JP2002177759A - Vacuum treatment device - Google Patents

Vacuum treatment device

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JP2002177759A
JP2002177759A JP2000378029A JP2000378029A JP2002177759A JP 2002177759 A JP2002177759 A JP 2002177759A JP 2000378029 A JP2000378029 A JP 2000378029A JP 2000378029 A JP2000378029 A JP 2000378029A JP 2002177759 A JP2002177759 A JP 2002177759A
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JP
Japan
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work
film forming
vacuum
vacuum chamber
cooling
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Application number
JP2000378029A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Hayashi
弘志 林
Shunji Amano
俊二 天野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum treatment device in which high-precision high- efficiency treatment can be carried out while the treatment work is simplified and done in a short time. SOLUTION: A cooling plate 13A is housed in housing space 8U by moving a chuck 7 grasping a work holder 8 from the first position T1 to the second position T2. After the chuck 7 releases the holder 8, a bellows 132 is drawn according to the pressure increase of a cooling medium to be introduced into the inside so that an opposite plate 131A is brought into contact with the internal wall surface 8H. Three actions of rotation, application of bias voltage and cooling are exerted on a work W attached to the holder 8 at the same time by using a cooling pipe 12A and the plate 13A.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空環境中におい
て、例えば半導体ウエハなどの被処理体(以下、単に
「ワーク」という。)に対して成膜等の各種処理を施す
ための真空処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus for performing various processes such as film formation on an object to be processed (hereinafter, simply referred to as "work") such as a semiconductor wafer in a vacuum environment. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、真空環境中において、例えば半
導体ウエハなどのワークに対して各種の処理を施すため
に、種々の構造および機能を有する真空処理装置が考案
され、使用されている。ここで、上記した「各種の処
理」とは、例えば、ワークの表面に薄膜等を形成する成
膜処理,ワークを所望の形状となるように加工するエッ
チング処理,ワークに対してイオンを注入するイオン注
入処理などである。
2. Description of the Related Art In general, vacuum processing apparatuses having various structures and functions have been devised and used for performing various processes on a workpiece such as a semiconductor wafer in a vacuum environment. Here, the above-mentioned “various processes” include, for example, a film forming process for forming a thin film or the like on the surface of the work, an etching process for processing the work into a desired shape, and ion implantation into the work. Such as ion implantation.

【0003】図18および図19は、例えば、ワークに
対して成膜処理を施すための従来の成膜装置100の構
成例を表すものである。図18は成膜装置100の外観
構成、図19は成膜装置100の内部構成をそれぞれ表
している。
FIGS. 18 and 19 show a configuration example of a conventional film forming apparatus 100 for performing a film forming process on a work, for example. FIG. 18 illustrates an external configuration of the film forming apparatus 100, and FIG. 19 illustrates an internal configuration of the film forming apparatus 100.

【0004】真空室101の一面には、例えば、同一円
周上における複数の位置(処理位置A,B,C,D)に
対応して、イオンを放出して成膜処理を行うための複数
(例えば4つ)のイオンソース102(102A,10
2B,102C,102D)が配設されている。これら
の各イオンソースは、例えば、互いに異なる材料よりな
る薄膜を形成可能になっている。また、真空室101の
他の一面には排気管103が配設されており、この排気
管103は真空ポンプ等と接続されている。真空室10
1は、真空室扉104により開閉可能になっている。
[0004] On one surface of the vacuum chamber 101, for example, a plurality of positions for emitting ions to perform a film forming process corresponding to a plurality of positions (processing positions A, B, C, D) on the same circumference. (For example, four) of ion sources 102 (102A, 10A)
2B, 102C, and 102D). Each of these ion sources can form a thin film made of a material different from each other, for example. An exhaust pipe 103 is provided on another surface of the vacuum chamber 101, and the exhaust pipe 103 is connected to a vacuum pump or the like. Vacuum chamber 10
1 can be opened and closed by a vacuum chamber door 104.

【0005】真空室101の内部には、例えば、長い板
状の構造を有し、回転軸105(線P1)を中心として
回転可能なキャリア106が配設されている。このキャ
リア106には、例えば、回転軸105を挟むように複
数(例えば2つ)のワークW(W100,W200)が
装着されている。キャリア106が回転することにより
ワークWが線E1に沿って移動し、複数の処理位置のう
ちのいずれかの処理位置に位置するようになっている。
なお、図19では、例えば、ワークW100が処理位置
Aに位置し、ワークW200が処理位置Cに位置する場
合を示している。
[0005] Inside the vacuum chamber 101, a carrier 106 having, for example, a long plate-like structure and being rotatable about a rotation shaft 105 (line P1) is provided. For example, a plurality of (for example, two) works W (W100, W200) are mounted on the carrier 106 so as to sandwich the rotation shaft 105. By rotating the carrier 106, the workpiece W moves along the line E1, and is located at one of a plurality of processing positions.
Note that FIG. 19 shows a case where the work W100 is located at the processing position A and the work W200 is located at the processing position C, for example.

【0006】この成膜装置100では、例えば、まず、
作業者によりキャリア106にワークW100が装着さ
れたのち、真空ポンプを稼働させて真空室101の内部
に満たされていたガス(例えば空気等)を排気管103
を通じて排気し、真空室101の内部を真空状態とす
る。続いて、キャリア106を回転させることによりワ
ークW100を所定の処理位置(例えば処理位置A)ま
で移動させる。続いて、ワークW100の位置(処理位
置A)に対応するイオンソース102(例えばイオンソ
ース102A)を稼動させ、ワークW100に対して成
膜処理を施す。これにより、ワークW100の表面に薄
膜が形成される。
In the film forming apparatus 100, for example, first,
After the work W100 is mounted on the carrier 106 by the operator, the vacuum pump is operated to remove the gas (for example, air) filled in the vacuum chamber 101 into the exhaust pipe 103.
And the inside of the vacuum chamber 101 is evacuated. Subsequently, the work W100 is moved to a predetermined processing position (for example, the processing position A) by rotating the carrier 106. Subsequently, the ion source 102 (for example, the ion source 102A) corresponding to the position of the work W100 (processing position A) is operated to perform a film forming process on the work W100. Thereby, a thin film is formed on the surface of the work W100.

【0007】なお、この成膜装置100の装置構成を利
用すれば、成膜処理を行うイオンソース102の替わり
に、ワークWを所望の形状となるようにエッチングする
ためのイオンソースを搭載させることによりエッチング
装置を構築することが可能であると共に、ワークWに対
してイオンを注入するためのイオンソースを搭載させる
ことによりイオン注入装置を構築することも可能であ
る。
[0007] If the apparatus configuration of the film forming apparatus 100 is used, an ion source for etching the work W into a desired shape is mounted instead of the ion source 102 for performing the film forming process. In addition to this, it is possible to construct an etching apparatus, and it is also possible to construct an ion implantation apparatus by mounting an ion source for implanting ions into the work W.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば、ワ
ークWに対する成膜処理を高精度かつ高効率に行うため
には、真空室101の内部を真空状態にすると共に、成
膜処理時にワークWに対して以下のような処理条件を設
定する必要がある。(1)成膜むら(厚みむら)を抑制
するためにワークWを回転させる。(2)イオンソース
102から放出されたイオンをワークWまで効率よく導
くために、ワークWに対してバイアス電圧(例えば負の
直流電圧)を印加する。(3)ワークWの温度上昇を抑
制するために、ワークWを冷却する。
By the way, for example, in order to perform the film forming process on the work W with high accuracy and high efficiency, the inside of the vacuum chamber 101 is evacuated and the work W is formed during the film forming process. On the other hand, it is necessary to set the following processing conditions. (1) The work W is rotated in order to suppress film formation unevenness (thickness unevenness). (2) A bias voltage (for example, a negative DC voltage) is applied to the work W in order to efficiently guide the ions emitted from the ion source 102 to the work W. (3) The work W is cooled in order to suppress the temperature rise of the work W.

【0009】しかしながら、従来の成膜装置100は、
上記の(1)〜(3)のうちの一部の処理条件を設定す
る機能のみしか有していない。すなわち、例えば、ワー
クWに対してバイアス電圧を印加する機能は備えるが、
ワークWを冷却したり回転させる機能は備えていないも
のなどである。これは、一般に、(1)〜(3)の全て
の機能を一台の成膜装置100に備えさせようとする
と、成膜装置100の装置構成および動作機構等が複雑
化してしまい、成膜装置100の製造コストが高くなる
と考えられていたからである。このため、従来、(1)
〜(3)の全ての処理条件を設定するためには、例え
ば、(1)〜(3)の機能をそれぞれ別個に有する複数
の成膜装置を使用しなければならず、成膜作業が煩雑化
かつ長期間化するという問題があった。
However, the conventional film forming apparatus 100
It has only a function of setting some processing conditions among the above (1) to (3). That is, for example, although a function of applying a bias voltage to the work W is provided,
For example, those not having the function of cooling or rotating the work W are provided. This is because, generally, when all the functions (1) to (3) are to be provided in a single film forming apparatus 100, the apparatus configuration and the operation mechanism of the film forming apparatus 100 become complicated, and the film forming apparatus 100 is formed. This is because it was considered that the manufacturing cost of the device 100 would increase. For this reason, conventionally, (1)
In order to set all the processing conditions of (1) to (3), for example, a plurality of film forming apparatuses each having the functions of (1) to (3) must be used separately, which makes the film forming operation complicated. There is a problem that it becomes longer and longer.

【0010】なお、このような問題は、成膜装置100
の場合に限らず、上記したエッチング装置やイオン注入
装置の場合においても同様に生じるものである。
[0010] Such a problem occurs in the film forming apparatus 100.
Not only in the case of the above, but also in the case of the above-described etching apparatus or ion implantation apparatus, the same occurs.

【0011】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、処理作業を簡略化かつ短期間化しつ
つ、高精度かつ高効率な処理を実行可能な真空処理装置
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of performing highly accurate and highly efficient processing while simplifying and shortening the processing operation. It is in.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による真空処理装
置は、真空室の同一円周上における複数の処理位置に対
応して複数の処理部が設けられたものであり、同一円の
中心に配設され、長手方向に移動可能な移動軸と、移動
軸を中心として回転可能なキャリア部材と、複数の処理
位置に対応して配設され、被処理体に対して回転、バイ
アス電圧の印加および温度調整のうちの少なくとも1の
作用を施す作用部材と、被処理体を保持し、キャリア部
材の回転により複数の処理位置のうちのいずれかの処理
位置に移動可能であると共に、移動軸の移動により作用
部材から遠い側の第1の位置から近い側の第2の位置ま
で移動可能な保持部材と、キャリア部材と連結され、保
持部材を着脱可能な着脱部材とを備えるようにしたもの
である。
A vacuum processing apparatus according to the present invention is provided with a plurality of processing units corresponding to a plurality of processing positions on the same circumference of a vacuum chamber. A moving shaft that is provided and is movable in the longitudinal direction, a carrier member that is rotatable about the moving shaft, and a rotating member that is provided corresponding to a plurality of processing positions and rotates and applies a bias voltage to the object to be processed. And an operation member for performing at least one operation of temperature adjustment, and an object to be processed, which can be moved to any one of a plurality of processing positions by rotation of the carrier member, and A holding member movable from a first position farther from the action member to a second position closer to the action member by movement, and a detachable member connected to the carrier member and capable of detaching the holding member. is there.

