JP2002149488A - 集積回路装置およびキャッシュメモリの制御方法 - Google Patents

集積回路装置およびキャッシュメモリの制御方法

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JP2002149488A
JP2002149488A JP2000347543A JP2000347543A JP2002149488A JP 2002149488 A JP2002149488 A JP 2002149488A JP 2000347543 A JP2000347543 A JP 2000347543A JP 2000347543 A JP2000347543 A JP 2000347543A JP 2002149488 A JP2002149488 A JP 2002149488A
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cache memory
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JP2000347543A
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Seiichi Abe
誠一 阿部
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気ディスク制御装置等の大量でシーケンシ
ャルなプログラムを実行した場合に高性能なキャッシュ
メモリ制御方法を提供する。 【解決手段】 CPU1、キャッシュメモリ部6、内蔵
メモリ4、外部バス制御回路5等を同一チップ内に実装
した構成のLSI7において、キャッシュメモリ部6内
のキャッシュメモリ3と内蔵メモリ4をキャッシュメモ
リ3のラインサイズ以上のバス幅の内蔵メモリリードデ
ータバス41および内蔵メモリライトデータバス42で
接続し、内蔵メモリ4からキャッシュメモリ3へのデー
タ複写(リフィル)の場合に複数のキャッシュライン分
のデータを一括してリフィルするように制御すること
で、大量でシーケンシャルなプログラムの実行を高速化
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路技術およ
びキャッシュメモリの制御技術に関し、特に、プロセッ
サ部とキャッシュメモリおよび内蔵メモリを同一チップ
内に実装した構成のシステムLSI等の集積回路装置に
関し、より詳しくは、磁気ディスク制御装置のRAID
(Redandant Arrays of Inex
pensive Disks)制御プログラム等の様に
大量のシーケンシャルなプログラムを実行するシステム
LSIの高性能化に寄与する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】プロセッサとメモリとの間のデータ転送
処理性能を向上させるためには、キャッシュメモリを用
いることが有効であることが知られている。また、集積
回路装置の製造技術の進展、すなわち高集積化、微細化
等に伴って、プロセッサとキャッシュメモリ等を同一チ
ップ内に実装した構成の、いわゆるシステムLSIも実
現されるにいたっている。
【0003】従来、このようなシステムLSI等におけ
るキャシュメモリの制御技術としては、たとえば特開平
9−6679号公報に開示されているように、チップ外
部のシステムバスの交代バスマスタから、チップ内部の
ローカルバスを経由してのチップ外のシステムメモリへ
のアクセスを監視し、リードアクセスの場合には、リー
ドデータがチップ内のキャッシュメモリのダーティライ
ンにあれば、当該データをローカルバスを経由して交代
バスマスタに出力するとともに、システムメモリにも同
時にライトすることでダーティ状態を解除し、ライトア
クセスの場合には、ライトデータがキャッシュヒットす
る場合にはシステムメモリとキャッシュメモリの双方に
同時にライトする技術が知られている。また、この技術
では、キャッシュラインサイズ単位にリフィル(メモリ
