JP2002221800A

JP2002221800A - 露光装置および露光システム並びに露光方法

Info

Publication number: JP2002221800A
Application number: JP2001018347A
Authority: JP
Inventors: Atsuyuki Aoki; 淳行青木
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-01-26
Filing date: 2001-01-26
Publication date: 2002-08-09

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】生産形態に応じて最適な動作パラメータを簡
便に設定できる露光装置および露光システムを提供す
る。【解決手段】マスクのパターンを基板に露光する露光
装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複
数記憶する記憶装置２０と、処理を実行する時間帯に基
づいて動作パラメータを切り替える制御装置１４とを備
える。また、該露光装置を複数有し、複数の記憶に対し
て動作パラメータを一括して設定する設定部を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクのパターン
をガラスプレートやウエハ等の基板に露光する露光装置
および露光方法、並びに複数の露光装置により構成され
る露光システムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示デバイスまたは半導体デバイス
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際には、フォト
マスク又はレチクル（以下「マスク」と総称する）のパ
ターン像を投影光学系を介して感光基板上の各ショット
領域に投影する投影露光装置が多く使用されている。

【０００３】近年、この種の投影露光装置としては、感
光基板を２次元的に移動自在なステージ上に載置し、こ
のステージにより感光基板をステップ移動させて、マス
クのパターン像をガラスプレートやウエハ等の感光基板
上の各ショット領域に順次露光する動作を繰り返す、い
わゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置、例
えば縮小投影型の露光装置（ステッパー）が多用されて
いる。また、近年では、ガラスプレートの露光中に、マ
スクとガラスプレートとを同期移動させることにより、
ガラスプレート上の各ショット領域を順次露光してい
く、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光装
置も使用されている。

【０００４】従来、上記の露光装置においては、マスク
のパターンを感光基板上に露光形成するために、マスク
への照明、マスクのパターン像の感光基板上への投影、
マスクと感光基板との位置合わせ等の各種処理が実施さ
れている。そして、これらの処理では、処理に伴う動作
シーケンスを設定する動作パラメータ（以下、シーケン
スパラメータと称する）が装置毎、または生産するレシ
ピ毎に設定可能となっている。

【０００５】例えば、パターンが形成された感光基板上
にパターンを重ね合わせて露光する場合には、感光基板
上に形成されたアライメントマークの位置を検出するこ
とでマスクと感光基板とを位置合わせする、いわゆるア
ライメント処理が行われる。従来、このアライメント処
理において何らかの理由でマーク位置検出が不能であっ
た場合には、その対処として、エラーとして直ちに装置
を停止させるか、あるいは予め設定されたリトライ（再
試行）回数はアライメント処理を繰り返すというような
動作がソフトウェア的なパラメータで予め設定可能とな
っている。一般的に、これらの設定は、例えば装置の制
御装置内の記憶装置にファイルとして記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置および露光方法には、以下のよ
うな問題が存在する。上記の露光処理における生産ライ
ンは、生産性を上げるために２４時間稼働されることが
多く、そのための人員も、例えば８時間毎に区分した３
交代の勤務で対応する交代勤務体制の導入で対処してい
る場合が多い。このような生産形態では、技術スタッフ
の有無等、配置されている人員が時間帯によって変動す
る。

【０００７】ところが、従来のシーケンスパラメータ
は、オペレータにより一旦設定されると、その設定が維
持されるものであり、状況に応じて自動的に切り替えら
れるものではなかった。しかも、シーケンスパラメータ
を切り替えて使用する場合は、オペレータがシーケンス
パラメータの編集ソフトを用いて変更するという作業が
必要であり、煩雑且つ人手に頼ると不確実であるという
問題があった。

【０００８】また、近年では複数の露光装置を統括して
管理する露光システムが構築されているが、この露光シ
ステムにおいてシーケンスパラメータの設定・変更には
人手が介在するため作業の確実性に難があるとともに、
複数の露光装置のそれぞれに対してシーケンスパラメー
タの設定・変更を行うため、作業が繁雑であるという問
題があった。

