JP2002189139A - Method for manufacturing optical waveguide deice - Google Patents

Method for manufacturing optical waveguide deice

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JP2002189139A JP2000385554A JP2000385554A JP2002189139A JP 2002189139 A JP2002189139 A JP 2002189139A JP 2000385554 A JP2000385554 A JP 2000385554A JP 2000385554 A JP2000385554 A JP 2000385554A JP 2002189139 A JP2002189139 A JP 2002189139A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide device in which a polarization dependent loss is reduced by controlling the generation of strain in a core area. SOLUTION: In a method for manufacturing the optical waveguide device, an under clad layer 2 and a core layer 3 are deposited on a quarts substrate 1 and further a cap layer 4 whose refractive index is equal to that of the under clad layer 2 is deposited on the core layer 3 successively under the same value of high frequency power by the use of a plasma CVD(chemical vapor deposition) device. After the core area is formed, an over clad layer 5 is deposited on the quartz substrate 1 in which the core area is formed. When the over clad layer 5 is deposited, an output value of high frequency power is gradually raised from the output value of high frequency in the deposition of the under clad layer 2 or the like. Thus, since the core area is encircled by a silicon oxide film having about the same density, strain is not exerted on the core area. Then, the generation of strain in the core area is controlled and the polarization dependent loss is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ気相堆積装置を用いてクラッド領域とコア領域とを含む光導波路層を基板上に堆積し、光導波路デバイスを作製する作製方法に関する。 The present invention relates to relates to a manufacturing method of an optical waveguide layer including a cladding region and the core region using a plasma vapor deposition apparatus is deposited on a substrate to produce an optical waveguide device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】光導波路デバイスは、従来から、プラズマ気相堆積(Plasma Chemical Vapor Deposition:PC BACKGROUND OF THE INVENTION optical waveguide devices, from conventional, plasma vapor deposition (Plasma Chemical Vapor Deposition: PC
VD)法を用いた作製方法により作製されている。 It is produced by the manufacturing method using the VD) method. この作製方法では、TEOS(Tetraethoxysilane)ガス及び酸素(O 2 )ガス等が原料ガスとして用いられ、まず、酸化ケイ素から成る下部クラッド層及びコア層が基板上に順次形成される。 In this manufacturing method, TEOS (Tetraethoxysilane) gas and oxygen (O 2) gas or the like is used as the raw material gas, first, the lower cladding layer and the core layer made of silicon oxide are sequentially formed on the substrate. 次に、フォトリソグラフィによりコア層がパターニングされた後、エッチングによりコア領域が形成される。 Next, after the core layer is patterned by photolithography, the core region is formed by etching. その後、上記の原料が再び用いられ、コア領域を有する下部クラッド層の上に上部クラッド層が形成される。 Thereafter, the raw materials described above are used again, the upper cladding layer is formed on the lower cladding layer having a core region.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者らの研究の結果、上記のようなPCVD法を用いた作製方法により光導波路デバイスを作製した場合は、偏波依存性損失が十分に低減されないことが分かった。 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, as a result of the present inventors' study, the case of manufacturing an optical waveguide device by the manufacturing method using a PCVD method as above, the polarization dependent loss is sufficiently reduced it was found that not. そして、 And,
偏波依存性損失が生じる原因について更に研究を重ねたところ、コア領域の周囲において、PCVD法により堆積される酸化ケイ素膜の膜質に差があることが明らかとなった。 Furthermore was repeated research on the cause of the polarization dependent loss occurs around the core region, it became clear that there is a difference in the film quality of the silicon oxide film deposited by a PCVD method. すなわち、PCVD法により上部クラッド層を堆積する際には、コア領域の上部の角部での堆積速度が速くなる傾向があり、そのため、オーバーハングと呼ばれる張り出し部が形成される。 That is, in depositing an upper cladding layer by a PCVD method, there is a tendency that the deposition rate at the corners of the upper portion of the core region is increased, therefore, overhang called overhang is formed. オーバーハングが形成されると、コア領域の側壁部への原料ガス(プラズマにより生成されるイオン等)の供給が阻害されるため、側壁部の酸化ケイ素の密度が低くなってしまうこととなっていた。 When the overhang is formed, the supply of the raw material gas to the side wall portion of the core region (ions generated by the plasma) is inhibited, making it the the density of the silicon oxide of the side wall portion becomes lower It was. そのため、コア領域の上部と側壁部とで密度の異なる酸化ケイ素が形成されることとなり、この密度の相違に起因した応力がコア領域に加わっていた。 Therefore, it is the density of different silicon oxide at the top and the side wall portion of the core region is formed, stress resulting from the difference in density was applied to the core region. その結果、コア領域に歪みが生じ、この歪みにより偏波依存性損失が発生していた。 As a result, the strain in the core region occurs, the polarization dependent loss had occurred by this distortion.

【0004】本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、コア領域に歪みが発生するのを抑えることにより偏波依存性損失が低減された光導波路デバイスを提供することを目的とする。 [0004] The present invention has been made to solve the above problems, to provide an optical waveguide device polarization dependence loss is reduced by suppressing from distortion occurs in the core area for the purpose.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明に係る光導波路デバイスの作製方法は、プラズマ気相堆積装置を用いてクラッド領域とコア領域とを含む光導波路層を基板上に形成し、光導波路デバイスを作製する方法であって、(1)プラズマ気相堆積装置を用いて、所定の高周波電力値にて、下部クラッド層と、コア層と、屈折率が下部クラッド層と等しいキャップ層とを基板上に順次形成した後、(2)キャップ層及びコア層の所定の一部を除去することにより、上部にキャップ層を有しており、光が閉じ込められて伝搬されるコア領域を形成し、(3)上部にキャップ層を有するコア領域を備えた基板上に、プラズマ気相堆積装置を用いて上部クラッド層を形成するに際して、高周波電力値を上記の所定の高周波電力値と等しい値から漸次増加 Therefore SUMMARY OF THE INVENTION The method for manufacturing an optical waveguide device according to the present invention, an optical waveguide layer formed on a substrate including a cladding region and the core region using a plasma vapor deposition apparatus, optical a method of making a waveguide device, (1) plasma using a vapor deposition apparatus, at a predetermined high-frequency power value, and the lower clad layer, a core layer, the refractive index of the lower clad layer is equal cap layer after sequentially formed on a substrate, (2) formed by removing a predetermined portion of the cap layer and the core layer, and a cap layer on top, a core region in which the light is propagated trapped and, (3) on a substrate having a core region having a cap layer on top, in forming the upper cladding layer by using a plasma vapor deposition apparatus, it is equal to the high-frequency power value to a predetermined high-frequency power value of the value gradually increase from せる。 To.

