JP2002131787A - 液晶表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置、及びその製造方法Info
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- JP2002131787A JP2002131787A JP2000322300A JP2000322300A JP2002131787A JP 2002131787 A JP2002131787 A JP 2002131787A JP 2000322300 A JP2000322300 A JP 2000322300A JP 2000322300 A JP2000322300 A JP 2000322300A JP 2002131787 A JP2002131787 A JP 2002131787A
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Abstract
立って液晶層の配列をスプレイ配列からベンド配列へと
転移させる必要があるが、実用的な初期化電圧では転移
に長時間を要するという問題があった。 【解決手段】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、低プレチルト角側基板上に、ベンド転移促進
機構を有する液晶表示装置を用いる、あるいは、少なく
とも一方の基板が透明な2枚の基板間に液晶分子がベン
ド配列した液晶層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子
のプレチルト角がそれぞれ異なり、かつ、捻れ弾性定数
k22が10pN以下の液晶材料を有する液晶表示装置を用い
る。
Description
の表示性能を持つ液晶表示装置に関するものである。更
に具体的には、光学補償ベンドモード型(OCBモー
ド:Optically self-Compensated Birefringence mod
e)液晶表示装置に関するものである。
すます画像情報の占める割合が多くなってきている。最
近では液晶技術の発展により、高コントラスト・広視野
角の液晶ディスプレイが開発・実用化され、CRTディ
スプレイと比肩するレベルにまでなってきた。
は動画表示において、画像が流れるという問題を有して
おり、この点においてCRTに劣っている。
みは過去から数多くなされてきている。高速応答の種々
の液晶表示方式については、Wuらによりまとめられてい
る(C.S. Wu and S.T. Wu, SPIE, 1665, 250 (1992))
が、動画像表示に必要な応答特性が期待出来る方式、方
法は限られている。
1フレーム(16.7msec)以内で液晶が追随する
必要があるが、現行の液晶ディスプレイでは白黒二値間
では充分速い応答性を示すものの、多階調表示を行った
場合の階調間応答では100msec以上の遅い応答となって
しまう。特に駆動電圧の低い領域での階調間応答は著し
く遅い。
る液晶ディスプレイとしては、OCBモード液晶表示素
子、あるいは強誘電性液晶表示素子、反強誘電性液晶表
示素子がその可能性を有している。
晶表示素子、および反強誘電性液晶表示素子は耐衝撃性
が弱い、使用温度範囲が狭い、特性の温度依存性が大き
いなど実用的な意味での課題が多く、現実的にはネマテ
ィック液晶を用いるOCBモード液晶表示素子が動画像
表示に適した液晶表示素子として有望視されている。
3年J.P.Bosによりその高速性が示された表示方式であ
り、その後、フィルム位相板と組み合わせることにより
広視野角・高速応答性が両立するディスプレイであるこ
とが示され研究開発が活発化した。
ように、透明電極2が形成されているガラス基板1と、
透明電極7が形成されているガラス基板8と、基板1、
8間に配置される液晶層4とを有する。電極2、7上に
は配向膜3、6が形成され、この配向膜3、6には、液
晶分子を平行かつ同一方向に配向させるべく配向処理が
なされている。また、基板1、8の外側には、偏光板1
3、16がクロスニコルに配設されており、この偏光板
13、16と基板1、8間には位相補償板17、18が
介在している。
よりセル中央部にベンド配向あるいは捻れ配向を含んだ
ベンド配向を誘起させることと、低電圧駆動と視野角拡
大のために位相補償板17、18を配設することを特徴
としたものであり、性能的には中間調表示域においても
高速応答が可能であると同時に、比較的広い視野角特性
を有している。
OCBモード型液晶表示装置では、初期スプレイ配向状
態から表示のためのベンド配向状態への転移に長時間を
要し、これが実用化への大きな課題となっていた。
を印加する方法を用いる。この時、電圧値が高ければ高
いほど転移時間は速くなるものの、IC駆動電圧の耐圧
の問題よりむやみに高電圧を印加することは出来ない。
期化処理に分単位の時間が必要であり、OCBモードの
課題の一つになっており、数V程度の電圧印加により容
易にベンド配向が形成される、転移速度の速い液晶表示
