JPH06281965A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06281965A JPH06281965A JP7181393A JP7181393A JPH06281965A JP H06281965 A JPH06281965 A JP H06281965A JP 7181393 A JP7181393 A JP 7181393A JP 7181393 A JP7181393 A JP 7181393A JP H06281965 A JPH06281965 A JP H06281965A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高コントラスト比で応答速度が速い、高画質の
液晶表示装置を提供する。 【構成】電極を有し対向配置された少なくとも一方が透
明な一対の基板(3,5)、該基板間に挾持され厚さ方
向を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層
(4)、該ネマチック液晶層を挾んで設けられた一対の
偏光板(1,6)、該電極間に電界を印加して前記液晶
層の透過光量を変化させる制御手段を備えた液晶表示装
置であって、電界無印加状態で前記ネマチック液晶層の
基板との界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角
(8)と非界面部の液晶分子の傾斜角が異なる液晶表示
装置。
液晶表示装置を提供する。 【構成】電極を有し対向配置された少なくとも一方が透
明な一対の基板(3,5)、該基板間に挾持され厚さ方
向を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層
(4)、該ネマチック液晶層を挾んで設けられた一対の
偏光板(1,6)、該電極間に電界を印加して前記液晶
層の透過光量を変化させる制御手段を備えた液晶表示装
置であって、電界無印加状態で前記ネマチック液晶層の
基板との界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角
(8)と非界面部の液晶分子の傾斜角が異なる液晶表示
装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコントラストが高く、か
つ、高速応答が可能な電界効果型液晶表示装置に関す
る。
つ、高速応答が可能な電界効果型液晶表示装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】高コントラストを実現するねじられたら
旋構造を有するネマチック液晶表示装置として、液晶層
のら旋構造のねじれ角(ツイスト角)の大きさが270
度、基板界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角(チ
ルト角)と非界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角
が一様な表示装置が提案されている(特開平2−118
517号公報)。
旋構造を有するネマチック液晶表示装置として、液晶層
のら旋構造のねじれ角(ツイスト角)の大きさが270
度、基板界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角(チ
ルト角)と非界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角
が一様な表示装置が提案されている(特開平2−118
517号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】大容量表示が可能な液
晶表示装置には、スーパーツイステッドネマチック(S
TN)型と、シンフィルムトランジスタ(TFT)型が
知られている。STN型液晶表示装置は、液晶層のら旋
構造のツイスト角が大きいことが特徴で、優れた時分割
駆動特性を有する。一般に、ツイスト角を大きくすると
時分割駆動特性は向上し、大容量表示が可能となること
が知られている。しかし、ツイスト角が大きくなるに伴
い、良好な表示が得られる正常な液晶の配向を得ること
も困難となる。
晶表示装置には、スーパーツイステッドネマチック(S
TN)型と、シンフィルムトランジスタ(TFT)型が
知られている。STN型液晶表示装置は、液晶層のら旋
構造のツイスト角が大きいことが特徴で、優れた時分割
駆動特性を有する。一般に、ツイスト角を大きくすると
時分割駆動特性は向上し、大容量表示が可能となること
が知られている。しかし、ツイスト角が大きくなるに伴
い、良好な表示が得られる正常な液晶の配向を得ること
も困難となる。
【0004】上記の表示装置において、表示に悪影響を
与える配向を散乱ドメインと称するが、これは基板界面
部の液晶分子の基板面に対する傾斜角(チルト角)を1
0度以上とし、液晶層の基板界面部のチルト角と非界面
