JP4071933B2 - Semiconductor integrated circuit and signal capturing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路と信号取り込み方法に関し、さらに詳しくは、クロック信号に同期して信号を入力する半導体集積回路と信号取り込み方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の汎用ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)は、セルフリフレッシュ機能を持っているので、チップ内部でリフレッシュ動作を実行することができる。このことから、従来においては、データ保持状態(いわゆるスタンバイ状態)で外部クロック信号の供給を止め、データ保持電流を微小な値に抑えていた。
【0003】
一方、同じ一つのチップにDRAMをロジック回路と混載したようなデバイス(DRAM混載ロジック回路)では、ロジック回路のコントローラはDRAMにおけるセルフリフレッシュ動作を監視できず、セルフリフレッシュ機能を実現しようとすれば回路が複雑化するため、セルフリフレッシュ機能を有することはなかった。
【0004】
ここで、このようなセルフリフレッシュ機能を持たないデバイスでは、データ保持動作時にリフレッシュコマンドを供給するため、デバイス外部からクロック信号も与える必要があるため、データ保持動作時における消費電流が増加してしまうという問題がある。
【0005】
すなわち、デバイス外部から供給されたクロック信号は、アドレス信号や(入力)データ、あるいは各種のコマンドをバッファリングする各入力バッファへ分配されるが、特にDRAM混載ロジック回路では上記入力バッファの数が多くなるため、上記クロック信号を伝送する配線長の合計が増大する。従って、かかる入力バッファを構成するトランジスタのゲート容量が大きくなるため、該容量を駆動するために充放電する際の消費電流が増加してしまう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題を解消するためになされたもので、データ保持動作時における消費電流を低減する半導体集積回路と信号取り込み方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、クロックバッファにおいて生成された内部クロック信号に同期して信号を取り込む半導体集積回路であって、信号の変化が生じた場合にのみ、クロックバッファを活性化するクロックバッファ制御手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路を提供することによって達成される。
【0008】
このような手段によれば、取り込む信号に変化がない場合にはクロックバッファを不活性化することができる。
【0009】
ここで、より具体的には、内部クロック信号に同期して上記信号から内部信号を生成する入力バッファをさらに備え、クロックバッファ制御手段は、上記信号と入力バッファから出力された内部信号とを比較して両信号が相違するとき、クロックバッファを活性化するものとすることができる。
【0010】
また、本発明の目的は、クロックバッファにおいて生成された内部クロック信号に同期して信号を取り込む複数の入力バッファを含む半導体集積回路であって、少なくともいずれか一つの入力バッファに入力される信号が変化した場合には、クロックバッファを活性化するクロックバッファ制御手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路を提供することにより達成される。
【0011】
このような手段によれば、複数の信号を取り込む場合において、全ての信号に変化が生じない場合にはクロックバッファを不活性化することができるため、複数の信号を取り込む半導体集積回路において、例えばデータ保持動作時(スタンバイ状態)における消費電流を低減することができる。
【0012】
ここで、クロックバッファ制御手段は、それぞれの入力バッファに対応して設けられ、入力バッファに入力される信号に変化が生じた場合には、クロックバッファを活性化させる複数の信号変化監視手段を含むものとすることができる。
【0013】
そして、一例として、信号変化監視手段は、信号と入力バッファから出力された信号とを比較する比較回路により構成し、クロックバッファ制御手段は、複数の比較回路から出力された信号を論理合成してクロックバッファを活性化させる信号を生成し、クロックバッファへ供給する論理回路をさらに備えたものとすることができる。
【0014】
