JP2002217638A - Antenna unit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、衛星通信やマイク
ロ波通信などの通信分野に用いられ、且つアレーアンテ
ナを構成するのに適したアンテナ装置に関するものであ
る。 BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antenna device used in communication fields such as satellite communication and microwave communication and suitable for forming an array antenna.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のアンテナ装置の構造とし
ては、例えば、アンテナ工学ハンドブックの第１０９頁
−第１１０頁に掲載されたものがあり、図１２はその概
略構造図である。図１２において、１は電波放出素子、
２は誘電体層、３は導体層である。従来の誘電体層２
は、単一の誘電体からなる誘電体板により構成されてお
り、電波放出素子１と導体層３は、いずれもそのような
誘電体板に薄い導体を施与することにより形成される。
また特開平９−１０７２２６号公報には、導体層上に誘
電体層と誘電体フィルムを順に積層し、この誘電体フィ
ルム上に電波放出素子を形成する技術が開示されてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as a structure of an antenna device of this type, there is, for example, one disclosed in pages 109 to 110 of the Antenna Engineering Handbook, and FIG. 12 is a schematic structural diagram thereof. In FIG. 12, 1 is a radio wave emitting element,
2 is a dielectric layer and 3 is a conductor layer. Conventional dielectric layer 2
Is composed of a dielectric plate made of a single dielectric, and the radio wave emitting element 1 and the conductor layer 3 are both formed by applying a thin conductor to such a dielectric plate.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-107226 discloses a technique in which a dielectric layer and a dielectric film are sequentially laminated on a conductor layer, and a radio wave emitting element is formed on the dielectric film.
【０００３】図１２において、電波放出素子１に給電す
ると、電波放出素子１の端部と導体層３との間に電界す
なわち磁流が発生し、共振器を形成する。この磁流源
は、スロットアンテナとして動作するため、このアンテ
ナ装置に対して垂直の方向（誘電体層２の厚みの方向）
に電波が放射される。なお電波放出素子１の大きさは、
使用周波数と誘電体層２の比誘電率および厚さにより決
められる。In FIG. 12, when power is supplied to the radio wave emitting device 1, an electric field, that is, a magnetic current is generated between the end of the radio wave emitting device 1 and the conductor layer 3, thereby forming a resonator. Since this magnetic current source operates as a slot antenna, the direction perpendicular to the antenna device (the direction of the thickness of the dielectric layer 2)
Radio waves are radiated. The size of the radio wave emitting element 1 is
It is determined by the operating frequency and the relative permittivity and thickness of the dielectric layer 2.
【０００４】ところで従来のアンテナ装置では、誘電体
層２の構成には限られた極く一部の誘電体のみが用いら
れてきているので、アンテナ装置の放射パターンのビー
ム幅の調整が困難であり、またアンテナ装置の小型化や
薄型化もある程度制限されるという問題があった。However, in the conventional antenna device, only a limited part of the dielectric layer 2 is used in the structure of the dielectric layer 2, so that it is difficult to adjust the beam width of the radiation pattern of the antenna device. In addition, there has been a problem that miniaturization and thinning of the antenna device are limited to some extent.
【０００５】 [0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記した実情に鑑みて、アンテナの放射パターン
におけるビーム幅の調整が容易であり、且つアンテナ装
置の小型化や薄型化の自由度が向上したアンテナ装置を
提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, in view of the above-mentioned circumstances in the prior art, it is easy to adjust the beam width in the radiation pattern of the antenna, and it is possible to reduce the size and thickness of the antenna device. It is an object to provide an improved antenna device.
【０００６】 [0006]
【課題を解決するための手段】本発明のアンテナ装置
は、（１）導体層、上記導体層の上に配置されると共に
比誘電率および／または厚みが少なくとも層厚の方向に
おいて不均一な誘電体層、および上記誘電体層の上に配
置された電波放出素子を備えたものである。 （２）上記（１）において、電波放出素子と誘電体層と
の間に、誘電体フィルムを介在させたものである。 （３）上記（１）または（２）において、誘電体層は、
上記誘電体層の少なくとも電波放出素子の直下およびそ
の近傍における比誘電率が均一で厚みが不均一であるも
のである。 （４）上記（１）または（２）において、誘電体層は、
上記誘電体層の少なくとも電波放出素子の直下およびそ
の近傍における比誘電率が不均一で厚みが均一であるも
のである。 （５）上記（１）〜（４）のいずれか一項において、電
波放出素子の上に別の誘電体層が配置されたものであ
る。 （６）上記（５）において、別の誘電体層の上に１以上
の別の電波放出素子が配置されたものである。 （７）上記（６）において、別の誘電体層は、比誘電率
および／または厚みが少なくとも層厚の方向において不
均一であるものである。 （８）上記（５）において、別の電波放出素子と別の誘
電体層との間に、別の誘電体フィルムを介在させたもの
である。An antenna device according to the present invention comprises: (1) a conductor layer, a dielectric layer disposed on the conductor layer and having a dielectric constant and / or a thickness which is not uniform at least in the direction of the layer thickness. And a radio wave emitting element disposed on the dielectric layer. (2) In the above (1), a dielectric film is interposed between the radio wave emitting element and the dielectric layer. (3) In the above (1) or (2), the dielectric layer comprises:
The dielectric layer has a uniform dielectric constant and a non-uniform thickness at least immediately below and in the vicinity of the radio wave emitting element of the dielectric layer. (4) In the above (1) or (2), the dielectric layer
The dielectric layer has a non-uniform relative dielectric constant and a uniform thickness at least immediately below and near the radio wave emitting element of the dielectric layer. (5) In any one of the above items (1) to (4), another dielectric layer is disposed on the radio wave emitting element. (6) In the above (5), one or more other radio wave emitting elements are arranged on another dielectric layer. (7) In the above (6), the other dielectric layer has a relative dielectric constant and / or a thickness that is non-uniform at least in a direction of the layer thickness. (8) In the above (5), another dielectric film is interposed between another radio wave emitting element and another dielectric layer.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下の諸実施の形態において、先
行する実施の形態に示された部位と同じ部位については
後続の実施の形態では同符号を付し、各内容の説明は、
先行する実施の形態での説明を参照することとして省略
することがある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following embodiments, the same parts as those shown in the preceding embodiment are denoted by the same reference numerals in the following embodiments, and the description of each content will be omitted.
