JP2002151788A - 半導体レーザパワー制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザのパワー制御は、パワー検出用
フォトディテクタによりパワー値をモニターしながら制
御するが、光ディスクの高速記録化が進むにつれてパワ
ー検出用フォトディテクタの周波数応答の制限により記
録中の発光波形の波高値を１００％の検出効率で検出す
ることは不可能となってきた。 【解決手段】 上記課題解決の為に本発明では、長いパ
ルス幅で発光させた時の波高値と、実記録に用いる波高
知からパワー検出用フォトディテクタの検出効率を演算
し、演算結果を基に半導体レーザのパワー制御を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを用
いた記録再生装置の半導体レーザパワー制御に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスク記録再生装置は、コン
ピュータの周辺記憶装置としてばかりでなく、ビデオテ
ープレコーダの代替装置とし、いよいよ本格的に一般家
庭に浸透を始めた。今後はデジタルハイビジョンが放送
開始されるなどの理由により、光ディスク装置において
は更なる大容量化に加えて、更なる高速のデータ書き込
み、読み出しが必要となってくる。

【０００３】光ディスクは光ピックアップに搭載された
半導体レーザを発光し、再生時にはディスク上に微弱な
再生光を集光し、ディスク上に記録されているピットの
反射率、位相差、偏向角などを検出する。又、記録、消
去時には再生時より高パワーで半導体レーザを発光さ
せ、かつレーザパワーを記録するべくマークに応じてパ
ルス状に変調する。例えば相変化光ディスクへの記録の
場合は、基本的にはピークパワーとバイアスパワーの２
値をスイッチングすることでピークパワー部でマーク
を、バイアスパワー部で下地の記録マークの消去、すな
わちスペース部分の記録を行う。

【０００４】半導体レーザは、周囲温度、経年等の要因
で駆動電流に対する発光パワーの比率（Ｉ−Ｌ特性）が
大幅に変動する。従って半導体レーザのパワー制御は、
レーザパワーに比例して出力されるフォトディテクタ出
力値をモニタすることで発光パワーが常に一定に出力さ
れるように制御されなければならない。レーザパワーを
一定に制御する為には一般的に半導体レーザの出射パワ
ーに比例した電流を出力するパワー検出用のフォトディ
テクタを用い、フォトディテクタの出力値を基に半導体
レーザのＩ−Ｌ特性を演算する。セクタ構造を有する光
ディスクにおいては、データ領域の先頭に位置するＧＡ
Ｐ領域などでＩ−Ｌ特性を予め演算する手法がとられて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光ディ
スクの記録速度は、先にも説明した通り、ますます高速
化しており、パワー検出用のフォトディテクタも有限の
周波数特性を有していることから記録速度が高速化し半
導体レーザを変調するパルスのパルス幅が短くなって行
くに従い、パワー検出用のフォトディテクタの検出効率
が悪化し、実際の発光パワーに対する検出率との間にず
れが発生してくる。

【０００６】特開平６−２６７１０２号公報では、高速
記録時のレーザパワー制御も鑑み、レーザパワー制御ル
ープそのものを高速化、広帯域化することを提案してい
る。当構成の場合であっても、やはりレーザパワー検出
ディテクタに高速応答が要求されるために、検出器その
もののコストアップもさることながら、調整の厳密さが
予想される。記録する光ディスクがセクター構造をして
いる場合であれば、先にも述べた通りセクターの先頭領
域にＧＡＰ領域として設けられたバッファーエリアを利
用して記録データに関係なく比較的長いパルス幅でテス
ト発光を行い、ここでの検出結果からＩ−Ｌ特性を検出
可能であるが、セクター構造をとらない光ディスクの場
合は連続的にデータ記録が行われる為に、テスト発光す
る時間が取れずに記録データのデータパターンを用いて
のＩ−Ｌ特性検出を実現しなければならない。従って、
パワー検出系の周波数応答特性の制約により高速記録時
には正確なＩ−Ｌ特性が得られなくなる。又、光ディス
クの記録は記録マークのマーク長に情報が存在する為に
記録する半導体レーザ発光波形も例えば８−１６変調で
あれば３Ｔ−１４Ｔ（Ｔは記録周波数の逆数）といった
ように周波数範囲が広い。従って、記録するマークパタ
ーンによる周波数差がＩ−Ｌ特性（動作電流―発光パワ
ー）検出にも影響する。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、高速記録や、
記録するデータパターンによって検出するパルス幅が短
くなり検出効率が悪化する場合に対しても一定のＩ−Ｌ
特性検出を可能にすることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体レーザパワー制御装置では、半導体
レーザパワー検出部に検出値のピークレベルとボトムレ
ベル検出部を設け、記録直前又は装置の立ち上げ時に事
前にＤＣ、又は十分に長いパルスでテスト発光を行い、
続いて実際に記録する長さのパルスでテスト発光してレ
ーザパワー検出器で得られた両検出結果から周波数特性
によるレーザパワーの検出効率をあらかじめ演算するこ
とで、データ記録中はこの検出効率でレーザパワー検出
結果に補正をかけてレーザパワー制御を行う構成を備え
たものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態とし
て、図面を参照しながら説明する。図１に光ディスク記
録再生装置のシステム構成図を示す。光ディスク１はス
ピンドルモータ２によって一定方向に回転制御されてい
る。光ピックアップ３に組み込まれた半導体レーザチッ
プは、半導体レーザ制御ブロック４によってパワー制御
されている。