【0006】すなわち、上記の作製方法では、PCVD [0006] That is, in the above-described manufacturing method, PCVD
装置を用いて、下部クラッド層とコア層とが基板上に順次堆積された後に、下部クラッド層と同一の屈折率を有するキャップ層がコア層上に堆積される。 Using the apparatus, and the lower cladding layer and the core layer after being sequentially deposited on the substrate, a cap layer having the same refractive index and the lower clad layer is deposited on the core layer. ここで、キャップ層の堆積時に供給される高周波電力は、下部クラッド層及びコア層の堆積時と同一である。 Here, the high-frequency power to be supplied during the deposition of the capping layer is the same as when the lower cladding layer and the core layer deposition. したがって、コア層及びキャップ層の膜質は略同一であり、この2つの層の間に応力は生じない。 Therefore, the film quality of the core layer and the cap layer are substantially the same, the stress does not occur between the two layers.

【0007】この後、所定の部分のキャップ層とコア層とを除去すると、除去されずに残された、上部にキャップ層を有するコア層が光の伝搬するコア領域となる。 [0007] Thereafter, upon removal of the cap layer and the core layer of the predetermined portion, is left without being removed, the core layer having a cap layer on top is propagating core region of light.

【0008】次に、上部にキャップ層を有するコア領域を備えたクラッド層の上に、PCVD装置により、上部クラッド層が堆積される。 [0008] Next, on the cladding layer having a core region having a cap layer on top, by a PCVD apparatus, the upper cladding layer is deposited. このときには、堆積開始直後には、下部クラッド層、コア層、及びキャップ層を堆積した際に供給した高周波電力と等しい電力値にて高周波電力を供給するようにしておき、堆積が進むとともに電力値を徐々に増加させる。 At this time, immediately after start of deposition, a lower cladding layer, a core layer, and leave to supply high frequency power at frequency power equal power value supplied to the time of depositing a cap layer, the power value with the deposition progresses gradually increase.

【0009】上部クラッド層の形成開始の直後には、オーバーハングは小さく、上部クラッド層の形成が進むとともに、オーバーハングは急速に大きくなっていく。 [0009] Immediately after the start of forming the upper cladding layer, the overhang is small, with the formation of the upper cladding layer progresses, the overhang will growing rapidly. よって、原料ガス(プラズマにより生成されるイオン等) Therefore, the raw material gas (ions generated by plasma)
は、上部クラッド層の形成開始直後にはコア領域の側壁部へと比較的容易に到達できるものの、オーバーハングが形成されると側壁部へ到達し難くなってしまう。 Is immediately after start of forming the upper clad layer but can be relatively easily reaches the side wall portion of the core region, it becomes hard to reach the overhang is formed to the side wall portion.

【0010】上記の作製方法によれば、上部クラッド層の形成開始時には、PCVD装置のチャンバに備えられた電極へと供給する高周波電力を下部クラッド層及びコア層の堆積時と等しくしておき、堆積中に高周波電力を徐々に増加させていく。 According to the above manufacturing method, at the time of start of forming the upper cladding layer, a high-frequency power leave equal to the time of the lower clad layer and the core layer deposited supplied to a provided electrode chamber of PCVD apparatus, gradually increasing the high frequency power during deposition. 高周波電力の増加とともに、プラズマにより生成されるイオン等を側壁部へと引き寄せる電圧、いわゆる引き込み電圧を高くできる。 With increasing high frequency power, a voltage for attracting the ions generated by the plasma to the side wall, the so-called pull-in voltage can be increased. そのため、原料ガス(プラズマにより生成されるイオン等)は、 Therefore, the raw material gas (ions generated by plasma) may
オーバーハングの形成後も、この高い引き込み電圧に引き寄せられてコア領域の側壁部へと到達し得る。 After formation of the overhang may reach to the side wall portion of the core region are attracted to the high feed-through voltage. よって、密度の高い酸化ケイ素膜がコア領域の側壁部に形成され得る。 Therefore, high silicon oxide film density can be formed on the side wall portion of the core region. 故に、コア領域の側壁部に形成される上部クラッド層の密度を、コア領域の密度と略同一とすることが可能となる。 Thus, the density of the upper clad layer formed on the side wall portion of the core region, it is possible to density of the core region and substantially the same. したがって、コア領域の側壁部に形成される上部クラッド層とコア領域との間で生じる応力が十分に低減され得る。 Therefore, stress generated between the upper cladding layer and the core region formed on the side wall portion of the core region can be sufficiently reduced. その結果、コア領域には歪みが生じず、偏波依存性損失の発生が十分に抑制される。 As a result, distortion does not occur in the core region, the occurrence of polarization dependent loss is sufficiently suppressed.

【0011】また、キャップ層の上に堆積される上部クラッド層の密度は、高周波電力の増加によりキャップ層の密度に比して高くなるため、密度差に起因した応力が生じ得る。 [0011] The density of the upper clad layer is deposited on the cap layer, to become higher than the density of the cap layer due to an increase in high frequency power, stress may occur due to the density difference. しかし、この応力は、キャップ層があるためにコア領域から離れた部位で発生し、しかもキャップ層で十分に吸収され得るのでコア領域に及ぶ虞はない。 However, this stress is generated at a site distant from the core region due to the capping layer, yet there is no possibility that spans the core region so may be well absorbed by the cap layer. そのため、コア領域に歪みが生じることはなく、偏波依存性損失が生じることはない。 Therefore, never distorted core region occurs, never polarization dependent loss.

【0012】上記の説明においては、基板上に、下部クラッド層、コア層、及びキャップ層を堆積する構成について述べたが、基板として石英ガラス基板を使用すれば、下部クラッド層の堆積が不要となり、石英ガラス基板上に、コア層及びキャップ層を堆積すれば良いことになる。 [0012] In the above description, on a substrate, a lower clad layer, a core layer, and has been described in terms of depositing a capping layer, using the quartz glass substrate as the substrate, the lower cladding layer deposition is not required , on a quartz glass substrate, it is sufficient to deposit the core layer and the cap layer. この場合でも、コア領域に歪みは生じず、偏波依存性損失の発生を十分に抑制することができる。 In this case, the strain in the core region does not occur, the occurrence of polarization dependent loss can be sufficiently suppressed.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】以下に、図面と共に本発明による光導波路デバイスの作製方法の好適な実施形態について説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS, a description will be given of a preferred embodiment of a method for manufacturing an optical waveguide device according to the present invention with reference to the drawings. なお、以下の説明においては、同一の要素には同一の符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 In the following description, the same elements will be referred to with the same reference numerals, and redundant description will be omitted. また、図面においては、石英基板上に成長される各層の層厚の比率を始めとして、寸法比率は、説明のものとは必ずしも一致していない。 In the drawings, including the ratio of the thickness of each layer to be grown on a quartz substrate, a dimensional ratio is that of description do not necessarily coincide.

