JP2002173770A - 誘電体薄膜の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置 - Google Patents
誘電体薄膜の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置Info
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- JP2002173770A JP2002173770A JP2000369470A JP2000369470A JP2002173770A JP 2002173770 A JP2002173770 A JP 2002173770A JP 2000369470 A JP2000369470 A JP 2000369470A JP 2000369470 A JP2000369470 A JP 2000369470A JP 2002173770 A JP2002173770 A JP 2002173770A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマを用いて基板４１上に誘電体材料を
成膜することにより誘電体薄膜（圧電体薄膜２３）を製
造する場合に、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定
的に製造できるようにする。 【解決手段】 誘電体材料が、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ
3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型構造を有
するものである場合、プラズマが発するプラズマ発光ス
ペクトル中において、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯
域で最も高い発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５
０〜４５６ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴ
ｉの発光強度Ｉｔとしたとき、誘電体材料の成膜時にお
いて、基板４１にプラズマが照射される全ての時間で、
Ｉｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範囲内になるように制御
する。
成膜することにより誘電体薄膜（圧電体薄膜２３）を製
造する場合に、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定
的に製造できるようにする。 【解決手段】 誘電体材料が、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ
3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型構造を有
するものである場合、プラズマが発するプラズマ発光ス
ペクトル中において、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯
域で最も高い発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５
０〜４５６ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴ
ｉの発光強度Ｉｔとしたとき、誘電体材料の成膜時にお
いて、基板４１にプラズマが照射される全ての時間で、
Ｉｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範囲内になるように制御
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体薄膜の製造
方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインク
ジェット式記録装置に関する技術分野に属する。
方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインク
ジェット式記録装置に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に薄膜を形成する方法
として、プラズマを用いたＣＶＤ法やスパッタ法等がよ
く知られている。これらの手法を用いて、誘電体薄膜を
製造する際には、誘電体としての特性（比誘電率、誘電
損失、リーク特性等）の向上が要求されており、特に圧
電体の場合には、上記誘電体としての特性に加えて圧電
定数等の圧電特性の向上が要求されている。
として、プラズマを用いたＣＶＤ法やスパッタ法等がよ
く知られている。これらの手法を用いて、誘電体薄膜を
製造する際には、誘電体としての特性（比誘電率、誘電
損失、リーク特性等）の向上が要求されており、特に圧
電体の場合には、上記誘電体としての特性に加えて圧電
定数等の圧電特性の向上が要求されている。
【０００３】そこで、従来、例えば特開平６−１７７０
４２号公報に示されているように、プラズマが発するプ
ラズマ発光スペクトル中における少なくとも２つの元素
のプラズマ発光強度比を略一定に制御して、基板上に誘
電体材料を成膜する方法が提案されている。
４２号公報に示されているように、プラズマが発するプ
ラズマ発光スペクトル中における少なくとも２つの元素
のプラズマ発光強度比を略一定に制御して、基板上に誘
電体材料を成膜する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法では、ある程度高い特性を有する誘電体薄膜を製造す
ることは可能であるものの、特定の元素のプラズマ発光
強度を、所定の波長帯域で発光強度の最大値を示すと考
えられる１つの波長に対応する発光強度に設定している
（例えばＰｂの発光強度を波長４０６ｎｍに対応する発
光強度に設定している）ため、その特定の元素のプラズ
マ発光強度が正確には得られなくなる可能性がある。す
なわち、特定の元素が最大の発光強度を示す波長は変動
する場合があり、この変動が生じると、その特定の元素
のプラズマ発光強度は、１つの波長に対応する発光強度
に設定していると、本来の値からずれてしまい、誘電体
薄膜を安定的に製造しかつその誘電体薄膜の特性をより
向上させるには改良の余地がある。
法では、ある程度高い特性を有する誘電体薄膜を製造す
ることは可能であるものの、特定の元素のプラズマ発光
強度を、所定の波長帯域で発光強度の最大値を示すと考
えられる１つの波長に対応する発光強度に設定している
（例えばＰｂの発光強度を波長４０６ｎｍに対応する発
光強度に設定している）ため、その特定の元素のプラズ
マ発光強度が正確には得られなくなる可能性がある。す
なわち、特定の元素が最大の発光強度を示す波長は変動
する場合があり、この変動が生じると、その特定の元素
のプラズマ発光強度は、１つの波長に対応する発光強度
に設定していると、本来の値からずれてしまい、誘電体
薄膜を安定的に製造しかつその誘電体薄膜の特性をより
向上させるには改良の余地がある。
【０００５】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、プラズマを用いて基板
上に誘電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造
する場合に、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定的
に製造できるようにすることにある。
あり、その目的とするところは、プラズマを用いて基板
上に誘電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造
する場合に、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定的
に製造できるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明では、プラズマを用いて基板上
に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペロ
ブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂ
ａ及びＣａのうちいずれか１つであってＢ元素及びＣ元
素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及び
Ｒｅのうちそれぞれ互いに異なるいずれか１つである誘
電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造する方
法を対象として、上記プラズマが発するプラズマ発光ス
ペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元素の最
大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとしたと
き、上記誘電体材料の成膜時において、上記基板にプラ
ズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉ
ｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つを、略一定にな
るように制御するものとする。
めに、請求項１の発明では、プラズマを用いて基板上