装置が望まれている。
め、本発明が講じた第1の解決手段は、少なくとも一方
の基板が透明な2枚の基板間に液晶分子がベンド配列し
た液晶層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子のプレチ
ルト角がそれぞれ異なり、かつ、低プレチルト角側基板
上に、ベンド転移核を有する液晶表示装置を用いるもの
である。
が透明な2枚の基板間に液晶分子がベンド配列した液晶
層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子のプレチルト角
がそれぞれ異なり、かつ、低プレチルト角側基板上の液
晶分子に優先的に横方向電界を印加する機構を有する液
晶表示装置を用いるものである。
が透明な2枚の基板間に液晶分子がベンド配列した液晶
層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子のプレチルト角
がそれぞれ異なり、かつ、前記液晶の捻れ弾性定数k22
が10pN以下であることを特徴とする液晶表示装置を用い
るものである。
が透明な2枚の基板間に液晶分子がベンド配列した液晶
層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子のプレチルト角
がそれぞれ異なり、かつ、低プレチルト角側基板上配向
膜が、その分子構造中に不斉炭素原子を有する低分子化
合物、あるいは高分子化合物を含むことを特徴とする液
晶表示装置を用いるものである。
が透明な2枚の基板間に液晶分子がベンド配列した液晶
層を有し、前記2枚の基板上の液晶分子のプレチルト角
がそれぞれ異なり、かつ、低プレチルト角側基板上に、
非線形素子を有する液晶表示装置を用いるものであり、
第6の解決手段は、少なくとも一方の基板が透明な2枚
の基板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前
記2枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異
なる液晶表示装置の製造において、低プレチルト角側基
板上配向膜を光照射プロセスにより形成することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法を用いるものである。
装置における液晶層のスプレイ−ベンド転移メカニズム
を数値計算により詳細に検討した結果明らかになった事
柄に基づいている。ここにおいて、液晶材料の物性値は
比誘電率ε平行=12.3、ε垂直=4.5、弾性定数k11=8.8e-
12pN、k22=7.5e-12pN、k33=1.42e-11pNとし、液晶層厚
を5.3um、プレチルト角を3度、表面アンカリング強度
を5e-4J/m2とした。図10はスプレイ配列に対するギブ
スの自由エネルギ及びベンド配列に対するギブスの自由
エネルギを印加電圧に対してプロットしたものである。
図10より、印加電圧が2.4V以上ではスプレイ配列に比
べて、ベンド配列がより安定であることが分かる。
晶ダイレクタ分布の電圧依存性を示している。印加電圧
が1.4V以下の場合には、セル中央の液晶分子は基板に水
平に配列しているが、1.6V以上になると、基板に水平な
液晶分子は片側の基板近傍に存在し、エネルギが集中し
た状態となる。この時の、電圧印加直後のダイレクタ分
布の時間変化の一例を図12に示す。
度の液晶分子の存在位置が、時間とともに一方の基板側
に移行していくことが分かる。
時の液晶ダイレクタ分布を表しており、ベンド配列に対
応している(図中に液晶配列のイメージ図を併せて記
す)。
示素子に初期化電圧を印加することによりベンド配向を
形成させる過程を説明するための図であるが、電圧印加
と同時にベンド配向4bが形成される訳ではなく、スプ
レイ配向からベンド配向へと液晶表示素子内液晶のダイ
レクタ分布が過程を経て変化する。
示素子に電圧を0→V1→V2→V3→V4→V5(0
<V1<V2<V3<V4<V5)と印加していった時
の、液晶層4内の液晶ダイレクタの動きを模式的に表し
たものである。ここにおいて、両配向膜界面での初期液
晶プレチルト角(電圧無印加時での液晶プレチルト角)
は同一に設定してある。また、(図14)において、配
向膜および電極は省略してある。
態(スプレイ配向)を表している。セル中央の液晶ダイ
レクタは基板に水平である。(図14a)〜(図14
g)において、黒三角印は液晶ダイレクタが基板に水平
である液晶層厚み方向の位置を表している。いま、液晶
表示素子に閾値以上の電圧V1を印加すると、セル中央
の液晶分子は(図14b)の如く傾き、それに伴い、一
方の配向膜界面での液晶プレチルト角は増大し、他方の
配向膜界面での液晶プレチルト角は減少する。そして、
この時基板に水平な液晶ダイレクタが存在する位置は低
プレチルト側配向膜界面に近づく。(図14c)、およ
び(図14d)は更に電圧が加わった場合であり、高プ
レチルト配向膜界面でのプレチルト角は更に大きくな
