JP2002204793A

JP2002204793A - Ｘ線診断装置

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Publication number: JP2002204793A
Application number: JP2001313105A
Authority: JP
Inventors: Kunio Aoki; 邦夫青木; Michitaka Honda; 道隆本田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-10-10
Filing date: 2001-10-10
Publication date: 2002-07-23
Anticipated expiration: 2021-10-10
Also published as: JP4146113B2

Abstract

(57)【要約】【課題】一時的な感度の低下、あるいは一時的なオフ
セットの上昇が生じた場合でも、適切にＸ線検出器の出
力を補正することにより、良好な画像を取得可能なＸ線
診断装置を実現すること。【解決手段】多いＸ線量にてＸ線照射が行われ、一時
的な感度の低下、あるいは一時的なオフセットの上昇が
生じた場合に、各画素の感度特性、或いはオフセット特
性に基づいて感度補正係数を算出し、データ補正を行う
Ｘ線診断装置である。本Ｘ線診断装置では、データ補正
のための感度補正係数は、少なくとも前回検出された信
号値に基づいて決定する。この感度補正値を各画素から
の出力信号に積算することで、一時的な感度の低下、あ
るいは一時的なオフセットの上昇による影響を取り除
く。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一時的な感度の低
下、あるいは一時的なオフセットの上昇が生じた場合で
も、適切にＸ線検出器の出力を補正することにより、良
好な画像を取得可能なＸ線診断装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＸ線撮像手段としてイメージイ
ンテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）−ＴＶカメラ系を備えた
Ｘ線透視撮影装置が用いられている。このＩ．Ｉ．と
は、図１２にその模式断面図を示すように、入射Ｘ線を
可視光の画像に変換する入力蛍光面８１と、この可視光
の画像の光の強度分布を光電子放出密度分布に変換する
とともに陰極電位が与えられる光電変換膜８２と、光電
変換膜から放出された電子ビームを加速する加速電界を
与える陽極８３と、電子ビームを出力蛍光面に集束させ
る集束電極８４と、加速された電子ビームが入射して再
び光学像に変換される出力蛍光面８５とを備えている。
そして出力蛍光面に形成された光学像は、入力蛍光面の
光学像より数千倍の輝度に増幅される。この輝度増幅さ
れた画像は、テレビカメラを通じてモニタ装置に映し出
したり、画像記録装置に記録される。

【０００３】一方、近年、このＩ．Ｉ．よりも小型、薄
型の観点からＸ線検知部分に半導体を利用したＸ線検出
器が提案されている。

【０００４】この半導体を利用したＸ線検出器の構成と
して、間接変換型Ｘ線検出器（米国特許第４６８９４８
７号）、及び直接変換型Ｘ線検出器（米国特許第５３１
９２０６号）などが提案されている。

【０００５】間接変換型Ｘ線検出器は、Ｘ線を増感紙や
ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）結晶などの化学物質を介して
光に変換し、この光の強度をフォトダイオードの光電変
換作用で電荷に変換し、この電荷を画素毎の容量に蓄積
する。そして、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略
す）マトリックス等のスイッチング手段により蓄積され
た電荷を順次読み出して、チャージアンプ（初段積分ア
ンプとも呼ばれる）により電圧に変換し、この電圧をＡ
／Ｄ変換してディジタル画像信号を得るものである。

【０００６】一方、直接変換型Ｘ線検出器は、図１３に
模式断面図を示すように、高電界下のセレン（Ｓｅ）等
の半導体へ入射したＸ線が直接光電効果により電荷生成
に寄与し、この電荷が画素毎の信号蓄積容量に蓄積され
る。そして、間接変換型と同様に、蓄積された電荷をＴ
ＦＴのスイッチングにより順次読み出し、図示されない
チャージアンプにより電圧に変換し、Ａ／Ｄ変換してデ
ィジタル画像信号を得る。

【０００７】また、上述のようなＸ線検出器を用いて診
断を行う際、Ｘ線検出器に設けられた複数の検出素子の
感度にばらつきがある。この感度のばらつきを是正する
ために、従来では、図１４に示されるように、オフセッ
ト補正テーブル１０２およびゲイン（感度）補正テーブ
ル１０３を用いた補正を行っている。

【０００８】すなわち、ゲイン補正テーブル１０３は、
予めＸ線検出器における感度特性を測定しておき、ピク
セル毎（検出素子毎）に異なる感度補正係数を格納した
ものである。ゲイン補正テーブル１０３は、Ｘ線検出器
の出力に乗算することにより補正された検出値を出力す
る。また、オフセット補正テーブル１０２は、予めＸ線
検出器におけるオフセット特性を測定しておき、ピクセ
ル毎に異なるオフセット補正係数を格納したものであ
る。オフセット補正テーブル１０２は、Ｘ線検出器１０
１の出力から引算を行うことにより補正された検出値を
出力する。

【０００９】しかしながら、本発明者らは、Ｘ線検出
器、中でも特に半導体を用いたＸ線検出器は、所定値以
上の強さのＸ線が入射した場合、Ｘ線の強さに応じて、
一時的に感度が低下し、また一時的にオフセットが上昇
する現象、さらにこれらの現象は時間と共に回復する現
象を発見した。これは、各ピクセルにおいて、感度また
はオフセットが時間的に変化することを意味している。

【００１０】この現象は、Ｘ線の強さの条件、すなわち
Ｘ線管電流と曝射時間との積であるＸ線量が大きく異な
る場合などに顕著に表われる。例えば、比較的弱いＸ線
を連続的に曝射する透視では、曝射時間が長い場合であ
り、また、比較的強いＸ線を断続的に曝射する撮影にお
いては、強Ｘ線を曝射した場合等である。なお、透視と
撮影では、１画素に蓄積される最大電荷量で数百倍の差
がある場合がある。

【００１１】この一時的な感度の低下、オフセットの上
昇は、例えば、透視或いは撮影によって取得された画像
上に、ゴーストと呼ばれる前回に検出したＸ線に基づく
残像を、正規の画像に重畳させる原因となる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
課題を解決し、一時的な感度の低下、あるいは一時的な
オフセットの上昇が生じた場合でも、適切にＸ線検出器
の出力を補正することにより、良好な画像を取得可能な
Ｘ線診断装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次のような手段を講じている。

