JP2002231782A - Method for transferring semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor device, and processor - Google Patents

Method for transferring semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor device, and processor

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JP2002231782A
JP2002231782A JP2001025197A JP2001025197A JP2002231782A JP 2002231782 A JP2002231782 A JP 2002231782A JP 2001025197 A JP2001025197 A JP 2001025197A JP 2001025197 A JP2001025197 A JP 2001025197A JP 2002231782 A JP2002231782 A JP 2002231782A
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JP
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semiconductor wafer
fan
opening
semiconductor
wafer
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JP2001025197A
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Inventor
Tsutomu Sumino
努 角野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method in which power consumption in high cleanliness is reduced and the running cost is further decreased, in processes of transferring and manufacturing a semiconductor wafer by use of a locally clean environment (mini-environment) system. SOLUTION: A fan 21 is in standby operation at normal time in a mini- environment, and only when a semiconductor wafer C is taken out from a pod P, the fan is rotated at a high speed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、局所的に雰囲気を
清浄にするためのファン・フィルタ・ユニット(FF
U)を用いる半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製
造方法および半導体製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fan filter unit (FF) for locally cleaning an atmosphere.
The present invention relates to a method for transferring a semiconductor wafer using U), a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程において作業環境
に塵埃等が多く存在しているとこうした塵埃が半導体ウ
エハの表面に付着するため製造歩留まりの低下を招くこ
ととなる。特に半導体ウエハの加工線幅の狭小化が進む
今日においては、除去が必要な塵埃の最小粒子径も小さ
くなるため従来よりも作業環境の雰囲気を高清浄度に保
つ必要性が大きくなっている。作業環境を清浄に保つク
リーンルームの構成としては、天井にフィルタを設置し
ファンを回転させることによりフィルタを介してエアを
循環させる構成が広く知られている。高清浄度に保つた
めにはファンを高速回転させて高速でエアを循環させる
ことにより実現される。しかしながら、循環させるエア
の流速の3乗に比例してファンを回転させる必要がある
ため、高清浄度ほど消費電力が大きくなりコストが増大
するという問題が生じる。このようなコストの増大を抑
制するために、いわゆる局所的クリーン環境(ミニエン
バイロンメント)を設置する方法が考案されている。図
7に局所クリーン環境を実現するためのプロセス装置9
2の例を示す。図7に示されるようにクリーンルームと
は別途にプロセス装置92にFFU94を設置し、この
ファンから送出される気流に対してフィルタを通じて塵
埃を低減させて局所的にクリーンな環境を実現してい
る。
2. Description of the Related Art When a large amount of dust or the like is present in a working environment in a semiconductor device manufacturing process, such dust adheres to the surface of a semiconductor wafer, thereby lowering the manufacturing yield. In particular, in today's narrower processing line width of semiconductor wafers, the minimum particle size of dust that needs to be removed is also smaller, and thus the necessity for maintaining an atmosphere of a working environment with higher cleanliness than before has been increasing. As a configuration of a clean room that keeps a working environment clean, a configuration in which a filter is installed on a ceiling and air is circulated through the filter by rotating a fan is widely known. To maintain high cleanliness, it is realized by rotating the fan at high speed and circulating air at high speed. However, since it is necessary to rotate the fan in proportion to the cube of the flow velocity of the circulating air, there is a problem that the power consumption increases and the cost increases as the cleanliness increases. In order to suppress such an increase in cost, a method of setting a so-called local clean environment (mini environment) has been devised. FIG. 7 shows a process apparatus 9 for realizing a local clean environment.
2 shows an example. As shown in FIG. 7, an FFU 94 is installed in a process device 92 separately from the clean room, and dust is reduced through a filter with respect to an air flow sent from the fan to realize a locally clean environment.

【0003】こうした環境下でオペレータは作業を行う
ので、オペレータが半導体ウエハをプロセス装置にセッ
ト・リセットする際であってもオペレータのウェアなど
の発塵源から発生する塵埃がウエハに付着する確率を低
減させることができる。また、自動でウエハをセットす
る自動機(SMIF:Standard Mechan
ical Interface)を備えるプロセス装置
に局所クリーン環境を実現するFFUを適用した例も多
々ある。たとえば特開平2000−82731号には、
クリーンルームのランニングコストを増大を抑制しつ
つ、ウエハの汚染を防ぐ方法としてクリーンルームと装
置室間でウエハを受け渡しをするための中間室を形成
し、この中間室を高清浄度に設定する中間室、装置室の
圧力センサを設置し、中間室の圧力値が一番高くなるよ
うにFFUの駆動モータの回転数を制御する技術思想に
ついて開示されている。
[0003] In such an environment, the operator performs work. Therefore, even when the operator sets and resets the semiconductor wafer in the processing apparatus, the probability that dust generated from a dust source such as wear of the operator adheres to the wafer. Can be reduced. In addition, an automatic machine for automatically setting a wafer (SMIF: Standard Machine)
In many cases, an FFU for realizing a local clean environment is applied to a process apparatus having an ICA (Ionic Interface). For example, JP-A-2000-82731 describes that
An intermediate chamber for transferring wafers between the clean room and the equipment room as a method for preventing contamination of wafers while suppressing an increase in the running cost of the clean room, and an intermediate chamber for setting the intermediate chamber to high cleanliness; A technical idea of disposing a pressure sensor in an apparatus room and controlling the number of rotations of a drive motor of an FFU so that the pressure value in an intermediate chamber becomes highest is disclosed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ミニエ
ンバイロンメント方式を採用することにより従来よりも
ランニングコストは低減されたものの、さらにそのラン
ニングコストを小さくしたいという要請がある。また、
自動機で半導体ウエハを搬送する場合、L/Lドアが開
口している状態において最適となるようにファンフィル
タユニットの流速を設定すると、L/Lドアが閉まって
いる際の流速は過剰となるため搬送中のウエハの振動を
招く。振動によりパーティクルの発生、搬送エラー、ロ
ボットハンドとの衝突、載置ずれ、衝撃によるウエハの
損傷等を招く可能性があることが発明者により明らかに
なった。本発明は上記課題を解決することを目的として
おり、ミニエンバイロンメント方式を用いる半導体ウエ
ハの移送、半導体ウエハの製造工程等において、従来よ
りもランニングコストの低減を可能とする方法等を提供
することを目的としている。
However, although the running cost has been reduced by adopting the mini-environment method compared with the conventional one, there is a demand for further reducing the running cost. Also,
When a semiconductor wafer is transferred by an automatic machine, if the flow rate of the fan filter unit is set so as to be optimal when the L / L door is open, the flow rate when the L / L door is closed becomes excessive. This causes vibration of the wafer during transfer. The inventors have found that the vibration may cause generation of particles, transfer error, collision with the robot hand, displacement, and damage to the wafer due to impact. An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a method and the like that can reduce the running cost as compared with the conventional method in the transfer of a semiconductor wafer using a mini-environment method, the manufacturing process of a semiconductor wafer, and the like. It is an object.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明によれば、半導体製造装置の装置室を開口する
装置室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容
器を開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを
前記密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを
備える半導体ウエハの移送方法において、前記移送工程
は、ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導
体ウエハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度
で送出させながら、前記半導体ウエハを移送することと
し、移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていない
ときに比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導
体ウエハの移送方法である。また、前記装置室はロード
ロック室であることを特徴とする前記半導体ウエハの移
送方法である。また、前記密閉容器の開口を検知するセ
ンサを用い、このセンサから出力される信号に基づいて
前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させることによ
り、前記ガスの速度を制御することを特徴とする前記半
導体ウエハの移送方法である。また、前記移送工程によ
り前記半導体ウエハを装置室内に移送した後に前記装置
室を密閉させる工程を備えるとともに、この密閉を検知
するセンサを用いてこのセンサから出力させる信号に基
づいて前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させるこ
とにより、前記ガスの速度を制御することを特徴とする
請求項1記載の半導体ウエハの移送方法である。
According to the present invention, there is provided an apparatus chamber opening step of opening an apparatus chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, and a sealing step of opening an airtight container containing a semiconductor wafer. In a method for transferring a semiconductor wafer, comprising: a container opening step; and a transfer step of transferring the semiconductor wafer from the closed container into the apparatus chamber, wherein the transfer step includes driving a fan filter unit to pass the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is transferred while a clean gas is delivered at a predetermined speed to a transfer area to be transferred, and the speed of the gas during transfer is set to be higher than when the transfer is not performed. This is a method for transferring a semiconductor wafer. The apparatus chamber is a load lock chamber, wherein the semiconductor wafer is transferred. Further, the semiconductor is characterized in that a speed of the gas is controlled by using a sensor for detecting an opening of the closed container and driving the fan / filter unit based on a signal output from the sensor. This is a wafer transfer method. The method further comprises the step of sealing the apparatus chamber after transferring the semiconductor wafer into the apparatus chamber by the transfer step, and using the sensor for detecting the sealing to output the fan, filter, and the like based on a signal output from the sensor. 2. The method according to claim 1, wherein the speed of the gas is controlled by driving a unit.

