JP2002203224A - Data carrier module used for both contact type and non- contact type - Google Patents

Data carrier module used for both contact type and non- contact type

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JP2002203224A
JP2002203224A JP2001325971A JP2001325971A JP2002203224A JP 2002203224 A JP2002203224 A JP 2002203224A JP 2001325971 A JP2001325971 A JP 2001325971A JP 2001325971 A JP2001325971 A JP 2001325971A JP 2002203224 A JP2002203224 A JP 2002203224A
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coil
semiconductor chip
data carrier
carrier module
terminal
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持 悟 倉
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data carrier module to be used for both a contact type and a non-contact type which is excellent in versatility and can satisfy need for a security property. SOLUTION: This data carrier module has a base material, a semiconductor chip mounted on the base material, a coil connected to the semiconductor chip and to perform communication in a non-contact manner by electromagnetic coupling with an external booster antenna part, and contact terminal parts connected to the semiconductor chip and subjected to contact connection to external contacts.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード等に組
み込まれて用いられるデータキャリアモジュールに係
り、とりわけ、外部の読み書き装置(リーダライター)
との間で接触式および非接触式のいずれの形態でも情報
の授受を行うことができる、接触式および非接触式兼用
のデータキャリアモジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data carrier module used in an IC card or the like, and more particularly, to an external read / write device (reader / writer).
The present invention relates to a contact-type and non-contact type data carrier module capable of exchanging information in any form of a contact type and a non-contact type with the data carrier module.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報の機密性の面からICカードが次第
に普及されつつある中、近年では、外部のリーダライタ
ーと接触せずに情報の授受を行う非接触式のICカード
が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, IC cards have been widely used from the aspect of confidentiality of information. In recent years, non-contact type IC cards which exchange information without contacting an external reader / writer have been proposed. .

【0003】非接触式のICカードでは、外部のリーダ
ライターとの信号交換、あるいは信号交換および電力供
給の両方を、電磁波により行う方式のものが一般的であ
る。このような方式の非接触式のICカードおよびリー
ダライターはともに、互いに電磁波を送受信するための
アンテナを内蔵し、非接触式のICカードにおいて、リ
ーダライターから受信した電磁波から電磁誘導によって
動作電力を得るとともに、電磁波を利用してリーダライ
ターとの間で信号交換を行うようになっている。
A non-contact type IC card generally employs a system in which signal exchange with an external reader / writer or both signal exchange and power supply are performed by electromagnetic waves. Both the non-contact type IC card and the reader / writer of such a system have a built-in antenna for transmitting and receiving electromagnetic waves to and from each other. In the non-contact type IC card, the operating power is obtained by electromagnetic induction from the electromagnetic waves received from the reader / writer. In addition, the signals are exchanged with a reader / writer using electromagnetic waves.

【0004】このような非接触式のICカードは、リー
ダライターとの接点がないので接触不良がなく、またリ
ーダライターから数cm乃至数十cm程度離れた場所で
も使用することができ、さらに汚れや雨、静電気に強い
などの特徴があることから、今後ますますその需要が高
まるものと予想されている。
[0004] Such a non-contact type IC card has no contact with a reader / writer, so there is no contact failure, and it can be used at a place several cm to several tens cm away from the reader / writer. Due to its features such as resistance to rain, rain and static electricity, its demand is expected to increase further in the future.

【0005】一方、データが格納されたICチップ(半
導体チップ)にアンテナコイルを接続してなる、シート
状ないし札状の非接触式のICタグが、近年、種々提案
されており、商品や包装箱等に付けられて、万引きの防
止や物流システムの改良等に利用されるようになってき
ている。
[0005] On the other hand, in recent years, various non-contact IC tags in the form of a sheet or a tag, in which an antenna coil is connected to an IC chip (semiconductor chip) storing data, have been proposed. Attached to boxes and the like, they have been used to prevent shoplifting and to improve distribution systems.

【0006】このような中で、最近では、データが格納
されるデータキャリアとしてのICチップ自体にアンテ
ナを設けた、いわゆるコイルオンチップ型の半導体チッ
プモジュールの試験品も提供されるようになってきてお
り、このような試験品を使用した非接触式のICカード
やICタグの研究も進められている。
Under these circumstances, recently, a test product of a so-called coil-on-chip type semiconductor chip module in which an antenna is provided on an IC chip itself as a data carrier for storing data has been provided. Research on non-contact type IC cards and IC tags using such test articles is also in progress.

【0007】このような非接触式のICカードやICタ
グ等の非接触式のデータキャリア装置は、通常、外部と
の信号交換のためのブースターアンテナコイルと、これ
を一次コイルとして、これと電磁結合するための二次コ
イルを設けたコイルオンチップ型の半導体チップ等のデ
ータキャリアモジュールとを備えている。なお、本明細
書中において、「データキャリアモジュール」という用
語は、二次コイルとなる微細なコイルを有し、これを半
導体チップ等のデータキャリア部分に接続してなるモジ
ュールの総称として用いる。
A non-contact type data carrier device such as a non-contact type IC card or an IC tag usually has a booster antenna coil for exchanging signals with the outside, a primary coil using the booster antenna coil and an electromagnetic coil. A data carrier module such as a coil-on-chip type semiconductor chip provided with a secondary coil for coupling. In this specification, the term "data carrier module" is used as a generic term for a module having a fine coil serving as a secondary coil and connecting this to a data carrier portion such as a semiconductor chip.

【0008】この場合、一次コイルとしてのブースター
アンテナコイルと、データキャリアモジュールの二次コ
イルとは、直接接続されないで、相対的に位置合わせさ
れて使用される。具体的には例えば、ブースターアンテ
ナコイル(一次コイル)側にコイル密集部を設け、その
上に二次コイルが重なるようにデータキャリアモジュー
ルを搭載する。なおこのとき、ブースターアンテナコイ
ル(一次コイル)のコイル密集部の形状と、データキャ
リアモジュールの二次コイルの形状とをほぼ一致させる
ことにより、電磁結合の効率を高くしている。
[0008] In this case, the booster antenna coil as the primary coil and the secondary coil of the data carrier module are not directly connected but are relatively aligned and used. Specifically, for example, a dense coil portion is provided on the side of the booster antenna coil (primary coil), and a data carrier module is mounted thereon so that the secondary coil is overlapped thereon. At this time, the shape of the densely-coiled portion of the booster antenna coil (primary coil) substantially matches the shape of the secondary coil of the data carrier module, thereby increasing the efficiency of electromagnetic coupling.

【0009】ところで、近年、PHS(Personal Handy
phone System)や移動電話等の無線方式の携帯電話装置
や、携帯コンピュータ端末等が急激に普及し、多くの者
がこれらを携行するようになっている中、ICカードを
用いて携帯電話装置等に種々の付加価値を付ける試みも
なされている。
In recent years, PHS (Personal Handy)
mobile systems such as mobile phone systems and mobile phones, and mobile computer terminals, etc., have rapidly become widespread and many people are carrying them. Attempts have been made to add various added values to the system.

【0010】例えば、特開平8−87655号公報に
は、取引銀行の情報を記録したICカードを携帯電話装
置に挿入し、ICカードの所有者(携帯電話装置の所持
者)が物品の購入や有償サービスの提供を受ける際に、
物品等の提供装置が携帯電話装置を通じてICカードの
記録情報を取得し、取得した記録情報を用いて自動的に
電子決済を行うようにした情報処理システムが開示され
ている。なお、このような情報処理システムで用いられ
るICカードは一般に、接触式のICカードであり、携
帯電話装置側には、電気的な接点を有する接触式のリー
ダライターが設けられる。
[0010] For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-87655 discloses that an IC card in which information of a bank is recorded is inserted into a portable telephone device so that the owner of the IC card (owner of the portable telephone device) can purchase an article. When receiving paid services,
There has been disclosed an information processing system in which a device for providing goods or the like acquires record information of an IC card through a mobile phone device and automatically performs electronic payment using the acquired record information. In general, an IC card used in such an information processing system is a contact-type IC card, and a contact-type reader / writer having an electrical contact is provided on the mobile phone device side.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】このように、ICカー
ドとしては、上述したような非接触式のICカードが広
く普及しつつあるものの、エレクトリックコマースにお
ける電子決済用カードや、身分証明書カードのように、
セキュリティ性が要求される場合には、非接触式のIC
カードよりもセキュリティ性の面で優れる、電気的な接
点を有する接触式のICカードが、一般的に実用化され
ている。なお、接触式のICカードは、接点を通じてリ
ーダライターに直接電気的に接続される構造を持つた
め、一般的に動作は安定している。
As described above, as the IC card, although the non-contact type IC card as described above is becoming widespread, an electronic payment card in electric commerce and an ID card are not used. like,
If security is required, contactless IC
2. Description of the Related Art Contact-type IC cards having electrical contacts, which are more excellent in security than cards, are generally put into practical use. Note that the contact-type IC card has a structure in which it is electrically connected directly to the reader / writer through the contact point, so that the operation is generally stable.

【0012】また、上述したような非接触式のICカー
ドは、コイルオンチップ型の半導体チップ等のデータキ
ャリアモジュール(非接触ICモジュール)をカード状
媒体に埋め込んでカード単位で使用されるものである
が、このようなデータキャリアモジュールを搭載した非
接触式のICメディアは、従来のような使用形態に限定
されなければならないものではない。また、その用途
も、特定の分野のみならず、情報の伝達が介在する様々
な分野で汎用的に活用されることが期待できるものであ
る。
Further, the non-contact type IC card as described above is used by embedding a data carrier module (a non-contact IC module) such as a coil-on-chip type semiconductor chip in a card-shaped medium and using the card unit. However, the non-contact type IC media equipped with such a data carrier module does not have to be limited to a conventional use form. In addition, the use thereof can be expected to be widely used not only in a specific field but also in various fields in which information is transmitted.

【0013】本発明は、このような点を考慮してなされ
たものであり、汎用性に優れ、且つ、セキュリティ性の
要求にも十分に対応することができる、接触式および非
接触式兼用のデータキャリアモジュールを提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above points, and has excellent versatility and can sufficiently cope with security requirements. It is intended to provide a data carrier module.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、ベース基材
と、前記ベース基材上に搭載された半導体チップと、前
記半導体チップに接続され、外部のブースターアンテナ
部との電磁結合により非接触で通信を行うためのコイル
と、前記半導体チップに接続され、外部の接点と接触接
続するための接触端子部とを備えたことを特徴とする、
接触式および非接触式兼用のデータキャリアモジュール
を提供する。
According to the present invention, there is provided a base member, a semiconductor chip mounted on the base member, and a non-contact formed by electromagnetic coupling between the semiconductor chip and an external booster antenna. A coil for performing communication with the semiconductor chip, comprising: a contact terminal portion connected to the semiconductor chip for contact connection with an external contact.
Provided is a data carrier module for both contact type and non-contact type.

【0015】本発明の第1の態様において、前記半導体
チップは、端子が設けられた端子面が外側を向くよう前
記ベース基材の一方の面上に配設され、前記接触端子部
は、前記半導体チップが配設される前記一方の面と反対
側の他方の面上に配設され、前記半導体チップと前記接
触端子部とは、前記ベース基材に形成された接触端子部
用開口部を通して、接触端子部用接続部により互いに接
続されていることが好ましい。ここで、前記接触端子部
用接続部は、前記半導体チップの端子と前記接触端子部
とを接続するボンディングワイヤであることが好まし
い。また、前記接触端子部用接続部は、前記半導体チッ
プの端子と前記接続用配線部とを接続するボンディング
ワイヤと、前記ベース基材の前記一方の面上に配設され
た接続用配線部と、前記ベース基材の前記接触端子部用
開口部内に形成され前記接続用配線部と前記接触端子部
とを接続するビア部とからなることが好ましい。
In the first aspect of the present invention, the semiconductor chip is disposed on one surface of the base member such that a terminal surface on which a terminal is provided faces outward. The semiconductor chip is disposed on the other surface opposite to the one surface on which the semiconductor chip is disposed, and the semiconductor chip and the contact terminal portion pass through a contact terminal portion opening formed in the base substrate. It is preferable that they are connected to each other by a connection portion for a contact terminal portion. Here, it is preferable that the connection portion for the contact terminal portion is a bonding wire for connecting a terminal of the semiconductor chip and the contact terminal portion. In addition, the contact terminal portion connection portion, a bonding wire that connects the terminal of the semiconductor chip and the connection wiring portion, and a connection wiring portion disposed on the one surface of the base substrate, Preferably, the base member includes a via portion formed in the contact terminal portion opening and connecting the contact wiring portion to the contact terminal portion.

