JP2002141693A - Electromagnetic wave shielding body - Google Patents

Electromagnetic wave shielding body

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JP2002141693A
JP2002141693A JP2000333348A JP2000333348A JP2002141693A JP 2002141693 A JP2002141693 A JP 2002141693A JP 2000333348 A JP2000333348 A JP 2000333348A JP 2000333348 A JP2000333348 A JP 2000333348A JP 2002141693 A JP2002141693 A JP 2002141693A
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JP
Japan
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electromagnetic wave
wave shielding
film
substrate
shielding film
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JP2000333348A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Ueno
崇 上野
Nobuhiro Oda
伸浩 小田
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Furuya Metal Co Ltd
Original Assignee
Furuya Metal Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable electromagnetic wave shielding body wherein, having flexibility and deformability (follows up bending into complex shape), applicable as, mainly, an EMC countermeasure material, the stability of material in weather-resistance is significantly improved as the electromagnetic wave shielding ability is kept high even at high-temperature and high-humidity, while the jointing characteristics (adhesion) to an elastomer material is further enhanced. SOLUTION: The electromagnetic wave shielding body comprises a substrate 2 comprising a conductive elastomer material, and an electromagnetic wave shielding film 1 formed on the substrate. The electromagnetic wave shielding film 1 is formed from an Ag alloy material in which Ag is a main component, with Au contained, and at least one kind of element selected out of Cu, Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr, Ru and Mg is added as a third element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波遮蔽体に関
する。特には、ノートブック型パソコンや携帯電話機等
で代表される携帯型情報端末機器等、そして電子機器等
の表示装置や透明開口部における液晶ディスプレイ(L
CD)やプラズマディスプレイパネル(PDP)等の表
示画面より放出される電磁波、赤外線及び近赤外線を遮
蔽し、例えば、外部電磁波が電子機器等に進入すること
で起こる電波弊害を防ぐために使用される電磁波遮蔽体
に係わり、前述した各種の被電磁波遮蔽物の内部に装着
したり、その外側形状に沿わせて折り曲げ付設可能とす
る屈曲性、可撓性に優れた電磁波遮蔽体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shield. In particular, portable information terminal devices such as notebook personal computers and mobile phones, display devices such as electronic devices, and liquid crystal displays (L
Electromagnetic waves used to shield electromagnetic waves, infrared rays and near-infrared rays emitted from display screens such as CDs and plasma display panels (PDPs) and to prevent, for example, radio wave harm caused by external electromagnetic waves entering electronic devices and the like. The present invention relates to an electromagnetic wave shield excellent in flexibility and flexibility that can be mounted inside the above-described various types of electromagnetic wave shields or bendable along the outer shape thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の情報化社会において、衛星放送シ
ステムや携帯型情報端末機器等の移動通信の発達に見ら
れるように、電磁波環境は多様化・複雑化の度合いを深
めており、それらがもたらす利点と共に弊害も明らかに
なりつつある。例えば屋外(外部)からの外部電磁波が
電子機器等に進入してノイズ弊害等につながった例や、
また、ノートブック型パソコンや携帯電話機等で代表さ
れる携帯型情報端末機器等からの漏洩電磁波が人体に悪
影響を及ぼす例等から社会生活への悪影響が懸念されて
いる。
2. Description of the Related Art In the information society in recent years, as seen in the development of mobile communications such as satellite broadcasting systems and portable information terminal devices, the electromagnetic wave environment has become increasingly diversified and complicated. The evils along with the benefits they bring are becoming apparent. For example, when an external electromagnetic wave from the outside (outside) enters an electronic device or the like and leads to a bad noise,
In addition, there is a concern that electromagnetic waves leaking from portable information terminal devices such as notebook personal computers and mobile phones adversely affect the human body and adversely affect social life.

【0003】EMC(Electro Magnetic Compatibilit
y)、即ち電磁適合性(電磁両立性と称される場合もあ
る)とは、電磁波に起因する工学的な諸問題を解決する
要素である。
[0003] EMC (Electro Magnetic Compatibilit)
y), ie, electromagnetic compatibility (sometimes referred to as electromagnetic compatibility) is an element that solves engineering problems caused by electromagnetic waves.

【0004】従来、外部電磁波やパソコン等からの漏洩
電磁波を遮蔽する目的としたEMC材料としては、金属
がほとんどを占めていた(以下、「前者」と称する)。
また、エラストマー材料に金属粉やカーボンブラックを
配合して導電性を得る試みも従来から行われていた(以
下、「後者」と称する)。
Heretofore, metals have mostly occupied EMC materials for shielding external electromagnetic waves and leakage electromagnetic waves from personal computers and the like (hereinafter, referred to as "the former").
In addition, attempts to obtain conductivity by blending metal powder or carbon black with an elastomer material have been conventionally made (hereinafter, referred to as "the latter").

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
EMC材料は、近年のEMC技術を必要とする製品・要
素の多様化が急速に進み、金属だけでは求められない種
々の機能に対して対応不可能になり始めている。例え
ば、複雑な形状への折り曲げ追随性や非定常空間の充填
性、軽量化、錆等に対する耐腐食性の課題に対しては、
その適用が困難となることが多い等の種々の問題が発生
している。
However, the former EMC material is diversifying in products and elements that require EMC technology in recent years, and cannot respond to various functions that are not required only by metal. It is starting to be possible. For example, for the problem of bending followability to complex shapes and filling of unsteady space, weight reduction, corrosion resistance against rust, etc.
Various problems have occurred, such as its application often becoming difficult.

【0006】一方、後者の金属粉を充填したエラストマ
ーにおいては、金属酸化を主とする経時変化や、エラス
トマー自体の弾性、強度等の機械的特性が失われる等の
デメリットが多く、EMC素材として広く普及した材料
とは言い難いものである。
On the other hand, the latter elastomer filled with metal powder has many disadvantages such as a change with time mainly due to metal oxidation and a loss of mechanical properties such as elasticity and strength of the elastomer itself. It is hardly a popular material.

【0007】また、カーボンブラックを充填したエラス
トマーにおいては、導電性ローラーやラバーコンタクト
等に多様化されてはいるが、得られる導電性に制限があ
るため、やはりEMC素材として用いられることは殆ど
ない。
[0007] In addition, elastomers filled with carbon black have been diversified into conductive rollers, rubber contacts, and the like. However, since the obtained conductivity is limited, they are hardly used as EMC materials. .

【0008】このように従来の電磁波遮蔽体において
は、複雑な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、耐候性
や耐磨耗性等にも問題があることから、EMC素材とし
て全く採用(適用)されない等の問題が生じていた。
As described above, the conventional electromagnetic wave shield has problems in followability to bending into a complicated shape, corrosion resistance, weather resistance, abrasion resistance, and the like. ) Was not performed.

【0009】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、柔軟性、形状自在性(複
雑な形状への折り曲げ追随性)を備え、主にEMC対策
材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下に
おいても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるとい
った耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しか
も、エラストマー材料基板との接合性(密着性)がより
一層効果的に強化される等、より高い信頼性が得られる
電磁波遮蔽体を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide flexibility and shape flexibility (bending followability to a complicated shape) and to be mainly used as an EMC countermeasure material. It has a wide range of applications, and the material stability of weather resistance, such as continuous high electromagnetic wave shielding ability even in high-temperature and high-humidity environments, is remarkably improved. It is an object of the present invention to provide an electromagnetic wave shield capable of obtaining higher reliability, for example, by further enhancing (adhesion) more effectively.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電磁波遮蔽体は、導電性を有するエラ
ストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された
電磁波遮蔽膜と、を具備し、上記電磁波遮蔽膜がAgを
主成分とし、Auを含有し、更に第三元素としてCu、
Al、Ti、Pd、Ni、V、Ta、W、Mo、Cr、
Ru、Mgからなる群から選ばれた少なくとも1種類の
元素を添加してなるAg合金材料から形成されているこ
とを特徴とする。
In order to solve the above problems, an electromagnetic wave shield according to the present invention comprises a substrate made of a conductive elastomer material and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate. The electromagnetic wave shielding film contains Ag as a main component, contains Au, and further has Cu,
Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr,
It is characterized by being formed from an Ag alloy material obtained by adding at least one element selected from the group consisting of Ru and Mg.