また、論理回路は、同じ種類の信号が入力される複数の比較回路から出力された信号を論理合成するものとすれば、信号の種類に応じてクロックバッファを制御することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
[実施の形態1]
クロック信号に同期してデータ信号を取りこむDRAM混載ロジック回路などのデバイスにおいて、データ保持動作時の消費電流を低減するためには、入力されるデータ信号に変化がないときは該クロック信号を各バッファへ分配しないと共に、該データ信号の変化が検出された場合において各バッファへ該クロック信号を分配するようにすればよい。
【0016】
以下において、本実施の形態1に係る半導体集積回路をより詳しく説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。図1に示されるように、本実施の形態に係る半導体集積回路は、クロックバッファ1と入力バッファ3、及び比較回路5とを備える。
【0017】
ここで、クロックバッファ1は入力された外部クロック信号CLKをバッファリングして内部クロック信号clkを生成し、入力バッファ3へ供給する。そして、入力バッファ3は供給された内部クロック信号clkに同期してデータ信号Dinを入力し、内部データ信号outを生成する。
【0018】
また、比較回路5は入力バッファ3により生成された内部データ信号outと、入力バッファ3に入力されるデータ信号Dinとを比較し、該比較の結果を示す信号cozをクロックバッファ1へ供給する。
【0019】
以下において、本実施の形態1に係る半導体集積回路の動作を、図2に示されたタイミングチャートを参照しつつ説明する。まず例えば図2(b)に示されるように、入力バッファ3へ入力されるデータ信号Dinの論理レベルが時刻T2においてロウレベル(L)からハイレベル(H)へ変化し、時刻T4においてハイレベルからロウレベルへ変化したとする。
【0020】
このとき時刻T2及び時刻T4では、比較回路5はデータ信号Dinの変化により内部データ信号outとの間で生じた論理レベルの相違を検出し、図2(e)に示されるように、時刻T2及び時刻T4においてハイレベルの信号cozをクロックバッファ1へ供給する。
【0021】
これにより、クロックバッファ1はハイレベルの信号cozが供給された場合にだけ活性化され、図2(c)に示されるように、時刻T3及び時刻T5においてハイレベルの内部クロック信号clkを生成して入力バッファ3へ供給する。なお、図2(c)の破線により示される波形は、従来の半導体集積回路に含まれたクロックバッファにより、図2(a)に示された外部クロック信号CLKがバッファリングされ生成される内部クロック信号clkを示すものである。
【0022】
そして、図2(d)に示されるように、入力バッファ3は時刻T3においてハイレベルに変化したデータ信号Dinをバッファリングしてハイレベルの内部データ信号outを生成し、時刻T5においてロウレベルに変化したデータ信号Dinをバッファリングしてロウレベルの内部データ信号outを生成する。
【0023】
従って、上記のように本実施の形態1に係る半導体集積回路では、入力されるデータ信号Dinに変化がないときは内部クロック信号clkを入力バッファ等へ分配するクロックバッファ1を不活性化する一方、データ信号Dinに変化があったときのみ該データ信号Dinのセットアップ時間内にクロックバッファ1を活性化させる。
【0024】
以下において、図1に示された本実施の形態1に係る半導体集積回路の各部分の具体例を説明する。図3は、図1に示されたクロックバッファ1の構成例を示す回路図である。図3に示されるように、クロックバッファ1はNAND回路10と反転回路11,12を含む。ここで、NAND回路10には外部クロック信号CLKと信号cozが供給され、反転回路11はNAND回路10に接続される。また、反転回路12は反転回路11に接続される。
【0025】
このような構成を有するクロックバッファ1においては、反転回路11から内部クロック信号clkzが出力され、反転回路12から内部クロック信号clkzを反転した内部クロック信号clkxが出力される。
【0026】
また、NAND回路10は入力される信号cozがロウレベルとされるとき不活性化され、ハイレベルとされるとき活性化されるため、クロックバッファ1は比較回路5から供給される信号cozに応じて制御され、信号cozがハイレベルとされたときにのみ活性化される。
【0027】
図4は、図1に示された入力バッファ3の構成例を示す回路図である。図4に示されるように、入力バッファ3は反転回路31,32とラッチ回路L1,L2及びゲート回路G1,G2を備える。ここで、反転回路31にはデータ信号Dinが供給され、ゲート回路G1は反転回路31に接続される。また、ラッチ回路L1はゲート回路G1に接続され、ゲート回路G2はラッチ回路L1に接続される。そして、ラッチ回路L2はゲート回路G2に接続され、反転回路32はラッチ回路L2に接続される。
