KR101928440B1 - Tunable terahertz metamaterial filter - Google Patents

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드미트리 세르게에비치 코즐로프
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미하일 알렉산드로비치 오딧
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Abstract

튜너블 테라헤르츠 물질 필터가 개시된다. 개시된 튜너블 테라헤르츠 물질 필터는 서로 평행하게 배치된 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어와, 상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어 사이에서, 순차적으로 형성된 유전체 기판 및 액정층과, 상기 유전체 기판 및 상기 액정층 사이에 형성된 복수의 금속 스트립과, 상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어에 각각 연결되어 상기 액정층에 전압을 인가하는 제1 제어전극 및 제2 제어전극을 포함한다.
상기 액정층에 인가되는 전압에 따라서 상기 필터의 구동주파수가 조절될 수 있다. A tunable terahertz material filter is disclosed. The disclosed tunable filter material comprises a first grating wire and a second grating wire disposed in parallel with each other, a dielectric substrate and a liquid crystal layer sequentially formed between the first grating wire and the second grating wire, And a plurality of metal strips formed between the liquid crystal layer and a first control electrode and a second control electrode respectively connected to the first grid wire and the second grid wire to apply a voltage to the liquid crystal layer.
The driving frequency of the filter can be adjusted according to the voltage applied to the liquid crystal layer.

Description

튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터{Tunable terahertz metamaterial filter}Tunable terahertz metamaterial filter < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 전자 RF(radio frequency) 기술, 특히 테라헤르츠 전자 자기 방출의 필터링 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an electronic RF (radio frequency) technique, in particular to a filtering device of terahertz electromagnetic emission.

테라헤르츠 (THz) 방사는 단파 고속 접속, 보안, 의약, 산업, 공간 연구 등과 같이 다양한 응용에 대해 연구되고 있다. Terahertz (THz) radiation is being studied for a variety of applications such as shortwave fast access, security, medicine, industry, and space research.

오늘날, 컴팩트 THz 소스와 디텍터의 제조에서 진전이 있으나, 아직 THz 방사를 제어하는 소자인 스위치, 모듈레이터, 위상 천이기(phase shifter)의 제조기술 발전은 미흡하다. 이는 THz 갭 현상에 기인한다. 자연 물질은 THz 방사에 대해서 투명하며 1-3 THz 범위의 강한 자기 반응 또는 전기 반응을 보여주지 못한다. THz 범위에서 적절한 기능을 하게 하기 위해서, 특별한 성질을 가진 인공적 물질을 생성하는 것이 필요하다. Today, advances have been made in the manufacture of compact THz sources and detectors, but the development of fabrication technologies for switches, modulators, and phase shifters, devices that still control THz radiation, are insufficient. This is due to the THz gap phenomenon. The natural material is transparent to THz radiation and does not show strong magnetic or electrical responses in the 1-3 THz range. To make proper function in the THz range, it is necessary to produce artifacts with special properties.

새로운 물질 중, 인공 전자자기 물질인 메타물질(metamaterials:MTM)이 중요한 역할을 한다. 메타물질은 특정 주파수 범위에서 원하는 전자자기 성질을 얻게 한다. 메타물질은 THz 갭 문제를 해결하기 위한 것으로 테라헤르츠 연구 개발을 촉진한다. 전자자기 MTM은 네거티브 또는 제로 유전 및 자기 유전율(permittivity), 네거티브 또는 제로 굴절률, 초 고해상도 효과(superresolution effect)와 클로킹(cloaking)과 같은 다른 성질을 보여준다. 메타물질은 자연 물질의 사용으로 가능하지 않은 THz 조정 소자의 틈새(niche)를 커버할 것으로 기대된다. Of the new materials, metamaterials (MTM), which are artificial electronic materials, play an important role. Metamaterials achieve the desired electron mobility over a certain frequency range. Metamaterials are intended to solve the THz gap problem and promote Terahertz research and development. Electromagnetic MTMs exhibit negative or zero dielectric and other properties such as permittivity, negative or zero refraction, superresolution effects and cloaking. Metamaterials are expected to cover the niche of THz tuning devices that are not possible with the use of natural materials.

특정 성질을 가진 MTM 디자인은 많이 검토되고 있다. 밀리미터 파장과 THz 주파수 범위의 마이크로웨이브 영역에서의 MTM을 실현하는 데 사용되는 구조는 예컨대, 스플리트 링 공명기(split-ring resonator), 공명 유전 인클루젼(resonant dielectric inclusion), 강유전 및 강자성 MTM, 상변화 물질, 다층의 금속-유전체 구조, 액정이 포함된 MTM 구조 등이다. 이들 구조는 튜너블 MTM의 생성에 자주 사용되는 것이다. MTM designs with specific properties are under review. The structures used to realize the MTM in the microwave region in the millimeter wavelength and the THz frequency range include, for example, split-ring resonators, resonant dielectric inclusions, ferroelectric and ferromagnetic MTMs, Phase change materials, multi-layer metal-dielectric structures, and MTM structures including liquid crystals. These structures are often used to generate tunable MTMs.

