JP2002197860A - Semiconductor integrated circuit and signal take-in method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and signal take-in method

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JP2002197860A
JP2002197860A JP2000398894A JP2000398894A JP2002197860A JP 2002197860 A JP2002197860 A JP 2002197860A JP 2000398894 A JP2000398894 A JP 2000398894A JP 2000398894 A JP2000398894 A JP 2000398894A JP 2002197860 A JP2002197860 A JP 2002197860A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit in which current consumption is reduced at the time of data holding operation and a signal take-in method. SOLUTION: This circuit is a semiconductor integrated circuit which takes in a data signal Din in synchronism with an internal clock signal clk generated in a clock buffer 1 and the circuit is provided with comparing circuit 5 activating the clock buffer 1 only when variation of the data signal is caused.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路と
信号取り込み方法に関し、さらに詳しくは、クロック信
号に同期して信号を入力する半導体集積回路と信号取り
込み方法に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a signal fetching method, and more particularly to a semiconductor integrated circuit for inputting a signal in synchronization with a clock signal and a signal fetching method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の汎用ダイナミックランダムアクセ
スメモリ(DRAM)は、セルフリフレッシュ機能を持
っているので、チップ内部でリフレッシュ動作を実行す
ることができる。このことから、従来においては、デー
タ保持状態(いわゆるスタンバイ状態)で外部クロック
信号の供給を止め、データ保持電流を微小な値に抑えて
いた。
2. Description of the Related Art A conventional general-purpose dynamic random access memory (DRAM) has a self-refresh function, so that a refresh operation can be performed inside a chip. For this reason, conventionally, the supply of the external clock signal is stopped in the data holding state (so-called standby state), and the data holding current is suppressed to a minute value.

【0003】一方、同じ一つのチップにDRAMをロジ
ック回路と混載したようなデバイス(DRAM混載ロジ
ック回路)では、ロジック回路のコントローラはDRA
Mにおけるセルフリフレッシュ動作を監視できず、セル
フリフレッシュ機能を実現しようとすれば回路が複雑化
するため、セルフリフレッシュ機能を有することはなか
った。
On the other hand, in a device in which a DRAM and a logic circuit are mounted on the same single chip (a DRAM embedded logic circuit), the controller of the logic circuit is a DRA.
Since the self-refresh operation in M cannot be monitored and the circuit is complicated if the self-refresh function is to be realized, the self-refresh function is not provided.

【0004】ここで、このようなセルフリフレッシュ機
能を持たないデバイスでは、データ保持動作時にリフレ
ッシュコマンドを供給するため、デバイス外部からクロ
ック信号も与える必要があるため、データ保持動作時に
おける消費電流が増加してしまうという問題がある。
Here, in a device without such a self-refresh function, a refresh command is supplied during a data holding operation, so that a clock signal needs to be supplied from outside the device, so that current consumption during the data holding operation increases. There is a problem of doing it.

【0005】すなわち、デバイス外部から供給されたク
ロック信号は、アドレス信号や(入力)データ、あるい
は各種のコマンドをバッファリングする各入力バッファ
へ分配されるが、特にDRAM混載ロジック回路では上
記入力バッファの数が多くなるため、上記クロック信号
を伝送する配線長の合計が増大する。従って、かかる入
力バッファを構成するトランジスタのゲート容量が大き
くなるため、該容量を駆動するために充放電する際の消
費電流が増加してしまう。
That is, a clock signal supplied from the outside of the device is distributed to each input buffer for buffering an address signal, (input) data, or various commands. Since the number increases, the total wiring length for transmitting the clock signal increases. Therefore, since the gate capacitance of the transistor constituting the input buffer is increased, the current consumption when charging and discharging for driving the capacitance is increased.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解消するためになされたもので、データ保持動作時に
おける消費電流を低減する半導体集積回路と信号取り込
み方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a signal fetching method for reducing current consumption during a data holding operation. I do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的は、クロック
バッファにおいて生成された内部クロック信号に同期し
て信号を取り込む半導体集積回路であって、信号の変化
が生じた場合にのみ、クロックバッファを活性化するク
ロックバッファ制御手段を備えたことを特徴とする半導
体集積回路を提供することによって達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which takes in a signal in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer, wherein the clock buffer is used only when a signal change occurs. The present invention is attained by providing a semiconductor integrated circuit including clock buffer control means for activating.

