JP2002134438A - Method and apparatus for sticking die bond tape to semiconductor wafer - Google Patents

Method and apparatus for sticking die bond tape to semiconductor wafer

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JP2002134438A
JP2002134438A JP2000323907A JP2000323907A JP2002134438A JP 2002134438 A JP2002134438 A JP 2002134438A JP 2000323907 A JP2000323907 A JP 2000323907A JP 2000323907 A JP2000323907 A JP 2000323907A JP 2002134438 A JP2002134438 A JP 2002134438A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the bump damage of a semiconductor wafer or the partial elongation of a die bond tape, make the adhesion thickness of the die bond tape constant, avoid re-adhering of the tape after tape cutting and prevent the wafer from being broken in an extra tape peeling step. SOLUTION: A die bond tape 3 is positioned directly above a heated semiconductor wafer 1 supported with a wafer mounting table 21, the pressing force exerted on the wafer 1 with a sticking roll 26 is adjustable and changed at some regions to make uniform the line pressure of the roll 26 for pressure bonding, thereby sticking the tape 3 with a fused adhesive, and an extra portion of the tape 3 is cut through by a cutter 34 and peeled off from the table 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製品の製
造工程において、半導体ウェーハへのダイボンドテープ
貼り付け方法及び装置に関する。
The present invention relates to a method and an apparatus for attaching a die bond tape to a semiconductor wafer in a semiconductor product manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製品の製造過程におい
て、その表面に多数の回路パターン(機能素子)を形成
した半導体ウェーハは、次に必要に応じて裏面研磨(バ
ックグラインド)工程を経た後、各機能素子毎に切断
(ダイシング工程)して個々の半導体チップ(ダイとも
いう)とし、その後、この半導体チップをリードフレー
ム等のダイパッド上に搭載・固着(ダイボンディング工
程)した後ワイヤボンディングを行い、更にモールド樹
脂による封止を行うことによって、ICやLSIの製品
に完成させている。
2. Description of the Related Art Generally, in the process of manufacturing a semiconductor product, a semiconductor wafer having a large number of circuit patterns (functional elements) formed on its surface is subjected to a back-grinding step (back grinding) if necessary. Each functional element is cut (dicing process) into individual semiconductor chips (also referred to as dies). Thereafter, the semiconductor chips are mounted and fixed on die pads such as lead frames (die bonding process), and then wire bonding is performed. Furthermore, by performing sealing with a mold resin, the product of IC or LSI is completed.

【0003】ところで、半導体チップをリードフレーム
等に搭載・固着するには、このリードフレームのダイパ
ッド部にディスペンサーによって銀ペースト等を予め塗
布しておき、そこに半導体チップを搭載した後、銀ペー
ストを加熱硬化せしめることによって該半導体チップを
ダイパッド上に固着するようにしている。
In order to mount and fix a semiconductor chip on a lead frame or the like, a silver paste or the like is previously applied to a die pad portion of the lead frame by a dispenser, and the semiconductor chip is mounted thereon, and then the silver paste is applied. The semiconductor chip is fixed on the die pad by heat curing.

【0004】しかしながら、このようなディスペンサー
によるペーストの塗布方式では、ペーストの塗布量や塗
布形状の安定性に問題がある。すなわち、ペーストの塗
布量が多すぎると、半導体チップからペーストがはみ出
て半導体チップを汚染する。この結果、半導体チップに
特性不良が発生して歩留りや信頼性を低下させる原因と
なる。また、逆に塗布量が不足すると固着強度が低くな
って、それが原因で次のワイヤボンディング工程で半導
体チップがリードフレームのダイパッドから剥離すると
いった問題が発生する。
[0004] However, such a method of applying a paste using a dispenser has a problem in the amount of paste applied and the stability of the applied shape. That is, if the amount of the paste applied is too large, the paste protrudes from the semiconductor chip and contaminates the semiconductor chip. As a result, a characteristic defect occurs in the semiconductor chip, which causes a reduction in yield and reliability. On the other hand, if the amount of application is insufficient, the fixing strength is reduced, which causes a problem that the semiconductor chip is separated from the die pad of the lead frame in the next wire bonding step.

【0005】このような状況から、近年、ダイボンディ
ング材としての機能を備えたダイボンドテープ(又はフ
ィルム、シート材)が提案され、実用に供されている。
[0005] Under such circumstances, in recent years, a die bond tape (or film or sheet material) having a function as a die bonding material has been proposed and put to practical use.

【0006】このダイボンドテープは、例えば、熱可塑
性樹脂(ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等)と熱硬
化性樹脂(エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等)を成
分とするポリマーアロイ型接着剤を用いたテープであっ
て、通常は粘着性がなく、これを加熱(例えば、100
℃〜160℃)することによって粘着性を示すように形
成されている。
This die-bonding tape uses, for example, a polymer alloy adhesive containing thermoplastic resin (polyimide resin, acrylic resin, etc.) and thermosetting resin (epoxy resin, phenolic resin, etc.) as components. Tape, which is usually non-tacky and heated (eg, 100
C. to 160.degree. C.) so as to exhibit tackiness.

【0007】このようなダイボンドテープを用いて半導
体チップをリードフレームのダイパッド上に搭載・固着
するために、従来から一般的に行われている方法は、最
初に、裏面研磨工程を終えたダイシング工程前の半導体
ウェーハを用意し、次に、この用意した半導体ウェーハ
の裏面全面に前述のダイボンドテープを貼り付け、その
後、ダイシング工程で半導体ウェーハとダイボンドテー
プを一体に切断して、その裏面にダイボンドテープ付の
半導体チップを形成し、これをリードフレームのダイパ
ッド上に搭載・固着するようにしている。
[0007] In order to mount and fix a semiconductor chip on a die pad of a lead frame using such a die bond tape, a conventional and generally performed method is a dicing step in which a backside polishing step is completed first. Prepare the previous semiconductor wafer, then paste the above-mentioned die bond tape on the entire back surface of this prepared semiconductor wafer, then cut the semiconductor wafer and die bond tape together in the dicing process, and attach the die bond tape on the back surface A semiconductor chip is formed and mounted and fixed on a die pad of a lead frame.

【0008】ところで、半導体ウェーハの裏面にダイボ
ンドテープを貼り付けるには、半導体ウェーハの外径よ
りも大きい幅を有するダイボンドテープを用い、このダ
イボンドテープをリールから所定量引き出し、これを加
熱した半導体ウェーハの裏面上に貼り付けた後、該半導
体ウェーハの外周縁に沿ってダイボンドテープをくり貫
くように切断することによって、ダイボンドテープを半
導体ウェーハに貼り付けるようにしている。
In order to attach a die bond tape to the back surface of a semiconductor wafer, a die bond tape having a width larger than the outer diameter of the semiconductor wafer is used. Then, the die bond tape is cut along the outer peripheral edge of the semiconductor wafer so as to penetrate the die bond tape, so that the die bond tape is bonded to the semiconductor wafer.

【0009】図13と図14は、従来の半導体ウェーハ
の裏面にダイボンドテープを貼り付ける装置の一例を示
し、半導体ウェーハ1を水平に吸着支持して加熱するウ
ェーハ載置テーブル2に対してダイボンドテープ3を、
供給部4から巻取り部5に移行する途中が該ウェーハ載
置テーブル2の直上を通過するように配置し、このダイ
ボンドテープ3の移行途中に、ダイボンドテープ3から
保護シート6を剥がす剥離ロール7と、保護シート6の
巻取り部8と、ウェーハ載置テーブル2上に対してダイ
ボンドテープ3の入側と出側の間を往復移動し、半導体
ウェーハ1上にダイボンドテープ3を圧着させる貼付け
ロール9と、貼付けロール9と一体に前進動すると共
に、貼付けロール9の退動後に後退動するダイボンドテ
ープ剥がし用ロール10と、このロール10と同様に往
復移動し、前進時にダイボンドテープ3を固持して引き
出すテープチャック11と、ダイボンドテープ3の引き
出し量によって上下動するダンサロール12と、ダンサ
ロール12の上昇位置を検出して巻取り部5を停止させ
るセンサ13と、ダンサロール12の下降位置を検出し
て巻取り部5を駆動させるセンサ14を配置し、更に、
ウェーハ載置テーブル2の直上に、昇降と回転が自在と
なり、下降時に回転するカッター15を備えたカッター
ユニット16が設けられている。
FIGS. 13 and 14 show an example of a conventional apparatus for attaching a die-bonding tape to the back surface of a semiconductor wafer. The apparatus shown in FIG. 3
A peeling roll 7 is arranged so that a part of the way from the supply part 4 to the take-up part 5 passes just above the wafer mounting table 2, and a part of the die bonding tape 3 during which the protective sheet 6 is peeled off from the die bonding tape 3. And a winding roll 8 that reciprocates between the winding section 8 of the protection sheet 6 and the entrance and exit sides of the die bonding tape 3 with respect to the wafer mounting table 2 and presses the die bonding tape 3 onto the semiconductor wafer 1. 9, a die-bonding tape peeling roll 10 that moves forward together with the attaching roll 9 and retreats after the attaching roll 9 retreats, reciprocates in the same manner as the roll 10, and holds the die-bonding tape 3 during forward movement. , A dancer roll 12 that moves up and down according to the amount of the die bond tape 3 pulled out, The sensor 13 for stopping the winding unit 5 detects, place the sensor 14 to drive the winding unit 5 detects the descending position of the dancer roller 12, further,
Immediately above the wafer mounting table 2, there is provided a cutter unit 16 having a cutter 15 which can freely move up and down and rotate and which rotates when descending.

