JP2002162415A - プローブカード用プローブ - Google Patents
プローブカード用プローブInfo
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
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- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
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- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パラジウム合金よりなる裸線構造のプローブ
カード用プローブとベリリウム銅合金よりなる裸線構造
のプローブカード用プローブとを改善することにより、
電極間のピッチ寸法が例えば１００μｍというような微
小ピッチを持つＩＣチップの検査を行うプローブカード
に適用することができること。 【解決手段】 プローブカード用プローブにおいて、パ
ラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面
にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構
造を有することを特徴とするプローブカード用プロー
ブ。また、プローブカード用プローブにおいて、パラジ
ウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面にニ
ッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構造を
有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工が施されている
ことを特徴とするプローブカード用プローブ。
カード用プローブとベリリウム銅合金よりなる裸線構造
のプローブカード用プローブとを改善することにより、
電極間のピッチ寸法が例えば１００μｍというような微
小ピッチを持つＩＣチップの検査を行うプローブカード
に適用することができること。 【解決手段】 プローブカード用プローブにおいて、パ
ラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面
にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構
造を有することを特徴とするプローブカード用プロー
ブ。また、プローブカード用プローブにおいて、パラジ
ウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面にニ
ッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構造を
有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工が施されている
ことを特徴とするプローブカード用プローブ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップの電気
的特性を検査するプローブカードに用いられるプローブ
カード用プローブに関するものである。
的特性を検査するプローブカードに用いられるプローブ
カード用プローブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスを形成してなるＩＣチッ
プの電気的特性を検査する際にプローブカードと呼ばれ
る装置が用いられている。図１は垂直型プローブカード
の構成を示す断面図である。同図に示すように、垂直型
プローブカードは、湾曲部１ａを有し針状をなす複数個
のプローブカード用プローブ（以下、単にプローブとい
う）１と、これらのプローブ１を垂下して固定するガイ
ド部２と、各プローブ１ごとにプローブ後端がはんだ付
けによって接続される配線パターンがそれぞれ形成され
た基板３とにより構成されている。プローブ１は、基板
３の周辺部に配列された端子と前記配線パターンを介し
て接続されている。ＩＣチップを検査する際には、基板
３の前記端子にプローバーと呼ばれる検査装置が接続さ
れる。前記ガイド部２は、複数個のプローブ１がそれぞ
れ貫通するガイド孔２１ａを有する上側ガイド板２１
と、この上側ガイド板２１の下方に所定の間隔をあけて
平行に配置され、各複数個のプローブ１がそれぞれ貫通
するガイド孔２２ａを有する下側ガイド板２２と、前記
上側ガイド板２１の上に配置され、複数個のプローブ１
を固定するプローブ固定部材２３と、基板３の裏面から
垂下され、上側ガイド板２１と下側ガイド板２２とを支
持する支持部材２４とにより構成されている。
プの電気的特性を検査する際にプローブカードと呼ばれ
る装置が用いられている。図１は垂直型プローブカード
の構成を示す断面図である。同図に示すように、垂直型
プローブカードは、湾曲部１ａを有し針状をなす複数個
のプローブカード用プローブ（以下、単にプローブとい
う）１と、これらのプローブ１を垂下して固定するガイ
ド部２と、各プローブ１ごとにプローブ後端がはんだ付
けによって接続される配線パターンがそれぞれ形成され
た基板３とにより構成されている。プローブ１は、基板
３の周辺部に配列された端子と前記配線パターンを介し
て接続されている。ＩＣチップを検査する際には、基板
３の前記端子にプローバーと呼ばれる検査装置が接続さ
れる。前記ガイド部２は、複数個のプローブ１がそれぞ
れ貫通するガイド孔２１ａを有する上側ガイド板２１
と、この上側ガイド板２１の下方に所定の間隔をあけて
平行に配置され、各複数個のプローブ１がそれぞれ貫通
するガイド孔２２ａを有する下側ガイド板２２と、前記
上側ガイド板２１の上に配置され、複数個のプローブ１
を固定するプローブ固定部材２３と、基板３の裏面から
垂下され、上側ガイド板２１と下側ガイド板２２とを支
持する支持部材２４とにより構成されている。
【０００３】４はウエハ載置台であり、このウエハ載置
台４の上に、検査対象である複数個のＩＣチップ５１が
形成されたウエハ５が載置されている。５１ａはＩＣチ
ップ５１の表面に形成された電極である。垂直型プロー
ブカードは、ＩＣチップ５１の電極５１ａにプローブ１
の先端部を垂直に接触させるようにしたものであり、プ
ローブ１の先端部が電極５１ａの真上に位置するように
位置決めされる。そして、プローブ１の方向にウエハ載
置台４を上昇させることにより、ＩＣチップ５１の電極
５１ａとプローブ１の先端部とが接触する。
台４の上に、検査対象である複数個のＩＣチップ５１が
形成されたウエハ５が載置されている。５１ａはＩＣチ
ップ５１の表面に形成された電極である。垂直型プロー
ブカードは、ＩＣチップ５１の電極５１ａにプローブ１
の先端部を垂直に接触させるようにしたものであり、プ
ローブ１の先端部が電極５１ａの真上に位置するように
位置決めされる。そして、プローブ１の方向にウエハ載
置台４を上昇させることにより、ＩＣチップ５１の電極
５１ａとプローブ１の先端部とが接触する。
【０００４】ここで、ＩＣチップ５１の電極５１ａはア
ルミニウムと銅とを含むアルミニウム−銅合金膜、ある
いはアルミニウム膜により形成されているが、この電極
５１ａの表面は薄い酸化アルミニウムよりなる酸化膜が
形成されている。この酸化膜は絶縁体であるため、単に
電極５１ａ表面にプローブ１の先端部を接触させただけ
では、プローブ１の先端部と酸化膜の下に位置するアル
ミニウム−銅合金膜とが接触することができず、プロー
ブ１の先端部とアルミニウム−銅合金膜との間を電気的
に接続することができない。
ルミニウムと銅とを含むアルミニウム−銅合金膜、ある
いはアルミニウム膜により形成されているが、この電極
５１ａの表面は薄い酸化アルミニウムよりなる酸化膜が
形成されている。この酸化膜は絶縁体であるため、単に
電極５１ａ表面にプローブ１の先端部を接触させただけ
では、プローブ１の先端部と酸化膜の下に位置するアル
ミニウム−銅合金膜とが接触することができず、プロー
ブ１の先端部とアルミニウム−銅合金膜との間を電気的
に接続することができない。
【０００５】そのため、電極５１ａにプローブ１の先端
部を接触させた後、さらにウエハ載置台４を上昇させ
る。この電極５１ａにプローブ１の先端部を接触させ、
しかる後、さらにＩＣチップ５１をプローブ１の方向に
上昇させることをオーバードライブと呼んでいる。プロ
ーブ１との接触後、ＩＣチップ５１を上昇させる距離を
オーバードライブ量と呼ぶ。一般に、このオーバードラ
イブ量は５０〜１００μｍである。垂直型プローブカー
ドでは、図２に示すように、湾曲部１ａを有するプロー
ブ１を使用する。そして、電極５１ａにプローブ１の先
