JP2002222896A - Semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module

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JP2002222896A
JP2002222896A JP2001019085A JP2001019085A JP2002222896A JP 2002222896 A JP2002222896 A JP 2002222896A JP 2001019085 A JP2001019085 A JP 2001019085A JP 2001019085 A JP2001019085 A JP 2001019085A JP 2002222896 A JP2002222896 A JP 2002222896A
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mold resin
wiring
mounting
resin
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Koji Yamaguchi
浩司 山口
Yuji Yamashita
勇司 山下
Ryuzo Fukao
隆三 深尾
Seiji Kishimoto
清治 岸本
Hiroyuki Tsukamoto
博之 塚本
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Hitachi Maxell Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module of high performance and high reliability. SOLUTION: This semiconductor module 1B is constituted by including a multilayer wiring part 4 where two or more wiring layers are formed via an insulating layer, a semiconductor chip 5 which is mounted on the wiring part 4 and connected electrically with the wiring layers, mounting components 6 which are excellent in heat resistance, mounted on the wiring part 4, and connected electrically with the wiring layers, external connection terminals 11 connected electrically with the wiring layers, and mold resin 9 which seals peripheral parts of the components 5, 6 and connection parts of the components 5, 6 and the wiring layers. A part 9a where mold resin is not formed is formed in a part of the mold resin 9, mounting components 20 of low heat resistance such as, e.g. a crystal oscillator and a battery are set in the part 9a where the mold resin is not formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも1つの
半導体チップを含む複数個の搭載部品が搭載された半導
体モジュールに係り、特に、搭載部品及び当該搭載部品
と配線層との接続部を封止するモールド樹脂の構成に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor module on which a plurality of mounting components including at least one semiconductor chip are mounted, and more particularly, to sealing of the mounting components and a connection between the mounting components and a wiring layer. The present invention relates to a configuration of a mold resin to be formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1及び図2に、従来より知られている
半導体モジュールの一例を示す。図1はモールド樹脂を
透視して搭載部品の配列を示す従来例に係る半導体モジ
ュールの上面透視図、図2は図1のA−A断面図であ
る。
2. Description of the Related Art FIGS. 1 and 2 show an example of a conventionally known semiconductor module. FIG. 1 is a top perspective view of a semiconductor module according to a conventional example showing the arrangement of mounted components through a mold resin, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

【0003】本例の半導体モジュール1Aは、絶縁層2
を介して2層以上の配線層3が形成された多層配線部4
と、当該多層配線部4上に搭載され、バンプ7を介して
前記配線層3と電気的に接続された半導体チップ5と、
当該多層配線部4上に搭載され、はんだ8を介して前記
配線層3と電気的に接続されたその他の搭載部品6と、
前記多層配線部4の裏面側に配置され、前記配線層3と
電気的に接続された導電性のパッド10と、当該パッド
10上に形成された外部接続端子11とを有し、前記多
層配線部4の部品搭載面全体が熱硬化性樹脂から成るモ
ールド樹脂9にて封止された構成になっている。なお、
前記多層配線部4としては、ガラスエポキシ基板やビル
ドアップ基板などが用いられ、前記その他の搭載部品6
としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダク
タ、コンデンサ、水晶発振子、フィルタ、バラン、アン
テナ、機能モジュール又はコネクタのいずれか、若しく
はこれらの組み合わせが搭載される。なお、前記機能モ
ジュールには、VCO、PLL又は電源レギュレータな
どが含まれる。
[0003] The semiconductor module 1A of the present embodiment comprises an insulating layer 2
Multi-layer wiring section 4 in which two or more wiring layers 3 are formed via
A semiconductor chip 5 mounted on the multilayer wiring section 4 and electrically connected to the wiring layer 3 via bumps 7;
Other mounting components 6 mounted on the multilayer wiring portion 4 and electrically connected to the wiring layer 3 via solder 8;
The multi-layer wiring includes a conductive pad 10 disposed on the back side of the multi-layer wiring portion 4 and electrically connected to the wiring layer 3, and an external connection terminal 11 formed on the pad 10. The entire component mounting surface of the part 4 is sealed with a mold resin 9 made of a thermosetting resin. In addition,
A glass epoxy board, a build-up board, or the like is used as the multilayer wiring section 4.
For example, a transistor, a diode, a resistor, an inductor, a capacitor, a crystal oscillator, a filter, a balun, an antenna, a functional module, a connector, or a combination thereof is mounted. The functional module includes a VCO, a PLL, a power regulator, and the like.

