JP2002217136A - スクライブ方法及びスクライブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スクライブラインの形状制御が可能なスクラ
イブ方法及びスクライブ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の表面にスクライブ針を接触
させ、スクライブ針を半導体基板に対して移動させてス
クライブラインを形成し、スクライブラインの形成後に
スクライブ針を半導体基板の上面から離脱させる工程を
含み、スクライブ針が半導体基板の表面に押しつけられ
る針圧を制御しながらスクライブラインを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板のスク
ライブ方法及びスクライブ装置に関し、特に、スクライ
ブ針の針圧を制御したスクライブ方法及びスクライブ装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は、例えば特開昭５９−９０９４０
号公報や特開昭６０−１２３８６号公報に記載された、
全体が５００で示された従来のスクライブ装置の側面図
である。

【０００３】スクライブ装置５００には、昇降駆動手段
１が設けられている。昇降駆動手段１にはアーム支持部
２に支持されたアーム３が取り付けられている。また、
スクライブ装置５００には、Ｘ−Ｙ方向に移動可能なス
テージ４が設けられている。ステージの上には粘着テー
プ５に張りつけられたレーザーダイオードアレイ素子
（以下、「ＬＤアレイ素子」という。）６が固定されて
いる。ＬＤアレイ素子６はバー状であり、長手方向の両
側面が劈開面となっている。

【０００４】アーム支持部２とアーム３とは、回転軸７
により接続されている。また、アーム３とアーム支持部
２との間には加圧ばね８が設けられている。アーム３の
先端には、ＬＤアレイ素子６にスクライブライン９を形
成するための、スクライブ針１０が設けられている。

【０００５】次に、図７を用いて、従来のスクライブラ
インの形成方法について説明する。従来の方法では、ま
ず、図７（ａ）に示すように、ステージ４上に粘着テー
プ５に張りつけられたＬＤアレイ素子６を固定する。こ
の状態で、昇降駆動手段１が、昇降ガイド１６に沿って
アーム支持部２を下降させる。

【０００６】次に、図７（ｂ）に示すように、スクライ
ブ針１０がＩＤアレイ素子６に接触すると、回転軸７の
回りで、アーム３が接点ストッパ１７から離れて回転
し、加圧ばね８によりスクライブ針１０に針圧が加えら
れる。所定の針圧がスクライブ針１０に加わった状態
で、アーム支持部２の下降が停止する。

【０００７】次に、図７（ｃ）に示すように、ステージ
４を水平に移動させることにより、ＬＤアレイ素子６の
表面に断面が略Ｖ型のスクライブライン９を形成する。

【０００８】最後に、図７（ｄ）に示すように、所定の
長さのスクライブライン９を形成した後に、ステージ４
の移動を停止し、昇降駆動手段１によりアーム２を上昇
させ、ＬＤアレイ素子６の表面からスクライブ針１０を
離す。続いて、矢印１８で示す方向にステージ４を移動
させた後、工程（ａ）〜（ｄ）を再度行うことにより、
次のスクライブライン９を形成する。かかる工程を繰り
返すことにより、複数のスクライブライン９がＬＤアレ
イ素子６上に形成される。

【０００９】スクライブライン９を形成したＬＤアレイ
素子６は、ステージ４から取り外した後、例えば裏面を
ローラ状の治具で押圧することにより、スクライブライ
ン９に沿って分割される。

【００１０】図８（ａ）は、スクライブライン形成工程
における、スクライブ針の位置とスクライブ針の針荷重
との関係である。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）の横
軸に対応するＬＤアレイ素子の位置である。図８（ａ）
（ｂ）からわかるように、スクライブライン形成工程で
は、ＬＤアレイ素子の劈開面から所定の距離だけ離れた
スクライブ開始点にスクライブ針が降ろされて、最大荷
重まで加圧される。続いて、かかる最大荷重を維持した
ままでＬＤアレイ素子が移動し、スクライブラインが形
成される。最後に、スクライブ針がスクライブ終了点に
到達した段階でＬＤアレイ素子が停止し、スクライブ針
が上昇してＬＤアレイ素子から離れ、スクライブライン
の形成が終了する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のスクライブ装置（ポイントスクライバ）では、スクラ
イブ針の針圧が固定されているため、スクライブライン
の形成中にスクライブラインの形状を制御することは困
難であった。このため、特に、スクライブ開始点、スク
ライブ終了点は、スクライブ針の接触、離脱時によりス
クライブラインの形状が変わる特異点となり、スクライ
ブラインに沿ってＬＤアレイ素子を分割する場合に割れ
や欠けが発生する原因となっていた。