【0014】図1(a)〜(c)は、本実施の形態の作製方法により光導波路デバイスを作製する工程と、各工程終了後の光導波路デバイスの断面を示す模式図である。 [0014] Figure 1 (a) ~ (c) are schematic views showing the steps of manufacturing the optical waveguide device by the manufacturing method of this embodiment, the optical waveguide device of the cross-section after the completion of each step. この作製方法は、大きく分けて光導波層堆積工程、コア領域形成工程、及びオーバークラッド層堆積工程の3つの工程より成り、これらの工程が順次実施される。 This manufacturing method is roughly classified into an optical waveguide layer deposition step, the core region forming step, and consists of three steps of the over-cladding layer deposition process, these steps are sequentially performed. (1) 光導波層堆積工程 (1) optical waveguide layer deposition process

【0015】まず、PCVD装置を用いて、石英基板1 [0015] First, by using the PCVD apparatus, the quartz substrate 1
上に、アンダークラッド層2と、コア層3と、キャップ層4とを順次堆積する。 Above, the under cladding layer 2, a core layer 3 are sequentially deposited and a cap layer 4.

【0016】ここで、上記各層2〜4の堆積に用いる原料としては、TEOSガスとO 2ガスが好ましい。 [0016] Here, as a material used for depositing the layers 2 to 4, TEOS gas and O 2 gas is preferable. また、コア層3の堆積時には、コア層3が他の層よりも高い屈折率を持つようにGe等の屈折率増加剤を添加する。 Further, when the core layer 3 is deposited, the core layer 3 is added refractive index increasing agent such as Ge to have a higher refractive index than the other layers. Geの原料としては、テトラメチルゲルマニウム(T The Ge of raw materials, tetramethyl germanium (T
etra Methyl Germanium:TMGe)が、その取り扱いが容易である等の理由により好適である。 etra Methyl Germanium: TMGe) are preferred for reasons of equal its handling is easy.

【0017】まず、石英基板1をPCVD装置のチャンバ内のサセプタ上に載置し、石英基板1を所定の温度にまで加熱する。 Firstly, placing a quartz substrate 1 on the susceptor in the chamber PCVD apparatus, heating the quartz substrate 1 to a predetermined temperature. その後、アルゴン(Ar)ガス又は水素 Thereafter, argon (Ar) gas or hydrogen
(H 2 )ガス等の希釈ガスとともにTEOSガスとO 2ガスとをチャンバへ供給し、チャンバ内の圧力を圧力調整器により所定の圧力値に調整する。 (H 2) and a TEOS gas and O 2 gas are supplied into the chamber along with the diluent gas such as a gas, is adjusted to a predetermined pressure value by the pressure regulator the pressure in the chamber. そして、所定の高周波電力をチャンバに備えられた電極に供給してチャンバ内にプラズマを発生させ、アンダークラッド層2の堆積を開始する。 Then, a predetermined high-frequency power is supplied to electrodes provided in the chamber to generate a plasma in the chamber, to start the deposition under cladding layer 2.

【0018】アンダークラッド層2の膜厚が所定の膜厚となった時点で、TEOSガスとO [0018] When the thickness of the under cladding layer 2 becomes a predetermined thickness, TEOS gas and O 2ガスとの供給を継続したままTMGeの供給を開始し、コア層3の堆積を始める。 The supply of the two gas feed was started of TMGe while continuing, begin deposition of the core layer 3. これにより、TMGeの供給によりコア層3中にGeが添加され、コア層3の屈折率はアンダークラッド層2及びキャップ層4の屈折率よりも高くなり、後に形成されるコア領域を好適に提供し得る。 Thus, Ge is added in the core layer 3 by supplying TMGe, the refractive index of the core layer 3 is higher than the refractive index of the under-cladding layer 2 and the cap layer 4, suitably provide a core region to be formed later It can be.

【0019】さらに続けて、コア層3の膜厚が所定の膜厚となったところで、TMGeの供給だけを停止し、キャップ層4の堆積を開始する。 Furthermore it continues, the thickness of the core layer 3 is upon reaching a predetermined thickness, stopping only the supply of TMGe, initiates the deposition of the cap layer 4. TMGeの供給を行わないため、ここで堆積されるキャップ層4の屈折率は、先のアンダークラッド層2の屈折率と同一となる。 For refraining from supplying TMGe, the refractive index of the capping layer 4 deposited here is the same as the refractive index of the previous under-cladding layer 2. キャップ層4が所定の膜厚となった時点で、TEOSガスとO When the cap layer 4 becomes a predetermined thickness, TEOS gas and O
2ガスとの供給を停止して、キャップ層4の堆積を終了させる。 By stopping the supply of the two gases, thereby terminating the deposition of the cap layer 4. その後、石英基板1を冷却した後、各層2〜4 Thereafter, the quartz substrate 1 is cooled, the layers 2-4
が形成された石英基板1をチャンバから取り出す。 There retrieve the quartz substrate 1 formed from the chamber. 以上により、図1(a)に示すように、アンダークラッド層2、コア層3、及びキャップ層4が形成された石英基板1が得られる。 Thus, as shown in FIG. 1 (a), the under cladding layer 2, the core layer 3, and the quartz substrate 1 in which the cap layer 4 is formed is obtained. (2)コア領域形成工程 (2) the core region forming step

【0020】次に、コア領域を形成する工程について説明する。 [0020] Next, steps of forming the core region. まず、レジストをキャップ層4の上に塗布してレジスト膜を形成する。 First, a resist is coated on the cap layer 4 to form a resist film. 次に、所定パターンのマスクを用いたフォトリソグラフィにより、レジスト膜にコア領域パターンを露光・転写し、さらに、この転写パターン以外のレジスト膜を有機溶剤等により除去する。 Next, by photolithography using a mask having a predetermined pattern, the core region pattern is exposed and transferred to the resist film, further, the resist film other than the transfer pattern is removed by an organic solvent or the like. 続けて、石英基板1を反応性イオンエッチング(Reactive Io Subsequently, the quartz substrate 1 reactive ion etching (Reactive Io
n Etching:RIE)装置内のサセプタに載置し、エッチングを行ってレジスト膜が形成されていない部分のキャップ層4とコア層3とを除去する(図1(b))。 n Etching: RIE) is mounted on the susceptor in the apparatus, to remove the cap layer 4 and the core layer 3 of the portion where the resist film by etching is not formed (Figure 1 (b)). これにより、光が導波されるコア領域が形成される。 Thus, the core region in which the light is guided is formed. (3)オーバークラッド層形成工程 (3) over-cladding layer forming step