【0004】本例の半導体モジュール1Aは、多層配線
部4の部品搭載面全体を熱硬化性樹脂から成るモールド
樹脂9にて封止したので、半導体チップ5及びその他の
搭載部品6の保護効果が高く、機械的又は化学的な破壊
要因に対する耐久性に優れるという特徴がある。
In the semiconductor module 1A of this embodiment, since the entire component mounting surface of the multilayer wiring portion 4 is sealed with the molding resin 9 made of a thermosetting resin, the protection effect of the semiconductor chip 5 and other mounting components 6 is improved. It is high and has excellent durability against mechanical or chemical destruction factors.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の半
導体モジュールは、非接触形ICカードや携帯電話など
の各種電子機器に適用されるが、これら各種電気機器の
高機能化と信頼性の向上を図るため、各種電子機器に搭
載又は接続される半導体モジュールについても、高機能
にして信頼性に優れることが強く求められている。
By the way, this type of semiconductor module is applied to various electronic devices such as a non-contact type IC card and a portable telephone. Therefore, there is a strong demand for semiconductor modules mounted or connected to various electronic devices to have high functionality and excellent reliability.

【0006】しかるに、前記構成の半導体モジュール1
Aは、多層配線部4の部品搭載面全体を熱硬化性樹脂か
ら成るモールド樹脂9にて封止するので、例えば水晶発
振子や電池等の耐熱性が低い部品を搭載することができ
ず、半導体モジュールのより一層の高機能化を図ること
が難しいという問題がある。
However, the semiconductor module 1 having the above configuration
In A, since the entire component mounting surface of the multilayer wiring portion 4 is sealed with the mold resin 9 made of a thermosetting resin, components having low heat resistance, such as a crystal oscillator and a battery, cannot be mounted. There is a problem that it is difficult to further enhance the functionality of the semiconductor module.

【0007】また、前記構成の半導体モジュール1A
は、多層配線部4の部品搭載面全体を熱硬化性樹脂から
成るモールド樹脂9にて封止するので、モールド樹脂9
と多層配線部4との厚さの差や線膨張係数の相違から、
モールド樹脂成形後の冷却過程で半導体モジュール1A
に反りが生じやすく、外部接続端子11を電子機器側に
設けられた回路基板に接続する際に、各外部接続端子1
1が回路基板の基板面に均等に当接されず、信頼性の高
い接続を行うことが困難になりやすいという問題もあ
る。
Further, the semiconductor module 1A having the above configuration
Since the entire part mounting surface of the multilayer wiring section 4 is sealed with a molding resin 9 made of a thermosetting resin, the molding resin 9
From the difference in thickness and coefficient of linear expansion between
In the cooling process after molding resin molding, semiconductor module 1A
When the external connection terminals 11 are connected to a circuit board provided on the electronic device side, each external connection terminal 1 is easily warped.
1 does not evenly contact the board surface of the circuit board, and there is also a problem that it is difficult to make highly reliable connection.

【0008】本発明は、かかる技術的課題を解決するた
めになされたものであって、その目的は、高機能にして
信頼性が高い半導体モジュールを提供することにある。
The present invention has been made to solve such technical problems, and an object of the present invention is to provide a highly functional and highly reliable semiconductor module.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するため、第1に、少なくとも1つの半導体チップ
を含む複数個の搭載部品と、当該搭載部品と電気的に接
続された配線層を有する配線部と、前記複数個の搭載部
品のうちの一部の搭載部品及び当該一部の搭載部品と前
記配線層との接続部を封止するモールド樹脂とを有し、
前記配線部の部品搭載面の一部にモールド樹脂の非形成
部が設けられ、当該モールド樹脂の非形成部に前記複数
個の搭載部品のうちの他の一部が搭載されているという
構成にした。
According to the present invention, in order to achieve the above object, first, a plurality of mounted components including at least one semiconductor chip, and wirings electrically connected to the mounted components. A wiring portion having a layer, a mold resin for sealing a connection part between the part of the plurality of mounted parts and the part of the mounted part and the wiring layer,
A non-forming portion of a molding resin is provided on a part of the component mounting surface of the wiring portion, and another part of the plurality of mounting components is mounted on the non-forming portion of the molding resin. did.

