JP2002141318A - Method and device for polishing - Google Patents

Method and device for polishing

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JP2002141318A
JP2002141318A JP2001287909A JP2001287909A JP2002141318A JP 2002141318 A JP2002141318 A JP 2002141318A JP 2001287909 A JP2001287909 A JP 2001287909A JP 2001287909 A JP2001287909 A JP 2001287909A JP 2002141318 A JP2002141318 A JP 2002141318A
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JP
Japan
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polishing
polished
cleaning
unit
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001287909A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Riichiro Aoki
利一郎 青木
Hiromi Yajima
比呂海 矢島
Masako Kodera
雅子 小寺
Shiro Mishima
志朗 三島
Atsushi Shigeta
厚 重田
Masayoshi Hirose
政義 廣瀬
Norio Kimura
憲雄 木村
Seiji Ishikawa
誠二 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device which can adopt a cluster structure, which integrates a plurality of functions, and has a means for handling a polishing object such as a clean semiconductor wafer and a means for handling a dirty polishing object separately, and to provide a polishing method. SOLUTION: In the polishing device after a polishing object S is carried in and polished, it is washed and a clean polishing object S is carried out. It has a load part 11 for mounting the polishing object S to be polished, at least one polishing part 13 for polishing the polishing object S carried from the load part 11, at least one washing part 15 for washing and drying the polished object S, an unload part 12 for mounting the clean and dried object S after being washed, and a carrying robot 10 for carrying the object S inside a device. The polishing part 13 has a plurality of turn tables, and polishing conditions differ in a plurality of turn tables.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング装置及
び方法に係り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象
物を研磨部に搬入して研磨した後に洗浄部で洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置及
び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus and a polishing method, and more particularly to a polishing apparatus for carrying a polishing object such as a semiconductor wafer into a polishing section, polishing the object after polishing, and then cleaning the object by a cleaning section and carrying out a clean polishing object. Apparatus and method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の1手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, circuit wiring has become finer, and the distance between wirings has become smaller. In particular, in the case of optical lithography of 0.5 μm or less, the depth of focus becomes shallow, so that the image plane of the stepper needs to be flat. Therefore, it is necessary to planarize the surface of the semiconductor wafer. As one of the planarization methods, polishing is performed by a polishing apparatus.

【0003】従来のポリッシング装置の多くは、研磨の
みを単独で行うものであった。従って、研磨後の洗浄を
行う場合にはポリッシング装置から洗浄装置への搬送が
必要であり、異なる研磨条件で再び研磨を行う場合には
ポリッシング装置から別のポリッシング装置への搬送が
必要であった。これらの搬送は、搬送途中でのウエハの
乾燥を防ぐために水中保管で人手により行われていた。
しかし、このように各機器が独立して設けられており、
また、その間の搬送が水中保管で行われていることか
ら、ポリッシング装置や洗浄装置等をクリーンルーム内
に設置すること、および工程の全自動化が困難であると
いう問題があった。
Many conventional polishing apparatuses only perform polishing alone. Therefore, when performing post-polishing cleaning, transportation from the polishing apparatus to the cleaning apparatus was necessary, and when performing polishing again under different polishing conditions, transportation from the polishing apparatus to another polishing apparatus was required. . These transfers have been performed manually in water storage to prevent drying of the wafers during the transfer.
However, each device is provided independently like this,
In addition, since the transportation is performed underwater during the storage, there is a problem that it is difficult to install a polishing apparatus, a cleaning apparatus, and the like in a clean room, and it is difficult to fully automate the process.

【0004】これらの問題を解決するために、研磨部と
洗浄部を同一のパッケージ内に収納したポリッシング装
置が開発されている。また、必要に応じて、複数の研磨
部が同一のパッケージ内に収納されたポリッシング装置
とする可能性がある。
In order to solve these problems, a polishing apparatus in which a polishing section and a cleaning section are housed in the same package has been developed. Further, if necessary, there is a possibility that a polishing apparatus in which a plurality of polishing units are housed in the same package.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、研磨部と
洗浄部とを一体化したポリッシング装置、および複数の
研磨部が同一のパッケージ内に収納されたポリッシング
装置等においては、ポリッシング装置内での全体として
の処理速度を高くするために、従来からポリッシング装
置以外の半導体製造プロセス、例えばエッチングや化学
的蒸着(CVD)の装置に取り入れられているように、
各機能ごとにユニット化をはかり、かつ汎用の搬送ロボ
ットを使用すること、即ち、いわゆるクラスター構造を
採用することが考えられる。
As described above, in a polishing apparatus in which a polishing section and a cleaning section are integrated, and in a polishing apparatus in which a plurality of polishing sections are housed in the same package, etc. In order to increase the processing speed as a whole, as has been conventionally adopted in semiconductor manufacturing processes other than the polishing apparatus, for example, in an apparatus for etching or chemical vapor deposition (CVD),
It is conceivable to unitize each function and use a general-purpose transfer robot, that is, adopt a so-called cluster structure.

【0006】しかし、上述のようにポリッシング装置に
クラスター構造を採用する場合に、即ち、各機能ごとに
ユニット化を図り汎用の搬送ロボットで搬送を行う場合
に、ポリッシング装置では、研磨後の半導体ウエハが砥
液や研磨屑等によりダーティかつウェットな状態である
のに対して、ロード部およびアンロード部等ではクリー
ンかつドライな状態にあり、この異なった状態の半導体
ウエハを搬送およびハンドリングすることになる。従っ
て、従来の他の半導体製造プロセス装置のクラスター構
造におけるロボットのように単一のロボットおよびアー
ム、または、単に到達範囲や配置だけの必要から複数あ
るだけでダーティとクリーンの使い分けがなされていな
いロボットおよびアームでは、ポリッシング装置内での
十分な搬送およびハンドリングを行うことが出来ず、も
しそのまま適用するとすれば、ロボットおよびアームの
洗浄および乾燥工程を必要に応じて追加しなければなら
ず、処理能力の低下等の問題が起こる可能性がある。
However, in the case where a cluster structure is employed in the polishing apparatus as described above, that is, when a unit is provided for each function and the transfer is performed by a general-purpose transfer robot, the polishing apparatus uses a semiconductor wafer after polishing. Is in a dirty and wet state due to abrasive liquid or polishing debris, etc., while it is in a clean and dry state in the load and unload sections, etc., to transport and handle semiconductor wafers in different states. Become. Therefore, a single robot and an arm like the robots in the cluster structure of other conventional semiconductor manufacturing process equipment, or a robot that is not used properly for dirty and clean because there are only a plurality of robots because of the need only for the reach or arrangement. In addition, the robot and the arm cannot perform sufficient transport and handling in the polishing apparatus, and if they are to be used as they are, cleaning and drying processes for the robot and the arm must be added as necessary, and the processing capacity is increased. There is a possibility that problems such as a decrease in the temperature will occur.

【0007】また、ポリッシング装置内でダーティな半
導体ウエハをハンドリングした後のロボットまたはアー
ムをそのまま長時間放置した場合には、研磨スラリー中
の砥粒や研磨屑という固形分が乾燥、固着して、次回の
ポリッシング時の半導体ウエハの逆汚染、およびポリッ
シング装置内の汚染の原因になる恐れがある。
Further, when a robot or an arm after handling a dirty semiconductor wafer in a polishing apparatus is left for a long time as it is, solids such as abrasive grains and polishing debris in the polishing slurry are dried and fixed. This may cause reverse contamination of the semiconductor wafer during the next polishing and contamination in the polishing apparatus.

【0008】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、複数の機能を一体化したクラスター構造を採用する
ことができるとともに、クリーンな半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物をハンドリングする手段とダーティな
ポリッシング対象物をハンドリングする手段とを個別に
有するポリッシング装置及び方法を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and can employ a cluster structure integrating a plurality of functions, as well as means for handling a polishing object such as a clean semiconductor wafer and dirty polishing. An object of the present invention is to provide a polishing apparatus and a polishing method which individually have means for handling an object.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のポリッシング装置は、ポリッシング対象
物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリッシング
対象物を搬出するポリッシング装置であって、研磨を行
うべきポリッシング対象物を載置するロード部と、該ロ
ード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨する少
なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッシング対象物
を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの洗浄部と、洗浄後
の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置するアンロ
ード部と、装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送
ロボットとを備え、前記研磨部は複数のターンテーブル
を備え、該複数のターンテーブルにおける研磨条件は異
なることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a polishing apparatus according to the present invention is a polishing apparatus which carries in a polishing object, polishes the object after polishing, and carries out a clean polishing object. A loading unit for placing a polishing object to be polished, at least one polishing unit for polishing the polishing object transported from the loading unit, and at least one washing and drying the polished polishing object A cleaning unit, an unloading unit for placing a clean and dried polishing target after cleaning, and a transfer robot for transferring the polishing target in the apparatus, the polishing unit includes a plurality of turntables, The polishing conditions for a plurality of turntables are different.