【0013】本発明による真空処理装置では、まず、保
持部材が着脱部材に掴まれた状態において、キャリア部
材が回転軸を中心として回転することにより、保持部材
により保持された被処理体が真空室の同一円周上におけ
る複数の処理位置のうちのいずれかの所定の処理位置ま
で移動する。続いて、移動軸が長手方向に移動すること
により、保持部材を掴んだ着脱部材が作用部材から遠い
側の第1の位置から近い側の第2の位置まで移動する。
続いて、着脱部材が保持部材を放すことにより、作用部
材から被処理体に対して回転、バイアス電圧の印加およ
び温度調整のうちの少なくとも1の作用を施すことが可
能となる。
In the vacuum processing apparatus according to the present invention, first, in a state where the holding member is gripped by the detachable member, the carrier held by the holding member is rotated by the carrier member rotating about the rotation axis, so that the object to be processed held by the holding member is vacuum chamber. Is moved to any one of a plurality of processing positions on the same circumference. Subsequently, as the moving shaft moves in the longitudinal direction, the detachable member gripping the holding member moves from the first position farther from the operation member to the second position closer to the action member.
Subsequently, when the attaching / detaching member releases the holding member, it becomes possible to perform at least one of the rotation, the application of the bias voltage, and the temperature adjustment from the operation member to the object.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図1〜図3は、本発明の一実施の形態に係
る「真空処理装置」としての成膜装置10の概略構成を
表すものである。図1は成膜装置10の外観構成、図2
および図3は成膜装置10の内部構成をそれぞれ表して
いる。なお、説明の都合上、図2では、真空室1のう
ち、イオンソース2が配設された側を部分的に省略し、
図3では、図2に示した状態からさらにキャリア6等を
省略している。以下の説明では、特に、真空室1のう
ち、イオンソース2が配設された側を「前側(または前
方)」と表記すると共に、それと反対側を「後側(また
は後方)」と表記するものとする。
FIGS. 1 to 3 show a schematic configuration of a film forming apparatus 10 as a "vacuum processing apparatus" according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows an external configuration of a film forming apparatus 10 and FIG.
3 and FIG. 3 show the internal configuration of the film forming apparatus 10, respectively. For convenience of explanation, in FIG. 2, the side of the vacuum chamber 1 where the ion source 2 is provided is partially omitted,
3, the carrier 6 and the like are further omitted from the state shown in FIG. In the following description, in particular, the side of the vacuum chamber 1 where the ion source 2 is provided is referred to as “front (or front)”, and the opposite side is referred to as “rear (or rear)”. Shall be.

【0016】真空室1は、例えば、鉄,アルミ,ステン
レスなどの金属により形成され、直方体状の構造を有す
るものである(図1参照)。この真空室1は、例えば、
真空室扉4により開閉可能になっている。真空室1の前
側の面には、例えば、カソード材料をイオン化し、生成
したイオンを放出して成膜処理を行うための複数(例え
ば4つ)のイオンソース2(2A,2B,2C,2D)
が配設されている。各イオンソース2は、同一円周上に
おける複数(例えば4つ)の処理位置(処理位置A,
B,C,D)に対応するように位置し、例えば、互いに
異なる材料よりなる薄膜を形成可能になっている。真空
室1の下側の面には、排気管3が設けられており、この
排気管3は後述する減圧装置66(図14参照)と接続
されている。ここで、イオンソース2が本発明における
「処理部」の一具体例に対応する。
The vacuum chamber 1 is made of, for example, a metal such as iron, aluminum, and stainless steel, and has a rectangular parallelepiped structure (see FIG. 1). This vacuum chamber 1 is, for example,
It can be opened and closed by a vacuum chamber door 4. On the front surface of the vacuum chamber 1, for example, a plurality of (for example, four) ion sources 2 (2A, 2B, 2C, 2D) for ionizing a cathode material and releasing generated ions to perform a film forming process. )
Are arranged. Each ion source 2 has a plurality of (for example, four) processing positions (processing positions A,
B, C, D), for example, so that thin films made of different materials can be formed. An exhaust pipe 3 is provided on the lower surface of the vacuum chamber 1, and the exhaust pipe 3 is connected to a pressure reducing device 66 (see FIG. 14) described later. Here, the ion source 2 corresponds to a specific example of the “processing unit” in the present invention.

【0017】真空室1の内部には、真空室1を貫通して
回転軸5が導入されている(図2参照)。この回転軸5
のうち、真空室1の内部側の端部は、例えば長い板状の
構造を有するキャリア6の一端部と接続されており、一
方、外部側の端部は後述する駆動装置A62(図14参
照)と接続されている。駆動装置A62により、回転軸
5は線P2に沿って長手方向(図中の矢印Y1の方向)
に移動可能になっており、キャリア6は回転軸5(線P
2)を中心として回転可能になっている。回転軸5およ
びキャリア6は、例えば、鉄,アルミ,ステンレスなど
の金属により形成されている。ここで、回転軸5が本発
明における「移動軸」の一具体例に対応する。
A rotary shaft 5 is introduced into the vacuum chamber 1 through the vacuum chamber 1 (see FIG. 2). This rotating shaft 5
Of these, an inner end of the vacuum chamber 1 is connected to one end of a carrier 6 having, for example, a long plate-like structure, while an outer end is connected to a driving device A62 described later (see FIG. 14). ) And connected. By the driving device A62, the rotating shaft 5 is moved in the longitudinal direction along the line P2 (the direction of the arrow Y1 in the drawing)
, And the carrier 6 is rotated by the rotation shaft 5 (line P
It is rotatable around 2). The rotating shaft 5 and the carrier 6 are formed of a metal such as iron, aluminum, and stainless steel. Here, the rotating shaft 5 corresponds to a specific example of “moving shaft” in the present invention.

【0018】キャリア6のうち、回転軸5と接続されて
いる一端部と反対側の端部にはチャック7が接続されて
おり、このチャック7によりワークホルダ8が保持され
ている。チャック7は、後述する冷却板13(図3参
照)にワークホルダ8を着脱(着装,脱装)させること
が可能な機構を有するものであり、例えば、ステンレ
ス,鉄,アルミ,銅などの金属により形成されている。
ワークホルダ8は、ワークW(図2では図示せず,図4
参照)を装着させるためのものであり、例えば、鉄,ス
テンレスなどの金属により形成されている。チャック
7,ワークホルダ8の構造およびチャック7による冷却
板13に対するワークホルダ8の着脱機構については後
述する。ここで、チャック7が本発明における「着脱部
材」の一具体例に対応し、ワークホルダ8が本発明にお
ける「保持部材」の一具体例に対応する。
A chuck 7 is connected to one end of the carrier 6 opposite to one end connected to the rotating shaft 5, and a work holder 8 is held by the chuck 7. The chuck 7 has a mechanism that allows the work holder 8 to be attached to and detached from (attached to and detached from) the cooling plate 13 (see FIG. 3) described later. For example, a metal such as stainless steel, iron, aluminum, or copper is used. Is formed.
The work holder 8 is provided with a work W (not shown in FIG.
), And is made of, for example, a metal such as iron or stainless steel. The structure of the chuck 7 and the work holder 8 and the mechanism for attaching and detaching the work holder 8 to and from the cooling plate 13 by the chuck 7 will be described later. Here, the chuck 7 corresponds to a specific example of the “detachable member” in the present invention, and the work holder 8 corresponds to a specific example of the “holding member” in the present invention.

【0019】真空室1の後側の面には、各処理位置に対
応して複数(例えば4つ)の導入ポート11が設けられ
ており、各導入ポート11を通じて真空室1の内部に複
数(例えば4つ)の冷却パイプ12(12A,12B,
12C,12D)が導入されている(図3参照)。冷却
パイプ12(12A〜12D)のうち、真空室1の内部
側の端部は冷却板13(13A,13B,13C,13
D)と接続されている。この冷却板13は、ワークホル
ダ8と接触することにより、ワークホルダ8に装着され
たワークW(図4参照)に対して回転,バイアス電圧の
印加,温度調整の作用を施すものである。冷却板13の
構造については後述する。冷却パイプ12および冷却板
13のそれぞれの中心は互いに一致している。一方、冷
却パイプ12のうち、真空室1の外部側の端部は、後述
する駆動装置B63、バイアス電圧印加装置64および
温度調整装置65(図14参照)と接続されている。駆
動装置B63により、冷却板13が冷却パイプ12を中
心として回転可能になっている。冷却パイプ12および
冷却板13は、例えば、鉄,銅,アルミ,ステンレスな
どの金属により形成されている。なお、導入ポート11
のうち、冷却パイプ12の周囲の隙間には、この隙間部
分を封止すると共に冷却パイプ12と真空室1との間を
電気的に分離させるための絶縁封止材が埋め込まれてい
る。ここで、冷却板13が本発明における「作用部材」
の一具体例に対応する。
A plurality of (for example, four) introduction ports 11 are provided on the rear surface of the vacuum chamber 1 corresponding to the respective processing positions. For example, four cooling pipes 12 (12A, 12B,
12C, 12D) are introduced (see FIG. 3). Among the cooling pipes 12 (12A to 12D), the ends on the inner side of the vacuum chamber 1 are cooling plates 13 (13A, 13B, 13C, 13C).
D). The cooling plate 13 is adapted to rotate, apply a bias voltage, and adjust the temperature of the work W (see FIG. 4) mounted on the work holder 8 by coming into contact with the work holder 8. The structure of the cooling plate 13 will be described later. The centers of the cooling pipe 12 and the cooling plate 13 coincide with each other. On the other hand, an end of the cooling pipe 12 on the outer side of the vacuum chamber 1 is connected to a driving device B63, a bias voltage applying device 64, and a temperature adjusting device 65 (see FIG. 14) described later. The cooling plate 13 is rotatable around the cooling pipe 12 by the driving device B63. The cooling pipe 12 and the cooling plate 13 are formed of, for example, a metal such as iron, copper, aluminum, and stainless steel. In addition, introduction port 11
Among them, an insulating sealing material for sealing the gap and electrically isolating the cooling pipe 12 from the vacuum chamber 1 is embedded in a gap around the cooling pipe 12. Here, the cooling plate 13 is an “acting member” in the present invention.
Corresponds to one specific example.