【0010】上記ウェーハ載置テーブル2は、通気性を
有する材料を用い、吸引手段による吸引によって、上面
に載置した半導体ウェーハ1を吸着支持すると共に、加
熱手段で半導体ウェーハ1を100℃〜160℃の温度
に加熱すると共に、上面に半導体ウェーハ1の外径より
も大径となる環状の溝17を凹設して形成され、カッタ
ーユニット16のカッター15は、下降時にこの溝17
内に進入して回転し、半導体ウェーハ1上に貼付けられ
たダイボンドテープ3を、半導体ウェーハ1の外周に沿
ってくり貫くことになる。
The above-mentioned wafer mounting table 2 is made of a material having air permeability, suction-supports the semiconductor wafer 1 mounted on the upper surface by suction by suction means, and heats the semiconductor wafer 1 at 100 ° C. to 160 ° C. by heating means. C. and a concave groove 17 having a diameter larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 1 is formed on the upper surface.
The die bond tape 3 attached to the semiconductor wafer 1 rotates and penetrates along the outer periphery of the semiconductor wafer 1.

【0011】上記のような貼り付け装置で半導体ウェー
ハ1上にダイボンドテープ3を貼り付けるには、図13
に示す機構状態でウェーハ載置テーブル2上に半導体ウ
ェーハ1を載置し、この半導体ウェーハ1を吸着して加
熱すると、テープチャック11がダイボンドテープ3の
途中を固持し、このテープチャック11の前進移動でダ
イボンドテープ3を引出した後、次にロール10と貼付
けロール9が待機位置から同図二点鎖線の前進位置に移
動し、この移動によって供給部4から引き出したダイボ
ンドテープ3を貼付けロール9で半導体ウェーハ1上に
一定の圧力で加圧して行き、ダイボンドテープ3の半導
体ウェーハ1上への重なり部分は、半導体ウェーハ1の
熱で接着剤が溶融して接着する。
To attach the die bond tape 3 onto the semiconductor wafer 1 with the above-described attaching apparatus, FIG.
When the semiconductor wafer 1 is mounted on the wafer mounting table 2 in the mechanism state shown in FIG. 1 and the semiconductor wafer 1 is sucked and heated, the tape chuck 11 holds the middle of the die bond tape 3 and the tape chuck 11 advances. After the die-bonding tape 3 is drawn out by the movement, the roll 10 and the bonding roll 9 are moved from the standby position to the forward position indicated by the two-dot chain line in FIG. Then, the semiconductor wafer 1 is pressurized at a constant pressure, and the adhesive portion of the overlapping portion of the die bond tape 3 on the semiconductor wafer 1 is melted and bonded by the heat of the semiconductor wafer 1.

【0012】貼付けロール9は、前進位置に達すると再
度ダイボンドテープ3を半導体ウェーハ1上に加圧しな
がら待機位置に戻り、次に、カッターユニット16のカ
ッター15が下降して回転し、ダイボンドテープ3を半
導体ウェーハ1の外周に沿ってくり貫き、カッターユニ
ット16が上昇位置に戻ると、テープチャック11がダ
イボンドテープ3の固持を解き、このテープチャック1
1とロール10が待機位置に戻ることにより、ダイボン
ドテープ3の余剰部分をウェーハ載置テーブル2上から
剥がし、巻取り部5がダイボンドテープ3の余剰部分を
所定長さ巻取ることによって、半導体ウェーハ1に対す
るダイボンドテープ3の貼り付け工程が終了し、ウェー
ハ載置テーブル2上から半導体ウェーハ1を取り出せば
よい。
When the bonding roll 9 reaches the advance position, it returns to the standby position while pressing the die-bonding tape 3 onto the semiconductor wafer 1 again. Next, the cutter 15 of the cutter unit 16 descends and rotates, and the die-bonding tape 3 is rotated. When the cutter unit 16 returns to the raised position, the tape chuck 11 releases the holding of the die bond tape 3, and the tape chuck 1
When the roll 1 and the roll 10 return to the standby position, the surplus portion of the die bond tape 3 is peeled off from the wafer mounting table 2, and the winding portion 5 winds the surplus portion of the die bond tape 3 by a predetermined length. After the step of attaching the die bond tape 3 to the semiconductor wafer 1 has been completed, the semiconductor wafer 1 may be taken out from the wafer mounting table 2.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の貼り付け方法は、貼付けロール9でダイボンドテー
プ3を半導体ウェーハ1上に一定の圧力で加圧して貼り
付けるようにしている。
In the above-mentioned conventional bonding method, the bonding roll 9 is used to bond the die-bonding tape 3 onto the semiconductor wafer 1 by applying a predetermined pressure.

【0014】しかし、半導体ウェーハ1は欠円形の平面
形状を有しているので、転動する一本の貼付けロール9
でダイボンドテープ3を半導体ウェーハ1上に加圧して
行くと、貼付けロール9の半導体ウェーハ1に対する接
触長(加圧長)は、半導体ウェーハ1の周縁に該当する
加圧始めと加圧終りは接触長さが短く、線圧力が半導体
ウェーハ1に対して集中すると共に、半導体ウェーハ1
の中央部では接触長さが長くなって加圧力が分散される
ことになり、このため、一定の圧力で加圧した場合は、
半導体ウェーハ1に対する貼付けロール9の線圧力が半
導体ウェーハ1の部位によって異なることになり、線圧
力の高い箇所では、半導体ウェーハ1にバンプ破壊を生
じさせることがあると共に、ダイボンドテープ3に部分
的な伸びが発生し、しかも線圧力の変化により接着剤に
よるダイボンドテープ3の貼り厚が、加圧始めと加圧終
りでは薄く、中央部では厚い不均一になるという問題が
ある。
However, since the semiconductor wafer 1 has a plane shape of a broken circle, one rolling roll 9
When the die-bonding tape 3 is pressed onto the semiconductor wafer 1, the contact length (pressing length) of the bonding roll 9 to the semiconductor wafer 1 is such that the start and end of pressing correspond to the periphery of the semiconductor wafer 1. The length is short, the linear pressure is concentrated on the semiconductor wafer 1 and the semiconductor wafer 1
In the central part of, the contact length becomes longer and the pressing force is dispersed, so if a constant pressure is applied,
The linear pressure of the bonding roll 9 with respect to the semiconductor wafer 1 differs depending on the portion of the semiconductor wafer 1, and in a portion where the linear pressure is high, bump destruction may occur in the semiconductor wafer 1, and the die bond tape 3 may be partially damaged. There is a problem in that elongation occurs, and the thickness of the die bond tape 3 formed by the adhesive becomes thin at the beginning and end of pressing and becomes thick at the center due to a change in linear pressure.

【0015】また、従来のウェーハ載置テーブル2は、
ダイボンドテープ3のくり貫き後の余剰部分を支持する
部分まで一体になった構造になっているので、半導体ウ
ェーハ1に貼り付けたダイボンドテープ3をカッター1
5でくり貫くときも切り抜いた後もダイボンドテープ3
の余剰部分は水平状態のままウェーハ載置テーブル2上
に支持されている。
Further, the conventional wafer mounting table 2 comprises:
The die bonding tape 3 attached to the semiconductor wafer 1 is cut into the cutter 1 because the die bonding tape 3 has an integrated structure up to the portion that supports the surplus portion after the die bonding tape 3 has been cut through.
Die-bonded tape 3 when piercing or cutting out with 5
The surplus portion is supported on the wafer mounting table 2 in a horizontal state.

【0016】このため、ダイボンドテープ3のくり貫き
工程時において、ダイボンドテープ3のカッター15で
くり貫く部分の外周もウェーハ載置テーブル2によつて
加熱され、当然ながら接着剤が溶融状態になり、カッタ
ー15でダイボンドテープ3をカットすると、一度カッ
トした後に半導体ウェーハ1側のダイボンドテープ3と
ウェーハ載置テーブル2側の余剰ダイボンドテープ3a
のカットされた部分が溶融した接着剤によって再接着し
てしまうことになり、余剰ダイボンドテープ3aを剥が
すと、半導体ウェーハ1がウェーハ載置テーブル2上か
ら持ち上げられ、ウェーハ載置テーブル2で吸着されて
いる半導体ウェーハ1に力がかかり、半導体ウェーハ1
に割れが発生するという問題がある。
For this reason, in the step of piercing the die-bonding tape 3, the outer periphery of the portion of the die-bonding tape 3 pierced by the cutter 15 is also heated by the wafer mounting table 2, and the adhesive is naturally melted. When the die bond tape 3 is cut by the cutter 15, the die bond tape 3 on the semiconductor wafer 1 side and the surplus die bond tape 3a on the wafer mounting table 2 side are cut once.
The cut portion is reattached by the molten adhesive, and when the excess die bond tape 3a is peeled off, the semiconductor wafer 1 is lifted from above the wafer mounting table 2 and is sucked by the wafer mounting table 2. Force is applied to the semiconductor wafer 1
There is a problem that cracks occur in the cracks.

【0017】そこで、この発明の課題は、貼付けロール
の半導体ウェーハに対する加圧力を半導体ウェーハの部
位に合わせて調整し、半導体ウェーハのバンプ破壊やダ
イボンドテープの部分的な伸びの発生を防ぎ、ダイボン
ドテープの貼り厚の一定化が図れると共に、ダイボンド
テープのくり貫き後のダイボンドテープの再接着の発生
がなく、余剰ダイボンドテープを剥がす工程で半導体ウ
ェーハに割れを生じさせることのない半導体ウェーハへ
のダイボンドテープ貼り付け方法及び装置を提供するこ
とにある。
Accordingly, an object of the present invention is to adjust the pressing force of the bonding roll on the semiconductor wafer in accordance with the portion of the semiconductor wafer, to prevent the breakage of the semiconductor wafer from bumps and the occurrence of partial elongation of the die bonding tape. Die bonding tape to a semiconductor wafer without causing the semiconductor wafer to crack in the process of peeling off the excess die bonding tape, as well as achieving a constant bonding thickness of the die bonding tape and no re-adhesion of the die bonding tape after the die bonding tape is cut through An object of the present invention is to provide a sticking method and a sticking device.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するため、第1の方法の発明は、ウェーハ載置テーブル
で支持されて加熱された半導体ウェーハの直上にダイボ
ンドテープを位置させ、ダイボンドテープの長さ方向に
移動する貼付けロールで半導体ウェーハ上にダイボンド
テープを圧着し、溶融した接着剤でこのダイボンドテー
プを貼り付け、半導体ウェーハの外周に沿ってダイボン
ドテープをカッターでくり貫いた後、ダイボンドテープ
の余剰部分をウェーハ載置テーブルから剥がすようにし
た半導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け方法に
おいて、前記貼付けロールによるダイボンドテープの半
導体ウェーハへの加圧力を調整自在とし、半導体ウェー
ハの部位によって加圧力を変えることで、貼付けロール
の線圧力を半導体ウェーハのどの位置でも均一にして、
半導体ウェーハ上にダイボンドテープを圧着させる構成
を採用したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a first method of the present invention is to dispose a die bonding tape directly above a semiconductor wafer supported by a wafer mounting table and heated. After bonding the die-bonding tape on the semiconductor wafer with a bonding roll that moves in the length direction of the tape, pasting this die-bonding tape with the molten adhesive, and cutting through the die-bonding tape along the outer periphery of the semiconductor wafer, In a method of attaching a die bond tape to a semiconductor wafer in which an excess portion of the die bond tape is peeled off from a wafer mounting table, a pressure applied to the semiconductor wafer of the die bond tape by the attaching roll can be adjusted, and a force applied to a part of the semiconductor wafer. By changing the pressure, the linear pressure of the application roll can be At any position of Eha made uniform,
This adopts a configuration in which a die bond tape is pressed on a semiconductor wafer.

