JP2003151366A - Transparent conductive film, its manufacturing method and touch panel - Google Patents

Transparent conductive film, its manufacturing method and touch panel

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JP2003151366A
JP2003151366A JP2002225033A JP2002225033A JP2003151366A JP 2003151366 A JP2003151366 A JP 2003151366A JP 2002225033 A JP2002225033 A JP 2002225033A JP 2002225033 A JP2002225033 A JP 2002225033A JP 2003151366 A JP2003151366 A JP 2003151366A
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transparent conductive
film
conductive film
thin film
coating layer
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Application number
JP2002225033A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Iwabuchi
芳典 岩淵
Taichi Kobayashi
太一 小林
Shingo Ono
信吾 大野
Yukihiro Kusano
行弘 草野
Masahito Yoshikawa
雅人 吉川
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Bridgestone Corp
Original Assignee
Bridgestone Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film with a transparent conductive thin film formed on a high polymer film, not having problems of damages and peeling of the transparent conductive thin film and capable of providing a touch panel with high reliability and durability, and the touch panel provided with the transparent conductive film. SOLUTION: The transparent conductive film is comprised by forming the transparent conducting thin film 5 and a cover layer 9 on the high polymer film 4. The cover layer 9 on the transparent conducting thin film 5 is a layer comprising metal, or it is comprised by oxidizing, nitriding or oxynitriding a metal layer. The touch panel is provided with the transparent conductive film used as an upper electrode 6A or a lower electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子フィルム上
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の耐剥離、脱落性に優れ、電気特性及
びその耐久性に優れた透明導電フィルム及びその製造方
法と、この透明導電フィルムを備えるタッチパネルに関
する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a polymer film, and the transparent conductive thin film has excellent resistance to peeling and dropping, and excellent electrical characteristics and durability. The present invention also relates to a transparent conductive film, a method for manufacturing the same, and a touch panel including the transparent conductive film.

【0002】[0002]

【従来の技術】指で押したり、専用ペンで描画すると、
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。
[Prior Art] When pressed with a finger or drawn with a special pen,
Resistive film type touch panels, whose parts come into contact with facing electrodes and are energized to input signals, are widely used as input devices for various home appliances and mobile terminals because they are advantageous in making them smaller, lighter and thinner. .

【0003】抵抗膜式タッチパネルは、図4に示す如
く、ガラス板1の上に透明導電薄膜2を形成してなる下
部電極3の上に、高分子フィルム4に透明導電薄膜5を
形成してなる上部電極6を、透明導電薄膜2,5が対面
するようにスペーサ(マイクロドットスペーサ)7を介
して積層したものであり、上部電極6の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極6と下部電極3とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極6の表面には、高
分子フィルム4の保護のためにハードコート層8が設け
られている。即ち、このようなタッチパネルでは、上部
電極6上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐
擦傷性が極めて重要な特性となる。従来のタッチパネル
では、上部電極6の耐擦傷性を向上させるためにタッチ
面側にハードコート層8が設けられている。
As shown in FIG. 4, a resistive film type touch panel has a transparent conductive thin film 5 formed on a polymer film 4 on a lower electrode 3 formed by forming a transparent conductive thin film 2 on a glass plate 1. The upper electrode 6 is laminated with a spacer (microdot spacer) 7 so that the transparent conductive thin films 2 and 5 face each other. When the display surface of the upper electrode 6 is pressed with a finger or a pen, the upper electrode 6 And the lower electrode 3 are brought into contact with each other to be energized and a signal is inputted. A hard coat layer 8 is provided on the surface of the upper electrode 6 to protect the polymer film 4. That is, in such a touch panel, since the touch surface on the upper electrode 6 is rubbed with a finger or a pen, scratch resistance at that time is a very important characteristic. In the conventional touch panel, the hard coat layer 8 is provided on the touch surface side in order to improve the scratch resistance of the upper electrode 6.

【0004】なお、タッチパネル用途の透明導電フィル
ムの耐久性を向上させる目的で、特開平2−19494
3号公報には、ITO(スズインジウム酸化物)透明導
電薄膜を成膜した後、熱処理を施してITOを結晶化さ
せることが記載されているが、透明導電フィルムの基材
が高分子フィルムであるため、この熱処理温度にも限界
があり、例えば150℃で24時間というような、比較
的低い温度で長い時間での熱処理が必要となり、生産
性、コストの面で問題があった。
For the purpose of improving the durability of the transparent conductive film for touch panel use, JP-A-2-19494 is used.
Japanese Patent Publication No. 3 describes that an ITO (tin indium oxide) transparent conductive thin film is formed and then heat treated to crystallize ITO. However, the base material of the transparent conductive film is a polymer film. Therefore, there is a limit to the heat treatment temperature, and heat treatment at a relatively low temperature for a long time such as 150 ° C. for 24 hours is required, which causes a problem in productivity and cost.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このようなタッチパネ
ルでは、指やペンによる入力に伴って、上部電極6の透
明導電薄膜5と下部電極3の透明導電薄膜2とが接触と
非接触とを繰り返すこととなるが、透明導電薄膜5,2
の形成材料であるITO等の透明導電性材料は、耐擦傷
性が低いために、透明導電薄膜2,5のうち、特にタッ
チパネルの入力時に繰り返し変形を受ける上部電極6の
透明導電薄膜5には亀裂が入り易く、また、同材質の透
明導電薄膜2,5同士の接触、非接触で透明導電薄膜5
が基材である高分子フィルム4から剥離して脱落し易い
という問題があった。
In such a touch panel, the transparent conductive thin film 5 of the upper electrode 6 and the transparent conductive thin film 2 of the lower electrode 3 repeatedly make contact and non-contact with the input by a finger or a pen. As a matter of fact, the transparent conductive thin films 5, 2
Since the transparent conductive material such as ITO, which is a material for forming the same, has a low scratch resistance, the transparent conductive thin film 5 of the upper electrode 6, which is repeatedly deformed at the time of input on the touch panel, among the transparent conductive thin films 2 and 5, is particularly preferable. It is easy for cracks to occur, and the transparent conductive thin films 5 made of the same material can be contacted or not contacted with each other.
However, there is a problem in that it is easily peeled off from the polymer film 4 which is the base material and comes off.

【0006】上部電極6の透明導電薄膜5が損傷した
り、剥離したりすると、透明導電薄膜5面の電気抵抗値
が変化し、また、その均一性が失われ、電気特性が損な
われることにより、正確な入力を行うことができなくな
り、このことがタッチパネルの信頼性を損ない、損傷、
欠陥、耐久性低下の原因となっていた。
When the transparent conductive thin film 5 of the upper electrode 6 is damaged or peeled off, the electric resistance value of the surface of the transparent conductive thin film 5 is changed, and its uniformity is lost and the electrical characteristics are impaired. , It is not possible to make accurate input, which impairs the reliability of the touch panel, damage,
It was a cause of defects and reduced durability.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決し、高分
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の損傷、剥離の問題がな
く、信頼性、耐久性の高いタッチパネルを提供し得る透
明導電フィルムと、この透明導電フィルムを備えるタッ
チパネルを提供することを目的とする。
The present invention solves the above conventional problems and is a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a polymer film, which is free from problems such as damage and peeling of the transparent conductive thin film, and has reliability and durability. It is an object of the present invention to provide a transparent conductive film capable of providing a touch panel having high properties and a touch panel including the transparent conductive film.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明(請求項1)の透
明導電フィルムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が
形成されてなる透明導電フィルムにおいて、該透明導電
薄膜上に、金属からなる被覆層が形成されていることを
特徴とする。
The transparent conductive film of the present invention (Claim 1) is a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a polymer film, and the transparent conductive thin film is made of metal. A coating layer is formed.