와이어리스 에너지 전송의 모바일 터미널을 위한 제로 오더의 공명기의 역할을 수행하는 MTM에 기반하는 장치는 선행기술로부터 잘 알려져 있다. 그러한 구조는 예컨대, 미국특허 출원번호 2010/0123530에 잘 개시된다. 이 특허에 제공된 장치는 메타물질의 특성(제로 유전 및 자기 유전율)을 가진다. THz 필터의 통과 주파수 대역(band pass)의 예는 미국 특허 7,483,088에 기술되며, 개시된 장치는 액정을 사용하여 구현한 상 지연에 근거한 주파수-튜닝을 가진 주파수 셀렉터 형태로 제공된다. 미국 특허 7,483,088에 기술된 리오필터(Lyot-filter)는 두개의 굴절률 필터를 나타내며, 가시광 및 자외선 방사 밴드에 광범위하게 적용된다. 상기 필터는 서로 다르게 상대적으로 경사진 광축을 가진 두개의 굴절률 장치의 결합으로 편광 간섭 원리에 근거하여 작용한다. 리오필터는 전자광학 결정과 네마틱 액정과 같은 액티브 phase-slowing-down two-refractive 장치에 사용될 수 있다. Devices based on MTM that act as resonators of zero order for mobile terminals of wireless energy transmission are well known from the prior art. Such a structure is well disclosed, for example, in U.S. Patent Application No. 2010/0123530. The device provided in this patent has the properties of the metamaterial (zero dielectric and magnetic permittivity). An example of a pass band of a THz filter is described in U.S. Patent No. 7,483,088, and the disclosed apparatus is provided in the form of a frequency selector with frequency-tuning based on phase delay implemented using liquid crystals. The Lyot-filter described in U.S. Patent No. 7,483,088 represents two refractive index filters and is widely applied to visible and ultraviolet radiation bands. The filter acts on the basis of polarization interference principle by the combination of two refractive index devices with differently inclined optical axes. The Rio filter can be used for active phase-slowing-down two-refractive devices such as electro-optic crystals and nematic liquid crystals.

그러나 이들 구조는 공명 주파수의 제어에 필요한 높은 자계와 큰 크기의 자석을 필요로 한다. 또한, 필터의 주파수 튜닝은 광학 또는 전기 제어 보다 훨씬 느린 자석의 위치의 기계적 편향(deflection)을 요구한다. 또한, 필터의 삽입 손실이 8 dB 정도로 다소 높다. 또한, 그 구조가 제조하는 데 있어서 매우 복잡하다. However, these structures require a high magnetic field and a large-sized magnet necessary for controlling the resonance frequency. In addition, the frequency tuning of the filter requires mechanical deflection of the position of the magnet much slower than optical or electrical control. Also, the insertion loss of the filter is somewhat high, about 8 dB. Moreover, the structure is very complicated to manufacture.

미국 특허 7,826,504는 반도체 기판 상에 할당된 금속(금) 전기 공명 요소(메타 물질)가 복수로 이루어진 장치를 개시한다. MTM 요소는 이격된 갭을 가진 도전성 프레임 형태의 공명기 또는 도전성 갭을 가진 비도전성 회로의 형태의 이중 구조를 가진다. 두 구조 모두 전송 상수(transfer constant)의 제어를 제공한다. 공명요소의 다양한 형상이 제공되며 비교된다. 포화 범위 또는 전하의 공핍이 갭 영역에 형성된 쇼트키 다이오드는 공명 요소들의 세트로 제조된다. 충전 밀도의 조절은 많은 기존 장치 보다 THz 범위에서 구조의 투명 레벨의 50% 조절로 10 배 우수하다. 개시된 장치는 예를 들어 퀀텀 케스케이드 레이저에 사용할 수 있는 THz 범위에서 방사를 조절하게 한다. U.S. Patent No. 7,826,504 discloses an apparatus comprising a plurality of metal (gold) electrical resonance elements (metamaterials) assigned on a semiconductor substrate. The MTM element has a dual structure in the form of a conductive frame resonator with a spaced gap or a non-conductive circuit with a conductive gap. Both structures provide control of the transfer constants. Various shapes of resonant elements are provided and compared. Schottky diodes in which a saturation range or depletion of charge is formed in the gap region are made with a set of resonant elements. The adjustment of the filling density is 10 times better with 50% adjustment of the transparent level of the structure in the THz range than many conventional devices. The disclosed apparatus allows emission control in the THz range, which can be used, for example, with a quantum cascade laser.

그러나, 미국 특허 7,826,504에 개시된 장치는, 밴드패스 필터의 능력에서 사용되는 장치의 효율이 낮다. 제공된 장치의 선택성(밴드패스 필터의 능력에 사용되는)은 극히 작다. 전송 상수의 전반부의 경사는 작으며, 따라서 특정 길이의 파장의 효율적인 필터링은 제공되지 않는다. 그 외에, 개시된 장치의 주파수 튜닝은 극히 낮다. 또한, 이러한 구조에 사용되는 공명기의 대부분이 이방성이다. 이러한 구조는 THz 범위에서 방사되는 파장의 편광의 특정 형태에서만 효과적으로 사용될 수 있다. However, the device disclosed in U.S. Patent No. 7,826,504 has a low efficiency of the device used in the band-pass filter capability. The selectivity of the provided device (used for the ability of the bandpass filter) is extremely small. The slope of the first half of the transmission constant is small, so efficient filtering of wavelengths of a certain length is not provided. In addition, the frequency tuning of the disclosed device is extremely low. Also, most of the resonators used in this structure are anisotropic. This structure can be effectively used only in certain forms of polarized light at wavelengths emitted in the THz range.