【００１４】本発明の第１の視点は、入射したＸ線を検
出するＸ線検出器と、少なくとも前回に前記Ｘ線検出器
が検出した信号値に基づいて、前記Ｘ線検出器の特性の
変化を推定する演算器と、前記Ｘ線検出器から出力され
た信号値に対して、前記推定された特性の変化を相殺す
る補正を行う第１の補正装置とを具備することを特徴と
するＸ線診断装置である。

【００１５】本発明の第２の視点は、入射したＸ線を検
出し電気情報を発生する複数の半導体素子を二次元マト
リックス状に配列したＸ線検出器と、少なくとも前回に
前記各半導体素子が検出した信号に基づいて、前記各半
導体素子の特性の変化を推定する演算器と、前記各半導
体素子から出力された信号に対して、前記推定された各
特性の変化を相殺する補正を行う補正装置とを具備する
ことを特徴とするＸ線診断装置である。

【００１６】本発明の第３の視点は、入射したＸ線を検
出し電気情報を発生する複数の半導体素子を二次元マト
リックス状に配列したＸ線検出器と、前記前記各半導体
素子のオフセット特性の変化と感度特性の変化との相関
関係を記憶するメモリと、少なくとも前回に前記各半導
体素子が検出した信号に基づいて、前記各半導体素子の
オフセット特性の変化を推定する第１の演算器と、前記
相関関係に基づいて、推定された前記オフセット特性の
変化から前記前記各半導体素子の感度特性の変化を推定
する第２の演算器と、前記各半導体素子から出力された
信号に対して、前記推定された各感度特性の変化を相殺
する補正を行う補正装置とを具備するＸ線診断装置であ
る。

【００１７】このような構成によれば、一時的な感度の
低下、あるいは一時的なオフセットの上昇が生じた場合
でも、適切にＸ線検出器の出力を補正することにより、
良好な画像を取得可能なＸ線診断装置を実現することが
できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態及び
第２実施形態を図面に従って説明する。なお、以下の説
明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素に
ついては、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にの
み行う。

【００１９】(第１の実施形態)図１は、第１の実施形態
におけるＸ線診断装置１のブロック図である。なお、一
般に、Ｘ線診断装置１には、入射Ｘ線を直接電気信号に
変換する直接型と、入射Ｘ線を一旦光信号に変換した後
電気信号に変換する間接型とがある。説明の簡単のた
め、本実施形態に係るＸ線診断装置１は直接型とする。
しかしながら、本発明の思想は、間接型のＸ線診断装置
にも適用可能である。

【００２０】図１において、Ｘ線診断装置１は、Ｘ線源
であるＸ線管球１１と、Ｘ線管球１１からのＸ線曝射条
件を制御するＸ線曝射制御部１３と、Ｘ線曝射条件選択
部１９と、Ｘ線画像情報を補正し画像表示信号に変換す
る信号処理部２１と、Ｘ線曝射条件を入力するためのキ
ーボード（以下、ＫＢと略す）２３と、Ｘ線画像を表示
するＣＲＴ２５と、Ｘ線固体平面検出器３７とを備えて
構成されている。なお、信号処理部は、データ補正部２
１ａを有している。

【００２１】Ｘ線固体平面検出器３７は、例えば、１０
００×１０００の行列状に配置された各画素に対応する
複数のＸ線変換素子４３と、各Ｘ線変換素子４３のそれ
ぞれに対応して設けられた読出スイッチとしての複数の
ＴＦＴ４１と、各Ｘ線変換素子４３に共通にバイアス電
圧を印加するバイアス電極９５と、各列のＴＦＴ４１の
ゲートに駆動信号を送出するゲートドライバ４５と、各
行のＴＦＴ４１のドレインが共通に接続された初段積分
アンプ７１と、各初段積分アンプ７１の出力を時分割多
重化するマルチプレクサ６１と、マルチプレクサ６１の
出力を増幅するアンプ６３と、アンプ６３の出力をアナ
ログ／ディジタル変換して信号処理部２１へ出力するア
ナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）６５とを備えてい
る。

【００２２】なお、Ｘ線変換素子４３の検出膜には、例
えばアモルファス-セレン膜（以下、ａ-Ｓｅと略す）を
用いる。また、Ｘ線変換素子４３は、Ｘ線を直接電荷に
変換する直接変換型であっても良いし、Ｘ線入射面に形
成された図示されない蛍光体によりＸ線を可視光に変換
し、この可視光の強度分布を電荷に変換する間接変換型
であっても良い。

【００２３】また、初段積分アンプ７１は、差動増幅器
と、コンデンサと、電子的に開閉動作が行われる例えば
相補型ＭＯＳ-ＦＥＴを用いたバイラテラルゲートのよ
うな半導体スイッチとを備えて構成されている。

【００２４】信号処理部２１は、データ補正部２１ａ、
画像表示信号変換部２１ｂを有している。

【００２５】データ補正部２１ａは、各画素の感度の低
下、あるいは一時的なオフセットの上昇による影響を取
り除くため、入力したデータに対して所定の補正処理を
施す。画像表示信号変換部２１ｂは、上記補正後のデー
タを画像表示信号へ変換し、ＣＲＴ２５への出力する。

【００２６】図２は、データ補正部２１ａのブロック図
である。図２に示すように、データ補正部２１ａは、電
子数推定部５１、Ｘ−Ｐ変換部５２、トラップ個数算出
部５３、感度補正係数算出部５４、乗算器５５、メモリ
５６を有している。

