JP2007116573A - Array antenna - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、裏面に接地板を有する誘電体基板の表側に導体から成る所定の単位パターンを一軸方向に周期的に繰り返し配置することによって形成されたストリップ線路を有するアレーアンテナ(漏れ波アンテナ)に関し、特に、アンテナの指向性を制御可能としたものに関する。
この発明は、ミリ波帯域又はマイクロ波帯域の電磁波を送信または受信するレーダや通信機器などに有益であり、アンテナの小型化または配設空間の省スペース化に大いに有用なものである。
The present invention relates to an array antenna (leakage wave antenna) having a strip line formed by periodically and repeatedly arranging a predetermined unit pattern made of a conductor on the front side of a dielectric substrate having a ground plate on the back surface. In particular, the present invention relates to an antenna having controllable directivity.
The present invention is useful for radars and communication devices that transmit or receive electromagnetic waves in the millimeter wave band or microwave band, and is very useful for reducing the size of antennas or the space required for installation.
誘電体基板上にCRLH(Composite Right and Left Handed )伝送線路を備えた従来のストリップアレーアンテナ(漏れ波アンテナ)の構成例を図9に例示する。このCRLH線路には、伝送線路(x軸方向の主線路)を周期的に分断するギャップや、その伝送線路から枝分かれしたスタブなどが具備されている。このアンテナでは、ギャップが供するキャパシタンスや、スタブが供するインダクタンスの作用により、ある周波数帯において、伝送される電磁波の群速度の向きと位相速度の向きを相互に反対の向きとすることができる。これにより、伝送される電磁波の周波数を変化させることによって、主線路上で電磁波が伝播する向きとは反対向きの図中のz軸方向から−x軸方向に傾斜したθ<0なる角度領域に対しても電磁波を放射することができる。その結果、放射ビームの方向を変化させる場合には、その放射ビームの走査範囲を広くとることができるという利点がある。この様なに、位相速度と群速度の向きが反対となる原理については、例えば下記の非特許文献1などに詳しい開示がある。しかしながら、周波数を大きく変化させないと、−x軸方向に傾斜した方向に指向性を持たせることは困難である。
FIG. 9 illustrates a configuration example of a conventional strip array antenna (leakage wave antenna) having a CRLH (Composite Right and Left Handed) transmission line on a dielectric substrate. The CRLH line includes a gap that periodically divides the transmission line (the main line in the x-axis direction), a stub branched from the transmission line, and the like. In this antenna, the direction of the group velocity and the phase velocity of transmitted electromagnetic waves can be opposite to each other in a certain frequency band by the action of the capacitance provided by the gap and the inductance provided by the stub. Thus, by changing the frequency of the transmitted electromagnetic wave, the angle region θ <0 inclined from the z-axis direction to the −x-axis direction in the figure opposite to the direction in which the electromagnetic wave propagates on the main line. Even electromagnetic waves can be emitted. As a result, when the direction of the radiation beam is changed, there is an advantage that the scanning range of the radiation beam can be widened. In this way, the principle that the direction of the phase velocity and the group velocity are opposite is disclosed in detail in, for example, Non-Patent
また、下記の非特許文献2には、給電点から入力する電磁波の周波数を一定値に固定したまま、所定の電子制御に基づいて放射ビームの放射角を可変制御する制御方式が開示されている。この放射角の制御方式では、例えば図9の配線パターンの個々のギャップやスタブに対して、それぞれバラクタダイオードを接近させて配置し、各バラクタダイオードの容量を可変制御することによって放射ビームの放射角を可変制御している。
Non-Patent
また、下記の特許文献1には、中央にビアのある金属パッチ1を誘電体基板上に周期的に配置したEBG構造(Electrical Band Gap 構造)の反射体を利用したビーム走査アンテナ(図10−A,−B)が提案されている。このビーム走査アンテナは、その反射体が有する各金属パッチ(1,2)間のキャパシタンスを変化させることによって、所定の方向からその反射体に入射した電磁波の反射波の進行方向、すなわち、反射の指向性を可変制御するものである。そして、各金属パッチ(1,2)間のキャパシタンスは、ビア1とビア2の間に印加される直流電圧により金属パッチ1と金属パッチ2の間に電界を生成して、この電界により金属パッチ間に配置された液晶の比誘電率を変化させることで、可変制御される。
また、その他の制御方式としては、例えば、電磁波が伝播する材料の透磁率をフェライトなどを利用して電気的に可変制御することによってその材料の伝搬定数を可変制御するのと同様に、誘電率を可変制御する方式がある。即ち、その様な制御方式としては、例えば、目的のアンテナを構成する誘電体基板の誘電率を電圧によって可変制御して、これによってアレーアンテナの放射ビームの放射角を所望の角度に可変制御する制御方式などを考えることができる。誘電率が可変制御されるその様な誘電体基板の材料としては、例えば液晶や強誘電体などがある。 In addition, as another control method, for example, the dielectric constant of the material through which the electromagnetic wave propagates is variably controlled by electrically controlling the permeability of the material using ferrite or the like. There is a method for variably controlling the above. That is, as such a control method, for example, the dielectric constant of the dielectric substrate constituting the target antenna is variably controlled by voltage, and thereby the radiation angle of the radiation beam of the array antenna is variably controlled to a desired angle. A control method can be considered. Examples of such a dielectric substrate material whose dielectric constant is variably controlled include liquid crystal and ferroelectric.
なお、電磁波センシングや無線通信などの分野では、放射電磁波の周波数を殆ど変化させることなく、アンテナの放射ビームの指向性が制御されることが望ましい。
しかしながら、非特許文献1に記載されている従来のアレーアンテナでは、給電点から入力する電磁波の周波数を一定にしたまま、アンテナの放射ビームの放射角を可変制御することはできない。このため、この方式を採用したアンテナは、ミリ波レーダなど、一定の周波数の電磁波を放射または受信するアンテナには不向きである。
However, the conventional array antenna described in
また、非特許文献2に記載されている従来のアレーアンテナには、可変容量としてバラクタダイオードが用いられているが、一般にバラクタダイオードは伝送損失が大きいため、数GHz以上の周波数帯域においては、バラクタダイオードを所望の可変容量として動作させることは難しい。このため、数GHz以上の周波数帯域の電磁波を取り扱うアレーアンテナにこの従来技術を用いることはできない。
また、放射角が可変制御可能な1GHz以下の周波数帯域などにおいても、一般にバラクタダイオードでは標準容量(所定の基準容量)に対する容量変位の比率(変化率)を十分大きく確保することは必ずしも容易ではないので、放射角の変動範囲を大きく確保することも必ずしも容易とは言えない。
In the conventional array antenna described in Non-Patent
Further, even in a frequency band of 1 GHz or less in which the radiation angle can be variably controlled, it is not always easy to ensure a sufficiently large capacity displacement ratio (change rate) with respect to a standard capacity (predetermined reference capacity) in a varactor diode. Therefore, it is not always easy to ensure a large variation range of the radiation angle.