部のチルト角を一様にすることによって回避できる。
与える配向を散乱ドメインと称するが、これは基板界面
部の液晶分子の基板面に対する傾斜角(チルト角)を1
0度以上とし、液晶層の基板界面部のチルト角と非界面
部のチルト角を一様にすることによって回避できる。
【0005】上記の従来の液晶表示装置では基板間に電
界を印加し、白から黒へ、あるいは黒から白へ表示を変
える時、液晶分子はら旋構造を解消して電界方向に対し
て平行に配向を変えるために応答速度が遅い。こうした
液晶表示装置を例えば情報端末ディスプレイに使用する
と、マウスの使用時あるいは画面スクロール時に、液晶
分子の応答が素早く追随できないため表示が消える、あ
るいは表示が尾を引く等の問題が生じる。
界を印加し、白から黒へ、あるいは黒から白へ表示を変
える時、液晶分子はら旋構造を解消して電界方向に対し
て平行に配向を変えるために応答速度が遅い。こうした
液晶表示装置を例えば情報端末ディスプレイに使用する
と、マウスの使用時あるいは画面スクロール時に、液晶
分子の応答が素早く追随できないため表示が消える、あ
るいは表示が尾を引く等の問題が生じる。
【0006】本発明の目的は、コントラストが高く、か
つ、高速応答が可能な電界効果型の液晶表示装置を提供
することにある。
つ、高速応答が可能な電界効果型の液晶表示装置を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【0008】(1) 電極を有し対向配置された少なく
とも一方が透明な一対の基板、該基板間に挾持され厚さ
方向を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層、該
ネマチック液晶層を挾んで設けられた一対の偏光板、該
電極間に電界を印加して前記液晶層の透過光量を変化さ
せる制御手段を備えた液晶表示装置であって、電界無印
加状態で前記ネマチック液晶層の基板との界面部の液晶
分子の基板面に対する傾斜角(チルト角)と非界面部の
液晶分子の傾斜角が異なることを特徴とする液晶表示装
置。
とも一方が透明な一対の基板、該基板間に挾持され厚さ
方向を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層、該
ネマチック液晶層を挾んで設けられた一対の偏光板、該
電極間に電界を印加して前記液晶層の透過光量を変化さ
せる制御手段を備えた液晶表示装置であって、電界無印
加状態で前記ネマチック液晶層の基板との界面部の液晶
分子の基板面に対する傾斜角(チルト角)と非界面部の
液晶分子の傾斜角が異なることを特徴とする液晶表示装
置。
【0009】(2) 前記基板間のネマチック液晶層の
ほゞ中央部の液晶分子の基板面に対する傾斜角がほゞ9
0度である前記の液晶表示装置。
ほゞ中央部の液晶分子の基板面に対する傾斜角がほゞ9
0度である前記の液晶表示装置。
【0010】(3) 前記ネマチック液晶層の基板との
界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角が10度以上
である前記の液晶表示装置。
界面部の液晶分子の基板面に対する傾斜角が10度以上
である前記の液晶表示装置。
【0011】(4) 前記ネマチック液晶層を挾持する
基板間に電界が印加された状態で、該液晶層の前記界面
部の残留位相差と等しいか、または、近接する位相差を
有する複屈折媒体を、前記偏光板の少なくとも一方と液
晶層との間に配置し、かつ、その複屈折媒体の遅相軸が
前記ネマチック液晶層の残留位相差を補償し得る角度に
設定した前記の液晶表示装置。
基板間に電界が印加された状態で、該液晶層の前記界面
部の残留位相差と等しいか、または、近接する位相差を
有する複屈折媒体を、前記偏光板の少なくとも一方と液
晶層との間に配置し、かつ、その複屈折媒体の遅相軸が
前記ネマチック液晶層の残留位相差を補償し得る角度に
設定した前記の液晶表示装置。
【0012】前記液晶表示装置は電界効果型と呼ばれ、
電極間に電界を印加することにより、液晶分子の配向状
態を変化させて透過率を制御する。
電極間に電界を印加することにより、液晶分子の配向状
態を変化させて透過率を制御する。
【0013】図2は、従来型液晶表示装置の電界無印加
状態における液晶分子の基板間での配向状態の模式断面
図を、図3は電界印加状態における液晶分子の基板間で
の配向状態の模式断面図を示す。
状態における液晶分子の基板間での配向状態の模式断面
図を、図3は電界印加状態における液晶分子の基板間で
の配向状態の模式断面図を示す。
【0014】図2において、正の誘電異方性を有するネ
マチック液晶を用いた場合、電界無印加状態において液
晶分子は電極基板面に対して一定のチルト角8を有す
る。
マチック液晶を用いた場合、電界無印加状態において液
晶分子は電極基板面に対して一定のチルト角8を有す
る。
【0015】図4は、液晶層のら旋構造が無いと仮定し
た時の液晶分子の配向状態の模式断面図である。図4に
おいて、液晶分子の基板界面部のチルト角と非界面部の
