JP2001270988A - Composition for oriented liquid crystal film, oriented liquid crystal film, its manufacturing method, and holding substrate liquid crystal for and liquid crystal display - Google Patents

Composition for oriented liquid crystal film, oriented liquid crystal film, its manufacturing method, and holding substrate liquid crystal for and liquid crystal display

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JP2001270988A
JP2001270988A JP2000088526A JP2000088526A JP2001270988A JP 2001270988 A JP2001270988 A JP 2001270988A JP 2000088526 A JP2000088526 A JP 2000088526A JP 2000088526 A JP2000088526 A JP 2000088526A JP 2001270988 A JP2001270988 A JP 2001270988A
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JP
Japan
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liquid crystal
minutes
composition
alignment film
crystal alignment
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Application number
JP2000088526A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Kanetani
雄一 金谷
Naoki Okuda
直紀 奥田
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Original Assignee
Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for an oriented liquid crystal film which can retain the orientation even by curing at a temperature as low as 120 deg.C-160 deg.C and does generate a flaw and a chip by rubbing, a oriented liquid crystal film which exhibits images of high quality capable of obtaining a pretilt angle of >=4 deg. necessary for the super-twisted nematic (STN) use even by curing at a temperature as low as <=160 deg.C by using the composition, its manufacturing method, holding substrates for liquid crystals and a holding device for liquid crystals which use the oriented liquid crystal film and exhibit images of high quality. SOLUTION: The composition for a oriented liquid crystal film comprises a polyimide or its precursor whose residue has a repeating unit represented by formula (I) (wherein W is a tetravalent organic group; and R is a divalent organic group), at least part of W being a residue of 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic anhydride and at least part of R being a residue represented by formula (II) (wherein R1 and R2 are each independently a monovalent group), the oriented liquid crystal film, its manufacturing method, the liquid crystal holding substrates for liquid crystal, and the liquid crystal display are described.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の配向を制御
する液晶配向膜用組成物、液晶配向膜及びその製造法、
液晶挟持基板並びに液晶表示装置に関する。
The present invention relates to a composition for a liquid crystal alignment film for controlling the alignment of liquid crystal, a liquid crystal alignment film and a method for producing the same,
The present invention relates to a liquid crystal holding substrate and a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶表示装置では、対向するそれ
ぞれの基板にITO(インジウム錫酸化物)などからな
る透明電極を用いて、ツイスティドネマチック表示方式
に代表される表示方式を採用している。この透明電極上
には、液晶配向膜が設けられ、ポリイミド系液晶配向膜
(特開昭55−10180号公報、特開昭63−259
515号公報等参照)が使用されている。これらは、基
板上に塗布したものを180〜350℃の範囲で乾燥、
脱水閉環させてポリイミド膜を形成し、ラビング処理を
行うことによって得られる。
2. Description of the Related Art A conventional liquid crystal display device employs a display system typified by a twisted nematic display system by using a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide) or the like for each opposing substrate. . A liquid crystal alignment film is provided on the transparent electrode, and a polyimide-based liquid crystal alignment film (JP-A-55-10180, JP-A-63-259).
No. 515) is used. These are those which are applied on a substrate and dried at 180 to 350 ° C.,
It is obtained by performing a rubbing treatment by forming a polyimide film by dehydration and ring closure.

【0003】近年、携帯電話向けに薄型・軽量化された
液晶パネルの市場が拡大しており、それを目的としたプ
ラスチック基板の用途が伸びてきている。プラスチック
基板は耐熱性に課題があるため、液晶配向膜には160
℃以下の低温硬化特性が要求されている。一方ポリアミ
ド酸の脱水閉環は、主に120℃から160℃の温度範
囲で起こることから、160℃以下で低温硬化をする場
合には予めイミド化させたポリイミドワニスの方が好ま
しいといわれている。しかしながらポリイミドワニスは
ラビング時のきずや削れの発生という課題があった。
[0003] In recent years, the market for liquid crystal panels thin and lightweight for mobile phones has been expanding, and the use of plastic substrates for that purpose has been expanding. Since the plastic substrate has a problem in heat resistance, the liquid crystal alignment film has 160
There is a demand for low-temperature curing characteristics of not more than ℃. On the other hand, the dehydration and ring closure of polyamic acid mainly occurs in a temperature range of 120 ° C. to 160 ° C., and it is said that a polyimide varnish which has been imidized in advance is more preferable when curing at a low temperature of 160 ° C. or lower. However, the polyimide varnish has a problem that scratches and scraping occur during rubbing.

【0004】また、米国特許第5670609号には、
ピロメリット酸二無水物と2,2'−ビス(パーフルオ
ロアルコキシ)ベンジジンからなるポリイミド液晶配向
膜が提案されているが、180℃未満での低温硬化性で
あることはしめされていない。
[0004] US Patent No. 5,670,609 discloses that
A polyimide liquid crystal alignment film comprising pyromellitic dianhydride and 2,2′-bis (perfluoroalkoxy) benzidine has been proposed, but it is not stated that the film is curable at a low temperature of less than 180 ° C.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
欠点を解決し、120℃以上160℃以下の低温硬化で
も配向機能が得られ、ラビング時のきずや削れの発生が
ない、優れた液晶配向膜用組成物を提供するものであ
る。また本発明は、前記液晶配向膜組成物を用いること
により、160℃以下の低温硬化でもスーパーツイスト
ネマチック(以降STNと省略する)用途として要求さ
れている4°以上のプレチルト角が得られる、高画質の
画像を示すことが可能な液晶配向膜及びその製造法を提
供するものである。さらに本発明は、上記液晶配向膜を
用いることにより、高画質の画像を示す液晶挟持基板及
び液晶挟持装置を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the drawbacks of the prior art and provides an alignment function even at a low temperature of 120.degree. C. or more and 160.degree. C. or less, and is free from scratches and scraping during rubbing. It is intended to provide a composition for a liquid crystal alignment film. Further, the present invention provides a liquid crystal alignment film composition that can obtain a pretilt angle of 4 ° or more required for super twisted nematic (hereinafter abbreviated as STN) use even at a low temperature curing of 160 ° C or less. An object of the present invention is to provide a liquid crystal alignment film capable of displaying a high quality image and a method for manufacturing the same. Further, the present invention provides a liquid crystal sandwiching substrate and a liquid crystal sandwiching device which show a high quality image by using the above liquid crystal alignment film.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では以下の手段を用いる。すなわち、 (1) 一般式(I)
In order to solve the above problems, the present invention uses the following means. That is, (1) General formula (I)

【化3】 (式中、Wは4価の有機基を示し、Rは2価の有機基を
示す)で表される繰り返し単位を有し、かつ、前記繰り
返し単位におけるWの少なくとも一部は3,3',4,
4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の残基
であり、前記繰り返し単位におけるRの少なくとも一部
は一般式(II)
Embedded image (Wherein, W represents a tetravalent organic group and R represents a divalent organic group), and at least a part of W in the repeating unit is 3,3 ′ , 4,
4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride residue, wherein at least a part of R in the repeating unit is represented by the general formula (II):

【化4】 (式中、R及びRは、相互独立に、一価の基であ
る)で示される残基であるポリイミド又はその前駆体を
含有してなる液晶配向膜用組成物。
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 are each independently a monovalent group). A composition for a liquid crystal alignment film, comprising polyimide or a precursor thereof, which is a residue represented by the formula:

【0007】(2) 繰り返し単位におけるWのうち、
少なくとも30モル%以上が3,3',4,4'−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物の残基である前記
(1)記載の液晶配向膜用組成物。 (3) 繰り返し単位におけるRのうち、少なくとも3
0モル%以上が、一般式(II)で示される残基である
前記(1)又は(2)記載の液晶配向膜用組成物。
(2) Of W in the repeating unit,
The composition for a liquid crystal alignment film according to the above (1), wherein at least 30 mol% or more is a residue of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. (3) at least 3 of R's in the repeating unit
The composition for a liquid crystal alignment film according to the above (1) or (2), wherein 0 mol% or more is a residue represented by the general formula (II).

