JP2002198203A - Resistor paste, thick-film resistor formed of the same, and circuit board equipped with the thick-film resistor - Google Patents

Resistor paste, thick-film resistor formed of the same, and circuit board equipped with the thick-film resistor

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JP2002198203A
JP2002198203A JP2000392380A JP2000392380A JP2002198203A JP 2002198203 A JP2002198203 A JP 2002198203A JP 2000392380 A JP2000392380 A JP 2000392380A JP 2000392380 A JP2000392380 A JP 2000392380A JP 2002198203 A JP2002198203 A JP 2002198203A
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JP
Japan
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resistor
oxide
resistor paste
glass
thick
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JP2000392380A
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Japanese (ja)
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Katsuhiko Igarashi
克彦 五十嵐
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TDK Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead-free resistor paste, which is capable of having very superior TCR characteristics without being loaded with a large amount of TCR adjusting agent, a thick-film resistor formed of the resistor paste, and a circuit board equipped with the thick-film resistor. SOLUTION: A lead-free resistor paste contains a lead-free glass composition, a lead-free conductive material, WO3, and a vehicle.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体ペースト、
この抵抗体ペーストを用いて形成された厚膜抵抗体及び
この厚膜抵抗体を有する回路基板に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resistor paste,
The present invention relates to a thick film resistor formed using the resistor paste and a circuit board having the thick film resistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】抵抗体ペーストは、一般に、抵抗値を調
整するため及び結合性を与えるためのガラス材料と、導
電性材料と、ビヒクルとから主として構成されており、
これを基板上に印刷した後、焼成することによって厚膜
抵抗体が形成される。
2. Description of the Related Art In general, a resistor paste is mainly composed of a glass material for adjusting a resistance value and providing a bonding property, a conductive material, and a vehicle.
This is printed on a substrate and then fired to form a thick film resistor.

【0003】従来より、多くの抵抗体ペーストは、ガラ
ス材料として酸化鉛系のガラスを、導電性材料として酸
化ルテニウム又はこの酸化ルテニウム及び鉛の化合物を
それぞれ用いており、従って鉛を含有したペーストとな
っている。
Conventionally, many resistor pastes have used lead oxide glass as a glass material and ruthenium oxide or a compound of ruthenium oxide and lead as a conductive material. Has become.

【0004】こにように鉛を含有した抵抗体ペーストを
使用することは、環境汚染の観点から望ましくないた
め、鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストについて研究がなさ
れており、提案がなされている(特開平8−24334
2号公報)。
Since the use of a lead-containing resistor paste is undesirable from the viewpoint of environmental pollution, studies have been made on lead-free thick film resistor pastes and proposals have been made ( JP-A-8-24334
No. 2).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに導電性材料及びガラス材料を鉛フリーで構成した抵
抗体ペーストは、その抵抗値の温度係数(TCR)の絶
対値が著しく大きくなってしまうという問題を有してい
る。このため、金属酸化物等の種々のTCR調整剤を多
数添加してTCR低減を図ることが行われるが、充分に
満足できる値までTCRを下げることは難しい。また、
一般的に用いられているTCR調整剤は、微量であった
り、多種の調整剤を用いるのでその添加量制御が非常に
難しいのみならず、均一に混合することも極めて難し
い。その結果、製造が困難であり、また、製品によって
特性にばらつきの生じる可能性があった。
However, in such a resistor paste in which the conductive material and the glass material are made of lead-free, the absolute value of the temperature coefficient (TCR) of the resistance value is remarkably increased. Have a problem. For this reason, TCR is reduced by adding a large number of various TCR regulators such as metal oxides, but it is difficult to lower the TCR to a sufficiently satisfactory value. Also,
Since a generally used TCR adjuster is used in a very small amount or uses various kinds of adjusters, it is extremely difficult not only to control the amount of addition but also to mix uniformly. As a result, it is difficult to manufacture, and there is a possibility that the characteristics may vary depending on the product.