また、特許文献1に記載されている従来のビーム走査アンテナ(図10−A,−B)は、液晶分子の向きを変えることによって、その液晶部分の誘電率を変化させて反射ビームの指向性を可変制御するものであるが、これらの従来のビーム走査アンテナには、生産性や制御性や、或いは薄板化や小型化など係わる、例えば以下の(1)〜(4)の様な問題がある。 Further, the conventional beam scanning antenna described in Patent Document 1 (FIGS. 10A and 10B) changes the dielectric constant of the liquid crystal portion by changing the direction of the liquid crystal molecules, thereby directing the reflected beam. However, these conventional beam scanning antennas have problems such as the following (1) to (4) related to productivity, controllability, thinning and downsizing. is there.
(1)ミリ波又はマイクロ波を取り扱うデバイスでは、キャパシタンス又はインダクタンスを可変制御するために用いる液晶部分の厚みは、通常、100μm程度が必要とされる。しかしながら、そこまでの厚みを設けてしまうと、例えば上記の金属パッチ1と金属パッチ2との間に電圧をかけた時などには、液晶分子の向きを数ミリ秒で所望の向きに変更することができるが、その電圧の印加を中断した時には、各液晶分子の向きが元の向きに戻るまでに数秒かかってしまう。これは、液晶分子の熱運動によって液晶分子が元の向きに戻るためであり、この時に必要とされる液晶分子の向きに関する復元時間は、液晶部分の厚みの二乗に比例する。したがって、この様な従来方式を採用する限り、ビームの指向性を高速に可変制御することは難しい。即ち、高速にビームを走査する必要があるシステムには、この様な従来方式を採用することはできない。
(1) In a device that handles millimeter waves or microwaves, the thickness of a liquid crystal portion used for variably controlling capacitance or inductance is normally required to be about 100 μm. However, if such a thickness is provided, for example, when a voltage is applied between the
(2)図10−A,−Bに示す様に、EBG構造の反射体を用いてビーム走査アンテナを構成するので、この反射体に対して電磁波を照射するための給電用アンテナを別途用意する必要がある。
(3)反射板で反射される反射波の位相を変化させるだけなので、反射強度がピークとなる角度を制御することはできるが、それぞれのパッチからの反射量を変えることはできないため、ビーム幅やビームパターンを可変制御することはできない。
(4)また液晶の誘電率を変えるための電圧は接地板から浮かしたビア部分にかける構造であるが、この部分の構造が複雑にならざるを得ない。
(2) As shown in FIGS. 10A and 10B, since the beam scanning antenna is configured using a reflector having an EBG structure, a power feeding antenna for irradiating the reflector with electromagnetic waves is separately prepared. There is a need.
(3) Since only the phase of the reflected wave reflected by the reflecting plate is changed, the angle at which the reflection intensity reaches a peak can be controlled, but the amount of reflection from each patch cannot be changed. The beam pattern cannot be variably controlled.
(4) The voltage for changing the dielectric constant of the liquid crystal is applied to the via portion floating from the ground plate, but the structure of this portion must be complicated.
また、前述の様に、目的のアンテナを構成する誘電体基板の誘電率や透磁率を可変制御する様な制御方式に適したその他の材料として、例えば、強誘電体やフェライトなどの材料を考えることもできるが、しかしながら、それらの材料を誘電体基板などに用いた場合には、アンテナ中を伝播する電磁波の電力損失が非常に大きくなるので、アンテナの利得を大きく確保することは困難になる。 Further, as described above, for example, a material such as a ferroelectric material or ferrite is considered as another material suitable for a control method for variably controlling the dielectric constant and permeability of the dielectric substrate constituting the target antenna. However, when these materials are used for a dielectric substrate or the like, the power loss of electromagnetic waves propagating in the antenna becomes very large, so it is difficult to secure a large antenna gain. .
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、周波数を変化させることなく1GHz以上の高い周波数帯域においても使用することができる、ビーム指向性の走査範囲の広い小形のアレーアンテナを実現することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to provide a beam directivity scanning range that can be used in a high frequency band of 1 GHz or higher without changing the frequency. This is to realize a wide and small array antenna.
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第1の手段は、誘電体基板と、導体から成る同一または類似の単位パターンを誘電体基板の表側に所定の方向に複数配列することによって形成されたストリップ線路と、誘電体基板の裏面に形成された導体から成る接地板とを有するアレーアンテナにおいて、与えられた電界によって誘電率が変化する誘電率可変部材と、その誘電率可変部材に対して複数の方向から電界を与える電界設定手段とを設け、上記の単位パターンに、所定の方向に走る伝送線路と、伝送線路を途中で分断するギャップと、伝送線路から枝分かれするスタブとを設け、上記の誘電率可変部材を上記のギャップまたはスタブに対して接近して配置し、上記の電界設定手段によって、上記の所定の方向で互いに隣り合う単位パターンを形成する導体に相異なる電位を与えることである。
In order to solve the above problems, the following means are effective.
That is, the first means of the present invention comprises a dielectric substrate, a strip line formed by arranging a plurality of identical or similar unit patterns made of conductors in a predetermined direction on the front side of the dielectric substrate, and a dielectric In an array antenna having a ground plate made of a conductor formed on the back surface of a substrate, a dielectric constant variable member whose dielectric constant changes according to an applied electric field, and an electric field is applied to the dielectric constant variable member from a plurality of directions An electric field setting means is provided, and the unit pattern is provided with a transmission line that runs in a predetermined direction, a gap that divides the transmission line in the middle, and a stub that branches off from the transmission line. The conductors that are arranged close to the gaps or stubs and form unit patterns adjacent to each other in the predetermined direction are different from each other by the electric field setting means. That is to give the potential.
以下、単位パターンを誘電体基板の表側に複数配列する上記の所定の方向をx軸方向とする。また、誘電体基板に垂直な方向をz軸方向とする。
上記のギャップは、このx軸方向で互いに隣り合う上記の単位パターンを形成する上記の各導体の間に形成されるものであり、これらのギャップも上記の単位パターンに含まれる。
Hereinafter, the predetermined direction in which a plurality of unit patterns are arranged on the front side of the dielectric substrate is defined as an x-axis direction. The direction perpendicular to the dielectric substrate is taken as the z-axis direction.
