JP2002140041A - 表示装置の駆動回路 - Google Patents

表示装置の駆動回路

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JP2002140041A
JP2002140041A JP2000331524A JP2000331524A JP2002140041A JP 2002140041 A JP2002140041 A JP 2002140041A JP 2000331524 A JP2000331524 A JP 2000331524A JP 2000331524 A JP2000331524 A JP 2000331524A JP 2002140041 A JP2002140041 A JP 2002140041A
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mos transistor
voltage
signal
potential
output terminal
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JP2000331524A
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Tatsumi Fujiyoshi
達巳 藤由
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 D/A変換器の消費電力を低く抑え、また、
回路規模を削減し、かつ高速動作が可能な液晶表示装置
の駆動回路を提供する。 【解決手段】 階調電圧制御部4はNAND回路4A〜4Dで構
成され、対向電極駆動回路9がL出力で、出力期間制御信
号OUTがHの場合、画像信号D0〜D3の反転画像信号DB0〜D
B3を出力する。電圧発生部7はソースがVDDに接続さ
れ、ドレインがデータ線DTに接続されたp型のMOSト
ランジスタPT0〜PT3で構成され、各ゲートに反転画像信
号DB0〜DB3が入力されている。階調電圧制御部5はAND回
路5A〜5Dで構成され、対向電極駆動回路9がH出力で、か
つ出力期間制御信号OUTがHの場合、画像信号D0〜D3を内
部画像号DD0〜DD3で出力する。電圧発生部8はソースがV
SSに接続され、ドレインがデータ線DTに接続されたn型
のMOSトランジスタNT0〜NT3で構成され、各ゲートに内
部画像信号DD0〜DD3が入力されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、D/A変換回路か
ら構成されるソース駆動回路であり、液晶表示装置等の
駆動に適用される表示装置の駆動回路に係わるものであ
る。
【0002】
【従来の技術】電気光学材料として液晶を用いた液晶表
示装置は、CRT(Cathode-Ray Tube)に代わる表示デ
バイスとして、コンピュータ,携帯情報端末,テレビ及
び携帯電話等に多用されるようになってきている。液晶
表示装置の表示部は、ソース駆動回路から画像信号が出
力されるデータ線と、ゲートドライバから書込信号が出
力される走査線とが交差する部分に表示素子が形成され
ている。ソース駆動回路は、外部から入力されるデジタ
ル値の画像信号を、画像信号の階調度に対応したアナロ
グ値(電圧値)に変換して、データ線へ出力する。
【0003】ここで、各表示素子は、上記書込信号によ
りON状態(導通状態)となるスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介して上記画像信号(アナログ
値)が書き込まれる画素電極とから構成されている。こ
の画素電極は、液晶層を介して対向電極と対向してお
り、スイッチング素子がオフ状態(非導通状態)となっ
た後、画像信号(階調信号)の電圧に応じた電荷を、液
晶層自身の容量性や蓄積容量などによって維持する。こ
のため、画素電極に蓄積される電荷量に対応して、液晶
表示装置の表示部の画素毎に、画素電極に対応した部分
の液晶の配向状態が調整され、各表示素子の表示される
階調度が制御される。
【0004】したがって、各表示素子が電荷を一定時間
蓄積しているのため、各画素電極の液晶層及び上記蓄積
容量に電荷を蓄積させるのは一定のタイミング毎で良
い。各表示素子に対する画像信号に対応する電荷量の蓄
積を行うとき、まず、走査線駆動として、ゲートドライ
バが書込信号により行単位にスイッチング素子を順次O
N状態とし、この表示素子の選択期間において、ソース
駆動回路が列単位にスイッチング素子へ画像信号を出力
する。このようにして、書込信号により、液晶表示装置
の表示部における行単位の表示素子に、画像信号に対応
する電荷量を蓄積していくことができ、走査線とデータ
線とを複数の表示素子に対して共通化した時分割マルチ
プレックス駆動が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ソース
駆動回路に用いられるD/A変換回路には、例えば、図
13に示すように、デジタルデータをアナログデータへ
変換する機能部分を抵抗ステリングSRで構成した場
合、この抵抗ストリングSRに常時電流を流す必要があ
り、かつ、回路配線の寄生容量やゲートの入力容量など
に基づくセトリング時間の制約により、抵抗ストリング
SRに流す電流の最小値に限度があった。すなわち、従
来のD/A変換回路は、消費電力を低下させるために、
抵抗ストリングSRに常時流す電流値を減少させると、
デジタルデータからアナログデータへの変換速度が遅く
なり、表示装置の駆動に用いることが出来ない。このた
め、抵抗ストリングにより構成された従来のD/A変換
回路は、ソース駆動回路の低消費電力化を図る上での妨
げの要因となっていた。図12において、TFはスイッチ
ング素子であり、薄膜トランジスタ(TFT)などが用
いられる。薄膜トランジスタTFは、液晶表示装置のガ
ラス基板上に形成されている。また、Cccは、表示部2
00の表示素子において、蓄積容量と、画素電極とこの
電極に対向する対向電極との間に挟まれた液晶層により
形成される容量とを合計した容量値である。
【0006】また、従来のD/A変換器では、デコーダ
回路120が、抵抗ストリングSRの中間タップTP
(抵抗と抵抗との接続点)の電圧の中から、画像データ
(階調データ)D0,D1,D2,D3に基づいてデコード
し(16階調の場合)、この画像データに対応する電圧
をスイッチにより選択している。このため、従来のD/
A変換器は、画像の濃度を示す階調数分の数のスイッチ
が必要となり、多階調表示の場合にスイッチを形成する
領域の面積比が大きくなり、ICのチップサイズを増大
させる要因となっている。
【0007】さらに、従来のD/A変換器は、抵抗スト