【0008】(4) 前記(1)、(2)又は(3)記
載の液晶配向膜用組成物から形成されるポリイミド膜
を、ラビング処理して得られる液晶配向膜。 (5) 前記(1)、(2)又は(3)記載の液晶配向
膜用組成物を120℃以上160℃以下の温度で乾燥又
は閉環させてポリイミド膜を形成し、ついでラビング処
理を行う液晶配向膜の製造法。
(4) A liquid crystal alignment film obtained by rubbing a polyimide film formed from the composition for a liquid crystal alignment film according to (1), (2) or (3). (5) The composition for a liquid crystal alignment film according to (1), (2) or (3) is dried or closed at a temperature of 120 ° C. or more and 160 ° C. or less to form a polyimide film, and then subjected to a rubbing treatment. Manufacturing method of alignment film.

【0009】(6) 前記(4)記載の液晶配向膜又は
(6)記載の製造法により得られる液晶配向膜を有して
なる液晶挟持基板。 (7) 前記(6)記載の液晶挟持基板を有してなる液
晶表示装置。
(6) A liquid crystal sandwiching substrate comprising the liquid crystal alignment film according to (4) or the liquid crystal alignment film obtained by the production method according to (6). (7) A liquid crystal display device comprising the liquid crystal sandwiching substrate according to (6).

【0010】[0010]

【発明の実態の形態】本発明の液晶配向膜用組成物は、
ポリイミド又はポリイミド前駆体を含むものである。こ
のポリイミド又はポリイミド前駆体はテトラカルボン酸
二無水物とジアミン化合物を好ましくは100℃以下、
より好ましくは80℃以下で反応させて得られる。ポリ
イミド前駆体とは、閉環してポリイミドになりうるもの
を指し、一般に、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステ
ル、ポリアミド酸アミド、それらの部分イミド化物、そ
れらの構造が混在するポリイミド前駆体等が挙げられ
る。中でも、ポリアミド酸、その一部イミド化物、それ
らの混合物が好ましい。ポリイミド及びポリイミド前駆
体は液晶配向膜用組成物の溶剤に可溶性であることが好
ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention comprises:
It contains polyimide or a polyimide precursor. This polyimide or polyimide precursor is preferably a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound preferably at 100 ° C. or less,
More preferably, it is obtained by reacting at 80 ° C. or lower. The term “polyimide precursor” refers to a substance which can be converted into a polyimide by ring closure, and generally includes a polyamic acid, a polyamic acid ester, a polyamic acid amide, a partially imidized product thereof, a polyimide precursor having a mixed structure thereof, and the like. Among them, polyamic acid, a partially imidized product thereof, and a mixture thereof are preferable. The polyimide and the polyimide precursor are preferably soluble in the solvent of the composition for a liquid crystal alignment film.

【0011】本発明における組成物に用いられるポリイ
ミド又はポリイミド前駆体は、前記一般式(I)で示さ
れる繰り返し単位又はその前駆体としての繰り返し単位
を有する。一般式(I)において、Wで示される4価の
有機基は、一般に、原料として使用されるテトラカルボ
ン酸二無水物の、2つの酸無水物基(−CO−O−CO
−)を除いた残基であり、Rで示される2価の有機基
は、一般に、原料として使用されるジアミン化合物の2
つのアミノ基(−NH)を除いた残基である。
The polyimide or polyimide precursor used in the composition of the present invention has a repeating unit represented by the general formula (I) or a repeating unit as a precursor thereof. In the general formula (I), the tetravalent organic group represented by W is generally two acid anhydride groups (—CO—O—CO 2) of the tetracarboxylic dianhydride used as a raw material.
-), And the divalent organic group represented by R is generally a divalent compound of the diamine compound used as a raw material.
It is a residue excluding two amino groups (-NH2).

【0012】本発明において、Wで示される残基のう
ち、少なくとも一部は、カルボニル基を有している3,
3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物の残基である。これにより、120℃以上160℃以
下の低温硬化時でも良好な配向性を示すことが可能であ
る。また、Rで示されるジアミン残基のうち、少なくと
も一部は前記一般式(II)で示される4,4'−ジア
ミノビフェニル骨格を有するジアミンであり、これを使
用すると剛直な骨格のため、低温硬化で完全にイミド化
していなくても良好な配向特性を示すことができる。す
なわち、両構造をあわせて有することによって本発明の
優れた効果が得られる。
In the present invention, at least some of the residues represented by W have a carbonyl group.
3 ', 4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride residue. Thereby, good orientation can be exhibited even at the time of curing at a low temperature of 120 ° C. or more and 160 ° C. or less. In addition, at least a part of the diamine residue represented by R is a diamine having a 4,4′-diaminobiphenyl skeleton represented by the general formula (II). Good orientation characteristics can be exhibited even when the composition is not completely imidized by curing. That is, by having both structures together, the excellent effects of the present invention can be obtained.

【0013】本発明においては、さらに良好な配向性を
得るためにはRで表わされるジアミン残基のうち、30
モル%以上が前記一般式(II)で示されるものである
ことが好ましく、50モル%以上とすることがより好ま
しい。一般式(I)のR及びRで示される一価の基
としては、水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜10
のアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、炭
素原子数1〜10のパーフルオロアルキル基、炭素原子
数1〜10のパーフルオロアルコキシ基等が挙げられる
が、中でも水素原子、−(CF)n−CF又は−O
(CF)n−CFで示される基(但しnは0〜7の
整数である)が好ましい。一般式(II)で示される残
基を与えるジアミン化合物の好ましい例としては、2,
2'−ビス(トリフルオロメチル)−ベンジジン、2,
2'−ビス(トリフルオロメトキシ)−ベンジジン、2
−トリフルオロメチル−ベンジジン、2−トリフルオロ
メトキシ−ベンジジン、2,2'−ビス(ペンタフルオ
ロエチル)−ベンジジン、2,2'−ビス(ペンタフル
オロエトキシ)−ベンジジン、2−ペンタフルオロエチ
ル−ベンジジン、2−ペンタフルオロエトキシ−ベンジ
ジン、2,2'−ビス(ヘプタフルオロプロパン)−ベ
ンジジン、2,2'−ビス(ヘプタフルオロプロキシ)
−ベンジジン、2−ヘプタフルオロプロパン−ベンジジ
ン、2−ヘプタフルオロプロキシ−ベンジジン、2−ペ
ンタフルオロエトキシ−ベンジジン、2,2'−ビス
(ヘプタデカフルオロオクタン)−ベンジジン、2,
2'−ビス(ヘプタデカフルオロオクタキシ)−ベンジ
ジン、2−ヘプタデカフルオロオクタン−ベンジジン、
2−ヘプタデカフルオロオクタキシ−ベンジジンなどが
挙げられる。これらは、単独でまたは2種以上を組み合
わせて用いられる。STN用途としての4°以上の高い
プレチルト角を示すためには、前記の含フッ素ジアミン
化合物による残基が、30モル%以上、より好ましくは
50%以上であることが好ましい。
In the present invention, in order to obtain even better orientation, 30 of the diamine residues represented by R
Preferably, at least mol% is represented by the general formula (II), more preferably at least 50 mol%. Examples of the monovalent group represented by R 1 and R 2 in the general formula (I) include a hydrogen atom, a fluorine atom, and a carbon atom having 1 to 10 carbon atoms.
An alkyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a perfluoroalkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, etc., among which a hydrogen atom,-(CF 2) n-CF 3 or -O
(CF 2) (is where n is an integer of 0 to 7) a group represented by n-CF 3 are preferred. Preferred examples of the diamine compound giving the residue represented by the general formula (II) include 2,2
2′-bis (trifluoromethyl) -benzidine, 2,
2'-bis (trifluoromethoxy) -benzidine, 2
-Trifluoromethyl-benzidine, 2-trifluoromethoxy-benzidine, 2,2'-bis (pentafluoroethyl) -benzidine, 2,2'-bis (pentafluoroethoxy) -benzidine, 2-pentafluoroethyl-benzidine , 2-pentafluoroethoxy-benzidine, 2,2'-bis (heptafluoropropane) -benzidine, 2,2'-bis (heptafluoroproxy)
-Benzidine, 2-heptafluoropropane-benzidine, 2-heptafluoroproxy-benzidine, 2-pentafluoroethoxy-benzidine, 2,2'-bis (heptadecafluorooctane) -benzidine, 2,
2′-bis (heptadecafluorooctoxy) -benzidine, 2-heptadecafluorooctane-benzidine,
2-heptadecafluorooctoxy-benzidine and the like. These are used alone or in combination of two or more. In order to exhibit a high pretilt angle of 4 ° or more for STN applications, the content of the residue of the fluorine-containing diamine compound is preferably at least 30 mol%, more preferably at least 50%.

