JP2002157032A - Current limiter and arithmetic amplifier - Google Patents
Current limiter and arithmetic amplifierInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、演算増幅回路の出
力段などに使用され、出力電流を制限する電流制限装置
及びこの電流制限装置を用いた演算増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current limiting device for use in an output stage of an operational amplifier circuit for limiting an output current and an operational amplifier using the current limiting device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は従来の電流制限装置の構成例を示
した回路図である。NPN型トランジスタQ11,Q1
2がダーリントン接続されて、入出力段が構成されてい
る。入力10からトランジスタQ11のベースに入力電
圧が印可されると、トランジスタQ11,Q12を通し
て、出力20に電流が流れる。この際、電流検出回路3
0は出力20に流れる電流を検出して、それがリミット
になったことを検出すると、電流制限回路40が動作し
て、入力10からの入力電圧を下げることにより、トラ
ンジスタQ11,Q12を流れる電流を抑えて、出力2
0の出力電流を制限する。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional current limiting device. NPN transistors Q11 and Q1
2 are connected in Darlington to form an input / output stage. When an input voltage is applied from the input 10 to the base of the transistor Q11, a current flows to the output 20 through the transistors Q11 and Q12. At this time, the current detection circuit 3
0 detects the current flowing through the output 20, and when it detects that the current has reached the limit, the current limiting circuit 40 operates to lower the input voltage from the input 10, thereby reducing the current flowing through the transistors Q11 and Q12. And output 2
Limit output current to zero.
【0003】図5は従来の電流制限装置の他の構成例を
示した回路図である。NPN型トランジスタQ11,Q
12は差動対を構成しており、これらトランジスタの共
通エミッタが定電流源I1を介してGND側に接続され
ている。トランジスタQ11のべースは入力10に接続
され、トランジスタQ12のコレクタは出力20に接続
され、トランジスタQ12のベースは、定電流源I2と
トランジスタQ13、Q14の直列回路から成るベース
バイアス回路に接続され、一定のベースバイアスが印可
されている。入力10から入力電圧が入力されると、ト
ランジスタQ11、トランジスタQ12のベースの電位
差に応じた電流がトランジスタQ12を通して出力20
に流れる。しかし、その電流は最大でも定電流源I1の
定電流値に抑えられる。FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of the configuration of a conventional current limiting device. NPN transistors Q11, Q
Reference numeral 12 denotes a differential pair, and the common emitter of these transistors is connected to the GND via a constant current source I1. The base of transistor Q11 is connected to input 10, the collector of transistor Q12 is connected to output 20, and the base of transistor Q12 is connected to a base bias circuit consisting of a constant current source I2 and a series circuit of transistors Q13 and Q14. , A constant base bias is applied. When an input voltage is input from the input 10, a current corresponding to the potential difference between the bases of the transistors Q11 and Q12 is output through the transistor Q12 to the output 20.
Flows to However, the current is suppressed at the maximum to the constant current value of the constant current source I1.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の図4に
示した電流制限装置では、別途、電流値検出回路30と
電流制限回路40が必要となり、回路規模が大きくな
る。また、帰還回路が追加される為に、回路の安定性を
損なう。更に、外付けの電流値検出回路30の検出誤差
や帰還回路の帰還誤差のため、正確に制限電流値を設定
することができない。図5の回路では上記した不具合は
解決されるが、トランジスタQ1、Q2の差動対を使用
しているため制御感度の低い回路構成になってしまう。In the conventional current limiting device shown in FIG. 4, the current value detecting circuit 30 and the current limiting circuit 40 are separately required, and the circuit scale becomes large. Further, the addition of a feedback circuit impairs the stability of the circuit. Further, the limit current value cannot be set accurately due to a detection error of the external current value detection circuit 30 or a feedback error of the feedback circuit. Although the circuit of FIG. 5 solves the above-described problem, the circuit configuration has low control sensitivity because a differential pair of the transistors Q1 and Q2 is used.
