JP2002158346A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】出力ゲート部の転送チャネル内で転送方向の電
界を強め、転送効率を向上させる。 【解決手段】撮像により生成された信号電荷を転送する
転送部（水平レジスタ）と、信号電荷を検出し増幅して
外部に出力する出力部と、転送部からの信号電荷を出力
部に受け渡す出力ゲート部（ＨＯＧ部）とを有してい
る。ＨＯＧ部は、半導体からなる信号電荷の転送チャネ
ル領域３と、転送チャネル領域３内に電位差を設ける手
段とを有している。この手段として、転送方向に配置さ
れた複数の水平出力ゲート、すなわち第１，第２電極１
４，１６を有する。電位差を設ける他の手段として、転
送チャネル３内に形成した第１，第２不純物領域５，６
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、信号電荷を出力部
に送るタイミングを制御する出力ゲート部を転送部と出
力部との間に有した固体撮像装置と、その製造方法とに
関する。

【０００２】

【従来の技術】フレームトランスファ（ＦＴ）方式、イ
ンターライントランスファ（ＩＴ）方式、フレームイン
ターライントランスファ（ＦＩＴ）方式などの各種ＣＣ
Ｄ(Charge Coupled Device) は、撮像により得られた信
号電荷をフレーム単位で水平方向に転送する水平レジス
タと、水平レジスタの一方端に設けられた出力部とを有
する。出力部は、信号電荷量を画素ごとに電圧に変換し
増幅して時系列の撮像信号として外部に出力する。出力
部は、電荷量が検出された後の信号電荷を画素ごとに掃
き捨てるリセット動作が必要であり、このリセット動作
に同期して信号電荷を水平レジスタから出力部に画素ご
とに送るタイミングを制御する必要がある。このタイミ
ングを制御する手段として、水平レジスタと出力部との
間に水平出力ゲート (ＨＯＧ:horizontal output gate)
が設けられている。

【０００３】図１１（Ａ）は従来の水平出力ゲートと水
平レジスタ端部の構造を示す断面図、図１１（Ｂ）は
（Ａ）に対応した断面において、水平出力ゲートがオン
した状態でのチャネル領域のポテンシャル分布を示す図
である。図１１（Ａ）において符号３は信号電荷が転送
されるｎ型の転送チャネル領域を示す。転送チャネル領
域３上に、第１層目のポリシリコンからなる第１水平転
送電極１１が形成されている。水平レジスタ内には、こ
の第１水平転送電極１１が所定間隔をおいて繰り返し配
置され、その各配置ペース間に、両端部が誘電膜１３を
挟んで第１水平転送電極上に重なった第２層目のポリシ
リコンからなる第２水平転送電極が配置されている。第
１，第２水平転送電極対を単位に、位相が異なる２つの
水平転送クロックφＨ１，φＨ２が交互に印加され、水
平レジスタ内の電荷転送が行われる。

【０００４】水平出力ゲートＨＯＧは、その端部が誘電
膜１３を挟んで第１水平転送電極１１上に重なる第２層
目のポリシリコンからなる。図１１（Ａ）の左側に位置
し図示を省略した出力部の電荷検出時およびリセット時
には、水平出力ゲートＨＯＧに水平出力クロックφＨＯ
Ｇが印加されない。このとき、水平出力ゲート直下の転
送チャネル領域３のポテンシャルが低く、水平レジスタ
端にある次の１画素分の信号電荷に対して電位障壁が形
成されている。リセット動作が終了すると、水平出力ゲ
ートＨＯＧに水平出力クロックφＨＯＧが印加され、そ
の直下のポテンシャルψが図１１（Ｂ）のように上が
り、水平レジスタ端の信号電荷が出力部に送られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
水平出力ゲートＨＯＧ直下の転送チャネルは、一様なポ
テンシャル分布となっているため、電荷転送方向の電界
が弱く、転送不良が発生しやすい構造であった。ここで
転送不良とは、一画素分の信号電荷が完全に転送されず
に、この水平転送ゲートＨＯＧ直下の転送チャネル内に
一部残存し、次の画素に対応した信号画素と混合する現
象をいう。カラーＣＣＤにおいて転送不良が発生する
と、再生画面が水平方向で混色を起こしたり、全体的に
画面の色が薄くなってしまうなどの不具合が生じ、高画
質が得られない。

