JP2002223018A - レーザ波長の制御システム、及び、レーザ波長の制御方法 - Google Patents

レーザ波長の制御システム、及び、レーザ波長の制御方法

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JP2002223018A
JP2002223018A JP2001019134A JP2001019134A JP2002223018A JP 2002223018 A JP2002223018 A JP 2002223018A JP 2001019134 A JP2001019134 A JP 2001019134A JP 2001019134 A JP2001019134 A JP 2001019134A JP 2002223018 A JP2002223018 A JP 2002223018A
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harmonic
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wavelength
oscillator
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Susumu Miki
晋 三木
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】波長又はスペクトル幅を測定する測定用光学系
に損傷を与えないこと。その測定用光学系の配置に制限
を与えないこと。 【解決手段】レーザー発振器3から出力されるレーザー
6を高次高調波13に変換する。高次高調波13の物理
的性質に対応するレーザー6の物理的性質を測定するこ
とにより、高次高調波13の物理的性質を間接的に測定
することができる。高次高調波の高いエネルギーを測定
器に入射させずにすむので、測定光学機器の損傷を防止
することができる。高調波は、多様に生成され、高調波
の物理的性質を測定することにより、より高精度に最終
出力高調波の物理的性質を間接的に測定することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ波長の制御
システム、及び、レーザ波長の制御方法に関し、特に、
基本波レーザーを高調波に変換してより短い波長のレー
ザーに変換するレーザ波長の制御システム、及び、レー
ザ波長の制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザービームのより精細な集光が、レ
ーザー加工のために求められている。半導体集積回路
は、その高集積密度化が求められている。精細な集光と
高密度化のためには、レーザーの短波長化が必要であ
る。高集積密度化のためには、露光工程での高解像度化
が必須である。その高解像度化のためには、水銀ランプ
のi線(波長365nm)に代わることができるより波
長が短い露光装置用光源が必要である。そのような短波
長光源として、KrFエキシマ・レーザーが知られ、こ
のレーザーを用いたステッパが既に実用化されている。
KrFエキシマ・レーザーの波長は、248nmであ
る。
【0003】高気圧・放電励起ガス・レーザーである露
光用光源としてのエキシマ・レーザーは、そのガスの劣
化、励起管の電極の消耗、励起管・ガス循環系中の不純
物の堆積を回避することが困難であり、このため、メン
テナンスコストが非常に高い。更に、レーザー発振媒質
として使用されるフッ素ガスを安全管理するための排ガ
ス管理設備のメインテナンスコストが追加的にかかるだ
けでなく、メインテナンスのための放電チャンバーの開
放の際に放出される放電スパッター、塵がそのクリーン
ルームのクリーン度を低下させるという問題がある。
【0004】256Mbitの次世代の1Gbit容量
に対応する露光装置の光源用として開発が進められてい
るArFエキシマ・レーザーにも、既述の問題点が当然
にある。このような問題点を解決するために、最近は、
可視光〜近赤外光を発生する固体レーザーを基本波とし
て、非線形光学素子による波長変換を行うことにより、
紫外線レーザーを発生させるシステムの開発が進められ
ている。そのようなシステムは、特開2000−147
583号で知られているように、基本波レーザーの高調
波、又は、さまざまな次数の高調波の和周波数混合によ
る高調波を生成する。
【0005】このような紫外線レーザーがエキシマ・レ
ーザーに代替されるためには、その波長がエキシマ・レ
ーザーの波長248nmに高精度に一致し、且つ、狭い
スペクトル幅を持つことが重要である。このような要請
に応じるために、インジェクション・シーディング法が
用いられる。インジェクション・シーディング法は、基
本波レーザのスペクトル幅を種光レーザ2の狭いスペク
トル幅に一致させる技術である。このような技術により
得られるスペクトル幅が狭いパルスレーザーは、これが
高精度に利用されるためには、その波長とスペクトル幅
が定常的に測定されモニタされる必要がある。露光機に