【０００９】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、生産形態に応じて最適なシーケンスパラメ
ータを簡便に設定できる露光装置および露光システム並
びに露光方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の露光装置
は、マスク（Ｍ）のパターンを基板（Ｐ）に露光する露
光装置（６）において、露光に関する処理の動作パラメ
ータを複数記憶する記憶装置（２０）と、処理を実行す
る時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装
置（１４）とを備えることを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の露光方法は、マスク（Ｍ）
のパターンを基板（Ｐ）に露光する露光方法において、
露光に関する処理に対して複数の動作パラメータを設定
し、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを
切り替えることを特徴とするものである。

【００１２】従って、本発明の露光装置および露光方法
では、エラーの原因を判定できる技術スタッフ等の人員
が配置されている可能性が高い時間帯に例えばオペレー
タ・コールを実行することで、エラーに応じた最適な対
処方法を指示することができる。また、エラーが生産性
上、大きな問題点を有する場合には現場を見ることでト
ラブルシュートが可能になる。一方、夜間等でエラーの
原因を特定してその対処方法を判定できる人員が配置さ
れている確率が低い場合には、処理の再実行や、処理条
件の変更、処理基板の交換等を自動的に実施すること
で、生産が停止したまま放置されることがないので生産
性の低下を防ぐことができる。しかも、このように時間
帯によって動作パラメータが切り替わるので、人手が介
在せず簡便に動作パラメータを変更することができる。

【００１３】そして、本発明の露光システムは、請求項
１または２に記載の露光装置（６ａ〜６ｄ）を複数有
し、複数の記憶装置（２０）に対して動作パラメータを
一括して設定する設定部（ＳＶ）を有するを特徴とする
ものである。

【００１４】従って、本発明の露光システムでは、複数
の露光装置（６ａ〜６ｄ）のそれぞれに対して動作パラ
メータを変更する場合でも、露光装置毎ではなく一括し
て設定することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置および露
光システム並びに露光方法の実施形態を、図１ないし図
７を参照して説明する。ここでは、露光装置が液晶表示
デバイス製造用のガラス基板上にマスクのパターンを露
光形成する場合の例を用いて説明する。

【００１６】図１は、本発明の露光装置６の概略構成図
である。露光装置６は、露光光によりマスク（レチク
ル）Ｍに形成されたパターン（例えば、液晶表示デバイ
スのパターン）を角形のガラス基板（基板）Ｐに投影露
光するものであって、照明光学系７、マスクＭを保持す
るマスクステージ８、投影光学系ＰＬ、ガラス基板Ｐを
保持して移動する基板ステージ９、マスク搬送装置１
０、ガラス基板搬送装置１１、一対のアライメントセン
サ１２ａ、１２ｂ、オフアクシス方式のアライメントセ
ンサ１３、主制御系（制御装置）１４（図２参照）から
概略構成されている。なお、ここでは、投影光学系ＰＬ
の光軸ＡＸ方向をＺ方向とし、このＺ方向に直交する方
向をＸ方向とし、これらＺ方向、Ｘ方向に直交する方向
をＹ方向とする。

【００１７】照明光学系７は、超高圧水銀ランプ等の光
源（不図示）から出射した露光光から、露光に必要な波
長（ｇ線やｉ線やｈ線）を選択するとともに、照度が均
一化された露光光によりレチクルＲを重畳的に照明する
ものであって、照明系ユニット３１によって制御されて
いる。なお、照明光学系７には、露光光の照明領域を設
定するための、例えばＬ字形状をなす一対のマスクブラ
インド（不図示）が含まれており、これらのブラインド
の開口によって上記照明領域が設定される。

【００１８】マスクステージ８は、駆動機構１５を介し
てＸ、Ｙ、θ（Ｚ軸周りの回転）方向に駆動されるよう
になっている。この駆動機構１５は、マスクステージ８
およびプレートステージ９の駆動を統括的に制御するス
テージ制御ユニット３４（図２参照）に制御されてい
る。

【００１９】投影光学系ＰＬは、マスクＭの照明領域に
存在するパターンの像をガラス基板Ｐ上に結像させるも
のであり、本実施形態では正立正像系の光学系が採用さ
れている。そして、ガラス基板Ｐ上に塗布された感光剤
が感光することで、ガラス基板Ｐ上にパターン像が転写
される。この投影光学系ＰＬは、内部に設けられた光学
素子間の気圧や、光学素子の相対位置を調整すること
で、その結像特性を調整できるようになっており、この
結像特性調整は投影系ユニット３５によって制御され
る。

