JP2002198353A - Plasma pcocessing system - Google Patents

Plasma pcocessing system

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JP2002198353A
JP2002198353A JP2000394455A JP2000394455A JP2002198353A JP 2002198353 A JP2002198353 A JP 2002198353A JP 2000394455 A JP2000394455 A JP 2000394455A JP 2000394455 A JP2000394455 A JP 2000394455A JP 2002198353 A JP2002198353 A JP 2002198353A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase a throughput by reducing the transfer time of a substrate in a plasma processing system. SOLUTION: A clamp ring hoisting mechanism 57 is coupled with a driving motor 71 by a belt pulley mechanism. A substrate thrust mechanism 58 comprises a thrust board 74 on which thrust pins are fixed, cam followers 91A, 91B arranged on the thrust board 74, and a grooved cylindrical cam 87 in which cam grooves 89A, 89B are formed. The grooved cylindrical cam 87 is coupled with the driving motor 71 by a belt pulley mechanism.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
ディスプレイパネル、太陽電池等の製造における薄膜形
成工程、微細加工等に使用されるプラズマ処理装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus used for a thin film forming process, a fine processing, and the like in manufacturing semiconductor devices, liquid crystal display panels, solar cells, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、プラズマ処理装置では、デバイス
の高機能化と処理コストの低減のために、高精度化、高
速化、大面積化、低ダメージ化及び高信頼性を実現する
ための種々に試みがなされている。特に、薄膜形成工程
における基板内の膜質均一性や、微細加工として使用さ
れるドライエッチング工程にける寸法精度を向上するた
めには、基板面内の温度を均一かつ精密に制御すること
が必要である。そのため、基板周辺部を基板保持台に押
さえ付けるクランプリングを設け、基板裏面に不活性ガ
スを充填して基板保持台から基板裏面までの温度伝達を
向上することにより、基板温度の均一化を図ったプラズ
マ処理装置が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in a plasma processing apparatus, various devices for realizing high precision, high speed, large area, low damage, and high reliability have been developed in order to enhance the functionality of the device and reduce the processing cost. Attempts have been made. In particular, in order to improve the film quality uniformity in the substrate in the thin film forming process and the dimensional accuracy in the dry etching process used as fine processing, it is necessary to control the temperature in the substrate surface uniformly and precisely. is there. For this reason, a clamp ring is provided to hold the periphery of the substrate against the substrate holder, and the back surface of the substrate is filled with an inert gas to improve the temperature transmission from the substrate holder to the back surface of the substrate, thereby achieving a uniform substrate temperature. A plasma processing apparatus has been proposed.

【0003】図7はかかる従来のプラズマ処理装置(反
応イオンエッチング装置)を示している。真空槽1内に
は、基板保持台2と、この基板保持台2と対向する上部
電極3が収容されている。基板保持台2には下部電極4
が内蔵されており、この下部電極4は、プラズマ発生用
の高周波電源7に接続されている。
FIG. 7 shows such a conventional plasma processing apparatus (reactive ion etching apparatus). In the vacuum chamber 1, a substrate holder 2 and an upper electrode 3 facing the substrate holder 2 are accommodated. The lower electrode 4 is provided on the substrate holder 2.
The lower electrode 4 is connected to a high-frequency power source 7 for generating plasma.

【0004】基板保持台2に対して基板8の外周部を押
し付けるためにクランプリング9が設けられている。こ
のクランプリング9を昇降させるクランプリング昇降機
構11は、真空槽1内の底部に基板保持台2を取り囲ん
で配置された昇降リング12を備えている。昇降リング
12の上面には上方に延びる複数の筒部12aが設けら
れている。一方、クランプリング9には、上記筒部12
aに対応して複数の挿通孔9aが設けられており、この
挿通孔9aにはばね13が挿通されている。また、ばね
13の一端にクリップ14が固定されている。さらに、
ばね13は筒部12a内に挿入されており、他端が昇降
リング12に固定されている。クランプリング9は、ば
ね13により基板保持台2側に引っ張られ、それによっ
てクランプリング9が基板8を基板保持台2に押し付け
ている。
[0006] A clamp ring 9 is provided for pressing the outer peripheral portion of the substrate 8 against the substrate holding table 2. The clamp ring elevating mechanism 11 for elevating and lowering the clamp ring 9 includes an elevating ring 12 arranged at the bottom of the vacuum chamber 1 so as to surround the substrate holder 2. A plurality of cylindrical portions 12a extending upward are provided on the upper surface of the elevating ring 12. On the other hand, the clamp ring 9 has the cylindrical portion 12
A plurality of insertion holes 9a are provided corresponding to a, and a spring 13 is inserted into the insertion holes 9a. A clip 14 is fixed to one end of the spring 13. further,
The spring 13 is inserted into the cylindrical portion 12a, and the other end is fixed to the elevating ring 12. The clamp ring 9 is pulled toward the substrate holder 2 by the spring 13, whereby the clamp ring 9 presses the substrate 8 against the substrate holder 2.

【0005】真空槽1の底部に設けられた複数の挿通孔
1aには、それぞれ昇降シャフト16が挿入されてい
る。また、この昇降シャフト16は真空槽1内を大気か
ら遮断するためのベローズ17に挿通されている。さら
に、昇降シャフト16は、先端が昇降リング12に固定
され、基端がボールネジ18に連結されている。各ボー
ルネジ18のナット18aはタイミングプーリ19に連
結されており、各タイミングプーリ19は、タイミング
ベルト21、他のタイミングプーリ22及び減速器23
を介して駆動用モータ24に接続されている。駆動用モ
ータ24が作動してボールネジ18のナット18aが昇
降すると、昇降シャフト16が昇降する。昇降シャフト
16が昇降すると昇降リング12が昇降し、それによっ
てクランプリング9が基板保持台2に対して上昇又は降
下する。
[0005] Elevating shafts 16 are inserted into a plurality of insertion holes 1a provided at the bottom of the vacuum chamber 1, respectively. The elevating shaft 16 is inserted through a bellows 17 for isolating the inside of the vacuum chamber 1 from the atmosphere. Further, the elevating shaft 16 has a distal end fixed to the elevating ring 12 and a proximal end connected to a ball screw 18. A nut 18a of each ball screw 18 is connected to a timing pulley 19, and each timing pulley 19 is connected to a timing belt 21, another timing pulley 22, and a speed reducer 23.
Is connected to the drive motor 24 via the. When the drive motor 24 operates and the nut 18a of the ball screw 18 moves up and down, the elevating shaft 16 moves up and down. When the elevating shaft 16 moves up and down, the elevating ring 12 moves up and down, whereby the clamp ring 9 moves up and down with respect to the substrate holder 2.

【0006】また、このプラズマ処理装置は、処理終了
後に基板保持台2から基板8を剥離させるための基板突
き上げ機構26を備えている。この基板突き上げ機構2
6について説明すると、基板保持台2及び真空槽1の底
部を貫通する複数の挿通孔27が設けられており、各挿
通孔に突き上げピン28が挿入されている。各突き上げ
ピン28の下端側は、挿通孔27に対応して真空槽1の
底部外側に固定されたボックス29内に収容されてい
る。このボックス29内には、レバー、カムフォロア等
(図示せず。)を備える突き上げピン28を昇降させる
ための機構が収容されている。また、各ボックス29内
の機構は、ボックス29の外側に設けられた図示しない
ロッドにより連結されており、各突き上げピン28が同
期して昇降するようになっている。ボックス29は上記
挿通孔27により真空槽1内と連通しているが、シール
機構により、ボックス29の内部と大気が遮断されてい
る。
Further, the plasma processing apparatus includes a substrate push-up mechanism 26 for separating the substrate 8 from the substrate holding table 2 after the processing is completed. This substrate push-up mechanism 2
In the case of No. 6, a plurality of insertion holes 27 penetrating the substrate holding table 2 and the bottom of the vacuum chamber 1 are provided, and a push-up pin 28 is inserted into each of the insertion holes. The lower end of each push-up pin 28 is accommodated in a box 29 fixed to the outside of the bottom of the vacuum chamber 1 corresponding to the insertion hole 27. The box 29 houses a mechanism for raising and lowering the push-up pin 28 having a lever, a cam follower, and the like (not shown). The mechanisms in each box 29 are connected by a rod (not shown) provided outside the box 29 so that the push-up pins 28 move up and down in synchronization. The box 29 communicates with the inside of the vacuum chamber 1 through the insertion hole 27, but the inside of the box 29 and the atmosphere are shut off by a sealing mechanism.

