JP2002156513A - 可変形状鏡 - Google Patents
可変形状鏡Info
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- JP2002156513A JP2002156513A JP2000349924A JP2000349924A JP2002156513A JP 2002156513 A JP2002156513 A JP 2002156513A JP 2000349924 A JP2000349924 A JP 2000349924A JP 2000349924 A JP2000349924 A JP 2000349924A JP 2002156513 A JP2002156513 A JP 2002156513A
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- mirror
- deformable mirror
- magnetic flux
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、凸面形状や比較的低電圧での動作が
可能で、高速動作にも適した小型の可変形状鏡を提供す
る。 【解決手段】本発明の一態様によると、反射面を有し、
内部を電荷が移動可能な薄膜と、上記電荷の移動経路の
少なくとも一部を横切りかつ上記薄膜に平行な方向の成
分を有する磁束を、発生可能な磁束源とを有し、上記電
荷と上記磁束の相互作用により、上記薄膜が変形可能に
構成されていることを特徴とする可変形状鏡が提供され
る。
可能で、高速動作にも適した小型の可変形状鏡を提供す
る。 【解決手段】本発明の一態様によると、反射面を有し、
内部を電荷が移動可能な薄膜と、上記電荷の移動経路の
少なくとも一部を横切りかつ上記薄膜に平行な方向の成
分を有する磁束を、発生可能な磁束源とを有し、上記電
荷と上記磁束の相互作用により、上記薄膜が変形可能に
構成されていることを特徴とする可変形状鏡が提供され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は曲率を連続的に可変
せしめる可変形状鏡に係り、特に、半導体技術を応用し
た小型の可変形状鏡に関するものである。
せしめる可変形状鏡に係り、特に、半導体技術を応用し
た小型の可変形状鏡に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップなどのマイクロオプティ
クスに適用される微小な光学系において、従来は、電磁
式アクチュエータを用いていたフォーカシング等に関係
する機構の簡素化を目的として、反射面の曲率を変える
ことができる超小型の可変焦点鏡の提案が行われてい
る。
クスに適用される微小な光学系において、従来は、電磁
式アクチュエータを用いていたフォーカシング等に関係
する機構の簡素化を目的として、反射面の曲率を変える
ことができる超小型の可変焦点鏡の提案が行われてい
る。
【０００３】また、小型の撮像用光学系においても、可
変焦点鏡の適用は、小型化に大きく寄与することができ
る。
変焦点鏡の適用は、小型化に大きく寄与することができ
る。
【０００４】このような可変焦点鏡では、半導体製造技
術を適用した、いわゆるＭＥＭＳ(Micro Electro-Mecha
nicalSystem)技術を適用することによって、低コスト・
高精度の製作が期待できる。
術を適用した、いわゆるＭＥＭＳ(Micro Electro-Mecha
nicalSystem)技術を適用することによって、低コスト・
高精度の製作が期待できる。
【０００５】この種の可変形状鏡の駆動方法としては、
例えば、特開平２−１０１４０２号公報に開示されてい
るような静電引力を用いる方法が一般的であるが、通
常、この方式は高い駆動電圧を要するので、用途によっ
ては、低電圧駆動が可能な電磁駆動式が好適な場合があ
る。
例えば、特開平２−１０１４０２号公報に開示されてい
るような静電引力を用いる方法が一般的であるが、通
常、この方式は高い駆動電圧を要するので、用途によっ
ては、低電圧駆動が可能な電磁駆動式が好適な場合があ
る。
【０００６】この電磁駆動の可変形状鏡の一例として
は、特開平８−３３４７０８号公報に開示されている方
法がある。