【００２７】電子数推定部５１は、ＡＤＣ６５の出力信
号に基づいて１ピクセル内の電子数Ｘ_ｉを推定する。こ
の推定は、メモリ５６に記憶された収集条件に基づいて
実行される。ここで、収集条件とは、１ピクセル内に入
力されるＸ線強度と１ピクセル内に発生する電子数X_iと
の関係を示したものである。この収集条件は、例えば、
検出膜の材質、Ｘ線変換素子４３に印加される電圧等の
ゲインファクターなどから算出することが可能である。
Ｘ−Ｐ変換部５２は、電子数推定部５１において推定さ
れた電子数Ｘ_ｉをに基づいて、後述する電子トラップの
生成確率Ｐ_ｉを算出する。トラップ個数算出部５３は、
Ｘ−Ｐ変換部５２において求められた電子トラップの生
成確率Ｐ_ｉからトラップの個数Ｙ_ｉを求める。感度補正
係数算出部５４は、トラップの個数Ｙ_ｉに基づいて、感
度補正係数１／（１−Ｙ_ｉ／Ｎ）を算出する。ここで、
Ｎは、感度補正係数を求めるために基準とされる、例え
ば１ピクセルの長さの検出膜の分割領域の数を意味す
る。乗算器５５は、算出された感度補正係数１／（１−
Ｙ_ｉ／Ｎ）と各画素データとを乗算して、補正されたデ
ータ値を算出する。メモリ５６は、電子数推定部５１の
各処理において使用される各種パラメータ、１ピクセル
内の電子数Ｘ_ｉを推定するための収集条件、及びＸ−Ｐ
変換部におけるトラップの個数Ｙ_ｉ算出処理において使
用されるＬＵＴ（Look Up Table）等を記憶する。

【００２８】なお、ＬＵＴの構成、その作成例、及びデ
ータ補正部２１ａによって実行されるデータ補正処理に
ついては、後で詳しく説明する。

【００２９】Ｘ線診断装置１の診断における一連の動作
例を説明すると、次のようである。すなわち、Ｘ線撮影
または透視等に際して、まずＣＲＴ２５にメニュー画面
が表示され、このメニューに従って、ＫＢ２３より、管
電圧、管電流、曝射時間等のＸ線曝射条件がＸ線曝射条
件選択部１９に入力される。Ｘ線曝射条件選択部１９
は、入力されたＸ線曝射条件に応じた制御信号をＸ線曝
射制御部１３に出力する。

【００３０】次いで、Ｘ線曝射制御部１３の出力に応じ
て、Ｘ線管球１１からＸ線が曝射されたとき、図示され
ない被検体を透過してＸ線固体平面検出器３７の各画素
に入射したＸ線の強度は、Ｘ線変換素子４３により電荷
に変換され、各Ｘ線変換素子４３に蓄積された電荷量
は、各画素毎に設けられたＴＦＴ４１のスイッチにより
初段積分アンプ７１により電圧に変換される。

【００３１】初段積分アンプ７１の出力は、マルチプレ
クサ６１を介して、アンプ６３で増幅された後、ＡＤＣ
６５に入力され、アナログ／ディジタル変換された後、
信号処理部２１に書き込まれ、データ補正および画像表
示信号の変換を行い、Ｘ線画像がＣＲＴ２５で表示され
る。

【００３２】（電子トラップ）Ｘ線検出器、中でも特に
半導体を用いたＸ線検出器では、所定値以上の強さのＸ
線が入射した場合、Ｘ線の強さに応じて一時的に感度が
低下、あるいは一時的にオフセットが上昇する現象が発
生する。この現象の発生には、電子トラップが影響して
いる考えられる。この電子トラップとは、Ｘ線などの外
部エネルギーによって生じた電子（もしくは正孔）が、
あるエネルギー準位にトラップされることである。以
下、このトラップにより、画素の所定部分に一時的な感
度の低下が発生するメカニズムについて、図３を参照し
ながら定量的に説明する。なお、説明を具体的にするた
め、Ｘ線検出器は直接変換型であるとする。

【００３３】図３は、Ｘ線検出器の検出膜の一部の概念
断面図である。ここでは、説明の簡単のため、１ピクセ
ル分の断面図を示している。図３中の斜線の部分は、１
ピクセルの長さの検出膜をN個の微小領域に分けた場
合、トラップを起こす可能性のある領域（以下、「トラ
ップ可能領域」と称する）である。いま、このトラップ
可能領域の最大個数をM₀個とする。従って、N−M₀個の
領域ではトラップは生じていない。

【００３４】図３において、所定の強さで一回目のＸ線
が照射されると、１つのピクセル内にX₀個の電子（もし
くはホール）が発生する。

【００３５】１ピクセル内には、最大M₀個のトラップ可
能領域がある。このトラップ可能領域が、実際にトラッ
プを発生した領域（以下、「トラップ発生領域」と称す
る）となる確率をP₀とする。このとき、全トラップ発生
領域の数（以下、「トラップ個数」と称する）はM₀P₀個
である。なお、トラップ可能領域がトラップ発生領域と
なる確率P₀は、一般に発生する電子数によって異なる。

【００３６】従って、M₀P₀個のトラップ発生領域がある
場合、検出膜からの出力電子数Z₀はX₀(1-M₀P₀/N)であ
る。

【００３７】ところで、一般に、生じたトラップ個数M₀
P₀は、何らかの作用で時間とともに減衰していくと考え
られる。この減衰は、曲線M_t =M₀P₀exp(-at)に従うと仮
定する。ここで、M_tは時間ｔ経過後におけるトラップ個
数（すなわち、トラップ発生領域の個数）を表す。従っ
て、時刻ｔにおけるトラップ発生領域の数はM_t個であ
り、トラップを発生していないトラップ可能領域の数
は、M₀-Mt個である。

【００３８】一回目のＸ線照射に続き、X₀個ではなくX₁
個の電子を発生させる強さで二回目のＸ線が照射され
る。このＸ線照射によりトラップ可能領域がトラップ発
生領域となる確率をP_１とすれば、上記トラップを発生
していないトラップ可能領域から、(M₀-Mt)P₁個の新し
いトラップ発生領域が発生することとなる。

【００３９】従って、X₁個の電子を発生させる強さのＸ
線が照射された時点で、一回目のＸ線照射と合わせて累
積(M₀-Mt)P₁＋Mt個のトラップ発生領域が存在すること
になる。

【００４０】なお、本実施形態では、説明の簡単の為及
び実用性の観点から、例えばｔを単位時間、つまりｔ＝
１とし、またA＝exp(-a)とする。このとき、時間ｔ経過
後におけるトラップ個数Mtは、Mt=M₀P₀Aとなる。従っ
て、前回のＸ線照射と合わせた累積トラップ発生領域数
Y₁は、Y₁＝M₀P₁＋（1-P₁）M₀P₀Aとなる。

【００４１】以上の結果、二回目のＸ線照射が終了した
時点で、電子トラップにより通過が阻止された電子の数
は、X₁Y₁/Nであり、検出膜から出力される電子数Z₁は、
Z₁＝X₁{1-Y₁/N}である。