【0007】上記基板突き上げ機構26は、真空槽1内
に基板8を搬送するための搬送アーム31と同一の駆動
用モータ25により駆動される。
The substrate push-up mechanism 26 is driven by the same drive motor 25 as the transfer arm 31 for transferring the substrate 8 into the vacuum chamber 1.

【0008】図7において、32は反応ガス供給源、3
3は真空排気手段、34は基板保持台2と基板8との間
に不活性ガスを充填するための不活性ガス供給手段、3
6は真空槽1への基板8の搬入出口37を開閉するため
の扉体36である。
In FIG. 7, reference numeral 32 denotes a reaction gas supply source, 3
Reference numeral 3 denotes a vacuum exhaust unit; 34, an inert gas supply unit for filling an inert gas between the substrate holding table 2 and the substrate 8;
Reference numeral 6 denotes a door 36 for opening and closing a loading / unloading port 37 of the substrate 8 to / from the vacuum chamber 1.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにクランプ
リング昇降機構11と基板突き上げ機構26とがそれぞ
れ独立の駆動源を有する別個の駆動系を備える従来のプ
ラズマ処理装置では、一方の作動をセンサ等により検知
した後に他方を作動させる必要があるため、制御が複雑
で基板搬送に要する時間が長い。例えば、基板保持台2
から基板8を剥離する際には、まず、クランプリング9
が上昇して基板8及び基板保持台2から離れたことを検
知し、その後、基板突き上げ機構26を作動させる必要
がある。
As described above, in the conventional plasma processing apparatus in which the clamp ring elevating mechanism 11 and the substrate push-up mechanism 26 have separate drive systems each having an independent drive source, one of the operations is performed by a sensor. Since it is necessary to operate the other after the detection, the control is complicated and the time required for substrate transfer is long. For example, the substrate holder 2
When peeling the substrate 8 from the
Is detected to be separated from the substrate 8 and the substrate holding table 2 and then the substrate push-up mechanism 26 needs to be operated.

【0010】さらに、クランプリング昇降機構11と基
板突き上げ機構26とが別個の駆動系を有すると、メン
テナンスが必要なものを含めて部品点数が多くなり、高
い部品加工精度が要求される。
Further, if the clamp ring lifting mechanism 11 and the board lifting mechanism 26 have separate drive systems, the number of components including those requiring maintenance is increased, and high component processing accuracy is required.

【0011】さらにまた、基板突き上げ機構26を搬送
アーム31の駆動機構と同一の駆動系とするのは、特に
基板が大型である場合には、基板裏面の傷、ダスト等の
観点から困難である。
Further, it is difficult to make the substrate push-up mechanism 26 the same drive system as the drive mechanism of the transfer arm 31, particularly when the substrate is large, from the viewpoint of scratches and dust on the back surface of the substrate. .

【0012】さらに、従来のプラズマ処理装置では、特
に、基板8が大型であって基板処理終了後に基板8と基
板保持台2の間に作用する静電吸着力が大きい場合、基
板突き上げ機構26による剥離動作の際に基板8の位置
ずれ、破損等が発生するおそれがある。一方、これら位
置ずれや破損防止のために突き上げ速度を低下させる
と、スループットが低下する。
Further, in the conventional plasma processing apparatus, especially when the substrate 8 is large and the electrostatic attraction acting between the substrate 8 and the substrate holding table 2 is large after the substrate processing is completed, the substrate push-up mechanism 26 is used. During the peeling operation, the substrate 8 may be displaced, damaged, or the like. On the other hand, if the push-up speed is reduced to prevent these displacements and breakage, the throughput will be reduced.

【0013】そこで、本発明は、クランプリング昇降機
構と突き上げ機構とを有するプラズマ処理装置におい
て、基板搬送時間の低減によるスループット向上、及び
これらの機構の動作信頼性向上を課題としている。ま
た、本発明は、プラズマ処理装置において、基板の破損
や位置ずれを生じることなく、基板保持台から基板を確
実かつ迅速に剥離できるようにすることを課題としてい
る。
Accordingly, an object of the present invention is to improve the throughput by reducing the substrate transfer time and to improve the operation reliability of these mechanisms in a plasma processing apparatus having a clamp ring elevating mechanism and a push-up mechanism. It is another object of the present invention to enable a plasma processing apparatus to reliably and quickly peel a substrate from a substrate holding table without causing damage or displacement of the substrate.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、基板保持台に対して基板の外周部を押し
付けるためのクランプリングと、このクランプリングを
昇降させるクランプリング昇降機構と、上記基板保持台
に挿通させた突き上げピンを昇降させる基板突き上げ機
構とを備えるプラズマ処理装置であって、上記クランプ
リング昇降機構と上記基板突き上げ機構とが共通の駆動
用モータにより駆動され、同期して作動することを特徴
とするプラズマ処理装置を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a clamp ring for pressing an outer peripheral portion of a substrate against a substrate holder, a clamp ring lifting mechanism for lifting and lowering the clamp ring, A plasma processing apparatus comprising: a substrate push-up mechanism that raises and lowers push-up pins inserted through the substrate holding table, wherein the clamp ring lifting mechanism and the substrate push-up mechanism are driven by a common drive motor, and are synchronously driven. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that operates.

【0015】本発明のプラズマ処理装置では、クランプ
リング昇降機構と基板突き上げ機構とが共通の駆動用モ
ータにより同期して作動するため、一方の機構の作動終
了をセンサ等で検知した後に、他方の機構を作動させる
必要がない。よって、制御が簡易であり基板保持台に対
する基板搬送時間を短縮することができる。また、動作
信頼性も高く基板搬送のトラブルに起因する発塵やデバ
イスダメージを防止することができる。さらに、クラン
プリング昇降機構と基板突き上げ機構とが共通の駆動用
モータにより駆動されるため、メンテナンスが必要なも
のを含めて部品点数を低減することができ、高い部品加
工精度も必要ない。さらにまた、突き上げ機構の駆動系
は搬送アームとは別個であるため、突き上げピンの上昇
速度を低減する場合でも、搬送アームによる基板の搬入
速度を減速させる必要がない。
In the plasma processing apparatus of the present invention, the clamp ring elevating mechanism and the substrate push-up mechanism are operated synchronously by the common driving motor. Therefore, after detecting the end of operation of one of the mechanisms by a sensor or the like, the other is detected. There is no need to operate the mechanism. Therefore, the control is simple, and the substrate transfer time to the substrate holding table can be reduced. In addition, the operation reliability is high, and it is possible to prevent dust generation and device damage due to trouble in transporting the substrate. Further, since the clamp ring elevating mechanism and the substrate lifting mechanism are driven by a common driving motor, the number of components including those requiring maintenance can be reduced, and high component processing accuracy is not required. Furthermore, since the drive system of the push-up mechanism is separate from the transfer arm, there is no need to reduce the speed of loading the substrate by the transfer arm even when reducing the rising speed of the push-up pins.

【0016】具体的には、上記クランプリング昇降機構
は、上記駆動用モータに対して第1のベルトプーリ機構
により連結され、上記基板突き上げ機構は、突き上げピ
ンが固定された突き上げ板と、この突き上げ板に配設さ
れたカムフォロアと、このカムフォロアが係合するカム
溝が形成された円筒溝カムとを備え、この円筒溝カムは
第2のベルトプーリ機構により上記駆動用モータに連結
されている。
Specifically, the clamp ring lifting mechanism is connected to the driving motor by a first belt pulley mechanism, and the substrate lifting mechanism includes a lifting plate to which lifting pins are fixed, and a lifting plate. A cam follower provided on the plate and a cylindrical groove cam having a cam groove with which the cam follower engages are provided, and the cylindrical groove cam is connected to the driving motor by a second belt pulley mechanism.

【0017】基板突き上げ機構は、円筒溝カムとカムフ
ォロアの係合及びベルトプーリ機構によってクランプリ
ング昇降機構と共通の駆動用モータに連結され、クラン
プリング機構と基板突き上げ機構の作動の同期は機械的
に実現される。従って、これらの機構を同期するために
モータ速度の変更等の電気的な制御が不要であり、動作
安定性も高い。また、上記カム溝の形状の変更により、
クランプリングの昇降に対する突き上げピンの昇降の遅
延や、上昇開始時の突き上げピンの上昇速度低速化等を
容易に実現することができる。
The substrate push-up mechanism is connected to a clamp ring elevating mechanism and a common driving motor by a engagement between a cylindrical groove cam and a cam follower and a belt pulley mechanism. Is achieved. Therefore, in order to synchronize these mechanisms, electrical control such as a change in motor speed is not required, and operation stability is high. Also, by changing the shape of the cam groove,
Delay of raising and lowering the push-up pin with respect to lifting and lowering of the clamp ring, lowering of the lifting speed of the push-up pin at the start of lifting, and the like can be easily realized.