The gap is formed between the conductors forming the unit patterns adjacent to each other in the x-axis direction, and these gaps are also included in the unit pattern.
また、本発明の第2の手段は、上記の第1の手段において、上記の誘電率可変部材を液晶、強誘電体、または強磁性体から構成することである。
また、本発明の第3の手段は、上記の第1又は第2の手段において、上記の誘電率可変部材を上記の単位パターンと接地板との間に配置することである。
According to a second means of the present invention, in the first means, the dielectric constant variable member is made of a liquid crystal, a ferroelectric material, or a ferromagnetic material.
According to a third means of the present invention, in the first or second means, the dielectric constant variable member is disposed between the unit pattern and the ground plate.
また、本発明の第4の手段は、上記の第1乃至第3の何れか1つの手段において、誘電率可変部材を上記の誘電体基板の表面上に配置することである。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
According to a fourth means of the present invention, in any one of the first to third means, a dielectric constant variable member is disposed on the surface of the dielectric substrate.
By the above means of the present invention, the above-mentioned problem can be effectively or rationally solved.
以上の本発明の手段によって得られる効果は以下の通りである。
即ち、本発明の第1の手段によれば、上記の電界設定手段を用いて、誘電率可変部材に対して複数の方向から電界を与えることができるので、誘電率可変部材に与える電界の向きを随時所望の向きに高速に変更することができる。したがって、本発明の第1の手段によれば、上記の誘電率可変部材の誘電率を電界の向きに応じて可変制御することができ、これによって、ギャップが供するキャパシタンスやスタブが供するインダクタンスを変化させることができる。このため、ストリップ線路を通過する高周波の位相や電力、並びに放射する電磁波の位相や放射量を制御することができ、したがって、アレーアンテナのビームの放射方向を変化させたり、アレーアンテナのビーム幅やパターンを変化させることができる。
The effects obtained by the above-described means of the present invention are as follows.
That is, according to the first means of the present invention, since the electric field can be applied to the variable dielectric constant member from a plurality of directions using the electric field setting means, the direction of the electric field applied to the variable dielectric constant member Can be changed to a desired direction at any time at high speed. Therefore, according to the first means of the present invention, the dielectric constant of the dielectric constant variable member can be variably controlled according to the direction of the electric field, thereby changing the capacitance provided by the gap and the inductance provided by the stub. Can be made. For this reason, it is possible to control the phase and power of the high-frequency wave passing through the strip line and the phase and radiation amount of the radiated electromagnetic wave, so that the radiation direction of the array antenna beam can be changed, the beam width of the array antenna The pattern can be changed.
また、誘電率可変部材に対してz軸方向に電界を与えたい場合には、単位パターンを構成する導体と接地板とに相異なる電位を与えればよく、また、それとは垂直なx軸方向に電界を形成したい場合には、x軸方向で互いに隣り合う単位パターンを形成する導体に相異なる電位を与えればよい。したがって、本発明の第1の手段によれば、誘電率可変部材に対して複数の方向から電界を与える上記の電界設定手段を構成するに当たって、誘電率可変部材に対して電界を与えるためのその他の専用の電極を必ずしも必要とはしない。また、単位パターンを構成する導体や接地板は、誘電体基板の表面または裏面に対して平行に平面的に形成することができる。したがって、本発明の第1の手段によれば、上記の電界設定手段を簡潔な構成で容易に形成することができる。 Further, when it is desired to apply an electric field in the z-axis direction to the dielectric constant variable member, it is only necessary to apply different potentials to the conductors constituting the unit pattern and the ground plate, and in the x-axis direction perpendicular thereto. In order to form an electric field, different potentials may be applied to conductors forming unit patterns adjacent to each other in the x-axis direction. Therefore, according to the first means of the present invention, in constructing the electric field setting means for applying an electric field from a plurality of directions to the dielectric constant variable member, the other for applying an electric field to the dielectric constant variable member. The dedicated electrode is not necessarily required. Further, the conductor and the ground plate constituting the unit pattern can be formed in a plane parallel to the front surface or the back surface of the dielectric substrate. Therefore, according to the first means of the present invention, the electric field setting means can be easily formed with a simple configuration.
また、本発明の第2の手段によれば、誘電率可変部材の誘電率を大幅に変化させることができるので、ビームの走査範囲などの各種の制御性に係わる自由度を大きく確保することができる。 Further, according to the second means of the present invention, since the dielectric constant of the dielectric constant variable member can be significantly changed, a large degree of freedom related to various controllability such as a beam scanning range can be secured. it can.
また、本発明の第3の手段によれば、誘電率可変部材が上記の単位パターンの上方に突き出すことがないので、効果的にアレーアンテナの薄板化若しくは小型化を図ることができる。 According to the third means of the present invention, since the variable dielectric constant member does not protrude above the unit pattern, the array antenna can be effectively thinned or miniaturized.
また、本発明の第4の手段によれば、上記の単位パターンの上方に誘電率可変部材が配置される構造となるので、誘電率可変部材の配置が容易になる。 In addition, according to the fourth means of the present invention, since the variable dielectric constant member is arranged above the unit pattern, the arrangement of the variable dielectric constant member becomes easy.
特に、誘電率可変部材を液晶で構成する場合には、液晶に電界を与えるための1対の電極間の距離を0.2mm以下にすることが望ましい。或いは、誘電率可変部材を液晶で構成する場合には、少なくとも電界が形成される2方向においてその長さを0.2mm以下にすることが望ましい。
誘電率可変部材を液晶で構成する場合、この様な設定によって、100v以下の電圧によっても、数ミリ秒程度で液晶分子の向きを所望の向きに変更することができる。
In particular, when the dielectric constant variable member is made of liquid crystal, the distance between a pair of electrodes for applying an electric field to the liquid crystal is preferably 0.2 mm or less. Alternatively, when the dielectric constant variable member is made of liquid crystal, it is desirable that the length be 0.2 mm or less in at least two directions in which an electric field is formed.
When the dielectric constant variable member is made of liquid crystal, the liquid crystal molecules can be changed to a desired direction in a few milliseconds even with a voltage of 100 V or less.
また、上記の誘電体基板としては、例えば4フッ化エチレン樹脂などの比誘電率の小さな材料が望ましい。また、誘電率可変部材としては、液晶の他にも例えば強誘電体などを挙げることができる。より望ましい材料としては、例えば、ネマティック液晶などが有用である。 The dielectric substrate is preferably made of a material having a small relative dielectric constant, such as tetrafluoroethylene resin. In addition to the liquid crystal, for example, a ferroelectric substance can be used as the dielectric constant variable member. As a more desirable material, for example, nematic liquid crystal is useful.