【００２０】基板ステージ９は、ガラス基板Ｐを保持す
るものであって、駆動機構１６によってＸＹ座標系上を
２次元に移動する。これにより、投影光学系ＰＬに対し
てその像面側でガラス基板Ｐが２次元移動され、例えば
ステップ・アンド・リピート方式（又はステップ・アン
ド・スキャン方式）で、ガラス基板Ｐ上の各ショット領
域にマスクＭのパターン像が転写されることになる。駆
動機構１６は、上記ステージ制御ユニット３４に制御さ
れる。基板ステージ９上の隅部には、基準マーク部材Ｆ
Ｍが設置されており、基準マーク部材ＦＭにはガラス基
板Ｐの表面と同じ高さに、基準マークが形成されてい
る。

【００２１】また、基板ステージ９上には、不図示の移
動鏡がＸ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ設置されて
いる。そして、基板ステージ９の位置（ひいてはガラス
基板Ｐの位置）は、レーザ干渉計１７ａ、１７ｂからそ
れぞれ出射されたレーザ光が移動鏡で反射してレーザ干
渉計１７ａ、１７ｂに入射し、その反射光と入射光との
干渉に基づいて正確に計測されるようになっている。こ
れらのレーザ干渉計１７ａ、１７ｂによる計測結果は、
主制御系１４に出力される。

【００２２】マスク搬送装置１０は、マスクＭを吸着保
持して当該マスクＭを搬送するものであって、駆動機構
１８によってＹ軸方向およびＺ軸方向に移動可能に構成
されている。駆動機構１８の駆動は、マスク搬送ユニッ
ト３７によって制御されている。

【００２３】ガラス基板搬送装置１１は、ガラス基板Ｐ
を吸着保持して当該ガラス基板Ｐを搬送するものであっ
て、駆動機構１９によってＹ軸方向およびＺ軸方向に移
動可能に構成されている。駆動機構１９の駆動は、ガラ
ス基板搬送ユニット３８によって制御されている。

【００２４】アライメントセンサ１２ａ、１２ｂは、マ
スクＭに形成されたアライメントマークと投影光学系Ｐ
Ｌとを介して観察される基準マーク部材ＦＭ上の基準マ
ークを計測することにより、マスクＭのアライメントを
行うＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式のものであ
る。これらアライメントセンサ１２ａ、１２ｂは、マス
ク系アライメントユニット３９によって制御されてい
る。そして、このマスク系アライメントユニット３９
は、アライメント処理を統括的に制御するアライメント
ユニット４０（図２参照）によって制御されている。

【００２５】アライメントセンサ１３は、ガラス基板Ｐ
上に形成されたアライメントマークや基準マーク部材Ｆ
Ｍ上の基準マークを計測することにより、ガラス基板Ｐ
のアライメントを行うものであって、ガラス基板系アラ
イメントユニット４１によって制御されている。そし
て、このガラス基板系アライメントユニット４１も上記
アライメントユニット４０に制御されている。上記制御
ユニット３１〜４１は、それぞれ所定の制御プログラム
を実行することで、機能要素毎に各制御ユニット３１〜
４１に接続された機器を制御している。

【００２６】図２に、露光装置６における制御ブロック
図を示す。この図に示すように、主制御系１４には、シ
ーケンスパラメータ等の各種露光データ（レシピ）を記
憶する記憶装置２０が付設されており、主制御系１４は
この記憶装置２０の記憶内容やレーザ干渉計１７ａ、１
７ｂから出力される計測値に基づいて、照明系ユニット
３１、ステージ制御系ユニット３４、投影系ユニット３
５、マスク搬送ユニット３７、ガラス基板搬送ユニット
３８、アライメントユニット４０、信号燈（表示装置）
２１やＣＲＴ（表示装置）２２を統括的に制御する。信
号燈２１は、図３に示すように、露光装置６を収容する
筺体（チャンバー）２３の外部に取り付けられており、
ここでは例えば赤、黄、青の３色燈から構成されてい
る。ＣＲＴ２２は、シーケンスパラメータに係るモード
表示をするものである。