【0005】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、制御感度が良好
で、且つ精度良く制限電流値を設定することができ、し
かも回路規模が小さく且つ安定性のある電流制限装置及
びこの装置を用いた演算増幅器を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and has as its object to provide a control current with good control sensitivity and to set a current limit value with high accuracy, and to reduce the circuit scale. An object of the present invention is to provide a small and stable current limiting device and an operational amplifier using the same.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明の特徴は、電圧を入力する入力バッ
ファ回路と、前記入力バッファ回路の出力電圧を入力
し、前記出力電圧に応じた電流を出力する電流制御回路
と、前記電流制御回路を構成するトランジスタにベース
バイアス電圧を供給する第1のバイアス発生回路と、前
記入力バッファ回路の出力電圧を入力する前記電流制御
回路の入力用トランジスタのベース電圧の変化範囲を所
定電圧範囲に制限する電流制限回路と、前記電流制限回
路を構成するトランジスタにベースバイアス電圧を供給
する第2のバイアス発生回路とを具備することにある。According to one aspect of the present invention, an input buffer circuit for inputting a voltage, an output voltage of the input buffer circuit being input, and A current control circuit that outputs a corresponding current; a first bias generation circuit that supplies a base bias voltage to a transistor included in the current control circuit; and an input of the current control circuit that inputs an output voltage of the input buffer circuit. A current limiting circuit for limiting a change range of the base voltage of the transistor for use to a predetermined voltage range, and a second bias generating circuit for supplying a base bias voltage to the transistors constituting the current limiting circuit.
【0007】請求項2の発明の特徴は、前記入力バッフ
ァ回路を構成し、エミッタが第1の定電流源を介して接
地された第1のトランジスタと、前記電流制御回路を構
成する直列接続された第2のトランジスタと第3のトラ
ンジスタと、前記第2のトランジスタのベースに接続さ
れて、電流制限時に、このベース電位を所定値固定する
前記電流制限回路を構成する第4のトランジスタと、前
記第1、第2のバイアス発生回路を構成する直列接続さ
れた第2の定電流源及びダイオード接続した複数のトラ
ンジスタとを具備することにある。A second feature of the present invention is that the input buffer circuit is formed, and a first transistor whose emitter is grounded via a first constant current source is connected in series to form the current control circuit. A second transistor, a third transistor, and a fourth transistor connected to the base of the second transistor, the fourth transistor forming the current limiting circuit for fixing the base potential to a predetermined value during current limiting; The first and second bias generation circuits are provided with a second constant current source connected in series and a plurality of diode-connected transistors.
【0008】請求項3の発明の特徴は、電圧を入力する
入力バッファ回路と、前記入力バッファ回路の出力電圧
を入力し、入力された出力電圧に応じた電流を出力する
電流制御回路と、前記電流制御回路を構成するトランジ
スタにベースバイアス電圧を供給するバイアス発生回路
と、前記入力バッファ回路の出力電圧を入力する前記電
流制御回路の入力用トランジスタのベース電圧の変化範
囲を所定電圧範囲に制限する電流制限回路とを具備する
ことにある。According to a third aspect of the present invention, an input buffer circuit for inputting a voltage, a current control circuit for inputting an output voltage of the input buffer circuit and outputting a current corresponding to the input output voltage, A bias generation circuit that supplies a base bias voltage to a transistor included in the current control circuit; and a change range of a base voltage of an input transistor of the current control circuit that inputs an output voltage of the input buffer circuit is limited to a predetermined voltage range. A current limiting circuit.
【0009】請求項4の発明の特徴は、演算増幅回路
と、前記演算増幅回路の出力段に接続される前記請求項
1又は3記載の電流制限装置とを具備することにある。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an operational amplifier circuit, and the current limiting device according to claim 1 or 3 connected to an output stage of the operational amplifier circuit.