【００４２】以下、三回目以降のＸ線照射が実行され、
合計ｉ回のＸ線照射が実行される。各Ｘ線照射において
１ピクセル内に発生する電子数、トラップ生成確率、ト
ラップ個数、出力される電子数および検出器の感度の関
係を、図４に示す。これから明らかなように、所定の時
間tにおけるｉ回目のＸ線照射によって発生する電子数
をX_i、このX_iに応じたトラップ生成確率をP_iとすると、
トラップ個数Y_iはY_i=M ₀P_i+(1-P_i)Y_i-1Aと表すことがで
きる。また、図４に記載されたトラップの個数Y _i= M₀P
₁ +(1-P_i) Y_i-1Aは、回帰型の演算である。

【００４３】上記トラップ個数Y_i=M₀P_i+(1-P_i)Y_i-1Aに
おいて、P_iについては、記述の如く収集条件として予め
決定され、メモリ５６に記憶される。従って、トラップ
の個数を定量的に推定するためには、トラップ可能領域
の最大個数M₀、パラメータA、ａを決定する必要があ
る。これらは、例えば次のようにして決定することがで
きる。

【００４４】すなわち、まず、被検体のいない状態で、
Ｘ線管球１１よりＸ線固体平面検出器３７へ比較的強い
Ｘ線を同じ強さで連続的に曝射する。この時のＸ線の曝
射条件（管電流、管電圧など）および上述の収集条件か
ら、１ピクセル内に発生する電子数Xiを推定することが
できる。

【００４５】しかし、電子トラップにより、出力される
電子数Z_iはXiではなく、上述のようにZ_i=Xi(1-Yi/N)と
なるため、N=1000と仮定した場合には、これらZ_i、Xi、
およびＮから、Yi=N(1-Z_i/Xi)として、Yiを求めること
ができる。なお、Z_iはＸ線検出器の出力から算出するこ
とができる。なお、Nに関しては、必要な精度、計算量
などを考慮して決定すれば良い。Ｎを大きな値にした場
合には、計算量は多くなるが、より精度の高い補正が可
能である。

【００４６】さらにＸ線の曝射を持続させると、ある一
定の値で出力される電子数つまり検出器の出力値が下限
値となるトラップの飽和状態が発生する。これは、電子
トラップが最大に発生した場合を示しており、つまり、
Piがほぼ1となる状態を表している。Ｘ線を連続的に曝
射した場合の時間と出力値の関係をグラフとして、図７
に例示する。

【００４７】この状態において、トラップ個数Y_sは、Pi
=1よりY_s=M₀であるため、M₀=Y_s=N(1-Z_s/X_i)となり、Nを
適当な値、例えば、N=1000とすると、M₀を算出すること
ができる。なお、Z_sは飽和状態の際に検出膜から出力さ
れる電子数である。

【００４８】次に、この状態で、Ｘ線の連続曝射を止
め、比較的長い間隔をもって同じ強さのＸ線を断続的に
曝射する。この時の時間と出力値の関係を測定すると、
例として図８のようなグラフとなる。なお、断続的に表
示されている白丸がＸ線照射時の出力を表す実測値であ
り、実線は補間曲線を表している。

【００４９】ここで、仮に断続的に行われた照射のう
ち、３回の照射ついて考慮する。この３回におけるトラ
ップ個数をそれぞれY_j-1、Y_j、Y_j+1とすると、図４のと
おり、Y_j=M₀P_j+(1-P_j)Y_j-1exp(-at₁)およびY_j+1=M₀P_j+1
+(1-P_j+1)Y_j exp(-at₂)と表される。同一の強さのＸ線
である場合、発生する電子数は同一であるため、トラッ
プ生成確率も同一となり、P_j=P_j+1となる。なおt₁は１
回目と２回目、つまりj-1とjのＸ線照射間隔時間、t₂は
２回目と３回目つまりjとj+1のＸ線照射間隔時間を示し
ている。

【００５０】それぞれのトラップ個数Y_j-1乃至Y_j+1は上
述のように出力される電子数Z_j-1乃至Z_j+1から求めるこ
とができる。従って、Y_j=M₀P_j+(1-P_j)Y_j-1exp(-at₁)お
よびY _j+1=M₀P_j+(1-P_j)Y_jexp(-at₂)の２式から、aを求め
ることができる。

【００５１】また、本実施の形態では、M₀とaを１度の
実験にて、測定する場合を示したが当然にM₀とaはそれ
ぞれ別に測定することも可能である。特にaに関して
は、回復の度合いが測定できる程度であれば、飽和値ま
でＸ線を曝射しなくても良い。

【００５２】（信号処理部によるデータ補正）上記した
様に、トラップ個数Y_i=M₀P_i+(1-P_i)Y_i-1Aより、検出膜
から出力される電子数Z_iは、Z_i＝X_i{1-Y_i/N}と推定され
る。すなわち、各画素から出力される信号値は、電子ト
ラップにより係数{1-Y_i/N}だけの影響をうけることにな
る。従って、この係数を相殺する補正、すなわち、各画
素からの出力値に1/{1-Y_i/N}を積算することで、電子ト
ラップによる影響を排除することができる。このよう
に、電子トラップによる影響を取り除くため、各画素か
らの出力値に積算される係数を、感度補正係数と呼ぶ。
上記例では、感度補正係数は1/{1-Y_i/N}である。

【００５３】この感度補正係数を取得する方法として
は、感度特性に基づく方法とオフセット特性に基づく方
法とがある。感度特性に基づく方法とは、上述で説明し
た様に、入力電子数と電子トラップの影響を受けた出力
電子数とから感度補正係数を直接求める方法である。一
方、オフセット特性に基づく方法とは、オフセット特性
と電子トラップとの相関関係から、感度補正係数を間接
的に求める方法である。

【００５４】以下、本実施形態においては、感度特性に
基づく方法によるデータ補正について、図５及び図６を
参照しながら説明する。なお、オフセット特性に基づく
方法については、第２の実施形態にて説明される。

【００５５】図５は、感度特性に基づく方法によるデー
タ補正を説明するためのフローチャートである。図５に
おいて、まず、所定のシーケンスに従ったＸ線照射が実
行され、Ｘ線信号が検出される（ステップＳ１）。

