JP2005235754A - Conductive material, its manufacturing method, resistor paste, resistor and electronic component - Google Patents

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博文 田中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To balance a temperature characteristic (TCR) with a withstand voltage characteristic (STOL), in a resistor having a high resistance value, for instance, above 10 kΩ/square. <P>SOLUTION: This conductive material mainly contains RuO<SB>2</SB>particles. The crystallite size and the average particle diameter of each RuO<SB>2</SB>particle satisfies a relationship of 0.14<crystallite size<average particle diameter. The conductive material is used for resistor paste containing a glass composition and the conductive material and prepared by mixing them with an organic vehicle. The resistor formed by using the resistor paste has a high resistance value above 10 kΩ/square, and capable of balancing a TCR characteristic with an STOL characteristic. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、RuOを主体とする導電性材料及びその製造方法に関するものであり、さらには、これを用いた抵抗体ペースト、抵抗体、電子部品に関する。 The present invention relates to a conductive material mainly composed of RuO 2 and a manufacturing method thereof, and further relates to a resistor paste, a resistor, and an electronic component using the same.

例えば抵抗体ペーストは、一般に、抵抗値の調節及び結合性を与えるためのガラス組成物と、導電性材料と、有機ビヒクルとを主たる成分として構成されており、これを基板上に印刷した後、焼成することによって、厚さ5〜20μm程度の厚膜抵抗体が形成される。そして、この種の抵抗体ペースト(厚膜抵抗体)においては、通常、導電性材料として酸化ルテニウム(RuO)や鉛ルテニウム酸化物等が用いられ、ガラスとして酸化鉛(PbO)系ガラス等が用いられている。 For example, a resistor paste is generally composed of a glass composition for adjusting a resistance value and imparting bonding properties, a conductive material, and an organic vehicle as main components, and after printing this on a substrate, By baking, a thick film resistor having a thickness of about 5 to 20 μm is formed. In this type of resistor paste (thick film resistor), usually, ruthenium oxide (RuO 2 ), lead ruthenium oxide or the like is used as the conductive material, and lead oxide (PbO) glass or the like is used as the glass. It is used.

近年、環境問題が盛んに議論されてきており、鉛等の有害物質の電子部品からの排除が進められている。前記抵抗体ペーストや厚膜抵抗体も例外ではなく、鉛フリーとするための研究が行われている。   In recent years, environmental issues have been actively discussed, and elimination of harmful substances such as lead from electronic components is being promoted. The resistor paste and the thick film resistor are no exception, and research is being conducted to make them lead-free.

抵抗体ペーストの鉛フリー化における課題の一つとして、特に高抵抗(10kΩ/□以上)の抵抗体ペーストにおいて、温度特性(TCR)と耐電圧特性(STOL)の両立が挙げられる。例えば、従来の鉛系抵抗体ペーストにおいて用いられてきた金属酸化物を添加することによるTCRの調節を、そのまま鉛フリーの組成に応用した場合、電圧印加による抵抗値の変動が鉛系組成と比較して大きく起こるため、結果としてTCRとSTOLの両立を実現することは困難である。   As one of the problems in making the resistor paste lead-free, there is a compatibility between temperature characteristics (TCR) and withstand voltage characteristics (STOL) particularly in a resistor paste having a high resistance (10 kΩ / □ or more). For example, when adjusting the TCR by adding a metal oxide, which has been used in conventional lead-based resistor pastes, to a lead-free composition as it is, changes in resistance due to voltage application are compared with the lead-based composition. As a result, it is difficult to achieve both TCR and STOL.

このような事情から、鉛を含まないガラス組成物、鉛を含まない導電性材料、及び有機ビヒクルを主成分とする抵抗体ペーストにおいて、添加物としてCaTiO若しくはNiOを添加し、温度特性(TCR)と耐電圧特性(STOL)とを両立する試みがなされている(例えば、特許文献1等を参照)。 Under such circumstances, in a resistor paste mainly composed of a lead-free glass composition, a lead-free conductive material, and an organic vehicle, CaTiO 3 or NiO is added as an additive, and temperature characteristics (TCR ) And withstand voltage characteristics (STOL) have been attempted (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1には、抵抗体ペーストに例えばCaTiOを0vol%超、13vol%以下、若しくはNiOを0vol%超、12vol%以下含有させることが好ましく、さらにはCuO、ZnO、MgO等の添加物を同時に添加させることが好ましい旨の記述があり、それにより、高い抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特性(TCR)および耐電圧特性(STOL)が小さい抵抗体を得ることに適した鉛フリーの抵抗体ペーストを提供することが可能であるとされている。
特開2003−197405号公報
In Patent Document 1, it is preferable to contain, for example, CaTiO 3 in an amount of more than 0 vol%, 13 vol% or less, or NiO in an amount of more than 0 vol% and 12 vol%, and further, an additive such as CuO, ZnO, MgO, etc. There is a description that it is preferable to add them at the same time, and as a result, lead suitable for obtaining a resistor having a low temperature characteristic (TCR) and a low withstand voltage characteristic (STOL) while having a high resistance value. It is said that it is possible to provide a free resistor paste.
JP 2003-197405 A

しかしながら、特に1MΩレベルの高抵抗領域において、従来のPb系抵抗体ペーストと比較すると、鉛フリー系抵抗体ペーストのSTOL特性は、Pb系抵抗体ペーストと同等レベルにまでは達しておらず、さらに特性の向上を図る必要があるのが現状である。例えば、特許文献1記載の発明のように、添加物を多量に含有させることでTCR特性を調整した抵抗体ペーストを用いて形成された抵抗体では、従来の鉛系組成の抵抗体ペーストを用いた場合よりもSTOL特性が低下する傾向にある。したがって、添加物を添加しない状態、すなわちガラス組成物及び導電性材料からなる組成の抵抗体ペーストを用いて形成された抵抗体の段階で、STOL特性をさらに向上させる必要がある。   However, especially in the high resistance region of 1 MΩ level, the STOL characteristic of the lead-free resistor paste does not reach the same level as that of the Pb resistor paste as compared with the conventional Pb resistor paste. At present, it is necessary to improve the characteristics. For example, in a resistor formed using a resistor paste whose TCR characteristics are adjusted by adding a large amount of additives as in the invention described in Patent Document 1, a resistor paste having a conventional lead-based composition is used. The STOL characteristics tend to be lower than in the case of the above. Therefore, it is necessary to further improve STOL characteristics in a state where no additive is added, that is, in the stage of a resistor formed using a resistor paste having a composition composed of a glass composition and a conductive material.