リングSRから直接に表示部200へ電流を供給するこ
とができない(出力インピーダンスが高い)。よってイ
ンピーダンス変換を演算増幅回路121で行い、表示部
200へ電圧として出力している。このため、この演算
増幅回路121における差動増幅部及び出力バッファー
部のそれぞれにおいても、抵抗ストリングと同様に、セ
トリング時間等の制約から定電流源CIを用いて一定値
以上のアイドリング電流を流す必要があり、低消費電力
化を図る上での妨げとなっている。
【0008】本発明はこのような背景の下になされたも
ので、D/A変換器の消費電力を低く抑え、また、回路
規模を削減し、かつ高速動作が可能な表示装置の駆動回
路を提供する事にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の電流駆動部は、
複数のビットで構成された外部から供給されるディジタ
ル階調信号を、制御信号の入力される期間に、各々出力
するゲート回路(デコーダ1)と、前記各ビットが該ゲ
ート回路からそれぞれ対応するゲートに入力され、ソー
スが所定の電圧に接続され、各々のドレインが共通出力
端子に接続された複数のMOSトランジスタからなるM
OSトランジスタ群と、前記共通出力端子(表示素子が
接続されたデータ線に接続される端子)の電位を初期化
する初期化手段とを有し、前記MOSトランジスタ群が
前記ディジタル階調信号に対応した階調電圧をデータ線
へ出力することにより、表示素子に対する充放電時に、
出力極性制御信号によりMOSトランジスタ群により、
階調度に対応した電位の方向に電荷を充放電させること
ができ、MOSトランジスタの駆動電流以外のアイドリ
ング電流は流れず電力消費を最小限にする事が可能とな
る。
【0010】本発明の電流駆動部は、複数のビットで構
成され、外部から供給されるディジタル階調信号を、制
御信号の入力される期間に、各々出力するゲート回路
と、前記各ビットが該ゲート回路からそれぞれ対応する
ゲートに入力され、ソースが第1の電圧(高電位VD
D)に接続され、各々のドレインが共通出力端子に接続
された複数の第1のMOSトランジスタからなる第1の
MOSトランジスタ群(nチャネル型のMOSトランジ
スタ群)と、前記各ビットが該ゲート回路からそれぞれ
対応するゲートに入力され、ソースが第2の電圧(低電
位VSS)に接続され、各々のドレインが前記共通出力
端子に接続された複数の第2のMOSトランジスタから
なる第2のMOSトランジスタ群(pチャネル型のMO
Sトランジスタ群)と、前記共通出力端子の電位を初期
化する初期化手段とを有し、前記ゲート回路が選択信号
に基づき、前記第1のMOSトランジスタ群または前記
第2のMOSトランジスタ群のいずれへ、前記階調信号
を出力するかを選択し、選択されたMOSトランジスタ
群が前記階調信号に対応した階調電圧を前記共通出力端
子へ出力することにより、表示素子に対する充放電時の
みに、出力極性制御信号により第1のMOSトランジス
タ群により第1の電位の方向に電荷を充放電するか、ま
たは第21〜第2nのMOSトランジスタにより第2の
電位の方向に電荷を充放電させることができ、前記MO
Sトランジスタの駆動電流以外のアイドリング電流は流
れず電力消費を最小限にする事が可能となる。また、本
発明の電流駆動部は、前期MOSトランジスタの飽和領
域での定電流特性を利用しており、出力期間の制御信号
でMOSトランジスタのON時間が決定されるため、M
OSトランジスタのON状態の時間を一定にすると、表
示素子の画素電極に、ディジタルのnビットの階調度の
画像信号に対応した出力電位を設定できる事になる。さ
らに、本発明の電流駆動部は、最大の出力電圧がMOS
トランジスタを定電流源と見なした時、データ線を介し
て表示素子へ出力される最大電流と、出力期間との積を
データ線及び表示素子などの容量性負荷の容量値で除し
た値であるので、最大電流量に対応した上記容量性負荷
の大きさにより、出力期間の長さを設定できる。
【0011】本発明の電流駆動部は、前記共通出力端子
の電位の初期化が、前記階調電圧を変化させるとき、前
記制御信号が入力される前に行われるため、繰り返し入
力されるディジタルのnビットの階調度の画像信号に対
応する電圧に表示素子を駆動する事が可能となる。本発
明の電流駆動部は、前記共通出力端子を初期化する電位
が、前記第1のMOSトランジスタ群が選択される場合
に前記第2の電圧であり、前記第2のMOSトランジス
タ群が選択される場合に前記第1の電圧であるか、また
は、何れのMOSトランジスタ群が選択される場合も、
前記第1の電圧と前記第2の電圧との間にある値である
ため、表示素子を第1の電位の方向と第2の電位の方向
とに交互に駆動する場合、表示素子に蓄積された階調度
の電位が初期化の電位の方向に対応しているため、充放
電の途中の過程のと見なすことができるため、初期化に
よる容量性負荷の電荷の充放電による無効な電力消費を
更に削減することが出来る。
【0012】本発明の電流駆動部は、前記MOSトラン
ジスタ群の各々のMOSトランジスタが、前記階調信号
が入力されたときに、それぞれ重みづけされた電流値の
電流を流すため、画像信号のディジタルのnビット階調
度に対応して、駆動される表示素子に与えられる電圧レ
ベルの数を、階調度に併せて増やすことが可能となる。
本発明の電流駆動部は、前記第1のMOSトランジスタ
群の各々の第1のMOSトランジスタ、及び前記第2の
MOSトランジスタ群の各々の第2のMOSトランジス
タが、前記階調信号が入力されたときに、それぞれ重み
づけされた電流値の電流を流すことため、画像信号のデ
ィジタルのnビット階調度に対応して、駆動される表示
素子に与えられる電圧レベルの数を、階調度に併せて増
やすことが可能となる。
【0013】本発明の電流駆動部は、前記重みづけが2
のべき乗の数値を乗ずることで設定されているため、デ
ィジタルのnビットの画像信号に対応して前記画像信号
の示す階調度に対応して、表示素子を2nレベルの種類
に電圧で駆動する事が可能となる。本発明の電流駆動部
は、階調信号の示す階調に応じて、前記共通出力端子の
電位の最小値を設定する調整電流を流す、前記MOSト
ランジスタ群と並列に接続された他のMOSトランジス
タを具備しているため、ディジタルnビットの画像信号
が全て「L」のレベルである場合においても電流を出力
する事ができ、液晶表示素子の素子特性に応じた駆動電
圧範囲を設定する事が可能となる。本発明の電流駆動部
は、階調信号の示す階調に応じて、前記共通出力端子の
電位の最小値を設定する調整電流を流す、前記第1のM
OSトランジスタ群と並列に接続された第3のMOSト
ランジスタと、階調信号の示す階調に応じて、前記共通
出力端子の電位の最小値を設定する調整電流を流す、前
記第2のMOSトランジスタ群と並列に接続された第4