【０００６】本発明の目的は、出力ゲート部の転送チャ
ネル内で電位差を設けることにより転送方向の電界を強
めることができ、その結果として出力部に信号電荷を送
り出す際の転送効率を向上させた固体撮像装置と、その
製造方法とを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点に係
る固体撮像装置は、撮像により生成された信号電荷を転
送する転送部と、上記信号電荷を検出し増幅して外部に
出力する出力部と、上記転送部からの信号電荷を上記出
力部に受け渡す出力ゲート部とを有した固体撮像装置で
あって、上記出力ゲート部は、半導体からなる上記信号
電荷の転送チャネル領域と、上記転送チャネル領域内に
電位差を設ける手段とを有している。

【０００８】上記転送チャネル領域内に電位差を設ける
手段の一つとして、転送方向で複数に分離した出力ゲー
ト電極がある。この場合、上記出力ゲート部は、上記転
送チャネル領域と、上記転送チャネル領域上の誘電膜
と、上記誘電膜上の出力ゲート電極とを有し、上記出力
ゲート電極は、上記転送部側の第１電極と、上記第１電
極の上記出力部側に位置し第１電極と絶縁分離された第
２電極とを含む。好適に、上記第２電極が、誘電膜を挟
んで上記第１電極上に一部重ねられている。ポテンシャ
ルディップを抑制するためである。

【０００９】上記転送チャネル領域内に電位差を設ける
手段の他の一つとして、転送チャネル領域内で電位差を
付けるために形成した不純物領域がある。この場合、上
記出力ゲート部は、上記転送チャネル領域と、上記転送
チャネル領域上の誘電膜と、上記誘電膜上の出力ゲート
電極とを有し、上記出力ゲート電極の下方に、上記転送
チャネル領域に転送方向で電位差をつける不純物領域を
有している。好適に、上記出力ゲート電極の下方に、上
記転送部側の第１不純物領域と、上記第１不純物領域の
上記出力部側に隣接し、上記転送チャネル領域のポテン
シャルを上記第１不純物領域側より高くする不純物濃度
分布の第２不純物領域とを有している。この場合におい
ても、上記出力ゲート電極が、上記第１不純物領域の上
方に配置した第１電極と、上記第２不純物領域の上方に
配置した第２電極とを含む構成としてもよい。

【００１０】このような構成の固体撮像装置において、
転送チャネル領域内に電位差を設ける手段が、絶縁分離
された複数の出力ゲート電極のみである場合、第１電極
と第２電極間に異なる電圧を印加することにより、転送
チャネル領域内に出力部側が低くなるように電位差を付
けることが可能となる。また、出力ゲート電極が従来と
同様に単一であっても、転送チャネル領域に転送方向で
電位差をつける不純物領域を設けることにより、転送チ
ャネル領域内のポテンシャルは出力部側が高くなる。こ
の場合、出力ゲート電極を複数として異なる電圧を印加
すると、さらに電位差を大きくすることが容易となる。
これら何れの場合でも、転送チャネル内に転送方向で電
界が生じ、この電界によって信号電荷が出力部側に容易
に移動する。