端部が接触した後に、オーバードライブを加えると、図
３に示すように、プローブ１は、その湾曲部１ａが弾性
的に変形して撓むことにより、プローブ先端部が所定の
接触圧（針圧）にて電極５１ａを押圧する。これによ
り、プローブ１と電極５１ａとの接触点において電極５
１ａの表面から酸化膜が破られて除去され、プローブ１
の先端部と電極５１ａのアルミニウム−銅合金膜とが直
接接触することができる。なお、接触圧（ｇ）はオーバ
ードライブ量（μｍ）の値に比例して大きくなるもので
ある。
部を接触させた後、さらにウエハ載置台４を上昇させ
る。この電極５１ａにプローブ１の先端部を接触させ、
しかる後、さらにＩＣチップ５１をプローブ１の方向に
上昇させることをオーバードライブと呼んでいる。プロ
ーブ１との接触後、ＩＣチップ５１を上昇させる距離を
オーバードライブ量と呼ぶ。一般に、このオーバードラ
イブ量は５０〜１００μｍである。垂直型プローブカー
ドでは、図２に示すように、湾曲部１ａを有するプロー
ブ１を使用する。そして、電極５１ａにプローブ１の先
端部が接触した後に、オーバードライブを加えると、図
３に示すように、プローブ１は、その湾曲部１ａが弾性
的に変形して撓むことにより、プローブ先端部が所定の
接触圧（針圧）にて電極５１ａを押圧する。これによ
り、プローブ１と電極５１ａとの接触点において電極５
１ａの表面から酸化膜が破られて除去され、プローブ１
の先端部と電極５１ａのアルミニウム−銅合金膜とが直
接接触することができる。なお、接触圧（ｇ）はオーバ
ードライブ量（μｍ）の値に比例して大きくなるもので
ある。
【０００６】図４は垂直型プローブカードに用いられる
プローブの外観形状を示す説明図である。プローブの寸
法について説明すると、直径（外径）Ｄ：８０μｍ、先
端長さＬ１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５〜３０μ
ｍ、湾曲部長さＬ２：約２ｍｍである。この直径Ｄが８
０μｍのプローブは、電極間のピッチ寸法が２００μｍ
のＩＣチップを検査する垂直型プローブカードに使用さ
れるものである。従来のプローブは、断面円形をなし、
めっきが施されていない裸線構造を有しており、タング
ステン、ベリリウム銅合金又はパラジウム合金よりなっ
ている。これらの金属材料は、電気接点材料として優れ
ている。ベリリウム銅合金としてはベリリウムを２質量
％含有するＣｕ−２質量％Ｂｅ合金が挙げられる。ま
た、パラジウム合金としては、米国のＮＥＹ社で開発さ
れたパリネイ７（Paliney ７：商品名）やパリネイ６
（Paliney ６：商品名）が挙げられ、パリネイ７が最も
よく用いられている。パリネイ７（アメリカ材料試験協
会の規格ＡＳＴＭ Ｂ−５４０に相当）は、パラジウム
を主体とする６元合金である。このパリネイ７の化学成
分は、Ｐｄ：３５質量％、Ａｇ：３０質量％、Ｐｔ：１
０質量％、Ａｕ：１０質量％、Ｃｕ：１４質量％、Ｚ
ｎ：１質量％である。パリネイ６（アメリカ材料試験協
会の規格ＡＳＴＭ Ｂ−５６３に相当）はパラジウムを
主体とする４元合金である。このパリネイ６の化学成分
は、Ｐｄ：４２〜４４質量％、Ａｇ：３８〜４１質量
％、Ｐｔ：０〜１質量％、Ｃｕ：１６〜１７質量％であ
る。
プローブの外観形状を示す説明図である。プローブの寸
法について説明すると、直径（外径）Ｄ：８０μｍ、先
端長さＬ１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５〜３０μ
ｍ、湾曲部長さＬ２：約２ｍｍである。この直径Ｄが８
０μｍのプローブは、電極間のピッチ寸法が２００μｍ
のＩＣチップを検査する垂直型プローブカードに使用さ
れるものである。従来のプローブは、断面円形をなし、
めっきが施されていない裸線構造を有しており、タング
ステン、ベリリウム銅合金又はパラジウム合金よりなっ
ている。これらの金属材料は、電気接点材料として優れ
ている。ベリリウム銅合金としてはベリリウムを２質量
％含有するＣｕ−２質量％Ｂｅ合金が挙げられる。ま
た、パラジウム合金としては、米国のＮＥＹ社で開発さ
れたパリネイ７（Paliney ７：商品名）やパリネイ６
（Paliney ６：商品名）が挙げられ、パリネイ７が最も
よく用いられている。パリネイ７（アメリカ材料試験協
会の規格ＡＳＴＭ Ｂ−５４０に相当）は、パラジウム
を主体とする６元合金である。このパリネイ７の化学成
分は、Ｐｄ：３５質量％、Ａｇ：３０質量％、Ｐｔ：１
０質量％、Ａｕ：１０質量％、Ｃｕ：１４質量％、Ｚ
ｎ：１質量％である。パリネイ６（アメリカ材料試験協
会の規格ＡＳＴＭ Ｂ−５６３に相当）はパラジウムを
主体とする４元合金である。このパリネイ６の化学成分
は、Ｐｄ：４２〜４４質量％、Ａｇ：３８〜４１質量
％、Ｐｔ：０〜１質量％、Ｃｕ：１６〜１７質量％であ
る。
【０００７】タングステン製のプローブは、タングステ
ン粉末をプレス成形して成形品を得、この成形品に対し
て通電加熱、熱間加工及び熱処理を繰り返し施すことで
所定径の線材とし、次いで該線材を伸線ダイスによって
伸線してプローブ用細線を得、所定長さに切断されたプ
ローブ用細線に先端形状を形成する研磨加工と湾曲部を
形成する曲げ加工を施すことにより、製造されている。
また、ベリリウム銅合金製あるいはパラジウム合金製の
プローブは、原料金属を配合して真空溶解を行ってビレ
ットをつくり、該ビレットに対して冷間加工と熱処理と
を繰り返し施すことで所定径の線材とし、次いで該線材
を伸線ダイスによって伸線してプローブ用細線を得、所
定長さに切断されたプローブ用細線に先端形状を形成す
る研磨加工と湾曲部を形成する曲げ加工を施すことによ
り、製造されている。なお、垂直型プローブカードに用
いられるプローブは、その後端が基板にはんだ付けによ
って接続される。このため、タングステン製プローブ
は、その後端部分のみにニッケルめっきが施されてい
る。
ン粉末をプレス成形して成形品を得、この成形品に対し
て通電加熱、熱間加工及び熱処理を繰り返し施すことで
所定径の線材とし、次いで該線材を伸線ダイスによって
伸線してプローブ用細線を得、所定長さに切断されたプ
ローブ用細線に先端形状を形成する研磨加工と湾曲部を
形成する曲げ加工を施すことにより、製造されている。
また、ベリリウム銅合金製あるいはパラジウム合金製の
プローブは、原料金属を配合して真空溶解を行ってビレ
ットをつくり、該ビレットに対して冷間加工と熱処理と
を繰り返し施すことで所定径の線材とし、次いで該線材
を伸線ダイスによって伸線してプローブ用細線を得、所
定長さに切断されたプローブ用細線に先端形状を形成す
る研磨加工と湾曲部を形成する曲げ加工を施すことによ
り、製造されている。なお、垂直型プローブカードに用
いられるプローブは、その後端が基板にはんだ付けによ
って接続される。このため、タングステン製プローブ
は、その後端部分のみにニッケルめっきが施されてい
る。
【０００８】このように、垂直型プローブカードに用い
られる従来のプローブは、タングステン、ベリリウム銅
合金又はパラジウム合金よりなり、めっきが施されてい
ない裸線構造を有するものであった。
られる従来のプローブは、タングステン、ベリリウム銅
合金又はパラジウム合金よりなり、めっきが施されてい
ない裸線構造を有するものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積
回路の微細化の進展に伴ってＩＣチップの電極間のピッ
チ寸法が次第に小さくなっており、そのためにプローブ
直径Ｄも次第に細くなってきている。そして、電極間の
ピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップを検査する場合に
は、直径Ｄが６５μｍのプローブを使用することが必要
となる。
回路の微細化の進展に伴ってＩＣチップの電極間のピッ
チ寸法が次第に小さくなっており、そのためにプローブ
直径Ｄも次第に細くなってきている。そして、電極間の
ピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップを検査する場合に
は、直径Ｄが６５μｍのプローブを使用することが必要
となる。
【００１０】ところが、垂直型プローブカードに用いら
れる従来の裸線構造のプローブにおいて、直径Ｄが６５
μｍのパラジウム合金製プローブでは、オーバードライ
ブを加えたときに所定の接触圧が得られないために、該
プローブの先端部とＩＣチップの電極のアルミニウム−
銅合金膜との間を電気的に接続することができない。こ
のため、電極間のピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップ
の検査を行うことができないという問題があった。ま
た、直径Ｄが６５μｍのベリリウム銅合金製プローブに
おいても、オーバードライブを加えたときに所定の接触
