JP2002131751A - Composition for liquid crystal aligning film, liquid crystal aligning film, liquid crystal holding substrate, liquid crystal display and horizontal electric field liquid crystal display - Google Patents

Composition for liquid crystal aligning film, liquid crystal aligning film, liquid crystal holding substrate, liquid crystal display and horizontal electric field liquid crystal display

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JP2002131751A
JP2002131751A JP2000324852A JP2000324852A JP2002131751A JP 2002131751 A JP2002131751 A JP 2002131751A JP 2000324852 A JP2000324852 A JP 2000324852A JP 2000324852 A JP2000324852 A JP 2000324852A JP 2002131751 A JP2002131751 A JP 2002131751A
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JP
Japan
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liquid crystal
rubbing
composition
alignment film
crystal alignment
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Application number
JP2000324852A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Kanetani
雄一 金谷
Naoki Okuda
直紀 奥田
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HD MicroSystems Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for a liquid crystal aligning film which ensures good aligning function independently of rubbing conditions, a liquid crystal aligning film using the composition and giving an image of high image quality, liquid crystal holding substrates, a liquid crystal display and a horizontal electric field liquid crystal display. SOLUTION: The composition contains a polyimide having repeating units of formula (I) (where W is a tetravalent organic group and R is a divalent organic group) or its precursor. At least part of the repeating units have a specified divalent organic group as the symbol R. The liquid crystal aligning film is obtained by rubbing a polyimide film formed from the composition. Each of the liquid crystal holding substrates has the liquid crystal aligning film. Each of the liquid crystal display and the horizontal electric field liquid crystal display has the liquid crystal holding substrates.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の配向を制御
する液晶配向膜用組成物、液晶配向膜、液晶挟持基板、
液晶表示装置及び横電界液晶表示装置に関する。
The present invention relates to a composition for a liquid crystal alignment film for controlling the alignment of a liquid crystal, a liquid crystal alignment film, a liquid crystal sandwiching substrate,
The present invention relates to a liquid crystal display and a lateral electric field liquid crystal display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶表示装置では、対向するそれ
ぞれの基板にITO(インジウム錫酸化物)などからな
る透明電極を用いて、ツイスティドネマチック表示方式
に代表される表示方式を採用している。この透明電極上
には、液晶配向膜が設けられ、ポリイミド系液晶配向膜
(特開昭55-10180号公報、特開昭63-259515号公報等参
照)が使用されている。これらは、基板上に塗布したも
のを180〜350℃の範囲で乾燥、脱水閉環させてポ
リイミド膜を形成し、ラビング処理を行うことによって
得られる。
2. Description of the Related Art A conventional liquid crystal display device employs a display system typified by a twisted nematic display system by using a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide) or the like for each opposing substrate. . A liquid crystal alignment film is provided on the transparent electrode, and a polyimide-based liquid crystal alignment film (see JP-A-55-10180, JP-A-63-259515, etc.) is used. These are obtained by drying and dehydrating and ring-closing the material applied on the substrate in the range of 180 to 350 ° C. to form a polyimide film, and performing a rubbing treatment.

【0003】液晶ディスプレイ(LCD)は薄型低消費
電力のディスプレイとして、広く用いられており、その
主力はネマチック液晶を用いたツイスティドネマチック
方式(TN方式)であるが、視野角依存性が課題として
挙げられる。この課題を改善する手段として、一方の基
板に櫛歯電極を設け、基板に対して平行な横電界を印加
し表示駆動を行うインプレーンスイッチング方式(IP
S方式)の液晶表示装置(特開平6-160878号公報参照)
が提案されている。これらの液晶表示装置がさらに汎用
化していくためには、さらに高画質の画像を表示するこ
とが求められている。
[0003] Liquid crystal displays (LCDs) are widely used as thin and low power consumption displays, the main one of which is the twisted nematic system (TN system) using nematic liquid crystal. No. As means for solving this problem, an in-plane switching method (IP) in which a comb-shaped electrode is provided on one substrate and a display is driven by applying a horizontal electric field parallel to the substrate.
S type) liquid crystal display device (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-160878)
Has been proposed. In order for these liquid crystal display devices to become more general-purpose, it is required to display images of higher quality.

【0004】このIPS方式では櫛歯電極及び薄膜トラ
ンジスタ(TFT)の段差の影響でラビングが充分にか
からず、その部分で配向不良を発生する場合があり、ラ
ビング条件によらず良好な配向性を示す液晶配向膜材料
が切望されていた。また紫外光、レーザー光等を用いた
光液晶配向膜材料(例えば、M.Schadtら、Japanese Jour
nal of Applied Physics,31,P.2155(1992)、特開平5-34
699号公報、特開平6-281937号公報、特開平11-14995号
公報等参照)も提案されているが、紫外光やレーザー光
を使用すると膜表面の劣化も進行し、電圧保持率の低下
や残像特性の悪化等の課題が発生する。そのために光液
晶配向膜材料の実用化は困難である。
In the IPS method, rubbing is not sufficiently performed due to the influence of the step between the comb-teeth electrode and the thin film transistor (TFT), and an alignment defect may occur at that portion. The liquid crystal alignment film material shown has been eagerly desired. In addition, a photo-liquid crystal alignment film material using ultraviolet light, laser light or the like (for example, M. Schadt et al., Japanese Journal
nal of Applied Physics, 31, P.2155 (1992), JP-A-5-34
699, JP-A-6-281937, JP-A-11-14995, etc.) have also been proposed, but when ultraviolet light or laser light is used, the deterioration of the film surface progresses and the voltage holding ratio decreases. And problems such as deterioration of the afterimage characteristics occur. Therefore, it is difficult to put the photo-liquid crystal alignment film material into practical use.

【0005】本発明の目的は、従来技術の欠点を解決
し、ラビング条件によらず良好な配向機能が得られる液
晶配向膜用組成物を提供することにある。また本発明の
第2の目的は、前記液晶配向膜用組成物を用い、高画質
の画像を示す液晶配向膜、液晶挟持基板、液晶挟持装置
及び横電界液晶表示装置を提供するものである。
An object of the present invention is to solve the drawbacks of the prior art and to provide a composition for a liquid crystal alignment film capable of obtaining a good alignment function regardless of rubbing conditions. Further, a second object of the present invention is to provide a liquid crystal alignment film, a liquid crystal holding substrate, a liquid crystal holding device, and a horizontal electric field liquid crystal display device which use the composition for a liquid crystal alignment film and show a high-quality image.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、 一般式
(I)
The present invention provides a compound represented by the general formula (I):

【化4】 (式中、Wは4価の有機基を有し、Rは2価の有機基を
示す)で表わされる繰り返し単位を有し、その繰り返し
単位の総数のうち少なくとも一部が、Rとして一般式
(II)
Embedded image (Wherein, W has a tetravalent organic group and R represents a divalent organic group), and at least a part of the total number of the repeating units is represented by the general formula (II)

【化5】 又は一般式(III)Embedded image Or general formula (III)

【化6】 (式中、R1、R2、R3及びR4は、相互独立に、水素原
子又は−(CH2)n−CH 3であり、nは0〜7の整数で
ある)で示される2価の有機基を有するポリイミド又は
その前駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物に関す
る。
Embedded image(Where R1, RTwo, RThreeAnd RFourAre independent of each other
Child or-(CHTwo)n-CH ThreeAnd n is an integer of 0 to 7
A) a polyimide having a divalent organic group represented by
A composition for a liquid crystal alignment film comprising the precursor
You.