본 개시는 네마틱 액정이 개재된 격자 와이어를 구비한 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터를 제공한다.The present disclosure provides a tunable terahertz meta-material filter with a grating wire interposing a nematic liquid crystal.

일 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 물질 필터는 서로 평행하게 배치된 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어;A tunable terahertz material filter according to one embodiment comprises a first grating wire and a second grating wire disposed parallel to each other;

상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어 사이에서, 순차적으로 형성된 유전체 기판 및 액정층;A dielectric substrate and a liquid crystal layer sequentially formed between the first grating wire and the second grating wire;

상기 유전체 기판 및 상기 액정층 사이에 형성된 복수의 금속 스트립; 및 A plurality of metal strips formed between the dielectric substrate and the liquid crystal layer; And

상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어에 각각 연결되어 상기 액정층에 전압을 인가하는 제1 제어전극 및 제2 제어전극;을 포함한다. And a first control electrode and a second control electrode respectively connected to the first grid wire and the second grid wire to apply a voltage to the liquid crystal layer.

상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자 와이어는 각각 복수의 4각형상의 테두리를 포함하며, Wherein the first grid wire and the second grid wire each comprise a plurality of tetragonal rims,

상기 금속 스트립은 상기 테두리의 영역에 대응되는 영역에 배치된 복수의 금속 스트립을 포함할 수 있다. The metal strip may include a plurality of metal strips disposed in a region corresponding to an area of the rim.

상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자 와이어 사이의 수직 거리는 상기 사각형상의 테두리의 주기와 실질적으로 동일할 수 있다. The vertical distance between the first grating wire and the second grating wire may be substantially the same as the period of the rectangular frame.

상기 수직 거리는 10~100 ㎛일 수 있다. The vertical distance may be 10-100 [mu] m.

상기 금속 스트립은 상기 테두리의 변과 나란한 방향의 십자가 형상일 수 있다. The metal strip may be in the shape of a cross in a direction parallel to the sides of the rim.

상기 제1 제어전극 및 상기 제2 제어전극은 상기 필터의 마주보는 측면에 각각 배치될 수 있다. The first control electrode and the second control electrode may be respectively disposed on opposite sides of the filter.

상기 금속 스트립은 상기 제1 제어전극 및 상기 제2 제어전극으로부터 이격된다. The metal strip is spaced apart from the first control electrode and the second control electrode.

상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자와이어는 그 사이의 수직 거리와 상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자와이어의 단면에 따른 플라즈마 주파수를 가지며, 상기 필터의 구동 주파수는 상기 플라즈마 주파수에 근접한 값을 가질 수 있다. Wherein the first grating wire and the second grating wire have a vertical distance therebetween and a plasma frequency along the cross section of the first grating wire and the second grating wire and the drive frequency of the filter is a value close to the plasma frequency Lt; / RTI >

상기 필터의 구동주파수는 상기 제어전극에 인가되는 전압에 따라 조절된다. The driving frequency of the filter is adjusted according to a voltage applied to the control electrode.

상기 구동주파수는 0,2 - 3 THz 범위일 수 있다. The driving frequency may range from 0,2-3 THz.

상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 1을 넘게 하는 전압일 수 있다. The applied voltage may be a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer exceeds 1.

상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 1-3 범위에서 변하게 하는 전압일 수 있다. The applied voltage may be a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer changes in a range of 1 to 3.

상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 2-3 범위에서 변하게 하는 전압일 수 있다. The applied voltage may be a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer changes in a range of 2-3.

본 발명의 다른 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 물질 필터는 상술한 복수의 튜너블 테라헤르츠 물질 필터가 적층된 구조이다.A tunable terahertz material filter according to another embodiment of the present invention is a structure in which a plurality of tunable terahertz material filters described above are laminated.

본 발명의 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터에 따르면, 조절된 변수를 가진 메타 물질에 근거한 밴드패스 필터가 구현된다. According to the tunable terahertz meta-material filter according to the embodiment of the present invention, a band-pass filter based on a meta-material having a controlled variable is realized.