【0010】本発明のポリッシング方法の1態様は、ポ
リッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシング
方法であって、ポリッシング装置をカバーで覆うことに
よりクリーンルーム内に設置し、クリーンルーム内から
ポリッシング対象物をポリッシング装置内に搬入する工
程と、ポリッシング対象物を研磨する研磨工程と、研磨
後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる工程と、洗
浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物をポリッシ
ング装置からクリーンルーム内に搬出する工程とを備
え、前記研磨工程は、複数の研磨条件の異なるターンテ
ーブルでの研磨であることを特徴とする。ここで、前記
複数の研磨条件はあらかじめ設定されている。また、前
記複数の研磨条件はポリッシング対象物の性状により選
択される。
One embodiment of the polishing method according to the present invention is a polishing method for polishing an object to be polished and then cleaning the object. The polishing apparatus is installed in a clean room by covering a polishing apparatus with a cover, and the object to be polished is polished from within the clean room. A step of loading the object into the apparatus, a polishing step of polishing the object to be polished, a step of washing and drying the object to be polished after polishing, and a step of carrying a clean object to be cleaned and dried from the polishing apparatus into a clean room. Wherein the polishing step is polishing on a turntable having a plurality of different polishing conditions. Here, the plurality of polishing conditions are set in advance. The plurality of polishing conditions are selected according to the properties of the object to be polished.

【0011】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、ポリッシング装置をカバーで覆うこと
によりクリーンルーム内に設置し、クリーンルーム内か
らポリッシング対象物をポリッシング装置内に搬入する
工程と、ポリッシング対象物を研磨する研磨工程と、研
磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる工程と、
洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物をポリッ
シング装置からクリーンルーム内に搬出する工程とを備
え、前記研磨工程は、複数の研磨条件の異なる研磨クロ
スでの研磨であることを特徴とする。ここで、前記複数
の研磨条件はあらかじめ設定されている。また、前記複
数の研磨条件はポリッシング対象物の性状により選択さ
れる。
Another aspect of the polishing method of the present invention is as follows.
A polishing method for cleaning after polishing an object to be polished, wherein the polishing apparatus is installed in a clean room by covering the polishing apparatus with a cover, and a step of carrying the object to be polished into the polishing apparatus from within the clean room, and polishing the object to be polished. Polishing step, and a step of washing and drying the object to be polished after polishing,
Transporting a clean object to be cleaned and dried from the polishing apparatus into a clean room, wherein the polishing step is polishing with a plurality of polishing cloths having different polishing conditions. Here, the plurality of polishing conditions are set in advance. The plurality of polishing conditions are selected according to the properties of the object to be polished.

【0012】本発明のポリッシング方法の更に他の態様
は、ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッ
シング方法であって、ポリッシング対象物を載置するロ
ード部からロボットによりピッキングされ反転された
後、研磨部のロードポジションに移送され、該ロードポ
ジションからトップリングでポリッシング対象物を吸着
し、該ポリッシング対象物をテーブルの上面に押し当
て、ポリッシング対象物の表面を研磨することを特徴と
する。ここで、前記ロボットは、真空吸着によりポリッ
シング対象物を保持する。また、前記ポリッシング対象
物は半導体ウエハである。また、前記研磨部は複数個あ
る。更に、前記複数の研磨部での研磨の途中でポリッシ
ング対象物を洗浄する。また、前記ポリッシング対象物
は、研磨の後、洗浄部で洗浄が行われた後、ポリッシン
グを完了したポリッシング対象物を載置するアンロード
部に載置される。また、前記ポリッシング対象物を研磨
した後、ドレッシング機構によりターンテーブル上の研
磨クロスをドレッシングする。ここで、前記ドレッシン
グ機構はブラシである。
Still another aspect of the polishing method according to the present invention is a polishing method for cleaning after polishing an object to be polished, wherein the object is picked up by a robot from a load portion on which the object to be polished is mounted and inverted, and then polished. The polishing object is transferred to a load position of the unit, and the object to be polished is sucked by the top ring from the load position, the object to be polished is pressed against the upper surface of the table, and the surface of the object to be polished is polished. Here, the robot holds an object to be polished by vacuum suction. The object to be polished is a semiconductor wafer. Further, there are a plurality of the polishing units. Further, the object to be polished is cleaned during polishing in the plurality of polishing units. In addition, the polishing target is placed on an unloading unit for placing the polishing target, which has been polished, after being cleaned in a cleaning unit after polishing. After polishing the object to be polished, the polishing cloth on the turntable is dressed by a dressing mechanism. Here, the dressing mechanism is a brush.

【0013】本発明の好ましい態様は、ポリッシング対
象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリッシン
グ対象物を搬出するポリッシング装置であって、把持ア
ームを具備しポリッシング装置内でポリッシング対象物
を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボットと、前記汎
用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置され、研磨
を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部と、
該ロード部から搬入されたポリッシング対象物を研磨す
る少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッシング対
象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、洗浄後の清
浄なポリッシング対象物を載置するアンロード部と、隣
接する2つの部分間でポリッシング対象物を搬送して受
け渡す専用搬送機構と、を備え、前記汎用搬送ロボット
はクリーンなポリッシング対象物を搬送し、前記専用搬
送機構はダーティなポリッシング対象物を搬送すること
を特徴とする。
A preferred embodiment of the present invention is a polishing apparatus which carries in a polishing object, cleans the object after polishing it, and carries out a clean polishing object. The polishing apparatus includes a gripping arm and holds the object in the polishing apparatus. A general-purpose transfer robot that conveys and transfers to each unit, and a load unit that is disposed around the general-purpose transfer robot and places an object to be polished to be polished,
At least one polishing unit for polishing the object to be polished carried in from the load unit, at least one cleaning unit for cleaning the object to be polished after polishing, and an unload for placing a clean object to be cleaned after cleaning Unit, and a dedicated transfer mechanism for transferring and transferring the object to be polished between two adjacent parts, the general-purpose transfer robot transfers a clean object to be polished, and the dedicated transfer mechanism is a dirty object to be polished. It is characterized by conveying objects.

【0014】また、本発明の好ましい態様は、ポリッシ
ング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリ
ッシング対象物を搬出するポリッシング装置であって、
把持アームを具備しポリッシング装置内でポリッシング
対象物を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボットと、
前記汎用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置さ
れ、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロー
ド部と、該ロード部から搬入されたポリッシング対象物
を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッ
シング対象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、洗
浄後の清浄なポリッシング対象物を載置するアンロード
部と、を備え、前記汎用搬送ロボットはクリーンなポリ
ッシング対象物のみを搬送する把持アームとダーティな
ポリッシング対象物のみを搬送する把持アームとを具備
することを特徴とする。
Further, a preferred embodiment of the present invention is a polishing apparatus for carrying in an object to be polished, polishing the object after polishing it, and carrying out a clean object to be polished,
A general-purpose transport robot that has a gripping arm and transports the object to be polished in the polishing apparatus and transfers it to each unit;
A loading section disposed around the general-purpose transfer robot and on which a polishing target to be polished is placed, at least one polishing section for polishing the polishing target carried in from the loading section, and after polishing At least one cleaning unit for cleaning the object to be polished, and an unloading unit for mounting a clean object to be cleaned after cleaning, wherein the general-purpose transfer robot conveys only the clean object to be polished And a gripping arm for conveying only a dirty polishing object.

【0015】さらに、本発明の好ましい態様は、ポリッ
シング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポ
リッシング対象物を搬出するポリッシング装置であっ
て、把持アームを具備しポリッシング装置内でポリッシ
ング対象物を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボット
と、前記汎用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置
され、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロ
ード部と、該ロード部から搬入されたポリッシング対象
物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリ
ッシング対象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、
洗浄後の清浄なポリッシング対象物を載置するアンロー
ド部と、を備え、前記汎用搬送ロボットは2台設置さ
れ、ー方の汎用搬送ロボットはクリーンなポリッシング
対象物のみを搬送し、他方の汎用搬送ロボットはダーテ
ィなポリッシング対象物のみを搬送することを特徴とす
る。
Further, a preferred embodiment of the present invention is a polishing apparatus which carries in a polishing object, cleans the object after polishing it, and carries out a clean object to be polished. A general-purpose transfer robot that conveys an object and transfers it to each unit, a load unit that is disposed around the general-purpose transfer robot and places an object to be polished to be polished, and polishing that is carried in from the load unit At least one polishing unit for polishing the object, at least one cleaning unit for cleaning the polished object after polishing,
An unloading section for placing a clean object to be polished after cleaning, two general-purpose transfer robots are installed, and one of the general-purpose transfer robots transfers only the clean object to be polished, and the other The transport robot transports only dirty polishing objects.

