JP2002170982A - 光センサ回路 - Google Patents
光センサ回路Info
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- JP2002170982A JP2002170982A JP2000403769A JP2000403769A JP2002170982A JP 2002170982 A JP2002170982 A JP 2002170982A JP 2000403769 A JP2000403769 A JP 2000403769A JP 2000403769 A JP2000403769 A JP 2000403769A JP 2002170982 A JP2002170982 A JP 2002170982A
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- phototransistor
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- photodiode
- optical sensor
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 対数特性をもって入射光量に応じた電圧信号
を有効にとり出すことができる光センサ回路を提供す
る。 【解決手段】 微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力するPN接合によるフォトダイオードまたはフ
ォトトランジスタを用いて光センサ回路を構成する。
を有効にとり出すことができる光センサ回路を提供す
る。 【解決手段】 微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力するPN接合によるフォトダイオードまたはフ
ォトトランジスタを用いて光センサ回路を構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はイメージセンサの画素単
位となる光センサ回路に係り、特にPN接合による光電
変換素子を用いた光センサ回路に関する。
位となる光センサ回路に係り、特にPN接合による光電
変換素子を用いた光センサ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光センサ回路にあって
は、ダイナミックレンジを拡大できるように、オーバフ
ロードレイン機能をもったPN接合によるフォトトラン
ジスタを用いて、オーバフロードレインの動作時に対数
出力特性をもって入射光量に応じたセンサ信号が得られ
るようにしたものが開発されている(特開平5−335
546号公報参照)。
は、ダイナミックレンジを拡大できるように、オーバフ
ロードレイン機能をもったPN接合によるフォトトラン
ジスタを用いて、オーバフロードレインの動作時に対数
出力特性をもって入射光量に応じたセンサ信号が得られ
るようにしたものが開発されている(特開平5−335
546号公報参照)。
【0003】図18は、オーバフロードレイン機能をも
った縦形のn+pn構造によるフォトトランジスタを示
している。ここで、n+−p−well部分がフォトダ
イオードを構成しており、そのn+の下のp−well
部分が薄くなっている。
った縦形のn+pn構造によるフォトトランジスタを示
している。ここで、n+−p−well部分がフォトダ
イオードを構成しており、そのn+の下のp−well
部分が薄くなっている。
【0004】図19は、その縦形のn+pn構造による
フォトトランジスタにおけるオーバフロードレイン時に
おける電荷qの流れを示している。
フォトトランジスタにおけるオーバフロードレイン時に
おける電荷qの流れを示している。
【0005】このような縦形のn+pn構造によるフォ
トトランジスタにあって、オーバフロードレイン機能を
発揮するのは、ベース電圧よりもエミッタ電圧が低くな
ったとき、すなわちベースとなるp−wellの電位が
エミッタとなるn+の電位よりも低くなったときとな
る。
トトランジスタにあって、オーバフロードレイン機能を
発揮するのは、ベース電圧よりもエミッタ電圧が低くな
ったとき、すなわちベースとなるp−wellの電位が
エミッタとなるn+の電位よりも低くなったときとな
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、オーバフロードレイン機能をもったn+pn構造
によるフォトトランジスタを用いるのでは、そのオーバ
フロードレイン機能を発揮させるに際して、p−wel
lの電位を0V(GNDレベル)にして、n+の電位が
マイナスになったときにフォトダイオードを構成するn
+−p−well部分に負電圧を発生させるようにする
場合、その負電圧を増幅してとり出さなければならない
ことである。
点は、オーバフロードレイン機能をもったn+pn構造
によるフォトトランジスタを用いるのでは、そのオーバ
フロードレイン機能を発揮させるに際して、p−wel
lの電位を0V(GNDレベル)にして、n+の電位が
マイナスになったときにフォトダイオードを構成するn
+−p−well部分に負電圧を発生させるようにする
場合、その負電圧を増幅してとり出さなければならない
ことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、微小電流領域
での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射光量に応じ
て対数的に変化する電圧信号を生ずるPN接合によるフ
ォトダイオードまたはフォトトランジスタを用いて、対
数出力特性をもった光センサ回路を構成するようにして
いる。
での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射光量に応じ
て対数的に変化する電圧信号を生ずるPN接合によるフ
ォトダイオードまたはフォトトランジスタを用いて、対
数出力特性をもった光センサ回路を構成するようにして
いる。
【0008】そして、本発明では、フォトダイオードま
たはフォトトランジスタに生ずる電圧信号をデプレッシ
ョン型の増幅用トランジスタを用いて有効にとり出すよ
うにしている。
たはフォトトランジスタに生ずる電圧信号をデプレッシ
ョン型の増幅用トランジスタを用いて有効にとり出すよ
うにしている。
【0009】
【実施例】本発明による光センサ回路にあっては、図1
に示すように、微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力するn+p型のフォトダイオードを光電変換素
子として用いるようにしている。
に示すように、微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力するn+p型のフォトダイオードを光電変換素
子として用いるようにしている。
【0010】図1において、n+−p−well部分が
フォトダイオードを構成している。n−subは基板で
ある。また、Q2はそのフォトダイオードの電圧を増幅
してとり出すためのMOSトランジスタであり、Q3は
所定のタイミングでその増幅された電圧信号を画信号と
して出力させるための画素選択用のMOSトランジスタ
である。
フォトダイオードを構成している。n−subは基板で
ある。また、Q2はそのフォトダイオードの電圧を増幅
してとり出すためのMOSトランジスタであり、Q3は
所定のタイミングでその増幅された電圧信号を画信号と
して出力させるための画素選択用のMOSトランジスタ
である。
【0011】そのフォトダイオードの微小電流領域での
電圧−電流特性は、一般的に、次式(1)のように表わ
される。
電圧−電流特性は、一般的に、次式(1)のように表わ
される。
【0012】 I=Is{exp(qV/2kT)−1} …(1) ここで、Isは逆方向飽和電流、qは電荷、kはボルツ
マン定数、Tは周囲温度である。
マン定数、Tは周囲温度である。
【0013】したがって、このn+p型のフォトダイオ
ードにおけるp−wellをGNDレベルにしてn−s
ubに正のバイアス電圧Vddを印加したときのp−w
ellの電位を基準にすれば、n+の電位は入射光Ls
によってフォトダイオードに流れるセンサ電流に応じて
対数的に変化する電圧値になっていることがわかる。
ードにおけるp−wellをGNDレベルにしてn−s
ubに正のバイアス電圧Vddを印加したときのp−w
ellの電位を基準にすれば、n+の電位は入射光Ls
によってフォトダイオードに流れるセンサ電流に応じて
対数的に変化する電圧値になっていることがわかる。
【0014】図2は、そのn+p型のフォトダイオード
の電圧−電流特性を示している。
の電圧−電流特性を示している。
【0015】そして、そのフォトダイオードに生じた電
圧信号はトランジスタQ2によって増幅してとり出さ
れ、イメージセンサのコントローラの制御下において、
所定のタイミングをもって画素選択用のトランジスタQ
3から出力される。
圧信号はトランジスタQ2によって増幅してとり出さ
れ、イメージセンサのコントローラの制御下において、
所定のタイミングをもって画素選択用のトランジスタQ
3から出力される。
【0016】その際、フォトダイオードにおけるn+の
電位はp−wellの電位(GNDレベル)よりも負側
となるので、増幅用のトランジスタQ2にデプレッショ
ン型のものを使用することで、負の電圧領域からフォト
ダイオードに生じた電圧信号を増幅してとり出すことが
できるようになる。
電位はp−wellの電位(GNDレベル)よりも負側
となるので、増幅用のトランジスタQ2にデプレッショ
ン型のものを使用することで、負の電圧領域からフォト
ダイオードに生じた電圧信号を増幅してとり出すことが
できるようになる。
【0017】図3は、そのデプレッション型のトランジ
スタQ2におけるゲート電圧VGに対するドレイン電流
IDSの特性を示している。
スタQ2におけるゲート電圧VGに対するドレイン電流
IDSの特性を示している。
【0018】なお、画素選択用のトランジスタQ3は、
それが確実にオン、オフのスイッチング動作を行わせる
ことができるものであれば、デプレッション型のもので
もエンハンスメント型のものでもよい。
それが確実にオン、オフのスイッチング動作を行わせる
ことができるものであれば、デプレッション型のもので
もエンハンスメント型のものでもよい。
【0019】また、本発明による光センサ回路にあって
は、図4に示すように、微小電流領域での電圧−電流特