そこで本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、例えば10kΩ/□以上の高い抵抗値を有し、温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)を両立し得る抵抗体を実現することが可能な導電性材料及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、前記導電性材料を使用することで、高抵抗で温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)に優れ、熱的な安定性にも優れる抵抗体ペースト、及びこの抵抗体ペーストを用いて作製された抵抗体、さらにはこの抵抗体を有する電子部品を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, for example, a resistance having a high resistance value of 10 kΩ / □ or more and capable of achieving both temperature characteristics (TCR) and withstand voltage characteristics (STOL). It is an object of the present invention to provide a conductive material capable of realizing a body and a manufacturing method thereof. The present invention also provides a resistor paste having high resistance, excellent temperature characteristics (TCR) and withstand voltage characteristics (STOL), and excellent thermal stability by using the conductive material, and the resistor. It is an object of the present invention to provide a resistor manufactured using a paste, and an electronic component having the resistor.

本発明者らは、温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)の両立が可能な導電性材料について長期に亘り研究を重ねた結果、RuOを主体とする導電性材料において、平均粒径と結晶子サイズの比率を適正なものとすることにより、実現可能であるとの結論を得るに至った。 The inventors of the present invention have conducted long-term research on a conductive material capable of achieving both temperature characteristics (TCR) and withstand voltage characteristics (STOL). As a result, in a conductive material mainly composed of RuO 2 , And the ratio of crystallite size was made appropriate, the conclusion was reached that this was feasible.

本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明に係る導電性材料は、RuO粒子を主体とし、当該RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径なる関係を満足することを特徴とする。同様に、本発明の抵抗体ペーストは、ガラス組成物及び導電性材料を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストであって、前記導電性材料は、RuO粒子を主体とし、当該RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径なる関係を満足することを特徴とする。さらに、本発明に係る抵抗体は、前記抵抗体ペーストを用いて形成されたことを特徴とし、本発明に係る電子部品は、前記抵抗体を有することを特徴とする。 The present invention has been completed based on such findings. That is, the conductive material according to the present invention, characterized in that the RuO 2 particles as a main component, the mean particle size and crystallite size of the RuO 2 particles satisfies 0.14 <crystallite size / average particle size the relationship And Similarly, the resistor paste of the present invention is a resistor paste containing a glass composition and a conductive material, which are mixed with an organic vehicle, and the conductive material is mainly composed of RuO 2 particles. The crystallite size and the average particle size of the RuO 2 particles satisfy the relationship of 0.14 <crystallite size / average particle size. Furthermore, the resistor according to the present invention is formed using the resistor paste, and the electronic component according to the present invention includes the resistor.

平均粒径と結晶子サイズが特定の比率にあるRuO粒子を抵抗体ペースト、抵抗体の導電性材料として用いることで、10kΩ/□以上の高抵抗領域において、TCR特性、STOL特性が両立される。 By using RuO 2 particles with a specific ratio of average particle size and crystallite size as resistor paste and conductive material for resistors, TCR characteristics and STOL characteristics are compatible in a high resistance region of 10 kΩ / □ or more. The

RuO粒子の結晶子サイズは、熱処理によって制御可能であり、これを規定したのが本発明の導電性材料の製造方法である。すなわち、本発明の導電性材料の製造方法は、RuO粒子を1000℃以上、1400℃未満の温度で熱処理し、RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径となるように制御することを特徴とする。 The crystallite size of the RuO 2 particles can be controlled by heat treatment, and this is defined by the method for producing a conductive material of the present invention. That is, in the method for producing a conductive material of the present invention, RuO 2 particles are heat-treated at a temperature of 1000 ° C. or more and less than 1400 ° C., and the RuO 2 particles have a crystallite size and an average particle size of 0.14 <crystallite size / It is characterized by controlling the average particle size.

本発明によれば、TCR特性及びSTOL特性を両立し得る導電性材料を提供することができ、これを用いることで、高抵抗値を有し、しかも温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)に優れる抵抗体ペースト、抵抗体、電子部品を提供することが可能である。   According to the present invention, it is possible to provide a conductive material capable of satisfying both TCR characteristics and STOL characteristics. By using the conductive material, a high resistance value can be provided, and temperature characteristics (TCR) and withstand voltage characteristics (STOL) can be provided. It is possible to provide a resistor paste, a resistor, and an electronic component that are superior to the above.

以下、本発明に係る導電性材料及びその製造方法、導電性材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体ペーストを用いて形成された抵抗体、及びこの抵抗体を有する電子部品について説明する。   Hereinafter, a conductive material according to the present invention, a manufacturing method thereof, a resistor paste containing the conductive material, a resistor formed using the resistor paste, and an electronic component having the resistor will be described.

本発明の導電性材料は、RuO粒子を主体とするものであり、当該RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径なる関係を満足することが重要な要素である。このことは、平均粒径に対して結晶子サイズがなるべく大きい方が有利であることを意味する。ここで、前記規定においては結晶子サイズ/平均粒径の下限のみを検定しているが、結晶子サイズ=平均粒径である場合(結晶子サイズ/平均粒径=1)が上限であることは自明であり、この場合が理想状態である。 Conductive material of the present invention are those composed mainly of RuO 2 particles, that the average particle size and crystallite size of the RuO 2 particles satisfies 0.14 <crystallite size / average particle size the relationship It is an important element. This means that it is advantageous that the crystallite size is as large as possible with respect to the average grain size. Here, only the lower limit of the crystallite size / average particle size is tested in the above rule, but when the crystallite size = average particle size (crystallite size / average particle size = 1) is the upper limit. Is self-evident, and this is the ideal state.

前記RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径は、前記関係を満足するものであれば任意であるが、本発明では、RuO粒子として粉砕粒子を対象にしており、したがって、平均粒径は1.0μm以下、結晶子サイズは0.014μm以上であることが好ましい。なお、RuO粒子の結晶子サイズは、X線回折により求めることができ、平均粒径は、走査型電子顕微鏡観察により測定することができる。 The average particle size and crystallite size of the RuO 2 particles, wherein at relationship is arbitrary as long as it satisfies the, in the present invention, are intended for crushing particles as RuO 2 particles, therefore, the average particle size It is preferable that the thickness is 1.0 μm or less and the crystallite size is 0.014 μm or more. The crystallite size of RuO 2 particles can be determined by X-ray diffraction, and the average particle size can be measured by observation with a scanning electron microscope.