に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペロ
ブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂ
ａ及びＣａのうちいずれか１つであってＢ元素及びＣ元
素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及び
Ｒｅのうちそれぞれ互いに異なるいずれか１つである誘
電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造する方
法を対象として、上記プラズマが発するプラズマ発光ス
ペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元素の最
大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとしたと
き、上記誘電体材料の成膜時において、上記基板にプラ
ズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉ
ｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つを、略一定にな
るように制御するものとする。
【０００７】このことにより、各元素のプラズマ発光強
度を、特定の１つの波長に対応する発光強度に設定しな
いで、最大値に設定するので、最大の発光強度を示す波
長が変動したとしてもその最大値は殆ど変化せず、正確
なプラズマ発光強度が安定的に得られる。この結果、Ｉ
ａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃの各値が正確に得
られ、これらのうちの少なくとも２つを略一定になるよ
うに制御すれば、より高い特性を有する誘電体薄膜を安
定的に製造することができる。
度を、特定の１つの波長に対応する発光強度に設定しな
いで、最大値に設定するので、最大の発光強度を示す波
長が変動したとしてもその最大値は殆ど変化せず、正確
なプラズマ発光強度が安定的に得られる。この結果、Ｉ
ａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃの各値が正確に得
られ、これらのうちの少なくとも２つを略一定になるよ
うに制御すれば、より高い特性を有する誘電体薄膜を安
定的に製造することができる。
【０００８】請求項２の発明では、プラズマを用いて基
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する方法を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを１．５〜２．０の範囲内になるように制御するもの
とする。
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する方法を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを１．５〜２．０の範囲内になるように制御するもの
とする。
【０００９】こうすることで、４０５〜４１０ｎｍの発
光波長帯域でＰｂの発光強度の最大値を示す波長が変動
したとしても、その発光波長帯域で最も高い発光強度
（この値は殆ど変動しない）をＰｂの発光強度とし、４
５０〜４５６ｎｍの発光波長帯域でＴｉの発光強度の最
大値を示す波長が変動したとしても、その発光波長帯域
で最も高い発光強度（この値は殆ど変動しない）をＴｉ
の発光強度とするので、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に得ら
れ、このＩｐ／Ｉｔの値を１．５〜２．０の範囲内にな
るように制御すれば、誘電体薄膜を安定的に製造するこ
とができると共に、その誘電体薄膜の特性をより向上さ
せることができる。
光波長帯域でＰｂの発光強度の最大値を示す波長が変動
したとしても、その発光波長帯域で最も高い発光強度
（この値は殆ど変動しない）をＰｂの発光強度とし、４
５０〜４５６ｎｍの発光波長帯域でＴｉの発光強度の最
大値を示す波長が変動したとしても、その発光波長帯域
で最も高い発光強度（この値は殆ど変動しない）をＴｉ
の発光強度とするので、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に得ら
れ、このＩｐ／Ｉｔの値を１．５〜２．０の範囲内にな
るように制御すれば、誘電体薄膜を安定的に製造するこ
とができると共に、その誘電体薄膜の特性をより向上さ
せることができる。
【００１０】請求項３の発明では、プラズマを用いて基
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する方法を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方
をＰｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光
強度Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時におい
て、上記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉ
ｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範囲内になるように制御す
るものとする。このことで、請求項２の発明と同様の作
用効果が得られる。
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する方法を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方
をＰｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光
強度Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時におい
て、上記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉ
ｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範囲内になるように制御す
るものとする。このことで、請求項２の発明と同様の作
用効果が得られる。
【００１１】請求項４の発明では、請求項２又は３の発
明において、誘電体材料の成膜は、スパッタ法により行
い、Ｉｐ／Ｉｔの制御は、基板とターゲットとの間の距
離、基板とターゲットとのなす角度、及びプラズマ近傍
又は内部の磁場のうち少なくとも１つを変化させること
により行うものとする。
明において、誘電体材料の成膜は、スパッタ法により行
い、Ｉｐ／Ｉｔの制御は、基板とターゲットとの間の距
離、基板とターゲットとのなす角度、及びプラズマ近傍
又は内部の磁場のうち少なくとも１つを変化させること
により行うものとする。
【００１２】すなわち、Ｉｐ／Ｉｔの制御は、ガス圧及
び高周波電力を変えることにより行うことは可能である
が、異常放電等により突発的に印加電圧が変化して制御
不能になる場合がある。しかし、この発明では、そのよ
うな異常放電等の影響を受け難く、Ｉｐ／Ｉｔの制御を
正確に行うことができる。
び高周波電力を変えることにより行うことは可能である
が、異常放電等により突発的に印加電圧が変化して制御
不能になる場合がある。しかし、この発明では、そのよ
うな異常放電等の影響を受け難く、Ｉｐ／Ｉｔの制御を
正確に行うことができる。
【００１３】請求項５の発明は、プラズマを用いて基板
上に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペ
ロブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、
Ｂａ及びＣａのうちいずれか１つであってＢ元素及びＣ
元素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及び
Ｒｅのうちそれぞれ互いに異なるいずれか１つである誘
電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造する装
置の発明であり、この発明では、上記プラズマが発する
プラズマ発光スペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素
及びＣ元素の最大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及び
Ｉｃとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉ
ｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つ
を、略一定になるように自動制御する制御手段を備えて
いるものとする。この発明により、請求項１の発明と同
様の作用効果が得られると共に、突発的に異常が生じて
も、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少な
くとも２つを略一定になるように制御することができ
る。
上に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペ
ロブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、
Ｂａ及びＣａのうちいずれか１つであってＢ元素及びＣ
元素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及び
Ｒｅのうちそれぞれ互いに異なるいずれか１つである誘
電体材料を成膜することにより誘電体薄膜を製造する装
置の発明であり、この発明では、上記プラズマが発する
プラズマ発光スペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素
及びＣ元素の最大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及び
Ｉｃとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉ
ｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つ
を、略一定になるように自動制御する制御手段を備えて
いるものとする。この発明により、請求項１の発明と同
様の作用効果が得られると共に、突発的に異常が生じて
も、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少な
くとも２つを略一定になるように制御することができ
る。
【００１４】請求項６の発明では、プラズマを用いて基
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する装置を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを１．５〜２．０の範囲内になるように自動制御する
制御手段を備えているものとする。こうすることで、請
求項２の発明と同様の作用効果が得られると共に、突発
的に異常が生じても、Ｉｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範
囲内になるように制御することができる。
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する装置を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを１．５〜２．０の範囲内になるように自動制御する
制御手段を備えているものとする。こうすることで、請
求項２の発明と同様の作用効果が得られると共に、突発
的に異常が生じても、Ｉｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範
囲内になるように制御することができる。
【００１５】請求項７の発明では、プラズマを用いて基
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する装置を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方
をＰｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光
強度Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時におい
て、上記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉ
ｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範囲内になるように自動制
御する制御手段を備えているものとする。このことで、
請求項３の発明と同様の作用効果が得られると共に、突
発的に異常が生じても、Ｉｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の
範囲内になるように制御することができる。
板上に、Ｐｂ（ＺｒuＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表
されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する装置を対象とし
て、上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中に
おいて、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い
発光強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方
をＰｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光
強度Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時におい
て、上記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉ
ｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範囲内になるように自動制
御する制御手段を備えているものとする。このことで、
請求項３の発明と同様の作用効果が得られると共に、突
発的に異常が生じても、Ｉｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の
範囲内になるように制御することができる。
【００１６】請求項８の発明は、インクが充填される圧
力室と、該圧力室に連通するノズルと、上記圧力室の容
積が減少するように変形して、該圧力室内のインクを上
記ノズルから吐出させる圧電アクチュエータとを備えた
インクジェットヘッドの発明であり、この発明では、上
記圧電アクチュエータは、請求項１〜４のいずれかに記
載の誘電体薄膜の製造方法により製造した誘電体薄膜と
しての圧電体薄膜を有しているものとする。
力室と、該圧力室に連通するノズルと、上記圧力室の容
積が減少するように変形して、該圧力室内のインクを上
記ノズルから吐出させる圧電アクチュエータとを備えた
インクジェットヘッドの発明であり、この発明では、上
記圧電アクチュエータは、請求項１〜４のいずれかに記
載の誘電体薄膜の製造方法により製造した誘電体薄膜と
しての圧電体薄膜を有しているものとする。
【００１７】この発明により、圧電定数が高くて圧電特
性が優れた圧電体薄膜が安定して得られる。この結果、
多数の圧力室を設けかつ該各圧力室にそれぞれ対応して
圧電アクチュエータを設ける場合に、各圧電アクチュエ
ータの特性が均一となり、各圧力室にそれぞれ対応する
ノズルからのインク吐出量やインク吐出速度が均一化す
る。よって、このインクジェットヘッドを備えた記録装
置により記録媒体に記録する場合に、画質を向上させる
ことができる。
性が優れた圧電体薄膜が安定して得られる。この結果、
多数の圧力室を設けかつ該各圧力室にそれぞれ対応して
圧電アクチュエータを設ける場合に、各圧電アクチュエ
ータの特性が均一となり、各圧力室にそれぞれ対応する
ノズルからのインク吐出量やインク吐出速度が均一化す
る。よって、このインクジェットヘッドを備えた記録装
置により記録媒体に記録する場合に、画質を向上させる
ことができる。
【００１８】請求項９の発明は、インクジェット式記録
装置の発明であり、この発明では、請求項８記載のイン
クジェットヘッドを備え、該インクジェットヘッドのノ
ズルからインクを記録媒体に吐出させて記録を行うよう
に構成されているものとする。このことにより、請求項
８の発明と同様の作用効果が得られる。
装置の発明であり、この発明では、請求項８記載のイン
クジェットヘッドを備え、該インクジェットヘッドのノ
ズルからインクを記録媒体に吐出させて記録を行うよう
に構成されているものとする。このことにより、請求項
８の発明と同様の作用効果が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係るイ
ンクジェット式記録装置を概略的に示し、このインクジ
ェット式記録装置は、後述の如くインクを記録媒体とし
ての記録紙５１に吐出するインクジェットヘッド１８を
備えている。このインクジェットヘッド１８はキャリッ
ジ１６に支持固定され、このキャリッジ１６には、図示
を省略するキャリッジモータが設けられ、このキャリッ
ジモータにより上記インクジェットヘッド１８及びキャ
リッジ１６が主走査方向（図１及び図２に示すＸ方向）
に延びるキャリッジ軸１７にガイドされてその方向に往
復動するようになっている。このキャリッジ１６、キャ
リッジ軸１７及びキャリッジモータにより、インクジェ
ットヘッド１８と記録紙５１とを主走査方向に相対移動
させる相対移動手段が構成されている。
基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係るイ
ンクジェット式記録装置を概略的に示し、このインクジ
ェット式記録装置は、後述の如くインクを記録媒体とし
ての記録紙５１に吐出するインクジェットヘッド１８を
備えている。このインクジェットヘッド１８はキャリッ
ジ１６に支持固定され、このキャリッジ１６には、図示
を省略するキャリッジモータが設けられ、このキャリッ
ジモータにより上記インクジェットヘッド１８及びキャ
リッジ１６が主走査方向（図１及び図２に示すＸ方向）
に延びるキャリッジ軸１７にガイドされてその方向に往
復動するようになっている。このキャリッジ１６、キャ
リッジ軸１７及びキャリッジモータにより、インクジェ
ットヘッド１８と記録紙５１とを主走査方向に相対移動