【0010】かように、モールド樹脂を多層配線部の部
品搭載面全体を覆うように形成するのではなく、複数個
の搭載部品のうちの一部の搭載部品及び当該一部の搭載
部品と配線層との接続部のみをモールド樹脂にて封止
し、モールド樹脂の非形成部に他の搭載部品を搭載する
という構成にすると、モールド樹脂の非形成部に耐熱性
が低い搭載部品を搭載することによって耐熱性が低い搭
載部品を備えた半導体モジュールを得ることができ、半
導体モジュールの多機能化を図ることができる。また、
モールド樹脂の非形成部を設けると、モールド樹脂成形
後の冷却過程で発生するモールド樹脂の硬化収縮に起因
する反りをモールド樹脂の非形成部にて吸収することが
できるので、半導体モジュールの反りを緩和できて、各
外部接続端子を回路基板の基板面に均等に当接させるこ
とができ、半導体モジュールと回路基板との接続の信頼
性を高めることができる。
As described above, the molding resin is not formed so as to cover the entire component mounting surface of the multilayer wiring portion. When only the connection part with the layer is sealed with the molding resin and another mounting part is mounted on the non-forming part of the molding resin, the mounting part with low heat resistance is mounted on the non-forming part of the molding resin. This makes it possible to obtain a semiconductor module provided with mounting parts having low heat resistance, and to achieve multifunctional semiconductor modules. Also,
By providing a non-formed portion of the mold resin, it is possible to absorb in the non-formed portion of the mold resin the warpage caused by the curing shrinkage of the mold resin generated in the cooling process after the molding resin molding. As a result, the external connection terminals can be evenly brought into contact with the substrate surface of the circuit board, and the reliability of the connection between the semiconductor module and the circuit board can be improved.

【0011】本発明は、前記の目的を達成するため、第
2に、第1の課題解決手段におけるモールド樹脂の上面
に、配線部の部品搭載面まで達しない凹溝を形成すると
いう構成にした。
In order to achieve the above object, the present invention has a second configuration in which a concave groove which does not reach the component mounting surface of the wiring portion is formed on the upper surface of the mold resin in the first means for solving the problems. .

【0012】かように、モールド樹脂の上面に配線部の
部品搭載面まで達しない凹溝を形成すると、モールド樹
脂の非形成部と相俟って、モールド樹脂の硬化収縮に起
因する半導体モジュールの反りをより有効に緩和するこ
とができ、半導体モジュールと回路基板との接続の信頼
性をより一層高めることができる。また、前記凹溝を搭
載部品の非搭載部に形成すれば、モジュールサイズを大
きくすることなく、半導体モジュールの必要以上の剛性
低下を防止することができるので、小型にして機械的強
度に優れ、かつ、回路基板との接続の信頼性が高い半導
体モジュールを得ることができる。
As described above, when the concave groove which does not reach the component mounting surface of the wiring portion is formed on the upper surface of the mold resin, the groove of the semiconductor module caused by the curing shrinkage of the mold resin is combined with the non-formed portion of the mold resin. Warpage can be alleviated more effectively, and the reliability of connection between the semiconductor module and the circuit board can be further increased. Further, if the concave groove is formed in the non-mounting part of the mounting component, it is possible to prevent unnecessary reduction in rigidity of the semiconductor module without increasing the module size. In addition, a semiconductor module having high reliability of connection with the circuit board can be obtained.

【0013】本発明は、前記の目的を達成するため、第
3に、第1の課題解決手段における半導体チップを除く
搭載部品として、トランジスタ、ダイオード、抵抗、イ
ンダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィルタ、バラ
ン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタのいずれ
か、若しくはこれらの組み合わせを搭載するという構成
にした。なお、前記機能モジュールには、VCO、PL
L又は電源レギュレータなどが含まれる。
In order to achieve the above object, the present invention provides, as a third aspect, a transistor, a diode, a resistor, an inductor, a capacitor, a crystal oscillator, a filter, Any one of a balun, an antenna, a functional module, a connector, or a combination thereof is mounted. The functional modules include VCO, PL
L or a power regulator.

【0014】配線層は、高精度かつ均質に形成できるの
で、電気的及び熱的な安定性及び信頼性が高く、前記の
ような各種の電子部品又は電気部品を必要に応じて適宜
接続することができる。したがって、多種多様な電子部
品又は電気部品を搭載することができて、各種の用途に
適用可能な多機能な半導体モジュールを得ることができ
る。
Since the wiring layer can be formed with high accuracy and uniformity, the electrical and thermal stability and reliability are high, and it is necessary to appropriately connect various electronic components or electric components as described above as necessary. Can be. Therefore, a variety of electronic components or electric components can be mounted, and a multifunctional semiconductor module applicable to various uses can be obtained.