り、低プレチルト配向膜界面でのプレチルト角は更に小
さくなる。(図14d)において、基板に水平なダイレ
クタ方位を有する液晶分子は殆ど低プレチルト配向膜界
面近傍に移行し、最後にベンド配列へと移行する。
ド転移直前の配向状態を表し、(図14f)は電圧V5
印加によりベンド配向となった時点での配向状態を表し
ている。そして、この時、エネルギの集中した状態(図
14e)からベンド配列(図14f, 図14g)へは、基板界
面近傍分子の捻れ回転(スリップアウト)により移行す
る。(図14e)においても基板に水平なダイレクタ方
位を有する液晶分子は存在するが、(図14f)におい
ては基板に水平なダイレクタ方位を有する液晶分子は存
在しない。
表示素子は、(図14g)に示される配向状態(定常状
態)に速やかに移行する。
水平である液晶層厚み方向の位置(黒三角印)は液晶層
中央部から右側基板側へと移行するよう表記している
が、実際の液晶表示素子においては、左側基板側へも同
等の確率で移行する。そして、このことがスプレイ配向
からベンド配向への転移速度を遅くする要因の一つにも
なっている。
に水平である液晶層厚み方向の位置(黒三角印)の移行
方向を一方向に規制することにより、ベンド転移時間を
短縮化することが出来る。
ンド転移の高速化を図るためには、 その配向方位が基板に水平な液晶分子の位置を、速や
かに一方の基板界面に移行させること、および前記ス
リップアウト(ツイスト)をアシストする仕組みを設け
ることが有効であることが分かる。
に基づいて得られたものである。
しながら詳細に述べる。尚、以下の実施例において、ス
プレイ−ベンド転移時間tは、電圧印加後、表示領域の
全てがスプレイ配列からベンド配列に転移するに要する
時間でもって定義した。
は(スプレイ−ベンド転移時間の評価においては、不要
であるため)位相補償板を用いなかったが、これにより
本発明を限定するものではない。
子のスプレイ−ベンド転移時間の検討に用いたテストセ
ルの構成外観図であり、(図2)、(図3)および(図
4)は柱状構造体作製を説明するための製造プロセスの
一部である。
レジスト材料を塗布形成し厚さ0.5μmのレジスト薄
膜を形成する。次にレジスト薄膜20に、図4に示され
る三角形状のパターンの開口部22を設けたフォトマス
ク21を通して、平行光紫外線23で照射露光する。平
行光で露光された上記レジスト薄膜20を現像、リンス
し、90℃でプリベークして図3に示すように断面が凸
状の三角柱状構造体10を形成する。
極7を2000Å製膜し、電極付ガラス基板8とした。
その後、上記柱状構造体の形成されたガラス基板8上に
日産化学工業製配向膜塗料SE−7992をスピンコー
ト法にて塗布し、恒温槽中180℃、1時間硬化させ配
向膜6を形成し、また、同様にして透明電極2を有する
ガラス基板1上に日産化学工業製配向膜塗料SE−74
92をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180℃、
1時間硬化させ配向膜3を形成した。
(図5)に示す方向にラビング処理を施し、積水ファイ
ンケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボン
ド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品
名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼り合
わせ、液晶セル9(液晶セルAとする)を作成した。
Δn=0.138)を真空注入法にて液晶セルAに注入
し、テストセルAとした。
膜のラビング処理方向と45度の角度をなし、かつ、お
互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、7
V矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転
移を観察したところ、約3秒で全電極領域がスプレイ配
向からベンド領域へと転移した。
は、別途アンチパラレル配向セルにて測定したところ、
基板1側では3.5度、基板8側では2.5度であっ
た。
は、液晶配向方位が周囲の液晶領域の配向方位とは異な
っており、この領域においては液晶層は若干の捻れ配向
をしている。そして、電圧印加により、この部分は速や
かにスプレイ−ベンド転移が進行し、ベンド配向が周囲
の他の領域に広がっていく。即ち、確実かつ高速なスプ
レイ→ベンド転移が達成出来る。
状のものを用いたが、電圧印加時に前記スプレイアウト
をアシストするようなものであれば他の形状を有する構
造体でも良い。具体的には、その断面形状が円、楕円、
菱形、あるいは三角形である柱状構造体、または錘状構
造体が好ましい。
体を形成した後、ITO電極を成膜したが、ITO電極
を有する基板上に柱状構造体を形成して用いても同様の
効果が認められた。
上の配向膜とが同一であり、日産化学工業(株)製配向
膜塗料SE−7492を用いること以外は、全く同様の