【0011】上記電磁波遮蔽体によれば、上記Ag合金
材料からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からな
る基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮
蔽体とすることができる。この電磁波遮蔽体は柔軟性、
形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)を備え、
主にEMC対策材料として応用展開が広く、また、高温
高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に
保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善でき
る。
According to the above-mentioned electromagnetic wave shield, the electromagnetic wave shield film made of the Ag alloy material is formed on the surface of the substrate made of the elastomer material, so that a shield having excellent flexibility can be obtained. This electromagnetic wave shield is flexible,
It has shape flexibility (bending followability to complex shapes)
It is widely applied mainly as an EMC countermeasure material, and can continuously maintain high electromagnetic wave shielding ability even in a high-temperature and high-humidity environment, and can remarkably improve the material stability of weather resistance.

【0012】なお、電磁波遮蔽膜の厚さは、複雑な形状
への折り曲げ追随性を考慮すると、例えば10〜500
nm程度が好ましい。また、エラストマー材料として
は、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM(エチ
レン・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体)等
を用いることも可能である。
The thickness of the electromagnetic wave shielding film is, for example, 10 to 500 in consideration of the ability to follow a complicated shape.
About nm is preferable. Further, as the elastomer material, natural rubber, chloroprene rubber, EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene) or the like can be used.

【0013】また、本発明に係る電磁波遮蔽体について
は、上記Ag合金材料において、Auの添加量を0.1
wt%以上3.0wt%以下の範囲内とし、第三元素の
添加量を0.1wt%以上3.0wt%以下の範囲内と
することが好ましい。
In the electromagnetic wave shield according to the present invention, the amount of Au added to the Ag alloy material is 0.1%.
It is preferable that the content is in the range of not less than wt% and not more than 3.0 wt%, and the addition amount of the third element is in the range of not less than 0.1 wt% and not more than 3.0 wt%.

【0014】また、本発明に係る電磁波遮蔽体において
は、上記電磁波遮蔽膜が一の膜又は複数の膜からなるこ
とも可能である。これにより、温度や化学的に安定であ
り、様々な用途に適用できる。
Further, in the electromagnetic wave shielding body according to the present invention, the electromagnetic wave shielding film may be composed of one film or a plurality of films. Thereby, it is temperature and chemically stable and can be applied to various uses.

【0015】また、本発明に係る電磁波遮蔽体におい
て、上記電磁波遮蔽膜は、Ag合金材料からなる蒸着材
料を用いた蒸着法により基板上に成膜して形成されたも
のであることも可能である。また、上記電磁波遮蔽膜
は、Ag合金材料からなるスパッタリングターゲット材
料を用いたスパッタリング法により基板上に成膜して形
成されたものであることも可能である。
In the electromagnetic wave shielding body according to the present invention, the electromagnetic wave shielding film may be formed by forming a film on a substrate by an evaporation method using an evaporation material made of an Ag alloy material. is there. The electromagnetic wave shielding film may be formed by forming a film on a substrate by a sputtering method using a sputtering target material made of an Ag alloy material.

【0016】また、本発明に係る電磁波遮蔽体において
は、上記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐食性及び耐候
性に優れた保護膜をさらに含むことも可能である。ま
た、上記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐摩耗性に優れ
た保護膜をさらに含むことも可能である。
The electromagnetic wave shield according to the present invention may further include a protective film having excellent corrosion resistance and weather resistance formed on the electromagnetic wave shield film. In addition, it is possible to further include a protective film having excellent wear resistance formed on the electromagnetic wave shielding film.

【0017】また、本発明に係る電磁波遮蔽体において
は、上記基板と上記電磁波遮蔽膜との間に配置された、
密着性を助長する下地膜をさらに含むことも可能であ
る。これにより、エラストマー材料基板との接合性(密
着性)をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を
得ることができる。
Further, in the electromagnetic wave shielding body according to the present invention, the electromagnetic wave shielding body is disposed between the substrate and the electromagnetic wave shielding film.
It is also possible to further include a base film for promoting adhesion. Thereby, the bonding property (adhesion) with the elastomer material substrate can be more effectively enhanced, and higher reliability can be obtained.

【0018】また、本発明に係る電磁波遮蔽体において
は、上記下地膜が、ITO(酸化Inと酸化Snの複合
酸化物)、IrO2、ZnO2、SiO2、TiO2、Ta
25、ZrO2からなる群から選ばれた1又は複数の材
料、若しくは、該1又は複数の材料を少なくとも主成分
として含む材料を用いて形成したものであることが好ま
しい。また、上記下地膜が、Si、Ta、Ti、Mo、
Cr、Alからなる群から選ばれた1又は複数の元素か
らなる材料、若しくは、該1又は複数の元素を少なくと
も主成分として含む材料を用いて形成したものであるこ
とが好ましい。
Further, in the electromagnetic wave shield according to the present invention, the base film is made of ITO (composite oxide of In oxide and Sn oxide), IrO 2 , ZnO 2 , SiO 2 , TiO 2 , Ta
It is preferably formed using one or more materials selected from the group consisting of 2 O 5 and ZrO 2 , or a material containing at least one of the one or more materials as a main component. Further, the base film is made of Si, Ta, Ti, Mo,
It is preferable to use a material formed of one or more elements selected from the group consisting of Cr and Al, or a material containing at least one of the one or more elements as a main component.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明では、Agの保有する熱に
対しての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少な
くとも100℃前後に加熱した場合に生じ易い表面拡散
による白濁化という現象を抑制することが重要である。
即ち、Agは最も電磁波の遮蔽能力については優れてい
る材料であると知られているが、例えば熱に対しての自
己拡散エネルギーが活発であるという問題が生じ易い。
そのため、一時的であっても100℃前後の熱が加えら
れる場合には、表面部に拡散現象が起こり、Ag自体が
保有する光沢を失って白濁化してしまい、換言すれば、
電磁波の遮蔽能力に優れたAg自体の特性が低減し易い
からである。そして、Agは大変熱伝導率が良く、原子
単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴がある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, self-diffusion energy with respect to heat possessed by Ag is reduced to suppress the phenomenon of clouding due to surface diffusion which is apt to occur when heated to at least about 100 ° C. It is important to.
That is, Ag is known to be the material having the best electromagnetic wave shielding ability. However, for example, a problem that self-diffusion energy for heat is active is likely to occur.
Therefore, when heat of about 100 ° C. is applied even temporarily, a diffusion phenomenon occurs on the surface, the Ag itself loses its luster and becomes cloudy, in other words,
This is because the characteristics of Ag itself, which is excellent in electromagnetic wave shielding ability, are easily reduced. Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic that it easily absorbs and saturates heat in atomic units.

【0020】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形
態について説明する。図1は、本発明に係る第1の実施
の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。この電
磁波遮蔽体は、少なくとも導電性を有するエラストマー
材料からなる基板2を備えている。この基板2上には密
着性を助長する下地膜3が配置されている。この密着助
長下地膜3上には電磁波遮蔽膜1が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a first embodiment of the present invention. The electromagnetic wave shield includes a substrate 2 made of at least a conductive elastomer material. On the substrate 2, a base film 3 for promoting adhesion is arranged. The electromagnetic wave shielding film 1 is formed on the adhesion promoting base film 3.