からキャッシュメモリへのデータの複写)が行われてい
る。
【0004】また、特開平11−39215号公報に
は、ライン内の複数エントリの各々に対応するリフィル
ビットをタグメモリのエントリに設けることで、アドレ
ス比較なしに当該ラインの当該エントリがデータ更新中
か否かを判定する技術が記載されている。また、この従
来技術でも、キャッシュメモリへの転送データのライト
サイクルから明らかなように、キャッシュラインサイズ
単位でリフィルを実行している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来技
術のように、キャッシュラインサイズ単位でリフィルを
実行する場合には、たとえば、磁気ディスク制御装置の
様に大量のシーケンシャルなプログラムを実行する場合
はキャッシュメモリにプログラムがヒットしないためキ
ャッシュメモリのリフィルが頻発し、高性能にできない
という技術的課題があった。
【0006】本発明の目的は、大量のシーケンシャルな
プログラムを実行した場合に高性能にできるキャッシュ
メモリの制御技術を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、システムLSI等の
集積回路装置において、大量のシーケンシャルなプログ
ラムを実行した場合の高性能化を達成することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、プロセッサ部
と、プロセッサ部によってアクセスされる情報が格納さ
れる内蔵メモリと、内蔵メモリおよび外部メモリとプロ
セッサ部との間で授受される情報が一時的に格納される
キャッシュメモリ部とを同一チップ内に含む集積回路装
置において、キャッシュメモリ部と内蔵メモリとを、キ
ャッシュメモリ部におけるキャッシュラインサイズ以上
のバス幅で接続したものである。
【0009】また、本発明は、プロセッサ部と、プロセ
ッサ部によってアクセスされる情報が格納される内蔵メ
モリと、内蔵メモリおよび外部メモリとプロセッサ部と
の間で授受される情報が一時的に格納されるキャッシュ
メモリ部とを同一チップ内に含み、キャッシュメモリ部
と内蔵メモリとは、キャッシュメモリ部におけるキャッ
シュラインサイズ以上のバス幅で接続された構成の集積
回路装置において、プロセッサ部から内蔵メモリにアク
セスが発生した場合に、内蔵メモリからキャッシュメモ
リに対して複数のキャッシュライン分の情報を複写する
ものである。
【0010】より具体的には、一例として、プロセッサ
コアおよびキャッシュメモリとともにローカルメモリを
LSIのチップに内蔵し、該内蔵メモリとキャッシュメ
モリをキャッシュメモリラインサイズで接続する。ま
た、キャッシュ制御回路に内蔵メモリのアドレス比較器
を設け、内蔵メモリへのアクセスの場合に複数のキャッ
シュラインをリフィルする様に制御する。更に、複数の
リフィルされたキャッシュラインの最終アドレスへのア
クセスの場合に、次のアドレスの複数のキャッシュライ
ンをリフィルする。これにより、大量のシーケンシャル
なプログラムを実行した場合に高性能化できる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しながら詳細に説明する。
【0012】図1は、本発明の一実施形態であるキャッ
シュメモリの制御方法を実施する集積回路装置の一例で
あるシステムLSIの構成の一例を示すブロック図であ
る。
【0013】本実施の形態のシステムLSI7は、CP
U1とキャッシュメモリ部6と内蔵メモリ4と外部バス
制御回路5を同一チップに含む構成の大規模集積回路装
置からなる。ここで、キャッシュメモリ部6はキャッシ
ュ制御回路2とキャッシュメモリ3で構成され、キャッ
シュ制御回路2は、アドレス比較器21と制御回路22
で構成されている。
【0014】また、図2は、キャッシュメモリ3の詳細
な構成例を示すブロック図であり、キャッシュメモリ3
はメモリ31、比較器32、及びアドレスセレクタ33
で構成し、メモリ31はタグメモリ34、データメモリ