【0014】その他、本発明において併用することがで
きるジアミン化合物としては、2,3,5,6−テトラ
メチル−1,4−フェニレンジアミン、2,3,5,6
−テトラエチル−1,4−フェニレンジアミン、2,
5,−ジメチル−1,4−フェニレンジアミン、2,
5,−ジメチル−1,3−フェニレンジアミン、2,
5,−ジエチル−1,4−フェニレンジアミン、2,
5,−ジエチル−1,3−フェニレンジアミン、1,4
−フェニレンジアミン、2,4,6−トリメチル−1,
3−フェニレンジアミン、2,4,6−トリエチル−
1,3−フェニレンジアミン、1,3−フェニレンジア
ミン、2,2'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニ
ル、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,4'−
ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフ
ェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、3,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3'−ジアミノジフェニルスルフィド、ビス(4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルフィ
ド、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ス
ルフィド、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、
3,4'−ジアミノジフェニルエーテル、3,3'−ジア
ミノジフェニルエーテル、2,4'−ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、
2,4'−ジアミノジフェニルメタン、3,4'−ジアミ
ノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノジフェニルメ
タン、2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ヘキサフルオロプロパン、1,6−ヘキサメチレン
ジアミン、1,8−オクタメチレンジアミン、1,10
−デカメチレンジアミン、1,12−ドデカメチレンジ
アミン、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒド
ラジド、2,6−ナフトエ酸ジヒドラジド、2,4'−
ジアミノ−3−メチル−ステアリルフェニルエーテル、
2,4'−ジアミノ−3−メチル−ラウリルフェニルエ
ーテル、2,4'−ジアミノ−3−メチル−パルミチル
フェニルエーテル、2,4'−ジアミノ−1−オクチル
オキシベンゼン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル)オクタン、2,2−ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)トリデカン、2,2−
ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ペンタ
デカン、ビス(4−(4−アミノベンゾイルオキシ)安
息香酸)オクタン、ビス(4−(4−アミノベンゾイル
オキシ)安息香酸)デカン、ビス(4−(4−アミノベ
ンゾイルオキシ)安息香酸)ドデカン、ビス(4−(4
−アミノベンゾイルオキシ)安息香酸)メチルシクロヘ
キサン、ビス(4−(4−アミノベンゾイルオキシ)安
息香酸)メタン、ビス(4−(3−アミノベンゾイルオ
キシ)安息香酸)ブタン、ジアミノシロキサン、1,3
−ジ(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサンなどが挙げられ、これらは、単独で
または2種以上を組み合わせて用いられる。
Other diamine compounds that can be used in the present invention include 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,3,5,6
-Tetraethyl-1,4-phenylenediamine, 2,
5, -dimethyl-1,4-phenylenediamine, 2,
5, -dimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,
5, -diethyl-1,4-phenylenediamine, 2,
5, -diethyl-1,3-phenylenediamine, 1,4
Phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,
3-phenylenediamine, 2,4,6-triethyl-
1,3-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,4′-
Diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,
3′-diaminodiphenyl sulfide, bis (4- (3
-Aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4-
(4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfide, 4,4′-diaminodiphenyl ether,
3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 2,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane,
2,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (4 -Aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenoxy) hexafluoropropane, 1,6-hexa Methylenediamine, 1,8-octamethylenediamine, 1,10
-Decamethylenediamine, 1,12-dodecamethylenediamine, azelaic acid dihydrazide, sebacic acid dihydrazide, 2,6-naphthoic acid dihydrazide, 2,4'-
Diamino-3-methyl-stearylphenyl ether,
2,4′-diamino-3-methyl-laurylphenyl ether, 2,4′-diamino-3-methyl-palmitylphenyl ether, 2,4′-diamino-1-octyloxybenzene, 2,2-bis ( 4- (4-aminophenoxy) phenyl) octane, 2,2-bis (4- (4
-Aminophenoxy) phenyl) tridecane, 2,2-
Bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) pentadecane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) octane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) decane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) dodecane, bis (4- (4
-Aminobenzoyloxy) benzoic acid) methylcyclohexane, bis (4- (4-aminobenzoyloxy) benzoic acid) methane, bis (4- (3-aminobenzoyloxy) benzoic acid) butane, diaminosiloxane, 1,3
-Di (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like, which may be used alone or in combination of two or more.

【0015】本発明において、一般式(I)中のWを与
えるテトラカルボン酸二無水物としては、3,3',
4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が
必須として用いられるが、その他、1,2,3,4−ブ
タンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ペン
タンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シク
ロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビ
シクロ(2,2,2)オクタ−7−エン−2,3,5,
6−テトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカルボキシ
−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハ
ク酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3',
4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3',4,4'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、オクチルコハ
ク酸二無水物、ドデシルコハク酸二無水物、オクチルマ
ロン酸二無水物、ジメチレンビストリメリテート酸二無
水物、トリメチレンビストリメリテート酸二無水物、テ
トラメチレンビストリメリテート酸二無水物、ペンタメ
チレンビストリメリテート酸二無水物、ヘキサメチレン
ビストリメリテート酸二無水物、オクタメチレンビスト
リメリテート酸二無水物、デカメチレンビストリメリテ
ート酸二無水物、ドデカメチレンビストリメリテート酸
二無水物、ヘキサデカメチレンビストリメリテート酸二
無水物、メチレン−1,2−ビス(1,3−ジヒドロ−
1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフラニル)ジエーテ
ル、プロピレン−1,3−ビス(1,3−ジヒドロ−
1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフラニル)ジエーテ
ル、1,3−シクロヘキサンビストリメリテート酸二無
水物、1,4−シクロヘキサンビストリメリテート酸二
無水物、1,2−シクロヘキサンビストリメリテート酸
二無水物などを、単独または2種類以上を併用して使用
することができる。
In the present invention, the tetracarboxylic dianhydride that gives W in the general formula (I) includes 3,3 ′,
4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride is used as an essential component, and in addition, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-pentanetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-
Cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,2
4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, bicyclo (2,2,2) oct-7-ene-2,3,5
6-tetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′,
4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,
3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxylphenyl) hexafluoropropanoic dianhydride, octyl succinic dianhydride, dodecyl succinic dianhydride Anhydride, octylmalonic dianhydride, dimethylene bistrimellitate dianhydride, trimethylene bis trimellitate dianhydride, tetramethylene bis trimellitate dianhydride, pentamethylene bis trimellitate dianhydride, hexa Methylene bis trimellitate dianhydride, octamethylene bis trimellitate dianhydride, decamethylene bis trimellitate dianhydride, dodecamethylene bis trimellitate dianhydride, hexadecamethylene bis trimellitate dianhydride, Methylene-1,2-bis (1,3-dihydro-
1,3-dioxo-5-isobenzofuranyl) diether, propylene-1,3-bis (1,3-dihydro-
(1,3-dioxo-5-isobenzofuranyl) diether, 1,3-cyclohexanebistrimellitate dianhydride, 1,4-cyclohexanebistrimellitate dianhydride, 1,2-cyclohexanebistrimellitate acid Dianhydrides and the like can be used alone or in combination of two or more.

