JP2002181706A - ダイオキシン類の分析装置 - Google Patents

ダイオキシン類の分析装置

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JP2002181706A JP2000384338A JP2000384338A JP2002181706A JP 2002181706 A JP2002181706 A JP 2002181706A JP 2000384338 A JP2000384338 A JP 2000384338A JP 2000384338 A JP2000384338 A JP 2000384338A JP 2002181706 A JP2002181706 A JP 2002181706A
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Shigero Kimura
茂郎 木村
Masahiro Akiyasu
昌宏 秋保
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Abstract

(57)【要約】 【課題】短時間かつ簡便に、試料中に含まれるダイオキ
シン類の同定および定量を行うことができるダイオキシ
ン類の分析装置を提供すること。 【解決手段】ダイオキシン類の分析装置1は、レーザ光
100を発振するレーザ光源21で構成される投光部2
と、電流制御部31で構成される波長掃引手段3と、分
析に供される試料を収納する検出空間41を有する試料
セル4と、この検出空間41を減圧状態または真空状態
とするポンプ(減圧手段)5と、受光素子61で構成さ
れる受光部6と、電流制御部31および受光素子61に
接続された分析制御部7とを備えている。また、この分
析制御部7は、コンピュータ装置8に接続されている。
ダイオキシン類の分析装置1では、検出空間41を通過
した後のレーザ光100のスペクトルを検出し、このス
ペクトルより試料中に含まれるダイオキシン類の同定お
よび定量を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオキシン類の
分析装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ダイオキシン類による環境汚染が
問題となっている。このダイオキシン類とは、約300
種類にもおよぶ化合物の総称であり、これらの毒性は個
々の化合物によって大きく異なる。
【0003】したがって、ダイオキシン類の毒性を問題
とする場合には、特定の化合物を分離・定量する必要が
ある。
【0004】しかしながら、ダイオキシン類と称される
各化合物は、互いに近似した構造を有しているため、特
定の化合物を選択的に分離・定量することが極めて困難
である。
【0005】また、従来、ダイオキシン類の定量は、厚
生省発行のマニュアルに従って行われている。しかしな
がら、この方法では、分析結果を得るのに約3週間もの
時間を必要とし、特にリアルタイムに分析結果を必要と
する場合には対応できないという問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、短時
間かつ簡便に、試料中に含まれるダイオキシン類の同定
および定量を行うことができるダイオキシン類の分析装
置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(9)の本発明により達成される。
【0008】(1) レーザ光を発振するレーザ光源を
有する投光部と、前記レーザ光源の発振波長を掃引する
波長掃引手段と、分析に供される試料を収納する検出空
間を有する試料セルと、前記検出空間内を通過した後の
レーザ光を受光する受光部と、前記受光部で受光された
レーザ光のスペクトルを検出する検出手段とを有し、得
られた前記スペクトルより、前記試料中に含まれるダイ
オキシン類の同定および定量を行うことを特徴とするダ
イオキシン類の分析装置。
【0009】(2) 前記レーザ光源として半導体レー
ザが用いられる上記(1)に記載のダイオキシン類の分
析装置。
【0010】(3) 前記スペクトルは、光吸収スペク
トルである上記(1)または(2)に記載のダイオキシ
ン類の分析装置。
【0011】(4) 前記波長掃引手段は、前記レーザ
光源の駆動電流を制御することにより、発振波長を掃引
する上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のダイオ