【0006】また、前記半導体ウエハの移送は、所定の
搬送装置を用いて自動的に行うこととし、前記装置室の
開口は、前記半導体ウエハの移送中に行うこととし、前
記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の方
の速度を大きくさせることを特徴とする前記半導体ウエ
ハの移送方法である。また、半導体ウエハを密閉容器に
収納して各工程に用いられる半導体製造装置間を搬送さ
せる工程と、搬送された前記密閉容器を所定位置にて静
止させ、開口させる密閉容器開口工程と、前記半導体製
造装置の装置室を開口する装置室開口工程と、前記半導
体ウエハを前記装置室内に移送する移送工程と、前記半
導体製造装置を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる
工程と、前記処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉
容器に収納させる工程とを備える半導体装置の製造方法
において、前記移送工程は、ファン・フィルタ・ユニッ
トを駆動させて前記半導体ウエハが通過する移送領域に
清浄なガスを所定の速度で送出させながら、前記半導体
ウエハを移送することとし、移送中の前記ガスの速度
は、前記移送をしていないときに比べて速度を大きくさ
せることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
In addition, the transfer of the semiconductor wafer is automatically performed by using a predetermined transfer device, the opening of the apparatus chamber is performed during the transfer of the semiconductor wafer, and the speed of the gas is: The method of transferring a semiconductor wafer, wherein the speed after the opening of the apparatus chamber is made higher than that before the opening. A step of accommodating the semiconductor wafer in a closed container and transporting the semiconductor wafer between semiconductor manufacturing apparatuses used in each step; a step of opening the transported closed container at a predetermined position and opening the closed container; An apparatus chamber opening step of opening an apparatus chamber of a manufacturing apparatus, a transfer step of transferring the semiconductor wafer into the apparatus chamber, a step of processing the semiconductor wafer using the semiconductor manufacturing apparatus, and the processing is completed. Storing the semiconductor wafer in the hermetically sealed container, wherein the transporting step comprises driving a fan / filter unit to pass a clean gas to a transport area through which the semiconductor wafer passes. The semiconductor wafer is transferred while being sent at a speed, and the speed of the gas during transfer is faster than when the transfer is not performed. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that for the large.

【0007】また、複数の半導体ウエハを支持するウエ
ハカセットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置
と、前記開閉装置により開口された前記密閉容器から取
り出された前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処
理を行うための半導体処理装置内の所定位置まで移送す
るときに通過する領域を局所的に清浄にするためのファ
ン・フィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置にお
いて、前記密閉容器の開口を感知する第1のセンサと、
前記密閉容器の密閉を感知する第2のセンサと、前記密
閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する第3の
センサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・ユニッ
トは、前記各センサからの信号に基づいて前記ファン・
フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するためのモ
ータの回転数を可変することができる構成となっている
ことを特徴とする半導体製造装置である。また、複数の
ウエハを支持するウエハカセットを収納する密閉容器を
開閉させる開閉装置と、前記ウエハカセットを半導体処
理装置に備わるロードロック室内に搬送するための搬送
装置と、前記搬送により前記ウエハカセットが通過する
領域を局所的に清浄な雰囲気にするためのファン・フィ
ルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送装
置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回転
数を増加させる構成となっていることを特徴とする半導
体製造装置である。
[0007] An opening / closing device for opening and closing a sealed container accommodating a wafer cassette supporting a plurality of semiconductor wafers, and a process for processing the semiconductor wafer by removing the wafer cassette taken out of the sealed container opened by the opening / closing device. And a fan-filter unit for locally cleaning an area passing when transferring to a predetermined position in the semiconductor processing apparatus for performing the first operation. Sensors and
A second sensor for detecting the airtightness of the airtight container; and a third sensor for detecting the presence or absence of the wafer cassette in the airtight container. The fan based on the signal
A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that the number of rotations of a motor for driving a fan provided in a filter unit can be varied. Further, an opening / closing device for opening and closing a closed container accommodating a wafer cassette supporting a plurality of wafers, a transfer device for transferring the wafer cassette into a load lock chamber provided in a semiconductor processing apparatus, and the transfer of the wafer cassette In a semiconductor manufacturing apparatus including a fan filter unit for locally making a passing region a clean atmosphere, the number of rotations of a fan provided in the fan filter unit is configured to be variable, and at least The semiconductor manufacturing apparatus is characterized in that the number of rotations of the fan is increased while the transfer device is transferring the wafer cassette.