【0016】また、本発明の第1の態様において、前記
コイルは、前記半導体チップの前記端子面上に配設さ
れ、前記半導体チップと前記コイルとは、コイル用接続
部により互いに接続されていることが好ましい。ここ
で、前記コイル用接続部は、前記半導体チップの端子と
前記コイルの端部とを接続するボンディングワイヤであ
ることが好ましい。
Further, in the first aspect of the present invention, the coil is disposed on the terminal surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connection portion. Is preferred. Here, it is preferable that the coil connection portion is a bonding wire that connects a terminal of the semiconductor chip to an end of the coil.

【0017】さらに、本発明の第1の態様において、前
記コイルは、前記ベース基材の前記一方の面上に配設さ
れ、前記半導体チップと前記コイルとは、コイル用接続
部により互いに接続されていることが好ましい。ここ
で、前記コイル用接続部は、前記半導体チップの端子と
前記コイルの端部とを接続するボンディングワイヤであ
ることが好ましい。また、前記コイルは、前記ベース基
材の前記一方の面上のうち前記半導体チップの周囲近傍
に配設されていることが好ましい。
Further, in the first aspect of the present invention, the coil is disposed on the one surface of the base member, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connecting portion. Is preferred. Here, it is preferable that the coil connection portion is a bonding wire that connects a terminal of the semiconductor chip to an end of the coil. In addition, it is preferable that the coil is disposed near the periphery of the semiconductor chip on the one surface of the base substrate.

【0018】本発明の第2の態様において、前記半導体
チップは、端子が設けられた端子面が前記ベース基材側
を向くよう前記ベース基材の一方の面上に配設され、前
記接触端子部は、前記半導体チップが配設される前記一
方の面と反対側の他方の面上に配設され、前記半導体チ
ップと前記接触端子部とは、前記ベース基材に形成され
た接触端子部用開口部を通して、接触端子部用接続部に
より互いに接続されていることが好ましい。ここで、前
記接触端子部用接続部は、前記ベース基材の前記一方の
面上に配設された接続用配線部と、前記ベース基材の前
記接触端子部用開口部内に形成され前記接続用配線部と
前記接触端子部とを接続するビア部とからなり、前記半
導体チップの端子は、前記接続用配線部にフリップチッ
プ接続されていることが好ましい。
In a second aspect of the present invention, the semiconductor chip is disposed on one surface of the base substrate such that a terminal surface on which a terminal is provided faces the base substrate side. The part is disposed on the other surface opposite to the one surface on which the semiconductor chip is disposed, and the semiconductor chip and the contact terminal part are contact terminal parts formed on the base material. It is preferable that they are connected to each other by a contact terminal connecting portion through the opening for contact. Here, the connection portion for the contact terminal portion is a connection wiring portion provided on the one surface of the base material, and the connection portion formed in the contact terminal portion opening of the base material. It is preferable that the semiconductor chip comprises a wiring portion for connection and a via portion for connecting the contact terminal portion, and the terminal of the semiconductor chip is flip-chip connected to the wiring portion for connection.

【0019】また、本発明の第2の態様において、前記
コイルは、前記半導体チップの前記端子面上に配設さ
れ、前記半導体チップと前記コイルとは、コイル用接続
部により互いに接続されていることが好ましい。ここ
で、前記コイルは、前記半導体チップの前記端子面上に
形成された配線層と、前記配線層を覆うよう形成された
絶縁層とを介して配設され、前記配線層は前記半導体チ
ップの端子に接続され、前記コイル用接続部は、前記配
線層と、前記絶縁層に形成され前記配線層と前記コイル
の端部とを接続するビア部とからなることが好ましい。
Further, in the second aspect of the present invention, the coil is disposed on the terminal surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connection portion. Is preferred. Here, the coil is provided via a wiring layer formed on the terminal surface of the semiconductor chip and an insulating layer formed so as to cover the wiring layer, and the wiring layer is provided on the semiconductor chip. It is preferable that the coil connection portion, which is connected to a terminal, includes the wiring layer and a via portion formed on the insulating layer and connecting the wiring layer to an end of the coil.

【0020】さらに、本発明の第2の態様において、前
記コイルは、前記ベース基材の前記一方の面上に配設さ
れ、前記半導体チップと前記コイルとは、前記ベース基
材に形成された一対のコイル用開口部を通して、コイル
用接続部により互いに接続されていることが好ましい。
ここで、前記コイル用接続部は、前記ベース基材の前記
他方の面上に配設された接続用配線部と、前記ベース基
材の前記一方の面上に配設された接続用端子部と、前記
ベース基材の前記一対のコイル用開口部内に形成され、
前記コイルの一側端部と前記接続用配線部、および前記
接続用配線部と前記接続用端子部を接続する一対のビア
部とからなり、前記半導体チップの端子は、前記コイル
の一側端子に接続される前記接続用端子部、および前記
コイルの他側端子にフリップチップ接続されていること
が好ましい。
Further, in the second aspect of the present invention, the coil is disposed on the one surface of the base member, and the semiconductor chip and the coil are formed on the base member. It is preferable that they are connected to each other by a coil connection portion through a pair of coil openings.
Here, the connection portion for the coil includes a connection wiring portion provided on the other surface of the base material, and a connection terminal portion provided on the one surface of the base material. And formed in the pair of coil openings of the base material,
One end of the coil and the connection wiring portion, and a pair of via portions connecting the connection wiring portion and the connection terminal portion, wherein the terminal of the semiconductor chip is one terminal of the coil It is preferable that the connection terminal portion and the other terminal of the coil be flip-chip connected.

【0021】なお、本発明において、前記半導体チッ
プ、前記コイルおよび前記配線部を樹脂封止する封止用
樹脂層をさらに備えていることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the semiconductor device further includes a sealing resin layer for resin-sealing the semiconductor chip, the coil and the wiring portion.

【0022】また、本発明に係るデータキャリアモジュ
ールは、ブースターカード用のSIM、または携帯電話
装置用のSIM(Subscriber Identity Module)として
使用されることが好ましい。
Further, the data carrier module according to the present invention is preferably used as a SIM for a booster card or a SIM (Subscriber Identity Module) for a portable telephone device.

【0023】さらに、本発明に係るデータキャリアモジ
ュールの半導体チップは、所有者の認証処理を行うため
の個人認証機能回路と、インターネット接続可能な通信
装置を利用してインターネット経由で各種の情報をダウ
ンロードするための非接触通信機能回路とを有すること
が好ましい。
Further, the semiconductor chip of the data carrier module according to the present invention can download various information via the Internet using a personal authentication function circuit for performing an authentication process of the owner and a communication device connectable to the Internet. And a non-contact communication function circuit for performing the operation.

【0024】本発明によれば、コイルにより、ブースタ
ーアンテナコイルを備えた外部機器や外部媒体と非接触
で通信を行うことができ、かつ、接触端子部により、電
気的な接点を有する外部機器や外部媒体の接点と接触接
続して信号を行うことができる。このため、その用途は
広く、汎用性に優れており、またセキュリティ性の要求
にも十分に対応することができる。
According to the present invention, it is possible to perform non-contact communication with an external device or an external medium provided with a booster antenna coil by using a coil, and to use an external device or an external device having an electric contact with a contact terminal portion. A signal can be generated by contact connection with a contact of an external medium. Therefore, it is widely used, excellent in versatility, and can sufficiently meet security requirements.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0026】第1の実施の形態 まず、図1により、本発明による接触式および非接触式
兼用のデータキャリアモジュールの第1の実施の形態に
ついて説明する。
First Embodiment First, a first embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0027】図1に示すように、本発明の第1の実施の
形態に係るデータキャリアモジュール101において、
ベース基材120の一方の面120a上には半導体チッ
プ110が搭載される。なお、半導体チップ110は、
端子111a,111b,111c,111dが設けら
れた端子面110aが外側を向くようベース基材120
の一方の面120a上に配設されている。ここで、半導
体チップ110の端子面110a上にはコイル115が
配設されている。なお、半導体チップ110およびコイ
ル115によりコイルオンチップ型の半導体チップモジ
ュール106が構成されている。
As shown in FIG. 1, in the data carrier module 101 according to the first embodiment of the present invention,
The semiconductor chip 110 is mounted on one surface 120a of the base material 120. Note that the semiconductor chip 110 is
The base substrate 120 is arranged such that the terminal surface 110a on which the terminals 111a, 111b, 111c, 111d are provided faces outward.
Are arranged on one surface 120a. Here, a coil 115 is provided on the terminal surface 110 a of the semiconductor chip 110. The semiconductor chip 110 and the coil 115 constitute a coil-on-chip type semiconductor chip module 106.

【0028】また、ベース基材120のうち半導体チッ
プ110が配設される一方の面120aと反対側の他方
の面120b上には接触端子部131,132が配設さ
れている。
Contact terminals 131 and 132 are provided on the other surface 120b of the base material 120 opposite to the one surface 120a on which the semiconductor chip 110 is provided.

【0029】ここで、半導体チップ110と接触端子部
131,132とは、半導体チップ110の端子111
a,111bと接触端子部131,132とをボンディ
ングワイヤ(接触端子部用接続部)145,146によ
り接続することにより、互いに接続されている。なお、
ベース基材120には、孔部(接触端子部用開口部)1
25,125が形成されており、ボンディングワイヤ1
45,146は、それぞれ、半導体チップ110の端子
111a,111bから孔部125,125を通り、接
触端子部131,132のベース基材120側の面に到
達するように延びている。
Here, the semiconductor chip 110 and the contact terminal portions 131 and 132 correspond to the terminals 111 of the semiconductor chip 110.
The connection terminals a and 111b are connected to the contact terminal portions 131 and 132 by bonding wires (connection portions for contact terminal portions) 145 and 146. In addition,
A hole (opening for contact terminal) 1
25, 125 are formed, and the bonding wire 1 is formed.
45 and 146 extend from the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip 110, pass through the holes 125 and 125, and reach the surfaces of the contact terminals 131 and 132 on the base substrate 120 side, respectively.

【0030】また、半導体チップ110とコイル115
とは、半導体チップ110の端子111c,111dと
コイル115の端部115a,115bとをボンディン
グワイヤ(コイル用接続部)141,142により接続
することにより、互いに接続されている。
The semiconductor chip 110 and the coil 115
Are connected to each other by connecting the terminals 111c and 111d of the semiconductor chip 110 and the ends 115a and 115b of the coil 115 by bonding wires (coil connection portions) 141 and 142.

【0031】ここで、半導体チップ110は、半導体チ
ップ110に電気的に接続されたコイル115を介し
て、外部のリーダライター(図示せず)との間でデータ
の交換を行うものであり、制御部、メモリ、受信回路お
よび送信回路を有している。
Here, the semiconductor chip 110 exchanges data with an external reader / writer (not shown) via a coil 115 electrically connected to the semiconductor chip 110. Unit, a memory, a receiving circuit, and a transmitting circuit.