또한, THz 방사의 고 주파수 선택성을 제공하고, THz 범위의 방사를 위한 높은 투명성을 가진 단순한 구조를 가진다.It also provides high frequency selectivity of THz radiation and has a simple structure with high transparency for THz-range radiation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너블 테라헬쯔 메타물질 필터를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어의 배치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터가 3가지 값의 LC 유전율 ε LC 을 가져 전송 특성이 변하는 것을 보여준다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너블 테라헬쯔 메타물질 필터의 전송 특성을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 1의 필터에서 금속 스트립이 없을 때와 금속 스트립이 있을 때의 전송 특성을 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 튜너블 테라헬쯔 메타물질 필터를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7의 필터의 전송 특성을 보여주는 그래프이다. FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a tuner-bera hectic meta-material filter according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of Fig.
3 is a view showing the arrangement of the first grating wire and the second grating wire in Fig.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the LC dielectric constant 竜 LC So that the transmission characteristics are changed.
FIG. 5 is a graph illustrating transmission characteristics of a tuner-based terahertz meta-material filter according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph showing the transmission characteristics when the metal strip is absent and when the metal strip is present in the filter of FIG. 1; FIG.
FIG. 7 is a perspective view schematically illustrating a tuner-blotterhealthmeta-material filter according to another embodiment of the present invention.
8 is a graph showing transmission characteristics of the filter of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 이하에서 "상" 또는 "위"라는 용어는 어떤 층 위에 직접 접촉되어 배치된 경우뿐만 아니라 접촉되지 않고 떨어져 위에 배치되는 경우, 다른 층을 사이에 두고 위에 배치되는 경우 등을 포함할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size and thickness of each element may be exaggerated for clarity of explanation. The term "upper" or "above" in the following may include not only when placed directly in contact with a certain layer but also when placed on top of other layers without being contacted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 1은 편의상 일부분을 제거한 상태를 보여준다. 도 2는 도 1의 평면도이다. 1 is a perspective view schematically illustrating a tunable terahertz meta-material filter 100 according to an embodiment of the present invention. 1 shows a state in which a part is removed for the sake of convenience. 2 is a plan view of Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 유전체 기판(110) 상에 제1 격자(grid) 와이어(120)가 배치되며, 제1 유전체 기판(110) 상에 제1 격자 와이어(120)를 덮는 제2 유전체 기판(130)이 형성된다. 제2 유전체 기판(130) 상에는 복수의 금속 스트립(140)이 형성된다. 제2 유전체 기판(130) 상에 금속 스트립(140)을 덮는 액정층(150)이 형성된다. 액정층(150) 상에는 제2 격자 와이어(160)가 배치된다. 필터(100)의 마주보는 측면에는 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)와 전기적으로 연결된 제1 제어전극(171) 및 제2 제어전극(172)이 형성된다. 1 and 2, a first grid wire 120 is disposed on a first dielectric substrate 110 and a second grid wire 120 is formed on a first dielectric substrate 110, A second dielectric substrate 130 is formed. A plurality of metal strips 140 are formed on the second dielectric substrate 130. A liquid crystal layer 150 is formed on the second dielectric substrate 130 to cover the metal strips 140. A second grating wire 160 is disposed on the liquid crystal layer 150. A first control electrode 171 and a second control electrode 172 electrically connected to the first grating wire 120 and the second grating wire 160 are formed on the opposite side of the filter 100.

제1 격자 와이어(120)와 제2 격자 와이어(160)는 실질적으로 동일한 도전성 물질로 동일한 형태로 형성될 수 있다. 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)는 각각 복수의 사각형상, 예컨대 정사각형의 테두리를 포함한다. 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)는 구리로 형성될 수 있다. The first grating wire 120 and the second grating wire 160 may be formed of substantially the same conductive material in the same shape. The first grating wire 120 and the second grating wire 160 each include a plurality of rectangular shapes, for example, square rims. The first grating wire 120 and the second grating wire 160 may be formed of copper.

도 3은 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 배치를 보여주는 도면이다. 제1 격자 와이어(120)와 제2 격자 와이어(160)의 z 방향에서의 주기(pz)(거리)와 각 격자 와이어의 사각 테두리의 x방향 주기(px)와 사각 테두리의 y 방향 주기(py)는 서로 동일할 수 있다. 사각 테두리의 x 방향 주기(px)와 사각 테두리의 y 방향 주기(py)는 각각 사각 테두리의 x방향 크기와 사각 테두리의 y 방향 크기와 동일하다. 이 주기는 대략 10~100 마이크로미터일 수 있다. 3 is a view showing the arrangement of the first grating wire 120 and the second grating wire 160. FIG. The period (p z ) (distance) in the z direction of the first grating wire 120 and the second grating wire 160, the x direction period (p x ) of the square rim of each grating wire, and the y direction period (p y ) may be equal to each other. The x-direction period (p x ) of the rectangular frame and the y-direction period (p y ) of the rectangular frame are the same as the x-direction size of the rectangular frame and the y-direction size of the rectangular frame, respectively. This period can be approximately 10 to 100 micrometers.

제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 테두리의 수직 단면은 도 3에서는 직사각형이지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 테두리의 수직 단면은 원형 또는 다른 형상일 수도 있다. 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 테두리의 수직 단면의 크기 (또는 직경)는 수 마이크로미터일 수 있다. 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 테두리는 동일한 형태로 동일하게 형성될 수 있다. The vertical cross section of the rim of the first grating wire 120 and the second grating wire 160 is rectangular in Fig. 3, but the present invention is not limited thereto. For example, the vertical cross-section of the rim of the first grating wire 120 and the second grating wire 160 may be circular or other shapes. The size (or diameter) of the vertical cross section of the rim of the first grating wire 120 and the second grating wire 160 may be several micrometers. The edges of the first grid wire 120 and the second grid wire 160 may be formed in the same shape.