【0016】3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物は、全Wのうち、30モル%以上使
用すると、120℃以上160℃以下の低温硬化時でも
安定したプレチルト角を示すので好ましく、50モル%
以上するとその効果がさらに高いのでより好ましい。
3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, when used in an amount of 30 mol% or more of the total W, can maintain a stable pretilt angle even at a low temperature curing of 120 ° C. to 160 ° C. 50 mol%
This is more preferable because the effect is even higher.

【0017】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和と、酸二無水物のモル数の比を好ましく
は0.8〜1.2の範囲、より好ましくは1.0にして
反応させることができる。このときに用いることができ
る不活性溶媒としては、前記の単量体の全てを溶解する
必要はないが、生成するポリアミド酸を溶解するものが
好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−
カプロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホ
キシド、1,4−ジオキサン、シクロヘキサノンなどが
挙げられ、これらは2種以上を併用してもよい。
In the present invention, the ratio of the total number of moles of the diamine compound to the number of moles of the acid dianhydride is preferably in the range of 0.8 to 1.2, more preferably 1.0. Can be done. As the inert solvent that can be used at this time, it is not necessary to dissolve all of the above monomers, but one that dissolves the generated polyamic acid is preferable. For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N ,
N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, γ-
Examples thereof include caprolactone, γ-valerolactone, dimethyl sulfoxide, 1,4-dioxane, and cyclohexanone, and two or more of these may be used in combination.

【0018】本発明において、液晶配向膜用組成物の固
形分濃度は1〜20重量%の範囲とされることが好まし
く、3〜15重量%の範囲とされることがより好まし
い。濃度が1重量%未満である場合には、塗布後の膜厚
が薄くなってしまい、良好な膜が得られない場合があ
り、20重量%を越える場合には、粘度が高くなってし
まうため塗布特性が劣る傾向がある。
In the present invention, the solid content concentration of the composition for a liquid crystal alignment film is preferably in the range of 1 to 20% by weight, more preferably 3 to 15% by weight. If the concentration is less than 1% by weight, the film thickness after application becomes too thin to obtain a good film in some cases. If the concentration exceeds 20% by weight, the viscosity becomes high. Coating characteristics tend to be poor.

【0019】また、被印刷体への濡れ性を良くするため
の溶媒を、反応前または反応終了後に添加することもで
きる。これらの溶媒としては例えば、エチルセロソロ
ブ、エチルセロソロブアセテート、ブチルセロソロブ、
ブチルセロソロブアセテート、キシレン、トルエン、1
−エトキシ−2−アセトキシプロパン、ジイソブチルケ
トン、メチル−n−ヘキシルケトンなどが挙げられる。
Further, a solvent for improving the wettability to the printing medium can be added before or after the reaction. As these solvents, for example, ethyl cellosolov, ethyl cellosolov acetate, butyl cellosolov,
Butyl cellosolov acetate, xylene, toluene, 1
-Ethoxy-2-acetoxypropane, diisobutylketone, methyl-n-hexylketone and the like.

【0020】本発明においては、得られたポリイミド前
駆体を含む組成物をそのまま液晶配向膜用組成物として
用いることが好ましいが、必要に応じて、閉環反応させ
たポリイミドを含む組成物として用いることができる。
閉環反応は、(イ)ポリイミド前駆体を加熱する方法、
(ロ)ポリアミド酸等のポリイミド前駆体に脱水剤及び
脱水閉環触媒を添加して閉環反応させ、必要に応じてさ
らに加熱する方法などにより行われる。
In the present invention, the composition containing the obtained polyimide precursor is preferably used as it is as a composition for a liquid crystal alignment film. However, if necessary, a composition containing a polyimide subjected to a ring-closing reaction may be used. Can be.
The ring closing reaction is performed by (a) a method of heating a polyimide precursor,
(Ii) A method in which a dehydrating agent and a dehydration ring-closing catalyst are added to a polyimide precursor such as polyamic acid to cause a ring-closing reaction, and if necessary, further heating is performed.

【0021】(イ)の加熱によって得る方法では、反応
温度を好ましくは130〜170℃とされる。反応温度
が100℃未満では脱水閉環反応が十分に進行せず、反
応温度が200℃を越えると熱イミド化と同時に分子量
の低下がみられる。(ロ)の方法において、脱水剤とし
ては、例えば無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフ
ルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。脱水
剤の使用量はポリアミド酸等のポリイミド前駆体の繰り
返し単位1モルに対して1〜20モルとするのが好まし
い。
In the method (a) obtained by heating, the reaction temperature is preferably 130 to 170 ° C. When the reaction temperature is lower than 100 ° C., the dehydration ring-closure reaction does not proceed sufficiently, and when the reaction temperature exceeds 200 ° C., the thermal imidization and the decrease in molecular weight are observed. In the method (b), as the dehydrating agent, for example, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and trifluoroacetic anhydride can be used. The amount of the dehydrating agent used is preferably 1 to 20 mol per 1 mol of the repeating unit of the polyimide precursor such as polyamic acid.

【0022】また脱水閉環触媒としては、例えばピリジ
ン、トリエチルアミン、コリジン、ルチジンなどの3級
アミンを用いることができる。脱水閉環触媒の使用量と
しては、脱水剤1モルに対して0.5〜10モルとする
のが好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有機溶
媒としては、ポリアミド酸の合成に用いられる有機溶媒
を挙げることができる。
As the dehydration ring-closing catalyst, for example, tertiary amines such as pyridine, triethylamine, collidine and lutidine can be used. The amount of the dehydration ring-closing catalyst used is preferably 0.5 to 10 mol per 1 mol of the dehydrating agent. In addition, as an organic solvent used for the dehydration ring closure reaction, an organic solvent used for synthesizing a polyamic acid can be exemplified.

【0023】液晶配向膜としてのポリイミド膜の形成方
法としては、スピン塗布法、浸漬法、印刷法、吹き付け
法などが挙げられるが、フォトリソグラフィー工程がな
くパターニング形成が容易な印刷法によるポリイミド膜
形成が好ましく、ワニスを保持しやすく被印刷体への転
写量も多いフレキソ印刷機による樹脂膜製造がさらに好
ましい。このとき用いられる被印刷体としてはプラスチ
ック基板、ガラス基板、シリコンウエハなどが挙げられ
る。
Examples of the method of forming the polyimide film as the liquid crystal alignment film include a spin coating method, an immersion method, a printing method, and a spraying method. The polyimide film is formed by a printing method which does not require a photolithography step and can be easily formed by patterning. The production of a resin film by a flexographic printing machine which easily retains the varnish and transfers a large amount to a printing medium is more preferable. The printing medium used at this time includes a plastic substrate, a glass substrate, a silicon wafer, and the like.