【0021】電磁波遮蔽膜1は、Agを主成分とし、A
uを0.1〜3.0重量%(wt%)含有し、更に第三
元素としてCu、Al、Ti、Pd、Ni、V、Ta、
W、Mo、Cr、Ru、Mgからなる群から選ばれた少
なくとも1種類の元素を0.1〜3.0wt%添加して
なるAg合金材料から形成されたものであり、スパッタ
リング法又は蒸着法により成膜されることが好ましい。
なお、電磁波遮蔽膜1は複数の膜から構成されていても
良い。
The electromagnetic wave shielding film 1 is mainly composed of Ag,
u in an amount of 0.1 to 3.0% by weight (wt%), and Cu, Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta,
It is formed from an Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of at least one element selected from the group consisting of W, Mo, Cr, Ru, and Mg, and is formed by a sputtering method or a vapor deposition method. It is preferable to form a film.
The electromagnetic wave shielding film 1 may be composed of a plurality of films.

【0022】基板2を作るエラストマー材料としては、
天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM(エチレン
・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体)等が挙
げられる。
As an elastomer material for forming the substrate 2,
Natural rubber, chloroprene rubber, EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene) and the like can be mentioned.

【0023】密着助長下地膜3の材料としては、酸素や
各種の材質からなる基板2に対して材料的に安定であ
り、前記基板と少なくとも上記Ag合金材料からなる電
磁波遮蔽膜1との密着性を考慮すると、Si、Ta、T
i、Mo、Cr、Al、ITO(酸化Inと酸化Snの
複合酸化物)、IrO2、ZnO2、SiO2、TiO2
Ta25、ZrO2等からなる群から選ばれた1又は複
数の材料、若しくは、該1又は複数の材料を少なくとも
主成分として含む材料を用いて形成したものであること
が好ましい。
The material of the adhesion promoting base film 3 is materially stable with respect to the substrate 2 made of oxygen or various materials, and the adhesion between the substrate and at least the electromagnetic wave shielding film 1 made of the above Ag alloy material. Is considered, Si, Ta, T
i, Mo, Cr, Al, ITO (composite oxide of In oxide and Sn oxide), IrO 2 , ZnO 2 , SiO 2 , TiO 2 ,
It is preferably formed using one or more materials selected from the group consisting of Ta 2 O 5 , ZrO 2 , or the like, or a material containing at least one or more of these materials as a main component.

【0024】また、上述したAg合金材料は、天然ゴム
又はクロロプレンゴム又はEPDM等の各種のエラスト
マー材料に対して化学的安定性が高く、エラストマー材
料からなる基板材質に対して制限されないことも確認さ
れている。
It has also been confirmed that the above-mentioned Ag alloy material has high chemical stability with respect to various elastomer materials such as natural rubber, chloroprene rubber, and EPDM, and is not limited to the material of the substrate made of the elastomer material. ing.

【0025】また、各種のエラストマー材料からなる基
板2の密着助長下地膜3としては、Si、Ta、Ti、
Mo、Cr、Al、ITO、ZnO2、SiO2、TiO
2、Ta25、ZrO2が望ましい。その理由としては、
天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDMからなる基
板2は特定の純度や材質の場合にはガスの発生が大変多
いこと、金属はその発生ガスと反応が強いこと、Ag合
金材料と密着させる接合界面に反応浮動体被膜(例えば
酸化膜等)を生じる可能性が高いこと等から適切である
とは言い難いからである。
The base film 3 for promoting adhesion of the substrate 2 made of various elastomer materials is made of Si, Ta, Ti,
Mo, Cr, Al, ITO, ZnO 2 , SiO 2 , TiO
2, Ta 2 O 5, ZrO 2 is desirable. The reason is that
Substrate 2 made of natural rubber or chloroprene rubber or EPDM generates a very large amount of gas in the case of a specific purity or material, the metal reacts strongly with the generated gas, and reacts with the bonding interface to be in close contact with the Ag alloy material. This is because it is difficult to say that it is appropriate because a floating body film (for example, an oxide film or the like) is likely to be formed.

【0026】また、上記に記されている材料を密着助長
下地膜として基板2上に形成する場合には蒸着法やスパ
ッタリング法等の成膜方法が考えられるが、スパッタリ
ング法で成膜を行う場合、例えば天然ゴム又はクロロプ
レンゴム又はEPDMからなる基板を用いる場合では、
基板を成膜室内に入れた後に行われる真空引きの際に、
基板よりガスを発生するために、真空度が上がらず、更
には基板と密着助長下地膜との界面も不安定になり易い
ために、少なくとも本発明のAg合金を樹脂基板上に形
成する場合においては、蒸着法による膜厚形成が望まし
いと考えられる。
When the above-mentioned material is formed on the substrate 2 as the adhesion promoting base film, a film forming method such as an evaporation method or a sputtering method can be considered. For example, when using a substrate made of natural rubber or chloroprene rubber or EPDM,
At the time of evacuation performed after putting the substrate into the deposition chamber,
In order to generate gas from the substrate, the degree of vacuum does not increase, and furthermore, the interface between the substrate and the adhesion-promoting base film tends to be unstable. Therefore, at least when the Ag alloy of the present invention is formed on a resin substrate, It is considered that it is desirable to form a film by vapor deposition.

【0027】上記第1の実施の形態によれば、Agを主
成分とし、Auを含有し、更に第三元素としてCu、A
l、Ti、Pd、Ni、V、Ta、W、Mo、Cr、R
u、Mgからなる群から選ばれた少なくとも1種類の元
素を添加してなるAg合金材料からなる薄膜を電磁波遮
蔽膜1として用いる。これにより、耐熱性を大幅に向上
させることができ、しかも、Ag自体の保有する電磁波
遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を低下させることなく
保持できる。
According to the first embodiment, Ag is the main component, Au is contained, and Cu, A is used as the third element.
1, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr, R
A thin film made of an Ag alloy material to which at least one element selected from the group consisting of u and Mg is added is used as the electromagnetic wave shielding film 1. Thereby, the heat resistance can be greatly improved, and the high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect of Ag itself can be maintained without lowering.

【0028】つまり、上記電磁波遮蔽膜1は、従来多用
されていたAu、Al、Cu及び純Ag等の材料からな
る電磁波遮蔽膜では得ることができなかった電磁波遮蔽
効果に対しての高い遮蔽能力を得られることが確認され
ている。また、図1に示す密着助長下地膜3を備えた電
磁波遮蔽体においても、基板2と電磁波遮蔽膜1との間
に密着助長下地膜3を形成しない場合と同様に高い電磁
波遮蔽効果を有することが確認されている。この場合、
ITO及びZnO2等の導電性酸化物を密着助長下地膜
3として用いる方が、SiO2を下地膜3として用いる
場合に比べて電磁波遮蔽効果が高いことも確認されてい
る。
That is, the electromagnetic wave shielding film 1 has a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect that cannot be obtained by the electromagnetic wave shielding film made of a material such as Au, Al, Cu and pure Ag which has been widely used in the past. Has been confirmed to be obtained. Also, the electromagnetic wave shield provided with the adhesion promoting base film 3 shown in FIG. 1 has a high electromagnetic wave shielding effect as in the case where the adhesion promotion base film 3 is not formed between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1. Has been confirmed. in this case,
It has also been confirmed that the use of a conductive oxide such as ITO and ZnO 2 as the adhesion-promoting base film 3 has a higher electromagnetic wave shielding effect than the use of SiO 2 as the base film 3.

【0029】また、第1の実施の形態では、基板2と電
磁波遮蔽膜1との間に、両者間の密着性を助長する特定
の密着助長下地膜3を中間下地として形成している。こ
のため、基板2に対する電磁波遮蔽膜1と各種の材質か
らなる基板との接合性をより一層効果的に強化できる。
In the first embodiment, a specific adhesion promoting base film 3 for promoting adhesion between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1 is formed as an intermediate base. For this reason, the bondability between the electromagnetic wave shielding film 1 and the substrate made of various materials with respect to the substrate 2 can be further effectively enhanced.