させる相対移動手段が構成されている。
【００２０】上記記録紙５１は、図示を省略する搬送モ
ータによって回転駆動される２つの搬送ローラ５２に挟
まれていて、この搬送モータ及び各搬送ローラ５２によ
り上記主走査方向と垂直な副走査方向（図１及び図２に
示すＹ方向）に搬送されるようになっている。この搬送
モータ及び各搬送ローラ５２により、インクジェットヘ
ッド１８と記録紙５１とを副走査方向に相対移動させる
相対移動手段が構成されている。
ータによって回転駆動される２つの搬送ローラ５２に挟
まれていて、この搬送モータ及び各搬送ローラ５２によ
り上記主走査方向と垂直な副走査方向（図１及び図２に
示すＹ方向）に搬送されるようになっている。この搬送
モータ及び各搬送ローラ５２により、インクジェットヘ
ッド１８と記録紙５１とを副走査方向に相対移動させる
相対移動手段が構成されている。
【００２１】上記インクジェットヘッド１８は、図２〜
図４に示すように、インクを供給するための供給口２ａ
とインクを吐出するための吐出口２ｂとを有する複数の
圧力室用凹部２が形成されたヘッド本体１を備えてい
る。このヘッド本体１の各凹部２は、該ヘッド本体１の
上面に略矩形状に開口されていて、上記副走査方向に所
定間隔をあけて列状に並んで配設されている。
図４に示すように、インクを供給するための供給口２ａ
とインクを吐出するための吐出口２ｂとを有する複数の
圧力室用凹部２が形成されたヘッド本体１を備えてい
る。このヘッド本体１の各凹部２は、該ヘッド本体１の
上面に略矩形状に開口されていて、上記副走査方向に所
定間隔をあけて列状に並んで配設されている。
【００２２】上記ヘッド本体１の各凹部２の側壁部は、
約２００μｍ厚の感光性ガラス製の圧力室部品５で構成
され、各凹部２の底壁部は、この圧力室部品５に固着さ
れかつ複数のステンレス鋼薄板を貼り合せてなるインク
流路部品６で構成されている。このインク流路部品６内
には、上記各凹部２の供給口２ａにそれぞれ接続された
供給用インク流路７と、上記吐出口２ｂにそれぞれ接続
された吐出用インク流路８とが形成されている。上記各
供給用インク流路７は、副走査方向に延びるインク供給
室１０に接続され、このインク供給室１０は、上記圧力
室部品５及びインク流路部品６に形成されかつ図外のイ
ンクタンクと接続されるインク供給孔１１に接続されて
いる。上記インク流路部品６の圧力室部品５と反対側面
（下面）には、ステンレス鋼若しくはＮｉの電鋳板又は
ポリイミド等の高分子樹脂からなる約２０μｍ厚のノズ
ル板１３が設けられ、このノズル板１３には、上記各吐
出用インク流路８とそれぞれ接続された直径約２０μｍ
のノズル１４が形成されている。
約２００μｍ厚の感光性ガラス製の圧力室部品５で構成
され、各凹部２の底壁部は、この圧力室部品５に固着さ
れかつ複数のステンレス鋼薄板を貼り合せてなるインク
流路部品６で構成されている。このインク流路部品６内
には、上記各凹部２の供給口２ａにそれぞれ接続された
供給用インク流路７と、上記吐出口２ｂにそれぞれ接続
された吐出用インク流路８とが形成されている。上記各
供給用インク流路７は、副走査方向に延びるインク供給
室１０に接続され、このインク供給室１０は、上記圧力
室部品５及びインク流路部品６に形成されかつ図外のイ
ンクタンクと接続されるインク供給孔１１に接続されて
いる。上記インク流路部品６の圧力室部品５と反対側面
（下面）には、ステンレス鋼若しくはＮｉの電鋳板又は
ポリイミド等の高分子樹脂からなる約２０μｍ厚のノズ
ル板１３が設けられ、このノズル板１３には、上記各吐
出用インク流路８とそれぞれ接続された直径約２０μｍ
のノズル１４が形成されている。
【００２３】上記ヘッド本体１の圧力室部品５における
インク流路部品６と反対側面（上面）の凹部２に対応す
る部分（凹部２開口に対向する部分）には、圧電アクチ
ュエータ２１がそれぞれ設けられている。この各圧電ア
クチュエータ２１は、誘電体薄膜としての圧電体薄膜２
３を有し、この圧電体薄膜２３の厚み方向両面には、電
極がそれぞれ配設（下面にＣｒ製共通電極２２が、上面
にＰｔ製個別電極２４がそれぞれ配設）されている。
インク流路部品６と反対側面（上面）の凹部２に対応す
る部分（凹部２開口に対向する部分）には、圧電アクチ
ュエータ２１がそれぞれ設けられている。この各圧電ア
クチュエータ２１は、誘電体薄膜としての圧電体薄膜２
３を有し、この圧電体薄膜２３の厚み方向両面には、電
極がそれぞれ配設（下面にＣｒ製共通電極２２が、上面
にＰｔ製個別電極２４がそれぞれ配設）されている。
【００２４】上記共通電極２２は、全ての圧電アクチュ
エータ２１に共通の１つのものからなっていて、振動板
としての役割をも果たしている。そして、共通電極２２
は、上記ヘッド本体１の全ての凹部２を塞いで該凹部２
と共に圧力室３を構成しており、その厚みは１〜８μｍ
に設定されている。
エータ２１に共通の１つのものからなっていて、振動板
としての役割をも果たしている。そして、共通電極２２
は、上記ヘッド本体１の全ての凹部２を塞いで該凹部２
と共に圧力室３を構成しており、その厚みは１〜８μｍ
に設定されている。
【００２５】上記各圧電体薄膜２３は、Ｐｂ（ＺｒuＴ
ｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型
構造を有する圧電体材料（チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺ
Ｔ））からなり、その厚みは１〜５μｍに設定されてい
る。
ｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型
構造を有する圧電体材料（チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺ
Ｔ））からなり、その厚みは１〜５μｍに設定されてい
る。
【００２６】上記各個別電極２４は、厚さが約０．１μ
ｍであって、上記各圧電体薄膜２３の圧力室３と反対側
面（上面）にそれぞれ設けられており、この各個別電極
２４により上記共通電極２２と共に各圧電体薄膜２３に
駆動電圧がそれぞれ印加されるようになっている。
ｍであって、上記各圧電体薄膜２３の圧力室３と反対側
面（上面）にそれぞれ設けられており、この各個別電極
２４により上記共通電極２２と共に各圧電体薄膜２３に
駆動電圧がそれぞれ印加されるようになっている。
【００２７】上記各圧電アクチュエータ２１は、その共
通電極２２と個別電極２４とを介して圧電体薄膜２３に
駆動電圧を印加することにより該共通電極２２の圧力室
３に対応する部分を変形させることで、該圧力室３内の
インクを吐出口２ｂから吐出させるようになっている。
すなわち、共通電極２２と個別電極２４との間にパルス
状の電圧を印加すると、そのパルス電圧の立ち上がりに
より圧電体薄膜２３がその厚み方向と垂直な幅方向に収
縮するのに対し、共通電極２２及び個別電極２４は収縮
しないので、いわゆるバイメタル効果により共通電極２
２の圧力室３に対応する部分が圧力室３側へ凸状に撓ん
で変形する。この撓み変形により圧力室３の容積が減少
して圧力室３内に圧力が生じ、この圧力で圧力室３内の
インクが吐出口２ｂ及び吐出用インク流路８を経由して
ノズル１４より外部へ吐出されて、記録紙５１上にドッ
ト状に付着することとなる。そして、上記パルス電圧の
立ち下がりにより圧電素子２３が伸長して共通電極２２
の圧力室３に対応する部分が元の状態に復帰し、このと
き、圧力室３内には上記インク供給室１０より供給用イ
ンク流路７及び供給口２ａを介してインクが充填され
る。
通電極２２と個別電極２４とを介して圧電体薄膜２３に
駆動電圧を印加することにより該共通電極２２の圧力室
３に対応する部分を変形させることで、該圧力室３内の
インクを吐出口２ｂから吐出させるようになっている。
すなわち、共通電極２２と個別電極２４との間にパルス
状の電圧を印加すると、そのパルス電圧の立ち上がりに
より圧電体薄膜２３がその厚み方向と垂直な幅方向に収
縮するのに対し、共通電極２２及び個別電極２４は収縮
しないので、いわゆるバイメタル効果により共通電極２
２の圧力室３に対応する部分が圧力室３側へ凸状に撓ん
で変形する。この撓み変形により圧力室３の容積が減少
して圧力室３内に圧力が生じ、この圧力で圧力室３内の
インクが吐出口２ｂ及び吐出用インク流路８を経由して
ノズル１４より外部へ吐出されて、記録紙５１上にドッ
ト状に付着することとなる。そして、上記パルス電圧の
立ち下がりにより圧電素子２３が伸長して共通電極２２
の圧力室３に対応する部分が元の状態に復帰し、このと
き、圧力室３内には上記インク供給室１０より供給用イ
ンク流路７及び供給口２ａを介してインクが充填され
る。
【００２８】上記圧電体薄膜２３への駆動電圧の印加
は、インクジェットヘッド１８及びキャリッジ３１を主
走査方向において記録紙５１の一端から他端まで略一定
速度で移動させているときに所定の周期で繰り返し行わ
れ（但し、インクジェットヘッド１８が記録紙５１にお
いてインクを着弾させない箇所に達したときには、駆動
電圧は印加されない）、このことで、記録紙５１の所定
位置にインクを着弾させる。そして、１走査分の記録が
終了すると、搬送モータ及び各搬送ローラ５２により記
録紙５１を副走査方向に所定量搬送し、再度、インクジ
ェットヘッド１８及びキャリッジ３１を主走査方向に移
動させながらインクを吐出させて、新たな１走査分の記
録を行う。この動作を繰り返すことによって、記録紙５
１全体に所望の画像が形成される。