【0018】さらに具体的には、上記円筒溝カムは、同
一形状であって対称に形成された2条のカム溝を備え、
上記突き上げ板上に2個のカムフォロアが上記円筒溝カ
ムに対して対称に配設され、各カムフォロアはそれぞれ
対応するカム溝に係合している。
More specifically, the cylindrical groove cam has two symmetrically formed cam grooves having the same shape.
Two cam followers are arranged on the push-up plate symmetrically with respect to the cylindrical groove cam, and each cam follower is engaged with a corresponding cam groove.

【0019】この場合、突き上げピンが固定された突き
上げ板の昇降は、2条のカム溝と2個のカムフォロアに
より案内されるため、昇降中の突き上げ板の姿勢が確実
に保持される。よって、突き上げピンによる基板保持台
からの基板剥離動作の信頼性が高い。
In this case, since the lifting plate to which the lifting pin is fixed is guided by the two cam grooves and the two cam followers, the posture of the lifting plate during the raising and lowering is reliably maintained. Therefore, the reliability of the peeling operation of the substrate from the substrate holding table by the push-up pins is high.

【0020】上記駆動用モータのドライバの出力信号か
ら駆動用モータの出力トルクを検出し、検出した出力ト
ルクに基づいて駆動用モータの回転を制御するコントロ
ーラをさらに備えることが好ましい。
It is preferable that the apparatus further comprises a controller for detecting an output torque of the driving motor from an output signal of a driver of the driving motor, and controlling rotation of the driving motor based on the detected output torque.

【0021】基板処理後における基板と基板保持台の間
に作用する静電吸着による残留吸着力は、基板突き上げ
時に突き上げシャフトに対して作用する負荷となり、か
かる負荷が作用すると駆動用モータの出力トルクが増加
する。従って、この出力トルクに基づいて駆動用モータ
の回転速度や回転方向を制御することにより、残留吸着
力が存在する場合でも、基板の位置ずれ、基板の破損、
帯電していた電荷の移動によるデバイスダメージ等を生
じることなく確実に基板保持台から基板を剥離し、これ
ら基板剥離時のトラブルに起因する発塵やデバイスダメ
ージを防止することができる。
The residual attraction force due to electrostatic attraction acting between the substrate and the substrate holding table after the substrate processing becomes a load acting on the push-up shaft when the substrate is pushed up, and when the load acts, the output torque of the driving motor is increased. Increase. Therefore, by controlling the rotation speed and the rotation direction of the driving motor based on the output torque, even when the residual suction force exists, the displacement of the substrate, the breakage of the substrate,
The substrate can be reliably peeled from the substrate holder without causing device damage or the like due to the movement of the charged charge, and dust generation and device damage due to troubles at the time of peeling the substrate can be prevented.

【0022】例えば、上記コントローラは、上記出力ト
ルクが所定値を上回ると上記駆動用モータに正逆転を繰
り返させ、突き上げシャフトにより基板の突き上げを繰
り返させる。
For example, when the output torque exceeds a predetermined value, the controller causes the driving motor to repeat forward and reverse rotations, and causes the drive shaft to repeatedly push up the substrate.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、図面に示す本発明の実施形
態について詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態
にかかるプラズマ処理装置である反応イオンエッチング
(RIE)装置を示している。このRIE装置の真空槽
41には、反応ガス供給源32と、真空排気手段43と
に接続されている。また、真空槽41には基板44の搬
入出口41aが設けられており、扉体46の開放時にこ
の搬入出口41aから搬送アーム47によって真空槽4
1内に基板44が搬入又は搬出される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention shown in the drawings will be described in detail. FIG. 1 shows a reactive ion etching (RIE) apparatus which is a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The vacuum chamber 41 of the RIE apparatus is connected to a reaction gas supply source 32 and a vacuum exhaust unit 43. The vacuum chamber 41 is provided with a loading / unloading port 41a for the substrate 44. When the door 46 is opened, the transport arm 47 passes through the loading / unloading port 41a.
The substrate 44 is loaded or unloaded into the device 1.

【0024】また、真空槽41内には、基板保持台48
が収容され、この基板保持台48と対向して上部電極4
9が収容されている。基板保持台48には下部電極51
が内蔵されており、この下部電極51はプラズマ発生用
の高周波電源53に接続されている。さらに、基板保持
台48には流路48bが設けられており、この流路48
bは基板保持台48と基板44との間に不活性ガスを充
填するための不活性ガス供給源54に接続されている。
In the vacuum chamber 41, a substrate holder 48 is provided.
And the upper electrode 4 is opposed to the substrate holding table 48.
9 are accommodated. The substrate holder 48 has a lower electrode 51
The lower electrode 51 is connected to a high frequency power supply 53 for generating plasma. Further, a flow path 48b is provided in the substrate holding table 48, and this flow path 48b is provided.
b is connected to an inert gas supply source 54 for filling an inert gas between the substrate holding table 48 and the substrate 44.

【0025】RIE装置は、基板保持台48に対して基
板44の外周部を押し付けるためのクランプリング56
と、このクランプリング56を昇降させるためのクラン
プリング昇降機構57とを備えている。また、RIE装
置は、処理終了後に基板保持台48から基板44を剥離
させるための基板突き上げ機構58を備えている。これ
らクランプリング昇降機構57と基板突き上げ機構58
は、後述するように同一の駆動用モータ71により駆動
されるようになっている。
The RIE apparatus includes a clamp ring 56 for pressing an outer peripheral portion of the substrate 44 against the substrate holder 48.
And a clamp ring raising / lowering mechanism 57 for raising and lowering the clamp ring 56. Further, the RIE apparatus includes a substrate pushing-up mechanism 58 for separating the substrate 44 from the substrate holding table 48 after the processing is completed. The clamp ring lifting mechanism 57 and the substrate lifting mechanism 58
Are driven by the same driving motor 71 as described later.

【0026】図1及び図2を参照して、クランプリング
56及びクランプリング昇降機構57について説明す
る。クランプリング56は矩形枠状であって、基板保持
台48の上方に配置されている。
Referring to FIGS. 1 and 2, the clamp ring 56 and the clamp ring elevating mechanism 57 will be described. The clamp ring 56 has a rectangular frame shape, and is disposed above the substrate holder 48.

【0027】クランプリング昇降機構57は、矩形枠状
であって真空槽41の底部に基板保持台48を取り囲ん
で配置された矩形枠状の昇降リング59を備えている。
昇降リング59の上面には上方に延びる複数個(本実施
形態では4個であるが、3個から8個程度が好まし
い。)の筒部59aが設けられている。一方、クランプ
リング56には、各筒部59aに対応して4個の挿通孔
56aが設けられており、これらの挿通孔56aには、
ばね61がそれぞれ挿通されている。また、各ばね61
の一端にクリップ62が固定されている。さらに、各ば
ね61は筒部59aに挿入されており、他端が昇降リン
グ59に固定されている。クランプリング56は、ばね
61により基板保持台48側に引っ張られ、それによっ
てクランプリング56が基板44を基板保持台48に押
し付ける。
The clamp ring raising / lowering mechanism 57 has a rectangular frame-shaped lifting / lowering ring 59 arranged at the bottom of the vacuum chamber 41 so as to surround the substrate holder 48.
On the upper surface of the elevating ring 59, a plurality (up to four in this embodiment, but preferably from three to eight) of cylinder portions 59a extending upward are provided. On the other hand, the clamp ring 56 is provided with four insertion holes 56a corresponding to the respective cylindrical portions 59a, and these insertion holes 56a are
The springs 61 are respectively inserted. Each spring 61
A clip 62 is fixed to one end. Further, each spring 61 is inserted into the cylindrical portion 59 a, and the other end is fixed to the elevating ring 59. The clamp ring 56 is pulled toward the substrate holder 48 by a spring 61, whereby the clamp ring 56 presses the substrate 44 against the substrate holder 48.