【0020】次に、図2および図4を参照して、チャッ
ク7,ワークホルダ8,冷却板13Aの詳細な構造につ
いて説明する。図4は、チャック7,ワークホルダ8,
冷却板13A等の断面構成を表すものである。なお、図
4では、説明の便宜上、チャック7,ワークホルダ8,
冷却板13A等が互いに離間した状態を示している。冷
却板13B〜14Dは、例えば、冷却板13Aと同様の
構造を有するものである。
Next, the detailed structure of the chuck 7, the work holder 8, and the cooling plate 13A will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows the chuck 7, the work holder 8,
It shows a sectional configuration of the cooling plate 13A and the like. In FIG. 4, for convenience of explanation, the chuck 7, the work holder 8,
This shows a state where the cooling plates 13A and the like are separated from each other. The cooling plates 13B to 14D have the same structure as the cooling plate 13A, for example.

【0021】チャック7は、例えば、キャリア6の一端
部と連結された円盤状の支持板71と、支持板71にお
けるキャリア6と反対側の面の端部近傍に配設された複
数(例えば4つ)のレール72と、レール72に嵌め込
まれた複数(例えば4つ)チャックパーツ73(73
A,73B,73C,73D)とを含んで構成されてい
る。4つのレール72は、例えば、隣り合う2つのレー
ル72の長手方向間のなす角度がほぼ90°をなすよう
に放射状に配設されている。各チャックパーツ73A〜
73Dは、支持板71の中心(線P3)から離れる方向
または近づく方向(図中の矢印Y2の方向)にレール7
2に沿ってスライド可能になっている。以下の説明で
は、特に、各チャックパーツ73A〜73Dが支持板7
1の中心(線P3)から離れる方向にスライドする動作
を「チャック7が開く」と呼称し、一方、近づく方向に
スライドする動作を「チャック7が閉じる」と呼称する
ものとする。チャック7がワークホルダ8に近づく側に
移動した状態において、チャック7が閉じることにより
ワークホルダ8を「掴む」ことが可能であると共に、一
方、チャック7が開くことによりワークホルダ8を「放
す」ことが可能になっている。
The chuck 7 has, for example, a disk-shaped support plate 71 connected to one end of the carrier 6 and a plurality of (for example, 4) disposed near the end of the surface of the support plate 71 opposite to the carrier 6. ), And a plurality (for example, four) of chuck parts 73 (73) fitted into the rail 72.
A, 73B, 73C, 73D). The four rails 72 are radially arranged, for example, such that the angle between the longitudinal directions of the two adjacent rails 72 is substantially 90 °. Each chuck part 73A ~
73D is a rail 7 extending away from or near the center (line P3) of the support plate 71 (in the direction of arrow Y2 in the figure).
2 can be slid. In the following description, in particular, each of the chuck parts 73A to 73D
The operation of sliding away from the center (line P3) of 1 is referred to as “chuck 7 opens”, while the operation of sliding in the approaching direction is referred to as “chuck 7 closes”. When the chuck 7 is moved to the side approaching the work holder 8, the work holder 8 can be “grabbed” by closing the chuck 7, while the work holder 8 is “released” by opening the chuck 7. It has become possible.

【0022】ワークホルダ8は、例えば、対向する一対
の面のうちの一方の面(冷却板13Aに近い側の面)が
開口され、ワークWが装着可能な他方の面(チャック7
に近い側の面)が閉口された円筒形の構造を有するもの
である。ワークホルダ8の内部には冷却板13Aを収納
するための収納空間8Uが形成されている。ワークホル
ダ8のうち、チャックパーツ73(73A〜73D)に
対応する位置には、例えば矩形状の開口形状を有する複
数(例えば4つ)の開口部8Kが設けられている。開口
部8Kには、ホルダツメ回転軸81を中心として図中の
矢印Y3の方向に回転可能なホルダツメ82が配設され
ている。ホルダツメ82は、例えば、クランク状の構造
を有するものであり、収納空間8U側に折れ曲がった一
端部(ツメ部82T)と、収納空間8Uと反対側に折れ
曲がった他端部(頭部82M)とを含んで構成されてい
る。ホルダツメ82の頭部82Mがチャックパーツ73
(73A〜73D)により押圧されていない状態では、
例えば、図示しない弾性部材(例えばバネ等)の弾性力
により、ホルダツメ82のツメ部82Tが収納空間8U
に突出するようになっている。
The work holder 8 has, for example, one of a pair of opposing surfaces (the surface closer to the cooling plate 13A) opened, and the other surface (the chuck 7) on which the work W can be mounted.
Has a closed cylindrical structure. A storage space 8U for storing the cooling plate 13A is formed inside the work holder 8. In the work holder 8, at positions corresponding to the chuck parts 73 (73 </ b> A to 73 </ b> D), for example, a plurality of (for example, four) openings 8 </ b> K having a rectangular opening shape are provided. In the opening 8K, a holder claw 82 rotatable around the holder claw rotation shaft 81 in the direction of arrow Y3 in the figure is provided. The holder claw 82 has, for example, a crank-like structure, and has one end (claw portion 82T) bent toward the storage space 8U and the other end (head 82M) bent toward the opposite side to the storage space 8U. It is comprised including. The head 82M of the holder nail 82 is the chuck part 73
In the state where it is not pressed by (73A to 73D),
For example, due to the elastic force of an elastic member (not shown) (for example, a spring or the like), the claw portion 82T of the holder claw 82 moves the storage space 8U.
It is designed to protrude.

【0023】ワークWは、例えば、金属,半導体,絶縁
性材料などにより形成され、円盤状,直方体状,立方体
状などの構造を有するものである。チャック7がワーク
ホルダ8を掴んだ状態において、ワークホルダ8に装着
されたワークWは、キャリア6が回転することにより線
E2に沿って移動し、複数の処理位置のうちのいずれか
の処理位置に位置するようになっている(図2参照)。
The work W is formed of, for example, a metal, a semiconductor, an insulating material, or the like, and has a disk-like, rectangular parallelepiped, cubic, or other structure. With the chuck 7 gripping the work holder 8, the work W mounted on the work holder 8 moves along the line E2 as the carrier 6 rotates, and any one of the plurality of processing positions is processed. (See FIG. 2).

【0024】冷却板13Aは、例えば、対向する一対の
円盤状の対向板131(131A,131B)と、対向
板131A,131B間に配設されたベローズ132と
を含んで構成されている。冷却板13Aおよび冷却パイ
プ12Aの内部には空洞領域が形成されており、例え
ば、この空洞領域に冷却媒体Bが導入されている。ベロ
ーズ132は、冷却媒体Bの圧力変化に応じて伸縮可能
になっている。すなわち、ベローズ132が延伸するこ
とにより対向板131Aが対向板131Bから離れる側
に移動し、一方、ベローズ132が収縮することにより
対向板131Aが対向板131Bに近づく側に移動可能
になっている。
The cooling plate 13A includes, for example, a pair of opposed disk-like opposed plates 131 (131A, 131B) and a bellows 132 disposed between the opposed plates 131A, 131B. A hollow area is formed inside the cooling plate 13A and the cooling pipe 12A. For example, a cooling medium B is introduced into the hollow area. The bellows 132 is capable of expanding and contracting according to a change in pressure of the cooling medium B. That is, the extension of the bellows 132 causes the opposing plate 131A to move away from the opposing plate 131B, while the contraction of the bellows 132 allows the opposing plate 131A to move toward the opposing plate 131B.

【0025】次に、図5〜図13を参照して、チャック
7による冷却板13に対するワークホルダ8の着脱機構
について説明する。なお、以下では、主に、処理位置A
に位置するワークホルダ8を冷却板13Aに着装する場
合について説明する。図5〜図13はチャック7による
冷却板13Aに対するワークホルダ8の着脱機構を説明
するものであり、図5,図7,図9および図11,図1
2は冷却板13Aに対するワークホルダ8の着装時にお
ける成膜装置10の内部構成を拡大したもの、図6,図
8,図10,図13はそれぞれ図5,図7,図9および
図11,図12に対応する断面構成を表している。
Next, a mechanism for attaching and detaching the work holder 8 to and from the cooling plate 13 by the chuck 7 will be described with reference to FIGS. In the following, the processing position A
The case where the work holder 8 located at the position (1) is mounted on the cooling plate 13A will be described. FIGS. 5 to 13 illustrate a mechanism for attaching / detaching the work holder 8 to / from the cooling plate 13A by the chuck 7, and FIGS. 5, 7, 9 and 11, and FIG.
2 is an enlarged view of the internal configuration of the film forming apparatus 10 when the work holder 8 is mounted on the cooling plate 13A, and FIGS. 6, 8, 10, and 13 are FIGS. 5, 7, 9, 9, and 11, respectively. 13 illustrates a cross-sectional configuration corresponding to FIG.

【0026】成膜処理前の状態では、図5および図6に
示したように、ワークWが装着されたワークホルダ8
は、例えば、チャック7により掴まれた状態において冷
却板13Aから離間されている。この状態において、チ
ャック7は閉じており、冷却板13Aから離れた第1の
位置T1に位置している。チャック7がワークホルダ8
を掴んだ状態では、チャックパーツ73によりホルダツ
メ82の頭部82Mが押圧され、ホルダツメ82がホル
ダツメ回転軸81を中心として図中の矢印Y3の方向に
回転することにより、ツメ部82Tが収納空間8Uから
退避している。この状態において、キャリア6は自由に
回転可能になっている。
In the state before the film forming process, as shown in FIGS. 5 and 6, the work holder 8 on which the work W is mounted is mounted.
Are separated from the cooling plate 13A in a state where they are gripped by the chuck 7, for example. In this state, the chuck 7 is closed, and is located at the first position T1 away from the cooling plate 13A. Chuck 7 is work holder 8
In this state, the head 82M of the holder claw 82 is pressed by the chuck part 73, and the holder claw 82 is rotated about the holder claw rotation shaft 81 in the direction of arrow Y3 in the drawing, so that the claw portion 82T is stored in the storage space 8U. Have been evacuated. In this state, the carrier 6 is freely rotatable.