【００１０】光ピックアップ３から照射されるレーザ光
は光ディスク１の記録膜で反射されて光ピックアップ内
の再生用ＰＤに集光される。再生用ＰＤにはフォーカス
用ＰＤ、トラッキング用ＰＤがあり、各ＰＤからそれぞ
れフォーカス用Ｆｏ＋信号ａ、Ｆｏ−信号ｂ、トラッキ
ング用にＴｒ＋信号ｃ，Ｔｒ−信号ｄが出力されてい
る。出力信号はフォーカス、トラッキングサーボブロッ
ク５に供給されてフォーカス、トラッキング制御が行わ
れる。サーボブロック５で作られたアクチュエータの制
御線ＦＥ信号ｅ、ＴＥ信号ｆは光ピックアップに組み込
まれたアクチュエータに供給され、光ピックアップのレ
ンズ位置のフォーカス方向、トラッキング方向の位置制
御がされる。

【００１１】上記フォーカス用Ｆｏ＋信号ａ、Ｆｏ−信
号ｂ、トラッキング用のＴｒ＋信号ｃ、Ｔｒ−信号ｄは
同時に再生信号処理ブロック６に供給され光ディスク１
上に記録されているピット情報を読み出すための再生信
号として使用する。中央制御ブロック７は、上記半導体
レーザ制御ブロック４、サーボブロック５、再生信号処
理ブロック６を制御するためのコントロール部である。

【００１２】図２は、光ピックアップ３の構成図で対物
レンズ８は光ディスクからの反射光を平行光とし、反射
板９でフォーカストラッキング用ＰＤ１０に集光され
る。対物レンズ１１は半導体レーザ１２から出射された
拡散光を平行光に変換する。反射板１３で上記平行光
は、半導体レーザパワー検出ＰＤ１４に集光され、パワ
ー検出信号（Ｉｍ）ｇとして半導体レーザ制御ブロック
４に供給されると同時に、対物レンズ８を通過し光ディ
スク１の記録膜上に集光され再生、記録用の光スポット
を形成する。

【００１３】図３に示す通り半導体レーザ制御ブロック
４には、半導体レーザ駆動ブロック１５と、半導体レー
ザパワー検出ブロック１６からなっている。半導体レー
ザ駆動ブロック１５は中央制御ブロック７からは再生タ
イミング信号ｈ、バイアスタイミング信号ｉ、記録タイ
ミング信号ｊのタイミング信号、再生パワー設定信号
ｋ、バイアスパワー設定信号ｌ、記録パワー設定信号ｍ
の半導体レーザパワー設定信号が供給されている。

【００１４】図４は、タイミング信号ｈ，ｉ，ｊと半導
体レーザパワー設定信号ｋ、ｌ、ｍと半導体レーザ１２
の発光波形を示している。半導体レーザパワー設定信号
で設定された電流値をタイミング信号でタイミング制御
することで記録データに基づいた半導体レーザの発光パ
ワーを変調し、光ディスク１にデータを記録する。図３
にも示している通り、半導体レーザパワー検出ブロック
１６には、ピーク検出タイミング信号ｎ、ボトム検出タ
イミング信号ｏが中央制御ブロック７から入力されてお
り、レーザパワー検出信号ｐが中央制御ブロック７に出
力されている。