チルト角は一様である。これは、図2のように液晶層に
ら旋構造を有する場合においても同様である。
た時の液晶分子の配向状態の模式断面図である。図4に
おいて、液晶分子の基板界面部のチルト角と非界面部の
チルト角は一様である。これは、図2のように液晶層に
ら旋構造を有する場合においても同様である。
【0016】図5に従来型液晶表示装置の電界無印加状
態の模式平面図を示す。図5において上基板ラビング方
向10と下基板ラビング方向11及び、液晶層に添加さ
れる旋光性物資のカイラル剤により、ツイスト方向とそ
のツイスト角12の大きさが制御できる。これにより液
晶層にら旋構造が生じる。
態の模式平面図を示す。図5において上基板ラビング方
向10と下基板ラビング方向11及び、液晶層に添加さ
れる旋光性物資のカイラル剤により、ツイスト方向とそ
のツイスト角12の大きさが制御できる。これにより液
晶層にら旋構造が生じる。
【0017】次に電界印加時の従来型液晶表示装置の液
晶分子の配向状態を説明する。基板に形成した電極間に
電界を印加し、その電界を徐々に大きくすると、液晶分
子は電界がある値以上になると配向状態が変化し始め
る。即ち、前記のら旋構造は減衰し、かつ、前記チルト
角も変化し、基板界面付近のチルト角と非界面部のチル
ト角が異なる配向になる。これをしきい値と云い、この
しきい値より十分大きい電界印加時の液晶分子の配向状
態は、図3に示すように基板界面付近を除き、電界の方
向に対してほゞ平行、即ち、電極基板に対して垂直な配
向となる。
晶分子の配向状態を説明する。基板に形成した電極間に
電界を印加し、その電界を徐々に大きくすると、液晶分
子は電界がある値以上になると配向状態が変化し始め
る。即ち、前記のら旋構造は減衰し、かつ、前記チルト
角も変化し、基板界面付近のチルト角と非界面部のチル
ト角が異なる配向になる。これをしきい値と云い、この
しきい値より十分大きい電界印加時の液晶分子の配向状
態は、図3に示すように基板界面付近を除き、電界の方
向に対してほゞ平行、即ち、電極基板に対して垂直な配
向となる。
【0018】図6に電極基板間でのチルト角の分布を示
す。電界無印加状態のチルト角は、直線14で示すよう
に基板界面部及び非界面部において等しく10度であ
る。
す。電界無印加状態のチルト角は、直線14で示すよう
に基板界面部及び非界面部において等しく10度であ
る。
【0019】一方、電界印加状態のチルト角は曲線13
で示すように変化し、基板界面部では10度であるが、
非界面部、特に基板間の中央部では90度となる。
で示すように変化し、基板界面部では10度であるが、
非界面部、特に基板間の中央部では90度となる。
【0020】上記のように従来型液晶表示装置では、電
界印加により液晶層のねじれ構造が減衰し、液晶分子が
基板に対して垂直配向となるため応答速度が遅かった。
界印加により液晶層のねじれ構造が減衰し、液晶分子が
基板に対して垂直配向となるため応答速度が遅かった。
【0021】図1は本発明の電界無印加状態の液晶分子
の配向を示す模式断面図である。図1において、基板界
面のチルト角は従来型液晶表示装置と同様であるが、基
板間(液晶層)のほゞ中央部のチルト角は基板面に対し
て垂直である。
の配向を示す模式断面図である。図1において、基板界
面のチルト角は従来型液晶表示装置と同様であるが、基
板間(液晶層)のほゞ中央部のチルト角は基板面に対し
て垂直である。
【0022】既述のように、従来の液晶表示装置の電界
無印加状態のチルト角は基板間で一定であったが、本発
明の液晶表示装置は、図9の模式図に示すように、液晶
分子のチルト角が界面部と非界面部では異なる。
無印加状態のチルト角は基板間で一定であったが、本発
明の液晶表示装置は、図9の模式図に示すように、液晶
分子のチルト角が界面部と非界面部では異なる。
【0023】図7に本発明の液晶表示装置の電極基板間
での液晶分子のチルト角分布を示す。図7の曲線14で
示すように電界無印加状態のチルト角の絶対値は、上下
基板界面付近では10度であるが、基板間の中央部付近
では90度となる。この場合の液晶層のねじれ構造は基
板間中央部では解消されている。
での液晶分子のチルト角分布を示す。図7の曲線14で
示すように電界無印加状態のチルト角の絶対値は、上下
基板界面付近では10度であるが、基板間の中央部付近
では90度となる。この場合の液晶層のねじれ構造は基
板間中央部では解消されている。
【0024】図8は電界印加状態の液晶分子の配向状態
の模式断面図である。ねじれ構造は基板界面部を除きほ
ぼ解消され、液晶分子は基板面に対して垂直配向とな
り、チルト角は図7に示すような分布となる。曲線13
で示すように電界印加状態のチルト角の絶対値は上下基
板界面付近を除き、基板間でほぼ90度となる。
の模式断面図である。ねじれ構造は基板界面部を除きほ
ぼ解消され、液晶分子は基板面に対して垂直配向とな
り、チルト角は図7に示すような分布となる。曲線13
で示すように電界印加状態のチルト角の絶対値は上下基