【0016】本発明によれば、汎用搬送ロボットの周辺
にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が配置さ
れている。ロード部に載置されたクリーンなポリッシン
グ対象物は1台の汎用搬送ロボットによりピッキングさ
れ研磨部にローディングされた後、研磨部で研磨され
る。研磨が終了したダーティなポリッシング対象物は研
磨部と洗浄部間に設置された専用搬送機構により洗浄部
に移送され、洗浄部で洗浄が行われる。洗浄乾燥の終了
したクリーンなポリッシング対象物は、再び汎用搬送ロ
ボットによりアンロード部に載置される。
According to the present invention, the loading section, the unloading section, the polishing section, and the cleaning section are arranged around the general-purpose transfer robot. The clean polishing object placed on the load unit is picked by one general-purpose transfer robot, loaded onto the polishing unit, and then polished by the polishing unit. The dirty object to be polished, which has been polished, is transferred to the cleaning section by a dedicated transport mechanism provided between the polishing section and the cleaning section, and the cleaning section performs cleaning. After the cleaning and drying, the clean object to be polished is placed on the unloading section again by the general-purpose transfer robot.

【0017】また、本発明によれば、汎用搬送ロボット
の周辺にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が
配置されている。ロード部に載置されたクリーンなポリ
ッシング対象物は汎用搬送ロボットのクリーン専用把持
アームによりピッキングされ研磨部にローディングされ
た後、研磨部で研磨される。研磨が終了したダーティな
ポリッシング対象物は汎用搬送ロボットのダーティ専用
把持アームにより洗浄部に移送され、洗浄部で洗浄が行
われる。洗浄乾燥の終了したクリーンなポリッシング対
象物は、再び汎用搬送ロボットのクリーン専用把持アー
ムによりアンロード部に載置される。
Further, according to the present invention, the loading section, the unloading section, the polishing section, and the cleaning section are arranged around the general-purpose transfer robot. The clean polishing object placed on the load unit is picked by a clean dedicated gripping arm of a general-purpose transfer robot, loaded into the polishing unit, and then polished by the polishing unit. The dirty object to be polished, which has been polished, is transferred to the cleaning unit by the dirty dedicated gripping arm of the general-purpose transfer robot, and the cleaning unit performs cleaning. After the cleaning and drying, the clean object to be polished is placed on the unloading section again by the clean dedicated gripping arm of the general-purpose transfer robot.

【0018】本発明によれば、汎用搬送ロボットの周辺
にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が配置さ
れている。ロード部に載置されたクリーンなポリッシン
グ対象物はクリーン専用の汎用搬送ロボットによりピッ
キングされ研磨部にローディングされた後、研磨部で研
磨される。研磨が終了したダーティなポリッシング対象
物はダーティ専用の汎用搬送ロボットにより洗浄部に移
送され、洗浄部で洗浄が行われる。洗浄乾燥の終了した
クリーンな半導体ウエハは、再びクリーン専用の汎用搬
送ロボットによりアンロード部に載置される。
According to the present invention, the loading section, the unloading section, the polishing section, and the cleaning section are arranged around the general-purpose transfer robot. The clean polishing object placed on the load unit is picked by a general-purpose transfer robot dedicated to clean, loaded onto the polishing unit, and then polished by the polishing unit. The dirty object to be polished, which has been polished, is transferred to the cleaning unit by a general-purpose transfer robot dedicated to dirty, and is cleaned in the cleaning unit. After cleaning and drying, the clean semiconductor wafer is placed on the unloading section again by the general-purpose transfer robot dedicated to cleaning.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施例を図面に基づいて説明する。以下の実施例
においては、ポリッシング対象物として半導体ウエハを
例にとり説明する。 (第1実施例)図1は本発明のポリッシング装置の第1
実施例の構成を示す図である。本ポリッシング装置は、
中央部に汎用搬送ロボットを構成するセンターロボット
10を備え、センターロボット10の周辺でアーム10
−1の到達範囲に、ポリッシングを必要とする半導体ウ
エハSを載置するロード部11、ポリッシングを完了し
た半導体ウエハを載置するアンロード部12、半導体ウ
エハSをポリッシングする研磨部13,14、半導体ウ
エハSを洗浄する洗浄部15を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, a semiconductor wafer will be described as an example of an object to be polished. FIG. 1 shows a first embodiment of a polishing apparatus according to the present invention.
It is a figure showing composition of an example. This polishing machine
A center robot 10 constituting a general-purpose transfer robot is provided at the center, and an arm 10 is provided around the center robot 10.
A loading unit 11 for mounting a semiconductor wafer S requiring polishing, an unloading unit 12 for mounting a semiconductor wafer that has been polished, polishing units 13 and 14 for polishing the semiconductor wafer S, A cleaning unit 15 for cleaning the semiconductor wafer S is provided.

【0020】研磨部13,14は、それぞれポリッシン
グヘッド支持アーム13−3,14−3及びターンテー
ブル13−4,14−4を有し、ポリッシングヘッド支
持アーム13−3,14−3にはトップリング(後述す
る)が回転自在に設けられている。ポリッシングヘッド
支持アーム13−3,14−3は、それぞれ半導体ウエ
ハSを各研磨部のロードポジション13−1,14−1
からターンテーブル13−4,14−4の上へ搬送する
専用搬送機構を構成する。またポリッシングヘッド支持
アーム13−3,14−3は、それぞれ半導体ウエハS
を研磨部13,14から洗浄部15へ搬送する専用搬送
機構を構成する。なお、16,17は研磨部13,14
のターンテーブル13−4,14−4に張付けられてい
る研磨クロス(布)のドレッシング(目たて)をするド
レッシングツール(ブラシ状のツール)を載置するドレ
ッシングツール載置台である。
The polishing units 13 and 14 have polishing head support arms 13-3 and 14-3 and turntables 13-4 and 14-4, respectively. A ring (described later) is rotatably provided. The polishing head support arms 13-3 and 14-3 respectively load the semiconductor wafer S into the load positions 13-1 and 14-1 of the respective polishing units.
, And a dedicated transport mechanism for transporting the paper onto the turntables 13-4 and 14-4. The polishing head support arms 13-3 and 14-3 are respectively connected to the semiconductor wafer S
A dedicated transfer mechanism for transferring the wafers from the polishing units 13 and 14 to the cleaning unit 15 is configured. In addition, 16 and 17 are polishing parts 13 and 14.
This is a dressing tool mounting table for mounting a dressing tool (brush-shaped tool) for dressing (placing) a polishing cloth (cloth) attached to the turntables 13-4 and 14-4.

【0021】上記のように配置されたポリッシング装置
において、ロード部11に載置されたポリッシングを必
要とする半導体ウエハSはセンターロボット10のロー
ディング把持アーム10−1でピッキング(真空吸着)
され、研磨面が下向きになるように反転された後、研磨
部13のロードポジション13−1に移送される。研磨
部13のポリッシングヘッド支持アーム13−3はその
先端部に設けられたトップリングで半導体ウエハSをチ
ャッキング(吸着)し、半導体ウエハSの研磨面を回転
しているテーブル13−4の上面に押し当て半導体ウエ
ハSの表面を研磨する。この時トップリング自体は、そ
の軸心回わりに回転すると共に、ポリッシングヘッド支
持アーム13−3によってターンテーブル13−4上を
揺動するようになっている。
In the polishing apparatus arranged as described above, the semiconductor wafer S, which needs to be polished, mounted on the load section 11 is picked (vacuum suction) by the loading gripping arm 10-1 of the center robot 10.
Then, after being polished so that the polished surface faces downward, the polished portion 13 is transferred to the load position 13-1. The polishing head support arm 13-3 of the polishing section 13 chucks (adsorbs) the semiconductor wafer S by a top ring provided at the tip thereof, and rotates the polishing surface of the semiconductor wafer S on the upper surface of the table 13-4. To polish the surface of the semiconductor wafer S. At this time, the top ring itself rotates around its axis and swings on the turntable 13-4 by the polishing head support arm 13-3.