圧が得られない。
れる従来の裸線構造のプローブにおいて、直径Ｄが６５
μｍのパラジウム合金製プローブでは、オーバードライ
ブを加えたときに所定の接触圧が得られないために、該
プローブの先端部とＩＣチップの電極のアルミニウム−
銅合金膜との間を電気的に接続することができない。こ
のため、電極間のピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップ
の検査を行うことができないという問題があった。ま
た、直径Ｄが６５μｍのベリリウム銅合金製プローブに
おいても、オーバードライブを加えたときに所定の接触
圧が得られない。
【００１１】これに対して、タングステンはパラジウム
合金とベリリウム銅合金に比べて金属材料としてばね性
の点において優れていることから、直径Ｄが６５μｍの
タングステン製プローブでは、オーバードライブを加え
たときに所定の接触圧を得ることができる。しかしなが
ら、裸線構造のタングステン製プローブでは、次に説明
するような問題がある。ＩＣチップの検査温度が８５℃
又は１５０℃であることから、タングステン製プローブ
の先端部は高温になり酸化されやすい。タングステン製
プローブの先端部表面が酸化されると、該プローブ先端
部には、オーバードライブによりＩＣチップの電極表面
から除去された酸化アルミニウムの一部が付着しやすく
なる。このように、タングステン製プローブの先端部に
絶縁体である酸化アルミニウムが付着すると、該プロー
ブ先端部と電極間の接触抵抗が高くなる。このため、こ
のようなプローブを使用し続けると、最終的には電気的
接続が不良となり、ＩＣチップの検査が正確に行えなく
なる。
合金とベリリウム銅合金に比べて金属材料としてばね性
の点において優れていることから、直径Ｄが６５μｍの
タングステン製プローブでは、オーバードライブを加え
たときに所定の接触圧を得ることができる。しかしなが
ら、裸線構造のタングステン製プローブでは、次に説明
するような問題がある。ＩＣチップの検査温度が８５℃
又は１５０℃であることから、タングステン製プローブ
の先端部は高温になり酸化されやすい。タングステン製
プローブの先端部表面が酸化されると、該プローブ先端
部には、オーバードライブによりＩＣチップの電極表面
から除去された酸化アルミニウムの一部が付着しやすく
なる。このように、タングステン製プローブの先端部に
絶縁体である酸化アルミニウムが付着すると、該プロー
ブ先端部と電極間の接触抵抗が高くなる。このため、こ
のようなプローブを使用し続けると、最終的には電気的
接続が不良となり、ＩＣチップの検査が正確に行えなく
なる。
【００１２】なお、パラジウム合金製プローブとベリリ
ウム銅合金製プローブでは、前記したＩＣチップの検査
温度でも表面が酸化し難いことから、酸化アルミニウム
の付着に起因して電気的接続不良が発生するようなこと
はない。
ウム銅合金製プローブでは、前記したＩＣチップの検査
温度でも表面が酸化し難いことから、酸化アルミニウム
の付着に起因して電気的接続不良が発生するようなこと
はない。
【００１３】本発明の目的は、パラジウム合金よりなる
裸線構造のプローブカード用プローブとベリリウム銅合
金よりなる裸線構造のプローブカード用プローブとを改
善することにより、電極間のピッチ寸法が例えば１００
μｍというような微小ピッチを持つＩＣチップの検査を
行うプローブカードに適用することができ、半導体集積
回路の微細化の進展によりＩＣチップの電極間のピッチ
寸法が小さくなることに対応しうる、プローブカード用
プローブを提供することにある。
裸線構造のプローブカード用プローブとベリリウム銅合
金よりなる裸線構造のプローブカード用プローブとを改
善することにより、電極間のピッチ寸法が例えば１００
μｍというような微小ピッチを持つＩＣチップの検査を
行うプローブカードに適用することができ、半導体集積
回路の微細化の進展によりＩＣチップの電極間のピッチ
寸法が小さくなることに対応しうる、プローブカード用
プローブを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、プローブカード用プローブに
おいて、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる
芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが
施された構造を有することを特徴とするプローブカード
用プローブである。
めに、請求項１の発明は、プローブカード用プローブに
おいて、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる
芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが
施された構造を有することを特徴とするプローブカード
用プローブである。
【００１５】請求項２の発明は、プローブカード用プロ
ーブにおいて、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よ
りなる芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金め
っきが施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸
線加工が施されていることを特徴とするプローブカード
用プローブである。
ーブにおいて、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よ
りなる芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金め
っきが施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸
線加工が施されていることを特徴とするプローブカード
用プローブである。
【００１６】請求項３の発明は、請求項１記載のプロー
ブカード用プローブにおいて、さらに、最表面に金めっ
きが施されていることを特徴とするものである。請求項
４の発明は、請求項２記載のプローブカード用プローブ
において、さらに、前記伸線加工が施された後において
最表面に金めっきが施されていることを特徴とするもの
である。
ブカード用プローブにおいて、さらに、最表面に金めっ
きが施されていることを特徴とするものである。請求項
４の発明は、請求項２記載のプローブカード用プローブ
において、さらに、前記伸線加工が施された後において
最表面に金めっきが施されていることを特徴とするもの
である。
【００１７】ニッケルとニッケル合金は、パラジウム合
金及びベリリウム銅合金に比べて、ばね性（ヤング率、
弾性限度）と硬さとに優れた金属である。請求項１の発
明によるプローブによれば、パラジウム合金又はベリリ
ウム銅合金よりなる芯材の表面にニッケルめっき又はニ
ッケル合金めっきが施されたものであるから、オーバー
ドライブを加えたとき、プローブ湾曲部が弾性的に変形
して撓むことによって生じる接触圧（針圧）を、従来の
裸線構造のパラジウム合金製又はベリリウム銅合金製プ
ローブに比べて大きくすることができる。これによりプ
ローブ直径を６５μｍに細くして、電極間のピッチ寸法
が１００μｍのＩＣチップの検査を行うことができる。
また、この請求項１の発明によるプローブによれば、湾
曲部を形成する際にスプリングバックが発生しないので
加工精度の良い曲げ加工を行うことができる。さらに、
オーバードライブが終了したとき、それまで撓んでいた
湾曲部が元の形状に戻ろうとする湾曲部の形状回復性
（形状復元力）に優れている。このため、長期間繰り返
し使用し続けても、プローブ先端の位置が変化せずに一
定しており、ＩＣチップの電極に対する位置ずれが発生
するようなことがない。請求項１の発明によるプローブ
においては、直径が６５μｍの場合、ニッケルめっき又
はニッケル合金めっきの厚みは、３μｍ以上とすること
が適切である。３μｍを下回ると所要の接触圧が得られ
ないためである。なお、コストの点から上限値は１５μ
ｍとすることが適切である。
金及びベリリウム銅合金に比べて、ばね性（ヤング率、
弾性限度）と硬さとに優れた金属である。請求項１の発
明によるプローブによれば、パラジウム合金又はベリリ
ウム銅合金よりなる芯材の表面にニッケルめっき又はニ
ッケル合金めっきが施されたものであるから、オーバー
ドライブを加えたとき、プローブ湾曲部が弾性的に変形
して撓むことによって生じる接触圧（針圧）を、従来の
裸線構造のパラジウム合金製又はベリリウム銅合金製プ
ローブに比べて大きくすることができる。これによりプ
ローブ直径を６５μｍに細くして、電極間のピッチ寸法
が１００μｍのＩＣチップの検査を行うことができる。