は、特開平８−３３４７０８号公報に開示されている方
法がある。
【０００７】すなわち、この特開平８−３３４７０８号
公報においては、周縁が筐体に支持されて周縁部以外は
変形可能な可撓性を有する鏡において、上記鏡の裏面に
マグネット板を配し、上記筐体側に、このマグネット板
と所定の間隙を挟んでソレノイド磁石を対向配置し、こ
のソレノイドで発生する電磁力を上記マグネット板に及
ぼして吸引・反発させることによって、上記鏡を変形さ
せる技術が開示されている。
公報においては、周縁が筐体に支持されて周縁部以外は
変形可能な可撓性を有する鏡において、上記鏡の裏面に
マグネット板を配し、上記筐体側に、このマグネット板
と所定の間隙を挟んでソレノイド磁石を対向配置し、こ
のソレノイドで発生する電磁力を上記マグネット板に及
ぼして吸引・反発させることによって、上記鏡を変形さ
せる技術が開示されている。
【０００８】次に、上記特開平２−１０１４０２号公報
に開示されている静電引力駆動方式を用いる反射鏡装置
について、図１及び図２を用いて簡単に説明する。
に開示されている静電引力駆動方式を用いる反射鏡装置
について、図１及び図２を用いて簡単に説明する。
【０００９】図１の（ａ），（ｂ）は、上記特開平２−
１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆動方式
を用いる反射鏡装置の構成を示す断面図と斜視図であ
る。
１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆動方式
を用いる反射鏡装置の構成を示す断面図と斜視図であ
る。
【００１０】図１の（ａ），（ｂ）において、参照符号
１１は、ガラス等の絶縁基板（以下、ガラス基板と記
す）であり、このガラス基板１１の上面には、導電性薄
膜からなる固定側電極層１２が被着されている。
１１は、ガラス等の絶縁基板（以下、ガラス基板と記
す）であり、このガラス基板１１の上面には、導電性薄
膜からなる固定側電極層１２が被着されている。
【００１１】また、参照符号１３は、シリコン等の半導
体基板（以下、シリコン基板と記す）であり、このシリ
コン基板１３の一主面には絶縁薄膜として二酸化シリコ
ンの薄膜１４が形成されている。
体基板（以下、シリコン基板と記す）であり、このシリ
コン基板１３の一主面には絶縁薄膜として二酸化シリコ
ンの薄膜１４が形成されている。
【００１２】また、参照符号１５は、上記シリコン基板
１３の中央部の他主面に形成された空所であり、この空
所１５は上記二酸化シリコンの薄膜１４の中央部を厚さ
方向へ変位可能に設定するものである。
１３の中央部の他主面に形成された空所であり、この空
所１５は上記二酸化シリコンの薄膜１４の中央部を厚さ
方向へ変位可能に設定するものである。
【００１３】また、参照符号１６は、可動側電極層であ
り、この可動側電極層１６は上記二酸化シリコンの薄膜
１４に積層されて形成されている。
り、この可動側電極層１６は上記二酸化シリコンの薄膜
１４に積層されて形成されている。
【００１４】上記二酸化シリコンの薄膜１４及び可動側
電極層１６の中央部は反射鏡部１７を構成している。
電極層１６の中央部は反射鏡部１７を構成している。
【００１５】そして、この反射鏡部１７は、固定側電極
層１２と可動側電極層１６との両電極層間に印加された
電圧により、該固定側電極層１２側へ凹入変形するよう
になっている。
層１２と可動側電極層１６との両電極層間に印加された
電圧により、該固定側電極層１２側へ凹入変形するよう
になっている。
【００１６】上記シリコン基板１３は、二酸化シリコン
薄膜１４側を下側にしてガラス基板１１にスペーサ部材
１８を介して接合されている。
薄膜１４側を下側にしてガラス基板１１にスペーサ部材
１８を介して接合されている。
【００１７】なお、図１の（ａ），（ｂ）において、参
照符号１９は、シリコン基板１３の他主面に形成された
二酸化シリコンの薄膜である。
照符号１９は、シリコン基板１３の他主面に形成された
二酸化シリコンの薄膜である。
【００１８】上記反射鏡装置の製造は、図２に示すよう
にして行われる。
にして行われる。
【００１９】図２の（ａ）乃至（ｅ）は、上記特開平２
−１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆動方