また、以下に例示する各実施例のアレーアンテナが放射または受信する電磁波の周波数は、概ね1GHz〜100GHzの範囲において任意に略固定された周波数を想定したものであり、単位パターンをx軸方向に繰り返し形成する際のそのパターン形成周期は、勿論従来と同様にしてその周波数に合わせて決定すれば良い。しかしながら、本発明によって得ることができる作用・効果は、必ずしも上記の周波数帯域内の電磁波を取り扱うアレーアンテナだけに限定されるものではない。また、本発明は、アンテナの動作周波数を変動させることによって得られる従来の作用・効果を何ら妨げるものでもない。 In addition, the frequency of the electromagnetic wave radiated or received by the array antenna of each example illustrated below is assumed to be a frequency arbitrarily fixed in the range of about 1 GHz to 100 GHz, and the unit pattern is set in the x-axis direction. Of course, the pattern formation period in the repeated formation may be determined according to the frequency in the same manner as in the prior art. However, the operations and effects that can be obtained by the present invention are not necessarily limited only to the array antenna that handles electromagnetic waves in the above frequency band. Further, the present invention does not disturb the conventional operation and effect obtained by changing the operating frequency of the antenna.
また、以下に例示する各実施例のアレーアンテナは、全走査範囲(全スキャン角度θ)に対して1秒間当たり概ね数回程度の走査頻度を想定して設計したものであるが、これらの走査頻度は、勿論必要に応じて任意に設定することができる。
また、ストリップ線路の構成要素となる上記の単位パターンは、同一のパターンを用いてそれらを周期的に配列することが望ましいが、必ずしも同一のパターンだけを用いる必要はなく、また、必ずしも周期的に配列する必要もない。したがって、例えば、ストリップ線路の構成要素となる上記の単位パターンは、伝送線路やスタブなどの各部の太さや長さなどの寸法が、揃っていなくとも良く、また、ギャップなどの間隔なども不揃いでも良い。
The array antennas of the embodiments illustrated below are designed assuming a scanning frequency of about several times per second over the entire scanning range (all scanning angles θ). Of course, the frequency can be arbitrarily set as required.
In addition, it is desirable that the unit patterns as the constituent elements of the strip line are periodically arranged using the same pattern, but it is not always necessary to use only the same pattern, and it is not always necessary to periodically There is no need to arrange them. Therefore, for example, the above unit pattern that is a constituent element of the strip line may not have the same dimensions such as the thickness and length of each part such as the transmission line and the stub, and even if the gaps and the like are not uniform. good.
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described based on specific examples.
However, the embodiments of the present invention are not limited to the following examples.
図1は、給電点Pから入力する高周波の周波数を77GHzとして設計した本実施例1のアレーアンテナ100のストリップ線路14の斜視図である。このアレーアンテナ100のストリップ線路14は、単位パターンUによって周期構造化されており、周期的な配線パターンを構成するその単位パターンUを、その主線路11がx軸方向になる様に、16周期繰り返すことによって構成されている。アレーアンテナ100は、このストリップ線路14を比誘電率が2.2の4フッ化エチレン樹脂からなる厚さ約0.13mmの誘電体基板15上に、銅を主成分とする導体(配線パターン)を用いて形成したものである。ストリップ線路14を構成する各単位パターンUは、主線路11(伝送線路)とスタブ12を有しており、図中左端の給電点Pから給電される。また、各単位パターンUは、それぞれの左右に、ギャップG1を有している。
FIG. 1 is a perspective view of the
図2−Aに、このアレーアンテナ100の部分的な平面図を示す。このギャップG1は、x軸方向で互いに隣り合う上記の単位パターンUを形成する上記の各導体の間に形成されており、図2−Bに図示する様にその下方には、ネマティック液晶からなる液晶13が配設されている。この液晶13が1箇所で占める空間領域は、x軸方向が0.3mm、y軸方向も0.3mmで、その厚さ(z軸方向の長さ)は、上記の誘電体基板15と同じである。また、液晶13は、ギャップG1のキャパシタンスを可変制御するためのものであり、そのキャパシタンスをより大きくするために、ギャップG1を構成する主線路11の各対峙部11a,11bは、y軸方向に幅広に拡張されていて、この対峙部11a,11bの下方にまで液晶13が配設されている。
FIG. 2-A shows a partial plan view of the
図2−Bに、アレーアンテナ100の電界設定手段の回路図を示す。配線2によって、接地板16は電池Eの陽極にスイッチSW1を介して接続することができる。また、配線1によって、給電点側から奇数番目の単位パターンUを形成する導体は、電池Eの陰極に直接接続されている。また、配線1′によって、給電点側から偶数番目の単位パターンUの導体は、スイッチSW2を介して電池Eの陽極にも陰極にも接続することができる。また、図中に○印で示したローパスフィルタLPFは、高周波の伝達を阻止するために各部に挿入されている。
FIG. 2-B shows a circuit diagram of the electric field setting means of the
この電界設定手段の構成により、スイッチSW1,SW2を図示する様に何れも同時にa側に倒した時には、電池Eが与える電位によって、接地板16は高電位となり、ストリップ線路14(全ての単位パターンU)は低電位になる。
このため、スイッチSW1,SW2を図示する様に何れも同時にa側に倒した時には、液晶13の液晶分子の電気双極子のモーメントベクトルは、それぞれz軸方向に配向される。ただし、ストリップ線路14と接地板16の間の電位差が小さな場合には、その配向作用も幾らか緩和されることは言うまでもない。
With this configuration of the electric field setting means, when both the switches SW1 and SW2 are simultaneously tilted to the a side as shown in the figure, the
Therefore, when both switches SW1 and SW2 are simultaneously tilted to the a side, the electric dipole moment vectors of the liquid crystal molecules of the
また、スイッチSW1,SW2を図示する様に何れも同時にb側に倒した時には、給電点側から奇数番目の単位パターンUを形成する導体は低電位に設定され、給電点側から偶数番目の単位パターンUを形成する導体は高電位に設定される。このため、x軸方向で互いに隣り合う各単位パターンUを形成する導体には、それぞれ相異なる電位が与えられる。したがって、互いに隣り合う各単位パターンUの導体間のギャップG1には、x軸方向の電界が形成される。このため、スイッチSW1,SW2を図示する様に何れも同時にb側に倒した時には、液晶13の液晶分子の電気双極子のモーメントベクトルは、それぞれx軸方向に配向される。ただし、この場合にも同様に、電池Eが供する直流電圧が小さな場合には、その配向作用も緩和される。
その結果、例えば、この液晶13に対してx軸方向の電界を与えた場合、上記の電池Eの直流電圧を100vとすると、上記の各スイッチSW1,SW2の接続状態をbからaに変更することによって、液晶13の比誘電率は、2.5から2.7にまで上昇する。
When the switches SW1 and SW2 are simultaneously tilted to the b side as shown in the figure, the conductor forming the odd-numbered unit pattern U from the feeding point side is set to a low potential, and the even-numbered unit from the feeding point side. The conductor forming the pattern U is set to a high potential. For this reason, different potentials are applied to the conductors forming the unit patterns U adjacent to each other in the x-axis direction. Therefore, an electric field in the x-axis direction is formed in the gap G1 between the conductors of the unit patterns U adjacent to each other. Therefore, when both switches SW1 and SW2 are simultaneously tilted toward the b side, the electric dipole moment vectors of the liquid crystal molecules of the
As a result, for example, when an electric field in the x-axis direction is applied to the
図3は、アレーアンテナ100の放射特性(シミュレーション結果)を例示するグラフである。このシミュレーションは、周知の伝送線路の理論に基づいて、上記のアレーアンテナ100について検証したものである。本図3中の放射角θは、図1に図示する様にzx面上の角度として定義されており、z軸の正の向きがθ=0°となる。
図示する各ケース(i)〜(iii)のシミュレーション条件は、以下の通りである。
(シミュレーション条件)
(i) 電源電圧=0v ,スイッチSW1,SW2は何れも状態a
(ii) 電源電圧=50v ,スイッチSW1,SW2は何れも状態a
(iii) 電源電圧=100v ,スイッチSW1,SW2は何れも状態a
FIG. 3 is a graph illustrating the radiation characteristic (simulation result) of the
The simulation conditions for the cases (i) to (iii) shown in the figure are as follows.