【0007】また本発明は、繰り返し単位の総数のう
ち、少なくとも50モル%が、Rとして一般式(II)又
は一般式(III)で示されるジアミン残基を有するもの
である前記液晶配向膜用組成物に関する。また本発明
は、繰り返し単位の総数のうち少なくとも一部が、Wで
示される4価の有機基としてオキシジフタル酸二無水物
残基を有するものである前記液晶配向膜用組成物に関す
る。また本発明は、繰り返し単位の総数のうち、少なく
とも30モル%が、Wとしてオキシジフタル酸二無水物
残基を有するものである前記液晶配向膜用組成物に関す
る。
The present invention also relates to the liquid crystal alignment film, wherein at least 50 mol% of the total number of the repeating units has a diamine residue represented by the general formula (II) or (III) as R. Composition. The present invention also relates to the composition for a liquid crystal alignment film, wherein at least a part of the total number of the repeating units has an oxydiphthalic dianhydride residue as a tetravalent organic group represented by W. The present invention also relates to the composition for a liquid crystal alignment film, wherein at least 30 mol% of the total number of the repeating units has an oxydiphthalic dianhydride residue as W.

【0008】また本発明は、前記の何れかに記載の液晶
配向膜用組成物から形成されるポリイミド膜を、ラビン
グ処理して得られる液晶配向膜に関する。また本発明
は、プレチルト角が2度以下である前記液晶配向膜に関
する。
The present invention also relates to a liquid crystal alignment film obtained by rubbing a polyimide film formed from any one of the above-mentioned compositions for a liquid crystal alignment film. The present invention also relates to the liquid crystal alignment film having a pretilt angle of 2 degrees or less.

【0009】また本発明は、前記の液晶配向膜を有して
なる液晶挟持基板に関する。また本発明は、前記液晶挟
持基板を有してなる液晶表示装置に関する。さらに本発
明は、前記液晶挟持基板を有してなる横電界液晶表示装
置に関する。
Further, the present invention relates to a liquid crystal sandwiching substrate having the above-mentioned liquid crystal alignment film. Further, the present invention relates to a liquid crystal display device having the liquid crystal sandwiching substrate. Further, the present invention relates to a horizontal electric field liquid crystal display device having the liquid crystal sandwiching substrate.

【0010】[0010]

【発明の実態の形態】本発明の液晶配向膜用組成物は、
前記一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポリ
イミド又はその前駆体を含むものである。ここで、ポリ
イミド前駆体とは、閉環して前記一般式(I)で示され
る繰り返し単位を有するポリイミドになりうるものを指
し、一般に、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポ
リアミド酸アミド、それらの部分イミド化物、それらの
構造が混在するポリイミド前駆体等が挙げられる。中で
も、ポリアミド酸、その一部イミド化物、それらの混合
物が好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention comprises:
It contains a polyimide having a repeating unit represented by the general formula (I) or a precursor thereof. Here, the polyimide precursor refers to a material that can be closed to form a polyimide having the repeating unit represented by the general formula (I), and is generally a polyamic acid, a polyamic acid ester, a polyamic acid amide, or a partial imide thereof. And a polyimide precursor in which those structures are mixed. Among them, polyamic acid, a partially imidized product thereof, and a mixture thereof are preferable.

【0011】ポリイミド前駆体は、例えば、一般式
(I)におけるWで示される残基を与えるテトラカルボ
ン酸二無水物とRで示される残基を与えるジアミン化合
物を、好ましくは100℃以下、より好ましくは80℃
以下で反応させて得られる。この場合、主にポリアミド
酸からなるが、一部イミド化していてもよく、混合物で
あってもよい。ポリイミド及びポリイミド前駆体は液晶
配向膜用組成物の溶剤に可溶性であることが好ましい。
The polyimide precursor is prepared, for example, by mixing a tetracarboxylic dianhydride which gives a residue represented by W in the general formula (I) and a diamine compound which gives a residue represented by R, preferably at a temperature of 100 ° C. or lower. Preferably 80 ° C
It is obtained by reacting below. In this case, it is mainly composed of polyamic acid, but may be partially imidized or may be a mixture. The polyimide and the polyimide precursor are preferably soluble in the solvent of the composition for a liquid crystal alignment film.

【0012】本発明における組成物に用いられるポリイ
ミドは前記一般式(I)で示される繰り返し単位を有
し、そのポリイミド前駆体は、閉環により前記一般式
(I)で示される繰り返し単位となり得る繰り返し単位
を有する。一般式(I)において、Wで示される4価の
有機基は、一般に、原料として使用されるテトラカルボ
ン酸二無水物の、2つの酸無水物基(−CO−O−CO
−)を除いた残基であり、Rで示される2価の有機基
は、一般に、原料として使用されるジアミン化合物の2
つのアミノ基(−NH2)を除いた残基である。
The polyimide used in the composition of the present invention has a repeating unit represented by the above general formula (I), and the polyimide precursor is a repeating unit which can become a repeating unit represented by the above general formula (I) by ring closure. Has units. In the general formula (I), the tetravalent organic group represented by W is generally two acid anhydride groups (—CO—O—CO 2) of the tetracarboxylic dianhydride used as a raw material.
-), And the divalent organic group represented by R is generally a divalent compound of the diamine compound used as a raw material.
It is a residue excluding two amino groups (-NH2).

【0013】本発明における組成物に用いられるポリイ
ミド又はポリイミド前駆体は、前記一般式(II)又は
(III)に示す特定の残基を与える芳香族ジアミンを使
用しているため、液晶分子に対する相互作用が増加し、
配向性向上に良好な特性を示す。中でも、R1、R2、R
3及びR4のうち、少なくとも1つは−(CH2)n−CH3
であることが好ましい。
The polyimide or polyimide precursor used in the composition of the present invention uses an aromatic diamine which gives a specific residue represented by the above general formula (II) or (III). The effect increases,
It shows good characteristics for improving the orientation. Among them, R 1 , R 2 , R
At least one of R 3 and R 4 is — (CH 2 ) n —CH 3
It is preferable that

【0014】前記一般式(II)又は(III)に示す特定
の残基を与える芳香族ジアミンとしては、2,3,5,
6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン、2,
3,5,6−テトラエチル−1,4−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジメチル−1,4−フェニレンジアミン、
2,5,−ジメチル−1,3−フェニレンジアミン、
2,5,−ジエチル−1,4−フェニレンジアミン、
2,5−ジエチル−1,3−フェニレンジアミン、p−
フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,
4,6−トリメチル−1,3−フェニレンジアミン、
2,4,6−トリエチル−1,3−フェニレンジアミン
などが挙げられ、良好な配向性を得るためにはこれらを
繰り返し単位総数の50モル%以上使用することが好ま
しく、70モル%以上とすることがより好ましい。前記
割合は材料として使用される全ジアミンに対する前記ジ
アミンの配合割合を同様にすること等で調整できる。こ
れらのジアミンは、単独で又は2種以上を組み合わせて
用いられる。
As the aromatic diamine providing a specific residue represented by the general formula (II) or (III), 2,3,5,
6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,
3,5,6-tetraethyl-1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-1,4-phenylenediamine,
2,5, -dimethyl-1,3-phenylenediamine,
2,5, -diethyl-1,4-phenylenediamine,
2,5-diethyl-1,3-phenylenediamine, p-
Phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,
4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine,
2,4,6-triethyl-1,3-phenylenediamine and the like. In order to obtain good orientation, it is preferable to use 50 mol% or more of the total number of repeating units, and to make it 70 mol% or more. Is more preferable. The ratio can be adjusted by, for example, making the mixing ratio of the diamine to the total diamine used as the material the same. These diamines are used alone or in combination of two or more.