【００５６】図６は、ステップＳ１のＸ線の照射および
Ｘ線固体平面検出器の出力のタイミングチャートを示し
ている。同図では、Ｘ線の曝射が不定期に与えられてお
り、Ｘ線固体平面検出器の出力は、Ｘ線曝射と同期して
行なわれていない場合を示している。

【００５７】例えば、Ｘ線検出器１からの出力として
は、所定の時間間隔、例えば１０秒〜１分間隔の間に当
てられたＸ線加算あるいは、平均して出力する。なお、
加算もしくは平均して出力を得る方法としては、ゲート
ドライバ４５、初段積分アンプ７１を制御することによ
り行う。

【００５８】次に、図５において、データ補正部２１ａ
は、ＡＤＣ６５から出力された信号およびメモリ５６に
記憶されている収集条件から、検出膜２２の１ピクセル
内に発生する電子数Xiを推定する（ステップＳ２）。

【００５９】ここで、被検体の撮影時におけるX_iの推定
としては、被検体がない場合のように、Ｘ線の曝射条件
から行うのではなく、検出膜から出力される電子数Z_iに
１つ前のデータにおける感度補正係数1/(1-Y_i-1/N)の逆
数を乗算したものを基準とする。つまり、発生する電子
数X_iをZ_i(1-Y_i-1/N)と仮定する。これは、被検体がいな
い場合と異なり、被検体がいる場合では被検体の体内で
Ｘ線が吸収され、どの程度のＸ線がＸ線検出器に到達す
るかを知ることは困難なためである。

【００６０】次に、Ｘ-Ｐ変換部５２にて、メモリ５６
に記憶された所定のルックアップテーブルを用いて、推
定された電子数X_iに対応するトラップ発生確率Piを求め
る（ステップＳ３）。なお、ルックアップテーブルにX_i
と同一の値がない場合、ルックアップテーブル上でX_iと
最も近い値で近似してPiを求めても良い。また、前後の
値から直線補間などを行ってPiを求めても良い。なお、
ルックアップテーブルの作成については後述する。

【００６１】次に、トラップ個数算出部５３にて、上述
の通り、Yi=M₀Pi+(1-Pi)Y_i-1Aなる回帰型演算を行なっ
て現在のトラップ数Yiを求める（ステップＳ４）。な
お、この演算には、メモリ５６に記憶されたパラメータ
M₀、a、および１つ前のサンプリングの際に既に算出さ
れたY_i-1が使用される。

【００６２】次に、感度補正係数算出部５４にて、感度
補正係数を1/（1-Yi/N）が算出される（ステップＳ
５）。この感度補正係数の算出方法は、上述した通りで
ある。

【００６３】最後に、乗算器５５にて、感度補正係数を
Ｘ線検出器の元の出力に乗算させることにより、感度補
正が行われる（ステップＳ６）。

【００６４】以下、感度補正されたデータ信号は、画像
表示信号変換部２１ｂにて画像表示信号へ変換される。
ＣＲＴ２５は、入力した表示信号に基づいて、Ｘ線画像
を表示する。

【００６５】（ＬＵＴの作成例）メモリ５６に予め記憶
され、上記データ補正処理において使用されるＬＵＴに
ついて詳しく説明する。上記データ補正処理で用いられ
るルックアップテーブルとは、具体的にはX_iとPiの関係
を記載したものであり、例えば次の様にして作成され
る。

【００６６】まず、M₀を求める場合と同様に、被検体の
いない状態で、Ｘ線の曝射条件等から、１ピクセル内に
発生する電子数Xiを推定する。

【００６７】トラップ個数Yiに関しては、Yi=M₀Pi+(1-P
i)Y_i-1Aであるが、時間が経過し感度がほぼ回復した状
態では、トラップされた状態がなくなり、つまりトラッ
プ個数Y_i-1=0とすることができ、Yi=M₀Piである。従っ
て、すでに求められているM₀と、実際の出力値から求め
られるZ_iから得られるY_iからP_i=Y_i/M₀としてP_iを求める
ことができる。

【００６８】このように、その都度、感度がほぼ回復し
た状態で、Ｘ線の強度を変化させて、Ｘ線検出器の出力
を複数回測定を行うことにより、発生する電子数X_iとト
ラップ生成確率Piの関係を求めることが可能であり、こ
れを記録したものが、ルックアップテーブルである。

【００６９】以上が、被検体の撮影等を行う前に、メモ
リ５６に記憶させておく情報であり、これらの情報を使
用して、被検体の撮影等を行う。なお、ここで記憶され
た情報は操作者自ら求めても良いし、予め装置の出荷時
にハードディスク、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤなどの記憶媒体に
保存させておいても良い。なお、定期的に検査を行い、
これらの記憶された情報を更新すると、より正確な補正
が可能となる。

【００７０】（変形例）次に、第１の実施の形態におけ
る第１の変形例について説明する。第１の実施の形態に
では検出膜２２の性質として、トラップ数が時間と共に
単に減少していく例をしめした。これに対し、本変形例
では、この現象の過程でトラップされていた電子を放出
するような例を示す。このトラップされた電子が時間と
共に放出されるモデルは、オフセットの増加を加味した
モデルであると考えることができる。

【００７１】本変形例では、検出膜２２から放出される
電子はトラップ数に比例した成分とする。つまり、検出
膜の1ピクセルから出力される電子数は、ひとつ前の時
刻のトラップ数Y_i-1に比例した電子数、BY_i-1が加わ
り、X_i（1-Y_i/N）＋BY_i-1として感度を計算すればよ
い。なお、ここで、Ｂ≧０とする。

【００７２】このＢの求め方は、第１の実施の形態で用
いた検出器の感度が飽和した状態を使用する。具体的に
は、第１の実施の形態と同様、図６で示したように、Ｘ
線の曝射を連続的に行い、検出器から出力される電子数
Z_iを求める。このZ_iは、上述のようにZ_i=X_i（1-Y_i/N）
＋BY_i-1とすることができ、また検出器の感度が飽和し
た状態では、Y_i≒Y_i-1およびY_i-1=M₀であるため、Z_i=X_i
（1-M₀/N）＋BM₀である。