のMOSトランジスタとを具備することで、ディジタル
のnビットの画像信号が全て「L」レベルである場合に
おいても電流を出力することができ、液晶表示装置の表
示素子の素子特性に応じた駆動電圧範囲を設定する事が
可能となる。本発明の電流駆動部はこれらの構成により
従来の表示装置の駆動回路におけるD/A変換回路と出
力回路との機能が実現可能となり、表示装置の回路規模
の大幅な削減が可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図1は本発明の一実施形態が
用いられる液晶表示装置の構成を示すブロック図であ
る。この図において、表示制御回路100は、例えば、
同期信号に同期して入力される画像信号をソースドライ
バ101へ転送し、かつ、ゲートドライバへ走査開始パ
ルスを含む各種制御信号を出力する。ソースドライバ1
01は、画素毎に順次送信されるディジタルの上記画像
信号(階調信号)を、走査線1ライン分の画像信号を取
り込む毎にアナログ電圧変換して、表示部103の表示
素子に列単位に接続されたデータ線へ、ゲートドライバ
の出力する書込信号に同期させて出力する。
【0015】ゲートドライバ102は、前記走査開始パ
ルスに基づき、画像信号を表示素子に書き込むための上
記書込信号(走査信号)を生成して順次走査線へ出力す
る。各々の走査線には、データ線の本数に相当する個数
の表示素子が接続されている。すなわち、走査線とデー
タ線との交差した部分に表示素子が形成されている。電
源回路104は、液晶表示装置を駆動するために必要な
電圧及び電流を生成して、ソースドライバ101及びゲ
ートドライバ102へ供給する。ここで、各表示素子
は、上記書込信号によりON状態(導通状態)となるス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介して上記
画像信号が書き込まれる画素電極と液晶層とから構成さ
れている。この画素電極は、液晶層を介して対向電極と
対向して容量成分を形成しており、スイッチング素子が
OFF状態(非導通状態)となった後、画像信号(階調
信号)の電圧に応じた電荷を、液晶層自身の容量性や蓄
積容量などによって維持する。このため、画素電極に蓄
積される電荷量に対応して、画素電極の電位が設定さ
れ、画素電極と対向電極との間に発生する電界により、
表示部103の画素毎に液晶の配向状態が調整され、各
表示素子の透過率が調整されることで階調度が制御され
る。
【0016】したがって、各表示素子が電荷を一定時間
蓄積しているため、各画素電極の液晶層及び上記蓄積容
量に電荷を蓄積させるのは、電荷がリークで消失しない
時間の一定のタイミング毎で良い。各表示素子に対する
画像信号に対応する電荷量の蓄積を行うとき、まず、走
査線駆動として、ゲートドライバ102が書込信号によ
り行単位に各表示素子のスイッチング素子を順次ON状
態とし、この表示素子の選択期間において、ソースドラ
イバ101が列単位にスイッチング素子へ画像信号を出
力する。そして、表示制御回路100は、書込信号によ
り、表示部103における行単位の表示素子に、画像信
号に対応する電荷量を蓄積することができ、走査線とデ
ータ線とを複数の表示素子に対して共通化した時分割マ
ルチプレックス駆動を行う。
【0017】ここで、ソースドライバ101は、各行単
位に走査線へ書込信号が出力されている期間に、画像信
号を各列単位のデータ線に出力する必要がある。すなわ
ち、この走査線の走査のタイミング(書き込み信号の出
力タイミング)に合わせて、データ線に画像信号を出力
するため、ソースドライバ101は図2に示す各回路ブ
ロックから構成されている。すなわち、シフトレジスタ
110は、行単位の書き込み開始時に入力されるスター
トパルスを、クロックに同期して1ビットづつシフト
(図で左方向)させ、スタートパルスの保持されている
レジスタからゲート信号GTを順次出力する。そして、
データレジスタ111は、シフトレジスタ110の出力
するゲート信号GTを出力する位置、すなわち、スター
トパルスが保持されているレジスタ(データ線の位置を
示す)の位置に対応するレジスタに画像信号を順次格納
させる。
【0018】ここで、データレジスタ111は、表示素
子1行分(1走査線分)における画素数に対応した数の
レジスタを有しており、かつ、画像信号が階調を示す複
数のビットで構成されたデジタル信号であるため、画像
信号の階調度を示すビット数に対応した複数のビットを
記憶できるよう構成されている。また、1走査線分の画
像信号を複数個のソースドライバのカスケード接続によ
り、各ソースドライバに分けて格納される場合もある。
すなわち、走査線方向にデータ線を複数のグループに分
割し、この各グループに対応させて、ソースドライバを
設ける。そして、スタートパルスがシフトレジスタ11
0の最後のレジスタまでシフトされ、すなわち、データ
レジスタ111に1走査線分の画像信号が格納される
と、ラッチ112は、書込信号の直前に入力されるラッ
チ信号により、データレジスタ111に蓄積されている
1走査線分、すなわちデータ線数に対応した画像信号を
ラッチする。ここで、ラッチ112におけるデータ線毎
の記億単位であるラッチのビット数は、データレジスタ
111のレジスタと同様に、画像信号の階調度を示すビ
ット数に対応した複数のビットを記憶できるよう構成さ
れている。その後シフトレジストは表示制御回路100
が送出する次のスタートパルスが入力されるまで待機
し、新たなスタートパルスが入力されると、再びデータ
レジスタ111に対する新たな画像信号の入力処理を開
始する。
【0019】これにより、電流駆動部114は、書込信
号に同期して入力される制御信号により、入力される画
像信号の示す階調度に対応した電圧を液晶素子へ供給す
るため、内蔵のD/A機能により、画像信号のデジタル
値の示す階調度を、アナログの電圧に変換し、この電圧
に対応する電流を、共通出力端子COMTを介してデー
タ線へ流す。そして、この階調度に対応する電流を、対
応するデータ線を介して各表示素子の画素電極に供給
し、1走査線毎の書込信号により、行単位の表示素子の
スイッチング素子をON状態として、各画素電極へ階調
度に対応した電荷を蓄積する。この様にして、上述した
一連の動作が1画面の走査線分繰り返され、1画面の表
示が行われ、以降、画面単位で上述の処理が繰り返され
る。
【0020】次に、図を用いて、電流駆動部114の構
成を詳細に説明する。図3は、図2における電流駆動部
114のデータ線1本分を駆動する部分の構成を示すブ
ロック図である。実際には、1本の走査線当たりの表示
素子の数の分だけ、図3に示す回路が電流駆動部114
に設けられている。また、説明を簡単にする為、画像信
号は1画素あたり4ビット(階調度として16階調)と