【0015】その他、一般式(I)におけるRで示され
る残基を与えるジアミン化合物としては、2,2′−ビ
ス(トリフルオロメチル)−ベンジジン、2,2′−ビ
ス(トリフルオロメトキシ)−ベンジジン、2−トリフ
ルオロメチル−ベンジジン、2−トリフルオロメトキシ
−ベンジジン、2,2′−ビス(ペンタフルオロエチ
ル)−ベンジジン、2,2′−ビス(ペンタフルオロエ
トキシ)−ベンジジン、2−ペンタフルオロエチル−ベ
ンジジン、2−ペンタフルオロエトキシ−ベンジジン、
2,2′−ビス(ヘプタフルオロプロパン)−ベンジジ
ン、2,2′−ビス(ヘプタフルオロプロキシ)−ベン
ジジン、2−ヘプタフルオロプロパン−ベンジジン、2
−ヘプタフルオロプロキシ−ベンジジン、2−ペンタフ
ルオロエトキシ−ベンジジン、2,2′−ビス(ヘプタ
デカフルオロオクタン)−ベンジジン、2,2′−ビス
(ヘプタデカフルオロオクタキシ)−ベンジジン、2−
ヘプタデカフルオロオクタン−ベンジジン、2−ヘプタ
デカフルオロオクタキシ−ベンジジン、2,2′−ジメ
チル−4,4′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホン、3,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、
4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4′−
ジアミノジフェニルスルフィド、3,3′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、ビス(4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル)スルフィド、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、2,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、2,4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、3,4′−ジアミノジフェニルメタン、
3,3′−ジアミノジフェニルメタン、2−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(3−アミノ
フェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス(4−アミノフェノキシ)ヘキサフルオロプロ
パン、1,6−ヘキサメチレンジアミン、1,8−オク
タメチレンジアミン、1,10−デカメチレンジアミ
ン、1,12−ドデカメチレンジアミン、アゼライン酸
ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、2,6−ナフ
トエ酸ジヒドラジド、2,4′−ジアミノ−3−メチル
−ステアリルフェニルエーテル、2,4′−ジアミノ−
3−メチル−ラウリルフェニルエーテル、2,4′−ジ
アミノ−3−メチル−パルミチルフェニルエーテル、
2,4′−ジアミノ−1−オクチルオキシベンゼン、
2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル)オクタン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル)トリデカン、2,2−ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)ペンタデカン、ビス
(4−(4−アミノベンゾイルオキシ)安息香酸)オク
タン、ビス(4−(4−アミノベンゾイルオキシ)安息
香酸)デカン、ビス(4−(4−アミノベンゾイルオキ
シ)安息香酸)ドデカン、ビス(4−(4−アミノベン
ゾイルオキシ)安息香酸)メチルシクロヘキサン、ビス
(4−(4−アミノベンゾイルオキシ)安息香酸)メタ
ン、ビス(4−(3−アミノベンゾイルオキシ)安息香
酸)ブタン、ジアミノシロキサン、1,3−ジ(3−ア
ミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロ
キサンなどが挙げられ、これらは、単独で又は2種以上
を組み合わせて用いられる。なかでも、プレチルト角を
低くし、コントラスト比を高くするためには、フッ素化
合物を有しないジアミンを使用することが好ましい。
Other diamine compounds which provide the residue represented by R in the general formula (I) include 2,2'-bis (trifluoromethyl) -benzidine and 2,2'-bis (trifluoromethoxy)- Benzidine, 2-trifluoromethyl-benzidine, 2-trifluoromethoxy-benzidine, 2,2'-bis (pentafluoroethyl) -benzidine, 2,2'-bis (pentafluoroethoxy) -benzidine, 2-pentafluoro Ethyl-benzidine, 2-pentafluoroethoxy-benzidine,
2,2'-bis (heptafluoropropane) -benzidine, 2,2'-bis (heptafluoroproxy) -benzidine, 2-heptafluoropropane-benzidine,
-Heptafluoroproxy-benzidine, 2-pentafluoroethoxy-benzidine, 2,2'-bis (heptadecafluorooctane) -benzidine, 2,2'-bis (heptadecafluorooctoxy) -benzidine, 2-
Heptadecafluorooctane-benzidine, 2-heptadecafluorooctoxy-benzidine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone,
4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-
Diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) ) Phenyl) sulfide, bis (4- (3-
Aminophenoxy) phenyl) sulfide, 4,4'-
Diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 2,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 2,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane,
3,3'-diaminodiphenylmethane, 2-bis (4-
(4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2
-Bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,
2-bis (4-aminophenoxy) hexafluoropropane, 1,6-hexamethylenediamine, 1,8-octamethylenediamine, 1,10-decamethylenediamine, 1,12-dodecamethylenediamine, azelaic dihydrazide, sebacin Acid dihydrazide, 2,6-naphthoic acid dihydrazide, 2,4'-diamino-3-methyl-stearylphenyl ether, 2,4'-diamino-
3-methyl-lauryl phenyl ether, 2,4'-diamino-3-methyl-palmityl phenyl ether,
2,4'-diamino-1-octyloxybenzene,
2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) octane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) tridecane, 2,2-bis (4- (4
-Aminophenoxy) phenyl) pentadecane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) octane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) decane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) ) Benzoic acid) dodecane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) methylcyclohexane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) methane, bis (4- (3-aminobenzoyloxy) (Benzoic acid) butane, diaminosiloxane, 1,3-di (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Can be In particular, to reduce the pretilt angle and increase the contrast ratio, it is preferable to use a diamine having no fluorine compound.

【0016】一方、前記一般式(I)におけるWで示さ
れる残基を与えるテトラカルボン酸二無水物としては、
オキシジフタル酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4
−ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−
ペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,
4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水
物、ビシクロ(2,2,2)オクタ−7−エン−2,
3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカ
ルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタ
レンコハク酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、オクチルコハク酸
二無水物、ドデシルコハク酸二無水物、オクチルマロン
酸二無水物、ジメチレンビストリメリテート酸二無水
物、トリメチレンビストリメリテート酸二無水物、テト
ラメチレンビストリメリテート酸二無水物、ペンタメチ
レンビストリメリテート酸二無水物、ヘキサメチレンビ
ストリメリテート酸二無水物、オクタメチレンビストリ
メリテート酸二無水物、デカメチレンビストリメリテー
ト酸二無水物、ドデカメチレンビストリメリテート酸二
無水物、ヘキサデカメチレンビストリメリテート酸二無
水物、メチレン−1,2−ビス(1,3−ジヒドロ−
1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフラニル)ジエーテ
ル、プロピレン−1,3−ビス(1,3−ジヒドロ−
1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフラニル)ジエーテ
ル、1,3−シクロヘキサンビストリメリテート酸二無
水物、1,4−シクロヘキサンビストリメリテート酸二
無水物、1,2−シクロヘキサンビストリメリテート酸
二無水物などが挙げられ、単独又は2種類以上を併用し
て使用することができる。
On the other hand, tetracarboxylic dianhydride which gives a residue represented by W in the above general formula (I) includes:
Oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4
-Butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-
Pentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-
Cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3
4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,
2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, bicyclo (2,2,2) oct-7-ene-2,
3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxylphenyl)
Hexafluoropropanoic dianhydride, octyl succinic dianhydride, dodecyl succinic dianhydride, octyl malonic dianhydride, dimethylene bis trimellitate dianhydride, trimethylene bis trimellitate dianhydride, tetra Methylene bis trimellitate dianhydride, pentamethylene bis trimellitate dianhydride, hexamethylene bis trimellitate dianhydride, octamethylene bis trimellitate dianhydride, decamethylene bis trimellitate dianhydride, dodeca Methylene bis trimellitate dianhydride, hexadecamethylene bis trimellitate dianhydride, methylene-1,2-bis (1,3-dihydro-
1,3-dioxo-5-isobenzofuranyl) diether, propylene-1,3-bis (1,3-dihydro-
(1,3-dioxo-5-isobenzofuranyl) diether, 1,3-cyclohexanebistrimellitate dianhydride, 1,4-cyclohexanebistrimellitate dianhydride, 1,2-cyclohexanebistrimellitate acid Examples thereof include dianhydrides, which can be used alone or in combination of two or more.