【0021】上記コア領域形成工程によりコア領域パターンが形成された石英基板1を再びPCVD装置のチャンバ内のサセプタ上に載置する。 [0021] placed on a susceptor in a chamber of said core region forming step again PCVD apparatus quartz substrate 1 in which the core region pattern is formed by. 石英基板1を所定の温度にまで加熱し、温度が安定化した後、アルゴン(Ar) The quartz substrate 1 was heated to a predetermined temperature, after the temperature was stabilized, argon (Ar)
ガス又は水素(H 2 )ガスを供給するとともにTEOSガスとO 2ガスとをチャンバへ供給し、チャンバ内の圧力を所定の圧力値に調整する。 A TEOS gas and O 2 gas are supplied into the chamber to supply a gas or hydrogen (H 2) gas, to adjust the pressure in the chamber to a predetermined pressure value. その後、(1)光導波層堆積工程においてアンダークラッド層2、コア層3、及びキャップ層4を堆積したときに供給した高周波電力と等しい高周波電力をチャンバに設けられた電極に対して供給し、チャンバ内にプラズマを発生させる。 Then supplied to the under-cladding layer 2, the core layer 3, and the electrode provided a high-frequency power is equal to the high frequency power supplied to the chamber when depositing the capping layer 4 in (1) optical waveguide layer deposition step, generating a plasma in the chamber. これにより、 As a result,
オーバークラッド層5の堆積が開始されるが、この堆積開始の直後から、所定の割合で高周波電力を増加させていく。 Although deposition of the over cladding layer 5 is started, immediately after this deposition start, gradually increase the high frequency power at a predetermined rate. その後、所定の膜厚となったところで、高周波電力の供給と、TEOSガス及びO Then, upon reaching a predetermined thickness, the supply of high frequency power, TEOS gas and O 2ガスの供給とを停止して、オーバークラッド層5の堆積を終了させる。 Stop the supply of 2 gas, to terminate the deposition of the over cladding layer 5. これにより、光導波路が形成された石英基板1が得られる。 Thus, a quartz substrate 1 having an optical waveguide formed is obtained.
その後、この石英基板1をチャンバから取り出し、ダイシング等の加工を適宜行い、光導波路デバイス10を得る(図1(c))。 Then removed the quartz substrate 1 from the chamber, performs processing such as dicing appropriate, to obtain an optical waveguide device 10 (FIG. 1 (c)).

【0022】続いて、本実施形態の光導波路デバイスの作製方法の作用について、図2を参照して説明する。 [0022] Next, the operation of a method for manufacturing an optical waveguide device of the present embodiment will be described with reference to FIG. 図2は、実施形態の作製方法により、オーバークラッド層5を形成している時の同層5の形状を示す模式図である。 2, the manufacturing method of the embodiment is a schematic view showing the shape of the layer 5 when forming the over-cladding layer 5.

【0023】図2に示すように、プラズマにより生成されるシリコンイオン及び酸素イオン等は、キャップ層4 As shown in FIG. 2, the silicon ions and oxygen ions are generated by the plasma, the cap layer 4
の上部の角部Cに吸着し易いため、この角部Cでの堆積速度は他の部分に比べて速くなる。 For easily adsorbed on the top of the corner station C, a deposition rate at this corner portion C is faster than the other portions. そのため、この部分にオーバーハングOが形成される。 Therefore, the overhang O is formed in this portion. このようなオーバーハングOが形成されると、イオン等の活性種はコア層3 If such overhang O is formed, active species such as ions the core layer 3
の側壁部へ到達し難くなる。 Hardly reach the side wall portion. そのため、側壁部での酸化ケイ素膜Sの密度が低下し易くなる。 Therefore, the density of the silicon oxide film S in the sidewall portion is liable to decrease. しかしながら、本実施形態の作製方法によれば、オーバーハングOが形成されてイオン等の活性種が側壁部へと到達しにくくなるに従って、PCVD装置のチャンバに供給される高周波電力が高くなっていく。 However, according to the manufacturing method of this embodiment, in accordance with the overhang O is formed active species such as ions is less likely to reach the side wall, the high frequency power supplied to the chamber of PCVD apparatus becomes higher . そのため、イオン等がコア層3 Therefore, core ions layer 3
の側壁部へとより効果的に引き寄せられるようになり、 More effectively attracted is so becomes to a side wall portion of,
側壁部に形成される酸化ケイ素膜Aの密度の低下を防ぎ得る。 It may prevent the lowering of density of the silicon oxide film A formed on the side wall portion. このとき、高周波電力の増加の割合を適宜調整すれば、酸化ケイ素膜Sの密度をコア層3との密度を等しくするとともに均一化し得る。 At this time, if appropriately adjusting the proportion of the increase in high-frequency power may be equalized with the density of the silicon oxide film S to equalize the density of the core layer 3. こうすれば、酸化ケイ素膜Sとコア層3との間に応力が生じることはなく、コア領域には歪みが生じず、その結果、偏波依存性損失の発生が抑制される。 This way, no stress can be induced between the silicon oxide film S and the core layer 3, the distortion does not occur in the core region, the occurrence of polarization dependent loss can be suppressed.

【0024】なお、高周波電力を高くしながらオーバークラッド層5を堆積するため、キャップ層4の上に堆積されるオーバークラッド層5の密度も、キャップ層4の密度に比して徐々に高くなる。 [0024] In order to deposit the over cladding layer 5 with a high frequency power density of the over cladding layer 5 deposited on the cap layer 4 is also gradually becomes higher than the density of the cap layer 4 . そのため、キャップ層4 For this reason, the cap layer 4
とオーバークラッド層5の間に応力が生じることとなる。 And so that the stress generated between the over cladding layer 5. しかし、この応力はキャップ層4で吸収され得るのでコア層3には及ばない。 However, this stress falls short of the core layer 3 because it can be absorbed by the cap layer 4. そのため、コア領域に歪みが生じることはなく、偏波依存性損失が生じる虞はない。 Therefore, never distortion occurs in the core region, there is no possibility that the polarization dependent loss occurs.