【0032】コイル115は、外部機器や外部媒体のブ
ースターアンテナコイル(一次コイル)との電磁結合に
より非接触で通信を行うための二次コイルであり、一般
には、高密度集積したものでその線幅が微細なものが用
いられる。なお、コイル115は、一次コイルとしての
ブースターアンテナコイルとの間で電磁波をやりとりす
ることができるよう電磁的に露出した状態にあり、ま
た、一次コイルとの間で共振回路を構成している。
The coil 115 is a secondary coil for performing non-contact communication by electromagnetic coupling with a booster antenna coil (primary coil) of an external device or an external medium, and is generally a high-density integrated wire. Those having a fine width are used. The coil 115 is electromagnetically exposed so that electromagnetic waves can be exchanged with a booster antenna coil as a primary coil, and forms a resonance circuit with the primary coil.

【0033】図6(a)により、一次コイルとしてのブー
スターアンテナコイルと二次コイルとの位置合わせにつ
いて説明すると、外部媒体であるブースターカード62
0のブースターアンテナコイル621にはコイル密集部
(符号650参照)が設けられ、このコイル密集部の上
にコイル611(図1のコイル115に相当する)が重
なるようにデータキャリアモジュール610が搭載され
る。
Referring to FIG. 6A, the positioning of the booster antenna coil as the primary coil and the secondary coil will be described.
The 0 booster antenna coil 621 is provided with a coil dense portion (see reference numeral 650), and the data carrier module 610 is mounted on the coil dense portion so that the coil 611 (corresponding to the coil 115 in FIG. 1) overlaps. You.

【0034】なお、コイル115の線幅および密度は、
ブースターアンテナコイルの線幅および密度に必ずしも
一致させる必要はないが、両者の線幅および密度を可能
な限り一致させることにより、電磁結合の効率を高くす
ることができる。
The line width and density of the coil 115 are as follows:
It is not always necessary to match the line width and density of the booster antenna coil, but by matching the line width and density of both as much as possible, the efficiency of electromagnetic coupling can be increased.

【0035】ここで、半導体チップ110およびコイル
115からなるコイルオンチップ型の半導体チップモジ
ュール106としては、後述するように、ウエハレベル
で作製され、切断および分離されたものが種々提案され
ている。なお、コイル115としては、導電性およびコ
ストの面から、銅層を単層で用いる他、銅層を主層と
し、ニッケル(Ni)層や金(Au)層等を積層したも
のを用いることができる。
Here, as the coil-on-chip type semiconductor chip module 106 including the semiconductor chip 110 and the coil 115, various ones manufactured at a wafer level, cut and separated have been proposed as described later. As the coil 115, a copper layer is used as a single layer, and a copper layer is used as a main layer, and a nickel (Ni) layer, a gold (Au) layer, or the like is laminated from the viewpoint of conductivity and cost. Can be.

【0036】ベース基材120は、半導体チップ110
および接触端子部131,132を保持するものであ
り、通信機器用材料として一般的に用いられる電磁波透
過性の絶縁材料を用いることができる。このような絶縁
材料としては、例えば、エポキシ樹脂や、ポリイミド樹
脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
The base material 120 is a semiconductor chip 110
In addition, it holds the contact terminal portions 131 and 132, and can use an electromagnetic wave transmitting insulating material generally used as a communication device material. Examples of such an insulating material include an epoxy resin, a polyimide resin, and a fluororesin.

【0037】接触端子部131,132は、半導体チッ
プ110に電気的に接続されており、外部機器や外部媒
体の接点と接触接続するための接点として機能するもの
である。なお、接触端子部131,132の形態は、I
Cカード等で一般的に用いられる接触端子部と基本的に
同じ形態とすることが好ましい。また、接触端子部13
1,132としては、銅層を主層とし、その表面にニッ
ケル(Ni)層や金(Au)層を設けたものを用いるこ
とができる。
The contact terminals 131 and 132 are electrically connected to the semiconductor chip 110, and function as contacts for contacting and connecting to contacts of an external device or an external medium. The form of the contact terminals 131 and 132 is I
It is preferable that the contact terminals are basically the same as the contact terminals generally used in C cards and the like. Also, the contact terminal portion 13
As 1,132, a layer in which a copper layer is a main layer and a nickel (Ni) layer or a gold (Au) layer is provided on the surface thereof can be used.

【0038】次に、このような構成からなるデータキャ
リアモジュール101の製造方法の一例について説明す
る。
Next, an example of a method for manufacturing the data carrier module 101 having such a configuration will be described.

【0039】まず、半導体チップ110およびコイル1
15からなるコイルオンチップ型の半導体チップモジュ
ール106を作製する。
First, the semiconductor chip 110 and the coil 1
Then, a coil-on-chip type semiconductor chip module 106 composed of fifteen is manufactured.

【0040】具体的には、半導体チップ110をウエハ
レベルで形成した後、半導体チップ110の端子面11
0a側の全面に電解めっきのための給電層を形成し、そ
の上の全面に感光性絶縁層を形成する。次に、フォトリ
ソグラフィ法により感光性絶縁層を露光し、形成される
コイル115の形状に対応する開口を有する耐めっきレ
ジスト層を形成する。そして、耐めっきレジスト層の開
口から露出した給電層上に電解めっきを施し、コイル配
線層(コイル115)を給電層上に設けた後、耐めっき
レジスト層を剥離除去する。その後、耐めっきレジスト
層の剥離除去により露出した給電層をコイル配線層を損
なわないようにソフトエッチングによりエッチング除去
する。これにより、半導体チップ110の端子面110
a上にコイル配線層(コイル115)が形成される。最
終的に、ウエハを各半導体チップ110ごとにダイシン
グして分離することにより、端子面110a上にコイル
115が配設されたコイルオンチップ型の半導体チップ
モジュール106が得られる。
Specifically, after the semiconductor chip 110 is formed at the wafer level, the terminal surface 11 of the semiconductor chip 110 is formed.
A power supply layer for electrolytic plating is formed on the entire surface on the 0a side, and a photosensitive insulating layer is formed on the entire surface thereon. Next, the photosensitive insulating layer is exposed by photolithography to form a plating-resistant resist layer having an opening corresponding to the shape of the coil 115 to be formed. Then, electrolytic plating is performed on the power supply layer exposed from the opening of the plating-resistant resist layer, and after providing the coil wiring layer (coil 115) on the power-supply layer, the plating-resistant resist layer is peeled off. Thereafter, the power supply layer exposed by peeling and removing the plating resist layer is removed by soft etching so as not to damage the coil wiring layer. Thereby, the terminal surface 110 of the semiconductor chip 110
A coil wiring layer (coil 115) is formed on a. Finally, the wafer is diced and separated for each semiconductor chip 110 to obtain a coil-on-chip type semiconductor chip module 106 in which the coil 115 is disposed on the terminal surface 110a.

【0041】一方、ベース基材120に孔部125,1
25を形成した後、ベース基材120の一方の面120
a上に、必要に応じて接着剤層(図示せず)を介して半
導体チップモジュール106を配設する。
On the other hand, holes 125, 1 are formed in base material 120.
25, the first surface 120 of the base substrate 120 is formed.
The semiconductor chip module 106 is disposed on the substrate a through an adhesive layer (not shown) as necessary.

【0042】また、ベース基材120の他方の面120
b上に、必要に応じて接着剤層(図示せず)を介して接
触端子部131,132を圧着ないし接着する。
The other surface 120 of the base material 120
The contact terminal portions 131 and 132 are pressure-bonded or bonded on the layer b through an adhesive layer (not shown) as necessary.

【0043】その後、ワイヤボンディングにより、半導
体チップ110の端子111a,111bと接触端子部
131,132とを孔部125,125を介してボンデ
ィングワイヤ145,146により接続するとともに、
半導体チップ110の端子111c,111dとコイル
115の端部115a,115bとをボンディングワイ
ヤ141,142により接続する。
Thereafter, the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip 110 and the contact terminals 131 and 132 are connected by bonding wires 145 and 146 through the holes 125 and 125, respectively, by wire bonding.
The terminals 111 c and 111 d of the semiconductor chip 110 are connected to the ends 115 a and 115 b of the coil 115 by bonding wires 141 and 142.

【0044】これにより、最終的に、図1に示すような
データキャリアモジュール101が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 101 as shown in FIG. 1 is manufactured.

【0045】なお、上述した第1の実施の形態において
は、データキャリアモジュール101の半導体チップモ
ジュール106側を樹脂封止し、半導体チップ110、
コイル115およびボンディングワイヤ141,14
2,145,146を覆うよう封止用樹脂層190を設
けるようにしてもよい。
In the first embodiment described above, the semiconductor chip module 106 side of the data carrier module 101 is sealed with resin, and the semiconductor chip 110,
Coil 115 and bonding wires 141, 14
A sealing resin layer 190 may be provided so as to cover 2,145,146.

【0046】第2の実施の形態 次に、図2により、本発明による接触式および非接触式
兼用のデータキャリアモジュールの第2の実施の形態に
ついて説明する。本発明の第2の実施の形態は、半導体
チップの端子と接触端子部との接続方法が異なる点を除
いて、他は図1に示す第1の実施の形態と略同一であ
る。本発明の第2の実施の形態において、図1に示す第
1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な
説明は省略する。
Second Embodiment Next, referring to FIG. 2, a second embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention will be described. The second embodiment of the present invention is substantially the same as the first embodiment shown in FIG. 1 except that the method of connecting the terminals of the semiconductor chip and the contact terminals is different. In the second embodiment of the present invention, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG.

【0047】図2に示すように、本発明の第2の実施の
形態に係るデータキャリアモジュール102において、
ベース基材120の一方の面120a上には接続用配線
部151,152が配設されている。なお、半導体チッ
プ110は、接続用配線部152上に配設されている。
また、ベース基材120の他方の面120b上には接触
端子部131,132が配設されている。
As shown in FIG. 2, in the data carrier module 102 according to the second embodiment of the present invention,
On one surface 120a of the base member 120, connection wiring portions 151 and 152 are provided. The semiconductor chip 110 is provided on the connection wiring section 152.
The contact terminals 131 and 132 are provided on the other surface 120b of the base member 120.

【0048】ここで、ベース基材120には、孔部(接
触端子部用開口部)126,126が形成されており、
この孔部126,126内に、接続用配線部151,1
52と接触端子部131,132とをそれぞれ接続する
ビア部(バイアホール部)155,156が設けられて
いる。また、半導体チップ110の端子111a,11
1bと接続用配線部151,152とはボンディングワ
イヤ145,146により接続されている。これによ
り、半導体チップ110と接触端子部131,132と
は、半導体チップの端子111a,111bと接触端子
部131,132とをボンディングワイヤ145,14
6、接続用配線部151,152およびビア部155,
156により接続することにより、互いに接続されてい
る。なお、ボンディングワイヤ145,146、接続用
配線部151,152およびビア部155,156によ
り、接触端子部用接続部が構成されている。
Here, holes (openings for contact terminal portions) 126, 126 are formed in the base material 120,
In the holes 126, 126, connection wiring portions 151, 1 are provided.
Via portions (via hole portions) 155 and 156 for connecting the contact terminals 52 and the contact terminal portions 131 and 132 are provided. Further, the terminals 111a, 11a of the semiconductor chip 110
1b and the connection wiring portions 151 and 152 are connected by bonding wires 145 and 146. Thus, the semiconductor chip 110 and the contact terminal portions 131 and 132 connect the semiconductor chip terminals 111 a and 111 b and the contact terminal portions 131 and 132 to the bonding wires 145 and 14.
6, connection wiring portions 151, 152 and via portions 155,
By being connected by 156, they are connected to each other. The bonding wires 145 and 146, the connection wiring portions 151 and 152, and the via portions 155 and 156 form a connection portion for a contact terminal portion.