【0017】これらの中では、特にオキシジフタル酸二
無水物を使用すると、配向性及びプレチルト角の安定化
に対して効果がみられるので好ましい。オキシジフタル
酸二無水物に起因するWを有する繰り返し単位は、繰り
返し単位総数の少なくとも30モル%とすることが上記
効果の点で好ましい。この割合は原料として使用する全
カルボン酸二無水物の少なくとも30モル%をオキシジ
フタル酸二無水物とすることで調整できる。
Of these, the use of oxydiphthalic dianhydride is particularly preferred because it has an effect on stabilizing the orientation and the pretilt angle. From the viewpoint of the above effect, the content of the repeating unit having W derived from oxydiphthalic dianhydride is preferably at least 30 mol% of the total number of repeating units. This ratio can be adjusted by converting at least 30 mol% of the total carboxylic dianhydride used as a raw material to oxydiphthalic dianhydride.

【0018】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和と、酸二無水物のモル数の比を好ましく
は0.8〜1.2の範囲、より好ましくは1.0にして
反応させることができる。このときに用いることができ
る不活性溶媒としては、前記の単量体の全てを溶解する
必要はないが、生成するポリアミド酸を溶解するものが
好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−
カプロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホ
キシド、1,4−ジオキサン、シクロヘキサノンなどが
挙げられ、これらは2種以上を併用してもよい。
In the present invention, the ratio of the total number of moles of the diamine compound to the number of moles of the acid dianhydride is preferably in the range of 0.8 to 1.2, more preferably 1.0. Can be done. As the inert solvent that can be used at this time, it is not necessary to dissolve all of the above monomers, but one that dissolves the generated polyamic acid is preferable. For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N ,
N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, γ-
Examples thereof include caprolactone, γ-valerolactone, dimethyl sulfoxide, 1,4-dioxane, and cyclohexanone, and two or more of these may be used in combination.

【0019】本発明において、液晶配向膜用組成物(ワ
ニス)の固形分濃度は1〜20重量%とすることが好ま
しく、3〜15重量%とすることがより好ましい。濃度
が1重量%未満である場合には、塗布後の膜厚が薄くな
ってしまい、良好な膜が得られない場合があり、20重
量%を超える場合には、粘度が高くなってしまうため塗
布特性が劣るも傾向がある。
In the present invention, the solid content of the composition for liquid crystal alignment film (varnish) is preferably 1 to 20% by weight, more preferably 3 to 15% by weight. When the concentration is less than 1% by weight, the film thickness after application becomes thin, and a good film may not be obtained. When the concentration exceeds 20% by weight, the viscosity becomes high. Poor coating properties also tend to be inferior.

【0020】また、被印刷体への濡れ性を良くするため
の溶媒を、反応前又は反応終了後に添加することもでき
る。これらの溶媒としては例えば、エチルセロソロブ、
エチルセロソロブアセテート、ブチルセロソロブ、ブチ
ルセロソロブアセテート、キシレン、トルエン、1−エ
トキシ−2−アセトキシプロパン、ジイソブチルケト
ン、メチル−n−ヘキシルケトンなどが挙げられる。
Further, a solvent for improving the wettability to the printing medium can be added before or after the reaction. As these solvents, for example, ethyl cellosolob,
Ethyl cellosorb acetate, butyl cellosorb, butyl cellosorb acetate, xylene, toluene, 1-ethoxy-2-acetoxypropane, diisobutyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, and the like.

【0021】本発明においては、得られたポリイミド前
駆体を含む組成物をそのまま液晶配向膜用組成物として
用いることが好ましいが、必要に応じて、閉環反応させ
たポリイミドを含む組成物として用いることができる。
閉環反応は、(イ)ポリイミド前駆体を加熱する方法、
(ロ)ポリアミド酸等のポリイミド前駆体に脱水剤及び
脱水閉環触媒を添加して閉環反応させ、必要に応じてさ
らに加熱する方法などにより行われる。
In the present invention, the obtained composition containing the polyimide precursor is preferably used as it is as a composition for a liquid crystal alignment film, but if necessary, it may be used as a composition containing a ring-closed polyimide. Can be.
The ring closing reaction is performed by (a) a method of heating a polyimide precursor,
(Ii) A method in which a dehydrating agent and a dehydration ring-closing catalyst are added to a polyimide precursor such as polyamic acid to cause a ring-closing reaction, and if necessary, further heating is performed.

【0022】(イ)の加熱によって得る方法では、反応
温度を好ましくは130〜170℃とされる。反応温度
が100℃未満では脱水閉環反応が充分に進行せず、反
応温度が200℃を超えると熱イミド化と同時に分子量
の低下がみられる。(ロ)の方法において、脱水剤とし
ては、例えば無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフ
ルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。脱水
剤の使用量はポリアミド酸等のポリイミド前駆体の繰り
返し単位1モルに対して1〜20モルとするのが好まし
い。
In the method (a) obtained by heating, the reaction temperature is preferably from 130 to 170 ° C. When the reaction temperature is lower than 100 ° C., the dehydration ring-closing reaction does not sufficiently proceed, and when the reaction temperature exceeds 200 ° C., the thermal imidization and the decrease in molecular weight are observed at the same time. In the method (b), as the dehydrating agent, for example, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and trifluoroacetic anhydride can be used. The amount of the dehydrating agent used is preferably 1 to 20 mol per 1 mol of the repeating unit of the polyimide precursor such as polyamic acid.

【0023】また脱水閉環触媒としては、例えばピリジ
ン、トリエチルアミン、コリジン、ルチジンなどの3級
アミンを用いることができる。脱水閉環触媒の使用量と
しては、脱水剤1モルに対して0.5〜10モルとする
のが好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有機溶
媒としては、ポリアミド酸の合成に用いられる有機溶媒
を挙げることができる。
As the dehydration ring-closing catalyst, for example, tertiary amines such as pyridine, triethylamine, collidine and lutidine can be used. The amount of the dehydration ring-closing catalyst used is preferably 0.5 to 10 mol per 1 mol of the dehydrating agent. In addition, as an organic solvent used for the dehydration ring closure reaction, an organic solvent used for synthesizing a polyamic acid can be exemplified.

【0024】液晶配向膜としてのポリイミド膜形成方法
としては、スピン塗布法、浸漬法、印刷法、吹き付け法
などが挙げられるが、フォトリソグラフィー工程がなく
パターニング形成が容易な印刷法によるポリイミド膜形
成が好ましく、ワニスを保持しやすく被印刷体への転写
量も多いフレキソ印刷機による樹脂膜製造がさらに好ま
しい。このとき用いられる被印刷体としてはプラスチッ
ク基板、ガラス基板、シリコンウエハなどが挙げられ
る。
As a method of forming a polyimide film as a liquid crystal alignment film, a spin coating method, a dipping method, a printing method, a spraying method and the like can be mentioned. More preferably, the production of a resin film by a flexographic printing machine, which easily retains the varnish and transfers a large amount to a printing medium, is more preferable. The printing medium used at this time includes a plastic substrate, a glass substrate, a silicon wafer, and the like.

【0025】本発明の液晶配向膜用組成物は、ガラスと
の密着性を向上させるために、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加するこ
とができる。
The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention comprises a silane coupling agent for improving the adhesion to glass.
A coupling agent such as a titanium coupling agent can be added.

