
信号の強度を検出し信号変化に応じて消去パワーレベル
を変調する。
信号の強度を検出し信号変化に応じて消去パワーレベル
を変調する。
【００２９】（実施例）以下に実施例により本発明を更
に詳しく説明する。ただし、本発明は以下の実施例によ
り限定されるものではない。実施例１ 請求項１に対する実施例である。図４に媒体の層構成を
示す。ポリカーボネート基板上（４０１）に上部誘電体
としてZnS.SiO2（４０２）を膜厚70nmで成膜する。次
に、相変化型記録層としてGeGaSbTe（４０３）を膜厚15
nmで成膜する。ここで組成比は Ge-3at%,Ga-7at%,Sb-65
at%,Te-25at%である。次に、下部誘電体層としてZnS.Si
O2（４０４）を膜厚20nmで積層する。さらに、反射層と
して、AgPdCu（４０５）を膜厚120nm で積層する。以上
の各薄膜はスパッタリング法にて形成する。反射層であ
るAgPdCuはDCスパッタ法であり、それ以外の薄膜はRFス
パッタ法である。最後にスピンコート法により反射層上
に保護層（４０６）を形成する。
に詳しく説明する。ただし、本発明は以下の実施例によ
り限定されるものではない。実施例１ 請求項１に対する実施例である。図４に媒体の層構成を
示す。ポリカーボネート基板上（４０１）に上部誘電体
としてZnS.SiO2（４０２）を膜厚70nmで成膜する。次
に、相変化型記録層としてGeGaSbTe（４０３）を膜厚15
nmで成膜する。ここで組成比は Ge-3at%,Ga-7at%,Sb-65
at%,Te-25at%である。次に、下部誘電体層としてZnS.Si
O2（４０４）を膜厚20nmで積層する。さらに、反射層と
して、AgPdCu（４０５）を膜厚120nm で積層する。以上
の各薄膜はスパッタリング法にて形成する。反射層であ
るAgPdCuはDCスパッタ法であり、それ以外の薄膜はRFス
パッタ法である。最後にスピンコート法により反射層上
に保護層（４０６）を形成する。
【００３０】実施例２ 請求項２に対する実施例である。相変化型記録層である
GeGaSbTeのスパッタリングターゲットは以下の方法で作
成する。まず最初に、各元素を計量し狙いの組成比とす
る。ここでの規格値は、母相となるSbとTeは±1at%以
内、その他の元素は±0.25at% 以内とする。次に混合し
た元素を合成しGeGaSbTeインゴットとする。次に、イン
ゴットを粉砕しターゲット形状に整形した後に焼結す
る。最後にGeGaSbTeターゲットをCu製のバッキングプレ
ートにボンディングし完成する。ターゲットの状態は、
Ｘ線回折の２θ／θ法で測定する。測定条件は、Cuk α
線 40kV、30mAである。最大強度を示す回折ピークは２
θ＝28.66 °である。この角度から計算した面間隔は3.
11Åである。
GeGaSbTeのスパッタリングターゲットは以下の方法で作
成する。まず最初に、各元素を計量し狙いの組成比とす
る。ここでの規格値は、母相となるSbとTeは±1at%以
内、その他の元素は±0.25at% 以内とする。次に混合し
た元素を合成しGeGaSbTeインゴットとする。次に、イン
ゴットを粉砕しターゲット形状に整形した後に焼結す
る。最後にGeGaSbTeターゲットをCu製のバッキングプレ
ートにボンディングし完成する。ターゲットの状態は、
Ｘ線回折の２θ／θ法で測定する。測定条件は、Cuk α
線 40kV、30mAである。最大強度を示す回折ピークは２
θ＝28.66 °である。この角度から計算した面間隔は3.