【0009】本発明(請求項4)の透明導電フィルム
は、高分子フィルム上に透明導電薄膜と、それを覆う被
覆層とが形成されてなる透明導電フィルムにおいて、該
被覆層は、該透明導電薄膜上に成膜された金属層を酸
化、窒化又は酸窒化してなる被覆層であることを特徴と
する。
The transparent conductive film of the present invention (Claim 4) is a transparent conductive film comprising a polymer film, a transparent conductive thin film formed on the polymer film, and a covering layer covering the thin film. The coating layer is formed by oxidizing, nitriding, or oxynitriding a metal layer formed on the thin film.

【0010】本発明に従って、透明導電薄膜の表面にご
く薄い金属被覆層を設けることにより、透明導電フィル
ムの摺動耐久性を著しく向上することができる。即ち、
透明導電薄膜の表面を被覆層で覆うことにより、タッチ
パネルの入力時の物理的ないし化学的な応力が直接透明
導電薄膜に影響することがなくなり、透明導電薄膜の損
傷、剥離が防止される。また、被覆層を形成することに
よる透明導電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めるこ
ともできる。
According to the present invention, by providing a very thin metal coating layer on the surface of the transparent conductive thin film, the sliding durability of the transparent conductive film can be remarkably improved. That is,
By covering the surface of the transparent conductive thin film with the coating layer, physical or chemical stress at the time of input on the touch panel does not directly affect the transparent conductive thin film, and damage or peeling of the transparent conductive thin film is prevented. In addition, scratch resistance can be enhanced by improving the strength of the transparent conductive film by forming the coating layer.

【0011】金属薄膜は通常着色があり光透過率が低い
が、金属層はその膜厚が極めて薄いものであっても十分
に耐久性の向上効果があるため、金属層を形成したこと
による光透過率の低下を抑えた上で摺動耐久性の向上を
図ることができる。
The metal thin film is usually colored and has a low light transmittance, but even if the metal layer has an extremely small thickness, it has a sufficient effect of improving durability. It is possible to improve sliding durability while suppressing a decrease in transmittance.

【0012】また、透明導電薄膜上に成膜した金属層を
酸素雰囲気下での熱処理や、酸素プラズマ、窒素プラズ
マ等の表面処理等で酸化、窒化又は酸窒化することによ
り透明性を高めることができるため、被覆層を形成した
ことにより光透過率の低下を防止した上で摺動耐久性を
高めることができる。
Further, the transparency can be improved by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer formed on the transparent conductive thin film by heat treatment in an oxygen atmosphere or surface treatment such as oxygen plasma or nitrogen plasma. Therefore, it is possible to improve the sliding durability while preventing the light transmittance from being lowered by forming the coating layer.

【0013】金属層よりなる被覆層は透明導電薄膜の導
通を阻害することなく、また、金属層を酸化、窒化又は
酸窒化した被覆層であっても、その膜厚がごく薄いため
に、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性を損なうこ
とはない。
The coating layer made of a metal layer does not hinder the conduction of the transparent conductive thin film, and even if it is a coating layer obtained by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer, the coating layer is very thin and therefore transparent. It does not impair the conductivity in the direction perpendicular to the film surface of the conductive thin film.

【0014】なお、本発明において、被覆層は透明導電
薄膜の耐久性の向上のために設けられるものであるが、
被覆層の材料の屈折率や膜厚、積層構成等を適宜設計す
ることにより、透明導電フィルムの全光線透過率の向上
ないし調整や色調の制御等を行うことも可能であり、透
明導電フィルムの特性ないし機能性をより一層高めるこ
とができる。
In the present invention, the coating layer is provided to improve the durability of the transparent conductive thin film,
By appropriately designing the refractive index and film thickness of the material of the coating layer, the laminated structure, etc., it is also possible to improve or adjust the total light transmittance of the transparent conductive film, control the color tone, etc. The characteristics or functionality can be further enhanced.

【0015】本発明の透明導電フィルムの製造方法は、
高分子フィルム上に透明導電薄膜を形成し、該透明導電
薄膜上に保護層を形成して透明導電フィルムを製造する
方法であって、透明導電薄膜上に金属層を成膜した後、
該金属層を酸化、窒化又は酸窒化することにより被覆層
を形成することを特徴とするものであり、金属層を酸
化、窒化又は酸窒化して透明性を高めた被覆層により、
光透過率を低下させることなく、透明導電フィルムの摺
動耐久性を向上させることができる。
The method for producing the transparent conductive film of the present invention comprises:
A method for producing a transparent conductive film by forming a transparent conductive thin film on a polymer film, forming a protective layer on the transparent conductive thin film, after forming a metal layer on the transparent conductive thin film,
The coating layer is formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer, and the coating layer having increased transparency by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer,
The sliding durability of the transparent conductive film can be improved without lowering the light transmittance.

【0016】この金属層の酸化、窒化又は酸窒化処理法
としては、酸素雰囲気中での金属層の熱処理、或いは酸
素プラズマ及び/又は窒素プラズマによる金属層の表面
処理が挙げられる。
Examples of the oxidation, nitridation or oxynitridation treatment method for the metal layer include heat treatment of the metal layer in an oxygen atmosphere or surface treatment of the metal layer with oxygen plasma and / or nitrogen plasma.

【0017】本発明において、金属よりなる被覆層は、
Ti,Si,Nb,In,Zn,Sn,Au,Ag,C
u,Al,Co,Cr,Ni,Pb,Pd,Pt,W,
Zr,Ta及びHfよりなる群から選ばれる1種又は2
種以上の金属よりなるか、又はそれを主成分とすること
が好ましい。また、金属層を酸化、窒化又は酸窒化して
なる被覆層の金属層は、Ti,Si,Nb,In,Z
n,Sn,Ag,Cu,Al,Co,Cr,Ni,P
b,W,Zr,Ta及びHfよりなる群から選ばれる1
種又は2種以上の金属よりなるか、又はそれを主成分と
することが好ましい。
In the present invention, the coating layer made of metal is
Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, C
u, Al, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W,
One or two selected from the group consisting of Zr, Ta and Hf
It is preferable to be composed of one or more kinds of metals, or to have them as a main component. The metal layer of the coating layer formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer is made of Ti, Si, Nb, In, Z.
n, Sn, Ag, Cu, Al, Co, Cr, Ni, P
1 selected from the group consisting of b, W, Zr, Ta and Hf
It is preferable to be composed of one kind or two or more kinds of metals, or to have it as a main component.

【0018】このような被覆層の膜厚は0.5〜100
nmであることが好ましい。
The thickness of such a coating layer is 0.5 to 100.
It is preferably nm.

【0019】本発明に係る被覆層ないし金属層は、好ま
しくは、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティ
ング、レーザーアブレーション等の物理蒸着法、又はC
VD等の化学蒸着法で形成される。
The coating layer or metal layer according to the present invention is preferably a physical vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating or laser ablation, or C.
It is formed by a chemical vapor deposition method such as VD.

【0020】特に、スパッタリングによる金属層の成膜
は、均一にかつ非常に速い成膜速度で行うことができ
る。そして、このようにして成膜した金属層を成膜後に
酸化、窒化又は酸窒化することにより、容易に透明化す
ることができる。
In particular, the metal layer can be formed by sputtering uniformly and at a very high film forming rate. Then, the metal layer thus formed can be easily made transparent by oxidizing, nitriding or oxynitriding after the film formation.