【００１２】また、スクライブラインの深さは、スクラ
イブ針を加圧する加圧ばねのコンプライアンスで決まる
ため、ＬＤアレイ素子の厚みのばらつきや粘着テープの
弾性のばらつきによりスクライブラインの深さがばらつ
き、素子を分割する場合に割れや欠けを生じる原因とな
っていた。

【００１３】更に、ＬＤアレイ素子は、母材の材質、基
板上に作製されたエピタキシャル成長層、電極などの状
態によって、最適なスクライブラインの形状が異なって
おり、スクライブラインの形状の制御が望まれる。

【００１４】そこで、本発明は、上記問題を解決するた
めに、スクライブラインの形状制御が可能なスクライブ
方法及びスクライブ装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子が
形成された半導体基板にスクライブラインを形成するス
クライブ方法において、半導体基板の表面にスクライブ
針を接触させ、該スクライブ針を該半導体基板に対して
移動させてスクライブラインを形成し、該スクライブラ
インの形成後に該スクライブ針を該半導体基板の上面か
ら離脱させる工程を含み、該スクライブ針が該半導体基
板の表面に押しつけられる針圧を制御しながら該スクラ
イブラインを形成することを特徴とするスクライブ方法
である。かかる方法を用いてスクライブ針の針圧を制御
することにより、均一な形状のスクライブラインを形成
することができる。この結果、ＬＤアレイ素子の素子分
割時における異常な割れ等の発生を防止して、ＬＤ素子
の製造歩留まりを向上させることができる。また、母材
の材質等に応じて、スクライブラインの形状を変えるこ
とも可能となる。

【００１６】上記スクライブ針の針圧は、上記スクライ
ブラインの形成中に、初期荷重から漸次増加して一定の
最大荷重となり、該最大荷重が維持された後に漸次減少
して最終荷重となるものでも良い。

【００１７】上記スクライブ針の針圧は、上記初期荷重
から直線的に増加して上記最大荷重となり、更に、該最
大荷重から直線的に減少して上記最終荷重となるもので
あっても良い。

【００１８】また、本発明は、上記スクライブライン
が、略一定の深さとなるように上記針圧を制御すること
を特徴とするスクライブ方法でもある。スクライブライ
ンをかかる形状とすることにより、ＬＤアレイ素子の素
子分割時における異常な割れ等の発生を防止できる。

【００１９】また、本発明は、上記スクライブライン
が、少なくとも該スクライブラインの一端に向かって漸
次浅くなるように上記針圧を制御することを特徴とする
スクライブ方法でもある。スクライブラインをかかる形
状とすることにより、特にスクライブラインの端部で発
生する異常な割れ等を防止できる。また、母材の材質に
応じたスクライブラインの形成が可能となる。

【００２０】本発明は、更に、上記スクライブラインの
形状を観察する観察工程と、該観察工程で観察した該ス
クライブラインの形状に基づいて、上記スクライブ針の
上記針圧の制御条件を設定する設定工程とを含むことを
特徴とするスクライブ方法でもある。かかる観察手段と
設定手段を含むことにより、スクライブラインの形状を
より正確に、かつ任意に制御することができる。