【0019】第2の方法の発明は、ウェーハ載置テーブ
ルで支持されて加熱された半導体ウェーハの直上にダイ
ボンドテープを位置させ、ダイボンドテープの長さ方向
に移動する貼付けロールで半導体ウェーハ上にダイボン
ドテープを圧着して貼り付け、半導体ウェーハの外周に
沿ってダイボンドテープをカッターでくり貫いた後、ダ
イボンドテープの余剰部分をウェーハ載置テーブルから
剥がすようにした半導体ウェーハへのダイボンドテープ
貼り付け方法において、前記ウェーハ載置テーブルを、
半導体ウェーハを吸着支持して加熱する温調テーブル
と、その外側周囲に間隔をおいて位置するテープサポー
トテーブルに分離独立させ、上記テープサポートテーブ
ル上に吸引凹溝を温調テーブルを囲むように設けてお
き、カッターによるダイボンドテープのくり貫き工程時
に、テープサポートテーブル上に位置する余剰ダイボン
ドテープのくり貫かれた部分の内周部を吸引凹溝内に吸
引することにより立ち上げ、半導体ウェーハ上に貼り付
けられたダイボンドテープの外周と引き離すことによ
り、ダイボンドテープがくり貫き部分で再接着するのを
防ぐようにした構成を採用したものである。
According to a second method of the invention, a die bonding tape is positioned just above a heated semiconductor wafer supported by a wafer mounting table, and the die bonding tape is moved on the semiconductor wafer by a bonding roll moving in the length direction of the die bonding tape. In the method of attaching the die-bonding tape to the semiconductor wafer, the tape was pressed and attached, and after piercing the die-bonding tape along the outer periphery of the semiconductor wafer with a cutter, the excess portion of the die-bonding tape was peeled off from the wafer mounting table. , The wafer mounting table,
A temperature control table that sucks and supports the semiconductor wafer and heats it, and a tape support table that is positioned around the outer periphery of the tape support table at a distance, is separated and independent, and a suction groove is provided on the tape support table to surround the temperature control table In the meantime, at the time of cutting through the die-bonding tape by the cutter, the excess die-bonding tape located on the tape support table is started up by sucking the inner peripheral portion of the cut-out portion into the suction groove, and the semiconductor wafer is placed on the semiconductor wafer. A configuration is adopted in which the die bond tape is separated from the outer periphery of the attached die bond tape to prevent the die bond tape from re-adhering at the cut-out portion.

【0020】第3の装置の発明は、半導体ウェーハを水
平に吸着支持して加熱するウェーハ載置テーブルに対し
てダイボンドテープを、供給部から巻取り部に移行する
途中が該ウェーハ載置テーブルの直上を通過するように
配置し、このダイボンドテープの移行途中に、ウェーハ
載置テーブル上に対してダイボンドテープの入側と出側
の間を往復移動し、半導体ウェーハ上にダイボンドテー
プを圧着させる貼付けロールと、貼付けロールと一体に
前進動すると共に、貼付けロールの退動後に後退動する
ダイボンドテープ剥がし用のガイドロールと、このガイ
ドロールと一体に往復移動し、前進時にダイボンドテー
プを固持して引き出すテープチャックを配置し、更に、
ウェーハ載置テーブルの直上に、昇降と回転が自在とな
り、下降時に回転して半導体ウェーハの外周に沿うよう
ダイボンドテープをくり貫くカッターを備えたカッター
ユニットが設けられている半導体ウェーハへのダイボン
ドテープ貼り付け装置において、前記貼付けロールを、
この貼付けロールにウェーハ載置テーブル上での往復動
を付与する往復動機構に加圧器を介して上下動するよう
取り付け、取付けロールの移動位置を電気的に検出する
検出手段と、この検出手段による信号で加圧器を作動さ
せ、貼付けロールの半導体ウェーハへの加圧力を調整す
る制御手段により、半導体ウェーハの部位によって貼付
けロールの加圧力を変えることで、貼付けロールの線圧
力を半導体ウェーハのどの位置でも均一になるようにし
た構成を採用したものである。
The invention of the third apparatus is characterized in that the die-bonding tape is transferred from the supply section to the winding section with respect to the wafer mounting table for horizontally supporting and heating the semiconductor wafer by suction. It is placed so that it passes directly above, and during the transition of this die-bonding tape, it is reciprocated between the entrance side and the exit side of the die-bonding tape with respect to the wafer mounting table, and the die-bonding tape is pressed onto the semiconductor wafer. A guide roll for peeling off the die bond tape that moves forward together with the roll and the attaching roll, and retreats after the sticking roll retreats, reciprocates integrally with the guide roll, and holds and pulls out the die bond tape during forward movement. Place a tape chuck, and
Immediately above the wafer mounting table, it is possible to move up and down and rotate freely, and there is a cutter unit equipped with a cutter that rotates when descending and penetrates the die bond tape along the outer periphery of the semiconductor wafer. In the attaching device, the attaching roll,
Detecting means for electrically detecting the moving position of the mounting roll, and attaching the reciprocating mechanism for applying reciprocating motion on the wafer mounting table to the attaching roll so as to move up and down via a pressurizer; The pressurizer is actuated by a signal, and the control means for adjusting the pressing force of the bonding roll to the semiconductor wafer changes the pressing force of the bonding roll depending on the portion of the semiconductor wafer, thereby reducing the linear pressure of the bonding roll to any position on the semiconductor wafer. However, the configuration is made to be uniform.

【0021】第4の装置の発明は、半導体ウェーハを水
平に吸着支持して加熱するウェーハ載置テーブルに対し
てダイボンドテープを、供給部から巻取り部に移行する
途中が該ウェーハ載置テーブルの直上を通過するように
配置し、このダイボンドテープの移行途中に、ウェーハ
載置テーブル上に対してダイボンドテープの入側と出側
の間を往復移動し、半導体ウェーハ上にダイボンドテー
プを圧着させる貼付けロールと、貼付けロールと一体に
前進動すると共に、貼付けロールの退動後に後退動する
ダイボンドテープ剥がし用のガイドロールと、このガイ
ドロールと一体に往復移動し、前進時にダイボンドテー
プを固持して引き出すテープチャックを配置し、更に、
ウェーハ載置テーブルの直上に、昇降と回転が自在とな
り、下降時に回転して半導体ウェーハの外周に沿うよう
ダイボンドテープをくり貫くカッターを備えたカッター
ユニットが設けられている半導体ウェーハへのダイボン
ドテープ貼り付け装置において、前記ウェーハ載置テー
ブルを、半導体ウェーハを吸着支持して加熱する温調テ
ーブルと、その外側周囲に間隔をおいて位置するテープ
サポートテーブルに分離独立させ、上記テープサポート
テーブル上に2系統の吸引凹溝を、ダイボンドテープの
入側と出側に分断した状態で温調テーブルを囲むように
設け、カッターによるダイボンドテープのくり貫き工程
時に、この吸引凹溝でテープサポートテーブル上に位置
する余剰ダイボンドテープのくり貫かれた部分の内周部
を吸引することにより立ち上げ、半導体ウェーハ上に貼
り付けられたダイボンドテープの外周と引き離すように
した構成を採用したものである。
The invention of the fourth apparatus is characterized in that the die bonding tape is transferred from the supply section to the winding section with respect to the wafer mounting table for horizontally supporting and heating the semiconductor wafer by suction. It is placed so that it passes directly above, and during the transition of this die-bonding tape, it is reciprocated between the entrance side and the exit side of the die-bonding tape with respect to the wafer mounting table, and the die-bonding tape is pressed onto the semiconductor wafer. A guide roll for peeling off the die bond tape that moves forward together with the roll and the attaching roll, and retreats after the sticking roll retreats, reciprocates integrally with the guide roll, and holds and pulls out the die bond tape during forward movement. Place a tape chuck, and
Immediately above the wafer mounting table, it is possible to move up and down and rotate freely, and there is a cutter unit equipped with a cutter that rotates when descending and penetrates the die bond tape along the outer periphery of the semiconductor wafer. In the mounting device, the wafer mounting table is separated and independent of a temperature control table for suction-supporting and heating the semiconductor wafer and a tape support table positioned at an interval around the outside of the wafer mounting table. The suction groove of the system is provided so as to surround the temperature control table in a state where it is divided into the entrance side and the exit side of the die bond tape, and it is located on the tape support table with this suction groove during the process of cutting through the die bond tape by the cutter. The inner part of the hollowed part of the excess die bond tape Ri launched, but employing the configuration as away the outer periphery of the die bonding tape joined to the semiconductor wafer.