【0006】従って本発明の目的は、多数のTCR調整
剤を添加しなくとも極めて良好なTCR特性が得られ
る、鉛フリーの抵抗体ペースト、この抵抗体ペーストを
用いて形成した厚膜抵抗体及びこの厚膜抵抗体を有する
回路基板を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a lead-free resistor paste capable of obtaining extremely good TCR characteristics without adding a large number of TCR regulators, a thick film resistor formed using this resistor paste, An object of the present invention is to provide a circuit board having the thick film resistor.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、鉛を含
まないガラス組成物と、鉛を含まない導電性材料と、W
と、ビヒクルとを含有する抵抗体ペースト、この抵
抗体ペーストを用いて形成された厚膜抵抗体及びこの厚
膜抵抗体を少なくとも1つ有する回路基板が提供され
る。
According to the present invention, a lead-free glass composition, a lead-free conductive material,
A resistor paste containing O 3 and a vehicle, a thick film resistor formed by using the resistor paste, and a circuit board having at least one thick film resistor are provided.

【0008】鉛フリーの抵抗体ペーストであっても、W
を含有することによって、TCR特性が劇的に改善
される。TCR調整剤を多種類添加しなくても満足でき
るTCR値を得ることができるので、製造が容易となり
かつ製品毎に電気的特性がばらついて不安定となるよう
な不都合が生じない。
[0008] Even if it is a lead-free resistor paste, W
The inclusion of O 3 dramatically improves TCR properties. Since a satisfactory TCR value can be obtained without adding many types of TCR regulators, the production becomes easy, and there is no inconvenience that the electric characteristics vary from product to product and become unstable.

【0009】ガラス組成物が9.9〜89.9体積%、
導電性材料が10〜90体積%、WOが0.1〜45
体積%含有されていることが好ましい。本発明におい
て、WOの含有量については特に制限されないが、こ
の範囲であることがより好ましい。
The glass composition contains 9.9 to 89.9% by volume,
Conductive material 10 to 90 vol%, WO 3 is 0.1 to 45
Preferably, it is contained by volume. In the present invention, the content of WO 3 is not particularly limited, but is preferably in this range.

【0010】ガラス組成物が、B及びSiO
1種以上を主成分とするガラス組成物であることが好ま
しい。
It is preferable that the glass composition is a glass composition containing at least one of B 2 O 3 and SiO 2 as a main component.

【0011】ガラス組成物が、酸化バリウム、酸化カル
シウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化リチウ
ム、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化り
ん、酸化亜鉛及び酸化マンガンの1種以上を含有してい
ることも好ましい。
It is also preferable that the glass composition contains at least one of barium oxide, calcium oxide, sodium oxide, potassium oxide, lithium oxide, magnesium oxide, strontium oxide, phosphorus oxide, zinc oxide and manganese oxide.

【0012】導電性材料が、RuO又はRuの複合酸
化物であることも好ましい。この場合、Ruの複合酸化
物が、BiRu、CdBiRu、NdB
iRu、BiInRu、BiIrRuO
、GdBiRu、BaRuO、BaRu
、SrRuO、CaRuO、CoRuO
LaRuO又はLiRuOであることがより好まし
い。
It is also preferable that the conductive material is RuO 2 or a composite oxide of Ru. In this case, the composite oxide of Ru is Bi 2 Ru 2 O 7 , CdBiRu 2 O 7 , NdB
iRu 2 O 7 , BiInRu 2 O 7 , Bi 2 IrRuO
7 , GdBiRu 3 O 7 , BaRuO 3 , BaRu
O 4 , SrRuO 3 , CaRuO 3 , Co 2 RuO 4 ,
More preferably, it is LaRuO 3 or LiRuO 3 .