【0028】
また、上記ゲート回路G1,G2はそれぞれ並列接続されたPチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタにより構成され、ラッチ回路L1,L2はそれぞれ二つの反転回路により構成される。
【0029】
ここで、ゲート回路G1に含まれたPチャネルMOSトランジスタとゲート回路G2に含まれたNチャネルMOSトランジスタのゲートには内部クロック信号clkzが供給され、ゲート回路G1に含まれたNチャネルMOSトランジスタとゲート回路G2に含まれたPチャネルMOSトランジスタのゲートには内部クロック信号clkxが供給される。
【0030】
そして、上記のような構成を有する入力バッファ3においては、クロックバッファ1から供給される内部クロック信号clkz,clkxに応じてゲート回路G1,G2が交互に開かれることにより、供給されたデータ信号Dinがバッファリングされ、反転回路32から内部データ信号outが出力される。
【0031】
図5は、図1に示された比較回路5の構成例を示す回路図である。図5に示されるように、比較回路5はNAND回路51,54とNOR回路52、及び反転回路53,55を備えるものである。
【0032】
ここで、NAND回路51及びNOR回路52にはデータ信号Din及び内部データ信号outが供給され、反転回路53はNOR回路52に接続される。そして、NAND回路54はNAND回路51と反転回路53に接続され、反転回路55はNAND回路54に接続される。
【0033】
このような構成を有する比較回路5においては、データ信号Dinと内部データ信号outの論理レベルが比較され、両信号の論理レベルが相違する場合には反転回路55からハイレベルの信号cozが出力され、一致する場合には反転回路55からロウレベルの信号cozが出力される。
【0034】
以上より、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路によれば、リフレッシュ動作を繰り返すようなデータ保持動作時においては、入力されるデータ信号やアドレス信号が変化しない限りにおいてクロックバッファ1が不活性化されるため、消費電流を低減することができる。
【0035】
なお、上記のような効果が得られることから、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路は、携帯機器等における電池駆動のLSIに適用することが特に有用である。
[実施の形態2]
上記実施の形態1に係る半導体集積回路では、入力バッファ3へ供給されるデータ信号Dinの種類は一つとされたが、データ信号の他にアドレス信号やコマンド等といった複数の種類にわたる信号が入力される半導体集積回路にも、同様に本発明を適用することができる。
【0036】
ここで、複数の種類にわたる信号毎に上記実施の形態1に係るクロックバッファ1を設けると回路規模やコストが増大するため、入力された各信号について変化が検出されたことを示す信号の論理和をとることにより、該クロックバッファを共通化してクロックバッファの数を減らしても良い。
【0037】
また、データやアドレスあるいはコマンドといった信号の種類(機能)毎に上記クロックバッファの共通化を図ってもよい。
【0038】
以下において、本実施の形態2に係る半導体集積回路をより具体的に説明する。図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。図6に示されるように、実施の形態2に係る半導体集積回路は、一つのクロックバッファ1と入力バッファ3a〜3d、比較回路5a〜5d、及びOR回路7とを備えるものである。
【0039】
ここで、全ての入力バッファ3a〜3dには、クロックバッファ1で生成された内部クロック信号clkが供給されると共に、入力バッファ3aにはデータ信号Din0が供給され、入力バッファ3bにはデータ信号Din1が供給され、入力バッファ3cにはデータ信号Din2が供給され、入力バッファ3dにはデータ信号Din3が供給される。
【0040】
そして、入力バッファ3a〜3dは、それぞれデータ信号Din0〜Din3をバッファリングして内部データ信号out0〜out3を生成し出力する。また、比較回路5a〜5dが各入力バッファ3a〜3dに一対一に対応するよう設けられ、比較回路5aではデータ信号Din0と内部データ信号out0とが比較される。そして同様に、比較回路5bではデータ信号Din1と内部データ信号out1とが比較され、比較回路5cではデータ信号Din2と内部データ信号out2とが比較され、比較回路5dではデータ信号Din3と内部データ信号out3とが比較される。