【0022】上記した貼付けロールの移動位置を電気的
に検出する検出手段に、往復動機構を駆動するパルスモ
ータを用い、制御手段がパルスモータからの信号を入力
するコンピュータと、このコンピュータで制御されて加
圧器を作動させる電空レギュレータで形成され、パルス
モータからの貼付けロールの位置信号の入力に応じ、コ
ンピュータが貼付けロールの線圧力を計算し、貼付けロ
ールの移動位置に見合った電気信号を電空レギュレータ
に送り、該電空レギュレータが加圧器に圧力流体を供給
するように形成することができる。
A pulse motor for driving a reciprocating mechanism is used as the detecting means for electrically detecting the moving position of the application roll, and a control means inputs a signal from the pulse motor, and a computer controlled by the computer. Is formed by an electropneumatic regulator that operates the pressurizer, and the computer calculates the linear pressure of the sticking roll in response to the input of the position signal of the sticking roll from the pulse motor, and sends an electric signal corresponding to the moving position of the sticking roll. An electropneumatic regulator can be configured to feed the pressurizer with a pressurized fluid.

【0023】また、上記テープサポートテーブルの上面
で吸引凹溝の周囲の位置に、シリコンのようなテープ密
着シートを敷設することができる。
Further, a tape contact sheet such as silicon can be laid on the upper surface of the tape support table around the suction groove.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
示例と共に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】図1は、この発明に係る半導体ウェーハへ
のダイボンドテープ貼り付け装置の全体構造を概略的に
示し、上面に供給された半導体ウェーハ1を水平に吸着
して加熱するウェーハ載置テーブル21を定位置に設置
し、このウェーハ載置テーブル21に対してダイボンド
テープ3を、供給部22から巻取り部23に移行する途
中が該ウェーハ載置テーブル21の直上を通過するよう
配置している。
FIG. 1 schematically shows an entire structure of a device for attaching a die bond tape to a semiconductor wafer according to the present invention, and a wafer mounting table 21 for horizontally sucking and heating a semiconductor wafer 1 supplied to an upper surface thereof. Is set in a fixed position, and the die bonding tape 3 is arranged on the wafer mounting table 21 such that the middle of the transition from the supply unit 22 to the winding unit 23 passes directly above the wafer mounting table 21. .

【0026】上記ダイボンドテープ3の移行途中に、ダ
イボンドテープ3から保護シート6を剥がす剥離ロール
24と、保護シート6の巻取り部25と、ウェーハ載置
テーブル21上に対してダイボンドテープ3の入側と出
側の間を往復移動し、半導体ウェーハ1上にダイボンド
テープ3を圧着させる貼付けロール26と、剥離ロール
24から貼付けロール26にダイボンドテープ3を誘導
するガイドロール27と、貼付けロール26と一体に前
進動すると共に、貼付けロール26の退動後に後退動す
るダイボンドテープ剥がし部材28と、この剥がし部材
28と同様に往復移動し、前進時にダイボンドテープ3
を固持して引き出すテープチャック29と、ダイボンド
テープ3の引き出し量によって上下動するダンサロール
30と、ダイボンドテープ3をダンサロール30に誘導
するガイドロール31と、ダンサロール30の上昇位置
を検出して巻取り部23を停止させるセンサ32と、ダ
ンサロール30の下降位置を検出して巻取り部23を駆
動させるセンサ33を配置し、更に、ウェーハ載置テー
ブル21の直上に、昇降と回転が自在となり、下降時に
回転するカッター34を備えたカッターユニット35が
設けられている。
During the transfer of the die-bonding tape 3, the peeling roll 24 for peeling the protective sheet 6 from the die-bonding tape 3, the winding section 25 of the protective sheet 6, and the insertion of the die-bonding tape 3 on the wafer mounting table 21. A bonding roll 26 that reciprocates between the side and the delivery side and presses the die-bonding tape 3 onto the semiconductor wafer 1, a guide roll 27 that guides the die-bonding tape 3 from the peeling roll 24 to the bonding roll 26, and a bonding roll 26. A die-bonding tape peeling member 28 that moves forward together and retreats after the application roll 26 retreats, and reciprocates in the same manner as the peeling member 28, and the die-bonding tape 3 moves forward.
A tape chuck 29 for holding and pulling the die bond tape 3, a dancer roll 30 moving up and down according to the amount of the die bond tape 3 pulled out, a guide roll 31 for guiding the die bond tape 3 to the dancer roll 30, and a rising position of the dancer roll 30 are detected. A sensor 32 for stopping the take-up unit 23 and a sensor 33 for detecting the lowering position of the dancer roll 30 and driving the take-up unit 23 are provided. And a cutter unit 35 having a cutter 34 that rotates when descending is provided.

【0027】先ず、上記ウェーハ載置テーブル21は、
図5乃至図8に示すように、温調テーブル36と、この
温調テーブル36の外側周囲に所定の間隔をおいて位置
するテープサポートテーブル37とからなり、温調テー
ブル36は、通気性を有する材料を用いて半導体ウェー
ハ1の外径よりも僅かに小径となる平面形状に形成さ
れ、吸引手段による吸引によって、上面に載置した半導
体ウェーハ1を吸着支持すると共に、加熱手段で半導体
ウェーハ1を100℃〜160℃の温度に加熱するよう
になっている。
First, the wafer mounting table 21
As shown in FIGS. 5 to 8, the temperature control table 36 includes a temperature support table 37 and a tape support table 37 located at a predetermined interval around the outside of the temperature control table 36. The semiconductor wafer 1 is formed into a planar shape having a slightly smaller diameter than the outer diameter of the semiconductor wafer 1 by using the material having the semiconductor wafer 1. The semiconductor wafer 1 mounted on the upper surface is suction-supported by suction by suction means, and the semiconductor wafer 1 is heated by heating means. Is heated to a temperature of 100 ° C to 160 ° C.

【0028】この温調テーブル36の外側周囲に分離独
立させて配置したテープサポートテーブル37は、ダイ
ボンドテープの幅よりも広幅となる平面矩形状で、その
中央に温調テーブル36の外径よりも大径の貫通孔38
が設けられ、温調テーブル36の外周と貫通孔38の内
周によって形成された環状の間隔39の部分で、カッタ
ーユニット35のカッター34がダイボンドテープ3を
くり貫くようになっている。
The tape support table 37, which is disposed separately around the outside of the temperature control table 36, has a flat rectangular shape wider than the width of the die-bonding tape, and has a central portion larger than the outer diameter of the temperature control table 36. Large diameter through hole 38
The cutter 34 of the cutter unit 35 penetrates the die-bonding tape 3 at an annular space 39 formed by the outer periphery of the temperature control table 36 and the inner periphery of the through hole 38.

【0029】上記テープサポートテーブル37の上面で
貫通孔38の周囲に沿う位置に、ダイボンドテープ3の
入側と出側の2系統に分断した断面V字状の吸引凹溝4
0と41を設け、両吸引凹溝40と41は、略半円形の
平面形状となって温調テーブル36の外側を囲む配置と
なり、両吸引凹溝40と41の底部には2系統を吸引源
と個々に接続するための吸引孔42がそれぞれ複数ずつ
設けられている。
At a position along the periphery of the through hole 38 on the upper surface of the tape support table 37, a suction concave groove 4 having a V-shaped cross section which is divided into two systems, the entrance side and the exit side of the die bond tape 3.
0 and 41 are provided, and both suction grooves 40 and 41 have a substantially semicircular planar shape and are arranged so as to surround the outside of the temperature control table 36. Two suction systems are provided at the bottoms of both suction grooves 40 and 41. A plurality of suction holes 42 for individually connecting to the sources are provided.

【0030】このテープサポートテーブル37の上面
で、両吸引凹溝40と41の外周部には、テープサポー
トテーブル37上に重ねられたダイボンドテープ3を粘
着力で密着させるためのシリコンシート43が敷設され
ている。
On the upper surface of the tape support table 37, a silicon sheet 43 for adhering the die bond tape 3 superimposed on the tape support table 37 with adhesive force is laid on the outer peripheral portions of both the suction concave grooves 40 and 41. Have been.

【0031】なお、ダイボンドテープ3の供給部22
は、ロール巻きしたダイボンドテープ3のリールに対し
てブレーキをかけ、引き出されたダイボンドテープ3に
テンションを付与することができる機構を有している。
The supply unit 22 of the die bond tape 3
Has a mechanism capable of applying a brake to the reel of the die-bonding tape 3 wound by a roll and applying tension to the drawn-out die-bonding tape 3.

【0032】上記ダイボンドテープ剥がし部材28は、
ウェーハ載置テーブル21の上面より所定の間隔をおい
て上方に位置し、ウェーハ載置テーブル21に対してダ
イボンドテープ3の入側と出側の間を往復移動する回転
自在の剥がしロール44と、この剥がしロール44の直
上に位置して昇降動し、下降時に剥がしロール44とで
ダイボンドテープ3を狭持するテンションロール45と
で形成され、また、テープチャック29は、ダイボンド
テープ剥がし部材28の剥がしロール44と同じ高さ位
置にあるロール46と、このロール46の直上に位置し
て昇降動し、下降時にロール46とでダイボンドテープ
3を狭持するチャッキング部材47とで形成されてい
る。
The die bond tape peeling member 28 includes:
A rotatable peeling roll 44 located above the upper surface of the wafer mounting table 21 at a predetermined distance and reciprocating between the entrance and exit sides of the die bond tape 3 with respect to the wafer mounting table 21; It is located just above the peeling roll 44, moves up and down, and is formed by a peeling roll 44 and a tension roll 45 that holds the die bond tape 3 together with the peeling roll 44 at the time of descending. The tape chuck 29 peels off the die bond tape peeling member 28. The roll 46 is formed at the same height position as the roll 44, and a chucking member 47 that moves up and down immediately above the roll 46 and holds the die bond tape 3 with the roll 46 when descending.