性が対数特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化す
る電圧信号を出力する縦形のn+pn型のトランジスタ
のn+p部分を光電変換素子として用いるようにしてい
る。ここで、n+がエミッタ、p−wellがベース、
n−subがコレクタとなる。
は、図4に示すように、微小電流領域での電圧−電流特
性が対数特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化す
る電圧信号を出力する縦形のn+pn型のトランジスタ
のn+p部分を光電変換素子として用いるようにしてい
る。ここで、n+がエミッタ、p−wellがベース、
n−subがコレクタとなる。
【0020】そのn+pn型のフォトトランジスタにお
けるn+p接合部分(フォトダイオードの構成部分に相
当する)におけるp−wellの厚みが他の部分に比べ
て薄く形成されており、n+pトランジスタとして効果
的に動作し、それによってn+p接合部分の空乏層以外
で生じた入射光Lsによる電荷が効果的にn−subに
排出されるようになっている。
けるn+p接合部分(フォトダイオードの構成部分に相
当する)におけるp−wellの厚みが他の部分に比べ
て薄く形成されており、n+pトランジスタとして効果
的に動作し、それによってn+p接合部分の空乏層以外
で生じた入射光Lsによる電荷が効果的にn−subに
排出されるようになっている。
【0021】そのフォトトランジスタの微小電流領域で
の電圧−電流特性は、一般的に、次式(2)のように表
わされる。
の電圧−電流特性は、一般的に、次式(2)のように表
わされる。
【0022】 IE=Ico{exp(qVBE/2kT) −1} …(2) ここで、IEはエミッタ電流、VBEはベース・エミッ
タ間電圧、Icoはコレクタ逆方向飽和電流、qは電
荷、kはボルツマン定数、Tは周囲温度である。
タ間電圧、Icoはコレクタ逆方向飽和電流、qは電
荷、kはボルツマン定数、Tは周囲温度である。
【0023】したがって、p−wellの電位を基準に
すれば、n+の電位は入射光Lsの光量によってn+p
接合部分に流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する
電圧値になっていることがわかる。
すれば、n+の電位は入射光Lsの光量によってn+p
接合部分に流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する
電圧値になっていることがわかる。
【0024】図5は、そのフォトトランジスタの電圧−
電流特性を示している。
電流特性を示している。
【0025】そして、そのフォトトランジスタに生じた
電圧信号はデプレッション型のトランジスタQ2によっ
て増幅してとり出され、イメージセンサのコントローラ
の制御下において、所定のタイミングをもって画素選択
用のトランジスタQ3から出力される。
電圧信号はデプレッション型のトランジスタQ2によっ
て増幅してとり出され、イメージセンサのコントローラ
の制御下において、所定のタイミングをもって画素選択
用のトランジスタQ3から出力される。
【0026】図6は、図4に示すフォトトランジスタの
等価回路を示している。
等価回路を示している。
【0027】ここでは、n+pn構造によるフォトトラ
ンジスタをQ1とし、そのうちのn+p接合部分をフォ
トダイオードPDとして表わしている。また、Cはn+
p接合部分(フォトダイオードPD)の寄生容量であ
る。
ンジスタをQ1とし、そのうちのn+p接合部分をフォ
トダイオードPDとして表わしている。また、Cはn+
p接合部分(フォトダイオードPD)の寄生容量であ
る。
【0028】また、図7はn+pn構造によるフォトト
ランジスタと増幅用のトランジスタQ2および画素選択
用のトランジスタQ3を同一基板に集積したときの構成
を示している。
ランジスタと増幅用のトランジスタQ2および画素選択
用のトランジスタQ3を同一基板に集積したときの構成
を示している。
【0029】ここでは、p−wellをGNDレベルと
し、n−subが正電位となるようにバイアスされてい
る。また、トランジスタQ2とトランジスタQ3の各構
成部分におけるp−wellはフォトトランジスタ部分
のそれよりも厚くなっており、npnトランジスタとし
て動作しにくい構造になっている。
し、n−subが正電位となるようにバイアスされてい
る。また、トランジスタQ2とトランジスタQ3の各構
成部分におけるp−wellはフォトトランジスタ部分
のそれよりも厚くなっており、npnトランジスタとし
て動作しにくい構造になっている。
【0030】また、図8は、p+n型のフォトダイオー
ドを用いたときの光センサ回路を示している。このp+
n型のフォトダイオードを用いた光センサ回路にあって
も、その基本的な構成が図1に示すn+p型のフォトダ
イオードを用いたものと同じである。
ドを用いたときの光センサ回路を示している。このp+
n型のフォトダイオードを用いた光センサ回路にあって
も、その基本的な構成が図1に示すn+p型のフォトダ
イオードを用いたものと同じである。
【0031】この場合は、p+n型のフォトダイオード
におけるp−subをGNDレベルにしてn−well