It may be omitted as referring to the description in the preceding embodiment.
【０００８】実施の形態１．図１〜図２は、本発明にお
けるアンテナ装置の実施の形態１を説明するものであっ
て、図１は実施の形態１の分解斜視図であり、図２は図
１の非分解状態におけるII−II線に沿った断面図であ
る。図１〜図２において、１は電波放出素子、２は誘電
体層、３は導体層、４は誘電体フィルムである。Embodiment 1 1 and 2 illustrate an antenna device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is an exploded perspective view of the first embodiment, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view along the line II. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a radio wave emitting element, 2 denotes a dielectric layer, 3 denotes a conductor layer, and 4 denotes a dielectric film.
【０００９】誘電体層２は、その層厚の方向において比
誘電率が不均一であって、この点において図１２に示す
従来のアンテナ装置と根本的に異なる。本発明におい
て、誘電体層２における比誘電率の不均一性に関しては
特に制限はなく、例えばいま誘電体層２がｎ層の多層構
造であるとして、導体層３側から電波放出素子１側にか
けて第１層、第２層、・・・・第ｉ層、 第ｉ＋１層、
・・・・第ｎ層からなるとすると、第ｉ＋１層の比誘電
率は第ｉ層のそれより大きい形態、換言すると導体層３
側から電波放出素子１側にかけて漸次比誘電率が増大す
る形態Ａ、第ｉ＋１層の比誘電率は第ｉ層のそれより小
さい形態、換言すると導体層３側から電波放出素子１側
にかけて漸次比誘電率が減少する形態Ｂ、第１層〜第ｎ
層の間の比誘電率が全くランダムに変化する形態Ｃ、な
どである。なお誘電体層２の全厚は、通常、λ／５〜λ
／５００（λ：波長）程度、例えば０．１〜１ｍｍ程度
であり、その場合における上記ｎの大きさは少なくとも
２、好ましくは５〜１００程度であって、第ｉ層と第ｉ
＋１層との比誘電率の差は少なくとも０．０１、特に少
なくとも０．０５とすることが好ましい。The dielectric layer 2 has a non-uniform relative dielectric constant in the direction of its thickness, and this point is fundamentally different from the conventional antenna device shown in FIG. In the present invention, the non-uniformity of the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is not particularly limited. For example, assuming that the dielectric layer 2 has a multilayer structure of n layers, the dielectric layer 2 extends from the conductor layer 3 side to the radio wave emitting element 1 side. The first layer, the second layer,... The ith layer, the (i + 1) th layer,
... Assuming the nth layer, the relative dielectric constant of the (i + 1) th layer is larger than that of the ith layer, in other words, the conductor layer 3
A, in which the relative dielectric constant gradually increases from the side toward the radio wave emitting element 1 side, the relative dielectric constant of the (i + 1) th layer is smaller than that of the i th layer, in other words, the progressive ratio increases from the conductor layer 3 side to the radio wave emitting element 1 side. Form B in which the dielectric constant is reduced, first layer to n-th layer
Form C, in which the relative permittivity between the layers changes quite randomly. The total thickness of the dielectric layer 2 is usually λ / 5 to λ
/ 500 (λ: wavelength), for example, about 0.1 to 1 mm, in which case the size of n is at least 2, preferably about 5 to 100, and the i-th layer and the i-th layer
The difference between the relative permittivity of the +1 layer and that of the +1 layer is preferably at least 0.01, particularly preferably at least 0.05.
【００１０】誘電体層２の平均的な比誘電率に関して
は、特に制限はないが１〜１０程度が適当であり、その
構成材料についても導電率や誘電損失が過大でない限り
特に制限はない。かかる構成材料を例示すると、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ−４メチル
ペンテン−１などのオレフィン系樹脂、ポリスチレン、
ポリメチルスチレン、ポリアクリロニトリルスチレンな
どのスチレン系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポ
リクロロトリフルオロエチレンなどのフッ素系樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、熱可塑性ポリエス
テル、熱可塑性ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、ポリカ
ーボネート、ポリアセタール、ポリパラフェニレン、ポ
リパラフェニレンオキサイド、ポリスルホンなどのその
他の熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、熱
硬化性ポリエステル、熱硬化性ポリアミド、ポリアミド
イミド、ポリイミド、ジアリルフタレート樹脂などの熱
硬化性樹脂、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素な
どのセラミックス類などである。The average relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is not particularly limited, but is suitably about 1 to 10, and there is no particular limitation on the constituent material of the dielectric layer 2 as long as the conductivity and the dielectric loss are not excessive. Examples of such constituent materials include polyethylene, polypropylene, polybutene, olefin resins such as poly-4 methylpentene-1, polystyrene,
Styrene resins such as polymethylstyrene and polyacrylonitrile styrene, fluorine resins such as polytetrafluoroethylene and polychlorotrifluoroethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, thermoplastic polyester, thermoplastic polyamide, and ethylene-vinyl acetate Other thermoplastic resins such as polymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, polycarbonate, polyacetal, polyparaphenylene, polyparaphenylene oxide, polysulfone, phenol resin, epoxy resin, thermosetting polyester, thermosetting polyamide, polyamide Thermosetting resins such as imide, polyimide and diallyl phthalate resin; and ceramics such as aluminum nitride, silicon nitride and boron nitride.