【0041】
さらに、各比較回路5a〜5dは、それぞれ供給されたデータ信号と内部データ信号の論理レベルを比較し、両論理レベルが相違するときにおいてハイレベルとなる信号をOR回路7へ供給する。
【0042】
そして、OR回路7は少なくともいずれか一つの比較回路5a〜5dからハイレベルの信号が供給された場合には、ハイレベルの信号cozをクロックバッファ1へ供給してクロックバッファ1を活性化させる。
【0043】
従って、上記のような構成を有する半導体集積回路では、入力バッファ3a〜3dに入力するデータ信号Din0〜Din3の少なくとも一つが変化したときクロックバッファ1が活性化され、入力バッファ3a〜3dに内部クロック信号clkが供給(分配)される。なお、各入力バッファ3a〜3dは、クロックバッファ1から供給される内部クロック信号clkに同期してデータ信号Din0〜Din3をバッファリングし、内部データ信号out0〜out3を生成する。
【0044】
ここで、上記のような図6に示された半導体集積回路は、入力されるデータ信号やアドレス信号、あるいはコマンド等といった機能(種類)の異なる信号別に用いられることが有用である。すなわち、このように機能(種類)の異なる信号毎にクロックバッファ1を制御すれば、例えば動作のある局面においてコマンドのみが変化しデータ信号やアドレス信号が変化しない場合には、コマンド系のクロックバッファ1だけが活性化されデータ信号系やアドレス信号系のクロックバッファ1は不活性化されるため、動作全体における消費電流を低減することができる。
【0045】
以上より、本発明の実施の形態2に係る半導体集積回路によれば、リフレッシュ動作を繰り返すようなデータ保持動作時などにおいて、選択的にクロックバッファを活性化することができるため、クロックバッファを効率的に駆動することにより消費電流を低減することができる。
【発明の効果】
上述の如く、本発明に係る半導体集積回路とデータ取り込み方法によれば、取り込む信号に変化がない場合にはクロックバッファを不活性化するため、データ保持動作時(スタンバイ状態)等における消費電流を低減することができる。
【0046】
また、同じ種類の信号が入力される複数の比較回路から出力された信号を論理合成するものとすれば、信号の種類に応じてクロックバッファを制御することができるため、クロックバッファを効率的に駆動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示された半導体集積回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図3】図1に示されたクロックバッファの構成例を示す回路図である。
【図4】図1に示された入力バッファの構成例を示す回路図である。
【図5】図1に示された比較回路の構成例を示す回路図である。
【図6】本発明の実施の形態2に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 クロックバッファ
3,3a〜3d 入力バッファ
5,5a〜5d 比較回路
7 OR回路
10,51,54 NAND回路
11,12,31,32,53,55 反転回路
52 NOR回路
L1,L2 ラッチ回路
G1,G2 ゲート回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a signal capturing method, and more particularly to a semiconductor integrated circuit for inputting a signal in synchronization with a clock signal and a signal capturing method.
[0002]
[Prior art]
Since a conventional general purpose dynamic random access memory (DRAM) has a self-refresh function, a refresh operation can be executed inside the chip. For this reason, conventionally, the supply of the external clock signal is stopped in the data holding state (so-called standby state), and the data holding current is suppressed to a very small value.