キシン類の分析装置。
【0012】(5) 前記波長掃引手段は、前記レーザ
光源の温度を制御することにより、発振波長を掃引する
上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のダイオキシ
ン類の分析装置。
【0013】(6) 前記検出空間を、減圧状態または
真空状態とする減圧手段を有する上記(1)ないし
(5)のいずれかに記載のダイオキシン類の分析装置。
【0014】(7) 前記試料は、該試料を分子ジェッ
トとする超音速分子ジェット法により前記検出空間に導
入される上記(1)ないし(6)のいずれかに記載のダ
イオキシン類の分析装置。
【0015】(8) 前記レーザ光は、前記試料セル内
で少なくとも1回反射されるよう構成されている上記
(1)ないし(7)のいずれかに記載のダイオキシン類
の分析装置。
【0016】(9) 前記試料は、気体である上記
(1)ないし(8)のいずれかに記載のダイオキシン類
の分析装置。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明のダイオキシン類の
分析装置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細
に説明する。
【0018】<第1実施形態>図1は、本発明のダイオ
キシン類の分析装置の第1実施形態の構成を示す概略図
である。
【0019】図1に示すダイオキシン類の分析装置1
は、投光部2と、波長掃引手段3と、試料セル(測定セ
ル)4と、ポンプ(減圧手段)5と、受光部6と、分析
制御部7とを備えている。また、分析制御部7は、コン
ピュータ装置8に接続されている。以下、各構成要素に
ついて説明する。
【0020】投光部2は、レーザ光源21で構成され、
このレーザ光源21は、レーザ光100を発振する。
【0021】レーザ光源21としては、波長可変可能な
ものであれば、特に限定されず、例えば、半導体レー
ザ、色素レーザ、ガスレーザ、固体レーザ、色中心レー
ザ等を用いることができるが、高精度で波長選択が可能
であることや、小型かつ安価に入手可能であることか
ら、好ましくは半導体レーザが用いられる。
【0022】この半導体レーザは、例えば、AlGaAs系材
料、InGaAsP系材料、Pb塩系材料等で構成することがで
きる。
【0023】このようなレーザ光源21には、波長掃引
手段3として電流制御部31が電気的に接続されてい
る。この電流制御部31は、レーザ光源21の駆動電流
を制御(以下、単に「電流制御」という。)することに
より、その発振波長を掃引するように構成されている。
【0024】これにより、レーザ光100の波長を、例
えば、好ましくは10nm〜40μm程度、より好まし
くは100nm〜3μm程度、さらに好ましくは300
〜315nm程度の範囲で変化させる。
【0025】電流制御によれば、レーザ光源21の発振
波長を、比較的速やかに変化させることができるので、
分析時間の短縮に有利である。
【0026】このように、波長掃引されたレーザ光10
0は、図示しないコリメータレンズにより平行光束とさ
れ、試料セル4に導入される。
【0027】この試料セル4は、その内部に試料を収納
する検出空間41が形成され、その壁部には、レーザ光
100が透過可能な材料で構成された一対の窓(図示せ
ず)が対向配置されている。
【0028】したがって、本実施形態では、レーザ光1
00は、試料セル4の内部(検出空間41)を横切るよ
うに(図1中左から右へ)通過する。
【0029】この検出空間41には、ガス状(気体)の
試料が導入される。したがって、分析に供される試料と
しては、気体、固体、液体のいかなる形態(状態)のも
のであってもよいが、最初から気体であるのが好まし
い。
【0030】仮に、固体または液体の試料を分析しよう
とした場合、検出空間41への導入に先立って、試料を
気化させる前処理工程が必要となるが、これに対して、
最初から気体の試料を用いる場合には、このような前処
理工程を省略することができるので、分析時間の短縮や
分析コストの低減にとって有利である。
【0031】また、試料セル4には、このような試料を
検出空間41に導入するための導入ライン(導入手段)
42と、試料を検出空間41から排出するための排気ラ
イン(排気手段)43とが設けられている。
【0032】導入ライン42の途中には、開閉弁421
が設けられ、その端部は試料の供給源(図示せず)に接
続されている。
【0033】一方、排気ライン43の途中には、開閉弁