【0008】このような手段によれば、取り込む信号に
変化がない場合にはクロックバッファを不活性化するこ
とができる。
According to such means, the clock buffer can be deactivated when there is no change in the signal to be taken.

【0009】ここで、より具体的には、内部クロック信
号に同期して上記信号から内部信号を生成する入力バッ
ファをさらに備え、クロックバッファ制御手段は、上記
信号と入力バッファから出力された内部信号とを比較し
て両信号が相違するとき、クロックバッファを活性化す
るものとすることができる。
Here, more specifically, an input buffer for generating an internal signal from the signal in synchronism with the internal clock signal is further provided, and the clock buffer control means includes an internal signal output from the input buffer. And when the two signals are different from each other, the clock buffer can be activated.

【0010】また、本発明の目的は、クロックバッファ
において生成された内部クロック信号に同期して信号を
取り込む複数の入力バッファを含む半導体集積回路であ
って、少なくともいずれか一つの入力バッファに入力さ
れる信号が変化した場合には、クロックバッファを活性
化するクロックバッファ制御手段を備えたことを特徴と
する半導体集積回路を提供することにより達成される。
It is another object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit including a plurality of input buffers for taking in a signal in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer, wherein the input signal is inputted to at least one of the input buffers. This is achieved by providing a semiconductor integrated circuit characterized by comprising clock buffer control means for activating a clock buffer when a signal changes.

【0011】このような手段によれば、複数の信号を取
り込む場合において、全ての信号に変化が生じない場合
にはクロックバッファを不活性化することができるた
め、複数の信号を取り込む半導体集積回路において、例
えばデータ保持動作時(スタンバイ状態)における消費
電流を低減することができる。
According to such a means, when a plurality of signals are fetched, the clock buffer can be deactivated if all the signals do not change, so that the semiconductor integrated circuit which fetches a plurality of signals. For example, current consumption during a data holding operation (standby state) can be reduced.

【0012】ここで、クロックバッファ制御手段は、そ
れぞれの入力バッファに対応して設けられ、入力バッフ
ァに入力される信号に変化が生じた場合には、クロック
バッファを活性化させる複数の信号変化監視手段を含む
ものとすることができる。
The clock buffer control means is provided corresponding to each input buffer, and monitors a plurality of signal changes for activating the clock buffer when a signal input to the input buffer changes. Means may be included.

【0013】そして、一例として、信号変化監視手段
は、信号と入力バッファから出力された信号とを比較す
る比較回路により構成し、クロックバッファ制御手段
は、複数の比較回路から出力された信号を論理合成して
クロックバッファを活性化させる信号を生成し、クロッ
クバッファへ供給する論理回路をさらに備えたものとす
ることができる。
[0013] As an example, the signal change monitoring means is constituted by a comparison circuit for comparing the signal with the signal output from the input buffer, and the clock buffer control means logically converts the signals output from the plurality of comparison circuits. A logic circuit that generates a signal for activating the clock buffer by combining the signals and supplies the signal to the clock buffer may be further provided.

【0014】また、論理回路は、同じ種類の信号が入力
される複数の比較回路から出力された信号を論理合成す
るものとすれば、信号の種類に応じてクロックバッファ
を制御することができる。
If the logic circuit performs logic synthesis on signals output from a plurality of comparison circuits to which the same type of signal is input, the clock buffer can be controlled according to the type of signal.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符
号は同一又は相当部分を示す。 [実施の形態1]クロック信号に同期してデータ信号を
取りこむDRAM混載ロジック回路などのデバイスにお
いて、データ保持動作時の消費電流を低減するために
は、入力されるデータ信号に変化がないときは該クロッ
ク信号を各バッファへ分配しないと共に、該データ信号
の変化が検出された場合において各バッファへ該クロッ
ク信号を分配するようにすればよい。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. [Embodiment 1] In a device such as a DRAM embedded logic circuit which fetches a data signal in synchronization with a clock signal, in order to reduce current consumption during a data holding operation, when there is no change in an input data signal, The clock signal may not be distributed to each buffer, and the clock signal may be distributed to each buffer when a change in the data signal is detected.