【0013】導電性材料が、SnO、LaB、Pd
−Ag合金、Pd、CoCrO、NiCrO、Si
C、TaC、CaB、BaB、SrB、YB
Ta N、Ta、TiSi、VSi、CrS
、TaSi、MoSi 又はWSiであること
も好ましい。
The conductive material is SnO2, LaB6, Pd
-Ag alloy, Pd, CoCrO4, NiCrO4, Si
C, TaC, CaB6, BaB6, SrB6, YB6,
Ta 2N, Ta2O5, TiSi2, VSi2, CrS
i2, TaSi2, MoSi 2Or WSi2Being
Is also preferred.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態においては、
抵抗体ペーストは、鉛を含まない9.9〜89.9体積
%のガラスフリットと、鉛を含まない10〜90体積%
の導電粒子と、0.1〜45体積%のWOと、これら
を媒体中に分散させているビヒクルとから生成される。
TCR特性を大幅に改善するためのWOの含有量につ
いては特に制限がないが、上述のような量のWOを含
有することによって、鉛フリーの抵抗体ペーストであっ
ても、TCRが±120ppm/℃以下となり、TCR
特性が劇的に改善される。このように、TCR調整剤を
添加しなくとも充分なTCR値を得ることができるの
で、製造が容易でありかつ電気的特性に製品毎のばらつ
きがなくなり安定する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In one embodiment of the present invention,
The resistor paste is composed of lead-free 9.9 to 89.9 volume% glass frit and lead-free 10 to 90 volume%.
And conductive particles, and WO 3 of 0.1 to 45% by volume, produced from them with a vehicle that is dispersed in a medium.
There is no particular restriction on the content of WO 3 to significantly improve TCR characteristics, by containing WO 3 in an amount as described above, even in lead-free resistor paste, TCR is ± 120ppm / ℃ or less, TCR
The properties are dramatically improved. As described above, since a sufficient TCR value can be obtained without adding a TCR regulator, production is easy and electrical characteristics are stable without variation among products.

【0015】ガラスフリットは、鉛フリーであれば特に
その組成に制限はないが、B及びSiOの1種
以上を主成分とするガラスであることが好ましい。
The composition of the glass frit is not particularly limited as long as it is lead-free. However, it is preferable that the glass frit be a glass mainly containing at least one of B 2 O 3 and SiO 2 .

【0016】このガラスは、珪酸ガラス、硼珪酸ガラ
ス、珪酸マンガンガラス、硼酸マンガンガラス、硼珪酸
マンガンガラス、珪酸バリウムガラス、硼酸バリウムガ
ラス、硼珪酸バリウムガラス、珪酸カルシウムガラス、
硼酸カルシウムガラス、硼珪酸カルシウムガラス、珪酸
ナトリウムガラス、硼酸ナトリウムガラス、硼珪酸ナト
リウムガラス、珪酸カリウムガラス、硼酸カリウムガラ
ス、硼珪酸カリウムガラス、珪酸リチウムガラス、硼酸
リチウムガラス、硼珪酸リチウムガラス、珪酸マグネシ
ウムガラス、硼酸マグネシウムガラス、硼珪酸マグネシ
ウムガラス、珪酸ストロンチウムガラス、硼酸ストロン
チウムガラス、硼珪酸ストロンチウムガラス、珪酸りん
ガラス、硼酸りんガラス、硼珪酸りんガラス、珪酸亜鉛
ガラス、硼酸亜鉛ガラス又は硼珪酸亜鉛ガラスである。
また、これらガラスを混合して使用しても良い。
The glass may be silicate glass, borosilicate glass, manganese silicate glass, manganese borate glass, manganese borosilicate glass, barium silicate glass, barium borate glass, barium borosilicate glass, calcium silicate glass,
Calcium borate glass, calcium borosilicate glass, sodium silicate glass, sodium borate glass, sodium borosilicate glass, potassium silicate glass, potassium borate glass, potassium borosilicate glass, lithium silicate glass, lithium borate glass, lithium borosilicate glass, magnesium silicate Glass, magnesium borate glass, magnesium borosilicate glass, strontium silicate glass, strontium borate glass, strontium borosilicate glass, phosphorus silicate glass, phosphorus borate glass, phosphorus borosilicate glass, zinc silicate glass, zinc borate glass, or zinc borosilicate glass is there.
Further, these glasses may be mixed and used.

【0017】この組成のガラスフリットは、焼成前は非
晶質であり、焼成によって結晶化しても良い。
The glass frit having this composition is amorphous before firing, and may be crystallized by firing.

【0018】このガラスフリットの平均粒径は、特に制
限はないが、スクリーン印刷性を考慮すれば、約5μm
以下が好ましい。
Although the average particle size of the glass frit is not particularly limited, it is about 5 μm in consideration of screen printability.
The following is preferred.