して構成している。例えば、デコーダ1は、16階調の
濃度に対応する電圧値の制御を行う回路であり、(+)
の極性の階調度を示す階調電圧を制御する電圧制御部
4,と、(−)の極性の階調度を示す階調電圧を制御す
る電圧制御部5から構成されており、階調電圧発生部6
の発生する階調電圧の値の制御を行う。
【0021】ここで、(+)の極性の階調度とは、初期
化された電位より階調度に対応する電位が高い場合、す
なわち、初期化した電位から電荷の充電(蓄積)を行
い、設定した電位の示す階調度を言う。また、(−)の
極性の階調度とは、初期化された電位より階調度に対応
する電位が低い場合、すなわち、初期化した電位から電
荷の放電を行い設定した電位の示す階調度を言う。表示
素子における階調度を示す画素電極及び対向電極の間の
電位差は、(+)及び(−)の極性の階調度において、
電圧の絶対値としては同様の値である。階調電圧発生部
6は、階調電圧制御部4からの電圧制御信号に基づき、
(+)の極性の階調度の電圧を発生する電圧発生部7
と、階調電圧制御部5からの電圧制御信号に基づき、
(−)の極性の階調度の電圧を発生する電圧発生部8と
から構成されている。
【0022】階調電圧制御部4は、4つの3入力のNA
ND回路4A,4B,4C,4Dから構成されており、
出力極性制御信号POLが「H」レベルであり(対向電
極駆動回路9が「L」レベル出力)、かつ出力期間制御
信号OUTが「H」レベルの場合、NAND回路4A,
4B,4C,4D各々が、入力される画像信号D0,D
1,D2,D3の負論理の画像信号DB0,DB1,DB2,
DB3を、電圧発生部7へ、レベルシフタ10を介して
出力する。電圧発生部7は、ソース電極が高電位VDD
に接続され、ドレインが共通出力端子COMTを介しデ
ータ線DTに接続されたpチャネル型のMOSトランジ
スタPT0,PT1,PT2,PT3(pチャネル型のMO
Sトランジスタ群)から構成され、この各MOSトラン
ジスタのゲートに負論理の画像信号DB0,DB1,DB
2,DB3がそれぞれ入力されている。
【0023】データ線DTは、薄膜トランジスタTF及
び薄膜トラン ジスタTFFの一端へ接続されている。そ
して、薄膜トランジスタTF及び薄膜トランジスタTFF
は、他端が各々表示素子LD,LDDの画素電極に接続
され、ゲートに各々走査線RT,RTTが接続されてい
る。薄膜トランジスタTF及び薄膜トランジスタTFF
は、液晶表示装置のガラス基板に形成されている。ま
た、駆動するデータ線は配線寄生容量,TFTトランジ
スタTF,TFFの寄生容量など電気的には容量性負荷と
してみなすことが出来る。表示素子LD及びLDDの画
素電極は、上記薄膜トランジスタを介して共通出力端子
COMTに接続され、一方、表示素子LD,LDDの対
向電極の端子は対向電極駆動回路9に接続され、この対
向電極駆動回路9から矩形波の電圧が印加される。
【0024】階調電圧制御部5は、4つの3入力のAN
D回路5A,5B,5C,5Dから構成されており、出
力極性制御信号POLが「L」レベルであり(対向電極
駆動回路9が「H」レベル出力)、かつ出力期間制御信
号OUTが「H」レベルの場合、AND回路5A,5
B,5C,5D各々が、入力される画像信号D0,D1,
D2,D3を内部画像号DD0,DD1,DD2,DD3とし
て電圧発生部8へ、レベルシフタ10を介して出力す
る。電圧発生部8は、ソース電極が低電位VSSに接続
され、ドレインが共通出力端子COMTを介してデータ
線DTに接続されたnチャネル型のMOSトランジスタ
NT0,NT1,NT2,NT3(nチャネル型のMOSト
ランジスタ群)から構成され、この各MOSトランジス
タのゲートに内部画像信号DD0,DD1,DD2,DD3
がそれぞれ入力されている。
【0025】出力電圧初期化用のpチャネル型のMOS
トランジスタPTR,最小電流設定用のpチャネル型の
MOSトランジスタPTBは、各々、ソースが高電位V
DDに接続され、ドレインがデータ線DTに接続されて
いる。また、MOSトランジスタPTRのゲートには制
御部2から制御信号PRが入力され、MOSトランジス
タPTBのゲートには制御部2から制御信号PBが入力
されている。同様に、nチャネル型のMOSトランジス
タNTR,最小電流設定用のnチャネル型のMOSトラ
ンジスタNTBは、各々、ソースが低電位VSSに接続
され、ドレインがデータ線DTに接続されている。ま
た、MOSトランジスタNTRのゲートには制御部2か
ら制御信号NRが入力され、MOSトランジスタNTB
のゲートには制御部2から制御信号NBが入力されてい
る。
【0026】上述した階調電圧制御部4及び階調電圧制
御部5の構成にける各MOSトランジスタの構成につい
て説明する。図4に、nチャネル型のNMOSトランジ
スタのVds−Ids特性を示す。この図において、V
gs>Vthで且つVds>(Vgs−Vth)の時の
動作領域を飽和領域といい次式が成り立つ。 Ids = (1/2)・μn・Cox・(W/L)・(Vgs−Vth2)……(1) ただしμnは電子の移動度、Coxはゲート酸化膜容量、
Wはチャンネル幅、Lはチャンネル長である。この
(1)式より、nチャネル型のMOSトランジスダは、
飽和領域において、Vdsが変化しても他のパラメータが
変化しなければ、Idsが図4に示す様に一定である定電
流特性となる。また、pチャネル型のMOSトランジス
タもVgs,Vds,Vth,Idsの極性が逆になる事以外
は、上述したnチャネル型のトランジスタと同様の特性
を示す。
【0027】ここで、レベルシフタ10は、液晶表示装
置を駆動する電圧値や駆動極性反転方式に応じて入力さ
れる内部画像信号DD0〜DD3,及び反転画像信号DB
0〜DB3の電圧レベルを変換する。ただし、液晶表示装
置の駆動電圧が低い場合や、駆動極性反転方式の種類に
よっては、電圧レベルの変換が必要ない場合もあり、こ
の場合レベルシフタ111をソースドライバ101内に
設ける必要がない。すなわち、飽和領域でMOSトラン
ジスタを動作させるためには、Vds>(Vgs−Vth)で
あるから、これらのMOSトランジスタ群において、ス
イッチ動作と定電流源としての機能を持たせ、かつ電源
電圧の効率的利用を考慮すると、「Vgs−Vth」の値は
出来るだけ小さい方が飽和領域として動作するVdsの範
囲が広くなり好ましい。本発明における信号振幅の関係
を図5に示す。ここで、pチャネル型のMOSトランジ
スタPT0,PT1,PT2,PT3のトランジスタ群を
PTnとして表し、nチャンネル型のMOSトランジス
タNT0,NT1,NT2,NT3のトランジスタ群をNT
nとして表す。
【0028】これにより、階調選択部1からの信号の振
幅Vlogicは、レベルシフタ10によって必要な電圧Vl
ogic2に変換される。この電圧Vlogic2は、電源電圧範