35、入力データセレクタ37、及び出力データセレク
タ36で構成する。
【0015】図1のキャッシュメモリ部6は、CPU1
に対して、CPUアドレスバス13、CPU制御出力バ
ス11、CPU制御入力バス12、CPUライトデータ
バス14、及びCPUリードデータバス15で接続され
ている。
【0016】また、本実施の形態の場合、キャッシュメ
モリ部6は、内蔵メモリ4に対して、内蔵メモリアドレ
スバス61、内蔵メモリ制御入力バス26、内蔵メモリ
制御出力バス25、キャッシュラインサイズと同一幅の
内蔵メモリライトデータバス42、及びキャッシュライ
ン幅と同一の内蔵メモリリードデータバス41で接続さ
れている。
【0017】これにより、キャッシュラインサイズのリ
フィルが1メモリサイクルで実行可能になるとともに、
内蔵メモリ4とキャッシュメモリ3との間を接続する内
蔵メモリリードデータバス41および内蔵メモリライト
データバス42は、LSI7内の配線パターンの形成で
済むため、バス幅を大きくしても、外部メモリに対する
接続の場合のようにピン数の増加がなく、LSI7の製
造や実装における制約は少なく低コストで実現可能であ
る。
【0018】更に、キャッシュメモリ部6は、外部バス
制御回路5に対して、外部バス制御回路アドレスバス6
2、外部バス制御回路制御入力バス24、外部バス制御
回路制御出力バス23、外部バス制御回路ライトデータ
バス52、及び外部バス制御回路リードデータバス51
で接続されている。
【0019】キャッシュメモリ部6のCPUアドレスバ
ス13は、キャッシュ制御回路2に対して、内蔵メモリ
4を識別するための上位アドレスバス13d、最終アド
レスを識別するためのアドレスバス13b、及びCPU
アドレスバス13aを接続し、キャッシュメモリ3に対
して、タグメモリ34のタグデータとなるCPUアドレ
スバス13a、複数のキャッシュラインを選択するアド
レスバス13b、及びキャッシュライン内のデータを選
択するアドレスバス13cを接続している。
【0020】本実施の形態ではキャッシュラインサイズ
は4ワード(1ワード=4バイト)でアドレス下位2ビ
ットがアドレスバス13cである。また、1回のリフィ
ルのためにバーストアクセスする複数のキャッシュライ
ン数は4つであり、下位から3ビット目と4ビット目が
アドレスバス13bである。
【0021】上述のCPUアドレスバス13における1
3a〜13dの関係の一例を図9に示す。
【0022】キャッシュメモリ部6のキャッシュ制御回
路2とキャッシュメモリ3は、キャッシュメモリ制御バ
ス27とキャッシュヒット信号28で接続されている。
キャッシュメモリ制御バス27はタグメモリ34のライ
ト制御信号、データメモリ35のリード制御信号、ライ
ト制御信号、アクセスバイト数の制御信号からなるメモ
リ制御信号27a、複数のキャッシュラインを選択する
アドレスバス27b、及びアドレスセレクタ33の切り
替え制御信号27cからなる。
【0023】キャッシュ制御回路2のアドレス比較器2
1と制御回路22はアドレスデコード信号29を接続し
ている。また、キャッシュメモリ3の比較器32はキャ
ッシュメモリ3のタグデータバス38とCPUアドレス
バス13aと接続し、比較結果をキャッシュヒット信号
28として出力する。
【0024】本実施の形態である図1及び図2のシステ
ムLSI7におけるキャッシュメモリの制御方法の動作
例をタイミング図で説明する。
【0025】図3は、上述の従来技術のように外部バス
へキャッシュライン単位にアクセスする場合と同等の参
考技術におけるタイミング図である。サイクル番号1で
CPU1からCPU制御出力バス11にリードコマンド
‘r' 、CPUアドレスバス13にアドレス‘80' を
出力する。そして、キャッシュヒット信号28がミスヒ
ット‘1' でアドレスデコード信号29が外部アドレス
‘E' の場合に制御回路22はサイクル番号2で外部バ
ス制御回路制御入力バス24にリードコマンド‘r' を
出力する。尚、外部バス制御回路アドレスバス62はC
PUアドレスバス13と同一アドレス値である。そし
て、外部バス制御回路5は外部コマンドバス54にバー