【0010】ここで、第1のトランジスタはトランジス
タQ1に、第2のトランジスタと第3のトランジスタは
トランジスタQ3とQ4に、第4のトランジスタはトラ
ンジスタQ2に相当する。第1、第2の定電流源は定電
流源I1、I2に相当する。Here, the first transistor corresponds to the transistor Q1, the second and third transistors correspond to the transistors Q3 and Q4, and the fourth transistor corresponds to the transistor Q2. The first and second constant current sources correspond to the constant current sources I1 and I2.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の電流制限装置の
第1の実施形態に係る構成を示した回路図である。電流
制限装置は、NPN型トランジスタQ1と定電流源I1
とから成る入力バッファ回路Aと、PNP型トランジス
タQ3とNPN型トランジスタQ4から成る電流制御回
路Bと、定電流源I2にダイオード接続されたPNP型
トランジスタQ5,NPN型トランジスタQ6,Q7を
直列接続して成るバイアス回路Cと,NPN型トランジ
スタQ2から成る電流制限回路Dを有している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a current limiting device according to a first embodiment of the present invention. The current limiting device includes an NPN transistor Q1 and a constant current source I1.
An input buffer circuit A comprising a PNP transistor Q3 and an NPN transistor Q4, a PNP transistor Q5 diode-connected to a constant current source I2, and an NPN transistor Q6 and Q7 connected in series. And a current limiting circuit D comprising an NPN transistor Q2.
【0012】次に本実施形態の動作について説明する。
NPN型トランジスタQ4のベースにはバイアス回路C
からの一定のバイアス電圧が印可され、NPN型トラン
ジスタQ2にもバイアス回路Cからの一定のバイアス電
圧が印可されている。そこへ入力10から入力電圧が印
可されると、トランジスタQ1を介してPNP型トラン
ジスタQ3のベース電位が変化するため、PNP型トラ
ンジスタQ3のベースとNPN型トランジスタQ4のベ
ース間電圧が変化し、その変化に応じてPNP型トラン
ジスタQ3とNPN型トランジスタQ4を通して出力2
0に出力電流が流れる。Next, the operation of this embodiment will be described.
A bias circuit C is provided at the base of the NPN transistor Q4.
, And a constant bias voltage from the bias circuit C is also applied to the NPN transistor Q2. When an input voltage is applied thereto from the input 10, the base potential of the PNP transistor Q3 changes via the transistor Q1, so that the voltage between the base of the PNP transistor Q3 and the base of the NPN transistor Q4 changes. According to the change, the output 2 is output through the PNP transistor Q3 and the NPN transistor Q4.
The output current flows to 0.
【0013】必要以上に入力電圧が下降して、トランジ
スタQ1エミッタ電位が下がると、差動対を形成するト
ランジスタQ2がオンになる。トランジスタQ2がオン
になると、トランジスタQ3のベース電位がトランジス
タQ2を介して印可される電圧で固定されるため、入力
電圧がどんなに下降しても、それ以上,トランジスタQ
3のベース電圧は変化しなくなって、トランジスタQ
3、Q4を流れる電流が制限されるため、結局、出力2
0の出力電流が制限される。When the input voltage drops more than necessary and the emitter potential of the transistor Q1 drops, the transistor Q2 forming a differential pair is turned on. When the transistor Q2 is turned on, the base potential of the transistor Q3 is fixed at the voltage applied via the transistor Q2.
3 no longer changes and the transistor Q
3. Since the current flowing through Q4 is limited, the output 2
0 output current is limited.