【0016】以下において、本実施の形態1に係る半導
体集積回路をより詳しく説明する。図1は、本発明の実
施の形態1に係る半導体集積回路の構成を示すブロック
図である。図1に示されるように、本実施の形態に係る
半導体集積回路は、クロックバッファ1と入力バッファ
3、及び比較回路5とを備える。
Hereinafter, the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment will be described in more detail. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment includes a clock buffer 1, an input buffer 3, and a comparison circuit 5.

【0017】ここで、クロックバッファ1は入力された
外部クロック信号CLKをバッファリングして内部クロッ
ク信号clkを生成し、入力バッファ3へ供給する。そし
て、入力バッファ3は供給された内部クロック信号clk
に同期してデータ信号Dinを入力し、内部データ信号out
を生成する。
Here, the clock buffer 1 buffers the input external clock signal CLK, generates an internal clock signal clk, and supplies it to the input buffer 3. Then, the input buffer 3 receives the supplied internal clock signal clk.
Input the data signal Din in synchronization with the internal data signal out.
Generate

【0018】また、比較回路5は入力バッファ3により
生成された内部データ信号outと、入力バッファ3に入
力されるデータ信号Dinとを比較し、該比較の結果を示
す信号cozをクロックバッファ1へ供給する。
The comparison circuit 5 compares the internal data signal out generated by the input buffer 3 with the data signal Din input to the input buffer 3, and sends a signal coz indicating the result of the comparison to the clock buffer 1. Supply.

【0019】以下において、本実施の形態1に係る半導
体集積回路の動作を、図2に示されたタイミングチャー
トを参照しつつ説明する。まず例えば図2(b)に示さ
れるように、入力バッファ3へ入力されるデータ信号Di
nの論理レベルが時刻T2においてロウレベル(L)か
らハイレベル(H)へ変化し、時刻T4においてハイレ
ベルからロウレベルへ変化したとする。
The operation of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment will be described below with reference to the timing chart shown in FIG. First, for example, as shown in FIG.
It is assumed that the logic level of n changes from low level (L) to high level (H) at time T2, and changes from high level to low level at time T4.

【0020】このとき時刻T2及び時刻T4では、比較
回路5はデータ信号Dinの変化により内部データ信号out
との間で生じた論理レベルの相違を検出し、図2(e)
に示されるように、時刻T2及び時刻T4においてハイ
レベルの信号cozをクロックバッファ1へ供給する。
At this time, at time T2 and time T4, the comparison circuit 5 outputs the internal data signal out due to the change of the data signal Din.
2 (e) is detected.
As shown in (1), a high-level signal coz is supplied to the clock buffer 1 at time T2 and time T4.

【0021】これにより、クロックバッファ1はハイレ
ベルの信号cozが供給された場合にだけ活性化され、図
2(c)に示されるように、時刻T3及び時刻T5にお
いてハイレベルの内部クロック信号clkを生成して入力
バッファ3へ供給する。なお、図2(c)の破線により
示される波形は、従来の半導体集積回路に含まれたクロ
ックバッファにより、図2(a)に示された外部クロッ
ク信号CLKがバッファリングされ生成される内部クロッ
ク信号clkを示すものである。
As a result, the clock buffer 1 is activated only when the high-level signal coz is supplied, and as shown in FIG. 2C, the high-level internal clock signal clk at time T3 and time T5. Is generated and supplied to the input buffer 3. The waveform shown by the broken line in FIG. 2C is an internal clock generated by buffering the external clock signal CLK shown in FIG. 2A by a clock buffer included in a conventional semiconductor integrated circuit. It shows the signal clk.

【0022】そして、図2(d)に示されるように、入
力バッファ3は時刻T3においてハイレベルに変化した
データ信号Dinをバッファリングしてハイレベルの内部
データ信号outを生成し、時刻T5においてロウレベル
に変化したデータ信号Dinをバッファリングしてロウレ
ベルの内部データ信号outを生成する。
Then, as shown in FIG. 2D, the input buffer 3 buffers the data signal Din which has changed to the high level at the time T3 to generate a high-level internal data signal out, and at the time T5 The low-level data signal Din is buffered to generate a low-level internal data signal out.