【0015】本発明は、前記の目的を達成するため、第
4に、第1の課題解決手段におけるモールド樹脂の非形
成部に水晶発振子及び/又は電池を搭載するという構成
にした。
Fourthly, in order to achieve the above-mentioned object, the present invention is configured such that a quartz oscillator and / or a battery is mounted on a portion where no molding resin is formed in the first means for solving the problems.

【0016】かように、モールド樹脂の非形成部に水晶
発振子及び/又は電池を搭載すると、従来は電子機器側
に設定せざるを得なかったこれらの部品を半導体モジュ
ールに備えることができるので、当該半導体モジュール
が備えられる電子機器の多機能化、小型化及び低コスト
化を図ることができる。
As described above, when the crystal oscillator and / or the battery is mounted on the portion where the molding resin is not formed, these components which had to be set on the electronic device conventionally can be provided in the semiconductor module. In addition, it is possible to achieve multifunction, downsizing, and cost reduction of an electronic device provided with the semiconductor module.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】〈半導体モジュールの第1例〉本
発明に係る半導体モジュールの第1例を、図3及び図4
に基づいて説明する。図3は第1実施形態例に係る半導
体モジュールの上面図、図4は図3のB方向から見た側
面図であり、符号9aはモールド樹脂の非形成部、符号
20はモールド樹脂の非形成部9aに搭載される搭載部
品を示し、その他前出の図1及び図2と対応する部分に
は、それと同一の符号が表示されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <First Example of Semiconductor Module> FIGS. 3 and 4 show a first example of a semiconductor module according to the present invention.
It will be described based on. FIG. 3 is a top view of the semiconductor module according to the first embodiment, FIG. 4 is a side view as seen from the direction B in FIG. 3, and reference numeral 9a denotes a portion where no molding resin is formed, and reference numeral 20 denotes a portion where no molding resin is formed. The components mounted on the unit 9a are shown, and the same reference numerals are shown in other parts corresponding to those in FIGS. 1 and 2 described above.

【0018】これらの図から明らかなように、本例の半
導体モジュール1Bは、モールド樹脂9の一側辺部にモ
ールド樹脂の非形成部9aを形成し、当該モールド樹脂
の非形成部9a内に、例えば水晶発振子や電池などの耐
熱性が低い搭載部品20を設定したことを特徴とする。
本例の半導体モジュール1Bは、多層配線部4上に半導
体チップ5と耐熱性が高い搭載部品6とを搭載し、これ
らの各搭載部品5,6と多層配線部4に形成された配線
層3(図1参照)とを所定の手段で接続した後、これら
各搭載部品5,6の周囲及びこれら各搭載部品5,6と
前記配線層3との接続部をモールド樹脂9で封止し、次
いで、多層配線部4上に設けられたモールド樹脂9の非
形成部9aに耐熱性が低い搭載部品20を設定し、当該
搭載部品20と多層配線部4に形成された配線層3(図
1参照)とを所定の手段で接続することにより作製され
る。
As is apparent from these figures, the semiconductor module 1B of the present embodiment has a molding resin non-forming portion 9a formed on one side of the molding resin 9, and the molding resin non-forming portion 9a is formed in the molding resin non-forming portion 9a. For example, a mounting component 20 having low heat resistance such as a crystal oscillator or a battery is set.
In the semiconductor module 1B of this example, the semiconductor chip 5 and the mounting component 6 having high heat resistance are mounted on the multilayer wiring unit 4, and these mounting components 5, 6 and the wiring layer 3 formed on the multilayer wiring unit 4 are formed. (See FIG. 1) by a predetermined means, and then the periphery of each of the mounted components 5 and 6 and the connection between the mounted components 5 and 6 and the wiring layer 3 are sealed with a mold resin 9. Next, a mounting component 20 having low heat resistance is set on the non-formed portion 9a of the mold resin 9 provided on the multilayer wiring portion 4, and the mounting component 20 and the wiring layer 3 formed on the multilayer wiring portion 4 (FIG. Is connected by predetermined means.