板界面付近を除き、基板間でほぼ90度となる。
【0025】このように本発明の液晶表示装置において
は、電界無印加状態では液晶分子の基板間の中央部付近
でほゞ垂直配向し、かつ、ねじれ構造が減衰しているた
めに、電界印加時に液晶分子は速やかに応答し、応答速
度を飛躍的に高めることができる。
は、電界無印加状態では液晶分子の基板間の中央部付近
でほゞ垂直配向し、かつ、ねじれ構造が減衰しているた
めに、電界印加時に液晶分子は速やかに応答し、応答速
度を飛躍的に高めることができる。
【0026】電界無印加状態で基板間のチルト角分布が
一様でない配向、いわゆる上下基板で液晶分子の傾斜が
対称となる逆チルトの配向は、上下基板のラビング方向
と液晶層に添加するカイラル剤の種類を変えることによ
りで実現できる。
一様でない配向、いわゆる上下基板で液晶分子の傾斜が
対称となる逆チルトの配向は、上下基板のラビング方向
と液晶層に添加するカイラル剤の種類を変えることによ
りで実現できる。
【0027】図5に示すラビング方向の場合、左ねじり
のカイラル剤を添加することにより、基板間で一様なチ
ルト角を生じる。これに対して、このラビング状態で右
ねじりのカイラル剤を添加すると、図1に示すようなチ
ルト角が基板界面と非界面部とで異なった配向にするこ
とができる。
のカイラル剤を添加することにより、基板間で一様なチ
ルト角を生じる。これに対して、このラビング状態で右
ねじりのカイラル剤を添加すると、図1に示すようなチ
ルト角が基板界面と非界面部とで異なった配向にするこ
とができる。
【0028】この配向はチルト角の大きさが10度以上
の時実現できる。また10度以上のチルト角を得るため
には、電極基板面にポリイミド、ポリアミドあるいはポ
リフェニレンなどの有機薄膜をスピンナーあるいは印刷
により塗布後、ラビングを行うことにより可能である。
ラビングは、布を巻きつけた円筒径の回転体を用いて回
転数100〜3000rpm、移動速度0.2〜2m/
分でラビングすることによって液晶分子を配向させるこ
とができる。また、電極基板面に酸化シリコン(SiO
2)を斜め蒸着することによっても可能である。なお、
チルト角は、結晶回転法、静電容量の電界依存性、レー
ザー光の表面全反射法等により測定可能である。
の時実現できる。また10度以上のチルト角を得るため
には、電極基板面にポリイミド、ポリアミドあるいはポ
リフェニレンなどの有機薄膜をスピンナーあるいは印刷
により塗布後、ラビングを行うことにより可能である。
ラビングは、布を巻きつけた円筒径の回転体を用いて回
転数100〜3000rpm、移動速度0.2〜2m/
分でラビングすることによって液晶分子を配向させるこ
とができる。また、電極基板面に酸化シリコン(SiO
2)を斜め蒸着することによっても可能である。なお、
チルト角は、結晶回転法、静電容量の電界依存性、レー
ザー光の表面全反射法等により測定可能である。
【0029】また、この配向は、液晶層の厚さdと液晶
層のら旋のピッチpの比d/pを0.2〜0.6に設定す
ることによっても実現可能である。さらに液晶材料のス
プレイ変形の弾性定数K1とツイスト変形の弾性定数K
2との比K1/K2を1〜2に設定することによっても
実現可能である。
層のら旋のピッチpの比d/pを0.2〜0.6に設定す
ることによっても実現可能である。さらに液晶材料のス
プレイ変形の弾性定数K1とツイスト変形の弾性定数K
2との比K1/K2を1〜2に設定することによっても
実現可能である。
【0030】このような高速応答が可能な液晶表示装置
のコントラスト比〔白表示と黒表示の明るさ(輝度)の
比〕は、ツイスト角の大きさと、液晶層のΔn・dを次
の範囲に設定することにより向上できる。即ち、ツイス
ト角は90〜360度、特に90度の整数倍である、9
0度、180度、270度、360度が好ましい。ま
た、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnの積Δ
n・dは、ツイスト角270度の時、0.4〜0.55μ
m、180度の時、0.2〜0.35μmが好ましい。
のコントラスト比〔白表示と黒表示の明るさ(輝度)の
比〕は、ツイスト角の大きさと、液晶層のΔn・dを次
の範囲に設定することにより向上できる。即ち、ツイス
ト角は90〜360度、特に90度の整数倍である、9
0度、180度、270度、360度が好ましい。ま
た、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnの積Δ
n・dは、ツイスト角270度の時、0.4〜0.55μ
m、180度の時、0.2〜0.35μmが好ましい。
【0031】さらにコントラスト比は、電界印加状態で
の液晶層の界面残留位相差と等しいかまたは近接した位
相差を持つ複屈折媒体2を配置することにより向上でき
る。該複屈折媒体の位相差は0.03〜0.25μmが好
ましい。複屈折媒体の設置位置は、図1において液晶層
4と偏光板1(または6)との間であればよい。特に、