式を用いる反射鏡装置の製作工程を説明するための断面
図である。
−１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆動方
式を用いる反射鏡装置の製作工程を説明するための断面
図である。
【００２０】まず、図２の（ａ）に示すように、両面を
鏡面研磨した面方位＜１００＞のシリコン基板１３の両
面に厚さ４００〜５００ｎｍの二酸化シリコン薄膜１
９，１４を形成し、さらに、下側の薄膜１４上に厚さ１
００ｎｍ程度の金薄膜１６を被着する。
鏡面研磨した面方位＜１００＞のシリコン基板１３の両
面に厚さ４００〜５００ｎｍの二酸化シリコン薄膜１
９，１４を形成し、さらに、下側の薄膜１４上に厚さ１
００ｎｍ程度の金薄膜１６を被着する。
【００２１】次に、図２の（ｂ）に示すように、所定パ
ターンのフォトレジスト２０を塗布し、フォトリソグラ
フィーにより円形の窓孔２１を形成する。
ターンのフォトレジスト２０を塗布し、フォトリソグラ
フィーにより円形の窓孔２１を形成する。
【００２２】その後、基板の下側の面を保護した状態
で、フォトレジスト２０をマスクとして、フッ酸系の溶
液で二酸化シリコン薄膜１４に窓あけを行う。
で、フォトレジスト２０をマスクとして、フッ酸系の溶
液で二酸化シリコン薄膜１４に窓あけを行う。
【００２３】次に、図２の（ｃ）に示すように、エチレ
ン・ジアミン・ピカテコールの水溶液にシリコン基板１
３を浸して、窓孔２１の部分からシリコン基板をエッチ
ングする。
ン・ジアミン・ピカテコールの水溶液にシリコン基板１
３を浸して、窓孔２１の部分からシリコン基板をエッチ
ングする。
【００２４】この際、図示したように、エッチングは、
下面側の二酸化シリコン１６が露出した時点で停止す
る。
下面側の二酸化シリコン１６が露出した時点で停止す
る。
【００２５】このようにして、二酸化シリコン膜１４と
金薄膜１６とからなる薄膜上の反射鏡部１７が残存す
る。
金薄膜１６とからなる薄膜上の反射鏡部１７が残存す
る。
【００２６】一方、上記工程とは別に、図２の（ｄ）に
示すように、厚さ３００ｎｍのガラス基板１１の上面
に、固定側電極層１２として、厚さ１００ｎｍの金属膜
を形成する。
示すように、厚さ３００ｎｍのガラス基板１１の上面
に、固定側電極層１２として、厚さ１００ｎｍの金属膜
を形成する。
【００２７】次に、図２の（ｅ）に示すように、ガラス
基板１１上に、厚さ１００μｍ程度のポリエチレン製ス
ペーサ部材１８を介してシリコン基板１３を接着すれ
ば、図１に示した反射鏡装置が製作される。
基板１１上に、厚さ１００μｍ程度のポリエチレン製ス
ペーサ部材１８を介してシリコン基板１３を接着すれ
ば、図１に示した反射鏡装置が製作される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な特開平２−１０１４０２号公報に開示されている静電
駆動式の可変形状鏡は、構造が単純で、対向する電極の
一方を分割することによって高い形状制御性が得られる
などの利点があるものの、その一方では駆動に高い電圧
が必要とされることや、凸形状の反射面を得るのが難し
いといった問題点がある。
な特開平２−１０１４０２号公報に開示されている静電
駆動式の可変形状鏡は、構造が単純で、対向する電極の
一方を分割することによって高い形状制御性が得られる
などの利点があるものの、その一方では駆動に高い電圧
が必要とされることや、凸形状の反射面を得るのが難し
いといった問題点がある。
【００２９】また、上述のような静電駆動式の可変形状
鏡は、反射面と対向電極が近接して配置されているの
で、エアダンピングの影響が大きく、高速の動作が難し
いといった問題もある。
鏡は、反射面と対向電極が近接して配置されているの
で、エアダンピングの影響が大きく、高速の動作が難し
いといった問題もある。
【００３０】本発明はこれらの点に鑑みて成されたもの
で、凸面形状や比較的低電圧での動作が可能で、高速動
作にも適した小型の可変形状鏡を得ることを目的とす
る。
で、凸面形状や比較的低電圧での動作が可能で、高速動
作にも適した小型の可変形状鏡を得ることを目的とす
る。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、（１） 反射面を有し、内部を電