RuO粒子の結晶子サイズは、熱処理により制御することができる。したがって、本発明の導電性材料の製造に際しては、RuO粒子を1000℃以上、1400℃未満の温度で熱処理し、RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径となるように制御する。ここで、結晶子サイズ/平均粒径を前記関係とするには、熱処理後のRuO粒子を粉砕し、平均粒径を調整することが好ましい。前記熱処理による結晶子サイズの制御と粉砕による平均粒径の調整により、容易に0.14<結晶子サイズ/平均粒径とすることが可能である。 The crystallite size of RuO 2 particles can be controlled by heat treatment. Therefore, in the production of the conductive material of the present invention, RuO 2 particles are heat-treated at a temperature of 1000 ° C. or more and less than 1400 ° C., and the RuO 2 particles have a crystallite size and an average particle size of 0.14 <crystallite size / The average particle size is controlled. Here, in order to make the crystallite size / average particle size the above relationship, it is preferable to pulverize the RuO 2 particles after heat treatment to adjust the average particle size. By controlling the crystallite size by the heat treatment and adjusting the average particle size by pulverization, it is possible to easily satisfy 0.14 <crystallite size / average particle size.

本発明の抵抗体ペーストは、ガラス組成物、導電性材料、及び必要に応じて添加物を含み、これらが有機ビヒクルと混合されてなるものである。そして、導電性材料として、前述の平均粒径、結晶子サイズを有するRuO粒子を用いる。抵抗体ペースト中の導電性材料の含有量は、ガラス組成物、導電性材料、及び添加物の合計質量を100質量%とした場合に、9.4質量%〜53.3質量%とするのが好ましい。導電性材料の含有量が前記範囲を下回る場合、抵抗値が高くなりすぎてしまい、抵抗体ペーストとしての使用に適さなくなるおそれがある。逆に、導電性材料の含有量が前記範囲を越えると、ガラス組成物による導電性材料の結着が不十分になり、信頼性が低下するおそれがある。 The resistor paste of the present invention contains a glass composition, a conductive material, and, if necessary, an additive, and these are mixed with an organic vehicle. Then, as the conductive material, use of RuO 2 particles having an average particle size of the above, the crystallite size. The content of the conductive material in the resistor paste is 9.4 mass% to 53.3 mass% when the total mass of the glass composition, the conductive material, and the additive is 100 mass%. Is preferred. When the content of the conductive material is less than the above range, the resistance value becomes too high, which may make it unsuitable for use as a resistor paste. On the contrary, if the content of the conductive material exceeds the above range, the binding of the conductive material by the glass composition becomes insufficient, and the reliability may be lowered.

ガラス組成物は、特に限定されないが、本発明では環境保全上、鉛を実質的に含まない鉛フリーのガラス組成物を用いることが好ましい。なお、本発明において、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物レベルとは言えない量を越える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量(例えば、ガラス組成物中の含有量が0.05質量%以下程度)であれば含有されていてもよい趣旨である。鉛は、不可避不純物として極微量程度に含有されることがある。   The glass composition is not particularly limited, but in the present invention, it is preferable to use a lead-free glass composition that substantially does not contain lead for environmental protection. In the present invention, “substantially free of lead” means not containing lead exceeding the amount that cannot be said to be an impurity level, and the amount of impurity level (for example, the content in the glass composition). Is about 0.05% by mass or less). Lead may be contained in a trace amount as an inevitable impurity.

ガラス組成物は、抵抗体とされたとき、抵抗体中で導電性材料及び添加物を基板と結着させる役割を持つ。ガラス組成物は、原料として、修飾酸化物成分、網目形成酸化物成分等を混合して用いることができる。主たる修飾酸化物成分としては、アルカリ土類酸化物、具体的にはCaO、SrO、BaOから選ばれる少なくとも1種を挙げることができる。また、網目形成酸化物成分としては、B及びSiOを挙げることができる。また、前記主たる修飾酸化物成分の他、その他の修飾酸化物成分として、任意の金属酸化物を用いることができる。具体的な金属酸化物は、例えばZrO、Al、ZnO、CuO、NiO、CoO、MnO、Cr、V、MgO、LiO、NaO、KO、TiO、SnO、Y、Fe、Nb、Ta等から選ばれる少なくとも1種であり、中でもZrO、Al、MnO、ZnOから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。 When the glass composition is a resistor, it has a role of binding the conductive material and the additive to the substrate in the resistor. The glass composition can be used by mixing a modified oxide component, a network-forming oxide component, or the like as a raw material. Examples of the main modifying oxide component include alkaline earth oxides, specifically, at least one selected from CaO, SrO, and BaO. Examples of the network forming oxide component include B 2 O 3 and SiO 2 . In addition to the main modified oxide component, any other metal oxide can be used as another modified oxide component. Specific metal oxides, for example ZrO 2, Al 2 O 3, ZnO, CuO, NiO, CoO, MnO, Cr 2 O 3, V 2 O 5, MgO, Li 2 O, Na 2 O, K 2 O , TiO 2 , SnO 2 , Y 2 O 3 , Fe 2 O 3 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5, etc., among which ZrO 2 , Al 2 O 3 , MnO, and ZnO are selected. It is preferable that it is at least one kind.