【００１１】本発明の第２の観点に係る固体撮像装置の
製造方法は、撮像により生成され転送部内を転送されて
きた信号電荷を出力部に出力する出力ゲート部を有した
固体撮像装置の製造方法であって、上記出力ゲート部の
形成時に以下の諸工程、すなわち、不純物をドープして
第１不純物領域を半導体からなる転送チャネル領域内に
形成し、上記転送チャネル領域上に第１誘電膜を形成
し、上記第１誘電膜の転送部側部分上に第１電極を形成
し、上記第１電極をマスクとしたイオン注入により上記
転送チャネル領域の一部分に不純物をドープして上記第
１不純物領域と異なるポテンシャルの第２不純物領域を
形成し、少なくとも上記第１電極の表面に第２誘電膜を
形成し、上記第２不純物領域の上方に第２電極を形成す
る各工程を含む。好適に、上記転送チャネル領域の上記
第２不純物領域側のポテンシャルが上記第１不純物領域
側のポテンシャルより高くなる条件で、上記第１電極を
マスクとしたイオン注入を行う。また、上記第２誘電膜
を挟んで上記第１電極と一部重なるように上記第２電極
を形成する。

【００１２】この固体撮像装置の製造方法を用いると、
第１電極をマスクとして不純物をイオン注入ため追加工
程が少なくでき、不純物領域と電極との位置ずれがな
い。

【００１３】

【発明の実施の形態】第１実施形態 図１に、第１実施形態に係るＣＣＤの水平レジスタ、出
力ゲート部および出力部の断面図を示す。図２（Ａ）に
図１の要部を拡大した断面図を示す。図２（Ｂ）は
（Ａ）に対応した断面において、水平出力ゲートがオン
した状態でのチャネル領域のポテンシャル分布を示す図
である。ｎ型シリコンウエハなどの半導体基板１内にｐ
型のウエル２が形成され、ｐ型ウエル２内に信号電荷が
転送されるｎ型の転送チャネル領域３が形成されてい
る。転送チャネル領域３上に酸化珪素などからなる誘電
膜１０が形成され、誘電膜１０上に各種電極が形成され
ている。

【００１４】水平レジスタにおいては、第１層目のポリ
シリコンからなる第１水平転送電極１１が所定間隔をお
いて転送方向に繰り返し配置されている。第１水平電極
１１の表面に誘電膜１３が形成されている。第１水平転
送電極１１間の各スペースにおける誘電膜１０上に、第
２層目のポリシリコンからなる第２水平転送電極１２が
配置されている。第２水平転送電極１２は、その両端部
が第１水平転送電極１１の端部における誘電膜１３上に
重ねられている。第１，第２水平転送電極対を単位に、
位相が異なる２つの水平転送クロックφＨ１，φＨ２が
交互に印加され、水平レジスタ内の電荷転送が行われ
る。第２水平転送電極１２下方の転送チャネル領域３の
表面部分に、比較的低濃度のｐ型不純物領域４が形成さ
れている。このｐ型不純物領域４の存在により、水平転
送クロックφＨ１またはφＨ２の印加時に、ペアとなっ
て電位制御される転送チャネル領域部分、すなわち図１
におけるｐ型不純物領域４と左側に隣接する転送チャネ
ル領域部分に対し、ｐ型不純物領域４下方の転送チャネ
ル領域部分のポテンシャルが低くなる。このため、信号
電荷が転送方向側に容易に移動し転送効率が向上する。

【００１５】出力部において、水平レジスタ側に転送チ
ャネル領域３を深さ方向に貫いて比較的高濃度のｎ型不
純物が導入され、これによりフローティングディフュジ
ョンＦＤが形成されている。フローティングディフュジ
ョンＦＤは、同じ半導体基板に集積化され、この断面図
に現れていないバッファアンプ２０の入力に接続されて
いる。バッファアンプ２０は、フローティングディフュ
ジョンＦＤに送られた信号電荷による電位変化を検出し
て増幅する。バッファアンプ２０の出力は、撮像信号の
出力端子に接続され、この出力端子から時系列の撮像信
号が順次出力される。