【0019】本例の半導体モジュール1Bは、半導体チ
ップ5及び耐熱性が高い搭載部品6の周囲並びにこれら
の各搭載部品5,6と配線層3との接続部のみをモール
ド樹脂9にて封止し、モールド樹脂9の非形成部9aに
耐熱性が低い搭載部品20を搭載するので、半導体モジ
ュールに対する耐熱性が低い搭載部品20の搭載が可能
になり、半導体モジュールの多機能化、ひいては当該半
導体モジュール1Bが備えられる電子機器の多機能化、
小型化及び低コスト化を図ることができる。また、モー
ルド樹脂9の一部にモールド樹脂の非形成部9aを設け
るので、モールド樹脂9の硬化収縮に起因する反りを当
該非形成部9aで吸収することができ、半導体モジュー
ル1Bの反りを緩和することができる。したがって、各
外部接続端子11を図示しない回路基板の基板面に均等
に当接させることができて、半導体モジュール1Bと回
路基板との接続の信頼性を高めることができる。さら
に、本例の半導体モジュール1Bは、半導体チップ5以
外の搭載部品6として、トランジスタ、ダイオード、抵
抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィルタ、
バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタのいず
れか、若しくはこれらの組み合わせを搭載するので、各
種の用途に適用可能な多機能な半導体モジュールを得る
ことができる。
In the semiconductor module 1 B of this embodiment, only the periphery of the semiconductor chip 5 and the mounting component 6 having high heat resistance and the connection between the mounting components 5 and 6 and the wiring layer 3 are sealed with the molding resin 9. Since the mounting component 20 with low heat resistance is mounted on the non-formed portion 9a of the mold resin 9, the mounting component 20 with low heat resistance on the semiconductor module can be mounted. Multifunctional electronic equipment provided with the module 1B,
The size and cost can be reduced. In addition, since the non-formation portion 9a of the mold resin 9 is provided in a part of the mold resin 9, the warpage caused by the curing shrinkage of the mold resin 9 can be absorbed by the non-formation portion 9a, and the warpage of the semiconductor module 1B is reduced. can do. Therefore, each external connection terminal 11 can be evenly brought into contact with the board surface of the circuit board (not shown), and the reliability of connection between the semiconductor module 1B and the circuit board can be improved. Further, the semiconductor module 1B of the present example includes transistors, diodes, resistors, inductors, capacitors, crystal oscillators, filters,
Since any one of the balun, the antenna, the functional module, and the connector, or a combination thereof is mounted, a multifunctional semiconductor module applicable to various uses can be obtained.

【0020】〈半導体モジュールの第2例〉本発明に係
る半導体モジュールの第2例を、図5及び図6に基づい
て説明する。図5は第2実施形態例に係る半導体モジュ
ールの上面図、図6は図5のC−C断面図であり、前出
の図3及び図4と対応する部分には、それと同一の符号
が表示されている。
<Second Example of Semiconductor Module> A second example of the semiconductor module according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a top view of the semiconductor module according to the second embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 5. In FIG. 5, parts corresponding to those in FIGS. Is displayed.

【0021】これらの図から明らかなように、本例の半
導体モジュール1Cは、モールド樹脂9の中央部分に十
文字状にモールド樹脂の非形成部9aを形成し、当該モ
ールド樹脂の非形成部9a内に、例えば水晶発振子や電
池などの耐熱性が低い搭載部品20を設定したことを特
徴とする。本例の半導体モジュール1Cも、第1実施形
態例に係る半導体モジュール1Bと同様の方法で作製す
ることができる。
As is apparent from these figures, the semiconductor module 1C of the present embodiment has a cross-shaped non-forming portion 9a of the molding resin at the center of the molding resin 9 and the inside of the non-forming portion 9a of the molding resin. In addition, a mounting component 20 having low heat resistance such as a crystal oscillator or a battery is set. The semiconductor module 1C of this example can also be manufactured by the same method as the semiconductor module 1B according to the first embodiment.

【0022】本例の半導体モジュール1Cは、第1実施
形態例に係る半導体モジュール1Bと同様の効果を有す
るほか、モールド樹脂の非形成部9aをモールド樹脂9
の中央部分に十文字状に形成したので、半導体モジュー
ルの幅方向及び長さ方向に関してモールド樹脂9の硬化
収縮に起因する反りを均等に吸収することができる。し
たがって、半導体モジュール1Cの反りをより小さく、
かつ均等にすることができるので、各外部接続端子11
と図示しない回路基板との接続の信頼性をより一層高め
ることができる。
The semiconductor module 1C of this embodiment has the same effects as the semiconductor module 1B of the first embodiment, and the non-forming portion 9a of the molding resin
Are formed in a cross shape at the center of the semiconductor module, so that the warpage due to the curing shrinkage of the mold resin 9 can be uniformly absorbed in the width direction and the length direction of the semiconductor module. Therefore, the warpage of the semiconductor module 1C is smaller,
Since the external connection terminals 11
And the circuit board (not shown) can be more reliably connected.