囲(VDD〜VSSの範囲)と同じ範囲に設定すること
により、MOSトランジスタのON時の電圧Vgsの大き
さを、電圧Vlogic2とすることができる。さらに、本実
施形態においては、MOSトランジスタのVthの大きさ
を出力範囲Voutよりも大きくし、かつ、MOSトラン
ジスタのVthの大きさを電圧Vlogic2より小さく設定す
ることにより、電流の供給が必要なときのみMOSトラ
ンジスタをオン状態とすることが可能となり、カレント
ミラー回路などを使用した定電流回路の構成をとる必要
がなくなり、容量性負荷を駆動する電流以外のアイドリ
ング電流が不要となる。一方、液晶駆動電圧が小さくて
済む場合には、出力電圧範囲が小さくなりVlogic=Vl
ogic2が可能となるため、レベルシフタ10を必要とし
ない場合がある。
【0029】この定電流特性を利用した電流加算回路を
考えてみる。図6の(a)に示す様にCloadの初期電圧
を「0」としVDDから定電流源によりCloadにI
chargeIなる電流値で充電した場合、容量Cloadに蓄積
される電圧は時間と共に上昇し図7のAの様な直線の関
係になる。図7は、横軸は時間を示し、縦軸は容量C
loadに蓄積される電圧を示す。また、図6(b)に示す
様に同じ電流源を2つ並列に接続した場合を同様に考え
ると、容量Cloadの電圧は、図7のBの様な直線の関係
になる。ここで、ある充電時間Tcの時の、容量Cload
の直線A及び直線Bそれぞれにおける電圧をVc1、V
c2とすると、直線Bの時の充電電流は直線Aの時の2
倍であるから、Vc2=2・Vc1となる。この事はあ
る充電期間を定めた場合、電流源の大きさと、この電流
源から供給され、容量性負荷に蓄積される電圧とは比例
関係となる事を意味する。これにより、電流量の値と、
電圧値との関係が直線となる回路を実現できる事にな
る。
【0030】上述した原理により、pチャネル型のMO
SトランジスタPT0,PT1,PT2,PT3を式(1)
に基づき、MOSトランジスタPT0,PT1,PT2,
PT3のそれぞれのW/Lの比を、1:2:4:8に重
み付けして設定することで、異なった大きさの定電流源
とする事が出来る。すなわち、MOSトランジスタPT
0に比較して、MOSトランジスタPT1は2倍の電流が
流すことができ、MOSトランジスタPT2は4倍、M
OSトランジスタPT3は8倍の電流が流すことができ
る。これにより、pチャネルMOSトランジスタPT
0,PT1,PT2,PT3においては、ONさせるMOS
トランジスタの組み合わせにより16通りの電流源(1
6階調に対応)として動作させることができる。また、
nチャンネル型のMOSトランジスタNT0,NT1,N
T2,NT3においても、上述したnチャネル型のMOS
トランジスタ群と、電流源として同じ大きさ、同じ重み
付けの設定をする事により、出力端に接続される容量性
負荷(表示素子)に対して電荷の充電(蓄積)、放電の
両動作が行える。
【0031】次に、図3、図8および図9を参照し、一
実施形態の動作例を説明する。図8は、電流駆動部11
4の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図9は、図8のタイミングチャートの動作に伴う、デー
タ線DTの電圧の変化を示すタイミングチャートであ
る。画像信号は、例えば16階調を示す4ビットとして
説明する。画像信号D0,D1,D2,D3は、画素の階調
度に対応して1:2:4:8に重み付けされたデータで
あり、MOSトランジスタPT0,PT1,PT2,PT
3、またはMOSトランジスタNT0,NT1,NT2,N
T3において、各々対応するMOSトランジスタのゲー
トに入力されるように、電圧制御部4及び電圧制御部5
により設定されている。ここで、表示制御回路100
(図1)から制御部2に入力され、電圧制御部4,5及
び電圧発生部7,8の制御に使用される制御信号につい
て説明する。以下に説明する図8及び図9のタイミング
チャートにおける制御は、表示制御回路100が制御部
2(電流駆動部114,114B)及びゲートドライバ
101を制御する事により行われる。出力極性制御信号
POLは、出力する階調度を示す電圧の極性を設定する
ものであり、「H」レベルの場合、高電位VDD側へ階
調度を示す電圧の発生を指示し、すなわち、(+)の極
性の階調度を示す階調電圧の発生を指示する。また、出
力極性制御信号POLは、「L」レベルの場合、低電位
VSS側へ階調度を示す電圧の発生を指示し、すなわ
ち、(−)の極性の階調度を示す階調電圧の発生を指示
する。
【0032】出力期間制御信号OUTは、実際に、デー
タ線DTに電荷を充放電する期間を設定するものであ
り、また、MOSトランジスタPT0〜PT3を動作の対
象とするか、MOSトランジスタNT0〜NT3を動作の
対象とするかは、出力極性制御信号POLによって選択
される。また、出力電圧初期化信号RESETは、デー
タ線DTの電圧(蓄積される電荷量)を、初期化するた
めの信号であり、駆動極性が反転される度に異なった電
圧(VDD/VSS)を繰り返して、データ線DTに初
期値の電圧を設定する。このため、出力電圧初期化信号
RESETが「H」レベルであり、出力極性制御信号P
OLが「H」レベルの場合、制御部2は、制御信号NR
を「H」で出力し、MOSトランジスタNTRをON状
態として、データ線DTに蓄積されている電荷を放電し
て、低電位VSSの電圧レベルに初期化する。
【0033】また、出力電圧初期化信号RESETが
「H」レベルであり、出力極性制御信号POLが「L」
レベルの場合、制御部2は、制御信号PRを「L」で出
力し、MOSトランジスタPTRをON状態として、デ
ータ線DTに電荷を充電(蓄積)して、高電位VDDの
電圧レベルに初期化する。したがって、MOSトランジ
スタPTR及びMOSトランジスタNTRは、出力電圧
初期化期間のうちに、ON状態となった場合に、表示素
子DTを初期化する電位を、各々高電位VDDの電位,
または低電位VSSの電位に到達できるように、ON状
態時の電流値が設定されている。出力端が表示素子に対
向する対向電極に接続されている対向電極駆動回路9
は、矩形波の電圧を出力し、図9に示す様に、その矩形
波の電圧レベルを低電位VSSと高電位VDDの範囲内
において、液晶の配向の極性を変換する度に、低電位V
SSと高電位VDDに近い電位に切り換えて出力する。
【0034】次に、図8及び図9のタイミングチャート
を用いて、データ線DTに対する電荷の充放電の動作に
ついて説明する。時刻t0において、例えば、ゲート
ドライバ102により走査線RTが活性化されて、薄膜
トランジスタTFがON状態とされ、画像信号D0,D
1,D2,D3が入力され、出力極性制御信号POLが