[0003]
On the other hand, in a device in which DRAM is mixed with a logic circuit on the same chip (DRAM embedded logic circuit), the controller of the logic circuit cannot monitor the self-refresh operation in the DRAM, and if a self-refresh function is to be realized, a circuit is required. However, the self-refresh function was not provided.
[0004]
Here, in a device that does not have such a self-refresh function, since a refresh command is supplied during the data holding operation, it is necessary to supply a clock signal from the outside of the device, so that current consumption during the data holding operation increases. There is a problem.
[0005]
That is, the clock signal supplied from the outside of the device is distributed to each input buffer for buffering an address signal, (input) data, or various commands. In particular, the number of input buffers is large in a DRAM-embedded logic circuit. Therefore, the total wiring length for transmitting the clock signal increases. Therefore, since the gate capacitance of the transistor constituting the input buffer is increased, current consumption during charging / discharging for driving the capacitance is increased.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a signal capturing method that reduce current consumption during a data holding operation.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The above object is a semiconductor integrated circuit that captures a signal in synchronization with an internal clock signal generated in the clock buffer, and includes a clock buffer control means that activates the clock buffer only when a signal change occurs. This is achieved by providing a semiconductor integrated circuit characterized by the above.
[0008]
According to such means, the clock buffer can be inactivated when there is no change in the signal to be captured.
[0009]
More specifically, it further includes an input buffer that generates an internal signal from the signal in synchronization with the internal clock signal, and the clock buffer control means compares the signal with the internal signal output from the input buffer. When the two signals are different, the clock buffer can be activated.
[0010]
Another object of the present invention is a semiconductor integrated circuit including a plurality of input buffers that capture signals in synchronization with an internal clock signal generated in a clock buffer, and a signal input to at least one of the input buffers is In the case of a change, this is achieved by providing a semiconductor integrated circuit comprising clock buffer control means for activating the clock buffer.
[0011]
According to such a means, when a plurality of signals are captured, the clock buffer can be inactivated when no change occurs in all the signals. Therefore, in a semiconductor integrated circuit that captures a plurality of signals, for example, Current consumption during data holding operation (standby state) can be reduced.
[0012]
Here, the clock buffer control means is provided corresponding to each input buffer, and includes a plurality of signal change monitoring means for activating the clock buffer when a change occurs in a signal input to the input buffer. It can be.
[0013]
As an example, the signal change monitoring means is configured by a comparison circuit that compares the signal and the signal output from the input buffer, and the clock buffer control means performs logical synthesis of the signals output from the plurality of comparison circuits. A logic circuit that generates a signal for activating the clock buffer and supplies the signal to the clock buffer can be further provided.
[0014]
Further, if the logic circuit logically synthesizes signals output from a plurality of comparison circuits to which the same type of signal is input, the clock buffer can be controlled according to the type of signal.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
[Embodiment 1]
In a device such as a DRAM embedded logic circuit that captures a data signal in synchronization with a clock signal, in order to reduce current consumption during data holding operation, the clock signal is stored in each buffer when there is no change in the input data signal. It is only necessary to distribute the clock signal to each buffer when a change in the data signal is detected.
[0016]
Hereinafter, the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment will be described in more detail. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment includes a clock buffer 1, an
[0017]
Here, the clock buffer 1 buffers the input external clock signal CLK to generate an internal clock signal clk and supplies it to the
[0018]
The
[0019]
The operation of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment will be described below with reference to the timing chart shown in FIG. First, as shown in FIG. 2B, for example, the logic level of the data signal Din input to the
[0020]
At this time, at time T2 and time T4, the
[0021]
As a result, the clock buffer 1 is activated only when the high level signal coz is supplied, and generates a high level internal clock signal clk at time T3 and time T5 as shown in FIG. To the
[0022]
Then, as shown in FIG. 2D, the
[0023]
Therefore, as described above, in the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment, when the input data signal Din does not change, the clock buffer 1 that distributes the internal clock signal clk to the input buffer or the like is inactivated. Only when the data signal Din changes, the clock buffer 1 is activated within the setup time of the data signal Din.