【0008】また、前記第3のセンサが前記密閉容器内
に前記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記
第1のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を増加させるように構成されるとともに、前記第3のセ
ンサが前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在する
と検知し、かつ、前記第2のセンサが前記密閉容器の密
閉を検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに
備わるファンの回転数を減少させるように構成されてい
ることを特徴とする前記半導体製造装置である。なお、
本発明において半導体製造装置の装置室とは、プロセス
処理を行う処理室または被処理体の搬入・搬出などを行
うロードロック室その他の開口・密閉可能な室一般のこ
とをいう。
When the third sensor detects that the wafer cassette is present in the closed container, and when the first sensor detects an opening of the closed container, the third sensor detects the presence of the wafer cassette. The third sensor detects that the wafer cassette is present in the closed container, and the second sensor detects that the closed container is closed. In the semiconductor manufacturing apparatus, the number of rotations of a fan provided in the fan / filter unit is reduced in such a case. In addition,
In the present invention, the apparatus room of a semiconductor manufacturing apparatus refers to a processing chamber for performing a process process, a load lock chamber for carrying in / out a workpiece, and other general rooms that can be opened and sealed.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を用いて説明する。本実施の形態は、オペレータが
ウエハカセットCを移送する領域を局所的に清浄な環境
とするプロセス装置10を用いた半導体ウエハの移送方
式等に関する。図1に本発明に係るプロセス装置10お
よびそのプロセス装置10が配置されるクリーンルーム
の概略構成を示している。図1(a)は正面図、(b)
は側面図である。このプロセス装置10は、ウエハカセ
ットCを収納するポッドPを開閉させるポッド開閉装置
12と、ポッド開閉装置12によりポッドPと分離可能
となったウエハカセットCをオペレータが取り出して移
送する領域を局所的に清浄にするためのファン・フィル
タ・ユニット21(以下「FFU」という)と、オペレ
ータに移送されたウエハカセットCが載置されるロード
ロック室16(以下「L/L室」という)と、L/L室
16に載置されたウエハカセットCに保持される半導体
ウエハの処理を行うプロセス処理部18と、FFU21
により局所的に清浄にされる領域内のオペレータの存在
を検知するセンサ20とを備える。なお、半導体ウエハ
はウエハカセットCにより複数枚まとめて保持されてお
り、このウエハカセットCはポッドPという密閉容器に
収納される。ポッドP内にウエハカセットCを密閉収納
することにより、ポッドP内の半導体ウエハは外部の塵
埃からの汚染を抑止される。半導体ウエハはポッドPに
密閉された状態で各工程の装置間を搬送される。したが
って装置間の移送経路を高度に清浄にする必要は無く、
例えばクラス1000程度で良い。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present embodiment relates to a method of transferring a semiconductor wafer using a process apparatus 10 that makes a region where an operator transfers a wafer cassette C a locally clean environment. FIG. 1 shows a schematic configuration of a process apparatus 10 according to the present invention and a clean room in which the process apparatus 10 is arranged. FIG. 1A is a front view, and FIG.
Is a side view. The process apparatus 10 includes a pod opening / closing device 12 for opening and closing a pod P containing a wafer cassette C, and a region where an operator takes out and transfers a wafer cassette C which can be separated from the pod P by the pod opening / closing device 12. A filter unit 21 (hereinafter referred to as "FFU") for cleaning the wafer, a load lock chamber 16 (hereinafter referred to as "L / L chamber") in which the wafer cassette C transferred to the operator is placed, A processing unit 18 for processing semiconductor wafers held in a wafer cassette C placed in the L / L chamber 16;
And a sensor 20 for detecting the presence of an operator in an area to be locally cleaned by the operator. A plurality of semiconductor wafers are held together by a wafer cassette C, and the wafer cassette C is stored in a closed container called a pod P. By sealingly storing the wafer cassette C in the pod P, contamination of the semiconductor wafers in the pod P from external dust is suppressed. The semiconductor wafer is transported between the apparatuses in each process while being sealed in the pod P. Therefore, there is no need to highly clean the transfer path between the devices,
For example, the class may be about 1000.

【0010】次いでプロセス装置10の各構成要素につ
いて説明する。ポッド開閉装置12は、密閉されている
ポッドPを開口させる機能およびウエハカセットCをポ
ッドP内に収納し密閉させる機能を有する。すなわち、
所定の位置(以下「ロードポート」という)にポッドP
が載置されると、ポッドPが開口されてウエハカセット
Cと分離可能となる。反対にウエハカセットCをロード
ポートに載置すると、ポッドPがウエハカセットCを収
納・密閉する。FFU21は、オペレータがウエハカセ
ットCを移送する領域を清浄にする機能を有し、具体的
にはULPA(Ultra Low Penetrat
ionAir)フィルタ22と、ULPAフィルタ22
越しに清浄なエアを送出するためのファン23と、この
ファン23を回転させる図示しないモータと、モータの
回転数を制御するインバータ24と、このインバータ2
4を制御するインバータ制御ユニット25とを備えてい
る。したがってインバータ制御ユニット25からの制御
信号に基づいてファン23の回転数を制御することがで
きる。このFFU21は、床方向(鉛直方向)にエアを
送出するように配設されており、後述するようにそのエ
アは床下空間へ排出される構成となっている。
Next, each component of the process apparatus 10 will be described. The pod opening and closing device 12 has a function of opening the sealed pod P and a function of storing the wafer cassette C in the pod P and sealing it. That is,
Pod P at a predetermined position (hereinafter referred to as “load port”)
Is placed, the pod P is opened and can be separated from the wafer cassette C. Conversely, when the wafer cassette C is placed on the load port, the pod P stores and seals the wafer cassette C. The FFU 21 has a function of cleaning an area where the operator transfers the wafer cassette C. Specifically, the FFU 21 is a ULPA (Ultra Low Penetrate).
ionAir) filter 22 and ULPA filter 22
A fan 23 for sending out clean air, a motor (not shown) for rotating the fan 23, an inverter 24 for controlling the number of rotations of the motor,
And an inverter control unit 25 for controlling the control unit 4. Therefore, the rotation speed of the fan 23 can be controlled based on the control signal from the inverter control unit 25. The FFU 21 is disposed so as to send out air in the floor direction (vertical direction), and the air is discharged to the underfloor space as described later.

【0011】また、発塵源となるオペレータがこのプロ
セス装置10に近づくとファン23を高速回転させて雰
囲気を清浄に保つために、プロセス装置10の両端、す
なわちポッド開閉装置12側とL/L室16側には2つ
の光センサ20が備え付けられている。そして各センサ
20の出力はインバータ制御ユニット25に送られ、少
なくとも一方のセンサ20によりオペレータの検知信号
が出力された場合にはファン23の回転数を高速にする
ような制御信号が出力されるような構成となっている。
また、プロセス処理部18は、オペレータによりL/L
室16に載置されたウエハカセットCに保持される半導
体ウエハの処理を行う機能を有し、例えば成膜処理やエ
ッチング処理などを行う。こうしたプロセス装置10
は、たとえばダウンフロータイプのクリーンルーム内に
配置される。図1に示されるように、天井にFFU42
を設置することにより天井裏空間の空気を清浄にして、
ダウンフローでクリーンルーム内に供給するとともに、
床をグレーチング床40にしてクリーンルーム内の空気
を床下空間に排出させる。そしてクリーンルーム外側に
配設される図示しない循環路空間を経て再び天井裏空間
に循環されることとなる。
When an operator serving as a dust source approaches the process device 10, the fan 23 rotates at a high speed to keep the atmosphere clean, so that both ends of the process device 10, ie, the pod opening / closing device 12 and the L / L are connected to each other. Two optical sensors 20 are provided on the chamber 16 side. The output of each sensor 20 is sent to the inverter control unit 25, and when at least one of the sensors 20 outputs a detection signal of an operator, a control signal for increasing the rotation speed of the fan 23 is output. Configuration.
Further, the process processing unit 18 controls the L / L by the operator.
It has a function of processing semiconductor wafers held in the wafer cassette C placed in the chamber 16, and performs, for example, a film forming process and an etching process. Such a process device 10
Is placed in, for example, a downflow type clean room. As shown in FIG.
By cleaning the air in the space above the ceiling by installing
Along with supplying into the clean room with down flow,
The floor is changed to a grating floor 40, and the air in the clean room is discharged to the underfloor space. Then, the air is circulated again to the space above the ceiling via a circulation path space (not shown) provided outside the clean room.