【0026】上記カップリング剤としては例えば、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポ
キシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、
γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキ
シシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−
アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルト
リメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシ
ラン、γ−アミノブチルトリブトキシシラン、などが挙
げられ、また上記チタンカップリング剤としては、例え
ば、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミ
ノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルト
リプロポキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシ
チタン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−ア
ミノエチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリ
プロポキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタ
ン、γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノ
ブチルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロ
ポキシチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタンな
どが挙げられる。これらは2種以上を併用してもよい。
このときの使用量は、樹脂100重量部に対して0.5
〜5重量部とすることが好ましい。
Examples of the coupling agent include γ-
Aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane,
γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltrimethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltributoxysilane, γ-
Aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, and the like, and examples of the titanium coupling agent include γ-aminopropyl Triethoxytitanium, γ-aminopropyltrimethoxytitanium, γ-aminopropyltripropoxytitanium, γ-aminopropyltributoxytitanium, γ-aminoethyltriethoxytitanium, γ-aminoethyltrimethoxytitanium, γ-aminoethyltripropoxy Titanium, γ-aminoethyltributoxytitanium, γ-aminobutyltriethoxytitanium, γ-aminobutyltrimethoxytitanium, γ-aminobutyltripropoxytitanium, γ-aminobutyltributoxytitanium and the like can be mentioned. These may be used in combination of two or more.
The amount used at this time is 0.5 to 100 parts by weight of the resin.
It is preferable to set it to 5 parts by weight.

【0027】本発明の液晶配向膜用組成物がポリイミド
前駆体を含む場合、加熱乾燥、脱水閉環してポリイミド
膜を形成する。その加熱温度としては一般に100〜3
50℃であり、好ましくは110〜230℃である。さ
らにプラスチック基板向けには、120〜160℃の範
囲で加熱することが好ましい。また加熱時間は通常1分
〜6時間、好ましくは1分〜3時間とされる。形成され
るポリイミド膜の膜厚は、通常0.01〜3μmであ
る。
When the composition for a liquid crystal alignment film of the present invention contains a polyimide precursor, a polyimide film is formed by heat drying and dehydration ring closure. The heating temperature is generally 100 to 3
It is 50 degreeC, Preferably it is 110-230 degreeC. Further, for a plastic substrate, it is preferable to heat in the range of 120 to 160 ° C. The heating time is usually 1 minute to 6 hours, preferably 1 minute to 3 hours. The thickness of the formed polyimide film is usually 0.01 to 3 μm.

【0028】特にIPS方式液晶表示装置にて良好な表
示特性を得るためには、セルギャップを均一にする必要
があることから、櫛歯電極の段差を埋めて平坦性を上げ
ることが要望され、0.05〜1μmの膜厚を有してい
ることが好ましい。さらに高コントラスト比を得るため
には、ラビング処理後のプレチルト角は2度以下である
ことが好ましく、プレチルト角が1度以下であることが
より好ましい。
In particular, in order to obtain good display characteristics in the IPS mode liquid crystal display device, it is necessary to make the cell gap uniform. Therefore, it is required to fill the steps of the comb-teeth electrode to improve the flatness. It preferably has a thickness of 0.05 to 1 μm. In order to further obtain a high contrast ratio, the pretilt angle after the rubbing treatment is preferably 2 degrees or less, and more preferably the pretilt angle is 1 degree or less.

【0029】本発明の液晶配向膜用組成物は、あらかじ
めITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極又は窒化珪
素のついたガラス若しくはプラスチックフィルム等の透
明基板上にスピナー、印刷機等を用いて塗布し、必要に
応じて加熱硬化処理をして樹脂膜とすることができる。
The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention is previously coated on a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) or a transparent substrate such as glass or plastic film with silicon nitride by using a spinner, a printing machine or the like. Then, if necessary, a heat curing treatment can be performed to form a resin film.

【0030】液晶配向膜が形成される液晶表示素子用基
板としては、例えば、平滑性の良好なフロリネートガラ
スなどのガラスの他、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート等のポリエステル、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテ
ルイミド、アセチルセルロース、ポリアミノ酸エステ
ル、芳香族ポリアミド等の耐熱性樹脂、ポリスチレン、
ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等
のビニル系ポリマ、ポリフッ化ビニリデン等の含フッ素
樹脂及びそれらの変成体等から形成されたプラスチック
フィルム等を挙げることができる。
Examples of the liquid crystal display element substrate on which the liquid crystal alignment film is formed include glass such as fluorinated glass having good smoothness, polyester such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, epoxy resin, phenol resin, and the like. Polyimide, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyetherimide, acetylcellulose, polyamino acid ester, heat-resistant resin such as aromatic polyamide, polystyrene,
Polyacrylate, polymethacrylate,
Plastic films formed from vinyl polymers such as polyacrylamide, polyethylene, and polypropylene, fluorine-containing resins such as polyvinylidene fluoride, and denatured products thereof, and the like can be given.

【0031】基板上に形成されたポリイミド膜は、表面
にラビング処理を施すことによって液晶配向膜として用
いられる。以上説明したようにして得られた液晶配向膜
を有する液晶挟持基板を用いて公知の方法によって液晶
表示装置を得ることが出来る。液晶挟持基板基板間に挟
持される液晶としては、液晶表示素子のタイプによっ
て、TN、STN、TFT、FLC(強誘電性液晶)そ
れぞれに適した材料が用いられる。
The polyimide film formed on the substrate is used as a liquid crystal alignment film by subjecting the surface to a rubbing treatment. A liquid crystal display device can be obtained by a known method using the liquid crystal sandwiching substrate having the liquid crystal alignment film obtained as described above. As the liquid crystal sandwiched between the substrates, a material suitable for each of TN, STN, TFT, and FLC (ferroelectric liquid crystal) is used depending on the type of the liquid crystal display element.

【0032】両配向膜間の間隙を確保するためにスペー
サが使用される。スペーサとしては、ガラスファイバ、
ガラスビーズ、プラスチックビーズ、アルミナやシリカ
等の金属酸化物粒子などが用いられる。
A spacer is used to secure a gap between both alignment films. Glass fiber,
Glass beads, plastic beads, metal oxide particles such as alumina and silica are used.

【0033】本発明の液晶表示装置としては、前記液晶
配向膜を有すること以外特に制限されない。液晶表示装
置の構造としては、(1)表示画素、TFT及び電極群
が基板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁
層を介して形成されており、前記基板により液晶層が挟
持され、前記液晶層の光学特性を変化させる偏向特性を
変化させる偏向手段を備えた液晶表示装置において、前
記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形成されてい
る液晶表示装置、(2)画素電極が走査信号電極、映像
信号電極、画素電極、共通電極及びTFTにより基板上
に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層を介し
て配置され、前記基板により液晶層が挟持され、前記電
極群には前記液晶層に対し前記基板面と概ね平行な電界
を印加するように構成され、前記電極群は前記液晶層の
光学特性を変化させる偏向特性を変化させる偏向手段を
備えた液晶表示装置において、前記液晶配向膜が前記液
晶配向膜用組成物で形成されている液晶表示装置などが
挙げられる。
The liquid crystal display of the present invention is not particularly limited except that it has the liquid crystal alignment film. As a structure of the liquid crystal display device, (1) a display pixel, a TFT, and an electrode group are formed on a substrate, and a liquid crystal alignment film is formed on the substrate via an insulating layer. (2) a liquid crystal display device provided with a deflecting means for changing a deflection characteristic for changing an optical characteristic of the liquid crystal layer, wherein the liquid crystal alignment film is formed of the composition for a liquid crystal alignment film; A) a pixel electrode is formed on a substrate by a scanning signal electrode, a video signal electrode, a pixel electrode, a common electrode, and a TFT, and a liquid crystal alignment film is disposed on the substrate via an insulating layer, and the liquid crystal layer is sandwiched between the substrates. The electrode group is configured to apply an electric field substantially parallel to the substrate surface to the liquid crystal layer, and the electrode group includes a deflecting unit that changes a deflection characteristic that changes an optical characteristic of the liquid crystal layer. Was In crystal display device, the liquid crystal alignment film wherein liquid crystal display device which is formed by a liquid crystal alignment film composition.

