JP2002151832A - 感光性ポリイミドを用いた高密度フレキシブル基板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感光性で弱アルカリ水溶液により現像でき、
そのまま、高密度フレキシブル基板とすることができる
高密度フレキシブル基板の製法を提供する。 【解決手段】 金属箔、好適にはポリイミド樹脂層と金
属層とが直接積層された積層体からパタ−ン形成した金
属配線に、（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４Ｓ，４’
Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’，４，４’−テトラ
カルボン酸二無水物と反応性官能基をベンゼン環に有す
る芳香族ジアミンとジアミノポリシロキサンとを反応さ
せ、イミド化して得られるイミドシロキサンオリゴマ−
あるいはポリイミドシロキサンと感光基を有する化合物
との反応物である感光性イミドシロキサン成分を含有し
てなる感光性インキのパタ−ンを露光、アルカリ水溶液
で現像後、ポストベ−クして絶縁性で低弾性の被膜を形
成する高密度フレキシブル基板の製法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度フレキシブ
ル基板の製法に関し、さらに詳しくは金属箔、好適には
ポリイミド樹脂層と銅などの金属層とが直接積層された
積層体からパタ−ン形成した金属配線にポリイミド系感
光性インキを積層し、アルカリ水溶液による現像後、硬
化して絶縁膜を形成する高密度フレキシブル基板の製法
に関する。本発明はチップオンフレキシブル基板、ＴＡ
Ｂなどに適用できる。

【０００２】

【従来の技術】チップオンフレキシブル基板、ＴＡＢな
どに適用するには、耐熱性、高密度化、高集積化などの
要求から、感光性材料が所望されている。従来、素子基
板にポリイミド樹脂を塗布し、この表面をホトレジスト
で部分的にパタ−ン保護し、ヒドラジンなどでポリイミ
ド樹脂膜をエッチングする方法が公知であるが、工程が
複雑であり、毒性の強いヒドラジンの強アルカリ水溶液
を使用することが必要である。

【０００３】特公昭５５−３０２０７号公報、特公昭５
５−３４１４２２号公報などにはポリイミド樹脂の前駆
体のポリアミック酸に光重合可能なアクリロイル基を導
入した樹脂が、特公昭５９−５２８２２号公報にはアク
リロイル基をアミック酸に塩として導入した樹脂をエッ
チングする方法が記載されている。また、特開平６−２
５８８３５号公報にはポリアミック酸のカルボキシル基
にナフトキノンジアジドを導入した感光性ポジ型ポリイ
ミドが、特開平１０−９５８４８号公報にはアクリロイ
ル基を導入したポリアミック酸の側鎖にさらに、カルボ
キシル基を導入した感光性ネガ型ポリイミドが記載され
ている。

【０００４】これらの感光性ポリイミド樹脂による保護
膜の形成にはポストベ−クに３５０℃以上の高温度の加
熱が必須であり、基板の寸法安定性に欠陥をもたらす。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感光
性で弱アルカリ水溶液により現像でき、そのまま、高密
度フレキシブル基板とすることができる高密度フレキシ
ブル基板の製法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、金属箔、好適
にはポリイミド樹脂層と金属層とが直接積層された積層
体からパタ−ン形成した金属配線に、下記の一般式
（１）

【０００７】

【化３】

【０００８】で表わされる（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’
Ｓ，４Ｓ，４’Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’，
４，４’−テトラカルボン酸二無水物および下記の式
（２）