11Åである。
【００３１】実施例３ 請求項３、４に対する実施例である。図５に本記録再生
装置におけるレーザーパワーの変調方法を示す。レーザ
ーの変調信号は記録レベル、消去レベルを個別に発生し
重ね合わせる。パターン１（５０１）は記録レベル（５
０３）、ボトムレベル（５０５）間で変調する。パター
ン２（５０２）は消去レベル（５０４）、オフレベル
（５０６）間で変調する。両者を重ね合わせて、記録、
消去、ボトムの３値変調とする。ここでパターン２は、
ディスクに予め準備したプリピットからの信号によって
ゾーン毎に変調する。
装置におけるレーザーパワーの変調方法を示す。レーザ
ーの変調信号は記録レベル、消去レベルを個別に発生し
重ね合わせる。パターン１（５０１）は記録レベル（５
０３）、ボトムレベル（５０５）間で変調する。パター
ン２（５０２）は消去レベル（５０４）、オフレベル
（５０６）間で変調する。両者を重ね合わせて、記録、
消去、ボトムの３値変調とする。ここでパターン２は、
ディスクに予め準備したプリピットからの信号によって
ゾーン毎に変調する。
【００３２】図６に示すように、ディスク半径方向を３
つのゾーン（６０１〜６０３）に分割する。記録パワー
レベルPw（６０４）とボトムレベルPb（６０６）は、デ
ィスク半径方向で一定であり、Pwは12mW, Pbは0.2mW で
ある。消去パワーレベルは、ディスク内周のゾーン１で
５．５mW、ディスク中間域にあたるゾーン２では６mW、
外周域にあたるゾーン３では６．５mWとし、ディスク面
内においてPe/Pw=0.46〜0.54の範囲で変調する。
つのゾーン（６０１〜６０３）に分割する。記録パワー
レベルPw（６０４）とボトムレベルPb（６０６）は、デ
ィスク半径方向で一定であり、Pwは12mW, Pbは0.2mW で
ある。消去パワーレベルは、ディスク内周のゾーン１で
５．５mW、ディスク中間域にあたるゾーン２では６mW、
外周域にあたるゾーン３では６．５mWとし、ディスク面
内においてPe/Pw=0.46〜0.54の範囲で変調する。
【００３３】図７は、従来のパワー固定で形成したマー
クの寸法（７０１）と、本装置によるパワー変調で形成
したマーク寸法（７０２）の比較結果である。EFM ＋(E
ightfourteen Modulation Pulls) 信号を線密度0.267um
/bit でCAV 記録した際の最短マーク長にあたる３Ｔマ
ークの長さを実測した。この線密度における狙いの３Ｔ
マーク長は０．４umである。ディスクは直径１２０mmで
あり、半径位置におけるタンジェンタル方向のマーク長
を示している。従来装置での記録条件は、Pw 12mW, Pb
0.2mW, Pe 6mW 固定である。図示のように従来装置で記
録した場合、ディスク内周域から中間域においては狙い
に近いマーク長が形成できている。しかし、ディスク外
周域では、急激にマークが狙いよりも延びてしまう。こ
れは、記録層材料の結晶化速度が外周域ではマージンを
外れることに伴う。一方、本装置で消去パワーをゾーン
間（６０１〜６０３）で変調した場合のマーク長（７０
２）は、ゾーン境界での変動はみられるものの、ディス
ク全域にわたって狙い通りの寸法で形成できている。
クの寸法（７０１）と、本装置によるパワー変調で形成
したマーク寸法（７０２）の比較結果である。EFM ＋(E
ightfourteen Modulation Pulls) 信号を線密度0.267um
/bit でCAV 記録した際の最短マーク長にあたる３Ｔマ
ークの長さを実測した。この線密度における狙いの３Ｔ
マーク長は０．４umである。ディスクは直径１２０mmで
あり、半径位置におけるタンジェンタル方向のマーク長
を示している。従来装置での記録条件は、Pw 12mW, Pb
0.2mW, Pe 6mW 固定である。図示のように従来装置で記
録した場合、ディスク内周域から中間域においては狙い
に近いマーク長が形成できている。しかし、ディスク外
周域では、急激にマークが狙いよりも延びてしまう。こ
れは、記録層材料の結晶化速度が外周域ではマージンを
外れることに伴う。一方、本装置で消去パワーをゾーン
間（６０１〜６０３）で変調した場合のマーク長（７０
２）は、ゾーン境界での変動はみられるものの、ディス
ク全域にわたって狙い通りの寸法で形成できている。
【００３４】実施例４ 請求項５に対する実施例である。図８には、本装置にお
けるレーザーパワーの変調方法を示す。前記実施例と同
様に、半径位置によらず記録レベルPw（８０３）と、ボ
トムレベルPb（８０５）は固定する。消去パワーPe（８
０４）はディスク内周（８０１）から外周（８０２）に
向かって連続的に増加させる。パワー変調のタイミング
は、通常ディスクにプリフォーマットされているアドレ
ス信号を検出することで行う。ディスク最内周の半径位
置は２１mmであり、最外周は５９mmである。ディスク最
内周における記録条件はPw=12mW,Pe=5.5mW,Pb=0.2mW で
ある。最内周から最外周かけて、Peを0.026mW/mmの割合
で変化させ、ディスク面内においてPe/Pw=0.46〜0.54の
範囲で変調した。
けるレーザーパワーの変調方法を示す。前記実施例と同
様に、半径位置によらず記録レベルPw（８０３）と、ボ
トムレベルPb（８０５）は固定する。消去パワーPe（８
０４）はディスク内周（８０１）から外周（８０２）に
向かって連続的に増加させる。パワー変調のタイミング
は、通常ディスクにプリフォーマットされているアドレ
ス信号を検出することで行う。ディスク最内周の半径位
置は２１mmであり、最外周は５９mmである。ディスク最