【0022】ポリッシングの終了した半導体ウエハSは
ポリッシングヘッド支持アーム13−3により、洗浄部
15のローディング位置15−1に移送される。ローデ
ィング位置15−1で半導体ウエハSを解放したポリッ
シングヘッド支持アーム13−3は、ドレッシングツー
ル載置台16でドレッシングツール16−1をチャッキ
ングし、ターンテーブル13−4にドレッシングツール
16−1を押し当て研磨クロス(布)のドレッシングを
する。但し、このドレッシングは後述するように専用の
ドレッシング機構を設けてもよい(図2及び図3参
照)。
The semiconductor wafer S that has been polished is transferred to the loading position 15-1 of the cleaning unit 15 by the polishing head support arm 13-3. The polishing head support arm 13-3 having released the semiconductor wafer S at the loading position 15-1 chucks the dressing tool 16-1 on the dressing tool mounting table 16, and pushes the dressing tool 16-1 on the turntable 13-4. Dress dressing cloth. However, this dressing may be provided with a dedicated dressing mechanism as described later (see FIGS. 2 and 3).

【0023】なお、センターロボット10のローディン
グ専用アーム10−1により研磨部14のロードポジシ
ョン14−1に移送された半導体ウエハSもポリッシン
グヘッド支持アーム14−3のトップリングでチャッキ
ングされ、回転しているターンテーブル14−4の上面
に押し当てられ研磨される。ポリッシングの終了した半
導体ウエハSは洗浄部15のローディング位置15−2
に移送される。また、ローディング位置15−2で半導
体ウエハSを解放したポリッシングヘッド支持アーム1
4−3は、ドレッシングツール載置台17でドレッシン
グツール17−1をチャッキングし、ターンテーブル1
4−4にドレッシングツール17−1を押し当て研磨ク
ロス(布)のドレッシングをする。
The semiconductor wafer S transferred to the load position 14-1 of the polishing section 14 by the loading arm 10-1 of the center robot 10 is also chucked by the top ring of the polishing head support arm 14-3 and rotated. And is polished against the upper surface of the turntable 14-4. The polished semiconductor wafer S is placed at the loading position 15-2 of the cleaning unit 15.
Is transferred to The polishing head supporting arm 1 which releases the semiconductor wafer S at the loading position 15-2.
4-3, the dressing tool 17-1 is chucked by the dressing tool mounting table 17, and the turntable 1 is turned on.
The dressing tool 17-1 is pressed against 4-4 to dress the polishing cloth (cloth).

【0024】洗浄部15のローディング位置15−1,
15−2に移送された半導体ウエハSは、洗浄部15内
で一次洗浄、二次洗浄された後、アンローディング位置
15−3に移送される。アンローディング位置15−3
に移送された半導体ウエハSは、センターロボット10
のアンロード専用把持アーム10−2によりアンロード
部12に移送される。上記動作は全て自動的に行われ
る。以下、研磨部14、洗浄部15の詳細を説明する。
The loading positions 15-1 and 15-1,
The semiconductor wafer S transferred to 15-2 is subjected to primary cleaning and secondary cleaning in the cleaning unit 15, and then transferred to the unloading position 15-3. Unloading position 15-3
Wafer S transferred to the central robot 10
Is transferred to the unloading section 12 by the unloading dedicated gripping arm 10-2. All of the above operations are performed automatically. Hereinafter, details of the polishing unit 14 and the cleaning unit 15 will be described.

【0025】図2(a)は本発明のポリッシング装置の
構成を示す一部平面図で、同図(b)は洗浄機構15の
上段部分を示す図、図3は図2(a)のA1−A2断面
を示す図、図4は図2(a)のB1−B2断面を示す
図、図5は図2(a)のC1−C2−C3−D1断面を
示す図、図6は図2(a)のD1−D2断面を示す図で
ある。図2乃至図6は図1と同様に第1実施例を説明す
る図であるが、図2乃至図6では、ドレッシングツール
及びドレッシングツール載置台を設けないで、別途ドレ
ッシング機構15−11を設けた場合を示している。ロ
ード部11に載置された半導体ウエハSはセンターロボ
ット10のアーム10−1でピッキングされ、反転機構
11−2に於いて、研磨面が下を向くように反転され
て、しかる後に、研磨部14のロードポジション14−
1に移送される。図3に示されるように半導体ウエハS
はポリッシングヘッド支持アーム14−3の先端部に設
けられたトップリング14−5でチャッキング(真空吸
着)され、ターンテーブル14−4の上方に搬送され
る。
FIG. 2A is a partial plan view showing the configuration of the polishing apparatus of the present invention, FIG. 2B is a view showing the upper part of the cleaning mechanism 15, and FIG. 3 is a view showing A1 in FIG. 2A. FIG. 4 is a diagram showing a B1-B2 cross section of FIG. 2A, FIG. 5 is a diagram showing a C1-C2-C3-D1 cross section of FIG. 2A, and FIG. It is a figure which shows the D1-D2 cross section of (a). FIGS. 2 to 6 are views for explaining the first embodiment as in FIG. 1. In FIGS. 2 to 6, a dressing mechanism and a dressing mechanism 15-11 are separately provided without providing a dressing tool and a dressing tool mounting table. Shows the case where The semiconductor wafer S placed on the load unit 11 is picked by the arm 10-1 of the center robot 10, and is inverted by the reversing mechanism 11-2 so that the polished surface faces downward. 14 road positions 14-
Transferred to 1. As shown in FIG.
Is chucked (vacuum adsorbed) by a top ring 14-5 provided at the tip of the polishing head support arm 14-3, and is conveyed above the turntable 14-4.

【0026】ここでトップリング14−5は下降し、図
4に示されるようにモータ14−6によりタイミングベ
ルト14−7を介して回転しているターンテーブル14
−4の上面に半導体ウエハSを押し当てポリッシングす
る。ポリッシングの終了した半導体ウエハSは、図5に
示されるように洗浄部15のローディング位置15−2
の開口部に待機しているリンス洗浄容器15−4に収容
され、リンス洗浄水によりリンス洗浄される。このリン
ス洗浄時、ローディング位置15−2の開口部は蓋体1
5−5で閉鎖されるようになっている。また、半導体ウ
エハSを解放したトップリング14−5は洗浄部15の
ローディング位置で洗浄機構(図示せず)により洗浄さ
れる。
At this time, the top ring 14-5 descends, and as shown in FIG. 4, the turntable 14 is rotated by the motor 14-6 via the timing belt 14-7.
-4, the semiconductor wafer S is pressed against the upper surface and polished. As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer S that has been polished is placed at the loading position 15-2 of the cleaning unit 15.
Is stored in the rinse washing container 15-4 which is waiting at the opening of the container, and is rinsed with the rinse water. At the time of this rinsing cleaning, the opening at the loading position 15-2 is the lid 1
It is closed at 5-5. The top ring 14-5 having released the semiconductor wafer S is cleaned by a cleaning mechanism (not shown) at the loading position of the cleaning unit 15.

【0027】リンス洗浄された半導体ウエハSは図5の
矢印aで示されるように搬送され、反転機構15−6に
達する。ここで位置決め反転機構15−6で研磨された
面が再び上を向くように、吸着反転され、一次洗浄ステ
ーション15−7に移送され、ここで洗浄水(純水)に
より一次洗浄される。続いて半導体ウエハSはトランス
ファロボット15−8(図6参照)によりピックアップ
され、矢印b,cに示すように移送され、二次洗浄ステ
ーション15−9に到達する。半導体ウエハSは二次洗
浄ステーション15−9で洗浄水(純水)により二次洗
浄される。
The rinse-washed semiconductor wafer S is transported as shown by the arrow a in FIG. 5 and reaches the reversing mechanism 15-6. Here, the surface polished by the positioning reversing mechanism 15-6 is suction-reversed so as to face up again, and is transferred to the primary cleaning station 15-7, where it is primarily cleaned with cleaning water (pure water). Subsequently, the semiconductor wafer S is picked up by the transfer robot 15-8 (see FIG. 6), transferred as indicated by arrows b and c, and reaches the secondary cleaning station 15-9. The semiconductor wafer S is secondarily cleaned with cleaning water (pure water) at the second cleaning station 15-9.