「H」レベルで入力され、対向電極は低電位VSSに設
定されている。このとき、出力電圧初期化信号RESE
Tは「L」レベルであり、出力期間制御信号OUTも
「L」レベルである。そして、時刻t1において、表示
制御回路100は、出力電圧初期化信号RESETを
「H」レベルの幅Aのパルスとして出力する。これによ
り、出力極性制御信号POLが「H」レベルであるた
め、制御信号NRが「H」レベルとなり、MOSトラン
ジスタNTRがON状態となるため、時刻t1から時刻
t2まで(幅Aの期間)にデータ線DTの電位が初期化
されて低電位VSSとなる。
【0035】時刻t3において、出力電圧初期化信号
RESETが「L」レベルになった後、出力期間制御信
号OUTが「L」レベルから「H」レベルに遷移され
る。これにより、出力極性制御信号はPOLが「H」レ
ベルであるので、MOSトランジスタPT0,PT1,
PT2,PT3が動作の対象となり、画像信号D0,D1,
D2,D3の各データ値(「H」レベルか「L」レベル
か)に対応して、上記各MOSトランジスタがON/O
FF制御され、ON状態となったMOSトランジスタが
定電流源としての動作を開始し、データ線DTに電荷を
蓄積させる。そして、時刻t4において、出力期間制御
信号OUTが、「H」レベルから「L」レベルへ遷移
し、この時刻t3から時刻t4までの期間Bの間に、デー
タ線DTを介して上記定電流源により、階調度を示す電
荷が表示素子LDの画素電極に蓄積され、すなわち階調
度を示す電位に画素電極が設定される。
【0036】時刻t5において、ゲートドライバ10
2により走査線RTが非活性化されることにより、薄膜
トランジスタTFがOFF状態とされ、また、ラッチ1
12は、次の走査線RT1の行の表示素子LDDに対す
る画像信号D0,D1,D2,D3のデータを、ラッチ信号
に同期して出力する。そして、ゲートドライバ102
は、走査線RTTを活性化することにより、薄膜トラン
ジスタTFFをON状態とする。また、制御部2は、出力
極性制御信号POLを、「H」レベルから「L」レベル
に変化させる。このとき、対向電極駆動回路9は、表示
素子LDの対向電極に対して供給する電圧を、低電位V
SSから高電位VDDに切り替える(変化させる)。こ
れにより、データ線DTの電位は、寄性容量のカップリ
ングにより、階調度を示す電位に電圧V(高電位VDD
と低電位VSSとの電位差)を加えられた電圧値となる
が、各pチャネル型のMOSトランジスタの寄生ダイオ
ードにより、高電位VDDと寄生ダイオードの順方向電
圧とが加算された電圧まで低下する。
【0037】時刻t6において、表示制御回路2は、
出力電圧初期化信号RESETを「H」レベルの幅Aの
パルスとして出力する。これにより、出力極性制御信号
POLが「L」レベルであるため、制御信号PRが
「L」レベルとなり、MOSトランジスタPTRがON
状態となるため、時刻t7までにデータ線DTの電位が
初期化されて高電位VDDとなる。次に、時刻t8にお
いて、出力電圧初期化信号RESETが「L」レベルに
なった後、出力期間制御信号OUTが「L」レベルから
「H」レベルに遷移される。これにより、出力極性制御
信号POLが「H」レベルであるので、MOSトランジ
スタNT0,NT1,NT2,NT3が動作の対象とな
り、反転画像信号DB0,DB1,DB2,DB3の各デー
タ値(「H」レベルか「L」レベルか)に対応して、上
記各MOSトランジスタがON/OFF制御され、ON
状態となったMOSトランジスタが定電流源としての動
作を開始し、データ線DTに電荷を蓄積させる。そし
て、時刻t9において、出力期間制御信号OUTが、
「H」レベルから「L」レベルへ遷移し、この時刻t8
から時刻t9までの期間Bの間に、上記定電流源によ
り、高電位VDDから階調度を示す電荷まで表示素子L
Dの画素電極の電荷が放電され、すなわち階調度を示す
電位に画素電極が設定される。
【0038】時刻t10において、ゲートドライバ10
2により走査線RTTが非活性化されることにより、薄
膜トランジスタTFFがOFF状態とされ、また、ラッチ
112は、次の走査線の行の表示素子に対する画像信号
D0,D1,D2,D3のデータを、ラッチ信号に同期して
出力する。また、制御部2は、出力極性制御信号POL
を、「L」レベルから「H」レベルに変化させる。この
とき、対向電極駆動回路9は、表示素子LDDの対向電
極に対して供給する電圧を、高電位VDDから低電位V
SSに切り替える(変化させる)。
【0039】これにより、データ線DTの電位は、寄性
のカップリングにより、階調度を示す電位から電圧Vを
差し引いた電圧値となるが、各nチャネル型のMOSト
ランジスタの寄生ダイオードにより、低電位VSSと寄
生ダイオードの順方向電圧とが加算された電圧まで上昇
する。以上の動作が一周期として画像信号に対応して繰
り返し行なわれる。すなわち、順次入力される画像信号
D0〜D3に基づき、階調電圧発生部6により、階調度の
示す電圧レベルに変換して、この変換されたデータをデ
ータ線へ出力し、各走査線毎に書き込み信号が出力され
るとき、このデータ線のデータを表示素子に書き込んで
行く処理が、表示画面単位で繰り返して行われる。
【0040】ここで、データ線DTと対向電極との間の
電位差に着目すると図10の様になる。このように高電
位VDDの方向に電圧を印加したい場合は対向電極の電
位を低電位VSSに近い電位に設定し、また、低電位V
SSの方向の電圧を印加したい場合は対向電極の電位を
VDDに近い電位に設定する事で限られた電源電圧範囲
(高電位VDDと低電位VSSとの間)で、表示素子L
Dを交流で駆動する場合には、より広い駆動電圧範囲を
得る事が可能となる。上述した方法は、表示素子におい
て液晶など交流の電圧で駆動しなければならない素子を
使う場合に適した方法となる。さらに、図8の様に、出
力極性制御信号POLにより、液晶の配向方向を走査線
1本毎に切り換えることで、表示素子の画素電極の電位
の初期化は、高電位VDD方向から低電位VSS方向
へ、または低電位VSS方向から高電位VDD方向への
充放電の途中の過程の一部とみなすことが出来るため、
電力効率の観点で無駄な充放電の電流の消費を抑えるこ
とが可能となる。
【0041】上述した一実施形態の電流駆動部114の
構成において、画像信号D0,D1,D2,D3がすべて
「L」である場合には、MOSトランジスタPT,PT
1,PT2,PT3、またはMOSトランジスタNT0,N
T1,NT2,NT3のいずれもON状態にはならない。
したがって、この場合、出力期間Bの終了時点におい
て、表示素子の画素電極に電荷が蓄積されないことにな
る。しかしながら、液晶など使用する表示素子によって
は、所定のバイアス電圧(出力電圧の最小値)が必要と
なる場合があるため、図3の様に最小電流(調整電流)