に正のバイアス電圧Vddを印加したときのn−wel
lの電位を基準にすれば、p+の電位は常にその基準よ
りも高いところで入射光Lsによってフォトダイオード
に流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する電圧値に
なる。
におけるp−subをGNDレベルにしてn−well
に正のバイアス電圧Vddを印加したときのn−wel
lの電位を基準にすれば、p+の電位は常にその基準よ
りも高いところで入射光Lsによってフォトダイオード
に流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する電圧値に
なる。
【0032】図9は、そのp+n型のフォトダイオード
の電圧−電流特性を示している。
の電圧−電流特性を示している。
【0033】したがって、この場合には、正の電圧領域
から動作できるように、図10に示す特性をもったデプ
レッション型のMOSトランジスタQ2を用いることに
より、そのp+n型のフォトダイオードに生じた電圧信
号を増幅してとり出すことができるようになる。
から動作できるように、図10に示す特性をもったデプ
レッション型のMOSトランジスタQ2を用いることに
より、そのp+n型のフォトダイオードに生じた電圧信
号を増幅してとり出すことができるようになる。
【0034】また、図11は、p+np型のフォトトラ
ンジスタを用いたときの光センサ回路を示している。こ
のp+np型のフォトトランジスタを用いた光センサ回
路にあっても、その基本的な構成が図4に示すn+pn
型のフォトトランジスタを用いたものと同じである。
ンジスタを用いたときの光センサ回路を示している。こ
のp+np型のフォトトランジスタを用いた光センサ回
路にあっても、その基本的な構成が図4に示すn+pn
型のフォトトランジスタを用いたものと同じである。
【0035】この場合は、p+np型のフォトトランジ
スタにおけるp−subをGNDレベルにしてn−we
llに正のバイアス電圧Vddを印加したときのn−w
ellの電位を基準にすれば、p+の電位は常にその基
準よりも高いところで入射光Lsによってフォトダイオ
ードに流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する電圧
値になる。
スタにおけるp−subをGNDレベルにしてn−we
llに正のバイアス電圧Vddを印加したときのn−w
ellの電位を基準にすれば、p+の電位は常にその基
準よりも高いところで入射光Lsによってフォトダイオ
ードに流れるセンサ電流に応じて対数的に変化する電圧
値になる。
【0036】図12は、そのp+np型のフォトトラン
ジスタの電圧−電流特性を示している。
ジスタの電圧−電流特性を示している。
【0037】したがって、この場合には、正の電圧領域
から動作できるように、図13に示す特性をもったデプ
レッション型のMOSトランジスタQ2を用いることに
より、そのp+n型のフォトダイオードに生じた電圧信
号を増幅してとり出すことができるようになる。
から動作できるように、図13に示す特性をもったデプ
レッション型のMOSトランジスタQ2を用いることに
より、そのp+n型のフォトダイオードに生じた電圧信
号を増幅してとり出すことができるようになる。
【0038】図14は、図11に示すフォトトランジス
タの等価回路を示している。
タの等価回路を示している。
【0039】また、図15はp+np構造によるフォト
トランジスタと増幅用のトランジスタQ2および画素選
択用のトランジスタQ3を同一基板に集積したときの構
成を示している。その構成としては、基本的に、図7に
示すn+pn構造によるフォトトランジスタを用いたも
のと同じてある。
トランジスタと増幅用のトランジスタQ2および画素選
択用のトランジスタQ3を同一基板に集積したときの構
成を示している。その構成としては、基本的に、図7に
示すn+pn構造によるフォトトランジスタを用いたも
のと同じてある。
【0040】なお、入射光量に応じて対数特性をもって
電圧信号を発生するn+pnまたはp+np構造による
フォトトランジスタを縦形のものとすることにより、P
N接合が基板に対して横方向になるようにした横形のも
のに比べて、有効受光面積を大きくとることができ、感
度が良いものになる。
電圧信号を発生するn+pnまたはp+np構造による
フォトトランジスタを縦形のものとすることにより、P
N接合が基板に対して横方向になるようにした横形のも
のに比べて、有効受光面積を大きくとることができ、感
度が良いものになる。
【0041】図16は、本発明による光センサ回路を画
素に用いたときのイメージセンサの一構成例を示してい
る。ここでは、複数の画素(D11〜D66)をマトリ
クス状に配設して、各1ラインごとの画素列を画素列選
択回路1によって順次選択し、画素選択回路2から順次
出力される画素選択信号によってスイッチ回路3におけ
る対応のスイッチング素子をオン状態にすることによっ
て、選択された画素列における各画素の画信号を時系列
的に出力させるように構成している。
素に用いたときのイメージセンサの一構成例を示してい
る。ここでは、複数の画素(D11〜D66)をマトリ
クス状に配設して、各1ラインごとの画素列を画素列選