【0049】次に、このような構成からなるデータキャ
リアモジュール102の製造方法の一例について説明す
る。
Next, an example of a method for manufacturing the data carrier module 102 having such a configuration will be described.

【0050】まず、上述した第1の実施の形態と同様の
方法で、半導体チップ110の端子面110a上にコイ
ル115が配設されたコイルオンチップ型の半導体チッ
プモジュール106を作製する。
First, a coil-on-chip type semiconductor chip module 106 having a coil 115 disposed on a terminal surface 110a of a semiconductor chip 110 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

【0051】一方、ベース基材120として両面銅貼り
積層板材を準備し、ベース基材120の一方の面120
a上に接続用配線部151,152を、他方の面120
b上に接触端子部131,132を、フォトエッチング
法によりエッチング形成する。ここで、ベース基材12
0には、フォトエッチングの前または後に孔部126,
126を形成する。
On the other hand, a double-sided copper-clad laminate is prepared as the base material 120, and one side 120 of the base material 120 is prepared.
a on the other surface 120.
The contact terminal portions 131 and 132 are formed on the surface b by photoetching. Here, the base material 12
0 has holes 126, before or after photoetching.
126 is formed.

【0052】そして、ベース基材120の孔部126,
126内にビア部155,156を無電解めっきおよび
電解めっきにより形成した後、ベース基材120の一方
の面120a上に形成された接続用配線部152上に半
導体チップ106を配設する。なお、この場合、無電解
めっきまたは電解めっきの前に、必要に応じて接触端子
部131,132の表面等に金(Au)めっき等を施し
ておくことが好ましい。
Then, the holes 126,
After the via portions 155 and 156 are formed in the 126 by electroless plating and electrolytic plating, the semiconductor chip 106 is disposed on the connection wiring portion 152 formed on one surface 120 a of the base substrate 120. In this case, it is preferable that gold (Au) plating or the like is applied to the surfaces of the contact terminal portions 131 and 132 as necessary before the electroless plating or the electrolytic plating.

【0053】その後、ワイヤボンディングにより、半導
体チップ110の端子111a,111bと接続用配線
部151,152とをボンディングワイヤ145,14
6により接続するとともに、半導体チップ110の端子
111c,111dとコイル115の端部115a,1
15bとをボンディングワイヤ141,142により接
続する。
Thereafter, the terminals 111a, 111b of the semiconductor chip 110 and the connection wiring portions 151, 152 are bonded to the bonding wires 145, 14 by wire bonding.
6, the terminals 111c, 111d of the semiconductor chip 110 and the ends 115a, 1
15b are connected by bonding wires 141 and 142.

【0054】これにより、最終的に、図2に示すような
データキャリアモジュール102が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 102 as shown in FIG. 2 is manufactured.

【0055】なお、データキャリアモジュール102の
製造方法としては、上述した方法以外にも、次のような
方法を用いることができる。
As a method of manufacturing the data carrier module 102, the following method can be used in addition to the method described above.

【0056】すなわち、ベース基材120に孔部12
6,126を形成した後、ベース基材120の一方の面
120aおよび他方の面120b上にフォトリソグラフ
ィ法により耐めっきレジスト層を形成し、ベース基材1
20の両面120a,120bおよび孔部126,12
6を活性化して無電解めっきを行った後、電解めっきに
より、接続用配線部151,152、接触端子部13
1,132およびビア部155,156を形成する。
That is, the hole 12 is formed in the base material 120.
6 and 126, a plating-resistant resist layer is formed on one surface 120a and the other surface 120b of the base substrate 120 by a photolithography method.
20, both sides 120a, 120b and holes 126, 12
6 is activated and electroless plating is performed, and then the connection wiring portions 151 and 152 and the contact terminal portions 13 are formed by electrolytic plating.
1 and 132 and via portions 155 and 156 are formed.

【0057】そして、このようにして得られたベース基
材120をソフトエッチングした後、ベース基材120
の一方の面120a上に形成された接続用配線部152
上に半導体チップ106を配設する。なお、この場合
も、ソフトエッチング前に、必要に応じて接触端子部1
31,132の表面等に金(Au)めっき等を施してお
くことが好ましい。
Then, after the base material 120 thus obtained is soft-etched, the base material 120
Connecting wiring portion 152 formed on one surface 120a of
The semiconductor chip 106 is provided thereon. Also in this case, before the soft etching, if necessary, the contact terminal portion 1 may be used.
It is preferable to apply gold (Au) plating or the like to the surfaces of the bases 31 and 132.

【0058】その後、ワイヤボンディングにより、半導
体チップ110の端子111a,111bと接続用配線
部151,152とをボンディングワイヤ145,14
6により接続するとともに、半導体チップ110の端子
111c,111dとコイル115の端部115a,1
15bとをボンディングワイヤ141,142により接
続する。
Thereafter, the terminals 111a, 111b of the semiconductor chip 110 and the connection wiring portions 151, 152 are connected to the bonding wires 145, 14 by wire bonding.
6, the terminals 111c, 111d of the semiconductor chip 110 and the ends 115a, 1
15b are connected by bonding wires 141 and 142.

【0059】これにより、上述した方法と同様に、最終
的に、図2に示すようなデータキャリアモジュール10
2が製造される。
As a result, similarly to the above-described method, finally, the data carrier module 10 as shown in FIG.
2 is manufactured.

【0060】なお、上述した第2の実施の形態において
も、図1に示す第1の実施の形態と同様に、データキャ
リアモジュール102の半導体チップモジュール106
側を樹脂封止し、半導体チップ110、コイル115、
ボンディングワイヤ141,142,145,146お
よび接続用配線部151,152を覆うよう封止用樹脂
層を設けるようにしてもよい。
In the above-described second embodiment, the semiconductor chip module 106 of the data carrier module 102 is similar to the first embodiment shown in FIG.
Side is sealed with resin, and the semiconductor chip 110, the coil 115,
A sealing resin layer may be provided so as to cover the bonding wires 141, 142, 145, 146 and the connection wiring portions 151, 152.

【0061】第3の実施の形態 次に、図3により、本発明による接触式および非接触式
兼用のデータキャリアモジュールの第3の実施の形態に
ついて説明する。本発明の第3の実施の形態は、コイル
の配設位置が異なる点を除いて、他は図1に示す第1の
実施の形態と略同一である。本発明の第3の実施の形態
において、図1に示す第1の実施の形態と同一部分には
同一符号を付して詳細な説明は省略する。
Third Embodiment Next, a third embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention will be described with reference to FIG. The third embodiment of the present invention is substantially the same as the first embodiment shown in FIG. 1 except that the arrangement position of the coil is different. In the third embodiment of the present invention, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG.

【0062】図3に示すように、本発明の第3の実施の
形態に係るデータキャリアモジュール103において、
2次コイルとしてのコイル160は、半導体チップ11
0の端子面110a上ではなく、ベース基材120の一
方の面120a上に配設されている。また、半導体チッ
プ110とコイル160とは、半導体チップ110の端
子111c,11dとコイル160の端部160a,1
60bとをボンディングワイヤ(コイル用接続部)14
1,142により接続することにより、互いに接続され
ている。なお、コイル160は、図3に示すように、ベ
ース基材120の一方の面120a上のうち半導体チッ
プ110の周囲近傍に配設されている。
As shown in FIG. 3, in the data carrier module 103 according to the third embodiment of the present invention,
The coil 160 as a secondary coil is connected to the semiconductor chip 11
The base member 120 is provided not on the terminal surface 110 a but on one surface 120 a of the base member 120. The semiconductor chip 110 and the coil 160 are connected to the terminals 111 c and 11 d of the semiconductor chip 110 and the ends 160 a and 1
60b and the bonding wire (coil connection part) 14
1 and 142 are connected to each other. As shown in FIG. 3, the coil 160 is disposed on one surface 120 a of the base member 120 near the periphery of the semiconductor chip 110.

【0063】次に、このような構成からなるデータキャ
リアモジュール103の製造方法の一例について説明す
る。
Next, an example of a method of manufacturing the data carrier module 103 having such a configuration will be described.

【0064】まず、ベース基材120として片面銅貼り
積層板材を準備し、その一方の面120a上にコイル1
60をフォトエッチング法によりエッチング形成する。
ここで、ベース基材120には、フォトエッチングの前
または後に孔部125,125を形成する。
First, a single-sided copper-clad laminate is prepared as the base material 120, and the coil 1 is placed on one surface 120a.
60 is formed by photo-etching.
Here, the holes 125 are formed in the base material 120 before or after the photoetching.

【0065】次に、このようにして得られたベース基材
120の一方の面120a上に、必要に応じて接着剤層
(図示せず)を介して半導体チップ110を配設する。
Next, the semiconductor chip 110 is provided on one surface 120a of the base material 120 thus obtained via an adhesive layer (not shown) as necessary.

【0066】また、ベース基材120の他方の面120
b上に、必要に応じて接着剤層(図示せず)を介して接
触端子部131,132を圧着ないし接着する。
The other surface 120 of the base material 120
The contact terminal portions 131 and 132 are pressure-bonded or bonded on the layer b through an adhesive layer (not shown) as necessary.

【0067】その後、ワイヤボンディングにより、半導
体チップ110の端子111a,111bと接触端子部
131,132とを孔部125,125を介してボンデ
ィングワイヤ145,146により接続するとともに、
半導体チップ110の端子111c,111dとコイル
160の端部160a,160bとをボンディングワイ
ヤ141,142により接続する。
Thereafter, the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip 110 and the contact terminals 131 and 132 are connected by bonding wires 145 and 146 through the holes 125 and 125, respectively, by wire bonding.
The terminals 111 c and 111 d of the semiconductor chip 110 and the ends 160 a and 160 b of the coil 160 are connected by bonding wires 141 and 142.

【0068】これにより、最終的に、図3に示すような
データキャリアモジュール103が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 103 as shown in FIG. 3 is manufactured.

【0069】なお、上述した第3の実施の形態において
も、図1に示す第1の実施の形態と同様に、データキャ
リアモジュール103の半導体チップ110側を樹脂封
止し、半導体チップ110、コイル160、ボンディン
グワイヤ141,142,145,146を覆うよう封
止用樹脂層を設けるようにしてもよい。
In the third embodiment described above, similarly to the first embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor chip 110 side of the data carrier module 103 is resin-sealed, and the semiconductor chip 110 and the coil are sealed. 160, a sealing resin layer may be provided to cover the bonding wires 141, 142, 145, and 146.

【0070】第4の実施の形態 次に、図4(a)(b)により、本発明による接触式および非
接触式兼用のデータキャリアモジュールの第4の実施の
形態について説明する。なお、図4(a)は本発明の第4
の実施の形態に係るデータキャリアモジュールを示す概
略断面図、図4(b)は図4(a)のIVB部分を拡大して示す
概略図である。本発明の第4の実施の形態は、半導体チ
ップの配置状態、半導体チップの端子と接触端子部とを
接続方法、および半導体チップの端子とコイルとの接続
方法が異なる点を除いて、他は図1に示す第1の実施の
形態と略同一である。本発明の第4の実施の形態におい
て、図1に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符
号を付して詳細な説明は省略する。
Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4A shows the fourth embodiment of the present invention.
4B is a schematic sectional view showing the data carrier module according to the embodiment, and FIG. 4B is an enlarged schematic view showing the IVB portion in FIG. 4A. The fourth embodiment of the present invention is the same as the fourth embodiment except that the arrangement of the semiconductor chip, the method of connecting the terminals of the semiconductor chip to the contact terminals, and the method of connecting the terminals of the semiconductor chip to the coil are different. This is substantially the same as the first embodiment shown in FIG. In the fourth embodiment of the present invention, the same parts as those of the first embodiment shown in FIG.