【0021】本発明の透明導電フィルムは、被覆層側の
表面抵抗値が300〜2000Ω/Sqであり、リニア
リティ値が1.5%以下であることが好ましい。
The transparent conductive film of the present invention preferably has a surface resistance value on the coating layer side of 300 to 2000 Ω / Sq and a linearity value of 1.5% or less.

【0022】リニアリティ値は、透明導電フィルムの抵
抗値の均一性を表す指標であり、リニアリティ値は次の
ようにして求めることができる。
The linearity value is an index showing the uniformity of the resistance value of the transparent conductive film, and the linearity value can be obtained as follows.

【0023】透明導電フィルムの対向する2辺に銀ペー
スト等で電極を設け、両電極間に直流電圧を印加する。
このときの両電極間の距離をL、印加電圧をVとする。
次に、透明導電フィルム上の任意の点について、マイナ
ス電極からの距離lとその点におけるマイナス電極との
電位差vを測定する。
Electrodes are provided on the opposite two sides of the transparent conductive film with silver paste or the like, and a DC voltage is applied between both electrodes.
At this time, the distance between both electrodes is L, and the applied voltage is V.
Next, at an arbitrary point on the transparent conductive film, the distance l from the negative electrode and the potential difference v between the negative electrode and that point are measured.

【0024】リニアリティ値は下記式で算出され、小さ
いほど抵抗値の均一性が良好であり、0%であれば抵抗
値は完全に均一である。一般に、抵抗膜式のアナログタ
ッチパネルでは、このリニアリティ値が1.5%以下で
あることが好ましい。 リニアリティ(%)=|l/L−v/V|×100
The linearity value is calculated by the following equation. The smaller the linearity value is, the better the uniformity of the resistance value is. If it is 0%, the resistance value is completely uniform. Generally, in a resistance film type analog touch panel, the linearity value is preferably 1.5% or less. Linearity (%) = | l / Lv / V | × 100

【0025】なお、本発明に係る透明導電薄膜は、酸化
インジウム、酸化亜鉛及び酸化スズの1種又は2種以上
を主成分とすることが好ましい。
The transparent conductive thin film according to the present invention preferably contains at least one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide as a main component.

【0026】本発明のタッチパネルは、このような本発
明の透明導電フィルム、又は、本発明の透明導電フィル
ムの製造方法で製造された透明導電フィルムを備えるこ
とを特徴とする。
The touch panel of the present invention is characterized by including such a transparent conductive film of the present invention or a transparent conductive film manufactured by the method of manufacturing a transparent conductive film of the present invention.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0028】図1,2は本発明の透明導電フィルムを上
部電極として用いたタッチパネルの実施の形態を示す断
面図であり、図3は本発明の透明導電フィルムを上部電
極及び下部電極として用いたタッチパネルの実施の形態
を示す断面図である。図1〜3において、図4に示す部
材と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。
1 and 2 are sectional views showing an embodiment of a touch panel using the transparent conductive film of the present invention as an upper electrode, and FIG. 3 uses the transparent conductive film of the present invention as an upper electrode and a lower electrode. It is sectional drawing which shows embodiment of a touch panel. In FIGS. 1 to 3, members having the same functions as those shown in FIG. 4 are designated by the same reference numerals.

【0029】本発明の透明導電フィルムは、高分子フィ
ルム4,4A上に形成した透明導電薄膜5,5Aの上
に、被覆層(保護層)9,9Aを形成したものである。
The transparent conductive film of the present invention comprises the transparent conductive thin films 5 and 5A formed on the polymer films 4 and 4A, and the coating layers (protective layers) 9 and 9A formed on the transparent conductive thin films 5 and 5A.

【0030】本発明の透明導電フィルムにおいて、基材
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PM
MA)、アクリル、ポリカーボネート(PC)、ポリス
チレン、トリアセテート(TAC)、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でPET、PC、PMMA、TAC、とりわけP
ET、TACが好ましい。
In the transparent conductive film of the present invention, as the resin material for the polymer film as a base material, polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PM) is used.
MA), acrylic, polycarbonate (PC), polystyrene, triacetate (TAC), polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl butyral, metal ion crosslinked ethylene-methacrylic acid copolymer Examples include coalesce, polyurethane, and cellophane, but PET, PC, PMMA, TAC, especially P in terms of strength.
ET and TAC are preferred.

【0031】このような高分子フィルムの厚さは、透明
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合13μm〜
0.5mm程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
13μm未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、0.5mmを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。
The thickness of such a polymer film varies depending on the use of the transparent conductive film, etc., but for use as the upper electrode of a touch panel, it is usually 13 μm to
It is about 0.5 mm. If the thickness of this polymer film is less than 13 μm, sufficient durability as the upper electrode cannot be obtained, and if it exceeds 0.5 mm, the resulting touch panel becomes thicker, and the flexibility as the upper electrode is increased. It is also not preferable because the property is impaired.

【0032】なお、透明導電フィルムをタッチパネルの
下部電極として用いる場合、高分子フィルムの厚さは、
上記範囲よりも厚く、0.5〜2mm程度とすることも
できるが、後述の如く、プラスチック板等の基板に貼り
合わせることにより、上部電極として用いる場合と同等
の厚さを採用することもできる。
When the transparent conductive film is used as the lower electrode of the touch panel, the thickness of the polymer film is
The thickness may be thicker than the above range and may be about 0.5 to 2 mm, but as described later, it may be attached to a substrate such as a plastic plate to adopt the same thickness as when used as the upper electrode. .

【0033】高分子フィルム4,4A上に形成する透明
導電薄膜5,5Aとしては、ITO(スズインジウム酸
化物)、ATO(スズアンチモン酸化物)、ZnO、A
lをドープしたZnO、SnO等の酸化物系透明導電
薄膜等が挙げられるが、特に酸化インジウム系(ドーピ
ング含む)、酸化インジウムと酸化スズの混合物(IT
O)、又は酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物(IZ
O)が好ましい。この透明導電薄膜5の膜厚は、目的と
する表面抵抗値によって適宜変更され、膜厚は1〜50
0nm、特に5〜100nmであることが好ましい。
As the transparent conductive thin films 5 and 5A formed on the polymer films 4 and 4A, ITO (tin indium oxide), ATO (tin antimony oxide), ZnO and A are used.
Examples of the transparent conductive thin film include oxide-based transparent conductive thin films such as ZnO and SnO 2 doped with l, indium oxide (including doping), a mixture of indium oxide and tin oxide (IT).
O) or a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZ
O) is preferred. The film thickness of the transparent conductive thin film 5 is appropriately changed according to the target surface resistance value, and the film thickness is 1 to 50.
It is preferably 0 nm, particularly preferably 5 to 100 nm.

【0034】本発明において、透明導電薄膜5,5A上
に形成する被覆層9,9Aは、金属層或いは金属層を酸
化、窒化又は酸窒化してなる層である。
In the present invention, the coating layers 9 and 9A formed on the transparent conductive thin films 5 and 5A are metal layers or layers formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layers.