【0019】導電粒子は、鉛フリーであれば特にその組
成に制限はない。例えば、RuO、BiRu
、CdBiRu、NdBiRu、B
iInRu 、BiIrRuO、GdBiRu
、BaRuO、BaRuO 、SrRuO
CaRuO、CoRuO、LaRuO、LiR
uO 、SnO、LaB、Pd−Ag合金、Pd、
CoCrO、NiCrO、SiC、TaC、CaB
、BaB、SrB、YB、TaN、Ta
、TiSi、VSi、CrSi、TaSi
MoSi又はWSi 等の各種Ru化合物や他の導電
性化合物、若しくは各種合金を用いることができる。特
に、RuO及びBiRuの1種以上を主成分と
するものが好ましい。
[0019] The conductive particles are not particularly limited as long as they are lead-free.
There is no restriction on the composition. For example, RuO2, Bi2Ru
2O7, CdBiRu2O7, NdBiRu2O7, B
iInRu 2O7, Bi2IrRuO7, GdBiRu
3O7, BaRuO3, BaRuO 4, SrRuO3,
CaRuO3, Co2RuO4, LaRuO3, LiR
uO 3, SnO2, LaB6, Pd-Ag alloy, Pd,
CoCrO4, NiCrO4, SiC, TaC, CaB
6, BaB6, SrB6, YB6, Ta2N, Ta2O
5, TiSi2, VSi2, CrSi2, TaSi2,
MoSi2Or WSi 2Various Ru compounds and other conductive materials
Compounds or various alloys can be used. Special
And RuO2And BiRu2O7One or more of
Are preferred.

【0020】導電粒子の平均粒径は、0.05〜1.0
μm程度であることがペースト中での粒子の分散を良好
にして抵抗体ペーストの流動性を良好にする点及びノイ
ズ特性の点で望ましい。
The average particle size of the conductive particles is 0.05 to 1.0.
It is desirable that the particle size is about μm in terms of improving the dispersion of the particles in the paste to improve the fluidity of the resistor paste and the noise characteristics.

【0021】含有させるタングステンは、抵抗体ペース
トにおける最終的な形態がWOとなるものであればい
かなるものであっても良く、例えば、W、WO、W
、WO、WC及びWCの1種以上であって良
い。また、WOをガラス作成時に添加し、ガラス成分
とすることでも同様な効果を得ることができる。
The tungsten is contained, the final form of the resistor paste may be any as long as it becomes WO 3, for example, W, WO, W
It may be one or more of O 2 , WO 3 , WC and W 2 C. Further, the same effect can be obtained by adding WO 3 at the time of producing glass to make it a glass component.

【0022】ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のバインダと、ターピネオール、ブチルカル
ビトール、ブチルカルビトールアセテート、アセテー
ト、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤とが用い
られるが、その他各種の分散剤、活性剤、可塑剤等が用
途に応じて適宜選択される。
As the vehicle, a binder such as ethyl cellulose, polyvinyl butyral, methacrylic resin, and butyl methacrylate, and a solvent such as terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, acetate, toluene, alcohol, and xylene are used. Other various dispersants, activators, plasticizers and the like are appropriately selected according to the application.

【0023】また、WOの添加のみでも充分なTCR
特性を得ることができるが、必要に応じて遷移金属群の
元素からなる酸化物、典型金属群の元素からなる酸化物
等の各種金属酸化物をTCR調整剤又はその他の目的で
添加しても良い。
In addition, the addition of WO 3 alone has a sufficient TCR.
Although characteristics can be obtained, if necessary, various metal oxides such as oxides composed of elements of the transition metal group and oxides composed of elements of the typical metal group may be added for the TCR regulator or other purposes. good.

【0024】抵抗体ペーストは、前述のごとき組成の導
電粒子粉末とガラス粉末とをそれぞれ作成し、これら
を、ビヒクルと共に秤量し混合及び混練して得られる。
The resistor paste is obtained by preparing a conductive particle powder and a glass powder having the above-described compositions, respectively, weighing them together with a vehicle, mixing and kneading them.

【0025】基板上に厚膜抵抗体を形成するには、その
基板上に抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、850℃
程度の温度で焼成すれば良い。基板は、アルミナ基板、
AlN基板、その他の単層基板、複合基板であっても良
いし、多層基板であっても良い。厚膜抵抗体は、多層基
板の外部のみならず内部に形成しても良い。
In order to form a thick-film resistor on a substrate, a resistor paste is screen-printed on the substrate, and 850 ° C.
What is necessary is just to bake at about the temperature. The substrate is an alumina substrate,
The substrate may be an AlN substrate, another single-layer substrate, a composite substrate, or a multi-layer substrate. The thick film resistor may be formed not only outside but also inside the multilayer substrate.