제2 유전체 기판(130)은 삽입 손실이 낮은 유전체로 이루어질 수 있다. The second dielectric substrate 130 may be made of a dielectric material having a low insertion loss.

금속 스트립(140)은 십자가 형상이다. 금속 스트립(140)은 도 2에서 보듯이 제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)의 하나의 사각 테두리에 하나의 금속 스트립(140)이 배치될 수 있다. 각 금속 스트립(140)은 각각 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 금속 스트립(140)은 도 3에서 보듯이, x-y 방향으로 등방성 성질을 제공하기 위해 x-y 방향(사각 테두리의 변 방향)으로 횡단하는 십자가 형상일 수 있다. The metal strips 140 are cross-shaped. As shown in FIG. 2, one metal strip 140 may be disposed on one rectangular edge of the first grid wire 120 and the second grid wire 160. Each metal strip 140 may be disposed in the same direction. The metal strip 140 may be in the shape of a cross that traverses in the x-y direction (the side direction of the rectangular frame) to provide isotropic properties in the x-y direction, as shown in Fig.

액정층(150)은 금속 스트립(140)과 제2 격자 와이어(160) 사이의 공간을 채운다. 액정층(150)은 네마틱 액정으로 이루어질 수 있다. The liquid crystal layer 150 fills a space between the metal strip 140 and the second grid wire 160. The liquid crystal layer 150 may be formed of a nematic liquid crystal.

제1 제어전극(171)과 제2 제어전극(172)은 각각 필터(100)의 측면에 노출된 제1 격자 와이어(120)와 제2 격자 와이어(160)에 전기적으로 연결될 수 있다. The first control electrode 171 and the second control electrode 172 may be electrically connected to the first grating wire 120 and the second grating wire 160 exposed on the side of the filter 100, respectively.

액정층(150)은 제1 제어전극(171) 및 제2 제어전극(172)에 인가된 전압에 의해서 필터(100)의 튜너빌러티(tenability)를 제공한다. 전압인가로 액정 분자가 회전되어 액정층(150)의 유전율이 변경될 수 있다. 제1 제어전극(171) 및 제2 제어전극(172)에 인가되는 전압에 따라서 굴절률이 0.33 이상 변하면, LC의 유전율 ε LC 은 1 이상 변할 수 있다. The liquid crystal layer 150 provides the tenability of the filter 100 by the voltage applied to the first control electrode 171 and the second control electrode 172. [ The application of the voltage causes the liquid crystal molecules to rotate and the dielectric constant of the liquid crystal layer 150 can be changed. When the refractive index changes by 0.33 or more according to the voltage applied to the first control electrode 171 and the second control electrode 172, the dielectric constant? LC of the LC can be changed by 1 or more.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(100)의 3가지 값의 LC 유전율 ε LC 에 대한 전송계수의 절대값을 나타낸다.FIG. 4 is a graph showing the relationship between the three values of the LC of the filter 100 according to an embodiment of the present invention. Dielectric constant 竜 LC ≪ / RTI >

LC 유전율을 2에서 3으로 변경하는 경우, 13% 이상의 튜너빌러티 범위를 제공한다. When changing the LC dielectric constant from 2 to 3, it provides a tunability range of 13% or more.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)의 전송 계수의 절대값을 보여주는 그래프이다. 5 is a graph showing absolute values of transmission coefficients of a tunable terahertz meta-material filter 100 according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 필터(100)는 낮은 THz 범위(0.2-3 THz)에서 작동되었다. Referring to FIG. 5, the filter 100 was operated in the low THz range (0.2-3 THz).

필터(100)의 구동 주파수는 플라즈마 주파수에 대응된다. 플라즈마 주파수 에서 필터(100)의 파장 넘버 kp 는 필터(100)의 기하에 의해 한정되며 M. Hudlicka, J. Machac, I. S. Nefedov, A triple wire medium as an isotropic negative permittivity metamaterial, Progress In Electromagnetics Research, Vol. 65, 233-246, 2006 로부터 알 수 있는 수식에 의해 계산된다. The driving frequency of the filter 100 corresponds to the plasma frequency. The wavelength number k p of the filter 100 at the plasma frequency is defined by the geometry of the filter 100 and is given by M. Hudlicka, J. Machac, IS Nefedov, A triple wire medium as an isotropic negative permittivity metamaterial, Progress In Electromagnetics Research, Vol. 65, 233-246, 2006.

Figure 112012041046046-pat00001
, (1)
Figure 112012041046046-pat00001
, (One)

여기서, p는 격자 와이어 사이의 수직 거리, r은 격자와이어 직경이다. 플라즈마 주파수는 다음 식으로 표현된다:Where p is the vertical distance between the grid wires, and r is the grid wire diameter. The plasma frequency is expressed by the following equation:

Figure 112012041046046-pat00002
, (2)
Figure 112012041046046-pat00002
, (2)

여기서, c는광속, ε h 는격자 와이어가 배치된 유전체 기판의 유전율이다.Here, c is the luminous flux, and? H is the dielectric constant of the dielectric substrate on which the grid wire is disposed.