【0035】被覆層を形成する金属層としては、Ti,
Si,Nb,In,Zn,Sn,Au,Ag,Cu,A
l,Co,Cr,Ni,Pb,Pd,Pt,W,Zr,
Ta及びHfよりなる群から選ばれる1種又は2種以上
の金属よりなるか、又はそれを主成分とするもの、特に
Ti,Sn,Si,Nb,Al,Ni,Taの1種又は
2種以上を主成分とするものが好ましい。この金属層は
これらの主成分金属に対して、B,C,H,N,F,G
a等がドープされていても良い。
As the metal layer forming the coating layer, Ti,
Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Cu, A
l, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr,
One or two or more metals selected from the group consisting of Ta and Hf, or one containing two or more metals as a main component, particularly one or two of Ti, Sn, Si, Nb, Al, Ni, Ta. Those having the above as the main components are preferable. This metal layer is B, C, H, N, F, G for these main component metals.
It may be doped with a or the like.

【0036】この金属層よりなる保護層9,9Aであれ
ば、透明導電薄膜の導電性を損なうことなく、その摺動
耐久性を高めることができる。また、金属薄膜は光透過
率が低いが、本発明では、金属よりなる被覆層は、光透
過率を損なうことのないごく薄い膜厚で十分な摺動耐久
性の向上効果を得ることができるため、金属よりなる被
覆層を形成したことによる光透過率の低下が問題になる
ことはない。
With the protective layers 9 and 9A made of this metal layer, the sliding durability can be improved without impairing the conductivity of the transparent conductive thin film. Further, although the metal thin film has a low light transmittance, in the present invention, the coating layer made of a metal can obtain a sufficient sliding durability improving effect with a very thin film thickness without impairing the light transmittance. Therefore, the decrease in light transmittance due to the formation of the coating layer made of metal does not pose a problem.

【0037】また、本発明に係る被覆層9,9Aは、透
明導電薄膜上に成膜した金属層を酸化、窒化又は酸窒化
することにより透明性を高め、被覆層を形成したことに
よる光透過率の低下を防止することができる。この場
合、酸化、窒化又は酸窒化処理としては、酸素雰囲気中
での金属層の熱処理、或いは酸素プラズマ及び/又は窒
素プラズマによる金属層の表面処理が挙げられる。
Further, the coating layers 9 and 9A according to the present invention enhance transparency by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer formed on the transparent conductive thin film, and the light transmission by forming the coating layer. It is possible to prevent a decrease in the rate. In this case, examples of the oxidation, nitriding, or oxynitriding treatment include heat treatment of the metal layer in an oxygen atmosphere, or surface treatment of the metal layer with oxygen plasma and / or nitrogen plasma.

【0038】これらの酸化、窒化又は酸窒化条件は、金
属層の種類や膜厚、所望とする透明化の程度等によって
も異なるが、一般的には、酸素雰囲気中での熱処理であ
れば150〜180℃で2〜8hr程度、酸素プラズマ
及び/又は窒素プラズマによる表面処理では、100〜
1000W程度で1〜30min程度が好適である。
These oxidizing, nitriding or oxynitriding conditions vary depending on the type and thickness of the metal layer, the desired degree of transparency, etc., but generally 150 if the heat treatment is carried out in an oxygen atmosphere. At about 180 ° C. for about 2 to 8 hours, the surface treatment by oxygen plasma and / or nitrogen plasma is 100 to
About 1000 W and about 1 to 30 minutes are preferable.

【0039】被覆層9,9Aの膜厚は、用いた材料、透
明導電フィルムに要求される光透過率、必要とされる耐
久性等に応じて適宜決定されるが、被覆層9の膜厚が過
度に薄いと被覆層を形成したことによる透明導電薄膜の
保護効果を十分に得ることができず、逆に過度に厚いと
透明性が低下したり、特に金属層を酸化、窒化又は酸窒
化した被覆層では、透明導電薄膜の導電性が低下したり
する上に、透明導電フィルム自体の厚さも厚くなり、好
ましくない。従って、被覆層9,9Aの膜厚は0.5〜
100nm、特に0.5〜50nmとするのが好まし
い。
The film thickness of the coating layers 9 and 9A is appropriately determined according to the material used, the light transmittance required for the transparent conductive film, the required durability, etc. If it is too thin, the protective effect of the transparent conductive thin film due to the formation of the coating layer cannot be sufficiently obtained, and if it is too thick, the transparency is reduced, and especially the metal layer is oxidized, nitrided or oxynitrided. In such a coating layer, the conductivity of the transparent conductive thin film is lowered, and the thickness of the transparent conductive film itself is increased, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the coating layers 9 and 9A is 0.5 to
The thickness is preferably 100 nm, particularly 0.5 to 50 nm.

【0040】なお、透明導電フィルムの光透過率につい
ては、通常、発光の弱いPDPや液晶に用いられる透明
導電フィルムにあっては、光透過率80%以上であるこ
とが望まれるため、このような光透過率を維持できる範
囲で被覆層の膜厚が決定される。ただし、発光の強いブ
ラウン管等の用途では、輝度調整が必要となる場合もあ
り、このような場合には、透明導電フィルムの光透過率
は80%以下であっても良い。
Regarding the light transmittance of the transparent conductive film, it is usually desired that the light transmittance of the transparent conductive film used for PDP or liquid crystal with weak emission is 80% or more. The film thickness of the coating layer is determined within a range in which a high light transmittance can be maintained. However, the brightness adjustment may be necessary in some applications such as a cathode ray tube that emits strong light. In such a case, the light transmittance of the transparent conductive film may be 80% or less.

【0041】また、導電性については、透明導電フィル
ムをタッチパネルとして用いる場合、被覆層9,9Aを
形成した後の被覆層9,9A側の表面抵抗値が300〜
2000Ω/Sq、特に400〜1000Ω/Sqであ
ることが望まれる。
Regarding the conductivity, when the transparent conductive film is used as a touch panel, the surface resistance value of the coating layers 9 and 9A after forming the coating layers 9 and 9A is 300 to 300.
It is desired to be 2000 Ω / Sq, particularly 400 to 1000 Ω / Sq.

【0042】なお、本発明においては、被覆層9,9A
を形成することにより透明導電薄膜の耐久性を高め、長
期使用後もリニアリティ値が1.5%以下を維持するよ
うな高い耐久性を得ることが望まれる。
In the present invention, the coating layers 9, 9A
It is desired to increase the durability of the transparent conductive thin film by forming the above, and to obtain high durability such that the linearity value is maintained at 1.5% or less even after long-term use.

【0043】従って、本発明においては、上記表面抵抗
値、リニアリティ値及び光透過率を得ることができるよ
うに、被覆層の材料、膜厚、層構成を適宜設計する。
Therefore, in the present invention, the material, film thickness and layer structure of the coating layer are appropriately designed so that the surface resistance value, linearity value and light transmittance can be obtained.

【0044】このような被覆層の金属層は、真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング、レーザーアブ
レーション等の物理蒸着法、又はCVD等の化学蒸着
法、特に好ましくはスパッタリング法で成膜するのが、
得られる被覆層の緻密性、透明導電薄膜に対する接着性
に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜
が可能で、しかも透明導電薄膜の成膜後同一の装置内で
連続的に被覆層の成膜を行うことができ、成膜効率にも
優れる点で望ましい。
The metal layer of such a coating layer is formed by vacuum deposition,
Physical vapor deposition methods such as sputtering, ion plating and laser ablation, or chemical vapor deposition methods such as CVD, and particularly preferably sputtering methods, are used to form a film.
The obtained coating layer has excellent denseness and adhesion to the transparent conductive thin film, there is little contamination during film formation, and high-speed film formation is possible, and after the transparent conductive thin film is formed, it can be continuously formed in the same device. This is desirable in that the coating layer can be formed on the film and the film forming efficiency is excellent.