【0033】また、貼付けロール26は、ウェーハ載置
テーブル21の上面を転動する高さに配置され、図2乃
至図4のように、この貼付けロール26にウェーハ載置
テーブル21上での往復動を付与する往復動機構48に
加圧器となるエアシリンダ49を介して上下動するよう
取り付けられている。
The bonding roll 26 is arranged at a height at which it rolls on the upper surface of the wafer mounting table 21. As shown in FIGS. 2 to 4, the bonding roll 26 reciprocates on the wafer mounting table 21. It is attached to a reciprocating mechanism 48 for imparting movement so as to move up and down via an air cylinder 49 serving as a pressurizer.

【0034】この往復動機構48は、ウェーハ載置テー
ブル21の上部両側に水平のガイドレール50と、ウェ
ーハ載置テーブル21の一方側方にチエン等のエンドレ
ス走行体51を、ダイボンドテープ3の移動方向と平行
するようそれぞれ配置し、ガイドレール50で両端を支
持した可動ブラケット52をエンドレス走行体51に結
合し、可動ブラケット52の下部に複数のガイド軸53
で昇降自在となるよう配置したホルダー54で貼付けロ
ール26を回転自在に支持して形成され、上記可動ブラ
ケット52に固定したエアシリンダ49のピストン杆を
ホルダー54と連結し、エアシリンダ49の作動で貼付
けロール26を昇降させると共に、エンドレス走行体5
1の作動で貼付けロール26が一定ストロークを往復動
するようになっている。
The reciprocating mechanism 48 includes a horizontal guide rail 50 on both sides of the upper part of the wafer mounting table 21, an endless running body 51 such as a chain on one side of the wafer mounting table 21, and movement of the die bonding tape 3. A movable bracket 52, which is disposed in parallel to the respective directions and is supported at both ends by guide rails 50, is connected to the endless traveling body 51, and a plurality of guide shafts 53 are provided below the movable bracket 52.
The sticking roll 26 is rotatably supported by a holder 54 arranged so as to be able to move up and down, and the piston rod of the air cylinder 49 fixed to the movable bracket 52 is connected to the holder 54. The adhering roll 26 is raised and lowered and the endless traveling body 5
The operation 1 causes the attaching roll 26 to reciprocate a fixed stroke.

【0035】上記エンドレス走行体51の駆動にパルス
モータ(エンコーダ)55を用い、貼付けロール26の
移動位置を電気的に検出する検出手段とすると共に、こ
のパルスモータ55とエアシリンダ49の間に、パルス
モータ55の出力信号を入力するマイクロコンピュータ
56と、マイクロコンピュータ56の出力信号でエアシ
リンダ49を作動させ、貼付けロール26の半導体ウェ
ーハ1への加圧力を調整するための電空レギュレータ
(調整弁)57を用いた制御手段が設けられている。
A pulse motor (encoder) 55 is used to drive the endless traveling body 51, and a detecting means for electrically detecting the moving position of the attaching roll 26 is provided between the pulse motor 55 and the air cylinder 49. A microcomputer 56 for inputting an output signal of the pulse motor 55; and an electropneumatic regulator (adjustment valve) for operating the air cylinder 49 with the output signal of the microcomputer 56 to adjust the pressing force of the bonding roll 26 to the semiconductor wafer 1. ) 57 is provided.

【0036】マイクロコンピュータ56には、貼付けロ
ール26でダイボンドテープ3を半導体ウェーハ1上に
加圧して行くとき、貼付けロール26の移動位置、即
ち、半導体ウェーハ1に対する貼付けロール26の位置
による接触長(加圧長)の変化と、これに対応して貼付
けロール26の線圧力を変化させるためのエアシリンダ
49の制御条件とを予め記憶させておき、パルスモータ
55から入力される貼付けロール26の移動位置に対応
した条件で電空レギュレータ57を作動させ、電空レギ
ュレータ57がエアシリンダ49への加圧空気の供給を
制御することで、半導体ウェーハ1に対する貼付けロー
ル26の位置が変化しても、貼付けロール26の線圧力
が半導体ウェーハ1のどの位置にあっても一定になるよ
うにしている。
When the bonding roll 26 presses the die bond tape 3 onto the semiconductor wafer 1, the microcomputer 56 informs the microcomputer 56 of the contact length of the moving position of the bonding roll 26, that is, the position of the bonding roll 26 with respect to the semiconductor wafer 1 ( The change of the pressure length) and the control condition of the air cylinder 49 for changing the linear pressure of the application roll 26 corresponding to this change are stored in advance, and the movement of the application roll 26 input from the pulse motor 55 is stored. By operating the electropneumatic regulator 57 under the condition corresponding to the position and controlling the supply of the pressurized air to the air cylinder 49 by the electropneumatic regulator 57, even if the position of the bonding roll 26 with respect to the semiconductor wafer 1 changes, The linear pressure of the bonding roll 26 is kept constant at any position on the semiconductor wafer 1.

【0037】即ち、貼付けロール26の位置が半導体ウ
ェーハ1の周縁に該当する加圧始めと加圧終わりは接触
長さが短く、線圧力が半導体ウェーハ1に集中するので
加圧力を、例えば、1.5kg/cmと低く設定し、
半導体ウェーハ1の中央部では接触長さが長くなって加
圧力が分散されることになるので、例えば、3.0kg
/cmと加圧力を高めるようにエアシリンダ49を制
御することにより、ダイボンドテープ3を半導体ウェー
ハ1に対してどの位置においても一定の貼り付け条件に
することができ、これにより、線圧力の高い箇所で半導
体ウェーハ1にバンプ破壊を生じさせたり、ダイボンド
テープ3の部分的な伸びや貼り厚の不均一の発生を防止
することになる。
That is, the contact length is short at the start and end of pressurization where the position of the bonding roll 26 corresponds to the peripheral edge of the semiconductor wafer 1, and the line pressure concentrates on the semiconductor wafer 1. 0.5 kg / cm 2
In the central portion of the semiconductor wafer 1, the contact length becomes longer and the pressing force is dispersed, so that, for example, 3.0 kg
By controlling the air cylinder 49 so as to increase the pressing force to / cm 2 , the die bonding tape 3 can be made to have a constant bonding condition at any position with respect to the semiconductor wafer 1. It is possible to prevent the semiconductor wafer 1 from breaking the bump at a high place, and to prevent the die bond tape 3 from being partially stretched and the applied thickness from being uneven.

【0038】この発明の貼り付け装置は、上記のような
構成であり、次に貼り付け方法を説明する。
The pasting device of the present invention has the above-described configuration, and the pasting method will be described next.

【0039】図1は、半導体ウェーハ1の上面にダイボ
ンドテープ3を貼り付ける前の初期の状態を示し、ウェ
ーハ載置テーブル21に対して、貼付けロール26とダ
イボンドテープ剥がし部材28及びテープチャック29
が、同図右側の待機位置にあり、カッターユニット35
のカッター34が上昇位置に待機し、供給部22から引
き出したダイボンドテープ3は、剥離ロール24,ガイ
ドロール27,貼付けロール26,ダイボンドテープ剥
がし部材28,テープチャック29,ガイドロール3
1,ダンサロール30を順次通過して巻取り部23に移
行し、ダイボンドテープ剥がし部材28からガイドロー
ル31に移行する水平部分がウェーハ載置テーブル21
の直上に位置している。
FIG. 1 shows an initial state before the die bonding tape 3 is bonded to the upper surface of the semiconductor wafer 1. The bonding roll 26, the die bonding tape peeling member 28, and the tape chuck 29 are placed on the wafer mounting table 21.
Is at the standby position on the right side of FIG.
Of the die bond tape pulled out from the supply unit 22 is separated from the separation roll 24, the guide roll 27, the application roll 26, the die bond tape peeling member 28, the tape chuck 29, and the guide roll 3.
1, the horizontal portion passing through the dancer roll 30 and moving to the winding section 23 and moving from the die bonding tape peeling member 28 to the guide roll 31 is the wafer mounting table 21.
It is located directly above.

【0040】この状態で、ウェーハ載置テーブル21の
温調テーブル36上に半導体ウェーハ1を載置すると、
この温調テーブル36の上面に作用させた吸引力で半導
体ウェーハ1を温調テーブル36上に固定し、温調テー
ブル31に設けた加熱手段により半導体ウェーハ1を1
00℃〜160℃の温度に加熱する。
In this state, when the semiconductor wafer 1 is mounted on the temperature control table 36 of the wafer mounting table 21,
The semiconductor wafer 1 is fixed on the temperature adjustment table 36 by the suction force applied to the upper surface of the temperature adjustment table 36, and the semiconductor wafer 1 is heated by the heating means provided on the temperature adjustment table 31.
Heat to a temperature between 00C and 160C.

【0041】このとき、ウェーハ載置テーブル21のテ
ープサポートテーブル37は、温調テーブル36に対し
て間隔39の部分で切り離されているので、温調テーブ
ル36の熱で加熱されることはない。
At this time, since the tape support table 37 of the wafer mounting table 21 is separated from the temperature control table 36 at the interval 39, the tape support table 37 is not heated by the heat of the temperature control table 36.

【0042】テープ引出し工程 半導体ウェーハ1が加熱されると、図9の鎖線で示すよ
うに、テープチャック29のチャック部材47が下降し
てロール46とでダイボンドテープ3の途中を固持し、
このテープチャック29が同図左側の実線で示す前進位
置にまで移動し、ダイボンドテープ3の未使用の部分を
所定長さだけウェーハ載置テーブル21の上部に引き出
す。
Tape Pulling Step When the semiconductor wafer 1 is heated, the chuck member 47 of the tape chuck 29 descends and holds the middle of the die bond tape 3 with the roll 46 as shown by a chain line in FIG.
The tape chuck 29 moves to the forward position shown by the solid line on the left side of FIG.

【0043】テープ貼付け工程 図10のように、ダイボンドテープ剥がし部材28のテ
ンションロール45が下降して剥がしロール44とでダ
イボンドテープ3の途中を狭持し、このダイボンドテー
プ剥がし部材28と貼付けロール26が同図左側の実線
で示す前進位置にまで転動しながら移動し、貼付けロー
ル26がダイボンドテープ3をテープサポートテーブル
37と半導体ウェーハ1の上面に押圧していく。
As shown in FIG. 10, the tension roll 45 of the die-bonding tape peeling member 28 descends to hold the middle of the die-bonding tape 3 with the peeling roll 44, and the die-bonding tape peeling member 28 and the bonding roll 26 Moves while rolling to the forward position indicated by the solid line on the left side of the figure, and the bonding roll 26 presses the die bond tape 3 against the tape support table 37 and the upper surface of the semiconductor wafer 1.