【0030】また、密着助長下地膜3の材料としては、
より低抵抗であることが望ましい。低抵抗であって、更
に非磁性導電膜であることが望ましい。具体的には、Z
nO 2よりもITOの方が電磁波遮蔽効果が高いことが
確認されている。このようになる理由としては、電磁波
遮蔽を目的として少なくとも三元素のAg合金材料及
び、このAg合金材料膜と基板との間に特定の中間下地
膜を設けて、その多層膜自体に電界を加えた場合、この
多層膜の内部に導電電流が流れ、この電気エネルギーが
熱エネルギーに変換され、更に、この熱エネルギーへの
変換を行う発熱機構が主とした原因となって、電磁波が
吸収されて導電損失が起こるからである。また、この導
電損失は導電電流が抵抗少なく流れた分に依存して効果
は高いために、電磁波遮蔽膜の抵抗が低ければ低いほど
優位差が顕著にでる。
The material of the adhesion promoting underlayer 3 is as follows.
It is desirable that the resistance be lower. Low resistance
Preferably, the conductive layer is a non-magnetic conductive film. Specifically, Z
nO TwoThe fact that ITO has a higher electromagnetic wave shielding effect than ITO
Has been confirmed. The reason for this is that electromagnetic waves
Ag alloy material of at least three elements for shielding
And a specific intermediate underlayer between the Ag alloy material film and the substrate.
When a film is provided and an electric field is applied to the multilayer film itself,
A conductive current flows inside the multilayer film, and this electric energy is
Is converted into heat energy,
Electromagnetic waves are mainly caused by the heat generating mechanism that performs the conversion.
This is because absorption causes conduction loss. Also, this guide
The electric loss depends on the amount of the conduction current that flows with less resistance.
Is higher, the lower the resistance of the electromagnetic wave shielding film, the lower
The advantage difference is remarkable.

【0031】しかし、AgやAl、Cuについては材料
の原子自体の移動、つまり、エレクトロマイグレーショ
ン現象による電気エネルギーから熱エネルギーへの変換
である発熱機構が、時間の経過と共に減衰してしまうた
めに、少なくとも特定の膜厚を設けることで減衰作用を
低減してきたが、上述したAg合金材料においては膜自
体の金属原子間移動が活発でないため、減衰作用が著し
く低下するということが確認されている。
However, for Ag, Al, and Cu, the movement of atoms of the material itself, that is, the heat generation mechanism that converts electric energy to heat energy by the electromigration phenomenon is attenuated with the passage of time. Although the damping effect has been reduced by providing at least a specific film thickness, it has been confirmed that in the above-described Ag alloy material, the film itself does not actively move between metal atoms, so that the damping effect is significantly reduced.

【0032】また、ITO、ZnO2に代表される導電
性酸化物ではなく、例えば絶縁であることを特徴とする
SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等の誘電体をA
g合金材料と基板との間に密着助長下地膜として介在さ
せた場合、Ag合金材料の保有する高い導電損失の効果
に加え、誘電損失と呼ばれる高周波での電磁波エネルギ
ーの吸収効果も行われて両者の相乗効果による電磁波の
高遮蔽効果が得られるため、少なくとも密着助長下地膜
として介在する金属酸化物としては導電性を有する材料
に限定する必要はない。
A dielectric such as SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , or ZrO 2 , which is not insulated from conductive oxides represented by ITO and ZnO 2 , but is insulative, is referred to as A.
When interposed as an adhesion promoting base film between the g alloy material and the substrate, in addition to the effect of the high conduction loss possessed by the Ag alloy material, the effect of absorbing electromagnetic wave energy at high frequency called dielectric loss is also performed. Therefore, it is not necessary to limit the metal oxide interposed as at least the adhesion promoting underlayer to a conductive material.

【0033】つまり、上述したAg合金材料により形成
された電磁波遮蔽膜1においては、Si、Ta、Ti、
Mo、Cr、Al等の金属膜、若しくはITO、ZnO
2、SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等の金属酸化
物及び金属複合酸化物を用いた密着助長下地膜3を介在
させた場合であっても、高い電磁波遮蔽効果があること
が確認されている。
That is, in the electromagnetic wave shielding film 1 formed of the Ag alloy material described above, Si, Ta, Ti,
Metal film of Mo, Cr, Al, etc., ITO, ZnO
2. High electromagnetic wave shielding effect even when an adhesion promoting base film 3 using a metal oxide such as SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 and a metal composite oxide is interposed. Has been confirmed.

【0034】また、密着助長下地膜3として例えばS
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Al等の金属膜を用いた
場合、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプ
レーティング法のいずれでも成膜が可能である。従っ
て、汎用的な有用性は高いといえる。
The adhesion-promoting base film 3 is made of, for example, S
When a metal film such as i, Ta, Ti, Mo, Cr, or Al is used, the film can be formed by any of an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, and an ion plating method. Therefore, it can be said that general utility is high.

【0035】また、ITO、ZnO2、SiO2、TiO
2、Ta25、ZrO2等の金属酸化物薄膜においても、
蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーテ
ィング法のいずれでも容易に成膜が可能である。例えば
ブラウン管モニターや液晶表示素子等の表面側に形成す
るAR(反射防止)コートについては、透明性が高い密
着助長下地膜3を各種のエラストマー材料からなる基板
2上に形成し、この密着助長下地膜上に厚さ0.5〜
1.2nmの電磁波遮蔽膜を形成し、その上にARコー
トを形成することで、表示デバイス自体からの電磁波に
対しての顕著な遮蔽効果を奏するものである。
Further, ITO, ZnO 2 , SiO 2 , TiO
2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 and other metal oxide thin films,
A film can be easily formed by any of an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, and an ion plating method. For example, for an AR (anti-reflection) coat formed on the surface side of a cathode ray tube monitor, a liquid crystal display device, or the like, a highly transparent adhesion-promoting base film 3 is formed on a substrate 2 made of various elastomer materials, 0.5 ~ thickness on the ground film
By forming an electromagnetic wave shielding film of 1.2 nm and forming an AR coat thereon, a remarkable shielding effect against electromagnetic waves from the display device itself is exhibited.

【0036】また、第1の実施の形態では、Ag自体の
材料的な安定性を格段に改善でき、しかも、積層構造と
して用いる場合、基板の材質を問わずに積層可能で、且
つ、基板との接合性(密着性)をより一層効果的に強化
でき、より高い信頼性を得ることができる。
In the first embodiment, the material stability of Ag itself can be remarkably improved, and when it is used as a laminated structure, it can be laminated irrespective of the material of the substrate. Can be more effectively strengthened, and higher reliability can be obtained.

【0037】また、電磁波遮蔽膜1の単膜の場合と図1
に示す電磁波遮蔽体の場合の両方について、優れた耐熱
性及び耐候性を有することが確認されている。また、例
えば近年のEMC対策材料用の電磁波遮蔽体として応用
展開が広い等の有用性が高いことが確認されている。
Further, the case of a single electromagnetic wave shielding film 1 and FIG.
It has been confirmed that both of the electromagnetic wave shields shown in Table 1 have excellent heat resistance and weather resistance. In addition, it has been confirmed that it is highly useful, for example, as an electromagnetic wave shield for recent EMC countermeasure materials, which has a wide range of applications.

【0038】また、上述したAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1を各種のエラストマー材料からなる基板2の
表面に形成した電磁波遮蔽体は、従来のエラストマーに
金属粉やカーボンブラックを配合したものと比べて、1
00MHzの低周波域から10GHz域における電界強
度減衰率(dB)、電波吸収能(dB)が優れ、しか
も、可撓性(cm)においても優れていることが確認さ
れている。
Further, the electromagnetic wave shielding body in which the electromagnetic wave shielding film 1 made of the Ag alloy material described above is formed on the surface of the substrate 2 made of various elastomer materials is different from a conventional elastomer in which metal powder or carbon black is blended. And 1
It has been confirmed that the electric field intensity attenuation rate (dB) and the radio wave absorption capacity (dB) in the low frequency range from 00 MHz to 10 GHz range are excellent, and the flexibility (cm) is also excellent.