【0045】被覆層成膜時のスパッタリング条件には特
に制限はなく、真空度0.05〜1Pa、投入電力密度
2〜500kW/m程度で実施することができ、この
スパッタリング成膜時の成膜時間を調整することによ
り、所望の膜厚の被覆層を形成することができる。
There are no particular restrictions on the sputtering conditions for forming the coating layer, which can be carried out at a vacuum degree of 0.05 to 1 Pa and an input power density of about 2 to 500 kW / m 2. By adjusting the film time, a coating layer having a desired film thickness can be formed.

【0046】なお、透明導電薄膜は、常法に従って成膜
することができるが、一般的には、被覆層と同様にスパ
ッタリング法で成膜するのが好ましく、この場合には、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で透明導電薄膜及び被覆層を順次連続的にスパッタリン
グ成膜することができる。
The transparent conductive thin film can be formed by a conventional method, but it is generally preferable to form the transparent conductive thin film by a sputtering method like the coating layer. In this case,
By changing only the target, the transparent conductive thin film and the coating layer can be successively formed by sputtering in the same sputtering apparatus.

【0047】本発明の透明導電フィルムは、図1〜3に
示す如く、高分子フィルム4の透明導電薄膜5を成膜す
る面とは反対側の面にハードコート層8を形成しても良
い。このハードコート層8としては、アクリル層、エポ
キシ層、ウレタン層、シリコン層等が挙げられ、通常そ
の厚さは1〜50μm程度である。
In the transparent conductive film of the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, a hard coat layer 8 may be formed on the surface of the polymer film 4 opposite to the surface on which the transparent conductive thin film 5 is formed. . Examples of the hard coat layer 8 include an acrylic layer, an epoxy layer, a urethane layer, and a silicon layer, and the thickness thereof is usually about 1 to 50 μm.

【0048】また、透明導電薄膜は高分子フィルムに直
接成膜しても良いが、図2,3に示す如く、高分子フィ
ルム4,4Aと透明導電薄膜5,5Aとの間に下地層1
0,10Aを介在させても良く、このような下地層1
0,10Aを形成することにより、高分子フィルム4,
4Aに対する透明導電薄膜5,5Aの密着性を高め、繰
り返し変形による透明導電薄膜5,5Aの剥離を防止す
ることができる。即ち、高分子フィルム4,4Aに下地
層10,10Aを形成することにより、成膜時に高分子
フィルム4,4Aからガスが発生することを防止して、
高分子フィルム4,4Aに対して透明導電薄膜5,5A
を密着性良く形成することができるようになる。また、
下地層10,10Aが高分子フィルム4,4Aと透明導
電薄膜5,5Aとの中間層として両者の密着性を高め
る。更に、下地層10,10Aを形成することによる透
明導電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもで
きる。
The transparent conductive thin film may be directly formed on the polymer film, but as shown in FIGS. 2 and 3, the underlayer 1 is provided between the polymer films 4, 4A and the transparent conductive thin films 5, 5A.
0,10A may be interposed, and such an underlayer 1
By forming 0,10A, the polymer film 4,
Adhesion of the transparent conductive thin films 5 and 5A to 4A can be improved, and peeling of the transparent conductive thin films 5 and 5A due to repeated deformation can be prevented. That is, by forming the underlayers 10 and 10A on the polymer films 4 and 4A, it is possible to prevent gas from being generated from the polymer films 4 and 4A during film formation,
Transparent conductive thin film 5,5A for polymer film 4,4A
Can be formed with good adhesion. Also,
The underlayers 10 and 10A serve as an intermediate layer between the polymer films 4 and 4A and the transparent conductive thin films 5 and 5A to enhance the adhesion between them. Further, the scratch resistance can be enhanced by improving the strength of the transparent conductive film by forming the base layers 10 and 10A.

【0049】この場合、下地層10,10Aの形成材料
としては、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系などの
樹脂層や、有機珪素化合物の加水分解物等が挙げられ
る。
In this case, examples of the material for forming the base layers 10 and 10A include acrylic, urethane, and epoxy resin layers, and hydrolysates of organic silicon compounds.

【0050】また、高分子フィルム4,4Aに下地層1
0,10Aや透明導電薄膜5,5Aを成膜するに先立
ち、形成される薄膜の接着強度を高めるために、高分子
フィルム4,4Aの表面に常法に従ってプラズマ処理、
コロナ処理や溶剤洗浄等の処理を施しても良い。
Further, the underlayer 1 is formed on the polymer films 4 and 4A.
In order to increase the adhesive strength of the thin film to be formed, a plasma treatment is performed on the surface of the polymer film 4, 4A according to a conventional method before forming the 0, 10A and the transparent conductive thin films 5, 5A,
Treatments such as corona treatment and solvent cleaning may be performed.

【0051】また、透明導電フィルムの光学特性の向上
を目的として、透明導電薄膜5の下地層10を低屈折率
膜と高屈折率膜の2層膜、或いはこれらの交互積層膜と
したり、ハードコート層8の表面をアンチグレア加工し
たり、AR処理したりしても良い。
Further, for the purpose of improving the optical characteristics of the transparent conductive film, the underlayer 10 of the transparent conductive thin film 5 may be a two-layer film of a low refractive index film and a high refractive index film, or an alternate laminated film thereof, or a hard film. The surface of the coat layer 8 may be antiglare processed or AR processed.

【0052】図1に示すタッチパネルは、上部電極6A
として、高分子フィルム4の一方の面に透明導電薄膜5
と被覆層9とを積層し、他方の面にハードコート層8を
形成した本発明の透明導電フィルムを用いたものであ
り、信号入力による上部電極6Aの透明導電薄膜5の損
傷、剥離が防止され、電気特性の耐久性、信頼性に優れ
る。
The touch panel shown in FIG. 1 has an upper electrode 6A.
As a transparent conductive thin film 5 on one surface of the polymer film 4,
The transparent conductive film of the present invention in which the hard coat layer 8 is formed on the other surface of the transparent conductive thin film 5 is laminated, and the transparent conductive thin film 5 of the upper electrode 6A is prevented from being damaged or peeled off by signal input. It has excellent durability and reliability in electrical characteristics.

【0053】図2に示すタッチパネルは、上部電極6B
として、高分子フィルム4の一方の面に下地層10、透
明導電薄膜5及び被覆層9を積層し、他方の面にハード
コート層8を形成した本発明の透明導電フィルムを用い
たものであり、図1のタッチパネルに比べて、更に透明
導電薄膜5の密着性が良好であり、より一層耐久性、信
頼性に優れる。
The touch panel shown in FIG. 2 has an upper electrode 6B.
As the above, the transparent conductive film of the present invention in which the underlayer 10, the transparent conductive thin film 5 and the coating layer 9 are laminated on one surface of the polymer film 4 and the hard coat layer 8 is formed on the other surface is used. As compared with the touch panel shown in FIG. 1, the adhesiveness of the transparent conductive thin film 5 is better, and the durability and reliability are even better.