【0023】〈半導体モジュールの第3例〉本発明に係
る半導体モジュールの第3例を、図7及び図8に基づい
て説明する。図7は第3実施形態例に係る半導体モジュ
ールの上面図、図8は図7のD−D断面図であり、符号
9bはモールド樹脂の上面に形成された凹溝を示し、そ
の他前出の図3乃至図6と対応する部分には、それと同
一の符号が表示されている。
<Third Example of Semiconductor Module> A third example of the semiconductor module according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a top view of the semiconductor module according to the third embodiment, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 7, and reference numeral 9b denotes a concave groove formed on the upper surface of the mold resin. 3 to 6 are denoted by the same reference numerals.

【0024】これらの図から明らかなように、本例の半
導体モジュール1Dは、モールド樹脂9の中央部分にモ
ールド樹脂の非形成部9aを形成すると共に、当該モー
ルド樹脂の非形成部9aより半導体モジュール1Dの幅
方向及び長さ方向に延びる凹溝9bを形成し、前記モー
ルド樹脂の非形成部9a内に、例えば水晶発振子や電池
などの耐熱性が低い搭載部品20を設定したことを特徴
とする。前記凹溝9bは、多層配線部4の表面に達しな
い深さに形成される。また、この凹溝9bは、多層配線
部4の部品が搭載されない部分に形成される。本例の半
導体モジュール1Dも、第1実施形態例に係る半導体モ
ジュール1Bと同様の方法で作製することができる。
As is apparent from these figures, the semiconductor module 1D of this embodiment has a non-forming portion 9a of the molding resin in the center portion of the molding resin 9 and the semiconductor module 1D from the non-forming portion 9a of the molding resin. A groove 9b extending in a width direction and a length direction of 1D is formed, and a mounting component 20 having low heat resistance such as a crystal oscillator or a battery is set in the non-formed portion 9a of the molding resin. I do. The concave groove 9b is formed at a depth that does not reach the surface of the multilayer wiring portion 4. The concave groove 9b is formed in a portion of the multilayer wiring portion 4 where no component is mounted. The semiconductor module 1D of this example can also be manufactured by the same method as the semiconductor module 1B according to the first embodiment.

【0025】本例の半導体モジュール1Dは、第2実施
形態例に係る半導体モジュール1Cと同様の効果を有す
るほか、モールド樹脂9の上面に配線部4の部品搭載面
まで達しない凹溝9bを形成したので、モールド樹脂の
非形成部9aと相俟って、モールド樹脂9の硬化収縮に
起因する半導体モジュールの反りをより有効に緩和する
ことができ、半導体モジュール1Dと回路基板との接続
の信頼性をより一層高めることができる。また、前記凹
溝9bを搭載部品の非搭載部に形成したので、モジュー
ルサイズを大きくすることなく、半導体モジュール1C
の必要以上の剛性低下を防止することができ、小型にし
て機械的強度に優れ、かつ、回路基板との接続の信頼性
が高い半導体モジュールを得ることができる。なお、前
記各実施形態例においては、配線部として、絶縁層2を
介して2層以上の配線層3が形成された多層配線部4を
用いたが、本発明の要旨はこれに限定されるものではな
く、必要な回路を構成できる場合には、配線層が単層に
形成された単層配線部を用いることもできる。
The semiconductor module 1D of this embodiment has the same effects as the semiconductor module 1C of the second embodiment, and also has a recess 9b formed on the upper surface of the mold resin 9 so as not to reach the component mounting surface of the wiring section 4. Therefore, in combination with the non-formed portion 9a of the mold resin, the warpage of the semiconductor module due to the curing shrinkage of the mold resin 9 can be more effectively reduced, and the reliability of the connection between the semiconductor module 1D and the circuit board can be reduced. Properties can be further enhanced. Further, since the concave groove 9b is formed in the non-mounting portion of the mounting component, the semiconductor module 1C can be formed without increasing the module size.
And a semiconductor module having a small size, excellent mechanical strength, and high reliability of connection to a circuit board can be obtained. In each of the above-described embodiments, the multilayer wiring section 4 in which two or more wiring layers 3 are formed via the insulating layer 2 is used as the wiring section, but the gist of the present invention is not limited to this. However, when a necessary circuit can be formed, a single-layer wiring portion having a single-layer wiring layer can also be used.