内周における記録条件はPw=12mW,Pe=5.5mW,Pb=0.2mW で
ある。最内周から最外周かけて、Peを0.026mW/mmの割合
で変化させ、ディスク面内においてPe/Pw=0.46〜0.54の
範囲で変調した。
【００３５】図９は実施例３と同様の方法で測定した３
Ｔマーク長の実測値である。本実施例による結果（９０
１）を、実施例３による結果（７０２）と比較する。前
記実施例によるゾーン毎にパワー変調する方法では、ゾ
ーン境界でのマーク長の変化が大きくなる。これに対し
て本実施例における装置では、記録位置に応じて消去パ
ワーレベルを連続的に変調できることから、ディスク面
内において急峻なマーク長の変動なく狙い通りの長さが
形成できる。
Ｔマーク長の実測値である。本実施例による結果（９０
１）を、実施例３による結果（７０２）と比較する。前
記実施例によるゾーン毎にパワー変調する方法では、ゾ
ーン境界でのマーク長の変化が大きくなる。これに対し
て本実施例における装置では、記録位置に応じて消去パ
ワーレベルを連続的に変調できることから、ディスク面
内において急峻なマーク長の変動なく狙い通りの長さが
形成できる。
【００３６】実施例５ 請求項６に対する実施例である。ウォーブル基板を用い
る場合、ウォーブリングを基準クロック周波数の発生源
とする。ウォーブリング周期が一定であることから、内
周から外周に向かい線速度に応じてクロック周波数が速
くなる。通常は、この内部発生させたクロック周波数を
基準として記録信号を形成し、ディスク全域において線
密度一定でマークを記録する。実施例４と同様にディス
ク最内周の半径位置は２１mmであり、最外周は５９mmで
ある。線密度0.267um/bit であれば、ディスク最内周の
クロック周波数は26.23MHzであり、最外周では65.57MHz
になる。このクロック周波数を基準としてレーザーの発
光パルス長を制御するとともに、消去パワーレベルも制
御する。最内周の記録条件は、Pw=12mW, Pe=5.5mW, Pb=
0.2mW とする。外周方向に向かってPw,Pb は固定し、Pe
をクロック周波数によって0.025mW/MHz の割合で増加さ
せ、ディスク面内においてPe/Pw=0.46〜0.54の範囲で変
調した。本実施例における記録再生装置のパワー変調方
法においても、実施例４と同様の効果が得られる。
る場合、ウォーブリングを基準クロック周波数の発生源
とする。ウォーブリング周期が一定であることから、内
周から外周に向かい線速度に応じてクロック周波数が速
くなる。通常は、この内部発生させたクロック周波数を
基準として記録信号を形成し、ディスク全域において線
密度一定でマークを記録する。実施例４と同様にディス
ク最内周の半径位置は２１mmであり、最外周は５９mmで
ある。線密度0.267um/bit であれば、ディスク最内周の
クロック周波数は26.23MHzであり、最外周では65.57MHz
になる。このクロック周波数を基準としてレーザーの発
光パルス長を制御するとともに、消去パワーレベルも制
御する。最内周の記録条件は、Pw=12mW, Pe=5.5mW, Pb=
0.2mW とする。外周方向に向かってPw,Pb は固定し、Pe
をクロック周波数によって0.025mW/MHz の割合で増加さ
せ、ディスク面内においてPe/Pw=0.46〜0.54の範囲で変
調した。本実施例における記録再生装置のパワー変調方
法においても、実施例４と同様の効果が得られる。
【００３７】実施例６ 請求項７に対する実施例である。EFM ＋変調で記録する
場合、最短マークは３Ｔであり、最長マークは１４Ｔに
なる。ここで、３Ｔマークの信号強度は、マーク長の変
動に伴って大きく変化する。１４Ｔマークでは、マーク
長の変動に伴う信号強度の変化は無視できる。そこで、
１４Ｔマークからの信号強度に対する３Ｔマークからの
信号強度の比を検出し、基準値からのズレによって消去
パワーレベルを変調する。図１０に３Ｔマーク（６０
１）と１４Ｔマーク（６０２）の反射光強度の変化（RF
信号）を示す。信号のベースレベル（６０３）と３Ｔ信
号の最大値（６０４）の差である３Ｔ信号の振幅をMmin
とする。また、ベースレベル（６０３）と１４Ｔ信号の
最大値（６０５）の差である１４Ｔ信号の振幅をMmaxと
する。3Tマーク長が狙い通り形成されている場合は、イ
コライザーを用いない状態で振幅比Mmin/Mmax=０．３と
なる。この値を基準値とする。ディスク中心（R=40mm)
における記録条件は、Ｐw=12mW, Pe=6mW,Pb=0.2mW であ
る。半径位置が外周方向に移り、３Ｔマーク長が狙いよ
りも延びて振幅比が０．３よりも大きくなった場合に
は、消去パワーPeを大きくする。逆に、半径位置が内周
側に移り、３Ｔマーク長が縮んで振幅比が０．３よりも
小さくなった場合にはPeを下げる。光記録媒体の製造工
程においては、スパッタリングターゲットの使用状況に
よって、成膜レートや膜厚分布がロット間で変化する。
この結果、ロット間においてディスク特性が異なること
がある。本実施例における記録再生装置では、記録条件
がディスク毎に微調整でき、媒体のロット間バラツキに
も対応できる。さらに、常に信号振幅比の変化を検出
し、それに応じてPe/Pw を変調することから、ゴミなど
の突発的な変動にも対応できる。
場合、最短マークは３Ｔであり、最長マークは１４Ｔに
なる。ここで、３Ｔマークの信号強度は、マーク長の変
動に伴って大きく変化する。１４Ｔマークでは、マーク
長の変動に伴う信号強度の変化は無視できる。そこで、
１４Ｔマークからの信号強度に対する３Ｔマークからの
信号強度の比を検出し、基準値からのズレによって消去