【0024】本発明の液晶配向膜用組成物は、ガラスと
の密着性を向上させるために、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加するこ
とができる。上記カップリング剤としては例えば、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポ
キシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、
γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキ
シシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−
アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルト
リメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシ
ラン、γ−アミノブチルトリブトキシシランなどが挙げ
られ、また上記チタンカップリング剤としては、例え
ば、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミ
ノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルト
リプロポキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシ
チタン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−ア
ミノエチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリ
プロポキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタ
ン、γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノ
ブチルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロ
ポキシチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタン、
などが挙げられる。これらは2種以上を併用してもよ
い。このときの使用量は、樹脂分の0.5〜5重量%が
好ましい。
The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention comprises a silane coupling agent for improving the adhesion to glass.
A coupling agent such as a titanium coupling agent can be added. Examples of the coupling agent include γ-
Aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane,
γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltrimethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltributoxysilane, γ-
Examples include aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, and the like, and examples of the titanium coupling agent include γ-aminopropyltrimethoxysilane. Ethoxytitanium, γ-aminopropyltrimethoxytitanium, γ-aminopropyltripropoxytitanium, γ-aminopropyltributoxytitanium, γ-aminoethyltriethoxytitanium, γ-aminoethyltrimethoxytitanium, γ-aminoethyltripropoxytitanium , Γ-aminoethyltributoxytitanium, γ-aminobutyltriethoxytitanium, γ-aminobutyltrimethoxytitanium, γ-aminobutyltripropoxytitanium, γ-aminobutyltributoxytitanium,
And the like. These may be used in combination of two or more. The amount used at this time is preferably 0.5 to 5% by weight of the resin.

【0025】本発明の液晶配向膜用組成物がポリイミド
前駆体を含む場合、加熱乾燥、脱水閉環してポリイミド
膜を形成する。その加熱温度としては一般に100〜3
50℃であり、好ましくは110〜230℃である。さ
らにプラスチック基板向けには、120〜160℃の範
囲で加熱することが好ましい。また加熱時間は通常1分
〜6時間、好ましくは1分〜3時間とされる。形成され
るポリイミド膜の膜厚は、通常0.01〜3μmであ
り、好ましくは0.02〜0.1μmである。なお、本
発明の液晶配向膜用組成物は、例えば、半導体用絶縁
膜、液晶用カラーフィルタ保護膜としての適用も可能で
ある。
When the composition for a liquid crystal alignment film of the present invention contains a polyimide precursor, a polyimide film is formed by heating, drying, and dehydration ring closure. The heating temperature is generally 100 to 3
It is 50 degreeC, Preferably it is 110-230 degreeC. Further, for a plastic substrate, it is preferable to heat in the range of 120 to 160 ° C. The heating time is usually 1 minute to 6 hours, preferably 1 minute to 3 hours. The thickness of the polyimide film to be formed is usually 0.01 to 3 μm, preferably 0.02 to 0.1 μm. The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention can be applied, for example, as an insulating film for a semiconductor or a color filter protective film for a liquid crystal.

【0026】本発明の液晶配向膜用組成物は、あらかじ
めITO(Indium TinOxide)等の透明
電極又は窒化珪素のついたガラス若しくはプラスチック
フィルム等の透明基板上にスピナー、印刷機等を用いて
塗布し、必要に応じて加熱硬化処理をして樹脂膜とする
ことができる。液晶配向膜が形成される液晶表示素子用
基板としては、例えば、平滑性の良好なフロリネートガ
ラスなどのガラスの他、ポリエチレンテレフタレート、
ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテ
ルイミド、アセチルセルロース、ポリアミノ酸エステ
ル、芳香族ポリアミド等の耐熱性樹脂、ポリスチレン、
ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等
のビニル系ポリマ、ポリフッ化ビニリデン等の含フッ素
樹脂及びそれらの変成体等から形成されたプラスチック
フィルム等を挙げることができる。
The composition for a liquid crystal alignment film of the present invention is applied onto a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) or a transparent substrate such as glass or plastic film with silicon nitride by using a spinner, a printing machine or the like. If necessary, the resin film can be subjected to heat curing treatment. As the liquid crystal display element substrate on which the liquid crystal alignment film is formed, for example, other than glass such as fluorinate glass having good smoothness, polyethylene terephthalate,
Polyester such as polybutylene terephthalate, epoxy resin, phenol resin, polyimide, polycarbonate, polysulfone, polyether sulfone, polyetherimide, acetylcellulose, polyamino acid ester, heat-resistant resin such as aromatic polyamide, polystyrene,
Polyacrylate, polymethacrylate,
Plastic films formed from vinyl polymers such as polyacrylamide, polyethylene, and polypropylene, fluorine-containing resins such as polyvinylidene fluoride, and denatured products thereof, and the like can be given.

【0027】基板上に形成されたポリイミド膜は、表面
にラビング処理を施すことによって液晶配向膜として用
いられる。以上説明したようにして得られた液晶配向膜
を有する液晶挟持基板を用いて公知の方法によって液晶
表示装置を得ることが出来る。液晶挟持基板基板間に挟
持される液晶としては、液晶表示素子のタイプによっ
て、TN、STN、TFTそれぞれに適した材料が用い
られる。
The polyimide film formed on the substrate is used as a liquid crystal alignment film by subjecting the surface to a rubbing treatment. A liquid crystal display device can be obtained by a known method using the liquid crystal sandwiching substrate having the liquid crystal alignment film obtained as described above. Liquid crystal sandwiching substrate As the liquid crystal sandwiched between the substrates, a material suitable for each of TN, STN, and TFT is used depending on the type of the liquid crystal display element.

【0028】両配向膜間の間隙を確保するためにスペー
サが使用される。スペーサとしては、ガラスファイバ、
ガラスビーズ、プラスチックビーズ、アルミナやシリカ
等の金属酸化物粒子などが用いられる。
A spacer is used to secure a gap between both alignment films. Glass fiber,
Glass beads, plastic beads, metal oxide particles such as alumina and silica are used.

【0029】本発明の液晶表示装置としては、前記液晶
配向膜を有すること以外特に制限されない。液晶表示装
置の構造としては、(1)表示画素、TFT及び電極群
が基板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁
層を介して形成されており、前記基板により液晶層が挟
持され、前記液晶層の光学特性を変化させる偏向特性を
変化させる偏向手段を備えた液晶表示装置において、前
記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形成されてい
る液晶表示装置、(2)画素電極が走査信号電極、映像
信号電極、画素電極、共通電極及びTFTにより基板上
に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層を介し
て配置され、前記基板により液晶層が挟持され、前記電
極群には前記液晶層に対し前記基板面と概ね平行な電界
を印加するように構成され、前記電極群は前記液晶層の
光学特性を変化させる偏向特性を変化させる偏向手段を
備えた液晶表示装置において、前記液晶配向膜が前記液
晶配向膜用組成物で形成されている液晶表示装置などが
挙げられる。
The liquid crystal display device of the present invention is not particularly limited except that it has the liquid crystal alignment film. As a structure of the liquid crystal display device, (1) a display pixel, a TFT, and an electrode group are formed on a substrate, and a liquid crystal alignment film is formed on the substrate via an insulating layer. (2) a liquid crystal display device provided with a deflecting means for changing a deflection characteristic for changing an optical characteristic of the liquid crystal layer, wherein the liquid crystal alignment film is formed of the composition for a liquid crystal alignment film; A) a pixel electrode is formed on a substrate by a scanning signal electrode, a video signal electrode, a pixel electrode, a common electrode, and a TFT, and a liquid crystal alignment film is disposed on the substrate via an insulating layer, and the liquid crystal layer is sandwiched between the substrates. The electrode group is configured to apply an electric field substantially parallel to the substrate surface to the liquid crystal layer, and the electrode group includes a deflecting unit that changes a deflection characteristic that changes an optical characteristic of the liquid crystal layer. Was In crystal display device, the liquid crystal alignment film wherein liquid crystal display device which is formed by a liquid crystal alignment film composition.