【0012】以下に上記構成における半導体ウエハの移
送の手順を説明する。ここで図2は、FFU21のファ
ン回転数の時間的変化を示した図である。まず、オペレ
ータにより半導体ウエハを密閉収納するポッドPがロー
ドポートに載置される。このときセンサ20はオペレー
タの接近を感知し、検知信号をインバータ制御ユニット
25に出力する。インバータ制御ユニット25はこの検
知信号に対応してファン23の回転速度を所定回転数に
増加させる制御信号をインバータ24に出力するためロ
ードポートにポッドPが載置されるのとほぼ同時にファ
ン23の回転数が待機時より増加することとなる(T
1)。ファン23の回転数の増加に伴い移送領域のエア
の速度は上昇するので、発塵源であるオペレータ等の塵
埃は床下へと排出され、半導体ウエハの汚染が抑止され
る。ロードポートに載置されたポッドPは、ポッド開閉
装置12により開口される。オペレータはウエハカセッ
トCを取り出しL/L室16へと移送する。この際、移
送領域には清浄なエアが高速で送出しているため、局所
的に清浄な環境が実現している。オペレータはL/L室
16のL/Lドア16aを開け、ウエハカセットCをL
/L室16内にセットする。セット完了後L/Lドア1
6aを密閉し、オペレータはプロセス装置10から離れ
る。それまでは2つのセンサ20の少なくともいずれか
一方によりオペレータは検知されていたが、オペレータ
が離れることによりいずれのセンサ20からも検知信号
がインバータ制御ユニット25に出力されなくなる。こ
のためインバータ制御ユニット25はファン23の回転
数を待機モードに低下させる制御信号を出力する。この
制御信号を受けてファン23の回転数は低下し、FFU
21から送出されるエアの速度は低下する(T2)。
The procedure for transferring a semiconductor wafer in the above configuration will be described below. Here, FIG. 2 is a diagram illustrating a temporal change of the fan rotation speed of the FFU 21. First, a pod P for hermetically storing a semiconductor wafer is placed on a load port by an operator. At this time, the sensor 20 senses the approach of the operator and outputs a detection signal to the inverter control unit 25. The inverter control unit 25 outputs a control signal for increasing the rotation speed of the fan 23 to a predetermined rotation speed in response to the detection signal to the inverter 24. The number of revolutions will increase from the standby time (T
1). Since the speed of air in the transfer area increases with an increase in the number of revolutions of the fan 23, dust from an operator or the like, which is a dust source, is discharged under the floor, and contamination of the semiconductor wafer is suppressed. The pod P placed on the load port is opened by the pod opening / closing device 12. The operator takes out the wafer cassette C and transfers it to the L / L chamber 16. At this time, since clean air is sent at a high speed to the transfer area, a locally clean environment is realized. The operator opens the L / L door 16a of the L / L chamber 16 and moves the wafer cassette C to the L / L position.
/ L Set in the chamber 16. L / L door 1 after setting is completed
6a is sealed and the operator moves away from the process device 10. Until then, the operator has been detected by at least one of the two sensors 20, but the detection signal is not output from any of the sensors 20 to the inverter control unit 25 when the operator moves away. Therefore, the inverter control unit 25 outputs a control signal for reducing the rotation speed of the fan 23 to the standby mode. In response to this control signal, the rotation speed of the fan 23 decreases and the FFU
The speed of the air delivered from 21 decreases (T2).

【0013】プロセス処理部18は、ウエハカセットC
に保持される各半導体ウエハに対して順次処理を行う。
処理が終了すると、オペレータはL/Lドア16aを開
けウエハカセットCを取り出す。この際センサ20によ
りオペレータが検知されるため(T3)、上述と同様に
ファン23は高速回転し、移送領域におけるエアの速度
が上昇し、局所的に清浄になる。オペレータはウエハカ
セットCを移送し、ロードポートに載置する。ポッド開
閉装置12は、ウエハカセットCをポッドPに密閉収納
する。オペレータはプロセス装置10から離れる(T
4)と、ファン23は再び待機状態の回転数に戻り、エ
アの速度も低下する。以上詳述したように、センサ20
からの検知信号に基づいてファン23の回転数を制御す
る構成としたので、半導体ウエハが外部雰囲気に曝され
ているときにおいても、ファン23の回転数を増加させ
ることにより塵埃による汚染から好適に抑止することが
できる。また、半導体ウエハが密閉状態等汚染のおそれ
が少ない時は、ファン23の回転数を減少させることに
よりFFU21の消費電力を節減することができる。な
お、本実施の形態においてはセンサ20はオペレータの
接近を検知する光センサ20を用いたが適宜変形可能で
ある。たとえばポッドPの開閉およびポッドP内のウエ
ハカセットCの有無を検知するセンサを用いて、ポッド
P内のウエハカセットCを取り出すためにポッドPを開
口させるのと同期してファン23の回転数を上昇させ、
ポッドP内にウエハカセットCを収納するのと同期して
ファン23の回転数を減少させるような構成としても良
い。また、発信部と受信部とからなるセンサを設置し、
ロードポートにポッドPが載置されると信号が遮られる
タイミングでファン23の回転数を制御する構成として
も良い。あるいは載置されるポッドPの重量を測定し
て、重量に基づいてFFU21を制御しても良い。重量
によればポッドP内のウエハカセットCの有無を検知す
ることもできる。
The processing section 18 includes a wafer cassette C
Are sequentially processed for each semiconductor wafer held in the semiconductor device.
When the processing is completed, the operator opens the L / L door 16a and takes out the wafer cassette C. At this time, since an operator is detected by the sensor 20 (T3), the fan 23 rotates at a high speed in the same manner as described above, the speed of the air in the transfer area increases, and the air is locally cleaned. The operator transfers the wafer cassette C and places it on the load port. The pod opening / closing device 12 hermetically stores the wafer cassette C in the pod P. The operator leaves the process device 10 (T
4), the fan 23 returns to the rotation speed in the standby state again, and the speed of the air also decreases. As described in detail above, the sensor 20
The configuration is such that the rotation speed of the fan 23 is controlled based on the detection signal from the controller. Therefore, even when the semiconductor wafer is exposed to the external atmosphere, the rotation speed of the fan 23 can be increased to prevent contamination by dust. Can be deterred. When the semiconductor wafer is less likely to be contaminated such as in a closed state, the power consumption of the FFU 21 can be reduced by reducing the rotation speed of the fan 23. In the present embodiment, the optical sensor 20 for detecting the approach of the operator is used as the sensor 20, but can be modified as appropriate. For example, using a sensor for detecting the opening and closing of the pod P and the presence or absence of the wafer cassette C in the pod P, the rotation speed of the fan 23 is synchronized with opening the pod P to take out the wafer cassette C in the pod P. Raise,
The rotation speed of the fan 23 may be reduced in synchronization with the accommodation of the wafer cassette C in the pod P. In addition, a sensor consisting of a transmitter and a receiver is installed,
When the pod P is placed on the load port, the rotation speed of the fan 23 may be controlled at a timing when a signal is interrupted. Alternatively, the weight of the placed pod P may be measured, and the FFU 21 may be controlled based on the weight. According to the weight, the presence or absence of the wafer cassette C in the pod P can be detected.