【0027】ワークホルダ8を冷却板13Aに着装させ
る場合には、まず、図7および図8に示したように、回
転軸5が線P2に沿って長手方向(図中の矢印Y1の方
向)に移動する。これにより、ワークホルダ8を掴んだ
チャック7が冷却板13Aに近い側の第2の位置T2ま
で移動し、ワークホルダ8の収納空間8Uに冷却板13
Aが収納される。このとき、例えば、冷却板13Aの対
向板131Aは、収納空間8Uにおけるワークホルダ8
の内壁面8Hと接触していない。この状態において、キ
ャリア6は回転不能となる。
When the work holder 8 is mounted on the cooling plate 13A, first, as shown in FIGS. 7 and 8, the rotating shaft 5 is moved along the line P2 in the longitudinal direction (the direction of arrow Y1 in the drawing). Go to As a result, the chuck 7 holding the work holder 8 moves to the second position T2 on the side closer to the cooling plate 13A, and the cooling plate 13 is stored in the storage space 8U of the work holder 8.
A is stored. At this time, for example, the opposite plate 131A of the cooling plate 13A is attached to the work holder 8 in the storage space 8U.
Is not in contact with the inner wall surface 8H. In this state, the carrier 6 cannot rotate.

【0028】続いて、図9および図10に示したよう
に、チャック7が開く、すなわちチャックパーツ73
(73A,73B,73C,73D)が図中の矢印Y2
の方向にレール72に沿ってスライドすることにより、
ワークホルダ8がチャック7から放される。このとき、
チャックパーツ73による押圧状態からホルダツメ82
が解放されることにより、ホルダツメ82がホルダツメ
回転軸8を中心として図中の矢印Y3の方向に回転す
る。これにより、ホルダツメ82の頭部82Mが開口部
8Kより外側に突出すると共に、ツメ部82Tが開口部
8Kより内側(収納空間8U側)に突出し、冷却板13
Aにおける対向板131Bの背後にまわり込む。
Subsequently, as shown in FIGS. 9 and 10, the chuck 7 is opened, that is, the chuck part 73 is opened.
(73A, 73B, 73C, 73D) are arrows Y2 in the figure.
By sliding along the rail 72 in the direction of
The work holder 8 is released from the chuck 7. At this time,
From the state of being pressed by the chuck part 73, the holder claw 82
Is released, the holder claw 82 rotates about the holder claw rotation shaft 8 in the direction of arrow Y3 in the figure. As a result, the head 82M of the holder claw 82 protrudes outside the opening 8K, and the claw 82T protrudes inside (the storage space 8U side) from the opening 8K.
A wraps around the opposite plate 131B at A.

【0029】続いて、図11に示したように、数kgf
/cmの圧力を有する状態において冷却媒体B(図4
参照)が冷却パイプ12Aおよび冷却板13Aの内部に
循環されることにより、冷却媒体Bの圧力増加に応じて
ベローズ132が延伸する。これにより、対向板131
Aがワークホルダ8に近づく側に移動し、ワークホルダ
8の内壁面8Hと対向板131Aとが接触する。対向板
131Bの背後にホルダツメ82のツメ部82Tがまわ
り込んだ状態においてベローズ132が延伸するため、
冷却媒体Bの圧力に応じて冷却板13Aとワークホルダ
8の内壁面8Hとは強く密着する。これにより、チャッ
ク7による冷却板13Aに対するワークホルダ8の着装
が完了する。なお、冷却板13Aと内壁面8Hとを緊密
に密着させるために、冷却板13Aおよび内壁面8Hの
それぞれの表面は平坦であることが好ましい。
Subsequently, as shown in FIG.
/ Cm 2 at a pressure of cooling medium B (FIG. 4).
Is circulated inside the cooling pipe 12A and the cooling plate 13A, so that the bellows 132 extends in accordance with an increase in the pressure of the cooling medium B. Thereby, the opposing plate 131
A moves to the side approaching the work holder 8, and the inner wall surface 8H of the work holder 8 and the opposing plate 131A come into contact. Since the bellows 132 extends in a state where the claw portion 82T of the holder claw 82 goes around behind the opposing plate 131B,
The cooling plate 13 </ b> A and the inner wall surface 8 </ b> H of the work holder 8 come into close contact with each other according to the pressure of the cooling medium B. Thus, the attachment of the work holder 8 to the cooling plate 13A by the chuck 7 is completed. It is preferable that the surfaces of the cooling plate 13A and the inner wall surface 8H be flat in order to bring the cooling plate 13A and the inner wall surface 8H into close contact with each other.

【0030】ワークホルダ8の着装が完了したのち、図
12および図13に示したように、回転軸5が線P2に
沿って図中の矢印Y1の方向に移動する。これにより、
キャリア6が再び自由に回転可能となる。こののち、キ
ャリア6が回転し、チャック7を処理位置A以外の任意
の処理位置(例えば処理位置B)まで移動させることに
より、イオンソース2による成膜準備状態となる。
After the mounting of the work holder 8 is completed, as shown in FIGS. 12 and 13, the rotating shaft 5 moves along the line P2 in the direction of the arrow Y1 in the figure. This allows
The carrier 6 can freely rotate again. Thereafter, the carrier 6 is rotated, and the chuck 7 is moved to an arbitrary processing position (for example, the processing position B) other than the processing position A, so that the ion source 2 is ready for film formation.

【0031】なお、チャック7による冷却板13Aから
のワークホルダ8の脱装は、上記した一連のワークホル
ダ8の着装動作を逆にたどることにより実行可能であ
る。
The removal of the work holder 8 from the cooling plate 13A by the chuck 7 can be executed by reversing the above-described series of mounting operations of the work holder 8.

【0032】図14は、成膜装置10のブロック構成例
を表すものである。なお、図14では、制御装置61か
ら出力される指示信号に応じて稼働する一連の構成装置
を示している。成膜装置10は、例えば、成膜装置10
全体を統括して制御する制御装置61と、回転軸5を移
動,回転させるための駆動装置A62と、冷却板13を
回転させるための駆動装置B63と、冷却板13にバイ
アス電圧を印加するためのバイアス電圧印加装置64
と、冷却板13を冷却するための温度調整装置65と、
真空室1の内部を減圧するための減圧装置66とを備え
ている。なお、イオンソース2やチャック7の稼働状態
もまた、制御装置61によって制御される。ここで、駆
動装置A62および駆動装置B63が本発明における
「駆動手段」の一具体例に対応する。
FIG. 14 shows an example of a block configuration of the film forming apparatus 10. FIG. 14 shows a series of components that operate in response to an instruction signal output from the control device 61. The film forming apparatus 10 is, for example, a film forming apparatus 10
A control device 61 for controlling the whole system, a drive device A62 for moving and rotating the rotary shaft 5, a drive device B63 for rotating the cooling plate 13, and a bias voltage for applying a bias voltage to the cooling plate 13. Bias voltage applying device 64
A temperature adjusting device 65 for cooling the cooling plate 13;
A pressure reducing device 66 for reducing the pressure inside the vacuum chamber 1. The operating states of the ion source 2 and the chuck 7 are also controlled by the control device 61. Here, the driving device A62 and the driving device B63 correspond to a specific example of “driving means” in the present invention.

【0033】制御装置61は、例えば、CPU(中央演
算処理装置;Central Processing Unit )などを含んで
構成されるものであり、主に、上記の一連の構成装置に
対して指示信号を出力し、各構成装置の稼働状態を制御
するものである。制御装置61から各構成装置に対して
出力される指示信号の内容は、例えば、作業者等により
キーボードなどの入力装置を介して入力された成膜条件
に対応するようになっている。この成膜条件とは、例え
ば、駆動装置A62による回転軸5の移動,回転条件
(移動速度,移動方向,回転速度,回転方向等)、駆動
装置B63による冷却板13の回転条件(回転速度,回
転方向等)、バイアス電圧印加装置64によるバイアス
電圧の印加条件(直流または交流の選択,バイアス電圧
値等)、温度調整装置65による冷却板13の冷却条件
(冷却温度等)および減圧装置66による真空室1の内
部の減圧条件などである。
The control device 61 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) and outputs an instruction signal mainly to the above-mentioned series of components. It controls the operation state of each component device. The content of the instruction signal output from the control device 61 to each component device corresponds to, for example, a film forming condition input by an operator or the like via an input device such as a keyboard. The film forming conditions include, for example, the movement and rotation conditions (movement speed, movement direction, rotation speed, rotation direction, etc.) of the rotating shaft 5 by the driving device A62, and the rotation conditions (rotation speed, rotation speed, etc.) of the cooling plate 13 by the driving device B63. Rotation direction, etc.), bias voltage application conditions (selection of DC or AC, bias voltage value, etc.) by the bias voltage application device 64, cooling conditions (cooling temperature, etc.) of the cooling plate 13 by the temperature adjustment device 65, and pressure reduction devices 66 The conditions include reduced pressure inside the vacuum chamber 1.

【0034】駆動装置A62は、例えば、モータなどを
含んで構成されるものであり、回転軸5を介してキャリ
ア6を移動,回転させるものである。駆動装置B63
は、例えば、冷却板13を回転させるものである。バイ
アス電圧印加装置64は、例えば、電源装置などを含ん
で構成されるものであり、冷却板13等に対して直流ま
たは交流のバイアス電圧を印加するものである。温度調
整装置65は、例えば、冷却板13等の内部に封入され
た冷却媒体B(図4参照)を循環させ、冷却板13を冷
却するものである。減圧装置66は、例えば、真空ポン
プなどを含んで構成されるものであり、真空槽1の内部
を所定の圧力状態になるまで減圧するものである。
The driving device A62 includes, for example, a motor and the like, and moves and rotates the carrier 6 via the rotating shaft 5. Drive B63
Is for rotating the cooling plate 13, for example. The bias voltage applying device 64 includes, for example, a power supply device, and applies a DC or AC bias voltage to the cooling plate 13 and the like. The temperature adjusting device 65 cools the cooling plate 13 by circulating a cooling medium B (see FIG. 4) sealed inside the cooling plate 13 and the like, for example. The pressure reducing device 66 includes, for example, a vacuum pump and the like, and reduces the pressure inside the vacuum chamber 1 until a predetermined pressure is reached.

【0035】次に、図1〜図14を参照して、成膜装置
10の動作について説明する。なお、以下では、例え
ば、処理位置A以外の任意の処理位置に位置するワーク
W1を処理位置Aまで移動させ、イオンソース2Aによ
りワークWに対して成膜処理を施す場合について説明す
る。
Next, the operation of the film forming apparatus 10 will be described with reference to FIGS. In the following, for example, a case will be described in which a workpiece W1 located at an arbitrary processing position other than the processing position A is moved to the processing position A, and a film forming process is performed on the workpiece W by the ion source 2A.