択回路1によって順次選択し、画素選択回路2から順次
出力される画素選択信号によってスイッチ回路3におけ
る対応のスイッチング素子をオン状態にすることによっ
て、選択された画素列における各画素の画信号を時系列
的に出力させるように構成している。
【0042】また、図17は本発明による光センサ回路
を画素に用いたときのイメージセンサの他の構成例を示
している。ここでは特に、選択された画素列における各
画素の出力をそれぞれ増幅する増幅回路4を設けて、選
択された画素列における各画素の読出し走査を高速に行
わせることができるようにしている。
を画素に用いたときのイメージセンサの他の構成例を示
している。ここでは特に、選択された画素列における各
画素の出力をそれぞれ増幅する増幅回路4を設けて、選
択された画素列における各画素の読出し走査を高速に行
わせることができるようにしている。
【0043】
【発明の効果】本発明による光センサ回路によれば、微
小電流領域での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射
光量に応じて対数的に変化する電圧信号を出力するPN
接合によるフォトダイオードまたはフォトトランジスタ
を用いるようにしているので、対数特性をもって入射光
量に応じた電圧信号をとり出すことができる固体撮像素
子を実現できるようになる。
小電流領域での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射
光量に応じて対数的に変化する電圧信号を出力するPN
接合によるフォトダイオードまたはフォトトランジスタ
を用いるようにしているので、対数特性をもって入射光
量に応じた電圧信号をとり出すことができる固体撮像素
子を実現できるようになる。
【0044】その際、特に、本発明によれば、入射光量
に応じてフォトダイオードまたはフォトトランジスタに
生ずる電圧信号をデプレッション型の増幅用トランジス
タを用いて有効にとり出すことができるようになる。
に応じてフォトダイオードまたはフォトトランジスタに
生ずる電圧信号をデプレッション型の増幅用トランジス
タを用いて有効にとり出すことができるようになる。
【図1】本発明によるn+p型フォトダイオードを用い
た光センサ回路の構成例を示すフォトダイオード部分を
正断面図で示す電気的構成図である。
た光センサ回路の構成例を示すフォトダイオード部分を
正断面図で示す電気的構成図である。
【図2】そのn+p型フォトダイオードの電圧−電流特
性図である。
性図である。
【図3】そのn+p型フォトダイオードを用いた光セン
サ回路に用いられるデプレッション型の増幅用トランジ
スタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図であ
る。
サ回路に用いられるデプレッション型の増幅用トランジ
スタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図であ
る。
【図4】本発明によるn+pn型フォトトランジスタを
用いた光センサ回路の構成例を示すフォトトランジスタ
部分を正断面図で示す電気的構成図である。
用いた光センサ回路の構成例を示すフォトトランジスタ
部分を正断面図で示す電気的構成図である。
【図5】そのn+pn型フォトトランジスタの電圧−電
流特性図である。
流特性図である。
【図6】そのn+pn型フォトトランジスタを等価回路
で示す光センサ回路の電気回路図である。
で示す光センサ回路の電気回路図である。
【図7】図4に示す光センサ回路を同一基板に集積して
構成したときの正断面図である。
構成したときの正断面図である。
【図8】本発明によるp+n型フォトダイオードを用い
た光センサ回路の構成例を示すフォトダイオード部分を
正断面図で示す電気的構成図である。
た光センサ回路の構成例を示すフォトダイオード部分を
正断面図で示す電気的構成図である。
【図9】そのp+n型フォトダイオードの電圧−電流特
性図である。
性図である。
【図10】そのp+n型フォトダイオードを用いた光セ
ンサ回路に用いられるデプレッション型の増幅用トラン
ジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図であ
る。
ンサ回路に用いられるデプレッション型の増幅用トラン
ジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図であ
る。
【図11】本発明によるp+np型フォトトランジスタ
を用いた光センサ回路の構成例を示すフォトトランジス
タ部分を正断面図で示す電気的構成図である。
を用いた光センサ回路の構成例を示すフォトトランジス
タ部分を正断面図で示す電気的構成図である。
【図12】そのp+np型フォトトランジスタの電圧−
電流特性図である。
電流特性図である。
【図13】そのp+np型フォトトランジスタを用いた
光センサ回路に用いられるデプレッション型の増幅用ト
ランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図
である。
光センサ回路に用いられるデプレッション型の増幅用ト
ランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の特性図