パワーレベルを変調する。図１０に３Ｔマーク（６０
１）と１４Ｔマーク（６０２）の反射光強度の変化（RF
信号）を示す。信号のベースレベル（６０３）と３Ｔ信
号の最大値（６０４）の差である３Ｔ信号の振幅をMmin
とする。また、ベースレベル（６０３）と１４Ｔ信号の
最大値（６０５）の差である１４Ｔ信号の振幅をMmaxと
する。3Tマーク長が狙い通り形成されている場合は、イ
コライザーを用いない状態で振幅比Mmin/Mmax=０．３と
なる。この値を基準値とする。ディスク中心（R=40mm)
における記録条件は、Ｐw=12mW, Pe=6mW,Pb=0.2mW であ
る。半径位置が外周方向に移り、３Ｔマーク長が狙いよ
りも延びて振幅比が０．３よりも大きくなった場合に
は、消去パワーPeを大きくする。逆に、半径位置が内周
側に移り、３Ｔマーク長が縮んで振幅比が０．３よりも
小さくなった場合にはPeを下げる。光記録媒体の製造工
程においては、スパッタリングターゲットの使用状況に
よって、成膜レートや膜厚分布がロット間で変化する。
この結果、ロット間においてディスク特性が異なること
がある。本実施例における記録再生装置では、記録条件
がディスク毎に微調整でき、媒体のロット間バラツキに
も対応できる。さらに、常に信号振幅比の変化を検出
し、それに応じてPe/Pw を変調することから、ゴミなど
の突発的な変動にも対応できる。
【００３８】実施例７ 請求項８に対する実施例である。請求項６に記載した記
録再生装置では、情報信号の記録前に試し記録を行っ
て、その媒体に適した記録条件を求めることもできる。
試し記録を行った結果、最内周２１mmにおいて信号振幅
比Mmin/Mmax=0.3 となる記録条件は、Pw=12mW,Pe=5.5m
W,Pb=0.2mW であった。また、最外周５９mmで同様の測
定を行った結果、Mmin/Mmax=0.3 は、Pw=12mm,Pe=6.5m
W,Pb=0.2mW で得られた。この場合、実際の情報の記録
条件は次のように設定する。Pw=12mW は半径方向におい
て一定である。Peは、最内周で5.5mW,最外周で6.5mW と
し、最内周から最外周に向かって、アドレス信号に応じ
て0.026mW/mmの割合で変化させる。もしくは、クロック
周波数に応じて0.025mW/MHz の割合で変化させてもよ
い。以上の方法によって、ディスク毎の特性バラツキに
も対応できる。
録再生装置では、情報信号の記録前に試し記録を行っ
て、その媒体に適した記録条件を求めることもできる。
試し記録を行った結果、最内周２１mmにおいて信号振幅
比Mmin/Mmax=0.3 となる記録条件は、Pw=12mW,Pe=5.5m
W,Pb=0.2mW であった。また、最外周５９mmで同様の測
定を行った結果、Mmin/Mmax=0.3 は、Pw=12mm,Pe=6.5m
W,Pb=0.2mW で得られた。この場合、実際の情報の記録
条件は次のように設定する。Pw=12mW は半径方向におい
て一定である。Peは、最内周で5.5mW,最外周で6.5mW と
し、最内周から最外周に向かって、アドレス信号に応じ
て0.026mW/mmの割合で変化させる。もしくは、クロック
周波数に応じて0.025mW/MHz の割合で変化させてもよ
い。以上の方法によって、ディスク毎の特性バラツキに
も対応できる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１の少なくとも相変化型光記録層
を有する光記録媒体において、相変化型記録層はｘ／ｙ
＝１〜４の範囲にあるSb(x)-Te(y) を主成分として、か
つ添加元素としてB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,B
i,Gd の群から選ばれる少なくても１元素を含むことを
特徴とする光記録媒体によれば、CAV 及びZCAV方式にお
いて、発光パルスの変調速度が速いディクス外周では消
去パワーレベルを上げることによってマーク後端の裾引
きが抑制でき、ディスク面内において均一なマークが形
成できる。相変化記録媒体の結晶化速度の低下に伴う記
録マークのばらつきが抑制でき、CAV 及びZCAV方式に適
した相変化型記録媒体を示した。
を有する光記録媒体において、相変化型記録層はｘ／ｙ
＝１〜４の範囲にあるSb(x)-Te(y) を主成分として、か
つ添加元素としてB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,B
i,Gd の群から選ばれる少なくても１元素を含むことを
特徴とする光記録媒体によれば、CAV 及びZCAV方式にお
いて、発光パルスの変調速度が速いディクス外周では消
去パワーレベルを上げることによってマーク後端の裾引
きが抑制でき、ディスク面内において均一なマークが形
成できる。相変化記録媒体の結晶化速度の低下に伴う記
録マークのばらつきが抑制でき、CAV 及びZCAV方式に適
した相変化型記録媒体を示した。
【００４０】請求項２の、請求項１に記載する相変化型
記録層をスパッタリング法にて形成するに際して、２θ
／θ法によるＸ線回折の最大ピークから求める面間隔
が、3.1 〜3.2 Åの範囲にあるスパッタリングターゲッ
トを用いることを特徴とする光記録媒体の製造方法によ
れば、２θ/ θ法によるＸ線回折スペクトルの最大ピー
クは特有の角度範囲に現れ、この角度から計算される面
間隔は3.11〜3.12Åの範囲にあって、添加元素を加えた
場合においても同じ面間隔を示し、安定した請求項１の
相変化型記録媒体の製造方法を提供する。
記録層をスパッタリング法にて形成するに際して、２θ