は、インクジェットヘッド１８及びキャリッジ３１を主
走査方向において記録紙５１の一端から他端まで略一定
速度で移動させているときに所定の周期で繰り返し行わ
れ（但し、インクジェットヘッド１８が記録紙５１にお
いてインクを着弾させない箇所に達したときには、駆動
電圧は印加されない）、このことで、記録紙５１の所定
位置にインクを着弾させる。そして、１走査分の記録が
終了すると、搬送モータ及び各搬送ローラ５２により記
録紙５１を副走査方向に所定量搬送し、再度、インクジ
ェットヘッド１８及びキャリッジ３１を主走査方向に移
動させながらインクを吐出させて、新たな１走査分の記
録を行う。この動作を繰り返すことによって、記録紙５
１全体に所望の画像が形成される。
【００２９】次に、上記インクジェットヘッド１８の製
造方法の概略手順について、図５を参照しつつ説明す
る。尚、図５においては、図３及び図４とインクジェッ
トヘッド１８の上下関係が逆になっている。
造方法の概略手順について、図５を参照しつつ説明す
る。尚、図５においては、図３及び図４とインクジェッ
トヘッド１８の上下関係が逆になっている。
【００３０】先ず、ＭｇＯの基板４１上全体に、Ｐｔを
スパッタ法により成膜することで個別電極２４を形成し
（図５（ａ）参照）、その後、この個別電極２４上全体
に、圧電体材料をスパッタ法により成膜することで圧電
体薄膜２３を形成する（図５（ｂ）参照）。そして、こ
の圧電体薄膜２３上全体に、Ｃｒをスパッタ法により成
膜することで共通電極２２を形成する（図５（ｃ）参
照）。
スパッタ法により成膜することで個別電極２４を形成し
（図５（ａ）参照）、その後、この個別電極２４上全体
に、圧電体材料をスパッタ法により成膜することで圧電
体薄膜２３を形成する（図５（ｂ）参照）。そして、こ
の圧電体薄膜２３上全体に、Ｃｒをスパッタ法により成
膜することで共通電極２２を形成する（図５（ｃ）参
照）。
【００３１】次いで、上記共通電極２２の上面に、ヘッ
ド本体１の圧力室部品５を固着する（図５（ｄ）参
照）。その後、上記基板４１を熱燐酸やＫＯＨ等で溶融
・除去すると共に、上記圧力室部品５上に、予め一体化
したインク流路部品６及びノズル板１３を固着する（図
５（ｅ）参照）。
ド本体１の圧力室部品５を固着する（図５（ｄ）参
照）。その後、上記基板４１を熱燐酸やＫＯＨ等で溶融
・除去すると共に、上記圧力室部品５上に、予め一体化
したインク流路部品６及びノズル板１３を固着する（図
５（ｅ）参照）。
【００３２】続いて、上記個別電極２４及び圧電体薄膜
２３をイオンミリング法や反応性イオンエッチング法等
のドライエッチング法にて１つの圧力室３毎に分割する
ことで、それぞれ所定形状に形成すると共に、共通電極
２２を、その不要部分をドライエッチング法にて除去す
ることで、所定形状に形成する（図５（ｆ）参照）。
２３をイオンミリング法や反応性イオンエッチング法等
のドライエッチング法にて１つの圧力室３毎に分割する
ことで、それぞれ所定形状に形成すると共に、共通電極
２２を、その不要部分をドライエッチング法にて除去す
ることで、所定形状に形成する（図５（ｆ）参照）。
【００３３】次いで、図示は省略するが、各個別電極２
４への配線や他の必要な処理を行うことで、インクジェ
ットヘッド１８が完成する。
４への配線や他の必要な処理を行うことで、インクジェ
ットヘッド１８が完成する。
【００３４】上記のようにスパッタ法により個別電極２
４、圧電体薄膜２３及び共通電極２２をそれぞれ形成す
る際には、図６に示すように、誘電体薄膜の製造装置と
してのスパッタ装置６１を用いて行う。このスパッタ装
置６１はチャンバ６２を備えており、このチャンバ６２
には、該チャンバ６２内にアルゴン等のガスを導入する
ガス導入装置６３が導入管６４を介して接続されてい
る。また、チャンバ６２には、該チャンバ６２内のガス
を外部に流出させて減圧する排気装置６７が排気管６８
を介して接続されている。
４、圧電体薄膜２３及び共通電極２２をそれぞれ形成す
る際には、図６に示すように、誘電体薄膜の製造装置と
してのスパッタ装置６１を用いて行う。このスパッタ装
置６１はチャンバ６２を備えており、このチャンバ６２
には、該チャンバ６２内にアルゴン等のガスを導入する
ガス導入装置６３が導入管６４を介して接続されてい
る。また、チャンバ６２には、該チャンバ６２内のガス
を外部に流出させて減圧する排気装置６７が排気管６８
を介して接続されている。
【００３５】上記チャンバ６２内には、スパッタ材料
（圧電体材料又は電極材料）からなるターゲット７１
と、上面に基板４１を支持する基板ホルダー７２とが互
いに平行になるように対向配置されている。この基板ホ
ルダー７２は接地されている一方、上記ターゲット７１
には、ターゲット７１及び基板ホルダー７２間にプラズ
マを生成するための高周波電力を供給する高周波電源７
５が整合器７６を介して接続されている。
（圧電体材料又は電極材料）からなるターゲット７１
と、上面に基板４１を支持する基板ホルダー７２とが互
いに平行になるように対向配置されている。この基板ホ
ルダー７２は接地されている一方、上記ターゲット７１
には、ターゲット７１及び基板ホルダー７２間にプラズ
マを生成するための高周波電力を供給する高周波電源７
５が整合器７６を介して接続されている。
【００３６】上記基板ホルダー７２の下方には、基板４
１の温度を調整するための温度調整器７８が配置され、
ターゲット７１の上方には、環状の第１磁石コイル８１
とこの第１磁石コイル８１よりも径が小さい環状の第２
磁石コイル８２とが互いに同心状に配置されている。こ
の第１及び第２磁石コイル８１，８２は、チャンバ６２
内にプラズマを捕捉する磁場を形成して、高密度のプラ
ズマを生成しかつ維持するものである。
１の温度を調整するための温度調整器７８が配置され、
ターゲット７１の上方には、環状の第１磁石コイル８１
とこの第１磁石コイル８１よりも径が小さい環状の第２
磁石コイル８２とが互いに同心状に配置されている。こ
の第１及び第２磁石コイル８１，８２は、チャンバ６２
内にプラズマを捕捉する磁場を形成して、高密度のプラ
ズマを生成しかつ維持するものである。
【００３７】上記基板ホルダー７２は、駆動装置８５に
より上下方向に移動可能に構成されており、これによ
り、該基板ホルダー７２上の基板４１とターゲット７１
との間の距離が変化するようになっている。尚、基板ホ
ルダー７２を上下移動させる代わりに、ターゲット７１
を上下方向に移動可能に構成してもよい。
より上下方向に移動可能に構成されており、これによ
り、該基板ホルダー７２上の基板４１とターゲット７１
との間の距離が変化するようになっている。尚、基板ホ
ルダー７２を上下移動させる代わりに、ターゲット７１
を上下方向に移動可能に構成してもよい。
【００３８】上記チャンバ６２の側壁には、上記プラズ
マ光が透過可能な監視窓６２ａが設けられている。この
監視窓６２ａは、波長が少なくとも３６３〜４５６ｎｍ
の範囲内にある光を透過させる材料（通常、波長が２５
０〜９００ｎｍ程度の光を透過させる材料を用いる）か
らなっている。
マ光が透過可能な監視窓６２ａが設けられている。この
監視窓６２ａは、波長が少なくとも３６３〜４５６ｎｍ
の範囲内にある光を透過させる材料（通常、波長が２５
０〜９００ｎｍ程度の光を透過させる材料を用いる）か
らなっている。
【００３９】上記監視窓６２ａに対して、プラズマ発光
測定装置８７の受光部８７ａが対向配置されており、こ
の受光部８７ａにより上記監視窓６２ａを透過したプラ
ズマ光が受光されるようになっている。上記プラズマ発
光測定装置８７は、上記受光部８７ａにより受光したプ
ラズマ光を分光する分光器８７ｂと、この分光器８７ｂ
により分光されたプラズマ光をそれぞれ検出する複数の
フォトダイオードアレイ８７ｃと、この各フォトダイオ
ードアレイ８７ｃの出力（アナログ信号）をデジタル信
号に変換して制御装置９０に出力するＡ／Ｄ変換器８７
ｄとを有している。すなわち、上記プラズマ光は、分光
器８７ｂの入射スリットに入射されて、回折格子に照射
されることによってスペクトルに分解され、このプラズ
マ光の分光方向（スペクトルの分解方向）に配列された
上記フォトダイオードアレイ８７ｃが、上記分光された
プラズマ光の各波長成分を受光すると共に該プラズマ光
を光電変換してプラズマ光の各波長における発光強度に
応じたアナログ信号を出力し、このアナログ信号が上記
Ａ／Ｄ変換器８７ｄによりデジタル信号に変換されて、
後述の制御装置９０に入力されるようになっている。
測定装置８７の受光部８７ａが対向配置されており、こ
の受光部８７ａにより上記監視窓６２ａを透過したプラ
ズマ光が受光されるようになっている。上記プラズマ発
光測定装置８７は、上記受光部８７ａにより受光したプ
ラズマ光を分光する分光器８７ｂと、この分光器８７ｂ
により分光されたプラズマ光をそれぞれ検出する複数の
フォトダイオードアレイ８７ｃと、この各フォトダイオ
ードアレイ８７ｃの出力（アナログ信号）をデジタル信
号に変換して制御装置９０に出力するＡ／Ｄ変換器８７
ｄとを有している。すなわち、上記プラズマ光は、分光
器８７ｂの入射スリットに入射されて、回折格子に照射
されることによってスペクトルに分解され、このプラズ
マ光の分光方向（スペクトルの分解方向）に配列された
上記フォトダイオードアレイ８７ｃが、上記分光された
プラズマ光の各波長成分を受光すると共に該プラズマ光
を光電変換してプラズマ光の各波長における発光強度に
応じたアナログ信号を出力し、このアナログ信号が上記
Ａ／Ｄ変換器８７ｄによりデジタル信号に変換されて、