【0014】また、ファン23の回転数を変化させるタ
イミングは、センサ20からの信号と同時でなくともよ
く、たとえば回転数を減少させる際には、適宜タイムラ
グを設けることにより清浄に万全を期しても良い。ま
た、センサ20を用いずともポッド開閉装置12の動作
信号と同期してファン23の回転数を変化させる構成で
あっても良い。その他少なくともウエハカセットCが外
部雰囲気に曝されている間は、それ以外の時間帯と比較
してFFU21から高速のエアを送出させるような構成
であれば良い。また、FFU21から清浄なエアの送出
方向も鉛直方向に限られない。その他本発明は、他の実
施の形態に示されているのと同様要旨を変更させない範
囲で種々変形可能である。なお、半導体ウエハはポッド
Pに密閉収納された状態で、工程で用いられる装置間を
搬送されるが、本発明によればFFU21の消費電力を
低減させることができるため、半導体装置の製造コスト
を全体として低減させる効果がある。また、FFUはフ
ァンを回転させることによりフィルタ越しにガスを送出
させる構成であれば良く、フィルタもHEPA等種々の
ものを適用可能である。 (第2の実施の形態)第2の実施の形態は、自動移載機
32を用いて半導体ウエハを移送する場合に、移送領域
を局所的かつ時間を限定させて清浄にさせる半導体ウエ
ハの移送方法等に関するものである。以下に図面を用い
てその一実施の形態について説明する。
The timing for changing the rotation speed of the fan 23 may not be the same as the signal from the sensor 20. For example, when reducing the rotation speed, a thorough time lag may be provided to ensure thorough cleaning. Is also good. Further, the configuration may be such that the rotation speed of the fan 23 is changed in synchronization with the operation signal of the pod opening / closing device 12 without using the sensor 20. In addition, any configuration may be used as long as at least while the wafer cassette C is exposed to the external atmosphere, high-speed air is sent from the FFU 21 compared to other time periods. Further, the direction in which clean air is sent from the FFU 21 is not limited to the vertical direction. In addition, the present invention can be variously modified within the scope that does not change the gist, as in the other embodiments. Although the semiconductor wafer is conveyed between the devices used in the process in a state housed in the pod P in a sealed state, the power consumption of the FFU 21 can be reduced according to the present invention, so that the manufacturing cost of the semiconductor device is reduced. There is an effect of reducing it as a whole. Further, the FFU may have a configuration in which gas is delivered through a filter by rotating a fan, and various filters such as HEPA can be applied to the filter. (Second Embodiment) In the second embodiment, when a semiconductor wafer is transferred using the automatic transfer machine 32, the transfer of the semiconductor wafer is performed locally and in a limited time to clean the transfer area. It relates to methods and the like. An embodiment will be described below with reference to the drawings.

【0015】図3は、本実施の形態に係るプロセス装置
30の概略構成図である。このプロセス装置30は、ポ
ッドPとウエハカセットCとを分離・収納させるととも
にウエハカセットCをL/L室34に移載させる自動移
載機32と、この自動移載機32の側面に配設されるF
FU40と、このFFU40に備わるインバータ46を
制御するインバータ制御ユニット41と、ポッドPと分
離されたウエハカセットCを載置するL/L室34と、
L/L室34に載置されたウエハカセットCに保持され
る半導体ウエハの処理を行うための図示しないプロセス
処理部と、プロセス処理、L/L室34に備わるL/L
ドア36の開閉および自動移載機32等を制御するプロ
セス制御ユニット38とを備える。以下各構成要素につ
いて説明する。自動移載機32は、上面にロードポート
を備え側面にはFFU40が配設される。ロードポート
にポッドPが載置されるとポッドPのみが上方に移動さ
れるため、ポッドPとウエハカセットCが分離する。ロ
ードポートはFFU40が配設されている側壁と一体と
なっているため、ポッドの移動に伴ってFFU40は上
方に移動し、FFU40のファン44とウエハカセット
Cは対向する。このためFFU40から送出される清浄
なエアは直接ウエハカセットCに吹き付けられることと
なる。さらに、分離されたウエハカセットCは図示しな
いロボットアームによりL/L室34内に移送され、プ
ロセス処理が行われる。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a process apparatus 30 according to the present embodiment. The process apparatus 30 includes an automatic transfer device 32 that separates and stores the pod P and the wafer cassette C and transfers the wafer cassette C to the L / L chamber 34, and is disposed on a side surface of the automatic transfer device 32. F
An FU 40, an inverter control unit 41 for controlling an inverter 46 provided in the FFU 40, an L / L chamber 34 in which the wafer cassette C separated from the pod P is placed;
A processing unit (not shown) for processing semiconductor wafers held in the wafer cassette C placed in the L / L chamber 34;
A process control unit 38 for controlling the opening / closing of the door 36 and the automatic transfer machine 32; Hereinafter, each component will be described. The automatic transfer machine 32 has a load port on the upper surface and an FFU 40 on the side surface. When the pod P is placed on the load port, only the pod P is moved upward, so that the pod P and the wafer cassette C are separated. Since the load port is integrated with the side wall on which the FFU 40 is provided, the FFU 40 moves upward with the movement of the pod, and the fan 44 of the FFU 40 and the wafer cassette C face each other. Therefore, clean air sent from the FFU 40 is directly blown onto the wafer cassette C. Further, the separated wafer cassette C is transferred into the L / L chamber 34 by a robot arm (not shown), and is processed.