【0025】上記において、基板として石英ガラス基板を使用すれば、下部クラッドの堆積が不要となり、始めに石英ガラス基板上に、コア層及びキャップ層のみを堆積すれば良い。 [0025] In the above, the use of quartz glass substrate as the substrate, the lower cladding deposition is not required, on a quartz glass substrate at the beginning, it may be deposited only the core layer and the cap layer.

【0026】上記した光導波路デバイスの作製方法について、実施例により更に具体的に説明する。 The method for manufacturing an optical waveguide device as described above, more specifically explained by examples. 本実施例においては、アレイ導波路型回折格子(Arrayed Waveguide In this embodiment, the arrayed waveguide grating (Arrayed Waveguide
Grading:AWG)デバイスを作製する。 Grading: AWG) to produce a device. このAWGデバイスは、入力導波路16本と、アレイ導波路120本と、出力導波路16本とがスラブ型導波路部を介して順次結合されてなるものである。 The AWG device includes an input waveguide 16, in which the arrayed waveguides 120 present, the output waveguide 16 is formed by sequentially coupled through the slab waveguide portion.

【0027】まず、PCVD装置のチャンバ内のサセプタ上に石英基板1を載置した。 Firstly, mounting the quartz substrate 1 on the susceptor in the chamber PCVD apparatus. この石英基板1は、直径100mm、厚さ1.0mmである。 The quartz substrate 1 is a diameter of 100 mm, a thickness of 1.0 mm. サセプタは、その内部に設けられたヒータにより加熱されており、これにより石英基板1の温度は400℃に保持される。 The susceptor is heated by a heater provided therein, thereby the temperature of the quartz substrate 1 is held at 400 ° C.. 続いて、チャンバ内にArガスとともに、TEOSガスとO Subsequently, the Ar gas into the chamber, TEOS gas and O
2ガスとをチャンバへと供給した。 And 2 gas was fed into the chamber. このとき、真空ポンプによりチャンバ内を排気し、チャンバ内の圧力を1. At this time, evacuating the chamber by a vacuum pump, the pressure in the chamber 1.
0Paに調整した。 It was adjusted to 0Pa. 続いて、PCVD装置に設けられた電極に対して、出力電力1000Wの高周波電力(周波数13.56MHz)を供給してチャンバ内にプラズマを発生させ、アンダークラッド層2の堆積を開始した。 Subsequently, the electrode provided on the PCVD apparatus, the output power 1000W by supplying high-frequency power (frequency 13.56 MHz) to generate a plasma in the chamber of began deposited under cladding layer 2.

【0028】アンダークラッド層2の膜厚を5μmとし、膜厚が5μmとなった時点でアンダークラッド層2 The under-cladding layer 2 of the film thickness and 5 [mu] m, the under cladding layer when the film thickness becomes 5 [mu] m 2
の堆積を終了し、続けてコア層3の堆積を開始した。 Exit deposition began the deposition of the core layer 3 continues. 具体的には、予備実験にて求めておいた堆積速度から計算した膜厚5μmのアンダークラッド層2が堆積される時間が経過した時点で、TMGeの供給を開始した。 Specifically, when the time under cladding layer 2 having a thickness of 5μm calculated from the deposition rates which have been determined in preliminary experiments is deposited has elapsed, feed was started TMGe. これにより、アンダークラッド層2の堆積が終了されるとともに、コア層3の堆積が開始される。 Thus, the deposition under cladding layer 2 is terminated, deposition of the core layer 3 is started. コア層の堆積中は、TEOSガスとO 2ガスとの供給量、及びチャンバへ供給する高周波電力は、アンダークラッド層2の堆積時の供給量及び電力と同一である。 During deposition of the core layer, the supply amount of the TEOS gas and O 2 gas, and the high-frequency power supplied to the chamber are the same as the supply amount and the electric power at the time of deposition of the under-cladding layer 2.

【0029】コア層3の堆積時のTMGe供給量は0. [0029] TMGe supply amount at the time of the deposition of the core layer 3 is 0.
95sccmとした。 It was 95sccm. このTMGe供給により添加されるGeの濃度は23wt%となり、この添加によりコア層3の屈折率は、アンダークラッド層2の屈折率に比べて0.75%高くなる。 This TMGe concentration of Ge added by supply becomes 23 wt%, the refractive index of the core layer 3 by this addition is 0.75% higher than the refractive index of the under-cladding layer 2. コア層3の膜厚は6μmとした。 Thickness of the core layer 3 was 6 [mu] m. すなわち、堆積速度から求めた所望の時間の経過後、TMGeの供給を停止することによってコア層3の堆積を終了するとともに、引き続いてキャップ層4の堆積を行った。 That is, after a desired time determined from deposition rate, as well as terminating the deposition of the core layer 3 by stopping the supply of TMGe, were deposited in the cap layer 4 subsequently. キャップ層4の堆積時も、原料ガスの供給量及び高周波電力等の堆積条件は、アンダークラッド層2の堆積時の条件と同一である。 During the deposition of the cap layer 4 also, the deposition conditions, such as supply amount and the high-frequency power source gas is the same as the conditions during deposition under cladding layer 2. キャップ層4の膜厚は5μmであり、堆積速度から求めた堆積時間の経過後、 Thickness of the cap layer 4 is 5 [mu] m, after a deposition time calculated from the deposition rates,
高周波電力の供給を停止するとともに、TEOSガスとO 2ガスとの供給を停止してキャップ層4の堆積を終了した。 Stops the supply of the high-frequency power was terminated deposition of the cap layer 4 by stopping the supply of TEOS gas and O 2 gas.

【0030】上記PCVD装置のチャンバから各層2〜 [0030] Each layer 2 from the chamber of the PCVD apparatus
4が形成された石英基板1を取り出した後、キャップ層4の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成した。 After 4 removal of the quartz substrate 1 is formed, a resist film was formed by a resist is coated on the cap layer 4. 次にフォトリソグラフィにより所定のパターンをパターンニングした。 It was then patterned predetermined pattern by photolithography.