ガラス組成物における各成分の含有量にはそれぞれ最適範囲が存在し、例えば主たる修飾酸化物成分の含有量が少なすぎると、導電性材料との反応性が低下し、TCR、STOL特性を劣化させるおそれがある。逆に、主たる修飾酸化物成分の含有量が多すぎる場合、抵抗体を形成した時に、過剰な金属酸化物の析出が起こり、特性、信頼性を劣化させるおそれがある。網目形成酸化物成分の含有量が少ない場合、ガラス組成物の軟化点が高くなるため、所定の焼成温度にて抵抗体を形成した場合、抵抗体の焼結が不十分となり、信頼性を著しく低下させるおそれがある。逆に、網目形成酸化物成分の含有量が多すぎる場合、ガラス組成物の耐水性が低下するため、抵抗体としたときの信頼性を著しく低下させるおそれがある。また、その他の修飾酸化物成分の含有量が少なすぎる場合、ガラス組成物の耐水性が低下するため、抵抗体としたときの信頼性を著しく低下させるおそれがある。逆に、その他の修飾酸化物成分の含有量が多すぎる場合、抵抗体を形成した時に、過剰な金属酸化物の析出が起こり、特性、信頼性を劣化させるおそれがある。   There is an optimum range for the content of each component in the glass composition. For example, if the content of the main modifying oxide component is too small, the reactivity with the conductive material is lowered and the TCR and STOL characteristics are deteriorated. There is a fear. On the other hand, when the content of the main modifying oxide component is too large, when a resistor is formed, excessive metal oxide may be deposited, which may deteriorate the characteristics and reliability. When the content of the network-forming oxide component is small, the softening point of the glass composition becomes high. Therefore, when a resistor is formed at a predetermined firing temperature, the resistor is not sufficiently sintered and the reliability is remarkably improved. May decrease. On the other hand, when the content of the network-forming oxide component is too large, the water resistance of the glass composition is lowered, and thus there is a possibility that the reliability when a resistor is used is significantly lowered. Moreover, when there is too little content of another modification oxide component, since the water resistance of a glass composition falls, there exists a possibility that the reliability when it may be set as a resistor may fall remarkably. On the other hand, when the content of other modified oxide components is too large, when a resistor is formed, excessive metal oxide may be deposited, which may deteriorate the characteristics and reliability.

抵抗体ペースト中のガラス組成物の含有量は、導電性材料、ガラス組成物、添加物の合計の質量を100質量%とした時に、47.7質量%〜90.6質量%とするのが好ましい。含有量が少ない場合、導電性材料、添加物の結着が不十分となり、信頼性が著しく低下するおそれがある。逆に、ガラス組成物の含有量が前記範囲を越えると、抵抗値が高くなり過ぎてしまい、抵抗体ペーストとしての使用に適さなくなるおそれがある。   The content of the glass composition in the resistor paste is 47.7 mass% to 90.6 mass% when the total mass of the conductive material, the glass composition, and the additive is 100 mass%. preferable. When the content is small, the binding of the conductive material and the additive becomes insufficient, and the reliability may be significantly lowered. On the other hand, if the content of the glass composition exceeds the above range, the resistance value becomes too high, which may make it unsuitable for use as a resistor paste.

抵抗体ペーストには、前述のガラス組成物、導電性材料の他、特性の調整等を目的として、添加物が含まれていてもよい。抵抗体ペーストにおける添加物の含有量は、ガラス組成物、導電性材料、及び添加物の合計質量を100質量%とした場合に、0〜27.2重量%とするのが好ましく、1.0質量%〜27.2質量%とするのがより好ましい。添加物の含有量が少ない場合、十分な特性の調整が困難となる。逆に、添加物の含有量が多すぎる場合、導電性材料、添加物の結着が不十分となり、信頼性が著しく低下するおそれがある。   In addition to the glass composition and the conductive material described above, the resistor paste may contain an additive for the purpose of adjusting characteristics. The content of the additive in the resistor paste is preferably 0 to 27.2% by weight when the total mass of the glass composition, the conductive material, and the additive is 100% by weight. It is more preferable to set it as the mass%-27.2 mass%. When the content of the additive is small, it is difficult to sufficiently adjust the characteristics. On the other hand, when the content of the additive is too large, the binding of the conductive material and the additive becomes insufficient, and the reliability may be significantly reduced.

添加物としては、任意の金属酸化物を用いることができる。具体的には、MgO、TiO、SnO、ZnO、CoO、CuO、NiO、MnO、Mn、Fe、Cr、Y、V、MgTiO、SrTiO、BaTiO、CaTiO3等が挙げられる。中でも、TCR調整剤として効果の高い酸化物であるCuO、NiO、MgO、SrTiO、BaTiO、CaTiO3、MgTiO、Mn、ZnO等が好ましい。それぞれの添加物の含有量が多すぎる場合、STOL特性が劣化するおそれがある。 Any metal oxide can be used as the additive. Specifically, MgO, TiO 2, SnO 2 , ZnO, CoO, CuO, NiO, MnO, Mn 3 O 4, Fe 2 O 3, Cr 2 O 3, Y 2 O 3, V 2 O 5, MgTiO 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , CaTiO 3 and the like. Among them, CuO, NiO, MgO, SrTiO 3 , BaTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 , Mn 3 O 4 , ZnO and the like, which are highly effective oxides as a TCR adjuster, are preferable. When there is too much content of each additive, there exists a possibility that a STOL characteristic may deteriorate.

有機ビヒクルは、ガラス組成物、導電性材料と添加物とを混練しペースト化させる役割を有し、この種の抵抗体ペーストに用いられるものがいずれも使用可能である。有機ビヒクルは、バインダを有機溶剤中に溶解することによって調製されるものである。バインダとしては、特に限定されず、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等、各種バインダから適宜選択すればよい。有機溶剤も限定されず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等、各種有機溶剤から適宜選択すればよい。さらに、抵抗体ペーストの物性を調節するために、分散剤等の各種添加剤を加えてもよい。   The organic vehicle has a role of kneading the glass composition, the conductive material, and the additive into a paste, and any of those used for this type of resistor paste can be used. An organic vehicle is prepared by dissolving a binder in an organic solvent. It does not specifically limit as a binder, For example, what is necessary is just to select suitably from various binders, such as an ethyl cellulose and polyvinyl butyral. The organic solvent is not limited, and may be appropriately selected from various organic solvents such as terpineol, butyl carbitol, acetone, and toluene. Furthermore, in order to adjust the physical properties of the resistor paste, various additives such as a dispersant may be added.

前記有機ビヒクルの配合比率であるが、ガラス組成物、導電性材料、及び添加物を合計した合計質量(W1)と、有機ビヒクルの質量(W2)の比率(W2/W1)が、0.25〜4(W2:W1=1:0.25〜1:4)であることが好ましい。より好ましくは、前記比率(W2/W1)が0.5〜2である。前記比率を外れると、抵抗体を例えば基板上に形成するのに適した粘度の抵抗体ペーストを得ることができなくなるおそれがある。   The organic vehicle compounding ratio is a ratio (W2 / W1) of the total mass (W1) of the glass composition, the conductive material, and the additive to the mass of the organic vehicle (W2) (W2 / W1). -4 (W2: W1 = 1: 0.25 to 1: 4) is preferable. More preferably, the ratio (W2 / W1) is 0.5-2. If the ratio is outside the above range, a resistor paste having a viscosity suitable for forming a resistor on, for example, a substrate may not be obtained.