【００２７】上記の構成の露光装置６によりガラス基板
Ｐ上にマスクＭのパターンを露光形成する動作について
説明する。まず、マスク搬送装置１０によりマスクＭが
マスクステージ８上に搬送されると、アライメントセン
サ１２ａ、１２ｂによりマスクマークと基準マーク部材
ＦＭ上の基準マークとを検出する。主制御系１４は、両
マーク間の位置ずれ量を計測し、各マークの設計座標値
と、計測された位置ずれ量とに基づいて所定のアルゴリ
ズム処理を行い、ＸＹシフト、回転等の補正パラメータ
を算出し、このパラメータに基づいて、ステージ制御ユ
ニット３４および駆動機構１５を介してマスクステージ
８をＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向に所定量駆動すること
で、マスクＭをアライメント（位置決め）する。

【００２８】また、ガラス基板搬送装置１１によりガラ
ス基板Ｐが基板ステージ９上に搬送されフォーカス調整
が終了すると、アライメントセンサ１３によりガラス基
板Ｐ上に形成されているアライメントマークを複数計測
する。主制御系１４は、得られた計測値と設計値とに基
づいて最小二乗法等の統計演算処理により、ガラス基板
Ｐ上のショット領域の配列特性に関する位置情報とし
て、Ｘシフト、Ｙシフト、Ｘスケール、Ｙスケール、回
転、直交度の６個の補正パラメータを算出する。そし
て、これらの補正パラメータに基づいて、ガラス基板Ｐ
上の全てのショット領域に対して設計上の座標位置を補
正するとともに、投影系ユニット３５を介して投影光学
系ＰＬの結像特性を調整する。これにより、マスクＭと
ガラス基板Ｐとがアライメント（位置決め）される。

【００２９】この後、主制御系１４は、ステージ制御ユ
ニット３４および駆動機構６を介して基板ステージ９
を、投影光学系ＰＬとアライメントセンサ１３との間の
距離であるベースライン量に関する一定量駆動し、ガラ
ス基板Ｐを上記補正パラメータに基づき補正した露光位
置に位置決めして、マスクＭのパターンを投影光学系Ｐ
Ｌを介してガラス基板Ｐ上に露光する。

【００３０】続いて、上記の露光処理に関してエラーが
発生した場合の対処方法について説明する。ここでは、
アライメントセンサ１３を用いてガラス基板Ｐの位置合
わせを行う際にエラー（アライメントエラー）が発生し
た場合の例を用いて説明する。

【００３１】ここで、アライメント処理でエラーが発生
した場合の装置のシーケンスとしては、以下の選択肢が
考えられる。（１）その時点で装置を停止させる。（エラー停止）（２）予め設定された回数だけ、再度アライメントを行
う。（リトライ；RETRY）（３）アライメントする位置（マーク）を変更する。（４）アライメントする条件（ゲイン、オフセット等）
を変更する。（５）未処理基板として次のガラス基板に交換する。
（リジェクト；REJECT）（６）上記の複合（７）オペレータが上記選択肢を選ぶ。（アシスト;ASS
IST）

【００３２】これらの各シーケンスは、ソフトウェア的
に切り替え可能に記憶装置２０に記憶され、主制御系１
４によってアライメント処理（露光処理）を実行する時
間帯に応じて適宜選択・切り替えられる。ここで、アラ
イメントエラーが発生した場合のシーケンスを図４に示
すフローチャートを用いて詳細に説明する。

【００３３】ステップＳ１でアライメントエラーが発生
すると、ステップＳ２で主制御系１４は時間帯に応じて
設定された処理を実行する。このとき、上記（１）が設
定されていると、主制御系１４はアライメント処理を停
止させる（ステップＳ３）。

【００３４】また、ステップＳ２で上記（２）の自動リ
トライが設定されていると、主制御系１４は、アライメ
ントユニット４０を制御することでアライメント処理を
所定回数自動リトライする（ステップＳ４）。そして、
主制御系１４はステップＳ５で自動リトライの結果、ア
ライメントエラーが解消されたか否かを判断し、アライ
メントエラーが解消されてアライメントマークが検出で
きた場合は露光処理へ移行する（ステップＳ６）。一
方、自動リトライしてもアライメントエラーが解消され
なかった場合にはステップＳ２と同様に、主制御系１４
は時間帯に応じて設定された処理を実行する（ステップ
Ｓ７）。このときの処理としては、上述したステップＳ
３の装置停止や上記（５）のリジェクト、（７）のアシ
スト等を選択できる。