また、この請求項１の発明によるプローブによれば、湾
曲部を形成する際にスプリングバックが発生しないので
加工精度の良い曲げ加工を行うことができる。さらに、
オーバードライブが終了したとき、それまで撓んでいた
湾曲部が元の形状に戻ろうとする湾曲部の形状回復性
（形状復元力）に優れている。このため、長期間繰り返
し使用し続けても、プローブ先端の位置が変化せずに一
定しており、ＩＣチップの電極に対する位置ずれが発生
するようなことがない。請求項１の発明によるプローブ
においては、直径が６５μｍの場合、ニッケルめっき又
はニッケル合金めっきの厚みは、３μｍ以上とすること
が適切である。３μｍを下回ると所要の接触圧が得られ
ないためである。なお、コストの点から上限値は１５μ
ｍとすることが適切である。
【００１８】これに対して、請求項２の発明によるプロ
ーブは、請求項１の発明によるプローブの構造に加え
て、伸線ダイスによる伸線加工が施されてなるものであ
る。めっきが施された後に伸線ダイスによる伸線加工が
施されて製品径に仕上げられためっき付きプローブ用細
線は、前記伸線加工が施されたものであるから、伸線加
工が施されていない同じ製品径のめっき付きプローブ用
細線に比べて、ばね性及び硬さにおいてより優れてい
る。
ーブは、請求項１の発明によるプローブの構造に加え
て、伸線ダイスによる伸線加工が施されてなるものであ
る。めっきが施された後に伸線ダイスによる伸線加工が
施されて製品径に仕上げられためっき付きプローブ用細
線は、前記伸線加工が施されたものであるから、伸線加
工が施されていない同じ製品径のめっき付きプローブ用
細線に比べて、ばね性及び硬さにおいてより優れてい
る。
【００１９】よって、請求項２の発明によるプローブに
よれば、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる
芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが
施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工
が施されたものであるから、オーバードライブを加えた
とき、従来の、パラジウム合金製又はベリリウム銅合金
製の裸線構造のプローブに比べて、また、請求項１の発
明によるプローブに比べて大きな接触圧（針圧）を得る
ことができる。これによりプローブ直径を６５μｍに細
くして、電極間のピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップ
の検査を行うことができる。また、この請求項２の発明
によるプローブによれば、前記請求項１の発明によるプ
ローブと同等以上に、湾曲部を形成する際に加工精度の
良い曲げ加工を行うことができるとともに、湾曲部の形
状回復性（形状復元力）に優れている。顕微鏡による観
察結果によると、請求項２の発明によるプローブのめっ
き表面は、伸線ダイスによる伸線加工が施されたもので
あるから、請求項１の発明によるプローブのめっき表面
に比べて凹凸が極めて小さくて平滑化されている。請求
項２の発明によるプローブにおいては、直径が６５μｍ
の場合、ニッケルめっき又はニッケル合金めっきの厚み
は、２μｍ以上とすることが適切である。２μｍを下回
ると所要の接触圧が得られないためである。
よれば、パラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる
芯材の表面にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが
施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工
が施されたものであるから、オーバードライブを加えた
とき、従来の、パラジウム合金製又はベリリウム銅合金
製の裸線構造のプローブに比べて、また、請求項１の発
明によるプローブに比べて大きな接触圧（針圧）を得る
ことができる。これによりプローブ直径を６５μｍに細
くして、電極間のピッチ寸法が１００μｍのＩＣチップ
の検査を行うことができる。また、この請求項２の発明
によるプローブによれば、前記請求項１の発明によるプ
ローブと同等以上に、湾曲部を形成する際に加工精度の
良い曲げ加工を行うことができるとともに、湾曲部の形
状回復性（形状復元力）に優れている。顕微鏡による観
察結果によると、請求項２の発明によるプローブのめっ
き表面は、伸線ダイスによる伸線加工が施されたもので
あるから、請求項１の発明によるプローブのめっき表面
に比べて凹凸が極めて小さくて平滑化されている。請求
項２の発明によるプローブにおいては、直径が６５μｍ
の場合、ニッケルめっき又はニッケル合金めっきの厚み
は、２μｍ以上とすることが適切である。２μｍを下回
ると所要の接触圧が得られないためである。
【００２０】本願発明によるプローブにおいて、ニッケ
ル合金めっきとしては、ニッケル−コバルト合金めっき
（Ｎｉ／Ｃｏ合金めっき）、ニッケル−鉄合金めっき
（Ｎｉ／Ｆｅ合金めっき）、ニッケル−クロム合金めっ
き（Ｎｉ／Ｃｒ合金めっき）、ニッケル−パラジウム合
金めっき（Ｎｉ／Ｐｄ合金めっき）、及びニッケル−テ
ルル−クロム合金めっき（Ｎｉ／Ｔｅ／Ｃｒ合金めっ
き）を挙げることができる。そして、ニッケル合金めっ
き中のニッケル含有量は２０質量％以上が適切である。
その理由は、ニッケル含有量が２０質量％を下回ると伸
線加工において加工硬化が進むことで伸線限界が低くな
り、伸線性が損なわれるからである。
ル合金めっきとしては、ニッケル−コバルト合金めっき
（Ｎｉ／Ｃｏ合金めっき）、ニッケル−鉄合金めっき
（Ｎｉ／Ｆｅ合金めっき）、ニッケル−クロム合金めっ
き（Ｎｉ／Ｃｒ合金めっき）、ニッケル−パラジウム合
金めっき（Ｎｉ／Ｐｄ合金めっき）、及びニッケル−テ
ルル−クロム合金めっき（Ｎｉ／Ｔｅ／Ｃｒ合金めっ
き）を挙げることができる。そして、ニッケル合金めっ
き中のニッケル含有量は２０質量％以上が適切である。
その理由は、ニッケル含有量が２０質量％を下回ると伸
線加工において加工硬化が進むことで伸線限界が低くな
り、伸線性が損なわれるからである。
【００２１】請求項１、２の発明によるプローブにおい
て、さらに、最表面に金めっきを施すようにしてもよ
い。最表面に金めっきが施されているものは、プローブ
に高周波信号を流す場合、表皮効果によって電気抵抗が
大きくなることを回避することができる。なお、先端形
状を形成する研磨加工と湾曲部を形成する曲げ加工とを
行ってから、金めっきが施される。金めっきの厚みは
０．２〜１．０μｍが適切である。
て、さらに、最表面に金めっきを施すようにしてもよ
い。最表面に金めっきが施されているものは、プローブ
に高周波信号を流す場合、表皮効果によって電気抵抗が
大きくなることを回避することができる。なお、先端形
状を形成する研磨加工と湾曲部を形成する曲げ加工とを
行ってから、金めっきが施される。金めっきの厚みは
０．２〜１．０μｍが適切である。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。ま
ず、請求項２の発明の実施例について説明する。
ず、請求項２の発明の実施例について説明する。
【００２３】［実施例１］：パラジウム合金であるパリ
ネイ７よりなる断面円形の芯材の表面に厚み５μｍのニ
ッケルめっきが施された構造を有し、かつ、伸線ダイス
による伸線加工が施された直径６５μｍのプローブを製
造した。
ネイ７よりなる断面円形の芯材の表面に厚み５μｍのニ
ッケルめっきが施された構造を有し、かつ、伸線ダイス
による伸線加工が施された直径６５μｍのプローブを製
造した。
【００２４】この実施例１のプローブを製造する方法を
説明する。まず、直径１１８μｍ、めっき厚９μｍのニ
ッケルめっき付きプローブ用細線を、前記した化学成分
を有するパリネイ７よりなる直径１００μｍの線材から
出発して、次の工程を経て製造した。すなわち、（１）
電解脱脂工程、（２）水洗い工程、（３）活性化工程、
（４）水洗い工程、（５）ストライクめっき工程、
（６）水洗い工程、（７）めっき工程、（８）水洗い工
程、（９）乾燥工程及び（１０）巻取工程である。電気
めっきを行うめっき工程においては、直径１００μｍの
パリネイ７よりなる線材に対して、硫酸ニッケル（Ｎｉ
ＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ
2 Ｏ）及びほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）からなる「ワット浴」
と呼ばれているめっき浴を用い、陰極電流密度を２〜１
０Ａ／ｄｍ2 として、めっき厚９μｍのニッケルめっき
を施した。
説明する。まず、直径１１８μｍ、めっき厚９μｍのニ
ッケルめっき付きプローブ用細線を、前記した化学成分