【0030】[0030]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 合成例1 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
322.36gを加え、これに2,2'−ビス(トリフ
ルオロメチル)−ベンジジン32.023g(0.1モ
ル)を加え、溶解させた後、ピロメリット酸二無水物
15.268g(0.07モル)、3,3',4,4'−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物 9.607
2g(0.03モル)を加え、室温で16時間攪拌した
後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度はE型粘度計(25℃)において3500
mPa・sであった。得られたポリアミド酸ワニスに樹
脂分の1重量%のγ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンを添加したのち、4重量%のポリアミド酸ワニスとな
るようにN−メチル−2−ピロリドン、ブチルセロソル
ブで希釈した。得られたポリイミドワニスAの粘度は3
0mPa・sであった。
Embodiments of the present invention will be described below. Synthesis Example 1 N-methyl-2-pyrrolidone (322.36 g) was added to a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube, and a nitrogen inlet tube, and 2,2′-bis (trifluoro) was added thereto. Methyl) -benzidine (32.023 g, 0.1 mol) was added and dissolved, followed by pyromellitic dianhydride.
15.268 g (0.07 mol), 3,3 ′, 4,4′-
Benzophenone tetracarboxylic dianhydride 9.607
After adding 2 g (0.03 mol) and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 3500 in an E-type viscometer (25 ° C.)
mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyimide varnish A is 3
It was 0 mPa · s.

【0031】合成例2 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
334.54gを加え、これに2,2'−ビス(トリフ
ルオロメチル)−ベンジジン32.023g(0.1モ
ル)を加え、溶解させた後、ピロメリット酸二無水物
10.906g(0.05モル)、3,3',4,4'−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物 16.11
1g(0.05モル)を加え、室温で16時間攪拌した
後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度は4000mPa・sであった。得られた
ポリアミド酸ワニスに樹脂分の1重量%のγ−アミノプ
ロピルトリエトキシシランを添加したのち、4重量%の
ポリアミド酸ワニスとなるようにN−メチル−2−ピロ
リドン、ブチルセロソルブで希釈した。得られたポリイ
ミドワニスBの粘度は34mPa・sであった。
Synthesis Example 2 334.54 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a 4-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube, and 2,2'-bis was added thereto. (Trifluoromethyl) -benzidine (32.023 g, 0.1 mol) was added and dissolved, followed by pyromellitic dianhydride.
10.906 g (0.05 mol), 3,3 ′, 4,4′-
Benzophenone tetracarboxylic dianhydride 16.11
After adding 1 g (0.05 mol) and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 4000 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyimide varnish B was 34 mPa · s.

【0032】合成例3 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
334.54gを加え、これに2,2'−ビス(トリフ
ルオロメチル)−ベンジジン32.024g(0.1モ
ル)を加え、溶解させた後、3,3',4,4'−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物 32.222g
(0.1モル)を加え、室温で16時間攪拌した後、粘
度調整を行い、15重量%のポリアミド酸ワニスを得
た。粘度は3500mPa・sであった。得られたポリ
アミド酸ワニスに樹脂分の1重量%のγ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランを添加したのち、4重量%のポリ
アミド酸ワニスとなるようにN−メチル−2−ピロリド
ン、ブチルセロソルブで希釈した。得られたポリイミド
ワニスCの粘度は32mPa・sであった。
Synthesis Example 3 334.54 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a 4-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a condenser tube and a nitrogen inlet tube, and 2,2'-bis was added thereto. After adding and dissolving 32.024 g (0.1 mol) of (trifluoromethyl) -benzidine, 32.222 g of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was obtained.
(0.1 mol), and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours, and then the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 3500 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish. The viscosity of the obtained polyimide varnish C was 32 mPa · s.

【0033】合成例4 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
182.38gを加え、2,2'−ビス(トリフルオロ
メトキシ)−ベンジジン28.179g(0.08モ
ル)、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル4.00
5g(0.02モル)を加え、溶解させた後、3,
3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物 32.222g(0.1モル)を加え、室温で16
時間攪拌した後、粘度調整を行い、15重量%のポリア
ミド酸ワニスを得た。粘度は3500mPa・sであっ
た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1重量%の
γ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加したの
ち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるようにN−メ
チル−2−ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈した。
得られたポリイミドワニスDの粘度は28mPa・sで
あった。
Synthesis Example 4 182.38 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a condenser tube and a nitrogen inlet tube, and 2,2'-bis (tri Fluoromethoxy) -benzidine 28.179 g (0.08 mol), 4,4′-diaminodiphenyl ether 4.00
After adding 5 g (0.02 mol) and dissolving,
32.222 g (0.1 mol) of 3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added, and 16
After stirring for an hour, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 3500 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish.
The viscosity of the obtained polyimide varnish D was 28 mPa · s.

【0034】比較合成例1 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
182.38gを加え、2,2'−ビス(トリフルオロ
メチル)−ベンジジン17.612g(0.05モ
ル)、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル5.40
7g(0.05モル)を加え、溶解させた後、3,
3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
32.222g(0.01モル)を加え、室温で16時
間攪拌した後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミ
ド酸ワニスを得た。粘度は3500mPa・sであっ
た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1重量%の
γ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加したの
ち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるようにN−メ
チル−2−ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈した。
得られたポリアミド酸ワニスEの粘度は20mPa・s
であった。
Comparative Synthesis Example 1 To a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen introducing tube, 182.38 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added, and 2,2'-bis ( 17.612 g (0.05 mol) of trifluoromethyl) -benzidine, 5.40 of 4,4′-diaminodiphenyl ether
After adding 7 g (0.05 mol) and dissolving,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
After adding 32.222 g (0.01 mol) and stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted to obtain a 15% by weight polyamic acid varnish. The viscosity was 3500 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish.
The viscosity of the obtained polyamic acid varnish E is 20 mPa · s.
Met.

【0035】比較合成例2 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコで、p−フェニレンジアミン1
0.814g(0.1モル)をN−メチル−2−ピロリ
ドン154.29gに溶解する。これに2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン酸二無水物16.414g(0.1モル)を加
え、室温で16時間攪拌した後、粘度調整を行い、15
重量%のポリアミド酸ワニスを得た。得られたポリアミ
ド酸ワニスの粘度は2500mPa・sであった。得ら
れたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1重量%のγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランを添加したのち、4重量
%のポリアミド酸ワニスとなるようにN−メチル−2−
ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈した。得られたポ
リアミド酸ワニスFの粘度は20mPa・sであった。
Comparative Synthesis Example 2 In a four-neck separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling pipe and a nitrogen inlet pipe, p-phenylenediamine 1
0.814 g (0.1 mol) is dissolved in 154.29 g of N-methyl-2-pyrrolidone. To this, 16.414 g (0.1 mol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxylphenyl) hexafluoropropanoic acid dianhydride was added, and after stirring at room temperature for 16 hours, the viscosity was adjusted.
% By weight of a polyamic acid varnish was obtained. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish was 2500 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, N-methyl-2-varnish was added to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish.
It was diluted with pyrrolidone and butyl cellosolve. The viscosity of the obtained polyamic acid varnish F was 20 mPa · s.