ストリードコマンド、外部アドレスバス55にアドレス
‘80' を出力し、外部メモリ8をバーストアクセスす
る。
【0026】外部メモリ8は、サイクル番号4で外部デ
ータバス53にアドレス‘80' からの1ライン分のデ
ータを出力する。外部データバス53に出力されたデー
タはサイクル番号5で外部バス制御回路リードデータバ
ス51に出力される。また、サイクル番号5で外部バス
制御回路5は外部バス制御回路制御出力バス23にアク
ノリッジ‘A' を出力し、制御回路22はタグメモリ3
4のタグデータ0の書き込みとデータメモリ00の書き
込みを行う。サイクル番号6でCPUリードデータバス
15にデータが出力されると同時にタグデータも変更さ
れキャッシュヒット信号28がヒット‘0' になる。以
後はバースト処理し、キャッシュメモリ3のリフィルと
キャッシュラインの命令が実行される。キャッシュライ
ンの全ての命令のフェッチが完了した次のサイクル番号
10では次のキャッシュラインのアクセスが発生し、キ
ャッシュミスヒットとなる。
【0027】図3に示すタイミングでの参考技術の制御
方法では、大量のシーケンシャルな命令を処理した場合
にキャッシュラインサイズの命令実行単位でキャッシュ
リフィルのためのメモリアクセスが必要になるためキャ
ッシュメモリ3にヒットした性能との性能比(最大1で
値が大きいほど高性能)は下記式となる。
【0028】性能比=キャッシュラインサイズ数÷(キ
ャッシュラインサイズ数+メモリアクセスサイクル数) したがって、キャッシュラインサイズが4でメモリアク
セスサイクルが5である図3の参考技術の場合の性能比
はキャッシュにヒットした場合の性能を1とすると4/
(4+5)=0.44となる。尚、全てCPU1のクロ
ックサイクルで動作しているため処理時間とサイクル数
が比例関係であるためサイクル数で算出している。
【0029】図4は、本実施の形態のキャッシュメモリ
の制御方法において内蔵メモリ4をアクセスする場合の
動作の一例を示すタイミング図である。サイクル番号1
でCPU1からCPU制御出力バス11にバーストリー
ドコマンド‘R' を出力し、CPUアドレスバス13に
アドレス‘00' を出力する。そして、キャッシュヒッ
ト信号28がキャッシュミスヒット‘1' でアドレスデ
コード信号29が内蔵メモリアドレス‘I' の場合に制
御回路22はサイクル番号2で内蔵メモリ制御入力バス
26にバーストリードコマンドを出力し、内蔵メモリア
ドレスバス61にアドレス‘00' を出力する。
【0030】次に、内蔵メモリ4がサイクル番号4で内
蔵メモリリードデータバス41にアドレス‘00' 、
‘01' 、‘02' 、‘03' のデータを出力し、内蔵
メモリ制御出力バス25にアクノリッジ‘A' を出力す
る。そして、制御回路22はタグメモリ34のタグデー
タ0とデータメモリ35のデータ00、01、02、0
3を書き換える。サイクル5以降に制御回路22はバー
ストリードで複数のキャッシュラインを書き換えるため
に信号27cを‘1' とし、書き換えるキャッシュライ
ンの下位アドレス27bを順次出力し、複数のキャッシ
ュラインを書き換える。
【0031】この図4の動作例では4つのキャッシュラ
インを書き換えている。本タイミングで大量のシーケン
シャルな命令を実行した場合に複数のキャッシュライン
単位でキャッシュリフィルのためのメモリアクセスが発
生するため性能比は下式となる。
【0032】性能比=(キャッシュライン数×キャッシ
ュラインサイズ数)÷((キャッシュライン数×キャッ
シュラインサイズ数)+メモリアクセスサイクル数) 従って、キャッシュライン数が4、キャッシュラインサ
イズ数が4、及びメモリアクセスサイクル数が4の図4
では(4×4)/((4×4)+4)=0.8となり、
参考技術の図3のタイミングにおける性能比(0.4
4)よりはるかに大きな値となり、ほぼ2倍程度の高性
能化が実現できる。
【0033】図5は、最初のアクセスアドレスが複数の
キャッシュラインの境界の先頭にない場合のタイミング
図である。本実施の形態では、基本的に図4と同等の動