【００１５】図５には、半導体レーザの発光に伴って出
力される検出信号Ｐのタイミング図を示す。半導体レー
ザの発光強度に比例してレーザパワー検出ＰＤ１４から
はレーザパワー検出信号ｇが電流として出力される。出
力された電流はレーザパワー検出ブロック１６に入力さ
れ電圧値に変換されるものとする。ここで、ピーク検出
タイミング信号ｎがＨレベルになると変換された電圧値
のピーク値を検出してレーザパワー検出信号ｐとして出
力される。同様にボトム検出タイミング信号ｏがＨレベ
ルになると変換された電圧値のボトム値を検出してレー
ザパワー検出信号ｐとして出力される。

【００１６】図６では、半導体レーザ１２の発光波形と
それに伴うレーザパワー検出信号ｐより出力される検出
値を示したものである。ピークパワーＰ１に対してはピ
ーク検出値Ｖ１、バイアスパワーＰ２に対してはボトム
検出値Ｖ２が検出されている。但し、この場合は変調さ
れる記録パルスに対して半導体レーザパワー検出ＰＤ１
４の周波数特性が十分に確保されていることが前提の図
である。以上の過程で検出されたレーザパワー検出信号
Ｐはコントロールブロック内でＡＤ変換されて、検出値
が所定のパワーとなるように演算され、半導体レーザ１
２に供給されるレーザ駆動電流ｑを制御する。

【００１７】しかしながら、半導体レーザパワー検出Ｐ
Ｄ１４は有限の周波数特性を有しており、光ディスク１
への記録スピードが高速化し、それに応じて半導体レー
ザの変調速度が高速化して行くと、図７で示すように半
導体レーザ１２はＰ１のパワーで発光しているにもかか
わらず、Ｐ１の値に応じて得られるはずのＶ１の検出値
を検出することがでず、レーザパワー検出ＰＤ１４の周
波数特性分だけシフトしたＭ１‘の値が検出される。こ
の場合、実際には半導体レーザはＰ１で出力されている
にもかかわらず、検出結果がＭ１でなくＭ１’と低く検
出されている為に中央制御ブロック７では半導体レーザ
１２はＰ１より低いＰ１‘のパワーでしか発光していな
いと判断し、よりレーザパワーを上昇させる方向に制御
される結果、Ｐ１よりも高いパワーに制定してしまう。
従って、半導体レーザパワー検出ＰＤ１４の周波数によ
る検出値の悪化量、つまりは検出効率をあらかじめ学習
しておくことが必要となる。

【００１８】図８は半導体レーザパワー検出ＰＤ１４の
検出効率と、記録パルスの幅の関係を示した例である。
Ｔは記録クロックの周期を表している。ＤＣ発光から２
Ｔパルス幅までの検出効率は１００％であるが、１Ｔ幅
であれば検出率は９５％、０．５Ｔ幅では８０％と検出
効率が悪化している。各Ｔに対する検出効率を測定する
為には、あらかじめ２Ｔパルス、１Ｔパルス、０．５Ｔ
パルスを半導体レーザを同一パワーで発光させることに
よりその時に得られる検出結果Ｍ２Ｔ、Ｍ１Ｔ、Ｍ０．
５Ｔを格納しておき、実際の半導体レーザパワー演算時
に１Ｔパルスを照射しているときにはＭ２Ｔ／Ｍ１Ｔ、
０．５Ｔパルスを照射しているときにはＭ２Ｔ／Ｍ０．
５Ｔの補正係数で検出結果に補正することで半導体レー
ザパワー検出ＰＤ１４の周波数特性の補正が可能とな
る。

【００１９】当然ながら、発生しうるパルス幅に対して
はあらかじめ発光させて全てのパルスにおける補正量を
決めておくことが理想であるが、実際には内部メモリの
容量に制約や、補正量の検出、演算時間の制約などによ
り、特定のパルス幅でパルス発光し、発光パルスにおけ
る補正量を確定した後に、一定の条件に基づいてそのパ
ルス幅の間を補完して行く方法が現実的である。

【００２０】補完方法には様々な手段が考えられる。例
えば複数のパルス幅でレーザを発光させ、その間の補正
値を単純に直性近似する方法や２乗近似する方法であ
る。又はシステム構成時等に予め検出ＰＤの周波数特性
をメモリに格納しておき、何種類課の幅のパルス発光か
ら得られた検出値と予め格納していた周波数特性から検
出ＰＤの周波数特性を予測するといったものである。先
の例では、レーザパワー検出ＰＤ１４の検出効率決定の
為には図８の周波数特性から２Ｔパルスでも検出効率が
１００％得られている為に２Ｔパルス発光時に得られる
Ｍ２Ｔ値を基準として算出したが、光ディスクに記録さ
れたデータを再生するときの再生パワーや書き換え可能
な光ディスクの場合であれば、記録されたデータを消去
するときのバイアスパワーはＤＣ発光である為に、検出
効率は当然ながら１００％得られる。従って、再生発光
時やバイアスパワーを基準値として検出効率を決定する
ことも可能である。