【０００９】

【化４】

【００１０】（ただし、ＹはＯ、ＣＨ２、ＳＯ２または
直接結合、ＺはＯＨ、ＣＯＯＨまたはＳＨである。）で
表わされる芳香族ジアミンおよび下記一般式（３） Ｈ₂Ｎ−Ｒ［Ｓｉ（Ｒ’）₂−Ｏ］_n−Ｓｉ（Ｒ’）₂−Ｒ−ＮＨ₂ （３） （ただし、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基またはフェニ
ル基、Ｒ’は炭素数１〜３のアルキル基またはフェニル
基、ｎは３〜５０の整数である。）で表わされるジアミ
ノポリシロキサンを反応させ、イミド化させて得られた
イミドシロキサンオリゴマ−あるいはポリイミドシロキ
サンと感光基を有する化合物との反応物である感光性イ
ミドシロキサン成分を含有してなる感光性インキのパタ
−ンを露光、アルカリ水溶液で現像後、ポストベ−クし
て絶縁性で低弾性の被膜を形成する高密度フレキシブル
基板の製法に関する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を次に示す。 １）感光性インキが（１）感光性インキシロキサン成分
１００重量部、（２）光重合開始剤０．０１〜３０重量
部および（３）有機溶媒のイミド系感光性樹脂組成物か
ら成る上記の高密度フレキシブル基板の製法。 ２）感光性インキがさらに，（４）光架橋剤および／ま
たは（５）無機充填剤を含有するチップオンフレキシブ
ル基板、ＴＡＢなどに適用される上記の高密度フレキシ
ブル基板の製法。

【００１２】３）感光性イミドシロキサン成分が、式
（１）で表わされる（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４
Ｓ，４’Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’４，４’−
テトラカルボン酸二無水物１００モル％、式（２）で表
わされる芳香族ジアミン化合物１０〜５０モル％、式
（３）で表わされるジアミノポリシロキサン１０〜７０
モル％のジアミン合計が７０〜９０モル％の割合で反応
させて得られるイミドシロキサンオリゴマ−あるいはポ
リイミドシロキサンを使用して得られるものである上記
の高密度フレキシブル基板の製法。

【００１３】この発明について、高密度フレキシブル基
板を適用したＣＯＦおよび高密度フレキシブル基板を適
用した折り曲げＴＡＢを例にして説明する。ＣＯＦ用の
高密度フレキシブル基板は、ポリイミドフィルム基板と
直接積層された銅などの金属配線に感光性インキから形
成された絶縁性で低弾性の被膜が設けられている。そし
て、金属配線の片辺部にはＩＣドライバ−および金属配
線とハンダボ−ルを介して接続されチップ部品が配置さ
れている。金属配線の他辺部には異方性導電膜さらにア
ルミ電極を介してＴＦＴアレイ基板が配置され、その片
面には偏向板が配置され、他面には液晶を挟んでカラ−
フィルタ−および偏向板が接続されている。

【００１４】他の例において、折り曲げＴＡＢ用の高密
度フレキシブル基板は、ポリイミドフィルム基板と直接
積層された銅などの金属配線に感光性インキから形成さ
れた絶縁性で低弾性の被膜が設けられている。そして、
金属配線の片辺部にはＩＣドライバ−が接続され、これ
を封止剤で封止し、一方金属配線にプリント基板が接続
し、これに偏向板、さらにＴＦＴアレイ基板が配置さ
れ、他面には液晶を挟んでカラ−フィルタ−および偏向
板が接続されている。前記の液晶の代わりに有機ＥＬ
（エレクトロ ルミネッセンス）を使用してもよい。

【００１５】この発明において、ポリイミド樹脂層と銅
などの金属層とが直接積層された積層体からパタ−ンを
形成する方法としては、それ自体公知のエッチング法に
よって行うことができる。例えば、積層体の金属層表面
にエッチングレジストを回路パタ−ン状（配線パタ−ン
状）に印刷して、配線パタ−ンが形成される部分の金属
層の表面を保護するエッチングレジストの配線パタ−ン
を形成した後、それ自体公知の方法でエッチング液を使
用して配線が形成されない部分の金属をエッチングによ
により除去し、最後にエッチングレジストを除去するこ
とによって行うことができる。

【００１６】このようにして形成される配線パタ−ン
は、配線パタ−ンとしての幅が０．０１〜１．０ｍｍ程
度で、配線パタ−ンとしてのピッチが０．０２〜２．０
ｍｍ程度である。前記のポリイミド樹脂層と銅などの金
属層とが直接積層された積層体は、例えば、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物またはベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを必須
成分とする耐熱性ポリイミドフィルムの少なくとも片面
に、必要ならばプラズマ放電処理やコロナ放電処理など
の放電処理を行った後、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシベンゼン）と２，３，３’，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とから得られるポリイミドや、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ−テル二無水
物およびピロメリット酸二無水物と１，３−ビス（３−
アミノフェノキシベンゼン）とから得られるポリイミド
などのポリイミド接着剤を前駆体溶液塗布−加熱乾燥イ
ミド化などの方法によって設けた後、このポリイミド接
着剤と銅箔などの金属層とを重ね合わせた後、加熱圧着
することによって製造することができる。