【0034】[0034]

【実施例】以下、実施例により詳細に説明する。The present invention will be described below in more detail with reference to examples.

【0035】合成例1 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
192.61gを加え、これにp−フェニレンジアミン
26.26g(0.1モル)を溶解させた後、1,2,
3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物17.46g
(0.07モル)、オキシジフタル酸二無水物24.8
2g(0.03モル)を加え、室温で16時間攪拌した
後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度はE型粘度計(25℃)において3500
mPa・sであった。
Synthesis Example 1 192.61 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a condenser tube and a nitrogen inlet tube, and p-phenylenediamine was added to the flask. After dissolving 26 g (0.1 mol), 1,2,2
17.46 g of 3,4-butanetetracarboxylic dianhydride
(0.07 mol), oxydiphthalic dianhydride 24.8
After adding 2 g (0.03 mol) and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 3500 in an E-type viscometer (25 ° C.)
mPa · s.

【0036】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスAの粘度は30mP
a・sであった。
The obtained polyamic acid varnish contains one part of resin.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish A is 30 mP.
a · s.

【0037】合成例2 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
137.80gを加え、これに2,3,5,6−テトラ
メチル−1,4−フェニレンジアミン8.21g(0.
05モル)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン9.
91g(0.05モル)を溶解させた後、3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物1
6.11g(0.05モル)、オキシジフタル酸二無水
物15.51g(0.05モル)を加え、室温で16時
間攪拌した後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミ
ド酸ワニスを得た。粘度はE型粘度計(25℃)におい
て3000mPa・sであった。
Synthesis Example 2 137.80 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube. 8.21 g of 6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine (0.
05 mol), 4,4'-diaminodiphenylmethane 9.
After dissolving 91 g (0.05 mol), 3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 1
After adding 6.11 g (0.05 mol) and 15.51 g (0.05 mol) of oxydiphthalic dianhydride and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. . The viscosity was 3000 mPa · s in an E-type viscometer (25 ° C.).

【0038】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスBの粘度は25mP
a・sであった。
The obtained polyamic acid varnish contains one part of resin.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish B is 25 mP.
a · s.

【0039】合成例3 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコにN−メチル−2−ピロリドン2
49.75gを加え、これに2,3,5,6−テトラメ
チル−1,4−フェニレンジアミン16.41g(0.
1モル)を溶解させた後、3,3′,4,4′−ビシク
ロヘキシルテトラカルボン酸二無水物5.94g(0.
03モル)、オキシジフタル酸二無水物21.72g
(0.07モル)を加え、室温で16時間攪拌した後、
粘度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニスを得
た。粘度はE型粘度計(25℃)において3000mPa・
sであった。
Synthesis Example 3 N-methyl-2-pyrrolidone 2 was placed in a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube.
49.75 g was added, and to this, 16.41 g of 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine (0.41 g) was added.
(1 mol), and 3.94 g of 3,3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic dianhydride (0.94 g).
03 mol), 21.72 g of oxydiphthalic dianhydride
(0.07 mol) and stirred at room temperature for 16 hours.
The viscosity was adjusted to obtain a polyamic acid varnish of 15% by weight. Viscosity is 3000 mPa · E-type viscometer (25 ° C)
s.

【0040】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスCの粘度は25mP
a・sであった。
The obtained polyamic acid varnish has a resin content of 1%.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish C is 25 mP.
a · s.

【0041】合成例4 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコにN−メチル−2−ピロリドン8
5.13gを加え、これに2,4,6−トリメチル−
1,3−フェニレンジアミン15.02g(0.1モ
ル)を溶解させた後、オキシジフタル酸二無水物31.
02g(0.1モル)を加え、室温で16時間攪拌した
後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度はE型粘度計(25℃)において2800
mPa・sであった。
Synthesis Example 4 N-methyl-2-pyrrolidone 8 was placed in a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube.
5.13 g were added thereto, and 2,4,6-trimethyl-
After dissolving 15.02 g (0.1 mol) of 1,3-phenylenediamine, oxydiphthalic dianhydride 31.
After adding 02 g (0.1 mol) and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 2800 in an E-type viscometer (25 ° C.)
mPa · s.

【0042】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスDの粘度は23mP
a・sであった。
The polyamic acid varnish thus obtained was added with a resin component.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish D is 23 mP.
a · s.

【0043】比較合成例1 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
173.58gを加え、これに4,4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル20.02g(0.1モル)を溶解させ
た後、ピロメリット酸二無水物31.02g(0.1モ
ル)を加え、室温で16時間攪拌した後、粘度調整を行
い、15重量%のポリアミド酸ワニスを得た。粘度はE
型粘度計(25℃)において3500mPa・sであった。
Comparative Synthesis Example 1 173.58 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a condenser tube and a nitrogen inlet tube, and 4,4'- After dissolving 20.02 g (0.1 mol) of diaminodiphenyl ether, 31.02 g (0.1 mol) of pyromellitic dianhydride was added, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. % Polyamic acid varnish was obtained. The viscosity is E
It was 3500 mPa · s in a mold viscometer (25 ° C.).

【0044】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスEの粘度は30mP
a・sであった。
The polyamic acid varnish thus obtained was added with a resin component.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish E is 30 mP.
a · s.

【0045】比較合成例2 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコにN−メチル−2−ピロリドン5
09.32gを加え、これに2,2′−ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン49.04g(0.1モル)を溶解させた後、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
14.71g(0.05モル)、デカメチレンビストリ
メリテート酸二無水物14.71g(0.05モル)を
加え、室温で16時間攪拌した後、粘度調整を行い、1
5重量%のポリアミド酸ワニスを得た。粘度はE型粘度
計(25℃)において2800mPa・sであった。
Comparative Synthesis Example 2 N-methyl-2-pyrrolidone 5 was placed in a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube.
And 9.2 g of 2,2'-bis (4- (4
After dissolving 49.04 g (0.1 mol) of -aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane,
14.71 g (0.05 mol) of 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 14.71 g (0.05 mol) of decamethylenebistrimellitate dianhydride were added, and the mixture was added at room temperature for 16 hours. After stirring, adjust the viscosity.
A polyamic acid varnish of 5% by weight was obtained. The viscosity was 2800 mPa · s in an E-type viscometer (25 ° C.).

【0046】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1
重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるように
N−メチル−2−ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈
した。得られたポリアミド酸ワニスFの粘度は23mPa・
sであった。
The polyamic acid varnish thus obtained was added with a resin component.
After adding weight% of γ-aminopropyltriethoxysilane, it was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve so as to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish F was 23 mPa ·
s.

【0047】実施例1 合成例1で得られたワニスAをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、ホットプレート上
で80℃2分間、オーブンで200℃30分間加熱処理
をして、膜厚0.1μmのポリイミド膜を得た。ラビン
グ処理によってポリイミドの配向方向が180度になる
ように基板を組み合わせて、周りを封止した。なおラビ
ング強度は、T.UchidaらがLiquid Crystal,5,p.1127-11
37(1989)に報告した計算式に基づき設定した。
Example 1 The varnish A obtained in Synthesis Example 1 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and was heated on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and in an oven at 200 ° C. for 30 minutes. Thus, a polyimide film having a thickness of 0.1 μm was obtained. The substrates were combined so that the orientation direction of the polyimide became 180 degrees by rubbing treatment, and the periphery was sealed. The rubbing strength was determined by T. Uchida et al. In Liquid Crystal, 5, p. 1127-11.
37 (1989).