【００２１】一のスクライブラインを形成した後に、上
記観察工程と上記設定工程とを行い、続いて、他のスク
ライブラインを形成するものであっても良い。

【００２２】一のスクライブラインの形成中に、上記観
察工程と上記設定工程とを行い、上記設定条件を該一の
スクライブラインの形成に適用するものであっても良
い。

【００２３】また、本発明は、半導体基板の表面にスク
ライブ針でスクライブラインを形成するスクライブ装置
であって、半導体基板を載置するステージと、該半導体
基板の表面に接触させた状態で、該半導体基板に対して
移動してスクライブラインを形成するスクライブ針と、
該スクライブ針が該半導体基板に押しつけられる針圧を
制御する制御手段とを含むことを特徴とするスクライブ
装置でもある。かかるスクライブ装置を用いることによ
り、均一な形状のスクライブラインを形成することがで
きる。従って、ＬＤアレイ素子の素子分割時における異
常な割れ等の発生を防止して、ＬＤ素子の製造歩留まり
を向上させることができる。また、母材の材質に適した
形状のスクライブラインを形成することも可能となる。

【００２４】上記制御手段が、上記スクライブ針が固定
され、かつコイルが設けられたアームと、該アームが回
転軸の回りで動くように支持され、かつマグネットが設
けられたアーム支持部とを含み、該コイルに電流を流す
ことにより発生する磁界と、該マグネットの有する磁界
との相互作用により、該回転軸の回りで該アームを動か
し、該アームに固定された該スクライブ針の上記針圧を
制御することが好ましい。

【００２５】上記制御手段が、上記スクライブ針に取り
つけられたコイルと、該スクライブ針が、その略長手方
向に移動できるように取りつけられ、かつマグネットが
設けられたアームとを含み、該コイルに電流を流すこと
により発生する磁界と、該マグネットの有する磁界との
相互作用により、該スクライブ針を移動させて上記針圧
を制御することが好ましい。

【００２６】上記制御手段は、リニアモータ、特にボイ
スコイル型のリニアモータを含むことが好ましい。より
簡易かつ応答性良く、スクライブ針の針圧制御ができる
からである。

【００２７】また、本発明は、更に、上記スクライブラ
インの形状を観察する観察手段と、該観察手段による観
察結果に基づいて、上記スクライブ針の上記針圧を設定
する設定手段とを含むことを特徴とするスクライブ装置
でもある。

【００２８】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１にかかる、全体が１００で表されるスクラ
イブ装置の概略図である。また、図２は、スクライブ装
置の一部を示したもので、図２（ａ）に側面図、図２
（ｂ）に裏面図を示す。図１、２中、図６と同一符号
は、同一又は相当箇所を示す。

【００２９】図１に示すように、スクライブ装置１００
は、従来のスクライブ装置５００に加えて、スクライブ
ライン観察手段１２を含み、スクライブ針１０によって
形成されるスクライブラインの形状が観察できる。

【００３０】ステージ４に取りつけられたステージ駆動
手段１１と、アーム支持部２に取りつけられた昇降駆動
手段１には、ステージコントローラ２１が接続されてい
る。また、アーム３には、針圧コントローラ２２が接続
されている。また、スクライブライン観察手段１２に
は、画像処理装置２３が接続されている。ステージコン
トローラ２１、針圧コントローラ２２及び画像処理装置
２３は制御装置２４に接続されている。制御装置２４で
は、画像処理装置２３から得られるデータを基に、ステ
ージコントローラ２１、針圧コントローラ２２を制御す
る。

【００３１】また、図２（ａ）（ｂ）に示すように、ア
ーム支持部２にはマグネット１３が設けられ、一方、ア
ーム３にはコイル１４が設けられている。スクライブ装
置１００の停止状態において、アーム３に取り付けられ
たスクライブ針１０の先端は、アーム３の回転軸７の中
心軸と略同一水平面上に位置する。回転軸７は、摩擦フ
リーの状態で軸受１５に支持される。

【００３２】コイル１４に電流を流すと、コイル１４に
発生する磁界とマグネット１３の磁界との相互作用によ
り、アーム３が回転軸７の回りで回転し、ＬＤアレイ素
子６の表面に対して略垂直な方向に、スクライブ針１０
の突端を移動させる。スクライブ針１０の移動距離、即
ち、スクライブ針１０がＬＤアレイ素子６を加圧する針
圧は、コイル１４に流す電流値により、連続的に変化さ
せることができる。