荷が移動可能な薄膜と、上記電荷の移動経路の少なくと
も一部を横切りかつ上記薄膜に平行な方向の成分を有す
る磁束を、発生可能な磁束源とを有し、上記電荷と上記
磁束の相互作用により、上記薄膜が変形可能に構成され
ていることを特徴とする可変形状鏡が提供される。
題を解決するために、（１） 反射面を有し、内部を電
荷が移動可能な薄膜と、上記電荷の移動経路の少なくと
も一部を横切りかつ上記薄膜に平行な方向の成分を有す
る磁束を、発生可能な磁束源とを有し、上記電荷と上記
磁束の相互作用により、上記薄膜が変形可能に構成され
ていることを特徴とする可変形状鏡が提供される。
【００３２】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（２） 開口部を有する枠部材と、上記開口
部に支持されており、反射面を有する導電層が形成され
た薄膜と、上記薄膜に略平行な方向の磁場を発生する手
段とを有し、上記導電層は、上記磁場と略直交する方向
に電流が流れる部分が存在することを特徴とする可変形
状鏡が提供される。
るために、（２） 開口部を有する枠部材と、上記開口
部に支持されており、反射面を有する導電層が形成され
た薄膜と、上記薄膜に略平行な方向の磁場を発生する手
段とを有し、上記導電層は、上記磁場と略直交する方向
に電流が流れる部分が存在することを特徴とする可変形
状鏡が提供される。
【００３３】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（３） 上記導電層には、電流経路が形成さ
れており、上記電流経路は、上記開口部に対応する部分
で、上記磁場の方向と略直交する同一方向の経路が複数
存在するパターンで形成されていることを特徴とする
（２）記載の可変形状鏡が提供される。
るために、（３） 上記導電層には、電流経路が形成さ
れており、上記電流経路は、上記開口部に対応する部分
で、上記磁場の方向と略直交する同一方向の経路が複数
存在するパターンで形成されていることを特徴とする
（２）記載の可変形状鏡が提供される。
【００３４】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（４） 上記磁場を発生する手段は、上記枠
部材の上記開口部を挟んで対向するよう配置された永久
磁石を含むことを特徴とする（２）または（３）記載の
可変形状鏡が提供される。
るために、（４） 上記磁場を発生する手段は、上記枠
部材の上記開口部を挟んで対向するよう配置された永久
磁石を含むことを特徴とする（２）または（３）記載の
可変形状鏡が提供される。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図３乃至図５を参照して本
発明の実施の形態について説明する。
発明の実施の形態について説明する。
【００３６】図３は、本発明の一実施の形態による可変
形状鏡１０１の構成を示す斜視図である。
形状鏡１０１の構成を示す斜視図である。
【００３７】図４は、図３の中央部の断面構造を示す断
面図である。
面図である。
【００３８】すなわち、この実施の形態による可変形状
鏡１０１は、円形開口部１０２と２つの矩形開口部１０
３を有する基板１０４と、一対の永久磁石１０５及びコ
の字型のヨーク１０６とで構成されている。
鏡１０１は、円形開口部１０２と２つの矩形開口部１０
３を有する基板１０４と、一対の永久磁石１０５及びコ
の字型のヨーク１０６とで構成されている。
【００３９】上記円形開口部１０２には、反射面を有す
る薄膜１０７が形成されており、この領域がミラーとし
て機能する。
る薄膜１０７が形成されており、この領域がミラーとし
て機能する。
【００４０】上記永久磁石１０５は、上記矩形開口部１
０２に差し込まれるように配置されており、上記ヨーク
１０６によって薄膜１０７には、この膜に平行な方向に
概ね均一な磁束が生じる。
０２に差し込まれるように配置されており、上記ヨーク
１０６によって薄膜１０７には、この膜に平行な方向に
概ね均一な磁束が生じる。
【００４１】この場合、矩形開口部１０３に永久磁石１
０５が差し込まれる形で配置されているため、円形開口
部１０２に近接して磁石を配置することが可能で、円形
開口部１０２に対して平行で均一かつ大きな磁束密度を
得ることができる。