[0024]
A specific example of each part of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described below. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of the clock buffer 1 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the clock buffer 1 includes a
[0025]
In the clock buffer 1 having such a configuration, the internal clock signal clkz is output from the inverting
[0026]
Further, the
[0027]
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of the
[0028]
The gate circuits G1 and G2 are each composed of a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor connected in parallel, and the latch circuits L1 and L2 are each composed of two inverting circuits.
[0029]
Here, the internal clock signal clkz is supplied to the gates of the P-channel MOS transistor included in the gate circuit G1 and the N-channel MOS transistor included in the gate circuit G2, and the N-channel MOS transistor included in the gate circuit G1 The internal clock signal clkx is supplied to the gate of the P channel MOS transistor included in the gate circuit G2.
[0030]
In the
[0031]
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of the
[0032]
Here, the
[0033]
In the
[0034]
As described above, according to the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention, the clock buffer 1 is disabled in the data holding operation in which the refresh operation is repeated as long as the input data signal and address signal are not changed. Since it is activated, current consumption can be reduced.
[0035]
Since the effects as described above are obtained, the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention is particularly useful when applied to a battery-driven LSI in a portable device or the like.
[Embodiment 2]
In the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment, the number of data signals Din supplied to the
[0036]
Here, if the clock buffer 1 according to the first embodiment is provided for each of a plurality of types of signals, the circuit scale and cost increase. Therefore, a logical OR of signals indicating that a change has been detected for each input signal. Therefore, the number of clock buffers may be reduced by sharing the clock buffers.
[0037]
Further, the clock buffer may be shared for each type (function) of signal such as data, address or command.
[0038]
Hereinafter, the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment will be described more specifically. FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment includes one clock buffer 1, input buffers 3a to 3d,
[0039]
Here, the internal clock signal clk generated by the clock buffer 1 is supplied to all the input buffers 3a to 3d, the data signal Din0 is supplied to the
[0040]
The input buffers 3a to 3d buffer the data signals Din0 to Din3, respectively, and generate and output internal data signals out0 to out3.
[0041]
Further, each of the
[0042]
When a high level signal is supplied from at least one of the
[0043]
Therefore, in the semiconductor integrated circuit having the above-described configuration, the clock buffer 1 is activated when at least one of the data signals Din0 to Din3 input to the input buffers 3a to 3d changes, and the internal clocks are input to the input buffers 3a to 3d. A signal clk is supplied (distributed). Each of the input buffers 3a to 3d buffers the data signals Din0 to Din3 in synchronization with the internal clock signal clk supplied from the clock buffer 1, and generates internal data signals out0 to out3.
[0044]
Here, it is useful that the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 6 as described above is used for signals having different functions (types) such as input data signals, address signals, and commands. That is, if the clock buffer 1 is controlled for each signal having a different function (type) in this way, for example, when only a command changes and a data signal or an address signal does not change in an aspect of operation, a command-type clock buffer Since only 1 is activated and the clock buffer 1 for the data signal system and address signal system is inactivated, current consumption in the entire operation can be reduced.
[0045]
As described above, according to the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention, the clock buffer can be selectively activated in the data holding operation where the refresh operation is repeated. The current consumption can be reduced by driving in an efficient manner.
【The invention's effect】
As described above, according to the semiconductor integrated circuit and the data fetching method of the present invention, the clock buffer is inactivated when there is no change in the fetched signal. Therefore, the current consumption during the data holding operation (standby state) is reduced. Can be reduced.
[0046]
In addition, if the signals output from a plurality of comparison circuits to which the same type of signal is input are logically synthesized, the clock buffer can be controlled according to the type of signal, so that the clock buffer can be efficiently Can be driven.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.