【００１１】第１層〜第ｎ層の間における比誘電率の変
化は、前記した構成材料あるいはその他の材料中から比
誘電率の異なるものを選択して、かく選択した複数の材
料のシートを融着または無融着で積層してもよく、ある
いは或る特定材料について発泡度の異なる複数のシート
を用意してそれらを融着または無融着で積層してもよ
い。例えば、ポリエチレンをアゾジカルボンアミドのよ
うな化学発泡剤を用いて発泡度０（無発泡）〜４０％程
度に、あるいはアルゴンガスのようなガス発泡剤を用い
て発泡度０（無発泡）〜８０％程度に発泡させることに
より比誘電率が１に近い低比誘電率から２．３（無発
泡）の範囲のものが得られ、かかる比誘電率範囲のもの
で第１層〜第ｎ層を形成してもよい。The change in the relative dielectric constant between the first layer to the n-th layer is achieved by selecting a material having a different relative dielectric constant from the above-mentioned constituent materials or other materials, and selecting a sheet of a plurality of materials thus selected. The sheets may be laminated by fusion or non-fusion, or a plurality of sheets of a specific material having different degrees of expansion may be prepared and laminated by fusion or non-fusion. For example, using a chemical foaming agent such as azodicarbonamide to expand polyethylene to a foaming degree of 0 (no foaming) to about 40%, or a gas foaming agent such as argon gas to foaming degree 0 (no foaming) to 80% %, A specific dielectric constant ranging from a low dielectric constant close to 1 to a range of 2.3 (non-foamed) can be obtained. It may be formed.
【００１２】導体層３は、誘電体層２の片面に銅、アル
ミニウムのような導電性金属をメッキすることにより、
あるいはかかる導電性金属の箔の接着剤による貼着によ
り形成することができる。また電波放出素子１も、誘電
体フィルム４を使用せずに誘電体層２の他の片面に直接
設けられてもよい。しかし電波放出素子１は、通常、フ
ォトエッチングやフォトリソグラフィなどの食刻技術に
より銅、アルミニウムのような導電性金属のメッキ層か
らパターン形成される。その場合、誘電体層２の上記他
の片面が発泡有機高分子のような表面に凹凸のあるも
の、オレフィン系樹脂のように導電性金属のメッキが困
難なもの、あるいはセラミックス類のように食刻技術の
適用が困難なものでは、電波放出素子１の形成が困難と
なる。これに対して誘電体フィルム４を採用すると、こ
の誘電体フィルム４として上記の導電性金属のメッキ層
の形成並びに該メッキ層についての食刻技術の適用性の
良好な材料、例えば、熱可塑性ポリエステル、熱可塑性
ポリアミド、ポリカーボネートなどを選択使用すること
により電波放出素子１の形成が容易となり、且つ誘電体
層２の構成材料の選択の自由度が大きくなる利点もあ
る。誘電体フィルム４としては、５０μｍ程度のものが
取扱上から適当であり、それは誘電体層２と融着や接着
により結合されていてもよく、あるいは剥離容易に積層
されているだけでもよい。The conductor layer 3 is formed by plating one surface of the dielectric layer 2 with a conductive metal such as copper or aluminum.
Alternatively, it can be formed by sticking such a conductive metal foil with an adhesive. Further, the radio wave emitting element 1 may be provided directly on another surface of the dielectric layer 2 without using the dielectric film 4. However, the radio wave emitting element 1 is usually formed by patterning from a plating layer of a conductive metal such as copper or aluminum by an etching technique such as photoetching or photolithography. In this case, the other surface of the dielectric layer 2 has irregularities on the surface such as a foamed organic polymer, an electrically conductive metal such as an olefin resin is difficult to be plated, or a dielectric such as ceramics. If it is difficult to apply the engraving technique, it will be difficult to form the radio wave emitting element 1. On the other hand, when the dielectric film 4 is adopted, a material having good applicability of forming the conductive metal plating layer and applying the etching technique to the plating layer, for example, thermoplastic polyester, is used as the dielectric film 4. By selectively using thermoplastic polyamide, polycarbonate, or the like, there is an advantage that the formation of the radio wave emitting element 1 is facilitated and the degree of freedom in selecting the constituent material of the dielectric layer 2 is increased. The dielectric film 4 having a thickness of about 50 μm is suitable from the viewpoint of handling. The dielectric film 4 may be bonded to the dielectric layer 2 by fusion or adhesion, or may be simply laminated easily.
【００１３】実施の形態１のアンテナ装置は、その誘電
体層２が上記した通りの比誘電率の不均一性を有するこ
とに基づき、アンテナの放射パターンのビーム幅の調整
が容易となる。例えば、導体層３側から電波放出素子１
側にかけて漸次比誘電率が増大する前記の形態Ａとする
ことによりビーム幅を狭くすることができ、逆に導体層
３側から電波放出素子１側にかけて漸次比誘電率が減少
する前記の形態Ｂとするとビーム幅を広くすることがで
きる。また第１層〜第ｎ層の間の比誘電率が全くランダ
ムに変化する前記の形態Ｃとすることにより、所望のビ
ーム幅とすることができる。さらに誘電体層２の構成材
料として種々のものを採用し、且つ必要に応じて種々の
発泡度で使用することにより、極く限られた一部の誘電
体をしかも単一で使用してきた従来技術では到底成し得
なかったアンテナ装置の小型化や薄型化の自由度が向上
する効果もある。In the antenna device of the first embodiment, the adjustment of the beam width of the radiation pattern of the antenna is facilitated based on the fact that the dielectric layer 2 has the above-mentioned non-uniformity of the relative permittivity. For example, from the conductor layer 3 side, the radio wave emitting element 1
The above-described embodiment A in which the relative dielectric constant gradually increases toward the side can reduce the beam width, and conversely, the above-described embodiment B in which the relative dielectric constant gradually decreases from the conductor layer 3 side to the radio wave emitting element 1 side. Then, the beam width can be increased. Further, by adopting the above-described mode C in which the relative dielectric constant between the first layer to the n-th layer changes at random, a desired beam width can be obtained. Further, by adopting various materials as the constituent material of the dielectric layer 2 and using it with various degrees of foaming as necessary, a very limited part of the dielectric material has been used alone. There is also an effect that the degree of freedom of miniaturization and thinning of the antenna device, which could not be achieved with technology, is improved.