作であり、最初のアクセスアドレスがあるキャッシュラ
インから順番に全ての複数のキャッシュラインをリフィ
ルしている。
【0034】図6は、最初のアクセスアドレスが複数の
キャッシュラインの境界にない場合で図5と異なる変形
例のタイミング図である。図6では図5と異なり全ての
複数のキャッシュラインをリフィルせず、アクセスのあ
ったデータを含むライン以降の複数のキャッシュライン
の最後のアドレスまでリフィルする。
【0035】図7は、本実施の形態における動作例の他
の変形例のタイミング図である。最初は図6と同一であ
るが、サイクル番号8でアドレス比較器21が複数のキ
ャッシュラインの最終アドレスをデコードし、アドレス
デコード信号29に最終キャッシュラインアドレス
‘L' を出力する。制御回路22は次のサイクル番号9
で内蔵メモリ制御出力バス25にバーストリードコマン
ド‘R' を出力する。また、キャッシュメモリ制御信号
27cに‘1' 、キャッシュメモリ制御信号27bに
‘0' を出力する。
【0036】内蔵メモリ4はサイクル番号10で内蔵メ
モリリードデータバス41にアドレス‘10' 、‘1
1' 、‘12' 、‘13' を出力し、内蔵メモリ制御出
力バス25にアクノリッジ‘A' を出力する。
【0037】制御回路22はサイクル番号10でタグメ
モリのタグデータ1の書き込み及びデータメモリのデー
タ10、11、12、13の書き込みを行う。また、次
のサイクル以降はバーストリードのデータを書き込むた
めキャッシュメモリ制御信号27cをインクリメントす
る。この動作により、大量のシーケンシャルな命令を実
行した場合にキャッシュヒットを継続できるためキャッ
シュメモリヒットの性能と等価にできる。
【0038】図8は、本実施の形態のLSI7の構成の
変形例を示すブロック図である。LSI7はCPU1、
データキャッシュメモリ部6a、命令キャッシュメモリ
部6b、データキャッシュ用内蔵メモリ4a、命令キャ
ッシュ用内蔵メモリ4b、及び外部バス制御回路5を同
一チップ内に含む構成となっている。
【0039】本構成例ではデータキャッシュ用内蔵メモ
リリードデータバス41aと命令キャッシュ用内蔵メモ
リリードデータバス41bが分離しており、本実施の形
態の様にバーストのリフィルが、データキャッシュ及び
命令キャッシュで同時に発生しても性能低下がない。ま
た、本実施の形態ではダイレクトマップのキャッシュメ
モリ3を例に採って説明しているが2ウェイセットアソ
シアティブ等の複数のタグメモリとデータメモリがある
場合は、各タグメモリ及びデータメモリ内で複数のキャ
ッシュラインをバースト転送するように構成する。特に
本発明では複数のキャッシュラインを同時にリフィルす
るためウェイ数が多いキャッシュ構成が良い。
【0040】また、本実施の形態の場合のように、複数
のキャッシュラインの同時リフィルを行うLSI7にお
いて実行されるRAID制御プログラムについての実施
の形態を示す。
【0041】すなわち、本実施の形態のLSI7を、R
AIDシステムにおけるRAIDコントローラとして採
用する場合、たとえば、CPU1やキャッシュメモリ3
等の仕様例として、ワードサイズを64ビット、キャッ
シュラインサイズを8ワード、まとめてリフィルされる
複数のキャシュラインを8とし、命令長を32ビットと
した場合に、バーストでリフィルされる命令数は128
命令となる。従って、RAID制御プログラム等の命令
関数で分岐が発生しているプログラム関数を128命令
以下のサイズに設定すれば、当該プログラム関数内で初
めて発生した分岐であっても、分岐先の命令がキャッシ
ュメモリ3内でヒットし、高性能化が図れる。
【0042】以上説明したように本実施の形態のLSI
7およびキャッシュメモリの制御方法によれば、たとえ
ばRAID制御プログラム等のような大量のシーケンシ
ャルなプログラムを実行した場合にCPU1の情報処理
性能を高性能化できる。
【0043】本願の特許請求の範囲に記載された発明を
見方を変えて表現すれば以下の通りである。
【0044】<1> CPUとキャッシュメモリとキャ