である。
【図14】そのp+np型フォトトランジスタを等価回
路で示す光センサ回路の電気回路図である。
路で示す光センサ回路の電気回路図である。
【図15】図11に示す光センサ回路を同一基板に集積
して構成したときの正断面図である。
して構成したときの正断面図である。
【図16】本発明による光センサ回路を画素に用いたと
きのイメージセンサの一構成例を示すブロック図であ
る。
きのイメージセンサの一構成例を示すブロック図であ
る。
【図17】本発明による光センサ回路を画素に用いたと
きのイメージセンサの他の構成例を示すブロック図であ
る。
きのイメージセンサの他の構成例を示すブロック図であ
る。
【図18】オーバフロードレイン機能をもった縦型のn
pn構造によるフォトトランジスタを示す正断面図で
ある。
pn構造によるフォトトランジスタを示す正断面図で
ある。
【図19】そのn+pn構造によるフォトトランジスタ
のオーバフロードレイン時における電荷の流れを模擬的
に示す図である。
のオーバフロードレイン時における電荷の流れを模擬的
に示す図である。
【符号の説明】 PD フォトダイオード Q1 フォトトランジスタ Q2 増幅用トランジスタ Q3 画素選択用トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 H01L 27/14 A 31/10 A (72)発明者 神山 智幸 埼玉県狭山市新狭山1丁目10番地1 ホン ダエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 今井 俊雄 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内 Fターム(参考) 2G065 AB04 BA07 BA09 BA34 BC03 BC11 DA18 4M118 AA02 AA10 AB01 BA14 CA03 CA09 DD09 FA06 FA13 5C024 GX03 5F049 MA02 NA20 NB03 RA02 RA06 UA13 UA20
Claims (5)
- 【請求項1】 微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力するPN接合によるフォトダイオードを用いた
光センサ回路。 - 【請求項2】 フォトダイオードの出力をデプレッショ
ン型のトランジスタを用いて増幅してとり出すようにし
たことを特徴とする請求項1の記載による光センサ回
路。 - 【請求項3】 微小電流領域での電圧−電流特性が対数
特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信
号を出力する縦形のPN接合によるフォトトランジスタ
を用いた光センサ回路。 - 【請求項4】 n+pn型またはp+np型のフォトト
ランジスタにおけるn+p接合部分またはp+n接合部
分におけるp−wellまたはn−wellの厚みが他
の部分に比べて薄く形成されていることを特徴とする請
求項3の記載による光センサ回路。 - 【請求項5】 フォトトランジスタの出力をデプレッシ
ョン型のトランジスタを用いて増幅してとり出すように
したことを特徴とする請求項3の記載による光センサ回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000403769A JP2002170982A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光センサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000403769A JP2002170982A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光センサ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002170982A true JP2002170982A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18867830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000403769A Pending JP2002170982A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光センサ回路 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2002170982A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN108702469A (zh) * | 2016-03-04 | 2018-10-23 | 索尼公司 | 固体摄像器件、固体摄像器件驱动方法和电子设备 |
-
2000
- 2000-12-01 JP JP2000403769A patent/JP2002170982A/ja active Pending
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