用いられるエキシマレーザーでは、波長校正用の蒸気ラ
ンプとスペクトル幅測定用のエタロンの組合せによる光
学的測定系でそのスペクトル幅がモニタされている。
【0006】スペクトル幅と波長をモニタする公知技術
は、図4に示されるように、エキシマレーザーのような
紫外線レーザーを発振させる紫外レーザー装置101か
ら出力される紫外線レーザーを2つのビームスプリッタ
102,103で部分的に取り出して、それらをスペク
トル幅測定装置104、波長測定装置105に入射させ
て、そのスペクトル幅と波長をそれぞれに測定する。
【0007】このような公知技術は、その光子エネルギ
ーが大きい紫外光がそのモニタ装置102,103を構
成する光学部品と検出素子に損傷を与え、高額である光
学部品と検出素子の寿命を強く制限する。このような制
限は、それらを頻繁に交換する手間の点で更に設備コス
トを向上させている。更に、紫外光は、光ファイバー中
の吸収損失が大きく、その光ファイバーに損傷を与え
る。波長測定用のマイケルソン干渉計、スペクトル幅測
定用のエタロン等から構成されるモニタ装置は、理想的
な環境に置かれる必要がある。そのような理想的な環境
は、レーザ発生装置に直結せずに、測定器の温度がロー
カルにコントロールされた場所に独立に配置されること
が好ましい。特に、光ファイバ伝送が困難な紫外レーザ
光を用いる場合、その理想的環境をレーザ発振器から離
れて設置することが困難になる。
【0008】波長又はスペクトル幅を測定する測定用光
学系に損傷を与えないことが求められる。更に、その測
定用光学系の配置に制限を与えないことが求められる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、波長
又はスペクトル幅を測定する測定用光学系に損傷を与え
ないレーザ波長の制御システム、及び、レーザ波長の制
御方法提供することにある。本発明の他の課題は、その
測定用光学系の配置に制限を与えないレーザ波長の制御
システム、及び、レーザ波長の制御方法を提供すること
にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧()つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数・形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。
【0011】本発明によるレーザ波長の制御システム
は、レーザー発振器(3)と、レーザー発振器(3)か
ら出力されるレーザー(6)を高次高調波(13)に変
換する変換器(12)と、高次高調波(13)の物理的
性質に対応するレーザー(6)の物理的性質を測定する
測定器(8)とから構成されている。高次高調波(1
3)より波長が長い基本波又はより低次側の高調波の物
理的性質を測定することにより、高次高調波(13)の
その物理的性質を間接的に測定することができ、測定器
の光学的損傷を抑制することができる。その物理的性質
は、レーザーの物理的諸性質のうちで特に重要な性質で
ある波長又はスペクトル幅である。
【0012】レーザー発振器は、基本波レーザー(6)
を出力する基本波レーザー発振器(3)と、基本波レー
ザー(6)の物理的性質を誘導放出的に制御する種レー
ザー(2)を出力する種レーザー発振器(1)とを備え
ている。測定器(5)が種レーザー(1)の物理的性
質、特に、その波長を測定し、測定器(8)が基本波レ
ーザー(6)のスペクトル幅を測定することは好まし
い。
【0013】変換器は、基本波レーザー(6)を高次高
調波(28)よりも低次である低次高調波(25)に変
換する第1変換器(9)と、低次高調波(25)を高次
高調波(28)に変換する第2変換器(26)とを備え
ている。測定器(8b)は、低次高調波(25)の物理
的性質特にスペクトル幅を測定する。基本波よりも低次
である高調波の物理的性質は、基本波の物理的性質より
も、出力波である高次高調波(28)の物理的性質によ
り近い。
【0014】レーザー発振器は、基本波レーザー(6
A,6B)を出力する基本波レーザー発振器(3A,3
B)と、基本波レーザー(6A,6B)の物理的性質
(特にその波長)を誘導放出的に制御する種レーザー
(2A,2B)を出力する種レーザー発振器(1A,1
B)とを備えている。基本波レーザー発振器(3A,3
B)は、第1基本波レーザー(6A)を発生する第1基
本波レーザー発振器(3A)と、第2基本波レーザー
(6B)を発生する第2基本波レーザー発振器(3B)
とを備えている。種レーザー発振器は、第1基本波レー
ザー(6A)の物理的性質(特に波長)を誘導放出的に
制御する第1種レーザー(2A)を出力する第1種レー
ザー発振器(1A)と、第2基本波レーザー(6B)の
物理的性質(特に波長)を誘導放出的に制御する第2種
レーザー(2B)を出力する第2種レーザー発振器(1
B)を備えている。出力波である高次高調波(28)
は、第1基本波レーザー(6A)の高調波(27)と第
2基本波レーザー(6B)又はその高調波(図示され
ず)との和周波数混合により形成されることが好まし