【0026】[0026]

【実施例】以下具体的な実施例により本発明をより詳細
に説明する。
The present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

【0027】導電性材料とガラス材料との体積%を互い
に変えると共に、WOを添加した場合と添加しない場
合の抵抗体ペースト試料をそれぞれ作成し、これらをア
ルミナ基板上に焼き付けて厚膜抵抗体を作成して電気的
特性を測定した。
The volume percentages of the conductive material and the glass material were changed from each other, and resistor paste samples with and without WO 3 were prepared, respectively, and baked on an alumina substrate to form a thick film resistor. Was prepared and the electrical characteristics were measured.

【0028】導電性材料としてはBiRuを用
いた。ガラス材料としてはZnO:65重量%、B
:22重量%、SiO:13重量%のガラス組成物
を用いた。
Bi 2 Ru 2 O 7 was used as the conductive material. As a glass material, ZnO: 65% by weight, B 2 O
3:22 wt%, SiO 2: 13 was used wt% of the glass composition.

【0029】導電性材料の作成 BiRuとなるように所定量のBi粉末
とRuO粉末とを秤量し、ボールミルで混合して乾燥
した。この混合によって得られた粉を、300℃/hr
の速度で900℃まで昇温しその温度を10時間保持し
た後に300℃/hrの速度で室温(25℃)まで冷却
することによって、BiRu化合物の粉末を得
た。
[0029]Creating conductive materials  Bi2Ru2O7A predetermined amount of Bi2O3Powder
And RuO2Weigh powder and mix with ball mill and dry
did. The powder obtained by this mixing is heated at 300 ° C./hr
The temperature is raised to 900 ° C at that speed, and the temperature is maintained for 10 hours.
And then cooled to room temperature (25 ° C) at a rate of 300 ° C / hr
By doing, Bi2Ru2O7Compound powder
Was.

【0030】ガラス材料の作成 ZnO、B、SiOの粉末を所定量秤量し、ボ
ールミルで混合して乾燥した。この混合によって得られ
た粉を、300℃/hrの速度で1500℃まで昇温し
その温度を1時間保持した後に水中投下することによっ
て急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボール
ミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。
[0030]Creating glass materials  ZnO, B2O3, SiO2A predetermined amount of powder is weighed and
And dried with a mill. Obtained by this mixing
The powder is heated to 1500 ° C at a rate of 300 ° C / hr.
After holding the temperature for one hour,
Quenched and vitrified. Ball the obtained vitrified material
It was pulverized with a mill to obtain a glass powder.

【0031】抵抗体ペーストの作成 上述のごとく作成したBiRu化合物の粉末
と、ガラス粉末と、WO 粉末と、樹脂がエチルセルロ
ース、溶剤がターピネオールでなる有機ビヒクルとを各
組成となるように秤量し、らいかい器で混合し、さらに
3本ロールミルで混練することにより、抵抗体ペースト
を得た。
[0031]Creating resistor paste  Bi created as described above2Ru2O7Compound powder
And glass powder and WO 3Powder and resin are ethyl cellulose
Terpineol as an organic vehicle
Weigh so that it becomes the composition, mix with a grinder,
By kneading with a three-roll mill, resistor paste
I got

【0032】厚膜抵抗体の作成及び電気的特性測定 96%純度のアルミナ基板上に、Ag−Pd導体ペース
トを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ag−
Pd導体ペーストにおけるAgは85重量%、Pdは1
5重量%であった。このアルミナ基板を、ベルト炉に入
れ、投入から排出まで1時間のパターンで焼き付けし
た。焼き付け温度は850℃、その温度の保持時間は1
0分とした。
[0032]Preparation of thick film resistors and measurement of electrical characteristics  Ag-Pd conductor pace on 96% pure alumina substrate
The screen was screen-printed in a predetermined shape and dried. Ag-
Ag in the Pd conductor paste was 85% by weight, and Pd was 1%.
It was 5% by weight. This alumina substrate is put into a belt furnace.
And burned in a one hour pattern from input to discharge
Was. The baking temperature is 850 ° C and the holding time at that temperature is 1
0 minutes.