【0016】また、半導体ウエハの処理後においては、
ロボットアームを用いてL/L室34内に載置されてい
るウエハカセットCを自動移載機32側に移送する。そ
の後上方に保持されていたポッドPが書こうされてウエ
ハカセットCを自動的に密閉収納する機能を有する。プ
ロセス制御ユニット38は、プロセス装置30に備わる
機器を制御する機能を有する。ここで、図4にファン4
4の回転数の時間変化を示す。ポッドから分離されたウ
エハカセットの汚染を抑止できるように、プロセス処理
前の半導体ウエハをプロセス装置30内に収納させる場
合においては、ポッドPとウエハカセットCの分離と略
同時にインバータ制御ユニット41にファン44の回転
数を増加させるための制御信号を出力し、次いでL/L
ドア36が開くのと略同時に更に回転数を増加させるた
めの制御信号を出力し、L/L室34内にウエハカセッ
トCが収納されL/Lドア36が閉まるのと略同時にフ
ァン44の回転数を待機状態まで減少させるための制御
信号を出力するように構成される。一方、プロセス処理
後の半導体ウエハをポッドPに収納させる場合において
は、ウエハカセットCが載置されるL/L室34のL/
Lドア36を開くのと略同時にファン44の回転数を増
加させるための制御信号を出力し、次いでウエハカセッ
トCがロボットアームにより取り出されL/Lドア36
が閉まるのと略同時にファン44の回転数をやや減少さ
せ、さらにウエハカセットCがポッドPに収納・密閉さ
せるのと略同時にファン44の回転数を待機状態にさせ
るための制御信号をインバータ制御ユニット41に出力
するように構成されている。
After the processing of the semiconductor wafer,
The wafer cassette C placed in the L / L chamber 34 is transferred to the automatic transfer device 32 using the robot arm. Thereafter, the pod P held above is written and has a function of automatically sealingly housing the wafer cassette C. The process control unit 38 has a function of controlling devices provided in the process device 30. Here, FIG.
4 shows the time change of the rotation speed of No. 4. In the case where semiconductor wafers before processing are stored in the processing apparatus 30 so that contamination of the wafer cassette separated from the pod can be suppressed, the fan control unit 41 controls the inverter control unit 41 almost simultaneously with the separation of the pod P and the wafer cassette C. 44, a control signal for increasing the rotation speed is output, and then L / L
At the same time when the door 36 is opened, a control signal for further increasing the number of revolutions is output, and when the wafer cassette C is stored in the L / L chamber 34 and the L / L door 36 is closed, the rotation of the fan 44 is almost simultaneously performed. It is configured to output a control signal for reducing the number to a standby state. On the other hand, in the case where the semiconductor wafer after the process processing is stored in the pod P, the L / L chamber 34 in which the wafer cassette C is placed is placed in the L / L chamber 34.
At the same time as opening the L door 36, a control signal for increasing the number of rotations of the fan 44 is output. Then, the wafer cassette C is taken out by the robot arm and the L / L door 36 is opened.
A control signal for slightly reducing the rotation speed of the fan 44 substantially at the same time as the shutter is closed, and further bringing the rotation speed of the fan 44 into a standby state substantially at the same time as the wafer cassette C is housed and sealed in the pod P, is provided by the inverter control unit. 41.

【0017】なお、このプロセス装置30が設置される
クリーンルームは、第1の実施の形態に示されたものと
同様の構成を有している。上記構成のもと以下のような
手順でプロセスが行われる。まず、半導体ウエハを収納
したポッドPが、ロードポートに載置される(T1)。
ここでポッドPの載置はオペレータが行っても良いし、
あるいは、装置間を自動搬送する自走機に行わせても良
い。自動移載機32はポッドPが載置されると、ポッド
Pを上方に移動させるので、ウエハカセットCと分離さ
れる。ポッドPの移動と同期してインバータ制御ユニッ
ト41から制御信号がインバータ46に出力され、それ
まで待機状態で低回転であったファン44が中速回転と
なる。このため、ウエハカセットCは周囲の塵埃による
汚染から抑止される。ロボットアームは、ウエハカセッ
トCを把持しウエハカセットCを移送する一方、プロセ
ス制御ユニット38からの制御信号に基づきL/Lドア
36が開く(T2)。L/Lドア36が開くのと同期し
て、ファン44の回転数をさらに高速になる。すなわ
ち、L/Lドア36が開く前後で清浄にすべき領域が異
なり、L/Lドア36が開いた後ではL/L室34内を
含めて清浄にする必要が生じるため回転数を増加させた
ものである。
The clean room in which the process device 30 is installed has the same configuration as that shown in the first embodiment. The process is performed according to the following procedure based on the above configuration. First, a pod P containing a semiconductor wafer is placed on a load port (T1).
Here, the pod P may be placed by an operator,
Alternatively, it may be performed by a self-propelled machine that automatically transports between apparatuses. When the pod P is placed, the automatic transfer machine 32 moves the pod P upward, and is separated from the wafer cassette C. A control signal is output from the inverter control unit 41 to the inverter 46 in synchronization with the movement of the pod P, and the fan 44, which has been rotating at a low speed in the standby state until now, rotates at a medium speed. Therefore, the wafer cassette C is suppressed from being contaminated by the surrounding dust. The robot arm grasps the wafer cassette C and transfers the wafer cassette C, and the L / L door 36 opens based on a control signal from the process control unit 38 (T2). The rotation speed of the fan 44 is further increased in synchronization with the opening of the L / L door 36. That is, the area to be cleaned is different before and after the L / L door 36 is opened, and after the L / L door 36 is opened, it is necessary to clean the interior of the L / L chamber 34. It is a thing.

【0018】ロボットアームによりウエハカセットCが
L/L室34に載置され、L/Lドア36が閉じる(T
3)のと同期してファン44の回転数は減少し、待機状
態に移行する。その後プロセス装置30内で各半導体ウ
エハの処理が行われる。半導体ウエハの処理後は、L/
Lドア36が開きロボットアームによりウエハカセット
Cが把持・移送される。L/Lドア36が開く(T4)
のと同期してファン44の回転数が増加する。このとき
の回転数は、L/Lドア36が開いた状態でウエハカセ
ットCをL/L室34内に移送するときの回転数と略同
じである。移送中にプロセス制御ユニット38からの制
御命令によりL/Lドア36が閉じられる(T5)のと
同期してファン44の回転数が中速状態へとやや減少す
る。その後ロードポートにウエハカセットCが載置され
ると、上方に保持されていたポッドPが下降して(T
6)半導体ウエハがウエハカセットCごと収納・密閉さ
れる。ポッドPの下降に伴いFFU40は下降し、ファ
ン44の回転数も低回転の待機状態に移行する。半導体
ウエハが収納されたポッドPは、次工程で用いられる装
置へと搬送される。以上詳述したように半導体ウエハが
密閉状態から開口され、外部雰囲気に曝された状態のと
きにファン44を高速回転させる一方、半導体ウエハが
密閉容器に収納されている状態では低速で待機させる構
成としたので、消費電力の低減を図ることができる。
The wafer arm C is placed in the L / L chamber 34 by the robot arm, and the L / L door 36 is closed (T).
In synchronism with 3), the rotation speed of the fan 44 decreases and shifts to the standby state. Thereafter, processing of each semiconductor wafer is performed in the process device 30. After processing the semiconductor wafer, L /
The L door 36 opens and the wafer cassette C is gripped and transferred by the robot arm. L / L door 36 opens (T4)
In synchronization with this, the rotation speed of the fan 44 increases. The rotation speed at this time is substantially the same as the rotation speed when transferring the wafer cassette C into the L / L chamber 34 with the L / L door 36 opened. During the transfer, the rotation speed of the fan 44 slightly decreases to the medium speed state in synchronization with the closing of the L / L door 36 by the control command from the process control unit 38 (T5). Thereafter, when the wafer cassette C is placed on the load port, the pod P held above is lowered (T
6) The semiconductor wafer is stored and sealed together with the wafer cassette C. With the lowering of the pod P, the FFU 40 lowers, and the rotation speed of the fan 44 also shifts to a low rotation standby state. The pod P containing the semiconductor wafer is transported to an apparatus used in the next step. As described in detail above, the configuration is such that the fan 44 is rotated at a high speed when the semiconductor wafer is opened from the sealed state and is exposed to the external atmosphere, while the semiconductor wafer is standby at a low speed when the semiconductor wafer is stored in the sealed container. Therefore, power consumption can be reduced.