【００３５】そして、ステップＳ２で上記（５）のリジ
ェクトが設定されている場合、主制御系１４はアライメ
ントエラーが発生したガラス基板の処理を停止し、ガラ
ス基板搬送ユニット３８、駆動機構１９を介してガラス
基板搬送装置１１を駆動して、直ちに次のガラス基板と
交換する（ステップＳ８）。

【００３６】また、ステップＳ２で上記（７）のアシス
トが設定されている場合、アライメントエラーが発生す
るとオペレータコールが実行され、オペレータ（または
技術者）がエラー停止、自動リトライ、リジェクト等の
処理を指示する。なお、上記ステップＳ２、Ｓ７におけ
る時間帯に応じた処理は、オペレータにより設定される
が、特別なソフトを用いることなく自動リトライやリジ
ェクト等の項目を指定するだけの簡単な操作で実施でき
る。

【００３７】続いて、アライメント処理を実行する時間
帯に基づくシーケンスパラメータの切り替え実施例につ
いて説明する。ここでは、２４時間を８時間毎に区分し
た３交代勤務体制を敷き、１直が8:00-16:00、２直が1
6:00-0:00、３直が0:00-8:00で勤務するものとする。図
５は、ＣＲＴ２２に曜日および時間帯に応じてシーケン
スパラメータが表示された表示例である。

【００３８】この図に示すように、本実施例ではデフォ
ルト条件としてプロシード（PROCEED）が設定されてい
る。このプロシードとは、エラー発生時に先ず上記
（２）の自動リトライを実行し、リトライしてもアライ
メントエラーが解消されない場合に上記（５）のリジェ
クトを実行するシーケンスに対して命名されたものであ
る。そして、シーケンスパラメータの切替条件１とし
て、平日の8:00-12:00および13:00-16:00については上
記（７）のアシストを設定しておく。また、シーケンス
パラメータの切替条件２として、休祭日については上記
（５）のリジェクトを設定しておく。

【００３９】このように設定すれば、主制御系１４は、
平日の朝8:00、および昼13:00になるとシーケンスパラ
メータをアシストに切り替える。平日の昼間（昼休みを
除く）は日勤専用のオペレータや技術スタッフが勤務し
ていることが一般的なので、アライメントエラーが発生
してもエラーの原因を判定できる確率が高く、またエラ
ーに対する対処方法を直ちに設定できる確率も高くな
る。すなわち、例えばプロセスを熟知した技術者がエラ
ー発生の状況を見れば最適な対処方法を指示可能である
し、そのエラーが生産性上、大きな問題を有する場合な
どは現場を見ることでトラブルシュートが可能になる。

【００４０】一方、主制御系１４は、平日であっても昼
12:00、および16:00になるとシーケンスパラメータをプ
ロシードに切り替える。平日であっても昼休みは、オペ
レータや技術スタッフが席を外す可能性が高く、アシス
ト処理待ちで装置の稼働が停止することを避けるために
自動リトライの後、直ちに次のガラス基板と交換する。
また、１直が終了して２直や３直になった夜間の場合、
アライメントエラーの原因を特定してその対処方法を判
定できる人員が配置されている確率が低くなる。このよ
うな場合も、自動リトライを実行した後に、なおエラー
が解消されなければ次のガラス基板と交換することで、
アシスト処理待ちで装置の稼働が停止することを避ける
ことができる。

【００４１】また、主制御系１４は、休祭日になるとシ
ーケンスパラメータをリジェクトに切り替える。休祭日
については、オペレータや技術スタッフがいない可能性
があるため、アライメントエラーが発生した場合には、
直ちに次のガラス基板と交換することでリトライ等も含
めて、露光処理の停滞時間を低減することができ、生産
効率が向上する。

【００４２】そして、信号燈２１においては、実行中の
シーケンスパラメータに応じた色を点灯する。例えば、
シーケンスパラメータがプロシードであれば青色、リジ
ェクトであれば黄色、そしてアシストであれば赤色を点
灯する。このようにすることで、露光装置６から離れた
所に居るオペレータでも容易に実行中のシーケンスパラ
メータを認識することができる。特に、アシストの場合
はオペレータによるパラメータの指示が必要なので、例
えば装置が指示待ち状態のときに赤色燈を点滅させれば
迅速に次の指示を与えることができ、指示待ちによる装
置の停止時間を最低限に抑えることが可能になる。ま
た、ＣＲＴ２２においても、装置が運用されているシー
ケンスパラメータを表示する。これにより、現在どのよ
うなシーケンスで装置が動作しているかを容易に知るこ
とができる。