い。第1基本波レーザー(6A)の高調波は、第2基本
波レーザー発振器(3B)を励起することが同期性を担
保する点で好ましい。この場合、測定器(8B)は、第
2基本波レーザー(6B)の物理的性質(特に、スペク
トル幅)を測定することが特に好ましい。
【0015】変換器は、第1基本波レーザー(6A)を
第2高調波(25)に変換する第1変換器(9)と、第
2高調波(25)を第3高調波(27)に変換する第2
変換器(23)とを備え、高次高調波(28)は、第3
高調波(27)と第2基本波レーザー(6B)又はそれ
の高調波(図示されず)の和周波数混合により形成され
ている。この場合にも、測定器(8A)は、第1基本波
の物理的性質(特にスペクトル幅)を測定することが特
に好ましい。
【0016】レーザー発振器の出力の一部を測定器
(5,8)に伝送する光ファイバー(34,37)が追
加される。光ファイバー(34)は、種レーザー(2)
の一部を波長測定器(5)に伝送し、光ファイバー(3
7)は、基本波レーザー(6)の一部をスペクトル幅測
定器(8)に伝送する。光ファイバー(34,37)
は、波長測定器(5)とスペクトル幅測定器(8)とを
最もよい離隔的環境に置くために好都合である。
【0017】本発明によるレーザ波長の制御方法は、レ
ーザー(6)を高調波(13)に変換すること、そのレ
ーザー(6)の物理的性質を測定することとから構成さ
れている。高調波(13)の物理的性質の測定でなく基
本波であるレーザー(6)の対応物理的性質を測定する
ことにより、低エネルギーレーザーの物理的性質の測定
により、光学素子の損傷を抑制することができる。種レ
ーザーにより誘導して基本波レーザーを誘導放出し、基
本波レーザーを高調波に変換し、高調波を更に高次高調
波に変換する。種レーザーの物理的性質を測定する。種
レーザーの物理的性質は、高次高調波の物理的性質に量
的に対応している。物理的性質は、特には、波長又はス
ペクトル幅である。
【0018】第1種レーザー(2A)により誘導して第
1基本波レーザー(6A)を誘導放出すること、第2種
レーザー(2B)により誘導して第2基本波レーザー
(6B)を誘導放出すること、第1基本波レーザー(6
A)を高調波(25)に変換すること、高調波(25)
を高次高調波(27)に変換すること、高次高調波(2
7)と第2基本波レーザー(6B)とに基づく和周波数
混合により紫外線レーザー(28)を発生することが追
加される。この場合、第1種レーザー(2A)と高調波
(25)と高次高調波(27)から選択される波の物理
的性質が量的に測定される。2基本波レーザー(6B)
の物理的性質も量的に測定される。
【0019】
【発明の実施の形態】図に対応して、本発明によるレー
ザ波長の制御システムの実施の形態は、レーザ発振器が
種光レーザ発振器とともに設けられている。その種光レ
ーザ発振器1から出力される種光レーザ2は、図1に示
されるように、固体レーザ発振器である基本波レーザ発
振器3にその光軸線上で入射する。種光レーザ発振器1
は、波長安定性が優れた連続波レーザを出力する半導体
レーザ発振器であり、基本波レーザ発振器3はパルスレ
ーザをQスイッチにより発振して瞬時的に出力する固体
レーザ発振器である。種光レーザ発振器1と基本波レー
ザ発振器3との間の種光レーザ2の光軸に、ビームスプ
リッタ4が介設され、種光レーザ2の一部分が基本波レ
ーザ発振器3に入射する。
【0020】ビームスプリッタ4で分割される種光レー
ザ2の他の部分は、連続波波長測定器5に入射する。連
続波波長測定器5として、高性能波長測定が可能である
公知のマイケルソン型干渉計が好適に用いられ得る。基
本波レーザ発振器3の発振光軸に一致して同軸に注入さ
れる種光レーザ2の波長と基本波レーザ発振器3の共振
器長とが共振可能関係にあり、且つ、両レーザの波長域
が完全にオーバーラップしているとき、インジェクショ
ン・シーディング法と呼ばれる公知技術により、基本波
レーザ発振器3の出力レーザ波長を種光レーザ光2の波
長と一致させるとともに、基本波レーザ発振器3が出力
するレーザを単一モード化して狭いスペクトル幅にする
ことができる。
【0021】このように同軸性と共振性と波長の同一性
が充足されていれば、基本波レーザ発振器3をQスイッ
チ法でパルス動作させることにより、基本波レーザ発振
器3から種光レーザ2の波長とスペクトル幅にそれぞれ
に一致する波長とスペクトル幅を持った単一縦モードの
パルスレーザを基本波レーザ発振器3により発振させる
ことができる。
【0022】基本波レーザ発振器3から出力しスペクト
ル幅が狭いパルスレーザ6は、その光路上に配置されて
いるビームスプリッタ7によりその一部分が取り出され
て、スペクトル幅測定器8に入射する。スペクトル幅測
定器8は、高精度にそのスペクトル幅を検出することが
できる公知のエタロン板型スペクトル幅検出器が好適に
用いられ得る。そのエタロン板型スペクトル幅検出器
は、2枚の高反射率・高平行度を持った2枚の対向ミラ
ーで構成され、ミラー間で多重反射するレーザ波が形成
する複数の干渉縞の幅と間隔に基づいて、そのスペクト