【0054】図3に示すタッチパネルは、図2におい
て、更に下部電極としても本発明の透明導電フィルムを
用いたものである。このタッチパネルの下部電極3A
は、高分子フィルム4A上に下地層10Aを介して透明
導電薄膜5Aを形成し、この透明導電薄膜5Aの上に被
覆層9Aを形成してなる本発明の透明導電フィルムの被
覆層9A上に、マイクロドットスペーサ7を形成し、粘
着剤11により、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
等のプラスチック板12に貼り合わせたものであり、こ
のタッチパネルであれば、上部電極6B及び下部電極3
Aの透明導電薄膜5,5Aが共に被覆層9,9Aで保護
されると共に下地層10,10Aで密着性が高められ、
耐久性、信頼性が著しく高いものとなる。
The touch panel shown in FIG. 3 uses the transparent conductive film of the present invention as the lower electrode in FIG. Lower electrode 3A of this touch panel
Is a transparent conductive thin film 5A formed on a polymer film 4A via an underlayer 10A, and a coating layer 9A is formed on the transparent conductive thin film 5A. , The microdot spacers 7 are formed, and the microdot spacers 7 are bonded to the plastic plate 12 such as an acrylic resin or a polycarbonate resin by the adhesive 11, and in this touch panel, the upper electrode 6B and the lower electrode 3
The transparent conductive thin films 5 and 5A of A are both protected by the coating layers 9 and 9A, and the adhesion is enhanced by the base layers 10 and 10A.
The durability and reliability are extremely high.

【0055】なお、本発明の透明導電フィルムは、タッ
チパネルの上部電極又は下部電極としての用途の他、透
明スイッチングデバイス、その他の各種の光学系透明導
電フィルム用途に有効に使用することができる。
The transparent conductive film of the present invention can be effectively used not only as an upper electrode or a lower electrode of a touch panel, but also as a transparent switching device and other various optical transparent conductive film applications.

【0056】[0056]

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples below.

【0057】実施例1 基材として厚み188μmのPETフィルムを用い、ま
ず片面に湿式塗工によりJSR製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤(Z7501:固形分濃度35重量%、溶
剤MEK)を用いて厚み5μmのハードコート層を形成
した。
Example 1 A PET film having a thickness of 188 μm was used as a base material, and a JSR acrylic photocurable hard coating agent (Z7501: solid content concentration 35% by weight, solvent MEK) was first applied by wet coating on one side. A hard coat layer having a thickness of 5 μm was formed.

【0058】このフィルムを、マグネトロンDCスパッ
タリング装置の真空チャンバー内に、透明導電薄膜のタ
ーゲットとしての酸化錫10重量%、純度99.99%
のITOターゲットと、純度99.99%のTiターゲ
ットと共にセットした。
This film was placed in a vacuum chamber of a magnetron DC sputtering apparatus, in which 10% by weight of tin oxide was used as a target of the transparent conductive thin film, and the purity was 99.99%.
Of the ITO target and a Ti target having a purity of 99.99%.

【0059】まず、チャンバー内をターボ分子ポンプで
5×10−4Paまで排気した後、Arガスを196s
ccm,Oガスを4sccmの流量で混合ガスとして
導入して0.5Paの雰囲気圧力となるように調整し
た。その後、ITOターゲットに4kWの電圧を印加し
て、PETフィルムのハードコート層形成面と反対側の
面に、表面抵抗値が約500Ω/Sqとなるように約2
0nm厚さのITO薄膜を成膜した。その後、チャンバ
ー内をArガスに置換した後、雰囲気圧力0.5Paに
調整し、Tiターゲットに2kWの電圧を印加して、I
TO薄膜上に被覆層として約3nm厚さのTi薄膜を成
膜した。
First, the chamber was evacuated to 5 × 10 −4 Pa with a turbo molecular pump, and then Ar gas was added for 196 s.
Ccm and O 2 gas were introduced as a mixed gas at a flow rate of 4 sccm, and the atmosphere pressure was adjusted to 0.5 Pa. Then, a voltage of 4 kW was applied to the ITO target, and the surface of the PET film opposite to the hard coat layer-formed surface was adjusted to about 2 Ω / Sq so that the surface resistance value was about 500 Ω / Sq.
An ITO thin film having a thickness of 0 nm was formed. Then, after replacing the inside of the chamber with Ar gas, the atmospheric pressure was adjusted to 0.5 Pa, and a voltage of 2 kW was applied to the Ti target to obtain I
A Ti thin film with a thickness of about 3 nm was formed as a coating layer on the TO thin film.

【0060】得られた透明導電フィルムについて、表面
抵抗測定装置(三菱化学(株)製「ロレスタAP」)に
より被覆層側の表面抵抗値を測定すると共に、下記方法
で摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
With respect to the obtained transparent conductive film, the surface resistance value on the coating layer side was measured by a surface resistance measuring device (“Loresta AP” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and a sliding writing test was conducted by the following method. The results are shown in Table 1.

【0061】<摺動筆記試験>透明導電フィルムの透明
導電薄膜(被覆層)面側をマイクロドットスペーサ付の
ITOガラス基板と対向させてこれらを張り合わせ、透
明導電フィルムのハードコート層形成面をポリアセター
ル樹脂製の入力ペン(先端部0.8R)を用い、250
gfの荷重をかけて往復摺動筆記試験を行った。試験
後、リニアリティ値の測定を行い、リニアリティ値が
1.5%以下のものを良好、1.5%を超えるものを不
良とした。また、外観を観察した。
<Sliding writing test> The transparent conductive thin film (covering layer) side of the transparent conductive film is made to face an ITO glass substrate with a microdot spacer, and these are bonded together, and the surface of the transparent conductive film on which the hard coat layer is formed is polyacetal. Use a resin input pen (0.8R tip) to set 250
A reciprocal sliding writing test was conducted by applying a load of gf. After the test, the linearity value was measured, and a linearity value of 1.5% or less was evaluated as good, and a linearity value of more than 1.5% was evaluated as poor. In addition, the appearance was observed.

【0062】また、ハードコート層、PETフィルム、
ITO薄膜及びTi薄膜の積層フィルムについて、全光
線透過率(JIS K7105)を測定し、結果を表1
に併記した。
Further, a hard coat layer, a PET film,
The total light transmittance (JIS K7105) of the laminated film of the ITO thin film and the Ti thin film was measured, and the results are shown in Table 1.
Also described in.

【0063】実施例2 実施例1において、Tiターゲットの代りに純度99.
99%のSnターゲットを用い、被覆層として約3nm
厚さのSn薄膜を成膜したこと以外は同様にして透明導
電フィルムを作製した。
Example 2 In Example 1, the purity of 99.
Approximately 3 nm as a coating layer using 99% Sn target
A transparent conductive film was produced in the same manner except that a Sn thin film having a thickness was formed.

【0064】この透明導電フィルムについて、実施例1
と同様にして表面抵抗値及び全光線透過率を測定すると
共に摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
About this transparent conductive film, Example 1
The surface resistance value and the total light transmittance were measured in the same manner as described above, and a sliding writing test was performed, and the results are shown in Table 1.

【0065】実施例3 実施例2において、Ti薄膜を形成した透明導電フィル
ムを、真空チャンバー内にセットし、チャンバー内を5
×10−4Paまで排気し、その後Oガスを導入して
圧力50Paとして、RF電力300Wの酸素プラズマ
で約1min、Ti薄膜の表面処理を行ってTi被覆層
を透明化させたこと以外は同様にして透明導電フィルム
を作製した。
Example 3 In Example 2, the transparent conductive film having the Ti thin film formed thereon was set in a vacuum chamber, and the inside of the chamber was set to 5
Except that the Ti coating layer was clarified by performing surface treatment of the Ti thin film for about 1 min with oxygen plasma with RF power of 300 W under a pressure of 50 Pa by introducing O 2 gas after the gas was exhausted to × 10 −4 Pa. A transparent conductive film was produced in the same manner.