【0033】このようにして導体が形成されたアルミナ
基板上に前述のごとく作成した抵抗体ペーストを所定形
状にスクリーン印刷して乾燥させた。次いで、導体焼付
けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き付け、厚膜抵抗体
を得た。
The resistor paste prepared as described above was screen-printed in a predetermined shape on the alumina substrate on which the conductor was formed and dried. Next, the resistor paste was baked under the same conditions as the conductor baking to obtain a thick film resistor.

【0034】この厚膜抵抗体の電気的特性、即ちシート
抵抗及びTCR特性を測定した。TCRは、25℃から
−55℃への抵抗値変化に関するコールドTCRと、2
5℃から125℃への抵抗値変化に関するホットTCR
とを測定した。
The electrical characteristics of this thick film resistor, that is, sheet resistance and TCR characteristics were measured. The TCR is the cold TCR for the change in resistance from 25 ° C. to −55 ° C. and 2
Hot TCR for resistance change from 5 ° C to 125 ° C
And were measured.

【0035】その測定結果を表1に示す。なお、表1に
記載したTCR値は、コールドTCRの絶対値とホット
TCRの絶対値とのうちの大きい方の値である。また、
各組成における試料数は10である。
Table 1 shows the measurement results. Note that the TCR value described in Table 1 is the larger of the absolute value of the cold TCR and the absolute value of the hot TCR. Also,
The number of samples for each composition is 10.

【0036】[0036]

【表1】 [Table 1]

【0037】表1より、WOを含有させた場合は、さ
せない場合に比してTCR値が±120ppm/℃以下
と劇的に改善されている。従って、鉛フリーの抵抗体ペ
ーストであっても、WOを含有することによって、T
CR調整剤を多種類添加しなくても満足できるTCR値
を得ることができることが分かった。
From Table 1, it can be seen that when WO 3 is contained, the TCR value is dramatically improved to ± 120 ppm / ° C. or less as compared with the case where WO 3 is not contained. Therefore, even in lead-free resistor paste, by the inclusion of WO 3, T
It has been found that a satisfactory TCR value can be obtained without adding many types of CR regulators.

【0038】WOの含有量については特に制限されな
いが、ガラス材料が9.9〜89.9体積%、導電性材
料が10〜90体積%、WOが0.1〜45体積%含
有されている範囲であることが好ましい。
[0038] Although no particular limitation is imposed on the content of WO 3, glass material from 9.9 to 89.9% by volume, the conductive material is 10 to 90 vol%, WO 3 is contained from 0.1 to 45 vol% It is preferable that it is in the range.