【００１６】フローティングディフュジョンＦＤと離れ
た箇所に、転送チャネル領域３を深さ方向に貫いて比較
的高濃度のｎ型不純物が導入され、これによりリセット
ディフュジョンＲＤが形成されている。リセットディフ
ュジョンＲＤは、一定電圧ＶＤで保持される。このリセ
ットディフュジョンＲＤとフローティングディフュジョ
ンＦＤとの間に残された転送チャネル領域３上に誘電膜
１０が延在し、この誘電膜１０上にリセットゲートＲＧ
が形成されている。リセットゲートＲＧは、第１〜第３
層目のポリシリコンの何れかから構成されている。一画
素分の信号電荷の検出が終了するとリセットゲートＲＧ
にリセットパルスφＲＧが印加され、２つのディフュジ
ョンＦＤ，ＲＤが導通する。これにより、フローティン
グディフュジョンＦＤ内の信号電荷がリセットディフュ
ジョンＲＤに掃き捨てられる。上記した信号電荷の検出
および増幅と、このリセット動作とを画素ごとに繰り返
すことにより前記した撮像信号が生成される。

【００１７】この出力部への信号電荷の入力を制御する
手段として、水平出力ゲート部（ＨＯＧ部）が水平レジ
スタと出力部との間に設けられている。本実施形態にお
けるＨＯＧ部の水平転送ゲートＨＯＧは、互いに絶縁分
離された２つの電極、すなわち第１電極１４と第２電極
１６とにより構成されている。第１電極１４は第１層目
のポリシリコンからなり、第２電極１６は第２層目のポ
リシリコンからなる。第１電極１４の一方端部は、水平
レジスタの第１水平転送電極１１の端部に対し誘電膜１
３を介在させた状態で重ねられている。第１電極１４の
表面に誘電膜１５が形成され、第２電極１６の一方端部
は、第１電極１４の他方端部に対し誘電膜１５を介在さ
せた状態で重ねられている。

【００１８】第１電極１４直下の転送チャネル領域３の
表面部分に第１不純物領域５が形成され、第２電極１６
直下の転送チャネル領域３の表面部分に第２不純物領域
６が形成されている。出力部で電荷量の検出時またはリ
セット時には、水平出力クロックφＨＯＧが第１，第２
電極１４，１６に印加されない。このとき、図２（Ｂ）
に破線で示すようにＨＯＧ部の電位障壁が高く、次の画
素に対応した信号電荷は水平レジスタ端に溜まってい
る。出力部でリセット動作が終了すると、水平出力クロ
ックφＨＯＧが第１，第２電極１４，１６に印加され、
図２（Ｂ）に実線で示すように、ＨＯＧ部の電位障壁の
高さが下げられる。このとき本実施形態では、第１，第
２不純物領域５，６の存在により、転送チャネル領域３
にポテンシャル差が生じる。すなわち、第２電極１６側
のポテンシャルが第１電極１４側より高くなる。その結
果、ＨＯＧ部の転送方向の両端部のみならずＨＯＧ部の
途中で電界が発生し、電荷が転送方向に移動しやすくな
り、スムーズにフローティングディフュージョンＦＤに
移送される。したがって、このＨＯＧ部での電荷残しが
防止あるいは低減され、電荷転送効率が向上する。

【００１９】つぎに、図２（Ａ）のＨＯＧ部の形成方法
を、図３〜図７を用いて説明する。ｐ型ウエル２および
転送チャネル領域３が形成された半導体基板１を用意
し、図３に示すように、転送チャネル領域３の表面に酸
化珪素などの誘電膜１０を形成する。続いて、水平レジ
スタの第１水平転送電極１１の形成を行い、必要に応じ
て水平転送レジスタ内の転送チャネル領域３にｐ型不純
物領域４を形成する。

【００２０】図４に示すように、この水平レジスタ端の
第１水平転送電極１１をマスクとしてドナーイオンを注
入し、ＨＯＧ部における転送チャネル領域３内の表面側
に第１不純物領域５を形成する。