【００３３】次に、図３を用いて、本実施の形態にかか
るスクライブラインの形成方法について説明する。ま
ず、図３（ａ）に示すように、待機状態では、コイル１
４には電流が流されないか、又は極微弱な電流が流さ
れ、アーム２が略水平に保持される。かかる状態では、
アーム２は接点ストッパ１７に接触して静止している。
スクライブ針１０も、ＬＤアレイ素子６から離れた位置
に保持されている。

【００３４】次に、図３（ｂ）に示すように、昇降駆動
手段１が、昇降ガイド１６に沿ってアーム支持部２を下
降させる。スクライブ針１０がＬＤアレイ素子６に接触
すると、アーム２が接点ストッパ１７から離れる。これ
を感知してコイル３に電流を流すと、コイル１４に流れ
る電流により生じた磁界とマグネット６の磁界との間に
相互作用が働き、アーム２に、回転軸７を中心とした回
動モーメントを与える。これにより、スクライブ開始点
において、スクライブ針１０が、ＬＤアレイ素子６の表
面を所定の針圧で加圧する。

【００３５】次に、図３（ｃ）に示すように、ＬＤアレ
イ素子６を搭載するステージ４を移動させて、ＬＤアレ
イ素子６の長手方向に対して略垂直な方向に、スクライ
ブライン９を形成する。スクライブライン９は、ステー
ジコントローラ２１の位置情報に基づいて、コイル３に
流す電流を制御しつつ形成される。スクライブ針１０が
所定の位置まで移動した時点でコイル３に流す電流を次
第に減少させる。

【００３６】最後に、図３（ｄ）に示すように、スクラ
イブ終了点で、昇降駆動手段１がアーム支持部２を上昇
させ、スクライブ針１０をＬＤアレイ素子６の表面から
離す。

【００３７】図４（ａ）は、スクライブライン形成工程
における、スクライブ針の位置とスクライブ針の針荷重
との関係である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）の横
軸に対応するＬＤアレイ素子の位置である。図４（ａ）
の加圧プロファイル１に示すように、ＬＤアレイ素子の
劈開面から所定の距離だけ離れたスクライブ開始点にス
クライブ針が降ろされる。スクライブ開始点では、針荷
重は、所定の初期荷重に設定される。次に、スクライブ
ラインの形成中に荷重が漸次増加し、最大荷重で一定の
荷重に維持される。スクライブラインの形成終了前に、
荷重が漸次減少し、スクライブ終了点では、所定の最終
荷重となる。スクライブ針がスクライブ終了点に到達し
た時点で、ステージの移動が終了するとともに、スクラ
イブ針が上昇してＬＤアレイ素子から離れる。なお、ス
クライブライン形成中の針荷重は、例えば、図４（ａ）
中に示す加圧プロファイル２のように、曲線的に変化さ
せても構わない。

【００３８】一のスクライブラインの形成が終了する
と、スクライブライン観察手段１２によりスクライブラ
インの形状が観察され、観察結果が画像データとして制
御装置２４に送られる。かかる画像データに基づいて、
スクライブラインを形成するために設定したスクライブ
針の針圧や移動速度が適切であったかどうかが判断され
る。かかる判断に基づいて、必要があれば、次のスクラ
イブラインの形成条件が修正される。

【００３９】このように、スクライブラインの形成条件
にフィードバックをかけた後、図３（ａ）〜（ｄ）の工
程を行うことにより、次のスクライブラインが形成され
る。

【００４０】なお、ここでは、一のスクライブラインの
形成後に、スクライブラインを観察し、次のスクライブ
ラインの形成条件を修正したが、スクライブラインの形
成中にリアルタイムでスクライブラインの形状を観察し
て針圧を制御することも可能である。

【００４１】このように、スクライブライン形成時のス
クライブ針の針圧を、例えば、スクライブ開始点とスク
ライブ終了点で小さくなるように制御することにより、
これらの点で特異な形状とならない、均一な形状のスク
ライブラインの形成が可能となる。この結果、スクライ
ブラインに沿ってＬＤアレイ素子を分割する場合に発生
する割れや欠けをなくすことができる。