プロセスで、スプレイ配向液晶セルRを作製し、液晶M
J96435を封入してテストセルRとした。このテス
トセルRに7V矩形波を印加した時の、全電極領域がス
プレイ配向からベンド領域へと転移するに要する時間は
10秒であった。このことは、前記推定ベンド転移メカ
ニズムを裏付けるものであり、本発明の効果は明らかで
ある。
子のスプレイ−ベンド転移時間の検討に用いたテストセ
ルの構成外観図である。
化学工業製配向膜塗料SE−7492をスピンコート法
にて塗布し、恒温槽中180℃、1時間硬化させ配向膜
3を形成し、また、同様にして透明電極7を有するガラ
ス基板8上に、0.3μm径のアルミナ粉末11を3w
t%含有する日産化学工業製配向膜塗料SE−7992
をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180℃、1時
間硬化させ配向膜6を形成した。
(図5)に示す方向にラビング処理を施し、積水ファイ
ンケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボン
ド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品
名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼り合
わせ、液晶セル9(液晶セルBとする)を作成した。
Δn=0.138)を真空注入法にて液晶セルBに注入
し、テストセルBとした。
膜のラビング処理方向と45度の角度をなし、かつ、お
互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、7
V矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転
移を観察したところ、約5秒で全電極領域がスプレイ配
向からベンド領域へと転移した。
は、別途アンチパラレル配向セルにて測定したところ、
基板1側では3.5度、基板8側では3.0度であっ
た。
もに、その配向方位が基板面に平行な液晶分子の存在す
る位置は速やかに低プレチルト角側基板表面に移行し、
ラビング処理により三次元的に配向処理されたアルミナ
微粉末表面の効果により、前記スプレイアウトがアシス
トされ確実かつ、高速なベンド転移が達成されている。
子のスプレイ−ベンド転移時間の検討に用いたテスト用
TFTセルの構成外観図である。
非線形素子12、バスライン13、絵素電極14を有す
るガラス基板8上にJSR(株)製配向膜塗料AL−1
052をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180
℃、1時間硬化させ配向膜3、および配向膜6を形成し
た。
(図5)に示す方向にラビング処理を施し、積水ファイ
ンケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボン
ド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品
名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼り合
わせ、液晶セル9(液晶セルCとする)を作製した。
Δn=0.138)を真空注入法にてTFT液晶セルC
に注入し、テスト用TFTセルCとした。
軸が配向膜のラビング処理方向と45度の角度をなし、
かつ、お互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼
合し、7V矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配
向への転移を観察したところ、約3秒で全電極領域がス
プレイ配向からベンド領域へと転移した。
は、別途アンチパラレル配向セルにて測定したところ、
基板1側では4.5度、基板8側では4.0度であっ
た。本発明実施例においては上下基板上に同一の配向膜
材料を成膜しているが、非線形素子を有する基板表面は
約2000Åの凹凸を有しているため、ラビング処理時
の摩擦係数が大きく、実効的に基板表面でのプレチルト
角が小さくなっている。
凹凸による効果と、バスライン−絵素電極間に発生する
横方向電界の効果によりスプレイ−ベンド転移が加速さ
れているものと推測される。本実施例においては、絵素
電極と対向電極間に電圧が印加されると、その配向方位
が基板面に平行な液晶分子の存在位置は速やかにアレイ
基板側に移行し、アレイ基板上にはエネルギの高い状態
が形成される。この時、バスラインとの間に発生する横
方向電界、および基板凹凸表面での三次元的な液晶配向
は液晶分子に捻れ効果を付与し、ベンド転移の核とな
る。
子のスプレイ−ベンド転移時間の検討に用いたテストセ
ルの構成外観図である。
透明電極7を有するガラス基板8上にJSR(株)製配
向膜塗料JALS−612をスピンコート法にて塗布
し、恒温槽中180℃、1時間硬化させ配向膜3、およ