【0026】また、前記各実施形態例においては、凹溝
9bを多層配線部4上の部品が搭載されない部分と対向
に形成したが、本発明の要旨はこれに限定されるもので
はなく、搭載部品6の封止が可能である場合には、凹溝
9bを多層配線部4上の部品が搭載される部分と対向に
形成することもできる。
Further, in each of the above embodiments, the concave groove 9b is formed to face the portion on the multilayer wiring portion 4 where no component is mounted. However, the gist of the present invention is not limited to this. When the component 6 can be sealed, the concave groove 9b can be formed to face the portion on the multilayer wiring portion 4 where the component is to be mounted.

【0027】[0027]

【発明の効果】請求項1に記載の発明は、モールド樹脂
を多層配線部の部品搭載面全体を覆うように形成するの
ではなく、複数個の搭載部品のうちの一部の搭載部品及
び当該一部の搭載部品と配線層との接続部のみをモール
ド樹脂にて封止し、モールド樹脂の非形成部に他の搭載
部品を搭載するという構成にしたので、モールド樹脂の
非形成部に耐熱性が低い搭載部品を搭載することによっ
て耐熱性が低い搭載部品を備えた半導体モジュールを得
ることができ、半導体モジュールの多機能化を図ること
ができる。また、モールド樹脂の非形成部を設けたの
で、モールド樹脂の硬化収縮に起因する反りを当該非形
成部にて吸収することができ、半導体モジュールの反り
を緩和することができる。したがって、各外部接続端子
を回路基板の基板面に均等に当接させることができ、半
導体モジュールと回路基板との接続の信頼性を高めるこ
とができる。
According to the first aspect of the present invention, the molding resin is not formed so as to cover the entire component mounting surface of the multilayer wiring portion. Only the connection between some of the mounted components and the wiring layer is sealed with the mold resin, and the other mounted components are mounted on the non-formed portions of the mold resin. By mounting a mounting component with low heat resistance, a semiconductor module having a mounting component with low heat resistance can be obtained, and multifunction of the semiconductor module can be achieved. Further, since the non-formed portion of the mold resin is provided, the warpage caused by the curing shrinkage of the mold resin can be absorbed by the non-formed portion, and the warpage of the semiconductor module can be reduced. Therefore, each external connection terminal can be evenly brought into contact with the board surface of the circuit board, and the reliability of connection between the semiconductor module and the circuit board can be improved.

【0028】請求項2に記載の発明は、モールド樹脂の
上面に配線部の部品搭載面まで達しない凹溝を形成した
ので、モールド樹脂の非形成部と相俟って、モールド樹
脂の硬化収縮に起因する半導体モジュールの反りをより
有効に緩和することができ、半導体モジュールと回路基
板との接続の信頼性をより一層高めることができる。ま
た、前記凹溝を搭載部品の非搭載部に形成すれば、モジ
ュールサイズを大きくすることなく、半導体モジュール
の必要以上の剛性低下を防止することができるので、小
型にして機械的強度に優れ、かつ、回路基板との接続の
信頼性が高い半導体モジュールを得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, since the concave groove which does not reach the component mounting surface of the wiring portion is formed on the upper surface of the molding resin, the curing shrinkage of the molding resin is caused together with the non-forming portion of the molding resin. The warpage of the semiconductor module caused by the above can be more effectively reduced, and the reliability of connection between the semiconductor module and the circuit board can be further improved. Further, if the concave groove is formed in the non-mounting part of the mounting component, it is possible to prevent unnecessary reduction in rigidity of the semiconductor module without increasing the module size. In addition, a semiconductor module having high reliability of connection with the circuit board can be obtained.

【0029】請求項3に記載の発明は、少なくとも1つ
の半導体チップのほかに、トランジスタ、ダイオード、
抵抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィル
タ、バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタの
いずれか、若しくはこれらの組み合わせを搭載したの
で、各種の用途に適用可能な多機能な半導体モジュール
を得ることができる。
According to a third aspect of the present invention, in addition to at least one semiconductor chip, a transistor, a diode,
Either a resistor, an inductor, a capacitor, a crystal oscillator, a filter, a balun, an antenna, a functional module or a connector, or a combination thereof is mounted, so that a multifunctional semiconductor module applicable to various uses can be obtained. .

【0030】請求項4に記載の発明は、モールド樹脂の
非形成部に水晶発振子及び/又は電池を搭載したので、
従来は電子機器側に設定せざるを得なかったこれらの部
品を半導体モジュールに備えることができ、当該半導体
モジュールが備えられる電子機器の多機能化、小型化及
び低コスト化を図ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the crystal oscillator and / or the battery is mounted on the non-formed portion of the mold resin,
Conventionally, these components which had to be set on the electronic device side can be provided in the semiconductor module, and the multifunction, miniaturization and cost reduction of the electronic device provided with the semiconductor module can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来例に係る半導体モジュールの上面図であ
る。
FIG. 1 is a top view of a semiconductor module according to a conventional example.