【0036】比較合成例3 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた4つ
口セパラブルフラスコに、N−メチル−2−ピロリドン
225.74g中に4,4'−ジアミノジフェニルエー
テル 20.024g(0.1モル)を加え溶解させた
後、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物
32.222g(0.1モル)を加え、室温で16時
間攪拌した後、粘度調整を行い、15重量%のポリアミ
ド酸ワニスを得た。粘度は2000mPa・sであっ
た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の1重量%の
γ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加したの
ち、4重量%のポリアミド酸ワニスとなるようにN−メ
チル−2−ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈した。
得られたポリアミド酸ワニスGの粘度は23mPa・s
であった。
Comparative Synthesis Example 3 In a four-necked separable flask equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling tube and a nitrogen inlet tube, 4,4'-diaminodiphenyl ether 20 in 225.74 g of N-methyl-2-pyrrolidone 20 After adding and dissolving 0.024 g (0.1 mol), 32.222 g (0.1 mol) of 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride was added, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. The viscosity was adjusted to obtain a polyamic acid varnish of 15% by weight. The viscosity was 2000 mPa · s. After adding 1% by weight of the resin content of γ-aminopropyltriethoxysilane to the obtained polyamic acid varnish, the mixture was diluted with N-methyl-2-pyrrolidone and butyl cellosolve to obtain 4% by weight of polyamic acid varnish.
The viscosity of the obtained polyamic acid varnish G is 23 mPa · s.
Met.

【0037】実施例1 合成例1で得られたワニスAをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、ホットプレート上
で80℃2分間、オーブンで160℃90分間加熱処理
をして、膜厚60nmのポリイミド膜を得た。ラビング
処理によってポリイミドの配向方向が180°になるよ
うに基板を組み合わせて、周りを封止した。なおセルギ
ャップは液晶封入状態で25μmとし、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムを介在させた。この基板間にネマ
チック液晶ZLI−2293(メルク社製商品名)を真
空含浸法で注入した。相転移温度85℃以上の温度であ
る110℃20分間でアイソトロピック処理を行い、プ
レチルト角評価用液晶表示素子(以降アンチパラレルセ
ルと省略する)とした。作成した液晶表示素子は良好な
配向性であり、クリスタルローテーション法によってプ
レチルト角を評価したところ、8.7°であった。
Example 1 The varnish A obtained in Synthesis Example 1 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and in an oven at 160 ° C. for 90 minutes. Thus, a polyimide film having a thickness of 60 nm was obtained. The substrates were combined so that the orientation direction of the polyimide became 180 ° by rubbing treatment, and the periphery was sealed. The cell gap was 25 μm with the liquid crystal sealed, and a polyethylene terephthalate film was interposed. Nematic liquid crystal ZLI-2293 (trade name, manufactured by Merck) was injected between the substrates by a vacuum impregnation method. An isotropic treatment was performed at 110 ° C. for 20 minutes, which is a phase transition temperature of 85 ° C. or higher, to obtain a pretilt angle evaluation liquid crystal display element (hereinafter abbreviated as anti-parallel cell). The prepared liquid crystal display element had good orientation, and the pretilt angle was evaluated by a crystal rotation method to be 8.7 °.

【0038】同様にワニスAをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、ホットプレート8
0℃2分間−オーブン140℃90分間の加熱処理を行
い、別にホットプレート80℃2分間−オーブン120
℃90分間の加熱処理を行って、それぞれ膜厚60nm
のポリイミド膜を得、配向性、プレチルト角の評価を行
った。結果は、まとめて表1に示す。
Similarly, varnish A is spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode is formed, and hot plate 8
Heat treatment at 0 ° C. for 2 minutes—oven at 140 ° C. for 90 minutes, and separately for hot plate at 80 ° C. for 2 minutes—oven 120
A heat treatment at 90 ° C. for 90 minutes is carried out, and
Was obtained, and the orientation and the pretilt angle were evaluated. The results are summarized in Table 1.

【0039】次に前記ワニスAを用いて前記と同様の方
法で640×200ドットになるようにITO電極が形
成された基板上にホットプレート上で80℃2分間−オ
ーブンで160℃90分間加熱処理をしてポリイミド膜
を形成し、ポリイミドの配向方向が240°ツイストに
なるようにラビング処理し、なおセルギャップは液晶封
入状態で6μmとなるように、セルを組立て、液晶を注
入し、液晶表示素子を作製した。該液晶表示素子は64
0×200ドットで駆動でき、ドメインの発生がなく、
コントラスト良好で高表示品質であった。
Next, the varnish A was heated on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes—on an oven at 160 ° C. for 90 minutes on the substrate on which the ITO electrodes were formed so as to form 640 × 200 dots in the same manner as described above. A rubbing process is performed so that the orientation direction of the polyimide is 240 ° twist, and a cell gap is set to 6 μm in a liquid crystal sealed state, and a liquid crystal is injected. A display element was manufactured. The liquid crystal display element is 64
It can be driven with 0x200 dots, no domain is generated,
The contrast was good and the display quality was high.

【0040】同様にワニスAを640×200ドットの
ITO電極が形成されている基板にスピン塗布をして、
ホットプレート80℃2分間−オーブン140℃90分
間の加熱処理、ホットプレート80℃2分間−オーブン
120℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚60
nmのポリイミド膜を得、240°ツイストセルをラビ
ング処理し、セルを組立て、液晶を注入し、液晶表示素
子を作製した。表示特性の結果は、まとめて表2に示
す。
Similarly, varnish A is spin-coated on a substrate on which a 640 × 200 dot ITO electrode is formed, and
A heat treatment at a hot plate of 80 ° C. for 2 minutes—an oven at 140 ° C. for 90 minutes, and a heat treatment at a temperature of a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes—an oven at 120 ° C. for 90 minutes are separately performed to obtain a film thickness of 60
Then, a 240 ° twist cell was rubbed, a cell was assembled, and liquid crystal was injected to produce a liquid crystal display device. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0041】実施例2 合成例2で得られたワニスBをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同様に
80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80℃2
分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間−1
20℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚60n
mのポリイミド膜を得た。実施例1と同様にアンチパラ
レルセルを作製した。配向性、プレチルト角の結果は、
まとめて表1に示す。同様にワニスBを640×200
ドットのITO電極が形成されている基板にスピン塗布
をして、実施例1と同様に80℃2分間−160℃90
分間の加熱処理、80℃2分間−140℃90分間の加
熱処理、80℃2分間−120℃90分間の加熱処理を
別々に行って、膜厚60nmのポリイミド膜を得、24
0°ツイストセルをラビング処理し、セルを組立て、液
晶を注入し、液晶表示素子を作製した。表示特性の結果
は、まとめて表2に示す。
Example 2 The varnish B obtained in Synthesis Example 2 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes in the same manner as in Example 1. , 80 ℃ 2
Heat treatment at 140 ° C for 90 minutes, 80 ° C for 2 minutes -1
A heat treatment at 20 ° C. for 90 minutes is separately performed to obtain a film thickness of 60 n
m was obtained. An anti-parallel cell was manufactured in the same manner as in Example 1. The results of orientation and pretilt angle are:
The results are shown in Table 1. Similarly, varnish B was 640 × 200
Spin coating is performed on the substrate on which the dot ITO electrodes are formed, and the same as in Example 1, 80 ° C. for 2 minutes and −160 ° C. 90
Heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 140 ° C. for 90 minutes, and heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes to obtain a polyimide film having a thickness of 60 nm.
The 0 ° twist cell was subjected to a rubbing treatment, a cell was assembled, a liquid crystal was injected, and a liquid crystal display device was produced. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0042】実施例3 合成例3で得られたワニスCをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同様に
80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80℃2
分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間−1
20℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚60n
mのポリイミド膜を得た。実施例1と同様にアンチパラ
レルセルを作製した。配向性、プレチルト角の結果は、
まとめて表1に示す。同様にワニスCを640×200
ドットのITO電極が形成されている基板にスピン塗布
をして、実施例1と同様に80℃2分間−160℃90
分間の加熱処理、80℃2分間−140℃90分間の加
熱処理、80℃2分間−120℃90分間の加熱処理を
別々に行って、膜厚60nmのポリイミド膜を得、24
0°ツイストセルをラビング処理し、セルを組立て、液
晶を注入し、液晶表示素子を作製した。表示特性の結果
は、まとめて表2に示す。
Example 3 The varnish C obtained in Synthesis Example 3 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes in the same manner as in Example 1. , 80 ℃ 2
Heat treatment at 140 ° C for 90 minutes, 80 ° C for 2 minutes -1
A heat treatment at 20 ° C. for 90 minutes is separately performed to obtain a film thickness of 60 n
m was obtained. An anti-parallel cell was manufactured in the same manner as in Example 1. The results of orientation and pretilt angle are:
The results are shown in Table 1. Similarly, varnish C was 640 × 200
Spin coating is performed on the substrate on which the dot ITO electrodes are formed, and the same as in Example 1, 80 ° C. for 2 minutes and −160 ° C. 90
Heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 140 ° C. for 90 minutes, and heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes to obtain a polyimide film having a thickness of 60 nm.
The 0 ° twist cell was subjected to a rubbing treatment, a cell was assembled, a liquid crystal was injected, and a liquid crystal display device was produced. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0043】実施例4 合成例4で得られたワニスDをITO電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同様に
80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80℃2
分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間−1
20℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚60n
mのポリイミド膜を得た。実施例1と同様にアンチパラ
レルセルを作製した。配向性、プレチルト角の結果は、
まとめて表1に示す。
Example 4 The varnish D obtained in Synthesis Example 4 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes in the same manner as in Example 1. , 80 ℃ 2
Heat treatment at 140 ° C for 90 minutes, 80 ° C for 2 minutes -1
A heat treatment at 20 ° C. for 90 minutes is separately performed to obtain a film thickness of 60 n
m was obtained. An anti-parallel cell was manufactured in the same manner as in Example 1. The results of orientation and pretilt angle are:
The results are shown in Table 1.