【００２１】図５に示すように、第１水平転送電極１１
の表面を熱酸化して誘電膜１３を形成する。導電性の第
２ポリシリコンをＣＶＤにより堆積し、パターンニング
する。これにより、第１電極１４が、第１水平転送電極
１１の一方端部における誘電膜１３上に一部重なるパタ
ーンにて形成される。

【００２２】図６に示すように、第１および第２ポリシ
リコン（第１水平転送電極１１および第１電極１４）を
マスクとしてドナーイオンを注入する。第１電極１４よ
り出力部側の転送チャネル領域部分のドナー濃度が高ま
り、これにより第２不純物領域６が第１不純物領域５の
出力部側に接して形成される。

【００２３】その後、図７に示すように、第１電極１４
の表面を熱酸化して誘電膜１５を形成する。導電性の第
３ポリシリコンをＣＶＤにより堆積し、パターンニング
する。これにより、第２電極１６が、第１電極１４の一
方端部における誘電膜１５上に一部重なるパターンにて
形成される。これにて、ＨＯＧ部の形成が終了する。

【００２４】このＨＯＧ部の形成方法では、互いに絶縁
分離された第１水平転送電極１１および第１および第２
電極１４，１６を形成する過程で、既に形成された電極
をマスクとして第１，第２不純物領域５，６を形成す
る。したがって、第１，第２不純物領域５，６を選択的
に形成するためのマスク層の形成が不要であり、工程数
の増加が少ない。また、第１，第２電極１４，１６に対
して第１，第２不純物領域５，６が自己整合的に形成さ
れるため、転送効率を下げるようなポテンシャルディッ
プが発生しない。

【００２５】第２実施形態 図８（Ａ）に、第２実施形態に係るＨＯＧ部の構造を示
す。このＨＯＧ部における転送チャネル領域３には、第
１実施形態における第１，第２不純物領域５，６が形成
されていない。その代わり、第１，第２電極１４，１６
に異なる電圧のクロックφＨＯＧ１，φＨＯＧ２が印加
される。第２電極１６に印加される水平出力クロックφ
ＨＯＧ２は、第１電極１４に印加される水平出力クロッ
クφＨＯＧ１より電圧値が大きい。このため、図８
（Ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、転送チャ
ネル領域３内のポテンシャル分布が出力部側で階段状に
高くなり、その分、転送効率が向上する。なお、他の構
成は図１に示す第１実施形態と同様である。

【００２６】第３実施形態 図９（Ａ）に、第３実施形態に係るＨＯＧ部の構造を示
す。このＨＯＧ部における転送チャネル領域３には、第
１実施形態と同様、第１，第２不純物領域５，６が形成
されている。その一方、水平出力ゲートＨＯＧは、第１
実施形態のように２つに分離されておらず、第２ポリシ
リコンからなる単一の電極である。第１実施形態ではポ
リシリコン電極をイオン注入マスクとして用いたが、本
実施形態ではイオン注入マスクを、たとえばレジストな
どで形成してイオン注入を行うことを２度繰り返して第
１，第２不純物領域５，６を形成し、その後、水平出力
ゲートＨＯＧを形成する必要がある。第１実施形態では
第１，第２電極１４，１６を短絡して用いていたので、
本実施形態のように単層電極としても作用効果は同じで
ある。すなわち、図９（Ｂ）に示すように、第１実施形
態と同様に、転送チャネル領域３内のポテンシャル分布
が出力部側で階段状に高くなり、その分、転送効率が向
上する。なお、他の構成は図１に示す第１実施形態と同
様である。