抵抗体を形成するには、前述の成分を含む抵抗体ペーストを例えば基板上にスクリーン印刷等の手法で印刷(塗布)し、850℃程度の温度で焼成すればよい。基板としては、Al基板やBaTiO基板の誘電体基板や、低温焼成セラミック基板、AlN基板等を用いることができる。基板形態としては、単層基板、複合基板、多層基板のいずれであってもよい。多層基板の場合、抵抗体は、表面に形成してもよいし、内部に形成してもよい。 In order to form the resistor, the resistor paste containing the above-described components may be printed (applied) on the substrate by a method such as screen printing and fired at a temperature of about 850 ° C. As the substrate, a dielectric substrate such as an Al 2 O 3 substrate or a BaTiO 3 substrate, a low-temperature fired ceramic substrate, an AlN substrate, or the like can be used. The substrate form may be any of a single layer substrate, a composite substrate, and a multilayer substrate. In the case of a multilayer substrate, the resistor may be formed on the surface or inside.

抵抗体の形成に際しては、通常、基板に電極となる導電パターンを形成するが、この導電パターンは、例えば、AgやPt、Pd等を含むAg系の良導電材料を含む導電ペーストを印刷することにより形成することができる。また、形成した抵抗体の表面に、ガラス膜等の保護膜を形成してもよい。   In forming the resistor, a conductive pattern to be an electrode is usually formed on the substrate, and this conductive pattern is printed with a conductive paste containing an Ag-based highly conductive material containing Ag, Pt, Pd, or the like, for example. Can be formed. Further, a protective film such as a glass film may be formed on the surface of the formed resistor.

本発明の抵抗体を適用可能な電子部品としては特に限定されないが、例えば単層または多層の回路基板、チップ抵抗器等の抵抗器、アイソレータ素子、C−R複合素子、モジュール素子の他、積層チップコンデンサ等のコンデンサやインダクタ等が挙げられ、コンデンサやインダクタ等の電極部分にも適用することができる。   The electronic component to which the resistor of the present invention can be applied is not particularly limited. For example, a single-layer or multi-layer circuit board, a resistor such as a chip resistor, an isolator element, a CR composite element, a module element, and a laminated layer Capacitors such as chip capacitors, inductors and the like can be mentioned, and the present invention can also be applied to electrode portions such as capacitors and inductors.

また、本発明の導電性材料は、抵抗体ペーストや抵抗体の導電性材料に限らず、あらゆる用途の導電性材料として利用することができ、例えば直接基板上に本発明の導電性材料を含むパターンを形成し、電極や配線として利用することも可能である。   Further, the conductive material of the present invention is not limited to the resistor paste or the conductive material of the resistor, but can be used as a conductive material for any application. For example, the conductive material of the present invention is directly included on a substrate. It is also possible to form a pattern and use it as an electrode or wiring.

以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。なお、本発明が以下の実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。   Hereinafter, specific examples to which the present invention is applied will be described based on experimental results. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.

<導電性材料の作製>
未熱処理RuO粒子と、空気中で500℃、1000℃、1350℃、1400℃でそれぞれ5時間熱処理を行ったRuO粒子を準備した。熱処理試料は平均粒径が1μm以下となるようにボールミルにて粉砕を行った。なお、1400℃で熱処理した試料は、一部RuO粒子が熱処理中に分解してしまい、収率が著しく悪かった。
<Production of conductive material>
And the non-heat treated RuO 2 particles, 500 ° C. in air, 1000 ℃, 1350 ℃, were prepared RuO 2 particles was carried out for 5 hours heat treatment respectively at 1400 ° C.. The heat-treated sample was pulverized by a ball mill so that the average particle diameter was 1 μm or less. In the sample heat-treated at 1400 ° C., some RuO 2 particles were decomposed during the heat treatment, and the yield was extremely poor.

以上により得られた各RuO粒子(導電性材料)について、X線回折を行い、回折線の半値幅より結晶子サイズを求めた。また、得られた粒子を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察を行い、平均粒径を算出した。さらに、これらの値から結晶子サイズ/平均粒径の値を算出した。得られた各試料の測定値を表1に示す。 For each RuO 2 particles obtained as described above (conductive material), the X-ray diffraction to determine the crystallite size from the half-width of the diffraction line. Moreover, the obtained particle | grains were observed with the scanning electron microscope (SEM), and the average particle diameter was computed. Furthermore, the value of crystallite size / average particle diameter was calculated from these values. Table 1 shows the measured values of the obtained samples.

Figure 2005235754
Figure 2005235754

<ガラス組成物の作製>
、SiO、CaCO、SrCO、BaCO、ZrO、MnO、ZnO、Al等を所定量秤量し、ボールミルにて混合した後、乾燥した。得られた粉末を5℃/分の速度で1300℃まで昇温し、その温度に1時間保持した後、水中に投入することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルで粉砕し、ガラス組成物粉末を得た。得られたガラス組成物を表2に示す。
<Preparation of glass composition>
A predetermined amount of B 2 O 3 , SiO 2 , CaCO 3 , SrCO 3 , BaCO 3 , ZrO 2 , MnO, ZnO, Al 2 O 3 and the like were weighed, mixed in a ball mill, and then dried. The obtained powder was heated to 1300 ° C. at a rate of 5 ° C./minute, held at that temperature for 1 hour, and then rapidly cooled by being poured into water to be vitrified. The obtained vitrified product was pulverized with a ball mill to obtain a glass composition powder. The obtained glass composition is shown in Table 2.

Figure 2005235754
Figure 2005235754

<添加物>
添加物として、CuO、NiO、MgO、MgTiO、CaTiO、SrTiO、BaTiO、Mn、ZnO等を用いた。
<Additives>
As additives, CuO, NiO, MgO, MgTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , Mn 3 O 4 , ZnO and the like were used.

<有機ビヒクルの作製>
バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤としてテルピネオールを用い、有機溶剤を加熱撹拌しながらバインダを溶かして、有機ビヒクルを作製した。
<Preparation of organic vehicle>
Using ethyl cellulose as the binder and terpineol as the organic solvent, the binder was dissolved while heating and stirring the organic solvent to prepare an organic vehicle.