び配向膜6を形成した。
(図5)に示す方向にラビング処理を施し、積水ファイ
ンケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボン
ド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品
名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼り合
わせ、液晶セル9(液晶セルD〜セルHとする)を作製
した。この時、上下基板に対するラビング処理の強さを
変えることにより、上下基板上のプレチルト角が非対称
となるようにした。
がそれぞれ異なる液晶材料LC1〜LC5を真空注入法
にて液晶セルD〜液晶セルHにそれぞれ注入し、テスト
セルD〜テストセルHとした。
膜のラビング処理方向と45度の角度をなし、かつ、お
互いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、7
V矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転
移を観察したところ、全電極領域がスプレイ配向からベ
ンド領域へと転移する時間は表1の通りであった。
素子は高速なベンド転移が可能であり、その実用的価値
は極めて大きい。
は、別途作製したアンチパラレル配向セルにて測定した
ところ、基板1側では5.3度、基板8側では4.5度
であった。
は、実施例4で用いたテストセルと全く同一構成のテス
トセルを作成した。
透明電極7を有するガラス基板8上に日産化学工業
(株)製配向膜塗料SE−7992をスピンコート法に
て塗布し、恒温槽中180℃、1時間硬化させ配向膜
3、および配向膜6を形成した。
線を照射した後、双方の配向膜に対してレーヨン製ラビ
ング布を用いて(図5)に示す方向にラビング処理を施
し、積水ファインケミカル(株)製スペーサ5、および
ストラクトボンド352A(三井東圧化学(株)製シー
ル樹脂の商品名)を用いて基板間隔が6.5μmとなる
ように貼り合わせ、液晶セル9(液晶セルJとする)を
作製した。
法にて液晶セルJに封入し、テストセルJとした。
のラビング処理方向と45度の角度をなし、かつ、お互
いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、7V
矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転移
を観察したところ、全電極領域がスプレイ配向からベン
ド領域へと転移する時間は8秒であった。
は、別途作製したアンチパラレル配向セルにて測定した
ところ、基板1側では7.4度、基板8側では6.1度
であった。
のみ紫外線光を照射したが、両方の基板に対して紫外線
光を照射しても良いことは言うまでもない。
は、実施例4で用いたテストセルと全く同一構成のテス
トセルを作成した。
化学工業(株)製配向膜塗料SE−7492をスピンコ
ート法にて塗布し、恒温槽中180℃、1時間硬化させ
配向膜3を形成した。また、透明電極7を有するガラス
基板8上には、(化1)で示される化学構造式を有する
配向膜塗料(溶媒N−メチル−2−ピロリドン)をスピ
ンコート法にて塗布し、恒温槽中180℃、1時間硬化
させ配向膜6を形成した。
(図5)に示す方向にラビング処理を施し、積水ファイ
ンケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボン
ド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品
名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼り合
わせ、液晶セル9(液晶セルKとする)を作製した。
法にて液晶セルKに封入し、テストセルKとした。
のラビング処理方向と45度の角度をなし、かつ、お互
いの偏光軸方向が直交するように偏光板を貼合し、7V
矩形波を印加してスプレイ配向からベンド配向への転移
を観察したところ、全電極領域がスプレイ配向からベン
ド領域へと転移する時間は6秒であった。
は、別途作製したアンチパラレル配向セルにて測定した
ところ、基板1側では4.3度、基板8側では2.2度
であった。
不斉炭素原子を、その高分子鎖中に含んでおり、隣接す
る液晶分子に対して捻れの効果を与えることが出来るた
め、前記スプレイアウトを促進することが可能である。
炭素原子を有する置換基を直接導入したが、不斉炭素原
子を有する低分子化合物、あるいは不斉炭素原子を有す
る置換基の導入された高分子化合物を、他の高分子化合
物と混合して用いても同様の効果を得ることが出来る。
少なくとも一方の基板が透明な2枚の基板間に液晶分子
がベンド配列した液晶層を有しており、これにより電圧
印加時に、その配向方向が基板面に平行な液晶分子の存
在位置が一方の基板側(低プレチルト角基板側)に速や
かに移行するとともに、前記基板上でのベンド核発生が