【0071】図4(a)(b)に示すように、本発明の第4の
実施の形態に係るデータキャリアモジュール104にお
いて、半導体チップ110は、端子111a,111
b,111c,111dが設けられた端子面110aが
ベース基材120側を向くようベース基材120の一方
の面120a上に配設されている。
As shown in FIGS. 4A and 4B, in the data carrier module 104 according to the fourth embodiment of the present invention, the semiconductor chip 110 includes terminals 111a and 111a.
The terminal surface 110a provided with b, 111c and 111d is disposed on one surface 120a of the base material 120 so as to face the base material 120 side.

【0072】図4(b)に示すように、半導体チップ11
0の端子面110a上には、半導体チップ110の端子
111c,111dに接続された配線層171,172
が形成され、この配線層171,172上には、配線層
171,172を覆うよう絶縁層180が形成されてい
る。また、絶縁層180の表面180a上にはコイル1
15が配設されている。なお、半導体チップ110およ
びコイル115によりコイルオンチップ型の半導体チッ
プモジュール107が構成されている。
As shown in FIG. 4B, the semiconductor chip 11
The wiring layers 171 and 172 connected to the terminals 111c and 111d of the semiconductor chip 110
Is formed, and an insulating layer 180 is formed on the wiring layers 171 and 172 so as to cover the wiring layers 171 and 172. The coil 1 is disposed on the surface 180a of the insulating layer 180.
15 are provided. The semiconductor chip 110 and the coil 115 form a coil-on-chip type semiconductor chip module 107.

【0073】ここで、絶縁層180にはビア部157
a,157bが形成されており、配線層171,172
とコイル115の端部115a,115bとをそれぞれ
接続することができるようになっている。これにより、
半導体チップ110とコイル115とは、配線層17
1,172およびビア部157a,157bにより、互
いに接続されている。なお、配線層171,172およ
びビア部157a,157bにより、コイル用接続部が
構成されている。
Here, a via portion 157 is formed in the insulating layer 180.
a, 157b are formed, and the wiring layers 171 and 172 are formed.
And the ends 115a and 115b of the coil 115 can be connected to each other. This allows
The semiconductor chip 110 and the coil 115 are connected to the wiring layer 17.
1, 172 and via portions 157a, 157b. The wiring layers 171 and 172 and the via portions 157a and 157b constitute a coil connection portion.

【0074】また、絶縁層180にはビア部158a,
158bが形成されており、半導体チップ110の端子
111a,111bと絶縁層180の表面180a上に
配設された凸状端子112a,112bとをそれぞれ接
続することができるようになっている。
The insulating layer 180 has via portions 158a,
158b are formed, and the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip 110 can be connected to the convex terminals 112a and 112b provided on the surface 180a of the insulating layer 180, respectively.

【0075】一方、図4(a)に示すように、ベース基材
120の一方の面120a上には接続用配線部151,
152が配設され、他方の面120b上には接触端子部
131,132が配設されている。
On the other hand, as shown in FIG. 4A, the connection wiring portions 151 and
152 are provided, and contact terminal portions 131 and 132 are provided on the other surface 120b.

【0076】ここで、ベース基材120には、孔部(接
触端子部用開口部)126,126が形成されており、
この孔部126,126内に、接続用配線部151,1
52と接触端子部131,132とをそれぞれ接続する
ビア部(バイアホール部)155,156が設けられて
いる。また、半導体チップ110の端子111a,11
1bに接続された凸状端子112a,112bは、接続
用配線部151,152にフリップチップ接続されてい
る。これにより、半導体チップ110と接触端子部13
1,132とは、ビア部158a,158b、凸状端子
112a,112b、接続用配線部151,152およ
びビア部155,156により、互いに接続されてい
る。なお、ビア部158a,158b、凸状端子112
a,112b、接続用配線部151,152およびビア
部155,156により、接触端子部用接続部が構成さ
れている。
Here, holes (openings for contact terminals) 126, 126 are formed in the base material 120.
In the holes 126, 126, connection wiring portions 151, 1 are provided.
Via portions (via hole portions) 155 and 156 for connecting the contact terminals 52 and the contact terminal portions 131 and 132 are provided. Further, the terminals 111a, 11a of the semiconductor chip 110
The convex terminals 112a and 112b connected to 1b are flip-chip connected to connection wiring portions 151 and 152. Thereby, the semiconductor chip 110 and the contact terminal portion 13
1, 132 are connected to each other by via portions 158a, 158b, convex terminals 112a, 112b, connecting wiring portions 151, 152, and via portions 155, 156. The via portions 158a and 158b and the convex terminals 112
a, 112b, the connection wiring portions 151, 152, and the via portions 155, 156 constitute a connection portion for a contact terminal portion.

【0077】次に、このような構成からなるデータキャ
リアモジュール104の製造方法の一例について説明す
る。
Next, an example of a method for manufacturing the data carrier module 104 having such a configuration will be described.

【0078】まず、半導体チップ110およびコイル1
15からなるコイルオンチップ型の半導体チップモジュ
ール107を作製する。
First, the semiconductor chip 110 and the coil 1
A coil-on-chip type semiconductor chip module 107 composed of the fifteen coils 15 is manufactured.

【0079】具体的には、半導体チップ110をウエハ
レベルで形成した後、半導体チップ110の端子面11
0a側の全面に電解めっきのための給電層を形成し、そ
の上の全面に感光性絶縁層を形成する。次に、フォトリ
ソグラフィ法により感光性絶縁層を露光し、形成される
配線層171,172の形状に対応する開口を有する耐
めっきレジスト層を形成する。そして、耐めっきレジス
ト層の開口から露出した給電層上に電解めっきを施し、
配線層171,172を給電層上に設けた後、耐めっき
レジスト層を剥離除去する。その後、耐めっきレジスト
層の剥離除去により露出した給電層を配線層171,1
72を損なわないようにソフトエッチングによりエッチ
ング除去する。これにより、半導体チップ110の端子
面110a上に配線層171,172が形成される。
Specifically, after the semiconductor chip 110 is formed at the wafer level, the terminal surface 11 of the semiconductor chip 110 is formed.
A power supply layer for electrolytic plating is formed on the entire surface on the 0a side, and a photosensitive insulating layer is formed on the entire surface thereon. Next, the photosensitive insulating layer is exposed by a photolithography method to form a plating resist layer having openings corresponding to the shapes of the wiring layers 171 and 172 to be formed. Then, electrolytic plating is performed on the power supply layer exposed from the opening of the plating resist layer,
After providing the wiring layers 171 and 172 on the power supply layer, the plating-resistant resist layer is peeled off. Then, the power supply layer exposed by peeling and removing the plating resist layer is removed from the wiring layer 171,1.
72 is removed by soft etching so as not to damage. Thus, the wiring layers 171 and 172 are formed on the terminal surfaces 110a of the semiconductor chip 110.

【0080】次いで、配線層171,172を覆うよう
に感光性ポリイミドを半導体チップ110の端子面11
0a側の全面に塗布し、フォトリソグラフィ法によりビ
ア部157,158の形成箇所を開口させた後、当該開
口を含む感光性ポリイミド膜の全面を活性化して無電解
めっきを行い、給電層を形成する。
Next, photosensitive polyimide is coated on the terminal surface 11 of the semiconductor chip 110 so as to cover the wiring layers 171 and 172.
After coating the entire surface on the 0a side and opening the formation portions of the via portions 157 and 158 by photolithography, the entire surface of the photosensitive polyimide film including the openings is activated to perform electroless plating to form a power supply layer. I do.

【0081】次いで、給電層の全面に感光性絶縁層を形
成し、フォトリソグラフィ法により感光性絶縁層を露光
することにより、形成されるコイル115、ビア部15
7a,157b、ビア部158a,158b、凸状端子
112a,112bの形状に対応する開口を有する耐め
っきレジスト層を形成する。そして、耐めっきレジスト
層の開口から露出した給電層上に電解めっきを施し、配
線層171,172を給電層上に設けた後、耐めっきレ
ジスト層を剥離除去する。その後、耐めっきレジスト層
の剥離除去により露出した給電層をコイル115、ビア
部157a,157b、ビア部158a,158b、凸
状端子112a,112bを損なわないようにソフトエ
ッチングによりエッチング除去する。これにより、半導
体チップ110の端子面110a上に配線層171,1
72が形成される。
Next, a photosensitive insulating layer is formed on the entire surface of the power supply layer, and the photosensitive insulating layer is exposed to light by a photolithography method.
A plating-resistant resist layer having openings corresponding to the shapes of 7a, 157b, via portions 158a, 158b, and convex terminals 112a, 112b is formed. Then, electrolytic plating is performed on the power supply layer exposed from the opening of the plating resist layer, and after the wiring layers 171 and 172 are provided on the power supply layer, the plating resist layer is peeled off. Thereafter, the power supply layer exposed by peeling and removing the plating resist layer is removed by soft etching so as not to damage the coil 115, the via portions 157a and 157b, the via portions 158a and 158b, and the convex terminals 112a and 112b. Thereby, the wiring layers 171 and 1 are formed on the terminal surfaces 110a of the semiconductor chip 110.
72 are formed.

【0082】最終的に、ウエハを各半導体チップ110
ごとにダイシングして分離することにより、絶縁層18
0の表面180a上にコイル115が配設されたコイル
オンチップ型の半導体チップモジュール107が得られ
る。
Finally, the wafer is transferred to each semiconductor chip 110.
The insulating layer 18 is separated by dicing every
Thus, a coil-on-chip type semiconductor chip module 107 having the coil 115 disposed on the surface 180a of the “0” is obtained.

【0083】一方、ベース基材120として両面銅貼り
積層板材を準備し、ベース基材120の一方の面120
a上に接続用配線部151,152を、他方の面120
b上に接触端子部131,132を、フォトエッチング
法によりエッチング形成する。ここで、ベース基材12
0には、フォトエッチングの前または後に孔部126,
126を形成する。
On the other hand, a double-sided copper-clad laminate is prepared as the base substrate 120, and one surface 120 of the base substrate 120 is prepared.
a on the other surface 120.
The contact terminal portions 131 and 132 are formed on the surface b by photoetching. Here, the base material 12
0 has holes 126, before or after photoetching.
126 is formed.

【0084】そして、ベース基材120の孔部126,
126内にビア部155,156を無電解めっきおよび
電解めっきにより形成した後、半導体チップ110の端
子111a,111bに接続された凸状端子112a,
112bを、接続用配線部151,152にフリップチ
ップ接続する。なお、必要に応じて、接続用配線部15
1,152のうち凸状端子112a,112bに対応す
る位置にバンプを形成するようにしてもよい。
Then, the holes 126,
After the via portions 155 and 156 are formed in the 126 by electroless plating and electrolytic plating, the convex terminals 112 a and 112 b connected to the terminals 111 a and 111 b of the semiconductor chip 110 are formed.
112b is flip-chip connected to the connection wiring portions 151 and 152. In addition, if necessary, the connection wiring portion 15
A bump may be formed at a position corresponding to the protruding terminals 112a and 112b among the bumps 1 and 152.

【0085】これにより、最終的に、図4(a)(b)に示す
ようなデータキャリアモジュール104が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 104 as shown in FIGS. 4A and 4B is manufactured.

【0086】なお、データキャリアモジュール104の
製造方法としては、上述した方法以外にも、次のような
方法を用いることができる。
As a method of manufacturing the data carrier module 104, the following method can be used in addition to the method described above.