／θ法によるＸ線回折の最大ピークから求める面間隔
が、3.1 〜3.2 Åの範囲にあるスパッタリングターゲッ
トを用いることを特徴とする光記録媒体の製造方法によ
れば、２θ/ θ法によるＸ線回折スペクトルの最大ピー
クは特有の角度範囲に現れ、この角度から計算される面
間隔は3.11〜3.12Åの範囲にあって、添加元素を加えた
場合においても同じ面間隔を示し、安定した請求項１の
相変化型記録媒体の製造方法を提供する。
【００４１】請求項３の、請求項１に記載する光記録媒
体において、半径方向を２以上のゾーンに分割し、各ゾ
ーン開始位置にレーザーパワーの変調方法を変えるタイ
ミング信号源となるプリピットを設けることを特徴とす
る光記録媒体によれば、媒体を幾つかのゾーンに分割し
て記録条件を変えることでCAV 方式に対応する記録媒体
を提供する。実施例３に記載したように、レーザーパワ
ーの変調という簡便な機能を追加することによって、従
来に比べてCAV 記録時のマージンが広がる。
体において、半径方向を２以上のゾーンに分割し、各ゾ
ーン開始位置にレーザーパワーの変調方法を変えるタイ
ミング信号源となるプリピットを設けることを特徴とす
る光記録媒体によれば、媒体を幾つかのゾーンに分割し
て記録条件を変えることでCAV 方式に対応する記録媒体
を提供する。実施例３に記載したように、レーザーパワ
ーの変調という簡便な機能を追加することによって、従
来に比べてCAV 記録時のマージンが広がる。
【００４２】請求項４の、請求項３に記載する光記録媒
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwは一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w をゾーン毎に変え、かつ内周ゾーンよりも外周ゾーン
においてPe/Pw を大きくすることを特徴とする光記録再
生装置によれば、媒体を幾つかのゾーンに分割して記録
条件を変えることでCAV 方式に対応する上記の記録媒体
を使用する再生装置提供する。
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwは一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w をゾーン毎に変え、かつ内周ゾーンよりも外周ゾーン
においてPe/Pw を大きくすることを特徴とする光記録再
生装置によれば、媒体を幾つかのゾーンに分割して記録
条件を変えることでCAV 方式に対応する上記の記録媒体
を使用する再生装置提供する。
【００４３】請求項５の、請求項１に記載する光記録媒
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプ
リフォーマットされたディスク半径位置を表すアドレス
信号をレーザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w を半径位置に比例するように変えることを特徴とする
光記録再生装置によれば、請求項１の相変化型記録媒体
を用いて、従来の光ディスクにプリフォーマットされた
アドレス信号源をもとにパワーを制御してCAV 方式に対
応する光記録再生装置が得られる。
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプ
リフォーマットされたディスク半径位置を表すアドレス
信号をレーザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w を半径位置に比例するように変えることを特徴とする
光記録再生装置によれば、請求項１の相変化型記録媒体
を用いて、従来の光ディスクにプリフォーマットされた
アドレス信号源をもとにパワーを制御してCAV 方式に対
応する光記録再生装置が得られる。
【００４４】請求項６の、請求項１に記載する光記録媒
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプ
リフォーマットされた内部クロック周波数を発生するウ
ォーブリング信号をレーザーパワー変調機構に取り入れ
て、Pwは一定として、記録パワーに対する消去パワーレ
ベルの比Pe/Pw をクロック周波数に比例するように変え
ることを特徴とする光記録再生装置によれば、請求項１
の相変化型記録媒体を用いて、内部発生のクロック周波
数をもとにパワーを制御するので、新たなプリピットが
不要になり、従来のディスクと同じプリフォーマットが
使える。また、実施例４に記載したように、請求項４の
装置でみられたゾーン境界での急激なマーク長の変動が
回避できる。
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、基板にプ
リフォーマットされた内部クロック周波数を発生するウ
ォーブリング信号をレーザーパワー変調機構に取り入れ
て、Pwは一定として、記録パワーに対する消去パワーレ
ベルの比Pe/Pw をクロック周波数に比例するように変え
ることを特徴とする光記録再生装置によれば、請求項１
の相変化型記録媒体を用いて、内部発生のクロック周波
数をもとにパワーを制御するので、新たなプリピットが
不要になり、従来のディスクと同じプリフォーマットが
使える。また、実施例４に記載したように、請求項４の
装置でみられたゾーン境界での急激なマーク長の変動が
回避できる。
【００４５】請求項７の、請求項１に記載する光記録媒
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwを一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w を変えるに際して、最短マーク信号の振幅と、最長マ