ル幅を計算により検出する公知装置である。
【0023】ビームスプリッタ7を透過するパルスレー
ザ6の大部分は、第1段目高調波発生用結晶素子9に入
射する。高調波発生素子は、高調波発生用非線形結晶に
より形成されている。高調波発生用非線形結晶は、入射
光の波長を素子内で2分の1波長等に変換して出力する
ことができる公知の非線形光学素子である。第1段目高
調波発生用結晶素子9により波長変換を受けた第2高調
波化レーザ11は、次段の第2段目高調波発生用結晶素
子12に入射して更に2分の1波長に変換され、図1
(a)に示されるように、第4高調波化レーザ13を出
力する。
【0024】同図(b)に示されるように、第1段目高
調波発生用結晶素子9から出力される第2高調波化レー
ザ11に基本波レーザ発振器3が直接に出力する基本波
レーザであるパルスレーザ6を第2段目高調波発生用結
晶素子12に導入して第2高調波化レーザ11とパルス
レーザ6とを重合すれば、第2段目高調波発生用結晶素
子12から第3高調波化レーザ14が出力される。同図
(c)に示されるように、第2段目高調波発生用結晶素
子12の次段に第3段目高調波発生用結晶素子15が更
に追加され、第3高調波化レーザ14にパルスレーザ6
が更に重合されれば、第3高調波化レーザ14とパルス
レーザ6とが重合されて、第3段目高調波発生用結晶素
子15から第5高調波化レーザ16が出力される。な
お、いずれの図においても、結晶に入射した高調波変換
前の未変換光の残りが変換後の高調波と共に混合して出
力される。これらの残り光が次の高調波変換に使用され
ない場合には、そのまま、高調波として分離して捨て去
ることになる。このような波長の異なる光を分離するに
は波長毎にミラーの透過と反射で光分離を行うダイクロ
イックミラーが使われるが、ここではその表記は省略さ
れている。
【0025】基本波レーザーであるパルスレーザ6とし
て、Nd:YAGレーザーが用いられる場合、このレー
ザーは、その波長が1064nmであり、赤外レーザー
である。波長が1064nmである赤外レーザーのパル
スレーザー6は、第1段目高調波発生用結晶素子9に入
射し第2高調波化レーザ11になって第1段目高調波発
生用結晶素子9から出力する。第2高調波化レーザ11
の波長は、パルスレーザー6の波長の2分の1であり、
532nmである。波長が532nmである青緑のレー
ザーの第2高調波化レーザ11は、第2段目高調波発生
用結晶素子12に入射し、第4高調波化レーザ13にな
って第2段目高調波発生用結晶素子12から出力する。
第4高調波化レーザ13の波長は、第2高調波化レーザ
11の波長の2分の1であり、266nmであり、紫外
光である。
【0026】このように正確に整数倍化される物理量
は、波長ではなく振動数である。入射光の振動数νco
nvと変換光の振動数νinの関係は、次式で表され
る。 νconv=2νin 大気中では、入射光の波長と変換光の波長との間には、
厳密な整数倍関係はない。屈折率を持つ大気中では、入
射光の波長λinと入射光の振動数νinとの間には、
次式の関係がある。 λin=c/ninνin 屈折率を持つ大気中では、変換光の波長λconvと変
換光の振動数νconvとの間には、次式の関係があ
る。 λconv=c/nconvνconv ここで、cは光速である。波長毎の大気屈折率が分かっ
ていれば、入射光の波長と変換光の波長は、正確に知ら
れる。このような屈折率の波長依存は、実際には、大気
圧、温度、湿度等の環境パラメータにより影響される
が、公開されている高精度のデータベースのデータに基
づいて、波長の構成を行うことが可能である。
【0027】図1(b)に示されるように、第1段目高
調波発生用結晶素子9に入射するパルスレーザ6の一部
は、第1段目高調波発生用結晶素子9から出射して第2
段目高調波発生用結晶素子12に入射する。第1段目高
調波発生用結晶素子9から出力する第2高調波化レーザ
11は、第2段目高調波発生用結晶素子12でパルスレ
ーザ6と和周波混合する。即ち、第2高調波化レーザ1
1の振動数とパルスレーザ6の振動数の和である振動数
を持った和周波混合レーザーが、第3高調波化レーザ1
4として第2段目高調波発生用結晶素子12から出力す
る。第3高調波化レーザ14の振動数ν’convは、
第2高調波化レーザ11の振動数νin1とパルスレー
ザ6の振動数νin2との和として、次式で表される。
【0028】ν’conv=νin1+νin2 真空中では、第3高調波化レーザ14の波長λ’con
vは、次式で表される。 λ’conv=λin1・λin2/(λin1+λi
n2) パルスレーザ6として既述の1064nmが用いられる
場合、第3高調波化レーザ14の波長λ’は、上式から
355nmが計算される。
【0029】図1(c)に示されるように、第3高調波
化レーザ14とパルスレーザ6とが和周波混合して、第
3段目高調波発生用結晶素子15から第5高調波化レー
ザ16が出力する。第5高調波化レーザ16の波長は、
既述の式から計算され得て、基本波長1064nmの5
分の1の213nmである(1/5=1/{1/(1/