【0087】すなわち、ベース基材120に孔部12
6,126を形成した後、ベース基材120の一方の面
120aおよび他方の面120b上にフォトリソグラフ
ィ法により耐めっきレジスト層を形成し、ベース基材1
20の両面120a,120bおよび孔部126,12
6を活性化して無電解めっきを行った後、電解めっきに
より、接続用配線部151,152、接触端子部13
1,132およびビア部155,156を形成する。
That is, the hole 12 is formed in the base material 120.
6 and 126, a plating-resistant resist layer is formed on one surface 120a and the other surface 120b of the base substrate 120 by a photolithography method.
20, both sides 120a, 120b and holes 126, 12
6 is activated and electroless plating is performed, and then the connection wiring portions 151 and 152 and the contact terminal portions 13 are formed by electrolytic plating.
1 and 132 and via portions 155 and 156 are formed.

【0088】そして、このようにして得られたベース基
材120をソフトエッチングした後、半導体チップ11
0の端子111a,111bに接続された凸状端子11
2a,112bを、接続用配線部151,152にフリ
ップチップ接続する。なお、必要に応じて、接続用配線
部151,152のうち凸状端子112a,112bに
対応する位置にバンプを形成するようにしてもよい。
After the base material 120 thus obtained is soft-etched, the semiconductor chip 11
0 terminal 111a, 111b, convex terminal 11 connected to 111b
2a and 112b are flip-chip connected to the connection wiring portions 151 and 152. If necessary, bumps may be formed at positions corresponding to the protruding terminals 112a and 112b in the connection wiring portions 151 and 152.

【0089】これにより、上述した方法と同様に、最終
的に、図4(a)(b)に示すようなデータキャリアモジュー
ル104が製造される。
As a result, similarly to the above-described method, finally, the data carrier module 104 as shown in FIGS. 4A and 4B is manufactured.

【0090】なお、上述した第4の実施の形態において
も、図1に示す第1の実施の形態と同様に、データキャ
リアモジュール104の半導体チップモジュール107
側を樹脂封止し、半導体チップ110、コイル115お
よび接続用配線部151,152を覆うよう封止用樹脂
層を設けるようにしてもよい。
In the fourth embodiment described above, similarly to the first embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor chip module 107 of the data carrier module 104 is provided.
The side may be resin-sealed, and a sealing resin layer may be provided so as to cover the semiconductor chip 110, the coil 115, and the connection wiring portions 151 and 152.

【0091】第5の実施の形態 次に、図5により、本発明による接触式および非接触式
兼用のデータキャリアモジュールの第5の実施の形態に
ついて説明する。本発明の第5の実施の形態は、コイル
の配設位置、および半導体チップの端子とコイルとの接
続方法が異なる点を除いて、他は図4(a)(b)に示す第4
の実施の形態と略同一である。本発明の第5の実施の形
態において、図4(a)(b)に示す第4の実施の形態と同一
部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention will be described with reference to FIG. The fifth embodiment of the present invention is similar to the fourth embodiment shown in FIGS. 4A and 4B except that the arrangement position of the coil and the method of connecting the terminal of the semiconductor chip to the coil are different.
This is substantially the same as the embodiment. In the fifth embodiment of the present invention, the same portions as those of the fourth embodiment shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b) are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0092】図5に示すように、本発明の第5の実施の
形態に係るデータキャリアモジュール105において、
2次コイルとしてのコイル160は、半導体チップ11
0の端子面110a上ではなく、ベース基材120の一
方の面120a上に配設されている。
As shown in FIG. 5, in the data carrier module 105 according to the fifth embodiment of the present invention,
The coil 160 as a secondary coil is connected to the semiconductor chip 11
The base member 120 is provided not on the terminal surface 110 a but on one surface 120 a of the base member 120.

【0093】ベース基材120の一方の面120a上に
は、端子111a,111b,111cに接続された接
続用端子部(ラウンド)165,166,167が配設
されている。また、ベース基材120の他方の面120
b上には接触端子部131,132および接続用配線部
159が配設されている。
On one surface 120a of the base member 120, connection terminals (rounds) 165, 166, and 167 connected to the terminals 111a, 111b, and 111c are provided. Also, the other surface 120 of the base substrate 120
The contact terminal portions 131 and 132 and the connection wiring portion 159 are provided on “b”.

【0094】ここで、ベース基材120には、孔部(コ
イル用開口部)127,127が形成されており、この
孔部127,127内に、コイル160の一側端部16
0aと接続用配線部159、および接続用配線部159
と接続用端子部167を接続する一対のビア部157
a,157bが設けられている。また、半導体チップ1
10の端子111c,111dに接続された凸状端子1
12c,112dは、それぞれ、コイル160の一側端
部160aに最終的に接続された接続用端子部167
と、コイル160の他側端部160bとにフリップチッ
プ接続されている。これにより、半導体チップ110と
コイル160とは、半導体チップ110の端子111c
とコイル160の端部160aとを、半導体チップ11
0の端子111c,111dに接続された凸状端子11
2c、接続用端子部167、ビア部157b、接続用配
線部159およびビア部157aにより接続するととも
に、半導体チップ110の端子111dとコイル160
の端部160bとを凸状端子112dにより接続するこ
とにより、互いに接続されている。なお、凸状端子11
2c,112d、接続用端子部167、ビア部157
a,157bおよび接続用配線部159により、コイル
用接続部が構成されている。
Here, holes (openings for coil) 127, 127 are formed in the base material 120, and one end 16 of the coil 160 is formed in the holes 127, 127.
0a and connection wiring portion 159, and connection wiring portion 159
And a pair of via portions 157 connecting the connection terminal portions 167
a, 157b are provided. In addition, the semiconductor chip 1
Convex terminal 1 connected to ten terminals 111c and 111d
12c and 112d are connection terminal portions 167 finally connected to one end 160a of the coil 160, respectively.
And the other end 160b of the coil 160 are flip-chip connected. Thereby, the semiconductor chip 110 and the coil 160 are connected to the terminal 111c of the semiconductor chip 110.
And the end 160a of the coil 160 are connected to the semiconductor chip 11
0 terminal 111c, 111d, the convex terminal 11 connected to 111d
2c, the connection terminal portion 167, the via portion 157b, the connection wiring portion 159, and the via portion 157a, and the terminal 111d of the semiconductor chip 110 and the coil 160 are connected.
Are connected to each other by connecting the end portion 160b of the first terminal 160b with the convex terminal 112d. In addition, the convex terminal 11
2c, 112d, connection terminal 167, via 157
a, 157b and the connection wiring portion 159 constitute a coil connection portion.

【0095】また、ベース基材120には、孔部(接触
端子部用開口部)126,126が形成されており、こ
の孔部126,126内に、接続用端子部165,16
6と接触端子部131,132とをそれぞれ接続するビ
ア部155,156が設けられている。また、半導体チ
ップ110の端子111a,111bに接続された凸状
端子112a,112bは、それぞれ、接続用端子部1
65,166にフリップチップ接続されている。これに
より、半導体チップ110と接触端子部131,132
とは、半導体チップの端子111a,111bと接触端
子部131,132とを接続用端子部165,166お
よびビア部155,156により接続することにより、
互いに接続されている。なお、接続用端子部165,1
66およびビア部155,156により、接触端子部用
接続部が構成されている。
Further, holes (opening portions for contact terminal portions) 126, 126 are formed in the base material 120, and connection terminal portions 165, 16 are formed in the holes 126, 126.
Via portions 155 and 156 for connecting the contact terminals 6 and the contact terminal portions 131 and 132 are provided. The protruding terminals 112a and 112b connected to the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip 110 are connected to the connection terminal portion 1 respectively.
65 and 166 are flip-chip connected. Thereby, the semiconductor chip 110 and the contact terminal portions 131, 132
This means that the terminals 111a and 111b of the semiconductor chip and the contact terminals 131 and 132 are connected by connection terminals 165 and 166 and vias 155 and 156, respectively.
Connected to each other. The connection terminals 165, 1
66 and the via portions 155 and 156 constitute a connection portion for a contact terminal portion.

【0096】次に、このような構成からなるデータキャ
リアモジュール105の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the data carrier module 105 having such a configuration will be described.

【0097】まず、ベース基材120として両面銅貼り
積層板材を準備し、ベース基材120の一方の面120
a上にコイル160および接続用端子部165,16
6,167を、他方の面120b上に接触端子部13
1,132および接続用配線部159を、フォトエッチ
ング法によりエッチング形成する。ここで、ベース基材
120には、フォトエッチングの前または後に孔部12
6,126,127,127を形成する。
First, a double-sided copper-clad laminate is prepared as the base substrate 120, and one side 120 of the base substrate 120 is prepared.
a on the coil 160 and the connection terminals 165, 16
6,167 on the other surface 120b.
1, 132 and the connection wiring portion 159 are formed by etching using a photoetching method. Here, the hole 12 is formed in the base material 120 before or after the photoetching.
6, 126, 127 and 127 are formed.

【0098】そして、ベース基材120の孔部126,
126、127,127内にビア部155,156,1
57a,157bを無電解めっきおよび電解めっきによ
り形成し、半導体チップ110の端子111a,111
b,111c,111dに接続された凸状端子112
a,112b,112c,112dを、接続用端子部1
65,166,167およびコイル160の他側端子1
60bにフリップチップ接続する。
Then, the holes 126,
Via portions 155, 156, and 1 in 126, 127, and 127
57a and 157b are formed by electroless plating and electrolytic plating, and the terminals 111a and 111 of the semiconductor chip 110 are formed.
b, 111c, 111d connected to the convex terminal 112
a, 112b, 112c, and 112d are connected to the connection terminal 1
65, 166, 167 and the other terminal 1 of the coil 160
Flip chip connection is made to 60b.

【0099】これにより、最終的に、図5に示すような
データキャリアモジュール105が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 105 as shown in FIG. 5 is manufactured.

【0100】なお、データキャリアモジュール105の
製造方法としては、上述した方法以外にも、次のような
方法を用いることができる。
As a method of manufacturing the data carrier module 105, the following method can be used in addition to the method described above.

【0101】すなわち、ベース基材120に孔部12
6,126,127,127を形成した後、ベース基材
120の一方の面120aおよび他方の面120b上に
フォトリソグラフィ法により耐めっきレジスト層を形成
し、ベース基材120の両面120a,120bおよび
孔部126,126,127,127を活性化して無電
解めっきを行った後、電解めっきにより、コイル16
0、接続用端子部165,166,167、接触端子部
131,132、接続用配線部159およびビア部15
5,156,157a,157bを形成する。
That is, the hole 12 is formed in the base material 120.
6, 126, 127 and 127 are formed, a plating resist layer is formed on one surface 120a and the other surface 120b of the base substrate 120 by a photolithography method, and both surfaces 120a, 120b and After activating the holes 126, 126, 127, 127 and performing electroless plating, the coils 16 are formed by electrolytic plating.
0, connection terminal portions 165, 166, 167, contact terminal portions 131, 132, connection wiring portion 159, and via portion 15.
5, 156, 157a and 157b are formed.

【0102】そして、このようにして得られたベース基
材120をソフトエッチングした後、半導体チップ11
0の端子111a,111b,111c,111dに接
続された凸状端子112a,112b,112c,11
2dを、接続用端子部165,166,167、および
コイル160の他側端子160bにフリップチップ接続
する。
Then, after soft etching the base material 120 thus obtained, the semiconductor chip 11
0 terminal 111a, 111b, 111c, 111d connected to convex terminal 112a, 112b, 112c, 11
2d is flip-chip connected to the connection terminals 165, 166, 167 and the other terminal 160b of the coil 160.

【0103】これにより、最終的に、図5に示すような
データキャリアモジュール105が製造される。
Thus, finally, the data carrier module 105 as shown in FIG. 5 is manufactured.