【0036】成膜処理を行う前には、作業者等により、
以下のような準備作業が行われる。すなわち、まず、ワ
ークWが洗浄されたのち、真空室扉4が開けられ、ワー
クホルダ8にワークWが装着される。続いて、真空室扉
4が閉じられ、真空室1の密閉状態が確認されたのち、
キーボードなどの入力装置を介して一連の成膜条件(使
用するイオンソース2(例えばイオンソース2A)の選
択,移動条件,回転条件,バイアス電圧の印加条件,冷
却条件,減圧条件等)が入力される。
Before performing the film forming process, an operator or the like
The following preparation work is performed. That is, first, after the work W is washed, the vacuum chamber door 4 is opened, and the work W is mounted on the work holder 8. Subsequently, after the vacuum chamber door 4 is closed and the sealed state of the vacuum chamber 1 is confirmed,
A series of film forming conditions (selection of ion source 2 to be used (for example, ion source 2A), moving condition, rotation condition, bias voltage applying condition, cooling condition, depressurizing condition, etc.) are input via an input device such as a keyboard. You.

【0037】成膜処理を行う前の状態(図5,図6参
照)では、チャック7は、閉じた状態において冷却板1
3Aから離れた第1の位置T1に位置しており、ワーク
Wが装着されたワークホルダ8はチャック7により掴ま
れている。チャック7がワークホルダ8を掴んだ状態で
は、チャックパーツ73によりホルダツメ82(頭部8
2M)が押圧されており、ツメ部82Tがワークホルダ
8の収納空間8Uから退避している。この状態におい
て、キャリア6は回転軸5を中心として自由に回転可能
である。
In a state before performing the film forming process (see FIGS. 5 and 6), the chuck 7 is closed and the cooling plate 1 is closed.
The work holder 8 on which the work W is mounted is located at the first position T1 distant from 3A, and is held by the chuck 7. In a state in which the chuck 7 grips the work holder 8, the holder claws 82 (the head 8
2M) is pressed, and the claw portion 82T is retracted from the storage space 8U of the work holder 8. In this state, the carrier 6 can freely rotate about the rotation shaft 5.

【0038】この成膜装置10では、上記の準備作業が
完了したのち、まず、減圧装置66を稼働させ、真空室
1の内部を満たしていたガス(例えば空気等)を排気管
3を通じて排気する(図1〜図3参照)。この排気処理
により、真空室1の内部は所定の圧力状態(例えば約1
00Pa以下)になるまで減圧され、真空状態となる。
この真空室1の内部の真空状態は、成膜処理中において
維持される。続いて、駆動装置A62を稼働させ、回転
軸5(線P2)を中心としてキャリア6を回転させるこ
とにより、ワークホルダ8に装着されたワークWを処理
位置Aまで移動させる。
In the film forming apparatus 10, after the above-described preparation work is completed, first, the pressure reducing device 66 is operated to exhaust gas (for example, air) filling the inside of the vacuum chamber 1 through the exhaust pipe 3. (See FIGS. 1-3). Due to this evacuation process, the inside of the vacuum chamber 1 is kept in a predetermined pressure state (for example, about 1
(Pa or less), and a vacuum state is obtained.
The vacuum state inside the vacuum chamber 1 is maintained during the film forming process. Subsequently, the drive device A62 is operated to rotate the carrier 6 about the rotation axis 5 (line P2), thereby moving the work W mounted on the work holder 8 to the processing position A.

【0039】続いて、駆動装置A62を稼働させ、回転
軸5を線P2に沿って図中の矢印Y1の方向に移動させ
ることにより、ワークホルダ8を掴んだチャック7を線
P3に沿って第1の位置T1から冷却板13Aに近づく
側(第2の位置T2)へ移動させる(図7,図8参
照)。これにより、冷却板13Aの対向板131Aが収
納空間8Uにおけるワークホルダ8の内壁面8Hと接触
しないように、ワークホルダ8の収納空間8Uに冷却板
13Aが収納される。この状態において、キャリア6は
回転不能となる。
Subsequently, the drive device A62 is operated to move the rotary shaft 5 along the line P2 in the direction of the arrow Y1 in the drawing, so that the chuck 7 holding the work holder 8 is moved along the line P3. It is moved from the first position T1 to the side closer to the cooling plate 13A (second position T2) (see FIGS. 7 and 8). Thereby, the cooling plate 13A is stored in the storage space 8U of the work holder 8 so that the opposed plate 131A of the cooling plate 13A does not contact the inner wall surface 8H of the work holder 8 in the storage space 8U. In this state, the carrier 6 cannot rotate.

【0040】続いて、チャックパーツ73(73A〜7
3D)を図中の矢印Y2の方向にレール72に沿ってス
ライドさせることによりチャック7を開き(図9,図1
0参照)、ワークホルダ8をチャック7から放す。チャ
ック7がワークホルダ8を放した状態では、チャックパ
ーツ73による押圧状態からホルダツメ82が解放さ
れ、ホルダツメ82がホルダツメ回転軸81を中心とし
て図中の矢印Y3の方向に回転する。これにより、ホル
ダツメ82の頭部82Mが開口部8Kより外側に突出す
ると共に、ツメ部82Tが開口部8Kより内側(収納空
間8U)に突出し、冷却板13Aにおける対向板131
Bの背後にまわり込む。
Subsequently, the chuck parts 73 (73A to 73A)
3D) is slid along the rail 72 in the direction of arrow Y2 in the figure to open the chuck 7 (FIGS. 9 and 1).
0), and release the work holder 8 from the chuck 7. When the chuck 7 releases the work holder 8, the holder claw 82 is released from the pressing state by the chuck part 73, and the holder claw 82 rotates around the holder claw rotation shaft 81 in the direction of the arrow Y <b> 3 in the drawing. As a result, the head 82M of the holder claw 82 projects outward from the opening 8K, and the claw 82T projects inside (storage space 8U) from the opening 8K.
Wrap around behind B

【0041】続いて、温度調整装置65を稼動させ、数
kgf/cmの圧力を有する状態において冷却媒体B
(図4参照)を冷却パイプ12Aおよび冷却板13Aの
内部に循環させる(図11参照)。冷却媒体Bの圧力増
加に応じてベローズ132が延伸することにより、冷却
板13Aの対向板131Aがワークホルダ8に近づく側
に移動し、対向板131Aと内壁面8Hとが接触する。
ワークホルダ8の内壁面8Hとホルダツメ82のツメ部
82Tとの間の領域においてベローズ132が延伸する
ことにより、冷却板13Aの表面と内壁面8Hとは、冷
却媒体Bの圧力(対向板131Aを内壁面8Hに押し付
ける力)に応じて強く圧着される。これにより、冷却板
13Aからワークホルダ8に対して、両者の接触面にお
ける摩擦力を利用して運動エネルギーを伝達したり、両
者の接触面を通じて熱エネルギー(ここでは冷却作用)
や電気エネルギー(ここではバイアス電圧)を伝達する
ことが可能になる。冷却媒体Bの循環により、冷却パイ
プ12Aおよび冷却板13A(以下、単に「冷却板13
A等」ともいう)が冷却され、ワークホルダ8に装着さ
れたワークWが冷却される。これにより、チャック7に
よる冷却板13Aに対するワークホルダ8の着装が完了
する。
Subsequently, the temperature control device 65 is operated, and the cooling medium B is kept under a pressure of several kgf / cm 2.
(See FIG. 4) is circulated inside the cooling pipe 12A and the cooling plate 13A (see FIG. 11). When the bellows 132 extends in response to the increase in the pressure of the cooling medium B, the opposing plate 131A of the cooling plate 13A moves toward the work holder 8, and the opposing plate 131A comes into contact with the inner wall surface 8H.
The bellows 132 extends in a region between the inner wall surface 8H of the work holder 8 and the claw portion 82T of the holder claw 82, so that the surface of the cooling plate 13A and the inner wall surface 8H are pressed by the pressure of the cooling medium B (the opposing plate Pressing strongly against the inner wall surface 8H). Thereby, the kinetic energy is transmitted from the cooling plate 13A to the work holder 8 by using the frictional force at the contact surface between the two, and the thermal energy (here, the cooling action) is transmitted through the contact surface between the two.
And electric energy (here, bias voltage) can be transmitted. By circulating the cooling medium B, the cooling pipe 12A and the cooling plate 13A (hereinafter simply referred to as “the cooling plate 13
A) is cooled, and the work W mounted on the work holder 8 is cooled. Thus, the attachment of the work holder 8 to the cooling plate 13A by the chuck 7 is completed.

【0042】続いて、駆動装置A62を稼動させ、回転
軸5を線P2に沿って図中の矢印Y1の方向に移動させ
ることにより、チャック7を第2の位置T2から第1の
位置T1まで移動させる(図12,図13参照)。この
状態において、キャリア6は再び回転可能となる。続い
て、駆動装置A62を稼働させ、回転軸5(線P2)を
中心としてキャリア6を回転させることにより、ワーク
ホルダ8を処理位置A以外の任意の処理位置(例えば処
理位置B)まで移動させる。これにより、イオンソース
2(2A)による成膜準備状態となる。
Subsequently, the chuck 7 is moved from the second position T2 to the first position T1 by operating the driving device A62 and moving the rotary shaft 5 along the line P2 in the direction of the arrow Y1 in the figure. It is moved (see FIGS. 12 and 13). In this state, the carrier 6 can rotate again. Subsequently, the drive unit A62 is operated to rotate the carrier 6 about the rotation axis 5 (line P2), thereby moving the work holder 8 to an arbitrary processing position other than the processing position A (for example, the processing position B). . As a result, the film is ready for film formation by the ion source 2 (2A).

【0043】続いて、バイアス電圧印加装置64を稼働
させ、冷却板13A等に対してバイアス電圧(例えば負
の直流電圧)を印加することにより、ワークWに対して
バイアス電圧を印加する。続いて、駆動装置B63を稼
働させ、冷却板13A等を線P3を中心として回転させ
ることにより、ワークWを同様に回転させる。続いて、
ワークWに対する冷却、バイアス電圧印加および回転の
3つの処理条件を設定した状態において、イオンソース
2Aを稼働させ、ワークWに対して成膜処理を施す。こ
れにより、イオンソース2AからワークWに対してイオ
ンが放出され、ワークWの表面に薄膜が形成される。こ
の成膜処理中において、ワークWが冷却されることによ
りワークWの温度上昇が抑制され、過剰な加熱状態にお
けるワークWの破損等が回避される。また、ワークWに
対して負の直流バイアス電圧が印加されることにより、
イオンソース2Aから放出されたイオンが効率よくワー
クWの表面まで導かれ、成膜効率が向上する。さらに、
ワークWが回転することにより成膜むらが抑制され、薄
膜の形成厚みが均一化される。
Subsequently, the bias voltage is applied to the work W by operating the bias voltage applying device 64 and applying a bias voltage (eg, a negative DC voltage) to the cooling plate 13A and the like. Subsequently, the drive device B63 is operated, and the work W is similarly rotated by rotating the cooling plate 13A and the like about the line P3. continue,
In a state where three processing conditions of cooling, application of a bias voltage, and rotation of the work W are set, the ion source 2A is operated to perform a film forming process on the work W. Thereby, ions are released from the ion source 2A to the work W, and a thin film is formed on the surface of the work W. During the film forming process, the temperature rise of the work W is suppressed by cooling the work W, and the damage of the work W in an excessively heated state is avoided. Further, by applying a negative DC bias voltage to the work W,
The ions emitted from the ion source 2A are efficiently guided to the surface of the work W, and the film forming efficiency is improved. further,
The rotation of the work W suppresses the unevenness of the film formation and makes the formed thickness of the thin film uniform.