2)+1/(1/3)}。
【0030】波長変換後のレーザーのスペクトル幅は、
波長変換前のレーザーのスペクトル幅に対して、その入
力光の強度、非線形結晶の波長の広がりに対する許容値
により変化する。そのような変化に対する校正は、厳密
な予測計算、変換前後のスペクトル幅の測定に基づいて
可能であるが、極めて高い測定精度を要求される場合、
紫外変換後のスペクトル幅をモニタすることは回避しが
たい。しかしながら、スペクトル幅に関する要求として
は、それがある許容値範囲に入っていれば、使用可能で
あることが多い。スペクトル幅を光周波数のばらつきで
ある波長誤差を考慮して、入射2波長の光周波数の分散
をδνin1と、δνin2で表して、それらの2ビー
ムの足し合わせ時の変換ビームのスペクトル幅は、それ
らの分散を用いて、次式で表されるように概算的に見積
もることができる。
【0031】 δνconv=(δνin1+δνin21/2 このような概算的見積もりは、変換効率の非線形性と結
晶の波長許容幅を考慮すれば、波長変換後のスペクトル
幅よりも広くなる傾向があることが本発明者により確認
されている。既述の分散に基づく概算は、安全再度の見
積もりである。種光レーザ2のスペクトル幅の測定と、
パルスレーザ6のスペクトル幅の測定とは、最終的な波
長変換の後の紫外光の波長とスペクトル幅の計測の省略
を可能にする。
【0032】基本波レーザ発振器3としては、Nd:Y
AGレーザー、Nd:Glassレーザー、Nd:YL
F、Nd:YVO4のようなNdレーザー、Er:YA
G、Er:GlassのようなErレーザー、又は、ア
レキサンドライドレーザー、Ti−Sレーザー、OPO
レーザーのような広域波長変換可能であるチューナブル
レーザーが好適に用いられ得る。
【0033】半導体素子製造のために開発が進んでいる
波長248nm、又は、波長193nmのエキシマレー
ザーに代替して本発明による波長変換レーザーを用いる
場合、基本波レーザ発振器3としては、波長可変である
Ti−Sレーザー又はアレキサンドライドレーザーが好
適である。Ti−Sレーザーは、670〜1070nm
程度の範囲でレーザー発振が可能であり、アレキサンド
ライドレーザーでは、700〜818nm程度の範囲で
レーザー発振が可能である。どちらのレーザーを用いる
場合にも、744nmのレーザー発振を行うことにより
その3倍高調波として248nmを得ることができ、7
72nmのレーザー発振を行うことによりその4倍高調
波として193nmの紫外光を得ることができる。
【0034】このように生成される高調波の紫外レーザ
ーの波長とスペクトル幅は、直接には測定されず、紫外
領域よりも赤外領域により近い波長領域のレーザーの波
長とスペクトル幅が直接に測定される。種光、より低次
の高調波の物理的性質である波長とスペクトル幅は、よ
り高次の高調波の物理的性質である波長とスペクトル幅
に高精度に量的に対応する。紫外領域よりも赤外領域に
より近い波長領域のレーザーの波長とスペクトル幅の直
接的測定は、紫外領域のレーザーの波長とスペクトル幅
の間接的測定である。このような直接的測定は、その間
接的測定に高精度に量的に対応する。
【0035】このような測定を断続的に継続することに
より、紫外出力レーザーの波長とスペクトル幅をモニタ
ーすることができる。種光は連続発振により出力されて
いるので、種光のモニタは、連続的であり得る。モニタ
リングにより、波長とスペクトルが不適正範囲にある時
間帯では、オペレータは基本波レーザーを発振させず、
又は、発振させた基本波レーザーをシャッターで止めて
使用しない。波長とスペクトルの微妙な変動があった場
合に、その波長とスペクトル幅を矯正する公知の波長.
スペクトル幅一定化光学装置にその変動分をフィードバ
ックすることは可能である。
【0036】図2は、本発明によるレーザ波長の制御シ
ステムの実施の他の形態を示し、特に、和周波混合の実
施例を示している。本実施の形態は、特開2000−1
47583号の改良である。本実施の形態の第1種光レ
ーザ発振器1A、第1種光レーザー2A、第1基本波レ
ーザ発振器3A、第1ビームスプリッタ4A、第1連続
波波長測定器5A、第1パルスレーザ6A、第2ビーム
スプリッタ7A、第1スペクトル幅測定器8A、第1段
目高調波発生用結晶素子9は、それぞれにそのままで、
図1の既述の種光レーザ発振器1、種光レーザー2、基
本波レーザ発振器3、ビームスプリッタ4、連続波波長
測定器5、パルスレーザ6、ビームスプリッタ7、スペ
クトル幅測定器8、第1段目高調波発生用結晶素子9に
一致し、光学的接続関係で対応している。
【0037】第2種光レーザ発振器1Bが、第3ビーム
スプリッタ4Bとともに追加されている。第2種光レー
ザ発振器1Bは、第2種光レーザー2Bを出力する。第
2種光レーザー2Bの一部は、第3ビームスプリッタ4
Bで分割され、追加されている第2連続波波長測定器5
Bに入射する。本実施の形態では、第2基本波レーザ発
振器3Bが、更に追加されている。第2種光レーザ2B
の他の部分は、追加されている第4ビームスプリッタ2