【0028】真空槽41の底部に設けられた4個の挿通
孔41bには、それぞれ昇降シャフト63が挿入されて
いる。また、この昇降シャフト63は真空槽41内を大
気から遮断するためのベローズ64に挿通されている。
さらに、昇降シャフト63は先端が昇降リング59に固
定され、基端がボールネジ66に連結されている。各ボ
ールネジ66のナット66aはタイミングプーリ67A
に連結されており、各タイミングプーリ67Aは、タイ
ミングベルト68A、他のタイミングプーリ67B及び
減速器69Aを介してサーボモータである駆動用モータ
71に接続されている。この駆動用モータ71のドライ
バ72はコントローラ73に接続されている。4個のボ
ールネジ66は2個ずつ図示しない同期バーによって連
結されており、すべての昇降シャフト63の上昇及び降
下が確実に同期するようになっている。
A lifting shaft 63 is inserted into each of the four insertion holes 41b provided at the bottom of the vacuum chamber 41. The elevating shaft 63 is inserted into a bellows 64 for shielding the inside of the vacuum chamber 41 from the atmosphere.
The elevating shaft 63 has a distal end fixed to the elevating ring 59 and a proximal end connected to the ball screw 66. The nut 66a of each ball screw 66 is a timing pulley 67A.
And each timing pulley 67A is connected to a drive motor 71 which is a servomotor via a timing belt 68A, another timing pulley 67B, and a speed reducer 69A. The driver 72 of the driving motor 71 is connected to the controller 73. The four ball screws 66 are connected two by two by a synchronization bar (not shown), so that the ascending and descending of all the elevating shafts 63 are reliably synchronized.

【0029】駆動用モータ71が作動してボールネジ6
6のナット66aが回転すると、昇降シャフト63が昇
降する。昇降シャフト63が昇降すると昇降リング59
が昇降し、それによってクランプリング9が基板保持台
2に対して上昇又は降下する。
When the driving motor 71 operates, the ball screw 6
When the nut 66a rotates, the elevating shaft 63 moves up and down. When the elevating shaft 63 moves up and down, the elevating ring 59
Moves up and down, whereby the clamp ring 9 moves up or down with respect to the substrate holder 2.

【0030】次に、図1及び図3を参照して基板突き上
げ機構58について説明する。まず、基板突き上げ機構
58は、突き上げ板74を備えている。また、真空槽4
1の底部外側には、鉛直方向に延びる一対のリニアシャ
フト76A,76Bの上端が固定されている。突き上げ
板74に設けられたリニアブシュ77A,77Bにそれ
ぞれリニアシャフト76A,76Bが挿通されており、
突き上げ板74の昇降を案内するようになっている。リ
ニアシャフト76A,76Bの下端にばね受け78が固
定されており、このばね受け78と突き上げ板74の下
面との間にばね79が縮装されている。このばね79に
より突き上げ板74は鉛直方向上向に付勢されている。
Next, the substrate lifting mechanism 58 will be described with reference to FIGS. First, the substrate push-up mechanism 58 includes a push-up plate 74. In addition, vacuum chamber 4
The upper ends of a pair of linear shafts 76A and 76B extending in the vertical direction are fixed to the outside of the bottom of the first shaft. Linear shafts 76A and 76B are inserted through linear bushes 77A and 77B provided on the push-up plate 74, respectively.
The lifting plate 74 is guided to move up and down. A spring receiver 78 is fixed to lower ends of the linear shafts 76A and 76B, and a spring 79 is compressed between the spring receiver 78 and the lower surface of the push-up plate 74. The push-up plate 74 is urged vertically upward by the spring 79.

【0031】突き上げ板74には、複数本(本実施形態
では6本)の突き上げピン81が固定されている。各突
き上げピン81は、基板保持台48及び真空槽41の底
部を貫通する挿通孔82に挿通されている。また、各突
き上げピン81の下端にはソケット83が固定されてお
り、このソケット83を突き上げ板74に設けられた切
込74aに嵌合することにより、各シャフト突き上げピ
ン81を突き上げ板74に固定している。さらに、各突
き上げピン81は、ベローズ84に挿通されている。ベ
ローズ84は、上端側か゛上記挿通孔82を取り囲むよ
うに真空槽41の底部に固定され、下端側が上記ソケッ
ト83に固定されている。このベローズ84により真空
槽41内が大気から遮断されている。
A plurality of (six in this embodiment) push-up pins 81 are fixed to the push-up plate 74. Each push-up pin 81 is inserted into an insertion hole 82 that penetrates through the substrate holding table 48 and the bottom of the vacuum chamber 41. A socket 83 is fixed to the lower end of each push-up pin 81, and the shaft 83 is fixed to the push-up plate 74 by fitting the socket 83 into a notch 74 a provided in the push-up plate 74. are doing. Further, each push-up pin 81 is inserted through the bellows 84. The bellows 84 is fixed to the bottom of the vacuum chamber 41 so as to surround the upper end side or the insertion hole 82, and the lower end side is fixed to the socket 83. The bellows 84 shields the inside of the vacuum chamber 41 from the atmosphere.

【0032】真空槽41の底部外側には、鉛直方向に延
びる支持シャフト86が固定されており、この支持シャ
フト86に対して円筒溝カム87がベアリング88(図
3にのみ図示する。)によって取り付けられている。そ
のため、円筒溝カム87は鉛直方向の軸線Lまわりに回
転自在となっている。突き上げ板74の中央には、貫通
孔74bが設けられており、この貫通孔74bを貫通し
て円筒溝カム87が配置されている。貫通孔74bの寸
法は円筒溝カム87の直径よりも大きく設定されてお
り、上記軸線Lまわりの円筒溝カム87の回転を妨げな
いようになっている。
A vertically extending support shaft 86 is fixed to the outside of the bottom of the vacuum chamber 41. A cylindrical groove cam 87 is attached to the support shaft 86 by a bearing 88 (only shown in FIG. 3). Have been. Therefore, the cylindrical groove cam 87 is rotatable around the vertical axis L. A through hole 74b is provided at the center of the push-up plate 74, and a cylindrical groove cam 87 is disposed through the through hole 74b. The size of the through hole 74b is set to be larger than the diameter of the cylindrical groove cam 87, so that the rotation of the cylindrical groove cam 87 about the axis L is not hindered.

【0033】図4及び図5に示すように、円筒溝カム8
7の外周には2条のカム溝89A,89Bが設けられて
いる。これらのカム溝89A,89Bは同一形状であ
り、上記軸線Lに対して対称に形成されている。また、
突き上げ板74の上記貫通孔74bの近傍には、上記カ
ム溝89A,89Bと係合する一対のカムフォロア91
A,91Bがブラケット92により取り付けられてい
る。図3及び図4に示すように、これらのカムフォロア
91A,91Bは、円筒溝カム87(軸線L)に対して
対称に配設されている。さらに、個々のカムフォロア9
1A,91Bの回転軸は偏心しており、突き上げ板74
を水平に保つ微調整が可能となっている。さらにまた、
上記のように突き上げ板74がばね79により鉛直方向
上向に付勢されているため、円筒溝カム87の回転角度
位置にかかわらず、各カムフォロア91A,91Bは図
5において示すカム溝89A,89Bの上面89aに常
に当接するようになっている。
As shown in FIG. 4 and FIG.
The outer periphery of 7 is provided with two cam grooves 89A, 89B. These cam grooves 89A and 89B have the same shape and are formed symmetrically with respect to the axis L. Also,
In the vicinity of the through hole 74b of the push-up plate 74, a pair of cam followers 91 that engage with the cam grooves 89A and 89B.
A and 91B are attached by a bracket 92. As shown in FIGS. 3 and 4, these cam followers 91A and 91B are arranged symmetrically with respect to the cylindrical groove cam 87 (the axis L). In addition, individual cam followers 9
The rotation axes of 1A and 91B are eccentric, and the push-up plate 74
Fine adjustment that keeps the camera horizontal is possible. Furthermore,
Since the push-up plate 74 is urged upward in the vertical direction by the spring 79 as described above, the cam followers 91A and 91B are connected to the cam grooves 89A and 89B shown in FIG. Is always in contact with the upper surface 89a.