(Simulation conditions)
(I) Power supply voltage = 0v, both switches SW1 and SW2 are in the state a
(Ii) Power supply voltage = 50v, both switches SW1 and SW2 are in the state a
(Iii) Power supply voltage = 100v, both switches SW1 and SW2 are in the state a
これらの条件に基づいて検証された図3のシミュレーションの結果より、例えば図2−Bの可変抵抗器Rv を用いた上記の電源電圧の可変制御によって、アレーアンテナ100のビームの放射角θは、約−22°〜+13°の範囲において、所望の角度に制御できることが判った。
また、図3の条件(iii)の様に放射角θが最大値となった直後に、スイッチSW1,SW2を何れも状態bに変更すると言うその他の実験によって、液晶13を構成する各液晶分子の方向を、元のx軸方向に高速に戻すことができることが判った。この復元に掛かる所要時間は、x軸方向の電界を利用しているため約10msecと非常に短い。
したがって、本実施例1のアレーアンテナ100を用いれば、約35°の広範囲に渡ってアンテナのビームの放射角を電気的に制御できると共に、非常に高速な走査動作を実現することも同時に可能となる。
From the simulation results of FIG. 3 verified based on these conditions, the beam radiation angle θ of the
Further, as shown in the condition (iii) of FIG. 3, immediately after the radiation angle θ reaches the maximum value, the liquid crystal molecules constituting the
Therefore, by using the
図4は、本実施例2のアレーアンテナ100′の平面図である。このアレーアンテナ100′では、4フッ化エチレン樹脂から成る誘電体基板15の中央に矩形のプール領域15aが形成されており、このプール領域15aの中に、ネマティック液晶から成る液晶13(誘電率可変部材)が充鎮されている。
図5は、このアレーアンテナ100′のA−A′断面における断面図である。本実施例2のアレーアンテナ100′では、ストリップ線路14のy軸方向における全幅よりも、液晶13を充鎮するプール領域15aのy軸方向における全幅の方が幅広く設けられている。なお、誘電体基板15の裏面には、導体からなる接地板16が形成されている。
FIG. 4 is a plan view of the
FIG. 5 is a cross-sectional view of the
例えばこの様にして、液晶13(誘電率可変部材)をストリップ線路14の下方一面に幅広く配置しても良い。また、誘電体基板の略全体を液晶から構成しても良い。
これらの液晶の配置形態には、一長一短があり、液晶による電力損失を極力減らすためには、ギャップG1の下方領域のみに限定的に液晶を配置した方がよく、一方、より広角にビームを走査するためには、ギャップG1の下方領域に留まることなく、より幅広く液晶を配置した方がよい。
For example, in this way, the liquid crystal 13 (variable dielectric constant member) may be widely arranged on the lower surface of the
The arrangement of these liquid crystals has advantages and disadvantages. In order to reduce the power loss due to the liquid crystals as much as possible, it is better to arrange the liquid crystals only in the region below the gap G1, while scanning the beam at a wider angle. In order to do this, it is better to arrange the liquid crystal wider than the region below the gap G1.
図6−A,−Bに、本実施例3における液晶13及びその周辺の断面図を示す。この液晶13の上には、ストリップ線路の一部分を構成する主線路11などによって、図4のアレーアンテナ100′と略同様の導体パターン(ストリップ線路)が形成されている。
ただし、対峙部11a,11bの根元の部分には、それぞれ、ギャップG1よりも更に狭いスリットS1,S2が形成されている。このスリットS1,S2は、所望の高周波を通し、直流電位だけを選択的に遮断するためのものである。
6A and 6B are cross-sectional views of the
However, slits S1 and S2 that are narrower than the gap G1 are formed at the base portions of the facing
また、対峙部11a,11bに対して、z軸方向で相対峙する様に、絶縁膜17の上には、電極18a,18bが形成されている。この絶縁膜17は、電極18a,18bと接地板16とを絶縁するために積層されたものである。
図6−Bは、図6−Aに図示するB−B′断面の断面図である。電極18aは、とり回し配線との接合点を得るために、y軸方向に長く拡張されている。
この様な電極18a,18bを導入することによって、ギャップG1の下方及びその周辺に配設された液晶13のx軸方向及びz軸方向に、選択的に自在に電界を形成することができる。
In addition,
6B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ shown in FIG. 6A. The
By introducing
図7は、本実施例3における電界設定手段の回路図である。この回路は、約200vの直流電源Eと可変抵抗器Rv との直列接続によって、約200v〜0vの範囲の任意の電圧を所定の端子間に掛けることができる。
例えば、スイッチSW1、SW2を何れもa側に倒すと、この場合には、端子P1、P3が同電位(高電位)となり、端子P2、P4が同電位(低電位)となる。また、スイッチSW1、SW2を何れもb側に倒すと、この場合には、端子P1、P2が同電位(高電位)となり、端子P3、P4が同電位(低電位)となる。
FIG. 7 is a circuit diagram of the electric field setting means in the third embodiment. In this circuit, an arbitrary voltage in a range of about 200 v to 0 v can be applied between predetermined terminals by a series connection of a DC power source E of about 200 V and a variable resistor R v .