【００２１】又、これまでの説明では図７でも示したよ
うにピーク検出結果の検出率劣化のみを対象として説明
してきたが、図９で示すような場合ではボトム検出値が
実際に検出されるべきＶ２に対してＶ２´にシフトして
検出されてしまう為に、ボトム検出値に対しても補正量
を決定する必要性が出てくる。

【００２２】以後はシステム的にこれまでの補正量決定
に対する方法を説明する。記録は３Ｔマーク、スペース
から１１Ｔマーク、スペースの発生が想定される８−１
６変調によりデータ変調されており、３Ｔマーク記録時
には図１０で示す１．５Ｔ幅のモノパルス、４Ｔ以上は
１Ｔパルスに０．５ＴがＴの増加に従って１つずつ追加
されたマルチパルスとなっているものとする。

【００２３】図１１では、先ず補正値学習エリアで２Ｔ
パルスと、１．５Ｔパルス、１Ｔパルスのテスト発光が
行われる。レーザパワー検出信号ｇは、２Ｔパルスに対
しては検出効率が１００％検出できている。続く１．５
Ｔパルス、１Ｔパルスに対しては、先に説明した通りレ
ーザパワー検出ＰＤ１４の周波数特性劣化の為に検出効
率が悪化して入力される。パルス発光直前にピーク検出
タイミング信号ｈがアクティブ（Ｈ状態をアクティブと
する）となり、ピーク検出タイミング信号ｈがアクティ
ブ区間におけるレーザパワー検出信号ｐのピーク値が検
出される。

【００２４】２Ｔパルスは検出効率Ｍ２Ｔ（＝１００
％）が得られるが、１．５Ｔ発光に対してはＭ１．５
Ｔ、１Ｔ発光に対してはＭ１Ｔが得られ、それぞれ中央
制御ブロック７に格納され、１．５Ｔパルス発光、１Ｔ
発光に対する補正値Ｍ２Ｔ／Ｍ１．５Ｔ，Ｍ２Ｔ／Ｍ１
Ｔを演算する。続いて実際のデータ記録エリアでは、３
Ｔから１１Ｔまでの記録パルスパターンがランダムに発
生してくるが、補正値学習エリアと同様にレーザ発光に
同期させてピーク検出タイミング信号をアクティブ状態
にすることで、各記録パルスのピーク値を検出する。

【００２５】図１０で説明した通り、３Ｔマーク記録時
のレーザ発光パルスは１．５Ｔのモノパルスの為１．５
Ｔのパルスの検出結果が得られる。４Ｔ以上は１Ｔパル
スを最大パルス幅としたマルチパルスの為にピーク検出
値は１Ｔのパルス検出結果が得られる。従って、３Ｔマ
ーク記録パルスの検出値に対しては補正値学習エリアで
求めた補正量Ｍ２Ｔ／Ｍ１．５Ｔを、４Ｔ以上のパルス
の検出値、本例では５Ｔマーク記録パルスの検出値に対
してはＭ２Ｔ／Ｍ１Ｔの検出値で補正する。データ記録
エリアでは連続的に記録動作を行ったり、周囲温度に変
化が発生した場合などに半導体レーザのパワーが変動す
るために記録エリアで検出した検出値に補正した値が本
来有るべき値に収束するように連続的にフィードバック
制御されることで半導体レーザのパワーが安定に保たれ
る。

【００２６】図１２は補正値学習エリアにおいて基準値
として２ＴパルスではなくＤＣ値を照射した場合を図示
している。

【００２７】図１１、図１２で示した例では補正値学習
エリアで、半導体レーザ１２を比較的高いパワーで照射
し、レーザパワー検出信号のピーク値を検出することで
レーザパワー検出ＰＤ１４の検出効率を検出した。この
場合、補正学習エリアでは高いパワーのパルス発光が必
要な為に、光ディスク上のデータエリア等で行うこと
は、記録されている必要なデータを上書きなどにより破
損してしまう恐れがある。従って、記録膜組成に変化を
与えるような高いパワーで補正学習を行う場合は、光デ
ィスクにフォーカス及びトラッキングサーボを投入する
前、すなわち装置に電源投入直後等に行われるべきであ
る。光ディスク上の特定領域に、補正学習の領域が確保
されている場合は、フォーカス、トラッキングサーボ動
作中であっても学習エリアまでシークし、補正学習を実
施することが可能である。