431が設けられ、その端部はポンプ(減圧手段)5に
接続されている。
【0034】ポンプ5は、検出空間41から試料を排出
するだけでなく、検出空間41(試料セル4内)を減圧
状態または真空状態とするために用いられる。
【0035】すなわち、試料の検出空間41への導入に
際して、検出空間41は、減圧状態または真空状態に保
持されているのが好ましく、真空状態(例えば、10
−8〜10−6Torr程度)に保持されているのがより好
ましい。前記状態の検出空間41に試料を導入すること
により、後述するスペクトルにおいて、より鋭いピーク
を検出することができる。すなわち、スペクトル分解能
をより向上させることができる。
【0036】このようなスペクトル分解能を向上させる
観点からは、試料を検出空間41に超音速分子ジェット
法により導入するのが好ましい。この超音速分子ジェッ
ト法とは、例えば導入ライン42の試料セル4側の端部
に分子ジェットを生成するためのパルスバルブのような
バルブを設けて、このバルブから試料を真空状態に保持
されている検出空間41に分子ジェットとして噴出する
方法である。
【0037】また、この場合、試料中には、例えばヘリ
ウムやアルゴン等の希ガスを混合するようにしてもよ
い。これにより、スペクトル分解能をさらに向上させる
ことができる。
【0038】試料セル4を介して、投光部2の反対側に
は、受光部6が設けられている。受光部6は、受光素子
(フォトダイオード)61で構成されている。
【0039】この受光素子61は、前記検出空間41を
通過した後のレーザ光100を受光して、光電変換す
る。これにより、受光素子61は、受光光量に応じた信
号を出力する。
【0040】受光素子61および前記電流制御部31
は、それぞれ、分析制御部7と電気的に接続されてい
る。
【0041】この分析制御部7は、電流制御部31を介
してレーザ光源21を制御して、レーザ光源21の発振
波長を掃引する。
【0042】また、この分析制御部7は、受光素子61
からの信号に基づいてスペクトルを検出する検出手段と
しても機能する。
【0043】このスペクトルとしては、特に限定されな
いが、例えば、光吸収スペクトル、光透過スペクトル、
発光(蛍光、りん光等)スペクトル、拡散反射スペクト
ル、散乱スペクトル等が挙げられるが、この中でも、光
吸収スペクトルであるのが好ましい。ダイオキシン類の
光吸収スペクトル測定(検出)は、容易である。しか
も、光吸収スペクトルの変化は、一般に鋭敏に検出する
ことができる。さらには、光吸収スペクトルを検出して
ダイオキシン類の分析(同定および定量)を行うように
すると、分析装置の構成をより簡単なものとすることが
でき、小型化に寄与する。
【0044】このようなスペクトルのデータは、分析制
御部7と電気的に接続されたコンピュータ装置8に送信
される。このコンピュータ装置8では、スペクトルのデ
ータが集計され、また、必要に応じてデータの処理が行
われる。
【0045】このようにして得られたスペクトルを解析
することによりダイオキシン類の分析を行う。
【0046】例えば、光吸収スペクトルを測定(検出)
する場合には、吸収されたレーザ光100の波長から試
料に含まれるダイオキシン類の同定を行い、レーザ光1
00の吸収量からダイオキシン類の定量を行う。
【0047】より具体的には、例えば、次のようにし
て、試料中に含まれるダイオキシン類の同定および定量
が行なわれる。
【0048】ここでは、ダイオキシン類と称される(に
分類される)化合物のうち、2種の化合物(2,3-dichlo
rodibenzodioxin、2,8-dichlorodibenzodioxin)の光吸
収スペクトルの一例を挙げる。
【0049】図2および図3は、それぞれ、2,3-dichlo
rodibenzodioxin(2,3−DCDD)および2,8-dichl
orodibenzodioxin(2,8−DCDD)について、レー
ザ光100を304.8〜305.2nmの範囲で波長
掃引して得られた光吸収スペクトルを示す図であり、こ
のうち、図2は、2,3−DCDDの光吸収スペクトル
を示し、図3は、2,8−DCDDの光吸収スペクトル
を示す。
【0050】これらの図に示すように、2,3−DCD
Dは、304.9nmおよび305.1nm付近の波長
のレーザ光100を選択的に吸収している。一方、2,
8−DCDDは、305.0nm付近の波長のレーザ光
100を選択的に吸収している。
【0051】換言すれば、2,3−DCDDの光吸収ス