【0031】続けて、コア領域パターン状のレジスト膜が形成された石英基板1をRIE装置内の反応室内のサセプタに載置した後、エッチングガスであるC 26ガスと、H 2ガスとを、それぞれ50sccm、5sccm [0031] Subsequently, after placing the quartz substrate 1 in which the core region patterned resist film is formed in a reaction chamber of the susceptor in the RIE apparatus, and the C 2 F 6 gas as an etching gas, and H 2 gas the, 50sccm respectively, 5sccm
流し、RIEエッチング装置の反応室内の圧力を1.0 Flow, 1.0 the pressure in the reaction chamber of the RIE etching apparatus
Paに調整した。 It was adjusted to Pa. その後、この反応室に高周波電力(3 Then, high frequency power (3 to the reaction chamber
00W、13.56MHz)を供給して、レジスト膜が形成されていない部分のキャップ層4とコア層3とをエッチングし、所定のパターンのコア領域を形成した。 00W, 13.56MHz) to supply, and a cap layer 4 and the core layer 3 of the portion where the resist film is not formed is etched to form the core region of a predetermined pattern.

【0032】エッチング終了後、コア領域パターンが形成された石英基板1をRIE装置の反応室から取り出し、石英基板1上に残存したレジスト膜をアッシングして除去した。 [0032] After the etching, taken out quartz substrate 1 in which the core region pattern is formed from the reaction chamber of the RIE apparatus, was removed by ashing the resist film remaining on the quartz substrate 1. 次いで、同基板1をPCVD装置のチャンバ内のサセプタ上に載置した。 Then it was placed on a susceptor in a chamber of the same substrate 1 PCVD apparatus. 石英基板1を温度400 A quartz substrate 1 temperature 400
℃にまで加熱し、温度が安定した後、Arガスを供給するとともにTEOSガスとO 2ガスとをチャンバへ供給し、チャンバ内の圧力を0.7Paに調整した。 ℃ until heated, after the temperature was stabilized, the TEOS gas and O 2 gas are supplied into the chamber to supply the Ar gas, the pressure was adjusted in the chamber 0.7 Pa. その後、出力電力1000(W)の高周波電力をチャンバに設けられた電極に対して供給し、チャンバ内にプラズマを発生させ、オーバークラッド層5の堆積を開始した。 Thereafter, the RF power of the output power 1000 (W) supplied to the electrodes provided on the chamber to generate plasma in the chamber, was started deposition of the over cladding layer 5. 堆積直後より高周波電力の出力値を徐々に増加させ、膜厚15μmのオーバークラッド層5の堆積が終了するまでに1200(W)に達するようにした。 Deposited gradually increasing the output value of the high frequency power immediately after the deposition of the over cladding layer 5 having a thickness of 15μm was allowed to reach 1200 (W) before terminating.

【0033】オーバークラッド層5の堆積時には、TM [0033] At the time of deposition of the over-cladding layer 5, TM
Geは供給していないため、この層5の屈折率は、アンダークラッド層2及びキャップ層4の屈折率と略同一である。 Since Ge is not supplied, the refractive index of the layer 5 is substantially the same as the refractive index of the under-cladding layer 2 and the cap layer 4. 膜厚が15μmとなった時点で、高周波電力の供給を停止するとともに、TEOSガス及びO 2ガスの供給を停止して、オーバークラッド層5の堆積を終了させた。 When the film thickness becomes 15 [mu] m, it stops the supply of the high frequency power, by stopping the supply of TEOS gas and O 2 gas was terminated deposition of the over cladding layer 5. 以上により、コア領域及びクラッド領域を有する石英基板1が得られ、この後、石英基板1をPCVD装置から取り出し、ダイシングを行ってAWGデバイスを得た。 Thus, the quartz substrate 1 is obtained having a core region and a cladding region, thereafter, the quartz substrate 1 was taken out from the PCVD apparatus to obtain the AWG device performing dicing.

【0034】次に、このAWGデバイスの透過光スペクトルの測定を行った。 Next, measurements were made of the transmitted light spectrum of the AWG device. 図3は、実施例のAWGデバイスの透過光スペクトルを示すグラフである。 Figure 3 is a graph showing a transmission spectrum of the AWG device of Example. 同図の結果から、TE(Transverse-electric)偏波及びTM(Transver From the results of FIG, TE (Transverse-electric) polarization and the TM (Transver
se-magnetic)偏波ともに、波長約1549(nm)においてその損失が最小となっており、両偏波の損失が最小となる波長の差(PDλ)は、わずか0.005nmであることが分かった。 se-Magnetic) on the polarization both has become the loss is minimized at a wavelength of about 1549 (nm), the wavelength difference a loss of both polarizations is minimized (PDλ) it is found to be slightly 0.005nm It was.

【0035】比較のため、従来の作製方法により、実施例と同一の構成を有するAWGデバイスを作製し、同様の測定を行った。 [0035] For comparison, a conventional manufacturing method, to prepare a AWG device having the same structure as in Example was measured similar. 従来の作製方法とは、1000(W)の高周波電力にてアンダークラッド層2とコア層3とを石英基板1の上に堆積した後、フォトリソグラフィとRI The conventional manufacturing method, 1000 after depositing the under cladding layer 2 and the core layer 3 on a quartz substrate 1 by high-frequency power (W), photolithography and RI
Eとにより、コア領域パターンを形成し、さらに、高周波電力を1000(W)で一定としたままオーバークラッド層5を堆積するものである。 By and E, to form a core region pattern, furthermore, is intended to deposit an overcladding layer 5 while a constant high-frequency power at 1000 (W). すなわち、従来の作製方法は、(a)キャップ層4の形成を行わない、(b)オーバークラッド層5の堆積時には、高周波出力の出力電力値を1000(W)で一定に保っているという点で実施例の作製方法と異なっている。 That is, the conventional manufacturing method, (a) does not perform formation of the cap layer 4, (b) over the time cladding layer 5 deposited, that the output power value of the high frequency output is kept constant at 1000 (W) in is different from the manufacturing method of the embodiment.

【0036】図4は、従来例のAWGデバイスの透過光スペクトルを示す。 [0036] Figure 4 shows the transmitted light spectrum of the AWG device of a conventional example. 同図から、TE偏波とTM偏波との中心波長の差は0.021nmであることが分った。 From the figure, the difference in central wavelength of the TE polarization and TM polarization was found to be 0.021Nm. このように、従来例のAWGデバイスでは中心波長の差は、上記の実施例によるAWGデバイスでの0.005 Thus, the difference between the center wavelength in AWG device of the conventional example, 0.005 in the AWG device according to the above example
nmという結果に比べて、大きな値となっている。 Compared to the results of nm, and has a large value. この結果から、実施例の作製方法の効果が理解される。 This result, the effect of a method for manufacturing examples are understood.