【0028】二次洗浄された半導体ウエハSはセンター
ロボット10のアンロード専用アーム10−2でピック
アップされ、図6の矢印d,eに示すように移送され、
図1に示すアンロード部12に載置される。なお、15
−11はターンテーブル14−4の上面の研磨クロス
(布)のドレッシングを行うドレッシング機構であり、
図3に示すように回転ブラシ15−12が設けられてい
る。なお、図2乃至図6で示す構成の研磨部13,14
及び洗浄部の構成は一例であり、これに限定されるもの
ではない。
The semiconductor wafer S having been subjected to the secondary cleaning is picked up by the unloading arm 10-2 of the center robot 10 and transferred as shown by arrows d and e in FIG.
It is placed on the unloading section 12 shown in FIG. Note that 15
-11 is a dressing mechanism for dressing the polishing cloth (cloth) on the upper surface of the turntable 14-4,
As shown in FIG. 3, a rotating brush 15-12 is provided. The polishing units 13 and 14 having the configuration shown in FIGS.
The configuration of the cleaning unit is an example, and is not limited to this.

【0029】本実施例のポリッシング装置は、把持アー
ム10−1,10−2を具備しポリッシング装置内で半
導体ウエハSを搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボッ
トを構成するセンターロボット10と、センターロボッ
ト10を中心としてその周囲に配置され、研磨を行うべ
き半導体ウエハSを載置するロード部11と、ロード部
11から搬入された半導体ウエハSを研磨する2つの研
磨部13,14と、研磨後の半導体ウエハSを洗浄する
洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを載置す
るアンロード部12と、隣接する2つの部分間で半導体
ウエハSを搬送して受け渡す専用搬送機構を構成するポ
リッシングヘッド支持アーム13−3,14−3とを備
え、センターロボット10はクリーンかつドライな半導
体ウエハSを搬送し、ポリッシングヘッド支持アーム1
3−3,14−3はダーティかつウェットな半導体ウエ
ハSを搬送するように構成されている。
The polishing apparatus according to the present embodiment includes a center robot 10 having gripping arms 10-1 and 10-2 and constituting a general-purpose transfer robot for transferring a semiconductor wafer S within the polishing apparatus and transferring it to each unit. A load unit 11 disposed around the robot 10 for mounting a semiconductor wafer S to be polished, two polishing units 13 and 14 for polishing the semiconductor wafer S loaded from the load unit 11, A cleaning unit 15 for cleaning the semiconductor wafer S after cleaning, an unloading unit 12 for mounting the clean semiconductor wafer S after cleaning, and a dedicated transfer mechanism for transferring and transferring the semiconductor wafer S between two adjacent units. The center robot 10 transports a clean and dry semiconductor wafer S. , Polishing head support arm 1
Reference numerals 3-3 and 14-3 are configured to transfer a dirty and wet semiconductor wafer S.

【0030】本実施例のセンターロボット10は、ロー
ド専用アーム10−1とアンロード専用アーム10−2
の2つのアームを具備しており、ロード部11から搬入
する半導体ウエハSのクリーン度とアンロード部12へ
搬出する半導体ウエハSのクリーン度が異なる場合に好
適に適用される。
The center robot 10 of this embodiment includes a load-only arm 10-1 and an unload-only arm 10-2.
This is suitably applied when the cleanliness of the semiconductor wafer S carried in from the load unit 11 and the cleanliness of the semiconductor wafer S carried out to the unload unit 12 are different.

【0031】(第2実施例)図7は本発明のポリッシン
グ装置の第2実施例の構成を示す図である。同図におい
て図1と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示
す。本ポリッシング装置は、センターロボット10の周
辺で且つ該センターロボット10のアームの到達範囲に
六角形状に、ロード部11、アンロード部12、研磨部
13,14及び洗浄・乾燥を行う洗浄部15を備え、更
に他の工程が必要とされる場合を予想し、それらの工程
を行う機構や装置が配置される予備スペース18,19
を備えている。
(Second Embodiment) FIG. 7 is a view showing the configuration of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the figure, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding parts. This polishing apparatus includes a load section 11, an unload section 12, polishing sections 13, 14 and a cleaning section 15 for cleaning / drying in a hexagonal shape around the center robot 10 and in the reach of the arm of the center robot 10. In anticipation of the necessity of further steps to be provided, spare spaces 18 and 19 where mechanisms and devices for performing those steps are arranged.
It has.

【0032】前記予備スペース18,19には、例え
ば、半導体ウエハの厚さを測定する厚さ計が配置され
る。この場合、半導体ウエハSをセンターロボット10
のアーム10−1により把持して予備スペース18内の
厚さ計に導き、研磨前の半導体ウエハSの厚さを計測
し、その後、アーム10−1により研磨部13のロード
ポジション13−1に移送する。研磨部13で研磨され
た半導体ウエハSは第1実施例と同様な方法で洗浄部1
5に移送され、ここで洗浄された後に、センターロボッ
ト10のアーム10−1により再び予備スペース18内
の厚さ計に導かれる。そして、厚さ計により研磨後の半
導体ウエハSの厚さを計測した後、半導体ウエハはアー
ム10−2によりアンロード部12に移送される。
In the spare spaces 18 and 19, for example, a thickness gauge for measuring the thickness of the semiconductor wafer is arranged. In this case, the semiconductor wafer S is transferred to the center robot 10.
Of the semiconductor wafer S before polishing is measured by the arm 10-1, and the thickness of the semiconductor wafer S before polishing is measured. Transfer. The semiconductor wafer S polished by the polishing unit 13 is cleaned in the same manner as in the first embodiment.
After being transferred to 5 and washed there, the arm 10-1 of the center robot 10 is guided again to the thickness gauge in the spare space 18. After the thickness of the polished semiconductor wafer S is measured by the thickness gauge, the semiconductor wafer is transferred to the unloading section 12 by the arm 10-2.

【0033】(第3実施例)図8は本発明のポリッシン
グ装置の第3実施例の構成を示す図である。本ポリッシ
ング装置は、センターロボット10の周辺で且つ該セン
ターロボット10のアームの到達範囲に六角形状に、ロ
ード部11、アンロード部12、2台の研磨部13,1
3と1台の研磨部14、研磨部13と研磨部13の間及
び研磨部14とアンロード部12の間にそれぞれ洗浄部
15,15を備えている。この配置構成は研磨部13の
ポリッシング工程が研磨部14のポリッシング工程の2
倍の時間を必要とする場合に好適な配置である。
(Third Embodiment) FIG. 8 is a view showing the configuration of a polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention. The present polishing apparatus includes a load section 11, an unload section 12, and two polishing sections 13, 1 in a hexagonal shape around the center robot 10 and in the reach of the arm of the center robot 10.
3 and one polishing unit 14, cleaning units 15 and 15 are provided between the polishing unit 13 and the polishing unit 13 and between the polishing unit 14 and the unloading unit 12. In this arrangement, the polishing process of the polishing unit 13 is the same as the polishing process of the polishing unit 14.
This arrangement is suitable when double the time is required.

【0034】研磨部13,13から洗浄部15への移送
及び研磨部14から洗浄部15への移送はセンターロボ
ット10で行わず、別な移送手段(例えばポリッシング
ヘッド支持アーム13−3,14−3)で行うが、研磨
部13,13,14への半導体ウエハのロード及び洗浄
部15,15からの洗浄完了した半導体ウエハのピック
アップはセンターロボット10の把持アームで行う。即
ち、センターロボット10は研磨部13,13,14で
のポリッシングによりスラリーの付着した半導体ウエハ
を取り扱わないようにし、把持アームが汚染されないよ
うにする。これにより、汚染を少なくすることが可能と
なる。
The transfer from the polishing units 13, 13 to the cleaning unit 15 and the transfer from the polishing unit 14 to the cleaning unit 15 are not performed by the center robot 10, but are performed by another transfer means (for example, polishing head support arms 13-3, 14-). 3), the loading of the semiconductor wafer into the polishing units 13, 13, 14 and the pick-up of the cleaned semiconductor wafer from the cleaning units 15, 15 are performed by the gripping arm of the center robot 10. That is, the center robot 10 does not handle the semiconductor wafer to which the slurry has adhered by the polishing in the polishing units 13, 13, and 14 so that the gripping arm is not contaminated. This makes it possible to reduce contamination.