を有するパリネイ７よりなる直径１００μｍの線材から
出発して、次の工程を経て製造した。すなわち、（１）
電解脱脂工程、（２）水洗い工程、（３）活性化工程、
（４）水洗い工程、（５）ストライクめっき工程、
（６）水洗い工程、（７）めっき工程、（８）水洗い工
程、（９）乾燥工程及び（１０）巻取工程である。電気
めっきを行うめっき工程においては、直径１００μｍの
パリネイ７よりなる線材に対して、硫酸ニッケル（Ｎｉ
ＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ
2 Ｏ）及びほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）からなる「ワット浴」
と呼ばれているめっき浴を用い、陰極電流密度を２〜１
０Ａ／ｄｍ2 として、めっき厚９μｍのニッケルめっき
を施した。
【００２５】次いで、このニッケルめっき付きプローブ
用細線を複数個の伸線ダイスによって順次細くして、直
径が６５μｍ、めっき厚が５μｍであって伸線加工が施
されたニッケルめっき付きプローブ用細線を得た。伸線
機は、スリップ型連続伸線機に分類されるものであっ
て、細線用に用いられるコーン式湿式連続伸線機を使用
した。伸線ダイスは天然ダイヤモンドダイスを使用し
た。断面減少率は伸線ダイス１個について１０〜２０％
とした。
用細線を複数個の伸線ダイスによって順次細くして、直
径が６５μｍ、めっき厚が５μｍであって伸線加工が施
されたニッケルめっき付きプローブ用細線を得た。伸線
機は、スリップ型連続伸線機に分類されるものであっ
て、細線用に用いられるコーン式湿式連続伸線機を使用
した。伸線ダイスは天然ダイヤモンドダイスを使用し
た。断面減少率は伸線ダイス１個について１０〜２０％
とした。
【００２６】次いで、前記した伸線加工が施されたニッ
ケルめっき付きプローブ用細線を所定長さピッチ、例え
ば長さ６０ｍｍピッチにて切断する。この所定長さの、
伸線加工が施されたニッケルめっき付きプローブ用細線
に対して、先端形状を形成する研磨加工と湾曲部を形成
する曲げ加工とを施して、パリネイ７よりなる芯材の表
面に厚み５μｍのニッケルめっきが施された構造を有
し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工が施されている直
径６５μｍのプローブを得た。このプローブの寸法（図
４参照）は、直径（外径）Ｄ：６５μｍ、先端長さＬ
１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５μｍ、湾曲部長さ
Ｌ２：約２ｍｍである。なお、実施例１〜実施例５のプ
ローブ寸法は全て同じである。
ケルめっき付きプローブ用細線を所定長さピッチ、例え
ば長さ６０ｍｍピッチにて切断する。この所定長さの、
伸線加工が施されたニッケルめっき付きプローブ用細線
に対して、先端形状を形成する研磨加工と湾曲部を形成
する曲げ加工とを施して、パリネイ７よりなる芯材の表
面に厚み５μｍのニッケルめっきが施された構造を有
し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工が施されている直
径６５μｍのプローブを得た。このプローブの寸法（図
４参照）は、直径（外径）Ｄ：６５μｍ、先端長さＬ
１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５μｍ、湾曲部長さ
Ｌ２：約２ｍｍである。なお、実施例１〜実施例５のプ
ローブ寸法は全て同じである。
【００２７】この実施例１のプローブと比較例のプロー
ブとについて、オーバードライブを加えたときの接触圧
（針圧）を測定した。比較例のプローブは、プローブ各
部の寸法が本実施例１のプローブと同一であって、パリ
ネイ７よりなる裸線構造のプローブ（従来品）である。
ブとについて、オーバードライブを加えたときの接触圧
（針圧）を測定した。比較例のプローブは、プローブ各
部の寸法が本実施例１のプローブと同一であって、パリ
ネイ７よりなる裸線構造のプローブ（従来品）である。
【００２８】
【表１】
【００２９】測定結果を表１に示す。一般にオーバード
ライブ量は５０〜１００μｍである。プローブ先端部と
ＩＣチップの電極のアルミニウム−銅合金膜との間を確
実に電気的に接続するためには、接触圧は７ｇ以上必要
である。比較例のプローブでは、オーバードライブ量が
５０μｍのときに接触圧が３．０ｇ、１００μｍのとき
に接触圧が６．０ｇであった。比較例のプローブでは、
オーバードライブ量が１００μｍであっても前記接触圧
下限値７ｇを得ることができなかった。これに対して、
本実施例１のプローブでは、オーバードライブ量が５０
μｍのときに接触圧が５．１ｇ、１００μｍのときに接
触圧が１０．０ｇであり、オーバードライブ量が７０μ
ｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得られた。この
本実施例１のプローブに用いた前記の、伸線加工が施さ
れたニッケルめっき付きプローブ用細線のヤング率は、
１５０ＧＰａであり、比較例のプローブに用いた直径６
５μｍのパリネイ７よりなるプローブ用細線のヤング率
は、１２０ＧＰａであった。
ライブ量は５０〜１００μｍである。プローブ先端部と
ＩＣチップの電極のアルミニウム−銅合金膜との間を確
実に電気的に接続するためには、接触圧は７ｇ以上必要
である。比較例のプローブでは、オーバードライブ量が
５０μｍのときに接触圧が３．０ｇ、１００μｍのとき
に接触圧が６．０ｇであった。比較例のプローブでは、
オーバードライブ量が１００μｍであっても前記接触圧
下限値７ｇを得ることができなかった。これに対して、
本実施例１のプローブでは、オーバードライブ量が５０
μｍのときに接触圧が５．１ｇ、１００μｍのときに接
触圧が１０．０ｇであり、オーバードライブ量が７０μ
ｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得られた。この
本実施例１のプローブに用いた前記の、伸線加工が施さ
れたニッケルめっき付きプローブ用細線のヤング率は、
１５０ＧＰａであり、比較例のプローブに用いた直径６
５μｍのパリネイ７よりなるプローブ用細線のヤング率
は、１２０ＧＰａであった。
【００３０】なお、実施例１における他の例を紹介する
と、パリネイ７よりなる直径１００μｍの線材から出発
して、直径１２６μｍ、めっき厚１３μｍのニッケルめ
っき付きプローブ用細線を製造した。このニッケルめっ
き付きプローブ用細線を伸線ダイスによって順次細くし
て、直径が６５μｍ、めっき厚が６．７μｍであって伸
線加工が施されたニッケルめっき付きプローブ用細線を
得た。
と、パリネイ７よりなる直径１００μｍの線材から出発
して、直径１２６μｍ、めっき厚１３μｍのニッケルめ
っき付きプローブ用細線を製造した。このニッケルめっ
き付きプローブ用細線を伸線ダイスによって順次細くし
て、直径が６５μｍ、めっき厚が６．７μｍであって伸
線加工が施されたニッケルめっき付きプローブ用細線を
得た。
【００３１】［実施例２］：パラジウム合金であるパリ
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍでコバルトを
３０質量％含有するニッケル合金めっき（Ｎｉ／Ｃｏ合
金めっき）が施された構造を有し、かつ、伸線ダイスに
よる伸線加工が施されている直径が６５μｍのプローブ
を製造した。
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍでコバルトを
３０質量％含有するニッケル合金めっき（Ｎｉ／Ｃｏ合
金めっき）が施された構造を有し、かつ、伸線ダイスに
よる伸線加工が施されている直径が６５μｍのプローブ
を製造した。
【００３２】この実施例２のプローブを製造する方法
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例１の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例１と同
じである。すなわち、めっき工程では、実施例１の前記
めっき浴の成分組成に、さらに硫酸コバルト（ＣｏＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ）を添加しためっき浴を使用した。
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例１の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例１と同
じである。すなわち、めっき工程では、実施例１の前記