【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】第1実施形態例に係る半導体モジュールの上面
図である。
FIG. 3 is a top view of the semiconductor module according to the first embodiment.

【図4】図3のB方向から見た側面図である。FIG. 4 is a side view as viewed from a direction B in FIG. 3;

【図5】第2実施形態例に係る半導体モジュールの上面
図である。
FIG. 5 is a top view of a semiconductor module according to a second embodiment.

【図6】図5のC−C断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line CC of FIG. 5;

【図7】第3実施形態例に係る半導体モジュールの上面
図である。
FIG. 7 is a top view of a semiconductor module according to a third embodiment.

【図8】図7のD−D断面図である。8 is a sectional view taken along the line DD of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A〜1C 半導体モジュール 2 絶縁層 3 配線層 4 多層配線部 5 半導体チップ 6,20 他の搭載部品 9 モールド樹脂 11 外部接続端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A-1C Semiconductor module 2 Insulating layer 3 Wiring layer 4 Multilayer wiring part 5 Semiconductor chip 6,20 Other mounting parts 9 Mold resin 11 External connection terminal

フロントページの続き (72)発明者 深尾 隆三 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 岸本 清治 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 塚本 博之 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA03 DA07 DA09 GA02 5E336 AA04 BB03 CC51 CC55 Continuing from the front page (72) Inventor Ryuzo Fukao 1-1-88 Ushitora, Ibaraki City, Osaka Prefecture Inside Hitachi Maxell Co., Ltd. (72) Inventor Seiji Kishimoto 1-188 Ushitora, Ibaraki City, Osaka Prefecture Hitachi Maxell stock In-house (72) Inventor Hiroyuki Tsukamoto 1-88 Ushitora 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka F-term (reference) 4M109 AA01 BA03 DA07 DA09 GA02 5E336 AA04 BB03 CC51 CC55

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1つの半導体チップを含む複
数個の搭載部品と、当該搭載部品と電気的に接続された
配線層を有する配線部と、前記複数個の搭載部品のうち
の一部の搭載部品及び当該一部の搭載部品と前記配線層
との接続部を封止するモールド樹脂とを有し、前記配線
部の部品搭載面の一部にモールド樹脂の非形成部が設け
られ、当該モールド樹脂の非形成部に前記複数個の搭載
部品のうちの他の一部が搭載されていることを特徴とす
る半導体モジュール。
1. A plurality of mounted components including at least one semiconductor chip, a wiring section having a wiring layer electrically connected to the mounted components, and mounting of a part of the plurality of mounted components. A mold resin for sealing a connection part between the part and the part of the mounted part and the wiring layer, wherein a non-formed part of the mold resin is provided on a part of the part mounting surface of the wiring part; A semiconductor module, wherein another part of the plurality of mounted components is mounted on a resin non-formed portion.
【請求項2】 前記モールド樹脂の上面に、前記配線部
の部品搭載面まで達しない凹溝を形成したことを特徴と
する請求項1に記載の半導体モジュール。
2. The semiconductor module according to claim 1, wherein a concave groove that does not reach the component mounting surface of the wiring portion is formed on an upper surface of the mold resin.
【請求項3】 前記半導体チップを除く前記搭載部品
が、トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダクタ、コ
ンデンサ、水晶発振子、フィルタ、バラン、アンテナ、
機能モジュール又はコネクタのいずれか、若しくはこれ
らの組み合わせであることを特徴とする請求項1に記載
の半導体モジュール。
3. The mounting component other than the semiconductor chip includes a transistor, a diode, a resistor, an inductor, a capacitor, a crystal oscillator, a filter, a balun, an antenna,
The semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module is one of a functional module and a connector, or a combination thereof.
【請求項4】 前記モールド樹脂の非形成部に水晶発振
子及び/又は電池が搭載されていることを特徴とする請
求項1に記載の半導体モジュール。
4. The semiconductor module according to claim 1, wherein a crystal oscillator and / or a battery is mounted on the portion where the molding resin is not formed.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8059425B2 (en) * 2008-05-28 2011-11-15 Azurewave Technologies, Inc. Integrated circuit module with temperature compensation crystal oscillator

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