【0034】円筒溝カム87の下端にはタイミングプー
リ67Cが固定されている。このタイミングプーリ67
Cは、タイミングベルト68C,68D、他のタイミン
グプーリ67C及び減速器69A,69Bを介して、上
記クランプリング昇降機構57と共通の駆動用モータ7
1に連結され、駆動用モータ71が回転すると円筒溝カ
ム87が回転する。すなわち、本実施形態では、搬送ア
ーム47の駆動用モータ47aにより基板突き上げ機構
58が駆動されるのではなく、クランプリング昇降機構
57の駆動用モータ71により基板突き上げ機構58が
駆動される。
A timing pulley 67C is fixed to the lower end of the cylindrical groove cam 87. This timing pulley 67
C is a driving motor 7 common to the clamp ring elevating mechanism 57 via timing belts 68C and 68D, another timing pulley 67C and speed reducers 69A and 69B.
1 and when the driving motor 71 rotates, the cylindrical groove cam 87 rotates. That is, in the present embodiment, the substrate push-up mechanism 58 is not driven by the drive motor 47 a of the transfer arm 47, but is driven by the drive motor 71 of the clamp ring elevating mechanism 57.

【0035】次に、このRIE装置の動作について説明
する。まず、反応イオンエッチングについて説明する。
真空槽41内が、真空排気手段43により所定の真空度
まで減圧され、反応ガス供給源32から反応ガスが供給
される。また、不活性ガス供給源54から基板保持台4
8と基板44の間に不活性ガスが供給される。高周波電
源53から下部電極51に高周波電圧が印加されると、
真空槽41内にプラズマが発生し、予め形成しておいた
レジストのパターンに応じて基板44がエッチングされ
る。
Next, the operation of the RIE apparatus will be described. First, reactive ion etching will be described.
The inside of the vacuum chamber 41 is depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum exhaust means 43, and a reaction gas is supplied from the reaction gas supply source 32. Further, the substrate holding table 4 is supplied from the inert gas supply source 54.
An inert gas is supplied between the substrate 8 and the substrate 44. When a high frequency voltage is applied to the lower electrode 51 from the high frequency power supply 53,
Plasma is generated in the vacuum chamber 41, and the substrate 44 is etched according to a resist pattern formed in advance.

【0036】次に、上記反応イオンエッチング後の基板
44の搬出について説明する。駆動用モータ71が正転
すると、減速器69A、タイミングベルト68A,68
B及びタイミングプーリ67A,67Bを介して駆動用
モータ71の回転がボールネジ66のナット66aに伝
達され、昇降シャフト63が上昇する。昇降シャフト6
3が上昇すると昇降リング59が上昇する。また、クラ
ンプリング56が筒部59aの先端により押し上げられ
て上昇し、基板44及び基板保持台48に対して浮き上
がる。一方、上記駆動用モータ71の正転は、減速器6
9A,69B、タイミングベルト68C,68D及びタ
イミングプーリ67C,67Dを介して円筒溝カム87
に伝達され、円筒溝カム87が回転する。円筒溝カム8
7が回転すると、カム溝89A,89Bとカムフォロア
91A,91Bの係合により、突き上げ板74が上昇す
る。突き上げ板74が上昇すると、6本の突き上げピン
81が上昇し、それらの先端により基板44が押し上げ
られて基板保持台48の表面から剥離する。その後、搬
送アーム47により真空槽41から基板44が搬出され
る。
Next, carrying out of the substrate 44 after the reactive ion etching will be described. When the driving motor 71 rotates forward, the speed reducer 69A and the timing belts 68A, 68
The rotation of the drive motor 71 is transmitted to the nut 66a of the ball screw 66 via B and the timing pulleys 67A and 67B, and the elevating shaft 63 is raised. Elevating shaft 6
When 3 rises, the elevating ring 59 rises. Further, the clamp ring 56 is pushed up by the tip of the cylindrical portion 59a and rises, and floats up with respect to the substrate 44 and the substrate holding base 48. On the other hand, the forward rotation of the driving motor 71 is
9A, 69B, the timing belts 68C, 68D, and the timing pulleys 67C, 67D via the cylindrical groove cam 87.
And the cylindrical groove cam 87 rotates. Cylindrical groove cam 8
When the cam 7 rotates, the push-up plate 74 is raised by the engagement between the cam grooves 89A and 89B and the cam followers 91A and 91B. When the push-up plate 74 is raised, the six push-up pins 81 are raised, and the tips of the pins push up the substrate 44 and separate from the surface of the substrate holding table 48. Thereafter, the substrate 44 is carried out of the vacuum chamber 41 by the transfer arm 47.

【0037】基板44の搬入の際には、まず、搬送アー
ム47により基板44が基板保持台48から突出してい
る突き上げピン81の先端に載置される。その後、駆動
用モータ71が逆転し、上記突き上げピン81が降下し
て基板保持台48上に基板44が載置され、クランプリ
ング56が降下する。
When the substrate 44 is carried in, first, the substrate 44 is placed on the tip of the push-up pins 81 projecting from the substrate holding table 48 by the transfer arm 47. Thereafter, the drive motor 71 rotates in the reverse direction, the push-up pins 81 descend, the substrate 44 is placed on the substrate holder 48, and the clamp ring 56 descends.

【0038】クランプリング昇降機構57及び基板突き
上げ機構58は、クランプリング56と突き上げピン8
1とが図6に示すようなタイミング及び速度で昇降する
ように構成されている。
The clamp ring raising / lowering mechanism 57 and the substrate lifting mechanism 58 include a clamp ring 56 and a lifting pin 8.
1 is moved up and down at the timing and speed shown in FIG.

【0039】図6において横軸は駆動用モータ71の出
力軸の回転角度を示し、縦軸はクランプリング56及び
突き上げピン81の上昇量を示している。また、図6に
おいて回転角度の原点Iは、突き上げピン81の最降下
位置(先端が基板保持台48から突出しない位置)及び
クランプリング56の最降下位置に対応している。すな
わち、この原点Iは基板44が基板保持台48上に載置
され、かつ、クランプリング56により基板44の外周
部を基板保持台48に押し付けられた状態(反応イオン
エッチング処理時)に対応している。また、図6におい
て回転角度の原点IIは、突き上げピン81及びクランプ
リング56の最上昇位置に対応している。すなわち、こ
の原点IIは、基板保持台48から突き上げピン81の先
端が突出し、かつ、クランプリング56が基板保持台4
8から浮いた状態(基板44の搬入出時)に対応してい
る。
In FIG. 6, the horizontal axis shows the rotation angle of the output shaft of the driving motor 71, and the vertical axis shows the amount of rise of the clamp ring 56 and the push-up pin 81. 6, the origin I of the rotation angle corresponds to the lowest position of the push-up pin 81 (the position where the tip does not protrude from the substrate holder 48) and the lowest position of the clamp ring 56. That is, the origin I corresponds to a state in which the substrate 44 is placed on the substrate holder 48 and the outer periphery of the substrate 44 is pressed against the substrate holder 48 by the clamp ring 56 (at the time of the reactive ion etching process). ing. In FIG. 6, the origin II of the rotation angle corresponds to the highest position of the push-up pin 81 and the clamp ring 56. That is, the origin II is such that the tip of the push-up pin 81 projects from the substrate holder 48 and the clamp ring 56 is
8 corresponds to a state where the substrate 44 is lifted (when the substrate 44 is loaded and unloaded).

【0040】まず、駆動用モータ71の正転時(クラン
プリング56及び突き上げピン81の上昇時)について
説明する。原点Iから回転角度a1まで、すなわち駆動
用モータ71の正転開始初期には、クランプリング56
は低速で上昇するが、突き上げピン81は上昇しない。
最初、クランプリング56が低速で上昇するのは、クラ
ンプリング56上の反応生成物が基板44に落下するの
を防止するためである。また、突き上げピン81が上昇
しないのは、突き上げピン81により基板を押す前にク
ランプリング56を基板44から離すためである。
First, the normal rotation of the driving motor 71 (the rising of the clamp ring 56 and the push-up pin 81) will be described. From the origin I to the rotation angle a1, that is, at the beginning of the normal rotation start of the driving motor 71, the clamp ring 56
Rises at a low speed, but the push-up pin 81 does not rise.
Initially, the reason why the clamp ring 56 rises at a low speed is to prevent reaction products on the clamp ring 56 from dropping onto the substrate 44. The reason why the push-up pins 81 do not rise is that the clamp ring 56 is separated from the board 44 before the push-up pins 81 push the substrate.

【0041】回転角度a1から突き上げピン81が低速
での上昇を開始する。突き上げ開始初期は緩やかに基板
44を押し上げるのは、基板44の破損等を防止するた
めである。また、回転角度a1からクランプリング56
の上昇速度が加速する。
The push-up pin 81 starts rising at a low speed from the rotation angle a1. The reason why the substrate 44 is gently pushed up at the beginning of the push-up is to prevent the substrate 44 from being damaged. Further, the clamp ring 56 is rotated from the rotation angle a1.
The ascending speed accelerates.