【0044】この時、供給部22にブレーキを作用させ
てダイボンドテープ3の引出しを止め、ダイボンドテー
プ剥がし部材28のテンションロール45と剥がしロー
ル44でのダイボンドテープ3の狭持と前進移動によ
り、貼付ロール26でウェーハ載置テーブル21の上面
に押圧されるダイボンドテープ3にテンションをかける
ようにする。
At this time, a brake is applied to the supply unit 22 to stop the die bond tape 3 from being pulled out, and the tension bond 45 and the peeling roll 44 of the die bond tape peeling member 28 hold the die bond tape 3 and move the die bond tape 3 forward to attach. The tension is applied to the die bond tape 3 pressed against the upper surface of the wafer mounting table 21 by the roll 26.

【0045】また、貼付けロール26でダイボンドテー
プ3を半導体ウェーハ1の上面に押圧すると、この半導
体ウェーハ1は加熱されているので、ダイボンドテープ
3の半導体ウェーハ1に重なる部分の接着剤が溶融し、
半導体ウェーハ1にダイボンドテープ3が接着する。
When the die roll 3 is pressed against the upper surface of the semiconductor wafer 1 by the bonding roll 26, the semiconductor wafer 1 is heated, so that the adhesive in the portion of the die bond tape 3 overlapping the semiconductor wafer 1 is melted.
The die bond tape 3 adheres to the semiconductor wafer 1.

【0046】貼付けロール26が、半導体ウェーハ1の
上面に対してダイボンドテープ3を押圧して行く時、貼
付けロール26の移動位置の検出と、これに基づくエア
シリンダ49の作動により、この貼付けロール26の半
導体ウェーハ1に対する押圧力が、半導体ウェーハ1の
周縁に該当する加圧始めは押圧力が低く設定され、半導
体ウェーハ1の中央部に達した時点で押圧力が高くな
り、中央部を通過すると加圧終わりに向けて押圧力が低
くなっていくように制御され、これにより、貼付けロー
ル26の線圧力が半導体ウェーハ1のどの位置にあって
も一定になり、ダイボンドテープ3を半導体ウェーハ1
に対してどの位置においても一定の貼り付け状態にする
ことができる。
When the bonding roll 26 presses the die bond tape 3 against the upper surface of the semiconductor wafer 1, the movement of the bonding roll 26 is detected, and the air cylinder 49 is operated based on the detected position. The pressing force on the semiconductor wafer 1 is set low at the beginning of pressurization corresponding to the peripheral edge of the semiconductor wafer 1, and when the pressure reaches the center of the semiconductor wafer 1, the pressing force increases, and when the pressure passes through the center, The pressing force is controlled so as to decrease toward the end of the pressurization, whereby the linear pressure of the bonding roll 26 becomes constant at any position of the semiconductor wafer 1 and the die bonding tape 3 is moved to the semiconductor wafer 1.
In any position, it is possible to make a fixed state of attachment.

【0047】貼付けロール26は、前進位置に達すると
後退動し、前進時と同じ条件で再度ダイボンドテープ3
をテープサポートテーブル37と半導体ウェーハ1の上
面に押圧して機構位置に戻る。
When the application roll 26 reaches the advance position, it moves backward, and again under the same conditions as the advance, the die bonding tape 3
Is pressed against the tape support table 37 and the upper surface of the semiconductor wafer 1 to return to the mechanism position.

【0048】テープ切断工程 貼付けロール26が待機位置に戻ると、図11のよう
に、カッターユニット35のカッター34が下降すると
共に回転し、温調テーブル36の外周と貫通孔38の内
周によって形成された環状の間隔39の部分で、上記カ
ッタ34がダイボンドテープ3を半導体ウェーハ1の外
周縁に沿ってくり貫いて行く。
When the bonding roll 26 returns to the standby position, the cutter 34 of the cutter unit 35 descends and rotates as shown in FIG. 11, and is formed by the outer circumference of the temperature control table 36 and the inner circumference of the through hole 38. The cutter 34 penetrates the die-bonding tape 3 along the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 1 at the portion of the formed annular space 39.

【0049】カッター34でダイボンドテープ3をくり
貫いて行く時、テープサポートテーブル37に設けた吸
引凹溝40,41に吸引力を作用させると、図7と図8
に示すように、テープサポートテーブル37上に位置す
る余剰ダイボンドテープ3aのくり貫かれた部分の内周
部が吸引凹溝40,41内に吸引され、この吸引によっ
て余剰ダイボンドテープ3aのくり貫かれた部分の内周
部は吸い込まれて立ち上がり状となり、半導体ウェーハ
1に貼り付けられたダイボンドテープ3の外周から引き
離された状態が保持され、これにより、半導体ウェーハ
1に貼り付けられたダイボンドテープ3と余剰ダイボン
ドテープ3aのくり貫かれた部分が再接着するのを防止
する。
When a suction force is applied to the suction grooves 40 and 41 provided on the tape support table 37 when the die bond tape 3 is pierced by the cutter 34, FIGS.
As shown in the figure, the inner peripheral portion of the cut-out portion of the excess die-bonding tape 3a located on the tape support table 37 is sucked into the suction grooves 40, 41, and the surplus die-bonding tape 3a is cut off by the suction. The inner peripheral portion of the portion is sucked and rises up, and is kept separated from the outer periphery of the die bond tape 3 attached to the semiconductor wafer 1, whereby the die bond tape 3 attached to the semiconductor wafer 1 is maintained. And the surplus die bond tape 3a is prevented from being re-adhered.

【0050】テープ剥がし工程 カッターユニット35のカッター34が上昇位置に戻る
と、図12に鎖線で示す前進位置にあるダイボンドテー
プ剥がし部材28のテンションロール45と、テープチ
ャック29のチャック部材47が共に上昇して余剰ダイ
ボンドテープ3aの狭持及び固持を解き、ダイボンドテ
ープ剥がし部材28とテープチャック29は、同図実線
で示す待機位置に後退移動し、この時ウェーハ載置テー
ブル21の上方を水平に移動する剥がしロール44がテ
ープサポートテーブル37上から余剰ダイボンドテープ
3aを剥がして行く。
When the cutter 34 of the cutter unit 35 returns to the raised position, the tension roll 45 of the die bond tape peeling member 28 and the chuck member 47 of the tape chuck 29 both at the advanced position indicated by the chain line in FIG. Then, the excess die-bonding tape 3a is released from holding and holding, and the die-bonding tape peeling member 28 and the tape chuck 29 retreat to the standby position shown by the solid line in FIG. The peeling roll 44 peels off the surplus die bond tape 3a from the tape support table 37.

【0051】剥がしロール44が余剰ダイボンドテープ
3aをテープサポートテーブル37上から剥がす時、余
剰ダイボンドテープ3aのテープサポートテーブル37
に設けた吸引凹溝40,41内に吸引された部分も引き
離すことになるが、吸引凹溝40,41はダイボンドテ
ープ3の入側と出側に分断された2系統になっているの
で、テープサポートテーブル37上から余剰ダイボンド
テープ3aを剥がして行く前半の剥がし工程において、
図5と図6の左側の吸引凹溝41から余剰ダイボンドテ
ープ3aを引き離すことでこの吸引凹溝41が大気圧に
なっても、図5と図6の右側の吸引凹溝40は吸引力を
保持しており、従って、前半の剥がし工程で余剰ダイボ
ンドテープ3aの後半部分がテープサポートテーブル3
7の吸引凹溝40から剥がれるようなことがなく、これ
により、剥がれた後半部分が半導体ウェーハ1上に貼り
付けられたダイボンドテープ3と再接着するのを防止す
ることができる。
When the peeling roll 44 peels off the surplus die bond tape 3a from the tape support table 37, the tape support table 37 of the surplus die bond tape 3a
The suctioned grooves 40 and 41 provided in the suction groove 40 and 41 are also separated. However, since the suction grooves 40 and 41 are divided into two sides, ie, the entrance side and the exit side of the die-bonding tape 3, the two systems are separated. In the first half of the peeling step of peeling off the excess die bond tape 3a from the tape support table 37,
Even if the suction groove 41 becomes atmospheric pressure by separating the excess die bond tape 3a from the suction groove 41 on the left side in FIGS. 5 and 6, the suction groove 40 on the right side in FIGS. Therefore, in the first half of the peeling process, the second half of the surplus die bond tape 3a is
7 does not peel off from the suction groove 40, thereby preventing the latter half of the peeling off from reattaching to the die bond tape 3 stuck on the semiconductor wafer 1.

【0052】剥がしロール44がテープサポートテーブ
ル37上から余剰ダイボンドテープ3aの後半部分を剥
がして待機位置に後退すると、巻取り部23が余剰ダイ
ボンドテープ3aを所定長さ巻き取ることによって、半
導体ウェーハ1に対するダイボンドテープ3の貼り付け
工程が終了し、ウェーハ載置テーブル21の温調テーブ
ル36上から半導体ウェーハ1を取り出せば、図1の初
期状態に復帰する。
When the peeling roll 44 peels off the latter half of the excess die-bonding tape 3a from the tape support table 37 and retreats to the standby position, the winding unit 23 winds up the excess die-bonding tape 3a by a predetermined length. When the step of attaching the die bond tape 3 to the semiconductor wafer 1 is completed, and the semiconductor wafer 1 is taken out from the temperature control table 36 of the wafer mounting table 21, the state returns to the initial state of FIG.