【００７３】このように、検出器の感度が飽和した状態
で、次にＸ線の曝射を止める。すると、Ｘ線の曝射がな
いため検出膜には電子数が発生せず、つまり、X_i=0とす
ることができる。この時の検出器からはわずかにオフセ
ット分だけ電子が出力され、この電子数Z'_iはM₀Bとする
ことができる。つまり、Z'_i=M₀Bである。

【００７４】従って、これを上述のZ_i=X_i（1-M₀/N）＋B
M₀に代入すると、M₀=N{1-(Z_i-Z'_i)/X_i}となり、M₀を求
めることができ、B=Z'_i/M₀からＢを求めることが可能で
ある。

【００７５】求められたＢに関しては、第１の実施の形
態と同様、メモリ５６に記憶され、使用される。

【００７６】本変形例では、トラップされた電子が時間
と共に放出される場合であり、オフセットの上昇を加味
した、より厳密な補正を行うことが可能である。

【００７７】なお、この他にも多数の変形例を考えるこ
とができ、例えば放出される電子数がトラップ数に比例
するのではなく、トラップ数の変化に比例するモデル、
つまり、Z_i=X_i（1-Y_i/N）＋B'(Y_i-1-Y_i)のように考える
ことも可能である。これらのモデルの選択は、実験によ
り適当なモデルを定めても良いし、また計算の量、回路
の複雑性などを鑑みて決定しても良い。

【００７８】例えば、第１の実施の形態と本変形例を比
較してみると、本変形例では、Ｂを用いる分だけ、計算
の量としては多いと考えることができるが、一方オフセ
ットを加味した補正が可能である。

【００７９】また、モデルの中でも、第１の実施の形態
および変形例のような回帰型演算の出力に基づいて、感
度補正またはオフセット補正を行なうものは極めて応用
範囲が広く、また、簡単な回路で感度、オフセットの劣
化を補正することが可能である。

【００８０】また、第１の実施の形態および変形例で
は、初期状態のトラップ個数を０である、つまり、Y₀=M
₀P₀としたが、この他にも、以前に行なわれた最後のY'_i
の値に設定しても良い。

【００８１】ただし、この場合は以前に演算された時刻
と、現在の時刻との間の経過時間Tに基づいてY'_iの値を
多少変更した方が良い。

【００８２】あらかじめ検出膜の性質を測定しておき、
通電の状態に応じてトラップ数がどのように変化するか
を測定しておけばこの変更は可能である。

【００８３】例えばトラップ数が1時間あたり１％自然
減少することが測定で得られたとすれば、経過時間T
（時間）ではexp(-0.01T)のトラップ数の減少が見込ま
れるので、トラップ個数の初期値は、Y₀=M₀P₀+exp(-0.0
1t) Y'_iとして演算を開始することができる。

【００８４】なお、特にＸ線検出器の中でも一般にＸ線
平面検出器と呼ばれるものについて説明したが、特に検
出素子の並びなどに限定されるものではない。

【００８５】また、第１の実施の形態および変形例で
は、Ｘ線の曝射と、検出器出力は同期させない場合を示
したが、同期させても良い。

【００８６】また、なお、検出膜の性質については、第
１の実施の形態および変形例の２つの場合を示したが、
特に検出膜の性質を限定するものではなく、上記で説明
したモデルを多少変更して用いる場合が有効な場合もあ
る。

【００８７】さらに、それぞれの実施の形態および変形
例では、ハードウェアによって、感度補正を行う方法を
示したが、これらを全て、あるいは一部のみソフトウェ
ア上で行っても良い。

【００８８】次に、上記のように構成したＸ線診断装置
１によって得られる効果をについて、幾つかの例を挙げ
て説明する。

【００８９】まず、頸部を撮影した後、腹部を透視する
場合に得られる効果について説明する。

【００９０】従来のＸ線診断装置において、強いＸ線を
照射して図９に示すような頸部画像を撮影する。このと
き、領域ＡおよびＢは、被検体を透過せずに直接曝射さ
れたＸ線に基づいて画像化された領域である。従って、
被検体を透過してＸ線が入射した領域Ｃに比較して、こ
の領域ＡおよびＢには強いＸ線が照射される。その結
果、領域ＡおよびＢでは、一時的に領域Ｃよりも感度が
低下し、またオフセットが増加する。

【００９１】このような感度の低下、及びオフセットの
増加が発生した状態で、弱いＸ線を照射して図１０に示
すような腹部の透視画像を取得すると、透視画像には、
図１０に示すように前回の撮影画像がゴーストＧとして
重畳する場合がある。これは、特に領域Ａ及びＢに存在
する画素が、前回の撮影にて検出した信号の影響を受け
るためである。

【００９２】これに対し、本Ｘ線診断装置１では、各画
素の出力値に対して、前回検出された信号の影響を取り
除くデータ補正を行うので、図１０に示すようなゴース
トＧを取り除くことができる。

【００９３】次に、長時間透視を行う場合に得られる効
果について説明する。

【００９４】透視は比較的弱いＸ線を用いるため、撮影
に比べてコントラスト差が小さい。従って、撮影による
感度の低下またオフセットの増加に対して、例えば、図
１０に示されるように、領域Ａと領域Ｃ、あるいは領域
Ｂと領域Ｃは異なった輝度の画像を形成してしまうな
ど、著しく影響を受けることが考えられ、適切な画像を
表示することができない場合がある。なお、この例で
は、さらに、透視で使用されることがあるカテーテル
（実線で示されている）が被検体に挿入された場合を示
している。なお、このカテーテルは被検体の領域Ａと領
域Ｃをまたいで存在する場合を示しており、カテーテル
の領域Ａは領域Ｃに比べて、輝度が暗く表示される。

【００９５】このような場合においても、本Ｘ線診断装
置１では、各画素の出力値に対して、前回検出された信
号の影響を取り除くデータ補正を行うので、図１０に示
すような輝度の変化を取り除くことができる。

【００９６】また、透視と撮影を連続して行う場合だけ
でなく、他にも、例えばコリメータなどを用いて撮影を
行った場合、Ｘ線検出器上のコリメータによりＸ線が遮
断された領域と遮断されていない領域の感度は、著しく
異なることになり、コリメータを交換した際などには、
上述のように適切な画像を表示することができない場合
がある。

【００９７】また、撮影と透視を連続的に行う場合、あ
るいはコリメータを交換する場合以外にも、撮像する位
置が単に違うだけで、筋肉と骨などＸ線の透過率が異な
り、同様の問題が生じる可能性がある。