【0039】ノートブック型パソコンや携帯電話機等に
代表される携帯型情報端末機器等に、前述した各種のエ
ラストマー材料からなる基板2の表面に前述したAg合
金材料からなる電磁波遮蔽膜1を形成した電磁波遮蔽体
を適用した場合、その電磁波遮蔽体を例えば外形に沿わ
せて折り曲げ付設することができる必要がある。これに
ついて、電磁波遮蔽体は、それを90°に折り曲げて
も、その表面に亀裂等が全く発生しないので、複雑な形
状への折り曲げ追随性(形状自在性)においても優れて
いることが確認されている。
An electromagnetic wave shielding film 1 made of the above-mentioned Ag alloy material is formed on the surface of a substrate 2 made of the above-mentioned various elastomer materials on a portable information terminal device or the like represented by a notebook personal computer or a portable telephone. When an electromagnetic wave shield is applied, it is necessary that the electromagnetic wave shield can be bent and provided along the outer shape, for example. Regarding this, it has been confirmed that the electromagnetic wave shield is excellent in bending followability (shape flexibility) to a complicated shape, since even if it is bent at 90 °, no crack or the like is generated on the surface thereof. ing.

【0040】また、Ag合金材料からなる電磁波遮蔽膜
1をエラストマー材料からなる基板1の表面に成膜する
場合、例えばスパッタリング法では従来に比して膜を形
成する速度基準であるスパッタリングレートが高く、更
に、上記Ag合金材料は、その融点が960℃前後であ
るが、金属元素の中でも高い部類には属さないので、蒸
着温度条件の汎用性等について従来に比して劣ることが
ない。従って、成膜方法としては、基板の材質によって
任意に選択することが可能であるので、従来に比して顕
著に成膜方法での生産についての優位性があることが分
かっている。なお、成膜方法としては、RF又はDC電
源を用いたスパッタリング法、真空蒸着法、CVD法が
望ましい。
In the case where the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material is formed on the surface of the substrate 1 made of an elastomer material, for example, in the sputtering method, the sputtering rate, which is the speed reference for forming the film, is higher than in the conventional method. Further, although the Ag alloy material has a melting point of about 960 ° C., it does not belong to a high class among the metal elements, so that the versatility of deposition temperature conditions and the like are not inferior to the conventional one. Therefore, since the film formation method can be arbitrarily selected depending on the material of the substrate, it is known that there is a remarkable superiority in the production by the film formation method as compared with the related art. Note that as a film formation method, a sputtering method using an RF or DC power supply, a vacuum evaporation method, and a CVD method are preferable.

【0041】また、蒸着法はスパッタリング法よりも膜
の緻密性が劣るため、一般に、蒸着法で薄膜を成膜する
場合では、スパッタリング法で薄膜を成膜する場合と比
較して厚い膜厚を要するとされる。しかし、上述したA
g合金材料からなる電磁波遮蔽膜1においては電磁波遮
蔽効果が低下することがないので、蒸着法でもスパッタ
リング法でも同じ膜厚で同様の電磁波遮蔽効果を得るこ
とができる。
In addition, since the vapor deposition method is inferior to the sputtering method in terms of denseness of the film, generally, when a thin film is formed by the vapor deposition method, a thicker film is formed than when a thin film is formed by the sputtering method. It is required. However, A
Since the electromagnetic wave shielding effect does not decrease in the electromagnetic wave shielding film 1 made of a g alloy material, the same electromagnetic wave shielding effect can be obtained with the same film thickness by the vapor deposition method or the sputtering method.

【0042】図2は、本発明に係る第2の実施の形態に
よる電磁波遮蔽体を示す断面図であり、図1と同一部分
には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明す
る。
FIG. 2 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a second embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.

【0043】携帯型情報端末機器等に電磁波遮蔽体を適
用した場合、その携帯型情報端末機器に直接、人体の一
部や何らかの物体が接触することが考えられる。この場
合に、電磁波遮蔽体を形成するAg合金材料膜が露出す
る場合においては、少なくとも人体や物体の接触によっ
て表面部が削られたり、或いは殺傷痕が残ることで導電
損失効果が減少したり、特定の電磁波遮蔽効果に対する
遮蔽能力が低下する可能性が考えられる。このため、表
面接触による表面部の削れや殺傷痕の発生を抑制する目
的で、電磁波遮蔽膜1の上に耐食性及び耐候性に優れ耐
摩耗性に優れた保護膜4を形成している。それにより、
露出する電磁波遮蔽膜1に何らかの接触によって発生す
る接触傷を防止することができる。
When an electromagnetic wave shield is applied to a portable information terminal device or the like, it is conceivable that a part of a human body or some object directly contacts the portable information terminal device. In this case, when the Ag alloy material film forming the electromagnetic wave shield is exposed, at least the surface portion is shaved by contact with a human body or an object, or a conductive trace effect is reduced by leaving a scar, or It is conceivable that the shielding ability for a specific electromagnetic wave shielding effect is reduced. For this reason, the protective film 4 having excellent corrosion resistance and weather resistance and excellent wear resistance is formed on the electromagnetic wave shielding film 1 for the purpose of suppressing the occurrence of shaving of the surface portion and the occurrence of damage due to surface contact. Thereby,
It is possible to prevent a contact flaw caused by any contact with the exposed electromagnetic wave shielding film 1.

【0044】また、保護膜4を形成した場合でも電磁波
遮蔽能力の低下の抑制、基板2と電磁波遮蔽膜1との間
に密着助長下地膜3を形成し、その上に保護膜4を形成
した積層構造の電磁波遮蔽体においても、電磁波遮蔽能
力が低下することがないことが確認されている。
Further, even when the protective film 4 is formed, the lowering of the electromagnetic wave shielding ability is suppressed, the adhesion promoting base film 3 is formed between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1, and the protective film 4 is formed thereon. It has been confirmed that the electromagnetic wave shielding performance of the laminated structure does not decrease.

【0045】上記第2の実施の形態においても第1の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0046】Agは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱
を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱伝導率を
鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制するため
に、Agに対して全率固溶体を形成する原子であるPd
を0.1〜4.0wt%の組成範囲で任意に振って添加
して実験した。
Since Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic of easily absorbing and saturating heat in atomic units, Ag is used in order to slow down the thermal conductivity and suppress active movement between atoms. Pd is an atom that forms a solid solution with respect to
Was arbitrarily shaken in a composition range of 0.1 to 4.0 wt% to conduct an experiment.

【0047】まず、スパッタリング装置にAgとPdの
スパッタリングターゲットをそれぞれ装着して、特定の
RFパワーでAg、Pdの放電量を制御してArガスを
0.1〜3.0Paの間で任意に設定して、2つの材料
を同時にスパッタする。つまり、同時スパッタリング法
で数種類Pdの添加量を振ってAg合金材料膜を形成し
た。
First, Ag and Pd sputtering targets are mounted on the sputtering apparatus, respectively, and the discharge amount of Ag and Pd is controlled with a specific RF power, and Ar gas is arbitrarily set within a range of 0.1 to 3.0 Pa. Set and sputter two materials simultaneously. That is, the Ag alloy material film was formed by varying the addition amounts of several types of Pd by the simultaneous sputtering method.