【００２７】第４実施形態 図１０（Ａ）に、第４実施形態に係るＨＯＧ部の構造を
示す。このＨＯＧ部における転送チャネル領域３には、
水平レジスタ側位置にｐ型の第３不純物領域７のみ形成
されている。出力部側に第１ポリシリコンからなる第２
電極１６が形成され、第２電極表面に誘電膜１３が形成
されている。この第２電極１６の端部における誘電膜１
３上と、第１水平転送電極１１の端部における誘電膜１
３上に、両端部を重ねて第１電極１４が形成されてい
る。第１電極１４は第２ポリシリコンからなり、第１電
極１４下方に第３不純物領域７が位置している。図１０
（Ｂ）に示すように、第３不純物領域７の存在により、
第１実施形態と同様に転送チャネル領域３内のポテンシ
ャル分布が出力部側で階段状に高くなり、その分、転送
効率が向上する。また、このＨＯＧ部は水平レジスタと
基本構成が同じであり、その製造において何ら追加の工
程が不要で、そのため他の実施形態より製造コストを低
くできるという利点がある。なお、他の構成は図１に示
す第１実施形態と同様である。

【００２８】上述した第１〜第４実施形態において、本
発明の技術的思想の範囲内で種々の改変が可能である。
たとえば、出力部はフローティングディフュージョン型
としたが、フローティングゲート型であってもよい。ま
た、水平レジスタの構造は図１に限定されない。また、
ｎ型の第１，第２不純物領域５，６は、転送チャネル領
域３内の表面部分のみでなく、転送チャネル領域３を貫
いて形成してもよい。

【００２９】

【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、転
送チャネル内に転送方向で電界が生じ、この電界によっ
て信号電荷が出力部側に容易に移動するため、信号電荷
を転送する際に電荷の残しが防止あるいは低減され転送
効率が向上する。

【００３０】本発明に係る固体撮像装置の製造方法によ
れば、出力ゲート電極を複数設け、かつ、各電極に対応
して第１，第２不純物領域を形成する場合、追加工程が
少なくコスト増を抑制できる。また、不純物領域と電極
間の位置ずれがないため転送チャネルにポテンシャルデ
ィップが発生せず、ポテンシャルディップによる転送効
率の低下が生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係るＣＣＤの水平レジスタ、出
力ゲート部および出力部の断面図である。

【図２】（Ａ）は第１実施形態に係るＣＣＤにおいて、
図１の要部を拡大した断面図である。（Ｂ）は（Ａ）に
対応した断面において、水平出力ゲートがオンした状態
でのチャネル領域のポテンシャル分布を示す図である。

【図３】第１実施形態のＣＣＤの製造において、第１水
平転送電極形成後の断面図である。

【図４】第１実施形態のＣＣＤの製造において、第１不
純物領域形成のためのイオン注入時の断面図である。

【図５】第１実施形態のＣＣＤの製造において、第１電
極形成後の断面図である。

【図６】第１実施形態のＣＣＤの製造において、第２不
純物領域形成のためのイオン注入時の断面図である。

【図７】第１実施形態のＣＣＤの製造において、第２電
極形成後の断面図である。

【図８】（Ａ）は第２実施形態に係るＣＣＤにおいてＨ
ＯＧ部の構造を示す断面図である。（Ｂ）は（Ａ）に対
応した断面において、水平出力ゲートがオンした状態で
のチャネル領域のポテンシャル分布を示す図である。

【図９】（Ａ）は第３実施形態に係るＣＣＤにおいてＨ
ＯＧ部の構造を示す断面図である。（Ｂ）は（Ａ）に対
応した断面において、水平出力ゲートがオンした状態で
のチャネル領域のポテンシャル分布を示す図である。

【図１０】（Ａ）は第４実施形態に係るＣＣＤにおいて
ＨＯＧ部の構造を示す断面図である。（Ｂ）は（Ａ）に
対応した断面において、水平出力ゲートがオンした状態
でのチャネル領域のポテンシャル分布を示す図である。