【0044】成膜処理が完了したのち、減圧装置66を
稼動させ、真空室1の内部に満たされていたイオンを含
むガスを排気口3を通じて排気する。薄膜が形成された
ワークW1は、真空室1の内部の圧力が外部の圧力とほ
ぼ等しくなった状態において、作業者等によりワークホ
ルダ8から取り外される。
After the completion of the film forming process, the pressure reducing device 66 is operated, and the gas containing ions filled in the vacuum chamber 1 is exhausted through the exhaust port 3. The work W1 on which the thin film is formed is removed from the work holder 8 by an operator or the like in a state where the pressure inside the vacuum chamber 1 is substantially equal to the external pressure.

【0045】この成膜装置10では、冷却,バイアス電
圧印加,回転の3つの処理条件をワークWに対して同時
に設定するばかりでなく、例えば、3つの処理条件のう
ちの一部の処理条件のみ(例えば、ワークWの冷却およ
び回転)を設定することも可能である。また、1のイオ
ンソース2(例えばイオンソース2A)を用いてワーク
Wの表面に単一材料よりなる薄膜を形成するばかりでな
く、例えば、2以上のイオンソース2(例えばイオンソ
ース2A,2B等)を用いて、ワークWの表面に2以上
の異なる材料よりなる薄膜を形成することも可能であ
る。このような場合には、上記したチャック7による冷
却板13Aに対するワークホルダ8の着装動作を行った
のち、その一連の着装動作を逆にたどった動作(脱装動
作)を行い、ワークWを複数の処理位置に移動させるこ
とにより各処理位置において成膜処理を順次行うように
する。もちろん、1の処理位置(例えば処理位置A)に
おいて1のイオンソース2(例えばイオンソース2A)
を用いて成膜処理を繰り返し行い、単一材料よりなる薄
膜の厚みを増加させることもできる。
In the film forming apparatus 10, not only the three processing conditions of cooling, bias voltage application, and rotation are set simultaneously for the work W, but also, for example, only some of the three processing conditions. It is also possible to set (for example, cooling and rotation of the work W). In addition to forming a thin film made of a single material on the surface of the work W using one ion source 2 (for example, ion source 2A), for example, two or more ion sources 2 (for example, ion sources 2A and 2B, etc.) ), A thin film made of two or more different materials can be formed on the surface of the work W. In such a case, after performing the mounting operation of the work holder 8 on the cooling plate 13A by the chuck 7 described above, an operation (demounting operation) that reverses the series of mounting operations is performed, and a plurality of works W are formed. Then, the film formation process is sequentially performed at each processing position by moving to the processing position. Of course, one ion source 2 (for example, ion source 2A) at one processing position (for example, processing position A)
Can be repeated to increase the thickness of the thin film made of a single material.

【0046】なお、上記した冷却パイプ12A、冷却板
13Aおよびイオンソース2A等の動作機構は、他の冷
却パイプ(12B〜12D)、他の冷却板(13B〜1
3D)および他のイオンソース(2B〜2D)について
も同様である。
The operation mechanism of the cooling pipe 12A, the cooling plate 13A, the ion source 2A, and the like includes other cooling pipes (12B to 12D) and other cooling plates (13B to 1B).
The same applies to 3D) and other ion sources (2B to 2D).

【0047】以上説明したように、本実施の形態の成膜
装置10によれば、上記のような装置構成および動作機
構を備えるようにしたので、ワークWの回転,ワークW
に対するバイアス電圧の印加,ワークWの冷却の3つの
処理条件を一台の成膜装置10において同時に設定する
ことが可能となり、高精度かつ高効率に成膜処理を行う
ことが可能となる。しかも、この成膜装置10の装置構
成および動作機構は比較的簡素なものであるため、成膜
装置10の製造コストは比較的安くなる。したがって、
上記の3つの処理条件を設定するために複数の成膜装置
を使用しなければならなかった従来の場合とは異なり、
この成膜装置10を使用することにより成膜処理を簡略
化かつ短期間化することができる。
As described above, according to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, since the apparatus configuration and the operating mechanism as described above are provided, the rotation of the work W, the work W
, And the three processing conditions of cooling the work W can be simultaneously set in one film forming apparatus 10, and the film forming processing can be performed with high accuracy and high efficiency. In addition, since the apparatus configuration and operation mechanism of the film forming apparatus 10 are relatively simple, the manufacturing cost of the film forming apparatus 10 is relatively low. Therefore,
Unlike the conventional case where a plurality of film forming apparatuses had to be used to set the above three processing conditions,
By using the film forming apparatus 10, the film forming process can be simplified and shortened.

【0048】また、本実施の形態では、成膜処理中にお
いて、チャック7とワークホルダ8とが離間されるよう
にしたので、両者の間が電気的に分離され、以下のよう
な理由により、成膜処理時における作業者等の安全を確
保することができる。すなわち、従来の成膜装置100
(図18,図19参照)を用いて成膜処理を行う場合に
は、ワークW,キャリア106,回転軸105,真空室
101が電気的に導通状態にあり、ワークWに対してバ
イアス電圧を印加すると、このときの電圧印加の影響が
真空室101にまで及ぶ可能性がある。このような場合
には、真空室101が帯電し、作業者が感電する危険が
ある。これに対して、本実施の形態では、冷却パイプ1
2と真空室1との間が絶縁封止材により電気的に分離さ
れた状態において、チャック7とワークホルダ8とが離
間されるため、バイアス電圧の印加源である冷却板13
A等がキャリア6などの電圧印加が不要な部位と接触せ
ず、ワークWに対する電圧印加の影響が真空室1まで及
ぶことがない。したがって、バイアス電圧の印加時にお
いて真空室1が帯電しない。
In the present embodiment, the chuck 7 and the work holder 8 are separated from each other during the film forming process, so that they are electrically separated from each other. It is possible to ensure the safety of an operator or the like during the film forming process. That is, the conventional film forming apparatus 100
When performing a film forming process using (see FIGS. 18 and 19), the work W, the carrier 106, the rotating shaft 105, and the vacuum chamber 101 are in an electrically conductive state, and a bias voltage is applied to the work W. When the voltage is applied, the influence of the voltage application at this time may reach the vacuum chamber 101. In such a case, there is a danger that the vacuum chamber 101 will be charged and the operator will receive an electric shock. On the other hand, in the present embodiment, the cooling pipe 1
When the chuck 7 and the work holder 8 are separated from each other in a state where the vacuum chamber 1 and the vacuum chamber 1 are electrically separated by the insulating sealing material, the cooling plate 13 serving as a bias voltage application source is separated.
A and the like do not come into contact with a portion such as the carrier 6 where voltage application is not required, and the influence of voltage application to the work W does not reach the vacuum chamber 1. Therefore, the vacuum chamber 1 is not charged when the bias voltage is applied.

【0049】また、本実施の形態では、冷却板13Aを
ワークホルダ9と接触させることによりワークWを選択
的に冷却するようにしたので、以下のような理由によ
り、ワークWの冷却に要する消費電力を削減することが
できる。すなわち、従来の成膜装置100においてワー
クWを冷却する場合には、例えば、真空室101の内部
全体を冷却しなければならないため、ワークWの冷却に
要する消費電力が大きくなる。これに対して、本実施の
形態では、冷却板13A等を選択的に冷却するための僅
かな消費電力しか必要としない。
Further, in the present embodiment, the work W is selectively cooled by bringing the cooling plate 13A into contact with the work holder 9, and therefore, the consumption required for cooling the work W for the following reasons. Electric power can be reduced. That is, when the work W is cooled in the conventional film forming apparatus 100, for example, the entire inside of the vacuum chamber 101 must be cooled, so that the power consumption required for cooling the work W increases. On the other hand, in the present embodiment, only a small amount of power consumption for selectively cooling the cooling plate 13A and the like is required.

【0050】また、本実施の形態では、一台の成膜装置
10において一連の処理条件(回転,バイアス電圧印
加,冷却)が設定されることにより、以下のような理由
により、ワークWのダメージを回避することもできる。
すなわち、一連の処理条件を設定するために複数の成膜
装置を用いる従来の場合には、1の成膜装置(例えば冷
却機能のみを有するもの)から他の成膜装置(例えば回
転機能のみを有するもの)にワークWを移行させる度
に、ワークWが真空状態〜大気圧状態間の大きな圧力変
化に晒されることとなる。このような場合には、大きな
圧力変化に起因してワークWがダメージを受ける可能性
がある。これに対して、本実施の形態では、一台の真空
環境中において一連の処理条件が設定されるため、成膜
処理の開始時および終了時以外にワークWが大きな圧力
変化に晒されることがない。もちろん、ワークWの表面
に形成された薄膜に対するダメージも同様に回避され
る。
Further, in the present embodiment, a series of processing conditions (rotation, bias voltage application, cooling) are set in one film forming apparatus 10, and the work W is damaged for the following reasons. Can also be avoided.
That is, in the conventional case where a plurality of film forming apparatuses are used to set a series of processing conditions, one film forming apparatus (for example, one having only a cooling function) is replaced with another film forming apparatus (for example, only a rotating function is used) Each time the workpiece W is transferred to the workpiece W, the workpiece W is exposed to a large pressure change between the vacuum state and the atmospheric pressure state. In such a case, the work W may be damaged due to a large pressure change. In contrast, in the present embodiment, since a series of processing conditions are set in one vacuum environment, the workpiece W may be exposed to a large pressure change except at the start and end of the film forming process. Absent. Of course, damage to the thin film formed on the surface of the work W is also avoided.

【0051】なお、本実施の形態におけるチャック7の
構造は、必ずしも上記した構造に限定されるものではな
く、冷却板13Aに対するワークホルダ8の着脱を行う
ことが可能な限り、チャック7の構造は自由に変更可能
である。
The structure of the chuck 7 in the present embodiment is not necessarily limited to the above-described structure. The structure of the chuck 7 is not limited as long as the work holder 8 can be attached to and detached from the cooling plate 13A. It can be changed freely.