【0066】この透明導電フィルムについて、実施例1
と同様にして表面抵抗値及び全光線透過率を測定すると
共に摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
About this transparent conductive film, Example 1
The surface resistance value and the total light transmittance were measured in the same manner as described above, and a sliding writing test was performed, and the results are shown in Table 1.

【0067】実施例4 実施例2において、Sn薄膜を形成した透明導電フィル
ムを熱風オーブンにセットし、酸素雰囲気下に150℃
で3hrの熱処理を行って、Sn被覆層を透明化させた
こと以外は同様にして透明導電フィルムを作製した。
Example 4 In Example 2, the transparent conductive film on which the Sn thin film was formed was set in a hot air oven, and it was heated to 150 ° C. in an oxygen atmosphere.
A transparent conductive film was produced in the same manner except that the Sn coating layer was made transparent by performing a heat treatment for 3 hours.

【0068】この透明導電フィルムについて、実施例1
と同様にして表面抵抗値及び全光線透過率を測定すると
共に摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
About this transparent conductive film, Example 1
The surface resistance value and the total light transmittance were measured in the same manner as described above, and a sliding writing test was performed, and the results are shown in Table 1.

【0069】比較例1 実施例1において、被覆層を成膜しなかったこと以外は
同様にして透明導電フィルムを作製した。
Comparative Example 1 A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating layer was not formed.

【0070】この透明導電フィルムについて、実施例1
と同様にして表面抵抗値及び全光線透過率を測定すると
共に摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
About this transparent conductive film, Example 1
The surface resistance value and the total light transmittance were measured in the same manner as described above, and a sliding writing test was performed, and the results are shown in Table 1.

【0071】[0071]

【表1】 [Table 1]

【0072】表1より、本発明によれば、電気特性の劣
化の問題がなく、耐久性に優れた透明導電フィルムが提
供されることがわかる。また、金属層よりなる被覆層を
設けた場合であっても、透明性が損なわれることなく、
また、金属層を酸化等で透明化した被覆層であれば、光
透過率を高めることができることがわかる。
From Table 1, it can be seen that the present invention provides a transparent conductive film which is free from the problem of deterioration of electric characteristics and has excellent durability. Further, even when a coating layer made of a metal layer is provided, the transparency is not impaired,
Further, it can be seen that the light transmittance can be increased if the coating layer is made by making the metal layer transparent by oxidation or the like.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、透
明導電フィルムの透明導電薄膜の損傷、剥離が、透明導
電薄膜上の被覆層により有効に防止され、このような透
明導電フィルムを用いて透明導電薄膜の損傷、剥離によ
る電気特性の劣化の問題がなく、耐久性、信頼性に優れ
たタッチパネルが提供される。
As described in detail above, according to the present invention, the transparent conductive thin film of the transparent conductive film is effectively prevented from being damaged or peeled off by the coating layer on the transparent conductive thin film. By using the touch panel, there is no problem of deterioration of electric characteristics due to damage or peeling of the transparent conductive thin film, and a touch panel excellent in durability and reliability is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの実施の形態を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a touch panel provided with a transparent conductive film of the present invention.

【図2】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの別の実施の形態を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another embodiment of a touch panel including the transparent conductive film of the present invention.

【図3】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの他の実施の形態を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of a touch panel including the transparent conductive film of the present invention.

【図4】従来のタッチパネルを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional touch panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス板 2 透明導電薄膜 3,3A 下部電極 4,4A 高分子フィルム 5,5A 透明導電薄膜 6,6A,6B 上部電極 7 スペーサ 8 ハードコート層 9,9A 被覆層 10,10A 下地層 11 粘着剤 12 プラスチック板 1 glass plate 2 Transparent conductive thin film 3,3A lower electrode 4,4A polymer film 5,5A transparent conductive thin film 6,6A, 6B Upper electrode 7 Spacer 8 Hard coat layer 9,9A coating layer 10,10A Underlayer 11 Adhesive 12 plastic plates

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 13/00 503 H01B 13/00 503B (72)発明者 大野 信吾 東京都小平市小川東町3−1−1 株式会 社ブリヂストン技術センター内 (72)発明者 草野 行弘 東京都小平市小川東町3−1−1 株式会 社ブリヂストン技術センター内 (72)発明者 吉川 雅人 東京都小平市小川東町3−1−1 株式会 社ブリヂストン技術センター内 Fターム(参考) 4F100 AA17C AA25C AA28C AA33B AB01C AB10C AB11C AB12C AB13C AB15C AB16C AB17C AB18C AB19C AB21C AB23C AB24C AB25C AK01A AK42A EH66C EH661 EJ42C EJ422 EJ58C EJ582 EJ61C EJ612 GB41 JG01B JG04C JL00 JM02B JN01 YY00C 4K029 AA25 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA10 BA12 BA13 BA15 BA16 BA17 BA18 BA35 BA41 BA43 BD00 CA01 CA03 CA05 DB20 4K030 BA01 BA02 BA05 BA06 BA10 BA11 BA13 BA14 BA16 BA17 BA18 BA20 BA21 BA22 BA29 BA35 BA42 CA01 CA07 CA12 5G307 FA02 FB01 FC02 5G323 BA02 BC03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01B 13/00 503 H01B 13/00 503B (72) Inventor Shingo 3-1-Ogawa Higashimachi, Kodaira-shi, Tokyo 1 Incorporated Bridgestone Technology Center (72) Inventor Yukihiro Kusano 3-1-1 Ogawahigashicho, Kodaira-shi, Tokyo Incorporated Bridgestone Technology Center (72) Inventor Masato Yoshikawa 3-1-Ogawahigashi, Kodaira-shi, Tokyo 1 Stock Company F-term in Bridgestone Technology Center (Reference) 4F100 AA17C AA25C AA28C AA33B AB01C AB10C AB11C AB12C AB13C AB15C AB16C AB17C AB18C AB19C AB21C AB23C AB24C JN24JJOJC06J61JJ04JJ04J4JJ04J4JJ04J4JJ04JJ04JJ04JJ04JJ04JJ04JJ04JJ04JJ04JC04JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE0466JE04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04CJH04C AA25 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA10 BA12 BA13 BA15 BA1 6 BA17 BA18 BA35 BA41 BA43 BD00 CA01 CA03 CA05 DB20 4K030 BA01 BA02 BA05 BA06 BA10 BA11 BA13 BA14 BA16 BA17 BA18 BA20 BA21 BA22 BA29 BA35 BA42 CA01 CA07 CA12 5G307 FA02 FB01 FC02 5G323 BA02 BC03