【0048】[0048]

【数1】 ラビング強度:L(mm)=Nl(1+2πrn)/v) (ただし、N:ラビング回数(回)、l:ラビングロー
ルの押込み量(mm)、r:ラビングロールの半径(m
m)、n:ラビングロールの回転数(s-1)、v:ステ
ージ移動速度(mm/s)である)
Rubbing strength: L (mm) = Nl (1 + 2πrn) / v (where N: number of rubbing (times), l: pushing amount of rubbing roll (mm), r: radius of rubbing roll (m)
m), n: number of rotations of the rubbing roll (s -1 ), v: stage moving speed (mm / s)

【0049】今回はN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−R(レーヨン)と設定
し、L=65mmでラビング処理を行った。
This time, N = 1, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
A rubbing material YA-18-R (rayon) manufactured by Co., Ltd. was set, and rubbing treatment was performed at L = 65 mm.

【0050】ラビングされたポリイミド膜には削れ、は
がれ等は認められなかった。セルギャップは液晶封入状
態で25μmとし、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを介在させた。この基板間にネマチック液晶MLC−
2042(メルク社製商品名)を真空含浸法で注入し
た。相転移温度80℃以上の温度である110℃20分
間でアイソトロピック処理を行い、プレチルト角評価用
液晶表示素子(以降アンチパラレルセルと省略する)と
した。作成した液晶表示素子は良好な配向性であり、ク
リスタルローテーション法によってプレチルト角を評価
したところ、1.0度であった。
No scraping or peeling was observed on the rubbed polyimide film. The cell gap was 25 μm with the liquid crystal sealed, and a polyethylene terephthalate film was interposed. The nematic liquid crystal MLC-
2042 (trade name, manufactured by Merck) was injected by a vacuum impregnation method. An isotropic treatment was performed at 110 ° C. for 20 minutes at a phase transition temperature of 80 ° C. or higher to obtain a pretilt angle evaluation liquid crystal display device (hereinafter abbreviated as anti-parallel cell). The prepared liquid crystal display element had good orientation. When the pretilt angle was evaluated by the crystal rotation method, it was 1.0 degree.

【0051】次に合成例1で得られたワニスAを電極間
幅15μm、電極幅10μm、電極高さ0.05μmの
櫛歯電極が形成されているガラス基板(下基板)及びガ
ラス基板(上基板)に膜厚0.1μmとなるようにスピ
ン塗布をして、ホットプレート上で80℃2分間、オー
ブンで200℃30分間加熱処理をしてポリイミド膜を
得た。続いてポリイミドのラビング方向が互いにほぼ平
行でかつ印加電圧方向とのなす角度を15度として基板
を組み合わせ、周りを封止した。なおセルギャップはポ
リマービーズを基板間に分散させ、液晶封入状態で4.
5μmとした。
Next, the varnish A obtained in Synthesis Example 1 was applied to a glass substrate (lower substrate) and a glass substrate (upper substrate) on which comb-tooth electrodes having an electrode width of 15 μm, an electrode width of 10 μm, and an electrode height of 0.05 μm were formed. The substrate was spin-coated so as to have a thickness of 0.1 μm, and was heated on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and in an oven at 200 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide film. Subsequently, the substrates were combined by setting the rubbing directions of the polyimides to be substantially parallel to each other and forming an angle of 15 degrees with the direction of the applied voltage, and sealing the periphery. The cell gap is obtained by dispersing the polymer beads between the substrates and filling the liquid crystal with the liquid crystal.
The thickness was 5 μm.

【0052】この基板間にMLC−2042を封入し、
相転移温度以上である110℃で20分間熱処理をして
IPS方式液晶表示素子(以降IPS液晶セルと省略す
る)を形成した。その後2枚の偏光板G1220D(日
東電工(株)製商品名)でパネルを挟み、一方の偏光板の
偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行とし、他方をそれ
に直交として、ノーマリクローズ特性を得た。液晶配向
性は良好であった。また電圧保持率は、25℃、周期1
6.5ms、周波数30Hz、振幅6V、オフセット0Vで
評価し99.2%の値を示した。
MLC-2042 is sealed between the substrates,
Heat treatment was performed at 110 ° C., which is higher than the phase transition temperature, for 20 minutes to form an IPS mode liquid crystal display device (hereinafter abbreviated as IPS liquid crystal cell). Thereafter, the panel is sandwiched between two polarizing plates G1220D (trade name, manufactured by Nitto Denko Corporation), and the polarization transmission axis of one of the polarizing plates is substantially parallel to the rubbing direction, and the other is orthogonal to the rubbing direction to obtain a normally closed characteristic. Was. The liquid crystal alignment was good. The voltage holding ratio was 25 ° C., cycle 1
It was evaluated at 6.5 ms, frequency 30 Hz, amplitude 6 V, and offset 0 V, and showed a value of 99.2%.

【0053】残留直流電圧はフリッカ消去法により測定
した。IPS液晶セルに振幅3.0V、周波数30Hzの
矩形波及びオフセット電圧1.0Vを30分間印加し、
オフセット電圧を0Vにした直後にフリッカを最小とす
る電圧を測定し、この値を残留直流電圧とした。25℃
の残留直流電圧は120mVであった。さらにこのIPS
液晶セルのコントラスト比は、電圧無印加状態(暗状
態)での光透過率及び光透過率が最大となる電圧下(明
状態)での光透過率を測定し、その光透過率の比からコ
ントラスト比を求めた。コントラスト比は350を示し
た。
The residual DC voltage was measured by the flicker elimination method. A rectangular wave having an amplitude of 3.0 V and a frequency of 30 Hz and an offset voltage of 1.0 V are applied to the IPS liquid crystal cell for 30 minutes,
Immediately after the offset voltage was set to 0 V, a voltage that minimizes flicker was measured, and this value was defined as a residual DC voltage. 25 ° C
Was 120 mV. And this IPS
The contrast ratio of the liquid crystal cell is determined by measuring the light transmittance under no voltage (dark state) and the light transmittance under a voltage (bright state) at which the light transmittance is maximized. The contrast ratio was determined. The contrast ratio was 350.

【0054】実施例2 ワニスAを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Example 2 A varnish A was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0055】実施例3 ワニスAを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Example 3 A varnish A was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0056】実施例4 ワニスBを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=65mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に示
す。
Example 4 A varnish B was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
Set as rubbing material YA-18-R manufactured by Co., Ltd., L = 65 mm
Was rubbed. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0057】実施例5 ワニスBを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Example 5 A varnish B was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0058】実施例6 ワニスBを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Example 6 A varnish B was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0059】実施例7 ワニスCを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=65mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に示
す。
Example 7 A varnish C was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
Set as rubbing material YA-18-R manufactured by Co., Ltd., L = 65 mm
Was rubbed. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0060】実施例8 ワニスCを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Example 8 A varnish C was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0061】実施例9 ワニスCを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Example 9 A varnish C was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0062】実施例10 ワニスDを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=65mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に示
す。
Example 10 A varnish D was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
Set as rubbing material YA-18-R manufactured by Co., Ltd., L = 65 mm
Was rubbed. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0063】実施例11 ワニスDを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Example 11 A varnish D was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0064】実施例12 ワニスDを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Example 12 A varnish D was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0065】比較例1 ワニスEを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=65mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に示
す。
Comparative Example 1 A varnish E was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
Set as rubbing material YA-18-R manufactured by Co., Ltd., L = 65 mm
Was rubbed. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0066】比較例2 ワニスEを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Comparative Example 2 A varnish E was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0067】比較例3 ワニスEを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Comparative Example 3 A varnish E was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0068】比較例4 ワニスFを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=7s-1、v=6mm/s、ラビング繊維:吉川化工
(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=65mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に示
す。
Comparative Example 4 A varnish F was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 7s -1 , v = 6mm / s, rubbing fiber: Yoshikawa Kako
Set as rubbing material YA-18-R manufactured by Co., Ltd., L = 65 mm
Was rubbed. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0069】比較例5 ワニスFを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=5s-1、v=24mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=12
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表1に
示す。
Comparative Example 5 A varnish F was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 5 s -1 , v = 24 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 12
Rubbing treatment was performed in mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Orientation, pretilt angle, voltage holding ratio,
Table 1 summarizes the results of the residual DC voltage and the contrast ratio.