【0042】回転角度a2からクランプリング56の速
度が減速する。これはクランプリング56の上昇停止時
の衝撃によりクランプリング56から基板44に反応生
成物が落下するのを防止するためである。
The speed of the clamp ring 56 decreases from the rotation angle a2. This is to prevent the reaction product from dropping from the clamp ring 56 to the substrate 44 due to the impact when the clamp ring 56 stops rising.

【0043】回転角度a3から突き上げピン81の上昇
速度が加速する。これは既にある程度基板保持台48か
ら基板44が剥離しているため、突き上げピン81の上
昇速度が速くても基板44の破損等が発生しないからで
ある。
The rising speed of the push-up pin 81 increases from the rotation angle a3. This is because the substrate 44 has already been peeled to some extent from the substrate holding table 48, so that the substrate 44 does not break even if the lifting speed of the push-up pins 81 is high.

【0044】回転角度a4でクランプリング56の上昇
が終了し、原点位置IIまではクランプリング56の鉛直
方向の位置が保持される。一方、回転角度a4から原点
位置IIまで、突き上げピン81が低速で上昇する。
The lifting of the clamp ring 56 is completed at the rotation angle a4, and the position of the clamp ring 56 in the vertical direction is maintained until the origin position II. On the other hand, the push-up pin 81 rises at a low speed from the rotation angle a4 to the origin position II.

【0045】突き上げピン81の最大上昇量S1よりも
クランプリング56の最大上昇量S2を大きく設定して
いるのは、搬送アーム47とクランプリング56の干渉
を防止するためである。すなわち、基板44の搬入出時
には、クランプリング56の下側を通って搬送アーム4
7が基板保持台48へ移動する。減速器69Bは、上記
のように突き上げピン81の最大上昇量S1よりもクラ
ンプリング56の最大上昇量S2を大きくするために設
けられている。ただし、タイミングプーリの径により最
大上昇量S1,S2を上記のように設定してもよい。
The reason why the maximum rising amount S2 of the clamp ring 56 is set to be larger than the maximum rising amount S1 of the push-up pin 81 is to prevent interference between the transfer arm 47 and the clamp ring 56. That is, when the substrate 44 is carried in and out, the transfer arm 4 passes under the clamp ring 56.
7 moves to the substrate holding table 48. The speed reducer 69B is provided to make the maximum rising amount S2 of the clamp ring 56 larger than the maximum rising amount S1 of the push-up pin 81 as described above. However, the maximum rising amounts S1 and S2 may be set as described above according to the diameter of the timing pulley.

【0046】駆動用モータ71の逆転時におけるクラン
プリング56及び突き上げピン81の降下は、図6にお
いて回転位置a5〜a8に示すように正転時とは逆動作
となる。すなわち、突き上げピン81が完全に降下して
基板保持台48上に基板44が載置された後に、クラン
プリング56が基板44に降下する。
The downward movement of the clamp ring 56 and the push-up pin 81 when the driving motor 71 rotates in the reverse direction is the reverse of the normal rotation as shown by the rotational positions a5 to a8 in FIG. That is, after the push-up pins 81 are completely lowered and the substrate 44 is placed on the substrate holding table 48, the clamp ring 56 is lowered to the substrate 44.

【0047】上記図6に示すクランプリング56の昇降
は、コントローラ73で駆動用モータ71の回転速度を
制御することにより実現している。
The raising and lowering of the clamp ring 56 shown in FIG. 6 is realized by controlling the rotation speed of the driving motor 71 by the controller 73.

【0048】一方、上記図6に示す突き上げピン81の
昇降は、カム溝89A,89Bの形状により実現してい
る。すなわち、図5に示すように、円筒溝カム87のカ
ム溝89A,89Bは、図において左側から順に水平部
89b、第1傾斜部89c、第2傾斜部89d及び第2
傾斜部89eを備えている。水平部89bは、突き上げ
板74が昇降しない部分である。第1、第2及び第3傾
斜部89c,89d,89eでは、突き上げ板74が昇
降する。第1及び第3傾斜部89c,89eより第2傾
斜部89dの傾斜角度が大きいため、第2傾斜部89d
は第1及び傾斜部89c,89eよりも突き上げ板74
の昇降速度が速い。
On the other hand, the lifting and lowering of the push-up pin 81 shown in FIG. 6 is realized by the shapes of the cam grooves 89A and 89B. That is, as shown in FIG. 5, the cam grooves 89A and 89B of the cylindrical groove cam 87 are arranged in the order from the left side in the figure to the horizontal portion 89b, the first inclined portion 89c, the second inclined portion 89d and the second inclined portion 89d.
An inclined portion 89e is provided. The horizontal portion 89b is a portion where the push-up plate 74 does not move up and down. In the first, second and third inclined portions 89c, 89d, 89e, the push-up plate 74 moves up and down. Since the second inclined portion 89d has a larger inclination angle than the first and third inclined portions 89c and 89e, the second inclined portion 89d
Is a plate 74 pushed up from the first and inclined portions 89c and 89e.
The lifting speed is fast.

【0049】基板処理後における基板44と基板保持台
48の間に作用する静電吸着に起因する残留吸着力は、
基板突き上げ時に突き上げピン81に対して作用する負
荷となり、かかる負荷が作用すると駆動用モータ71の
出力トルクが増加する。そこで、本実施形態では、上記
基板44の搬出時には、駆動用モータ71の出力トルク
に応じて駆動用モータ71の回転を制御している。すな
わち、コントローラ73は駆動用モータ71のドライバ
72の出力信号から駆動用モータ71の出力トルクを検
出し、この出力トルクが所定値を上回った場合には、駆
動用モータ71に正逆転を繰り返させ、突き上げピン8
1に基板44の突き上げを繰り返させるようにしてい
る。
The residual attraction force due to electrostatic attraction acting between the substrate 44 and the substrate holding table 48 after the substrate processing is as follows:
When the substrate is pushed up, the load acts on the push-up pins 81, and when the load acts, the output torque of the drive motor 71 increases. Therefore, in the present embodiment, when the substrate 44 is carried out, the rotation of the driving motor 71 is controlled according to the output torque of the driving motor 71. That is, the controller 73 detects the output torque of the drive motor 71 from the output signal of the driver 72 of the drive motor 71, and when the output torque exceeds a predetermined value, causes the drive motor 71 to repeat forward and reverse rotations. , Push-up pin 8
1 repeats pushing up of the substrate 44.

【0050】突き上げピン81による突き上げを繰り返
すことにより、基板44の裏面のうち突き上げピン81
の先端と接触している部分が徐々に基板保持台48から
剥離され、基板44の裏面と基板保持台48の接触面積
が減少する。その結果、基板保持台48と基板44との
間の残留電荷が、基板44の裏面側に残留している不活
性ガスを媒体として電気的に中和され、残留吸着力が減
少する。よって、本実施形態では、残留吸着力が存在す
る場合でも、基板の位置ずれ、基板の破損等を生じるこ
となく確実に基板保持台から基板を剥離し、これら基板
剥離時のトラブルに起因する発塵やデバイスダメージを
防止することができる。
By repeatedly pushing up with the push-up pins 81, the push-up pins 81 on the rear surface of the substrate 44 are formed.
Is gradually separated from the substrate holder 48, and the contact area between the back surface of the substrate 44 and the substrate holder 48 decreases. As a result, the residual charge between the substrate holder 48 and the substrate 44 is electrically neutralized by using the inert gas remaining on the rear surface side of the substrate 44 as a medium, and the residual adsorption force is reduced. Therefore, in the present embodiment, even when the residual suction force is present, the substrate is reliably separated from the substrate holding table without causing a displacement of the substrate, breakage of the substrate, etc. Dust and device damage can be prevented.