【0019】さらに、L/Lドア36が開いている状態
と閉じている状態とでファン44の回転数を適宜変化さ
せている。すなわち、半導体ウエハの移送中に周囲の環
境が変化する場合は、ファン44の回転数をその変化に
応じて適宜調整する要請がある。本実施の形態において
は、L/Lドア36が開くことにより清浄にするべき領
域が拡大したため、それまでよりファン44の回転数を
高速にして清浄エアの流速を大きくする要請がある。こ
れにより、流速が過剰となることによる搬送中の半導体
ウエハの振動や搬送エラー、ロボットファン44ドと半
導体ウエハとの衝突を防止することができる。なお、フ
ァン44の回転数はさらに細かく制御することも可能で
あり、たとえば半導体ウエハの搬送位置がファン44か
ら遠くなるに伴い次第に回転数を増加させるような構成
であっても良い。また、ファン44の送出方向はポッド
PからL/L室34(プロセス装置30)方向としたた
め、ポッドP内を好適に清浄することができるという効
果もある。ただし、FFU40を上方に載置してダウン
フロータイプにしても良い。また、ポッドP自体を移動
式のタイプにした方式であっても良い。図5はこの変形
例を模式的に示した図である。移動式ポッドP1内に
は、ウエハカセットCが収納されている。移動式ポッド
P1とL/L室76が接続し、ポッドP1内に配設され
るロボットアーム74がウエハカセットCを把持し、シ
ャッターSを開いてウエハカセットCがL/L室76に
載置される。ここでL/L室76の天井部にはFFU7
0が配設され、ダウンフローで清浄なエアが送出される
が、たとえばシャッターSが開口したときにFFU70
のファンを高速回転させる構成としても良い。このよう
にポッドP1内に収納されているウエハカセットCがロ
ボットアーム74により搬送されている間はファンを高
速回転させる一方、シャッターが閉じている間はファン
を待機状態にする構成にしても消費電力の低減を図るこ
とができる。また、待機状態にはファンを完全停止させ
ても良い。また、図6は他の変形例を示しており半導体
ウエハを移送する中途に中間室を設けた例である。この
場合であっても、密閉容器であるポッドPからウエハカ
セットCまたは半導体ウエハをプロセス処理部84へと
移送している間はFFU80のファンを高速駆動させる
一方、その他時間帯は、ファンを待機運転させることに
より消費電力の低減を図ることができる。その他本実施
の形態に限られること無くその他の実施の形態に記載し
たのと同様種々変形可能である。
Further, the number of revolutions of the fan 44 is appropriately changed depending on whether the L / L door 36 is open or closed. That is, when the surrounding environment changes during the transfer of the semiconductor wafer, there is a demand to appropriately adjust the rotation speed of the fan 44 according to the change. In the present embodiment, since the area to be cleaned is expanded by opening the L / L door 36, there is a demand to increase the rotation speed of the fan 44 and increase the flow rate of the clean air. As a result, it is possible to prevent the semiconductor wafer from being vibrated or being transported during transport due to an excessive flow velocity, and to prevent collision between the semiconductor wafer and the robot fan 44. The rotation speed of the fan 44 can be controlled more finely. For example, the rotation speed may be gradually increased as the transfer position of the semiconductor wafer moves away from the fan 44. Further, since the sending direction of the fan 44 is from the pod P to the L / L chamber 34 (process device 30), there is an effect that the inside of the pod P can be suitably cleaned. However, the FFU 40 may be placed on the upper side to be a downflow type. Alternatively, the pod P itself may be of a mobile type. FIG. 5 is a diagram schematically showing this modified example. A wafer cassette C is housed in the movable pod P1. The movable pod P1 is connected to the L / L chamber 76, and the robot arm 74 disposed in the pod P1 holds the wafer cassette C, opens the shutter S, and places the wafer cassette C in the L / L chamber 76. Is done. Here, the FFU7 is placed on the ceiling of the L / L room 76.
0 is provided, and clean air is sent out in the downflow. For example, when the shutter S is opened, the FFU 70
The fan may be configured to rotate at a high speed. In this way, the fan is rotated at a high speed while the wafer cassette C stored in the pod P1 is being conveyed by the robot arm 74, while the fan is in a standby state while the shutter is closed. The power can be reduced. In the standby state, the fan may be completely stopped. FIG. 6 shows another modification, in which an intermediate chamber is provided in the middle of transferring a semiconductor wafer. Even in this case, the fan of the FFU 80 is driven at a high speed while the wafer cassette C or the semiconductor wafer is transferred from the pod P, which is a closed container, to the processing section 84, while the fan is in a standby state during other time zones. By driving, power consumption can be reduced. In addition, the present invention is not limited to the present embodiment, and can be variously modified as described in the other embodiments.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハがポッド
に密閉されている状態と、それ以外の状態とでFFUの
ファンの回転数を適宜変化させるので、半導体ウエハの
汚染を抑止すると共に、従来よりも消費電力の低減を図
ることができる。
According to the present invention, the rotation speed of the fan of the FFU is appropriately changed between the state where the semiconductor wafer is sealed in the pod and the other state, so that the contamination of the semiconductor wafer can be suppressed and Power consumption can be reduced as compared with the conventional case.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a process apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。
FIG. 2 is a diagram showing a change over time of the rotation speed of the fan according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram of a process apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。
FIG. 4 is a diagram showing a change over time in the rotation speed of a fan according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の変形例を示した図。FIG. 5 is a diagram showing a modification of the present invention.

【図6】本発明の変形例を示した図。FIG. 6 is a diagram showing a modification of the present invention.