【００１７】あるいは、前記のポリイミド樹脂層と金属
層とが直接積層された積層体は、金属箔に熱圧着性ポリ
イミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥後、高耐熱性芳香族
ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥して金属箔にポ
リイミド層を形成する方法や、高耐熱性芳香族ポリイミ
ド前駆体溶液の自己支持性膜に柔軟性ポリイミド前駆体
溶液を薄く塗布−加熱乾燥した多層ポリイミドフィルム
の柔軟性ポリイミド層に必要ならばプラズマ放電処理な
どの放電処理後に金属を蒸着しさらにメッキ処理して金
属層を形成する方法によって製造することができる。

【００１８】本発明においては感光性樹脂成分のテトラ
カルボン酸二無水物として使用するｃｉｓ−テトラカル
ボン酸二無水物である（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，
４Ｓ，４’Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’４，４’
−テトラカルボン酸二無水物（ｃｉｓ−ＤＣＤＡ−ｘと
略記する。）は、例えば、（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’
Ｓ，４Ｓ，４’Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’４，
４’−テトラカルボン酸テトラメチルを加水分解し、
（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４Ｓ，４’Ｒ）−ジシ
クロヘキシル−３，３’４，４’−テトラカルボン酸に
変換しこれを無水化することによって得ることができ
る。

【００１９】そして、この出発原料である（１Ｒ，１’
Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４Ｓ，４’Ｒ）−ジシクロヘキシル
−３，３’４，４’−テトラカルボン酸テトラメチル
（ｃｉｓ−ＤＣＴＭ−ｘと略記）の製法および確認につ
いては、すでに特願２０００−１９１０５０号として特
許出願されている。

【００２０】すなわち、ビフェニル−３，３’４，４’
−テトラカルボン酸テトラメチル（ＢＰＴＭと略記し、
例えば特公昭６０−３３３７９号公報に記載のフタル酸
ジメチルを酸素、パラジウム塩および１，１０−フェナ
ントロリンまたはビピリジルの存在下にカップリングさ
せてビフェニル化合物を製造する方法によって容易に合
成することができる。）をメタノ−ルなどの有機溶媒中
で触媒として０．１〜１０重量％担持のＲｕ／Ｃ（カ−
ボン）、Ｒｈ／Ｃ、Ｐｄ／Ｃ、あるいは、これらのアル
ミナ担持体、シリカ担持体などを使用して、２〜１００
気圧、好ましくは１０〜５０気圧で５０〜２５０℃、好
ましくは１００〜２００℃、１〜１０時間水素化還元反
応させ、反応液から濾過などの操作で触媒を除いた後、
溶媒を除去して粘凋な固体である生成混合物から、メタ
ノ−ル、エタノ−ル、ブタノ−ル、酢酸エチル、テトラ
ヒドロフランなどの通常の有機溶媒で再結晶して、ｃｉ
ｓ−ジシクロヘキシル−３，３’４，４’−テトラカル
ボン酸テトラメチル（ｃｉｓ−ＤＣＴＭ）を優先的に析
出させて得ることができる。

【００２１】本発明にて、樹脂層と銅箔とが直接積層さ
れた積層体から、パタ−ンを形成させるにはエッチング
法で行うことができる。形成される配線パタ−ンは幅が
０．０１〜１．０ｍｍ程度、ピッチが０．０２〜２．０
ｍｍ程度である。前記の積層体は銅箔にポリイミド前駆
体を塗布、加熱乾燥して製造できる。金属配線に感光性
インキを塗布後、プリベ−クして薄膜を形成し、露光、
アルカリ現像した後、２５０℃以下でポストベ−クして
絶縁膜を形成する。