基板間に配置した場合、多重反射による透過率の減衰が
減り、明るさも向上することができる。
の液晶層の界面残留位相差と等しいかまたは近接した位
相差を持つ複屈折媒体2を配置することにより向上でき
る。該複屈折媒体の位相差は0.03〜0.25μmが好
ましい。複屈折媒体の設置位置は、図1において液晶層
4と偏光板1(または6)との間であればよい。特に、
基板間に配置した場合、多重反射による透過率の減衰が
減り、明るさも向上することができる。
【0032】本発明の表示装置においては、光源7とし
て冷陰極管、熱陰極管やエレクトロルミネッセントを用
いたもの、または外光を利用した反射型のものを適用す
ることができる。
て冷陰極管、熱陰極管やエレクトロルミネッセントを用
いたもの、または外光を利用した反射型のものを適用す
ることができる。
【0033】
【作用】本発明の液晶表示装置が、コントラストが高
く、応答速度の速い理由は、電界無印加状態で、液晶層
の基板界面部のチルト角と非界面部のチルト角が異な
り、基板中央部の液晶分子がほゞ垂直に配向し、かつ、
ねじれ構造が減衰しているためである。
く、応答速度の速い理由は、電界無印加状態で、液晶層
の基板界面部のチルト角と非界面部のチルト角が異な
り、基板中央部の液晶分子がほゞ垂直に配向し、かつ、
ねじれ構造が減衰しているためである。
【0034】
【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【0035】〔実施例 1〕図1は本発明の液晶表示装
置の構成の一実施例を示す模式断面図である。本実施例
では、電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネ
マチック液晶を用いて時分割駆動を行った例で説明す
る。
置の構成の一実施例を示す模式断面図である。本実施例
では、電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネ
マチック液晶を用いて時分割駆動を行った例で説明す
る。
【0036】液晶分子4のツイスト方向とツイスト角1
2は、上側電極基板3のラビング方向10と下側電極基
板5のラビング方向11、及びネマチック液晶に添加さ
れる旋光性物質の種類と添加量によって規定される。
2は、上側電極基板3のラビング方向10と下側電極基
板5のラビング方向11、及びネマチック液晶に添加さ
れる旋光性物質の種類と添加量によって規定される。
【0037】ツイスト角は上下基板間で180度とし
た。また、このツイスト角を実現するためには、基板界
面での液晶分子のチルト角を10度以上とする必要があ
る。
た。また、このツイスト角を実現するためには、基板界
面での液晶分子のチルト角を10度以上とする必要があ
る。
【0038】本実施例ではポリイミド配向膜として日産
化学社製のRN422を基板にスピンナーで塗布後、弱
ラビングを施すことにより、チルト角を10度とした。
また、SiO2を斜方蒸着してチルト角25度としても
よい。
化学社製のRN422を基板にスピンナーで塗布後、弱
ラビングを施すことにより、チルト角を10度とした。
また、SiO2を斜方蒸着してチルト角25度としても
よい。
【0039】液晶材料はチッソ社のネマチック液晶HA
4043(△n=0.08)を用い、さらに式〔1〕,
〔2〕に示す液晶材料をそれぞれ1重量%添加した。な
お、旋光性物質としてメルク社製のS811を0.5重
量%添加した。
4043(△n=0.08)を用い、さらに式〔1〕,
〔2〕に示す液晶材料をそれぞれ1重量%添加した。な
お、旋光性物質としてメルク社製のS811を0.5重
量%添加した。
【0040】
【化1】
【0041】液晶層の厚さは3.5μmとし、該液晶層
の厚さd(μm)と上記屈折率異方性Δnの積Δn・d
は0.275μmとした。
の厚さd(μm)と上記屈折率異方性Δnの積Δn・d
は0.275μmとした。
【0042】図10に本実施例のラビング方向及び偏光
板吸収軸の方向を示す。偏光板としては、日東電工製G
1220DU(偏光度99.95%)を用い、下側偏光
板6の吸収軸(偏光軸)16と下側電極基板5の下側ラ
ビング方向11とのなす角は、コントラスト比,明る
さ,色等を考慮すると30〜60度または120〜15
0度の範囲が望ましく、本実施例では135度とした。
また、下側偏光板6の吸収軸16と上側偏光板1の吸収
軸15との交差角度はほゞ90度とした。
板吸収軸の方向を示す。偏光板としては、日東電工製G
1220DU(偏光度99.95%)を用い、下側偏光
板6の吸収軸(偏光軸)16と下側電極基板5の下側ラ
ビング方向11とのなす角は、コントラスト比,明る
さ,色等を考慮すると30〜60度または120〜15
0度の範囲が望ましく、本実施例では135度とした。
また、下側偏光板6の吸収軸16と上側偏光板1の吸収
軸15との交差角度はほゞ90度とした。
【0043】これによって、時分割数200を想定した
表示装置のコントラスト比は20:1、応答速度は従来