０５が差し込まれる形で配置されているため、円形開口
部１０２に近接して磁石を配置することが可能で、円形
開口部１０２に対して平行で均一かつ大きな磁束密度を
得ることができる。
【００４２】この結果、後述するコイル１１０に流れる
電流が、比較的小さい場合であっても、大きなミラー変
形量が得られる。
電流が、比較的小さい場合であっても、大きなミラー変
形量が得られる。
【００４３】すなわち、上記基板１０４の裏面には、後
で説明するようなコイル１１０が形成されており、この
コイル１１０に電流を流すことによって、薄膜１０７に
鉛直な方向の力を作用させて変形させることで可変形状
鏡１０１として機能させることができるようになる。
で説明するようなコイル１１０が形成されており、この
コイル１１０に電流を流すことによって、薄膜１０７に
鉛直な方向の力を作用させて変形させることで可変形状
鏡１０１として機能させることができるようになる。
【００４４】次に、基板１０４の裏面に形成されるコイ
ル１１０の構成について、図５の（ａ），（ｂ）を用い
て説明する。
ル１１０の構成について、図５の（ａ），（ｂ）を用い
て説明する。
【００４５】この基板１０４の表面全体には、反射面と
なる薄いアルミニウム薄膜１０８とポリイミド薄膜１０
９とが形成されている。
なる薄いアルミニウム薄膜１０８とポリイミド薄膜１０
９とが形成されている。
【００４６】そして、表面側から基板１０４をエッチン
グすることで円形開口部１０２と矩形開口部１０３とが
形成される。
グすることで円形開口部１０２と矩形開口部１０３とが
形成される。
【００４７】この場合、円形開口部１０２の領域では、
これらの薄膜１０８，１０９は残存させられるが、矩形
開口部１０３では完全に除去される。
これらの薄膜１０８，１０９は残存させられるが、矩形
開口部１０３では完全に除去される。
【００４８】ここで、円形開口部１０２では表面側から
見てアルミニウム薄膜が露出しており、この領域が反射
膜となる。
見てアルミニウム薄膜が露出しており、この領域が反射
膜となる。
【００４９】そして、基板１０４の裏面には、図示した
ように金属薄膜パターンによるコイル１１０が形成され
ている。
ように金属薄膜パターンによるコイル１１０が形成され
ている。
【００５０】このコイル１１０の両端には、電極パッド
１１１が形成されており、ここに接続された配線（図示
せず）に電圧を印加することによって電流が流れるが、
円形開口部１０２の上部を通過する部分については、常
に、一定方向に電流が流れるように配置されている。
１１１が形成されており、ここに接続された配線（図示
せず）に電圧を印加することによって電流が流れるが、
円形開口部１０２の上部を通過する部分については、常
に、一定方向に電流が流れるように配置されている。
【００５１】この電流が流れる向きは、図３で説明した
永久磁石１０５によって生じる磁束の方向に直交してお
り、これによって生じる力は、常に、基板１０４に対し
て鉛直で、印加する電圧の極性を変えることによって、
発生する力の方向を逆向きにすることができる。
永久磁石１０５によって生じる磁束の方向に直交してお
り、これによって生じる力は、常に、基板１０４に対し
て鉛直で、印加する電圧の極性を変えることによって、
発生する力の方向を逆向きにすることができる。
【００５２】従って、薄膜１０７を凹凸のいずれの方向
にも変形させることが可能で、印加電圧を調整して流れ
る電流を制御することで変形量をコントロールすること
ができる。
にも変形させることが可能で、印加電圧を調整して流れ
る電流を制御することで変形量をコントロールすること
ができる。
【００５３】すなわち、上述したように、円形開口部１
０２の上部を通過する部分における電流の向きは、永久
磁石１０５によって生じる磁束の方向に、常に、直交し
ており、これによって生じる力は、常に、基板１０４に
対して鉛直で、印加する電圧の極性を変えることによっ
て、発生する力の方向を逆向きにすることができるの
で、薄膜１０７を凹凸のいずれの方向にも変形させるこ
とが可能で、印加電圧を調整して流れる電流を制御する
ことで変形量をコントロールすることができるととも
に、円形開口部１０２の全領域で発生する力が均一であ
るため、収差の少ない良好な反射面形状が容易に得られ
る。
０２の上部を通過する部分における電流の向きは、永久