後述の制御装置９０に入力されるようになっている。
【００４０】上記プラズマ発光スペクトルの一例（圧電
体材料の成膜時）を図７に示す。この場合、４０５〜４
１０ｎｍの発光波長帯域において最も高い発光強度を示
す元素はＰｂであり、４５０〜４５６ｎｍの発光波長帯
域において最も高い発光強度を示す元素はＴｉであり、
３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域において最も高い発
光強度及び２番目に高い発光強度を示す２つの元素のう
ち、波長が高い方がＰｂであり、波長が低い方がＴｉで
ある。
体材料の成膜時）を図７に示す。この場合、４０５〜４
１０ｎｍの発光波長帯域において最も高い発光強度を示
す元素はＰｂであり、４５０〜４５６ｎｍの発光波長帯
域において最も高い発光強度を示す元素はＴｉであり、
３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域において最も高い発
光強度及び２番目に高い発光強度を示す２つの元素のう
ち、波長が高い方がＰｂであり、波長が低い方がＴｉで
ある。
【００４１】上記制御装置９０は、上記プラズマ発光測
定装置８７からの各波長に対応する発光強度に基づい
て、上記ガス導入装置６３、排気装置６７、高周波電源
７５、温度調整器７８並びに第１及び第２磁石コイル８
１，８２を周知の如く制御するものであって、チャンバ
６２内に導入するガス流量、高周波電力、基板４１の温
度等を適切な値に制御するようになっている。
定装置８７からの各波長に対応する発光強度に基づい
て、上記ガス導入装置６３、排気装置６７、高周波電源
７５、温度調整器７８並びに第１及び第２磁石コイル８
１，８２を周知の如く制御するものであって、チャンバ
６２内に導入するガス流量、高周波電力、基板４１の温
度等を適切な値に制御するようになっている。
【００４２】また、上記制御装置９０は、圧電体材料の
成膜時において、上記プラズマ発光測定装置８７からの
各波長に対応する発光強度に基づいて、上記駆動装置８
５を自動制御するように構成されている。具体的には、
上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎｍの
発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度Ｉｔ
としたとき、上記基板４１にプラズマが照射される全て
の時間（プラズマが生じても、そのプラズマが安定する
までシャッタ等により基板４１に照射されない場合に
は、その照射されない時間は除かれる）で、上記基板ホ
ルダー７２を上下移動させて基板４１とターゲット７１
との間の距離を変化させることにより、Ｉｐ／Ｉｔ（Ｐ
ｂのＴｉに対するプラズマ発光強度比）を１．５〜２．
０の範囲内になるように自動制御して、圧電体薄膜２３
を形成する。このことにより、上記制御装置９０は、Ｉ
ｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範囲内になるように自動制
御する制御手段を構成していることになる。
成膜時において、上記プラズマ発光測定装置８７からの
各波長に対応する発光強度に基づいて、上記駆動装置８
５を自動制御するように構成されている。具体的には、
上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎｍの
発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度Ｉｔ
としたとき、上記基板４１にプラズマが照射される全て
の時間（プラズマが生じても、そのプラズマが安定する
までシャッタ等により基板４１に照射されない場合に
は、その照射されない時間は除かれる）で、上記基板ホ
ルダー７２を上下移動させて基板４１とターゲット７１
との間の距離を変化させることにより、Ｉｐ／Ｉｔ（Ｐ
ｂのＴｉに対するプラズマ発光強度比）を１．５〜２．
０の範囲内になるように自動制御して、圧電体薄膜２３
を形成する。このことにより、上記制御装置９０は、Ｉ
ｐ／Ｉｔを１．５〜２．０の範囲内になるように自動制
御する制御手段を構成していることになる。
【００４３】したがって、上記実施形態では、Ｐｂが４
０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で発光強度の最大値を
示す波長が変動したとしても、その発光波長帯域で最も
高い発光強度（この値は殆ど変動しない）をＰｂの発光
強度とし、Ｔｉが４５０〜４５６ｎｍの発光波長帯域で
発光強度の最大値を示す波長が変動したとしても、その
発光波長帯域で最も高い発光強度（この値は殆ど変動し
ない）をＴｉの発光強度とするので、Ｐｂ及びＴｉのプ
ラズマ発光強度を、所定の波長帯域で発光強度の最大値
を示すと考えられる１つの波長に対応する発光強度に設
定する従来の方法とは異なり、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に
得られ、このＩｐ／Ｉｔの値を１．５〜２．０の範囲内
になるように制御すれば、圧電体薄膜２３を安定的に製
造することができると共に、その圧電体薄膜２３の特性
（特に圧電定数）をより向上させることができる。この
結果、各圧電アクチュエータ２１の特性が均一となり、
各圧力室３にそれぞれ対応するノズル１４からのインク
吐出量やインク吐出速度が均一化する。よって、記録紙
５１の画質を向上させることができる。
０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で発光強度の最大値を
示す波長が変動したとしても、その発光波長帯域で最も
高い発光強度（この値は殆ど変動しない）をＰｂの発光
強度とし、Ｔｉが４５０〜４５６ｎｍの発光波長帯域で
発光強度の最大値を示す波長が変動したとしても、その
発光波長帯域で最も高い発光強度（この値は殆ど変動し
ない）をＴｉの発光強度とするので、Ｐｂ及びＴｉのプ
ラズマ発光強度を、所定の波長帯域で発光強度の最大値
を示すと考えられる１つの波長に対応する発光強度に設
定する従来の方法とは異なり、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に
得られ、このＩｐ／Ｉｔの値を１．５〜２．０の範囲内
になるように制御すれば、圧電体薄膜２３を安定的に製
造することができると共に、その圧電体薄膜２３の特性
（特に圧電定数）をより向上させることができる。この
結果、各圧電アクチュエータ２１の特性が均一となり、
各圧力室３にそれぞれ対応するノズル１４からのインク
吐出量やインク吐出速度が均一化する。よって、記録紙
５１の画質を向上させることができる。
【００４４】尚、上記実施形態では、Ｉｐ／Ｉｔの値
を、１．５〜２．０の範囲内になるように制御したが、
以下のようにしてもよい。すなわち、プラズマが発する
プラズマ発光スペクトル中において、３６３〜３７２ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度及び２番目に高い
発光強度のうち波長が高い方をＰｂの発光強度Ｉｐと
し、波長が低い方をＴｉの発光強度Ｉｔとしたとき、圧
電体材料の成膜時において、基板４１にプラズマが照射
される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範
囲内になるように制御する。このようにしても、上記実
施形態と同様に、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に得られ、圧電
定数が高くて圧電特性が優れた圧電体薄膜２３を安定的
に製造することができる。
を、１．５〜２．０の範囲内になるように制御したが、
以下のようにしてもよい。すなわち、プラズマが発する
プラズマ発光スペクトル中において、３６３〜３７２ｎ
ｍの発光波長帯域で最も高い発光強度及び２番目に高い
発光強度のうち波長が高い方をＰｂの発光強度Ｉｐと
し、波長が低い方をＴｉの発光強度Ｉｔとしたとき、圧
電体材料の成膜時において、基板４１にプラズマが照射
される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉｔを０．８〜１．２の範
囲内になるように制御する。このようにしても、上記実
施形態と同様に、Ｉｐ／Ｉｔの値が正確に得られ、圧電
定数が高くて圧電特性が優れた圧電体薄膜２３を安定的
に製造することができる。
【００４５】また、上記実施形態では、Ｉｐ／Ｉｔの制
御を、基板４１とターゲット７１との間の距離を変化さ
せることにより行ったが、図８に示すように、基板ホル
ダー７２をターゲット７１に対して傾斜させて基板４１
とターゲット７１とのなす角度を変化させることにより
行ってもよく、第１及び第２磁石コイル８１，８２を、
上下移動させたりターゲット７１の上下方向に延びる中
心軸に対して偏心して回転させたりしてプラズマ近傍又
は内部の磁場（方向、強さ、分布等）を変化させること
により行ってもよい。また、Ｉｐ／Ｉｔの値は、例えば
チャンバ６２内のガス圧と高周波電力とが決まれば一義
的に決まるので、ガス圧及び高周波電力により制御する
ことも可能であるため、高周波電力、チャンバ６２内に
導入するガス流量等を変化させることにより行ってもよ
いが、上記のように基板４１とターゲット７２との間の
距離、基板４１とターゲット７１とのなす角度、及びプ
ラズマ近傍又は内部の磁場のうち少なくとも１つを変化
させる方が、異常放電等の影響を受け難く、Ｉｐ／Ｉｔ