1を透過して、第2基本波レーザ発振器3Bに入射す
る。第2基本波レーザ発振器3Bは、第2基本波である
第2パルスレーザ6Bを出力する。
【0038】第1パルスレーザ6Aの他の一部は、第2
ビームスプリッタ7Aを透過して第1段目高調波発生用
結晶素子9に入射する。第1パルスレーザ6Aの他のそ
の一部は、第1段目高調波発生用結晶素子9を通過して
通過第2パルスレーザー24として第1段目高調波発生
用結晶素子9からそのままに出力される。第1段目高調
波発生用結晶素子9は、第1パルスレーザ6Aの更に他
の一部を第2高調波化レーザ25に変換し、第2高調波
化レーザ25は第1段目高調波発生用結晶素子9から出
力される。
【0039】第1段目高調波発生用結晶素子9は、第1
和周波数混合第3高調波発生用結晶素子23に第5ビー
ムスプリッタ22を介して光学的に接続している。通過
第2パルスレーザー24と第2高調波化レーザ25と
は、第5ビームスプリッタ22を透過して、第1和周波
数混合第3高調波発生用結晶素子23に入射する。通過
第2パルスレーザー24と第2高調波化レーザ25と
は、第1和周波数混合第3高調波発生用結晶素子23で
和周波数混合する(それらの振動数が足し加えられ
る。)。
【0040】本実施の形態では、更に、第2和周波数混
合高調波発生用結晶素子26が追加されている。第1和
周波数混合第3高調波発生用結晶素子23は、第6ビー
ムスプリッタ31を介して、第2和周波数混合高調波発
生用結晶素子26に光学的に接続している。第1和周波
数混合第3高調波発生用結晶素子23で和周波数混合し
た第1和周波数混合レーザー27は、第6ビームスプリ
ッタ31を透過して、第2和周波数混合高調波発生用結
晶素子26に入射する。
【0041】第2高調波化レーザ25の一部又は通過第
2パルスレーザー24の一部は、第5ビームスプリッタ
22で分割され第4ビームスプリッタ21で反射して、
第2基本波レーザ発振器3Bに入射する。第2基本波レ
ーザ発振器3Bは、第2基本波である第2パルスレーザ
6Bを出力する。本実施の形態では、第2スペクトル幅
測定器8Bが更に追加されている。第2パルスレーザ6
Bの一部は、第7ビームスプリッタ7Bで反射し分割さ
れて第2スペクトル幅測定器8Bに入射する。
【0042】第2パルスレーザ6Bの他の一部は、第7
ビームスプリッタ7Bを透過し、第6ビームスプリッタ
31で反射し、第1和周波数混合レーザー27に合流し
て第2和周波数混合高調波発生用結晶素子26に入射す
る。第2パルスレーザ6Bの一部と第1和周波数混合レ
ーザー27は、第2和周波数混合高調波発生用結晶素子
26で和周波混合する。第2和周波数混合高調波発生用
結晶素子26は、第2パルスレーザ6Bと第1和周波数
混合レーザー27とが和周波混合した第2和周波数混合
レーザー28を出力する。
【0043】第1基本波レーザ発振器3Aとして、出力
波長1064nmのYAGレーザーが好適に用いられて
いる。第2基本波レーザ発振器3Bとして、OPOレー
ザー又はTi−Sレーザーが用いられている。第1種光
レーザ発振器1Aとして、波長1064nmのYAGレ
ーザーが用いられている。第2種光レーザ発振器1Bと
して、波長828nmのOPOレーザーが用いられてい
る。インジェクション・シーディング法により、第2基
本波レーザ発振器3Bの出力レーザのスペクトル幅は、
第2種光レーザ発振器1Bの狭いスペクトル幅に一致
し、且つ、第2基本波レーザ発振器3Bが出力するレー
ザは単一モード化している。
【0044】第2基本波レーザ発振器3Bの励起には、
第5ビームスプリッタ22と第4ビームスプリッタ21
とを介して第2基本波レーザ発振器3Bに入力する第2
高調波化レーザ25又は通過第2パルスレーザー24が
用いられている。第1種光レーザー2Aの波長を第1連
続波波長測定器5Aが測定することにより、第1パルス
レーザ6Aの波長が間接的に、且つ、高精度に測定され
る。第2種光レーザー2Bの波長を第2連続波波長測定
器5Bが測定することにより、第2パルスレーザ6Bの
波長が間接的に、且つ、高精度に測定される。
【0045】第2スペクトル幅測定器8Bは、第5ビー
ムスプリッタ22と第4ビームスプリッタ21と介して
第2基本波レーザ発振器3Bに入力し、第2基本波レー
ザ発振器3Bで発生する波長828nmの第2基本波6
Bのスペクトル幅を測定する。第2和周波数混合レーザ
ー28のスペクトル幅は、第2スペクトル幅測定器8B
の測定と第1パルスレーザ6Aを第1スペクトル幅測定
器8Aが測定することによって間接的に測定され得る。
このような測定により、第2和周波数混合高調波発生用
結晶素子26の波長測定は省略され得る。
【0046】532nmの第2高調波化レーザ25と1
064nmの通過第2パルスレーザー24との和周波数
混合により、355nmの第1和周波数混合レーザー2
7が第1和周波数混合第3高調波発生用結晶素子23で
生成される。第1和周波数混合第3高調波発生用結晶素
子23で生成される第1和周波数混合レーザー27は、
第2和周波数混合高調波発生用結晶素子26で828n
mの第2パルスレーザ6Bに和周波混合して、第2和周