【００１４】実施の形態２．図３は、本発明におけるア
ンテナ装置の実施の形態２の断面図である。図３におい
て、１は電波放出素子、２は誘電体層、３は導体層、４
は誘電体フィルムである。誘電体層２は、単一の、しか
して比誘電率が一定の前記したような誘電体の１種から
構成されているが、その厚みが部位により不均一である
点において実施の形態１と異なり、その他の構造は同じ
である。誘電体層２は、電波放出素子１の直下は薄肉で
あり、それ以外の箇所は厚肉となっている。誘電体層２
と導体層３との間には気相部Ｓが存在する。誘電体層２
の厚みを上記の通りとすることにより、ビーム幅を広く
することができる。なお実施の形態２の変形形態とし
て、実施の形態２の場合とは逆に誘電体層２の電波放出
素子１の直下は厚肉とし、それ以外の箇所は薄肉とする
とビーム幅を狭くすることができる。Embodiment 2 FIG. FIG. 3 is a sectional view of Embodiment 2 of the antenna device according to the present invention. In FIG. 3, 1 is a radio wave emitting element, 2 is a dielectric layer, 3 is a conductor layer,
Is a dielectric film. The dielectric layer 2 is made of a single kind of the above-mentioned dielectric having a constant relative dielectric constant, but differs from the first embodiment in that the thickness thereof is not uniform depending on the portion. Differently, the other structures are the same. The dielectric layer 2 is thin just below the radio wave emitting element 1 and thick at other locations. Dielectric layer 2
A gas phase portion S exists between the conductive layer 3 and the conductive layer 3. Dielectric layer 2
By setting the thickness as described above, the beam width can be widened. As a modification of the second embodiment, the thickness of the dielectric layer 2 immediately below the radio wave emitting element 1 is made to be thick, and the other portions are made thin, as opposed to the case of the second embodiment, to reduce the beam width. Can be.
【００１５】実施の形態３．図４は、本発明におけるア
ンテナ装置の実施の形態３の断面図である。図４におい
て、１は電波放出素子、２は誘電体層、３は導体層、４
は誘電体フィルム、２１は別の誘電体層である。実施の
形態３は、前記実施の形態１とは電波放出素子１の上に
誘電体層２１が積層された点において異なり、その他の
構造は同じである。Embodiment 3 FIG. 4 is a sectional view of Embodiment 3 of the antenna device according to the present invention. In FIG. 4, 1 is a radio wave emitting element, 2 is a dielectric layer, 3 is a conductor layer,
Is a dielectric film, and 21 is another dielectric layer. The third embodiment is different from the first embodiment in that a dielectric layer 21 is laminated on the radio wave emitting element 1, and other structures are the same.
【００１６】誘電体層２１は、誘電体層２と同一または
異なる誘電体により構成されてよく、またその層厚の方
向における比誘電率は均一であってもよく、また誘電体
層２と同様に不均一であってもよい。誘電体層２１は、
それを構成する誘電体の種類を問わず電波放出素子１の
保護層として作用する効果がある。さらに誘電体層２１
は、誘電体層２の比誘電率が前記形態Ａである場合に誘
電体層２１の比誘電率を形態Ａと同様に、電波放出素子
１側から外表面側にかけて漸次比誘電率が増大するよう
にすると、ビーム幅を一層狭くし、逆に誘電体層２の比
誘電率が前記形態Ｂである場合に誘電体層２１の比誘電
率を形態Ｂと同様に、電波放出素子１側から外表面側に
かけて漸次比誘電率が減少するようにすると、ビーム幅
を一層広くする効果がある。The dielectric layer 21 may be made of the same or different dielectric material as the dielectric layer 2, and may have a uniform relative dielectric constant in the direction of its thickness. May be non-uniform. The dielectric layer 21
There is an effect of acting as a protective layer of the radio wave emitting element 1 irrespective of the kind of the dielectric constituting the same. Further, the dielectric layer 21
When the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is the above-described form A, the relative dielectric constant of the dielectric layer 21 gradually increases from the radio wave emitting element 1 side to the outer surface side, similarly to the form A. By doing so, the beam width is further narrowed, and conversely, when the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is the above-described form B, the relative dielectric constant of the dielectric layer 21 is changed from the radio wave emitting element 1 side in the same manner as in the form B. When the relative dielectric constant is gradually reduced toward the outer surface side, there is an effect of further increasing the beam width.
【００１７】実施の形態４．図５は、本発明におけるア
ンテナ装置の実施の形態４の断面図である。図５におい
て、１は電波放出素子、２は誘電体層、３は導体層、４
は誘電体フィルム、２２は別の誘電体層である。実施の
形態４は、前記実施の形態１とは電波放出素子１の上に
誘電体層２２が積層された点において異なり、その他の
構造は同じである。Embodiment 4 FIG. 5 is a sectional view of Embodiment 4 of the antenna device according to the present invention. In FIG. 5, 1 is a radio wave emitting element, 2 is a dielectric layer, 3 is a conductor layer,
Is a dielectric film, and 22 is another dielectric layer. The fourth embodiment differs from the first embodiment in that a dielectric layer 22 is laminated on the radio wave emitting element 1, and the other structure is the same.
【００１８】誘電体層２２は、単一の、しかして比誘電
率が一定の前記したような誘電体の１種から構成されて
いるが、その厚みは電波放出素子１の直上は薄肉であ
り、それ以外の箇所は厚肉となっている。誘電体層２２
は、実施の形態３における誘電体層２１と同様に電波放
出素子１の保護層として作用する効果の他に、誘電体層
２の比誘電率が前記形態Ｂである場合には、その厚みが
上記の通りであることにより、ビーム幅を一層広くする
ことができる。一方、誘電体層２の比誘電率が前記形態
Ａである場合には、誘電体層２２の電波放出素子１の直
上は厚肉とし、それ以外の箇所は薄肉とすることにより
ビーム幅を一層狭くすることができる効果がある。The dielectric layer 22 is made of a single kind of the above-mentioned dielectric material having a constant relative dielectric constant, but its thickness is thin just above the radio wave emitting element 1. The other parts are thick. Dielectric layer 22
In addition to the effect of acting as a protective layer of the radio wave emitting element 1 in the same manner as the dielectric layer 21 in the third embodiment, when the dielectric layer 2 has the relative dielectric constant of the form B, the thickness thereof is As described above, the beam width can be further increased. On the other hand, when the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is the above-mentioned form A, the thickness of the dielectric layer 22 immediately above the radio wave emitting element 1 is made thick, and the other portions are made thin to increase the beam width. There is an effect that can be narrowed.