の制御を正確に行うことができる。
御を、基板４１とターゲット７１との間の距離を変化さ
せることにより行ったが、図８に示すように、基板ホル
ダー７２をターゲット７１に対して傾斜させて基板４１
とターゲット７１とのなす角度を変化させることにより
行ってもよく、第１及び第２磁石コイル８１，８２を、
上下移動させたりターゲット７１の上下方向に延びる中
心軸に対して偏心して回転させたりしてプラズマ近傍又
は内部の磁場（方向、強さ、分布等）を変化させること
により行ってもよい。また、Ｉｐ／Ｉｔの値は、例えば
チャンバ６２内のガス圧と高周波電力とが決まれば一義
的に決まるので、ガス圧及び高周波電力により制御する
ことも可能であるため、高周波電力、チャンバ６２内に
導入するガス流量等を変化させることにより行ってもよ
いが、上記のように基板４１とターゲット７２との間の
距離、基板４１とターゲット７１とのなす角度、及びプ
ラズマ近傍又は内部の磁場のうち少なくとも１つを変化
させる方が、異常放電等の影響を受け難く、Ｉｐ／Ｉｔ
の制御を正確に行うことができる。
【００４６】さらに、上記実施形態の圧電体薄膜２３の
製造方法は、スパッタ法以外にもプラズマを用いたＣＶ
Ｄ法等にも適用することができる。
製造方法は、スパッタ法以外にもプラズマを用いたＣＶ
Ｄ法等にも適用することができる。
【００４７】また、誘電体材料は、Ｐｂ（ＺｒuＴ
ｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型
構造を有するものには限らない。すなわち、プラズマを
用いて基板４１上に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜
１）で表されるペロブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元
素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａのうちいずれか１つであ
ってＢ元素及びＣ元素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａ
ｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及びＲｅのうちそれぞれ互いに異なるい
ずれか１つである誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する場合には、プラズマが発するプラズマ
発光スペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元
素の最大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとし
たとき、上記誘電体材料の成膜時において、基板４１に
プラズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ
／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つを、略一定
になるように制御すれば、最大の発光強度を示す波長が
変動したとしてもその最大値は殆ど変化せず、正確なプ
ラズマ発光強度が安定的に得られ、より高い特性を有す
る誘電体薄膜を安定的に製造することができる。
ｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイト型
構造を有するものには限らない。すなわち、プラズマを
用いて基板４１上に、Ａ（ＢwＣ1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜
１）で表されるペロブスカイト型構造を有しかつ該Ａ元
素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａのうちいずれか１つであ
ってＢ元素及びＣ元素がＬｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａ
ｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及びＲｅのうちそれぞれ互いに異なるい
ずれか１つである誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する場合には、プラズマが発するプラズマ
発光スペクトル中における上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元
素の最大発光強度を、それぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとし
たとき、上記誘電体材料の成膜時において、基板４１に
プラズマが照射される全ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ
／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃのうち少なくとも２つを、略一定
になるように制御すれば、最大の発光強度を示す波長が
変動したとしてもその最大値は殆ど変化せず、正確なプ
ラズマ発光強度が安定的に得られ、より高い特性を有す
る誘電体薄膜を安定的に製造することができる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の誘電体薄
膜の製造方法及び製造装置によると、特定の元素のプラ
ズマ発光強度を、１つの波長に対応する発光強度に固定
しないで、所定の発光波長帯域で最も高い発光強度等に
設定したので、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定
的に製造することができる。
膜の製造方法及び製造装置によると、特定の元素のプラ
ズマ発光強度を、１つの波長に対応する発光強度に固定
しないで、所定の発光波長帯域で最も高い発光強度等に
設定したので、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定
的に製造することができる。
【００４９】また、本発明のインクジェットヘッド及び
インクジェット式記録装置によると、インクを吐出させ
る圧電アクチュエータが、上記誘電体薄膜の製造方法に
より製造した誘電体薄膜としての圧電体薄膜を有するも
のとしたことにより、圧電定数が高くて圧電特性が優れ
た圧電体薄膜が安定して得られ、記録媒体の画質を向上
させることができる。
インクジェット式記録装置によると、インクを吐出させ
る圧電アクチュエータが、上記誘電体薄膜の製造方法に
より製造した誘電体薄膜としての圧電体薄膜を有するも
のとしたことにより、圧電定数が高くて圧電特性が優れ
た圧電体薄膜が安定して得られ、記録媒体の画質を向上
させることができる。
【図１】本発明の実施形態に係るインクジェット式記録
装置を示す概略斜視図である。
装置を示す概略斜視図である。
【図２】インクジェットヘッドの部分底面図である。
【図３】図２のIII−III線断面図である。
【図４】図２のIV−IV線断面図である。
【図５】インクジェットヘッドの製造方法を示す概略説
明図である。
明図である。
【図６】スパッタ装置を示す概略断面図である。
【図７】プラズマ発光スペクトルの一例を示す図であ
る。
る。
【図８】基板とターゲットとのなす角度を変化させる場
合の説明図である。
合の説明図である。
３ 圧力室 １４ ノズル １８ インクジェットヘッド ２１ 圧電アクチュエータ ２３ 圧電体薄膜（誘電体薄膜） ６１ スパッタ装置（誘電体薄膜の製造装置） ９０ 制御装置（制御手段）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/52 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｕ Ｈ０１Ｌ 41/09 41/18 １０１Ｚ 41/18 41/22 Ａ 41/24 (72)発明者 松尾 浩之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF23 AG44 AP14 AP52 AP53 BA03 BA14 4K029 AA04 BA50 BB02 BB07 BC00 BD03 DC41 EA06 GA05 4K030 BA42 FA01 KA30 KA39 LA01 LA11
Claims (9)
- 【請求項１】 プラズマを用いて基板上に、Ａ（ＢwＣ
1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペロブスカイト型構
造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａのう
ちいずれか１つであってＢ元素及びＣ元素がＬｉ、Ｃ
ｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及びＲｅのうちそれ
ぞれ互いに異なるいずれか１つである誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する方法であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におけ
る上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元素の最大発光強度を、そ
れぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとしたとき、上記誘電体材料
の成膜時において、上記基板にプラズマが照射される全
ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃの
うち少なくとも２つを、略一定になるように制御するこ
とを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 プラズマを用いて基板上に、Ｐｂ（Ｚｒ
uＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイ
ト型構造を有する誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する方法であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎｍの
発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度Ｉｔ
としたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上記基
板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉｔを
１．５〜２．０の範囲内になるように制御することを特
徴とする誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 プラズマを用いて基板上に、Ｐｂ（Ｚｒ
uＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイ
ト型構造を有する誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する方法であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方をＰ
ｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを０．８〜１．２の範囲内になるように制御すること
を特徴とする誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２又は３記載の誘電体薄膜の製造
方法において、 誘電体材料の成膜は、スパッタ法により行い、 Ｉｐ／Ｉｔの制御は、基板とターゲットとの間の距離、
基板とターゲットとのなす角度、及びプラズマ近傍又は
内部の磁場のうち少なくとも１つを変化させることによ
り行うことを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 プラズマを用いて基板上に、Ａ（ＢwＣ
1-w）Ｏ3（０＜ｗ＜１）で表されるペロブスカイト型構
造を有しかつ該Ａ元素がＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａのう
ちいずれか１つであってＢ元素及びＣ元素がＬｉ、Ｃ
ｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｄ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔｅ及びＲｅのうちそれ
ぞれ互いに異なるいずれか１つである誘電体材料を成膜
することにより誘電体薄膜を製造する装置であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におけ
る上記Ａ元素、Ｂ元素及びＣ元素の最大発光強度を、そ
れぞれＩａ、Ｉｂ及びＩｃとしたとき、上記誘電体材料
の成膜時において、上記基板にプラズマが照射される全
ての時間で、Ｉａ／Ｉｂ、Ｉｂ／Ｉｃ及びＩａ／Ｉｃの
うち少なくとも２つを、略一定になるように自動制御す
る制御手段を備えていることを特徴とする誘電体薄膜の
製造装置。 - 【請求項６】 プラズマを用いて基板上に、Ｐｂ（Ｚｒ
uＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイ
ト型構造を有する誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する装置であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、４０５〜４１０ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度をＰｂの発光強度Ｉｐとし、４５０〜４５６ｎｍの
発光波長帯域で最も高い発光強度をＴｉの発光強度Ｉｔ
としたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上記基
板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉｔを
１．５〜２．０の範囲内になるように自動制御する制御
手段を備えていることを特徴とする誘電体薄膜の製造装
置。 - 【請求項７】 プラズマを用いて基板上に、Ｐｂ（Ｚｒ
uＴｉ1-u）Ｏ3（０＜ｕ＜１）で表されるペロブスカイ
ト型構造を有する誘電体材料を成膜することにより誘電
体薄膜を製造する装置であって、 上記プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中におい
て、３６３〜３７２ｎｍの発光波長帯域で最も高い発光
強度及び２番目に高い発光強度のうち波長が高い方をＰ
ｂの発光強度Ｉｐとし、波長が低い方をＴｉの発光強度
Ｉｔとしたとき、上記誘電体材料の成膜時において、上
記基板にプラズマが照射される全ての時間で、Ｉｐ／Ｉ
ｔを０．８〜１．２の範囲内になるように自動制御する
制御手段を備えていることを特徴とする誘電体薄膜の製
造装置。 - 【請求項８】 インクが充填される圧力室と、該圧力室
に連通するノズルと、上記圧力室の容積が減少するよう
に変形して、該圧力室内のインクを上記ノズルから吐出
させる圧電アクチュエータとを備えたインクジェットヘ
ッドであって、 上記圧電アクチュエータは、請求項１〜４のいずれかに
記載の誘電体薄膜の製造方法により製造した誘電体薄膜
としての圧電体薄膜を有していることを特徴とするイン
クジェットヘッド。 - 【請求項９】 請求項８記載のインクジェットヘッドを
備え、該インクジェットヘッドのノズルからインクを記
録媒体に吐出させて記録を行うように構成されているこ
とを特徴とするインクジェット式記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369470A JP2002173770A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 誘電体薄膜の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369470A JP2002173770A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 誘電体薄膜の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002173770A true JP2002173770A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18839502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000369470A Pending JP2002173770A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 誘電体薄膜の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002173770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012153976A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータを求めるための方法 |
| US11818954B2 (en) | 2020-09-23 | 2023-11-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing piezoelectric actuator, piezoelectric actuator, and robot |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000369470A patent/JP2002173770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012153976A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータを求めるための方法 |
| US11818954B2 (en) | 2020-09-23 | 2023-11-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing piezoelectric actuator, piezoelectric actuator, and robot |
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