【0023】従って、上記のように本実施の形態1に係
る半導体集積回路では、入力されるデータ信号Dinに変
化がないときは内部クロック信号clkを入力バッファ等
へ分配するクロックバッファ1を不活性化する一方、デ
ータ信号Dinに変化があったときのみ該データ信号Dinの
セットアップ時間内にクロックバッファ1を活性化させ
る。
Therefore, as described above, in the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment, when there is no change in the input data signal Din, the clock buffer 1 that distributes the internal clock signal clk to the input buffer and the like is inactive. On the other hand, only when the data signal Din changes, the clock buffer 1 is activated within the setup time of the data signal Din.

【0024】以下において、図1に示された本実施の形
態1に係る半導体集積回路の各部分の具体例を説明す
る。図3は、図1に示されたクロックバッファ1の構成
例を示す回路図である。図3に示されるように、クロッ
クバッファ1はNAND回路10と反転回路11,12
を含む。ここで、NAND回路10には外部クロック信
号CLKと信号cozが供給され、反転回路11はNAND回
路10に接続される。また、反転回路12は反転回路1
1に接続される。
Hereinafter, specific examples of each part of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of the clock buffer 1 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the clock buffer 1 includes a NAND circuit 10 and inverting circuits 11 and 12.
including. Here, the external clock signal CLK and the signal coz are supplied to the NAND circuit 10, and the inverting circuit 11 is connected to the NAND circuit 10. The inverting circuit 12 is the inverting circuit 1
Connected to 1.

【0025】このような構成を有するクロックバッファ
1においては、反転回路11から内部クロック信号clkz
が出力され、反転回路12から内部クロック信号clkzを
反転した内部クロック信号clkxが出力される。
In the clock buffer 1 having such a configuration, the internal clock signal clkz
Is output from the inverting circuit 12, and an internal clock signal clkx obtained by inverting the internal clock signal clkz is output.

【0026】また、NAND回路10は入力される信号
cozがロウレベルとされるとき不活性化され、ハイレベ
ルとされるとき活性化されるため、クロックバッファ1
は比較回路5から供給される信号cozに応じて制御さ
れ、信号cozがハイレベルとされたときにのみ活性化さ
れる。
The NAND circuit 10 receives an input signal
The clock buffer 1 is inactivated when coz is at a low level and activated when it is at a high level.
Is controlled according to the signal coz supplied from the comparison circuit 5, and is activated only when the signal coz is set to a high level.

【0027】図4は、図1に示された入力バッファ3の
構成例を示す回路図である。図4に示されるように、入
力バッファ3は反転回路31,32とラッチ回路L1,
L2及びゲート回路G1,G2を備える。ここで、反転
回路31にはデータ信号Dinが供給され、ゲート回路G
1は反転回路31に接続される。また、ラッチ回路L1
はゲート回路G1に接続され、ゲート回路G2はラッチ
回路L1に接続される。そして、ラッチ回路L2はゲー
ト回路G2に接続され、反転回路32はラッチ回路L2
に接続される。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of the input buffer 3 shown in FIG. As shown in FIG. 4, the input buffer 3 includes inverting circuits 31, 32 and a latch circuit L1,
L2 and gate circuits G1 and G2. Here, the data signal Din is supplied to the inverting circuit 31, and the gate circuit G
1 is connected to the inverting circuit 31. Further, the latch circuit L1
Is connected to the gate circuit G1, and the gate circuit G2 is connected to the latch circuit L1. The latch circuit L2 is connected to the gate circuit G2, and the inverting circuit 32 is connected to the latch circuit L2.
Connected to.

【0028】また、上記ゲート回路G1,G2はそれぞ
れ並列接続されたPチャネルMOSトランジスタとNチ
ャネルMOSトランジスタにより構成され、ラッチ回路
L1,L2はそれぞれ二つの反転回路により構成され
る。
The gate circuits G1 and G2 are each composed of a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor connected in parallel, and the latch circuits L1 and L2 are each composed of two inverting circuits.