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成
されてなる透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜
上に、金属からなる被覆層が形成されていることを特徴
とする透明導電フィルム。
1. A transparent conductive film comprising a polymer film and a transparent conductive thin film formed on the polymer film, wherein a coating layer made of metal is formed on the transparent conductive thin film.
【請求項2】 請求項1において、該金属がTi,S
i,Nb,In,Zn,Sn,Au,Ag,Cu,A
l,Co,Cr,Ni,Pb,Pd,Pt,W,Zr,
Ta及びHfよりなる群から選ばれる1種又は2種以上
の金属よりなるか、又はそれを主成分とすることを特徴
とする透明導電フィルム。
2. The metal according to claim 1, wherein the metal is Ti or S.
i, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Cu, A
l, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr,
A transparent conductive film comprising one or two or more metals selected from the group consisting of Ta and Hf, or containing it as a main component.
【請求項3】 請求項1又は2において、該被覆層は、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レ
ーザーアブレーション等の物理蒸着法、又はCVD等の
化学蒸着法で形成されることを特徴とする透明導電フィ
ルム。
3. The coating layer according to claim 1 or 2,
A transparent conductive film formed by a physical vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating, or laser ablation, or a chemical vapor deposition method such as CVD.
【請求項4】 高分子フィルム上に透明導電薄膜と、そ
れを覆う被覆層とが形成されてなる透明導電フィルムに
おいて、該被覆層は、該透明導電薄膜上に成膜された金
属層を酸化、窒化又は酸窒化してなる被覆層であること
を特徴とする透明導電フィルム。
4. A transparent conductive film comprising a polymer film, on which a transparent conductive thin film and a coating layer covering the same are formed, wherein the coating layer oxidizes a metal layer formed on the transparent conductive thin film. A transparent conductive film, which is a coating layer formed by nitriding or oxynitriding.
【請求項5】 請求項4において、該金属がTi,S
i,Nb,In,Zn,Sn,Ag,Cu,Al,C
o,Cr,Ni,Pb,W,Zr,Ta及びHfよりな
る群から選ばれる1種又は2種以上の金属よりなるか、
又はそれを主成分とすることを特徴とする透明導電フィ
ルム。
5. The metal according to claim 4, wherein the metal is Ti or S.
i, Nb, In, Zn, Sn, Ag, Cu, Al, C
o, Cr, Ni, Pb, W, Zr, Ta and Hf, or one or more metals selected from the group consisting of
Alternatively, a transparent conductive film containing it as a main component.
【請求項6】 請求項4又は5において、該被覆層は、
該透明導電薄膜上に成膜された金属層を酸素雰囲気中で
熱処理してなるものであることを特徴とする透明導電フ
ィルム。
6. The coating layer according to claim 4 or 5,
A transparent conductive film, which is obtained by heat-treating a metal layer formed on the transparent conductive thin film in an oxygen atmosphere.
【請求項7】 請求項4又は5において、該被覆層は、
該透明導電薄膜上に成膜された金属層を酸素プラズマ及
び/又は窒素プラズマで表面処理してなるものであるこ
とを特徴とする透明導電フィルム。
7. The coating layer according to claim 4 or 5,
A transparent conductive film, characterized in that the metal layer formed on the transparent conductive thin film is surface-treated with oxygen plasma and / or nitrogen plasma.
【請求項8】 請求項4ないし7のいずれか1項におい
て、該金属層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング、レーザーアブレーション等の物理蒸着
法、又はCVD等の化学蒸着法で形成されることを特徴
とする透明導電フィルム。
8. The metal layer according to claim 4, wherein the metal layer is formed by a physical vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating or laser ablation, or a chemical vapor deposition method such as CVD. A transparent conductive film characterized by the above.
【請求項9】 請求項1ないし8のいずれか1項におい
て、該被覆層の膜厚が0.5〜100nmであることを
特徴とする透明導電フィルム。
9. The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 8, wherein the coating layer has a thickness of 0.5 to 100 nm.
【請求項10】 請求項1ないし9のいずれか1項にお
いて、該被覆層側の表面抵抗値が300〜2000Ω/
Sqであり、リニアリティ値が1.5%以下であること
を特徴とする透明導電フィルム。
10. The surface resistance value on the coating layer side according to claim 1, wherein the surface resistance value is 300 to 2000 Ω /.
A transparent conductive film having Sq and a linearity value of 1.5% or less.
【請求項11】 請求項1ないし10のいずれか1項に
おいて、該透明導電薄膜が、酸化インジウム、酸化亜鉛
及び酸化スズよりなる群から選ばれる1種又は2種以上
を主成分とすることを特徴とする透明導電フィルム。
11. The transparent conductive thin film according to claim 1, wherein the transparent conductive thin film contains at least one selected from the group consisting of indium oxide, zinc oxide and tin oxide as a main component. Characteristic transparent conductive film.
【請求項12】 高分子フィルム上に透明導電薄膜を形
成し、該透明導電薄膜上に被覆層を形成して透明導電フ
ィルムを製造する方法であって、透明導電薄膜上に金属
層を成膜した後、該金属層を酸化、窒化又は酸窒化する
ことにより該被覆層を形成することを特徴とする透明導
電フィルムの製造方法。
12. A method for producing a transparent conductive film by forming a transparent conductive thin film on a polymer film and forming a coating layer on the transparent conductive thin film, comprising forming a metal layer on the transparent conductive thin film. Then, the coating layer is formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding the metal layer.
【請求項13】 請求項12において、該金属層がT
i,Si,Nb,In,Zn,Sn,Ag,Cu,A
l,Co,Cr,Ni,Pb,W,Zr,Ta及びHf
よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の金属よりな
るか、又はそれを主成分とすることを特徴とする透明導
電フィルムの製造方法。
13. The metal layer according to claim 12, wherein the metal layer is T.
i, Si, Nb, In, Zn, Sn, Ag, Cu, A
1, Co, Cr, Ni, Pb, W, Zr, Ta and Hf
1. A method for producing a transparent conductive film, which is composed of one or more metals selected from the group consisting of, or has as a main component.
【請求項14】 請求項12又は13において、該金属
層を酸素雰囲気中で熱処理することにより酸化すること
を特徴とする透明導電フィルムの製造方法。
14. The method for producing a transparent conductive film according to claim 12, wherein the metal layer is oxidized by heat treatment in an oxygen atmosphere.
【請求項15】 請求項12又は13において、該金属
層を酸素プラズマ及び/又は窒素プラズマで表面処理す
ることにより酸化、窒化又は酸窒化することを特徴とす
る透明導電フィルムの製造方法。
15. The method for producing a transparent conductive film according to claim 12, wherein the metal layer is surface-treated with oxygen plasma and / or nitrogen plasma to perform oxidation, nitridation or oxynitridation.
【請求項16】 請求項12ないし15のいずれか1項
において、該金属層を、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング、レーザーアブレーション等の物理
蒸着法、又はCVD等の化学蒸着法で形成することを特
徴とする透明導電フィルムの製造方法。
16. The metal layer according to claim 12, wherein the metal layer is formed by a physical vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating or laser ablation, or a chemical vapor deposition method such as CVD. A method for producing a transparent conductive film, comprising:
【請求項17】 請求項12ないし16のいずれか1項
において、該被覆層の膜厚が0.5〜100nmである
ことを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。
17. The method for producing a transparent conductive film according to claim 12, wherein the coating layer has a thickness of 0.5 to 100 nm.
【請求項18】 請求項12ないし17のいずれか1項
において、該被覆層側の表面抵抗値が300〜2000
Ω/Sqであり、リニアリティ値が1.5%以下である
ことを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。
18. The surface resistance value on the coating layer side according to claim 12, wherein the surface resistance value is 300 to 2000.
Ω / Sq and a linearity value of 1.5% or less, a method for producing a transparent conductive film.
【請求項19】 請求項12ないし18のいずれか1項
において、該透明導電薄膜が、酸化インジウム、酸化亜
鉛及び酸化スズよりなる群から選ばれる1種又は2種以
上を主成分とすることを特徴とする透明導電フィルムの
製造方法。
19. The transparent conductive thin film according to claim 12, wherein the transparent conductive thin film contains, as a main component, one or more selected from the group consisting of indium oxide, zinc oxide and tin oxide. A method for producing a transparent conductive film, which is characterized.
【請求項20】 請求項1ないし11のいずれか1項に
記載の透明導電フィルムを備えることを特徴とするタッ
チパネル。
20. A touch panel comprising the transparent conductive film according to any one of claims 1 to 11.
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