【００１９】実施の形態５．図６〜図７は、本発明にお
けるアンテナ装置の実施の形態５を説明するものであっ
て、図６は実施の形態５の分解斜視図であり、図７は図
６の非分解状態におけるVII −VII 線に沿った断面図で
ある。図６〜図７において、１は電波放出素子、２は誘
電体層、３は導体層、４は誘電体フィルム、１１は別の
電波放出素子、２３はまた別の誘電体層、４１は別の誘
電体フィルムである。Embodiment 5 6 and 7 illustrate an antenna device according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 6 is an exploded perspective view of the fifth embodiment, and FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view along the line VII. 6 and 7, 1 is a radio wave emitting element, 2 is a dielectric layer, 3 is a conductor layer, 4 is a dielectric film, 11 is another radio wave emitting element, 23 is another dielectric layer, and 41 is another Is a dielectric film.
【００２０】実施の形態５は、電波放出素子１の上に順
次、誘電体層２３、誘電体フィルム４１、および電波放
出素子１１を積層した点において実施の形態１と異な
り、その他の構造は同じである。上記の構造において、
電波放出素子１１を無給電素子として電波放出素子１に
給電することにより、アンテナ装置のインピーダンス特
性を広帯域化できる効果がある。The fifth embodiment differs from the first embodiment in that a dielectric layer 23, a dielectric film 41, and a radio wave emitting element 11 are sequentially laminated on the radio wave emitting element 1, and other structures are the same. It is. In the above structure,
By feeding power to the radio wave emitting element 1 using the radio wave emitting element 11 as a parasitic element, there is an effect that the impedance characteristic of the antenna device can be broadened.
【００２１】実施の形態５において、電波放出素子１１
は、誘電体フィルム４１の上にメッキされた導電性金属
層についての食刻技術により形成されており、しかして
誘電体フィルム４１の機能は、前記電波放出素子１に対
する誘電体フィルム４の機能と同じであって、電波放出
素子１１の誘電体層２３上への形成が容易である場合に
は、誘電体フィルム４１を省略することもできる。In the fifth embodiment, the radio wave emitting element 11
Is formed by an etching technique for a conductive metal layer plated on the dielectric film 41. The function of the dielectric film 41 is the same as that of the dielectric film 4 with respect to the radio wave emitting element 1. Similarly, if the radio wave emitting element 11 can be easily formed on the dielectric layer 23, the dielectric film 41 can be omitted.
【００２２】誘電体層２３は、誘電体層２と同一または
異なる誘電体により構成されてよく、またその層厚の方
向における比誘電率は均一であってもよく、また誘電体
層２と同様に不均一であってもよい。さらに誘電体層２
３は、誘電体層２の比誘電率が前記形態Ａである場合に
誘電体層２３の比誘電率を形態Ａと同様に、電波放出素
子１側から電波放出素子１１側にかけて漸次比誘電率が
増大するようにすると、ビーム幅を一層狭くし、逆に誘
電体層２の比誘電率が前記形態Ｂである場合に誘電体層
２３の比誘電率を形態Ｂと同様に、電波放出素子１側か
ら電波放出素子１１側にかけて漸次比誘電率が減少する
ようにすると、ビーム幅を一層広くする効果がある。The dielectric layer 23 may be made of the same or different dielectric material as the dielectric layer 2, and may have a uniform relative dielectric constant in the direction of its thickness. May be non-uniform. Further dielectric layer 2
3 indicates that the relative dielectric constant of the dielectric layer 23 is gradually increased from the radio wave emitting element 1 side to the radio wave emitting element 11 side when the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is the above-described form A, as in the case of the form A. Is increased, the beam width is further reduced, and conversely, when the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is the above-mentioned form B, the relative dielectric constant of the dielectric layer 23 is made similar to that of the form B. If the relative dielectric constant is gradually reduced from the first side to the radio wave emitting element 11 side, there is an effect of further increasing the beam width.
【００２３】実施の形態６．図８〜図９は、本発明にお
けるアンテナ装置の実施の形態６を説明するものであっ
て、図８は実施の形態６の分解斜視図であり、図９は図
８の非分解状態におけるIX−IX線に沿った断面図であ
る。図８〜図９において、２４はさらに別の誘電体層で
あって、実施の形態６は、前記実施の形態５とは電波放
出素子１１の上に誘電体層２４が積層された点において
異なり、その他の構造は同じである。Embodiment 6 FIG. 8 and 9 illustrate an antenna device according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 8 is an exploded perspective view of the sixth embodiment, and FIG. It is sectional drawing which followed the -IX line. 8 and 9, reference numeral 24 denotes another dielectric layer, and the sixth embodiment is different from the fifth embodiment in that a dielectric layer 24 is laminated on the radio wave emitting element 11. , And other structures are the same.
【００２４】誘電体層２４は、誘電体層２と同一または
異なる誘電体により構成されてよく、またその層厚の方
向における比誘電率は均一であってもよく、また誘電体
層２と同様に不均一であってもよい。誘電体層２４を構
成する誘電体の種類を問わずそれが設けられることによ
り、電波放出素子１１と誘電体フィルム４１とは、誘電
体層２４と誘電体層２３とに挟まれることになって、誘
電体フィルム４１の撓みと電波放出素子１１の電波放出
素子１に対する位置ずれが防止されるので、アンテナ装
置の製造が容易となる。さらに誘電体層２４は、電波放
出素子１の保護層としても作用する効果がある。またさ
らに誘電体層２４は、その比誘電率をその厚みの方向に
漸次変化させることにより、誘電体層２や誘電体層２３
の比誘電率の変化と協調してビーム幅を一層広く、ある
いは狭くするなどして、ビーム幅の一層精緻な調節を可
能にし、且つアンテナ装置の小型化や薄型化の自由度を
向上させる効果もある。The dielectric layer 24 may be made of the same or different dielectric material as the dielectric layer 2, and may have a uniform relative dielectric constant in the direction of its thickness. May be non-uniform. By providing the dielectric layer 24 irrespective of the type of dielectric, the radio wave emitting element 11 and the dielectric film 41 are sandwiched between the dielectric layer 24 and the dielectric layer 23. Since the bending of the dielectric film 41 and the displacement of the radio wave emitting element 11 with respect to the radio wave emitting element 1 are prevented, the antenna device can be easily manufactured. Further, the dielectric layer 24 has an effect of acting also as a protective layer of the radio wave emitting element 1. Further, the dielectric layer 24 is formed by gradually changing its relative permittivity in the direction of its thickness, thereby forming the dielectric layer 2 or the dielectric layer 23.