제1 격자 와이어(120) 및 제2 격자 와이어(160)는 사각, 라운드, 또는 어느 형상의 단면을 가져도 필터(100)의 성질에 영향을 미치지 않는다. THz 주파수를 위해서, 반경 값은 수 마이크로미터이다. The first grating wire 120 and the second grating wire 160 do not affect the properties of the filter 100 even if they have a square, round, or any cross-sectional shape. For THz frequency, the radius value is a few micrometers.

본 발명의 필터(100)에서, 플라즈마 주파수의 영역에서, 격자 와이어는 전송 특성에서 오직 하나의 공명을 가진다(도 5 참조). 이것이 전자자기파가 감쇄 및 반사(attenuation and reflection) 없이 필터(100)를 통과하는 주파수 영역이다 In the filter 100 of the present invention, in the region of the plasma frequency, the grid wire has only one resonance in the transmission characteristic (see FIG. 5). This is the frequency domain where the electromagnetic wave passes through the filter 100 without attenuation and reflection

본 발명의 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)는 제로 오더 공명기와 동일한 원리로 작동하나, 필터(100)의 구동 주파수를 튜닝하는 수단이 장착된다. The tunable terahertz metamaterial filter 100 of the present invention operates on the same principle as the zero order resonator, but equipped with means for tuning the drive frequency of the filter 100.

본 발명의 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)는 외부 전자자기 파장에 의한 편광에 대해서 독립적이다. 이는 본 발명의 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)의 대칭 구조 때문이다. 필터(100)에서의 삽입 손실은 다른 유사 장치 보다 낮다. The tunable terahertz meta-material filter 100 of the present invention is independent of polarization by external electromagnetic waves. This is due to the symmetrical structure of the tunable terahertz meta-material filter 100 of the present invention. The insertion loss in the filter 100 is lower than other similar devices.

또한, THz 범위에서 실행되며, 인가 전압에 따라 특정 주파수에서 반사 또는 투과 모드로 작용하는 것을 제공한다. It is also implemented in the THz range and provides for acting in reflective or transmissive modes at specific frequencies depending on the applied voltage.

본 발명의 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(100)는 격자 와이어(120, 160)의 플라즈마 주파수에 근접한 구동 주파수를 가진다. 밴드패스 필터(100)의 구동 주파수는 인가전압의 변화로 튜닝된다. The tunable terahertz meta-material filter 100 of the present invention has a driving frequency close to the plasma frequency of the grating wires 120 and 160. The driving frequency of the band-pass filter 100 is tuned by the change of the applied voltage.

전압 변화범위에 따라 액정의 유전율이 1 이상, 또는 1-3, 또는 2-3이 될 수 있다. The dielectric constant of the liquid crystal may be 1 or more, or 1-3, or 2-3 depending on the voltage change range.

도 6은 도 1의 필터(100)에서 금속 스트립(140)이 없을 때와 금속 스트립(140)이 있을 때의 전송 계수의 절대값을 보여주는 그래프이다. 금속 스트립(140)의 존재로 필터(100)는 플라즈마 주파수 근처에서 좁은 범위 내에서 전송(transmittance)이 가능해 질 수 있다. FIG. 6 is a graph showing absolute values of transmission coefficients when the metal strip 140 is absent and when the metal strip 140 is present in the filter 100 of FIG. The presence of the metal strip 140 allows the filter 100 to be transmittable within a narrow range near the plasma frequency.

금속 스트립(140)으로 패스밴드 THz 필터(100)의 선택성이 향상된다. 금속 스트립(140)은 플라즈마 주파수 이상의 전송 특성에서 높은 경사와 더 깊은 필터 행동(주파수 선택성)을 제공한다. The selectivity of the passband THz filter 100 is improved by the metal strips 140. The metal strips 140 provide higher slope and deeper filter behavior (frequency selectivity) in transmission characteristics above the plasma frequency.

본 발명의 필터(100)는 네마틱 액정이 개재된 복수의 격자 와이어로 형성된다. 격자 와이어는 근적외선 영역(전자 개스가 플라즈마 성질을 가지는 메탈을 위한 광학 주파수와 비교하여) 또는 테라헤르츠 영역에서 플라즈마 주파수를 가진 인공적 전기 플라즈마를 가진다. 격자 와이어의 플라즈마 주파수에서, 필터(100)의 효과적인 유전율 값은 제로가 되는 경향이며, 필터(100)는 제로 오더 공명 행동을 보여준다. 필터(100)에서, 플라즈마 주파수 근처에서 좁은 범위 내에서 전송이 가능하다. The filter 100 of the present invention is formed of a plurality of grid wires interposed by a nematic liquid crystal. The grating wire has an artificial electrical plasma having a plasma frequency in the near infrared region (compared to the optical frequency for a metal in which the electron gas is plasma-like) or in the terahertz region. At the plasma frequency of the grating wire, the effective dielectric constant value of the filter 100 tends to be zero, and the filter 100 exhibits zero order resonance behavior. In the filter 100, transmission within a narrow range near the plasma frequency is possible.