【００４３】なお、リジェクト処理においては、エラー
が発生したガラス基板に対してマスクＭのパターンを隅
部に複数露光形成する等、通常の露光処理が施されたガ
ラス基板と明らかに異なると判別できる目印を形成する
ことが好ましい。これにより、リジェクトされたガラス
基板を露光工程後の検査で迅速に判別することができ、
エラーが発生したガラス基板を検査してしまい検査時間
が無駄になることを防ぐことができる。

【００４４】以上説明したように、本実施の形態の露光
装置および露光方法では、アライメント処理（または露
光処理）を実行する時間帯に基づいてシーケンスパラメ
ータを自動的に切り替えるので、オペレータや技術スタ
ッフの有無等、生産形態の状況に応じた最適なシーケン
スを実行することができ、結果として、エラーに応じた
適切な対処が迅速に行えたり、アシスト処理待ち等のロ
ス時間を低減することで生産効率を向上させることが可
能になる。しかも、本実施の形態では、シーケンスパラ
メータの切り替えに際しては、人手を介在させるのでは
なく、処理を実行する時間帯に応じて主制御系１４が切
り替えるので、作業の煩雑さや不確実性を排除すること
ができ、簡便なパラメータ変更を実現することができ
る。

【００４５】また、本実施の形態では、信号燈２１およ
びＣＲＴ２２によりシーケンスパラメータに関する情報
を表示させているので、露光装置６から離れた所に居る
オペレータでも容易に実行中のシーケンスパラメータを
認識することができ、指示待ちによる装置の停止時間を
最低限に抑えることが可能になる。

【００４６】なお、上記実施の形態では、ガラス基板Ｐ
の位置合わせを行うアライメント処理でエラーが発生し
た場合について説明したが、これに限定されるものでは
なく、例えばマスクＭに対するアライメント処理や、投
影光学系ＰＬの結像特性の調整処理、照明光学系７の照
明特性の調整処理等についても、処理を実行する時間帯
に基づきシーケンスパラメータを切り替える構成として
もよい。この場合もガラス基板Ｐに対するアライメント
処理と同様の効果を得ることができる。

【００４７】続いて、図６を用いて本発明の露光システ
ムについて説明する。この図において、図１ないし図５
に示す実施の形態の構成要素と同一の要素については同
一符号を付し、その説明を省略する。ここでは、露光シ
ステムが４基の露光装置を有する場合の例を用いて説明
する。

【００４８】図６に示す露光システムは、４基の露光装
置６（ここでは６ａ〜６ｄとする）とサーバ（設定部）
ＳＶとがネットワーク接続されて構築されている。サー
バＳＶには記憶装置２４が付設されており、サーバＳＶ
は記憶装置２４に設定されたシーケンスパラメータをネ
ットワークを介して露光装置６ａ〜６ｄの各記憶装置２
０に対して一括して転送・設定する構成になっている。

【００４９】本実施の形態の露光システムでは、アライ
メント処理を実行する際の時間帯に応じてサーバＳＶが
全ての露光装置６ａ〜６ｄに対して一括してシーケンス
パラメータを設定できるので、一人のオペレータが装置
１台毎にパラメータ設定を行う場合に発生する作業の繁
雑さ、および設定の不確実性を排除することができ、生
産性および確実性の向上を図ることができる。

【００５０】なお、記憶装置にシーケンスパラメータを
設定する際には、サーバＳＶの記憶装置２４に格納して
露光装置６ａ〜６ｄのシーケンスパラメータを一括して
変更する他に、露光装置６ａ〜６ｄのいずれかの記憶装
置２０に対して格納して他の露光装置のシーケンスパラ
メータを一括して変更できる構成にすることが好まし
い。この場合、露光システムを構成する装置のいずれに
おいてもシーケンスパラメータを設定できるので作業性
を大幅に向上させることが可能になる。また、上記実施
の形態では、アライメント処理を実行する時間帯に応じ
てサーバＳＶが露光装置６ａ〜６ｄの記憶装置２０に対
して一括してシーケンスパラメータを設定する構成とし
たが、これに限定されるものではなく、例えばサーバＳ
Ｖの記憶装置２４に設定されているシーケンスパラメー
タを露光装置６ａ〜６ｄがそれぞれ共用する構成として
もよい。この場合も露光装置６ａ〜６ｄの記憶装置２０
にシーケンスパラメータを一台毎に設定する必要がなく
なり、作業性が大幅に向上する。また、各露光装置毎に
シーケンスパラメータを記憶するための記憶装置を設置
する必要がなくなり、装置の小型化および低価格化に寄
与できる。