めっき浴の成分組成に、さらに硫酸コバルト（ＣｏＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ）を添加しためっき浴を使用した。
【００３３】この実施例２のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。この実施例２のプローブでは、オーバー
ドライブ量が５０μｍのときに接触圧が６．０ｇ、１０
０μｍのときに接触圧が１１．０ｇであり、オーバード
ライブ量が約６０μｍ以上において前記接触圧下限値７
ｇが得られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。この実施例２のプローブでは、オーバー
ドライブ量が５０μｍのときに接触圧が６．０ｇ、１０
０μｍのときに接触圧が１１．０ｇであり、オーバード
ライブ量が約６０μｍ以上において前記接触圧下限値７
ｇが得られた。
【００３４】［実施例３］：パラジウム合金であるパリ
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍで鉄を１５質
量％含有するニッケル合金めっき（Ｎｉ／Ｆｅ合金めっ
き）が施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸
線加工が施されている直径が６５μｍのプローブを製造
した。
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍで鉄を１５質
量％含有するニッケル合金めっき（Ｎｉ／Ｆｅ合金めっ
き）が施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸
線加工が施されている直径が６５μｍのプローブを製造
した。
【００３５】この実施例３のプローブを製造する方法
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例１の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例１と同
じである。すなわち、めっき浴としては、硫酸第一鉄
（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）及び硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ
4 ・６Ｈ2 Ｏ）を主成分とする「ｗｏｌｆ浴」と呼ばれ
ているめっき浴を用いた。
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例１の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例１と同
じである。すなわち、めっき浴としては、硫酸第一鉄
（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）及び硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ
4 ・６Ｈ2 Ｏ）を主成分とする「ｗｏｌｆ浴」と呼ばれ
ているめっき浴を用いた。
【００３６】この実施例３のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。この実施例３のプローブでは、オーバー
ドライブ量が５０μｍのときに接触圧が６．１ｇ、１０
０μｍのときに接触圧が１１．１ｇであり、オーバード
ライブ量が６０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇ
が得られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。この実施例３のプローブでは、オーバー
ドライブ量が５０μｍのときに接触圧が６．１ｇ、１０
０μｍのときに接触圧が１１．１ｇであり、オーバード
ライブ量が６０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇ
が得られた。
【００３７】［実施例４］：ベリリウムを２質量％含有
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
のニッケルめっきが施された構造を有し、かつ、伸線ダ
イスによる伸線加工が施されている直径が６５μｍのプ
ローブを製造した。この実施例４のプローブは、パリネ
イ７よりなる直径１００μｍの線材に代えて、ベリリウ
ムを２質量％含有するベリリウム銅合金よりなる直径１
００μｍの線材を用い、前述した実施例１と同じ製造方
法により製造した。
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
のニッケルめっきが施された構造を有し、かつ、伸線ダ
イスによる伸線加工が施されている直径が６５μｍのプ
ローブを製造した。この実施例４のプローブは、パリネ
イ７よりなる直径１００μｍの線材に代えて、ベリリウ
ムを２質量％含有するベリリウム銅合金よりなる直径１
００μｍの線材を用い、前述した実施例１と同じ製造方
法により製造した。
【００３８】この実施例４のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。実施例４のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。実施例４のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
【００３９】［実施例５］：ベリリウムを２質量％含有
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
でコバルトを３０質量％含有するニッケル合金めっきが
施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工
が施されている直径が６５μｍのプローブを製造した。
この実施例５のプローブは、パリネイ７よりなる直径１
００μｍの線材に代えて、ベリリウムを２質量％含有す
るベリリウム銅合金よりなる直径１００μｍの線材を用
い、また、「ワット浴」に代えて、硫酸ニッケル（Ｎｉ
ＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ
2 Ｏ）、ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）及び硫酸コバルト（Ｃｏ
ＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）からなるめっき浴を用い、前述した
実施例１と同じ製造方法により製造した。
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
でコバルトを３０質量％含有するニッケル合金めっきが
施された構造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工
が施されている直径が６５μｍのプローブを製造した。
この実施例５のプローブは、パリネイ７よりなる直径１
００μｍの線材に代えて、ベリリウムを２質量％含有す
るベリリウム銅合金よりなる直径１００μｍの線材を用
い、また、「ワット浴」に代えて、硫酸ニッケル（Ｎｉ
ＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ
2 Ｏ）、ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）及び硫酸コバルト（Ｃｏ
ＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）からなるめっき浴を用い、前述した
実施例１と同じ製造方法により製造した。
【００４０】この実施例５のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。実施例５のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が６．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１１．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が約６０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが
得られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表１に示す。実施例５のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が６．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１１．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が約６０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが
得られた。
【００４１】次に、請求項１の発明の実施例について説
明する。
明する。
【００４２】［実施例６］：パラジウム合金であるパリ
ネイ７よりなる断面円形の芯材の表面に厚み５μｍのニ
ッケルめっきが施された構造を有し、直径が６５μｍの
プローブを製造した。
ネイ７よりなる断面円形の芯材の表面に厚み５μｍのニ
ッケルめっきが施された構造を有し、直径が６５μｍの
プローブを製造した。
【００４３】この実施例６のプローブを製造する方法を
説明する。直径６５μｍ、めっき厚５μｍのニッケルめ
っき付きプローブ用細線を、前記した化学成分を有する
パリネイ７よりなる直径５５μｍの線材から出発して、
次の工程を経て製造した。すなわち、（１）電解脱脂工
程、（２）水洗い工程、（３）活性化工程、（４）水洗
い工程、（５）ストライクめっき工程、（６）水洗い工
程、（７）めっき工程、（８）水洗い工程、（９）乾燥
工程及び（１０）巻取工程である。電気めっきを行うめ
っき工程においては、直径５５μｍのパリネイ７よりな
る線材に対して、前記のワット浴と呼ばれているめっき
浴を用い、陰極電流密度を２〜１０Ａ／ｄｍ2 として、
めっき厚５μｍのニッケルめっきを施した。
説明する。直径６５μｍ、めっき厚５μｍのニッケルめ
っき付きプローブ用細線を、前記した化学成分を有する
パリネイ７よりなる直径５５μｍの線材から出発して、
次の工程を経て製造した。すなわち、（１）電解脱脂工
程、（２）水洗い工程、（３）活性化工程、（４）水洗
い工程、（５）ストライクめっき工程、（６）水洗い工
程、（７）めっき工程、（８）水洗い工程、（９）乾燥
工程及び（１０）巻取工程である。電気めっきを行うめ
っき工程においては、直径５５μｍのパリネイ７よりな
る線材に対して、前記のワット浴と呼ばれているめっき
浴を用い、陰極電流密度を２〜１０Ａ／ｄｍ2 として、
めっき厚５μｍのニッケルめっきを施した。
【００４４】次いで、前記ニッケルめっき付きプローブ
用細線を所定長さピッチ、例えば長さ６０ｍｍピッチに
て切断する。この所定長さのニッケルめっき付きプロー
ブ用細線に対して、先端形状を形成する研磨加工と湾曲
部を形成する曲げ加工とを施して、パリネイ７よりなる
芯材の表面に厚み５μｍのニッケルめっきが施された構
造を有し、直径６５μｍのプローブを得た。このプロー
ブの寸法（図４参照）は、直径（外径）Ｄ：６５μｍ、
先端長さＬ１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５μｍ、
湾曲部長さＬ２：約２ｍｍである。なお、実施例６〜実
施例９のプローブ寸法は全て同じである。
用細線を所定長さピッチ、例えば長さ６０ｍｍピッチに
て切断する。この所定長さのニッケルめっき付きプロー
ブ用細線に対して、先端形状を形成する研磨加工と湾曲
部を形成する曲げ加工とを施して、パリネイ７よりなる
芯材の表面に厚み５μｍのニッケルめっきが施された構
造を有し、直径６５μｍのプローブを得た。このプロー
ブの寸法（図４参照）は、直径（外径）Ｄ：６５μｍ、
先端長さＬ１：４５０μｍ、最先端直径ｄ：２５μｍ、
湾曲部長さＬ２：約２ｍｍである。なお、実施例６〜実
施例９のプローブ寸法は全て同じである。
【００４５】
【表２】
【００４６】この実施例６のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例６のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が４．５ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が９．５ｇであり、オーバードライブ
量が約７５μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例６のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が４．５ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が９．５ｇであり、オーバードライブ
量が約７５μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
【００４７】［実施例７］：パラジウム合金であるパリ
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍでコバルトを
３０質量％含有するニッケル合金めっきが施された構造
を有し、直径が６５μｍのプローブを製造した。
ネイ７よりなる芯材の表面に厚みが５μｍでコバルトを
３０質量％含有するニッケル合金めっきが施された構造
を有し、直径が６５μｍのプローブを製造した。
【００４８】この実施例７のプローブを製造する方法
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例６の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例６と同
じである。すなわち、めっき工程では、実施例６の前記
めっき浴の成分組成に、さらに硫酸コバルト（ＣｏＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ）を添加しためっき浴を使用した。
は、めっき工程で使用するめっき浴の成分組成が前記実
施例６の前記めっき浴と異なる点以外は、実施例６と同
じである。すなわち、めっき工程では、実施例６の前記
めっき浴の成分組成に、さらに硫酸コバルト（ＣｏＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ）を添加しためっき浴を使用した。
【００４９】この実施例７のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例７のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例７のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
【００５０】［実施例８］：ベリリウムを２質量％含有
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
のニッケルめっきが施された構造を有し、直径が６５μ
ｍのプローブを製造した。この実施例７のプローブは、
パリネイ７よりなる直径５５μｍの線材に代えて、ベリ
リウムを２質量％含有するベリリウム銅合金よりなる直
径５５μｍの線材を用い、前述した実施例６と同じ製造
方法により製造した。
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
のニッケルめっきが施された構造を有し、直径が６５μ
ｍのプローブを製造した。この実施例７のプローブは、
パリネイ７よりなる直径５５μｍの線材に代えて、ベリ
リウムを２質量％含有するベリリウム銅合金よりなる直
径５５μｍの線材を用い、前述した実施例６と同じ製造
方法により製造した。
【００５１】この実施例８のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例８のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が４．５ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が９．５ｇであり、オーバードライブ
量が約７５μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例８のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が４．５ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が９．５ｇであり、オーバードライブ
量が約７５μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが得
られた。
【００５２】［実施例９］：ベリリウムを２質量％含有
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
でコバルトを３０質量％含有するニッケル合金めっきが
施された構造を有し、直径が６５μｍのプローブを製造
した。この実施例９のプローブは、パリネイ７よりなる
直径５５μｍの線材に代えて、ベリリウムを２質量％含