【0029】ここで、ゲート回路G1に含まれたPチャ
ネルMOSトランジスタとゲート回路G2に含まれたN
チャネルMOSトランジスタのゲートには内部クロック
信号clkzが供給され、ゲート回路G1に含まれたNチャ
ネルMOSトランジスタとゲート回路G2に含まれたP
チャネルMOSトランジスタのゲートには内部クロック
信号clkxが供給される。
Here, the P-channel MOS transistor included in the gate circuit G1 and the N-channel MOS transistor included in the gate circuit G2 are used.
The gate of the channel MOS transistor is supplied with the internal clock signal clkz, and the N channel MOS transistor included in the gate circuit G1 and the P clock included in the gate circuit G2 are provided.
The internal clock signal clkx is supplied to the gate of the channel MOS transistor.

【0030】そして、上記のような構成を有する入力バ
ッファ3においては、クロックバッファ1から供給され
る内部クロック信号clkz,clkxに応じてゲート回路G
1,G2が交互に開かれることにより、供給されたデー
タ信号Dinがバッファリングされ、反転回路32から内
部データ信号outが出力される。
In the input buffer 3 having the above-described configuration, the gate circuit G according to the internal clock signals clkz and clkx supplied from the clock buffer 1.
By alternately opening 1 and G2, the supplied data signal Din is buffered, and the internal data signal out is output from the inversion circuit 32.

【0031】図5は、図1に示された比較回路5の構成
例を示す回路図である。図5に示されるように、比較回
路5はNAND回路51,54とNOR回路52、及び
反転回路53,55を備えるものである。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of the comparison circuit 5 shown in FIG. As shown in FIG. 5, the comparison circuit 5 includes NAND circuits 51 and 54, a NOR circuit 52, and inversion circuits 53 and 55.

【0032】ここで、NAND回路51及びNOR回路
52にはデータ信号Din及び内部データ信号outが供給さ
れ、反転回路53はNOR回路52に接続される。そし
て、NAND回路54はNAND回路51と反転回路5
3に接続され、反転回路55はNAND回路54に接続
される。
Here, the data signal Din and the internal data signal out are supplied to the NAND circuit 51 and the NOR circuit 52, and the inversion circuit 53 is connected to the NOR circuit 52. The NAND circuit 54 includes the NAND circuit 51 and the inverting circuit 5.
3 and the inverting circuit 55 is connected to the NAND circuit 54.

【0033】このような構成を有する比較回路5におい
ては、データ信号Dinと内部データ信号outの論理レベル
が比較され、両信号の論理レベルが相違する場合には反
転回路55からハイレベルの信号cozが出力され、一致
する場合には反転回路55からロウレベルの信号cozが
出力される。
In the comparison circuit 5 having such a configuration, the logic levels of the data signal Din and the internal data signal out are compared, and when the logic levels of the two signals are different, the high level signal coz Are output, and when they match, the inverting circuit 55 outputs a low-level signal coz.

【0034】以上より、本発明の実施の形態1に係る半
導体集積回路によれば、リフレッシュ動作を繰り返すよ
うなデータ保持動作時においては、入力されるデータ信
号やアドレス信号が変化しない限りにおいてクロックバ
ッファ1が不活性化されるため、消費電流を低減するこ
とができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the first embodiment of the present invention, in the data holding operation in which the refresh operation is repeated, as long as the input data signal and the address signal do not change, the clock buffer is not changed. Since 1 is inactivated, current consumption can be reduced.

【0035】なお、上記のような効果が得られることか
ら、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路は、携
帯機器等における電池駆動のLSIに適用することが特
に有用である。 [実施の形態2]上記実施の形態1に係る半導体集積回
路では、入力バッファ3へ供給されるデータ信号Dinの
種類は一つとされたが、データ信号の他にアドレス信号
やコマンド等といった複数の種類にわたる信号が入力さ
れる半導体集積回路にも、同様に本発明を適用すること
ができる。
Since the effects described above are obtained, it is particularly useful to apply the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention to a battery-driven LSI in a portable device or the like. [Second Embodiment] In the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment, the type of the data signal Din supplied to the input buffer 3 is set to one. The present invention can be similarly applied to a semiconductor integrated circuit to which various types of signals are input.