【００２２】前記のテトラカルボン酸ジ無水物とジアミ
ンとの反応は溶媒中の通常の合成法で調製できる。ジア
ミンにはジアミノポリシロキサンの他に、前記の第二の
芳香族ジアミンが必要であり、例えば、３，３’−ジア
ミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノ−３．３’−ジヒドロキシジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジヒドロキシジ
フェニルメタン、２，２−ビス［３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−アミノ
−３−ヒドロキシフェニル］プロパン、４，４’−ジア
ミノ−２，２’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニ
ルメタン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３．３’
−ジヒドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミ
ノ−２，２’−ジヒドロキシジフェニルエ−テル、４，
４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラヒドロキ
シジフェニルエ−テル、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）フェニル］プロパン、
４，４’ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）ビフェニルなどの２個のＯＨ基を有する芳香族ジア
ミンがあげられる。

【００２３】また、前記の第二の芳香族ジアミンとし
て、例えば、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボ
キシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカ
ルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−
ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，
２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニル、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジ
フェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカ
ルボキシジフェニルメタン、２，２−ビス［３−アミノ
−４−カルボキシフェニル］プロパン、２，２−ビス
［４−アミノ−３−カルボキシフェニル］プロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラヒド
ロキシビフェニルプロパン、２，２−ビス［４−（４−
アミノ−３−カルボキシフェノキシ）フェニル］プロパ
ン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフ
ェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカ
ルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−
２，２’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’
−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシジ
フェニルエ−テル、４，４’−ビス（４−アミノ−３−
カルボキシフェノキシ）ビフェニルなどなどの２個のＣ
ＯＯＨ基を有する芳香族ジアミンを挙げることができ
る。

【００２４】前記のジアミノポリシロキサンとして、
α，ω−ビス（２−アミノエチル）ポリジメチルシロキ
サン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチ
ルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル）ポ
リジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３
−メチルフェニル）ポリジメチルシロキサン、α，ω−
ビス（３−アミノプロピル）ポリジフェニルシロキサ
ン、α，ω−ビス（４−アミノブチル）ポリジメチルシ
ロキサンなどをあげることができる。

【００２５】反応溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルメトキシアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、カプ
ロラクタム、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジエチレング
リコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム），トリエチレ
ングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）などが
あげられる。

【００２６】前記各成分を反応させ、イミド化させて得
られたイミドシロキサンオリゴマ−あるいはポリイミド
シロキサンと感光基を有する化合物、例えば感光性エポ
キシ化合物とを混合して、室温で均一に混和させてこれ
らを少なくとも一部を反応させ、反応物である感光性イ
ミドシロキサン成分を含む組成物を得る。イミドシロキ
サンオリゴマ−あるいはポリイミドシロキサンと感光基
を有する化合物とは室温で混合時に反応させてもよく、
後工程において乾燥時の加熱によって反応させてもよ
い。

【００２７】前記の感光性エポキシ化合物としては、グ
リシジルメタクリレ−ト、グリシジルアクリレ−ト、グ
リシジルポリシロキサンメタアクリレ−ト、ハ−フエポ
キシ（メタ）アクリレト、例えば１０個程度のエポキシ
基のうち５個程度がアクリレ−トあるいはメタアクリレ
−ト基で置換されている化合物（具体的には、商品名：
昭和高分子社製 リポキン６３０Ｘ−５０１）、カルボ
キシ含有ハ−フエポキシアクリレ−ト（香川化学製ＥＮ
Ｃ）などが挙げられる。

【００２８】前記のイミドシロキサンオリゴマ−あるい
はポリイミドシロキサンと感光性エポキシ化合物との割
合は、反応性官能基（ＣＯＯＨ、又はＯＨ）に対してエ
ポキシ基が同当量〜３倍量、例えば、イミドシロキサン
オリゴマ−あるいはポリイミドシロキサン１００重量部
に対して１〜８０重量部が好適である。