【００９８】以上詳細に説明したように、本Ｘ線診断装
置によれば、検出器の感度およびオフセットのうち少な
くとも１つを時間的な変化を考慮して補正することがで
き、検出器感度のばらつきの影響を軽減させて、測定を
行うことができる。従って、良好な画像を提供すること
が可能である。

【００９９】また、検出器の感度が時間的に変化した場
合でも、この感度に応じた補正を行うことにより、良好
な画像を提供することが可能である。

【０１００】(第２の実施形態)第２の実施形態は、オフ
セット特性との相関関係から感度補正係数を取得し、こ
れによってデータを補正するＸ線診断装置について説明
する。なお、以下の説明においては、電子トラップによ
って発生するゴースト画像を取り除くための補正を、
「ゴースト補正」と称する。

【０１０１】図１１は、データ補正部２１ａの第２の実
施形態におけるブロック図である。図１１に示すよう
に、データ補正部２１ａは、オフセット画像保持部１３
１、初期オフセット保持部１３２、減算器１３３、減算
器１３４、ゴースト補正係数算出部１３５、初期感度補
正係数保持部１３６、乗算器１３７、乗算器１３８を有
している。

【０１０２】オフセット画像保持部１３１は、Ｘ線曝射
直前のオフセット画像（以下、第１のオフセット画像と
称する）データを保持する。ここで、オフセット画像と
は、Ｘ線曝射を伴わないでＸ線平面検出器３７が検出す
る画像である。すなわち、Ｘ線平面検出器３７において
各画素が有する暗電流や各積分アンプが有するオフセッ
ト、Ｘ線発生系からの暗流Ｘ線等を原因として、Ｘ線が
曝射されていない状態で検出される電気信号のバックグ
ラウンドに基づく画像である。このオフセット画像に
は、それ以前のＸ線曝射によって生じたオフセット成分
の増加分が含まれている。

【０１０３】初期オフセット画像保持部１３２は、Ｘ線
の曝射によるオフセット成分の増加を含んでいない状態
でのオフセット画像（以下、第２のオフセット画像と称
する）データを保持する。

【０１０４】第１の減算器１３３は、ＡＤＣ６５から出
力されたX線画像データから、オフセット画像保持部１
３１に保持されたX線曝射直前に格納されたオフセット
画像データを減算することで、オフセット補正を施す。

【０１０５】第２の減算器１３４は、第１のオフセット
画像から第２のオフセット画像を減算して、画像間の差
分を求める。この差分は、それ以前のX線曝射によって
生じたオフセット成分の増加分である。

【０１０６】ゴースト補正係数算出部１３５は、あらか
じめ求められたオフセット成分の増加分と感度低下の相
関関係によって求めた感度補正係数（以下、「第１の感
度補正係数」）を格納している。具体的には、ゴースト
補正係数算出部１３５は、例えばＬＵＴ（Look Up Tabl
e）である。ゴースト補正係数算出部１３５は、格納す
るオフセット成分の増加分と感度低下の相関関係に基づ
いて、入力したオフセット成分の増加分から感度低下分
を補正する第１の感度補正係数を算出して出力する。

【０１０７】初期感度補正係数保持部１３６は、Ｘ線の
曝射による感度低下を含んでいない状態での感度補正係
数（以下、「第２の感度補正係数」）を保持している。
当該第２の感度補正係数をＸ線画像データに積算するこ
とで、Ｘ線曝射を原因としない感度変化を補正すること
ができる。

【０１０８】第１の乗算器１３７は、初期感度補正係数
保持部１３６からの第２の感度補正係数と、ゴースト補
正係数算出部１３５からの第１の感度補正係数とを掛け
合わせる。

【０１０９】第２の乗算器は、第１の減算器１３３から
入力したX線画像データに対して、第１の乗算器１３７
から入力した第２の感度補正係数と第１の感度補正係数
との積値を掛け合わせる。

【０１１０】次に、上記構成によるデータ補正部２１ａ
によって実行される、データ補正処理を説明する。

【０１１１】まず、ＡＤＣ６５から出力されたX線画像
データは、第１の減算器１３３において、オフセット画
像保持部１３１に保持されX線曝射直前に収集されたオ
フセット画像データによってオフセット補正が施され
る。

【０１１２】続いて、第２の乗算器１３８において、第
１の乗算器１３７から入力した第２の感度補正係数と第
１の感度補正係数との積値を掛け合わせることで、初期
感度の補正、及びゴースト補正が施される。

【０１１３】第２の乗算器１３８にて補正を受けたＸ線
画像データは、画像表示信号に変換され、Ｘ線画像とし
てＣＲＴ２５に表示される。

【０１１４】このような構成によっても、第１の実施形
態と同様の効果を得ることができる。

【０１１５】なお、第１の実施形態にて説明した各変形
についても、第２の実施形態に係るＸ線診断装置に適用
可能である。

【０１１６】以上、本発明を実施形態に基づき説明した
が、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各
種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら
変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するもの
と了解される。

【０１１７】また、各実施形態は可能な限り適宜組み合
わせて実施してもよく、その場合組合わせた効果が得ら
れる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含
まれており、開示される複数の構成要件における適宜な
組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実
施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削
除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた
課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果
の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が
削除された構成が発明として抽出され得る。

【０１１８】

【発明の効果】以上本発明によれば、一時的な感度の低
下、あるいは一時的なオフセットの上昇が生じた場合で
も、適切にＸ線検出器の出力を補正することにより、良
好な画像を取得可能なＸ線診断装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、第１の実施形態におけるＸ線診断装置
１のブロック図である。

【図２】図２は、データ補正部２１ａのブロック図であ
る。

【図３】図３は、Ｘ線検出器の検出膜の一部の概念断面
図である。

【図４】図４は、合計ｉ回のＸ線照射において１ピクセ
ル内に発生する電子数、トラップ生成確率、トラップ個
数、出力される電子数および検出器の感度の関係を示し
ている。