【0070】比較例6 ワニスFを実施例1と同様に膜厚0.1μmのポリイミ
ド膜を得た。これをN=1回、l=0.4mm、r=22
mm、n=12s-1、v=2mm/s、ラビング繊維:吉川化
工(株)製ラビング材YA−18−Rと設定し、L=33
2mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例1と同様の条件でアンチパラレルセル及びIPS液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
1に示す。
Comparative Example 6 A varnish F was obtained in the same manner as in Example 1 to obtain a polyimide film having a thickness of 0.1 μm. This is repeated N = 1 time, l = 0.4 mm, r = 22
mm, n = 12 s −1 , v = 2 mm / s, rubbing fiber: rubbing material YA-18-R manufactured by Yoshikawa Kako Co., Ltd., L = 33
Rubbing was performed at 2 mm. Rubbing and peeling were not observed on the rubbed polyimide film. Thereafter, an anti-parallel cell and an IPS liquid crystal cell were manufactured under the same conditions as in Example 1. Table 1 summarizes the results of orientation, pretilt angle, voltage holding ratio, residual DC voltage, and contrast ratio.

【0071】[0071]

【表1】 [Table 1]

【0072】本発明の液晶配向膜用組成物は、従来の液
晶配向膜用組成物と比較してラビング条件によらずプレ
チルト角が2度以下で安定し、また高電圧保持率、低残
留直流電圧、高コントラスト比を示すことが分かる。
The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention is stable at a pretilt angle of 2 degrees or less irrespective of rubbing conditions, has a high voltage holding ratio, and has a low residual DC, as compared with the conventional composition for a liquid crystal alignment film. It can be seen that the voltage and the high contrast ratio are shown.

【0073】[0073]

【発明の効果】本発明の液晶配向膜用組成物は、ラビン
グ条件によらずプレチルト角が2度以下で安定し、良好
な配向機能が得られるため、特に高画質の横電界液晶表
示装置並びにこれに適した液晶配向膜、液晶狭持基板及
び横電界液晶表示装置の提供が可能である。
The composition for a liquid crystal alignment film according to the present invention is stable at a pretilt angle of 2 degrees or less regardless of the rubbing conditions, and a good alignment function can be obtained. It is possible to provide a liquid crystal alignment film, a liquid crystal holding substrate, and a lateral electric field liquid crystal display device suitable for this.

フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 HB08Y HB09Y HC05 HC06 HC08 MA02 MA06 MA10 MB01 4F071 AA60 AF29 AG13 AH19 BC02 4J043 PA02 PA04 PA19 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA43 SA44 SA54 SA55 SA56 SA62 SA72 SB01 SB02 TA02 TA11 TA22 TB01 TB02 UA022 UA032 UA041 UA042 UA052 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA261 UA622 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB132 UB152 UB161 UB251 UB281 UB301 UB351 VA041 VA081 VA091 WA09 XA19 YA06 YA08 ZA23 ZA51 ZB03 ZB11 ZB21 Continued on front page F term (reference) 2H090 HB08Y HB09Y HC05 HC06 HC08 MA02 MA06 MA10 MB01 4F071 AA60 AF29 AG13 AH19 BC02 4J043 PA02 PA04 PA19 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA43 SA44 SA54 SA55 SA56 SA62 SA72 SB01 SB02 TA02 TA02 TA02 TA02 TA02 UA041 UA042 UA052 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA261 UA622 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB132 UB152 UB161 UB251 UB281 UB301 UB351 VA041 VA081 ZA09A09 Z09A09Z

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Wは4価の有機基を有し、Rは2価の有機基を
示す)で表わされる繰り返し単位を有し、その繰り返し
単位の総数のうち少なくとも一部が、Rとして一般式
(II) 【化2】 又は一般式(III) 【化3】 (式中、R1、R2、R3及びR4は、相互独立に、水素原
子又は−(CH2)n−CH 3であり、nは0〜7の整数で
ある)で示される2価の有機基を有するポリイミド又は
その前駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物。
1. A compound of the general formula (I)(Wherein, W has a tetravalent organic group, and R is a divalent organic group.
Has a repeating unit represented by
At least a part of the total number of units is represented by a general formula as R
(II)Or the general formula (III):(Where R1, RTwo, RThreeAnd RFourAre independent of each other
Child or-(CHTwo)n-CH ThreeAnd n is an integer of 0 to 7
A) a polyimide having a divalent organic group represented by
A composition for a liquid crystal alignment film comprising the precursor.
【請求項2】 繰り返し単位の総数のうち、少なくとも
50モル%が、Rとして一般式(II)又は一般式(II
I)で示されるジアミン残基を有するものである請求項
1記載の液晶配向膜用組成物。
2. The method according to claim 1, wherein at least 50 mol% of the total number of repeating units is represented by the general formula (II) or the general formula (II)
The composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, which has a diamine residue represented by I).
【請求項3】 繰り返し単位の総数のうち少なくとも一
部が、Wで示される4価の有機基としてオキシジフタル
酸二無水物残基を有するものである請求項1又は2記載
の液晶配向膜用組成物。
3. The composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, wherein at least a part of the total number of the repeating units has an oxydiphthalic dianhydride residue as a tetravalent organic group represented by W. object.
【請求項4】 繰り返し単位の総数のうち、少なくとも
30モル%が、Wとしてオキシジフタル酸二無水物残基
を有するものである請求項3記載の液晶配向膜用組成
物。
4. The composition for a liquid crystal alignment film according to claim 3, wherein at least 30 mol% of the total number of the repeating units has an oxydiphthalic dianhydride residue as W.
【請求項5】 請求項1〜4の何れかに記載の液晶配向
膜用組成物から形成されるポリイミド膜を、ラビング処
理して得られる液晶配向膜。
5. A liquid crystal alignment film obtained by rubbing a polyimide film formed from the composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1.
【請求項6】 プレチルト角が2度以下である請求項5
記載の液晶配向膜。
6. The pre-tilt angle is equal to or less than 2 degrees.
The liquid crystal alignment film as described in the above.
【請求項7】 請求項5又は6記載の液晶配向膜を有し
てなる液晶挟持基板。
7. A liquid crystal sandwiching substrate comprising the liquid crystal alignment film according to claim 5.
【請求項8】 請求項7記載の液晶挟持基板を有してな
る液晶表示装置。
8. A liquid crystal display device comprising the liquid crystal holding substrate according to claim 7.
【請求項9】 請求項7記載の液晶挟持基板を有してな
る横電界液晶表示装置。
9. A horizontal electric field liquid crystal display device comprising the liquid crystal holding substrate according to claim 7.
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