【００２９】光重合開始剤として、ミヒラ−ズケトン、
４、４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、ベンゾイン、２−メチルベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエ−テル、ベンゾインエチルエ−テル、
ベンゾインイソプロピルエ−テル、ベンゾインイソブチ
ルエ−テル、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１，２−
ベンゾ−９，１０−アントラキノン、メチルアントラキ
ノン、チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサント
ン、２−イソプロピルチオキサントン、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパノ
ン−１，２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４
−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、ジアセチルベ
ンジル、ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチル
ケタ−ル、２−（２’−フリルエチリデン）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２−
［２’−（５”−メチルフリル）エチリデン］−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２−
（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−Ｓ−トリアジン、２，６−ジ（ｐ−アジドベ
ンザル）−４−メチルシクロヘキサン、４，４’−ジア
ジドカルコン、ジ（テトラアルキルアンモニウム）−
４，４’−ジアジドスチルベン−２，２’−ジスルホネ
−ト、Ｎ−フェニルグリシン、３−フェニル−５−イソ
キサゾロン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２
−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシムなどをあげるこ
とができる。光重合開始剤の使用量は感光性イミドシロ
キサンオリゴマ−などの感光性イミドシロキサン成分１
００重量部に対して、０．０１〜３０重量部、好ましく
は１〜２０重量部である。この範囲外では露光不足、ま
たは性能低下を来たす。

【００３０】光重合開始剤の助剤（増感剤）として、４
−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジエチルアミノ
安息香酸エチル、ジメチルアミノアントラニル酸メチ
ル、ベンゾフェノン、２，６−ビス（４−ジエチルアミ
ノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンなどが使用
できる。

【００３１】有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、
γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレン
グリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチ
レングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）、プ
ロピレングリコ−ルジエチルエ−テルなどがあげられ
る。これらの一部をエチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、プロピレングリコ−ルモノブチルエ−テルなど、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ
−アミルケトン、シクロヘキサノンなど、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、蓚酸ジエチル、
マロン酸ジエチル、メチル３−メトキシプロピオネ−
ト、エチル３−エトキシプロピオネ−ト、プロピレング
リコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トなどで置き換え
ることができる。その使用量は感光性イミドシロキサン
オリゴマ−などの感光性イミドシロキサン成分１００重
量部に対して、５０〜３００重量部である。

【００３２】光架橋剤、例えばカルボキシ含有ハ−フエ
ポキシアクリレ−ト（香川化学製ＥＮＣ）、２−ヒドロ
キシエチルアクリレ−ト、２−ヒドロキシブチルアクリ
レ−ト、エチレングリコ−ル、メトキシテトラエチレン
グリコ−ル、ポリエチレングリコ−ル、プロピレングリ
コ−ルなどのモノまたはジアクリレ−ト、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアクリルアミド、Ｎ−メチロ−ルアクリルアミド、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレ−ト、トリメチ
ロ−ルプロパン、ペンタエリスリト−ル、ジペンタエリ
スリト−ルなどのエチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、またはε−カプロラクトンの付加体の多価アクリレ
−トなど、フェノキシアクリレ−ト、フェノキシエチル
アクリレ−ト、またはそのエチレンオキシドまたはプロ
ピレンオキシド付加物のアクリレ−ト、トリメチロ−ル
プロパントリグリシジルエ−テルなど、メラミンのアク
リレ−ト、またはメタクリレ−ト、りん酸アクリロイ
ル、りん酸メタアクリロイル、多価（メタ）アクリル酸
誘導体（イソシアヌル酸トリス（２−アクリロイルオキ
シエチル）など）またはこれとジアミノシロキサンとの
付加体、ポリシロキサンジオ−ルと（メタ）アクリル酸
のエステル化物［信越化学工業株式会社、Ｘ−２２−１
６４Ｂ］などを添加してもよい。光架橋剤の使用量は感
光性イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対し
て、０〜１００重量部、好ましくは１〜５０部である。

【００３３】無機充填剤、例えばアエロジル、タルク、
マイカ、硫酸バリウムなどを添加してもよい。その平均
粒子径は０．００１〜１５μｍ、特に、０．００５〜１
０μｍが良い。これらのフィラ−の使用量は感光性イミ
ドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、１〜１
００重量部、好ましくは５〜７５部である。

【００３４】これらのイミド系感光性樹脂組成物の塗布
方法はスピナ−による回転塗布、印刷、ロ−ルコ−タ−
などが使用できる。この塗布した薄膜は１００℃以下、
好ましくは５０〜８０℃で１０〜６０分加熱してプリベ
−クして薄膜を形成する。その後、所望のパタ−ン形状
に紫外線を照射し、露光する。この光線の波長は３００
〜５００ｎｍが良い。