【0104】なお、上述した第5の実施の形態において
も、図1に示す第1の実施の形態と同様に、データキャ
リアモジュール105の半導体チップ110側を樹脂封
止し、半導体チップ110、コイル160および接続用
端子部165,166,167を覆うよう封止用樹脂層
を設けるようにしてもよい。
In the fifth embodiment described above, similarly to the first embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor chip 110 side of the data carrier module 105 is resin-sealed, A sealing resin layer may be provided so as to cover 160 and connection terminal portions 165, 166, and 167.

【0105】使用形態 次に、図6(a)(b)(c)により、上述した第1乃至第5の
実施の形態に係る接触式および非接触式兼用のデータキ
ャリアモジュールの使用形態について説明する。
- 0105] The use forms Next, FIG. 6 (a) (b) ( c), the use form of the first to fifth contact and non-contact combined data carrier module according to the embodiment of the above described I do.

【0106】図6(a)に示すように、データキャリアモ
ジュール610(図1乃至図5に示すデータキャリアモ
ジュール101〜105に対応)は、ブースターカード
用のSIM(Subscriber Identity Module)、または携
帯電話装置用のSIMとして使用することができる。
As shown in FIG. 6A, a data carrier module 610 (corresponding to the data carrier modules 101 to 105 shown in FIGS. 1 to 5) is a SIM (Subscriber Identity Module) for a booster card or a portable telephone. It can be used as a SIM for the device.

【0107】図6(a)に示すように、データキャリアモ
ジュール610がブースターカード620用のSIMと
して使用される場合には、ブースターカード620のス
ロット650に挿入されて使用される。
As shown in FIG. 6A, when the data carrier module 610 is used as a SIM for the booster card 620, it is inserted into the slot 650 of the booster card 620 and used.

【0108】この場合、ブースターカード620のブー
スターアンテナコイル(一次コイル)621には、スロ
ット650の位置でコイル密集部が設けられ、このコイ
ル密集部の上にコイル(二次コイル)611が重なるよ
うにデータキャリアモジュール610が搭載される。な
おこのとき、ブースターアンテナコイル621のコイル
密集部の形状と、データキャリアモジュール610のコ
イル611の形状とをほぼ一致させることにより、電磁
結合の効率を高くすることができる。
In this case, the booster antenna coil (primary coil) 621 of the booster card 620 is provided with a coil dense portion at the position of the slot 650, and the coil (secondary coil) 611 overlaps the coil dense portion. Is mounted with a data carrier module 610. At this time, by making the shape of the coil dense portion of the booster antenna coil 621 substantially coincide with the shape of the coil 611 of the data carrier module 610, the efficiency of electromagnetic coupling can be increased.

【0109】このようにして、データキャリアモジュー
ル610がブースターカード620のスロット650に
挿入されると、外部の読み書き装置(リーダライター)
から、ブースターアンテナコイル621を介して、接触
式および非接触式兼用のデータキャリアモジュール61
0の半導体チップを非接触でアクセスすることができ
る。
In this way, when the data carrier module 610 is inserted into the slot 650 of the booster card 620, an external read / write device (reader / writer)
, Through a booster antenna coil 621, a contact-type and non-contact type data carrier module 61
0 can be accessed without contact.

【0110】ここで、データキャリアモジュール610
の半導体チップは、制御部、メモリ、受信回路および送
信回路を有し、コイル611からの入力信号は、受信回
路および制御部を介してメモリヘアクセスされ、メモリ
からの信号は制御部を介して送信回路へ送られ、コイル
611、およびブースターカード620のブースターア
ンテナコイル621を経て、外部のリーダライターへと
送られる。なお、半導体チップのメモリには、データキ
ャリア装置として必要な各種の情報が格納されている。
Here, the data carrier module 610
Has a control unit, a memory, a reception circuit, and a transmission circuit, an input signal from the coil 611 is accessed to the memory via the reception circuit and the control unit, and a signal from the memory is transmitted via the control unit. The signal is sent to the transmission circuit, and is sent to an external reader / writer via the coil 611 and the booster antenna coil 621 of the booster card 620. Note that various information necessary for the data carrier device is stored in the memory of the semiconductor chip.

【0111】ここで、ブースターカード620と外部の
リーダライターとの間の通信には、125kHz(中
波)や、13.56MHz、2.45GHz(マイクロ
波)等の周波数帯が使用され、通常、125kHzでは
2cm程度、13.56MHzでは20cm程度の通信
距離であるが、実際の通信距離は、アンテナの面積やリ
ーダライターの出力電力によって大きく変化する。
Here, for communication between the booster card 620 and an external reader / writer, a frequency band such as 125 kHz (medium wave), 13.56 MHz, 2.45 GHz (microwave) is used. Although the communication distance is about 2 cm at 125 kHz and about 20 cm at 13.56 MHz, the actual communication distance varies greatly depending on the antenna area and the output power of the reader / writer.

【0112】なお、ブースターカード620には、複数
個のデータキャリアモジュール610が挿入されるよう
複数個のスロットを設け、各スロットごとにデータキャ
リアモジュール610と外部のリーダライターとの間で
通信を行うようにしてもよい。
A plurality of slots are provided in the booster card 620 so that a plurality of data carrier modules 610 can be inserted, and communication between the data carrier module 610 and an external reader / writer is performed for each slot. You may do so.

【0113】一方、図6(b)に示すように、データキャ
リアモジュール610が携帯電話装置630用のSIM
として使用される場合には、携帯電話装置630のスロ
ット650に挿入されて使用される。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, the data carrier module 610 is a SIM for the mobile phone 630.
When it is used as a mobile phone, it is inserted into the slot 650 of the mobile phone 630 and used.

【0114】この場合、携帯電話装置630のブースタ
ーアンテナコイル(一次コイル、図示せず)には、スロ
ット650の位置でコイル密集部が設けられ、このコイ
ル密集部の上にコイル(二次コイル)611が重なるよ
うにデータキャリアモジュール610が搭載される。な
おこのとき、ブースターアンテナコイルのコイル密集部
の形状と、データキャリアモジュール610のコイル6
11の形状とをほぼ一致させることにより、電磁結合の
効率を高くすることができる。なお、携帯電話装置63
0において、ブースターアンテナコイルは、携帯電話装
置630の裏面側に形成することが好ましい。
In this case, a booster antenna coil (primary coil, not shown) of the portable telephone device 630 is provided with a coil dense portion at the position of the slot 650, and a coil (secondary coil) is placed on the coil dense portion. The data carrier module 610 is mounted so that 611 overlaps. At this time, the shape of the coil dense portion of the booster antenna coil and the coil 6 of the data carrier module 610
By substantially matching the shape of the eleventh shape, the efficiency of electromagnetic coupling can be increased. Note that the mobile phone device 63
At 0, the booster antenna coil is preferably formed on the back side of the mobile phone device 630.

【0115】このようにして、データキャリアモジュー
ル610が携帯電話装置630のスロット650に挿入
されると、接触式および非接触式兼用のデータキャリア
モジュール610は、ブースターアンテナコイルを介し
て、携帯電話装置630と情報の授受を行うことがで
き、図6(b)に示すように、携帯電話装置630を介し
てインターネット通信を行ったり、図6(c)に示すよう
に、パーソナルコンピュータ641との間で情報の授受
を行ったりすることができる。なお、図6(b)(c)におい
て、符号631は携帯電話装置630の表示部、符号6
32は通信用アンテナ、符号634は通信用アンテナ6
32から出射される電磁波、符号641はパーソナルコ
ンピュータ640の表示部である。
When the data carrier module 610 is inserted into the slot 650 of the portable telephone device 630 in this manner, the data carrier module 610 for both contact and non-contact uses the portable telephone device via the booster antenna coil. 6B, information can be exchanged with the personal computer 641. As shown in FIG. 6B, Internet communication can be performed via the mobile phone 630, or as shown in FIG. To send and receive information. 6B and 6C, reference numeral 631 denotes a display unit of the mobile phone 630, and reference numeral 61 denotes a display unit.
32 is a communication antenna, and 634 is a communication antenna 6
Reference numeral 641 denotes an electromagnetic wave emitted from 32, which is a display unit of the personal computer 640.

【0116】なお、上述した第1乃至第5の実施の形態
に係る接触式および非接触式兼用のデータキャリアモジ
ュールの半導体チップには、所有者の認証処理を行うた
めの個人認証機能回路と、インターネット接続可能な通
信装置を利用してインターネット経由で各種の情報をダ
ウンロードするための非接触通信機能回路とを設けるこ
とが好ましい。
The semiconductor chip of the contact-type and non-contact type data carrier module according to the first to fifth embodiments has a personal authentication function circuit for performing owner authentication processing, It is preferable to provide a non-contact communication function circuit for downloading various information via the Internet using a communication device connectable to the Internet.

【0117】この場合には、図6(b)(c)に示すように、
インターネットに接続可能な携帯電話装置630等の通
信装置のスロットに、接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュール610を挿入することにより、そ
の所有者が、インターネット経由で各種の情報を選択的
にダウンロードし、かつ、その対価の課金を受けること
ができる。
In this case, as shown in FIGS. 6B and 6C,
By inserting a contact-type and non-contact type data carrier module 610 into a slot of a communication device such as a mobile phone device 630 that can be connected to the Internet, the owner can selectively select various information via the Internet. You can download it and get paid for it.

【0118】なお、このような接触式および非接触式兼
用のデータキャリアモジュール610では、データキャ
リアモジュール610にインターネット経由で情報を書
き込んだ後、(1)データキャリアモジュール610を
非接触ICモジュールとして用い、外部のリーダライタ
ーとの間で非接触で通信を行ったり、(2)データキャ
リアモジュール610が挿入された携帯電話装置630
のアンテナブースターコイルを用いて、外部のリーダラ
イターとの間で非接触で通信を行ったり、(3)データ
キャリアモジュール610が挿入された携帯電話装置6
30を介してパーソナルコンピュータ640等の他のメ
モリー装置との間で接触式で信号の交換を行ったりする
ことができる。
In such a contact-type and non-contact type data carrier module 610, after writing information to the data carrier module 610 via the Internet, (1) the data carrier module 610 is used as a non-contact IC module. And (2) the portable telephone device 630 in which the data carrier module 610 is inserted.
And (3) the mobile phone device 6 in which the data carrier module 610 is inserted.
A signal can be exchanged with another memory device such as a personal computer 640 via the contact 30 through a contact method.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、汎
用性に優れ、且つ、セキュリティ性の要求にも十分に対
応することができる、接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールを提供することができる。
As described above, according to the present invention, a contact-type and non-contact type data carrier module which is excellent in versatility and can sufficiently cope with security requirements is provided. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの第1の実施の形態を示す概略断
面図。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention.

【図2】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの第2の実施の形態を示す概略断
面図。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a second embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention.

【図3】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの第3の実施の形態を示す概略断
面図。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a third embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention.

【図4】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの第4の実施の形態を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention.