【0035】(第4実施例)図9は本発明のポリッシン
グ装置の第4実施例の構成を示す図であり、センターロ
ボット10が1本の把持アーム10−1のみを有する場
合のポリッシング装置の概略構成を示す図である。図9
において、図1及び図2と同一符号を付した部分は同一
又は相当分を示し、その作用も同一であるので説明は省
略する。このように1本の把持アーム10−1のみを有
する場合には、図示するように、研磨部13と14の
間、研磨部13,14と洗浄部15の間にそれぞれ専用
搬送機構が設置され、ロード部11からピッキングする
半導体ウエハSのクリーン度とアンロード部12へ収納
する半導体ウエハSのクリーン度が同じレベルの場合に
適用が可能である。
(Fourth Embodiment) FIG. 9 is a view showing the configuration of a fourth embodiment of the polishing apparatus of the present invention. The polishing apparatus in the case where the center robot 10 has only one gripping arm 10-1 is shown. It is a figure showing a schematic structure. FIG.
In FIG. 7, the portions denoted by the same reference numerals as those in FIGS. When only one gripping arm 10-1 is provided in this way, as shown in the figure, dedicated transfer mechanisms are provided between the polishing units 13 and 14, and between the polishing units 13, 14 and the cleaning unit 15, respectively. The present invention can be applied when the cleanliness of the semiconductor wafer S picked from the load unit 11 and the cleanliness of the semiconductor wafer S stored in the unload unit 12 are at the same level.

【0036】(第5実施例)図10は本発明のポリッシ
ング装置の第5実施例の構成を示す図である。本ポリッ
シング装置は、センターロボット10の周辺で且つ該セ
ンターロボット10の把持アームの到達範囲に六角形状
に、ロード部11、4台の研磨部13,14,21,2
2、洗浄部15を具備し、洗浄部15の端部にアンロー
ド部12を具備している。更にポリッシング装置は、ロ
ード部11及びアンロード部12に隣接してポリッシン
グを必要とする半導体ウエハ及びポリッシングを完了し
た半導体ウエハをストックしておく、ストッカー23を
具備している。そしてストッカー23からポリッシング
を完了した半導体ウエハを搬出したり、ストッカー23
にポリッシングを必要とする半導体ウエハを搬入するた
めに自動搬送車24が設置されている。
(Fifth Embodiment) FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. The present polishing apparatus has a load section 11, four polishing sections 13, 14, 21, and 2 in a hexagonal shape around the center robot 10 and within the reach of the gripping arm of the center robot 10.
2. The cleaning unit 15 is provided, and the unloading unit 12 is provided at an end of the cleaning unit 15. Further, the polishing apparatus is provided with a stocker 23 adjacent to the loading unit 11 and the unloading unit 12 for storing semiconductor wafers requiring polishing and semiconductor wafers having been subjected to polishing. The unpolished semiconductor wafer is unloaded from the stocker 23, or the stocker 23
An automatic transfer vehicle 24 is installed to carry in a semiconductor wafer requiring polishing.

【0037】ここでは、研磨部13,14,21,22
及び洗浄部15へのローディング、ロード部11及び研
磨部13,14,21,22からのピッキングは全てセ
ンターロボット10で行うようになっている。センター
ロボット10はクリーンな半導体ウエハSを把持するク
リーン専用アームとダーティな半導体ウエハSを把持す
るダーティ専用アームとを具備し、ロード部11からク
リーンな半導体ウエハSを把持し研磨部13,14,2
1,22のいずれかへの搬送および洗浄部15で洗浄、
乾燥が終了した半導体ウエハSのアンロード部12への
搬送はクリーン専用アームで行い、研磨部13,14,
21,22間の搬送及び研磨部から洗浄部15への搬送
はダーティ専用アームで行う。例えば、図1のセンター
ロボットを用いる場合は、アーム10−1をクリーン専
用アームとしアーム10−2をダーティ専用アームとす
る。これにより汚染を極力少なくすることが可能とな
る。
Here, the polishing units 13, 14, 21, 22
The loading to the cleaning unit 15 and the picking from the loading unit 11 and the polishing units 13, 14, 21, 22 are all performed by the center robot 10. The center robot 10 includes a clean dedicated arm for holding the clean semiconductor wafer S and a dirty dedicated arm for holding the dirty semiconductor wafer S. 2
Transporting to any one of 1 and 22, and cleaning in the cleaning unit 15,
The transfer of the dried semiconductor wafer S to the unloading section 12 is performed by the clean dedicated arm, and the polishing sections 13, 14, and 14.
The transfer between 21 and 22 and the transfer from the polishing section to the cleaning section 15 are performed by a dirty dedicated arm. For example, when the center robot of FIG. 1 is used, the arm 10-1 is an arm dedicated to clean and the arm 10-2 is an arm dedicated to dirty. This makes it possible to minimize contamination.

【0038】本実施例のポリッシング装置は、把持アー
ム10−1,10−2を具備しポリッシング装置内で半
導体ウエハSを搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボッ
トを構成するセンターロボット10と、センターロボッ
ト10を中心としてその周囲に配置され、研磨を行うべ
き半導体ウエハSを載置するロード部11と、ロード部
11から搬入された半導体ウエハSを研磨する研磨部1
3,14,21,22と、研磨後の半導体ウエハSを洗
浄する洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを
載置するアンロード部12とを備え、センターロボット
10はクリーンな半導体ウエハSのみを搬送するクリー
ン専用アーム10−1とダーティな半導体ウエハSのみ
を搬送するダーティ専用アーム10−2とを具備する。
The polishing apparatus of the present embodiment includes a center robot 10 having gripping arms 10-1 and 10-2, which constitutes a general-purpose transfer robot for transferring a semiconductor wafer S within the polishing apparatus and transferring it to various parts. A loading unit 11 arranged around the robot 10 for mounting a semiconductor wafer S to be polished and a polishing unit 1 for polishing the semiconductor wafer S loaded from the loading unit 11
3, 14, 21 and 22, a cleaning unit 15 for cleaning the polished semiconductor wafer S, and an unloading unit 12 for placing the cleaned semiconductor wafer S thereon. It has a clean dedicated arm 10-1 for transferring only the wafer S and a dirty dedicated arm 10-2 for transferring only the dirty semiconductor wafer S.

【0039】ダーティ専用アーム10−2は、ダーティ
な半導体ウエハをハンドリングした後に、洗浄部15に
設けられた洗浄機構(図示せず)により洗浄される。
The dirty dedicated arm 10-2 is cleaned by a cleaning mechanism (not shown) provided in the cleaning unit 15 after handling the dirty semiconductor wafer.

【0040】(第6実施例)図11は本発明のポリッシ
ング装置の第6実施例の構成を示す図である。本実施例
では、クリーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット
10Aと、ダーティな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボ
ット10Bが別個に設けられている。また、本実施例で
は2つの研磨部13,14と1つの洗浄部15とを備え
ている。具体的な研磨手順は次の通りである。まず、ク
リーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット10Aが
ロード部11から研磨対象物である半導体ウエハSを受
け取り、搬送し、研磨部13のロードポジション13−
1に載置する。
(Sixth Embodiment) FIG. 11 is a view showing a configuration of a polishing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, a general-purpose transfer robot 10A dedicated to a clean semiconductor wafer and a general-purpose transfer robot 10B dedicated to a dirty semiconductor wafer are separately provided. In this embodiment, two polishing units 13 and 14 and one cleaning unit 15 are provided. The specific polishing procedure is as follows. First, the general-purpose transfer robot 10A dedicated to a clean semiconductor wafer receives the semiconductor wafer S to be polished from the load unit 11 and conveys it.
Place on 1.

【0041】研磨部13での研磨が終了した後、ダーテ
ィな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット10Bが半導
体ウエハSを受け取り、搬送し、洗浄部15のローディ
ング位置15−1に載置する。洗浄部15での洗浄が終
了した後、クリーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボ
ット10Aが洗浄部15のアンローディング位置15−
3から半導体ウエハSを受け取り、搬送し、アンロード
部12に載置する。以上の行程により、一連の研磨と洗
浄が行われる。研磨部14で研磨が行われる場合にも同
様の行程で研磨と洗浄が行われる。
After the polishing by the polishing section 13 is completed, the general-purpose transfer robot 10B dedicated to dirty semiconductor wafers receives the semiconductor wafer S, transfers it, and places it at the loading position 15-1 of the cleaning section 15. After the cleaning in the cleaning unit 15 is completed, the general-purpose transfer robot 10 </ b> A dedicated to the clean semiconductor wafer is moved to the unloading position 15-of the cleaning unit 15.
The semiconductor wafer S is received from 3, transported, and placed on the unload unit 12. Through the above steps, a series of polishing and cleaning are performed. When polishing is performed in the polishing section 14, polishing and cleaning are performed in the same process.