변경가능한 효과적 유전율을 가진 네마틱 액정의 응용은 플라즈마 주파수의 제어를 제공한다. 네마틱 액정의 유전율은 인가된 전압에 의해 변한다. 본 발명의 택일적 적용에서, 액정의 유전율은 전압이 아니라 온도의 변경으로도 조절된다. The application of nematic liquid crystals with an alterable effective permittivity provides control of the plasma frequency. The permittivity of a nematic liquid crystal varies depending on the applied voltage. In an alternative application of the present invention, the dielectric constant of the liquid crystal is controlled not by the voltage but by the temperature change.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(200)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 7은 편의상 일부분을 제거한 상태를 보여준다. 도 1의 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 도 7을 참조하면, 튜너블 테라헤르츠 메타물질 필터(200)는 두개의 적층된 필터(201, 202)를 포함한다. 필터(202)는 필터(201) 상에 적층된다. 각 필터(201, 201)의 구조는 전술한 필터(100)의 구조와 실질적으로 동일하다.7 is a perspective view schematically illustrating a tunable terahertz meta-material filter 200 according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a state in which a part is removed for the sake of convenience. The same reference numerals are used for components substantially the same as those of the embodiment of FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted. Referring to FIG. 7, the tunable terahertz meta-material filter 200 includes two stacked filters 201 and 202. The filter 202 is laminated on the filter 201. The structure of each of the filters 201 and 201 is substantially the same as the structure of the filter 100 described above.

도 8은 도 7의 필터(200)의 전송 특성을 보여주는 그래프이다. 액정층의 유전율 ε LC 값의 변화에 따라 구동주파수가 변하는 것을 보여준다. 8 is a graph showing transmission characteristics of the filter 200 of FIG. And the driving frequency is changed according to the change of the dielectric constant? LC value of the liquid crystal layer.

LC 유전율을 2에서 3으로 변경하는 경우, 12% 이상의 튜너빌러티 범위를 제공한다. When the LC permittivity is changed from 2 to 3, it provides a tunability range of 12% or more.

도 7에서는 두개의 세트의 필터(201, 202)가 적층되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 3 세트 이상의 필터가 적층되어서 형성될 수도 있다. Although two sets of filters 201 and 202 are stacked in Fig. 7, the present invention is not limited thereto. For example, three or more sets of filters may be stacked.

필터 수가 무한히 많아지면, 플라즈마 주파수 보다 낮은 전자자기파의 전달(propagation)은 없다. 전자자기파는 플라즈마 주파수 이상에서만 전달된다. If the number of filters is infinitely large, there is no propagation of electromagnetic waves below the plasma frequency. Electromagnetic waves are transmitted only above the plasma frequency.

세트의 수가 적은 필터(100)에서, 전송(transmission)은 인접 층과의 교류에 의해 플라즈마 주파수 근처에서 공명 행동을 보인다. 공명 피크의 수는 구조에 사용되는 세트 수에 의존한다(도 8 참조). 도 8에서 n은 필터의 수를 의미한다. 필터가 2개 또는 3개인 경우, 공명 피크는 2 또는 3개가 될 수 있다. In the filter 100 with a small number of sets, the transmission exhibits a resonant behavior near the plasma frequency by alternating with the adjacent layer. The number of resonance peaks depends on the number of sets used in the structure (see FIG. 8). 8, n means the number of filters. If there are two or three filters, the resonance peak may be two or three.

도 7의 필터(200)는 각 필터(201, 202)에 인가되는 전압에 따라서 각각의 필터(201, 202)의 구동주파수가 조절되므로, 도 1의 필터(100)에 비해서 필터(200)의 구동주파수를 미세하게 조절할 수 있다. The filter 200 shown in FIG. 7 is configured such that the driving frequencies of the filters 201 and 202 are adjusted according to the voltages applied to the filters 201 and 202, The driving frequency can be finely adjusted.

지금까지, 발명의 이해를 돕기 위하여 다양한 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 도시되고 설명된 설명에 발명이 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.Various embodiments have been described and shown in the accompanying drawings to facilitate understanding of the invention. It should be understood, however, that such embodiments are merely illustrative of the invention and not limiting thereof. And it is to be understood that the invention is not limited to the description shown and described. Since various other modifications may occur to those of ordinary skill in the art.

100: 필터 110, 130: 유전체 기판
120, 160: 격자 와이어 140: 금속 스트립
150: 액정층 171, 172: 제어전극100: filter 110, 130: dielectric substrate
120, 160: grid wire 140: metal strip
150: liquid crystal layer 171, 172: control electrode

Claims (14)