The beam width can be more finely adjusted by making the beam width wider or narrower in coordination with the change in the relative dielectric constant of the antenna device, and the effect of improving the freedom of miniaturizing and thinning the antenna device is improved. There is also.
【００２５】実施の形態７．図１０〜図１１は、本発明
におけるアンテナ装置の実施の形態７を説明するもので
あって、図１０は実施の形態７の分解斜視図であり、図
１１は図１０の非分解状態におけるXI−XI線に沿った断
面図である。実施の形態７は、実施の形態６において設
けられた誘電体フィルム４１を省略した点において実施
の形態６と異なり、その他の構造は同じである。実施の
形態７の製造に際しては、電波放出素子１１は誘電体層
２４の片面にフォトリソグラフィなどにより形成され、
ついで誘電体層２４は電波放出素子１１が設けられた側
を誘電体層２３に対向させて積層される。Embodiment 7 10 to 11 illustrate an antenna device according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 10 is an exploded perspective view of the seventh embodiment, and FIG. It is sectional drawing which followed the -XI line. Embodiment 7 is different from Embodiment 6 in that the dielectric film 41 provided in Embodiment 6 is omitted, and other structures are the same. In manufacturing the seventh embodiment, the radio wave emitting element 11 is formed on one surface of the dielectric layer 24 by photolithography or the like.
Next, the dielectric layer 24 is stacked with the side on which the radio wave emitting element 11 is provided facing the dielectric layer 23.
【００２６】実施の形態７は、誘電体層２４がフォトリ
ソグラフィなどによりその片面に電波放出素子１１を形
成し得るような誘電体にて構成されている場合に有利で
あって、実施の形態６において設けられた誘電体フィル
ム４１を省略できる効果がある。Embodiment 7 is advantageous in the case where the dielectric layer 24 is formed of a dielectric capable of forming the radio wave emitting element 11 on one surface thereof by photolithography or the like. Embodiment 6 Has the effect that the dielectric film 41 provided in the above can be omitted.
【００２７】本発明は、前記した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形形態を包含する。例えば、
実施の形態１〜７の各誘電体層２、実施の形態３の誘電
体層２１、実施の形態４の誘電体層２２、実施の形態５
および実施の形態６の各誘電体層２３、および実施の形
態６および実施の形態７の各誘電体層２４は、いずれも
比誘電率と厚みの両方が任意の方法にて不均一にされた
ものであってもよい。また実施の形態５〜実施の形態７
では、電波放出素子１１の上にさらに１以上の電波放出
素子を比誘電率と厚みの両方が均一な、あるいは比誘電
率および／または厚みが不均一な誘電体層を介して積層
されても良い。The present invention is not limited to the above embodiment, but includes various modifications. For example,
Each dielectric layer 2 of the first to seventh embodiments, the dielectric layer 21 of the third embodiment, the dielectric layer 22 of the fourth embodiment, and the fifth embodiment
Each dielectric layer 23 of the sixth embodiment and each dielectric layer 24 of the sixth and seventh embodiments both have a dielectric constant and a thickness that are both made non-uniform by an arbitrary method. It may be something. Embodiment 5 to Embodiment 7
In this case, even if one or more radio wave emitting elements are further laminated on the radio wave emitting element 11 via a dielectric layer having both a uniform relative dielectric constant and a uniform thickness, or a dielectric constant and / or a non-uniform thickness. good.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明のアンテナ装置は、以上説明した
通り、（１）導体層、上記導体層の上に配置されると共
に比誘電率および／または厚みが少なくとも層厚の方向
において不均一な誘電体層、および上記誘電体層の上に
配置された電波放出素子を備えたものであり、（３）上
記（１）または後記の（２）において、誘電体層は、上
記誘電体層の少なくとも電波放出素子の直下およびその
近傍における比誘電率が均一で厚みが不均一であり、ま
た（４）上記（１）または後記の（２）において、誘電
体層は、上記誘電体層の少なくとも電波放出素子の直下
およびその近傍における比誘電率が不均一で厚みが均一
であるものであると、アンテナの放射パターンにおける
ビーム幅の調整が容易となる。例えば、導体層側から電
波放出素子側にかけて漸次比誘電率を増大せしめると、
ビーム幅を狭くすることができ、逆にするとビーム幅を
広くすることができる。また比誘電率をランダムに変化
せしめると、所望のビーム幅とすることができる。また
誘電体層が、比誘電率および／または厚みが少なくとも
層厚の方向において不均一となる各種の誘電体にて構成
されることにより、極く限られた一部の誘電体をしかも
単一で使用されてきた従来技術では到底成し得なかった
アンテナ装置の小型化、薄型化、形状などの自由度が向
上する効果もある。上記の自由度の向上は、アンテナ装
置の製造方法の自由度の向上にも繋がる。As described above, the antenna device according to the present invention has the following advantages. (1) The conductor layer is disposed on the conductor layer, and the relative dielectric constant and / or the thickness is non-uniform at least in the direction of the layer thickness. (3) In the above (1) or (2) described later, the dielectric layer comprises a dielectric layer and a radio wave emitting element disposed on the dielectric layer. At least immediately below and near the radio wave emitting element, the dielectric constant is uniform and the thickness is not uniform. (4) In the above (1) or (2) described later, the dielectric layer is at least one of the above dielectric layers. If the relative permittivity immediately below and near the radio wave emitting element is non-uniform and the thickness is uniform, it is easy to adjust the beam width in the radiation pattern of the antenna. For example, when the relative dielectric constant is gradually increased from the conductor layer side to the radio wave emitting element side,
The beam width can be narrowed, and conversely, the beam width can be widened. If the relative permittivity is changed at random, a desired beam width can be obtained. In addition, since the dielectric layer is formed of various dielectrics whose relative permittivity and / or thickness is non-uniform at least in the direction of the layer thickness, a very limited part of the dielectric can be used as a single layer. Also, there is an effect that the degree of freedom such as miniaturization, thickness reduction, shape, and the like of the antenna device, which cannot be achieved by the conventional technology used in the above, can be improved. The above-mentioned improvement in the degree of freedom also leads to an improvement in the degree of freedom in the method of manufacturing the antenna device.