【図5】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの第5の実施の形態を示す概略断
面図、
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention;

【図6】本発明による接触式および非接触式兼用のデー
タキャリアモジュールの使用形態を説明するための概略
図である。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a usage form of a contact-type and non-contact type data carrier module according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101〜105 データキャリアモジュール 106,107 コイルオンチップ型の半導体チップモ
ジュール 110 半導体チップ 110a 端子面 111a,111b,111c,111d 端子 112a,112b 凸状端子 115 コイル(二次コイル) 115a,115b 端部 120 ベース基材 125,125 孔部(接触端子部用開口部) 126,126 孔部(接触端子部用開口部) 127,127 孔部(コイル用開口部) 131,132 接触端子部 141,142 ボンディングワイヤ(コイル用接続
部) 145,146 ボンディングワイヤ(接触端子部用接
続部) 151,152 接続用配線部 155,156 ビア部(バイアホール部) 157a,157b ビア部 158a,158b ビア部 159 接続用配線部 160 コイル(二次コイル) 160a,160b 端部 165,166,167 接続用端子部(ラウンド) 171,172 配線層 180 絶縁層 190 封止用樹脂層 610 データキャリアモジュール 611 コイル(二次コイル) 620 ブースターカード 621 ブースターアンテナコイル(一次コイル) 630 携帯電話装置 631 表示部 632 通信用アンテナ 634 電磁波 640 パーソナルコンピュータ 641 表示部 650 スロット
101 to 105 Data carrier module 106, 107 Coil-on-chip type semiconductor chip module 110 Semiconductor chip 110a Terminal surface 111a, 111b, 111c, 111d Terminal 112a, 112b Convex terminal 115 Coil (secondary coil) 115a, 115b End 120 Base material 125, 125 Hole (opening for contact terminal) 126, 126 Hole (opening for contact terminal) 127, 127 Hole (opening for coil) 131, 132 Contact terminal 141, 142 Bonding Wire (coil connection part) 145, 146 Bonding wire (contact terminal part connection part) 151, 152 Connection wiring part 155, 156 Via part (via hole part) 157a, 157b Via part 158a, 158b Via part 159 For connection Wiring section 160 Il (secondary coil) 160a, 160b End 165, 166, 167 Connection terminal (round) 171 172 Wiring layer 180 Insulating layer 190 Sealing resin layer 610 Data carrier module 611 Coil (secondary coil) 620 Booster Card 621 Booster antenna coil (primary coil) 630 Mobile phone 631 Display 632 Communication antenna 634 Electromagnetic wave 640 Personal computer 641 Display 650 Slot

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ベース基材と、 前記ベース基材上に搭載された半導体チップと、 前記半導体チップに接続され、外部のブースターアンテ
ナ部との電磁結合により非接触で通信を行うためのコイ
ルと、 前記半導体チップに接続され、外部の接点と接触接続す
るための接触端子部とを備えたことを特徴とする、接触
式および非接触式兼用のデータキャリアモジュール。
1. A base material, a semiconductor chip mounted on the base material, and a coil connected to the semiconductor chip for performing non-contact communication by electromagnetic coupling with an external booster antenna unit. A contact terminal unit connected to the semiconductor chip for contacting and connecting to an external contact; and a contact-type and non-contact type data carrier module.
【請求項2】前記半導体チップは、端子が設けられた端
子面が外側を向くよう前記ベース基材の一方の面上に配
設され、前記接触端子部は、前記半導体チップが配設さ
れる前記一方の面と反対側の他方の面上に配設され、前
記半導体チップと前記接触端子部とは、前記ベース基材
に形成された接触端子部用開口部を通して、接触端子部
用接続部により互いに接続されていることを特徴とす
る、請求項1記載のデータキャリアモジュール。
2. The semiconductor chip is disposed on one surface of the base member such that a terminal surface on which a terminal is provided faces outward, and the contact terminal portion is disposed on the semiconductor chip. The semiconductor chip and the contact terminal portion are disposed on the other surface opposite to the one surface, and the contact portion is formed through the contact terminal portion opening formed in the base material. The data carrier module according to claim 1, wherein the data carrier modules are connected to each other by:
【請求項3】前記接触端子部用接続部は、前記半導体チ
ップの端子と前記接触端子部とを接続するボンディング
ワイヤであることを特徴とする、請求項2記載のデータ
キャリアモジュール。
3. The data carrier module according to claim 2, wherein said contact terminal portion connection portion is a bonding wire for connecting a terminal of said semiconductor chip to said contact terminal portion.
【請求項4】前記接触端子部用接続部は、前記半導体チ
ップの端子と前記接続用配線部とを接続するボンディン
グワイヤと、前記ベース基材の前記一方の面上に配設さ
れた接続用配線部と、前記ベース基材の前記接触端子部
用開口部内に形成され前記接続用配線部と前記接触端子
部とを接続するビア部とからなることを特徴とする、請
求項2記載のデータキャリアモジュール。
4. A connection wire for connecting a terminal of the semiconductor chip to the connection wiring portion, and a connection wire provided on the one surface of the base material. 3. The data according to claim 2, comprising: a wiring portion; and a via portion formed in the opening for the contact terminal portion of the base material and connecting the connection wiring portion and the contact terminal portion. Carrier module.
【請求項5】前記コイルは、前記半導体チップの前記端
子面上に配設され、前記半導体チップと前記コイルと
は、コイル用接続部により互いに接続されていることを
特徴とする、請求項2記載のデータキャリアモジュー
ル。
5. The semiconductor device according to claim 2, wherein the coil is provided on the terminal surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connection portion. Data carrier module as described.
【請求項6】前記コイル用接続部は、前記半導体チップ
の端子と前記コイルの端部とを接続するボンディングワ
イヤであることを特徴とする、請求項5記載のデータキ
ャリアモジュール。
6. The data carrier module according to claim 5, wherein said coil connection portion is a bonding wire for connecting a terminal of said semiconductor chip to an end of said coil.
【請求項7】前記コイルは、前記ベース基材の前記一方
の面上に配設され、前記半導体チップと前記コイルと
は、コイル用接続部により互いに接続されていることを
特徴とする、請求項2記載のデータキャリアモジュー
ル。
7. The semiconductor device according to claim 7, wherein the coil is disposed on the one surface of the base member, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connecting portion. Item 3. The data carrier module according to Item 2.
【請求項8】前記コイル用接続部は、前記半導体チップ
の端子と前記コイルの端部とを接続するボンディングワ
イヤであることを特徴とする、請求項7記載のデータキ
ャリアモジュール。
8. The data carrier module according to claim 7, wherein said coil connection portion is a bonding wire for connecting a terminal of said semiconductor chip to an end of said coil.
【請求項9】前記コイルは、前記ベース基材の前記一方
の面上のうち前記半導体チップの周囲近傍に配設されて
いることを特徴とする、請求項7記載のデータキャリア
モジュール。
9. The data carrier module according to claim 7, wherein said coil is disposed on said one surface of said base substrate in the vicinity of said semiconductor chip.
【請求項10】前記半導体チップは、端子が設けられた
端子面が前記ベース基材側を向くよう前記ベース基材の
一方の面上に配設され、前記接触端子部は、前記半導体
チップが配設される前記一方の面と反対側の他方の面上
に配設され、前記半導体チップと前記接触端子部とは、
前記ベース基材に形成された接触端子部用開口部を通し
て、接触端子部用接続部により互いに接続されているこ
とを特徴とする、請求項1記載のデータキャリアモジュ
ール。
10. The semiconductor chip is disposed on one surface of the base substrate such that a terminal surface on which a terminal is provided faces the base substrate side. The semiconductor chip and the contact terminal portion are disposed on the other surface opposite to the one surface to be disposed,
2. The data carrier module according to claim 1, wherein the data carrier modules are connected to each other by a contact terminal connection portion through a contact terminal portion opening formed in the base material. 3.
【請求項11】前記接触端子部用接続部は、前記ベース
基材の前記一方の面上に配設された接続用配線部と、前
記ベース基材の前記接触端子部用開口部内に形成され前
記接続用配線部と前記接触端子部とを接続するビア部と
からなり、前記半導体チップの端子は、前記接続用配線
部にフリップチップ接続されていることを特徴とする、
請求項10記載のデータキャリアモジュール。
11. The connecting portion for a contact terminal portion is formed in a connection wiring portion provided on the one surface of the base material and in an opening for the contact terminal portion in the base material. It comprises a via portion for connecting the connection wiring portion and the contact terminal portion, and a terminal of the semiconductor chip is flip-chip connected to the connection wiring portion.
The data carrier module according to claim 10.
【請求項12】前記コイルは、前記半導体チップの前記
端子面上に配設され、前記半導体チップと前記コイルと
は、コイル用接続部により互いに接続されていることを
特徴とする、請求項10記載のデータキャリアモジュー
ル。
12. The semiconductor device according to claim 10, wherein the coil is disposed on the terminal surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other by a coil connection portion. Data carrier module as described.
【請求項13】前記コイルは、前記半導体チップの前記
端子面上に形成された配線層と、前記配線層を覆うよう
形成された絶縁層とを介して配設され、前記配線層は前
記半導体チップの端子に接続され、前記コイル用接続部
は、前記配線層と、前記絶縁層に形成され前記配線層と
前記コイルの端部とを接続するビア部とからなることを
特徴とする、請求項12記載のデータキャリアモジュー
ル。
13. The coil is disposed via a wiring layer formed on the terminal surface of the semiconductor chip and an insulating layer formed to cover the wiring layer, wherein the wiring layer is formed of the semiconductor chip. The coil connection part, which is connected to a terminal of a chip, includes the wiring layer, and a via part formed in the insulating layer and connecting the wiring layer and an end of the coil. Item 13. The data carrier module according to item 12.
【請求項14】前記コイルは、前記ベース基材の前記一
方の面上に配設され、前記半導体チップと前記コイルと
は、前記ベース基材に形成された一対のコイル用開口部
を通して、コイル用接続部により互いに接続されている
ことを特徴とする、請求項10記載のデータキャリアモ
ジュール。
14. The coil is disposed on the one surface of the base member, and the semiconductor chip and the coil are connected to each other through a pair of coil openings formed in the base member. The data carrier module according to claim 10, wherein the data carrier modules are connected to each other by a connection unit.
【請求項15】前記コイル用接続部は、前記ベース基材
の前記他方の面上に配設された接続用配線部と、前記ベ
ース基材の前記一方の面上に配設された接続用端子部
と、前記ベース基材の前記一対のコイル用開口部内に形
成され、前記コイルの一側端部と前記接続用配線部、お
よび前記接続用配線部と前記接続用端子部を接続する一
対のビア部とからなり、前記半導体チップの端子は、前
記コイルの一側端子に接続される前記接続用端子部、お
よび前記コイルの他側端子にフリップチップ接続されて
いることを特徴とする請求項14記載のデータキャリア
モジュール。
15. The connection portion for a coil provided on the other surface of the base material, and the connection portion for a connection provided on the one surface of the base material. A terminal portion and a pair of terminals formed in the pair of coil openings of the base material and connecting one end of the coil to the connection wiring portion, and connecting the connection wiring portion to the connection terminal portion. Wherein the terminal of the semiconductor chip is flip-chip connected to the connection terminal portion connected to one terminal of the coil and the other terminal of the coil. Item 15. The data carrier module according to Item 14.
【請求項16】前記半導体チップ、前記コイルおよび前
記配線部を樹脂封止する封止用樹脂層をさらに備えたこ
とを特徴とする、請求項1乃至15のいずれかに記載の
データキャリアモジュール。
16. The data carrier module according to claim 1, further comprising a sealing resin layer for resin-sealing said semiconductor chip, said coil and said wiring portion.
【請求項17】ブースターカード用のSIMとして使用
されることを特徴とする、請求項1乃至16のいずれか
に記載のデータキャリアモジュール。
17. The data carrier module according to claim 1, wherein the data carrier module is used as a SIM for a booster card.
【請求項18】携帯電話装置用のSIMとして使用され
ることを特徴とする、請求項1乃至16のいずれかに記
載のデータキャリアモジュール。
18. The data carrier module according to claim 1, wherein the data carrier module is used as a SIM for a portable telephone device.
【請求項19】前記半導体チップは、所有者の認証処理
を行うための個人認証機能回路と、インターネット接続
可能な通信装置を利用してインターネット経由で各種の
情報をダウンロードするための非接触通信機能回路とを
有することを特徴とする、請求項1乃至18のいずれか
に記載のデータキャリアモジュール。
19. The semiconductor chip includes a personal authentication function circuit for performing an authentication process of an owner and a contactless communication function for downloading various information via the Internet using a communication device connectable to the Internet. 19. The data carrier module according to claim 1, further comprising a circuit.
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