の200msから40msに向上した。なお、液晶層の
ツイスト角は90〜270度の範囲であれば同様の効果
を示す。
表示装置のコントラスト比は20:1、応答速度は従来
の200msから40msに向上した。なお、液晶層の
ツイスト角は90〜270度の範囲であれば同様の効果
を示す。
【0044】本実施例では、光源として冷陰極管を用い
たが、光源を用いずに反射板を用いた外光利用型でも同
様の効果が得られる。特に、反射型の場合には、光透過
率の高い偏光板、例えば、透過率40%以上、偏光度9
5%以下(日東電工製のNPF−F1225DU;透過
率45%)を用いれば、コントラスト比を低下すること
なく、明るさを向上することができる。また、カラーフ
ィルターを具備することにより、カラー表示も可能であ
る。
たが、光源を用いずに反射板を用いた外光利用型でも同
様の効果が得られる。特に、反射型の場合には、光透過
率の高い偏光板、例えば、透過率40%以上、偏光度9
5%以下(日東電工製のNPF−F1225DU;透過
率45%)を用いれば、コントラスト比を低下すること
なく、明るさを向上することができる。また、カラーフ
ィルターを具備することにより、カラー表示も可能であ
る。
【0045】〔比較例 1〕実施例1と同じ構成で、液
晶材料をメルク社製のZLI−4455(△=0.1
2)を用い、旋光性物質(メルク社製:S811)を
0.8重量%添加し、図10の上側基板のラビング方向
10を下側基板のラビング方向と同じとした。
晶材料をメルク社製のZLI−4455(△=0.1
2)を用い、旋光性物質(メルク社製:S811)を
0.8重量%添加し、図10の上側基板のラビング方向
10を下側基板のラビング方向と同じとした。
【0046】これによりチルト角は基板間で一様とな
り、コントラスト比は5:1で、白表示が黄に着色し
た。また、応答速度は200msで動画表示はできなか
った。
り、コントラスト比は5:1で、白表示が黄に着色し
た。また、応答速度は200msで動画表示はできなか
った。
【0047】〔実施例 2〕実施例1と同じ構成で、上
側偏光板1と上側電極基板3との間に複屈折媒体として
厚さ50μm、屈折率の異方性Δnが0.0014で位
相差0.07μmのトリアセチルセルロース(TAC)
フィルムを一枚配置した。この時、上側基板のラビング
軸10と前記フィルムの光軸のなす角度はほゞ直交とす
る。該フィルムの配置する位置は基板5と液晶層4の
間、あるいは基板3と液晶層4の間に配置してもよい。
さらに該フィルムは基板3あるいは5と偏光板1あるい
は6の間に各一枚、あるいは各二枚ずつ配置してもよ
い。
側偏光板1と上側電極基板3との間に複屈折媒体として
厚さ50μm、屈折率の異方性Δnが0.0014で位
相差0.07μmのトリアセチルセルロース(TAC)
フィルムを一枚配置した。この時、上側基板のラビング
軸10と前記フィルムの光軸のなす角度はほゞ直交とす
る。該フィルムの配置する位置は基板5と液晶層4の
間、あるいは基板3と液晶層4の間に配置してもよい。
さらに該フィルムは基板3あるいは5と偏光板1あるい
は6の間に各一枚、あるいは各二枚ずつ配置してもよ
い。
【0048】該複屈折媒体である有機高分子フィルムと
しては、ポリカーボネート(PC)、ポリビニルアルコ
ール(PVA)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)等の透明な複屈折
性プラスチック延伸フィルムを用いることができる。
しては、ポリカーボネート(PC)、ポリビニルアルコ
ール(PVA)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)等の透明な複屈折
性プラスチック延伸フィルムを用いることができる。
【0049】以上の条件において、黒表示透過率は実施
例1の場合の1%から0.5%に低下し、コントラスト
比は20:1から40:1に向上した。
例1の場合の1%から0.5%に低下し、コントラスト
比は20:1から40:1に向上した。
【0050】〔実施例 3〕実施例1と同じ構成で、ツ
イスト角を270度、下側偏光板6の吸収軸(偏光軸)
16と下側電極基板5の下側ラビング軸11とのなす角
を0度にした。さらに液晶材料をメルク社製のZLI−
4455(△=0.12)を用い、旋光性物質(メルク
社製:S811)を0.4重量%添加し、セル厚は3.8
μmとした。これによって、コントラスト比30:1、
応答速度50msを得た。
イスト角を270度、下側偏光板6の吸収軸(偏光軸)
16と下側電極基板5の下側ラビング軸11とのなす角
を0度にした。さらに液晶材料をメルク社製のZLI−
4455(△=0.12)を用い、旋光性物質(メルク
社製:S811)を0.4重量%添加し、セル厚は3.8
μmとした。これによって、コントラスト比30:1、
応答速度50msを得た。
【0051】〔実施例 4〕実施例3と同じ構成で、配
向膜としてチッソ社製PSI−A−2301−HS1を