ペクトルでは、304.9nmおよび305.1nm付
近に特徴的なピークを有している。一方、2,8−DC
DDの光吸収スペクトルでは、305.0nm付近に特
徴的なピークを有している。
【0052】このようなピークの特徴は、ダイオキシン
類に分類される各化合物で異なっている。すなわち、約
300種にもおよぶダイオキシン類は、全ての化合物が
それぞれ特徴的なピークを有している。
【0053】したがって、試料の光吸収スペクトルを解
析して、前述したような化合物に特徴的なピークを検出
することにより、試料中に含まれるダイオキシン類を同
定することが可能である。
【0054】また、このような特徴的なピークの面積、
すなわち、レーザ光100の吸収量を各化合物の量に変
換することにより定量することができる。この変換は、
予め、既知量のダイオキシン類の各化合物において、そ
れぞれ、得られる特徴的なピークの面積を測定して、こ
れらの量とピークの面積との相関関係を示す検量線を作
成しておき、試料の光吸収スペクトルから検出される特
徴的なピークの面積の実測値を検量線に照合する(当て
はめる)ことにより行うことができる。
【0055】<第2実施形態>図4は、本発明のダイオ
キシン類の分析装置の第2実施形態の構成を示す概略図
である。以下、図4に示すダイオキシン類の分析装置に
ついて、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、
同様の事項については、その説明を省略する。
【0056】第2実施形態のダイオキシン類の分析装置
では、波長掃引手段3の構成が異なること以外は、前記
第1実施形態と同様である。
【0057】すなわち、波長掃引手段3として、温度制
御部32が設けられている。この温度制御部32は、レ
ーザ光源21に設けられたペルチェ素子(図示せず)に
よって、例えば210〜370K程度の範囲で、レーザ
光源21の温度を制御(以下、単に「温度制御」とい
う。)することにより、その発振波長を掃引するように
構成されている。
【0058】これにより、レーザ光100の波長を、前
記第1実施形態と同様の範囲で変化させる。
【0059】温度制御によれば、レーザ光源21の発振
波長を、微妙に変化させること、すなわち、レーザ光1
00の波長を微調整することができるので、分析精度を
より向上させることができる。
【0060】このような構成とすることによっても、前
記第1実施形態と同様の作用・効果を生じる。
【0061】<第3実施形態>図5は、本発明のダイオ
キシン類の分析装置の第3実施形態の構成を示す概略図
である。以下、図5に示すダイオキシン類の分析装置に
ついて、前記第1および第2実施形態との相違点を中心
に説明し、同様の事項については、その説明を省略す
る。なお、図5では、投光部2、試料セル4および受光
部6のみ示し、その他の構成要素は省略した。
【0062】第3実施形態のダイオキシン類の分析装置
では、試料セル4の構成および受光部5の設置位置が異
なる以外は、前記第1および第2実施形態と同様であ
る。
【0063】すなわち、試料セル4(検出空間41)内
には、反射板(反射手段)44が設置されており、レー
ザ光100は、試料セル4内で1回反射させるように構
成されている。
【0064】これにより、レーザ光100の光路長を増
大させ、試料との接触時間(距離)を長くすることがで
きるので、分析精度をより向上することができる。
【0065】なお、試料セル4内には、さらに複数の反
射板を設置して、レーザ光100を複数回反射させるよ
うな構成とすることもできる。
【0066】また、このようにレーザ光100を試料セ
ル4内で1回反射させるような構成としたことにより、
本実施形態では、受光部6を構成する受光素子61は、
試料セル4に対してレーザ光源21と同じ側に設置され
ている。
【0067】このような構成とすることによっても、前
記第1および第2実施形態と同様の作用・効果を生じ
る。
【0068】なお、このような構成は、前記第1および
第2実施形態のダイオキシン類の分析装置に適用するこ
とができる。
【0069】以上、本発明のダイオキシン類の分析装置
を図示の各実施形態について説明したが、本発明はこれ
らに限定されるものではなく、ダイオキシン類の分析装
置を構成する各部は、同様の機能を発揮する任意の構成
のものと置換することができる。
【0070】また、本発明のダイオキシン類の分析装置
は、前記第1〜第3実施形態のうちの、任意の2以上の
構成を組み合わせたものであってもよい。