【0042】本実施例に示すポリッシング装置によれ
ば、研磨部13と14の両方の研磨部で研磨を行い、ど
ちらの研磨部で研磨した半導体ウエハについても洗浄部
15で洗浄することにより、2つの研磨部に対して1つ
の洗浄部で対応することが可能である。特に、半導体ウ
エハ1枚の研磨時間に比べて洗浄部での半導体ウエハの
処理間隔、即ちあるウエハが洗浄工程に入ってから次の
ウエハが洗浄工程に入るまでの間隔が短い場合には、洗
浄工程によって制約を受けて研磨工程での待ち時間が生
じるということが無いので処理速度を落とさずにコンパ
クト化を得られて、極めて有効である。
According to the polishing apparatus shown in this embodiment, polishing is performed in both polishing units 13 and 14, and the semiconductor wafer polished in either polishing unit is cleaned in the cleaning unit 15. One polishing section can be used for one polishing section. In particular, when the processing interval of the semiconductor wafer in the cleaning unit, that is, the interval between the start of a cleaning step for one wafer and the start of the cleaning step for the next wafer is shorter than the polishing time of one semiconductor wafer, the cleaning is performed. Since there is no waiting time in the polishing process due to the restriction of the process, the process can be made compact without reducing the processing speed, which is extremely effective.

【0043】また、研磨部13と14で異なる研磨条件
に設定しておき、研磨対象物であるウエハの性状に対応
して、より適した方の研磨部を選択することが可能であ
る。更に、同一の半導体ウエハに関して、研磨部13で
研磨を行い、洗浄部15で洗浄を行った後に研磨部14
で研磨を行い、洗浄部15で洗浄を行うことにより1枚
の半導体ウエハに2回の研磨を実施することも可能であ
る。なお、符号18,19は予備スペースである。
Further, it is possible to set different polishing conditions in the polishing units 13 and 14 and select a more suitable polishing unit according to the properties of the wafer to be polished. Further, the same semiconductor wafer is polished by the polishing unit 13 and cleaned by the cleaning unit 15, and then the polishing unit 14 is polished.
It is also possible to carry out polishing twice for one semiconductor wafer by performing polishing in the cleaning section 15. Reference numerals 18 and 19 are spare spaces.

【0044】本実施例のポリッシング装置は、ポリッシ
ング装置内で半導体ウエハを搬送して各部に受け渡す2
台の汎用搬送ロボット10A,10Bと、前記汎用搬送
ロボット10A,10Bを中心としてその周囲に配置さ
れ、研磨を行うべき半導体ウエハSを研磨する2つの研
磨部13,14と、研磨後の半導体ウエハSを洗浄する
洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを載置す
るアンロード部12を備えている。そして前記2台の汎
用搬送ロボットのうち、一方の汎用搬送ロボット10A
はクリーンな半導体ウエハSのみを搬送し、他方の汎用
搬送ロボット10Bはダーティな半導体ウエハSのみを
搬送する。汎用搬送ロボット10Bは、ダーティな半導
体ウエハをハンドリングした後に、洗浄部15に設けら
れた洗浄機構(図示せず)により洗浄される。
The polishing apparatus according to the present embodiment transports a semiconductor wafer within the polishing apparatus and transfers it to each unit.
Two general-purpose transfer robots 10A and 10B, two polishing units 13 and 14 arranged around the general-purpose transfer robots 10A and 10B and polishing the semiconductor wafer S to be polished, and the polished semiconductor wafer A cleaning unit 15 for cleaning S and an unloading unit 12 for mounting a clean semiconductor wafer S after cleaning are provided. And one of the two general-purpose transfer robots 10A
Transports only the clean semiconductor wafer S, and the other general-purpose transport robot 10B transports only the dirty semiconductor wafer S. The general-purpose transfer robot 10B is cleaned by a cleaning mechanism (not shown) provided in the cleaning unit 15 after handling the dirty semiconductor wafer.

【0045】上記第1〜第6実施例に示すようにポリッ
シング装置を構成することにより、半導体ウエハに種々
の工程の機械的化学的ポリッシングを行う複数の研磨部
及び洗浄部をセンターロボットの周辺に配置するので、
装置全体をコンパクトにできるから、例えば該装置全体
をカバー等で覆い、排気を独自に設けることにより、ク
リーンルームに直接配置してもクリーン度を低下させる
ことなく、且つ高価なクリーンルームにおいて設置スペ
ースも少なくできる。
By constructing a polishing apparatus as shown in the first to sixth embodiments, a plurality of polishing units and cleaning units for performing mechanical and chemical polishing of semiconductor wafers in various processes are provided around the center robot. To place
Since the entire device can be made compact, for example, by covering the entire device with a cover or the like and independently providing exhaust, even if it is directly disposed in a clean room, the cleanness is not reduced, and the installation space in an expensive clean room is small. it can.

【0046】なお、上記実施例ではロード部11及びア
ンロード部12は別々に配置した例を示したが、ロード
部11とアンロード部12は一体的に構成配置してもよ
い。例えばポリッシングを必要とする半導体ウエハを収
納したバスケットから半導体ウエハをピッキングし、ポ
リッシング完了後(ポリッシング及び洗浄工程が終了
後)、同じバスケットに収納する場合は、一体的な構成
配置となる。
In the above embodiment, the loading unit 11 and the unloading unit 12 are arranged separately. However, the loading unit 11 and the unloading unit 12 may be configured integrally. For example, in the case where semiconductor wafers are picked from a basket containing semiconductor wafers requiring polishing and are stored in the same basket after polishing is completed (after the polishing and cleaning steps are completed), an integrated configuration is adopted.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、研
磨、洗浄等の各機能ごとにユニット化を図り、かつ汎用
の搬送ロボットを使用するクラスター構造のポリッシン
グ装置を構成することができる。このことから、洗浄工
程を含む一連の研磨を行うポリッシング装置において省
スペース化と処理速度の向上を達成でき、研磨部及び洗
浄部等の各機器に関して効率的な組み合わせにするこ
と、即ち研磨時間が洗浄の処理間隔に比べて長い場合は
複数の研磨部に対して1つの洗浄部で対応し、研磨時間
が洗浄の処理間隔に比べて短い場合は研磨部よりも多く
の洗浄部で対応すること等ができ、更に、1又は2以上
の研磨工程及び洗浄工程を全自動化することができると
ともに工程の変更に容易に対応できる。
As described above, according to the present invention, a polishing apparatus having a cluster structure using a general-purpose transfer robot can be constructed by unitizing each function such as polishing and cleaning. From this, it is possible to achieve a space saving and an improvement in processing speed in a polishing apparatus that performs a series of polishing including a cleaning step, and to efficiently combine each device such as a polishing unit and a cleaning unit, that is, a polishing time. If the cleaning interval is longer than the cleaning interval, a single cleaning unit corresponds to a plurality of polishing units. If the polishing time is shorter than the cleaning processing interval, the cleaning unit must handle more polishing units. And the like, and one or more polishing steps and cleaning steps can be fully automated, and the process can be easily changed.

【0048】また、本発明によれば、クリーンなポリッ
シング対象物とダーティなポリッシング対象物を個別に
ハンドリングする手段を有するため、ダーティなポリッ
シング対象物に起因する他のポリッシング対象物の汚染
及びポリッシング装置内の汚染を防止することができ
る。
Further, according to the present invention, since there is provided means for individually handling a clean polishing object and a dirty polishing object, contamination of another polishing object due to the dirty polishing object and a polishing apparatus are provided. Inside can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のポリッシング装置の第1実施例の構成
を示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of a first embodiment of a polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図2(a)は本発明のポリッシング装置の構成
を示す一部平面図で、同図(b)は洗浄機構15の上段
部分を示す図である。
FIG. 2A is a partial plan view illustrating a configuration of a polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2B is a diagram illustrating an upper portion of a cleaning mechanism 15.

【図3】図2(a)のA1−A2断面を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross section taken along line A1-A2 of FIG.

【図4】図2(a)のB1−B2断面を示す図である。FIG. 4 is a view showing a B1-B2 cross section of FIG.

【図5】図2(a)のC1−C2−C3−D1断面を示
す図である。
FIG. 5 is a view showing a cross section taken along line C1-C2-C3-D1 of FIG.

【図6】図2(a)のD1−D2断面を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a cross section taken along line D1-D2 of FIG.

【図7】本発明のポリッシング装置の第2実施例の構成
を示す概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明のポリッシング装置の第3実施例の構成
を示す概略平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view showing the configuration of a third embodiment of the polishing apparatus of the present invention.

【図9】本発明のポリッシング装置の第4実施例の構成
を示す概略平面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view showing the configuration of a fourth embodiment of the polishing apparatus of the present invention.