【００２８】又、図１２で示したようなＤＣパワー照射
で基準値を決定する場合、高いパワーのＤＣ照射が半導
体レーザの保証範囲外であることがある。従って、ＤＣ
照射の発光パワー及び照射時間に関しては十分な配慮が
必要となる。この場合の有効な回避手段としては例えば
図１２の場合であれば、基準値決定用のＤＣパワーは
１．５Ｔパルス、１Ｔパルスの例えば１／２のパワーで
照射し、演算時にＤＣ検出値ＭＤＣを２倍として演算す
ることで対応可能である。

【００２９】図１３は次に、ボトム検出することでレー
ザパワー検出ＰＤ１４の検出効率を補正する方法を示し
ている。ボトム検出によるレーザパワー制御はデータ記
録時に記録パルスにおいて０ｍＷに近い、低いパワーに
パワー精度が要求される場合に有効な手段である。これ
まで説明に用いてきた記録パルスは記録パワー発光部を
パルス変調するのに対し、スペース記録用のバイアスパ
ワーはＤＣ状なので、照射時間が長く検出効率が低下す
る可能性は記録パワー部に比べると少ない。但し記録ス
ピードが上昇してくるとスペース領域に対してもレーザ
パワー検出ＰＤ１４の周波数特性が応答できなくなり検
出効率が悪化することがある。

【００３０】従って、図１３ではピーク検出と同様に補
正学習エリアでパルス発光を行う。図１３の例では、３
Ｔスペースに対して検出率の補正を行うものとする。先
ずＤＣレベルで基準値を検出する。この時ＤＣレベルの
値は再生パワーで行う。補正値学習エリアでスペース部
分を３Ｔスペース記録パルスと同じ幅でパルス発光さ
せ、これと同期してボトム検出タイミング信号をアクテ
ィブ（Ｈレベルでアクティブ）とする。

【００３１】この結果、３Ｔスペース記録パルスのボト
ムレベルＭ３Ｔが検出され、事前に検出し中央制御ブロ
ック７のメモリ内に格納されていたＤＣ検出による基準
値ＭＤＣに対してＭＤＣ／Ｍ３Ｔの補正値が決定する。
実際の記録エリアでも３Ｔスペース記録中の検出信号Ｐ
に対してＭＤＣ／Ｍ３Ｔの補正を行いレーザパワーを制
御する。

【００３２】以上の説明では、ボトムパワー検出に対し
てはＤＣ値で基準値を確定したが、ここでも検出率が１
００％確保される長いパルスで基準値を決定することも
可能である。

【００３３】尚、本実施の形態で記載されたレーザパワ
ー制御の内容は、連続的に記録動作が必要な光ディスク
装置ばかりでなく、セクタ構造を有する光ディスクに対
しても適応可能である。例えばセクタ構造を有した光デ
ィスクで、セクター先頭エリアでレーザパワー決定が予
め終了している場合であってもセクタ途中でパワー補正
を行うといった用途にも使用可能である。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明は、レーザパワー検
出部の検出効率補正手段を設けることにより、高速記録
時においても検出部の周波数応答に制限されることな
く、安定したレーザパワー制御を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態におけるシステム構成図