【0036】ここで、複数の種類にわたる信号毎に上記
実施の形態1に係るクロックバッファ1を設けると回路
規模やコストが増大するため、入力された各信号につい
て変化が検出されたことを示す信号の論理和をとること
により、該クロックバッファを共通化してクロックバッ
ファの数を減らしても良い。
Here, if the clock buffer 1 according to the first embodiment is provided for each of a plurality of types of signals, the circuit scale and cost increase, so that a signal indicating that a change has been detected for each input signal. , The clock buffers may be shared and the number of clock buffers may be reduced.

【0037】また、データやアドレスあるいはコマンド
といった信号の種類(機能)毎に上記クロックバッファ
の共通化を図ってもよい。
The clock buffer may be shared for each type (function) of signal such as data, address or command.

【0038】以下において、本実施の形態2に係る半導
体集積回路をより具体的に説明する。図6は、本発明の
実施の形態2に係る半導体集積回路の構成を示すブロッ
ク図である。図6に示されるように、実施の形態2に係
る半導体集積回路は、一つのクロックバッファ1と入力
バッファ3a〜3d、比較回路5a〜5d、及びOR回
路7とを備えるものである。
Hereinafter, the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment will be described more specifically. FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment includes one clock buffer 1, input buffers 3a to 3d, comparison circuits 5a to 5d, and an OR circuit 7.

【0039】ここで、全ての入力バッファ3a〜3dに
は、クロックバッファ1で生成された内部クロック信号
clkが供給されると共に、入力バッファ3aにはデータ
信号Din0が供給され、入力バッファ3bにはデータ信号
Din1が供給され、入力バッファ3cにはデータ信号Din2
が供給され、入力バッファ3dにはデータ信号Din3が供
給される。
Here, the internal clock signal generated by the clock buffer 1 is supplied to all the input buffers 3a to 3d.
clk is supplied, the input buffer 3a is supplied with the data signal Din0, and the input buffer 3b is supplied with the data signal Din0.
Din1 is supplied, and the data signal Din2 is supplied to the input buffer 3c.
Is supplied, and the data signal Din3 is supplied to the input buffer 3d.

【0040】そして、入力バッファ3a〜3dは、それ
ぞれデータ信号Din0〜Din3をバッファリングして内部デ
ータ信号out0〜out3を生成し出力する。また、比較回路
5a〜5dが各入力バッファ3a〜3dに一対一に対応
するよう設けられ、比較回路5aではデータ信号Din0と
内部データ信号out0とが比較される。そして同様に、比
較回路5bではデータ信号Din1と内部データ信号out1と
が比較され、比較回路5cではデータ信号Din2と内部デ
ータ信号out2とが比較され、比較回路5dではデータ信
号Din3と内部データ信号out3とが比較される。
The input buffers 3a to 3d buffer the data signals Din0 to Din3 to generate and output internal data signals out0 to out3, respectively. Further, comparison circuits 5a to 5d are provided so as to correspond to the input buffers 3a to 3d one-to-one, and the comparison circuit 5a compares the data signal Din0 with the internal data signal out0. Similarly, the comparison circuit 5b compares the data signal Din1 with the internal data signal out1, the comparison circuit 5c compares the data signal Din2 with the internal data signal out2, and the comparison circuit 5d compares the data signal Din3 and the internal data signal out3. Is compared with

【0041】さらに、各比較回路5a〜5dは、それぞ
れ供給されたデータ信号と内部データ信号の論理レベル
を比較し、両論理レベルが相違するときにおいてハイレ
ベルとなる信号をOR回路7へ供給する。
Further, each of the comparison circuits 5a to 5d compares the logic level of the supplied data signal with the logic level of the internal data signal, and supplies a signal which goes to a high level when both logic levels are different to the OR circuit 7. .