【００４２】また、コイルに流す電流を変えることによ
りスクライブ針の針圧を任意に設定できるため、例え
ば、粘着テープなどの補助部品の厚み、剛性に影響され
ることなく、形状の一定したスクライブラインを形成す
ることができる。これにより、ＬＤアレイ素子を分割す
る場合に発生する割れや欠けをなくすことができる。

【００４３】また、スクライブラインを形成しながら、
その形状を観察することにより、スクライブラインの形
状に応じて、リアルタイムで針圧を変化させることがで
きる。このため、スクライブラインの形状の変動を修正
でき、形状の一定したスクライブラインを得ることがで
きる。

【００４４】なお、本実施の形態では、ＬＤアレイ素子
６を搭載したステージ４を移動させてスクライブライン
を形成したが、ステージ４を固定し、アーム３等を移動
させて、スクライブラインを形成しても良い。

【００４５】また、本実施の形態では、例えば、球軸受
けを用いてアーム３の回転軸７を支持していたが、静圧
の回転軸受けを用いることにより、回転軸３と軸受け１
５との間の摩擦をほぼ無くすことができ、より微妙な針
圧の制御が可能となる。

【００４６】特に、上述のようなボイスコイル型リニア
モータによって針圧を制御することにより、簡便かつ応
答性よく針圧制御ができ、自由な針圧曲線が得られる。

【００４７】実施の形態２．図５は、本発明の実施の形
態２にかかる、全体が２００で示されるスクライブ装置
の側面図であり、図１と同一符号は、同一又は相当部分
を示す。スクライブ装置２００では、アーム３は、アー
ム支持部２に固定されている。スクライブ針１０は、ア
ーム２に設けられた直動の静圧軸受け２５により支持さ
れている。スクライブ針１０にはコイル２６が設けら
れ、一方、アーム３にはマグネット２７が設けられてい
る。スクライブ針１０のコイル２６に電流を流すことに
より、コイル２６に磁界が発生し、アーム３のマグネッ
トの磁界との相互作用により、スクライブ針１０が移動
する。

【００４８】かかるスクライブ装置２００では、スクラ
イブ針１０とスクライブ針１０に設けられたコイル２６
のみが可動部であるため、上述のスクライブ装置１００
に比べて可動部の質量が大幅に小さくなり、慣性力の影
響を抑えることができる。このため、スクライブ針１０
の針圧のより微妙な制御が可能となる。なお、直動の静
圧軸受け２５には、一般的な他の直動の低摩擦の軸受け
を用いることも可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかるスクライブ装置では、スクライブ針の針圧を制
御して均一な形状のスクライブラインを形成することが
できる。母材の性質に応じてスクライブラインの形状を
変えることもできる。この結果、ＬＤアレイ素子の素子
分割時における異常な割れ等の発生を防止して、ＬＤ素
子の製造歩留まりを向上させることができる。

【００５０】また、スクライブ針の針圧をリニアモータ
で制御するため、微妙な針圧の制御が可能となる。

【００５１】また、スクライブラインの形状を観察しな
がらスクライブラインを形成することにより、スクライ
ブ針の針圧をリアルタイムで制御でき、スクライブライ
ンの形状の制御性が向上する。

【００５２】更に、スクライブ針のみを動かして針圧を
制御することにより、スクライブ針の制御性がより向上
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかるスクライブ装
置の概略図である。

【図２】 本発明の実施の形態１にかかるスクライブ装
置の側面図及び裏面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１にかかるスクライブラ
インの形成工程である。

【図４】 本発明の実施の形態１にかかるスクライブ装
置における針荷重のプロファイルである。

【図５】 本発明の実施の形態２にかかるスクライブ装
置の側面図である。

【図６】 従来のスクライブ装置の側面図である。

【図７】 従来のスクライブラインの形成工程である。

【図８】 従来のスクライブ装置における針荷重のプロ
ファイルである。

【符号の説明】

１ 昇降駆動手段、２ アーム支持部、３ アーム、４
ステージ、５ 粘着テープ、６ ＬＤアレイ素子、７
回転軸、８ 加圧ばね、９ スクライブライン、１０
スクライブ針、１１ ステージ駆動手段、１２ スク
ライブライン観察手段、１３ マグネット、１４ コイ
ル、１５ 軸受け、１６ 昇降ガイド、１７ 接点スト
ッパ、２１ ステージコントローラ、２２ 針圧コント
ローラ、２３ 画像処理装置、２４ 制御装置、１００
スクライブ部装置。