【0014】更に詳しく述べると、電流制限値は、電流
制限用トランジスタQ2とQ5に流れる電流値I0と、
電流制御回路のトランジスタQ3とQ4のエミッタ面積
と電流制限用トランジスタQ2とQ5のエミッタ面積の
比nにより、n×I0で決まる。入力バッファ用トラン
ジスタQ1と電流制限用トランジスタQ2は差動対を構
成しており、電流制御用トランジスタQ3とQ4のベー
ス・エミッタ間電圧は、電流制限用トランジスタQ2,
Q5のベース・エミッタ間電圧によって制限され、出力
可能な最大電流値は、電流制限用トランジスタQ2,Q
5に流れる電流値に依存する。これにより、電流制限用
トランジスタQ2,Q5に流す電流値及び電流制御用ト
ランジスタと電流制限用トランジスタのエミッタ面積比
とにより、出力電流の電流制限値を自在に設定できるこ
とになる。More specifically, the current limit value is determined by the current value I0 flowing through the current limiting transistors Q2 and Q5,
It is determined by n × I0 according to the ratio n of the emitter areas of the transistors Q3 and Q4 of the current control circuit and the emitter areas of the current limiting transistors Q2 and Q5. The input buffer transistor Q1 and the current limiting transistor Q2 form a differential pair. The base-emitter voltages of the current controlling transistors Q3 and Q4 are equal to the current limiting transistors Q2 and Q2.
The maximum current that can be output, which is limited by the base-emitter voltage of Q5, is limited to current limiting transistors Q2 and Q5.
5 depends on the value of the current flowing. As a result, the current limit value of the output current can be freely set based on the current value flowing through the current limiting transistors Q2 and Q5 and the emitter area ratio between the current control transistor and the current limiting transistor.
【0015】本実施形態によれば、外部の電流検出回路
等を用いていないため、回路規模は大きくなく、またト
ランジスタQ1,Q3はダーリントン接続で、図4に示
した従来の回路の構成を踏襲しているため、制御感度が
良好であり、更に、定電流源I1、I2によりトランジ
スタQ3,Q4に流れる最大電流を精度良く決めること
ができるため、精度良く制限電流値を設定することがで
きる。また、帰還回路がないため、回路動作が安定して
いる。According to this embodiment, since no external current detection circuit or the like is used, the circuit scale is not large, and the transistors Q1 and Q3 are Darlington-connected and follow the configuration of the conventional circuit shown in FIG. Therefore, the control sensitivity is good, and the maximum current flowing through the transistors Q3 and Q4 can be accurately determined by the constant current sources I1 and I2, so that the limiting current value can be set with high accuracy. Further, since there is no feedback circuit, the circuit operation is stable.
【0016】図2は、本発明の電流制限装置の第2の実
施形態に係る構成を示した回路図である。本例の電流制
限装置も、入力バッファ回路A、電流制御回路B、バイ
アス回路C及び電流制限回路Dとを有し、図1に示した
第1の実施形態とほぼ同様の構成を有している。異なる
点は、電流制限用トランジスタQ2のベースバイアス電
位をトランジスタQ4により設定しているところにあ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a current limiting device according to a second embodiment of the present invention. The current limiting device of this example also has an input buffer circuit A, a current control circuit B, a bias circuit C, and a current limiting circuit D, and has a configuration substantially similar to that of the first embodiment shown in FIG. I have. The difference is that the base bias potential of the current limiting transistor Q2 is set by the transistor Q4.
【0017】このような構成とした場合、トランジスタ
Q1のベース電位が必要以上に下降して、トランジスタ
Q1と差動対を構成するトランジスタQ2がオンにな
る。このトランジスタQ2がオンになると、トランジス
タQ3のベース電位が固定化されるため、それ以上、P
NP型トランジスタQ3のベースとNPN型トランジス
タQ4のベース間電圧が開かなくなって、PNP型トラ
ンジスタQ3と、NPN型トランジスタQ4を流れる電
流が増加しなくなるため、出力20の出力電流が抑えら
れることになる。In such a configuration, the base potential of the transistor Q1 drops more than necessary, and the transistor Q2 forming a differential pair with the transistor Q1 turns on. When the transistor Q2 is turned on, the base potential of the transistor Q3 is fixed.
Since the voltage between the base of the NP-type transistor Q3 and the base of the NPN-type transistor Q4 does not open and the current flowing through the PNP-type transistor Q3 and the NPN-type transistor Q4 does not increase, the output current of the output 20 is suppressed. .