【0042】そして、OR回路7は少なくともいずれか
一つの比較回路5a〜5dからハイレベルの信号が供給
された場合には、ハイレベルの信号cozをクロックバッ
ファ1へ供給してクロックバッファ1を活性化させる。
When a high-level signal is supplied from at least one of the comparison circuits 5a to 5d, the OR circuit 7 supplies a high-level signal coz to the clock buffer 1 to activate the clock buffer 1. To

【0043】従って、上記のような構成を有する半導体
集積回路では、入力バッファ3a〜3dに入力するデー
タ信号Din0〜Din3の少なくとも一つが変化したときクロ
ックバッファ1が活性化され、入力バッファ3a〜3d
に内部クロック信号clkが供給(分配)される。なお、
各入力バッファ3a〜3dは、クロックバッファ1から
供給される内部クロック信号clkに同期してデータ信号D
in0〜Din3をバッファリングし、内部データ信号out0〜o
ut3を生成する。
Therefore, in the semiconductor integrated circuit having the above configuration, when at least one of the data signals Din0 to Din3 input to the input buffers 3a to 3d changes, the clock buffer 1 is activated and the input buffers 3a to 3d
Is supplied (distributed) to the internal clock signal clk. In addition,
Each of the input buffers 3a to 3d outputs the data signal D in synchronization with the internal clock signal clk supplied from the clock buffer 1.
in0 to Din3 are buffered and the internal data signals out0 to o
Generate ut3.

【0044】ここで、上記のような図6に示された半導
体集積回路は、入力されるデータ信号やアドレス信号、
あるいはコマンド等といった機能(種類)の異なる信号
別に用いられることが有用である。すなわち、このよう
に機能(種類)の異なる信号毎にクロックバッファ1を
制御すれば、例えば動作のある局面においてコマンドの
みが変化しデータ信号やアドレス信号が変化しない場合
には、コマンド系のクロックバッファ1だけが活性化さ
れデータ信号系やアドレス信号系のクロックバッファ1
は不活性化されるため、動作全体における消費電流を低
減することができる。
Here, the above-described semiconductor integrated circuit shown in FIG.
Alternatively, it is useful to be used for signals having different functions (types) such as commands. That is, if the clock buffer 1 is controlled for each signal having a different function (kind), for example, when only a command changes and a data signal or an address signal does not change in a certain operation phase, a command-related clock buffer is used. 1 is activated and clock buffer 1 for data signal system and address signal system
Is inactivated, so that current consumption in the entire operation can be reduced.

【0045】以上より、本発明の実施の形態2に係る半
導体集積回路によれば、リフレッシュ動作を繰り返すよ
うなデータ保持動作時などにおいて、選択的にクロック
バッファを活性化することができるため、クロックバッ
ファを効率的に駆動することにより消費電流を低減する
ことができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the second embodiment of the present invention, the clock buffer can be selectively activated at the time of a data holding operation or the like in which the refresh operation is repeated. By efficiently driving the buffer, current consumption can be reduced.

【発明の効果】上述の如く、本発明に係る半導体集積回
路とデータ取り込み方法によれば、取り込む信号に変化
がない場合にはクロックバッファを不活性化するため、
データ保持動作時(スタンバイ状態)等における消費電
流を低減することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit and the data fetching method of the present invention, the clock buffer is deactivated when there is no change in the fetched signal.
Current consumption during a data holding operation (standby state) or the like can be reduced.

【0046】また、同じ種類の信号が入力される複数の
比較回路から出力された信号を論理合成するものとすれ
ば、信号の種類に応じてクロックバッファを制御するこ
とができるため、クロックバッファを効率的に駆動する
ことができる。
If the signals output from a plurality of comparison circuits to which the same type of signal is input are logically synthesized, the clock buffer can be controlled according to the type of the signal. It can be driven efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路の
構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示された半導体集積回路の動作を示すタ
イミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart showing an operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.

【図3】図1に示されたクロックバッファの構成例を示
す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a clock buffer illustrated in FIG. 1;

【図4】図1に示された入力バッファの構成例を示す回
路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of an input buffer illustrated in FIG. 1;

【図5】図1に示された比較回路の構成例を示す回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a comparison circuit illustrated in FIG. 1;