【0039】以上述べた実施形態及び実施例は全て本発
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
The embodiments and examples described above all illustrate the present invention by way of example and not by way of limitation, and the present invention can be embodied in various other modified and modified forms. . Therefore, the scope of the present invention is defined only by the appended claims and their equivalents.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、鉛フリーの抵抗体ペーストであっても、WOを含
有することによって、TCR特性が劇的に改善される。
TCR調整剤を多種類添加しなくても満足できるTCR
値を得ることができるので、製造が容易となりかつ製品
毎に電気的特性がばらついて不安定となるような不都合
が生じない。
As described in detail above, according to the present invention, even if it is a lead-free resistor paste, the inclusion of WO 3 dramatically improves the TCR characteristics.
TCR that can be satisfied without adding many types of TCR regulator
Since the value can be obtained, the production becomes easy and there is no inconvenience that the electrical characteristics vary from product to product and become unstable.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 鉛を含まないガラス組成物と、鉛を含ま
ない導電性材料と、WOと、ビヒクルとを含有するこ
とを特徴とする抵抗体ペースト。
1. A resistor paste comprising a lead-free glass composition, a lead-free conductive material, WO 3 and a vehicle.
【請求項2】 前記ガラス組成物が9.9〜89.9体
積%、前記導電性材料が10〜90体積%、前記WO
が0.1〜45体積%含有されていることを特徴とする
請求項1に記載の抵抗体ペースト。
2. The glass composition contains 9.9 to 89.9% by volume, the conductive material contains 10 to 90% by volume, and the WO 3
2. The resistor paste according to claim 1, wherein 0.1 to 45% by volume is contained.
【請求項3】 前記ガラス組成物が、B及びSi
の1種以上を主成分とするガラス組成物であること
を特徴とする請求項1又は2に記載の抵抗体ペースト。
3. The method according to claim 2 , wherein the glass composition is B 2 O 3 and Si.
3. The resistor paste according to claim 1, wherein the resistor paste is a glass composition containing at least one of O 2 as a main component. 4.
【請求項4】 前記ガラス組成物が、酸化バリウム、酸
化カルシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化リ
チウム、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化
りん、酸化亜鉛及び酸化マンガンの1種以上を含有して
いることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に
記載の抵抗体ペースト。
4. The glass composition contains at least one of barium oxide, calcium oxide, sodium oxide, potassium oxide, lithium oxide, magnesium oxide, strontium oxide, phosphorus oxide, zinc oxide and manganese oxide. The resistor paste according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
【請求項5】 前記導電性材料が、RuO又はRuの
複合酸化物であることを特徴とする請求項1から4のい
ずれか1項に記載の抵抗体ペースト。
5. The resistor paste according to claim 1, wherein the conductive material is a composite oxide of RuO 2 or Ru.
【請求項6】 前記Ruの複合酸化物が、BiRu
、CdBiRu 、NdBiRu、Bi
InRu、BiIrRuO、GdBiRu
、BaRuO、BaRuO、SrRuO、C
aRuO、CoRuO、LaRuO又はLiR
uOであることを特徴とする請求項5に記載の抵抗体
ペースト。
6. The composite oxide of Ru is Bi2Ru2
O7, CdBiRu 2O7, NdBiRu2O7, Bi
InRu2O7, Bi2IrRuO7, GdBiRu3
O7, BaRuO3, BaRuO4, SrRuO3, C
aRuO3, Co2RuO4, LaRuO3Or LiR
uO3The resistor according to claim 5, wherein
paste.
【請求項7】 前記導電性材料が、SnO、La
、Pd−Ag合金、Pd、CoCrO、NiCr
、SiC、TaC、CaB、BaB、Sr
、YB、TaN、Ta、TiSi、V
Si、CrSi、TaSi、MoSi又はWS
であることを特徴とする請求項1から4のいずれか
1項に記載の抵抗体ペースト。
7. The conductive material is SnO 2 , La
B 6 , Pd-Ag alloy, Pd, CoCrO 4 , NiCr
O 4 , SiC, TaC, CaB 6 , BaB 6 , Sr
B 6 , YB 6 , Ta 2 N, Ta 2 O 5 , TiSi 2 , V
Si 2 , CrSi 2 , TaSi 2 , MoSi 2 or WS
resistor paste according to any one of claims 1 4, characterized in that the i 2.
【請求項8】 請求項1から7のいずれか1項に記載の
抵抗体ペーストを用いて形成されたことを特徴とする厚
膜抵抗体。
8. A thick-film resistor formed using the resistor paste according to claim 1. Description:
【請求項9】 請求項8に記載の厚膜抵抗体を少なくと
も1つ有することを特徴とする回路基板。
9. A circuit board comprising at least one thick film resistor according to claim 8.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004047124A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-03 Tdk Corporation Resistor paste, resistor and electronic part
JP2007189040A (en) * 2006-01-13 2007-07-26 Alps Electric Co Ltd Resistive paste, resistance object, and circuit board using the same
WO2009129378A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Non-lead resistor composition

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004047124A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-03 Tdk Corporation Resistor paste, resistor and electronic part
US7282163B2 (en) 2002-11-21 2007-10-16 Tdk Corporation Resistor paste, resistor, and electronic device
JP2007189040A (en) * 2006-01-13 2007-07-26 Alps Electric Co Ltd Resistive paste, resistance object, and circuit board using the same
WO2009129378A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Non-lead resistor composition
US7608206B1 (en) 2008-04-18 2009-10-27 E.I. Dupont De Nemours & Company Non-lead resistor composition
US7951311B2 (en) 2008-04-18 2011-05-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-lead resistor composition
JP2011523612A (en) * 2008-04-18 2011-08-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Lead-free resistor composition
US8226857B2 (en) 2008-04-18 2012-07-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Non-lead resistor composition
CN102007074B (en) * 2008-04-18 2013-11-06 纳幕尔杜邦公司 Non-lead resistor composition

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