磁石１０５によって生じる磁束の方向に、常に、直交し
ており、これによって生じる力は、常に、基板１０４に
対して鉛直で、印加する電圧の極性を変えることによっ
て、発生する力の方向を逆向きにすることができるの
で、薄膜１０７を凹凸のいずれの方向にも変形させるこ
とが可能で、印加電圧を調整して流れる電流を制御する
ことで変形量をコントロールすることができるととも
に、円形開口部１０２の全領域で発生する力が均一であ
るため、収差の少ない良好な反射面形状が容易に得られ
る。
【００５４】また、コイル１１０の配線パターンの引き
回しに関しては図から分かるように円形開口部１０２の
領域を通る配線に関しては磁場に直交する方向に電流が
流れるように形成されているため、変形部分に螺旋状の
コイルを配置する場合と比較して単位面積あたりの発生
力量が大きくなり、結果として大きな変形量が得られ
る。
回しに関しては図から分かるように円形開口部１０２の
領域を通る配線に関しては磁場に直交する方向に電流が
流れるように形成されているため、変形部分に螺旋状の
コイルを配置する場合と比較して単位面積あたりの発生
力量が大きくなり、結果として大きな変形量が得られ
る。
【００５５】加えて、円形開口部１０２を通る配線とは
異なる方向に電流が流れる部分については、磁場が形成
される矩形開口部１０３の間の領域の外側を通るように
配置されているので、矩形開口部１０３の間隔を、円形
開口部１０２の外形よりも僅かに大きい程度にすること
ができることから、円形開口部１０２に形成した薄膜の
領域で大きな磁束密度を得ることが可能である。
異なる方向に電流が流れる部分については、磁場が形成
される矩形開口部１０３の間の領域の外側を通るように
配置されているので、矩形開口部１０３の間隔を、円形
開口部１０２の外形よりも僅かに大きい程度にすること
ができることから、円形開口部１０２に形成した薄膜の
領域で大きな磁束密度を得ることが可能である。
【００５６】また、コイル１１０に印加する電圧の極性
を反転させることによって作用する力の方向を逆向きに
することができるので、凹面から凸面まで連続的に変化
させることができる。
を反転させることによって作用する力の方向を逆向きに
することができるので、凹面から凸面まで連続的に変化
させることができる。
【００５７】なお、円形開口部１０２に作用する力は、
コイル１１０に流れる電流が一定であれば、この領域を
横切る配線の数（コイル１１０の巻き数に対応する）に
比例するので、配線幅を小さくして横切る配線の数を多
くすることによって小さい駆動電流で大きなミラー変形
を得ることができる。
コイル１１０に流れる電流が一定であれば、この領域を
横切る配線の数（コイル１１０の巻き数に対応する）に
比例するので、配線幅を小さくして横切る配線の数を多
くすることによって小さい駆動電流で大きなミラー変形
を得ることができる。
【００５８】さらに、この形態では永久磁石１０５が反
射面に対向して配置されていないので、反射面に近接し
て対向電極を配置する静電駆動式の可変形状鏡と比較す
るとエアダンピングの影響が小さく、高い応答性が得ら
れる。
射面に対向して配置されていないので、反射面に近接し
て対向電極を配置する静電駆動式の可変形状鏡と比較す
るとエアダンピングの影響が小さく、高い応答性が得ら
れる。
【００５９】
【発明の効果】従って、以上のように、本発明によれ
ば、凸面形状や比較的低電圧での動作が可能で、高速動
作にも適した小型の可変形状鏡を提供することができ
る。
ば、凸面形状や比較的低電圧での動作が可能で、高速動
作にも適した小型の可変形状鏡を提供することができ
る。
【図１】図１の（ａ），（ｂ）は、従来技術として特開
平２−１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆
動方式を用いる反射鏡装置の構成を示す断面図と斜視図
である。
平２−１０１４０２号公報に開示されている静電引力駆
動方式を用いる反射鏡装置の構成を示す断面図と斜視図
である。
【図２】図２の（ａ）乃至（ｅ）は、従来技術として特
開平２−１０１４０２号公報に開示されている静電引力
駆動方式を用いる反射鏡装置の製作工程を説明するため
の断面図である。
開平２−１０１４０２号公報に開示されている静電引力
駆動方式を用いる反射鏡装置の製作工程を説明するため