【図１１】（Ａ）は従来のＨＯＧ部の構造を示す断面図
である。（Ｂ）は（Ａ）に対応した断面において、水平
出力ゲートがオンした状態でのチャネル領域のポテンシ
ャル分布を示す図である。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…ｐ型ウエル、３…転送チャネル領
域、４…ｐ型不純物領域、５…第１不純物領域、６…第
２不純物領域、７…第３不純物領域、１０，１３，１５
…誘電膜、１１…第１水平転送電極、１２…第２水平転
送電極、１４…第１電極、１６…第２電極、２０…バッ
ファアンプ、ＨＯＧ…水平出力ゲート、ＦＤ…フローテ
ィングディフュージョン、ＲＤ…リセットディフュージ
ョン、ＲＧ…リセットゲート、φＨ１，φＨ２…水平転
送クロック、φＨＯＧ，φＨＯＧ１，φＨＯＧ２…水平
出力クロック、φＲＧ…リセットクロック、ψ…ポテン
シャル。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】撮像により生成された信号電荷を転送する
   転送部と、 上記信号電荷を検出し増幅して外部に出力する出力部
   と、 上記転送部からの信号電荷を上記出力部に受け渡す出力
   ゲート部とを有した固体撮像装置であって、 上記出力ゲート部は、半導体からなる上記信号電荷の転
   送チャネル領域と、 上記転送チャネル領域内に電位差を設ける手段とを有し
   た固体撮像装置。
2. 【請求項２】上記出力ゲート部は、上記転送チャネル領
   域と、 上記転送チャネル領域上の誘電膜と、 上記誘電膜上の出力ゲート電極とを有し、 上記出力ゲート電極は、上記転送部側の第１電極と、 上記第１電極の上記出力部側に位置し第１電極と絶縁分
   離された第２電極とを含む請求項１記載の固体撮像装
   置。
3. 【請求項３】上記第２電極が、誘電膜を挟んで上記第１
   電極上に一部重ねられた請求項２記載の固体撮像装置。
4. 【請求項４】上記出力ゲート部は、上記転送チャネル領
   域と、 上記転送チャネル領域上の誘電膜と、 上記誘電膜上の出力ゲート電極とを有し、 上記出力ゲート電極の下方に、上記転送チャネル領域に
   転送方向で電位差をつける不純物領域を有した請求項１
   記載の固体撮像装置。
5. 【請求項５】上記出力ゲート電極の下方に、上記転送部
   側の第１不純物領域と、 上記第１不純物領域の上記出力部側に隣接し、上記転送
   チャネル領域のポテンシャルを上記第１不純物領域側よ
   り高くする不純物濃度分布の第２不純物領域とを有した
   請求項４記載の固体撮像装置。
6. 【請求項６】上記出力ゲート電極は、上記第１不純物領
   域の上方に配置した第１電極と、 上記第２不純物領域の上方に配置した第２電極とを含む
   請求項４記載の固体撮像装置。
7. 【請求項７】上記第２電極が、誘電膜を挟んで上記第１
   電極上に一部重ねられた請求項６記載の固体撮像装置。
8. 【請求項８】撮像により生成され転送部内を転送されて
   きた信号電荷を出力部に出力する出力ゲート部を有した
   固体撮像装置の製造方法であって、 上記出力ゲート部の形成時に以下の諸工程、すなわち、 不純物をドープして第１不純物領域を半導体からなる転
   送チャネル領域内に形成し、 上記転送チャネル領域上に第１誘電膜を形成し、 上記第１誘電膜の転送部側部分上に第１電極を形成し、 上記第１電極をマスクとしたイオン注入により上記転送
   チャネル領域の一部分に不純物をドープして上記第１不
   純物領域と異なるポテンシャルの第２不純物領域を形成
   し、 少なくとも上記第１電極の表面に第２誘電膜を形成し、 上記第２不純物領域の上方に第２電極を形成する各工程
   を含む固体撮像装置の製造方法。
9. 【請求項９】上記転送チャネル領域の上記第２不純物領
   域側のポテンシャルが上記第１不純物領域側のポテンシ
   ャルより高くなる条件で、上記第１電極をマスクとした
   イオン注入を行う請求項８記載の固体撮像装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】上記第２誘電膜を挟んで上記第１電極と
    一部重なるように上記第２電極を形成する請求項８記載
    の固体撮像装置の製造方法。