For example, when the switches SW1 and SW2 are all tilted to the a side, in this case, the terminals P1 and P3 are at the same potential (high potential), and the terminals P2 and P4 are at the same potential (low potential). When the switches SW1 and SW2 are all tilted to the b side, the terminals P1 and P2 are at the same potential (high potential) and the terminals P3 and P4 are at the same potential (low potential).
したがって、各端子P1〜P4を例えば次の様に接続すれば、この様な回路構成(電界設定手段)によっても、液晶13の各液晶分子の方向を所望の方向に高速に制御することができる。
(各端子の接続方法)
端子P1 : ストリップ線路の対峙部11aに接続する
端子P2 : 電極18aに接続する
端子P3 : ストリップ線路の対峙部11bに接続する
端子P4 : 電極18bに接続する
Therefore, if the terminals P1 to P4 are connected as follows, for example, even with such a circuit configuration (electric field setting means), the direction of each liquid crystal molecule of the
(How to connect each terminal)
Terminal P1: Connects to the
また、この様な方式を採用する場合には、1つのギャップG1の下方領域に配置された液晶13に対して、x軸方向に電界を与えることができる電極対が下方(接地板16寄り)にも設けられるので、液晶13の液晶分子の配向をx軸方向により一様に制御することができる。
When such a method is employed, the electrode pair capable of applying an electric field in the x-axis direction is lower (close to the ground plate 16) with respect to the
図8−A,−Bに本実施例4におけるギャップG2及びその周辺の斜視図と断面図を示す。本実施例4の主な特徴点は以下の通りである。
(1)液晶23′(誘電率可変部材)は、誘電体基板25の中には配置されず、ギャップG2の上(z座標が大きくなる方)に配置されている。
(2)誘電体材料から成る液晶保持部材29が、誘電体基板25上の配線パターン(主線路21a,21b)の上や誘電体基板25の上に、液晶23′を側方から囲む様にして配置されている。
(3)電極28a,28b(電界設定手段)が、誘電率可変部材(液晶23′)の上面に、配線パターン(主線路21a,21b)と平行に対峙する様に形成されている。また、この電極28a,28bの間には、ビーム放射用の隙間が形成されている。
FIGS. 8A and 8B are a perspective view and a sectional view of the gap G2 and its periphery in the fourth embodiment. The main features of the fourth embodiment are as follows.
(1) The liquid crystal 23 '(dielectric constant variable member) is not disposed in the
(2) The liquid
(3)
例えばこの様に、誘電率可変部材や電界設定手段を配置しても、上記の各実施例と略同様にして誘電率可変部材(液晶23′)に所望の電界を与えることができる。例えば、スイッチSW1が閉じており、かつ、スイッチSW2が開いた状態にすると、液晶23′の充鎮領域中にz軸方向の電界を形成することができる。また、スイッチSW2が閉じており、かつ、スイッチSW1が開いた状態にすると、液晶23′の充鎮領域中の特にギャップG2の近傍にx軸方向の電界を形成することができる。
For example, even if the dielectric constant variable member and the electric field setting means are arranged in this way, a desired electric field can be applied to the dielectric constant variable member (liquid crystal 23 ') in substantially the same manner as in the above embodiments. For example, when the switch SW1 is closed and the switch SW2 is opened, an electric field in the z-axis direction can be formed in the filled region of the
また、本実施例4の場合、電極28a,28bなどの影響を考慮するためにビームの放射特性の設計が難しくなったりすることがあるが、その代わりに、上記の誘電体基板25には穴をあけたり、その穴に誘電率可変部材を埋め込んだりする必要がなくなるので、本実施例4の様な実施形態に従えば、所望のアレーアンテナが製造し易くなると言う利点を得ることができる。
In the case of the fourth embodiment, it may be difficult to design the radiation characteristics of the beam in order to consider the influence of the
〔その他の変形例〕
本発明の実施形態は、上記の形態に限定されるものではなく、その他にも以下に例示される様な変形を行っても良い。この様な変形や応用によっても、本発明の作用に基づいて本発明の効果を得ることができる。
[Other variations]
The embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and other modifications as exemplified below may be made. Even with such modifications and applications, the effects of the present invention can be obtained based on the functions of the present invention.
(変形例1)
例えば、上記の実施例4では、電極28a,28bの長手方向をx軸方向に沿わせて配置したが、電極28a,28bの各長手方向は、それぞれy軸方向に沿わせて配置しても良い。この場合、主線路21aと電極28aを平行に対峙する様に配置し、主線路21bと電極28bを平行に対峙する様に配置すれば、各単位パターンからの放射量が若干減衰するが、実施例3と同様の電界設定手段(図7)を用いて実施例3と同様の制御を実現することができる。
(Modification 1)
For example, in Embodiment 4 described above, the longitudinal directions of the
(変形例2)
また、上記のストリップアレーアンテナの配線パターンを複数パターン平行に並列に配置して平面アンテナを構成する場合には、必要に応じて誘電体基板にビアホールを形成したり、誘電体基板中に多層構造の回路を形成したり、或いはワイヤーボンディングを行ったりして、上記の電気回路などの様な必要な制御用回路を立体的に形成する必要が生じるが、その様な立体的な回路形成によって、上記のストリップアレーアンテナの配線パターンを複数パターン平行に並列に配置して平面アンテナを構成することも、十分に可能となる。
(Modification 2)
When a planar antenna is configured by arranging a plurality of wiring patterns of the above strip array antenna in parallel, a via hole is formed in the dielectric substrate as necessary, or a multilayer structure is formed in the dielectric substrate. It is necessary to form the necessary control circuit such as the above-mentioned electric circuit in a three-dimensional manner by forming a circuit or wire bonding, but by forming such a three-dimensional circuit, It is also possible to configure a planar antenna by arranging a plurality of wiring patterns of the strip array antenna in parallel in parallel.
ただし、上記のストリップアレーアンテナの配線パターンを1列だけ配列したアレーアンテナを構成する場合には、必要とされる制御用回路に関する電気配線を、ストリップアレーアンテナの配線パターンと同一の平面上に引き回しても良い。即ち、この様な場合には、必ずしも上記の様な立体的な回路形成を実施する必要はない。 However, in the case of configuring an array antenna in which only one row of the above-described strip array antenna wiring pattern is arranged, the electrical wiring related to the required control circuit is routed on the same plane as the wiring pattern of the strip array antenna. May be. That is, in such a case, it is not always necessary to form the three-dimensional circuit as described above.