フロントページの続き (72)発明者 原 正一郎 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 宇高 茂晴 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 石井 光男 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 DA32 DA34

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子が形成された半導体基板にス
   クライブラインを形成するスクライブ方法において、 半導体基板の表面にスクライブ針を接触させ、該スクラ
   イブ針を該半導体基板に対して移動させてスクライブラ
   インを形成し、該スクライブラインの形成後に該スクラ
   イブ針を該半導体基板の上面から離脱させる工程を含
   み、 該スクライブ針が該半導体基板の表面に押しつけられる
   針圧を制御しながら該スクライブラインを形成すること
   を特徴とするスクライブ方法。
2. 【請求項２】 上記スクライブ針の針圧が、 上記スクライブラインの形成中に、初期荷重から漸次増
   加して一定の最大荷重となり、該最大荷重が維持された
   後に漸次減少して最終荷重となることを特徴とする請求
   項１に記載のスクライブ方法。
3. 【請求項３】 上記スクライブラインが、略一定の深さ
   となるように上記針圧を制御することを特徴とする請求
   項１に記載のスクライブ方法。
4. 【請求項４】 上記スクライブラインが、少なくとも該
   スクライブラインの一端に向かって漸次浅くなるように
   上記針圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の
   スクライブ方法。
5. 【請求項５】 更に、上記スクライブラインの形状を観
   察する観察工程と、 該観察工程で観察した該スクライブラインの形状に基づ
   いて、上記スクライブ針の上記針圧の制御条件を設定す
   る設定工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の
   スクライブ方法。
6. 【請求項６】 一のスクライブラインを形成した後に、
   上記観察工程と上記設定工程とを行い、続いて、他のス
   クライブラインを形成することを特徴とする請求項５に
   記載のスクライブ方法。
7. 【請求項７】 一のスクライブラインの形成中に、上記
   観察工程と上記設定工程とを行い、上記設定条件を該一
   のスクライブラインの形成に適用することを特徴とする
   請求項５に記載のスクライブ方法。
8. 【請求項８】 半導体基板の表面にスクライブ針でスク
   ライブラインを形成するスクライブ装置であって、 半導体基板を載置するステージと、 該半導体基板の表面に接触させた状態で、該半導体基板
   に対して移動してスクライブラインを形成するスクライ
   ブ針と、 該スクライブ針が該半導体基板に押しつけられる針圧を
   制御する制御手段とを含むことを特徴とするスクライブ
   装置。
9. 【請求項９】 上記制御手段が、 上記スクライブ針が固定され、かつコイルが設けられた
   アームと、 該アームが回転軸の回りで動くように支持され、かつマ
   グネットが設けられたアーム支持部とを含み、 該コイルに電流を流すことにより発生する磁界と、該マ
   グネットの有する磁界との相互作用により、該回転軸の
   回りで該アームを動かし、該アームに固定された該スク
   ライブ針の上記針圧を制御することを特徴とする請求項
   ８に記載のスクライブ装置。
10. 【請求項１０】 上記制御手段が、 上記スクライブ針に取りつけられたコイルと、 該スクライブ針が、その略長手方向に移動できるように
    取りつけられ、かつマグネットが設けられたアームとを
    含み、 該コイルに電流を流すことにより発生する磁界と、該マ
    グネットの有する磁界との相互作用により、該スクライ
    ブ針を移動させて上記針圧を制御することを特徴とする
    請求項８に記載のスクライブ装置。
11. 【請求項１１】 上記制御手段が、リニアモータを含む
    ことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載のス
    クライブ装置。
12. 【請求項１２】 更に、上記スクライブラインの形状を
    観察する観察手段と、 該観察手段による観察結果に基づいて、上記スクライブ
    針の上記針圧を設定する設定手段とを含むことを特徴と
    する請求項８〜１１のいずれかに記載のスクライブ装
    置。