【0018】本実施形態によれば、制限電流値の精度が
多少悪くても良い場合とか、NPN型トランジスタとP
NP型トランジスタの特性をほぼ同じに作ることができ
る場合、上記のような構成でも、第1の実施形態と同様
の効果を得ることができる。According to the present embodiment, the case where the accuracy of the limiting current value may be slightly lower may be acceptable, or the NPN transistor and the P
When the characteristics of the NP-type transistors can be made substantially the same, the same effects as those of the first embodiment can be obtained even with the above configuration.
【0019】図3は、本発明の演算増幅器の一実施形態
に係る構成を示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration according to an embodiment of the operational amplifier of the present invention.
【0020】演算増幅器は、通常の演算増幅回路5の出
力側に図1に示した電流制限装置100が接続され、そ
の出力を増幅する増幅回路200が設けられている。こ
こで、増幅回路200はトランジスタQ8,Q9,Q1
0、Q11及びトランジスタQ8,Q10の共通ベース
のバイアス電圧用抵抗R3並びに分圧抵抗R1,R2か
ら成っている。トランジスタQ11のエミッタから出力
OUTが取り出され、分圧抵抗R1,R2による出力分
圧電圧が演算増幅回路5の反転入力端子に入力されてい
る。上記のような構成により、演算増幅回路5の出力電
流は電流制限回路100により制限されるため、トラン
ジスタQ11のエミッタから取り出される出力電流値も
制限される。In the operational amplifier, the current limiting device 100 shown in FIG. 1 is connected to the output side of a normal operational amplifier circuit 5, and an amplifier circuit 200 for amplifying the output is provided. Here, the amplifier circuit 200 includes transistors Q8, Q9, Q1.
0, Q11 and a bias voltage resistor R3 of a common base of the transistors Q8, Q10 and voltage dividing resistors R1, R2. The output OUT is taken out from the emitter of the transistor Q11, and the output divided voltage by the voltage dividing resistors R1 and R2 is input to the inverting input terminal of the operational amplifier circuit 5. With the above configuration, the output current of the operational amplifier circuit 5 is limited by the current limiting circuit 100, so that the output current value extracted from the emitter of the transistor Q11 is also limited.
【0021】本実施形態によれば、電流制限装置100
として、回路規模は大きくなく、感度が良好であり、精
度良く制限電流値を設定することができる電流制限回路
を用いているため、演算増幅器も、回路規模は大きくな
く、感度が良好であり、精度良く制限電流値を設定する
ことができる。尚、本例の演算増幅器は、例えばレギュ
レータなどに用いられる。According to the present embodiment, the current limiting device 100
As the circuit scale is not large, the sensitivity is good, and the current limiting circuit that can set the limiting current value with high accuracy is used, so the operational amplifier also has a small circuit scale and good sensitivity. The limiting current value can be set with high accuracy. The operational amplifier of this example is used for, for example, a regulator.
【0022】尚、電流制限装置100として図2に示し
た装置を使用しても良い。The device shown in FIG. 2 may be used as the current limiting device 100.
【0023】又、本発明は上記実施形態に限定されるこ
となく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な
構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によ
っても実施することができる。Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied in various other forms in a specific configuration, function, operation, and effect without departing from the gist thereof. .
【0024】[0024]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、出力電流値を検出する必要が無いので、回路規模
が小さく、帰還回路を構成しない。電流制御に、べース
・エミッタ間のダイオード特性を利用しているので、制
御感度が高い。電流制御回路と電流制限用トランジスタ
の電流密度比を利用して電流制限値を決めているので、
自在な制限電流値を正確に設定する事が出来る。As described above in detail, according to the present invention, since it is not necessary to detect the output current value, the circuit scale is small and no feedback circuit is formed. Since the diode characteristics between the base and the emitter are used for current control, the control sensitivity is high. Since the current limit value is determined using the current density ratio between the current control circuit and the current limiting transistor,
A free limiting current value can be set accurately.
【図1】本発明の電流制限装置の第1の実施形態に係る
構成を示した回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a current limiting device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の電流制限装置の第2の実施形態に係る
構成を示した回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a current limiting device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の演算増幅器の一実施形態に係る構成を
示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration according to an embodiment of the operational amplifier of the present invention.