【0053】以上、貼付けロール26の使用は、半導体
ウェーハ1上にダイボンドテープ3を貼り付ける場合を
例に述べたが、この発明の貼付けロール26の構造は、
例えば、厚みの大きな感光性液状レジストを半導体ウェ
ーハの上にスピンコートし、この感光性液状レジストの
上に感光性ドライフィルムレジストをラミネートした
後、その上から加熱、加圧する加工や、厚みが均一に規
定されている感光性ドライフィルムレジストを下地とな
るバリヤメタルに直接加圧して接着する加工にも使用す
ることができ、感光性液状レジストの膜厚を一定化した
り、感光性ドライフィルムレジストをバリヤメタルの表
面全体にわたって均一に密着させることができるという
利点がある。
In the above, the use of the bonding roll 26 has been described as an example of the case where the die bond tape 3 is bonded on the semiconductor wafer 1, but the structure of the bonding roll 26 of the present invention is as follows.
For example, a photosensitive liquid resist having a large thickness is spin-coated on a semiconductor wafer, a photosensitive dry film resist is laminated on the photosensitive liquid resist, and then heating and pressing are performed on the resist, or the thickness is uniform. It can also be used for the process of directly pressing and bonding the photosensitive dry film resist specified in the above to the underlying barrier metal, making the thickness of the photosensitive liquid resist constant or using the photosensitive dry film resist as a barrier metal. There is an advantage that it can be uniformly adhered over the entire surface of the substrate.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上のように、この発明によると、ウェ
ーハ載置テーブル上で加熱保持された半導体ウェーハに
ダイボンドテープを加圧して貼り付ける貼付けロールの
加圧力を、半導体ウェーハの部位によって変えるように
したので、貼付けロールの線圧力を半導体ウェーハのど
の位置でも均一にすることができ、これにより、半導体
ウェーハのバンプ破壊やダイボンドテープの部分的な伸
びの発生を防ぎ、ダイボンドテープの貼り厚の一定化が
図れることになる。
As described above, according to the present invention, the pressing force of the bonding roll for pressing the die-bonding tape onto the semiconductor wafer heated and held on the wafer mounting table is changed depending on the position of the semiconductor wafer. As a result, the linear pressure of the bonding roll can be made uniform at any position of the semiconductor wafer, thereby preventing bump destruction of the semiconductor wafer and partial elongation of the die bonding tape, and reducing the thickness of the die bonding tape. It will be possible to stabilize.

【0055】また、ウェーハ載置テーブルを、半導体ウ
ェーハを吸着支持して加熱する温調テーブルと、その外
側周囲に間隔をおいて位置するテープサポートテーブル
に分離独立させたので、温調テーブルの熱がテープサポ
ートテーブルに伝わらず、テープサポートテーブルに対
してダイボンドテープが接着するようなことがなくな
り、テープサポートテーブルからのダイボンドテープの
引き剥がしが円滑に行えるようになる。
Further, since the wafer mounting table is separated and independent of a temperature control table for sucking and supporting the semiconductor wafer and heating it, and a tape support table located at an interval around the outside of the wafer mounting table. Is not transmitted to the tape support table and the die bond tape does not adhere to the tape support table, so that the die bond tape can be smoothly peeled off from the tape support table.

【0056】さらに、テープサポートテーブル上に吸引
凹溝を温調テーブルを囲むように設けておき、カッター
によるダイボンドテープのくり貫き工程時に、テープサ
ポートテーブル上に位置する余剰ダイボンドテープのく
り貫かれた部分の内周部を吸引凹溝内に吸引することに
より立ち上げ、半導体ウェーハ上に貼り付けられたダイ
ボンドテープの外周と引き離すようにしたので、ダイボ
ンドテープのくり貫いた部分が互いに接触することがな
く、加熱により接着剤が溶融しているダイボンドテープ
がくり貫き部分で再接着するのを防ぐことができ、テー
プサポートテーブルから余剰ダイボンドテープを剥がす
工程で半導体ウェーハに剥がれを生じさせることがな
い。
Further, a suction groove is provided on the tape support table so as to surround the temperature control table, and the excess die bond tape located on the tape support table is cut through during the step of cutting the die bond tape by the cutter. The inner peripheral part of the part is raised by sucking it into the suction groove so as to be separated from the outer periphery of the die bond tape stuck on the semiconductor wafer, so that the cut-out parts of the die bond tape may come into contact with each other. In addition, the die bond tape in which the adhesive is melted by heating can be prevented from re-adhering at the hollow portion, and the semiconductor wafer does not peel off in the step of peeling off the excess die bond tape from the tape support table.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の半導体ウェーハへのダイボンドテー
プ貼り付け装置の全体装置を概略的に示す側面図
FIG. 1 is a side view schematically showing an entire apparatus for attaching a die bond tape to a semiconductor wafer according to the present invention.

【図2】同貼り付け装置における貼付けロールの構造を
示す拡大した縦断正面図
FIG. 2 is an enlarged vertical sectional front view showing a structure of a sticking roll in the sticking device.

【図3】同上の平面図FIG. 3 is a plan view of the above.

【図4】同上の側面図FIG. 4 is a side view of the above.

【図5】ウェーハ載置テーブルの構成を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing the configuration of a wafer mounting table.

【図6】ウェーハ載置テーブルの構成を示す縦断正面図FIG. 6 is a longitudinal sectional front view showing the configuration of a wafer mounting table.

【図7】図5の矢印A−Aに沿う縦断面図FIG. 7 is a longitudinal sectional view taken along an arrow AA in FIG. 5;

【図8】図5の矢印B−Bに沿う縦断面図FIG. 8 is a longitudinal sectional view taken along arrow BB in FIG. 5;

【図9】貼り付け過程でのテープ引出し工程を示す簡略
正面図
FIG. 9 is a simplified front view showing a tape pulling-out step in a sticking process.

【図10】貼り付け過程でのテープ貼り付け工程を示す
簡略正面図
FIG. 10 is a simplified front view showing a tape attaching step in an attaching process.

【図11】貼り付け過程でのテープ切断工程を示す簡略
正面図
FIG. 11 is a simplified front view showing a tape cutting step in the attaching process.

【図12】貼り付け過程でのテープ剥がし工程を示す簡
略正面図
FIG. 12 is a simplified front view showing a tape peeling step in an attaching process.

【図13】従来の半導体ウェーハへのダイボンドテープ
貼り付け装置の全体構造を概略的に示す側面図
FIG. 13 is a side view schematically showing the entire structure of a conventional die-bonding tape bonding apparatus for a semiconductor wafer.

【図14】同上の一部省略した平面図FIG. 14 is a plan view of the above with a part omitted.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウェーハ 3 ダイボンドテープ 21 ウェーハ載置テーブル 22 供給部 23 巻取り部 24 剥離ロール 25 巻取り部 26 貼付けロール 27 ガイドロール 28 ダイボンドテープ剥がし部材 29 テープチャック 30 ダンサロール 31 ガイドロール 32 センサ 33 センサ 34 カッター 35 カッターユニット 36 温調テーブル 37 テープサポートテーブル 38 貫通孔 39 間隔 40 吸引凹部 41 吸引凹溝 42 吸引孔 43 シリコンシート 44 ロール 45 テンションロール 46 ロール 47 チャッキング部材 48 往復動機構 49 エアシリンダ 50 ガイドレール 51 エンドレス走行体 52 可動ブラケット 53 ガイド軸 54 ホルダー 55 パルスモータ 56 マイクロコンピュータ 57 電空レギュレータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 3 Die bond tape 21 Wafer mounting table 22 Supply part 23 Winding part 24 Peeling roll 25 Winding part 26 Pasting roll 27 Guide roll 28 Die bond tape peeling member 29 Tape chuck 30 Dancer roll 31 Guide roll 32 Sensor 33 Sensor 34 Cutter 35 Cutter unit 36 Temperature control table 37 Tape support table 38 Through hole 39 Interval 40 Suction recess 41 Suction recess groove 42 Suction hole 43 Silicon sheet 44 Roll 45 Tension roll 46 Roll 47 Chucking member 48 Reciprocating mechanism 49 Air cylinder 50 Guide Rail 51 Endless running body 52 Movable bracket 53 Guide shaft 54 Holder 55 Pulse motor 56 Microcomputer 57 Electro-pneumatic regulator