【0071】例えば、波長掃引手段は、電流制御部およ
び温度制御部の双方で構成することもできる。
【0072】なお、レーザ光の光路の途中には、例え
ば、レンズ、光学フィルター、偏光板、移相差板、プリ
ズム等の各種光学素子が設置されていてもよい。
【0073】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、簡
単な構成で、短時間かつ簡便に、ダイオキシン類の同定
および定量を行うことができる。
【0074】また、波長掃引手段を適宜選択することに
より、分析時間を短縮したり、分析精度をより向上させ
たりすることができる。
【0075】このようなことから、本発明のダイオキシ
ン類の分析装置は、特にリアルタイムに分析結果を必要
とする場合等に用いるのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のダイオキシン類の分析装置の第1実施
形態の構成を示す概略図である。
【図2】2,3-dichlorodibenzodioxin(2,3−DCD
D)の光吸収スペクトルを示す図である。
【図3】2,8-dichlorodibenzodioxin(2,8−DCD
D)の光吸収スペクトルを示す図である。
【図4】本発明のダイオキシン類の分析装置の第2実施
形態の構成を示す概略図である。
【図5】本発明のダイオキシン類の分析装置の第3実施
形態の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
1 ダイオキシン類の分析装置 2 投光部 21 レーザ光源 3 波長掃引手段 31 電流制御部 32 温度制御部 4 試料セル 41 検出空間 42 導入ライン 421 開閉弁 43 排出ライン 431 開閉弁 44 反射板 5 ポンプ 6 受光部 61 受光素子 7 分析制御部 8 コンピュータ装置 100 レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G057 AA01 AB04 AB06 AC03 BA01 GA01 2G059 AA01 BB01 CC12 DD16 EE01 EE12 GG01 GG09 HH01 HH02 HH03 HH06 JJ11 KK01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を発振するレーザ光源を有する
    投光部と、 前記レーザ光源の発振波長を掃引する波長掃引手段と、 分析に供される試料を収納する検出空間を有する試料セ
    ルと、 前記検出空間内を通過した後のレーザ光を受光する受光
    部と、 前記受光部で受光されたレーザ光のスペクトルを検出す
    る検出手段とを有し、 得られた前記スペクトルより、前記試料中に含まれるダ
    イオキシン類の同定および定量を行うことを特徴とする
    ダイオキシン類の分析装置。
  2. 【請求項2】 前記レーザ光源として半導体レーザが用
    いられる請求項1に記載のダイオキシン類の分析装置。
  3. 【請求項3】 前記スペクトルは、光吸収スペクトルで
    ある請求項1または2に記載のダイオキシン類の分析装
    置。
  4. 【請求項4】 前記波長掃引手段は、前記レーザ光源の
    駆動電流を制御することにより、発振波長を掃引する請
    求項1ないし3のいずれかに記載のダイオキシン類の分
    析装置。
  5. 【請求項5】 前記波長掃引手段は、前記レーザ光源の
    温度を制御することにより、発振波長を掃引する請求項
    1ないし3のいずれかに記載のダイオキシン類の分析装
    置。
  6. 【請求項6】 前記検出空間を、減圧状態または真空状
    態とする減圧手段を有する請求項1ないし5のいずれか
    に記載のダイオキシン類の分析装置。
  7. 【請求項7】 前記試料は、該試料を分子ジェットとす
    る超音速分子ジェット法により前記検出空間に導入され
    る請求項1ないし6のいずれかに記載のダイオキシン類
    の分析装置。
  8. 【請求項8】 前記レーザ光は、前記試料セル内で少な
    くとも1回反射されるよう構成されている請求項1ない
    し7のいずれかに記載のダイオキシン類の分析装置。
  9. 【請求項9】 前記試料は、気体である請求項1ないし
    8のいずれかに記載のダイオキシン類の分析装置。
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