【図4】従来の電流制限装置の構成例を示した回路図で
ある。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional current limiting device.
【図5】従来の電流制限装置の他の構成例を示した回路
図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing another configuration example of the conventional current limiting device.
5 演算増幅回路 10 入力 I1、I2 定電流源 20 出力 100 電流制限装置 200 増幅回路 Q1、Q2、Q4、Q6、Q7 NPN型トランジスタ Q3、Q5 PNP型トランジスタ Reference Signs List 5 operational amplifier circuit 10 input I1, I2 constant current source 20 output 100 current limiter 200 amplifier circuit Q1, Q2, Q4, Q6, Q7 NPN transistor Q3, Q5 PNP transistor
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Claims (4)
圧に応じた電流を出力する電流制御回路と、 前記電流制御回路にバイアス電圧を供給する第1のバイ
アス発生回路と、 前記入力バッファ回路の出力電圧を入力する前記電流制
御回路の入力電圧の変化範囲を所定電圧範囲に制限する
電流制限回路と、 前記電流制限回路にバイアス電圧を供給する第2のバイ
アス発生回路と、 を具備することを特徴とする電流制限装置。An input buffer circuit that inputs a voltage; a current control circuit that receives an output voltage of the input buffer circuit and outputs a current corresponding to the output voltage; and supplies a bias voltage to the current control circuit. A first bias generation circuit, a current limiting circuit that limits a change range of an input voltage of the current control circuit that inputs an output voltage of the input buffer circuit to a predetermined voltage range, and a bias voltage is supplied to the current limiting circuit. A current limiting device, comprising: a second bias generation circuit.
タが第1の定電流源を介して接地された第1のトランジ
スタと、 前記電流制御回路を構成する直列接続された第2のトラ
ンジスタと第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタのベースに接続されて、電流制
限時に、このベース電位を所定値固定する前記電流制限
回路を構成する第4のトランジスタと、 前記第1、第2のバイアス発生回路を構成する直列接続
された第2の定電流源及びダイオード接続した複数のト
ランジスタと、 を具備することを特徴とする請求項1に記載の電流制限
装置。2. A first transistor constituting the input buffer circuit and having an emitter grounded via a first constant current source; a second transistor connected in series constituting the current control circuit; A third transistor connected to the base of the second transistor, the fourth transistor forming the current limiting circuit for fixing the base potential to a predetermined value at the time of current limiting; and the first and second biases. The current limiting device according to claim 1, further comprising: a second constant current source connected in series and a plurality of transistors connected in a diode to form a generating circuit.
出力電圧に応じた電流を出力する電流制御回路と、 前記電流制御回路にバイアス電圧を供給するバイアス発
生回路と、 前記入力バッファ回路の出力電圧を入力する前記電流制
御回路の入力電圧の変化範囲を所定電圧範囲に制限する
電流制限回路と、 を具備することを特徴とする電流制限装置。3. An input buffer circuit for inputting a voltage, a current control circuit for inputting an output voltage of the input buffer circuit and outputting a current corresponding to the input output voltage, and a bias voltage for the current control circuit. And a current limiting circuit for limiting a change range of an input voltage of the current control circuit for inputting an output voltage of the input buffer circuit to a predetermined voltage range. .
3に記載の電流制限装置と、 を具備することを特徴とする演算増幅器。4. The operational amplifier circuit, wherein the operational amplifier circuit is connected to an output stage of the operational amplifier circuit.
An operational amplifier, comprising: the current limiting device according to claim 3.
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KR100460721B1 (en) * | 2002-06-29 | 2004-12-08 | 학교법인 한국정보통신학원 | Bias current control circuit of the power amplifier |
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2000
- 2000-11-21 JP JP2000354558A patent/JP2002157032A/en not_active Withdrawn
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KR100460721B1 (en) * | 2002-06-29 | 2004-12-08 | 학교법인 한국정보통신학원 | Bias current control circuit of the power amplifier |
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