2 is a timing chart showing an operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a clock buffer shown in FIG. 1;
4 is a circuit diagram showing a configuration example of an input buffer shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of a comparison circuit shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1
Claims (8)
少なくとも1つの入力バッファに入力される前記信号が変化した場合に、前記クロックバッファを活性化する活性化信号を出力するクロックバッファ制御手段を備え、
前記クロックバッファ制御手段は、前記複数の入力バッファの各々に対応して設けられた複数の信号変化監視手段と、該複数の信号変化監視手段及び前記クロックバッファに結合された論理回路とを有し、
前記信号変化監視手段の各々は、対応する入力バッファに入力された信号に変化が生じたことを論理回路に通知し、
前記論理回路は、該通知に応じて前記活性化信号を前記クロックバッファへ供給する
ことを特徴とする半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit including a plurality of input buffers for capturing signals in synchronization with an internal clock signal generated by one clock buffer,
Clock buffer control means for outputting an activation signal for activating the clock buffer when the signal input to at least one input buffer changes;
The clock buffer control means includes a plurality of signal change monitoring means provided corresponding to each of the plurality of input buffers, and a logic circuit coupled to the plurality of signal change monitoring means and the clock buffer. ,
Each of the signal change monitoring means notifies the logic circuit that a change has occurred in the signal input to the corresponding input buffer,
The logic circuit supplies the activation signal to the clock buffer in response to the notification.
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the input buffer generates an internal signal from the signal in synchronization with the internal clock signal.
前記論理回路は、前記複数の信号変化監視手段各々からの比較結果を論理合成し、前記活性化信号を生成する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。The signal change monitoring means is composed of a comparison circuit that compares an input signal and an output signal of a corresponding input buffer,
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the logic circuit logically synthesizes the comparison results from each of the plurality of signal change monitoring units to generate the activation signal.
前記複数の入力バッファに供給される複数の信号の各入力信号と出力信号を比較することで信号の変化を監視するステップと、
前記複数の信号変化の監視結果の論理和をとり、少なくとも一つの信号が変化した場合に、クロックバッファ活性化信号を出力するステップと、
前記クロックバッファ活性化信号により、クロックバッファを活性化するステップと、
を有することを特徴とする信号取り込み方法。In a semiconductor integrated circuit, a signal capturing method for capturing by a plurality of input buffers in synchronization with an internal clock signal generated by one clock buffer,
Monitoring signal changes by comparing each input signal and output signal of a plurality of signals supplied to the plurality of input buffers;
ORs monitoring result of said plurality of signal change, if at least one signal is changed, and outputting a clock buffer activity signal,
Activating a clock buffer by the clock buffer activation signal;
Signal acquisition method characterized by have a.
前記内部クロックに同期して入力信号を取り込む複数の入力バッファと、
前記複数の入力バッファに対応して設けられ、対応する入力バッファに供給される入力信号に変化が生じたか否かを示す信号を出力する複数の信号変化監視手段と、
前記複数の信号変化監視手段からの複数の出力信号に基づいて前記クロックバッファを活性化する信号を出力する手段と、
を備え、前記信号変化監視手段の各々は、前記入力信号と前記入力バッファからの出力信号とを比較する比較手段を備える
ことを特徴とする半導体集積回路。One clock buffer to generate the internal clock;
A plurality of input buffers for capturing input signals in synchronization with the internal clock;
A plurality of signal change monitoring means provided corresponding to the plurality of input buffers and outputting a signal indicating whether or not a change has occurred in an input signal supplied to the corresponding input buffer;
Means for outputting a signal for activating the clock buffer based on a plurality of output signals from the plurality of signal change monitoring means;
Each of the signal change monitoring means includes a comparison means for comparing the input signal with an output signal from the input buffer .
を特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。 Said means for outputting a signal to activate the clock buffer, according to claim 7, wherein providing a plurality of signals output from said plurality of signal change monitoring means to logic synthesis to the clock buffer Semiconductor integrated circuit.
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