ッシュ制御回路と内蔵メモリを組み込んだLSIに於い
て、該キャッシュメモリと該内蔵メモリをキャッシュラ
インサイズ以上のバス幅で接続したLSI。
【0045】<2> 項目<1>記載のLSIに於い
て、データキュッシュ用の内蔵メモリと命令キャッシュ
用の内蔵メモリを分割したことを特徴としたLSI。
【0046】<3> 項目<1>または項目<2>記載
のLSIに於いて、該キャッシュメモリ制御回路にアド
レス比較器を設けて、該内蔵メモリへのアクセスが発生
した場合に複数のキャッシュラインをリフィルする様に
制御することを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【0047】<4> 項目<3>記載のメモリ制御方法
に於いて、複数のリフィルされたキャッシュラインの最
終アドレスのキャッシュラインへのアクセスが発生した
場合に次の複数のキャッシュラインをリフィルするよう
に制御することを特徴とするキャッシュメモリ制御方
法。
【0048】<5> インストラクションキャッシュメ
モリより大量なシーケンシャル命令の動作を、キャッシ
ュメモリにヒットした場合との性能比がキャッシュライ
ンサイズの命令の処理時間÷(キャッシュラインサイズ
の命令の処理時間+メモリアクセス時間)より高性能で
処理できるLSI。
【0049】<6> 項目<1>,<2>または<5>
記載のLSIを採用したRAIDコントローラにて実行
されるRAID制御プログラムであって、複数のキャッ
シュラインのサイズに入るプログラム関数を使用したR
AID制御プログラム。
【0050】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0051】
【発明の効果】本発明のキャッシュメモリの制御方法に
よれば、大量のシーケンシャルなプログラムを実行した
場合に高性能を実現することができる、という効果が得
られる。
【0052】本発明の集積回路装置によれば、システム
LSI等の集積回路装置において、大量のシーケンシャ
ルなプログラムを実行した場合の高性能化を達成するこ
とができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるキャッシュメモリ
の制御方法を実施する集積回路装置の一例であるシステ
ムLSIの構成の一例を示すブロック図である。
【図2】本発明の集積回路装置の一実施の形態であるシ
ステムLSIにて実施されるキャッシュメモリの制御方
法の動作例を示すタイミング図である。
【図3】本発明の参考技術であるキャッシュメモリの制
御方法におけるタイミング図である。
【図4】本発明の一実施の形態であるキャッシュメモリ
の制御方法において内蔵メモリをアクセスする場合の動
作の一例を示すタイミング図である。
【図5】本発明の一実施の形態であるキャッシュメモリ
の制御方法において内蔵メモリをアクセスする場合の動
作の変形例を示すタイミング図である。
【図6】本発明の一実施の形態であるキャッシュメモリ
の制御方法において内蔵メモリをアクセスする場合の動
作の変形例を示すタイミング図である。
【図7】本発明の一実施の形態であるキャッシュメモリ
の制御方法において内蔵メモリをアクセスする場合の動
作の変形例を示すタイミング図である。
【図8】本発明の集積回路装置の一実施の形態であるシ
ステムLSIの構成の変形例を示すブロック図である。
【図9】本発明の集積回路装置の一実施の形態であるシ
ステムLSIにおけるキャッシュ制御のためのCPUア
ドレス情報の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
1…CPU(プロセッサ部)、2…キャッシュ制御回
路、3…キャッシュメモリ、4…内蔵メモリ、5…外部
バス制御回路、6…キャッシュメモリ部、6a…データ
キャッシュメモリ部、6b…命令キャッシュメモリ部、
7…LSI、8…外部メモリ、11…CPU制御出力バ
ス、11a…CPUデータキャッシュ制御出力バス、1
1b…CPU命令キャッシュ制御出力バス、12…CP
U制御入力バス、13…CPUアドレスバス、13a…