【００２９】また（２）上記（１）において、電波放出
素子と誘電体層との間に、誘電体フィルムを介在させた
ものであると、この誘電体フィルムとして電波放出素子
の食刻技術の適用性の良好な材料から構成されたものを
選択使用することにより電波放出素子の形成が容易とな
り、且つ誘電体層を構成する誘電体の選択の自由度が一
層大きくなる効果がある。(2) In the above (1), if a dielectric film is interposed between the radio wave emitting device and the dielectric layer, the dielectric film can be used as a dielectric film in the etching technology of the radio wave emitting device. By selectively using a material having good applicability, the formation of the radio wave emitting element is facilitated, and the degree of freedom in selecting the dielectric material constituting the dielectric layer is further increased.
【００３０】また（５）上記（１）〜（４）のいずれか
一項において、電波放出素子の上に別の誘電体層が配置
されたものであると、アンテナの放射パターンにおける
ビーム幅を一層広い範囲での調整が可能となり、また上
記別の誘電体層はそれを構成する誘電体の種類を問わず
電波放出素子の保護層として作用する効果がある。(5) In any one of the above (1) to (4), when another dielectric layer is disposed on the radio wave emitting element, the beam width in the radiation pattern of the antenna is reduced. The adjustment can be performed in a wider range, and the another dielectric layer has an effect of acting as a protective layer of the radio wave emitting element regardless of the kind of the dielectric constituting the dielectric layer.
【００３１】また（６）上記（５）において、別の誘電
体層の上に１以上の別の電波放出素子が配置されたもの
であると、アンテナ装置のインピーダンス特性を広帯域
化できる効果がある。(6) In the above (5), if one or more other radio wave emitting elements are arranged on another dielectric layer, the impedance characteristic of the antenna device can be broadened. .
【００３２】また（７）上記（６）において、別の誘電
体層は、比誘電率および／または厚みが少なくとも層厚
の方向において不均一であるものであると、アンテナ装
置の前記インピーダンス特性の広帯域化、並びに上記放
射パターンのビーム幅の調整も容易となる。(7) In the above (6), when the other dielectric layer has a non-uniform relative dielectric constant and / or thickness at least in the direction of the layer thickness, the impedance characteristic of the antenna device may be reduced. Broadbanding and adjustment of the beam width of the radiation pattern are also facilitated.
【００３３】またさらに（８）上記（５）において、別
の電波放出素子と別の誘電体層との間に、別の誘電体フ
ィルムを介在させたものであると、上記（２）の場合と
同様に、電波放出素子の形成が容易となり、且つ誘電体
層を構成する誘電体の選択の自由度が一層大きくなる効
果がある。(8) In the above (5), if another dielectric film is interposed between another radio wave emitting element and another dielectric layer, Similarly to the above, there is an effect that the formation of the radio wave emitting element is facilitated, and the degree of freedom in selecting the dielectric constituting the dielectric layer is further increased.
【図１】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態１
の分解斜視図。FIG. 1 is a first embodiment of an antenna device according to the present invention.
FIG.
【図２】 図１のII−II線に沿った断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.
【図３】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態２
の断面図。FIG. 3 is a second embodiment of the antenna device according to the present invention.
FIG.
【図４】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態３
の断面図。FIG. 4 is a third embodiment of the antenna device according to the present invention.
FIG.
【図５】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態４
の断面図。FIG. 5 is a fourth embodiment of the antenna device according to the present invention.
FIG.
【図６】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態５
の分解斜視図。FIG. 6 is a diagram illustrating an antenna device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG.
【図７】 図６のVII −VII 線に沿った断面図。7 is a sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 6;
【図８】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態６
の分解斜視図。FIG. 8 is a diagram illustrating an antenna device according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG.
【図９】 図８のIX−IX線に沿った断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8;
【図１０】 本発明におけるアンテナ装置の実施の形態
７の分解斜視図。FIG. 10 is an exploded perspective view of Embodiment 7 of the antenna device according to the present invention.
【図１１】 図１０のXI−XI線に沿った断面図。FIG. 11 is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 10;
【図１２】 従来のアンテナ装置の断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view of a conventional antenna device.
１ 電波放出素子、１１ 電波放出素子、２ 誘電体
層、２１ 誘電体層、２２ 誘電体層、２３ 誘電体
層、２４ 誘電体層、３ 導体層、４ 誘電体フィル
ム、４１ 誘電体フィルム。Reference Signs List 1 radio emission element, 11 radio emission element, 2 dielectric layers, 21 dielectric layers, 22 dielectric layers, 23 dielectric layers, 24 dielectric layers, 3 conductor layers, 4 dielectric films, 41 dielectric films.
Claims (8)
共に比誘電率および／または厚みが少なくとも層厚の方
向において不均一な誘電体層、および上記誘電体層の上
に配置された電波放出素子を備えたことを特徴とするア
ンテナ装置。1. A conductor layer, a dielectric layer disposed on the conductor layer and having a relative dielectric constant and / or thickness non-uniform at least in a direction of a layer thickness, and disposed on the dielectric layer. An antenna device comprising a radio wave emitting element.
体フィルムを介在させたことを特徴とする請求項１記載
のアンテナ装置。2. The antenna device according to claim 1, wherein a dielectric film is interposed between the radio wave emitting element and the dielectric layer.
電波放出素子の直下およびその近傍における比誘電率が
均一で厚みが不均一であることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載のアンテナ装置。3. The dielectric layer according to claim 1, wherein the dielectric layer has a uniform relative dielectric constant and a non-uniform thickness at least immediately below and in the vicinity of the radio wave emitting element of the dielectric layer. Antenna device.
電波放出素子の直下およびその近傍における比誘電率が
不均一で厚みが均一であることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載のアンテナ装置。4. The dielectric layer according to claim 1, wherein the dielectric layer has a non-uniform relative dielectric constant and a uniform thickness at least immediately below and in the vicinity of the dielectric layer of the dielectric layer. Antenna device.
されたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか
一項記載のアンテナ装置。5. The antenna device according to claim 1, wherein another dielectric layer is disposed on the radio wave emitting element.
出素子が配置されたことを特徴とする請求項５記載のア
ンテナ装置。6. The antenna device according to claim 5, wherein one or more other radio wave emitting elements are arranged on another dielectric layer.
は厚みが少なくとも層厚の方向において不均一であるこ
とを特徴とする請求項６記載のアンテナ装置。7. The antenna device according to claim 6, wherein the other dielectric layer has a non-uniform relative dielectric constant and / or thickness in at least a direction of the layer thickness.
に、別の誘電体フィルムを介在させたことを特徴とする
請求項５記載のアンテナ装置。8. The antenna device according to claim 5, wherein another dielectric film is interposed between another radio wave emitting element and another dielectric layer.
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|---|---|
| JP (1) | JP2002217638A (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002271119A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Ngk Insulators Ltd | Antenna |
| JP2004096259A (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multi-frequency microstrip antenna |
| WO2005013418A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Patch antenna |
| WO2006035881A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Toto Ltd. | Microstrip antenna and high frequency sensor using microstrip antenna |
| WO2006049068A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna assembly and wireless communication system employing same |
| JP2006229871A (en) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna device |
| JP2006304271A (en) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | Antenna device and method for manufacturing antenna device |
| JP2008011169A (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Smk Corp | Antenna device |
| JP2008085639A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electronic equipment |
| US7952534B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-05-31 | Toto Ltd. | Microstrip antenna |
| RU2484559C2 (en) * | 2010-06-08 | 2013-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" | Printed board with suspended substrate |
| JP2019515536A (en) * | 2016-05-10 | 2019-06-06 | ノヴァテル インコーポレイテッドＮＯＶＡＴＥＬ Ｉｎｃ． | Multilayer patch antenna using dielectric substrate with patterned cavities |
| KR102252950B1 (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-17 | 주식회사 한신 | Wide-angle radome structure for having matching layer |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135107A (en) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Microstrip antenna |
| JPH0310407A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Nippondenso Co Ltd | Radome for planer antenna |
| JPH03182102A (en) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Microstrip antenna |
| JPH03192804A (en) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Antenna system |
| JPH03192805A (en) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Antenna system |
| JPH0951224A (en) * | 1995-05-29 | 1997-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Microstrip antenna made of plural kinds of multi-layer dielectric films |
| JPH09107226A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna system, its production, and its design method |
| JPH09199938A (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Antenna system receiving circularly polarized wave |
| JPH09307342A (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna system |
| JP2869891B2 (en) * | 1989-08-07 | 1999-03-10 | 株式会社村田製作所 | Dielectric antenna |
| JPH11122032A (en) * | 1997-10-11 | 1999-04-30 | Yokowo Co Ltd | Microstrip antenna |
| JP2000174547A (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | Dielectric lens antenna and radio equipment using it |
| JP3280716B2 (en) * | 1992-09-29 | 2002-05-13 | 松下電器産業株式会社 | Microstrip antenna |
-
2001
- 2001-01-23 JP JP2001014689A patent/JP2002217638A/en active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135107A (en) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Microstrip antenna |
| JPH0310407A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Nippondenso Co Ltd | Radome for planer antenna |
| JP2869891B2 (en) * | 1989-08-07 | 1999-03-10 | 株式会社村田製作所 | Dielectric antenna |
| JPH03182102A (en) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Microstrip antenna |
| JPH03192804A (en) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Antenna system |
| JPH03192805A (en) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Antenna system |
| JP3280716B2 (en) * | 1992-09-29 | 2002-05-13 | 松下電器産業株式会社 | Microstrip antenna |
| JPH0951224A (en) * | 1995-05-29 | 1997-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Microstrip antenna made of plural kinds of multi-layer dielectric films |
| JPH09107226A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna system, its production, and its design method |
| JPH09199938A (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Antenna system receiving circularly polarized wave |
| JPH09307342A (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna system |
| JPH11122032A (en) * | 1997-10-11 | 1999-04-30 | Yokowo Co Ltd | Microstrip antenna |
| JP2000174547A (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | Dielectric lens antenna and radio equipment using it |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002271119A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Ngk Insulators Ltd | Antenna |
| JP2004096259A (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multi-frequency microstrip antenna |
| WO2005013418A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Patch antenna |
| JPWO2005013418A1 (en) * | 2003-08-01 | 2006-09-28 | 三洋電機株式会社 | Patch antenna |
| US7952534B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-05-31 | Toto Ltd. | Microstrip antenna |
| US7773035B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-08-10 | Toto Ltd. | Microstrip antenna and high frequency sensor using microstrip antenna |
| WO2006035881A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Toto Ltd. | Microstrip antenna and high frequency sensor using microstrip antenna |
| WO2006049068A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna assembly and wireless communication system employing same |
| JP2006229871A (en) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna device |
| JP4541922B2 (en) * | 2005-02-21 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | Antenna device |
| JP2006304271A (en) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | Antenna device and method for manufacturing antenna device |
| JP2008011169A (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Smk Corp | Antenna device |
| JP2008085639A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electronic equipment |
| US8094457B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-01-10 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic apparatus |
| RU2484559C2 (en) * | 2010-06-08 | 2013-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" | Printed board with suspended substrate |
| JP2019515536A (en) * | 2016-05-10 | 2019-06-06 | ノヴァテル インコーポレイテッドＮＯＶＡＴＥＬ Ｉｎｃ． | Multilayer patch antenna using dielectric substrate with patterned cavities |
| JP2021153330A (en) * | 2016-05-10 | 2021-09-30 | ノヴァテル インコーポレイテッドNOVATEL Inc. | Stacked patch antenna using dielectric substrate with patterned cavity |
| JP7230116B2 (en) | 2016-05-10 | 2023-02-28 | ノヴァテル インコーポレイテッド | Stacked Patch Antenna Using Dielectric Substrate with Patterned Cavity |
| US11888242B2 (en) | 2016-05-10 | 2024-01-30 | Novatel Inc. | Stacked patch antennas using dielectric substrates with patterned cavities |
| KR102252950B1 (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-17 | 주식회사 한신 | Wide-angle radome structure for having matching layer |
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