【0052】また、本実施の形態では、ワークWを冷却
するための冷却パイプ12および冷却板13を供えた成
膜装置10について説明したが、必ずしもこれに限られ
るものではない。例えば、冷却パイプ12および冷却板
13の替わりに、ワークWを加熱することが可能な加熱
パイプおよび加熱板を設けるようにしてもよい。もちろ
ん、加熱機能および冷却機能の双方を備えるようしても
よい。
Further, in the present embodiment, the film forming apparatus 10 provided with the cooling pipe 12 and the cooling plate 13 for cooling the work W has been described, but the present invention is not limited to this. For example, a heating pipe and a heating plate capable of heating the work W may be provided instead of the cooling pipe 12 and the cooling plate 13. Of course, both the heating function and the cooling function may be provided.

【0053】また、本実施の形態では、真空室扉4を開
閉させることによりワークWの装着等を行うようにした
が、必ずしもこれに限られるものではない。図15,図
16,図17は、本実施の形態の成膜装置10に対する
変形例としての成膜装置90の構成を表すものであり、
それぞれ図1、図12,図13に対応するものである。
In the present embodiment, the work W is mounted by opening and closing the vacuum chamber door 4, but the present invention is not limited to this. FIGS. 15, 16, and 17 show a configuration of a film forming apparatus 90 as a modification of the film forming apparatus 10 of the present embodiment.
These correspond to FIGS. 1, 12, and 13, respectively.

【0054】この成膜装置90は、例えば、成膜装置1
0(図1参照)においてイオンソース2Aが配設されて
いた箇所に、イオンソース2Aの替わりに、内部に交換
室92を有する交換治具91を備えている。交換室92
は、処理孔30を通じて真空室1の内部と連通してい
る。交換治具91には開閉可能な交換蓋93が設けられ
ており、この交換蓋93を閉じた状態において交換室9
2を密閉することが可能になっている。成膜処理は、交
換蓋93を閉じた状態において行われる。なお、イオン
ソース2Aと交換治具91とは、例えば、必要に応じて
交換可能になっている。
The film forming apparatus 90 includes, for example, the film forming apparatus 1
At a position where the ion source 2A is disposed at 0 (see FIG. 1), an exchange jig 91 having an exchange chamber 92 therein is provided instead of the ion source 2A. Exchange room 92
Communicates with the inside of the vacuum chamber 1 through the processing hole 30. The exchange jig 91 is provided with an exchange lid 93 that can be opened and closed. When the exchange lid 93 is closed, the exchange chamber 9 is closed.
2 can be sealed. The film forming process is performed with the exchange lid 93 closed. The ion source 2A and the exchange jig 91 can be exchanged, for example, as needed.

【0055】交換治具91の配設位置(処理位置A)に
は、冷却パイプ12Aおよび冷却板13Aの替わりに、
汎用の導入端子と同様の構造を有する冷却パイプ22A
および冷却板23A(以下、単に「冷却板23A等」と
いう)が配設されている。この冷却板23A等は、駆動
装置B63により、線P3に沿って図中の矢印Y4の方
向に移動可能になっている。なお、冷却板23Aに関す
る上記以外の構造および動作機構等は、例えば、上記実
施の形態における冷却板13A等と同様である。
In place of the replacement jig 91 (processing position A), instead of the cooling pipe 12A and the cooling plate 13A,
Cooling pipe 22A having the same structure as a general-purpose introduction terminal
And a cooling plate 23A (hereinafter simply referred to as “cooling plate 23A or the like”). The cooling plate 23A and the like can be moved by the driving device B63 in the direction of arrow Y4 in the figure along the line P3. The other structure and operation mechanism of the cooling plate 23A are the same as, for example, the cooling plate 13A and the like in the above embodiment.

【0056】この成膜装置90において、処理位置Aに
位置する成膜処理後のワークW(図12,図13参照)
を真空室1の内部から取り出す際には、例えば、まず、
駆動装置B63を稼動させ、交換治具91から遠い側の
第3の位置T3(図13参照)から近い側の第4の位置
(図17参照)まで冷却板13Aを移動させることによ
り、ワークホルダ8に装着されたワークWを交換室92
まで誘導する。このとき、ワークホルダ8と真空室1の
内壁面とによって挟まれる領域には、例えばバイトン等
のゴム材料よりなるパッキンシート94が配設されてお
り、ワークホルダ8がパッキンシート94に密着するこ
とにより真空室1の内部と交換室92とが分離するよう
になっている。このパッキンシート94は、例えば、リ
ング状の形状を有するものであり、真空室1の内壁面に
貼り付けられている。このパッキンシート94の存在に
より、交換蓋93を開けても真空室1の内部の圧力状態
が変化せず、真空室1の内部の真空状態を維持したまま
ワークWを取り出すことができる。このような場合に
は、真空室1の内部を真空状態から大気圧状態まで変化
させたのち、真空室扉4を開けてワークW1を取り出す
場合よりも、ワークWの交換作業を簡略化することがで
きると共に、交換作業に要する時間を短縮することがで
きる。ここで、冷却板23Aが本発明における「移動部
材」の一具体例に対応し、パッキンシート94が本発明
における「気密部材」の一具体例に対応する。
In the film forming apparatus 90, the work W after the film forming process is located at the processing position A (see FIGS. 12 and 13).
When taking out from the inside of the vacuum chamber 1, for example, first,
By operating the driving device B63 and moving the cooling plate 13A from the third position T3 (see FIG. 13) farther from the exchange jig 91 to a fourth position (see FIG. 17) closer thereto, the work holder The work W mounted on the work 8
Guide to. At this time, a packing sheet 94 made of a rubber material such as Viton is provided in a region sandwiched between the work holder 8 and the inner wall surface of the vacuum chamber 1, and the work holder 8 is brought into close contact with the packing sheet 94. Thereby, the inside of the vacuum chamber 1 and the exchange chamber 92 are separated from each other. The packing sheet 94 has, for example, a ring shape and is attached to the inner wall surface of the vacuum chamber 1. Due to the presence of the packing sheet 94, the pressure state inside the vacuum chamber 1 does not change even when the replacement lid 93 is opened, and the work W can be taken out while maintaining the vacuum state inside the vacuum chamber 1. In such a case, after replacing the inside of the vacuum chamber 1 from the vacuum state to the atmospheric pressure state, the work of replacing the work W is simplified as compared with the case where the vacuum chamber door 4 is opened and the work W1 is taken out. And the time required for the replacement operation can be reduced. Here, the cooling plate 23A corresponds to a specific example of the “moving member” in the present invention, and the packing sheet 94 corresponds to a specific example of the “airtight member” in the present invention.

【0057】なお、上記では交換治具91をイオンソー
ス2Aの替わりに配設した場合について説明したが、必
ずしもこれに限られるものではなく、例えば、真空室1
に対する交換治具91の配設箇所および配設個数等は自
由に変更することが可能である。成膜装置90に関する
上記以外の構成、動作、作用および効果等は、上記実施
の形態における成膜装置10の場合と同様である。
Although the case where the exchange jig 91 is provided in place of the ion source 2A has been described above, the present invention is not limited to this.
The location and number of replacement jigs 91 can be freely changed. Other configurations, operations, functions, effects, and the like of the film forming apparatus 90 are the same as those of the film forming apparatus 10 in the above embodiment.

【0058】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変
形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ワーク
Wに対する処理部として成膜処理を行うためのイオンソ
ース2を設けるようにしたが、必ずしもこれに限られる
ものではなく、イオンソース2の替わりに、ワークWに
対してエッチング処理を施すためのイオンソースや、ワ
ークWに対してイオンを注入するためのイオンソースを
設けるようにしてもよい。もちろん、互いに異なる処理
機能を有する2以上の処理部(例えば、成膜処理を行う
ためのイオンソースおよびエッチング処理を行うための
エッチングソース等)を併設するようにしてもよい。こ
のような場合においても、上記実施の形態の場合と同様
の効果を得ることができる。
As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, the ion source 2 for performing the film forming process is provided as a processing unit for the work W. However, the present invention is not limited to this. An ion source for performing an etching process and an ion source for implanting ions into the work W may be provided. Of course, two or more processing units having different processing functions (for example, an ion source for performing a film formation process and an etching source for performing an etching process) may be provided in parallel. In such a case, the same effect as in the above embodiment can be obtained.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項9のいずれか1項に記載の真空処理装置によれば、
保持部材により保持された被処理体に対して回転、バイ
アス電圧の印加および温度調整のうちの少なくとも1の
作用を施す作用部材を備えるようにしたので、被処理体
の回転,被処理体に対するバイアス電圧の印加,被処理
体の冷却の3つの処理条件を一台の真空処理装置におい
て同時に設定することが可能となり、被処理体に対する
処理を高精度かつ高効率に行うことが可能となる。しか
も、この真空処理装置の装置構成および動作機構は比較
的簡素なものであるため、真空処理装置の製造コストは
比較的安くなる。したがって、上記の3つの処理条件を
設定するために複数の真空処理装置を使用しなければな
らなかった従来の場合とは異なり、この真空処理装置を
使用することにより成膜処理を簡略化かつ短期間化する
ことができる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of any one of claims 1 to 9,
An operation member for performing at least one of rotation, application of a bias voltage, and temperature adjustment to the object held by the holding member is provided, so that rotation of the object and bias to the object are performed. The three processing conditions of voltage application and cooling of the object to be processed can be simultaneously set in one vacuum processing apparatus, and the processing of the object to be processed can be performed with high accuracy and high efficiency. Moreover, since the device configuration and operation mechanism of this vacuum processing apparatus are relatively simple, the manufacturing cost of the vacuum processing apparatus is relatively low. Therefore, unlike the conventional case in which a plurality of vacuum processing apparatuses must be used to set the above three processing conditions, the use of this vacuum processing apparatus simplifies the film forming process and shortens the film forming process. Can be interspersed.

【0060】特に、請求項6記載の真空処理装置によれ
ば、さらに、真空室の内部と連通した交換室を有する交
換治具と、交換治具から遠い側の第3の位置と近い側の
第4の位置との間を移動可能な移動部材と、真空室の内
部と交換室とを分離する気密部材とを備えるようにした
ので、真空室の内部の圧力状態を維持したまま被処理体
の交換作業等を行うことが可能となる。したがって、被
処理体の交換等を簡略化すると共に、交換作業に要する
時間を短縮することができる。
In particular, according to the vacuum processing apparatus of the sixth aspect, further, there is provided an exchange jig having an exchange chamber communicating with the inside of the vacuum chamber, and an exchange jig farther from the exchange jig and closer to the third position. Since the moving member movable between the fourth position and the airtight member separating the inside of the vacuum chamber from the exchange chamber is provided, the object to be processed is maintained while maintaining the pressure state inside the vacuum chamber. Can be replaced. Therefore, it is possible to simplify the replacement of the object to be processed and to shorten the time required for the replacement operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る成膜装置の外観を
表す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating an appearance of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した成膜装置の内部構成を表す斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view illustrating an internal configuration of the film forming apparatus illustrated in FIG.