【0051】上記出力トルクの所定値は基板44が破損
しないせん断応力の限界値(例えば0.5kg・m)以下
に設定すればよい。また、この所定値は以下の方法で決
定することができる。まず、残留電荷が無い状態で突き
上げピン81により基板44を突き上げる。この場合、
駆動用モータ71のドライバ72の出力信号により検出
されるトルクは、基板突き上げ機構58と基板44の総
重量及びばね79から突き上げ板74に作用する力等に
より決まり、基板突き上げ機構58を解体及び再組立し
ない限り再現性がある。従って、この検出したトルクを
所定値としてコントローラ73に記憶させておけばよ
い。
The predetermined value of the output torque may be set to be equal to or less than the limit value of the shear stress (for example, 0.5 kg · m) at which the substrate 44 is not damaged. The predetermined value can be determined by the following method. First, the substrate 44 is pushed up by the push-up pins 81 without any residual charge. in this case,
The torque detected by the output signal of the driver 72 of the driving motor 71 is determined by the total weight of the substrate lifting mechanism 58 and the substrate 44, the force acting on the lifting plate 74 from the spring 79, and the like. Reproducible unless assembled. Therefore, the detected torque may be stored in the controller 73 as a predetermined value.

【0052】出力トルクが所定値を上回った場合に、駆
動用モータ71の正転をいったん減速又は停止し、その
後駆動用モータ71の正転速度を加速しても、基板の位
置ずれ、基板の破損等の発生を防止することができる。
When the output torque exceeds a predetermined value, the forward rotation of the driving motor 71 is once decelerated or stopped, and then the forward rotation speed of the driving motor 71 is increased. The occurrence of breakage and the like can be prevented.

【0053】なお、本実施形態では、除電プラズマプロ
セスを用いず、かつ、真空容器内部にコロナ放電用の高
電圧電極等を有しないため、プラズマによる真空容器か
らの発塵、電極材料からの不純物汚染や発塵が生じな
い。
In the present embodiment, since the discharge plasma process is not used and no high voltage electrode or the like for corona discharge is provided inside the vacuum vessel, dust is generated from the vacuum vessel by plasma, and impurities from the electrode material are removed. No pollution or dusting.

【0054】上記反応イオンエッチング装置に限定され
ず、プラズマCVD装置、スパッタリング装置及びアッ
シング装置を含む他のプラズマ処理装置に本発明を適用
することができる。
The present invention is not limited to the above reactive ion etching apparatus, but can be applied to other plasma processing apparatuses including a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, and an ashing apparatus.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマ処理装置では、クランプ昇降機構と基板突き
上げ機構が共通の駆動用モータにより同期して作動する
ため、一方の機構の作動終了をセンサ等で検知した後
に、他方の機構を作動させる必要がなく、制御が簡易で
あり基板搬送時間の短縮によるスループット向上を図る
ことができ、動作信頼性も高い。また、クランプリング
昇降機構と基板突き上げ機構は、一つの駆動用モータに
より駆動されるため、メンテナンスが必要なものを含め
て部品点数を低減することができ、高い部品加工精度も
必要ない。
As is apparent from the above description, in the plasma processing apparatus of the present invention, the clamp raising / lowering mechanism and the substrate lifting mechanism are operated synchronously by the common driving motor. It is not necessary to operate the other mechanism after the detection by the sensor or the like, the control is simple, the throughput can be improved by shortening the substrate transfer time, and the operation reliability is high. Further, since the clamp ring elevating mechanism and the substrate lifting mechanism are driven by one driving motor, the number of components including those requiring maintenance can be reduced, and high component processing accuracy is not required.

【0056】また、ドライバの出力信号から検出した駆
動用モータの出力トルクに基づいて、コントローラが駆
動用モータの回転を制御する場合には、基板保持台と基
板との間に残留吸着力が存在しても、基板の位置ずれ、
基板の破損等を生じることなく確実に基板保持台から基
板を剥離し、これら基板剥離時のトラブルに起因する発
塵やデバイスダメージを防止することができる。
Further, when the controller controls the rotation of the driving motor based on the output torque of the driving motor detected from the output signal of the driver, there is a residual suction force between the substrate holding table and the substrate. Even if the board is misaligned,
The substrate can be reliably peeled off from the substrate holding table without causing damage to the substrate, and dust and device damage due to troubles at the time of peeling the substrate can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態のプラズマ処理装置を示す
概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 クランプリング昇降機構の一部を示す分解斜
視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view showing a part of a clamp ring elevating mechanism.

【図3】 突き上げ機構を示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing the push-up mechanism.

【図4】 円筒溝カム及びカムフォロアを示す分解斜視
図である。
FIG. 4 is an exploded perspective view showing a cylindrical groove cam and a cam follower.

【図5】 円筒溝カムの外周面の展開図である。FIG. 5 is a development view of the outer peripheral surface of the cylindrical groove cam.

【図6】 クランプリング及び突き上げ板の昇降を説明
するための線図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining lifting and lowering of a clamp ring and a push-up plate.

【図7】 従来のプラズマ処理装置を示す概略断面図で
ある。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

41 真空槽 41a 搬入出口 41b 挿通孔 42 反応ガス供給源 43 真空排気手段 44 基板 46 扉体 47 搬入アーム 47a 駆動用モータ 48 基板保持台 48a アルミナ絶縁層 48b 流路 49 上部電極 51 下部電極 53 高周波電源 54 不活性ガス供給源 56 クランプリング 56a 挿通孔 57 クランプリング昇降機構 58 基板突き上げ機構 59 昇降リング 59a 筒部 61 ばね 62 クリップ 63 昇降シャフト 64 ベローズ 66 ボールネジ 66a ナット 67A〜67D タイミングプーリ 68A〜68D タイミングベルト 69A,69B 減速器 71 駆動用モータ 72 ドライバ 73 コントローラ 74 突き上げ板 74a 切欠 74b 貫通孔 76A,76B リニアシャフト 77A,77B リニアブシュ 78 ばね受け 79 ばね 81 突き上げピン 82 挿通孔 83 ソケット 84 ベローズ 86 支持シャフト 87 円筒溝カム 88 ベアリング 89A,89B カム溝 89a カム溝の上面 89b 水平部 89c 第1傾斜部 89d 第2傾斜部 89e 第3傾斜部 91A,91B カムフォロア 92 ブラケット L 軸線 41 Vacuum tank 41a Loading / unloading port 41b Insertion hole 42 Reaction gas supply source 43 Vacuum exhaust means 44 Substrate 46 Door body 47 Loading arm 47a Driving motor 48 Substrate holder 48a Alumina insulating layer 48b Channel 49 Upper electrode 51 Lower electrode 53 High frequency power supply 54 Inert gas supply source 56 Clamp ring 56a Insertion hole 57 Clamp ring elevating mechanism 58 Substrate pushing up mechanism 59 Elevating ring 59a Cylindrical part 61 Spring 62 Clip 63 Elevating shaft 64 Bellows 66 Ball screw 66a Nut 67A-67D Timing pulley 68A-68D Timing belt 69A, 69B Reducer 71 Driving motor 72 Driver 73 Controller 74 Thrust plate 74a Notch 74b Through hole 76A, 76B Linear shaft 77A, 77B Linear bush 78 Receptacle 79 Spring 81 Push-up pin 82 Insertion hole 83 Socket 84 Bellows 86 Support shaft 87 Cylindrical groove cam 88 Bearing 89A, 89B Cam groove 89a Upper surface of cam groove 89b Horizontal part 89c First inclined part 89d Second inclined part 89e Third inclined Part 91A, 91B Cam follower 92 Bracket L axis

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 FA01 GA01 KA45 5F004 AA06 AA14 BA04 BB21 BB22 BC06 CA05 5F031 HA33 LA07 LA13 MA28 MA32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 FA01 GA01 KA45 5F004 AA06 AA14 BA04 BB21 BB22 BC06 CA05 5F031 HA33 LA07 LA13 MA28 MA32