を供給するpチャンネル型のMOSトランジスタPT
B,及びnチャネル型のMOSトランジスタNTBを付
け加える。
【0042】これらのMOSトランジスタPTB,NT
Bは、出力極性制御信号POLにより選択され、出力期
間制御信号OUTにより出力期間が設定され、各々MO
SトランジスタPT0,PT1,PT2,PT3、またはM
OSトランジスタNT0,NT1,NT2,NT3と同様の
動作を行い、各々バイアス電位を蓄積するための電流を
流すW/Lに設定する。ここで、WはMOSトランジス
タのゲート幅であり、LはMOSトランジスタのゲート
長である。また、MOSトランジスタPTB,NTBの
W/Lは、期間B内で、必要なバイアス電圧が印加され
る電流値になる様に設定されている。さらに、MOSト
ランジスタPT0,PT1,PT2,PT3,PTBが、全
てがON状態となったとき、期間B内において、表示素
子の画素電極の電位が高電位VDDとなる充電の電流を
流せる様にW/Lの大きさを設定されることで、電源電
圧及び駆動電圧の範囲を最適に設定することが可能とな
る。
【0043】同様に、MOSトランジスタNT0,NT
1,NT2,NT3,NTBは、全てがON状態となった
とき、期間B内において、表示素子の画素電極の電位が
低電位VSSとなる放電の電流を流せる様にW/Lの大
きさを設定されることで、電源電圧及び駆動電圧の範囲
を最適に設定することが可能となる。また、上述した一
実施形態による電流駆動部114の構成は、画像信号が
4ビツト(16階調)に限られたもので無く、画像信号
のデータとして、必要な階調度の分だけのビット数にも
応用でき、すなわち、画像信号の階調度を示すビットの
数の電流源として動作するMOSトランジスタを設ける
ことにより、液晶表示装置において、どの様な階調度に
も対応できる。
【0044】上述したように、一実施形態による電流駆
動部114では、液晶表示装置の各表示素子の制御時の
みに、表示素子を充放電させるために、電流源となるM
OSトランジスタのON/OFF制御を行うので、従来
例のように、抵抗ストリングや差動増幅器におけるアイ
ドリング電流を必要としないため、不用な電流を流す事
が無く、省電力化を行うことが可能となる。また、一実
施形態による電流駆動部114では、MOSトランジス
タの定電流源から直接に表示素子に対して、階調度に対
応した電位とするための電荷の充放電を行うことによ
り、従来例におけるD/A変換回路及び出力段回路の両
方の機能を実現することができ、すなわち、抵抗ストリ
ングから階調度に対応した電圧を選択するスイッチと、
インピーダンス変換のための差動増幅器との構成が必要
なくなるため、回路規模を縮小することができ、液晶表
示装置のサイズを小型化することが可能となる。
【0045】以上、本発明の一実施形態を図面を参照し
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設
計変更等があっても本発明に含まれる。例えば、本願発
明の第2の実施形態の電流駆動部114B(図2)を図
11に示す。上述した一実施形態との違いは、画素電極
に対向する対向電極の電位を電源BTにより一定の電圧
VCOMとされ、かつ、出力電圧初期化用のMOSトラ
ンジスタPTR及びMOSトランジスタNTRのソース
が上記電圧VCOMに接続されている点である。すなわ
ち、出力初期化電圧は、常に電圧VCOMとなる。この
第2の実施形態の構成は、高電位VDDと低電位VSS
との電圧範囲が比較的大きく設定できる場合の構成であ
る。このとき、電圧VCOMは、高電位VDDと低電位
VSSとのほぼ中間の電位に設定されて使用される。
【0046】また、第2の実施形態の図11に示す電流
駆動部114Bの駆動において、各制御信号のタイミン
グチャートは、図8と同様であるため、動作の詳しい説
明は省略する。ただし、表示素子の対向電極の電位は、
電圧VCOMで一定のため、出力極性の変化はない。さ
らに、各MOSトランジスタのW/Lの設定について
も、出力電圧初期化において、出力電圧初期化信号RE
SETにより、MOSトランジスタPTR及びMOSト
ランジスタNTRのいずれがON状態にされた状態で
も、表示素子が電圧VCOMの電位に初期化される以外
は、一実施形態と同様である。電流駆動部114がデー
タ線に出力する出力電圧の波形を図12に示す。第2の
実施形態の場合、高電位VDDと低電位VSSとの範囲
で、表示部103’における表示素子の階調制御を行う
ため、データ線と対向電極電位との関係は、一実施形態
の場合と同様なものとなる。しかしながら、初期化電圧
を高電位VDDと低電位VSSとの中間の電圧VCOM
に設定し、かつ、出力極性制御を出力1回毎に切り換え
る事により、一実施形態と同様に、データ線及び表示素
子の電位の初期化は、高電位VDDから電圧VCMO
へ、または低電位VSSから電圧VCOMへの充放電の
途中の過程の一部とみなすことが出来るため、電力効率
の観点で無駄な電流の消費を抑える事が出来る。また、
この第2の実施形態による電流駆動部114Bの効果
は、一実施形態と同様である。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置の各表示
素子の制御時のみに、MOSトランジスタ群における階
調度に対応した電流源となるMOSトランジスタのみの
ON/OFF制御を行うことにより、所望の階調度に対
応する電位に表示素子に対して充放電できるので、従来
例のように、抵抗ストリングや差動増幅器におけるアイ
ドリング電流を必要とせず、不用な電流を流す事が無く
なり、大幅に省電力化を行うことが可能となる。また、
本発明によれば、MOSトランジスタの定電流源から直
接に表示素子に対して、階調度に対応した電位とするた
めの電荷の充放電を行うことができるため、従来例にお
けるD/A変換回路及び出力段回路の両方の機能をコン
パクトに実現することが可能となり、すなわち、抵抗ス
トリングから階調度に対応した電圧を選択する、大きな
回路面積を必要とするスイッチと、インピーダンス変換
のための差動増幅器との構成が必要なくなるため、回路
規模を大幅に縮小することができ、液晶表示装置のサイ
ズまたは液晶駆動用ICのチップサイズを小型化するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態による液晶表示装置の構
成を示す概念図である。
【図2】 図1におけるソースドライバ101の構成を
示すブロック図である。
【図3】 図2における電流駆動部114の構成を示す
概念図である。
【図4】 nチャネル型のMOSトランジスタの電流-
電圧特性を示す図である。
【図5】 レベルシフタ10によるMOSトランジスタ
に供給する内部画像信号の駆動信号の電圧レベル変換の
概念を示す図である。
