JP2002240282A - 液滴吐出ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで信頼性の高い接合ができない。 【解決手段】 振動板１０を設ける第１基板と電極１５
を設ける第２基板とがシリコン基板であり、且つ、第１
及び／又は第２基板の接合面にはダミー溝３１，３２を
形成し、第１基板と第２基板をシリコン酸化膜を介して
接合した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液滴吐出ヘッド及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリンタ、ファクシミリ、複写
装置、プロッタ等の画像記録装置（画像形成装置を含
む。）に用いられる液滴吐出ヘッドであるインクジェッ
トヘッドとしては、インク滴を吐出するノズルと、この
ノズルが連通する吐出室（インク流路、インク室、液
室、圧力室、圧力発生室、加圧室、加圧液室等とも称さ
れる。）と、吐出室の壁面を形成する第一電極を兼ねる
振動板と、これに対向する電極（第二電極）とを備え、
振動板を静電力で変形変位させてノズルからインク滴を
吐出させる静電型インクジェットヘッドが知られてい
る。

【０００３】このような静電型インクジェットヘッドに
おいては、振動板の機械的変形特性はインク滴噴射特性
に大きく影響し、振動板厚の薄膜化及び高精度な制御が
必要になることから、シリコン基板に高濃度ボロン拡散
層を形成し、この高濃度ボロン拡散層をエッチングスト
ップ層としてシリコン基板を異方性エッチングすること
で、高精度厚みの薄膜振動板を形成するようにしてい
る。

【０００４】また、静電型インクジェットヘッドにおい
ては、振動板と電極間距離、即ちギャップ寸法を極めて
高精度に制御する必要があることから、例えば振動板を
形成する基板及び電極を形成する基板にシリコン基板を
用いる場合には、ＳＯＩ(silicon-on-insulator)ウエハ
の製造などに用いられている信頼性の高い強固な接合力
が得られる直接接合法を用いて接合するようにしてい
る。

【０００５】例えば、特開平６−２３９８６号公報に開
示されているように、ノズル及び吐出室となるべきキャ
ビティが形成された第一のシリコン基板と振動板となる
第二のシリコン基板とを構成部材とし、高濃度ｐ型シリ
コン層を形成した第二のシリコン基板と第一のシリコン
基板とをシリコン−シリコンの直接接合法により接合
し、接合後の第二のシリコン基板をアルカリ異方性エッ
チングしてｐ型シリコン層を残留させて振動板を形成し
たものがある。

【０００６】さらに、特開平９−２６７４７９号公報に
開示されているように、片側に高濃度ｐ型シリコン層を
形成した第一のシリコン基板の高濃度ｐ型シリコン層
と、ノズルが形成された第二のシリコン基板を向かい合
わせて、常温からの昇温速度を摂氏５度／分以下とした
直接接合により貼り合わせて振動板を形成したものもあ
る。

【０００７】ところで、このようなシリコン基板の直接
接合を用いる場合、接合温度が１１００℃〜１２００℃
という高温になることから、より低温での接合を可能に
するものとして、例えば、特開平９−２３９８６号公報
に開示されているように、ノズルを形成したシリコンウ
エハの貼り合わせ面に、シリコン酸化とＮa₂Ｏ及び水か
らなる珪酸ナトリウム水溶液を希釈したものをスピンコ
ートを用いてコートすることで珪酸ナトリウム層を形成
し、形成後直ちにシリコンウエハと振動板を形成したシ
リコンウエハを貼り合わせ、貼り合わせ面の反対側より
荷重をかけ、８０℃以上２００℃以下の大気中で加熱を
行うことにより、接合ウエハを得る方法が知られてい
る。

【０００８】また、特開平１０−２８６９５４号公報に
開示されているように、第一シリコン基板と第二シリコ
ン基板を洗浄及び乾燥後、第一シリコン基板の貼り合わ
せ面側に、スピンコートでポリシラザン層を形成し、形
成後、直ちに第一シリコン基板と第二シリコン基板を貼
り合わせ、貼り合わせ面の反対側より荷重をかけ、４５
０℃の大気中で１時間加熱を行い接合ウエハを得る方法
も知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように振動板
を形成する基板と電極を形成する基板とを接合する場
合、電極を形成する基板の耐熱性、上述のように振動板
に高濃度ボロン拡散層を用いた場合などはボロンの再分
布はそのまま振動板の厚さ及びそのばらつきに影響を与
えることから、接合温度の低温化を図る必要がある。

【００１０】この場合、接合温度の低温化を図るために
両基板の接合に水ガラス（珪酸ナトリウム溶液）を用い
るものにあっては、この材料は低温で良好な接合性を示
すものの、水分の含有量が多いため膜中からの出ガス
（水蒸気など）の影響が避けられない。また、両基板の
接合にポリシラザンを利用したものにあっては、信頼性
に優れるものの、やはり出ガスの問題を内在している。

【００１１】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、低コストで高精度、高密度かつ高信頼性を実現
した液滴吐出ヘッド及びその製造方法を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、振動板を設ける第
１基板と電極を設ける第２基板とがシリコン基板であ
り、且つ、第１及び／又は第２基板の接合面にはダミー
溝が形成され、第１基板と第２基板がシリコン酸化膜を
介して接合されている構成としたものである。

【００１３】本発明に係る液滴吐出ヘッドは、ノズルを
設ける第３基板と振動板を設ける第１基板がシリコン基
板であり、且つ、第１基板及び／又は第３基板の接合面
にはダミー溝が形成され、第１基板と第３基板がシリコ
ン酸化膜を介して接合されている構成としたものであ
る。

【００１４】本発明に係る液滴吐出ヘッドは、振動板を
設ける第１基板と電極を設ける第２基板とがシリコン基
板であり、且つ、第１及び／又は第２基板の接合面には
ダミー電極が形成され、第１基板と第２基板がシリコン
酸化膜を介して接合されている構成としたものである。

【００１５】また、シリコン酸化膜は１０００℃以下の
温度で軟化性を示す組成を持つことが好ましい。さら
に、シリコン酸化膜が燐及び／又はホウ素を含んでいる
ことが好ましい。また、シリコン酸化膜が燐及び／又は
ホウ素を含むシリコン酸化膜と燐及び／又は硼素を含ま
ないシリコン酸化膜との積層膜であることが好ましい。