本発明は、無線通信や電磁波センシングに有用であり、例えば、無線通信装置や、車両の事故防止システムやオートクルーズ制御システムなどに用いられる障害物センサや、或いはその他の車両周辺の物体に対する物体探索手段などとして利用することができる。 The present invention is useful for wireless communication and electromagnetic wave sensing. For example, an object search for a wireless communication device, an obstacle sensor used in a vehicle accident prevention system, an auto cruise control system, or other objects around the vehicle. It can be used as a means.
100 : アレーアンテナ
U : 単位パターン
11 : 主線路
12 : スタブ
13 : 液晶(誘電率可変部材)
15 : 誘電体基板
G1 : ギャップ
100: Array antenna U: Unit pattern 11: Main line 12: Stub 13: Liquid crystal (variable dielectric constant member)
15: Dielectric substrate G1: Gap
Claims (4)
与えられた電界によって誘電率が変化する誘電率可変部材と、
前記誘電率可変部材に対して複数の方向から電界を与える電界設定手段と
を有し、
前記単位パターンは、
前記所定の方向に走る伝送線路と、
前記伝送線路を途中で分断するギャップと、
前記伝送線路から枝分かれするスタブと
を有し、
前記誘電率可変部材は、
前記ギャップまたは前記スタブに対して接近して配置されており、
前記電界設定手段は、
前記所定の方向で互いに隣り合う前記単位パターンを形成する前記導体に相異なる電位を与える
ことを特徴とするアレーアンテナ。 From a dielectric substrate, a strip line formed by arranging a plurality of identical or similar unit patterns made of conductors in a predetermined direction on the front side of the dielectric substrate, and a conductor formed on the back surface of the dielectric substrate An array antenna having a ground plate comprising:
A dielectric constant variable member whose dielectric constant changes according to a given electric field;
Electric field setting means for applying electric fields from a plurality of directions to the dielectric constant variable member,
The unit pattern is
A transmission line running in the predetermined direction;
A gap for dividing the transmission line in the middle;
A stub branching from the transmission line,
The dielectric constant variable member is:
Arranged close to the gap or the stub,
The electric field setting means includes
An array antenna, wherein different potentials are applied to the conductors forming the unit patterns adjacent to each other in the predetermined direction.
液晶、強誘電体、または強磁性体から構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のアレーアンテナ。 The dielectric constant variable member is:
2. The array antenna according to claim 1, wherein the array antenna is made of a liquid crystal, a ferroelectric material, or a ferromagnetic material.
前記単位パターンと前記接地板との間に配置されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のアレーアンテナ。 The dielectric constant variable member is:
The array antenna according to claim 1, wherein the array antenna is disposed between the unit pattern and the ground plate.
前記誘電体基板の表面上に配置されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のアレーアンテナ。 The dielectric constant variable member is:
The array antenna according to claim 1, wherein the array antenna is disposed on a surface of the dielectric substrate.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005308068A JP2007116573A (en) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | Array antenna |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|
JP (1) | JP2007116573A (en) |
Cited By (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107408759A (en) * | 2016-01-29 | 2017-11-28 | 夏普株式会社 | Scanning antenna |
KR101803196B1 (en) | 2016-06-28 | 2017-11-29 | 홍익대학교 산학협력단 | System for high gain antenna beam steering using parealectric |
CN107431275A (en) * | 2015-10-15 | 2017-12-01 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and its manufacture method |
KR101928440B1 (en) | 2011-11-17 | 2018-12-12 | 삼성전자주식회사 | Tunable terahertz metamaterial filter |
US10170826B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-01-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna using same, and method for manufacturing TFT substrate |
CN109462009A (en) * | 2018-11-08 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Liquid crystal antenna substrate and preparation method thereof and liquid crystal antenna and preparation method thereof |
CN109478515A (en) * | 2016-07-29 | 2019-03-15 | 夏普株式会社 | The manufacturing method of TFT substrate, the scanning antenna for having TFT substrate and TFT substrate |
CN109564944A (en) * | 2016-07-19 | 2019-04-02 | 夏普株式会社 | The manufacturing method of TFT substrate, the scanning antenna for having TFT substrate and TFT substrate |
US10498019B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10573641B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10637156B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US10637141B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna, method for inspecting scanning antenna, and method for manufacturing scanning antenna |
US10663823B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10707350B2 (en) | 2016-11-09 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10720701B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for driving same |
US10749257B2 (en) | 2016-12-09 | 2020-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and TFT substrate production method |
US10748862B2 (en) | 2016-12-08 | 2020-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and TFT substrate production method |
US10756409B2 (en) | 2015-10-15 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US10756440B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method of manufacturing scanning antenna |
US10756444B2 (en) | 2016-07-26 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and scanning antenna production method |
US10756431B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna, scanning antenna drive method, and liquid crystal device |
US10770792B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10777887B2 (en) | 2015-10-15 | 2020-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
WO2020187178A1 (en) | 2019-03-15 | 2020-09-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Flat-plate, low sidelobe, two-dimensional, steerable leaky-wave planar array antenna |
US10790319B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate and method for producing TFT substrate |
US10811443B2 (en) | 2017-04-06 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, and scanning antenna provided with TFT substrate |
US10811770B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10819006B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US10833422B2 (en) | 2017-03-03 | 2020-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US10840266B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10873128B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US10903247B2 (en) | 2015-12-28 | 2021-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US10937812B2 (en) | 2017-04-07 | 2021-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10957990B2 (en) | 2016-05-30 | 2021-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10985469B2 (en) | 2016-02-19 | 2021-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US10992040B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10998629B2 (en) | 2016-08-08 | 2021-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna |
US11018439B2 (en) | 2017-11-06 | 2021-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and liquid crystal device |
US11024960B2 (en) | 2017-01-13 | 2021-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method of manufacturing scanned antenna |
US11041891B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, method for measuring residual DC voltage in liquid crystal device, method for driving liquid crystal device, and method for manufacturing liquid crystal device |
CN113196457A (en) * | 2018-12-12 | 2021-07-30 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11081810B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanned antenna having TFT substrate |
US11081790B2 (en) | 2016-03-11 | 2021-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method of inspecting scanned antenna |
US11088282B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-08-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US11171161B2 (en) | 2017-04-07 | 2021-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US11217611B2 (en) | 2019-04-09 | 2022-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method for manufacturing same |
US11223142B2 (en) | 2017-06-15 | 2022-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US11239370B2 (en) | 2017-05-31 | 2022-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US11316248B2 (en) | 2018-09-25 | 2022-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and TFT substrate |
US11342666B2 (en) | 2017-02-28 | 2022-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US11349209B2 (en) | 2017-08-09 | 2022-05-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11367965B2 (en) | 2016-08-12 | 2022-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna |
US11387260B2 (en) | 2017-07-12 | 2022-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and manufacturing method of TFT substrate |
US11431106B2 (en) | 2019-06-04 | 2022-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, method for manufacturing TFT substrate, and scanned antenna |
US11462644B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT module, scanned antenna provided with TFT module, method for driving device provided with TFT module, and method for producing device provided with TFT module |
US11502408B2 (en) | 2019-04-25 | 2022-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and liquid crystal device |
US11616305B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11637370B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1127015A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | Superconductive element |