【図6】 本発明の電流駆動部114(または114
B)に用いる定電流源の電流加算回路の原理を説明する
概念図である。
【図7】 本発明の電流駆動部114(または114
B)に用いる定電流源の電流加算回路の原理を説明する
概念図であ。
【図8】 電流駆動部114(または114B)の動作
を示すタイミングチャートである。
【図9】 電流駆動部114の出力波形を示すタイミン
グチャートである。
【図10】 表示素子LD(またはLDD)における画
素電極と対向電極との電位差の変化を示すタイミングチ
ャートである。
【図11】 本発明の第2の実施形態による電流駆動部
114Bの構成を示す概念図である。
【図12】 電流駆動部114Bの出力波形を示すタイ
ミングチャートである。
【図13】 従来のD/A変換器及び出力回路で構成さ
れた電流駆動部の概念図である。
【符号の説明】
1 デコーダ 2 電圧制御部 4,5 電圧制御部 4A,4B,4C,4D AND回路 5A,5B,5C,5D NAND回路 6 階調電圧発生部 7,8 電圧発生部 9 対向電力駆動回路 10 レベルシフタ 100 表示制御回路 101 ソースドライバ 102 ゲートドライバ 103 表示部 110 シフトレジスタ 111 データレジスタ 112 ラッチ 114,114B 電流駆動部 NT0,NT1,NT2,NT3 nチャンネル型のMOS
トランジスタ NTB,NTR nチャンネル型のMOSトランジスタ PTB,PTR pチャンネル型のMOSトランジスタ PT0,PT1,PT2,PT3 pチャンネル型のMOS
トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H093 NA53 NC02 NC21 NC22 NC26 NC33 ND17 ND32 ND39 5C006 AA16 AF83 BB16 BC12 BC20 BF03 BF04 BF25 BF26 BF32 BF33 BF34 BF46 EB05 FA14 FA43 FA47 FA56 5C080 AA10 BB05 DD08 DD22 DD26 EE29 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のビットで構成され、外部から供給
    されるディジタル階調信号を、制御信号の入力される期
    間に、各々出力するゲート回路と、 前記各ビットが該ゲート回路からそれぞれ対応するゲー
    トに入力され、ソースが所定の電圧に接続され、各々の
    ドレインが共通出力端子に接続された複数のMOSトラ
    ンジスタからなるMOSトランジスタ群と、 前記共通出力端子の電位を初期化する初期化手段とを有
    し、 前記MOSトランジスタ群が前記ディジタル階調信号に
    対応した階調電圧を共通出力端子へ出力することを特徴
    とする表示装置の駆動回路。
  2. 【請求項2】 複数のビットで構成され、外部から供給
    されるディジタル階調信号を、制御信号の入力される期
    間に、各々出力するゲート回路と、 前記各ビットが該ゲート回路からそれぞれ対応するゲー
    トに入力され、ソースが第1の電圧に接続され、各々の
    ドレインが共通出力端子に接続された複数の第1のMO
    Sトランジスタからなる第1のMOSトランジスタ群
    と、 前記各ビットが該ゲート回路からそれぞれ対応するゲー
    トに入力され、ソースが第2の電圧に接続され、各々の
    ドレインが前記共通出力端子に接続された複数の第2の
    MOSトランジスタからなる第2のMOSトランジスタ
    群と、 前記共通出力端子の電位を初期化する初期化手段とを有
    し、 前記ゲート回路が選択信号に基づき、前記第1のMOS
    トランジスタ群または前記第2のMOSトランジスタ群
    のいずれへ、前記ディジタル階調信号を出力するかを選
    択し、選択されたMOSトランジスタ群が前記ディジタ
    ル階調信号に対応した階調電圧を前記共通出力端子へ出
    力することを特徴とする表示装置の駆動回路。
  3. 【請求項3】 前記共通出力端子の電位の初期化は、前
    記制御信号が入力される前に行われることを特徴とする
    請求項1または請求項2記載の表示装置の駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記共通出力端子を初期化する電位が、
    前記第1のMOSトランジスタ群が選択される場合に前
    記第2の電圧であり、前記第2のMOSトランジスタ群
    が選択される場合に前記第1の電圧であるか、または、
    何れのMOSトランジスタ群が選択される場合も、前記
    第1の電圧と前記第2の電圧との間にある値であること
    を特徴とする請求項2記載の表示装置の駆動回路。
  5. 【請求項5】 前記MOSトランジスタ群の各々のMO
    Sトランジスタが、前記階調信号が入力されたときに、
    それぞれ重みづけされた電流値の電流を流すことを特徴
    とする請求項1に記載の表示装置の駆動回路。
  6. 【請求項6】 前記第1のMOSトランジスタ群の各々
    の第1のMOSトランジスタ、及び前記第2のMOSト
    ランジスタ群の各々の第2のMOSトランジスタが、前
    記ディジタル階調信号が入力されたときに、それぞれ重
    みづけされた電流値の電流を流すことを特徴とする請求
    項2または請求項4に記載の表示装置の駆動回路。
  7. 【請求項7】 前記重みづけが2のべき乗の数値を乗ず
    ることで設定されていることを特徴とする請求項5また
    は請求項6に記載の表示装置の駆動回路。
  8. 【請求項8】 前記MOSトランジスタ群と並列に接続
    され、前期ディジタル階調信号の示す階調に応じて、前
    記共通出力端子の電位の最小値を設定する調整電流を流
    す他のMOSトランジスタを具備することを特徴とする
    請求項1または請求項5に記載の表示装置の駆動回路。
  9. 【請求項9】 前記第1のMOSトランジスタ群と並列
    に接続され、前期ディジタル階調信号の示す階調に応じ
    て、前記共通出力端子の電位の最小値を設定する調整電
    流を流す第3のMOSトランジスタと、前記第2のMO
    Sトランジスタ群と並列に接続され、階調信号の示す階
    調に応じて、前記共通出力端子の電位の最小値を設定す
    る調整電流を流す第4のMOSトランジスタとを具備す
    ることを特徴とする請求項2,請求項4,請求項6のい
    ずれかに記載の表示装置の駆動回路。
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