【００５１】また、上記実施の形態では、アライメント
処理を実行する時間帯に応じてシーケンスパラメータを
切り替えるものとして説明したが、他の基準で切り替え
を実施してもよい。例えば、生産ラインにおける通常の
稼動ではオペレータが装置の操作を行っているのに対し
て、エラー（問題）発生時、または装置のメンテナンス
時には設備担当のスタッフが装置の操作を行う場合が多
い。さらに、定期的なメンテナンスでは、装置メーカの
スタッフが詳細調査のために操作を行う場合もある。こ
のような場合を想定して、操作者の分類に基づいてシー
ケンスパラメータを切り替えてもよい。

【００５２】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
表示デバイス用のガラス基板Ｐのみならず、半導体デバ
イス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミッ
クウエハ、あるいは露光装置６で用いられるマスクまた
はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適
用される。

【００５３】露光装置６としては、マスクＭとガラス基
板Ｐとを静止した状態でガラス基板Ｐのパターンを露光
し、ガラス基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・
アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）の
他に、マスクＭとガラス基板Ｐとを同期移動してマスク
Ｍのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャ
ン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；
USP5,473,410）にも適用することができる。

【００５４】露光装置６の種類としては、ガラス基板Ｐ
に液晶表示デバイスパターンを露光する液晶用の露光装
置に限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘ
ッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはマスクＭなどを製造
するための露光装置などにも広く適用できる。

【００５５】また、不図示の光源として、超高圧水銀ラ
ンプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４
０４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマ
レーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３
ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や
電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例え
ば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射
型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ₆）、タンタル
（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや
半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。

【００５６】投影光学系ＰＬの倍率は、等倍系のみなら
ず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、Ｆ₂レーザやＸ線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし（マスクＭも反射型タ
イプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光
学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系
を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空
状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系Ｐ
Ｌを用いることなく、マスクＭとガラス基板Ｐとを密接
させてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露
光装置にも適用可能である。

【００５７】基板ステージ９やマスクステージ８にリニ
アモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用
いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型および
ローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型
のどちらを用いてもよい。また、各ステージ８、９は、
ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設け
ないガイドレスタイプであってもよい。

【００５８】各ステージ８、９の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイル
を配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各
ステージ８、９を駆動する平面モータを用いてもよい。
この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか
一方をステージ８、９に接続し、磁石ユニットと電機子
ユニットとの他方をステージ８、９の移動面側に設けれ
ばよい。

【００５９】基板ステージ９の移動により発生する反力
は、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に
記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に
床（大地）に逃がしてもよい。マスクステージ８の移動
により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報
（US S/N 08/416,558）に記載されているように、フレ
ーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよ
い。本発明はこのような構造を備えた露光装置において
も適用可能である。

【００６０】以上のように、本願実施形態の基板処理装
置である走査型露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙
げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の
機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組
み立てることで製造される。これら各種精度を確保する
ために、この組み立ての前後には、各種光学系について
は光学的精度を達成するための調整、各種機械系につい
ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ
いては電気的精度を達成するための調整が行われる。各
種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種
サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接
続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシ
ステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシ
ステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな
い。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終
了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各
種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ
びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うこと
が望ましい。

【００６１】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図７に示すように、液晶表示デバイス等の機
能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップ
に基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ２
０２、石英等からガラス基板Ｐ、またはシリコン材料か
らウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の形
態の露光装置６によりマスクＭのパターンをガラス基板
Ｐ（またはウエハ）に露光するステップ２０４、液晶表
示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハの場合、ダ
イシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含
む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る露
光装置は、露光に関する処理の動作パラメータを複数記
憶し、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータ
を切り替える構成となっている。これにより、この露光
装置では、オペレータや技術スタッフの有無等、生産形
態の状況に応じた最適なシーケンスを実行することで、
エラーに応じた適切な対処が迅速に行えたり、アシスト
処理待ち等のロス時間を低減することで生産効率を向上
させることが可能になるとともに、作業の煩雑さや不確
実性を排除することで簡便なパラメータ変更を実現でき
るという効果が得られる。