有するベリリウム銅合金よりなる直径５５μｍの線材を
用い、また、「ワット浴」に代えて、硫酸ニッケル（Ｎ
ｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６
Ｈ2 Ｏ）、ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）及び硫酸コバルト（Ｃ
ｏＳＯ4 ・７Ｈ 2 Ｏ）からなるめっき浴を用い、前述し
た実施例６と同じ製造方法により製造した。
するベリリウム銅合金よりなる芯材の表面に厚み５μｍ
でコバルトを３０質量％含有するニッケル合金めっきが
施された構造を有し、直径が６５μｍのプローブを製造
した。この実施例９のプローブは、パリネイ７よりなる
直径５５μｍの線材に代えて、ベリリウムを２質量％含
有するベリリウム銅合金よりなる直径５５μｍの線材を
用い、また、「ワット浴」に代えて、硫酸ニッケル（Ｎ
ｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2 ・６
Ｈ2 Ｏ）、ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）及び硫酸コバルト（Ｃ
ｏＳＯ4 ・７Ｈ 2 Ｏ）からなるめっき浴を用い、前述し
た実施例６と同じ製造方法により製造した。
【００５３】この実施例９のプローブについて、オーバ
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例９のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が約７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが
得られた。
ードライブを加えたときの接触圧を測定した。測定結果
を表２に示す。実施例９のプローブでは、オーバードラ
イブ量が５０μｍのときに接触圧が５．０ｇ、１００μ
ｍのときに接触圧が１０．０ｇであり、オーバードライ
ブ量が約７０μｍ以上において前記接触圧下限値７ｇが
得られた。
【００５４】なお、本発明は、垂直型プローブカード用
であって湾曲部を有するプローブに限定されず、垂直型
プローブカード用であって湾曲部がなくて真っ直ぐに下
方に延びる直線状のプローブにも適用可能である。ま
た、本発明はカンチレバー型プローブカード用であって
先端部が下向に折り曲げられたプローブにも適用可能で
ある。
であって湾曲部を有するプローブに限定されず、垂直型
プローブカード用であって湾曲部がなくて真っ直ぐに下
方に延びる直線状のプローブにも適用可能である。ま
た、本発明はカンチレバー型プローブカード用であって
先端部が下向に折り曲げられたプローブにも適用可能で
ある。
【００５５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるプロー
ブカード用プローブによれば、オーバードライブを加え
たとき、従来のパラジウム合金製又はベリリウム銅合金
製の裸線構造のプローブに比べて大きな接触圧を得るこ
とができる。これによりプローブ直径を６５μｍに細く
して、電極間のピッチ寸法が１００μｍというような微
小ピッチを持つＩＣチップの検査を行うプローブカード
に適用することができ、半導体集積回路の微細化の進展
によりＩＣチップの電極間のピッチ寸法が小さくなるこ
とに対応することができる。
ブカード用プローブによれば、オーバードライブを加え
たとき、従来のパラジウム合金製又はベリリウム銅合金
製の裸線構造のプローブに比べて大きな接触圧を得るこ
とができる。これによりプローブ直径を６５μｍに細く
して、電極間のピッチ寸法が１００μｍというような微
小ピッチを持つＩＣチップの検査を行うプローブカード
に適用することができ、半導体集積回路の微細化の進展
によりＩＣチップの電極間のピッチ寸法が小さくなるこ
とに対応することができる。
【図１】垂直型プローブカードの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】垂直型プローブカードに用いられる湾曲部を有
するプローブを説明するための図である。
するプローブを説明するための図である。
【図３】垂直型プローブカードに用いられる湾曲部を有
するプローブを説明するための図である。
するプローブを説明するための図である。
【図４】垂直型プローブカードに用いられるプローブの
外観形状を示す説明図である。
外観形状を示す説明図である。
１…プローブカード用プローブ １ａ…湾曲部 ２…ガ
イド部 ２１…上側ガイド板 ２１ａ…ガイド孔 ２２
…下側ガイド板 ２２ａ…ガイド孔 ２３…プローブ固
定部材 ２４…支持部材 ３…基板 ４…ウエハ載置台
５…ウエハ ５１…ＩＣチップ ５１ａ…電極
イド部 ２１…上側ガイド板 ２１ａ…ガイド孔 ２２
…下側ガイド板 ２２ａ…ガイド孔 ２３…プローブ固
定部材 ２４…支持部材 ３…基板 ４…ウエハ載置台
５…ウエハ ５１…ＩＣチップ ５１ａ…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 嘉明 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 (72)発明者 三浦 康男 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 (72)発明者 樊 利文 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AA10 AG03 AG04 AG12 AH05 2G011 AA02 AB01 AB06 AC21 AE22 AF07 4K024 AA03 AA11 AA14 AB01 AB02 BA01 BA09 BC03 DA02 DA04 DA09 DB07 GA16 4M106 DD06 DD09 DD10 DD30
Claims (4)
- 【請求項１】 プローブカード用プローブにおいて、パ
ラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面
にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構
造を有することを特徴とするプローブカード用プロー
ブ。 - 【請求項２】 プローブカード用プローブにおいて、パ
ラジウム合金又はベリリウム銅合金よりなる芯材の表面
にニッケルめっき又はニッケル合金めっきが施された構
造を有し、かつ、伸線ダイスによる伸線加工が施されて
いることを特徴とするプローブカード用プローブ。 - 【請求項３】 請求項１記載のプローブカード用プロー
ブにおいて、さらに、最表面に金めっきが施されている
ことを特徴とするプローブカード用プローブ。 - 【請求項４】 請求項２記載のプローブカード用プロー
ブにおいて、さらに、前記伸線加工が施された後におい
て最表面に金めっきが施されていることを特徴とするプ
ローブカード用プローブ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000361062A JP2002162415A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | プローブカード用プローブ |
| US09/993,675 US20020153913A1 (en) | 2000-11-28 | 2001-11-27 | Probe for the probe card |
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|---|---|---|---|
| JP2000361062A JP2002162415A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | プローブカード用プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18832554
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000361062A Pending JP2002162415A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | プローブカード用プローブ |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020153913A1 (ja) |
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Cited By (8)
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