【0048】この時の試験試料片としては、石英基板を
用いてスパッタプロセス中の基板温度は常温(25℃前
後)で、スパッタガスとしてはArガスのみを用いて、
到達真空度としては3×10-6Paという高真空まで真
空引きを行い、アルゴンガス雰囲気中で、膜厚を20n
mで形成した。
At this time, the test sample was a quartz substrate, the substrate temperature during the sputtering process was room temperature (about 25 ° C.), and only Ar gas was used as the sputtering gas.
Evacuation was performed to a high vacuum of 3 × 10 −6 Pa as the ultimate vacuum degree, and the film thickness was reduced to 20 n in an argon gas atmosphere.
m.

【0049】高真空雰囲気中で成膜を行う理由として
は、不純物ガス等が合金膜の粒界に依存してしまうのを
抑制して、緻密な膜を形成することで材料本来の物性を
確認しようとするためである。
The reason why the film is formed in a high vacuum atmosphere is that the intrinsic physical properties of the material can be confirmed by forming a dense film while suppressing that the impurity gas and the like depend on the grain boundaries of the alloy film. To try.

【0050】上記方法にて形成したAgを主成分とし
て、それに数種類の材料組成でPdを添加したAg合金
材料薄膜を、大気中でホットプレート上に載せて約2時
間放置して、白濁化の有無と白濁化が開始された温度を
観察する加熱試験を試みた。この時のホットプレートの
加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を2
50℃、加熱速度を20℃/minに設定した。その試
験結果を表1に示す。
An Ag alloy material thin film containing Ag formed as a main component and Pd added with several kinds of material compositions is placed on a hot plate in the air and left for about 2 hours to form a white turbidity. A heating test was conducted to observe the presence / absence and the temperature at which clouding started. At this time, the heating method of the hot plate is a resistance heating method, and the heating temperature is 2
The heating rate was set to 50 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. Table 1 shows the test results.

【0051】[0051]

【表1】 [Table 1]

【0052】一般的に、Pdを添加すると、Agの保有
する高温及び高湿環境下での耐候性の無さが改善される
ことはよく知られているが、熱を印加した場合の耐表面
拡散性については、表1のように顕著な差異を確認する
ことはできなく、Pdの添加による白濁化の低減につい
ては、Agと比較して顕著な優位性を確認することはで
きなかった。また、電磁波遮蔽能力は、加熱する前と比
較して、加熱後において2〜3%程度低下することが確
認されたため、Pd添加による表面拡散防止効果は確認
することができなかった。
In general, it is well known that the addition of Pd improves the lack of weather resistance in a high-temperature and high-humidity environment possessed by Ag. As for the diffusivity, no remarkable difference could be confirmed as shown in Table 1, and no remarkable superiority could be confirmed with respect to the reduction of white turbidity due to the addition of Pd as compared with Ag. In addition, since it was confirmed that the electromagnetic wave shielding ability was reduced by about 2 to 3% after heating as compared to before heating, the effect of preventing surface diffusion by adding Pd could not be confirmed.

【0053】次に、前述したAg合金材料について加熱
試験を行ったので、それについて説明する。薄膜の成膜
方法としては、Ag及びAu、更にはCu等の内のいず
れかのスパッタリングターゲット材料より一種類選択し
てRFマグネトロンスパッタリング装置に装着し、前記
3つの金属元素を同時スパッタリングすることで、三元
素のAg合金材料からなる薄膜を成膜した。
Next, a heating test was performed on the above-described Ag alloy material, which will be described. As a method for forming a thin film, one selected from any of sputtering target materials such as Ag, Au, and Cu is mounted on an RF magnetron sputtering apparatus, and the three metal elements are simultaneously sputtered. And a thin film made of a three-element Ag alloy material.

【0054】この時の試験基板としては、石英基板を用
いてスパッタプロセス中の基板温度は常温(25℃前
後)で、スパッタガスとしてはArガスのみを用いて、
到達真空度としては3×10-6Paという高真空まで真
空引きを行った後、アルゴンガス雰囲気中で、膜厚を2
0nmで形成した。
At this time, a quartz substrate was used as a test substrate, the substrate temperature during the sputtering process was room temperature (about 25 ° C.), and only Ar gas was used as a sputtering gas.
After evacuation was performed to a high vacuum of 3 × 10 −6 Pa as the ultimate degree of vacuum, the film thickness was reduced to 2 in an argon gas atmosphere.
It was formed at 0 nm.

【0055】この方法での試験試料は、主成分となるA
gに、Auを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu等
の内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加して
なる三元素のAg合金材料薄膜を石英基板の表面に膜厚
20nmで直接形成して、前述と同様に加熱温度を25
0℃に設定保持したホットプレート上に載せて約2時間
放置して、白濁化の有無と白濁化が開始された温度を観
察する加熱試験を試みた。その試験結果を表2〜表5に
示す。
The test sample in this method contains A as the main component.
g of a three-element Ag alloy material thin film obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of Au to Cu and adding 0.1 to 3.0 wt% of one of Cu and the like. It is formed directly on the surface with a film thickness of 20 nm, and the heating temperature is set to 25 as described above.
A heating test was performed in which the sample was placed on a hot plate maintained at 0 ° C. and allowed to stand for about 2 hours to observe the presence or absence of cloudiness and the temperature at which clouding started. Tables 2 to 5 show the test results.

【0056】[0056]

【表2】 [Table 2]

【0057】[0057]

【表3】 [Table 3]

【0058】[0058]

【表4】 [Table 4]

【0059】[0059]

【表5】 [Table 5]

【0060】本発明のAg合金材料では、白濁化現象や
電磁波遮蔽能力の低下が表2〜表5から分かるように、
全ての材料組成範囲で観察されなかった。
In the Ag alloy material of the present invention, as can be seen from Tables 2 to 5, the clouding phenomenon and the decrease in the electromagnetic wave shielding ability are as follows.
Not observed in all material composition ranges.

【0061】そこで、250℃で加熱試験を行った様々
な材料組成範囲で形成されるAg合金材料膜が堆積され
た石英基板を、更に400℃に加熱されたホットプレー
ト上に2時間放置してみた場合でも、何れの材料組成範
囲においても白濁化や電磁波遮蔽能力の低下が観察され
なかった。
Then, the quartz substrate on which the Ag alloy material films formed in various material composition ranges subjected to the heating test at 250 ° C. are further left on a hot plate heated to 400 ° C. for 2 hours. In any case, no clouding or reduction in electromagnetic wave shielding ability was observed in any of the material composition ranges.

【0062】次に、前述したAg合金材料からなる電磁
波遮蔽特性の経時変化を観察する試験を行ったので、そ
れについて説明する。Ag合金材料膜の化学的安定性を
確認するために、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材質からなる基板2の表面に、これま
でと同様に三元同時スパッタリング法にて15nmの厚
みの電磁波遮蔽膜1を形成した試験試料を用いて、温度
90℃、湿度90%の高温多湿の環境下で24時間放置
してその外観や電磁波遮蔽特性の経時変化を観察してみ
た。その試験結果を表6〜表9に示す。
Next, a test for observing the change over time of the electromagnetic wave shielding characteristics made of the Ag alloy material described above was performed. In order to confirm the chemical stability of the Ag alloy material film, natural rubber or chloroprene rubber or E
Using a test sample in which an electromagnetic wave shielding film 1 having a thickness of 15 nm was formed on the surface of a substrate 2 made of various materials such as PDM by a ternary simultaneous sputtering method as in the past, at a temperature of 90 ° C. and a humidity of 90% It was left for 24 hours in a high-temperature and high-humidity environment to observe changes in its appearance and electromagnetic wave shielding characteristics over time. Tables 6 to 9 show the test results.

【0063】[0063]

【表6】 [Table 6]

【0064】[0064]

【表7】 [Table 7]

【0065】[0065]

【表8】 [Table 8]

【0066】[0066]

【表9】 [Table 9]

【0067】表6〜表9から明らかなように、24時間
放置後でも材料に経時変化が観察されなかったために、
天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM等の各種の
材料からなる基板の表面に形成したAg合金材料膜の電
磁波遮蔽能力をKEC法(関西電子振興センター考案の
装置)により測定して観察してみたが、100MHzの
低周波域から1GHz域までの広域において、電磁波遮
蔽能力の低下が確認されなかった。
As is clear from Tables 6 to 9, no change with time was observed in the material even after standing for 24 hours.
The electromagnetic wave shielding ability of an Ag alloy material film formed on the surface of a substrate made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM was measured and observed by a KEC method (a device devised by Kansai Electronics Promotion Center). In a wide range from a low frequency range of 100 MHz to a 1 GHz range, no reduction in electromagnetic wave shielding ability was confirmed.

【0068】これとは別に、本発明で得られた電磁波遮
蔽体の近傍界測定による100MHzの低周波域から1
GHz域までの電界強度減衰率(dB)が20dB以上
であることが求められることから、100MHzの低周
波域から1GHz域までの電波吸収能(dB)、可撓性
(cm)を測定した。
Separately, from the low frequency range of 100 MHz by the near-field measurement of the electromagnetic wave shield obtained in the present invention, the frequency of
Since the electric field intensity attenuation rate (dB) up to the GHz range is required to be 20 dB or more, the radio wave absorption capacity (dB) and the flexibility (cm) from the low frequency range of 100 MHz to the 1 GHz range were measured.

【0069】尚、可撓性測定については適宜の大きさ
(例えば幅10nmの短冊状)に切断した試験試料(本
発明で得られた電磁波遮蔽体)の端部を押さえながら実
験台の端部から徐々に試験試料を出していき、垂れ下が
った部分が丁度90°となった時点での実験台上の試験
試料の長さを測定することにより指標した。その測定結
果を表10に示す。
The flexibility was measured by holding the end of the test sample (electromagnetic wave shield obtained in the present invention) cut to an appropriate size (for example, a strip having a width of 10 nm). , The test sample was gradually taken out from the test sample, and the index was obtained by measuring the length of the test sample on the test table at the time when the hanging portion became just 90 °. Table 10 shows the measurement results.

【0070】また、近傍界とは、電波工学において波長
をλとした場合、λ/6波長以内の距離における電界を
意味する。電界強度減衰率とは、電磁波遮蔽能力の指標
であり、いずれも測定原理を等しくする自動化測定装置
により材料の電磁波遮蔽能力が測定される。
The near field means an electric field at a distance of λ / 6 wavelength or less when the wavelength is λ in radio wave engineering. The electric field intensity attenuation rate is an index of the electromagnetic wave shielding ability, and the electromagnetic wave shielding ability of a material is measured by an automatic measuring device that makes the measurement principle the same.

【0071】比較例 比較例として、両端末にジメチルビニルシチル基である
メリルビニルシロキサン単位を0.06%含有する平均
重合度約6,000のビニル基含有ポリジメリルシロキ
サン100部に導電性カーボンブラックとしてフャーネ
スブラック「#3030B」(三菱化学株式会社製)4
0部とけい素土10部をニーダーに仕込み、混練を行っ
た後、更に架橋剤として2,5−ジメチ−2,5−ジ−
t−ブチルパーオキシヘキサン1.5部を加え、均一な
シリコーンボムコンパウンドを得た。そして、このコン
パウンドを170℃×10分間の条件でプレス成形によ
り厚さ1nm、1辺が100mm四方のゴム板を形成し
た後に200℃で4時間加硫を行うことで試験試料を作
成した。また、電磁波吸収能測定試料として、厚さ7.
5nm、1辺が50mm使用のゴム板を前述と同様の方
法、手順で作成した。
COMPARATIVE EXAMPLE As a comparative example, 100 parts of a vinyl group-containing polydimerylsiloxane having an average degree of polymerization of about 6,000 containing 0.06% of a merylvinylsiloxane unit, which is a dimethylvinylsilyl group, in both terminals was added to conductive carbon Furness Black “# 3030B” (Mitsubishi Chemical Corporation) 4
After 0 parts and 10 parts of silicon earth were charged into a kneader and kneaded, 2,5-dimethyl-2,5-di-methyl was further added as a crosslinking agent.
1.5 parts of t-butyl peroxyhexane was added to obtain a uniform silicone bomb compound. Then, a test sample was prepared by forming a rubber plate having a thickness of 1 nm and a side of 100 mm on each side by press molding the compound at 170 ° C. for 10 minutes and vulcanizing at 200 ° C. for 4 hours. In addition, as a sample for measuring the electromagnetic wave absorption capacity, a thickness of 7.
A rubber plate having a thickness of 5 nm and a side of 50 mm was prepared by the same method and procedure as described above.

【0072】[0072]

【表10】 [Table 10]

【0073】表10から明らかなように、前述したAg
合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を各種の材料からなる
基板2の表面に形成した本発明の電磁波遮蔽体は、従来
のエラストマーに金属粉やカーボンブラックを配合して
なるものと比べて100MHzの低周波域から10GH
z域における電界強度減衰率(dB)、電波吸収能(d
B)が優れ、しかも、可撓性(cm)においても優れて
いることが確認された。また、折り曲げ追随性において
も優れていることが確認された。
As is clear from Table 10, the above-described Ag
The electromagnetic wave shielding body of the present invention in which the electromagnetic wave shielding film 1 made of an alloy material is formed on the surface of the substrate 2 made of various materials has a low frequency of 100 MHz as compared with a conventional elastomer obtained by blending metal powder or carbon black. 10 GHz from frequency range
Electric field intensity attenuation rate (dB) in the z region, radio wave absorption capacity (d
B) was confirmed to be excellent, and also excellent in flexibility (cm). In addition, it was confirmed that it was excellent in bending followability.

【0074】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記の作用効果を奏する。本発明のAg合金材料を用いて
電磁波遮蔽膜を基板上に成膜した電磁波遮蔽体は、従来
の金属粉やカーボンブラックを配合してなるエラストマ
ーと同等の柔軟性、形状自在性(複雑な形状への折り曲
げ追随性)を備えた上で、当該エラストマーに比べて大
変安定な電磁波遮蔽効果を保持し得る。従って、長期に
わたり電磁波遮蔽効果を保持するために有用な導電損失
による電磁波遮蔽能力の劣化を回避する高品質な電磁波
遮蔽体を得ることができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. The electromagnetic shielding material obtained by forming an electromagnetic shielding film on a substrate using the Ag alloy material of the present invention has the same flexibility and shape flexibility (complex shape) as an elastomer obtained by blending a conventional metal powder or carbon black. And a very stable electromagnetic wave shielding effect as compared with the elastomer can be maintained. Therefore, it is possible to obtain a high-quality electromagnetic wave shield that avoids deterioration of the electromagnetic wave shielding ability due to conductive loss useful for maintaining the electromagnetic wave shielding effect for a long period of time.

【0076】また、本発明のAg合金材料を用いて形成
した電磁波遮蔽膜は、低周波域から高周波域までの広域
にわたって、高い可視光線透過率と日射光線透過率を維
持し得ることから、従来の金属粉やカーボンブラックを
配合してなるエラストマーと比較して高い電磁波遮蔽効
果を得ることができる。
The electromagnetic wave shielding film formed by using the Ag alloy material of the present invention can maintain high visible light transmittance and solar light transmittance over a wide range from a low frequency range to a high frequency range. A higher electromagnetic wave shielding effect can be obtained as compared with an elastomer containing a metal powder or carbon black.

【0077】また、本発明のAg合金材料を用いて電磁
波遮蔽膜を基板上に形成する場合では、スパッタリング
法、蒸着法、CVD法のいずれの成膜方法を用いても、
従来に比して安定した生産性、電磁波遮蔽効果を長期に
わたり保持することができる。
In the case where the electromagnetic wave shielding film is formed on the substrate using the Ag alloy material of the present invention, any of the sputtering method, the vapor deposition method and the CVD method can be used.
It is possible to maintain a stable productivity and an electromagnetic wave shielding effect for a long period of time as compared with the related art.