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハ載置テーブルで支持されて加熱
された半導体ウェーハの直上にダイボンドテープを位置
させ、ダイボンドテープの長さ方向に移動する貼付けロ
ールで半導体ウェーハ上にダイボンドテープを圧着し、
溶融した接着剤でこのダイボンドテープを貼り付け、半
導体ウェーハの外周に沿ってダイボンドテープをカッタ
ーでくり貫いた後、ダイボンドテープの余剰部分をウェ
ーハ載置テーブルから剥がすようにした半導体ウェーハ
へのダイボンドテープ貼り付け方法において、 前記貼付けロールによるダイボンドテープの半導体ウェ
ーハへの加圧力を調整自在とし、半導体ウェーハの部位
によって加圧力を変えることで、貼付けロールの線圧力
を半導体ウェーハのどの位置でも均一にして、半導体ウ
ェーハ上にダイボンドテープを圧着させることを特徴と
する半導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け方
法。
1. A die-bonding tape is positioned directly above a semiconductor wafer supported and heated by a wafer mounting table, and the die-bonding tape is pressure-bonded onto the semiconductor wafer by a bonding roll moving in the length direction of the die-bonding tape.
This die-bonding tape is attached with a molten adhesive, the die-bonding tape is cut out along the outer periphery of the semiconductor wafer with a cutter, and the excess part of the die-bonding tape is peeled off from the wafer mounting table. In the bonding method, the pressure applied to the semiconductor wafer of the die bond tape by the bonding roll is adjustable, and by changing the pressing force depending on the portion of the semiconductor wafer, the linear pressure of the bonding roll is made uniform at any position of the semiconductor wafer. A method for attaching a die-bonding tape to a semiconductor wafer, comprising: bonding a die-bonding tape to a semiconductor wafer.
【請求項2】 ウェーハ載置テーブルで支持されて加熱
された半導体ウェーハの直上にダイボンドテープを位置
させ、ダイボンドテープの長さ方向に移動する貼付けロ
ールで半導体ウェーハ上にダイボンドテープを圧着して
貼り付け、半導体ウェーハの外周に沿ってダイボンドテ
ープをカッターでくり貫いた後、ダイボンドテープの余
剰部分をウェーハ載置テーブルから剥がすようにした半
導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け方法におい
て、 前記ウェーハ載置テーブルを、半導体ウェーハを吸着支
持して加熱する温調テーブルと、その外側周囲に間隔を
おいて位置するテープサポートテーブルに分離独立さ
せ、上記テープサポートテーブル上に吸引凹溝を温調テ
ーブルを囲むように設けておき、カッターによるダイボ
ンドテープのくり貫き工程時に、テープサポートテーブ
ル上に位置する余剰ダイボンドテープのくり貫かれた部
分の内周部を吸引凹溝内に吸引することにより立ち上
げ、半導体ウェーハ上に貼り付けられたダイボンドテー
プの外周と引き離すことにより、ダイボンドテープがく
り貫き部分で再接着するのを防ぐようにしたことを特徴
とする半導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け方
法。
2. A die bonding tape is positioned directly above a heated semiconductor wafer supported by a wafer mounting table, and the die bonding tape is pressed and bonded onto the semiconductor wafer by a bonding roll moving in the length direction of the die bonding tape. The method of attaching a die-bonding tape to a semiconductor wafer, wherein the die-bonding tape is cut off along a periphery of the semiconductor wafer with a cutter, and then an excess portion of the die-bonding tape is peeled off from the wafer mounting table. Is separated into a temperature control table that sucks and supports the semiconductor wafer and heats the semiconductor wafer, and a tape support table located at an interval around the outside of the temperature control table, and the suction groove is formed on the tape support table so as to surround the temperature control table. The die bond tape with a cutter. During the piercing process, the excess die bond tape located on the tape support table is started up by sucking the inner peripheral portion of the pierced portion into the suction groove, and the outer peripheral portion of the die bond tape stuck on the semiconductor wafer is raised. A method for attaching a die-bonding tape to a semiconductor wafer, wherein the detaching prevents the die-bonding tape from re-adhering at a hollow portion.
【請求項3】 半導体ウェーハを水平に吸着支持して加
熱するウェーハ載置テーブルに対してダイボンドテープ
を、供給部から巻取り部に移行する途中が該ウェーハ載
置テーブルの直上を通過するように配置し、このダイボ
ンドテープの移行途中に、ウェーハ載置テーブル上に対
してダイボンドテープの入側と出側の間を往復移動し、
半導体ウェーハ上にダイボンドテープを圧着させる貼付
けロールと、貼付けロールと一体に前進動すると共に、
貼付けロールの退動後に後退動するダイボンドテープ剥
がし用のガイドロールと、このガイドロールと一体に往
復移動し、前進時にダイボンドテープを固持して引き出
すテープチャックを配置し、更に、ウェーハ載置テーブ
ルの直上に、昇降と回転が自在となり、下降時に回転し
て半導体ウェーハの外周に沿うようダイボンドテープを
くり貫くカッターを備えたカッターユニットが設けられ
ている半導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け装
置において、 前記貼付けロールを、この貼付けロールにウェーハ載置
テーブル上での往復動を付与する往復動機構に加圧器を
介して上下動するよう取り付け、取付けロールの移動位
置を電気的に検出する検出手段と、この検出手段による
信号で加圧器を作動させ、貼付けロールの半導体ウェー
ハへの加圧力を調整する制御手段により、半導体ウェー
ハの部位によって貼付けロールの加圧力を変えること
で、貼付けロールの線圧力を半導体ウェーハのどの位置
でも均一になるようにしたことを特徴とする半導体ウェ
ーハへのダイボンドテープ貼り付け装置。
3. A method of transferring a die bonding tape from a supply section to a winding section with respect to a wafer mounting table which horizontally supports the semiconductor wafer by suction while adsorbing and supporting the semiconductor wafer, so that the tape passes directly above the wafer mounting table. During the transfer of this die-bonding tape, the die-bonding tape reciprocates between the entrance side and the exit side of the die-bonding tape on the wafer mounting table,
A bonding roll that presses the die-bonding tape onto the semiconductor wafer, and moves forward with the bonding roll,
A guide roll for peeling off the die bond tape, which retreats after the application roll retreats, and a tape chuck that reciprocates integrally with the guide roll, holds the die bond tape at the time of advancement, and pulls out the same, are further provided. Immediately above, the ascending and descending and rotating become freely possible, the die bonding tape attaching device to the semiconductor wafer provided with a cutter unit having a cutter that rotates at the time of descending and penetrates the die bonding tape so as to follow the outer periphery of the semiconductor wafer, Attaching roll, attached to the reciprocating mechanism for imparting reciprocating motion on the wafer mounting table to the attaching roll so as to move up and down via a pressurizer, a detecting means for electrically detecting the moving position of the attaching roll, The pressurizer is activated by the signal from this detection means, and the adhesive roll is applied to the semiconductor wafer The control means for adjusting the pressing force of the semiconductor wafer, by changing the pressing force of the bonding roll depending on the part of the semiconductor wafer, so that the linear pressure of the bonding roll is made uniform at any position of the semiconductor wafer. Die bond tape sticking device.
【請求項4】 前記貼付けロールの移動位置を電気的に
検出する検出手段に、往復動機構を駆動するパルスモー
タを用い、制御手段がパルスモータからの信号を入力す
るコンピュータと、このコンピュータで制御されて加圧
器を作動させる電空レギュレータで形成され、パルスモ
ータからの貼付けロールの位置信号の入力に応じ、この
コンピュータが貼付けロールの線圧力を計算し、貼付け
ロールの移動位置に見合った電気信号を電空レギュレー
タに送り、該電空レギュレータが加圧器に圧力流体を供
給するようにしたことを特徴とする請求項3に記載の半
導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け装置。
4. A computer in which a pulse motor for driving a reciprocating mechanism is used as a detecting means for electrically detecting a moving position of the sticking roll, and a control means inputs a signal from the pulse motor, and the computer controls the computer. It is formed by an electro-pneumatic regulator that operates the pressurizer, and in response to the input of the position signal of the pasting roll from the pulse motor, this computer calculates the linear pressure of the pasting roll, and the electric signal corresponding to the moving position of the pasting roll 4. The apparatus for attaching a die-bonding tape to a semiconductor wafer according to claim 3, wherein the electro-pneumatic regulator supplies the pressurized fluid to the pressurizer.
【請求項5】 半導体ウェーハを水平に吸着支持して加
熱するウェーハ載置テーブルに対してダイボンドテープ
を、供給部から巻取り部に移行する途中が該ウェーハ載
置テーブルの直上を通過するように配置し、このダイボ
ンドテープの移行途中に、ウェーハ載置テーブル上に対
してダイボンドテープの入側と出側の間を往復移動し、
半導体ウェーハ上にダイボンドテープを圧着させる貼付
けロールと、貼付けロールと一体に前進動すると共に、
貼付けロールの退動後に後退動するダイボンドテープ剥
がし用のガイドロールと、このガイドロールと一体に往
復移動し、前進時にダイボンドテープを固持して引き出
すテープチャックを配置し、更に、ウェーハ載置テーブ
ルの直上に、昇降と回転が自在となり、下降時に回転し
て半導体ウェーハの外周に沿うようダイボンドテープを
くり貫くカッターを備えたカッターユニットが設けられ
ている半導体ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け装
置において、 前記ウェーハ載置テーブルを、半導体ウェーハを吸着支
持して加熱する温調テーブルと、その外側周囲に間隔を
おいて位置するテープサポートテーブルに分離独立さ
せ、上記テープサポートテーブル上に2系統の吸引凹溝
を、ダイボンドテープの入側と出側に分断した状態で温
調テーブルを囲むように設け、カッターによるダイボン
ドテープのくり貫き工程時に、この吸引凹溝でテープサ
ポートテーブル上に位置する余剰ダイボンドテープのく
り貫かれた部分の内周部を吸引することにより立ち上
げ、半導体ウェーハ上に貼り付けられたダイボンドテー
プの外周と引き離すようにしたことを特徴とする半導体
ウェーハへのダイボンドテープ貼り付け装置。
5. A process in which a die bonding tape is transferred from a supply unit to a winding unit with respect to a wafer mounting table that horizontally supports and heats a semiconductor wafer by suction so as to pass right above the wafer mounting table. During the transfer of this die-bonding tape, the die-bonding tape reciprocates between the entrance side and the exit side of the die-bonding tape on the wafer mounting table,
A bonding roll that presses the die-bonding tape onto the semiconductor wafer, and moves forward with the bonding roll,
A guide roll for peeling off the die bond tape, which retreats after the application roll retreats, and a tape chuck that reciprocates integrally with the guide roll, holds the die bond tape at the time of advancement, and pulls out the same, are further provided. Immediately above, the ascending and descending and rotating become freely possible, the die bonding tape attaching device to the semiconductor wafer provided with a cutter unit having a cutter that rotates at the time of descending and penetrates the die bonding tape so as to follow the outer periphery of the semiconductor wafer, The wafer mounting table is separated and separated into a temperature control table for suction-supporting and heating the semiconductor wafer and a tape support table positioned at an interval around the outside thereof, and two suction grooves are provided on the tape support table. With the temperature divided into the inlet and outlet sides of the die bond tape. It is provided so as to surround the bullion, and at the time of cutting out the die bond tape by the cutter, the suction concave groove starts up by suctioning the inner peripheral portion of the surpassed die bond tape located on the tape support table, An apparatus for attaching a die bond tape to a semiconductor wafer, wherein the apparatus is separated from the outer periphery of the die bond tape attached to the semiconductor wafer.
【請求項6】 前記テープサポートテーブルの上面で吸
引凹溝の周囲の位置に、テープ密着シートを敷設したこ
とを特徴とする請求項5に記載の半導体ウェーハへのダ
イボンドテープ貼り付け装置。
6. The apparatus according to claim 5, wherein a tape adhesive sheet is laid at a position around the suction groove on the upper surface of the tape support table.
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