【図２】本実施の形態における光ピックアップ構成図

【図３】本実施の形態における半導体レーザ制御ブロッ
クの構成図

【図４】本実施の形態における半導体レーザ駆動タイミ
ングを示す波形図

【図５】本実施の形態におけるレーザパワー検出タイミ
ングを示す波形図

【図６】本実施の形態におけるレーザ発光パワーとレー
ザパワー検出値の関係を示す図

【図７】本実施の形態における検出効率が悪化した場合
のレーザ発光パワーとレーザパワー検出値の関係を示す
図

【図８】レーザパワー検出部の周波数特性を示す図

【図９】本実施の形態における検出効率が悪化した場合
のレーザ発光パワーとレーザパワー検出値の関係を示す
図

【図１０】本実施の形態における記録パルス形状を示す
図

【図１１】レーザパワー検出部の検出効率補正を示した
タイミング第１例を示す図

【図１２】レーザパワー検出部の検出効率補正を示した
タイミング第２例を示す図

【図１３】レーザパワー検出部の検出効率補正を示した
タイミング第３例を示す図

【符号の説明】

１ 光ディスク ２ スピンドルモータ ３ 光ピックアップ ４ 半導体レーザ制御ブロック ５ サーボブロック ６ 再生信号処理ブロック ７ 中央制御ブロック ８ 対物レンズ ９，１３ 反射板 １０ フォーカストラッキング用ＰＤ １１ 対物レンズ １２ 半導体レーザ １４ レーザパワー検出ＰＤ １５ 半導体レーザ駆動ブロック １６ レーザパワー検出ブロック ａ Ｆｏ＋信号 ｂ Ｆｏ−信号 ｃ Ｔｒ＋信号 ｄ Ｔｒ−信号 ｅ ＦＥ信号 ｆ ＴＥ信号 ｇ レーザパワー検出信号 ｈ 再生タイミング信号 ｉ バイアスタイミング信号 ｊ 記録タイミング信号 ｋ 再生パワー設定信号 ｌ バイアスパワー設定信号 ｍ 記録パワー設定信号 ｎ ピーク検出タイミング信号 ｏ ボトム検出タイミング信号 ｐ レーザパワー検出信号 ｑ レーザ駆動信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮端 佳之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小石 健二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D119 AA10 AA24 BA01 DA01 DA05 FA05 HA03 HA12 HA18 HA45 HA54 5F073 BA05 GA02 GA12 GA24

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザの発光パワーを検出する為の
   レーザパワー検出部と半導体レーザをパルス状に発光さ
   せることにより前記レーザパワー検出部で検出されるパ
   ルス波形のピークレベル又はボトムレベルを検出する為
   のレベル検出部と、第１のパルス幅で半導体レーザを変
   調した時に前記レベル検出部より得られる検出値と前記
   第１のパルス幅よりも狭いパルス幅で半導体レーザを変
   調した時に得られる検出値とから前記レーザパワー検出
   部出力のパルス幅依存による減衰量を補正する補正値演
   算手段を具備し、異なるパルス幅で発光する半導体レー
   ザに対し、前記補正値を用いてレーザパワーを制御する
   半導体レーザパワー制御装置。
2. 【請求項２】前記第１のパルス幅は、光ディスク装置に
   おいて光ディスク上にユーザデータを記録する為に前記
   半導体レーザが発光するパルス幅以上とした請求項１記
   載の半導体レーザパワー制御装置。
3. 【請求項３】前記第１のパルス幅で発光するときの半導
   体レーザの発光パワーは前記光ディスク装置において光
   ディスク上のユーザデータを再生するための再生パワー
   もしくは、再生パワー近傍である請求項２記載の半導体
   レーザパワー制御装置。
4. 【請求項４】前記第１のパルス幅で発光するときの半導
   体レーザの発光パワーは前記光ディスク装置において光
   ディスク上のユーザデータを消去するための消去パワー
   もしくは、消去パワー近傍である請求項２記載の半導体
   レーザパワー制御装置。
5. 【請求項５】前記第１のパルス幅で発光するときの半導
   体レーザの発光パワーは前記光ディスク装置において光
   ディスク上にユーザデータを記録するための記録パワー
   もしくは、記録パワー近傍である請求項１記載の半導体
   レーザパワー制御装置。
6. 【請求項６】前記第１のパルス幅によるパルス発光と、
   前記第１のパルス幅よりも狭いパルス幅で半導体レーザ
   をパルス変調し、前記レベル検出部より検出値を取得す
   る一連の動作は前記光ディスク装置において、フォーカ
   ス及びトラッキング動作前に行う請求項１記載の半導体
   レーザパワー制御装置。
7. 【請求項７】前記第１のパルス幅によるパルス発光と、
   前記第１のパルス幅よりも狭いパルス幅で半導体レーザ
   をパルス変調し、前記レベル検出部より検出値を取得す
   る一連の動作は前記光ディスク装置において、フォーカ
   ス及びトラッキング動作終了後、光ディスク上の特定の
   トラック上で行われる請求項１記載の半導体レーザパワ
   ー制御装置。
8. 【請求項８】前記第１のパルス幅によるパルス発光と、
   前記第１のパルス幅よりも狭いパルス幅で半導体レーザ
   をパルス変調し、前記レベル検出部より検出値を取得す
   る一連の動作は前記光ディスク装置において、前記光デ
   ィスク上に記録されたユーザデータを再生し、続いて記
   録動作開始直前に前記光ディスク上のユーザトラック上
   で行われる請求項１記載の半導体レーザパワー制御装
   置。