用い、ソフトラビングすることによりチルト角を15度
とし、コントラスト比30:1、応答速度40msを得
た。
向膜としてチッソ社製PSI−A−2301−HS1を
用い、ソフトラビングすることによりチルト角を15度
とし、コントラスト比30:1、応答速度40msを得
た。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、高コントラスト比で応
答速度が速いため動画表示、あるいはマウスを用いる液
晶表示装置を提供することができる。
答速度が速いため動画表示、あるいはマウスを用いる液
晶表示装置を提供することができる。
【図1】本発明の液晶表示装置の模式断面図である。
【図2】電界無印加時における従来の液晶表示装置の分
子配向状態を示す模式図である。
子配向状態を示す模式図である。
【図3】電界印加時における従来の液晶表示装置の分子
配向状態を示す模式図である。
配向状態を示す模式図である。
【図4】電界無印加時における従来の液晶分子のチルト
角を示す模式図である。
角を示す模式図である。
【図5】従来の液晶表示装置のラビング方向を示す模式
平面図である。
平面図である。
【図6】従来の液晶表示装置のセル内のチルト角分布を
示す図である。
示す図である。
【図7】本発明の液晶表示装置のセル内のチルト角分布
を示す図である。
を示す図である。
【図8】本発明の液晶表示装置の電界印加時における分
子配向状態を示す模式図である。
子配向状態を示す模式図である。
【図9】本発明の電界無印加時における液晶分子のチル
ト角を示す模式図である。
ト角を示す模式図である。
【図10】本発明の液晶表示装置のラビング方向と偏光
板吸収軸方向を示す模式平面図である。
板吸収軸方向を示す模式平面図である。
1…上側偏光板、2…複屈折媒体、3…上側電極基板、
4…液晶分子、5…下側電極基板、6…下側偏光板、7
…反射板(または光源)、8…チルト角、9…電界印加
装置、10…上基板ラビング方向、11…下基板ラビン
グ方向、12…ツイスト角、13…電界印加時の傾斜角
分布、14…電界無印加時の傾斜角分布、15…上側偏
光板吸収軸方向、16…下側偏光板吸収軸方向。
4…液晶分子、5…下側電極基板、6…下側偏光板、7
…反射板(または光源)、8…チルト角、9…電界印加
装置、10…上基板ラビング方向、11…下基板ラビン
グ方向、12…ツイスト角、13…電界印加時の傾斜角
分布、14…電界無印加時の傾斜角分布、15…上側偏
光板吸収軸方向、16…下側偏光板吸収軸方向。
Claims (14)
- 【請求項1】 電極を有し対向配置された少なくとも一
方が透明な一対の基板、該基板間に挾持され厚さ方向を
軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層、該ネマチ
ック液晶層を挾んで設けられた一対の偏光板、該電極間
に電界を印加して前記液晶層の透過光量を変化させる制
御手段を備えた液晶表示装置であって、電界無印加状態
で前記ネマチック液晶層の基板との界面部の液晶分子の
基板面に対する傾斜角と非界面部の液晶分子の傾斜角が
異なることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記基板間のネマチック液晶層のほゞ中
央部の液晶分子の基板面に対する傾斜角がほゞ90度で
ある請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記ネマチック液晶層の基板との界面部
の液晶分子の基板面に対する傾斜角が10度以上である
請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記ネマチック液晶層の基板との界面部
の液晶分子の基板面に対する傾斜角が10〜20度であ
る請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記液晶層に、前記ら旋構造によって生
じる自発的なねじれ方向と逆方向のねじれ特性を有する
旋光性物質が添加されている請求項1〜4のいずれかに
記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記ネマチック液晶層の厚さd(μm)
と、該液晶層のら旋のピッチp(μm)の比d/pが
0.2〜0.8である請求項1〜5のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項7】 前記ネマチック液晶層のスプレイ変形の
弾性定数K1とツイスト変形の弾性定数K2の比K1/
K2が1〜2である請求項1〜6のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項8】 前記ネマチック液晶層の上下基板間での
ねじれ角が90〜360度で、かつ、該液晶の屈折率異
方性Δnが0.02〜0.2であり、該液晶層の厚さd
(μm)と上記屈折率異方性Δnの積Δn・dが0.2