容易な仕組みを有しており、高速・確実なスプレイ−ベ
ンド転移を達成することが可能であり、その実用的価値
は極めて大きい。
いたテストセルの断面構成を概念的に示す図
ラス基板上に形成された柱状構造体の製造プロセスを説
明するための図
るための図
いたフォトマスクパターンを示す図
る配向膜基板のラビング処理方向を説明するための図
いたテストセルの断面構成を概念的に示す図
いたテストセルの断面構成を概念的に示す図
いたテストセルの断面構成を概念的に示す図
圧印加によるスプレイ−ベンド転移を説明するための概
念図
ギ、およびベンド配列に対するギブスの自由エネルギの
印加電圧依存性を説明するための概念図
ダイレクタ分布の電圧依存性を説明するための概念図
た時の、液晶ダイレクタ分布の時間変化の様子を説明す
るための概念図
イレクタ分布の電圧依存性を説明するための概念図
イ配向からベンド配向への液晶ダイレクタの動きを説明
するための概念図
Claims (8)
- 【請求項1】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、低プレチルト角側基板上に、ベンド転移核を
有する液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記ベンド転移核が球状構造体、あるい
は柱状構造体であることを特徴とする請求項1記載の液
晶表示装置。 - 【請求項3】 前記ベンド転移核が凹状構造体であるこ
とを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、低プレチルト角側基板上の液晶分子に優先的
に横方向電界を印加する機構を有する液晶表示装置。 - 【請求項5】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、前記液晶の捻れ弾性定数k22が10pN以下であ
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項6】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、低プレチルト角側基板上配向膜が、その分子
構造中に不斉炭素原子を有する低分子化合物、あるいは
高分子化合物を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異な
り、かつ、低プレチルト角側基板上に、非線形素子を有
する液晶表示装置。 - 【請求項8】 少なくとも一方の基板が透明な2枚の基
板間に液晶分子がベンド配列した液晶層を有し、前記2
枚の基板上の液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる
液晶表示装置の製造において、低プレチルト角側基板上
配向膜を光照射プロセスにより形成することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000322300A JP3827937B2 (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 液晶表示装置 |
US10/168,705 US6853435B2 (en) | 2000-10-23 | 2001-10-23 | Liquid crystal display and its manufacturing method |
PCT/JP2001/009276 WO2002035283A1 (fr) | 2000-10-23 | 2001-10-23 | Affichage a cristaux liquides et procede de fabrication de celui-ci |
CN01803278A CN1394294A (zh) | 2000-10-23 | 2001-10-23 | 液晶显示装置及其制造方法 |
KR1020027008091A KR20020064358A (ko) | 2000-10-23 | 2001-10-23 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002131787A true JP2002131787A (ja) | 2002-05-09 |
JP3827937B2 JP3827937B2 (ja) | 2006-09-27 |
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CN112881241A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-01 | 华东交通大学 | 一种确定颗粒材料模量软化和恢复的方法 |
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JP3827937B2 (ja) | 2006-09-27 |
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