【００３５】未照射部を現像して、パタ−ンを得る。現
像液はアルカリ水溶液、好ましくは弱アルカリ水溶液を
使用する。このアルカリ水溶液はアルカリ金属、アルカ
リ土類金属、またはアンモニウムイオン、の水酸化物、
炭酸塩、炭酸水素塩、アミン化合物などであり、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモ
ニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニ
ウム、炭酸水素アンモニウム、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
イソプロピルアンモニウムヒドロキシド、Ｎ−メチルジ
エタノ−ルアミン、Ｎ−エチルジエタノ−ルアミン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルア
ミン、トリイソプロパノ−ルアミン、トリイソプロピル
アミンなどがあげられる。特に炭酸ナトリウムが好適に
使用できる。この濃度は０．１〜２０重量％、好ましく
は１〜３％である。

【００３６】アルカリ現像はスプレ−、パドル、浸積、
超音波などの方法が使用できる。現像後はパタ−ンをリ
ンスし水、酸性水溶液などでスプレ−する。ついで、加
熱して光硬化膜をポストベ−クし、架橋させて、最終パ
タ−ンを得る。この条件は２５０℃以下、好ましくは１
５０〜２００℃で、３０〜１２０分行う。

【００３７】

【実施例】以下、実施例により、本発明の態様について
詳細に説明する。５％重量減少温度（Ｔｄ⁵）は、セイ
コ−インスツルメンツ株式会社製ＳＳＣ５２００ ＴＧ
／ＤＴＡ３２０により、窒素中１０℃／ｍｉｎの昇温速
度で測定した。機械的強度は、幅４ｍｍのサンプルを用
い、オリエンテック社製ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＡＲ６００
０シリ−ズ、万能引張試験機ＵＴＭ−ＩＩ−２０、フラ
ットタイプ自動平衡式記録計Ｒ−８４０を用い、チャッ
ク間３０ｍｍ、引張速度２ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定し
た。

【００３８】実施例１ １００ｍＬ三つ口フラスコに攪拌機、還流冷却器を取り
付け、これに３．６７６ｇ（１２ｍＭ）の式（１）で表
わされる（１Ｒ、１’Ｓ、３Ｒ、３’Ｓ、４Ｓ、４’
Ｒ）−ジシクロヘキシル−３、３’４、４’−テトラカ
ルボン酸二無水物をトリグライム１０．５８ｇに溶解さ
せ、６．５０２ｇ（７．２１ｍＭ）のα、ω−ビス（３
−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンを添加、１
８０℃で１時間加熱した。次いで、０．６８７ｇ（２．
４０ｍＭ））の４、４’−ジアミノ−３、３’−ジカル
ボキシジフェニルメタンを添加して、１８０℃で４時間
加熱して、イミドシロキサンオリゴマ−を得た。冷却
後、ろ過して、１８．５４ｇの溶液（固形分４９．６
％）に消泡剤（ダウケミカルＤＢ−１００）０．４７９
ｇ、ハ−フエポキシアクリレ−ト（昭和高分子株式会社
リポキシ６３０Ｘ−５０１）４．００２ｇ、光重合開始
剤（チバガイギ− イルガキュア−６５１）３．２３５
ｇ、光架橋剤のカルボキシ含有ハ−フエポキシアクリレ
−ト（香川化学株式会社ＥＮＣ）２．３６３ｇ、及びポ
リエチレングリコ−ルジメタクリレ−ト（新中村化学株
式会社ＮＫ９Ｇ）１．１６５ｇ、接着促進用光架橋剤の
りん酸メタアクリロイル（日本化薬株式会社ＰＭ２）
０．１２９ｇ、を添加して攪拌した。次に、硫酸バリウ
ム２．７６６ｇ、タルク０．９２４ｇ、アエロジル（日
本アエロジル株式会社２００番）１．６１８ｇを添加
し、均一に攪拌して一夜放置した。この混合物を３本ロ
−ルを用いて混練りした。得られた感光性インキの粘度
は２５０ポイズであり、固形分は５６．１４％であっ
た。