〜1.5μmである請求項1〜7のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項9】 前記ネマチック液晶層のねじれ角が90
度の整数倍である請求項8に記載の液晶表示装置。 - 【請求項10】 電極を有し対向配置された少なくとも
一方が透明な一対の基板、該基板間に挾持され厚さ方向
を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層、該ネマ
チック液晶層を挾んで設けられた一対の偏光板、該電極
間に電界を印加して前記液晶層の透過光量を変化させる
制御手段を備えた液晶表示装置であって、電界無印加状
態で前記ネマチック液晶層のねじれ角が上下基板間で1
70〜210度、前記液晶層の厚さd(μm)と該液晶
層のら旋のピッチp(μm)の比d/pが0.2〜0.4
であり、かつ、前記液晶層の基板界面部の液晶分子の基
板面に対する傾斜角が10度以上であることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項11】 電極を有し対向配置された少なくとも
一方が透明な一対の基板、該基板間に挾持され厚さ方向
を軸とするら旋構造を有するネマチック液晶層、該ネマ
チック液晶層を挾んで設けられた一対の偏光板、該電極
間に電界を印加して前記液晶層の透過光量を変化させる
制御手段を備えた液晶表示装置であって、電界無印加状
態で前記ネマチック液晶層のねじれ角が上下基板間で2
60〜270度、前記液晶層の厚さd(μm)と該液晶
層のら旋のピッチp(μm)の比d/pが0.2〜0.
7、前記液晶層の基板界面部の液晶分子の基板面に対す
る傾斜角が10〜15度、かつ、前記液晶層のスプレイ
変形の弾性定数K1とツイスト変形の弾性定数K2の比
K1/K2が1〜2であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項12】 前記ネマチック液晶層を挾持する基板
間に電界が印加された状態で、該液晶層の前記界面部の
残留位相差と等しいか、または、近接する位相差を有す
る複屈折媒体を、前記偏光板の少なくとも一方と液晶層
との間に配置し、かつ、その複屈折媒体の遅相軸が前記
ネマチック液晶層の残留位相差を補償し得る角度に設定
した請求項1〜11のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項13】 前記複屈折媒体の位相差が0.03〜
0.25μmである請求項請求項1〜11のいずれかに
記載の液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記基板の液晶と接する面に70〜9
0度の角度でSiO2の斜め蒸着された配向膜が形成さ
れている請求項請求項1〜11のいずれかに記載の液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7181393A JPH06281965A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7181393A JPH06281965A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06281965A true JPH06281965A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13471384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7181393A Pending JPH06281965A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06281965A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003066491A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
US7697096B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and panel therefor |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7181393A patent/JPH06281965A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003066491A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
US7697096B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and panel therefor |
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