【図7】従来のプロセス装置の構成図。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional process apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 プロセス装置、21 ファン・フィルタ・ユニッ
ト、16 ロード・ロック室、20 センサ、P ポッ
ド、C ウエハカセット。
10 process equipment, 21 fan filter unit, 16 load lock chamber, 20 sensors, P pod, C wafer cassette.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体製造装置の装置室を開口する装置
室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容器を
開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを前記
密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを備え
る半導体ウエハの移送方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
出させながら、前記半導体ウエハを移送し、 移送中の前記ガスの速度を、前記移送をしていないとき
に比べて大きくすることを特徴とする半導体ウエハの移
送方法。
1. An apparatus chamber opening step for opening an apparatus chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, a closed container opening step for opening a closed container containing a semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is moved from the closed container into the apparatus chamber. Transferring a semiconductor wafer, comprising: transferring a clean gas at a predetermined speed to a transfer area through which the semiconductor wafer passes by driving a fan filter unit. A method of transferring a semiconductor wafer, comprising transferring a semiconductor wafer and increasing the velocity of the gas during the transfer as compared to when the transfer is not performed.
【請求項2】 前記装置室はロードロック室であること
を特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの移送方法。
2. The method according to claim 1, wherein the apparatus chamber is a load lock chamber.
【請求項3】 前記密閉容器の開口を検知するセンサを
用い、このセンサから出力される信号に基づいて前記フ
ァン・フィルタ・ユニットを駆動させることにより、前
記ガスの速度を制御することを特徴とする請求項1記載
の半導体ウエハの移送方法。
3. The gas velocity is controlled by using a sensor for detecting the opening of the closed container and driving the fan filter unit based on a signal output from the sensor. The method for transferring a semiconductor wafer according to claim 1.
【請求項4】 前記移送工程により前記半導体ウエハを
装置室内に移送した後に前記装置室を密閉させる工程を
備えるとともに、 この密閉を検知するセンサを用いてこのセンサから出力
させる信号に基づいて前記ファン・フィルタ・ユニット
を駆動させることにより、前記ガスの速度を制御するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの移送方
法。
4. The method according to claim 1, further comprising the step of sealing the apparatus chamber after transferring the semiconductor wafer into the apparatus chamber by the transfer step, and using a sensor for detecting the sealing to output the fan based on a signal output from the sensor. 2. The method according to claim 1, wherein the speed of the gas is controlled by driving a filter unit.
【請求項5】 前記半導体ウエハの移送は、所定の搬送
装置を用いて自動的に行うこととし、 前記装置室の開口は、前記半導体ウエハの移送中に行う
こととし、 前記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の
方の速度を大きくさせることを特徴とする請求項1記載
の半導体ウエハの移送方法。
5. The transfer of the semiconductor wafer is automatically performed using a predetermined transfer device. The opening of the device chamber is performed during the transfer of the semiconductor wafer. The speed of the gas is: 2. The method according to claim 1, wherein the speed after the opening of the apparatus chamber is made higher than that before the opening.
【請求項6】 半導体ウエハを密閉容器に収納して各工
程に用いられる半導体製造装置間を搬送させる工程と、
搬送された前記密閉容器を所定位置にて静止させ、開口
させる密閉容器開口工程と、前記半導体製造装置の装置
室を開口する装置室開口工程と、前記半導体ウエハを前
記装置室内に移送する移送工程と、前記半導体製造装置
を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる工程と、前記
処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉容器に収納さ
せる工程とを備える半導体装置の製造方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
出させながら、前記半導体ウエハを移送することとし、 移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていないとき
に比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
6. A step of storing a semiconductor wafer in a closed container and transporting the semiconductor wafer between semiconductor manufacturing apparatuses used in each step;
A closed container opening step of stopping the transported closed container at a predetermined position and opening the same, an apparatus chamber opening step of opening an apparatus chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and a transfer step of transferring the semiconductor wafer into the apparatus chamber. And a step of processing the semiconductor wafer using the semiconductor manufacturing apparatus, and a step of storing the processed semiconductor wafer in the closed container, wherein the transferring step includes: The semiconductor wafer is transferred while a clean gas is delivered at a predetermined speed to a transfer area through which the semiconductor wafer passes by driving a fan filter unit, and the speed of the gas during the transfer is the transfer speed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the speed is increased as compared with a case where the method is not performed.
【請求項7】 複数の半導体ウエハを支持するウエハカ
セットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前
記開閉装置により開口された前記密閉容器から取り出さ
れた前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処理を行
うための半導体処理装置内の所定位置まで移送するとき
に通過する領域を局所的に清浄にするためのファン・フ
ィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、 前記密閉容器の開口を感知する第1のセンサと、 前記密閉容器の密閉を感知する第2のセンサと、 前記密閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する
第3のセンサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・
ユニットは、前記各センサからの信号に基づいて前記フ
ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するた
めのモータの回転数を可変することができる構成となっ
ていることを特徴とする半導体製造装置。
7. An opening and closing device for opening and closing a sealed container accommodating a wafer cassette supporting a plurality of semiconductor wafers, and processing the semiconductor wafer by removing the wafer cassette taken out of the sealed container opened by the opening and closing device. And a fan-filter unit for locally cleaning an area passing when transferring to a predetermined position in the semiconductor processing apparatus for performing the first step. , A second sensor for detecting the airtightness of the airtight container, and a third sensor for detecting the presence or absence of the wafer cassette in the airtight container, and the fan, filter,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the unit is configured to be able to vary the number of rotations of a motor for driving a fan provided in the fan filter unit based on a signal from each of the sensors.
【請求項8】 複数のウエハを支持するウエハカセット
を収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前記ウエ
ハカセットを半導体処理装置に備わるロードロック室内
に搬送するための搬送装置と、前記搬送により前記ウエ
ハカセットが通過する領域を局所的に清浄な雰囲気にす
るためのファン・フィルタ・ユニットとを備える半導体
製造装置において、 前記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転
数を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送
装置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回
転数を増加させる構成となっていることを特徴とする半
導体製造装置。
8. An opening and closing device for opening and closing an airtight container accommodating a wafer cassette supporting a plurality of wafers, a transfer device for transferring the wafer cassette into a load lock chamber provided in a semiconductor processing apparatus, and In a semiconductor manufacturing apparatus including a fan filter unit for locally setting a region through which a wafer cassette passes to a clean atmosphere, the rotation speed of a fan provided in the fan filter unit is configured to be variable. A semiconductor manufacturing apparatus configured to increase the rotation speed of the fan at least while the transfer device is transferring the wafer cassette.
【請求項9】 前記第3のセンサが前記密閉容器内に前
記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記第1
のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前記フ
ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数を増
加させるように構成されるとともに、前記第3のセンサ
が前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在すると検
知し、かつ、前記第2のセンサが前記密閉容器の密閉を
検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに備わ
るファンの回転数を減少させるように構成されているこ
とを特徴とする請求項7記載の半導体製造装置。
9. The method according to claim 1, wherein the third sensor detects that the wafer cassette is present in the closed container,
Is configured to increase the rotation speed of a fan provided in the fan filter unit when the sensor detects the opening of the closed container, and the third sensor includes the wafer cassette in the closed container. It is configured to detect the presence and to reduce the number of rotations of a fan provided in the fan filter unit when the second sensor detects the sealing of the closed container. Item 8. A semiconductor manufacturing apparatus according to Item 7.
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