【図５】図５は、感度特性に基づく方法によるデータ補
正を説明するためのフローチャートである。

【図６】図６は、Ｘ線の照射およびＸ線固体平面検出器
の出力のタイミングチャートを示している。

【図７】図７は、Ｘ線曝射時間と画素からの出力値との
関係を表したグラフである。

【図８】図８は、回復時間と画素からの出力値との関係
を表したグラフである。

【図９】図９は、実施形態に係るＸ線診断装置１の効果
を説明するための図である。

【図１０】図１０は、実施形態に係るＸ線診断装置１の
効果を説明するための図である。

【図１１】図１１は、データ補正部２１ａの第２の実施
形態におけるブロック図である。

【図１２】図１２は、イメージインテンシファイアの模
式断面図を示している。

【図１３】図１３は、従来のＸ線診断装置の一部ブロッ
ク図を示している。

【図１４】図１４は、直接変換型のＸ線平面検出器の断
面図を示している。

【符号の説明】

１…Ｘ線診断装置１１…Ｘ線管球１３…Ｘ線曝射制御部１９…Ｘ線曝射条件選択部２１…信号処理部２１ａ…データ補正部２１ｂ…画像表示信号変換部２２…検出膜２３…キーボード２５…ＣＲＴ３７…Ｘ線平面検出器４１…ＴＦＴ４３…Ｘ線変換素子４５…ゲートドライバ５１…電子数推定部５２…Ｐ変換部５３…トラップ個数算出部５４…感度補正係数算出部５５…乗算器５６…メモリ６１…マルチプレクサ６３…アンプ６５…アナログデジタルコンバータ７１…初段積分アンプ１３１…オフセット画像保持部１３２…初期オフセット画像保持部１３３、１３４…減算器１３５…ゴースト補正係数算出部１３６…初期感度補正係数保持部１３７、１３８…乗算器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/14 Ａ６１Ｂ 6/00 ３５０Ｚ５Ｃ０７２Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ 1/04 Ｈ０４Ｎ 1/04 ＥＦターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ05 LL15 LL17 4C093 AA01 AA30 CA01 EB12 EB13 EB17 EE01 FC03 FC18 FC19 FD01 FD20 4M118 AA05 AB01 BA05 CA02 CA11 CB05 CB11 DD09 DD10 FB03 FB09 FB13 GA10 5B047 AA17 AB02 BA02 BB04 BC01 BC14 BC23 CB22 DA06 DC09 5C051 AA01 BA02 DA06 DB01 DB07 DB28 DC02 DC03 DC07 DE17 5C072 AA01 BA20 CA20 EA08 UA05 UA17 VA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入射したＸ線を検出するＸ線検出器と、少なくとも前回に前記Ｘ線検出器が検出した信号値に基
づいて、前記Ｘ線検出器の特性の変化を推定する演算器
と、前記Ｘ線検出器から出力された信号値に対して、前記推
定された特性の変化を相殺する補正を行う第１の補正装
置と、を具備することを特徴とするＸ線診断装置。
【請求項２】前記Ｘ線検出器の特性の変化は、感度特性
であることを特徴とする請求項１記載のＸ線診断装置。
【請求項３】前記Ｘ線検出器の特性の変化は、オフセッ
ト特性であることを特徴とする請求項１記載のＸ線診断
装置。
【請求項４】前記Ｘ線検出器は、Ｘ線検知部分に半導体
を利用したＸ線検出器であることを特徴とする請求項１
記載のＸ線診断装置。
【請求項５】前記Ｘ線検出器は、直接変換型の検出器で
あることを特徴とする請求項４記載のＸ線診断装置。
【請求項６】前記半導体検出器は、セレンを有すること
を特徴とする請求項５記載のＸ線診断装置。
【請求項７】前記Ｘ線検出器による前回の信号値検出時
からの経過時間に基づいて、少なくとも前回に前記Ｘ線
検出器が検出した信号値を補正する第２の補正装置をさ
らに具備することを特徴とする請求項１記載のＸ線診断
装置。
【請求項８】入射したＸ線を検出し電気情報を発生する
複数の半導体素子を二次元マトリックス状に配列したＸ
線検出器と、少なくとも前回に前記各半導体素子が検出した信号に基
づいて、前記各半導体素子の特性の変化を推定する演算
器と、前記各半導体素子から出力された信号に対して、前記推
定された各特性の変化を相殺する補正を行う補正装置
と、を具備することを特徴とするＸ線診断装置。
【請求項９】前記各半導体素子の特性の変化は、感度特
性であることを特徴とする請求項８記載のＸ線診断装
置。
【請求項１０】前記各半導体素子の特性の変化は、オフ
セット特性であることを特徴とする請求項８記載のＸ線
診断装置。
【請求項１１】前記複数の半導体素子は、入射したＸ線
を直接電気信号に変換する直接変換型の素子であること
を特徴とする請求項８記載のＸ線診断装置。
【請求項１２】前記各半導体素子は、セレンを使用した
検出膜を有することを特徴とする請求項８記載のＸ線診
断装置。
【請求項１３】前記前記各半導体素子による前回の信号
値検出時からの経過時間に基づいて、少なくとも前回に
前記前記各半導体素子が検出した各信号値を補正する第
２の補正装置をさらに具備することを特徴とする請求項
８記載のＸ線診断装置。
【請求項１４】入射したＸ線を検出し電気情報を発生す
る複数の半導体素子を二次元マトリックス状に配列した
Ｘ線検出器と、前記前記各半導体素子のオフセット特性の変化と感度特
性の変化との相関関係を記憶するメモリと、少なくとも前回に前記各半導体素子が検出した信号に基
づいて、前記各半導体素子のオフセット特性の変化を推
定する第１の演算器と、前記相関関係に基づいて、推定された前記オフセット特
性の変化から前記前記各半導体素子の感度特性の変化を
推定する第２の演算器と、前記各半導体素子から出力された信号に対して、前記推
定された各感度特性の変化を相殺する補正を行う補正装
置と、を具備するＸ線診断装置。
【請求項１５】前記複数の半導体素子は、入射したＸ線
を直接電気信号に変換する直接変換型の素子であること
を特徴とする請求項１４記載のＸ線診断装置。
【請求項１６】前記各半導体素子は、セレンを使用した
検出膜を有することを特徴とする請求項１４記載のＸ線
診断装置。
【請求項１７】前記前記各半導体素子による前回の信号
値検出時からの経過時間に基づいて、少なくとも前回に
前記前記各半導体素子が検出した各信号値を補正する第
２の補正装置をさらに具備することを特徴とする請求項
１４記載のＸ線診断装置。