【0037】以上、本発明に係る光導波路デバイスの作製方法の実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限られず様々に変形し得る。 The invention has been described embodiments and examples of a method for manufacturing an optical waveguide device according to the present invention, the present invention may be modified in various ways without being limited thereto. 例えば、上記の実施例においては、オーバークラッド層5を堆積する際に、高周波電力の出力電力値を1000(W)から12 For example, in the above example, in depositing the over cladding layer 5, the output power value of the high frequency power from 1000 (W) 12
00(W)へと増加させたが、アンダークラッド層2、コア層3、及びキャップ層4の堆積時の電力値以上の範囲で適宜調整されてよい。 00 was increased to (W), the under cladding layer 2, the core layer 3, and may be properly adjusted in a range equal to or more than the power value at the time of deposition of the cap layer 4.

【0038】また、上記実施例においては、オーバークラッド層5の堆積開始から終了までの間に1000(W) Further, in the above embodiment, 1000 between the start and end of the deposition over cladding layer 5 (W)
から1200(W)へと高周波電力の出力値を増加させるようにしたが、例えばコア領域3,3の間が酸化ケイ素で埋められるまでの期間t fの間に高周波電力の出力値を増加させ、その後、一定としても良い。 Was 1200 to (W) so as to increase the output value of the high-frequency power from increasing the output value of the high frequency power during a period t f of example to between the core region 3, 3 are filled with silicon oxide , then, it may be constant. さらには、期間t fの間は出力値を増加させ、その後には、例えば、 Furthermore, during the period t f is increased the output value, then, for example,
アンダークラッド層2、コア層3、及びキャップ層4の堆積時と等しい1000(W)にまで徐々に減少させていっても構わない。 Under cladding layer 2, it may be gradually reduced to the core layer 3, and 1000 is equal to the time of deposit cap layer 4 (W). コア領域及びオーバークラッド層を形成する酸化ケイ素の密度を略同一とし、これにより、コア領域に加わる応力を抑止できるように高周波電力の出力値の増加割合等を適宜調整すべきことは言うまでもない。 The density of the silicon oxide forming the core region and the over cladding layer was substantially the same, thereby, it is needless to say should appropriately adjust the increase rate and the output value of the high-frequency power to be able suppress stress applied to the core region.

【0039】基板として石英ガラス基板を使用すれば、 [0039] By using the quartz glass substrate is used as the substrate,
下部クラッド層の堆積工程が不要となり工程簡略化、製造コストの低減が実現される。 Deposition step process simplification becomes unnecessary in the lower cladding layer, a reduction in production cost can be realized.

【0040】また、本発明の光導波路の作製方法に使用されるプラズマCVD装置としては、平行平板型プラズマCVD装置であっても、誘導結合型プラズマCVD装置であっても良い。 Further, as the plasma CVD apparatus used in the manufacturing method of the optical waveguide of the present invention may be a parallel plate type plasma CVD apparatus, it may be an inductively coupled type plasma CVD apparatus.

【0041】さらに、使用するエッチング装置もRIE [0041] Further, etching equipment used also RIE
に限られるものではなく、ECRやICP等の方式を適用したプラズマエッチング装置を用いても良い。 Is not limited to, may be used plasma etching apparatus according to the method such as ECR or ICP.

【0042】また、コア層3にGeを添加してコア層3 [0042] In addition, the core layer 3 by the addition of Ge in the core layer 3
の屈折率を高くしたが、これに替わり、アンダークラッド層2、キャップ層4、及びオーバークラッド層5に屈折率低下剤を添加し、コア層3の屈折率を相対的に高くするようにしてもよい。 Although a higher refractive index of, instead this under cladding layer 2, the cap layer 4, and the addition of refractive index lowering agent in the over cladding layer 5, so as to relatively high refractive index of the core layer 3 it may be. 屈折率低下剤としては、ホウ素 The refractive index lowering agent, boron
(B)及びフッ素(F)等が好適に使用し得る。 (B) and fluorine (F) or the like can be preferably used. また、これらの原料としては、TMB(Trimethylboron)及びTOF Moreover, as these raw materials, TMB (Trimethylboron) and TOF
S(Triethoxyfluorosilane)などが挙げられる。 And the like S (Triethoxyfluorosilane).

【0043】さらに、Geの原料としてTMGeを用いたが、Geを含む他の有機金属ガス、例えばTMOGe [0043] Furthermore, although using TMGe as a raw material for Ge, other organometallic gas containing Ge, for example TMOGe
(Tetramethoxygermanium)を使用しても良い。 (Tetramethoxygermanium) may be used. ケイ素の原料としては、TEOSを用いたが、これに替わり、例えばTMOS(TetramethoxySilane)を用いても構わない。 As a raw material of silicon was used TEOS, instead thereto, for example, it may be used TMOS (TetramethoxySilane).

【0044】 [0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光導波路デバイスの作製方法によれば、プラズマCVD装置により、高周波電力が同一の下で、基板上に下部クラッド層と、コア層と、屈折率が下部クラッド層に等しいキャップ層とが順次形成される。 As described in the foregoing, according to the manufacturing method of an optical waveguide device according to the present invention, by a plasma CVD device, under a high frequency power is the same, a lower clad layer on a substrate, a core layer, refractive index and a cap equal to the lower cladding layer layer are sequentially formed. そして、コア領域が形成された後に、キャップ層を有するコア領域及び下部クラッド層の上に、下部クラッド層等の形成時の高周波電力よりも高い高周波電力で、上部クラッド層が形成される。 After the core region is formed, on the core region and the lower cladding layer having a cap layer, a high frequency power than the high frequency power during the formation of such lower cladding layer, upper cladding layer is formed. そのため、コア領域は略同一の密度を有する酸化ケイ素で囲まれることとなり、コア領域に応力が加わることはない。 Therefore, the core region is a being surrounded by silicon oxide having substantially the same density, never stress is applied to the core region. よって、コア領域の歪みの発生が抑えられ、 Accordingly, occurrence of distortion of the core region is suppressed,
偏波依存性損失が低減される。 Polarization dependent loss is reduced.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】図1は、本実施の形態の作製方法により光導波路デバイスを作製する工程と、各工程終了後の光導波路デバイスの断面を示す模式図である。 FIG. 1 is a process of forming an optical waveguide device by the manufacturing method of this embodiment is a schematic diagram showing an optical waveguide device of the cross-section after the completion of each step.