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板保持台に対して基板の外周部を押し
付けるためのクランプリングと、このクランプリングを
昇降させるクランプリング昇降機構と、上記基板保持台
に挿通させた突き上げピンを昇降させる基板突き上げ機
構とを備えるプラズマ処理装置であって、 上記クランプリング昇降機構と上記基板突き上げ機構と
が共通の駆動用モータにより駆動され、同期して作動す
ることを特徴とするプラズマ処理装置。
1. A clamp ring for pressing an outer peripheral portion of a substrate against a substrate holder, a clamp ring elevating mechanism for elevating and lowering the clamp ring, and a substrate thruster for raising and lowering a push-up pin inserted through the substrate holder. A plasma processing apparatus comprising a mechanism, wherein the clamp ring elevating mechanism and the substrate lifting mechanism are driven by a common drive motor and operate in synchronization.
【請求項2】 上記クランプリング昇降機構は、上記駆
動用モータに対して第1のベルトプーリ機構により連結
され、 上記基板突き上げ機構は、突き上げピンが固定された突
き上げ板と、この突き上げ板に配設されたカムフォロア
と、このカムフォロアが係合するカム溝が形成された円
筒溝カムとを備え、この円筒溝カムは第2のベルトプー
リ機構により上記駆動用モータに連結されていることを
特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
2. The clamp ring lifting mechanism is connected to the driving motor by a first belt pulley mechanism. The substrate lifting mechanism includes a lifting plate to which a lifting pin is fixed, and a lifting plate fixed to the lifting plate. A cam follower is provided, and a cylindrical groove cam having a cam groove with which the cam follower is engaged is provided. The cylindrical groove cam is connected to the driving motor by a second belt pulley mechanism. The plasma processing apparatus according to claim 1.
【請求項3】 上記円筒溝カムは、同一形状であって対
称に形成された2条のカム溝を備え、 上記突き上げ板上に2個のカムフォロアが上記円筒溝カ
ムに対して対称に配設され、各カムフォロアはそれぞれ
対応するカム溝に係合していることを特徴とする請求項
2に記載のプラズマ処理装置。
3. The cylindrical groove cam has two cam grooves of the same shape and formed symmetrically, and two cam followers are symmetrically arranged on the push-up plate with respect to the cylindrical groove cam. 3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein each of the cam followers is engaged with a corresponding cam groove.
【請求項4】 上記駆動用モータのドライバの出力信号
から駆動用モータの出力トルクを検出し、検出した出力
トルクに基づいて駆動用モータの回転を制御するコント
ローラをさらに備える請求項1から請求項3のいずれか
1項に記載のプラズマ処理装置。
4. The controller according to claim 1, further comprising a controller that detects an output torque of the driving motor from an output signal of a driver of the driving motor, and controls rotation of the driving motor based on the detected output torque. 4. The plasma processing apparatus according to any one of 3.
【請求項5】 上記コントローラは、上記出力トルクが
所定値を上回ると上記駆動用モータに正逆転を繰り返さ
せ、突き上げシャフトにより基板の突き上げを繰り返さ
せるようにしていることを特徴とする請求項4に記載の
プラズマ処理装置。
5. The controller according to claim 4, wherein the controller causes the drive motor to repeat forward and reverse rotation when the output torque exceeds a predetermined value, and causes the push-up shaft to repeatedly push up the substrate. 3. The plasma processing apparatus according to 1.
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006015984A (en) * 2004-06-04 2006-01-19 Yuhshin Co Ltd Electric steering lock device
JP2006066850A (en) * 2004-07-29 2006-03-09 Kyocera Corp Pin elevator and plate chucking equipment using the pin elevator
JP2006332587A (en) * 2005-04-26 2006-12-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
WO2007108366A1 (en) * 2006-03-22 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
WO2009114175A2 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Lam Research Corporation Cam lock electrode clamp
JP2009246238A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd Lift pin unit and xy stage device having same
WO2009132800A1 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Asml Netherlands B.V. Support structure, inspection apparatus, lithographic apparatus and methods for loading and unloading substrates
JP2010016342A (en) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd Lift pin module of flat panel display element manufacturing device
JP2011119657A (en) * 2009-10-27 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8414719B2 (en) 2008-07-07 2013-04-09 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8419959B2 (en) 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
KR101335302B1 (en) * 2006-11-10 2013-12-03 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus driving lift pins and device having it for manufacturing FPD
US9245716B2 (en) 2009-10-13 2016-01-26 Lam Research Corporation Edge-clamped and mechanically fastened inner electrode of showerhead electrode assembly
CN106486411A (en) * 2015-09-01 2017-03-08 东京毅力科创株式会社 Substrate board treatment, the position detection of lifter pin, regulation and method for detecting abnormality
KR20170027282A (en) * 2015-09-01 2017-03-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, method for detecting vertical position of lift pin, method for adjusting vertical position of lift pin, and method for detecting abnormality of lift pin
JP2017130548A (en) * 2016-01-20 2017-07-27 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container
JP2021533569A (en) * 2018-08-10 2021-12-02 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Lift thimble system, reaction chamber and semiconductor processing equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244144A (en) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd Plasma treating device
JPH0666031U (en) * 1993-02-24 1994-09-16 株式会社安川電機 Wafer lifting device
JPH0714906A (en) * 1993-06-21 1995-01-17 Shinko Electric Co Ltd Opening and closing mechanism for lid of portable closed container
JPH0733972U (en) * 1993-11-29 1995-06-23 日新電機株式会社 Substrate holding device
JPH09310187A (en) * 1996-05-16 1997-12-02 Hitachi Ltd Sputtering device
JPH11288994A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Anelva Corp Transfer error predicting mechanism for substrate processing device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244144A (en) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd Plasma treating device
JPH0666031U (en) * 1993-02-24 1994-09-16 株式会社安川電機 Wafer lifting device
JPH0714906A (en) * 1993-06-21 1995-01-17 Shinko Electric Co Ltd Opening and closing mechanism for lid of portable closed container
JPH0733972U (en) * 1993-11-29 1995-06-23 日新電機株式会社 Substrate holding device
JPH09310187A (en) * 1996-05-16 1997-12-02 Hitachi Ltd Sputtering device
JPH11288994A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Anelva Corp Transfer error predicting mechanism for substrate processing device

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4671762B2 (en) * 2004-06-04 2011-04-20 株式会社ユーシン Electric steering lock device
JP2006015984A (en) * 2004-06-04 2006-01-19 Yuhshin Co Ltd Electric steering lock device
JP4594020B2 (en) * 2004-07-29 2010-12-08 京セラ株式会社 Pin elevator and plate chuck device using the same
JP2006066850A (en) * 2004-07-29 2006-03-09 Kyocera Corp Pin elevator and plate chucking equipment using the pin elevator
JP2006332587A (en) * 2005-04-26 2006-12-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP4628964B2 (en) * 2005-04-26 2011-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
WO2007108366A1 (en) * 2006-03-22 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8394230B2 (en) 2006-03-22 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR101335302B1 (en) * 2006-11-10 2013-12-03 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus driving lift pins and device having it for manufacturing FPD
WO2009114175A3 (en) * 2008-03-14 2009-12-23 Lam Research Corporation Cam lock electrode clamp
WO2009114175A2 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Lam Research Corporation Cam lock electrode clamp
CN101971321B (en) * 2008-03-14 2012-05-23 朗姆研究公司 Cam lock electrode clamp
JP2009246238A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd Lift pin unit and xy stage device having same
WO2009132800A1 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Asml Netherlands B.V. Support structure, inspection apparatus, lithographic apparatus and methods for loading and unloading substrates
US8922755B2 (en) 2008-04-29 2014-12-30 Asml Netherlands B.V. Support structure, inspection apparatus, lithographic apparatus and methods for loading and unloading substrates
JP2010016342A (en) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd Lift pin module of flat panel display element manufacturing device
US8414719B2 (en) 2008-07-07 2013-04-09 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8796153B2 (en) 2008-07-07 2014-08-05 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8419959B2 (en) 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US9245716B2 (en) 2009-10-13 2016-01-26 Lam Research Corporation Edge-clamped and mechanically fastened inner electrode of showerhead electrode assembly
US10262834B2 (en) 2009-10-13 2019-04-16 Lam Research Corporation Edge-clamped and mechanically fastened inner electrode of showerhead electrode assembly
JP2011119657A (en) * 2009-10-27 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
CN106486411A (en) * 2015-09-01 2017-03-08 东京毅力科创株式会社 Substrate board treatment, the position detection of lifter pin, regulation and method for detecting abnormality
KR20170027282A (en) * 2015-09-01 2017-03-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, method for detecting vertical position of lift pin, method for adjusting vertical position of lift pin, and method for detecting abnormality of lift pin
KR101961988B1 (en) * 2015-09-01 2019-03-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, method for detecting vertical position of lift pin, method for adjusting vertical position of lift pin, and method for detecting abnormality of lift pin
CN106486411B (en) * 2015-09-01 2019-06-11 东京毅力科创株式会社 Substrate board treatment, the position detection of lifter pin, adjusting and method for detecting abnormality
TWI690005B (en) * 2015-09-01 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate processing device, height position detection method of lift pins, height position adjustment method of lift pins, and abnormal detection method of lift pins
JP2017130548A (en) * 2016-01-20 2017-07-27 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container
JP2021533569A (en) * 2018-08-10 2021-12-02 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Lift thimble system, reaction chamber and semiconductor processing equipment

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