【図6】本発明の実施の形態2に係る半導体集積回路の
構成を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 クロックバッファ 3,3a〜3d 入力バッファ 5,5a〜5d 比較回路 7 OR回路 10,51,54 NAND回路 11,12,31,32,53,55 反転回路 52 NOR回路 L1,L2 ラッチ回路 G1,G2 ゲート回路 Reference Signs List 1 clock buffer 3, 3a to 3d input buffer 5, 5a to 5d comparison circuit 7 OR circuit 10, 51, 54 NAND circuit 11, 12, 31, 32, 53, 55 inversion circuit 52 NOR circuit L1, L2 latch circuit G1, G2 gate circuit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 クロックバッファにおいて生成された内
部クロック信号に同期して信号を取り込む半導体集積回
路であって、 前記信号の変化が生じた場合にのみ、前記クロックバッ
ファを活性化するクロックバッファ制御手段を備えたこ
とを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit which takes in a signal in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer, wherein said clock buffer control means activates said clock buffer only when said signal changes. A semiconductor integrated circuit comprising:
【請求項2】 前記内部クロック信号に同期して、前記
信号から内部信号を生成する入力バッファをさらに備え
た請求項1に記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising: an input buffer that generates an internal signal from said signal in synchronization with said internal clock signal.
【請求項3】 前記クロックバッファ制御手段は、前記
信号と前記入力バッファから出力された前記内部信号と
を比較し、前記信号が前記内部信号と相違するとき前記
クロックバッファを活性化する請求項2に記載の半導体
集積回路。
3. The clock buffer control means compares the signal with the internal signal output from the input buffer, and activates the clock buffer when the signal is different from the internal signal. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
【請求項4】 クロックバッファにおいて生成された内
部クロック信号に同期して信号を取り込む複数の入力バ
ッファを含む半導体集積回路であって、 少なくともいずれか一つの前記入力バッファに入力され
る前記信号が変化した場合には、前記クロックバッファ
を活性化するクロックバッファ制御手段を備えたことを
特徴とする半導体集積回路。
4. A semiconductor integrated circuit including a plurality of input buffers for receiving a signal in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer, wherein at least one of the input buffers changes. And a clock buffer control unit for activating the clock buffer in the case where the clock buffer is activated.
【請求項5】前記クロックバッファ制御手段は、それぞ
れの前記入力バッファに対応して設けられ、前記入力バ
ッファに入力される前記信号に変化が生じた場合には、
前記クロックバッファを活性化する複数の信号変化監視
手段を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体集
積回路。
5. The clock buffer control means is provided corresponding to each of the input buffers, and when the signal input to the input buffer changes,
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, further comprising a plurality of signal change monitoring means for activating said clock buffer.
【請求項6】 前記信号変化監視手段は、前記信号と前
記入力バッファから出力された信号とを比較する比較回
路であり、 前記クロックバッファ制御手段は、複数の前記比較回路
から出力された信号を論理合成して前記クロックバッフ
ァを活性化する信号を生成し、前記クロックバッファへ
供給する論理回路をさらに備えた請求項5に記載の半導
体集積回路。
6. The signal change monitoring unit is a comparison circuit that compares the signal with a signal output from the input buffer, and the clock buffer control unit is configured to convert a signal output from a plurality of the comparison circuits. 6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, further comprising a logic circuit that performs logic synthesis to generate a signal for activating the clock buffer and supplies the signal to the clock buffer.
【請求項7】 前記論理回路は、同じ種類の信号が入力
される複数の前記比較回路から出力された信号を論理合
成する請求項6に記載の半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the logic circuit logically combines signals output from the plurality of comparison circuits to which the same type of signal is input.
【請求項8】 半導体集積回路において、クロックバッ
ファにより生成された内部クロック信号に同期して信号
を取り込む信号取り込み方法であって、 前記信号の変化が生じた場合にのみ、前記クロックバッ
ファを活性化するステップを有することを特徴とする信
号取り込み方法。
8. A signal capturing method for capturing a signal in synchronization with an internal clock signal generated by a clock buffer in a semiconductor integrated circuit, wherein the clock buffer is activated only when the signal changes. A signal capturing method.
【請求項9】 半導体集積回路において、クロックバッ
ファにおいて生成された内部クロック信号に同期して、
複数の入力バッファでそれぞれ信号を取り込む信号取り
込み方法であって、 前記入力バッファに供給される少なくとも一つの前記信
号が変化した場合には、前記クロックバッファを活性化
するステップを有することを特徴とする信号取り込み方
法。
9. In a semiconductor integrated circuit, in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer,
A signal capturing method for capturing a signal in each of a plurality of input buffers, comprising a step of activating the clock buffer when at least one of the signals supplied to the input buffer changes. Signal acquisition method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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