【図2】図2は、実施形態の作製方法により、オーバークラッド層を形成している時の同層の形状を示す模式図である。 Figure 2 shows the manufacturing method of the embodiment is a schematic view showing the shape of the same layer when forming the over cladding layer.

【図3】図3は、実施例のAWGデバイスの透過光スペクトルを示すグラフである。 Figure 3 is a graph showing a transmission spectrum of the AWG device of Example.

【図4】図4は、従来の作製方法により作成したAWG Figure 4 were prepared by conventional manufacturing methods AWG
デバイスの透過光スペクトルを示すグラフである。 It is a graph showing a transmitted light spectrum of the device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…石英基板、2…アンダークラッド層、3…コア層、 1 ... a quartz substrate, 2 ... undercladding layer, 3 ... core layer,
4…キャップ層、5…オーバークラッド層、S…酸化ケイ素膜、C…角部、O…オーバーハング。 4 ... cap layer, 5 ... over cladding layer, S ... silicon oxide film, C ... corners, O ... overhang.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬村 滋 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA05 QA07 TA22 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Seramura Shigeru Yokohama-shi, Kanagawa-ku, Sakae-cho, Taya address 1 Sumitomo electrical Industries Co., Ltd. Yokohama Plant in the F-term (reference) 2H047 KA04 PA05 QA07 TA22

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 プラズマ気相堆積装置を用いてクラッド領域とコア領域とを含む光導波路層を基板上に形成し、 1. A light waveguide layer is formed on a substrate including a cladding region and the core region using a plasma vapor deposition apparatus,
    光導波路デバイスを作製する作製方法であって、 前記プラズマ気相堆積装置を用いて、所定の高周波電力値にて、下部クラッド層と、コア層と、屈折率が前記下部クラッド層と等しいキャップ層とを前記基板上に順次形成した後、 前記キャップ層及び前記コア層の所定の一部を除去することにより、上部に前記キャップ層を有しており、光が閉じ込められて伝搬される前記コア領域を形成し、 前記上部にキャップ層を有する前記コア領域を備えた前記基板上に、前記プラズマ気相堆積装置を用いて上部クラッド層を形成するに際して、前記高周波電力値を前記所定の高周波電力値と等しい値から漸次増加させる、ことを特徴とする光導波路デバイスの作製方法。 A fabricating method of making an optical waveguide device, using the plasma vapor deposition apparatus, at a predetermined high-frequency power value, and the lower clad layer, the core layer and the cap layer refractive index is equal to the lower clad layer after sequentially formed on the substrate bets, the core by removing a predetermined portion of the cap layer and the core layer has said the upper cap layer, the light is propagated trapped forming a region, wherein the substrate provided with the core region having a cap layer on top, the plasma vapor deposition apparatus using in forming the upper cladding layer, the high-frequency power value of the predetermined high-frequency power gradually increasing from equal to the value value, a method for manufacturing the optical waveguide device, characterized in that.
  2. 【請求項2】 プラズマ気相堆積装置を用いてコア領域と上部クラッド領域とを含む光導波路層を石英ガラス基板上に形成し、光導波路デバイスを作製する作製方法であって、 前記プラズマ気相堆積装置を用いて、所定の高周波電力値にて、コア層と、屈折率が前記石英ガラス基板と等しいキャップ層とを前記石英ガラス基板上に順次形成した後、 前記キャップ層及び前記コア層の所定の一部を除去することにより、上部に前記キャップ層を有しており、光が閉じ込められて伝搬される前記コア領域を形成し、 前記上部にキャップ層を有する前記コア領域を備えた前記石英ガラス基板上に、前記プラズマ気相堆積装置を用いて上部クラッド層を形成するに際して、前記高周波電力値を前記所定の高周波電力値と等しい値から漸次増加させる、 Wherein the optical waveguide layer is formed on a quartz glass substrate including a core region and an upper cladding region using a plasma vapor deposition apparatus, a manufacturing method of manufacturing an optical waveguide device, the plasma vapor using a deposition device, in a predetermined high-frequency power value, and the core layer after the refractive index is successively formed and the quartz glass substrate equal capping layer on the quartz glass substrate of the cap layer and the core layer by removing a portion of the predetermined has said the upper cap layer, forming the core region where light is propagated trapped, with the core region having a cap layer on the top the on a quartz glass substrate, in forming the upper cladding layer by using the plasma vapor deposition apparatus, gradually increasing the high frequency power value from a value equal to the predetermined high-frequency power value, ことを特徴とする光導波路デバイスの作製方法。 Manufacturing method of the optical waveguide device, characterized in that.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106937B2 (en) 2004-01-27 2006-09-12 Tdk Corporation Optical waveguide and method of fabricating the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06258538A (en) * 1993-03-05 1994-09-16 Hitachi Cable Ltd Optical waveguide and production thereof
JPH07161703A (en) * 1993-12-03 1995-06-23 Ricoh Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH098014A (en) * 1995-06-15 1997-01-10 Yasuhiro Horiike Method and apparatus for forming plasma film
JPH09134910A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma chemical vapor deposition device, and manufacture of semiconductor device
JPH09167766A (en) * 1995-12-15 1997-06-24 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma chemical vapor growth device and manufacturing method of semiconductor device
JPH11231160A (en) * 1998-02-17 1999-08-27 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of optical waveguide
JPH11248951A (en) * 1998-02-27 1999-09-17 Hitachi Cable Ltd Optical waveguide and its manufacture
JP2000075156A (en) * 1998-09-02 2000-03-14 Oki Electric Ind Co Ltd Production of quartz optical waveguide

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06258538A (en) * 1993-03-05 1994-09-16 Hitachi Cable Ltd Optical waveguide and production thereof
JPH07161703A (en) * 1993-12-03 1995-06-23 Ricoh Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH098014A (en) * 1995-06-15 1997-01-10 Yasuhiro Horiike Method and apparatus for forming plasma film
JPH09134910A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma chemical vapor deposition device, and manufacture of semiconductor device
JPH09167766A (en) * 1995-12-15 1997-06-24 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma chemical vapor growth device and manufacturing method of semiconductor device
JPH11231160A (en) * 1998-02-17 1999-08-27 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of optical waveguide
JPH11248951A (en) * 1998-02-27 1999-09-17 Hitachi Cable Ltd Optical waveguide and its manufacture
JP2000075156A (en) * 1998-09-02 2000-03-14 Oki Electric Ind Co Ltd Production of quartz optical waveguide

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106937B2 (en) 2004-01-27 2006-09-12 Tdk Corporation Optical waveguide and method of fabricating the same

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