JPH11251823A (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Scanning antenna |
JPH11261324A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Sharp Corp | Microstrip antenna and high-frequency circuit module mounted with the same |
-
2005
- 2005-10-24 JP JP2005308068A patent/JP2007116573A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1127015A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | Superconductive element |
JPH11251823A (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Scanning antenna |
JPH11261324A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Sharp Corp | Microstrip antenna and high-frequency circuit module mounted with the same |
Cited By (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101928440B1 (en) | 2011-11-17 | 2018-12-12 | 삼성전자주식회사 | Tunable terahertz metamaterial filter |
US10720701B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for driving same |
US10170826B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-01-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna using same, and method for manufacturing TFT substrate |
US10756409B2 (en) | 2015-10-15 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
CN107431275A (en) * | 2015-10-15 | 2017-12-01 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and its manufacture method |
CN107431275B (en) * | 2015-10-15 | 2018-11-09 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and its manufacturing method |
US10153550B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna comprising a liquid crystal layer and method for manufacturing the same |
US10777887B2 (en) | 2015-10-15 | 2020-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US10903247B2 (en) | 2015-12-28 | 2021-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US10498019B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
CN107408759A (en) * | 2016-01-29 | 2017-11-28 | 夏普株式会社 | Scanning antenna |
US10177444B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
CN107408759B (en) * | 2016-01-29 | 2018-11-09 | 夏普株式会社 | Scanning antenna |
US10840266B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10985469B2 (en) | 2016-02-19 | 2021-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing same |
US11081790B2 (en) | 2016-03-11 | 2021-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method of inspecting scanned antenna |
US10637141B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna, method for inspecting scanning antenna, and method for manufacturing scanning antenna |
US10573641B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10637156B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US10957990B2 (en) | 2016-05-30 | 2021-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
US10663823B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US10811770B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
KR101803196B1 (en) | 2016-06-28 | 2017-11-29 | 홍익대학교 산학협력단 | System for high gain antenna beam steering using parealectric |
CN109564944B (en) * | 2016-07-19 | 2021-12-28 | 夏普株式会社 | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US10847875B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-11-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate and method for producing TFT substrate |
CN109564944A (en) * | 2016-07-19 | 2019-04-02 | 夏普株式会社 | The manufacturing method of TFT substrate, the scanning antenna for having TFT substrate and TFT substrate |
US10756444B2 (en) | 2016-07-26 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and scanning antenna production method |
US10756431B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna, scanning antenna drive method, and liquid crystal device |
US10770792B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna |
CN109478515B (en) * | 2016-07-29 | 2021-12-28 | 夏普株式会社 | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
CN109478515A (en) * | 2016-07-29 | 2019-03-15 | 夏普株式会社 | The manufacturing method of TFT substrate, the scanning antenna for having TFT substrate and TFT substrate |
US10998629B2 (en) | 2016-08-08 | 2021-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna |
US11367965B2 (en) | 2016-08-12 | 2022-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna |
US10756440B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method of manufacturing scanning antenna |
US10790319B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate and method for producing TFT substrate |
US10707350B2 (en) | 2016-11-09 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US11041891B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, method for measuring residual DC voltage in liquid crystal device, method for driving liquid crystal device, and method for manufacturing liquid crystal device |
US10748862B2 (en) | 2016-12-08 | 2020-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and TFT substrate production method |
US10749257B2 (en) | 2016-12-09 | 2020-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and TFT substrate production method |
US10992040B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna comprising TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US11024960B2 (en) | 2017-01-13 | 2021-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method of manufacturing scanned antenna |
US11342666B2 (en) | 2017-02-28 | 2022-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US10833422B2 (en) | 2017-03-03 | 2020-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US10811443B2 (en) | 2017-04-06 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, and scanning antenna provided with TFT substrate |
US10937812B2 (en) | 2017-04-07 | 2021-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US11171161B2 (en) | 2017-04-07 | 2021-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and method for producing TFT substrate |
US11239370B2 (en) | 2017-05-31 | 2022-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US11223142B2 (en) | 2017-06-15 | 2022-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanning antenna provided with TFT substrate |
US11387260B2 (en) | 2017-07-12 | 2022-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanning antenna provided with TFT substrate, and manufacturing method of TFT substrate |
US11349209B2 (en) | 2017-08-09 | 2022-05-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11462644B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT module, scanned antenna provided with TFT module, method for driving device provided with TFT module, and method for producing device provided with TFT module |
US11081810B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate and scanned antenna having TFT substrate |
US11088282B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-08-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US11018439B2 (en) | 2017-11-06 | 2021-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and liquid crystal device |
US10873128B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US10819006B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, scanned antenna having TFT substrate, and method for manufacturing TFT substrate |
US11316248B2 (en) | 2018-09-25 | 2022-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and TFT substrate |
CN109462009A (en) * | 2018-11-08 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Liquid crystal antenna substrate and preparation method thereof and liquid crystal antenna and preparation method thereof |
US11768393B2 (en) | 2018-11-08 | 2023-09-26 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal antenna substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal antenna and manufacturing method thereof |
CN109462009B (en) * | 2018-11-08 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Liquid crystal antenna substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal antenna and manufacturing method thereof |
WO2020093845A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Liquid crystal antenna substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal antenna and manufacturing method thereof |
US11637370B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
CN113196457A (en) * | 2018-12-12 | 2021-07-30 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11616305B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
CN113196457B (en) * | 2018-12-12 | 2023-06-13 | 夏普株式会社 | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
US11848503B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-12-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna |
EP3928381A4 (en) * | 2019-03-15 | 2022-04-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Flat-plate, low sidelobe, two-dimensional, steerable leaky-wave planar array antenna |
WO2020187178A1 (en) | 2019-03-15 | 2020-09-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Flat-plate, low sidelobe, two-dimensional, steerable leaky-wave planar array antenna |
US11217611B2 (en) | 2019-04-09 | 2022-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and method for manufacturing same |
US11502408B2 (en) | 2019-04-25 | 2022-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanned antenna and liquid crystal device |
US11431106B2 (en) | 2019-06-04 | 2022-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, method for manufacturing TFT substrate, and scanned antenna |
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