ーク信号の振幅をから求める信号振幅比を検出し、予め
設けた規格値に対する差をレーザー変調機構に取り入れ
て、その差プラスであればPe/Pw を大きくし、その差が
マイナスであればPe/Pw を小さくする変調をかけること
を特徴とする光記録再生装置によれば、マークの状態を
検出し、パワー変調にフィードバックをかける方式を採
る装置であるので、前記CAV 及ZCAV方式への対応以外に
も、光記録媒体の製造工程におけるスパッタリングター
ゲットの使用状況によって、成膜レートや膜厚分布がロ
ット間で変化するロット間のディスク特性の変動や、欠
陥などによる突発的は特性変動にも対応でき、ロット間
においてディスク特性が異なることがあっても、記録条
件がディスク毎に微調整でき、媒体のロット間バラツキ
にも対応できる。さらに、常に信号振幅比の変化を検出
し、それに応じてPe/Pw を変調することから、ゴミなど
の突発的な変動にも対応できる。
体の記録再生装置において、レーザーパワーの記録Pw、
消去Pe、ボトムPbレベルの３値間での変調は、Pwを一定
として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/P
w を変えるに際して、最短マーク信号の振幅と、最長マ
ーク信号の振幅をから求める信号振幅比を検出し、予め
設けた規格値に対する差をレーザー変調機構に取り入れ
て、その差プラスであればPe/Pw を大きくし、その差が
マイナスであればPe/Pw を小さくする変調をかけること
を特徴とする光記録再生装置によれば、マークの状態を
検出し、パワー変調にフィードバックをかける方式を採
る装置であるので、前記CAV 及ZCAV方式への対応以外に
も、光記録媒体の製造工程におけるスパッタリングター
ゲットの使用状況によって、成膜レートや膜厚分布がロ
ット間で変化するロット間のディスク特性の変動や、欠
陥などによる突発的は特性変動にも対応でき、ロット間
においてディスク特性が異なることがあっても、記録条
件がディスク毎に微調整でき、媒体のロット間バラツキ
にも対応できる。さらに、常に信号振幅比の変化を検出
し、それに応じてPe/Pw を変調することから、ゴミなど
の突発的な変動にも対応できる。
【００４６】請求項８の、請求項７に記載する記録再生
装置において、少なくても媒体の最内周位置と最外周位
置の２カ所において、記録前に予め信号振幅比を検出し
規格値に一致するPe/Pw を求め、情報を記録するに際し
ては、半径位置もしくはクロック周波数に比例するよう
に、Pe/Pw を予め最内周で求めた値から、最外周で求め
た値へ変えることを特徴とする光記録再生装置によれ
ば、請求項７と同様記録条件がディスク毎に設定できる
ことから、ロット間におけるディスク特性の変動にも対
応できる。
装置において、少なくても媒体の最内周位置と最外周位
置の２カ所において、記録前に予め信号振幅比を検出し
規格値に一致するPe/Pw を求め、情報を記録するに際し
ては、半径位置もしくはクロック周波数に比例するよう
に、Pe/Pw を予め最内周で求めた値から、最外周で求め
た値へ変えることを特徴とする光記録再生装置によれ
ば、請求項７と同様記録条件がディスク毎に設定できる
ことから、ロット間におけるディスク特性の変動にも対
応できる。
【図１】本発明の記録媒体のマークの消去時間の測定方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図２】本発明の記録媒体のマーク消去時間のレーザー
パワー依存性の説明図である。
パワー依存性の説明図である。
【図３】本発明の記録媒体のレーザーパワー変調方法及
びマーク形状の説明図である。
びマーク形状の説明図である。
【図４】本発明の実施例１の記録媒体の層構成の断面図
である。
である。
【図５】本発明の実施例３の記録再生装置のレーザーパ
ワー変調方法の説明図である。
ワー変調方法の説明図である。
【図６】本発明の実施例３のゾーン分割方法及び記録再
生装置のパワー変調方法の説明図である。
生装置のパワー変調方法の説明図である。
【図７】本発明の記録装置による３Ｔマーク長の比較を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図８】本発明の実施例４の記録再生装置におけるレー
ザーパワー変調方法の説明図である。
ザーパワー変調方法の説明図である。
【図９】本発明の実施例４の装置で記録した３Ｔマーク
長の比較説明図である。
長の比較説明図である。
【図１０】本発明の実施例６の記録再生装置のパワー変
調方法説明図である。
調方法説明図である。
ａ レーザ変調 ｂ 反射光強度の変化 １０１ 記録レベル １０２ 再生、消去レベル １０３ 結晶レベルの反射光強度 １０４ アモルファスレベルの反射光強度 １０５ マーク消去時間 ３０１ 記録レベル ３０２ 消去レベル ３０３ ボトムレベル ３０４ 相変化マーク ３０５ マーク先端 ３０６ マーク後端 ３０７ マーク長 ４０１ ポリカーボネト基板 ４０２ ZnS.SiO2 ４０３ GeGaSBTe ４０４ ZnS.SiO2 ４０５ AgCuPd ４０６ 保護層 ５０１ パターン１のレーザー制御信号 ５０２ パターン２のレーザー制御信号 ５０３ 記録パワーレベル ５０４ 消去パワーレベル ５０５ ボトムパワーレベル ５０６ オフレベル ６０１ ゾーン１（ディスク内周域） ６０２ ゾーン２（中間域） ６０３ ゾーン３（外周域） ６０４ 記録パワーレベルPw ６０５ 消去パワーレベルPe ６０６ ボトムパワーレベルPb ７０１ 従来装置で記録した３Ｔマーク長の半径位置に
よる変化 ７０２ 本実施例による装置で記録した３Ｔマーク長の
半径位置による変化化 ８０１ ディスク最内周 ８０２ ディスク最外周 ８０３ 記録パワーレベルPw ８０４ 消去パワーレベルPe ８０５ ボトムパワーレベルPb ９０１ 本実施例による装置で記録した３Ｔマーク長の
半径位置による変化化 ７０２ 実施例３の装置で記録した３Ｔマーク長の半径
位置による変化 ６０１ ３ＴマークのRF信号 ６０２ １４Ｔマークの反射光強度の ６０３ 信号のベースレベル ６０４ ３Ｔ信号の最大値 ６０５ １４Ｔ信号の最大値 Mmni ３Ｔ信号の振幅 Mmax １４Ｔ信号の振幅
よる変化 ７０２ 本実施例による装置で記録した３Ｔマーク長の
半径位置による変化化 ８０１ ディスク最内周 ８０２ ディスク最外周 ８０３ 記録パワーレベルPw ８０４ 消去パワーレベルPe ８０５ ボトムパワーレベルPb ９０１ 本実施例による装置で記録した３Ｔマーク長の
半径位置による変化化 ７０２ 実施例３の装置で記録した３Ｔマーク長の半径
位置による変化 ６０１ ３ＴマークのRF信号 ６０２ １４Ｔマークの反射光強度の ６０３ 信号のベースレベル ６０４ ３Ｔ信号の最大値 ６０５ １４Ｔ信号の最大値 Mmni ３Ｔ信号の振幅 Mmax １４Ｔ信号の振幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ ５Ｄ１２１ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ Ｆターム(参考） 2H111 EA23 FA01 FB04 FB05 FB06 FB09 FB12 FB17 FB18 FB21 4K029 AA11 BA21 BB02 BD12 CA05 DC04 DC09 5D029 JA01 5D090 AA01 BB05 CC02 DD01 EE03 EE06 KK03 5D119 AA24 BA01 BB04 FA05 HA45 5D121 EE13
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも相変化型光記録層を有する光
記録媒体において、相変化型記録層はｘ／ｙ＝１〜４の
範囲にあるSb(x)-Te(y) を主成分として、かつ添加元素
としてB,Al,Si,Ga,Ge,Ag,In,Sn,Ba,La,Au,Bi,Gd の群か
ら選ばれる少なくとも１元素を含むことを特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の相変化型記録層をスパ
ッタリング法にて形成するに際して、２θ／θ法による
Ｘ線回折の最大ピークから求める面間隔が、3.1 〜3.2
Åの範囲にあるスパッタリングターゲットを用いること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光記録媒体において、
半径方向を２以上のゾーンに分割し、各ゾーン開始位置
にレーザーパワーの変調方法を変えるタイミング信号源
となるプリピットを設けることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項４】 請求項３に記載の光記録媒体の光記録再
生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去Pe、ボ
トムPbレベルの３値間での変調は、Pwは一定として、記
録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw をゾーン
毎に変え、かつ内周ゾーンよりも外周ゾーンにおいてPe
/Pw を大きくすることを特徴とする光記録再生装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の光記録媒体の光記録再
生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去Pe、ボ
トムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフォーマ
ットされたディスク半径位置を表すアドレス信号をレー
ザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一定として、記
録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を半径位
置に比例するように変えることを特徴とする光記録再生
装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の光記録媒体の光記録再
生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去Pe、ボ
トムPbレベルの３値間での変調は、基板にプリフォーマ
ットされた内部クロック周波数を発生するウォーブリン
グ信号をレーザーパワー変調機構に取り入れて、Pwは一
定として、記録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe
/Pw をクロック周波数に比例するように変えることを特
徴とする光記録再生装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の光記録媒体の光記録再
生装置において、レーザーパワーの記録Pw、消去Pe、ボ
トムPbレベルの３値間での変調は、Pwを一定として、記
録パワーに対する消去パワーレベルの比Pe/Pw を変える