【図3】図1に示した成膜装置の内部構成を表す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating an internal configuration of the film forming apparatus illustrated in FIG.

【図4】キャリア、ワークホルダおよび冷却板等の断面
構成を表す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration of a carrier, a work holder, a cooling plate, and the like.

【図5】チャックによる冷却板に対するワークホルダの
着装機構を説明するための斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view for explaining a mechanism for mounting a work holder on a cooling plate by a chuck.

【図6】図5に示した斜視構成に対応する断面構成を表
す断面図である。
6 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration corresponding to the perspective configuration illustrated in FIG.

【図7】図5に続く着装機構を説明するための斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view for explaining a wearing mechanism continued from FIG. 5;

【図8】図7に示した斜視構成に対応する断面構成を表
す断面図である。
8 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration corresponding to the perspective configuration illustrated in FIG.

【図9】図7に続く着装機構を説明するための斜視図で
ある。
FIG. 9 is a perspective view for explaining a wearing mechanism continued from FIG. 7;

【図10】図9に示した斜視構成に対応する断面構成を
表す断面図である。
10 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration corresponding to the perspective configuration illustrated in FIG.

【図11】図10に続く着装機構を説明するための断面
構成を表す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration for explaining the wearing mechanism continued from FIG.

【図12】図11に続く着装機構を説明するための斜視
構成を表す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view illustrating a perspective configuration for describing a wearing mechanism continued from FIG. 11;

【図13】図12に示した斜視構成に対応する断面構成
を表す断面図である。
13 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration corresponding to the perspective configuration illustrated in FIG.

【図14】図1に示した成膜装置の概略構成を表すブロ
ック図である。
14 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the film forming apparatus illustrated in FIG.

【図15】本発明の一実施の形態に係る成膜装置に対す
る変形例としての成膜装置の外観を表す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view illustrating an appearance of a film forming apparatus as a modification example of the film forming apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図16】図15に示した変形例としての成膜装置にお
けるワークの交換機構を説明するための斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view for explaining a workpiece exchange mechanism in the film forming apparatus as a modification shown in FIG.

【図17】図16に示した斜視構成に対応する断面構成
を表す断面図である。
17 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional configuration corresponding to the perspective configuration illustrated in FIG.

【図18】従来の成膜装置の外観を表す斜視図である。FIG. 18 is a perspective view illustrating an appearance of a conventional film forming apparatus.

【図19】図18に示した従来の成膜装置の内部構成を
表す斜視図である。
19 is a perspective view illustrating an internal configuration of the conventional film forming apparatus illustrated in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…真空室、2(2A,2B、2C、2D)…イオンソ
ース、3…排気管、4…真空室扉、5…回転軸、6…キ
ャリア、7…チャック、8…ワークホルダ、8H…内壁
面、8K…開口部、8U…収納空間、10,90…成膜
装置、11…導入ポート、12(12A,12B,12
C,12D)…冷却パイプ、13(13A,13B,13
C,13D)…冷却板、30…処理孔、61…制御装
置、62…駆動装置A、63…駆動装置B、64…バイ
アス電圧印加装置、65…温度調整装置、66…減圧装
置、71…支持板、72…レール、73(73A、73
B,73C、73D)…チャックパーツ、81…ホルダ
ツメ回転軸、82…ホルダツメ、82M…頭部、82T
…ツメ部、91…交換治具、92…交換室、93…交換
蓋、94…パッキンシート、131(131A,131
B)…対向板、132…ベローズ、B…冷却媒体、T1
…第1の位置、T2・・・第2の位置、T3…第3の位
置、T4…第4の位置、W…ワーク。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... vacuum chamber, 2 (2A, 2B, 2C, 2D) ... ion source, 3 ... exhaust pipe, 4 ... vacuum chamber door, 5 ... rotating shaft, 6 ... carrier, 7 ... chuck, 8 ... work holder, 8H ... Inner wall surface, 8K ... opening, 8U ... storage space, 10, 90 ... film forming apparatus, 11 ... introduction port, 12 (12A, 12B, 12)
C, 12D) ... cooling pipe, 13 (13A, 13B, 13)
C, 13D) cooling plate, 30 processing hole, 61 control device, 62 driving device A, 63 driving device B, 64 bias voltage applying device, 65 temperature adjusting device, 66 pressure reducing device, 71 Support plate, 72 ... rail, 73 (73A, 73
B, 73C, 73D) ... chuck parts, 81 ... holder claw rotating shaft, 82 ... holder claw, 82M ... head, 82T
.., Claws 91, replacement jigs 92, replacement chambers 93, replacement lids 94, packing sheets 131 (131A, 131)
B): opposed plate, 132: bellows, B: cooling medium, T1
1st position, T2 2nd position, T3 3rd position, T4 4th position, W ... workpiece.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/3065 H01L 21/302 B Fターム(参考) 4K029 AA06 AA24 CA13 DA08 DE00 FA04 KA02 4K030 CA04 CA12 DA04 GA12 KA26 5F004 AA06 BA11 BB20 BB24 BB25 BC05 CA05 DB01 DB03 EA06 FA01 5F103 AA02 BB33 BB36 BB38 BB41 BB49 HH03 HH05 HH10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3065 H01L 21/302 B F-term (Reference) 4K029 AA06 AA24 CA13 DA08 DE00 FA04 KA02 4K030 CA04 CA12 DA04 GA12 KA26 5F004 AA06 BA11 BB20 BB24 BB25 BC05 CA05 DB01 DB03 EA06 FA01 5F103 AA02 BB33 BB36 BB38 BB41 BB49 HH03 HH05 HH10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空室の同一円周上における複数の処理
位置に対応して複数の処理部が設けられた真空処理装置
であって、 前記同一円の中心に配設され、長手方向に移動可能な移
動軸と、 前記移動軸を中心として回転可能なキャリア部材と、 前記複数の処理位置に対応して配設され、被処理体に対
して回転、バイアス電圧の印加および温度調整のうちの
少なくとも1の作用を施す作用部材と、 前記被処理体を保持し、前記キャリア部材の回転により
前記複数の処理位置のうちのいずれかの処理位置に移動
可能であると共に、前記移動軸の移動により前記作用部
材から遠い側の第1の位置から近い側の第2の位置まで
移動可能な保持部材と、 前記キャリア部材と連結され、前記保持部材を着脱可能
な着脱部材と、 を備えたことを特徴とする真空処理装置。
1. A vacuum processing apparatus provided with a plurality of processing units corresponding to a plurality of processing positions on the same circumference of a vacuum chamber, wherein the processing unit is disposed at the center of the same circle and moves in a longitudinal direction. A movable axis, a carrier member rotatable around the axis of movement, and a carrier member arranged corresponding to the plurality of processing positions, and rotation of the workpiece, application of a bias voltage, and temperature adjustment. An operation member for performing at least one operation, holding the object to be processed, being movable to any one of the plurality of processing positions by rotation of the carrier member, and being moved by the movement axis. A holding member movable from a first position farther from the action member to a second position closer to the action member; and a detachable member connected to the carrier member and capable of attaching and detaching the holding member. Characteristic true Empty processing equipment.
【請求項2】 前記作用部材は、導電材料により構成さ
れ、前記被処理体に対する回転、バイアス電圧の印加お
よび温度調整の作用を同時に施すものであることを特徴
とする請求項1記載の真空処理装置。
2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the operation member is made of a conductive material, and simultaneously performs the operations of rotating, applying a bias voltage, and adjusting the temperature of the object to be processed. apparatus.
【請求項3】 前記作用部材は、内部に導入された温度
調整媒体の圧力変化に応じて伸縮可能な伸縮部材を含ん
で構成されるものであることを特徴とする請求項1記載
の真空処理装置。
3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the operation member includes an expansion member that can expand and contract according to a change in pressure of the temperature adjustment medium introduced therein. apparatus.
【請求項4】 さらに、 前記移動軸を移動させると共に前記キャリア部材を回転
させるための駆動手段と、 前記作用部材の温度を調整するための温度調整手段と、 前記作用部材に対してバイアス電圧を印加するためのバ
イアス電圧印加手段とを備えたことを特徴とする請求項
1記載の真空処理装置。
4. A driving unit for moving the moving shaft and rotating the carrier member; a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the operating member; and applying a bias voltage to the operating member. 2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising a bias voltage applying unit for applying the voltage.
【請求項5】 さらに、 前記真空室の内部を減圧するための減圧手段を備えたこ
とを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising a decompression means for decompressing the inside of the vacuum chamber.
【請求項6】 さらに、 前記複数の処理部のうちの一部の処理部と交換可能であ
ると共に、前記真空室の内部と連通した交換室を有する
交換治具と、 前記交換治具の配設位置に対応して配設され、前記交換
治具から遠い側の第3の位置と近い側の第4の位置との
間を移動可能な移動部材と、 前記真空室の内壁面に配設され、前記移動部材が前記第
4の位置に移動した状態において前記真空室の内部と前
記交換室とを分離する気密部材とを備えたことを特徴と
する請求項1記載の真空処理装置。
6. An exchange jig which is exchangeable with a part of the plurality of processing units and has an exchange chamber communicating with the inside of the vacuum chamber, and an arrangement of the exchange jig. A movable member disposed corresponding to the installation position and movable between a third position farther from the exchange jig and a fourth position closer to the replacement jig; and disposed on an inner wall surface of the vacuum chamber. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising an airtight member that separates the inside of the vacuum chamber and the exchange chamber when the moving member is moved to the fourth position.
【請求項7】 前記処理部は、前記被処理体に対して成
膜処理を施すものであることを特徴とする請求項1記載
の真空処理装置。
7. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit performs a film forming process on the object.
【請求項8】 前記処理部は、前記被処理体に対してエ
ッチング処理を施すものであることを特徴とする請求項
1記載の真空処理装置。
8. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the processing section performs an etching process on the object to be processed.
【請求項9】 前記処理部は、前記被処理体に対してイ
オン注入処理を施すものであることを特徴とする請求項
1記載の真空処理装置。
9. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the processing section performs an ion implantation process on the object to be processed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020047624A (en) * 2018-09-14 2020-03-26 東京エレクトロン株式会社 Substrate mounting mechanism, film forming apparatus, and film forming method
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