波数混合高調波発生用結晶素子26は248nm(=3
55・828/(355+828))の紫外線パルス2
8を出力する。第2連続波波長測定器5Bは、第1連続
波波長測定器5Aにより兼用され得る。
【0047】複数の基本波レーザーと複数の種レーザー
を用いることにより、波長とスペクトル幅をより高精度
に安定化することができ、且つ、高調波発生器で発生す
るエネルギーロス分を補充して、出力を増大させること
ができる。一方の基本波又はその高調波を他方の基本波
の励起用に用いることにより、和周波数混合の同期性を
担保することができる。
【0048】図3は、本発明によるレーザ波長の制御シ
ステムの実施の更に他の形態を示している。種光レーザ
発振器1から出力される種光レーザ2が基本波レーザ発
振器3に入射し、種光レーザ発振器1と基本波レーザ発
振器3との間の種光レーザ2の光軸にビームスプリッタ
4が介設され、種光レーザ2の一部分が基本波レーザ発
振器3に入射し、ビームスプリッタ4で分割される種光
レーザ2の他の部分が連続波波長測定器5に入射する点
は、図1に示される既述の実施の形態に同じである。基
本波レーザ発振器3が出力するパルスレーザ6の一部が
ビームスプリッタ7により分割されスペクトル幅測定器
8に入射し、種光レーザ2の他の部分が連続波波長測定
器5に入射する点は、図1に示される既述の実施の形態
に同じである。
【0049】ビームスプリッタ4と連続波波長測定器5
との間の光学路として、第1光ファイバー34が用いら
れている点は、既述の実施の形態と異なる。第1光ファ
イバー34の両端には、光学的接続器32,33が固着
されている。種光レーザ2の一部は、ビームスプリッタ
4で反射して光学的接続器32に入射し、第1光ファイ
バー34に案内されて光学的接続器33から連続波波長
測定器5に入射する。
【0050】ビームスプリッタ7とスペクトル幅測定器
8との間の光学路として、第2光ファイバー37が用い
られている点は、既述の実施の形態と異なる。第2光フ
ァイバー37の両端には、光学的接続器35,36が固
着されている。パルスレーザ6の一部は、ビームスプリ
ッタ7で反射して光学的接続器35に入射し、第2光フ
ァイバー37に案内されて光学的接続器36からスペク
トル幅測定器8に入射する。
【0051】紫外光は、光ファイバー内でその吸収損失
が大きいが、赤外光は光ファイバー内でその吸収損失が
より小さい。連続波波長測定器5とスペクトル幅測定器
8は、それらが配置される環境によりそれらの高精度測
定能力が劣化する。エタロン板、マイケルソン干渉計等
から構成される連続波波長測定器5とスペクトル幅測定
器8は、温度、湿度、振動などの点で非常に安定した環
境に置かれる必要がある。種光レーザ発振器1、基本波
レーザ発振器3、第2段目高調波発生用結晶素子12等
から構成される高調波生成光学系は、第4高調波化レー
ザ13が用いられるレーザ発振器本体もしくは生産・加
工位置の近辺に置かれる。連続波波長測定器5とスペク
トル幅測定器8が置かれている安定環境エリア38は、
通常、第2段目高調波発生用結晶素子12から離れて設
置が可能である。共に赤外光であるパルスレーザ6と種
光レーザ2は、吸収損失が小さい光ファイバー34,3
7を通して離れて設置した安定環境エリア38まで低損
失で伝送される。
【0052】このような紫外線レーザーは、既述の露光
機のため以外にも高出力加工機への適用が求められてい
る。
【0053】
【発明の効果】本発明によるレーザ波長の制御システ
ム、及び、レーザ波長の制御方法は、高調波化レーザー
の物理的性質の測定が、種光レーザー又は基本波レーザ
ーの物理的性質の測定により間接的に行われ、高調波化
レーザーの物理的性質を直接に測定する光学機器を損傷
することから免れることができる。更には、種光レーザ
ーの物理的性質はより正確に測定することができ、種光
レーザーが基本波レーザーを誘導放出的に発振させるの
で、基本波レーザーの物理的性質は高精度に種光レーザ
ーの物理的性質に対応している。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明によるレーザ波長の制御システ
ムの実施の形態を示す光学的回路図である。
【図2】図2は、本発明によるレーザ波長の制御システ
ムの実施の他の形態を示す光学的回路図である。
【図3】図3は、本発明によるレーザ波長の制御システ
ムの実施の更に他の形態を示す光学的回路図である。
【図4】図4は、公知の光学装置を示す光学的回路図で
ある。
【符号の説明】
1,1A,1B…種レーザー発振器 2,2A,2B…種レーザー発振器 3,3A,3B…基本波レーザー発振器 5…測定器(波長測定器) 6,6A,6B…レーザー(基本波レーザー) 8,8B,8A…測定器(スペクトル幅測定器) 9…第1変換器 12…変換器 13…高調波(高次高調波) 25…高調波(低次高調波、第2高調波) 26…第2変換器 27…高調波(第3高調波) 28…高次高調波(紫外線レーザー) 34,37…光ファイバー