【図10】本発明のポリッシング装置の第5実施例の構
成を示す概略平面図である。
FIG. 10 is a schematic plan view showing a configuration of a polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明のポリッシング装置の第6実施例の構
成を示す概略平面図である。
FIG. 11 is a schematic plan view showing a configuration of a polishing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 センターロボット 11 ロード部 12 アンロード部 13 研磨部 14 研磨部 15 洗浄部 16 ドレッシングツール載置台 17 ドレッシングツール載置台 18 予備スペース 19 予備スペース 21 研磨部 22 研磨部 23 ストッカー 24 自動搬送車 S 半導体ウエハ Reference Signs List 10 center robot 11 loading unit 12 unloading unit 13 polishing unit 14 polishing unit 15 cleaning unit 16 dressing tool mounting table 17 dressing tool mounting table 18 spare space 19 spare space 21 polishing unit 22 polishing unit 23 stocker 24 automatic carrier S semiconductor wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24B 37/04 B24B 37/04 Z (72)発明者 青木 利一郎 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 矢島 比呂海 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 三島 志朗 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 重田 厚 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 廣瀬 政義 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 石川 誠二 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB01 AB03 AB06 AB08 CB03 DA17 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B24B 37/04 B24B 37/04 Z (72) Inventor Riichiro Aoki 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock Inside the Toshiba Horikawa-cho Plant (72) Inventor Yajima Hiromi 72 Horikawa-cho, Kochi-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Horikawa-cho Plant (72) Inventor Masako Kodera 72 Horikawa-cho, Sachi-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Horikawacho Plant (72) Inventor Shiro Mishima 72 at Horikawacho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Horikawacho Plant (72) Inventor Atsushi Shigeta 72, Horikawacho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Horikawacho Plant (72) Inventor Masayoshi Hirose 11-1 Haneda Asahimachi, Ota-ku, Tokyo Ebara Corporation (72) Inventor Norio Kimura Tokyo Univ. Subdivision Hanedaasahi Town, 11th in the No. 1 Ebara Corporation (72) inventor Seiji Ishikawa Ota-ku, Tokyo Hanedaasahi-cho, No. 11 No. 1 Ebara Corporation in the F-term (reference) 3C058 AA07 AB01 AB03 AB06 AB08 CB03 DA17

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリッシング対象物を搬入して研磨した
後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポリ
ッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
アンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボットと
を備え、 前記研磨部は複数のターンテーブルを備え、該複数のタ
ーンテーブルにおける研磨条件は異なることを特徴とす
るポリッシング装置。
1. A polishing apparatus for carrying in a polishing object, polishing and cleaning the object after carrying in the polishing object, and carrying out a clean polishing object, comprising: a load section for mounting a polishing object to be polished; At least one polishing section for polishing the object to be polished transferred from the polishing apparatus; at least one cleaning section for cleaning and drying the object to be polished after polishing; A polishing apparatus, comprising: a load unit; and a transfer robot that transfers an object to be polished in the apparatus. The polishing unit includes a plurality of turntables, and polishing conditions in the plurality of turntables are different.
【請求項2】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄
するポリッシング方法であって、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
ーム内に設置し、 クリーンルーム内からポリッシング対象物をポリッシン
グ装置内に搬入する工程と、 ポリッシング対象物を研磨する研磨工程と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる工程
と、 洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物をポリッ
シング装置からクリーンルーム内に搬出する工程とを備
え、 前記研磨工程は、複数の研磨条件の異なるターンテーブ
ルでの研磨であることを特徴とするポリッシング方法。
2. A polishing method for cleaning after polishing an object to be polished, wherein the polishing apparatus is set in a clean room by covering the polishing apparatus with a cover, and the polishing object is carried into the polishing apparatus from within the clean room. A polishing step of polishing the object to be polished; a step of washing and drying the object to be polished after polishing; and a step of carrying out the cleaned and dried object to be cleaned from the polishing apparatus into a clean room. The polishing method is characterized in that the step is polishing with a turntable having a plurality of different polishing conditions.
【請求項3】 前記複数の研磨条件はあらかじめ設定さ
れていることを特徴とする請求項2記載のポリッシング
方法。
3. The polishing method according to claim 2, wherein said plurality of polishing conditions are set in advance.
【請求項4】 前記複数の研磨条件はポリッシング対象
物の性状により選択されることを特徴とする請求項2記
載のポリッシング方法。
4. The polishing method according to claim 2, wherein said plurality of polishing conditions are selected according to the properties of an object to be polished.
【請求項5】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄
するポリッシング方法であって、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
ーム内に設置し、 クリーンルーム内からポリッシング対象物をポリッシン
グ装置内に搬入する工程と、 ポリッシング対象物を研磨する研磨工程と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる工程
と、 洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物をポリッ
シング装置からクリーンルーム内に搬出する工程とを備
え、 前記研磨工程は、複数の研磨条件の異なる研磨クロスで
の研磨であることを特徴とするポリッシング方法。
5. A polishing method for cleaning after polishing an object to be polished, wherein the polishing object is placed in a clean room by covering the polishing device with a cover, and the polishing object is carried into the polishing device from the clean room. A polishing step of polishing the object to be polished; a step of washing and drying the object to be polished after polishing; and a step of carrying out the cleaned and dried object to be cleaned from the polishing apparatus into a clean room. The polishing method is characterized in that the step is polishing with a plurality of polishing cloths having different polishing conditions.
【請求項6】 前記複数の研磨条件はあらかじめ設定さ
れていることを特徴とする請求項5記載のポリッシング
方法。
6. The polishing method according to claim 5, wherein said plurality of polishing conditions are set in advance.
【請求項7】 前記複数の研磨条件はポリッシング対象
物の性状により選択されることを特徴とする請求項5記
載のポリッシング方法。
7. The polishing method according to claim 5, wherein said plurality of polishing conditions are selected according to the properties of an object to be polished.
【請求項8】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄
するポリッシング方法であって、 ポリッシング対象物を載置するロード部からロボットに
よりピッキングされ反転された後、研磨部のロードポジ
ションに移送され、該ロードポジションからトップリン
グでポリッシング対象物を吸着し、該ポリッシング対象
物をテーブルの上面に押し当て、ポリッシング対象物の
表面を研磨することを特徴とするポリッシング方法。
8. A polishing method for cleaning after polishing an object to be polished, wherein the object is picked up and inverted by a robot from a load section on which the object to be polished is placed, and then transferred to a load position of the polishing section. A polishing method, wherein an object to be polished is sucked by a top ring from a position, the object to be polished is pressed against the upper surface of a table, and the surface of the object to be polished is polished.
【請求項9】 前記ロボットは、真空吸着によりポリッ
シング対象物を保持することを特徴とする請求項8記載
のポリッシング方法。
9. The polishing method according to claim 8, wherein the robot holds the object to be polished by vacuum suction.
【請求項10】 前記ポリッシング対象物は半導体ウエ
ハであることを特徴とする請求項8記載のポリッシング
方法。
10. The polishing method according to claim 8, wherein the object to be polished is a semiconductor wafer.
【請求項11】 前記研磨部は複数個あることを特徴と
する請求項8記載のポリッシング方法。
11. The polishing method according to claim 8, wherein a plurality of said polishing units are provided.
【請求項12】 前記複数の研磨部での研磨の途中でポ
リッシング対象物を洗浄することを特徴とする請求項1
1記載のポリッシング方法。
12. The polishing object is cleaned during polishing in the plurality of polishing units.
2. The polishing method according to 1.
【請求項13】 前記ポリッシング対象物は、研磨の
後、洗浄部で洗浄が行われた後、ポリッシングを完了し
たポリッシング対象物を載置するアンロード部に載置さ
れることを特徴とする請求項8記載のポリッシング方
法。
13. The polishing object, after being polished, cleaned in a cleaning unit, and then placed on an unloading unit for placing the polished polishing object. Item 10. The polishing method according to Item 8.
【請求項14】 前記ポリッシング対象物を研磨した
後、ドレッシング機構によりターンテーブル上の研磨ク
ロスをドレッシングすることを特徴とする請求項8記載
のポリッシング方法。
14. The polishing method according to claim 8, wherein after polishing the object to be polished, the polishing cloth on the turntable is dressed by a dressing mechanism.
【請求項15】 前記ドレッシング機構はブラシである
ことを特徴とする請求項14記載のポリッシング方法。
15. The polishing method according to claim 14, wherein said dressing mechanism is a brush.
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