の断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態による可変形状
鏡１０１の構成を示す斜視図である。
鏡１０１の構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、図３の中央部の断面構造を示す断面図
である。
である。
【図５】図５は、図３の基板１０４の裏面に形成された
コイルの構成を説明するための図である。
コイルの構成を説明するための図である。
１０１…可変形状鏡、 １０２…円形開口部、 １０３…矩形開口部、 １０４…基板、 １０５…永久磁石、 １０６…ヨーク、 １０７…薄膜、 １０８…アルミニウム薄膜、 １０９…ポリイミド薄膜、 １１０…コイル、 １１１…電極パッド。
Claims (4)
- 【請求項１】 反射面を有し、内部を電荷が移動可能な
薄膜と、 上記電荷の移動経路の少なくとも一部を横切りかつ上記
薄膜に平行な方向の成分を有する磁束を、発生可能な磁
束源とを有し、 上記電荷と上記磁束の相互作用により、上記薄膜が変形
可能に構成されていることを特徴とする可変形状鏡。 - 【請求項２】 開口部を有する枠部材と、 上記開口部に支持されており、反射面を有する導電層が
形成された薄膜と、 上記薄膜に略平行な方向の磁場を発生する手段とを有
し、 上記導電層は、上記磁場と略直交する方向に電流が流れ
る部分が存在することを特徴とする可変形状鏡。 - 【請求項３】 上記導電層には電流経路が形成されてお
り、 上記電流経路は、上記開口部に対応する部分で、上記磁
場の方向と略直交する同一方向の経路が複数存在するパ
ターンで形成されていることを特徴とする請求項２記載
の可変形状鏡。 - 【請求項４】 上記磁場を発生する手段は、 上記枠部材の上記開口部を挟んで対向するよう配置され
た永久磁石を含むことを特徴とする請求項２または３記
載の可変形状鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349924A JP2002156513A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 可変形状鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349924A JP2002156513A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 可変形状鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002156513A true JP2002156513A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18823243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000349924A Withdrawn JP2002156513A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 可変形状鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002156513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006293367A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Lg Electronics Inc | 電磁力駆動可変焦点ミラーおよびその駆動方法 |
-
2000
- 2000-11-16 JP JP2000349924A patent/JP2002156513A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006293367A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Lg Electronics Inc | 電磁力駆動可変焦点ミラーおよびその駆動方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |