JP2001284880A - Electromagnetic wave shield - Google Patents

Electromagnetic wave shield

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JP2001284880A
JP2001284880A JP2000099276A JP2000099276A JP2001284880A JP 2001284880 A JP2001284880 A JP 2001284880A JP 2000099276 A JP2000099276 A JP 2000099276A JP 2000099276 A JP2000099276 A JP 2000099276A JP 2001284880 A JP2001284880 A JP 2001284880A
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electromagnetic wave
film
wave shielding
substrate
alloy material
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JP2000099276A
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Japanese (ja)
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Takashi Ueno
崇 上野
Satoshi Watanabe
聡志 渡辺
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Furuya Metal Co Ltd
Original Assignee
Furuya Metal Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shield which has a superior air tightness or elasticity, softness and formability, is wide in application and development mainly as an EMC material and greatly improved about the material stability in weather resistance, etc., such as continuously holding a high electromagnetic shielding ability even in a high temperature and high bumid environment, etc., and has a more effectively strengthened bonding, etc., to elastomer material boards, thus obtaining higher reliability. SOLUTION: The shield is made by forming an electromagnetic shield film 1 on the surface of an elastomer material board 2. The film is made of an Ag alloy containing Pd 0.1-3.0 wt.% and at least one element 0.1-3.0 wt.% among Cu, Au, Ti, Cr, Ta and Mo, added to a main component Ag. One or more shield films 1 may be formed on the surface of the board 2 according to the use of the shield superior in flexibility, this making stable in temperature and chemically. Thus, the application to various uses can be examined.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ノートブック型パ
ソコンや携帯電話機等で代表される携帯型情報端末機器
等、そして電子機器等の表示装置や透明開口部における
液晶ディスプレイ(LCD)やプラズマディスプレイパ
ネル(PDP)等の表示画面より放出される電磁波、赤
外線及び近赤外線を遮蔽する。例えば、外部電磁波が電
子機器等に進入することで起る電波弊害等を防ぐために
使用される電磁波遮蔽体に係り、特に前述した各種の被
電磁波遮蔽物の内部に装着したり、その外側形状に沿わ
せて折り曲げ付設可能とする屈曲性、可撓性に優れた電
磁波遮蔽体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a portable information terminal device such as a notebook personal computer or a portable telephone, a display device such as an electronic device, a liquid crystal display (LCD) or a plasma display in a transparent opening. Shields electromagnetic waves, infrared rays, and near infrared rays emitted from a display screen such as a panel (PDP). For example, the present invention relates to an electromagnetic wave shield used to prevent radio wave harm caused by an external electromagnetic wave entering an electronic device or the like, and particularly, is attached to the inside of the above-described various electromagnetic wave shields or has an outer shape. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shield excellent in flexibility and flexibility that can be bent and attached along.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の情報化社会において、衛星放送シ
ステムや携帯型情報端末機器等の移動通信の発達に見ら
れるように、電磁波環境は多様化・複雑化の度合いを深
めており、それらがもたらす利点と共に弊害も明らかに
なりつつある。例えば屋外(外部)からの外部電磁波が
電子機器等に進入してノイズ弊害等につなかった例や、
又、ノートブック型パソコンや携帯電話機等で代表され
る携帯型情報端末機器等からの漏洩電磁波が人体に悪影
響を及ぼす例等から社会生活への悪影響が懸念されてい
る。EMC(Electro Magneic Comp
atibility)、即ち電磁適合性(電磁両立性と
称される場合もある)とは電磁波に起因する工学的な諸
問題を解決せる要素である。
2. Description of the Related Art In the information society in recent years, as seen in the development of mobile communications such as satellite broadcasting systems and portable information terminal devices, the electromagnetic wave environment has become increasingly diversified and complicated. The evils along with the benefits they bring are becoming apparent. For example, when an external electromagnetic wave from the outside (outside) enters an electronic device or the like and does not lead to noise adverse effects,
In addition, there is a concern that electromagnetic waves leaking from portable information terminal devices such as notebook personal computers and mobile phones adversely affect the human body and adversely affect social life. EMC (Electro Magnetic Comp)
Ability, that is, electromagnetic compatibility (sometimes referred to as electromagnetic compatibility) is an element that can solve various engineering problems caused by electromagnetic waves.

【0003】従来、外部電磁波やパソコン等からの漏洩
電磁波を遮蔽する目的としたEMC材料としては、金属
がほとんどを占めていた(以後、前者)。又、エラスト
マー材料に金属粉やカーボンブラックを配合して導電性
を得る試みも従来から行われていた(以後、後者)。
Heretofore, metals have mostly occupied EMC materials for shielding external electromagnetic waves and leakage electromagnetic waves from personal computers and the like (hereinafter the former). Attempts to obtain conductivity by blending metal powder or carbon black with an elastomer material have also been made (hereinafter the latter).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、前者のE
MC材料は、近年のEMC技術を必要とする製品・要素
の多様化が急速に進み、金属だけでは求められない種々
の機能に対して対応不可能になり始めている。例えば、
複雑な形状への折り曲げ追随性や非定常空間の充填性、
軽量化、錆等に対する耐腐食性の課題に対してはその適
用が困難となることが多い等の種々の問題が発生してい
る。一方、後者の金属粉を充填したエラストマーにおい
ては、金属酸化を主とする経時変化や、エラストマー自
体の弾性、強度等の機械的特性が失われる等のデメリッ
トが多く、EMC素材として広く普及した材料とは言い
難いものである。又、カーボンブラックを充填したエラ
ストマーにおいては、導電性ローラーやラバーコンタク
ト等に多様化されてはいるが、得られる導電性に制限が
あるため、やはりEMC素材として用いられることは殆
ど無い。この様に、従来の電磁波遮蔽体においては複雑
な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、そして、夫々に
耐候性や耐磨耗性等にも問題があることから、EMC素
材として全く採用(適用)が不可能であったりする等の
問題が生じていた。
However, the former E
In MC materials, products and elements that require EMC technology in recent years have diversified rapidly, and it has become impossible to respond to various functions that are not required only by metal. For example,
Bending followability to complex shapes and filling of unsteady space,
Various problems have occurred, such as the difficulty in applying the method to the problem of weight reduction and corrosion resistance to rust and the like. On the other hand, the latter, which is filled with metal powder, has many disadvantages such as a change with time mainly due to metal oxidation and a loss of mechanical properties such as elasticity and strength of the elastomer itself. It is hard to say. Although elastomers filled with carbon black have been diversified into conductive rollers, rubber contacts, and the like, they are hardly used as EMC materials because of the limited conductivity obtained. As described above, since the conventional electromagnetic wave shield has problems in bending followability to complicated shapes, corrosion resistance, and weather resistance and abrasion resistance, etc., it is completely adopted as an EMC material ( Application) is impossible.

【0005】本発明はこの様な従来事情に鑑みてなされ
たもので、その目的とする処は、Ag合金材料からなる
電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面
に形成してなる可撓性に優れた電磁波遮蔽体であって、
柔軟性、形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)
を備え、主にEMC対策材料として応用展開が広く、
又、高温高湿等の環境下においても高い電磁波遮蔽能力
が継続的に保持されると言った耐候性等の材料的な安定
性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板と
の接合性(密着性)がより一層効果的に強化される等、
より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供すること
にある。
[0005] The present invention has been made in view of such a conventional situation, and a purpose thereof is to provide an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material on a surface of a substrate made of an elastomer material. It is an electromagnetic wave shield with excellent properties,
Flexibility, shape flexibility (bendability to complicated shapes)
With a wide range of applications mainly as an EMC countermeasure material,
Further, the material stability such as weather resistance, which is that high electromagnetic wave shielding ability is continuously maintained even in an environment such as high temperature and high humidity, is remarkably improved, and the bonding property with the elastomer material substrate ( Adhesion) is more effectively strengthened,
An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shield capable of obtaining higher reliability.

【0006】[0006]

【課題を達成するための手段】課題を達成するために、
本発明では電磁波遮蔽効果が高く化学的に安定であり、
しかも容易に製作が可能なAgを主成分として、Pdを
含有し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、少なくとも一種類以上の元素を含有するAg合金材
料からなる電磁波遮蔽膜を、導電性を有するエラストマ
ー材料基板の表面に形成してなることである。ここで、
電磁波遮蔽膜の厚さは複雑な形状への折り曲げ追随性等
を考慮すると例えば10〜500nm位が好ましい。又、上
記電磁波遮蔽膜を、電磁波遮蔽体の用途に応じて単膜、
又は2膜以上の複膜で基板の表面に構成することで、温
度や化学的に安定であり、様々な用途への適用を検討で
きるようにしたことである。又、上記電磁波遮蔽膜を、
0.1〜3.0wt%の範囲内でPdを添加し、更にC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくとも一
種類以上の元素を0.1〜3.0wt%の範囲内で添加
したAg合金材料から形成してなることである。又、上
記エラストマー材料としては、天然ゴム又はクロロプレ
ンゴム又はEPDM(エチレン・プロピレンとジエンと
のゴム状三元共重合体)等が挙げられる。
[Means for achieving the object] To achieve the object,
In the present invention, the electromagnetic wave shielding effect is high and chemically stable,
In addition, an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material containing Ag as a main component, Pd, and at least one or more of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo that can be easily manufactured. Is formed on the surface of a conductive elastomer material substrate. here,
The thickness of the electromagnetic wave shielding film is preferably, for example, about 10 to 500 nm in consideration of, for example, bending followability to a complicated shape. Further, the electromagnetic wave shielding film, a single film according to the use of the electromagnetic wave shield,
Alternatively, by forming a multilayer film of two or more films on the surface of the substrate, it is stable in temperature and chemical stability, and can be applied to various uses. Further, the electromagnetic wave shielding film,
Pd is added within the range of 0.1 to 3.0 wt%, and C is further added.
It is formed from an Ag alloy material to which at least one or more of u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is added in a range of 0.1 to 3.0 wt%. Examples of the elastomer material include natural rubber, chloroprene rubber, and EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene).

【0007】又、本発明では上記Ag合金材料が、蒸着
材料又はスパッタリングターゲット材料であり、蒸着法
又はスパッタリング法等の成膜プロセスにより電磁波遮
蔽膜を基板の表面に形成してなることである。
In the present invention, the Ag alloy material is a vapor deposition material or a sputtering target material, and the electromagnetic wave shielding film is formed on the surface of the substrate by a film forming process such as a vapor deposition method or a sputtering method.

【0008】又、本発明では上記電磁波遮蔽膜の上に、
耐蝕性及び耐候性に優れた材料からなる保護膜、又は耐
摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成してなること
である。
[0008] In the present invention, on the above-mentioned electromagnetic wave shielding film,
A protective film made of a material having excellent corrosion resistance and weather resistance, or a protective film made of a material having excellent wear resistance is formed.

【0009】又、本発明では上記基板と電磁波遮蔽膜と
の間に、基板と電磁波遮蔽膜との密着性を助長する密着
助長下地膜を形成してなることである。又、上記密着助
長下地膜の材料としては、ITO(酸化Inと酸化Sn
の複合酸化物)、IrO2、ZnO2、SiO2、Ti
2、Ta25、ZrO2から選ばれた少なくとも一種、
若しくはこれらを主成分とする二種類以上からなる金属
酸化物材料が好ましい。又は、Si、Ta、Ti、M
o、Cr、Alから選ばれた少なくとも一種、若しくは
これらを主成分とする二種類以上からなる材料が好まし
い。
Further, in the present invention, an adhesion promoting base film for promoting adhesion between the substrate and the electromagnetic wave shielding film is formed between the substrate and the electromagnetic wave shielding film. In addition, as a material of the adhesion promoting base film, ITO (In oxide and Sn oxide) is used.
Composite oxide), IrO 2 , ZnO 2 , SiO 2 , Ti
At least one selected from O 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 ;
Alternatively, a metal oxide material composed of two or more kinds containing these as main components is preferable. Or Si, Ta, Ti, M
It is preferable to use at least one selected from o, Cr, and Al, or a material composed of two or more of these as main components.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の実施の具体例について説
明する。図1は、本発明電磁波遮蔽体の実施の一例を示
した断面図で、後述するAg合金材料からなる電磁波遮
蔽膜1を、少なくとも導電性を有するエラストマー材料
からなる基板2の表面に密着助長下地膜3を介在して積
層形成してなる。
Embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the electromagnetic wave shield of the present invention, in which an electromagnetic wave shield film 1 made of an Ag alloy material described later is adhered to a surface of a substrate 2 made of at least a conductive elastomer material. It is formed by lamination with the ground film 3 interposed.

【0011】本発明では、Ag自体が保有する熱に対し
ての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくと
も100℃前後に加熱した場合に生じ易い表面拡散によ
る白濁化という現象を抑制することが重要である。即
ち、Agは最も電磁波の遮蔽能力については優れている
材料であると知られているが、例えば熱に対しての自己
拡散エネルギーが活発であるという問題が生じ易い。そ
のために、一時的であっても100℃前後の熱が印加さ
れる場合には、表面部に拡散現象が起り、Ag自体が保
有する光沢を失って白濁化してしまう。換言すれば、電
磁波の遮蔽能力に優れていると言うAg自体の特性が低
減してしまう。
[0011] In the present invention, the self-diffusion energy for the heat held by Ag itself is relaxed to suppress the phenomenon of clouding due to surface diffusion which is likely to occur when heated to at least about 100 ° C. is important. That is, Ag is known to be the material having the best electromagnetic wave shielding ability. However, for example, a problem that self-diffusion energy for heat is active is likely to occur. For this reason, when heat of about 100 ° C. is applied even temporarily, a diffusion phenomenon occurs on the surface, and the Ag itself loses its gloss and becomes cloudy. In other words, the characteristics of Ag itself, which is superior in electromagnetic wave shielding performance, are reduced.

【0012】そこで、Agは大変熱伝導率が良く、原子
単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱
伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制す
るために、Agに対して全率固溶体を形成する原子であ
るPdを0.1〜4.0wt%の組成範囲で任意に振っ
て添加して実験してみた。まず、スパッタリング装置に
AgとPdのスパッタリングをそれぞれ装着して、特定
のRFパワーでAg、Pdの放電量を制御して、Ar
(アルゴン)ガスを0.1〜3.0Paの間で任意に設
定して、2つの材料を同時にスパッタする。つまり、同
時スパッタリング法で数種類Pdの添加量を振ってAg
合金材料膜を形成した。この時の試験試料片としては、
100mm×100mm×1.1tの石英基板を用い
て、スパッタ・プロセス中の基板温度は常温(25℃前
後)で、スパッタガスとしてはArガスのみを用いて、
到達真空度としては3×10E-6Paという高真空雰
囲気中で、膜厚20nmで形成した。高真空雰囲気中で
成膜を行う理由としては、不純物ガス等が合金膜の粒界
に依存してしまうのを抑制して、緻密な膜を形成するこ
とで材料本来の物性を確認しようとするためである。
Therefore, Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic of easily absorbing and saturating heat in atomic units. Therefore, Ag is required to reduce thermal conductivity and to suppress active movement between atoms. An experiment was carried out by adding Pd, which is an atom forming a solid solution with respect to Ag, in a composition range of 0.1 to 4.0% by weight. First, each of sputtering of Ag and Pd is mounted on a sputtering apparatus, and the discharge amounts of Ag and Pd are controlled with a specific RF power to obtain Ar and Pd.
The (argon) gas is arbitrarily set between 0.1 and 3.0 Pa, and the two materials are sputtered simultaneously. In other words, the amount of addition of several types of Pd is changed by simultaneous sputtering, and Ag is added.
An alloy material film was formed. At this time, the test specimen
Using a quartz substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 t, the substrate temperature during the sputtering process is normal temperature (around 25 ° C.), and only Ar gas is used as a sputtering gas.
The film was formed with a film thickness of 20 nm in a high vacuum atmosphere of a ultimate vacuum degree of 3 × 10E-6 Pa. The reason for forming a film in a high vacuum atmosphere is to suppress the impurity gas and the like from being dependent on the grain boundaries of the alloy film and to confirm the original physical properties of the material by forming a dense film. That's why.

【0013】上記方法にて形成したAgを主成分とし
て、それに数種類の材料組成でPdを添加したAg合金
材料薄膜を、大気中でホットプレート上に載せて約2時
間放置して、白濁化の有無と白濁化が開始された温度を
観察する加熱試験を試みた。この時のホットプレートの
加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を2
50℃、加熱速度を20℃/minに設定した。その試
験結果を表1に示す。
An Ag alloy material thin film containing Ag formed as a main component and Pd added with several kinds of material compositions thereon is placed on a hot plate in the air and left for about 2 hours to reduce the white turbidity. A heating test was conducted to observe the presence / absence and the temperature at which clouding started. At this time, the heating method of the hot plate is a resistance heating method, and the heating temperature is 2
The heating rate was set to 50 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. Table 1 shows the test results.

【0014】[0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】一般的に、Pdを添加すると、Agの保有
する高温及び高湿(多湿)環境下での耐候性の無さが改
善されることはよく知られているが、熱を印加した場合
の耐表面拡散性については、表1のように顕著な差異を
確認することはできなく、Pdの添加による白濁化の低
減については、Agと比較して顕著な優位性を確認する
ことはできなかった。又、電磁波遮蔽能力は、加熱する
前と比較して、加熱後において2〜3%程度低下するこ
とが確認されたために、Pd添加による表面拡散防止効
果は確認することができなかった。
In general, it is well known that the addition of Pd improves the lack of weather resistance in a high-temperature and high-humidity (humid) environment possessed by Ag. No significant difference as shown in Table 1 can be confirmed with respect to the surface diffusion resistance of No. 1, and a remarkable superiority can be confirmed as compared with Ag with respect to the reduction of clouding due to the addition of Pd. Did not. Further, since it was confirmed that the electromagnetic wave shielding ability was reduced by about 2 to 3% after heating as compared to before heating, the effect of preventing surface diffusion due to the addition of Pd could not be confirmed.

【0016】実施例1 本発明では、まず始めに主成分となるAgに、0.1〜
3.0wt%Pdを添加し、更にCu、Au、Ti、C
r、Ta、Moの内、少なくとも一種類以上の元素を添
加して、少なくとも三元素以上の元素からなるAg合金
材料薄膜を形成して、熱による表面拡散の抑制を検討し
た。この時のCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、少なくとも一種類以上の元素の添加量は0.1〜
3.0wt%である。薄膜の成膜方法としては、Ag及
びPd、更にはCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内のいずれかのスパッタリングターゲット材料より一種
類選択してRFマグネトロンスパッタリング装置に装着
し、前記3つの金属元素を同時スパッタリングすること
で、三元素のAg合金材料からなる薄膜を作成した。こ
の時、試験基板としては100mm×100mm×1.
1tの石英基板を用いて、スパッタ・プロセス中の基板
温度は常温(25℃前後)で、スパッタガスとしてはA
r(アルゴン)ガスのみを用いて、到達真空度としては
3×10E-6Paという高真空雰囲気中で、膜厚は前
述したAg-Pdの二元素合金と同じ20nmで形成し
た。
Embodiment 1 In the present invention, first, Ag, which is a main component, is added in an amount of 0.1 to 0.1%.
3.0 wt% Pd is added, and Cu, Au, Ti, C
At least one element of r, Ta, and Mo was added to form an Ag alloy material thin film composed of at least three elements, and suppression of surface diffusion due to heat was studied. At this time, the addition amount of at least one element among Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is 0.1 to
3.0 wt%. As a method of forming a thin film, one selected from a sputtering target material of Ag and Pd, and further, any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is mounted on an RF magnetron sputtering apparatus. By simultaneously sputtering three metal elements, a thin film made of a three-element Ag alloy material was formed. At this time, the test substrate was 100 mm x 100 mm x 1.
Using a 1 t quartz substrate, the substrate temperature during the sputtering process is normal temperature (around 25 ° C.), and the sputtering gas is A
Using only r (argon) gas, the film was formed in a high vacuum atmosphere having a degree of ultimate vacuum of 3 × 10E-6 Pa with a film thickness of 20 nm, which is the same as that of the above-described Ag-Pd two-element alloy.

【0017】この方法での試験試料は、主成分となるA
gに、Pdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、
Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料薄膜を石英基板の表面に膜厚20nmで直接形成し
て、前述と同様に加熱温度を250℃に設定保持したホ
ットプレート上に載せて2時間放置して、白濁化の有無
と白濁化が開始された温度を観察する加熱試験を行っ
た。その試験結果を表2及び表3に示す。
The test sample in this method contains A as the main component.
g, Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and Cu,
A three-element Ag alloy material thin film obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of Au, Ti, Cr, Ta and Mo is directly formed on the surface of a quartz substrate with a thickness of 20 nm. In the same manner as described above, a heating test was performed in which the sample was placed on a hot plate maintained at a heating temperature of 250 ° C. and left for 2 hours, and the presence or absence of cloudiness and the temperature at which clouding was started were observed. The test results are shown in Tables 2 and 3.

【0018】[0018]

【表2】 [Table 2]

【0019】[0019]

【表3】 [Table 3]

【0020】すると、Ag或いはAgにPdを0.1〜
4.0wt%添加された二元素のAg-Pd合金材料で
は、前述の表1から分かるように少なからず膜の表面部
が白濁化して電磁波遮蔽能力が低下してしまうのに対
し、本発明のAgを主成分としてPdを0.1〜3.0
wt%添加し、更に第三元素としてCu、Au、Ti、
Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜3.
0wt%添加してなる三元素のAg合金材料では、白濁
化現象や電磁波遮蔽能力の低下が表2及び表3から分か
るように、全ての材料組成範囲で観察されなかった。
Then, Pd is added to Ag or Ag by 0.1 to 0.1%.
In the case of the two-element Ag-Pd alloy material added with 4.0 wt%, as is apparent from Table 1 above, the surface of the film becomes clouded and the electromagnetic wave shielding ability is reduced to a considerable extent. Ag is used as a main component and Pd is set to 0.1 to 3.0.
wt%, and Cu, Au, Ti,
Any one of Cr, Ta, and Mo is used in 0.1 to 3.
As can be seen from Tables 2 and 3, in the three-element Ag alloy material to which 0 wt% was added, no clouding phenomenon or reduction in electromagnetic wave shielding ability was observed in all the material composition ranges.

【0021】そこで、250℃で加熱試験を行った様々
な材料組成範囲で形成されるAg合金材料膜が堆積され
た石英基板を、更に400℃に加熱されたホットプレー
ト上に2時間放置してみた場合でも、何れの材料組成範
囲においても白濁化や電磁波遮蔽能力の低下が観察され
なかった。
Then, the quartz substrate on which the Ag alloy material films formed in various material composition ranges subjected to the heating test at 250 ° C. are further left on a hot plate heated to 400 ° C. for 2 hours. In any case, no clouding or reduction in electromagnetic wave shielding ability was observed in any of the material composition ranges.

【0022】又、Pdを全く添加せずにCu、Au、T
i、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜
3.0wt%添加してなる二元素のAg合金材料薄膜を
前述の通り、スパッタリング法により同時に石英基板に
膜厚15nmにて直接形成した試験試料を用い、同じく
250℃と400℃の両方で加熱して経時変化を観察す
る加熱試験を行ったところ、全ての膜が白濁化、そして
電磁波遮蔽能力が低下してしまうことが確認された。
In addition, Cu, Au, T
Any one of i, Cr, Ta, and Mo is 0.1 to
As described above, a test sample in which a two-element Ag alloy material thin film to which 3.0 wt% was added was directly formed on a quartz substrate with a thickness of 15 nm by a sputtering method at the same time was heated at both 250 ° C. and 400 ° C. When a heating test was performed to observe changes over time, it was confirmed that all the films became cloudy and the electromagnetic wave shielding ability was reduced.

【0023】この様に、主成分とするAgに、0.1〜
3.0wt%のPdを添加し、更に第三の元素として
0.1〜3.0wt%のCu、Au、Ti、Cr、T
a、Moの内、いずれか一種類を添加してなる三元素の
Ag合金材料にすることにより、耐熱性の大幅な改善が
認められ、しかも、Ag自体の保有する電磁波遮蔽効果
に対しての高い遮蔽能力を低下させること無く保持でき
ることが分かった。
As described above, the content of Ag as the main component is 0.1 to
3.0 wt% of Pd is added, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, Ti, Cr, T
By using a three-element Ag alloy material obtained by adding any one of a and Mo, a significant improvement in heat resistance is recognized, and furthermore, the electromagnetic wave shielding effect of Ag itself is reduced. It has been found that the high shielding ability can be maintained without deteriorating.

【0024】実施例2 又、本発明ではこの様に耐熱性に富んだ各材料組成範囲
のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1の加熱試験を行
った際に、薄膜の端部に若干の剥離が観察され、少なく
とも特定の材質からなる基板に対して密着性が弱いこと
が確認されたことから、基板と各材料組成範囲の三元素
のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1との密着性につ
いて検討した。
Example 2 In the present invention, when a heating test was performed on the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material having various material composition ranges having a high heat resistance, a slight peeling was observed at the end of the thin film. Was observed, and it was confirmed that the adhesion was at least weak to a substrate made of a specific material. Therefore, the adhesion between the substrate and the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material of each material composition range was determined. investigated.

【0025】そこで、本発明では前述した各材料組成範
囲の三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1の密
着力を確認するために、少なくとも導電性を有するエラ
ストマー材料、特に後述する各種の材料からなる基板2
の表面に、これまでと同様に三元素同時スパッタリング
法にて15nmの厚みの薄膜を直接形成した後、ピール
試験法により密着性を確認する試験を試みた。すると、
各種の材質からなるいずれの基板2に対しても密着性が
必ずしも高くないことが確認されたため、各種の材質か
らなる基板2と各材料組成範囲からなる三元素のAg合
金材料の電磁波遮蔽膜1との間に、両者間の密着性を助
長する特定の密着助長下地膜3を中間下地として形成す
ることで、密着性を更に検討した。
Therefore, in the present invention, in order to confirm the adhesion of the electromagnetic wave shielding film 1 made of the three-element Ag alloy material in each of the above-described material composition ranges, at least a conductive elastomer material, in particular, various materials described below. Substrate 2 consisting of
After forming a thin film having a thickness of 15 nm directly on the surface of the substrate by a three-element simultaneous sputtering method as in the past, a test for confirming adhesion by a peel test method was attempted. Then
Since it was confirmed that the adhesiveness was not necessarily high for any substrate 2 made of various materials, the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material consisting of various material compositions and a substrate 2 made of various materials was used. In the meantime, the adhesion was further studied by forming a specific adhesion promoting base film 3 which promotes the adhesion between them as an intermediate base.

【0026】基板2を作るエラストマー材料としては、
天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM(エチレン
・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体)等が挙
げられる。
As an elastomer material for forming the substrate 2,
Natural rubber, chloroprene rubber, EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene) and the like can be mentioned.

【0027】密着助長下地膜3の材料としては、酸素や
前述の各種の材質からなる基板2に対して材料的に安定
であり、更には少なくとも三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1と密着性が良いと言うことを検討し
て、Si、Ta、Ti、Mo、Cr、Al、ITO(酸
化Inと酸化Snの複合酸化物)、IrO2、ZnO2
SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等を、各種の材
質からなる基板2の表面にRFスパッタリング法で形成
した後、その上にこれまでと同様に三元素同時スパッタ
リング法にて様々な各材料組成範囲の三元素のAg合金
材料からなる電磁波遮蔽膜1を形成して、ピール試験を
行ってみたところ、中間下地として密着助長下地膜3を
介在することで、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材質からなる基板2に対する電磁波遮
蔽膜1の密着性が大きく向上し、各種の材質からなる基
板2との接合性がより一層効果的に強化されることが分
かった。
The material of the adhesion promoting base film 3 is materially stable with respect to the substrate 2 made of oxygen or the above-mentioned various materials. Further, the material of the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material of at least three elements is used. Considering that adhesion is good, Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO (composite oxide of In oxide and Sn oxide), IrO 2 , ZnO 2 ,
After forming SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2, etc. on the surface of the substrate 2 made of various materials by the RF sputtering method, various kinds of the three-element simultaneous sputtering method are performed thereon as in the past. When an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material having various material composition ranges was formed and a peel test was performed, natural rubber or chloroprene rubber was obtained by interposing an adhesion-promoting underlayer 3 as an intermediate substrate. Or E
It has been found that the adhesion of the electromagnetic wave shielding film 1 to the substrate 2 made of various materials such as PDM is greatly improved, and the bondability with the substrate 2 made of various materials is further effectively enhanced.

【0028】この場合に、各種の材質からなる基板2の
密着助長下地膜3としては、Si、Ta、Ti、Mo、
Cr、Al、ITO、ZnO2、SiO2、TiO2、T
2 5、ZrO2が望ましいが、各種の材料からなる基
板2の表面で検討する場合にはITO、ZnO2、Si
2、TiO2、Ta25、ZrO2等の金属酸化物薄膜
が望ましい。その理由としては、天然ゴム又はクロロプ
レンゴム又はEPDMからなる基板2は特定の純度や材
質の場合にはガスの発生が大変多い。又、金属はその発
生ガスと反応が強い。又、Ag合金材料と密着させる接
合界面に反応浮動体被膜(例えば酸化膜等)を生じる可
能性が高い等から適切であるとは検討し難いからであ
る。
In this case, the substrate 2 made of various materials
As the adhesion promoting base film 3, Si, Ta, Ti, Mo,
Cr, Al, ITO, ZnOTwo, SiOTwo, TiOTwo, T
aTwoO Five, ZrOTwoIs desirable, but a group consisting of various materials
When examining on the surface of the plate 2, ITO, ZnOTwo, Si
OTwo, TiOTwo, TaTwoOFive, ZrOTwoMetal oxide thin film
Is desirable. The reason is that natural rubber or chlorop
The substrate 2 made of ren rubber or EPDM has a specific purity and material.
In the case of quality, gas generation is very high. In addition, metal
Strong reaction with raw gas. In addition, the contact to make close contact with the Ag alloy material
A reactive floating body film (for example, oxide film etc.) may be formed at the interface.
It is difficult to consider that it is appropriate because of its high efficiency.
You.

【0029】又、スパッタリング法で密着助長下地膜3
を基板2の表面に形成する場合には、スパッタリング法
が真空雰囲気中で行われるに際して、装置内雰囲気を真
空にするための大気から真空への切り替え中で天然ゴム
又はクロロプレンゴム又はEPDMからなる基板の場合
にはガスを発生するために、基板2と密着助長下地膜3
との界面も不安定になり易いためである。
Also, the adhesion promoting base film 3 is formed by sputtering.
Is formed on the surface of the substrate 2, when the sputtering method is performed in a vacuum atmosphere, the substrate made of natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM is switched during switching from the atmosphere to a vacuum to evacuate the atmosphere in the apparatus. In the case of (1), a gas is generated.
This is because the interface with the substrate tends to be unstable.

【0030】又、密着助長下地膜3を検討する上で重要
な課題としては、容易に膜の形成が可能であるかどうか
という点であるが、例えばSi、Ta、Ti、Mo、C
r、Al等の金属膜は、蒸着法、スパッタリング法、C
VD法、イオンプレーティング法のいずれでも膜の成膜
が可能であるために、少なくとも三元素のAg合金材料
膜を成膜する方法と連動することが可能であるために、
汎用的な有用性は高いと検討することができる。
An important issue when studying the adhesion-promoting base film 3 is whether or not the film can be easily formed. For example, Si, Ta, Ti, Mo, C
Metal films such as r and Al can be formed by vapor deposition, sputtering, C
Since the film can be formed by any of the VD method and the ion plating method, it can be interlocked with a method of forming at least a three-element Ag alloy material film.
General utility can be considered high.

【0031】又、ITO、ZnO2、SiO2、Ti
2、Ta25、ZrO2等の金属酸化物薄膜において
も、蒸着法、スパッタリング法,イオンプレーティング
法で容易に形成することが可能であり、例えばブラウン
管モニターや液晶表示素子等側に形成するAR(反射防
止)コートについては、密着助長下地膜3を各種の材料
からなる基板2の表面に形成し、更には電磁波遮蔽の目
的として少なくとも三元素のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1を0.5〜1.2nmで形成し、その上部に
ARコートを形成することで、ブラウン管モニター(C
RT)や液晶表示素子で課題にされていた電磁波に対し
ての遮蔽効果として顕著な効果を確認することができ
た。
Also, ITO, ZnO 2 , SiO 2 , Ti
Metal oxide thin films such as O 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 can be easily formed by a vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method. As for the AR (anti-reflection) coat to be formed, the adhesion promoting base film 3 is formed on the surface of the substrate 2 made of various materials, and the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material of at least three elements for the purpose of electromagnetic wave shielding. Is formed at a thickness of 0.5 to 1.2 nm, and an AR coat is formed on the top of the monitor to obtain a CRT monitor (C
RT) and a remarkable effect as an effect of shielding against electromagnetic waves, which has been a problem in liquid crystal display devices, could be confirmed.

【0032】実施例3 又、電磁波遮蔽膜1の材料として、Agはこれまでに記
述した通り、表面拡散や大気中、或いは天然ゴム又はク
ロロプレンゴム又はEPDM基板2を用いる場合では、
その基板2から放出されるガス等による変色作用が強い
ために、汎用性が高くないと判断されて課題とされてき
た。
Example 3 As described above, Ag was used as a material for the electromagnetic wave shielding film 1 in the case of surface diffusion, in air, or when natural rubber, chloroprene rubber, or an EPDM substrate 2 was used.
Since the discoloration effect due to the gas and the like emitted from the substrate 2 is strong, it has been determined that the versatility is not high and has been a problem.

【0033】そこで、本発明では耐熱や変色作用に対し
て耐食性、耐久性が確認されているAgを主成分として
Pdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料が電
磁波遮蔽に対して、どの様な遮蔽効果が得られるかを検
討した。
Therefore, in the present invention, 0.1 to 3.0 wt% of Pd is added with Ag as a main component, which has been confirmed to have corrosion resistance and durability against heat resistance and discoloration, and Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
A study was conducted to determine what shielding effect can be obtained with respect to the electromagnetic wave shielding by the three-element Ag alloy material added by about 3.0 wt%.

【0034】この方法の試験試料として、これまでと同
様に3元素同時スパッタリング法で天然ゴム又はクロロ
プレンゴム又はEPDM等の各種の材質からなる全ての
基板2の表面に、前述した三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1を形成し、それをKEC法(関西電子
振興センター考案の装置)により測定して電磁波遮蔽能
力を確認した。ここでは、前述した各種の材質からなる
全ての基板2に対して各材料組成範囲のAg合金材料か
らなる電磁波遮蔽膜1を直接形成した積層構造のもの
と、中間下地として例えばITO、ZnO2、SiO2
からなる密着助長下地膜3を基板2の表面に形成してそ
の上に電磁波遮蔽膜1を形成した積層構造(図1参照)
のものとを同時にその電磁波遮蔽能力の分析を行い。更
に、Ag合金材料自体と中間下地を形成して、その中間
下地の上にAg合金材料薄膜を形成したものとで差異が
あるかどうかを合わせて確認した。
As a test sample of this method, the three-element Ag alloy described above was applied to the surface of all substrates 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM by a three-element simultaneous sputtering method as before. An electromagnetic wave shielding film 1 made of a material was formed, and the film was measured by a KEC method (a device devised by Kansai Electronics Promotion Center) to confirm the electromagnetic wave shielding ability. Here, a laminated structure in which the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material of each material composition range is directly formed on all the substrates 2 made of various materials described above, and an intermediate base such as ITO, ZnO 2 , A laminated structure in which an adhesion promoting base film 3 made of SiO 2 or the like is formed on the surface of the substrate 2 and an electromagnetic wave shielding film 1 is formed thereon (see FIG. 1).
The analysis of the electromagnetic wave shielding ability was carried out at the same time. Furthermore, it was also checked whether there was any difference between the Ag alloy material itself and the intermediate underlayer formed, and the Ag alloy material thin film formed on the intermediate underlayer.

【0035】すると、電磁波遮蔽効果に対して、Au、
Al、Cu及びAg等の材料からなる電磁波遮蔽膜と比
較して大きな優位差が有ることが確認でき、少なくとも
三元素からなるAg合金材料の場合には、前記材料では
得ることができなかった電磁波遮蔽効果に対しての高い
電磁波遮蔽能を得ることが可能であることを確認するこ
とができた。又、例えば100MHzの低周波域から1
GHz域までの広域において、少なくとも約30dB
(電磁波の強度がもとの0.1%程度の減衰)の電磁波
遮蔽特性を示していることを確認することができた。
又、可視光線透過率は70.4%、日射光線透過率は5
8.2%であった。又、中間下地として基板の表面にI
TO、ZnO2、SiO2等からなる密着助長下地膜を形
成してその上に少なくとも三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1を形成した積層構造の電磁波遮蔽体の
場合で、単層(単膜)の電磁波遮蔽膜の場合と比較して
も電磁波遮蔽効果に対しての遮蔽能力の低下が認められ
ず、単層(単膜)の電磁波遮蔽膜の場合と同様に高い遮
蔽能力が保持されていることが確認できた。
Then, for the electromagnetic wave shielding effect, Au,
It can be confirmed that there is a significant difference as compared with the electromagnetic wave shielding film made of a material such as Al, Cu, and Ag. In the case of an Ag alloy material composed of at least three elements, the electromagnetic wave could not be obtained with the material. It was confirmed that it was possible to obtain a high electromagnetic wave shielding ability with respect to the shielding effect. Also, for example, from the low frequency range of 100 MHz, 1
At least about 30 dB over a wide range up to GHz
It was confirmed that the sheet exhibited an electromagnetic wave shielding characteristic of (the intensity of the electromagnetic wave was about 0.1% of the original attenuation).
The visible light transmittance is 70.4% and the solar light transmittance is 5
8.2%. Also, as an intermediate base, I
In the case of an electromagnetic wave shielding body having a laminated structure in which an adhesion promoting base film made of TO, ZnO 2 , SiO 2, etc. is formed, and an electromagnetic wave shielding film 1 made of at least three elements of an Ag alloy material is formed thereon, a single layer ( No reduction in the shielding performance against the electromagnetic wave shielding effect was observed even when compared with the case of the single-layer (single-layer) electromagnetic wave shielding film, and the high shielding ability was maintained as in the case of the single-layer (single-layer) electromagnetic wave shielding film It was confirmed that it was done.

【0036】この場合に、望ましくはITO及びZnO
2等の導電性酸化物を密着助長下地膜3として基板2と
電磁波遮蔽膜1との間に設けることで、電磁波遮蔽効果
が少なくともSiO2を設けた場合と比較して高いと言
うことが確認できた。
In this case, preferably, ITO and ZnO are used.
By providing a conductive oxide such as 2 between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1 as the adhesion promoting base film 3, it was confirmed that the electromagnetic wave shielding effect was higher than at least when SiO 2 was provided. did it.

【0037】又、この場合の密着助長下地膜3の材料と
しては、より低抵抗であることが望ましく。低抵抗であ
って、更に非磁性導電膜であることで顕著に優位差を確
認することができるために、少なくともZnO2よりも
ITOの方が高い電磁波遮蔽能力を得る場合においては
効果が高いということが確認できた。この理由として
は、電磁波遮蔽を目的として少なくとも三元素のAg合
金材料及び、このAg合金材料薄膜と基板との間に特定
の中間下地膜を設けて、その多層膜自体に電界を加えた
場合に、この多層膜の内部に導電電流が流れ、この電気
エネルギーが熱エネルギーに変換され、更にはこの熱エ
ネルギーへの変換を行う発熱機構が主とした起因とされ
て、電磁波が吸収されて導電損失が起こるからである。
In this case, it is desirable that the material of the adhesion promoting base film 3 has a lower resistance. Since the resistance is low and a significant difference can be confirmed by being a non-magnetic conductive film, ITO is more effective at least when ZnO 2 is used to obtain a higher electromagnetic wave shielding ability than ZnO 2. That was confirmed. The reason for this is that when an Ag alloy material of at least three elements and a specific intermediate base film are provided between the Ag alloy material thin film and the substrate for the purpose of shielding electromagnetic waves, and an electric field is applied to the multilayer film itself, A conduction current flows inside the multilayer film, and this electric energy is converted into heat energy. Further, a heat generation mechanism that converts the heat energy into heat energy is mainly caused by absorption of electromagnetic waves and conduction loss. Because it happens.

【0038】又、この導電損失は導電電流が抵抗少なく
流れた分に依存して効果は高いために、電磁波遮蔽膜の
抵抗が低ければ低いほど優位差が顕著にでる。しかし、
AgやAl、Cuについては材料の原子自体の移動、つ
まり、エレクトロマイグレーション現象による電気エネ
ルギーから熱エネルギーへの変換である発熱機構が、時
間の経過と共に減衰してしまうために、少なくとも特定
の膜厚を設けることで減衰作用を低減してきたが、本発
明によるAgを主成分としてPdを0.1〜3.0wt
%添加し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加してな
る三元素のAg合金材料においては膜自体の金属原子間
移動が活発ではないために、減衰作用が著しく低下する
と言うことが分かった。
The effect of this conduction loss is high depending on the amount of the conduction current flowing with a small resistance, so that the lower the resistance of the electromagnetic wave shielding film, the more significant the difference becomes. But,
For Ag, Al, and Cu, the movement of the atoms of the material itself, that is, the heat generation mechanism that converts electric energy into heat energy by the electromigration phenomenon is attenuated with the passage of time. Provided, the damping action has been reduced, but Pd containing 0.1 to 3.0 wt.
%, And 0.1 to 3.0 wt% of any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is added. It has been found that the damping effect is significantly reduced because the movement is not active.

【0039】又、ここでITO、ZnOに代表される導
電性酸化物ではなく、例えば絶縁であることを特徴とす
るSiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等の誘電体を
Ag合金材料と基板との間に中間下地として介在した場
合では、Ag合金材料の保有する高い導電損失の効果に
加えて、誘電損失と呼ばれる高周波での電磁波エネルギ
ーの吸収と言う効果も行われて両者の相乗効果による電
磁波の高遮蔽効果が得られるために、少なくとも中間下
地膜として介在する金属酸化膜としては導電性を有する
材料に限定する必要は無い。少なくともAgを主成分と
してPdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料によって形成される電磁波遮蔽膜1においては、S
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Al等の金属膜、若しく
はITO、IrO 2、ZnO2、SiO2、TiO2、Ta
25、ZrO2等の金属酸化膜、及び金属複合酸化物の
材料の内、どの材料においても、Ag合金材料膜と基板
との中間下地膜として介在した場合には相対的に確認し
て差異が無く、いずれの場合であっても高い電磁波遮蔽
効果があることが確認できた。
In addition, here, the conductivity represented by ITO and ZnO is
It is not an electrically conductive oxide but is, for example, an insulating material.
SiOTwo, TiOTwo, TaTwoOFive, ZrOTwoSuch as dielectric
When an intermediate base is interposed between the Ag alloy material and the substrate
In the case, the effect of the high conduction loss possessed by the Ag alloy material
In addition, electromagnetic wave energy at high frequencies called dielectric loss
The effect of the absorption of the
In order to obtain a high magnetic wave shielding effect,
Conductive as metal oxide film interposed as ground film
There is no need to limit the material. Ag at least as a main component
Then, Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and Cu and A are further added.
u, Ti, Cr, Ta, Mo
Ag alloy material of three elements added by 0.1 to 3.0 wt%
In the electromagnetic wave shielding film 1 formed by the material, S
Metal film of i, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, etc.
Is ITO, IrO Two, ZnOTwo, SiOTwo, TiOTwo, Ta
TwoOFive, ZrOTwoEtc. of metal oxide films and metal composite oxides
Ag alloy material film and substrate
If it is interposed as an intermediate base film,
No difference, high electromagnetic wave shielding in any case
The effect was confirmed.

【0040】実施例4 又、これまでは耐食性及び耐熱性に富んでいるAg合金
材料としてはAgに1〜3wt%のPdを添加されてな
る二元素のAg-Pd合金、若しくはAgに1〜10w
t%のAuを添加されてなるAg-Au合金が広く知ら
れているが、このAg-Pd合金とAg-Au合金のいず
れの合金を用いて形成した合金膜でも、高温高湿(多
湿)環境下で耐候性試験を行った際に、黒色の斑点が観
察できた。
Example 4 Further, as an Ag alloy material which has so far been excellent in corrosion resistance and heat resistance, a two-element Ag-Pd alloy obtained by adding 1 to 3 wt% of Pd to Ag, or a 1 to 1 element in Ag 10w
Ag-Au alloys to which t% Au is added are widely known. However, even if an alloy film formed using any of the Ag-Pd alloy and the Ag-Au alloy is used, high-temperature, high-humidity (high humidity) When the weather resistance test was performed in an environment, black spots were observed.

【0041】そのため、この黒色斑点物を光学顕微鏡で
観察して見たところ、この黒色の斑点物がPdのH2融
解作用の固溶限界になり、黒色化して励起反応を起こし
て隆起物となっていることが確認できたために、例えば
雨季等における高い湿気、或いは湿度の高い地域化での
長期信頼性に対しては安定性が欠けると言うことが分か
った。
Therefore, when the black spots were observed with an optical microscope and observed, the black spots reached the solid solution limit of the H2 melting action of Pd, and turned black to cause an excitation reaction to become protrusions. Therefore, it was found that, for example, stability was lacking for long-term reliability in high humidity or localization with high humidity in the rainy season or the like.

【0042】又、AgとAuは全率固溶する安定な合金
であることはよく知られているが、このAg-Au合金
膜は塩素をはじめとする耐ハロゲン系元素性に決して富
んではいないために、耐候性試験中に空気が混入してお
り、空気内に含有する塩素やヨウ素と原子的に結合した
ことでこの様な黒色斑点が得られたことが分かった。
It is well known that Ag and Au are solid alloys in which the solid solution is completely dissolved. However, this Ag—Au alloy film is not rich in chlorine and other halogen-based elements. For this reason, air was mixed during the weather resistance test, and it was found that such black spots were obtained by atomic bonding with chlorine and iodine contained in the air.

【0043】又、Ag-Pdの2元合金は耐熱性が高く
ないことが、前述した表1で示されているように、温度
が高かったり、太陽光から集中する熱線に対して安定性
に問題があることが確認されている。
Also, as shown in Table 1 above, the binary alloy of Ag-Pd does not have high heat resistance, as shown in Table 1 above, because of its high stability against heat rays concentrated from sunlight. Known problems.

【0044】そこで、本発明では耐熱性が高いことが確
認されているAgを主成分としてPdを0.1〜3.0
wt%添加し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、M
oの内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加し
てなる三元素のAg合金材料が、温度90℃、湿度90
%の高温高湿(多湿)の環境下での耐候性について、安
定性が少なくとも二元素のAg-Pd合金と比較してど
の様な結果が得られるかを実験してみた。
Therefore, in the present invention, Pd is contained in a content of 0.1 to 3.0 mainly containing Ag which has been confirmed to have high heat resistance.
wt%, Cu, Au, Ti, Cr, Ta, M
a three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of the above-described materials to a temperature of 90 ° C. and a humidity of 90 ° C.
An experiment was conducted to find out what results can be obtained with respect to the weather resistance in a high-temperature, high-humidity (humidity) environment in comparison with an Ag-Pd alloy having at least two elements.

【0045】この方法として、前述と同様に3元同時ス
パッタリング法で天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材料からなる全ての基板1の表面に、
前述した各材料組成範囲の三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1を形成して、それを温度90℃、湿度
90%の高温高湿雰囲気中で経時変化の発生の有無を確
認してみた。この時、各種の材質からなる全ての基板2
に対してAgを主成分としてPdを0.1〜3.0wt
%添加し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加してな
る三元素のAg合金材料を直接形成したものと、例えば
ITO、ZnO2、ZnO2-Al23複合酸化物、Si
2等を形成して得たものとを同時に耐候性の試験を行
い。同時に、Ag合金材料自体と中間下地膜として前述
の密着助長下地膜3を形成し、その下地膜の上にAg合
金材料を形成した場合とで差異があるかどうかを合わせ
て確認した。
In this method, as described above, natural rubber or chloroprene rubber or E
On the surface of all substrates 1 made of various materials such as PDM,
An electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material of each of the above-described material composition ranges is formed, and it is checked whether there is any change with time in a high-temperature and high-humidity atmosphere at a temperature of 90 ° C. and a humidity of 90%. saw. At this time, all the substrates 2 made of various materials are used.
And Pd containing 0.1 to 3.0 wt% with Ag as a main component.
%, And further, a directly formed three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo. ITO, ZnO 2 , ZnO 2 -Al 2 O 3 composite oxide, Si
A weather resistance test was conducted simultaneously with those obtained by forming O 2 and the like. At the same time, it was also checked whether there was any difference between the case where the Ag alloy material itself and the above-mentioned adhesion promoting base film 3 were formed as an intermediate base film and the Ag alloy material was formed on the base film.

【0046】すると、Agを主成分としてPdを0.1
〜3.0wt%添加して、更にはCu、Au、Ti、C
r、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜3.0
wt%添加してなる三元素のAg合金材料によって形成
された電磁波遮蔽膜の単層(単膜)の場合でも、図1に
例示したように三元素のAg合金材料かなる電磁波遮蔽
膜1の中間下地にITO、ZnO2、SiO2から選ばれ
た材料からなる密着助長下地膜3を用いて形成した電磁
波遮蔽体になった場合でも、単層(単膜)のAg合金材
料膜と比較して耐候性が高いことが確認できた。
Then, Pd is made 0.1 with Ag as the main component.
To 3.0 wt%, and further, Cu, Au, Ti, C
Any one of r, Ta, and Mo is 0.1 to 3.0.
Even in the case of a single layer (single film) of an electromagnetic wave shielding film formed of a three-element Ag alloy material added by wt%, as shown in FIG. Even when the electromagnetic wave shield is formed using the adhesion-promoting base film 3 made of a material selected from ITO, ZnO 2 , and SiO 2 as the intermediate base, it is compared with a single-layer (single-layer) Ag alloy material film. It was confirmed that the weather resistance was high.

【0047】この結果として、Agを主成分としてPd
を0.1〜3.0wt%添加して、更にはCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料膜で
は、それを上膜として基板との間に任意で酸化物を形成
した場合でも下地に依存すること無く、耐熱性及び耐候
性が高く、更には電磁波遮蔽能力を保持することが確認
され、近年のEMC対策材料用の電磁波遮蔽体として応
用展開が広い等の有用性が高いことが確認できた。
As a result, Pd containing Ag as a main component
Of 0.1 to 3.0 wt%, and further, Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
In the case of a three-element Ag alloy material film with an addition of up to 3.0 wt%, even if an oxide is arbitrarily formed between the Ag alloy material film and the substrate as an upper film, the heat resistance and the weather resistance are not dependent on the underlayer. It has been confirmed that it has high electromagnetic wave shielding ability, and that it is highly useful as an electromagnetic wave shielding body for recent EMC countermeasure materials, such as a wide range of applications.

【0048】又、本発明ではAgを主成分としてPdを
0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、Au、Ti、
Cr、Ta、Moの内、少なくとも一種類以上の元素を
合計で0.1〜3.0wt%添加してなる三元素以上か
ら構成されるAg合金材料膜の化学的安定性を確認する
ために、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM等
の各種の材質からなる基板2の表面に、これまでと同様
に三元同時スパッタリング法にて15nmの厚みの電磁
波遮蔽膜1を形成した試験試料を用いて、温度90℃、
湿度90%の高温高湿(多湿)の環境下で24時間放置
してその外観や電磁波遮蔽特性の経時変化を観察してみ
た。その試験結果を表4及び表5に示す。
Further, in the present invention, 0.1 to 3.0 wt% of Pd containing Ag as a main component is added, and Cu, Au, Ti,
In order to confirm the chemical stability of an Ag alloy material film composed of three or more elements in which at least one element of Cr, Ta, and Mo is added in a total of 0.1 to 3.0 wt% in total. Using a test sample in which an electromagnetic wave shielding film 1 having a thickness of 15 nm was formed on the surface of a substrate 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM by a ternary simultaneous sputtering method as before, Temperature 90 ° C,
It was left for 24 hours in a high-temperature, high-humidity (humid) environment at a humidity of 90%, and its appearance and changes over time in electromagnetic wave shielding characteristics were observed. Tables 4 and 5 show the test results.

【0049】[0049]

【表4】 [Table 4]

【0050】[0050]

【表5】 [Table 5]

【0051】表4及び表5から明らかなように、24時
間放置後でも材料に経時変化が観察されなかったため
に、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM等の各
種の材料からなる基板の表面に形成したAgを主成分と
してPdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料膜の電磁波遮蔽能力をKEC法(関西電子振興センタ
ー考案の装置)により測定して観察してみたが、100
MHzの低周波域から1GHz域までの広域において、
電磁波遮蔽能力の低下が確認されなかった。この様に、
Agを主成分とする三元素のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1は、化学的安定性が高く、天然ゴム又はクロ
ロプレンゴム又はEPDM等の各種の材料からなる全て
の基板2に対して制限されないことが分かった。
As is clear from Tables 4 and 5, since no change with time was observed in the material even after standing for 24 hours, it was formed on the surface of a substrate made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber or EPDM. Ag is used as a main component, and Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%.
The electromagnetic wave shielding ability of a three-element Ag alloy material film formed by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of u, Ti, Cr, Ta, and Mo was determined by the KEC method (Kansai Electron Promotion Center devised). Device) and observed.
In a wide range from the low frequency range of 1 MHz to the 1 GHz range,
No decrease in electromagnetic wave shielding ability was confirmed. Like this
The electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material containing Ag as a main component has high chemical stability and is not limited to all substrates 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM. I understood that.

【0052】又、これとは別に、本発明で得られた電磁
波遮蔽体の近傍界測定による100MHzの低周波域か
ら1GHz域までの電界強度減衰率(dB)が20dB
以上であることが求められることから、100MHzの
低周波域から1GHz域における電波吸収能(dB)、
可撓性(cm)を測定してみた。尚、可撓性測定につい
ては適宜の大きさ(例えば幅10mmの短冊状)に切断
した試験試料(本発明で得られた電磁波遮蔽体)の端部
を押えながら実験台の端部から徐々に試験試料を出して
行き、垂れ下った部分が丁度90°となった時点での実
験台上の試験試料の長さを測定することにより指標し
た。その測定結果を表6に示す。尚、近傍界とは、電波
工学において波長をλとした場合、λ/6波長以内の距
離における電解を意味する。又、電界強度減衰率とは、
電磁波遮蔽能力の指標であり、いずれも測定原理を等し
くする自動化測定装置により材料の電磁波遮蔽能が測定
される。
Separately from this, the electric field intensity attenuation rate (dB) from the low frequency range of 100 MHz to the 1 GHz range by the near-field measurement of the electromagnetic wave shield obtained by the present invention is 20 dB.
Because of the above requirements, the radio wave absorptivity (dB) in the low frequency range of 100 MHz to the 1 GHz range,
The flexibility (cm) was measured. For the measurement of flexibility, the test sample (the electromagnetic wave shield obtained in the present invention) cut into an appropriate size (for example, a strip having a width of 10 mm) was gradually pressed from the end of the test table while pressing the end. The test sample was taken out, and the index was obtained by measuring the length of the test sample on the bench at the time when the hanging portion became just 90 °. Table 6 shows the measurement results. The near field means the electrolysis at a distance of λ / 6 wavelength or less when the wavelength is λ in radio wave engineering. Also, the electric field intensity attenuation rate is
It is an index of the electromagnetic wave shielding ability, and the electromagnetic wave shielding ability of the material is measured by an automatic measuring device that makes the measurement principle the same.

【0053】比較例 比較例として、両末端にジメチルビニルシチル基である
メリルビニルシロキサン単位を0.06%含有する平均
重合度約6,000のビニル基含有ポリジメリルシロキ
サン100部に導電性カーボンブラックとしてフャーネ
スブラック「♯3030B」(三菱化学(株)製)40
部とけい素土10部をニーダーに仕込み、混練を行った
後、更に架橋剤として2,5−ジメチ−2,5−ジ−t
−ブチルパーオキシヘキサン1.5部を加え、均一なシ
リコーンボムコンパウンドを得た。そして、このコンパ
ウンドを170℃×10分間の条件でプレス成形により
厚さ1nm、1辺が100mm四方のゴム板を形成した
後に200℃で4時間加硫を行うことで試験試料を作成
したった。又、電磁波吸収能測定試料として、厚さ7.
5nm、1辺が50mm使用のゴム板を前述と同様の方
法、手順で作成した。
Comparative Example As a comparative example, 100 parts of a vinyl group-containing polydimerylsiloxane having an average degree of polymerization of about 6,000 and containing 0.06% of a merylvinylsiloxane unit, which is a dimethylvinylcytyl group, at both terminals was added to conductive carbon. Furness Black "# 3030B" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 40 as black
Parts and 10 parts of silicon earth were charged into a kneader and kneaded, and then 2,5-dimethyl-2,5-di-t was used as a crosslinking agent.
1.5 parts of butyl peroxyhexane were added to obtain a uniform silicone bomb compound. Then, a test sample was prepared by forming a rubber plate having a thickness of 1 nm and a side of 100 mm on each side by press molding the compound at 170 ° C. for 10 minutes and vulcanizing at 200 ° C. for 4 hours. In addition, as a sample for measuring the electromagnetic wave absorption capacity, a thickness of 7.
A rubber plate having a thickness of 5 nm and a side of 50 mm was prepared by the same method and procedure as described above.

【0054】[0054]

【表6】 [Table 6]

【0055】表6から明らかなように、主成分とするA
gに、0.1〜3.0wt%のPdを添加し、更に第三
の元素として0.1〜3.0wt%のCu、Au、T
i、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を添加して
なる三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を各
種の材料からなる基板2の表面に形成した本発明の電磁
波遮蔽体は従来のエラストマーに金属粉やカーボンブラ
ックを配合してなるものと比べて100MHzの低周波
域から10GHz域における電界強度減衰率(dB)、
電波吸収能(dB)が優れ、しかも、可撓性(cm)に
おいても優れていることが確認された。又、90°に折
り曲げた状態において表面に亀裂等の発生が全く確認さ
れない複雑な形状への折り曲げ追随性(形状自在性))
においても優れていることが確認された。
As is apparent from Table 6, A as the main component
g of P, 0.1 to 3.0 wt% of Pd, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, T as a third element.
An electromagnetic wave shielding body of the present invention in which an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material to which any one of i, Cr, Ta, and Mo is added is formed on a surface of a substrate 2 made of various materials. Is an electric field intensity decay rate (dB) in a low frequency range of 100 MHz to a 10 GHz range as compared with a conventional elastomer obtained by blending metal powder or carbon black,
It was confirmed that the radio wave absorbing ability (dB) was excellent and the flexibility (cm) was also excellent. In addition, in a state where the surface is bent at 90 °, no cracks or the like are generated on the surface, and the surface can be bent to a complicated shape (formability).
Was also confirmed to be excellent.

【0056】実施例5 次に、本発明ではノートブック型パソコンや携帯電話機
等に代表される携帯型情報端末機器等に、本発明により
得られた少なくとも三元素のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1を、前述した各種の材料からなる基板2の表
面に形成して製作してなる電磁波遮蔽体を例えば外形に
沿わせて折り曲げ付設せしめた場合、表面部に露出する
電磁波遮蔽膜1に直接、人体の一部や何らかの物体が接
触することが検討できる。
Embodiment 5 Next, in the present invention, an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material of at least three elements obtained by the present invention is applied to a portable information terminal device typified by a notebook personal computer or a mobile phone. 1 is formed on the surface of the substrate 2 made of the above-described various materials, and the electromagnetic wave shielding body manufactured and bent, for example, along the outer shape, is directly attached to the electromagnetic wave shielding film 1 exposed on the surface. It can be considered that a part of the human body or some object comes into contact.

【0057】この場合に、電磁波遮蔽体を形成するAg
合金材料膜が露出する場合においては、少なくとも人体
や物体の接触によって表面部が削られたり、或いは殺傷
痕が残ることで導電損失効果が減少したり、或いは特定
の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下する可能性が
検討されるため、表面接触による表面部の削れや殺傷痕
の発生を抑制する目的で、本発明によって得られた電磁
波遮蔽体の表層部に、主成分とするAgに、0.1〜
3.0wt%のPdを添加し、更に第三の元素として
0.1〜3.0wt%のCu、Au、Ti、Cr、T
a、Moの内、いずれか一種類を添加した三元素のAg
合金材料によって形成される電磁波遮蔽膜1の上部に、
耐食性及び耐候性に優れた材料や耐摩耗性に優れた材料
からなる保護膜4を形成する。それにより、露出する電
磁波遮蔽膜1に何らかの接触によって発生する接触傷の
防止、及び保護膜4を形成した場合での電磁波遮蔽能力
の低下の抑制、更には基板2と電磁波遮蔽膜1との間に
中間下地として密着助長下地膜3を形成し、その上に保
護膜4を形成した積層構造の電磁波遮蔽体(図2参照)
にした場合での電磁波遮蔽効果に対する電磁波遮蔽能力
の低下の有無を確認した。
In this case, Ag forming the electromagnetic wave shielding body
When the alloy material film is exposed, at least the surface is cut off by contact with the human body or object, or the conductive trace effect is reduced by leaving a scar, or the shielding ability for the specific electromagnetic wave shielding effect is reduced. In order to suppress the occurrence of shaving of the surface portion and the occurrence of a damage mark due to the surface contact, the surface layer portion of the electromagnetic wave shielding body obtained by the present invention is added with Ag, which is a main component, in the surface layer portion. 1 to
3.0 wt% of Pd is added, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, Ti, Cr, T
Ag of three elements to which any one of a and Mo is added
On top of the electromagnetic wave shielding film 1 formed of an alloy material,
The protective film 4 made of a material excellent in corrosion resistance and weather resistance or a material excellent in wear resistance is formed. Thereby, it is possible to prevent a contact flaw caused by some kind of contact with the exposed electromagnetic wave shielding film 1, to suppress a decrease in the electromagnetic wave shielding ability when the protective film 4 is formed, and to further reduce a gap between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1. An electromagnetic wave shield having a laminated structure in which an adhesion-promoting base film 3 is formed as an intermediate base and a protective film 4 is formed thereon (see FIG. 2)
It was confirmed whether or not the electromagnetic wave shielding ability was reduced with respect to the electromagnetic wave shielding effect in the case of the above.

【0058】この場合では、例えばAg合金材料膜が単
層(単膜)の場合、Ag合金材料と基板の間に中間下地
膜を、金属若しくは金属酸化膜を形成した場合、更には
Ag合金材料の上部に保護膜を形成し、基板との間に中
間下地膜を形成した場合のいずれの場合においても、電
磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力についての顕著な差異を
確認することはできなかった。
In this case, for example, when the Ag alloy material film is a single layer (single film), when an intermediate base film is formed between the Ag alloy material and the substrate, a metal or metal oxide film is formed, In any of the cases where a protective film was formed on top of the substrate and an intermediate base film was formed between the protective film and the substrate, no remarkable difference in the shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect could be confirmed.

【0059】又、例えばAg合金材料以外の純Ag、A
l、Cu、Au等を用いて、前記記載の通りに単層(単
膜)、下地膜を形成した複層(2膜)、更には純Ag、
Al、Cu、Auを同一、或いは異なる材質の膜を介在
した場合では、電磁波の遮蔽能力が低下することが確認
されているために、少なくともAgを主成分としてPd
を0.1〜3.0wt%添加し、更に第三元素としてC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種
類を0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合
金材料によって基板2の表面に形成される電磁波遮蔽膜
1においては、上下部に形成する材料の内、前述したS
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Al、ITO、Ir
2、ZnO2、SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2
のいずれに対しても界面が例えば酸化等の反応を引き起
こすことなく安定であるために、電磁波遮蔽能力、若し
くはこの遮蔽効果に対しての有効な特性を発揮する導電
損失、若しくは誘電損失に対して影響が無いと言うこと
が分かった。
Further, for example, pure Ag other than Ag alloy material, A
As described above, a single layer (single film), a multiple layer (two films) having an underlayer formed thereon, pure Ag,
When Al, Cu, and Au are interposed between films of the same or different materials, it has been confirmed that the electromagnetic wave shielding ability is reduced.
Is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and C is added as a third element.
Electromagnetic wave shielding film 1 formed on the surface of substrate 2 by a three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo In the above, among the materials formed on the upper and lower portions, the aforementioned S
i, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO, Ir
O 2 , ZnO 2 , SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2
The interface is stable against any of the above, for example, without causing a reaction such as oxidation, so that the electromagnetic wave shielding ability, or a conductive loss or a dielectric loss exhibiting effective characteristics for this shielding effect. It turns out there is no effect.

【0060】又、Agを主成分としてPdを0.1〜
3.0wt%添加し、更に第三元素としてCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料から
なる電磁波遮蔽膜1を基板2の表面に形成するその成膜
方法としては、RF若しくはDC電源を用いたスパッタ
リング法、真空蒸着法、CVD法が検討できるが、この
いずれの場合であっても、これまでに説明した通りの顕
著な電磁波遮蔽効果が確認された。この様に、主成分と
するAgに、0.1〜3.0wt%のPdを添加し、更
に第三の元素として0.1〜3.0wt%のCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を添
加してなる三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜
1を各種の材料からなる基板2の表面に形成するその成
膜方法としては、RF若しくはDC電源を用いたスパッ
タリング法、真空蒸着法、CVD法が望ましい。
In addition, Pd containing Ag as a main component
3.0 wt%, and further, Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
As a method of forming the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material with addition of about 3.0 wt% on the surface of the substrate 2, a sputtering method using an RF or DC power supply, a vacuum deposition method, Although the CVD method can be considered, in each case, a remarkable electromagnetic wave shielding effect as described above was confirmed. As described above, 0.1 to 3.0 wt% of Pd is added to Ag as the main component, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, A as the third element.
A method of forming an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material to which one of u, Ti, Cr, Ta, and Mo is added on a surface of a substrate 2 made of various materials As the method, a sputtering method using an RF or DC power supply, a vacuum evaporation method, and a CVD method are preferable.

【0061】又、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材料からなる基板1の表面に、少なく
とも三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を形
成する場合に、例えばスパッタリング法では、膜を形成
する速度基準を検討することができるスパッタリングレ
ートが高く、更には蒸着法の場合では融点が960℃前
後で決してCu、Auと比較しても、或いは金属元素内
でも高い部類には属さないために融点の向上による蒸着
温度条件の汎用性や蒸着を行うについて従来と比較した
場合に劣ることがないために、薄膜を形成する成膜方法
としては基板の材質によって任意で選択するものの、い
ずれの場合においても従来と比較して顕著に成膜方法で
の生産についての優位差が生じることが分かった。
Natural rubber or chloroprene rubber or E
When forming the electromagnetic wave shielding film 1 made of at least three-element Ag alloy material on the surface of the substrate 1 made of various materials such as PDM, for example, in a sputtering method, a speed standard for forming the film can be considered. The sputtering rate is high, and in the case of the vapor deposition method, the melting point is around 960 ° C., and it does not belong to the high class even if compared with Cu or Au. Since there is no inferiority as compared with the conventional one in terms of performance and vapor deposition, although a film forming method for forming a thin film is arbitrarily selected depending on the material of the substrate, in any case, it is remarkably compared with the conventional one. It was found that there was a significant difference in production by the film forming method.

【0062】又、基板の表面への薄膜の成膜方法として
検討されるスパッタリング法或いは蒸着法においては、
いずれの成膜方法で形成した場合であっても、一般的に
スパッタリング法は蒸着法と比較した場合、得られる薄
膜の緻密性に差異が生じる。又、蒸着法についてはスパ
ッタリング法よりも膜の緻密性が劣るために、蒸着法で
電磁波遮蔽膜を形成する場合ではスパッタリング法で膜
を形成する場合と比較して厚い膜厚を要すとされるが、
三元素のAg合金材料については電磁波遮蔽効果が低下
することは無く、蒸着法でもスパッタリング法でも同じ
膜の厚み(nm)で同様の電磁波遮蔽効果を得ることが
できることが分かった。
In a sputtering method or a vapor deposition method studied as a method of forming a thin film on the surface of a substrate,
Regardless of the film formation method, the sputtering method generally has a difference in the density of the obtained thin film when compared with the vapor deposition method. In addition, the vapor deposition method is inferior to the sputtering method in that the denseness of the film is inferior.When forming the electromagnetic wave shielding film by the vapor deposition method, it is said that a thicker film is required than in the case of forming the film by the sputtering method. But
It was found that the three-element Ag alloy material did not reduce the electromagnetic wave shielding effect, and that the same electromagnetic wave shielding effect could be obtained with the same film thickness (nm) by the vapor deposition method and the sputtering method.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明は叙上の如く構成してなることか
ら、下記の作用効果を秦する。 .本発明では、Agを主成分とし、0.1〜3.0w
t%のPdを添加し、更に0.1〜3.0wt%のC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくとも一
種類以上の元素を添加した各材料組成範囲からなるAg
合金材料の電磁波遮蔽膜をエラストマー材料基板の表面
に形成して製作した電磁波遮蔽体は、従来の例えば金属
粉やカーボンブラックを配合してなるエラストマーと同
等の柔軟性、形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随
性)を備えた上で、同該エラストマーに比べて大変安定
な電磁波遮蔽効果に対する高い遮蔽能力を保持し得る。
これにより、長期に亘り電磁波遮蔽効果を保持するため
に有用である導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回
避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
Since the present invention is constructed as described above, it has the following functions and effects. . In the present invention, Ag is a main component, and 0.1 to 3.0 w
t% of Pd, and 0.1-3.0 wt% of C
Ag consisting of each material composition range to which at least one or more elements are added among u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo
An electromagnetic wave shielding body manufactured by forming an electromagnetic wave shielding film made of an alloy material on the surface of an elastomer material substrate has the same flexibility and shape flexibility (complex shape) as a conventional elastomer made of a compounded metal powder or carbon black, for example. In addition to the above-mentioned elastomer, it is possible to maintain a very high shielding ability against an electromagnetic wave shielding effect, which is very stable as compared with the elastomer.
This makes it possible to obtain a high-quality electromagnetic wave shield that avoids deterioration of the electromagnetic wave shielding ability due to conduction loss, which is useful for maintaining the electromagnetic wave shielding effect for a long time.

【0064】.又、本発明によって得られた電磁波遮
蔽体では、100MHzの低周波域から10GHz域ま
での広域に亘って、優れた電磁波遮蔽特性並びに高い可
視光線透過率と日射光線透過率を維持し得ることから、
従来の例えば金属粉やカーボンブラックを配合してなる
エラストマーと比較すると高い電磁波遮蔽効果を得るこ
とができる。
[0064] In addition, the electromagnetic wave shield obtained by the present invention can maintain excellent electromagnetic wave shielding characteristics and high visible light transmittance and solar light transmittance over a wide range from a low frequency range of 100 MHz to a 10 GHz range. ,
A higher electromagnetic wave shielding effect can be obtained as compared with conventional elastomers containing, for example, metal powder or carbon black.

【0065】.又、本発明では、天然ゴム又はクロロ
プレンゴム又はEPDM等の各種の材質からなる基板の
表面にAg合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を形成する場
合、スパッタリング法、蒸着法、更にはCVD法の何れ
の成膜方法を用いた場合であっても、生産性及び薄膜の
成膜方法を問わずに、安定した電磁波遮蔽効果を長期に
亘り保持し得る高い遮蔽能力の電磁波遮蔽膜を基板の表
面に形成することができる。
[0065] Further, in the present invention, when an electromagnetic wave shielding film is formed using a Ag alloy material on the surface of a substrate made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM, any of sputtering method, vapor deposition method, and even CVD method Even when using the film forming method of the above, regardless of the productivity and the method of forming the thin film, an electromagnetic wave shielding film having a high shielding ability capable of maintaining a stable electromagnetic wave shielding effect over a long period of time is provided on the surface of the substrate. Can be formed.

【0066】.又、本発明では、例えば金属や金属酸
化物、或いはその複合材料からなる密着助長下地膜を中
間下地としてエラストマー材料基板の表面に形成し、そ
の上にAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜を形成した積
層構造の電磁波遮蔽体とすることで、電磁波遮蔽膜の基
板に対する密着性(接合性)がより一層効果的に改善さ
れ、剥離等の無い結合の強化が図られる。又、Ag合金
材料の上下部にこれらの材料を形成して積層した積層構
造とされた場合であっても品質の差異が無く、Ag合金
材料単層(単膜)と同等、或いはそれ以上の更なる優位
差の高い電磁波遮蔽効果を有する電磁波遮蔽体を製作し
提供することができる。
[0066] In the present invention, for example, an adhesion-promoting base film made of a metal, a metal oxide, or a composite material thereof is formed on the surface of an elastomer material substrate as an intermediate base, and an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material is formed thereon. With the electromagnetic wave shielding body having a laminated structure, the adhesion (bonding property) of the electromagnetic wave shielding film to the substrate is more effectively improved, and the bonding without peeling or the like is strengthened. Further, even when a laminated structure in which these materials are formed and laminated on the upper and lower portions of the Ag alloy material has no difference in quality, there is no difference in quality and is equal to or more than a single layer (single film) of the Ag alloy material. An electromagnetic wave shielding body having an electromagnetic wave shielding effect having a further superior difference can be manufactured and provided.

【0067】.又は、本発明の電磁波遮蔽体では、表
層部の電磁波遮蔽膜の表面に、耐食性及び耐候性に優れ
た材料や耐摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成す
ることで、人体や物体の接触によって表面部が削られた
り、或いは殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少した
り、或いは特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低
下する可能性が懸念される表面接触による表面部の削れ
や殺傷痕の発生を抑制することができる。
. Alternatively, in the electromagnetic wave shielding body of the present invention, by forming a protective film made of a material excellent in corrosion resistance and weather resistance or a material excellent in wear resistance on the surface of the electromagnetic wave shielding film in the surface layer portion, a human body or an object can be protected. The surface is cut by contact, or the conductive loss effect is reduced by leaving a scar, or there is a concern that the shielding ability for a specific electromagnetic wave shielding effect may be reduced. It is possible to suppress the occurrence of killing marks.

【0068】従って、本発明によれば、柔軟性、形状自
在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)を備えた上で、
Ag自体の保有する電磁波遮蔽効果等に対しての高い遮
蔽能力が保持され、更には高温高湿等の環境下において
も高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されると言った耐
候性等のAg自体の材料的な安定性が格段に改善され、
しかも、エラストマー材料基板との接合性においても密
着助長下地膜を介在することでより一層効果的に強化さ
れる等、より高い信頼性が得られるEMC対策材料とし
て応用展開が広く期待できる等の有用性の高い電磁波遮
蔽体を提供することができる。
Therefore, according to the present invention, while providing flexibility and shape flexibility (bending followability to a complicated shape),
Ag itself has a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect, etc. possessed by Ag itself, and furthermore, Ag such as weather resistance, which indicates that the high electromagnetic shielding ability is continuously maintained even in an environment such as high temperature and high humidity. The material stability of itself has been significantly improved,
In addition, the bonding property with the elastomer material substrate is enhanced more effectively by the interposition of the adhesion-promoting base film, and it is useful because it can be widely expected to be applied as an EMC countermeasure material with higher reliability. It is possible to provide an electromagnetic wave shield having high performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明電磁波遮蔽体の実施の一例を示した断
面図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electromagnetic wave shield according to the present invention.

【図2】 本発明電磁波遮蔽体の他の実施例を示した断
面図
FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the electromagnetic wave shield of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:電磁波遮蔽膜 2:基板 3:密着助長下地膜 4:保護膜 1: electromagnetic wave shielding film 2: substrate 3: adhesion-promoting base film 4: protective film

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成13年7月16日(2001.7.1
6)
[Submission date] July 16, 2001 (2001.7.1)
6)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【書類名】 明細書[Document Name] Statement

【発明の名称】 電磁波遮蔽体[Title of the Invention] Electromagnetic wave shield

【特許請求の範囲】[Claims]

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ノートブック型パ
ソコンや携帯電話機等で代表される携帯型情報端末機器
等、そして電子機器等の表示装置や透明開口部における
液晶ディスプレイ(LCD)やプラズマディスプレイパ
ネル(PDP)等の表示画面より放出される電磁波、赤
外線及び近赤外線を遮蔽する。例えば、外部電磁波が電
子機器等に進入することで起る電波弊害等を防ぐために
使用される電磁波遮蔽体に係り、特に前述した各種の被
電磁波遮蔽物の内部に装着したり、その外側形状に沿わ
せて折り曲げ付設可能とする屈曲性、可撓性に優れた電
磁波遮蔽体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a portable information terminal device such as a notebook personal computer or a portable telephone, a display device such as an electronic device, a liquid crystal display (LCD) or a plasma display in a transparent opening. Shields electromagnetic waves, infrared rays, and near infrared rays emitted from a display screen such as a panel (PDP). For example, the present invention relates to an electromagnetic wave shield used to prevent radio wave harm caused by an external electromagnetic wave entering an electronic device or the like, and particularly, is attached to the inside of the above-described various electromagnetic wave shields or has an outer shape. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shield excellent in flexibility and flexibility that can be bent and attached along.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の情報化社会において、衛星放送シ
ステムや携帯型情報端末機器等の移動通信の発達に見ら
れるように、電磁波環境は多様化・複雑化の度合いを深
めており、それらがもたらす利点と共に弊害も明らかに
なりつつある。例えば屋外(外部)からの外部電磁波が
電子機器等に進入してノイズ弊害等につながった例や、
又、ノートブック型パソコンや携帯電話機等で代表され
る携帯型情報端末機器等からの漏洩電磁波が人体に悪影
響を及ぼす例等から社会生活への悪影響が懸念されてい
る。EMC(Electro Magneic Com
patibility)、即ち電磁適合性(電磁両立性
と称される場合もある)とは電磁波に起因する工学的な
諸問題を解決させる要素である。
2. Description of the Related Art In the information society in recent years, as seen in the development of mobile communications such as satellite broadcasting systems and portable information terminal devices, the electromagnetic wave environment has become increasingly diversified and complicated. The evils along with the benefits they bring are becoming apparent. For example, when an external electromagnetic wave from the outside (outside) enters an electronic device or the like and leads to a bad noise,
In addition, there is a concern that electromagnetic waves leaking from portable information terminal devices such as notebook personal computers and mobile phones adversely affect the human body and adversely affect social life. EMC (Electro Magne t ic Com
“Patibility”, that is, electromagnetic compatibility (sometimes called electromagnetic compatibility) is an element that solves various engineering problems caused by electromagnetic waves.

【0003】従来、外部電磁波やパソコン等からの漏洩
電磁波を遮蔽する目的としたEMC材料としては、金属
がほとんどを占めていた(以後、前者)。又、エラスト
マー材料に金属粉やカーボンブラックを配合して導電性
を得る試みも従来から行われていた(以後、後者)。
Heretofore, metals have mostly occupied EMC materials for shielding external electromagnetic waves and leakage electromagnetic waves from personal computers and the like (hereinafter the former). Attempts to obtain conductivity by blending metal powder or carbon black with an elastomer material have also been made (hereinafter the latter).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、前者のE
MC材料は、近年のEMC技術を必要とする製品・要素
の多様化が急速に進み、金属だけでは求められない種々
の機能に対して対応不可能になり始めている。例えば、
複雑な形状への折り曲げ追随性や非定常空間の充填性、
軽量化、錆等に対する耐腐食性の課題に対してはその適
用が困難となることが多い等の種々の問題が発生してい
る。一方、後者の金属粉を充填したエラストマーにおい
ては、金属酸化を主とする経時変化や、エラストマー自
体の弾性、強度等の機械的特性が失われる等のデメリッ
トが多く、EMC素材として広く普及した材料とは言い
難いものである。又、カーボンブラックを充填したエラ
ストマーにおいては、導電性ローラーやラバーコンタク
ト等に多様化されてはいるが、得られる導電性に制限が
あるため、やはりEMC素材として用いられることは殆
ど無い。この様に、従来の電磁波遮蔽体においては複雑
な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、そして、夫々に
耐候性や耐摩耗性等にも問題があることから、EMC素
材として全く採用(適用)が不可能であったりする等の
問題が生じていた。
However, the former E
In MC materials, products and elements that require EMC technology in recent years have diversified rapidly, and it has become impossible to respond to various functions that are not required only by metal. For example,
Bending followability to complex shapes and filling of unsteady space,
Various problems have occurred, such as the difficulty in applying the method to the problem of weight reduction and corrosion resistance to rust and the like. On the other hand, the latter, which is filled with metal powder, has many disadvantages such as a change with time mainly due to metal oxidation and a loss of mechanical properties such as elasticity and strength of the elastomer itself. It is hard to say. Although elastomers filled with carbon black have been diversified into conductive rollers, rubber contacts, and the like, they are hardly used as EMC materials because of the limited conductivity obtained. As described above, the conventional electromagnetic wave shield has problems in bending followability to complicated shapes, corrosion resistance, and weather resistance and wear resistance, respectively. ) Is not possible.

【0005】本発明はこの様な従来事情に鑑みてなされ
たもので、その目的とする処は、Ag合金材料からなる
電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面
に形成してなる可撓性に優れた電磁波遮蔽体であって、
柔軟性、形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)
を備え、主にEMC対策材料として応用展開が広く、
又、高温高湿等の環境下においても高い電磁波遮蔽能力
が継続的に保持されると言った耐候性等の材料的な安定
性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板と
の接合性(密着性)がより一層効果的に強化される等、
より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供すること
にある。
[0005] The present invention has been made in view of such a conventional situation, and a purpose thereof is to provide an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material on a surface of a substrate made of an elastomer material. It is an electromagnetic wave shield with excellent properties,
Flexibility, shape flexibility (bendability to complicated shapes)
With a wide range of applications mainly as an EMC countermeasure material,
Further, the material stability such as weather resistance, which is that high electromagnetic wave shielding ability is continuously maintained even in an environment such as high temperature and high humidity, is remarkably improved, and the bonding property with the elastomer material substrate ( Adhesion) is more effectively strengthened,
An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shield capable of obtaining higher reliability.

【0006】[0006]

【課題を達成するための手段】課題を達成するために、
本発明では電磁波遮蔽効果が高く化学的に安定であり、
しかも容易に製作が可能なAgを主成分として、Pdを
含有し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、少なくとも一種類以上の元素を含有するAg合金材
料からなる電磁波遮蔽膜を、導電性を有するエラストマ
ー材料基板の表面に形成してなることである。ここで、
電磁波遮蔽膜の厚さは複雑な形状への折り曲げ追随性等
を考慮すると例えば10〜500nm位が好ましい。又、上
記電磁波遮蔽膜を、電磁波遮蔽体の用途に応じて単膜、
又は2膜以上の複膜で基板の表面に構成することで、温
度や化学的に安定であり、様々な用途への適用を検討で
きるようにしたことである。又、上記電磁波遮蔽膜を、
0.1〜3.0wt%の範囲内でPdを添加し、更にC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくとも一
種類以上の元素を0.1〜3.0wt%の範囲内で添加
したAg合金材料から形成してなることである。又、上
記エラストマー材料としては、天然ゴム又はクロロプレ
ンゴム又はEPDM(エチレン・プロピレンとジエンと
のゴム状三元共重合体)等が挙げられる。
[Means for achieving the object] To achieve the object,
In the present invention, the electromagnetic wave shielding effect is high and chemically stable,
In addition, an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material containing Ag as a main component, Pd, and at least one or more of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo that can be easily manufactured. Is formed on the surface of a conductive elastomer material substrate. here,
The thickness of the electromagnetic wave shielding film is preferably, for example, about 10 to 500 nm in consideration of, for example, bending followability to a complicated shape. Further, the electromagnetic wave shielding film, a single film according to the use of the electromagnetic wave shield,
Alternatively, by forming a multilayer film of two or more films on the surface of the substrate, it is stable in temperature and chemical stability, and can be applied to various uses. Further, the electromagnetic wave shielding film,
Pd is added within the range of 0.1 to 3.0 wt%, and C is further added.
It is formed from an Ag alloy material to which at least one or more of u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is added in a range of 0.1 to 3.0 wt%. Examples of the elastomer material include natural rubber, chloroprene rubber, and EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene).

【0007】又、本発明では上記Ag合金材料が、蒸着
材料又はスパッタリングターゲット材料であり、蒸着法
又はスパッタリング法等の成膜プロセスにより電磁波遮
蔽膜を基板の表面に形成してなることである。
In the present invention, the Ag alloy material is a vapor deposition material or a sputtering target material, and the electromagnetic wave shielding film is formed on the surface of the substrate by a film forming process such as a vapor deposition method or a sputtering method.

【0008】又、本発明では上記電磁波遮蔽膜の上に、
耐蝕性及び耐候性に優れた材料からなる保護膜、又は耐
摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成してなること
である。
[0008] In the present invention, on the above-mentioned electromagnetic wave shielding film,
A protective film made of a material having excellent corrosion resistance and weather resistance, or a protective film made of a material having excellent wear resistance is formed.

【0009】又、本発明では上記基板と電磁波遮蔽膜と
の間に、基板と電磁波遮蔽膜との密着性を助長する密着
助長下地膜を形成してなることである。又、上記密着助
長下地膜の材料としては、ITO(酸化Inと酸化Sn
の複合酸化物)、IrO2ZnO、SiO2、Ti
2、Ta25、ZrO2から選ばれた少なくとも一種、
若しくはこれらを主成分とする二種類以上からなる金属
酸化物材料が好ましい。又は、Si、Ta、Ti、M
o、Cr、Alから選ばれた少なくとも一種、若しくは
これらを主成分とする二種類以上からなる材料が好まし
い。
Further, in the present invention, an adhesion promoting base film for promoting adhesion between the substrate and the electromagnetic wave shielding film is formed between the substrate and the electromagnetic wave shielding film. In addition, as a material of the adhesion promoting base film, ITO (In oxide and Sn oxide) is used.
Composite oxide), IrO 2 , ZnO 2 , SiO 2 , Ti
At least one selected from O 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 ;
Alternatively, a metal oxide material composed of two or more kinds containing these as main components is preferable. Or Si, Ta, Ti, M
It is preferable to use at least one selected from o, Cr, and Al, or a material composed of two or more of these as main components.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の実施の具体例について説
明する。図1は、本発明電磁波遮蔽体の実施の一例を示
した断面図で、後述するAg合金材料からなる電磁波遮
蔽膜1を、少なくとも導電性を有するエラストマー材料
からなる基板2の表面に密着助長下地膜3を介在して積
層形成してなる。
Embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the electromagnetic wave shield of the present invention, in which an electromagnetic wave shield film 1 made of an Ag alloy material described later is adhered to a surface of a substrate 2 made of at least a conductive elastomer material. It is formed by lamination with the ground film 3 interposed.

【0011】本発明では、Ag自体が保有する熱に対し
ての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくと
も100℃前後に加熱した場合に生じ易い表面拡散によ
る白濁化という現象を抑制することが重要である。即
ち、Agは最も電磁波の遮蔽能力については優れている
材料であると知られているが、例えば熱に対しての自己
拡散エネルギーが活発であるという問題が生じ易い。そ
のために、一時的であっても100℃前後の熱が印加さ
れる場合には、表面部に拡散現象が起り、Ag自体が保
有する光沢を失って白濁化してしまう。換言すれば、電
磁波の遮蔽能力に優れていると言うAg自体の特性が低
減してしまう。
[0011] In the present invention, the self-diffusion energy for the heat held by Ag itself is relaxed to suppress the phenomenon of clouding due to surface diffusion which is likely to occur when heated to at least about 100 ° C. is important. That is, Ag is known to be the material having the best electromagnetic wave shielding ability. However, for example, a problem that self-diffusion energy for heat is active is likely to occur. For this reason, when heat of about 100 ° C. is applied even temporarily, a diffusion phenomenon occurs on the surface, and the Ag itself loses its gloss and becomes cloudy. In other words, the characteristics of Ag itself, which is superior in electromagnetic wave shielding performance, are reduced.

【0012】そこで、Agは大変熱伝導率が良く、原子
単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱
伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制す
るために、Agに対して全率固溶体を形成する原子であ
るPdを0.1〜4.0wt%の組成範囲で任意に振っ
て添加して実験してみた。まず、スパッタリング装置に
AgとPdのスパッタリングをそれぞれ装着して、特定
のRFパワーでAg、Pdの放電量を制御して、Ar
(アルゴン)ガスを0.1〜3.0Paの間で任意に設
定して、2つの材料を同時にスパッタする。つまり、同
時スパッタリング法で数種類Pdの添加量を振ってAg
合金材料膜を形成した。この時の試験試料片としては、
100mm×100mm×1.1mmの石英基板を用い
て、スパッタ・プロセス中の基板温度は常温(25℃前
後)で、スパッタガスとしてはArガスのみを用いて、
到達真空度としては3×10E-6Paという高真空雰
囲気中で、膜厚20nmで形成した。高真空雰囲気中で
成膜を行う理由としては、不純物ガス等が合金膜の粒界
に依存してしまうのを抑制して、緻密な膜を形成するこ
とで材料本来の物性を確認しようとするためである。
Therefore, Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic of easily absorbing and saturating heat in atomic units. Therefore, Ag is required to reduce thermal conductivity and to suppress active movement between atoms. An experiment was carried out by adding Pd, which is an atom forming a solid solution with respect to Ag, in a composition range of 0.1 to 4.0% by weight. First, each of sputtering of Ag and Pd is mounted on a sputtering apparatus, and the discharge amounts of Ag and Pd are controlled with a specific RF power to obtain Ar and Pd.
The (argon) gas is arbitrarily set between 0.1 and 3.0 Pa, and the two materials are sputtered simultaneously. In other words, the amount of addition of several types of Pd is changed by simultaneous sputtering, and Ag is added.
An alloy material film was formed. At this time, the test specimen
Using a quartz substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm , the substrate temperature during the sputtering process is normal temperature (around 25 ° C.), and only Ar gas is used as a sputtering gas.
The film was formed with a film thickness of 20 nm in a high vacuum atmosphere of a ultimate vacuum degree of 3 × 10E-6 Pa. The reason for forming a film in a high vacuum atmosphere is to suppress the impurity gas and the like from being dependent on the grain boundaries of the alloy film and to confirm the original physical properties of the material by forming a dense film. That's why.

【0013】上記方法にて形成したAgを主成分とし
て、それに数種類の材料組成でPdを添加したAg合金
材料薄膜を、大気中でホットプレート上に載せて約2時
間放置して、白濁化の有無と白濁化が開始された温度を
観察する加熱試験を試みた。この時のホットプレートの
加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を2
50℃、加熱速度を20℃/minに設定した。その試
験結果を表1に示す。
An Ag alloy material thin film containing Ag formed as a main component and Pd added with several kinds of material compositions thereon is placed on a hot plate in the air and left for about 2 hours to reduce the white turbidity. A heating test was conducted to observe the presence / absence and the temperature at which clouding started. At this time, the heating method of the hot plate is a resistance heating method, and the heating temperature is 2
The heating rate was set to 50 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. Table 1 shows the test results.

【0014】[0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】一般的に、Pdを添加すると、Agの保有
する高温及び高湿(多湿)環境下での耐候性の無さが改
善されることはよく知られているが、熱を印加した場合
の耐表面拡散性については、表1のように顕著な差異を
確認することはできなく、Pdの添加による白濁化の低
減については、Agと比較して顕著な優位性を確認する
ことはできなかった。又、電磁波遮蔽能力は、加熱する
前と比較して、加熱後において2〜3%程度低下するこ
とが確認されたために、Pd添加による表面拡散防止効
果は確認することができなかった。
In general, it is well known that the addition of Pd improves the lack of weather resistance in a high-temperature and high-humidity (humid) environment possessed by Ag. No significant difference as shown in Table 1 can be confirmed with respect to the surface diffusion resistance of No. 1, and a remarkable superiority can be confirmed as compared with Ag with respect to the reduction of clouding due to the addition of Pd. Did not. Further, since it was confirmed that the electromagnetic wave shielding ability was reduced by about 2 to 3% after heating as compared to before heating, the effect of preventing surface diffusion due to the addition of Pd could not be confirmed.

【0016】実施例1 本発明では、まず始めに主成分となるAgに、0.1〜
3.0wt%Pdを添加し、更にCu、Au、Ti、C
r、Ta、Moの内、少なくとも一種類以上の元素を添
加して、少なくとも三元素以上の元素からなるAg合金
材料薄膜を形成して、熱による表面拡散の抑制を検討し
た。この時のCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、少なくとも一種類以上の元素の添加量は0.1〜
3.0wt%である。薄膜の成膜方法としては、Ag及
びPd、更にはCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内のいずれかのスパッタリングターゲット材料より一種
類選択してRFマグネトロンスパッタリング装置に装着
し、前記3つの金属元素を同時スパッタリングすること
で、三元素のAg合金材料からなる薄膜を作成した。こ
の時、試験基板としては100mm×100mm×1.
mmの石英基板を用いて、スパッタ・プロセス中の基
板温度は常温(25℃前後)で、スパッタガスとしては
Ar(アルゴン)ガスのみを用いて、到達真空度として
は3×10E-6Paという高真空雰囲気中で、膜厚は
前述したAg-Pdの二元素合金と同じ20nmで形成
した。
Embodiment 1 In the present invention, first, Ag, which is a main component, is added in an amount of 0.1 to 0.1%.
3.0 wt% Pd is added, and Cu, Au, Ti, C
At least one element of r, Ta, and Mo was added to form an Ag alloy material thin film composed of at least three elements, and suppression of surface diffusion due to heat was studied. At this time, the addition amount of at least one element among Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is 0.1 to
3.0 wt%. As a method of forming a thin film, one selected from a sputtering target material of Ag and Pd, and further, any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo is mounted on an RF magnetron sputtering apparatus. By simultaneously sputtering three metal elements, a thin film made of a three-element Ag alloy material was formed. At this time, the test substrate was 100 mm x 100 mm x 1.
Using a 1 mm quartz substrate, the substrate temperature during the sputtering process is room temperature (around 25 ° C.), only Ar (argon) gas is used as the sputtering gas, and the ultimate vacuum degree is 3 × 10E-6 Pa. The film was formed in a high vacuum atmosphere with the same thickness of 20 nm as that of the above-described Ag-Pd two-element alloy.

【0017】この方法での試験試料は、主成分となるA
gに、Pdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、
Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料薄膜を石英基板の表面に膜厚20nmで直接形成し
て、前述と同様に加熱温度を250℃に設定保持したホ
ットプレート上に載せて2時間放置して、白濁化の有無
と白濁化が開始された温度を観察する加熱試験を行っ
た。その試験結果を表2及び表3に示す。
The test sample in this method contains A as the main component.
g, Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and Cu,
A three-element Ag alloy material thin film obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of Au, Ti, Cr, Ta and Mo is directly formed on the surface of a quartz substrate with a thickness of 20 nm. In the same manner as described above, a heating test was performed in which the sample was placed on a hot plate maintained at a heating temperature of 250 ° C. and left for 2 hours, and the presence or absence of cloudiness and the temperature at which clouding was started were observed. The test results are shown in Tables 2 and 3.

【0018】[0018]

【表2】 [Table 2]

【0019】[0019]

【表3】 [Table 3]

【0020】すると、Ag或いはAgにPdを0.1〜
4.0wt%添加された二元素のAg-Pd合金材料で
は、前述の表1から分かるように少なからず膜の表面部
が白濁化して電磁波遮蔽能力が低下してしまうのに対
し、本発明のAgを主成分としてPdを0.1〜3.0
wt%添加し、更に第三元素としてCu、Au、Ti、
Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜3.
0wt%添加してなる三元素のAg合金材料では、白濁
化現象や電磁波遮蔽能力の低下が表2及び表3から分か
るように、全ての材料組成範囲で観察されなかった。
Then, Pd is added to Ag or Ag by 0.1 to 0.1%.
In the case of the two-element Ag-Pd alloy material added with 4.0 wt%, as is apparent from Table 1 above, the surface of the film becomes clouded and the electromagnetic wave shielding ability is reduced to a considerable extent. Ag is used as a main component and Pd is set to 0.1 to 3.0.
wt%, and Cu, Au, Ti,
Any one of Cr, Ta, and Mo is used in 0.1 to 3.
As can be seen from Tables 2 and 3, in the three-element Ag alloy material to which 0 wt% was added, no clouding phenomenon or reduction in electromagnetic wave shielding ability was observed in all the material composition ranges.

【0021】そこで、250℃で加熱試験を行った様々
な材料組成範囲で形成されるAg合金材料膜が堆積され
た石英基板を、更に400℃に加熱されたホットプレー
ト上に2時間放置してみた場合でも、何れの材料組成範
囲においても白濁化や電磁波遮蔽能力の低下が観察され
なかった。
Then, the quartz substrate on which the Ag alloy material films formed in various material composition ranges subjected to the heating test at 250 ° C. are further left on a hot plate heated to 400 ° C. for 2 hours. In any case, no clouding or reduction in electromagnetic wave shielding ability was observed in any of the material composition ranges.

【0022】又、Pdを全く添加せずにCu、Au、T
i、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜
3.0wt%添加してなる二元素のAg合金材料薄膜を
前述の通り、スパッタリング法により同時に石英基板に
膜厚15nmにて直接形成した試験試料を用い、同じく
250℃と400℃の両方で加熱して経時変化を観察す
る加熱試験を行ったところ、全ての膜が白濁化、そして
電磁波遮蔽能力が低下してしまうことが確認された。
In addition, Cu, Au, T
Any one of i, Cr, Ta, and Mo is 0.1 to
As described above, a test sample in which a two-element Ag alloy material thin film to which 3.0 wt% was added was directly formed on a quartz substrate with a thickness of 15 nm by a sputtering method at the same time was heated at both 250 ° C. and 400 ° C. When a heating test was performed to observe changes over time, it was confirmed that all the films became cloudy and the electromagnetic wave shielding ability was reduced.

【0023】この様に、主成分とするAgに、0.1〜
3.0wt%のPdを添加し、更に第三の元素として
0.1〜3.0wt%のCu、Au、Ti、Cr、T
a、Moの内、いずれか一種類を添加してなる三元素の
Ag合金材料にすることにより、耐熱性の大幅な改善が
認められ、しかも、Ag自体の保有する電磁波遮蔽効果
に対しての高い遮蔽能力を低下させること無く保持でき
ることが分かった。
As described above, the content of Ag as the main component is 0.1 to
3.0 wt% of Pd is added, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, Ti, Cr, T
By using a three-element Ag alloy material obtained by adding any one of a and Mo, a significant improvement in heat resistance is recognized, and furthermore, the electromagnetic wave shielding effect of Ag itself is reduced. It has been found that the high shielding ability can be maintained without deteriorating.

【0024】実施例2 又、本発明ではこの様に耐熱性に富んだ各材料組成範囲
のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1の加熱試験を行
った際に、薄膜の端部に若干の剥離が観察され、少なく
とも特定の材質からなる基板に対して密着性が弱いこと
が確認されたことから、基板と各材料組成範囲の三元素
のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1との密着性につ
いて検討した。
Example 2 In the present invention, when a heating test was performed on the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material having various material composition ranges having a high heat resistance, a slight peeling was observed at the end of the thin film. Was observed, and it was confirmed that the adhesion was at least weak to a substrate made of a specific material. Therefore, the adhesion between the substrate and the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material of each material composition range was determined. investigated.

【0025】そこで、本発明では前述した各材料組成範
囲の三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1の密
着力を確認するために、少なくとも導電性を有するエラ
ストマー材料、特に後述する各種の材料からなる基板2
の表面に、これまでと同様に三元素同時スパッタリング
法にて15nmの厚みの薄膜を直接形成した後、ピール
試験法により密着性を確認する試験を試みた。すると、
各種の材質からなるいずれの基板2に対しても密着性が
必ずしも高くないことが確認されたため、各種の材質か
らなる基板2と各材料組成範囲からなる三元素のAg合
金材料の電磁波遮蔽膜1との間に、両者間の密着性を助
長する特定の密着助長下地膜3を中間下地として形成す
ることで、密着性を更に検討した。
Therefore, in the present invention, in order to confirm the adhesion of the electromagnetic wave shielding film 1 made of the three-element Ag alloy material in each of the above-described material composition ranges, at least a conductive elastomer material, in particular, various materials described below. Substrate 2 consisting of
After forming a thin film having a thickness of 15 nm directly on the surface of the substrate by a three-element simultaneous sputtering method as in the past, a test for confirming adhesion by a peel test method was attempted. Then
Since it was confirmed that the adhesiveness was not necessarily high for any substrate 2 made of various materials, the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material consisting of various material compositions and a substrate 2 made of various materials was used. In the meantime, the adhesion was further studied by forming a specific adhesion promoting base film 3 which promotes the adhesion between them as an intermediate base.

【0026】基板2を作るエラストマー材料としては、
天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM(エチレン
・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体)等が挙
げられる。
As an elastomer material for forming the substrate 2,
Natural rubber, chloroprene rubber, EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene / propylene and diene) and the like can be mentioned.

【0027】密着助長下地膜3の材料としては、酸素や
前述の各種の材質からなる基板2に対して材料的に安定
であり、更には少なくとも三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1と密着性が良いと言うことを検討し
て、Si、Ta、Ti、Mo、Cr、Al、ITO(酸
化Inと酸化Snの複合酸化物)、IrO2ZnO
SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等を、各種の材
質からなる基板2の表面にRFスパッタリング法で形成
した後、その上にこれまでと同様に三元素同時スパッタ
リング法にて様々な各材料組成範囲の三元素のAg合金
材料からなる電磁波遮蔽膜1を形成して、ピール試験を
行ってみたところ、中間下地として密着助長下地膜3を
介在することで、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材質からなる基板2に対する電磁波遮
蔽膜1の密着性が大きく向上し、各種の材質からなる基
板2との接合性がより一層効果的に強化されることが分
かった。
The material of the adhesion promoting base film 3 is materially stable with respect to the substrate 2 made of oxygen or the above-mentioned various materials. Further, the material of the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material of at least three elements is used. Considering that the adhesiveness is good, Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO (composite oxide of In oxide and Sn oxide), IrO 2 , ZnO ,
After forming SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2, etc. on the surface of the substrate 2 made of various materials by the RF sputtering method, various kinds of the three-element simultaneous sputtering method are performed thereon as in the past. When an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material having various material composition ranges was formed and a peel test was performed, natural rubber or chloroprene rubber was obtained by interposing an adhesion-promoting underlayer 3 as an intermediate substrate. Or E
It has been found that the adhesion of the electromagnetic wave shielding film 1 to the substrate 2 made of various materials such as PDM is greatly improved, and the bondability with the substrate 2 made of various materials is further effectively enhanced.

【0028】この場合に、各種の材質からなる基板2の
密着助長下地膜3としては、Si、Ta、Ti、Mo、
Cr、Al、ITO、ZnO、SiO2、TiO2、Ta
25、ZrO2が望ましいが、各種の材料からなる基板
2の表面で検討する場合にはITO、ZnO、Si
2、TiO2、Ta25、ZrO2等の金属酸化物薄膜
が望ましい。その理由としては、天然ゴム又はクロロプ
レンゴム又はEPDMからなる基板2は特定の純度や材
質の場合にはガスの発生が大変多い。又、金属はその発
生ガスと反応が強い。又、Ag合金材料と密着させる
合、界面に反応不動態被膜(例えば酸化膜等)を生じる
可能性が高い等から適切であるとは検討し難いからであ
る。
In this case, the base film 3 for promoting adhesion of the substrate 2 made of various materials is made of Si, Ta, Ti, Mo,
Cr, Al, ITO, ZnO, SiO 2, TiO 2, Ta
2 O 5 and ZrO 2 are desirable, but when examined on the surface of the substrate 2 made of various materials, ITO, ZnO , Si
A metal oxide thin film such as O 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 is desirable. The reason is that the substrate 2 made of natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM generates a very large amount of gas when it has a specific purity or material. Further, the metal reacts strongly with the generated gas. Also, contact to adhere the Ag alloy
In such a case, it is difficult to examine the suitability because it is highly likely that a reaction passivation film (for example, an oxide film or the like) is formed on the interface .

【0029】又、スパッタリング法で密着助長下地膜3
を基板2の表面に形成する場合には、スパッタリング法
が真空雰囲気中で行われるに際して、装置内雰囲気を真
空にするための大気から真空への切り替え中で天然ゴム
又はクロロプレンゴム又はEPDMからなる基板の場合
にはガスを発生するために、基板2と密着助長下地膜3
との界面も不安定になり易いためである。
Also, the adhesion promoting base film 3 is formed by sputtering.
Is formed on the surface of the substrate 2, when the sputtering method is performed in a vacuum atmosphere, the substrate made of natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM is switched during switching from the atmosphere to a vacuum to evacuate the atmosphere in the apparatus. In the case of (1), a gas is generated.
This is because the interface with the substrate tends to be unstable.

【0030】又、密着助長下地膜3を検討する上で重要
な課題としては、容易に膜の形成が可能であるかどうか
という点であるが、例えばSi、Ta、Ti、Mo、C
r、Al等の金属膜は、蒸着法、スパッタリング法、C
VD法、イオンプレーティング法のいずれでも膜の成膜
が可能であるために、少なくとも三元素のAg合金材料
膜を成膜する方法と連動することが可能であるために、
汎用的な有用性は高いと検討することができる。
An important issue when studying the adhesion-promoting base film 3 is whether or not the film can be easily formed. For example, Si, Ta, Ti, Mo, C
Metal films such as r and Al can be formed by vapor deposition, sputtering, C
Since the film can be formed by any of the VD method and the ion plating method, it can be interlocked with a method of forming at least a three-element Ag alloy material film.
General utility can be considered high.

【0031】又、ITO、ZnO、SiO2、TiO2
Ta25、ZrO2等の金属酸化物薄膜においても、蒸
着法、スパッタリング法,イオンプレーティング法で容
易に形成することが可能であり、例えばブラウン管モニ
ターや液晶表示素子等に形成するAR(反射防止)コー
トについては、密着助長下地膜3を各種の材料からなる
基板2の表面に形成し、更には電磁波遮蔽の目的として
少なくとも三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜
1を0.5〜1.2nmで形成し、その上部にARコー
トを形成することで、ブラウン管モニター(CRT)や
液晶表示素子で課題にされていた電磁波に対しての遮蔽
効果として顕著な効果を確認することができた。
In addition, ITO, ZnO , SiO 2 , TiO 2 ,
A metal oxide thin film such as Ta 2 O 5 or ZrO 2 can be easily formed by a vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method. For example , an AR film formed on a CRT monitor, a liquid crystal display device, or the like can be used. For the anti-reflection) coating, the adhesion promoting base film 3 is formed on the surface of the substrate 2 made of various materials. By forming an AR coating on top of the thickness of about 1.2 nm, a remarkable effect can be confirmed as a shielding effect against electromagnetic waves, which has been a problem in cathode ray tube monitors (CRTs) and liquid crystal display devices. did it.

【0032】実施例3 又、電磁波遮蔽膜1の材料として、Agはこれまでに記
述した通り、表面拡散や大気中、或いは天然ゴム又はク
ロロプレンゴム又はEPDMからなる基板2を用いる場
合では、その基板2から放出されるガス等による変色作
用が強いために、汎用性が高くないと判断されて課題と
されてきた。
Embodiment 3 As the material of the electromagnetic wave shielding film 1, Ag is, as described above, surface diffusion, in the air, or when the substrate 2 made of natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM is used. Because of the strong discoloration effect due to the gas and the like emitted from 2, it has been determined that the versatility is not high and has been set as an issue.

【0033】そこで、本発明では耐熱や変色作用に対し
て耐食性、耐久性が確認されているAgを主成分として
Pdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料が電
磁波遮蔽に対して、どの様な遮蔽効果が得られるかを検
討した。
Therefore, in the present invention, 0.1 to 3.0 wt% of Pd is added with Ag as a main component, which has been confirmed to have corrosion resistance and durability against heat resistance and discoloration, and Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
A study was conducted to determine what shielding effect can be obtained with respect to the electromagnetic wave shielding by the three-element Ag alloy material added by about 3.0 wt%.

【0034】この方法の試験試料として、これまでと同
様に3元素同時スパッタリング法で天然ゴム又はクロロ
プレンゴム又はEPDM等の各種の材質からなる全ての
基板2の表面に、前述した三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1を形成し、それをKEC法(関西電子
振興センター考案の装置)により測定して電磁波遮蔽能
力を確認した。ここでは、前述した各種の材質からなる
全ての基板2に対して各材料組成範囲のAg合金材料か
らなる電磁波遮蔽膜1を直接形成した積層構造のもの
と、中間下地として例えばITO、ZnO、SiO2
からなる密着助長下地膜3を基板2の表面に形成してそ
の上に電磁波遮蔽膜1を形成した積層構造(図1参照)
のものとを同時にその電磁波遮蔽能力の分析を行い。更
に、Ag合金材料自体と中間下地を形成して、その中間
下地の上にAg合金材料薄膜を形成したものとで差異が
あるかどうかを合わせて確認した。
As a test sample of this method, the three-element Ag alloy described above was applied to the surface of all substrates 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM by a three-element simultaneous sputtering method as before. An electromagnetic wave shielding film 1 made of a material was formed, and the film was measured by a KEC method (a device devised by Kansai Electronics Promotion Center) to confirm the electromagnetic wave shielding ability. Here, a laminated structure in which the electromagnetic wave shielding film 1 made of an Ag alloy material of each material composition range is directly formed on all the substrates 2 made of the various materials described above, and an intermediate base made of, for example, ITO, ZnO , SiO A laminated structure in which an adhesion-promoting base film 3 made of 2 or the like is formed on the surface of the substrate 2 and an electromagnetic wave shielding film 1 is formed thereon (see FIG. 1).
The analysis of the electromagnetic wave shielding ability was carried out at the same time. Furthermore, it was also checked whether there was any difference between the Ag alloy material itself and the intermediate underlayer formed, and the Ag alloy material thin film formed on the intermediate underlayer.

【0035】すると、電磁波遮蔽効果に対して、Au、
Al、Cu及びAg等の材料からなる電磁波遮蔽膜と比
較して大きな優位差が有ることが確認でき、少なくとも
三元素からなるAg合金材料の場合には、前記材料では
得ることができなかった電磁波遮蔽効果に対しての高い
電磁波遮蔽能力を得ることが可能であることを確認する
ことができた。又、例えば100MHzの低周波域から
1GHz域までの広域において、少なくとも約30dB
(電磁波の強度がもとの0.1%程度の減衰)の電磁波
遮蔽特性を示していることを確認することができた。
又、中間下地として基板の表面にITO、ZnO、Si
2等からなる密着助長下地膜を形成してその上に少な
くとも三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を
形成した積層構造の電磁波遮蔽体の場合で、単層(単
膜)の電磁波遮蔽膜の場合と比較しても電磁波遮蔽効果
に対しての遮蔽能力の低下が認められず、単層(単膜)
の電磁波遮蔽膜の場合と同様に高い遮蔽能力が保持され
ていることが確認できた。
Then, for the electromagnetic wave shielding effect, Au,
It can be confirmed that there is a significant difference as compared with the electromagnetic wave shielding film made of a material such as Al, Cu, and Ag. In the case of an Ag alloy material composed of at least three elements, the electromagnetic wave could not be obtained with the material. It was confirmed that it was possible to obtain a high electromagnetic wave shielding ability with respect to the shielding effect. Also, for example, at least about 30 dB in a wide range from a low frequency range of 100 MHz to a 1 GHz range.
It was confirmed that the sheet exhibited an electromagnetic wave shielding characteristic of (the intensity of the electromagnetic wave was about 0.1% of the original attenuation).
In addition, ITO, ZnO , Si
In the case of an electromagnetic wave shielding body having a laminated structure in which an adhesion promoting base film made of O 2 or the like is formed and an electromagnetic wave shielding film 1 made of at least three elements of an Ag alloy material is formed thereon, a single layer (single film) electromagnetic wave is formed. No decrease in shielding ability against electromagnetic wave shielding effect was observed even when compared with the case of shielding film, single layer (single film)
It was confirmed that a high shielding ability was maintained as in the case of the electromagnetic wave shielding film of (1).

【0036】この場合に、望ましくはITO及びZnO
等の導電性酸化物を密着助長下地膜3として基板2と電
磁波遮蔽膜1との間に設けることで、電磁波遮蔽効果が
少なくともSiO2を設けた場合と比較して高いと言う
ことが確認できた。
In this case, preferably, ITO and ZnO are used.
By providing such a conductive oxide as the adhesion-promoting base film 3 between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1, it can be confirmed that the electromagnetic wave shielding effect is higher than at least when SiO 2 is provided. Was.

【0037】又、この場合の密着助長下地膜3の材料と
しては、より低抵抗であることが望ましく。少なくとも
ZnOよりもITOの方が高い電磁波遮蔽能力を得る場
合においては効果が高いということが確認された。この
理由としては、電磁波遮蔽を目的として少なくとも三元
素のAg合金材料及び、このAg合金材料薄膜と基板と
の間に特定の中間下地膜を設けて、その多層膜自体に電
界を加えた場合に、この多層膜の内部に導電電流が流
れ、この電気エネルギーが熱エネルギーに変換され、更
にはこの熱エネルギーへの変換を行う発熱機構が主とし
た起因とされて、電磁波が吸収されて導電損失が起こる
からである。
In this case, it is desirable that the material of the adhesion promoting base film 3 has a lower resistance . at least
It was confirmed that ITO was more effective in obtaining a higher electromagnetic wave shielding ability than ZnO . The reason for this is that when an Ag alloy material of at least three elements and a specific intermediate base film are provided between the Ag alloy material thin film and the substrate for the purpose of shielding electromagnetic waves, and an electric field is applied to the multilayer film itself, A conduction current flows inside the multilayer film, and this electric energy is converted into heat energy. Further, a heat generation mechanism that converts the heat energy into heat energy is mainly caused by absorption of electromagnetic waves and conduction loss. Because it happens.

【0038】又、この導電損失は導電電流が流れた分
依存して効果は高いために、電磁波遮蔽膜の抵抗が低け
れば低いほど優位差が顕著にでる。しかし、AgやA
l、Cuについては材料の原子自体の移動、つまり、エ
レクトロマイグレーション現象による電気エネルギーか
ら熱エネルギーへの変換である発熱機構が、時間の経過
と共に減衰してしまうために、少なくとも特定の膜厚を
設けることで減衰作用を低減してきたが、本発明による
Agを主成分としてPdを0.1〜3.0wt%添加
し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、い
ずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加してなる三元
素のAg合金材料においては膜自体の金属原子間移動が
活発ではないために、減衰作用が著しく低下すると言う
ことが分かった。
Further, since the effect of this conduction loss is high depending on the amount of the conduction current flowing, the lower the resistance of the electromagnetic wave shielding film, the more significant the difference becomes. However, Ag or A
For l and Cu, the movement of atoms of the material itself, that is, a heat generation mechanism that is a conversion from electric energy to heat energy due to the electromigration phenomenon is attenuated over time, so that at least a specific film thickness is provided. Although the damping effect has been reduced by this, Ag of the present invention is used as a main component, and Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%. Further, any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo It has been found that in a three-element Ag alloy material to which 0.1 to 3.0 wt% is added, the damping action is remarkably reduced because the movement of the film itself between metal atoms is not active.

【0039】又、ここでITO、ZnOに代表される導
電性酸化物ではなく、例えば絶縁であることを特徴とす
るSiO2、TiO2、Ta25、ZrO2等の誘電体を
Ag合金材料と基板との間に中間下地として介在した場
合では、Ag合金材料の保有する高い導電損失の効果に
加えて、誘電損失と呼ばれる高周波での電磁波エネルギ
ーの吸収と言う効果も行われて両者の相乗効果による電
磁波の高遮蔽効果が得られるために、少なくとも中間下
地膜として介在する金属酸化膜としては導電性を有する
材料に限定する必要は無い。少なくともAgを主成分と
してPdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料によって形成される電磁波遮蔽膜1においては、S
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Al等の金属膜、若しく
はITO、IrO 2ZnO、SiO2、TiO2、Ta2
5、ZrO2等の金属酸化膜、及び金属複合酸化物の材
料の内、どの材料においても、Ag合金材料膜と基板と
の中間下地膜として介在した場合には相対的に確認して
差異が無く、いずれの場合であっても高い電磁波遮蔽効
果があることが確認できた。
In addition, here, the conductivity represented by ITO and ZnO is
It is not an electrically conductive oxide but is, for example, an insulating material.
SiOTwo, TiOTwo, TaTwoOFive, ZrOTwoSuch as dielectric
When an intermediate base is interposed between the Ag alloy material and the substrate
In the case, the effect of the high conduction loss possessed by the Ag alloy material
In addition, electromagnetic wave energy at high frequencies called dielectric loss
The effect of the absorption of the
In order to obtain a high magnetic wave shielding effect,
Conductive as metal oxide film interposed as ground film
There is no need to limit the material. Ag at least as a main component
Then, Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and Cu and A are further added.
u, Ti, Cr, Ta, Mo
Ag alloy material of three elements added by 0.1 to 3.0 wt%
In the electromagnetic wave shielding film 1 formed by the material, S
Metal film of i, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, etc.
Is ITO, IrO Two,ZnO, SiOTwo, TiOTwo, TaTwo
OFive, ZrOTwoOf metal oxide films and metal composite oxides
Ag alloy material film and substrate
If it is interposed as an intermediate base film,
No difference, high electromagnetic wave shielding effect in any case
The result was confirmed.

【0040】実施例4 又、これまでは耐食性及び耐熱性に富んでいるAg合金
材料としてはAgに1〜3wt%のPdを添加されてな
る二元素のAg-Pd合金、若しくはAgに1〜10w
t%のAuを添加されてなるAg-Au合金が広く知ら
れているが、このAg-Pd合金とAg-Au合金のいず
れの合金を用いて形成した合金膜でも、高温高湿(多
湿)環境下で耐候性試験を行った際に、黒色の斑点が観
察できた。
Example 4 Further, as an Ag alloy material which has so far been excellent in corrosion resistance and heat resistance, a two-element Ag-Pd alloy obtained by adding 1 to 3 wt% of Pd to Ag, or a 1 to 1 element in Ag 10w
Ag-Au alloys to which t% Au is added are widely known. However, even if an alloy film formed using any of the Ag-Pd alloy and the Ag-Au alloy is used, high-temperature, high-humidity (high humidity) When the weather resistance test was performed in an environment, black spots were observed.

【0041】そのため、この黒色斑点物を光学顕微鏡で
観察して見たところ、この黒色の斑点物がPdの2
解作用の固溶限界になり、黒色化して励起反応を起こし
て隆起物となっていることが確認できたために、例えば
雨季等における高い湿気、或いは湿度の高い地域化での
長期信頼性に対しては安定性が欠けると言うことが分か
った。
Therefore, when the black spots were observed with an optical microscope and observed, the black spots reached the solid solution limit of the H 2 melting action of Pd, and turned black to cause an excitation reaction, which caused the black spots to become protruded. Because of this, it was found that stability was lacking for long-term reliability in high humidity in a rainy season or in localization with high humidity.

【0042】又、AgとAuは全率固溶する安定な合金
であることはよく知られているが、このAg-Au合金
膜は塩素をはじめとするハロゲン系元素に対して耐性が
富んでいないために、耐候性試験中に空気が混入してお
り、空気内に含有する塩素やヨウ素と原子的に結合した
ことでこの様な黒色斑点が得られたことが分かった。
It is well known that Ag and Au are stable alloys in which all the components are solid-solved. However, this Ag—Au alloy film has resistance to halogen elements such as chlorine.
It was found that air was mixed during the weather resistance test due to lack of abundance, and that such black spots were obtained by atomically bonding to chlorine or iodine contained in the air.

【0043】又、Ag-Pdの2元合金は耐熱性が高く
ないことが、前述した表1で示されているように、温度
が高かったり、太陽光から集中する熱線に対して安定性
に問題があることが確認されている。
Also, as shown in Table 1 above, the binary alloy of Ag-Pd does not have high heat resistance, as shown in Table 1 above, because of its high stability against heat rays concentrated from sunlight. Known problems.

【0044】そこで、本発明では耐熱性が高いことが確
認されているAgを主成分としてPdを0.1〜3.0
wt%添加し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、M
oの内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加し
てなる三元素のAg合金材料が、温度90℃、湿度90
%の高温高湿(多湿)の環境下での耐候性について、安
定性が少なくとも二元素のAg-Pd合金と比較してど
の様な結果が得られるかを実験してみた。
Therefore, in the present invention, Pd is contained in a content of 0.1 to 3.0 mainly containing Ag which has been confirmed to have high heat resistance.
wt%, Cu, Au, Ti, Cr, Ta, M
a three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of the above-described materials to a temperature of 90 ° C. and a humidity of 90 ° C.
An experiment was conducted to find out what results can be obtained with respect to the weather resistance in a high-temperature, high-humidity (humidity) environment in comparison with an Ag-Pd alloy having at least two elements.

【0045】この方法として、前述と同様に3元同時ス
パッタリング法で天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材料からなる全ての基板1の表面に、
前述した各材料組成範囲の三元素のAg合金材料からな
る電磁波遮蔽膜1を形成して、それを温度90℃、湿度
90%の高温高湿雰囲気中で経時変化の発生の有無を確
認してみた。この時、各種の材質からなる全ての基板2
に対してAgを主成分としてPdを0.1〜3.0wt
%添加し、更にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの
内、いずれか一種類を0.1〜3.0wt%添加してな
る三元素のAg合金材料を直接形成したものと、例えば
ITO、ZnOZnO-Al23複合酸化物、SiO2
等を形成して得たものとを同時に耐候性の試験を行い。
同時に、Ag合金材料自体と中間下地膜として前述の密
着助長下地膜3を形成し、その下地膜の上にAg合金材
料を形成した場合とで差異があるかどうかを合わせて確
認した。
In this method, as described above, natural rubber or chloroprene rubber or E
On the surface of all substrates 1 made of various materials such as PDM,
An electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material of each of the above-described material composition ranges is formed, and it is checked whether there is any change with time in a high-temperature and high-humidity atmosphere at a temperature of 90 ° C. and a humidity of 90%. saw. At this time, all the substrates 2 made of various materials are used.
And Pd containing 0.1 to 3.0 wt% with Ag as a main component.
%, And further, a directly formed three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo. ITO, ZnO, ZnO -Al 2 O 3 composite oxide, SiO 2
A weather resistance test was conducted simultaneously with those obtained by forming the above.
At the same time, it was also checked whether there was any difference between the case where the Ag alloy material itself and the above-mentioned adhesion promoting base film 3 were formed as an intermediate base film and the Ag alloy material was formed on the base film.

【0046】すると、Agを主成分としてPdを0.1
〜3.0wt%添加して、更にはCu、Au、Ti、C
r、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1〜3.0
wt%添加してなる三元素のAg合金材料によって形成
された電磁波遮蔽膜の単層(単膜)の場合でも、図1に
例示したように三元素のAg合金材料かなる電磁波遮蔽
膜1の中間下地にITO、ZnO、SiO2から選ばれ
た材料からなる密着助長下地膜3を用いて形成した電磁
波遮蔽体になった場合でも、単層(単膜)のAg合金材
料膜と比較して耐候性が高いことが確認できた。
Then, Pd is made 0.1 with Ag as the main component.
To 3.0 wt%, and further, Cu, Au, Ti, C
Any one of r, Ta, and Mo is 0.1 to 3.0.
Even in the case of a single layer (single film) of an electromagnetic wave shielding film formed of a three-element Ag alloy material added by wt%, as shown in FIG. Even when the electromagnetic wave shield is formed by using the adhesion-promoting base film 3 made of a material selected from ITO, ZnO , and SiO 2 as the intermediate base, compared with the single-layer (single-layer) Ag alloy material film It was confirmed that the weather resistance was high.

【0047】この結果として、Agを主成分としてPd
を0.1〜3.0wt%添加して、更にはCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料膜で
は、それを上膜として基板との間に任意で酸化物を形成
した場合でも下地に依存すること無く、耐熱性及び耐候
性が高く、更には電磁波遮蔽能力を保持することが確認
され、近年のEMC対策材料用の電磁波遮蔽体として応
用展開が広い等の有用性が高いことが確認できた。
As a result, Pd containing Ag as a main component
Of 0.1 to 3.0 wt%, and further, Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
In the case of a three-element Ag alloy material film with an addition of up to 3.0 wt%, even if an oxide is arbitrarily formed between the Ag alloy material film and the substrate as an upper film, the heat resistance and the weather resistance are not dependent on the underlayer. It has been confirmed that it has high electromagnetic wave shielding ability, and that it is highly useful as an electromagnetic wave shielding body for recent EMC countermeasure materials, such as a wide range of applications.

【0048】又、本発明ではAgを主成分としてPdを
0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、Au、Ti、
Cr、Ta、Moの内、少なくとも一種類以上の元素を
合計で0.1〜3.0wt%添加してなる三元素以上か
ら構成されるAg合金材料膜の化学的安定性を確認する
ために、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM等
の各種の材質からなる基板2の表面に、これまでと同様
に三元同時スパッタリング法にて15nmの厚みの電磁
波遮蔽膜1を形成した試験試料を用いて、温度90℃、
湿度90%の高温高湿(多湿)の環境下で24時間放置
してその外観や電磁波遮蔽特性の経時変化を観察してみ
た。その試験結果を表4及び表5に示す。
Further, in the present invention, 0.1 to 3.0 wt% of Pd containing Ag as a main component is added, and Cu, Au, Ti,
In order to confirm the chemical stability of an Ag alloy material film composed of three or more elements in which at least one element of Cr, Ta, and Mo is added in a total of 0.1 to 3.0 wt% in total. Using a test sample in which an electromagnetic wave shielding film 1 having a thickness of 15 nm was formed on the surface of a substrate 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM by a ternary simultaneous sputtering method as before, Temperature 90 ° C,
It was left for 24 hours in a high-temperature, high-humidity (humid) environment at a humidity of 90%, and its appearance and changes over time in electromagnetic wave shielding characteristics were observed. Tables 4 and 5 show the test results.

【0049】[0049]

【表4】 [Table 4]

【0050】[0050]

【表5】 [Table 5]

【0051】表4及び表5から明らかなように、24時
間放置後でも材料に経時変化が観察されなかったため
に、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はEPDM等の各
種の材料からなる基板の表面に形成したAgを主成分と
してPdを0.1〜3.0wt%添加し、更にCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を
0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材
料膜の電磁波遮蔽能力をKEC法(関西電子振興センタ
ー考案の装置)により測定して観察してみたが、100
MHzの低周波域から1GHz域までの広域において、
電磁波遮蔽能力の低下が確認されなかった。この様に、
Agを主成分とする三元素のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1は、化学的安定性が高く、天然ゴム又はクロ
ロプレンゴム又はEPDM等の各種の材料からなる全て
の基板2に対して制限されないことが分かった。
As is clear from Tables 4 and 5, since no change with time was observed in the material even after standing for 24 hours, it was formed on the surface of a substrate made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber or EPDM. Ag is used as a main component, and Pd is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%.
The electromagnetic wave shielding ability of a three-element Ag alloy material film formed by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of u, Ti, Cr, Ta, and Mo was determined by the KEC method (Kansai Electron Promotion Center devised Device) and observed.
In a wide range from a low frequency range of 1 MHz to a 1 GHz range,
No reduction in electromagnetic wave shielding ability was confirmed. Like this
The electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material containing Ag as a main component has high chemical stability and is not limited to all substrates 2 made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM. I found out.

【0052】又、これとは別に、本発明で得られた電磁
波遮蔽体の近傍界測定による100MHzの低周波域か
ら1GHz域までの電界強度減衰率(dB)が20dB
以上であることが求められることから、100MHzの
低周波域から1GHz域における電波吸収能力(d
B)、可撓性(cm)を測定してみた。尚、可撓性測定
については適宜の大きさ(例えば幅10mmの短冊状)
に切断した試験試料(本発明で得られた電磁波遮蔽体)
の端部を押えながら実験台の端部から徐々に試験試料を
出して行き、垂れ下った部分が丁度90°となった時点
での実験台上の試験試料の長さを測定することにより指
標した。その測定結果を表6に示す。尚、近傍界とは、
電波工学において波長をλとした場合、λ/6波長以内
の距離における電界を意味する。又、電界強度減衰率と
は、電磁波遮蔽能力の指標であり、いずれも測定原理を
等しくする自動化測定装置により材料の電磁波遮蔽能力
が測定される。
Separately from this, the electric field intensity attenuation rate (dB) from the low frequency range of 100 MHz to the 1 GHz range by the near-field measurement of the electromagnetic wave shield obtained by the present invention is 20 dB.
Therefore, the radio wave absorption capability (d from 100 MHz low frequency range to 1 GHz range) is required.
B) The flexibility (cm) was measured. In addition, about flexibility measurement, it is an appropriate size (for example, 10 mm width strip shape).
Test sample cut into pieces (electromagnetic wave shield obtained by the present invention)
The index is obtained by gradually taking out the test sample from the end of the bench while holding down the end of the test bench, and measuring the length of the test sample on the bench at the time when the hanging part becomes just 90 °. did. Table 6 shows the measurement results. The near field is
When the wavelength is λ in radio wave engineering, it means an electric field at a distance within λ / 6 wavelength. The electric field intensity attenuation rate is an index of the electromagnetic wave shielding ability, and the electromagnetic wave shielding ability of a material is measured by an automated measuring device that makes the measurement principle the same.

【0053】比較例 比較例として、両末端にジメチルビニルシチル基である
メリルビニルシロキサン単位を0.06%含有する平均
重合度約6,000のビニル基含有ポリジメリルシロキ
サン100部に導電性カーボンブラックとしてファーネ
スブラック「♯3030B」(三菱化学(株)製)40
部と珪藻土10部をニーダーに仕込み、混練を行った
後、更に架橋剤として2,5−ジメチル−2,5−ジ−
t−ブチルパーオキシヘキサン1.5部を加え、均一な
シリコーンゴムコンパウンドを得た。そして、このコン
パウンドを170℃×10分間の条件でプレス成形によ
り厚さ1mm、1辺が100mm四方のゴム板を形成し
た後に200℃で4時間加硫を行うことで試験試料を作
した。又、電磁波遮蔽能力測定試料として、厚さ7.
mm、1辺が50mm使用のゴム板を前述と同様の方
法、手順で作成した。
Comparative Example As a comparative example, 100 parts of a vinyl group-containing polydimerylsiloxane having an average degree of polymerization of about 6,000 and containing 0.06% of a merylvinylsiloxane unit, which is a dimethylvinylcytyl group, at both terminals was added to conductive carbon. Furnace black “$ 3030B” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 40 as black
Parts and 10 parts of diatomaceous earth were charged into a kneader and kneaded, and then 2,5- dimethyl- 2,5-di- as a crosslinking agent.
1.5 parts of t-butyl peroxyhexane was added to obtain a uniform silicone rubber compound. Then, a test sample was prepared by forming a rubber plate having a thickness of 1 mm and a side of 100 mm on each side by press molding the compound at 170 ° C. for 10 minutes and vulcanizing at 200 ° C. for 4 hours . In addition, as a sample for measuring the electromagnetic wave shielding ability , a thickness of 7.
A rubber plate having a size of 5 mm and a side of 50 mm was prepared by the same method and procedure as described above.

【0054】[0054]

【表6】 [Table 6]

【0055】表6から明らかなように、主成分とするA
gに、0.1〜3.0wt%のPdを添加し、更に第三
の元素として0.1〜3.0wt%のCu、Au、T
i、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を添加して
なる三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を各
種の材料からなる基板2の表面に形成した本発明の電磁
波遮蔽体は従来のエラストマーに金属粉やカーボンブラ
ックを配合してなるものと比べて100MHzの低周波
域からGHz域における電界強度減衰率(dB)、電
遮蔽能力(dB)が優れ、しかも、可撓性(cm)に
おいても優れていることが確認された。又、90°に折
り曲げた状態において表面に亀裂等の発生が全く確認さ
れない複雑な形状への折り曲げ追随性(形状自在性))
においても優れていることが確認された。
As is apparent from Table 6, A as the main component
g of P, 0.1 to 3.0 wt% of Pd, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, T as a third element.
An electromagnetic wave shielding body of the present invention in which an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material to which any one of i, Cr, Ta, and Mo is added is formed on a surface of a substrate 2 made of various materials. Is excellent in electric field intensity attenuation rate (dB) and radio wave shielding ability (dB) in a low frequency range of 100 MHz to 1 GHz range, and is more flexible than a conventional elastomer mixed with metal powder or carbon black. It was also confirmed that the properties (cm) were excellent. In addition, in a state where the surface is bent at 90 °, no cracks or the like are generated on the surface, and the surface can be bent to a complicated shape (formability).
Was also confirmed to be excellent.

【0056】実施例5 次に、本発明ではノートブック型パソコンや携帯電話機
等に代表される携帯型情報端末機器等に、本発明により
得られた少なくとも三元素のAg合金材料からなる電磁
波遮蔽膜1を、前述した各種の材料からなる基板2の表
面に形成して製作してなる電磁波遮蔽体を例えば外形に
沿わせて折り曲げ付設せしめた場合、表面部に露出する
電磁波遮蔽膜1に直接、人体の一部や何らかの物体が接
触することが検討できる。
Embodiment 5 Next, in the present invention, an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material of at least three elements obtained by the present invention is applied to a portable information terminal device typified by a notebook personal computer or a mobile phone. 1 is formed on the surface of the substrate 2 made of the above-described various materials, and the electromagnetic wave shielding body manufactured and bent, for example, along the outer shape, is directly attached to the electromagnetic wave shielding film 1 exposed on the surface. It can be considered that a part of the human body or some object comes into contact.

【0057】この場合に、電磁波遮蔽体を形成するAg
合金材料膜が露出する場合においては、少なくとも人体
や物体の接触によって表面部が削られたり、或いは殺傷
痕が残ることで導電損失効果が減少したり、或いは特定
の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下する可能性が
検討されるため、表面接触による表面部の削れや殺傷痕
の発生を抑制する目的で、本発明によって得られた電磁
波遮蔽体の表層部に、主成分とするAgに、0.1〜
3.0wt%のPdを添加し、更に第三の元素として
0.1〜3.0wt%のCu、Au、Ti、Cr、T
a、Moの内、いずれか一種類を添加した三元素のAg
合金材料によって形成される電磁波遮蔽膜1の上部に、
耐食性及び耐候性に優れた材料や耐摩耗性に優れた材料
からなる保護膜4を形成する。それにより、露出する電
磁波遮蔽膜1に何らかの接触によって発生する接触傷の
防止、及び保護膜4を形成した場合での電磁波遮蔽能力
の低下の抑制、更には基板2と電磁波遮蔽膜1との間に
中間下地として密着助長下地膜3を形成し、その上に保
護膜4を形成した積層構造の電磁波遮蔽体(図2参照)
にした場合での電磁波遮蔽効果に対する電磁波遮蔽能力
の低下の有無を確認した。
In this case, Ag forming the electromagnetic wave shielding body
When the alloy material film is exposed, at least the surface is cut off by contact with the human body or object, or the conductive trace effect is reduced by leaving a scar, or the shielding ability for the specific electromagnetic wave shielding effect is reduced. In order to suppress the occurrence of shaving of the surface portion and the occurrence of a damage mark due to the surface contact, the surface layer portion of the electromagnetic wave shielding body obtained by the present invention is added with Ag, which is a main component, in the surface layer portion. 1 to
3.0 wt% of Pd is added, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, Au, Ti, Cr, T
Ag of three elements to which any one of a and Mo is added
On top of the electromagnetic wave shielding film 1 formed of an alloy material,
The protective film 4 made of a material excellent in corrosion resistance and weather resistance or a material excellent in wear resistance is formed. Thereby, it is possible to prevent a contact flaw caused by some kind of contact with the exposed electromagnetic wave shielding film 1, to suppress a decrease in the electromagnetic wave shielding ability when the protective film 4 is formed, and to further reduce a gap between the substrate 2 and the electromagnetic wave shielding film 1. An electromagnetic wave shield having a laminated structure in which an adhesion-promoting base film 3 is formed as an intermediate base and a protective film 4 is formed thereon (see FIG. 2)
It was confirmed whether or not the electromagnetic wave shielding ability was reduced with respect to the electromagnetic wave shielding effect in the case of the above.