<抵抗体ペーストの作製>
前述の導電性材料の粉末と、ガラス組成物粉末、添加物、及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、3本ロールミルで混練し、抵抗体ペーストを得た。なお、導電性材料粉末、ガラス組成物粉末及び添加物粉末の合計質量と有機ビヒクルの質量の比は、得られた抵抗体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように、質量比で1:0.25〜1:4の範囲で調合し、抵抗体ペーストを作製した。
<Preparation of resistor paste>
The above-mentioned conductive material powder, glass composition powder, additive, and organic vehicle were weighed so as to have each composition, and kneaded with a three-roll mill to obtain a resistor paste. The ratio of the total mass of the conductive material powder, the glass composition powder, and the additive powder to the mass of the organic vehicle is 1: 1 by mass so that the obtained resistor paste has a viscosity suitable for screen printing. A resistor paste was prepared by blending in the range of 0.25 to 1: 4.

<抵抗体の作製>
96%のアルミナ基板上に、Ag−Pt導体ペーストを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ag−Pt導体ペーストにおけるAgの割合は95質量%、Ptの割合は5質量%とした。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入から排出まで1時間のパターンで焼き付けを行った。この時の焼き付け温度は850℃、その温度での保持時間は10分間とした。
<Fabrication of resistor>
On a 96% alumina substrate, the Ag—Pt conductor paste was screen printed in a predetermined shape and dried. The Ag ratio in the Ag-Pt conductor paste was 95% by mass, and the Pt ratio was 5% by mass. This alumina substrate was placed in a belt furnace and baked in a pattern of 1 hour from charging to discharging. The baking temperature at this time was 850 ° C., and the holding time at that temperature was 10 minutes.

このようにして導体が形成されたアルミナ基板上に、先に作製した抵抗体ペーストをスクリーン印刷法にて所定の形状(1mm×1mmの方形状)のパターンで塗布し、乾燥した。その後、導体焼き付けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き付け、厚膜抵抗体を得た。   On the alumina substrate on which the conductor was formed in this manner, the resistor paste prepared previously was applied in a pattern of a predetermined shape (1 mm × 1 mm square shape) by screen printing and dried. Thereafter, the resistor paste was baked under the same conditions as the conductor baking to obtain a thick film resistor.

<抵抗体の特性評価>
(1)抵抗値
Agilent Technologies 社製の製品番号 34401Aにより測定。試料数24個の平均値を求めた。
<Evaluation of resistor characteristics>
(1) Resistance value
Measured with Agilent Technologies product number 34401A. The average value of 24 samples was determined.

(2)TCR
室温25℃を基準として、−55℃及び125℃へ温度を変えた時の抵抗値変化率を求めた。試料数10個の平均値である。−55℃、25℃、125℃の抵抗値をR−55、R25、R125(Ω/□)とおくと、TCR(ppm/℃)=[(R−55−R25)/R25/80]×1000000、あるいは、TCR(ppm/℃)=[(R125−R25)/R25/100]×1000000である。数値の大きい方をTCR値とした。
(2) TCR
The resistance value change rate when the temperature was changed to −55 ° C. and 125 ° C. was obtained based on the room temperature of 25 ° C. The average value of 10 samples. When the resistance values at −55 ° C., 25 ° C., and 125 ° C. are R-55, R25, and R125 (Ω / □), TCR (ppm / ° C.) = [(R-55-R25) / R25 / 80] × 1000000, or TCR (ppm / ° C.) = [(R125−R25) / R25 / 100] × 1000000. The larger value was taken as the TCR value.

(3)STOL(耐電圧特性)
厚膜抵抗体に試験電圧を5秒間印加し、その前後における抵抗値の変化率を求めた。試料数10個の平均値である。試験電圧=2.5×定格電圧であり、定格電圧=√(R/8)、Rは抵抗値(Ω/□)である。計算した試験電圧が200Vを越える抵抗値を持つ抵抗体については、試験電圧を200Vにて行った。
(3) STOL (withstand voltage characteristics)
A test voltage was applied to the thick film resistor for 5 seconds, and the change rate of the resistance value before and after that was determined. The average value of 10 samples. Test voltage = 2.5 × rated voltage, rated voltage = √ (R / 8), and R is a resistance value (Ω / □). For resistors having a resistance value with the calculated test voltage exceeding 200V, the test voltage was 200V.

(4)恒温恒湿負荷試験
抵抗体の信頼性試験の1つである。抵抗体に15Vの電圧を印加しながら温度85℃、相対湿度85%の雰囲気に放置し、1000時間後の抵抗値変動を評価した。試験前後の抵抗値変動をΔR(%)とすると、±1.0%以下であることが好ましい。
(4) Constant temperature and humidity load test This is one of the reliability tests of resistors. While applying a voltage of 15 V to the resistor, it was left in an atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85%, and the resistance value fluctuation after 1000 hours was evaluated. When the resistance value fluctuation before and after the test is ΔR (%), it is preferably ± 1.0% or less.

<導電性材料の結晶子サイズ及び平均粒径に関する検討>
ガラス組成物としてガラス1を用いるとともに、導電性材料として試料A〜Eを用いて試料1〜5を作製し、抵抗体の特性(抵抗値、TCR、STOL、恒温恒湿負荷試験)を評価した。また、NiO、CuO、MgOを適量添加して、同様に試料6、7を作製した。試料6は、添加物を添加した他は試料1と同じであり、試料7は、添加物を添加した他は試料4と同じである。さらに、比較のため、導電性材料としてCaRuOを用い、試料8を作製した。結果を表3に示す。
<Examination on crystallite size and average particle size of conductive material>
While using glass 1 as a glass composition, samples 1 to 5 were prepared using samples A to E as conductive materials, and the characteristics of the resistor (resistance value, TCR, STOL, constant temperature and humidity load test) were evaluated. . Samples 6 and 7 were similarly prepared by adding appropriate amounts of NiO, CuO, and MgO. Sample 6 is the same as Sample 1 except that the additive is added, and Sample 7 is the same as Sample 4 except that the additive is added. For comparison, Sample 8 was prepared using CaRuO 3 as a conductive material. The results are shown in Table 3.

Figure 2005235754
Figure 2005235754

表3から明らかなように、導電性材料であるRuO粒子の結晶子サイズ/平均粒径を0.14を越える値とした試料3〜5において、STOLの値が著しく小さなものとなっている。また、TCRについては、試料3〜5では大きな値となっているが、添加物を添加した試料7では、STOL値を大きくすることなくTCRが改善されている。これに対して、RuO粒子の結晶子サイズ/平均粒径が0.14以下である試料1、2では、STOL値が大きな値となっており、試料6のように添加物を添加しても、TCRの改善効果は見られるものの、STOLは却って大きな値となっている。また、導電性材料としてCaRuOを用いた試料8では、TCRやSTOLの点では改善が見られるが、恒温恒湿負荷試験において、試験前後で抵抗値変動が見られる。 As is apparent from Table 3, in samples 3 to 5 in which the crystallite size / average particle size of RuO 2 particles, which are conductive materials, exceeds 0.14, the STOL value is extremely small. . In addition, the TCR is a large value in the samples 3 to 5, but the TCR is improved without increasing the STOL value in the sample 7 to which the additive is added. On the other hand, Samples 1 and 2 in which the crystallite size / average particle diameter of RuO 2 particles is 0.14 or less have a large STOL value. However, although the improvement effect of TCR is seen, STOL is a large value on the contrary. Further, in the sample 8 using CaRuO 3 as the conductive material, although improvement is seen in terms of TCR and STOL, resistance value fluctuation is seen before and after the test in the constant temperature and humidity load test.

<添加物に関する検討>
次に、添加物を変更した試料9〜試料16を作製し、抵抗体の特性を評価した。試料9〜試料16は、添加物(NiO及びMgO)をMgTiO、CaTiO、SrTiO、BaTiO等に変更した試料である。結果を表4に示す。
<Examination on additives>
Next, Sample 9 to Sample 16 in which the additive was changed were prepared, and the characteristics of the resistor were evaluated. Samples 9 to 16 are samples obtained by changing the additives (NiO and MgO) to MgTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3, and the like. The results are shown in Table 4.

Figure 2005235754
Figure 2005235754

表4から明らかなように、添加物としてMgTiO、CaTiO、SrTiO、BaTiOを添加した場合も、導電性材料であるRuO粒子の結晶子サイズ/平均粒径を0.14を越える値とした試料10、12、14、16において、STOLの値が著しく小さなものとなり、また、熱的な安定性についても改善が見られる。また、試料10、12、14、16において、STOLの値が著しく小さくなり、且つTCRについても良好な値が得られている。 As is apparent from Table 4, when MgTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , and BaTiO 3 are added as additives, the crystallite size / average particle diameter of RuO 2 particles that are conductive materials exceeds 0.14. In the samples 10, 12, 14, and 16, the STOL value was remarkably small, and the thermal stability was also improved. In Samples 10, 12, 14, and 16, the STOL value is remarkably small, and a good TCR value is also obtained.

<ガラス組成物に関する検討>
次に、ガラス組成物として表1に示すガラス2〜ガラス6を用いるとともに、各種添加物を添加して試料17〜試料26を作製し、抵抗体の特性を評価した。試料17〜試料26は、ガラス組成物及び/又は添加物を変更した試料である。結果を表5に示す。
<Examination on glass composition>
Next, while using glass 2 to glass 6 shown in Table 1 as the glass composition, various additives were added to prepare samples 17 to 26, and the characteristics of the resistors were evaluated. Samples 17 to 26 are samples obtained by changing the glass composition and / or additive. The results are shown in Table 5.

Figure 2005235754
Figure 2005235754

表5から明らかなように、ガラス組成物中の修飾酸化物成分としてCaO、SrO又はBaOのいずれを用いた場合であっても、また、ガラス組成物中のその他の成分を変更した場合でも、導電性材料であるRuO粒子の結晶子サイズ/平均粒径を0.14を越える値とした試料18、20、22、24、26において、STOLの値が著しく小さなものとなり、ΔR(%)が±1.0%以下におさえられている。また、試料18、20、22、24、26においては、TCR特性についても良好な結果が得られている。さらに、添加物としてCuO、NiO、MgO等を用いた試料20、22、24においては、10kΩ以上の高抵抗値が実現されている。 As is apparent from Table 5, even when any of CaO, SrO or BaO is used as the modified oxide component in the glass composition, or when other components in the glass composition are changed, In samples 18, 20, 22, 24, and 26 in which the crystallite size / average particle diameter of RuO 2 particles, which is a conductive material, exceeds 0.14, the STOL value is remarkably small, and ΔR (%) Is kept within ± 1.0%. In Samples 18, 20, 22, 24, and 26, good results were also obtained for the TCR characteristics. Furthermore, in the samples 20, 22, and 24 using CuO, NiO, MgO or the like as an additive, a high resistance value of 10 kΩ or more is realized.

Claims (18)