【００６３】請求項２に係る露光装置は、処理の間に動
作パラメータに関する情報を表示する構成となってい
る。これにより、この露光装置では、露光装置から離れ
た所に居るオペレータでも容易に実行中の動作パラメー
タを認識することができ、指示待ちによる装置の停止時
間を最低限に抑えることができるという効果が得られ
る。

【００６４】請求項３に係る露光システムは、請求項１
または２に記載の露光装置を複数有し、複数の記憶装置
に対して動作パラメータを一括して設定する構成となっ
ている。これにより、この露光システムでは、一人のオ
ペレータが装置１台毎にパラメータ設定を行う場合に発
生する作業の繁雑さ、および設定の不確実性を排除する
ことができ、生産性および確実性の向上が図れるという
効果を奏する。

【００６５】請求項４に係る露光システムは、複数の露
光装置間で動作パラメータが共用される構成となってい
る。これにより、この露光システムでは、露光装置毎に
動作パラメータを記憶するための記憶装置を設置する必
要がなくなり、装置の小型化および低価格化に寄与でき
るという効果を奏する。

【００６６】請求項５に係る露光方法は、露光に関する
処理に対して複数の動作パラメータを設定し、処理を実
行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える手
順となっている。これにより、この露光方法では、オペ
レータや技術スタッフの有無等、生産形態の状況に応じ
た最適なシーケンスを実行することで、エラーに応じた
適切な対処が迅速に行えたり、アシスト処理待ち等のロ
ス時間を低減することで生産効率を向上させることが可
能になるとともに、作業の煩雑さや不確実性を排除する
ことで簡便なパラメータ変更を実現できるという効果が
得られる。

【００６７】請求項６に係る露光方法は、基板の位置合
わせを行うアライメント処理に対して動作パラメータを
切り替える手順となっている。これにより、この露光方
法では、基板の位置合わせを行う際にも、エラーに応じ
た適切な対処が迅速に行えたり、アシスト処理待ち等の
ロス時間を低減することで生産効率を向上させることが
可能になるとともに、作業の煩雑さや不確実性を排除す
ることで簡便なパラメータ変更を実現できるという効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置の概略構成図である。

【図２】同露光装置における制御ブロック図であ
る。

【図３】露光装置におけるシーケンスパラメータを
表示する信号燈およびＣＲＴを示す図である。

【図４】本発明の実施の形態を示す図であって、ア
ライメントエラーが発生した場合のシーケンスを示すフ
ローチャート図である。

【図５】ＣＲＴに曜日および時間帯に応じてシーケ
ンスパラメータが表示された図である。

【図６】本発明の実施の形態を示す図であって、サ
ーバと複数の露光装置とがネットワーク接続された露光
システムの構成図である。

【図７】液晶表示デバイスの製造工程の一例を示す
フローチャート図である。

【符号の説明】

Ｍマスク（レチクル）Ｐガラス基板（基板）ＳＶサーバ（設定部）６、６ａ〜６ｄ露光装置１４主制御系（制御装置）２１信号燈（表示装置）２２ＣＲＴ（表示装置）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクのパターンを基板に露光する露
光装置において、前記露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する
記憶装置と、前記処理を実行する時間帯に基づいて前記動作パラメー
タを切り替える制御装置とを備えることを特徴とする露
光装置。
【請求項２】請求項１記載の露光装置において、前記処理の間に前記動作パラメータに関する情報を表示
する表示装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】請求項１または２に記載の露光装置を
複数有し、前記複数の記憶装置に対して前記動作パラメ
ータを一括して設定する設定部を有することを特徴とす
る露光システム。
【請求項４】請求項３記載の露光システムにおい
て、前記複数の露光装置間で前記動作パラメータが共用され
ていることを特徴とする露光システム。
【請求項５】マスクのパターンを基板に露光する露
光方法において、前記露光に関する処理に対して複数の動作パラメータを
設定し、前記処理を実行する時間帯に基づいて前記動作パラメー
タを切り替えることを特徴とする露光方法。
【請求項６】請求項５記載の露光方法において、前記基板の位置合わせを行うアライメント処理に対して
動作パラメータを切り替えることを特徴とする露光方
法。