【0058】この場合では、例えばAg合金材料膜が単
層(単膜)の場合、Ag合金材料と基板の間に中間下地
膜を、金属若しくは金属酸化膜を形成した場合、更には
Ag合金材料の上部に保護膜を形成し、基板との間に中
間下地膜を形成した場合のいずれの場合においても、電
磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力についての顕著な差異を
確認することはできなかった。
In this case, for example, when the Ag alloy material film is a single layer (single film), when an intermediate base film is formed between the Ag alloy material and the substrate, a metal or metal oxide film is formed, In any of the cases where a protective film was formed on top of the substrate and an intermediate base film was formed between the protective film and the substrate, no remarkable difference in the shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect could be confirmed.

【0059】又、例えばAg合金材料以外の純Ag、A
l、Cu、Au等を用いて、前記記載の通りに単層(単
膜)、下地膜を形成した複層(2膜)、更には純Ag、
Al、Cu、Auを同一、或いは異なる材質の膜を介在
した場合では、電磁波の遮蔽能力が低下することが確認
されているために、少なくともAgを主成分としてPd
を0.1〜3.0wt%添加し、更に第三元素としてC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種
類を0.1〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合
金材料によって基板2の表面に形成される電磁波遮蔽膜
1においては、上下部に形成する材料の内、前述したS
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Al、ITO、Ir
2ZnO、SiO2、TiO2、Ta25、ZrO2
いずれに対しても界面が例えば酸化等の反応を引き起こ
すことなく安定であるために、電磁波遮蔽能力、若しく
はこの遮蔽効果に対しての有効な特性を発揮する導電損
失、若しくは誘電損失に対して影響が無いと言うことが
分かった。
Further, for example, pure Ag other than Ag alloy material, A
As described above, a single layer (single film), a multiple layer (two films) having an underlayer formed thereon, pure Ag,
When Al, Cu, and Au are interposed between films of the same or different materials, it has been confirmed that the electromagnetic wave shielding ability is reduced.
Is added in an amount of 0.1 to 3.0 wt%, and C is added as a third element.
Electromagnetic wave shielding film 1 formed on the surface of substrate 2 by a three-element Ag alloy material obtained by adding 0.1 to 3.0 wt% of any one of u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo In the above, among the materials formed on the upper and lower portions, the aforementioned S
i, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO, Ir
Since the interface is stable to any of O 2 , ZnO , SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , and ZrO 2 without causing a reaction such as oxidation, the electromagnetic wave shielding ability or the shielding effect is reduced. It has been found that there is no effect on the conductive loss or the dielectric loss that exhibits the effective characteristics for this.

【0060】又、Agを主成分としてPdを0.1〜
3.0wt%添加し、更に第三元素としてCu、Au、
Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を0.1
〜3.0wt%添加してなる三元素のAg合金材料から
なる電磁波遮蔽膜1を基板2の表面に形成するその成膜
方法としては、RF若しくはDC電源を用いたスパッタ
リング法、真空蒸着法、CVD法が検討できるが、この
いずれの場合であっても、これまでに説明した通りの顕
著な電磁波遮蔽効果が確認された。この様に、主成分と
するAgに、0.1〜3.0wt%のPdを添加し、更
に第三の元素として0.1〜3.0wt%のCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、いずれか一種類を添
加してなる三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜
1を各種の材料からなる基板2の表面に形成するその成
膜方法としては、RF若しくはDC電源を用いたスパッ
タリング法、真空蒸着法、CVD法が望ましい。
In addition, Pd containing Ag as a main component
3.0 wt%, and further, Cu, Au,
0.1 of any one of Ti, Cr, Ta, and Mo
As a method of forming the electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material with addition of about 3.0 wt% on the surface of the substrate 2, a sputtering method using an RF or DC power supply, a vacuum deposition method, Although the CVD method can be considered, in each case, a remarkable electromagnetic wave shielding effect as described above was confirmed. As described above, 0.1 to 3.0 wt% of Pd is added to Ag as the main component, and 0.1 to 3.0 wt% of Cu, A as the third element.
A method of forming an electromagnetic wave shielding film 1 made of a three-element Ag alloy material to which one of u, Ti, Cr, Ta, and Mo is added on a surface of a substrate 2 made of various materials As the method, a sputtering method using an RF or DC power supply, a vacuum evaporation method, and a CVD method are preferable.

【0061】又、天然ゴム又はクロロプレンゴム又はE
PDM等の各種の材料からなる基板1の表面に、少なく
とも三元素のAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜1を形
成する場合に、例えばスパッタリング法では、膜を形成
する速度基準を検討することができるスパッタリングレ
ートが高く、更には蒸着法の場合では融点が960℃前
後で決してCu、Auと比較しても、或いは金属元素内
でも高い部類には属さないために融点の向上による蒸着
温度条件の汎用性や蒸着を行うについて従来と比較した
場合に劣ることがないために、薄膜を形成する成膜方法
としては基板の材質によって任意で選択するものの、い
ずれの場合においても従来と比較して顕著に成膜方法で
の生産についての優位差が生じることが分かった。
Natural rubber or chloroprene rubber or E
When forming the electromagnetic wave shielding film 1 made of at least three-element Ag alloy material on the surface of the substrate 1 made of various materials such as PDM, for example, in a sputtering method, a speed standard for forming the film can be considered. The sputtering rate is high, and in the case of the vapor deposition method, the melting point is around 960 ° C., and it does not belong to the high class even if compared with Cu or Au. Since there is no inferiority as compared with the conventional one in terms of performance and vapor deposition, although a film forming method for forming a thin film is arbitrarily selected depending on the material of the substrate, in any case, it is remarkably compared with the conventional one. It was found that there was a significant difference in production by the film forming method.

【0062】又、基板の表面への薄膜の成膜方法として
検討されるスパッタリング法或いは蒸着法においては、
いずれの成膜方法で形成した場合であっても、一般的に
スパッタリング法は蒸着法と比較した場合、得られる薄
膜の緻密性に差異が生じる。又、蒸着法についてはスパ
ッタリング法よりも膜の緻密性が劣るために、蒸着法で
電磁波遮蔽膜を形成する場合ではスパッタリング法で膜
を形成する場合と比較して厚い膜厚を要すとされるが、
三元素のAg合金材料については電磁波遮蔽効果が低下
することは無く、蒸着法でもスパッタリング法でも同じ
膜の厚み(nm)で同様の電磁波遮蔽効果を得ることが
できることが分かった。
In a sputtering method or a vapor deposition method studied as a method of forming a thin film on the surface of a substrate,
Regardless of the film formation method, the sputtering method generally has a difference in the density of the obtained thin film when compared with the vapor deposition method. In addition, the vapor deposition method is inferior to the sputtering method in that the denseness of the film is inferior.When forming the electromagnetic wave shielding film by the vapor deposition method, it is said that a thicker film is required than in the case of forming the film by the sputtering method. But
It was found that the three-element Ag alloy material did not reduce the electromagnetic wave shielding effect, and that the same electromagnetic wave shielding effect could be obtained with the same film thickness (nm) by the vapor deposition method and the sputtering method.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明は叙上の如く構成してなることか
ら、下記の作用効果を秦する。 .本発明では、Agを主成分とし、0.1〜3.0w
t%のPdを添加し、更に0.1〜3.0wt%のC
u、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくとも一
種類以上の元素を添加した各材料組成範囲からなるAg
合金材料の電磁波遮蔽膜をエラストマー材料基板の表面
に形成して製作した電磁波遮蔽体は、従来の例えば金属
粉やカーボンブラックを配合してなるエラストマーと同
等の柔軟性、形状自在性(複雑な形状への折り曲げ追随
性)を備えた上で、同該エラストマーに比べて大変安定
な電磁波遮蔽効果に対する高い遮蔽能力を保持し得る。
これにより、長期に亘り電磁波遮蔽効果を保持するため
に有用である導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回
避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
Since the present invention is constructed as described above, it has the following functions and effects. . In the present invention, Ag is a main component, and 0.1 to 3.0 w
t% of Pd, and 0.1-3.0 wt% of C
Ag consisting of each material composition range to which at least one or more elements are added among u, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo
An electromagnetic wave shielding body manufactured by forming an electromagnetic wave shielding film made of an alloy material on the surface of an elastomer material substrate has the same flexibility and shape flexibility (complex shape) as a conventional elastomer made of a compounded metal powder or carbon black, for example. In addition to the above-mentioned elastomer, it is possible to maintain a very high shielding ability against an electromagnetic wave shielding effect, which is very stable as compared with the elastomer.
This makes it possible to obtain a high-quality electromagnetic wave shield that avoids deterioration of the electromagnetic wave shielding ability due to conduction loss, which is useful for maintaining the electromagnetic wave shielding effect for a long time.

【0064】.又、本発明によって得られた電磁波遮
蔽体では、100MHzの低周波域からGHz域まで
の広域に亘って、優れた電磁波遮蔽特性を維持し得るこ
とから、従来の例えば金属粉やカーボンブラックを配合
してなるエラストマーと比較すると高い電磁波遮蔽効果
を得ることができる。
[0064] In addition, the electromagnetic wave shield obtained according to the present invention can maintain excellent electromagnetic wave shielding characteristics over a wide range from a low frequency range of 100 MHz to a 1 GHz range, so that conventional metal powder or carbon black can be used. A higher electromagnetic wave shielding effect can be obtained as compared with the elastomer obtained by blending.

【0065】.又、本発明では、天然ゴム又はクロロ
プレンゴム又はEPDM等の各種の材質からなる基板の
表面にAg合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を形成する場
合、スパッタリング法、蒸着法、更にはCVD法の何れ
の成膜方法を用いた場合であっても、生産性及び薄膜の
成膜方法を問わずに、安定した電磁波遮蔽効果を長期に
亘り保持し得る高い遮蔽能力の電磁波遮蔽膜を基板の表
面に形成することができる。
[0065] Further, in the present invention, when an electromagnetic wave shielding film is formed using a Ag alloy material on the surface of a substrate made of various materials such as natural rubber, chloroprene rubber, or EPDM, any of sputtering method, vapor deposition method, and even CVD method Even when using the film forming method of the above, regardless of the productivity and the method of forming the thin film, an electromagnetic wave shielding film having a high shielding ability capable of maintaining a stable electromagnetic wave shielding effect over a long period of time is provided on the surface of the substrate. Can be formed.

【0066】.又、本発明では、例えば金属や金属酸
化物、或いはその複合材料からなる密着助長下地膜を中
間下地としてエラストマー材料基板の表面に形成し、そ
の上にAg合金材料からなる電磁波遮蔽膜を形成した積
層構造の電磁波遮蔽体とすることで、電磁波遮蔽膜の基
板に対する密着性(接合性)がより一層効果的に改善さ
れ、剥離等の無い結合の強化が図られる。又、Ag合金
材料の上下部にこれらの材料を形成して積層した積層構
造とされた場合であっても品質の差異が無く、Ag合金
材料単層(単膜)と同等、或いはそれ以上の更なる優位
差の高い電磁波遮蔽効果を有する電磁波遮蔽体を製作し
提供することができる。
[0066] In the present invention, for example, an adhesion-promoting base film made of a metal, a metal oxide, or a composite material thereof is formed on the surface of an elastomer material substrate as an intermediate base, and an electromagnetic wave shielding film made of an Ag alloy material is formed thereon. With the electromagnetic wave shielding body having a laminated structure, the adhesion (bonding property) of the electromagnetic wave shielding film to the substrate is more effectively improved, and the bonding without peeling or the like is strengthened. Further, even when a laminated structure in which these materials are formed and laminated on the upper and lower portions of the Ag alloy material has no difference in quality, there is no difference in quality and is equal to or more than a single layer (single film) of the Ag alloy material. An electromagnetic wave shielding body having an electromagnetic wave shielding effect having a further superior difference can be manufactured and provided.

【0067】.又は、本発明の電磁波遮蔽体では、表
層部の電磁波遮蔽膜の表面に、耐食性及び耐候性に優れ
た材料や耐摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成す
ることで、人体や物体の接触によって表面部が削られた
り、或いは殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少した
り、或いは特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低
下する可能性が懸念される表面接触による表面部の削れ
や殺傷痕の発生を抑制することができる。
. Alternatively, in the electromagnetic wave shielding body of the present invention, by forming a protective film made of a material excellent in corrosion resistance and weather resistance or a material excellent in wear resistance on the surface of the electromagnetic wave shielding film in the surface layer portion, a human body or an object can be protected. The surface is cut by contact, or the conductive loss effect is reduced by leaving a scar, or there is a concern that the shielding ability for a specific electromagnetic wave shielding effect may be reduced. It is possible to suppress the occurrence of killing marks.

【0068】従って、本発明によれば、柔軟性、形状自
在性(複雑な形状への折り曲げ追随性)を備えた上で、
Ag自体の保有する電磁波遮蔽効果等に対しての高い遮
蔽能力が保持され、更には高温高湿等の環境下において
も高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されると言った耐
候性等のAg自体の材料的な安定性が格段に改善され、
しかも、エラストマー材料基板との接合性においても密
着助長下地膜を介在することでより一層効果的に強化さ
れる等、より高い信頼性が得られるEMC対策材料とし
て応用展開が広く期待できる等の有用性の高い電磁波遮
蔽体を提供することができる。
Therefore, according to the present invention, while providing flexibility and shape flexibility (bending followability to a complicated shape),
Ag itself has a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect, etc. possessed by Ag itself, and furthermore, Ag such as weather resistance, which indicates that the high electromagnetic shielding ability is continuously maintained even in an environment such as high temperature and high humidity. The material stability of itself has been significantly improved,
In addition, the bonding property with the elastomer material substrate is enhanced more effectively by the interposition of the adhesion-promoting base film, and it is useful because it can be widely expected to be applied as an EMC countermeasure material with higher reliability. It is possible to provide an electromagnetic wave shield having high performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明電磁波遮蔽体の実施の一例を示した断
面図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electromagnetic wave shield according to the present invention.

【図2】 本発明電磁波遮蔽体の他の実施例を示した断
面図
FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the electromagnetic wave shield of the present invention.

【符号の説明】 1:電磁波遮蔽膜 2:基板 3:密着助長下地膜 4:保護膜[Description of Signs] 1: Electromagnetic wave shielding film 2: Substrate 3: Adhesion promoting base film 4: Protective film

フロントページの続き Fターム(参考) 4F100 AA17E AA20E AA21E AA25E AA33E AB01E AB10E AB11E AB12B AB12C AB12E AB13B AB13C AB13E AB17B AB17C AB20B AB20C AB20E AB24B AB24C AB25B AB25C AB31B AB31C AL09A AR00D AR00E BA02 BA03 BA04 BA05 BA07 BA10A BA10C BA10D CA21B CA21C EH66B EH66C GB41 JB02D JD08B JD08C JG01A JK09D JK13 JL11E 5E321 AA23 BB23 BB25 BB44 BB53 BB57 GG05 Continued on the front page F-term (reference) 4F100 AA17E AA20E AA21E AA25E AA33E AB01E AB10E AB11E AB12B AB12C AB12E AB13B AB13C AB13E AB17B AB17C AB20B AB20C AB20E AB24B AB24C AB25B AB25C AB31 BA01B BA00 BAC GB41 JB02D JD08B JD08C JG01A JK09D JK13 JL11E 5E321 AA23 BB23 BB25 BB44 BB53 BB57 GG05

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導電性を有するエラストマー材料からな
る基板の表面に、Agを主成分とし、Pdを含有し、更
にCu、Au、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくと
も一種類以上の元素を添加したAg合金材料から形成し
てなる電磁波遮蔽膜を積層してなることを特徴とする電
磁波遮蔽体。
1. A substrate made of a conductive elastomer material, comprising Ag as a main component, Pd, and at least one or more of Cu, Au, Ti, Cr, Ta, and Mo. An electromagnetic wave shielding body characterized in that an electromagnetic wave shielding film formed of an Ag alloy material to which is added is laminated.
【請求項2】 請求項1記載の電磁波遮蔽膜を、Pdを
0.1〜3.0wt%の範囲内で添加し、更にCu、A
u、Ti、Cr、Ta、Moの内、少なくとも一種類以
上の元素を0.1〜3.0wt%の範囲内で添加してな
るAg合金材料から形成してなることを特徴とする電磁
波遮蔽体。
2. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein Pd is added in a range of 0.1 to 3.0 wt%, and Cu and A are further added.
An electromagnetic wave shield formed of an Ag alloy material obtained by adding at least one or more elements of u, Ti, Cr, Ta, and Mo in a range of 0.1 to 3.0 wt%. body.
【請求項3】 請求項1又は2記載の電磁波遮蔽膜が、
単膜又は2膜以上の複膜から形成されてなることを特徴
とする電磁波遮蔽体。
3. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1 or 2,
An electromagnetic wave shield comprising a single film or a multilayer film of two or more films.
【請求項4】 請求項1乃至3いずれか1項記載のAg
合金材料が、蒸着材料であり、蒸着法により電磁波遮蔽
膜を基板の表面に形成してなることを特徴とする電磁波
遮蔽体。
4. Ag according to any one of claims 1 to 3, wherein
An electromagnetic wave shield, wherein the alloy material is an evaporation material, and an electromagnetic wave shielding film is formed on the surface of the substrate by an evaporation method.
【請求項5】 請求項1乃至3いずれか1項記載のAg
合金材料が、スパッタリングターゲット材料であり、ス
パッタリング法により電磁波遮蔽膜を基板の表面に形成
してなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
5. Ag according to any one of claims 1 to 3, wherein
An electromagnetic wave shielding body, wherein the alloy material is a sputtering target material, and an electromagnetic wave shielding film is formed on the surface of the substrate by a sputtering method.
【請求項6】 請求項1乃至5いずれか1項記載の電磁
波遮蔽膜の上に、耐蝕性及び耐候性に優れた材料からな
る保護膜を形成してなることを特徴とする電磁波遮蔽
体。
6. An electromagnetic wave shield comprising a protective film made of a material having excellent corrosion resistance and weather resistance formed on the electromagnetic wave shield film according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 請求項1乃至5いずれか1項記載の電磁
波遮蔽膜の上に、耐摩耗性に優れた材料からなる保護膜
を形成してなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
7. An electromagnetic wave shield comprising a protective film made of a material having excellent wear resistance, formed on the electromagnetic wave shield film according to claim 1.
【請求項8】 請求項1乃至7いずれか1項記載の基板
と電磁波遮蔽膜との間に、密着性を助長する密着助長下
地膜を形成してなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
8. An electromagnetic wave shield comprising a substrate and an electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 7, wherein an adhesion promoting base film for promoting adhesion is formed.
【請求項9】 請求項8記載の密着助長下地膜が、IT
O、IrO2、ZnO2、SiO2、TiO2、Ta25
ZrO2から選ばれた少なくとも一種、若しくはこれら
を主成分とする二種類以上の材料からなることを特徴と
する電磁波遮蔽体。
9. The adhesion promoting underlayer film according to claim 8, wherein
O, IrO 2 , ZnO 2 , SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 ,
An electromagnetic wave shield comprising at least one kind selected from ZrO 2 or two or more kinds of materials containing these as main components.
【請求項10】 請求項8記載の密着助長下地膜が、S
i、Ta、Ti、Mo、Cr、Alから選ばれた少なく
とも一種、若しくはこれらを主成分とする二種類以上の
材料からなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
10. The adhesion-promoting underlayer film according to claim 8, wherein
An electromagnetic wave shield comprising at least one selected from the group consisting of i, Ta, Ti, Mo, Cr, and Al, or two or more materials containing these as main components.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106197839A (en) * 2016-07-05 2016-12-07 浙江大学 A kind of breathe graphene film detection vacustat in application
CN106185893A (en) * 2016-07-05 2016-12-07 浙江大学 A kind of breathe graphene film detection light stability in application
WO2021200518A1 (en) * 2020-03-31 2021-10-07 日東電工株式会社 Stretchable, electrically conductive film, sensor, radio wave absorber, and reflector

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