【００３９】このド−プを電解銅箔（三井金属鉱業株式
会社３ＥＣ−ＶＬＰ）にキャストし、バ−コ−タ−で均
一に塗布した。８０℃で３０分プリベ−クして溶媒を除
去した。このプリベ−ク膜を真空密着式の超高圧水銀装
置（オ−ク製作所ＨＭＷ−６Ｎ）を用いて２５０ｍＪ露
光した。１％炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレ−式
現像装置で３０℃、吐出圧力１．５Ｋｇｆ／ｃｍ²、２
〜３分現像した。水圧１１．５Ｋｇｆ／ｃｍ²にて１分
リンスし、膜厚１０μｍ、７５μｍライン／スペ−スの
パタ−ンを形成した。 機械特性（熱処理条件：２００℃、１時間） 引っ張り強度１Ｋｇ／ｍｍ²、伸び５％、初期弾性率４
２Ｋｇｆ／ｍｍ² 熱的特性（熱処理条件：２００℃、１時間） ５％重量減少温度３５２℃

【００４０】

【発明の効果】この発明によれば、次の効果を達成する
ことができる。この発明は、弱アルカリ水溶液により現
像でき、そのまま、耐熱性絶縁膜与える高密度フレキシ
ブル基板の製法を提供できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/027 ５１４ Ｇ０３Ｆ 7/027 ５１４ 7/075 ５１１ 7/075 ５１１ Ｆターム(参考） 2H025 AB15 AC01 AD01 BC31 BC69 BC78 CA00 CC03 CC08 CC20 DA21 FA17 FA29 4J011 SA01 SA21 SA24 SA31 SA34 SA41 SA46 SA51 SA54 SA63 SA64 SA78 SA80 SA83 SA84 4J027 AD04 AF01 AF05 CD10 5E314 AA27 AA36 AA40 CC01 DD07 FF04 FF06 GG08 GG17

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属箔、好適にはポリイミド樹脂層と金属
   層とが直接積層された積層体からパタ−ン形成した金属
   配線に、下記の一般式（１） 【化１】 で表わされる（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４Ｓ，
   ４’Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’，４，４’−テ
   トラカルボン酸二無水物および下記の式（２） 【化２】 （ただし、ＹはＯ、ＣＨ２、ＳＯ２または直接結合、Ｚ
   はＯＨ、ＣＯＯＨまたはＳＨである。）で表わされる芳
   香族ジアミンおよび下記一般式（３） Ｈ₂Ｎ−Ｒ［Ｓｉ（Ｒ’）₂−Ｏ］_n−Ｓｉ（Ｒ’）₂−Ｒ−ＮＨ₂ （３） （ただし、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基またはフェニ
   ル基、Ｒ’は炭素数１〜３のアルキル基またはフェニル
   基、ｎは３〜５０の整数である。）で表わされるジアミ
   ノポリシロキサンを反応させ、イミド化させて得られた
   イミドシロキサンオリゴマ−あるいはポリイミドシロキ
   サンと感光基を有する化合物との反応物である感光性イ
   ミドシロキサン成分を含有してなる感光性インキのパタ
   −ンを露光、アルカリ水溶液で現像後、ポストベ−クし
   て絶縁性で低弾性の被膜を形成する高密度フレキシブル
   基板の製法。
2. 【請求項２】感光性インキが（１）感光性インキシロキ
   サン成分１００重量部、（２）光重合開始剤０．０１〜
   ３０重量部および（３）有機溶媒のイミド系感光性樹脂
   組成物から成る請求項１の高密度フレキシブル基板の製
   法。
3. 【請求項３】感光性インキがさらに，（４）光架橋剤お
   よび／または（５）無機充填剤を含有するチップオンフ
   レキシブル基板、ＴＡＢなどに適用される請求項１の高
   密度フレキシブル基板の製法。
4. 【請求項４】感光性イミドシロキサン成分が式（１）で
   表わされる（１Ｒ，１’Ｓ，３Ｒ，３’Ｓ，４Ｓ，４’
   Ｒ）−ジシクロヘキシル−３，３’４，４’−テトラカ
   ルボン酸二無水物１００モル％、式（２）で表わされる
   芳香族ジアミン化合物１０〜５０モル％、式（３）で表
   わされるジアミノポリシロキサン１０〜７０モル％のジ
   アミン合計が７０〜９０モル％の割合で反応させて得ら
   れるイミドシロキサンオリゴマ−あるいはポリイミドシ
   ロキサンを使用して得られるものである請求項１の高密
   度フレキシブル基板の製法。