【００１６】本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法
は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを製造する製造方法で
あって、シリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸
化膜がリフロー性を示す温度以上で個別に熱処理を施
し、このリフロー性を示す温度未満の温度で、且つ、１
０００℃を超えない温度で第１基板と第２基板とを加熱
して接合する構成としたものである。

【００１７】本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法
は、シリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜
がリフロー性を示す温度以上で個別に熱処理を施し、こ
のリフロー性を示す温度未満の温度で、且つ、１０００
℃を超えない温度で第１基板と第３基板とを加熱して接
合する構成となっている。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して説明する。先ず、本発明を適用したイン
クジェットヘッドの第１実施形態について図１乃至図４
を参照して説明する。なお、図１は同ヘッドの分解斜視
説明図、図２は同ヘッドのノズル板を除いた上面説明
図、図３は同ヘッドの振動板長手方向の断面説明図、図
４は同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説明図で
ある。

【００１９】このインクジェットヘッドは、単結晶シリ
コン基板を用いた第１基板である流路基板１と、この流
路基板１の下側に設けた単結晶シリコン基板を用いた第
２基板である電極基板２と、流路基板１の上側に設けた
第３基板であるノズル板３とを積層した構造を有し、イ
ンク滴を吐出する複数のノズル４、各ノズル４が連通す
るインク流路である吐出室６、各吐出室６にインク供給
路を兼ねた流体抵抗部７を介して連通する共通液室８な
どを形成している。

【００２０】流路基板１にはノズル４が連通する複数の
吐出室６及びこの吐出室６の壁面である底部をなす振動
板１０（電極を兼ねている）を形成する凹部を形成して
いる。この振動板１０の面外方向（電極基板２側）表面
には電極間の短絡を防止するためのシリコン酸化膜から
なる絶縁膜（絶縁層、酸化膜等とも称する）１１を形成
している。

【００２１】ここで、流路基板１は、例えば（１１０）
面方位の単結晶シリコン基板を用いた場合、予め振動板
厚さに高濃度ｐ型不純物（例えばボロン）を注入してエ
ッチングストップ層となる高濃度ボロン拡散層を形成
し、電極基板２と接合した後、吐出室６となる凹部をＫ
ＯＨ水溶液などのアルカリエッチング液を用いて異方性
エッチングすることにより、このとき高濃度ボロン拡散
層がエッチングストップ層となって（エッチレートが極
端に小さくなって）振動板１０が高精度に形成される。
高濃度Ｐ型不純物としては、ボロンの他、ガリウム、ア
ルミニウムなどもあるが、半導体分野ではボロンが一般
的である。

【００２２】また、流路基板１としては、ベース基板と
活性層基板とを酸化膜を介して接合したＳＯＩ（Ｓilic
on Ｏn Ｉnsulator）基板を用いることも可能である。
現在、高性能な半導体デバイス製造を目的として、１〜
３μｍほどのシリコン活性層（インクジェットヘッドで
はこの活性層を振動板１０に用いる。）を持つウェハを
容易に入手でき、コストの低減を図れる。

【００２３】また、電極基板２には、単結晶シリコン基
板を用いて、熱酸化法などで酸化膜１２を形成し、この
酸化膜１２に電極形成用の溝となるとともに流路基板１
と電極基板２との間のギャップスペーサ部１３を形成す
る凹部（電極形成用溝）１４を形成して、この凹部１４
底面に振動板１０に対向する電極１５を設け、振動板１
０と電極１５との間に所定の（例えば０．２μｍ程度
の）ギャップ１６を形成し、これらの振動板１０と電極
１５とによって静電型マイクロアクチュエータを構成し
ている。

【００２４】電極基板２の電極１５としては、金、或い
は、通常半導体素子の形成プロセスで一般的に用いられ
るＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属材料や、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ
等の高融点金属、不純物をドープした多結晶シリコン膜
などを用いることができる。また、電極１５は外部に延
設して電極パッド部１５ａとし、この電極パッド部１５
ａにヘッド駆動回路であるドライバＩＣ２２をワイヤボ
ンドなどによって搭載したＦＰＣケーブルを異方性導電
膜などを介して接続する。

【００２５】さらに、電極基板２には共通液室８へイン
クを供給するためのインク取り入れ口９を形成してい
る。このインク取入れ口９にインク供給管を接着して接
続することにより、共通液室８、吐出室６等には、図示
しないインクタンクからインク取入れ口９を通して供給
されたインクが充填されることが可能となる。なお、使
用するインクは、水、アルコール、トルエン等の主溶媒
にエチレングリコール等の界面活性剤と、染料または顔
料とを溶解または分散させることにより調製される。さ
らに、インクジェットヘッドにヒーター等を付設すれ
ば、ホットメルトインクも使用できる。

【００２６】ノズル板３には、多数のノズル４を形成す
るとともに、共通液室８と吐出室６を連通するための流
体抵抗部７を形成する溝部を形成している。ここでは、
インク吐出面（ノズル表面側）には撥水性皮膜を成膜し
ている。このノズル板３にはガラス基板、プラスチック
板、ステンレス等の金属板、シリコン基板、エレクトロ
フォーミング（電鋳）工法によるニッケルメッキ膜、ポ
リイミド等の樹脂にエキシマレーザー加工をしたもの、
金属と樹脂とを積層したもの等を用いることができる。

【００２７】このインクジェットヘッドにおいては、流
路基板１と電極基板２とが前述したようにシリコン基板
であり、且つ、第２基板である電極基板２の第１基板で
ある流路基板１との接合面にはダミー溝３１，３２を形
成し、流路基板１と電極基板２とを１１００℃を越えな
い温度、好ましくは１０００℃以下の温度で軟化性を示
す組成を持つシリコン酸化膜１８を介して接合してい
る。このシリコン酸化膜１８は、電極１５表面に形成す
るシリコン酸化膜である電極保護膜（保護膜）１７を一
体に形成している。なお、ダミー溝３１は流路基板１に
設けることもできるし、流路基板１と電極基板２の両方
に設けることもできる。

【００２８】この１０００℃以下の温度で軟化性を示す
組成を持つシリコン酸化膜１８としては、例えば、ホウ
素（ボロン）を含むシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜：Boro-S
ilicate Glass）、ホウ素を含まず、燐を含むシリコン
酸化膜（ＰＳＧ膜：Phospho-Silicate Glass）、或い
は、燐及びホウ素を含むシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜：
BoroPhospho-Silicate Glass）などを用いることができ
る。

【００２９】このように、流路基板１と電極基板２とを
１０００℃以下で軟化性を示す組成を持つシリコン酸化
膜１８を介して接合することにより、シリコン酸化膜１
８を成膜後、融点以上の温度の熱処理によりリフローさ
せることで、良好な直接接合が可能な表面性が得られ
る。具体的には、成膜直後にはＡＦＭを用いた表面性の
評価で、表面粗さＲａ値が１〜３ｎｍ程度であったもの
が０．１〜０．２ｎｍとなり、非常に良好な直接接合が
可能な表面性が得られた。

【００３０】また、シリコン酸化膜１８として燐及び／
又は硼素を含むシリコン酸化膜、例えばＢＳＧ膜、ＰＳ
Ｇ膜、或いはＢＰＳＧ膜などを用いることで、容易にシ
リコン酸化膜の融点を下げて１０００℃以下で軟化性を
示す組成を持つシリコン酸化膜を形成することができ、
シリコン酸化膜１８を成膜後、熱処理によりリフローさ
せることで、良好な直接接合が可能な表面性が得られ
る。

【００３１】そして、電極基板２の接合面にダミー溝３
１、３２を設けることで、特に燐及び／又はホウ素を含
むシリコン酸化膜１８の膜厚のバラツキを低減してより
確実に高い信頼性で流路基板１と電極基板２とを接合す
ることができる。

【００３２】すなわち、燐及び／又はホウ素を含むシリ
コン酸化膜１８はリフロー形状に若干のパターン依存性
があり、凹部１４が疎の部分（接合面積が広い部分）で
は、凹部１４が密の部分（接合面積が狭い部分）に比べ
て僅かに膜厚が薄くなる部分が発生し易くなる。この膜
厚差は１ｎｍ以下のレベルであるが、シリコン酸化膜を
用いた接合では、接合不良となる可能性がある。そこ
で、このダミー溝３１、３２を設けることで、シリコン
酸化膜を形成する下地部材の面積の均一化（接合面積の
均一化）を図ることができ、シリコン酸化膜の膜厚ばら
つきを低減して、接合不良の発生を防止することができ
る。

【００３３】このインクジェットヘッドではノズル４を
二列配置し、この各ノズル４に対応して吐出室６、振動
板１０、電極１５等も二列配置し、各ノズル列の中央部
に共通液室８を配置して、左右の吐出室６にインクを供
給する構成を採用している。これにより、簡単なヘッド
構成で多数のノズルを有するマルチノズルヘッドを構成
することができる。

【００３４】そして、電極１５の電極パッド部１５ａ側
のギャップ１６開口は、エポキシ樹脂等の接着剤を用い
たギャップ封止剤２１にて気密封止している。これによ
り、ギャップ１６内に湿気や異物が侵入して振動板１０
が変位しなくなったり、空気の流通による振動板１０の
変位特性の変化を防止している。

【００３５】このとき、振動板１０と電極１５との間に
形成されるギャップ１６（振動板１０が変形する室とし
ての振動室）を略真空状態にしておくことで、振動板変
形時の振動室内の気体の圧縮などの余分なエネルギーが
必要でなくなるため、低電圧駆動化を図れる。

【００３６】このように構成したインクジェットヘッド
の動作を簡単に説明すると、振動板１０を共通電極と
し、電極１５を個別電極として、振動板１０と電極１５
との間に駆動波形を印加することにより、振動板１０と
電極１５との間に静電力（静電吸引力）が発生して、振
動板１０が電極１５側に変形変位する。これにより、吐
出室６の内容積が拡張されて内圧が下がるため、流体抵
抗部７を介して共通液室８から吐出室６にインクが充填
される。

【００３７】次いで、電極１５への電圧印加を断つと、
静電力が作用しなくなり、振動板１０はそれ自身のもつ
弾性によって復元する。この動作に伴い吐出室６の内圧
が上昇し、ノズル５からインク滴が吐出される。再び電
極に電圧を印加すると、再び静電吸引力によって振動板
１０は電極１５側に引き込まれる。したがって、振動板
１０と電極１５との間に記録画像に応じて駆動電圧を印
加することで記録画像に応じてインク滴を吐出させるこ
とができる。

【００３８】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの第２実施形態について図５を参照して説明する。
なお、同図は同ヘッドの振動板長手方向の断面説明図で
ある。

【００３９】このインクジェットヘッドは、第１実施形
態と同様に、流路基板１と電極基板２とがシリコン基板
であり、電極基板２の接合面にはダミー溝３１，３２
（３２のみ図示）を形成するとともに、流路基板１と電
極基板２とを燐及びホウ素を含まないシリコン酸化膜２
８と燐及び／又はホウ素を含むシリコン酸化膜（１００
０℃以下で軟化性を示す組成を有するシリコン酸化膜）
１８の積層膜を介して接合されている。

【００４０】ここで、不純物を含まないシリコン酸化膜
２８としては燐及び硼素などを含まないＮＳＧ膜（Ｎon
-doped Ｓilicate Ｇlass）、燐及び／又は硼素を含む
シリコン酸化膜１８としてはＢＳＧ膜を用いているが、
これに限られるものではない。例えば、不純物を含まな
いシリコン酸化膜２８としては、ＮＳＧ膜に代えて、熱
酸化膜、塗布型のＳＯＧ膜（Ｓpin Ｏn Ｇlass）を用い
ることもできる。また、燐及び／又は硼素を含むシリコ
ン酸化膜１８としては、ＢＳＧ膜に代えて、前述したＰ
ＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などを用いることもできる。

【００４１】このように硼素及び／又は燐を含むシリコ
ン酸化膜１８の下地層として、遮蔽層となる不純物を含
まないシリコン酸化膜２８を設けることによって、ホウ
素や燐が電極基板２や電極１５に拡散して、品質が劣化
することを防止できる。

【００４２】例えば、電極１５の材料としてドープドポ
リシリコンを用いた場合などは、電極１５とリフロー膜
（ホウ素及び／又は燐を含むシリコン酸化膜、例えばＢ
ＳＧ膜）１８との間に不純物を含まないシリコン酸化膜
（ＮＳＧ膜）２８を介在させた構造とすることで、後工
程での熱処理時にリフロー膜となるシリコン酸化膜１８
に含まれるホウ素や燐などの不純物が電極１５に再分布
することが防止されて、個別電極１５の抵抗値などの電
気特性の変動を抑制することができる。

【００４３】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの第３実施形態について図６乃至図８を参照して説
明する。なお、図６は同ヘッドのノズル板を除いた上面
説明図、図７は同ヘッドの振動板長手方向の断面説明
図、図８は同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説
明図である。

【００４４】このインクジェットヘッドは、電極基板２
の接合面にはダミー電極３５を形成し、流路基板１と電
極基板２とを１０００℃以下で軟化性を示すシリコン酸
化膜である燐及び／又は硼素を含むシリコン酸化膜１８
を介して接合している。このダミー電極３５は、幅が略
均一になるように形成するとともに、電極１５とは電気
的に分離させている。

【００４５】このようなダミー電極３５を設けること
で、燐及び／又は硼素を含むシリコン酸化膜１８の膜厚
のバラツキを低減してより確実に高い信頼性で流路基板
１と電極基板２とを接合することができる。

【００４６】すなわち、前述したように、シリコン酸化
膜１８のリフロー後の形状が、下地形状の影響を僅かに
受け、接合面積が広い部分では、接合面積が狭い部分に
比べて、僅かに膜厚が薄くなる。そこで、このダミー電
極３５を設けることで、接合面積の均一化を図ることが
でき、膜厚ばらつきを低減することができる。

【００４７】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの第４実施形態について図９及び図１０を参照して
説明する。なお、図９は同ヘッドの振動板長手方向の断
面説明図、図１０は同ヘッドの振動板短手方向の拡大断
面説明図である。

【００４８】このインクジェットヘッドは、電極基板２
の酸化膜１２表面を平坦化し、この酸化膜１２上にポリ
シリコン膜からなる電極１５及びダミー電極３６を形成
して、更にこれらの電極１５及びダミー電極３６の間を
不純物を含まないシリコン酸化膜（ＳＯＧ膜）３７で埋
め込みで平坦化し、これらの上にＮＳＧ膜３８を形成
し、さらに、このＮＳＧ膜３８上に燐及び／又はホウ素
を含むシリコン酸化膜１８を形成して、このシリコン酸
化膜１８に凹部４４を形成することで振動板１０と非平
行になるギャップ４６を形成している。

【００４９】このように、電極１５上にＮＳＧ膜３８及
び燐及び／又はホウ素を含むシリコン酸化膜１８の積層
膜にすることにより、電極１５に燐及び／又はホウ素を
含むシリコン酸化膜１８からの不純物（ＢやＰ）が再分
布することを防止でき、電極１５の信頼性を確保でき
る。

【００５０】また、スピンコート法により形成できるＳ
ＯＧ膜３７を用いることで平坦化は有利になるが、電極
１５を形成するポリシリコン膜の研磨レートがＳＯＧ膜
３７に比べて非常に低いために、電極１５間の間隔が広
いとＳＯＧ膜３７のみが研磨されて平坦化の平面精度が
得られなくなる。そこで、ダミー電極３６を設けること
によって所要の平面精度が得られるようになる。

【００５１】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの第５実施形態について図１１及び図１２を参照し
て説明する。なお、図１１は同ヘッドの振動板長手方向
の断面説明図、図１２は同ヘッドの振動板短手方向の要
部拡大断面説明図である。

【００５２】このインクジェットヘッドは、第３基板で
あるノズル板３と第１基板である流路基板１がシリコン
基板であり、且つ、ノズル板３の流路基板１との接合面
にはダミー溝４２を形成し、流路基板１とノズル板３と
を１０００℃以下で軟化性を示す組成を有するシリコン
酸化膜でもある燐及び／又は硼素を含むシリコン酸化膜
４３を介して接合したものである。なお、ダミー溝４２
は流路基板１側の接合面に設けることもできるし、或い
はノズル板３と流路基板１の各接合面に設けることもで
きる。

【００５３】このシリコン酸化膜４３しては、ＣＶＤ等
の方法で形成したＢＳＧ膜を用いているが、前述したよ
うに、ＢＳＧ膜に代えて、ＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＮＳ
Ｇ膜とＢＳＧ膜の２層の積層膜、ＮＳＧ膜及びＢＰＳＧ
膜の２層の積層膜又はＮＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜及びＰＳＧ
膜の３層の積層膜等を用いることもできる。

【００５４】このように、ノズル板３側にダミー溝４２
を設けることで、前述したと同様に特に燐及び／又はホ
ウ素を含むシリコン酸化膜の膜厚バラツキを低減して高
信頼性の接合を行うことができる。

【００５５】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの第６実施形態について図１３を参照して説明す
る。なお、同図は同ヘッドの振動板長手方向の断面説明
図である。

【００５６】このインクジェットヘッドは、流路基板１
と電極基板２とがシリコン基板であり、且つ、電極基板
２の接合面にはダミー溝３１，３２（３２のみ図示）を
形成し、流路基板１と電極基板２とを燐及び／又は硼素
を含むシリコン酸化膜１８を介して接合し、更にノズル
板３と流路基板１とを燐及び／又は硼素を含むシリコン
酸化膜４３を介して接合している。

【００５７】これによりノズル板の接合が容易になると
ともに、燐及び／又は硼素を含むシリコン酸化膜の膜厚
バラツキが低減して信頼性の高い接合を行うことができ
る。

【００５８】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの製造方法の第１実施形態について図１４乃至図１
６を参照して説明する。この第１実施形態は本発明を適
用したインクジェットヘッドの第１実施形態の製造工程
を説明するものであるが、適宜他の実施形態のヘッドに
ついても説明する。

【００５９】この実施形態では、図１４（ａ）に示すよ
うに、厚さ約６２５μｍの結晶面方位が（１００）であ
るシリコン基板の片側に厚さ２μｍの酸化膜１２を形成
し、フォトリソグラフィ技術及びウェットエッチング
（弗化水素溶液を使用）により、凹部１４、ダミー溝３
１，３２（３２のみ図示）、電極１５を形成する。

【００６０】具体的には、酸化膜１２が形成されたウェ
ハにフォトレジストを塗布し、電極１５及びスペーサ部
１３を形成するための凹部１４、ダミー溝３１，３２
（３２のみ図示）を形成するためのパターニングを行
い、フォトレジストパターンをマスクとして、弗化アン
モニウムなどの緩衝成分を含む弗化水素溶液を用いて、
酸化膜１２に凹部１４及びダミー溝３１，３２（３２の
み図示）を形成する。

【００６１】次に、凹部１４内にチタンナイトライドを
リアクティブスパッタリングして厚さ０．１μｍにデポ
し、リソグラフィー及びドライエッチングによりパター
ンニングすることにより、同図（ａ）に示すように、電
極１５を形成する。ここで、電極１５にはチタンナイト
ライドを用いたが、ドープドポリシリコンやタングステ
ンなどの高融点金属を用いても良い。

【００６２】続いて、同図（ｂ１）に示すように、シリ
コン酸化膜としてＢＰＳＧ膜１８ａをＣＶＤ（燐濃度
４．５％、ボロン濃度４．０％）などの手法を用いて、
電極１５が形成されたウェハ全面に約１００ｎｍの厚さ
に堆積させる。この場合のシリコン酸化膜としてＢＰＳ
Ｇ膜１８ａは、電極１５の保護、酸化を防止する役目も
併せ持つ。ここで使われている燐、ボロンの濃度は、こ
の濃度に限定されるものではない。また、シリコン酸化
膜１８として、ボロンを含まないＰＳＧ膜或いは燐を含
まないＢＳＧ膜を用いることもできる。

【００６３】或いは、同図（ｂ２）に示すように、電極
１５が形成されたウェハ全面に不純物を含まないシリコ
ン酸化膜であるＮＳＧ膜２８ａを堆積した後、このＮＳ
Ｇ膜２８ａ上にＢＰＳＧ膜１８ａを積層した２層構成な
どとすることもできる（この形態は、本発明を適用した
インクジェットヘッドの第２実施形態として説明し
た。）。更に、ＮＳＧ膜２８ａ上にＢＰＳＧ膜１８ａ及
びＰＳＧ膜を順次積層した３層構成とすることもでき
る。

【００６４】ここでの重点は、シリコン酸化膜中に、燐
及び／又はボロンを含有させることによって、融点を下
げたシリコン酸化膜１８を形成することにある。

【００６５】さらに、ＢＰＳＧ膜１８ａは成膜後、融点
以上の温度で、且つ、後述の図１５（ａ）に示すような
直接接合の熱処理（８５０℃）よりも高い温度によりリ
フローさせる。この熱処理によりＢＰＳＧ膜１８ａに含
まれる水分や水素ガスなどが放出され、以降の接合工程
で、この熱処理温度を越えなければ、出ガスによる接合
不良が発生しない。ここでは、リフローを示す温度９５
０℃、６０分の熱処理を行った。成膜直後にはＡＦＭを
用いた表面性の評価で、表面粗さ（Ｒａ値）が１〜３ｎ
ｍ程度であったのが０．１〜０．２ｎｍとなり、非常に
良好な直接接合が可能な表面性が得られた。

【００６６】また、もう一つ重要な点は、ダミーパター
ンとしてダミー溝３２を設けていることである。このダ
ミー溝３２は、接合面積が比較的広い（疎の）部分に設
けている。上述したＢＰＳＧ膜１８ａのリフロー形状の
パターン依存性によって凹部１４が疎の部分は密の部分
に対して膜厚が薄い部分が発生しやすくなるが、ダミー
溝３２はこれを防ぎ、そこでの接合不良（未接合部分の
発生）を防止することができる。

【００６７】また、前述したようにＮＳＧ膜２８ａとＢ
ＰＳＧ膜１８ａの二層構造、すなわち不純物を含まない
シリコン酸化膜と燐及び／又はボロンを含むシリコン酸
化膜（リフロー膜）の二層以上の積層構造とした場合
（図１４（ｂ２）の場合）には、電極１５にドープドポ
リシリコンを用いたときなどに後工程での熱処理時にリ
フロー膜に含まれるＢやＰなどの不純物が電極１５に再
分布することが防止され、電極１５の抵抗値などの電気
特性の変動を抑制することができる。

【００６８】次に、流路基板１となる基板について説明
する。ここでは、同図（ｃ）に示すように、（１１０）
の面方位を持つ厚さ５００μｍのシリコン基板５１に固
体拡散法によりボロンを拡散し、高濃度ボロン拡散層５
２を形成する。なお、拡散方法には本実施形態の他にＢ
Ｂｒ₃を用いた気相拡散法、イオン注入法、Ｂ₂Ｏ₃を有
機溶媒に分散させウエハ上にスピンコートする塗布拡散
法等を用いても良い。

【００６９】例えば、シリコン基板５１と固体拡散源を
向かい合わせて並べ７５０℃の炉の中にセットする。炉
の中には０．２５％の酸素を混入した窒素を流してお
く。炉の温度を８℃／分のレートで１１２５℃まで上昇
させ、その状態で５０分保持した後、８℃／分のレート
で７５０℃まで下げサンプルを取り出すことで、高濃度
ボロン拡散層５２が形成されたシリコン基板５１が得ら
れる。

【００７０】その後、シリコン基板５１表面に形成され
たＢ_２Ｏ_３層をフッ酸により除去する。Ｂ_２Ｏ_３層の下
にシリコンとボロンの化合物層が形成されており、これ
を除去する場合は、酸化することによってフッ酸で除去
できるようになる。しかしながら、このように酸化して
フッ酸で化合物層を除去してもボロンの拡散されたシリ
コン表面には荒れが生じているので、後に行う直接接合
で接合できない。

【００７１】そこで、ＣＭＰ研磨により直接接合可能な
表面性（ＡＦＭを用いた５μｍareaの測定にてＲａ＝
０．２ｎｍ以下）を得た。ＣＭＰ研磨では、最表面を１
０００Å以下、面内均一に研磨することができるので、
高濃度ボロン拡散層５２の変化は微量であり、また研磨
量を見込んで拡散条件を決めることも容易である。ま
た、酸化してフッ酸処理して化合物層を除去してからＣ
ＭＰ研磨してもよいし、酸化してできた酸化膜１１をＣ
ＭＰ研磨して良好な表面性を有する酸化膜１１を形成し
てもよい。ここでは、ＣＭＰにより良好な表面性がもた
らされたシリコン基板（高濃度ボロン拡散層５２）を熱
酸化することにより良好な表面性(表面粗さＲａ＝０．
３ｎｍ以下)を有する酸化膜１１を形成する。

【００７２】続いて、図１５（ａ）に示すように、流路
基板１となるシリコン基板５１と電極基板２とを直接接
合する。各基板５１，２をＲＣＡ洗浄で知られる基板洗
浄法を用いて洗浄した後、硫酸過水(硫酸と過酸化水素
水の混合液で体積比２：１、温度１００℃以上)にて洗
浄し、接合面を親水化させることで直接接合をし易い表
面状態とする。各基板５１，２を乾燥後、各基板５１，
２を減圧下（室温）で重ね合わせ、減圧下において押さ
えつけることでプリボンドを完了する。

【００７３】ここで、重要な点は、流路基板１となるシ
リコン基板５１の接合面である酸化膜１１の表面が良好
な表面性（Ｒａ：０．３ｎｍ以下）を持ち、且つ電極基
板２の接合面であるＢＰＳＧ膜１８ａ表面も良好な表面
性（Ｒａ：０．３ｎｍ以下）を持つことである。接合す
る両基板５１，２の表面性が良くないと室温でプリボン
ドすることはなく、また、信頼性の高い接合はできな
い。

【００７４】さらにこの後、貼り合わせたウェハを窒素
ガス雰囲気下で、ＢＰＳＧ膜１８ａの融点以上である温
度で、かつ、ＢＰＳＧ膜１８の熱処理温度（９５０℃）
より低い温度（８５０℃）、２時間で焼成した。その結
果、接合不良（未接合部）のない、強固な接合が得られ
た。

【００７５】次に、図１５（ｂ）に示すように、厚さ５
００μｍのシリコン基板５１を厚さ１００μｍまで研磨
によって薄くし、接合基板にＬＰ−ＣＶＤによりシリコ
ン窒化膜５３ａ、５３ｂを形成し、続いて、電極基板２
上のシリコン窒化膜５３ｂをフォトリソグラフィー技
術、ドライエッチング技術によりパターニングし、温度
９０℃にて２５ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液によって
電極基板２のシリコン基板を異方性エッチングする。こ
のエッチング液では結晶面方位（１００）の面のエッチ
ングは２．５μｍ／分の速さで進行する。エッチングが
進行し酸化膜１２に達すると、酸化膜１２のエッチレー
トが非常に小さいためエッチングは停止する。ここで、
電極基板２のシリコン基板には溝部５４が形成される。

【００７６】そして、同図（ｃ）に示すように、シリコ
ン窒化膜５３aをフォトリソグラフィー技術、ドライエ
ッチング技術によりパターニングし、温度９０℃にて１
０ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液によって流路基板１と
なるシリコン基板５１に異方性エッチングを行う。パタ
ーニングした側の凹部からエッチングが進みボロン濃度
が１Ｅ２０／ｃｍ^３である深さに達した時エッチングが
ストップし(エッチレートが極端に下がり)、高濃度ボロ
ン拡散層（高濃度ボロンドープシリコン層）５２からな
る振動板１０及び吐出室６が形成される。

【００７７】続いて、図１６（ａ）に示すように、溝部
５４の酸化膜１２をフッ酸水溶液などでエッチング除去
してインク取り入れ口９を形成し、シリコン窒化膜５３
ａ及び５３ｂを熱燐酸溶液などによるウェットエッチ、
或いはドライエッチングによって除去する。ここで、こ
のシリコン窒化膜５３ａ及び５３ｂは除去せずにそのま
ま残しておいても良い。

【００７８】次に、同図中の一点鎖線で示す位置をダイ
シングすることによって、ウェハからヘッドチップサイ
ズに切り出す。その後、インク取り入れ口９に対応する
流路基板１側の高濃度ボロン拡散層５２を電極基板２側
からドライエッチングで除去し、インク取り入れ口９を
形成する。

【００７９】次に、同図（ｂ）に示すように、電極基板
２側から吐出室６及び共通インク室８を保護するように
メタルマスクをかぶせて、電極パッド部１５ａの上にあ
る高濃度ボロン拡散層５２及び電極１５を保護している
ＢＰＳＧ膜１８ａをドライエッチにより除去して保護膜
１７を形成する。

【００８０】最後に、ノズル４及び流体抵抗７を形成し
たノズル板３をエポキシ接着剤などを用いて流路基板１
上に接合することでインクジェットヘッドが完成する。

【００８１】ここで、ノズル板３をシリコン基板で形成
した場合には、前述した第４実施形態で説明したよう
に、ノズル板３に燐及び／又は硼素を含むシリコン酸化
膜を成膜し、リフローさせた後、直接接合してもよい。
この場合も、リフロー形状のパターン依存による接合不
良を防ぐため、ダミー溝などを形成することによりイン
クシール性に優れた接合が可能になる。また、このとき
のシリコン基板同士の直接接合温度は接合温度（１００
０℃）以下で行うことが好ましい。

【００８２】このように、燐及び／又は硼素を含むシリ
コン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜がリフロ
ー性を示す温度以上で熱処理を施し、この熱処理の温度
未満で且つ１０００℃を超えない温度で加熱して基板同
士を接合することで、リフロー性を示す温度以上で熱処
理を行うことによって良好な表面性が得られ、この熱処
理の温度未満の温度で加熱することによって出ガスによ
る接合不良の発生が防止され、かつ１０００℃を超えな
い温度で加熱することによって、電極や高濃度不純物拡
散層で振動板を形成するした場合の悪影響を防止するこ
とができて、高い信頼性で高精度な接合を行うことがで
きる。

【００８３】次に、本発明を適用したインクジェットヘ
ッドの製造方法の第２実施形態について図１７乃至図１
８を参照して説明する。この第２実施形態は本発明を適
用したインクジェットヘッドの第３実施形態の電極基板
の製造工程を説明するものである。

【００８４】まず、図１７（ａ）に示すように、厚さ約
６２５μｍの結晶面方位が（１００）であるシリコン基
板の片側に厚さ２μｍの酸化膜１２を形成し、ＣＶＤ法
によりウェハ全面にポリシリコン膜を１５０ｎｍの厚さ
に堆積し、リンや砒素をイオン注入し、活性化の為の熱
処理を行う。ここではイオン注入を用いたが、リンガラ
スなどをスピンコート、熱処理によってポリシリコン膜
にドーピングしても良い。

【００８５】具体的には、ポリシリコン膜を周知のフォ
トリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により
パターニングし、電極１５及びダミー電極３５を形成す
る。ここで、電極１５にはポリシリコン膜を用いたが、
タングステン、タングステンシリサイド等の高融点金属
膜や、これらの金属膜とポリシリコン膜との積層膜を用
いても良い。

【００８６】次に、同図（ｂ）に示すように、電極基板
２の全面に電極１５及びダミー電極３５表面を含めて厚
さ３５０ｎｍのＳＯＧ膜３７を堆積させる。 ＳＯＧ膜
３７はスピンコート法のため平坦化に適しており、ここ
では直接接合などの後工程での熱処理温度に耐えうる無
機のＳＯＧ膜３７を用いている。その後、９００℃−６
０分の熱処理によりＳＯＧ膜３７中の水分を排出する。
なお、１回のスピンコートで所望の厚さが堆積できない
場合は、スピンコートとベークを繰り返し行っても良い
し、加えてＢＰＳＧ膜１８ａなどのリフロー膜を堆積し
てもよい。

【００８７】次いで、同図（ｃ）に示すように、ＣＭＰ
研磨を行うことにより電極基板２を平坦化する。スラリ
ー液はＳＳ２５（キャボット社製：商品名）を超純水と
１：１に希釈したもの、研磨パッドはＩＣ１０００／ｓ
ｕｂａ４００（商品名、硬いポリウレタンの発泡体／ポ
リエステル繊維不織布の積層構造のもの）を用いた。ま
た、研磨条件は、テーブル速度／キャリア速度＝４０rp
m／２９rpm、研磨加圧＝２５０ｇ／ｃｍ²で行った。

【００８８】このとき、研磨はＳＯＧ膜３７の研磨から
進むことになるが、ポリシリコン膜の研磨レートがＳＯ
Ｇ膜３７に対して非常に低いため、ポリシリコン膜から
なる個別の電極１５及びダミー電極３５はＣＭＰ研磨の
ストッパー膜として利用できる。つまり、ポリシリコン
膜が露出すると、キャリアのトルクが急激に上昇するこ
とにより研磨の終点が検知でき、高精度に研磨量の制御
が可能となる。ＣＭＰ研磨により電極基板２は平坦化さ
れる。

【００８９】ここで、ダミー電極３５が形成されていな
い場合、同図（ｄ）に示すように、個別の電極１５のパ
ターンが疎の部分５６でＳＯＧ膜３７が薄くなり、後の
直接接合で、接合不良が発生しやすくなる。ダミー電極
３５のパターンを設けることにより、これを防止するこ
とができる。

【００９０】その後、平坦化された電極基板２にＮＳＧ
膜３８をＣＶＤ法により１５０ｎｍ堆積し、更にガス種
を変更(燐濃度４．５％、ボロン濃度４．０％)し、シリ
コン酸化膜としてＢＰＳＧ膜１８ａを約２００ｎｍの厚
さに堆積させる。そして、図１８に示すように、レジス
トパターンの厚さに傾斜を付け、そのレジスト越しにド
ライエッチングを行う方法で、ＢＰＳＧ膜１８ａにギャ
ップ形状が非平行状態である凹部３９を形成する。

【００９１】この後の振動板基板の製造工程は、上記イ
ンクジェットヘッドの製造方法の第１実施形態と略同様
に行うことにより同ヘッドが完成するので、詳細な説明
は省略する。

【００９２】なお、上記各実施形態においては、振動板
を設ける流路基板とノズル板とをシリコン酸化膜を介し
て接合するインクジェットヘッドとして静電型インクジ
ェットヘッドを例にして説明したが、振動板を圧電素子
で変形させるピエゾ型インクジェットヘッドにも同様に
適用することができる。また、本発明を適用したインク
ジェットヘッドをインクジェットヘッドに適用した例で
説明したが、これに限るものではなく、例えば、インク
以外の液滴、例えば、パターニング用の液体レジストを
吐出する液滴吐出ヘッドにも適用できる。さらに、各実
施形態で説明した静電アクチュエータは、マイクロモー
タ、マイクロポンプ、マイクロリレー等のマイクロアク
チュエータ部などにも適用することができる。

【００９３】また、上記実施形態においては、主として
本発明を振動板変位方向とインク滴吐出方向が同じにな
るサイドシュータ方式のインクジェットヘッドに適用し
たが、前述したように振動板変位方向とインク滴吐出方
向と直交するエッジシュータ方式のインクジェットヘッ
ドにも同様に適用することができる。また、振動板と液
室基板とを同一基板から形成したが、振動板と液室基板
とを別体にして接合することもできる。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液滴
吐出ヘッドによれば、振動板を設ける第１基板と電極を
設ける第２基板とがシリコン基板であり、且つ、第１及
び／又は第２基板の接合面にはダミー溝が形成され、第
１基板と第２基板がシリコン酸化膜を介して接合されて
いるので、シリコン酸化膜の膜厚バラツキによる接合不
良が防止され、低融点シリコン酸化膜を用いることで、
低コストで、高精度、高信頼性の接合を行うことができ
る。

【００９５】本発明に係る液滴吐出ヘッドによれば、ノ
ズルを設ける第３基板と振動板を設ける第１基板がシリ
コン基板であり、且つ、第１基板及び／又は第３基板の
接合面にはダミー溝が形成され、第１基板と第３基板が
シリコン酸化膜を介して接合されているので、シリコン
酸化膜の膜厚バラツキによる接合不良が防止され、低融
点シリコン酸化膜を用いることで、低コストで、高精
度、高信頼性の接合を行うことができる。

【００９６】本発明に係る液滴吐出ヘッドによれば、振
動板を設ける第１基板と電極を設ける第２基板とがシリ
コン基板であり、且つ、第１及び／又は第２基板の接合
面にはダミー電極が形成され、第１基板と第２基板がシ
リコン酸化膜を介して接合されているので、シリコン酸
化膜の膜厚バラツキによる接合不良が防止され、低融点
シリコン酸化膜を用いることで、低コストで、高精度、
高信頼性の接合を行うことができる。

【００９７】ここで、シリコン酸化膜は１０００℃以下
の温度で軟化性を示す組成を持つことにより、低温での
高精度、高信頼性の接合を行うことができる。また、シ
リコン酸化膜は燐及び／又は硼素を含むことで、低温で
の高精度、高信頼性の接合を行うことができる。さら
に、シリコン酸化膜は燐及び／又は硼素を含むシリコン
酸化膜と燐及び／又は硼素を含まないシリコン酸化膜と
の積層膜とすることで、不純物が再分布が防止されて更
に信頼性が向上する。

【００９８】本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法に
よれば、シリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸
化膜がリフロー性を示す温度以上で個別に熱処理を施
し、このリフロー性を示す温度未満の温度で、且つ、１
０００℃を超えない温度で第１基板と第２基板とを加熱
して接合するので、基板や振動板に影響を与えることな
く良好な表面性が得られ、低コストで高い信頼性の接合
を行うことができる。

【００９９】本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法に
よれば、シリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸
化膜がリフロー性を示す温度以上で個別に熱処理を施
し、このリフロー性を示す温度未満の温度で、且つ、１
０００℃を超えない温度で第１基板と第３基板とを加熱
して接合するので、基板や振動板に影響を与えることな
く良好な表面性が得られ、低コストで高い信頼性の接合
を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液滴吐出ヘッドの第１実施形態に係る
インクジェットヘッドの分解斜視説明図

【図２】同ヘッドのノズル板を除いた上面説明図

【図３】同ヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図４】同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説明
図

【図５】本発明の液滴吐出ヘッドの第２実施形態に係る
インクジェットヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図６】同ヘッドのノズル板を除いた上面説明図

【図７】本発明の液滴吐出ヘッドの第３実施形態に係る
インクジェットヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図８】同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説明
図

【図９】本発明の液滴吐出ヘッドの第４実施形態に係る
インクジェットヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図１０】同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説
明図

【図１１】本発明の液滴吐出ヘッドの第５実施形態に係
るインクジェットヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図１２】同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面説
明図

【図１３】本発明の液滴吐出ヘッドの第６実施形態に係
るインクジェットヘッドの振動板長手方向の断面説明図

【図１４】本発明の製造方法の第１実施形態に係るイン
クジェットヘッドの製造工程を説明する断面説明図

【図１５】図１４に続く工程を説明する断面説明図

【図１６】図１５に続く工程を説明する断面説明図

【図１７】本発明の製造方法の第２実施形態に係るイン
クジェットヘッドの製造工程を説明する振動板長手方向
の断面説明図

【図１８】同じく振動板短手方向の断面説明図

【符号の説明】

１…流路基板、２…電極基板、３…ノズル板、４…ノズ
ル、６…吐出室、７…流体抵抗部、８…共通液室、１０
…振動板、１２…酸化膜、１４…凹部、１５…電極、１
６…ギャップ、１８…シリコン酸化膜、３２…ダミー
溝、３５，３６…ダミー電極。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液滴を吐出するノズルと、ノズルが連通
   する吐出室と、吐出室の壁面を形成する振動板と、この
   振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で
   変形させて液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、
   前記振動板を設ける第１基板と前記電極を設ける第２基
   板とがシリコン基板であり、且つ、前記第１及び／又は
   第２基板の接合面にはダミー溝が形成され、前記第１基
   板と前記第２基板がシリコン酸化膜を介して接合されて
   いることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
2. 【請求項２】 液滴を吐出するノズルと、ノズルが連通
   する吐出室と、吐出室の壁面を形成する振動板と、この
   振動板を変形させる駆動手段とを有し、前記振動板を変
   形させて液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、前
   記ノズルを設ける第３基板と前記振動板を設ける第１基
   板がシリコン基板であり、且つ、前記第１基板及び／又
   は第３基板の接合面にはダミー溝が形成され、前記第１
   基板と前記第３基板がシリコン酸化膜を介して接合され
   ていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
3. 【請求項３】 液滴を吐出するノズルと、ノズルが連通
   する吐出室と、吐出室の壁面を形成する振動板と、この
   振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で
   変形させて液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、
   前記振動板を設ける第１基板と前記電極を設ける第２基
   板とがシリコン基板であり、且つ、前記第１及び／又は
   第２基板の接合面にはダミー電極が形成され、前記第１
   基板と前記第２基板がシリコン酸化膜を介して接合され
   ていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の液滴
   吐出ヘッドにおいて、前記シリコン酸化膜は１０００℃
   以下の温度で軟化性を示す組成を持つことを特徴とする
   液滴吐出ヘッド。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の液滴
   吐出ヘッドにおいて、前記シリコン酸化膜が燐及び／又
   はホウ素を含んでいることを特徴とする液滴吐出ヘッ
   ド。
6. 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれかに記載の液滴
   吐出ヘッドにおいて、前記シリコン酸化膜が燐及び／又
   はホウ素を含むシリコン酸化膜と燐及び／又はホウ素を
   含まないシリコン酸化膜との積層膜であることを特徴と
   する液滴吐出ヘッド。
7. 【請求項７】 請求項１又は３に記載の液滴吐出ヘッド
   を製造する製造方法であって、前記シリコン酸化膜を形
   成した後、このシリコン酸化膜がリフロー性を示す温度
   以上で個別に熱処理を施し、このリフロー性を示す温度
   未満の温度で、且つ、１０００℃を超えない温度で前記
   第１基板と前記第２基板とを加熱して接合することを特
   徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２に記載の液滴吐出ヘッドを製造
   する製造方法であって、前記シリコン酸化膜を形成した
   後、このシリコン酸化膜がリフロー性を示す温度以上で
   個別に熱処理を施し、このリフロー性を示す温度未満の
   温度で、且つ、１０００℃を超えない温度で前記第１基
   板と前記第３基板とを加熱して接合することを特徴とす
   る液滴吐出ヘッドの製造方法。