タグデータとなるアドレスバス、13b…内蔵メモリを
識別するためのアドレスバス、13c…キャッシュライ
ン内のデータを選択するアドレスバス、13d…内臓メ
モリを識別するための上位アドレスバス、14…CPU
ライトデータバス、15…CPUリードデータバス、2
1…アドレス比較器、22…制御回路、23…外部バス
制御回路制御出力バス、24…外部バス制御回路制御入
力バス、24a…データキャッシュ外部バス制御回路入
力制御バス、24b…命令キャッシュ外部バス制御回路
入力制御バス、25…内蔵メモリ制御出力バス、25a
…データキャシュ用内蔵メモリ出力制御バス、25b…
命令キャッシュ用内蔵メモリ出力制御バス、26…内蔵
メモリ制御入力バス、26a…データキャッシュ用内蔵
メモリ制御入力バス、26b…命令キャッシュ用内蔵メ
モリ制御入力バス、27…キャッシュメモリ制御バス、
27a…メモリ制御バス、27b…複数のキャシュライ
ンを選択するアドレスバス、27c…アドレスセレクタ
の切り替え制御信号、28…キャッシュヒット信号、2
9…アドレスデコード信号、31…メモリ、32…比較
器、33…アドレスセレクタ、34…タグメモリ、35
…データメモリ、36…出力データセレクタ、37…入
力データセレクタ、38…タグデータバス、39…複数
のキャッシュラインの選択アドレスバス、41…内蔵メ
モリリードデータバス、41a…データキャッシュ用内
蔵メモリリードデータバス、41b…命令キャッシュ用
内蔵メモリリードデータバス、42…内蔵メモリライト
データバス、42a…データキャッシュ用内蔵メモリラ
イトデータバス、42b…命令キャッシュ用内蔵メモリ
ライトデータバス、51…外部バス制御回路リードデー
タバス、52…外部バス制御回路ライトデータバス、5
2a…データキャッシュ外部バス制御回路ライトデータ
バス、52b…命令キャッシュ外部バス制御回路ライト
データバス、53…外部データバス、54…外部コマン
ドバス、55…外部アドレスバス。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プロセッサ部と、前記プロセッサ部によ
    ってアクセスされる情報が格納される内蔵メモリと、前
    記内蔵メモリおよび外部メモリと前記プロセッサ部との
    間で授受される前記情報が一時的に格納されるキャッシ
    ュメモリ部とを同一チップ内に含む集積回路装置であっ
    て、 前記キャッシュメモリ部と前記内蔵メモリとを、前記キ
    ャッシュメモリ部におけるキャッシュラインサイズ以上
    のバス幅で接続したことを特徴とする集積回路装置。
  2. 【請求項2】 プロセッサ部と、前記プロセッサ部によ
    ってアクセスされる情報が格納される内蔵メモリと、前
    記内蔵メモリおよび外部メモリと前記プロセッサ部との
    間で授受される前記情報が一時的に格納されるキャッシ
    ュメモリ部とを同一チップ内に含み、前記キャッシュメ
    モリ部と前記内蔵メモリとは、前記キャッシュメモリ部
    におけるキャッシュラインサイズ以上のバス幅で接続さ
    れた構成の集積回路装置において、 前記プロセッサ部から前記内蔵メモリにアクセスが発生
    した場合に、前記内蔵メモリから前記キャッシュメモリ
    に対して複数のキャッシュライン分の前記情報を複写す
    ることを特徴とするキャッシュメモリの制御方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のキャッシュメモリの制御
    方法において、 前記内蔵メモリから前記キャッシュメモリ内に複写され
    た複数のキャッシュラインのうちの最終アドレスのキャ
    ッシュラインへのアクセスが発生した場合に次の複数の
    キャッシュラインを前記内蔵メモリから前記キャッシュ
    メモリ内に複写することを特徴とするキャッシュメモリ
    の制御方法。
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