【0078】また、本発明のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜を用いて電磁波遮蔽体を製作する場合に、密着
助長下地膜を基板と電磁波遮蔽膜との間に配置すること
により、電磁波遮蔽効果を保持しつつ、電磁波遮蔽膜の
基板に対する密着性を改善でき、両者の結合の強化を図
ることができる。
In the case where an electromagnetic wave shielding body is manufactured using the electromagnetic wave shielding film made of the Ag alloy material of the present invention, the electromagnetic wave shielding effect is obtained by disposing the adhesion promoting base film between the substrate and the electromagnetic wave shielding film. , The adhesion of the electromagnetic wave shielding film to the substrate can be improved, and the coupling between the two can be enhanced.

【0079】また、本発明の電磁波遮蔽体では、電磁波
遮蔽膜の表面に耐食性及び耐候性に優れた材料や耐磨耗
性に優れた材料からなる保護膜を形成することにより、
人体や物体の接触によって表面部が削られたり、殺傷痕
が残ることで導電損失効果が減少したり、表面部の削れ
や殺傷痕に起因する特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽
能力が低下することを抑制することができる。
In the electromagnetic wave shielding body of the present invention, a protective film made of a material having excellent corrosion resistance and weather resistance or a material having excellent wear resistance is formed on the surface of the electromagnetic wave shielding film.
The surface part is cut off by contact with the human body or object, the conductive loss effect is reduced by leaving a scar, and the shielding ability against the specific electromagnetic wave shielding effect caused by the surface shaving or the scar is reduced. Can be suppressed.

【0080】したがって、本発明によれば、Ag合金材
料からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる
基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮蔽
体とすることができる。この電磁波遮蔽体は、柔軟性、
形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)を備えた
上で、Ag自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高
い遮蔽能力を保持でき、また、高温高湿の環境下におい
ても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の
材料的な安定性を格段に改善できる。しかも、エラスト
マー材料基板との接合性においても密着助長下地膜を介
在させることにより基板との接合性(密着性)をより一
層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることがで
き、EMC対策材料として応用展開が広く期待できる。
Therefore, according to the present invention, by forming an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material on the surface of a substrate made of an elastomer material, a shield having excellent flexibility can be obtained. This electromagnetic wave shield is flexible,
In addition to its shape flexibility (bending followability to complex shapes), it can maintain a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect possessed by Ag itself, and also has a high electromagnetic wave even in a high-temperature, high-humidity environment. The shielding ability can be continuously maintained, and the material stability of weather resistance can be remarkably improved. In addition, the adhesion to the elastomer material substrate can be more effectively enhanced by the interposition of the adhesion promoting base film, whereby the reliability with the substrate can be further improved, and the EMC measures can be obtained. The application development can be widely expected as a material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る第1の実施の形態による電磁波遮
蔽体を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明に係る第2の実施の形態による電磁波遮
蔽体を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電磁波遮蔽膜 2…基板 3…密着助長下地膜 4…保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electromagnetic wave shielding film 2 ... Substrate 3 ... Adhesion promotion base film 4 ... Protective film

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導電性を有するエラストマー材料からな
る基板と、 この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、 を具備し、 上記電磁波遮蔽膜がAgを主成分とし、Auを含有し、
更に第三元素としてCu、Al、Ti、Pd、Ni、
V、Ta、W、Mo、Cr、Ru、Mgからなる群から
選ばれた少なくとも1種類の元素を添加してなるAg合
金材料から形成されていることを特徴とする電磁波遮蔽
体。
1. A substrate made of a conductive elastomer material, and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate, wherein the electromagnetic wave shielding film contains Ag as a main component and contains Au,
Further, as a third element, Cu, Al, Ti, Pd, Ni,
An electromagnetic wave shield comprising an Ag alloy material to which at least one element selected from the group consisting of V, Ta, W, Mo, Cr, Ru, and Mg is added.
【請求項2】 上記Ag合金材料において、Auの添加
量を0.1wt%以上3.0wt%以下の範囲内とし、
第三元素の添加量を0.1wt%以上3.0wt%以下
の範囲内とすることを特徴とする請求項1に記載の電磁
波遮蔽体。
2. The method according to claim 1, wherein the addition amount of Au in the Ag alloy material is in a range of 0.1 wt% or more and 3.0 wt% or less,
The electromagnetic wave shield according to claim 1, wherein the amount of the third element added is in a range of 0.1 wt% or more and 3.0 wt% or less.
【請求項3】 上記電磁波遮蔽膜が一の膜又は複数の膜
からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の電磁
波遮蔽体。
3. The electromagnetic wave shielding body according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding film is formed of one film or a plurality of films.
【請求項4】 上記電磁波遮蔽膜は、Ag合金材料から
なる蒸着材料を用いた蒸着法により基板上に成膜して形
成されたことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか
1項記載の電磁波遮蔽体。
4. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding film is formed on the substrate by a vapor deposition method using a vapor deposition material made of an Ag alloy material. The electromagnetic wave shield according to the above.
【請求項5】 上記電磁波遮蔽膜は、Ag合金材料から
なるスパッタリングターゲット材料を用いたスパッタリ
ング法により基板上に成膜して形成されたことを特徴と
する請求項1〜3のうちいずれか1項記載の電磁波遮蔽
体。
5. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding film is formed on the substrate by a sputtering method using a sputtering target material made of an Ag alloy material. Item 7. The electromagnetic wave shield according to Item 1.
【請求項6】 上記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐食
性及び耐候性に優れた保護膜をさらに含むことを特徴と
する請求項1〜5のうちいずれか1項記載の電磁波遮蔽
体。
6. The electromagnetic wave shield according to claim 1, further comprising a protective film having excellent corrosion resistance and weather resistance formed on the electromagnetic wave shield film.
【請求項7】 上記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐摩
耗性に優れた保護膜をさらに含むことを特徴とする請求
項1〜5のうちいずれか1項記載の電磁波遮蔽体。
7. The electromagnetic wave shield according to claim 1, further comprising a protective film having excellent wear resistance formed on the electromagnetic wave shield film.
【請求項8】 上記基板と上記電磁波遮蔽膜との間に配
置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことを
特徴とする請求項1〜7のうちいずれか1項記載の電磁
波遮蔽体。
8. The electromagnetic wave shielding device according to claim 1, further comprising a base film disposed between the substrate and the electromagnetic wave shielding film to promote adhesion. body.
【請求項9】 上記下地膜が、ITO、IrO2、Zn
2、SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2からなる群
から選ばれた1又は複数の材料、若しくは、該1又は複
数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形
成したものであることを特徴とする請求項8に記載の電
磁波遮蔽体。
9. The method according to claim 1, wherein the under film is made of ITO, IrO 2 , Zn.
One or a plurality of materials selected from the group consisting of O 2 , SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 , or a material formed using at least one or more of the above materials as a main component The electromagnetic wave shield according to claim 8, wherein
【請求項10】 上記下地膜が、Si、Ta、Ti、M
o、Cr、Alからなる群から選ばれた1又は複数の元
素からなる材料、若しくは、該1又は複数の元素を少な
くとも主成分として含む材料を用いて形成したものであ
ることを特徴とする請求項8に記載の電磁波遮蔽体。
10. The method according to claim 1, wherein the base film is made of Si, Ta, Ti, M
Claims characterized by being formed using a material consisting of one or more elements selected from the group consisting of o, Cr, and Al, or a material containing at least the one or more elements as a main component. Item 9. An electromagnetic wave shield according to item 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011018930A (en) * 2002-08-17 2011-01-27 Three M Innovative Properties Co Flexible, formable conductive film

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