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザー発振器と、 前記レーザー発振器から出力されるレーザーを高次高調
    波に変換する変換器と、 前記高次高調波の物理的性質に対応する前記レーザーの
    物理的性質を測定する測定器とを含むレーザ波長の制御
    システム。
  2. 【請求項2】前記物理的性質は、前記レーザーの波長又
    は前記レーザーのスペクトル幅である請求項1のレーザ
    波長の制御システム。
  3. 【請求項3】前記レーザー発振器は、 基本波レーザーを出力する基本波レーザー発振器と、 前記基本波レーザーの前記物理的性質を誘導放出的に制
    御する種レーザーを出力する種レーザー発振器とを備
    え、 前記測定器は、前記種レーザーの物理的性質を測定する
    請求項1又は2のレーザ波長の制御システム。
  4. 【請求項4】前記変換器は、 前記基本波レーザーを前記高次高調波よりも低次である
    低次高調波に変換する第1変換器と、 前記低次高調波を前記高次高調波に変換する第2変換器
    とを備え、 前記測定器は、前記低次高調波の前記物理的性質を測定
    する請求項1又は2のレーザ波長の制御システム。
  5. 【請求項5】前記レーザー発振器は、 基本波レーザーを出力する基本波レーザー発振器と、 前記基本波レーザーの前記物理的性質を誘導放出的に制
    御する種レーザーを出力する種レーザー発振器とを備
    え、 前記基本波レーザー発振器は、 第1基本波レーザーを発生する第1基本波レーザー発振
    器と、 第2基本波レーザーを発生する第2基本波レーザー発振
    器とを備え、 前記種レーザー発振器は、 前記第1基本波レーザーの前記物理的性質を誘導放出的
    に制御する第1種レーザーを出力する第1種レーザー発
    振器と、 前記第2基本波レーザーの前記物理的性質を誘導放出的
    に制御する第2種レーザーを出力する第2種レーザー発
    振器を備え、 前記高次高調波は、前記第1基本波レーザーの高調波と
    前記第2基本波レーザー又は前記第2基本波レーザーの
    高調波との和周波数混合により形成されている請求項1
    又は2のレーザ波長の制御システム。
  6. 【請求項6】前記第1基本波レーザーの高調波は、前記
    第2基本波レーザー発振器を励起する請求項5のレーザ
    波長の制御システム。
  7. 【請求項7】前記測定器は、前記第2基本波レーザーの
    高調波の前記物理的性質を測定する請求項6のレーザ波
    長の制御システム。
  8. 【請求項8】前記変換器は、 第1基本波レーザーを第2高調波に変換する第1変換器
    と、 前記第2高調波を第3高調波に変換する第2変換器とを
    備え、 前記高次高調波は、前記第3高調波と前記第2基本波レ
    ーザーの和周波数混合により形成されている請求項6の
    レーザ波長の制御システム。
  9. 【請求項9】前記測定器は、前記第1基本波の前記物理
    的性質を測定する請求項8のレーザ波長の制御システ
    ム。
  10. 【請求項10】前記測定器は、第2基本波レーザーの前
    記物理的性質を測定する請求項8又は9のレーザ波長の
    制御システム。
  11. 【請求項11】前記レーザー発振器の出力の一部を前記
    測定器に伝送する光ファイバーを更に含む請求項1又は
    2のレーザ波長の制御システム。
  12. 【請求項12】前記種レーザーの一部を前記測定器に伝
    送する光ファイバーを更に含む請求項3のレーザ波長の
    制御システム。
  13. 【請求項13】レーザーを高調波に変換すること、 前記レーザーの物理的性質を測定することとを含むレー
    ザ波長の制御方法。
  14. 【請求項14】種レーザーにより誘導して基本波レーザ
    ーを誘導放出すること、 前記基本波レーザーを高調波に変換すること、 前記高調波を高次高調波に変換すること、 前記種レーザーの物理的性質を測定することとを含み、 前記種レーザーの物理的性質は、前記高次高調波の物理
    的性質に量的に対応しているレーザ波長の制御方法。
  15. 【請求項15】前記物理的性質は、波長又はスペクトル
    幅である請求項14のレーザ波長の制御方法。
  16. 【請求項16】第1種レーザーにより誘導して第1基本
    波レーザーを誘導放出すること、 第2種レーザーにより誘導して第2基本波レーザーを誘
    導放出すること、 前記第1基本波レーザーを高調波に変換すること、 前記高調波を高次高調波に変換すること、 前記高次高調波と前記第2基本波レーザーとに基づく和
    周波数混合により紫外線レーザーを発生すること、 前記第1種レーザーと前記高調波と前記高次高調波から
    選択される波の物理的性質を量的に測定すること、 前記第2基本波レーザーの前記物理的性質を量的に測定
    することとを含むレーザ波長の制御方法。
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