に際して、最短マーク信号の振幅と、最長マーク信号の
振幅から求める信号振幅比を検出し、予め設けた規格値
に対する差をレーザー変調機構に取り入れて、その差プ
ラスであればPe/Pw を大きくし、その差がマイナスであ
ればPe/Pw を小さくする変調をかけることを特徴とする
光記録再生装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の光記録再生装置におい
て、少なくても媒体の最内周位置と最外周位置の２カ所
において、記録前に予め信号振幅比を検出し規格値に一
致するPe/Pw を求め、情報を記録するに際しては、半径
位置もしくはクロック周波数に比例するように、Pe/Pw
を予め最内周で求めた値から、最外周で求めた値へ変え
ることを特徴とする光記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001044286A JP2002240432A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 光記録媒体、その製造方法および光記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001044286A JP2002240432A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 光記録媒体、その製造方法および光記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002240432A true JP2002240432A (ja) | 2002-08-28 |
Family
ID=18906306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001044286A Pending JP2002240432A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 光記録媒体、その製造方法および光記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002240432A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006137962A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Mitsubishi Materials Corp | プレスパッタ時間の短い相変化記録膜形成用ターゲットの製造方法 |
| CN100358028C (zh) * | 2002-09-10 | 2007-12-26 | 日立麦克赛尔株式会社 | 信息记录媒体 |
| US7498069B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-03 | Nec Corporation | Optical recording medium, optical recording method, and optical recording apparatus |
| US7920458B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-04-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and recording and reproducing method |
| CN105428532A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-23 | 北京工业大学 | Dy-Ge-Sb-Te和Dy-Sb-Te相变存储材料 |
| CN105428531A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-23 | 北京工业大学 | Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001044286A patent/JP2002240432A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4687949B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-05-25 | 三菱マテリアル株式会社 | プレスパッタ時間の短い相変化記録膜形成用ターゲットの製造方法 |
| US7920458B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-04-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and recording and reproducing method |
| CN105428532A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-23 | 北京工业大学 | Dy-Ge-Sb-Te和Dy-Sb-Te相变存储材料 |
| CN105428531A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-23 | 北京工业大学 | Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料 |
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