RuO粒子を主体とし、当該RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径なる関係を満足することを特徴とする導電性材料。 A conductive material comprising RuO 2 particles as a main component and satisfying the relationship of crystallite size and average particle size of the RuO 2 particles of 0.14 <crystallite size / average particle size. 前記RuO粒子の平均粒径が1.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載の導電性材料。 The conductive material according to claim 1, wherein an average particle diameter of the RuO 2 particles is 1.0 μm or less. 前記RuO粒子の結晶子サイズが0.014μm以上であることを特徴とする請求項1記載の導電性材料。 The conductive material according to claim 1, wherein a crystallite size of the RuO 2 particles is 0.014 μm or more. 前記RuO粒子は、粉砕粒子であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の導電性材料。 The conductive material according to claim 1, wherein the RuO 2 particles are pulverized particles. 前記RuO粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡観察による測定値であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の導電性材料。 The conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the average particle diameter of the RuO 2 particles is a value measured by observation with a scanning electron microscope. RuO粒子を1000℃以上、1400℃未満の温度で熱処理し、RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径となるように制御することを特徴とする導電性材料の製造方法。 The RuO 2 particles are heat-treated at a temperature of 1000 ° C. or more and less than 1400 ° C., and the crystallite size and average particle size of the RuO 2 particles are controlled to be 0.14 <crystallite size / average particle size. A method for producing a conductive material. 前記熱処理したRuO粒子を粉砕し、前記RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径となるように制御することを特徴とする請求項6記載の導電性材料の製造方法。 7. The heat-treated RuO 2 particles are pulverized and controlled so that the crystallite size and average particle size of the RuO 2 particles are 0.14 <crystallite size / average particle size. A method for producing a conductive material. ガラス組成物及び導電性材料を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストであって、
前記導電性材料は、RuO粒子を主体とし、当該RuO粒子の結晶子サイズと平均粒径が0.14<結晶子サイズ/平均粒径なる関係を満足することを特徴とする抵抗体ペースト。
A resistor paste containing a glass composition and a conductive material, which is mixed with an organic vehicle,
The conductive material, the RuO 2 particles mainly, resistor paste having an average particle size of the crystallite size of the RuO 2 particles and satisfies 0.14 <crystallite size / average particle size the relationship .
前記RuO粒子の平均粒径が1.0μm以下であることを特徴とする請求項8記載の抵抗体ペースト。 The resistor paste according to claim 8, wherein the RuO 2 particles have an average particle size of 1.0 μm or less. 前記RuO粒子の結晶子サイズが0.014μm以上であることを特徴とする請求項8記載の抵抗体ペースト。 The resistor paste according to claim 8, wherein a crystallite size of the RuO 2 particles is 0.014 µm or more. 前記RuO粒子は、粉砕粒子であることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項記載の抵抗体ペースト。 The resistor paste according to claim 8, wherein the RuO 2 particles are pulverized particles. 前記RuO粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡観察による測定値であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項記載の抵抗体ペースト。 The resistor paste according to any one of claims 8 to 11, wherein the average particle diameter of the RuO 2 particles is a value measured by observation with a scanning electron microscope. 前記ガラス組成物が、主たる修飾酸化物成分としてCaO、SrO及びBaOから選ばれる少なくとも1種と、網目形成酸化物成分としてB及びSiOから選ばれる少なくとも1種とを含有することを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項記載の抵抗体ペースト。 The glass composition contains at least one selected from CaO, SrO, and BaO as a main modifying oxide component, and at least one selected from B 2 O 3 and SiO 2 as a network-forming oxide component. The resistor paste according to claim 8, wherein the resistor paste is a paste. 前記ガラス組成物が、その他の修飾酸化物成分としてMnO、ZrO、Al、ZnOから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項13記載の抵抗体ペースト。 The resistor paste according to claim 13, wherein the glass composition contains at least one selected from MnO, ZrO 2 , Al 2 O 3 , and ZnO as another modified oxide component. NiO、CuO、MgO、SrTiO、BaTiO、CaTiO、MgTiO、Mn、ZnOから選ばれる少なくとも1種を添加物として含有することを特徴とする請求項8乃至14のいずれか1項記載の抵抗体ペースト。 15. At least one selected from NiO, CuO, MgO, SrTiO 3 , BaTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 , Mn 3 O 4 , ZnO is contained as an additive. The resistor paste according to item. 前記ガラス組成物、導電性材料、及び添加物を合計した合計質量と、前記有機ビヒクルの質量との比率が、1:0.25〜1:4であることを特徴とする請求項8乃至15のいずれか1項記載の抵抗体ペースト。   The ratio of the total mass of the glass composition, the conductive material, and the additive to the mass of the organic vehicle is 1: 0.25 to 1: 4. The resistor paste according to any one of the above. 請求項8乃至16のいずれか1項記載の抵抗体ペーストを用いて形成されたことを特徴とする抵抗体。   A resistor formed using the resistor paste according to any one of claims 8 to 16. 請求項17記載の抵抗体を有することを特徴とする電子部品。   An electronic component comprising the resistor according to claim 17.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007020770A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Disk insertion/discharge device and disk device
JP2007086661A (en) * 2005-09-26 2007-04-05 Taiyo Ink Mfg Ltd Glass slurry, photosensitive paste using the same, and plasma display panel
KR100750470B1 (en) 2005-10-03 2007-08-22 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Resistor composition and thick film resistor
JP2012064762A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Resistance thin film element with copper conductor layer and method of manufacturing the same
KR101138246B1 (en) 2010-12-24 2012-04-24 (주) 케이엠씨 테크놀러지 Manufacturing method of paste composition having low temperature coefficient resistance for resistor, thick film resistor and manufacturing method of the resistor
WO2012176696A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 住友金属鉱山株式会社 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element
WO2013169064A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 조선대학교산학협력단 Metal-oxide sintered body for temperature sensor, and method for manufacturing same
KR101511840B1 (en) * 2012-05-11 2015-04-15 조선대학교산학협력단 Sintered metal oxide for temperature sensor and proess for producing same
KR20190132394A (en) 2017-03-28 2019-11-27 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor, paste for thick film resistor and thick film resistor
JP2021050103A (en) * 2019-09-20 2021-04-01 住友金属鉱山株式会社 Composition for thick film resistors, paste for thick film resistors, and thick film resistor

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007020770A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Disk insertion/discharge device and disk device
JP2007086661A (en) * 2005-09-26 2007-04-05 Taiyo Ink Mfg Ltd Glass slurry, photosensitive paste using the same, and plasma display panel
KR100750470B1 (en) 2005-10-03 2007-08-22 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Resistor composition and thick film resistor
JP2012064762A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Resistance thin film element with copper conductor layer and method of manufacturing the same
KR101138246B1 (en) 2010-12-24 2012-04-24 (주) 케이엠씨 테크놀러지 Manufacturing method of paste composition having low temperature coefficient resistance for resistor, thick film resistor and manufacturing method of the resistor
JP2016074593A (en) * 2011-06-21 2016-05-12 住友金属鉱山株式会社 Method for producing ruthenium oxide powder
WO2012176696A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 住友金属鉱山株式会社 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element
KR101958496B1 (en) 2011-06-21 2019-03-14 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 Ruthenium Oxide Powder, Composition for Thick film Resistor Elements Using Same, and Thick film Resistor Element
KR20140025338A (en) * 2011-06-21 2014-03-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element
KR101511840B1 (en) * 2012-05-11 2015-04-15 조선대학교산학협력단 Sintered metal oxide for temperature sensor and proess for producing same
US9524814B2 (en) 2012-05-11 2016-12-20 Industry-Academic Cooperation Foundation, Chosun University Metal-oxide sintered body for temperature sensor, and method for manufacturing same
WO2013169064A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 조선대학교산학협력단 Metal-oxide sintered body for temperature sensor, and method for manufacturing same
KR20190132394A (en) 2017-03-28 2019-11-27 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor, paste for thick film resistor and thick film resistor
US10832838B1 (en) 2017-03-28 2020-11-10 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Ruthenium oxide powder, thick film resistor composition, thick film resistor paste, and thick film resistor
JP2021050103A (en) * 2019-09-20 2021-04-01 住友金属鉱山株式会社 Composition for thick film resistors, paste for thick film resistors, and thick film resistor
JP7298416B2 (en) 2019-09-20 2023-06-27 住友金属鉱山株式会社 Composition for thick film resistor, paste for thick film resistor, and thick film resistor

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