서로 평행하게 배치된 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어;
상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어 사이에서, 순차적으로 형성된 유전체 기판 및 액정층;
상기 유전체 기판 및 상기 액정층 사이에 형성된 복수의 금속 스트립; 및
상기 제1 격자 와이어 및 제2 격자 와이어에 각각 연결되어 상기 액정층에 전압을 인가하는 제1 제어전극 및 제2 제어전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.A first grating wire and a second grating wire arranged parallel to each other;
A dielectric substrate and a liquid crystal layer sequentially formed between the first grating wire and the second grating wire;
A plurality of metal strips formed between the dielectric substrate and the liquid crystal layer; And
And a first control electrode and a second control electrode respectively connected to the first grating wire and the second grating wire to apply a voltage to the liquid crystal layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자 와이어는 각각 복수의 4각형상의 테두리를 포함하며,
상기 금속 스트립은 상기 테두리의 영역에 대응되는 영역에 배치된 복수의 금속 스트립을 포함하는 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method according to claim 1,
Wherein the first grid wire and the second grid wire each comprise a plurality of tetragonal rims,
Wherein the metal strip comprises a plurality of metal strips disposed in a region corresponding to an area of the rim. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자 와이어 사이의 수직 거리는 상기 4각형상의 테두리의 주기와 실질적으로 동일한 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.3. The method of claim 2,
Wherein the vertical distance between the first grating wire and the second grating wire is substantially equal to the period of the quadrangular rim. 제 3 항에 있어서,
상기 수직 거리는 10~100 ㎛인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method of claim 3,
Wherein the vertical distance is 10 to 100 [mu] m. 제 3 항에 있어서,
상기 금속 스트립은 상기 테두리의 변과 나란한 방향의 십자가 형상인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method of claim 3,
Wherein the metal strip is in the shape of a cross in a direction parallel to the sides of the rim. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 제어전극 및 상기 제2 제어전극은 상기 필터의 마주보는 측면에 각각 형성된 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method according to claim 1,
Wherein the first control electrode and the second control electrode are respectively formed on opposite sides of the filter. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 스트립은 상기 제1 제어전극 및 상기 제2 제어전극으로부터 이격된 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method according to claim 1,
Wherein the metal strip is spaced apart from the first control electrode and the second control electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자와이어는 그 사이의 수직 거리와 상기 제1 격자 와이어 및 상기 제2 격자와이어의 단면에 따른 플라즈마 주파수를 가지며, 상기 필터의 구동 주파수는 상기 플라즈마 주파수에 근접한 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.The method according to claim 1,
Wherein the first grating wire and the second grating wire have a vertical distance therebetween and a plasma frequency along the cross section of the first grating wire and the second grating wire, Beterahertz material filter. 제 7 항에 있어서,
상기 필터의 구동주파수는 상기 제어전극에 인가되는 전압에 따라 조절되는 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.8. The method of claim 7,
Wherein a driving frequency of the filter is adjusted according to a voltage applied to the control electrode. 제 8 항에 있어서,
상기 구동주파수는 0,2 - 3 THz 범위인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.9. The method of claim 8,
Wherein the driving frequency is in the range of 0,2-3 THz. 제 9 항에 있어서,
상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 1을 넘게 하는 전압인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.10. The method of claim 9,
Wherein the applied voltage is a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer exceeds 1. 제 9 항에 있어서,
상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 1-3 범위에서 변하게 하는 전압인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.10. The method of claim 9,
Wherein the applied voltage is a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer changes in a range of 1 to 3. 제 9 항에 있어서,
상기 인가전압은 상기 액정층의 유전율이 2-3 범위에서 변하게 하는 전압인 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.10. The method of claim 9,
Wherein the applied voltage is a voltage at which the dielectric constant of the liquid crystal layer changes in a range of 2-3. 제1항의 튜너블 테라헤르츠 물질 필터가 복수로 적층된 튜너블 테라헤르츠 물질 필터.A tunable terahertz material filter comprising a plurality of the tunable terahertz material filters of claim 1.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2551265C1 (en) * 2013-12-12 2015-05-20 Государственное Научное Учреждение "Институт Физики Имени Б.И. Степанова Национальной Академии Наук Беларуси" Method of determining optical metamaterial and device therefor
KR102466673B1 (en) 2016-01-13 2022-11-14 삼성전자주식회사 Electro-optic tunable filters
RU185342U1 (en) * 2017-12-11 2018-11-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) UHF bandpass filter
CN113381193B (en) * 2020-03-10 2022-06-14 哈尔滨工业大学 Liquid crystal reconfigurable frequency selective surface

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116573A (en) 2005-10-24 2007-05-10 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Array antenna

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2052871C1 (en) * 1992-02-12 1996-01-20 Вячеслав Михайлович Осипенков Strip band-pass filter
RU2259619C2 (en) * 2003-11-13 2005-08-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)") Bandpass filter
WO2008121159A2 (en) * 2006-10-19 2008-10-09 Los Alamos National Security Llc Active terahertz metamaterial devices
RU79718U1 (en) * 2008-06-16 2009-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") MICROWAVE MICROWAVE BAND FILTER FILTER
RU85772U1 (en) * 2008-11-25 2009-08-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Радиокомпоненты" TUNABLE BAND FILTER FILTER

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116573A (en) 2005-10-24 2007-05-10 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Array antenna

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Sungjoon Lim외 2인, "Metamaterial-Based Electronically Controlled ransmission-Line Structure as a Novel Leaky-Wave Antenna With Tunable Radiation Angle and Beamwidth", IEEE MTT, DECEMBER 2004.

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