【0044】同様にワニスDを640×200ドットの
ITO電極が形成されている基板にスピン塗布をして、
実施例1と同様に80℃2分間−160℃90分間の加
熱処理、80℃2分間−140℃90分間の加熱処理、
80℃2分間−120℃90分間の加熱処理を別々に行
って、膜厚60nmのポリイミド膜を得、240°ツイ
ストセルをラビング処理し、セルを組立て、液晶を注入
し、液晶表示素子を作製した。表示特性の結果は、まと
めて表2に示す。
Similarly, varnish D is spin-coated on a substrate on which a 640 × 200 dot ITO electrode is formed, and
Heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes, heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 140 ° C. for 90 minutes, as in Example 1.
A heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes is separately performed to obtain a polyimide film having a thickness of 60 nm, a rubbing treatment is performed on a 240 ° twist cell, a cell is assembled, a liquid crystal is injected, and a liquid crystal display element is manufactured. did. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0045】比較例1 比較合成例1で得られたワニスEをITO電極が形成さ
れているガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同
様に80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80
℃2分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間
−120℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚6
0nmのポリイミド膜を得たが、120℃処理品は配向
性が不良であった。配向性、プレチルト角の結果は、ま
とめて表1に示す。同様にワニスEを640×200ド
ットのITO電極が形成されている基板にスピン塗布を
して、実施例1と同様に80℃2分間−160℃90分
間の加熱処理、80℃2分間−140℃90分間の加熱
処理、80℃2分間−120℃90分間の加熱処理を別
々に行って、膜厚60nmのポリイミド膜を得、240
°ツイストセルをラビング処理し、セルを組立て、液晶
を注入し、液晶表示素子を作製した。プレチルト角が低
いため、STN用の液晶表示素子には用いることができ
なかった。表示特性の結果は、まとめて表2に示す。
Comparative Example 1 The varnish E obtained in Comparative Synthesis Example 1 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes as in Example 1. Processing, 80
A heat treatment at 140 ° C. for 90 minutes and a heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes were separately performed to give a film thickness of 6
A polyimide film having a thickness of 0 nm was obtained, but the product treated at 120 ° C. had poor orientation. Table 1 summarizes the results of the orientation and the pretilt angle. Similarly, the varnish E is spin-coated on the substrate on which the 640 × 200 dot ITO electrode is formed, and heat-treated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes and 80 ° C. for 2 minutes as in Example 1. A heat treatment at 90 ° C. for 90 minutes and a heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes were separately performed to obtain a polyimide film having a thickness of 60 nm.
The rubbing treatment was performed on the twist cell, the cell was assembled, and liquid crystal was injected to produce a liquid crystal display device. Since the pretilt angle was low, it could not be used for a liquid crystal display element for STN. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0046】比較例2 比較合成例2で得られたワニスFをITO電極が形成さ
れているガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同
様に80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80
℃2分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間
−120℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚6
0nmのポリイミド膜を得た。実施例1と同様にアンチ
パラレルセルを作製した。その結果ラビング処理時にポ
リイミド膜にスジが発生した。配向性、プレチルト角の
結果は、まとめて表1に示す。同様にワニスFを640
×200ドットのITO電極が形成されている基板にス
ピン塗布をして、実施例1と同様に80℃2分間−16
0℃90分間の加熱処理、80℃2分間−140℃90
分間の加熱処理、80℃2分間−120℃90分間の加
熱処理を別々に行って、膜厚60nmのポリイミド膜を
得、240°ツイストセルをラビング処理し、セルを組
立て、液晶を注入し、液晶表示素子を作製した。プレチ
ルト角が低いため、STN用の液晶表示素子には用いる
ことができなかった。表示特性の結果は、まとめて表2
に示す。
Comparative Example 2 The varnish F obtained in Comparative Synthesis Example 2 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes in the same manner as in Example 1. Processing, 80
A heat treatment at 140 ° C. for 90 minutes and a heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes were separately performed to give a film thickness of 6
A 0 nm polyimide film was obtained. An anti-parallel cell was manufactured in the same manner as in Example 1. As a result, streaks occurred in the polyimide film during the rubbing treatment. Table 1 summarizes the results of the orientation and the pretilt angle. Similarly, varnish F was added to 640
Spin coating is performed on the substrate on which the × 200 dot ITO electrode is formed, and the same as in Example 1, -16 ° C. for 2 minutes
Heat treatment at 0 ° C. for 90 minutes, 80 ° C. for 2 minutes, −140 ° C. 90
Heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes and heat treatment at −120 ° C. for 90 minutes to obtain a polyimide film having a thickness of 60 nm, rubbing the 240 ° twist cell, assembling the cell, injecting liquid crystal, A liquid crystal display device was manufactured. Since the pretilt angle was low, it could not be used for a liquid crystal display element for STN. Table 2 summarizes the results of the display characteristics.
Shown in

【0047】比較例3 比較合成例2で得られたワニスGをITO電極が形成さ
れているガラス基板にスピン塗布をして、実施例1と同
様に80℃2分間−160℃90分間の加熱処理、80
℃2分間−140℃90分間の加熱処理、80℃2分間
−120℃90分間の加熱処理を別々に行って、膜厚6
0nmのポリイミド膜を得たが、120℃処理品は配向
性が不良であった。実施例1と同様にアンチパラレルセ
ルを作製した。配向性、プレチルト角の結果は、まとめ
て表1に示す。同様にワニスGを640×200ドット
のITO電極が形成されている基板にスピン塗布をし
て、実施例1と同様に80℃2分間−160℃90分間
の加熱処理、80℃2分間−140℃90分間の加熱処
理、80℃2分間−120℃90分間の加熱処理を別々
に行って、膜厚60nmのポリイミド膜を得、240°
ツイストセルをラビング処理し、セルを組立て、液晶を
注入し、液晶表示素子を作製した。プレチルト角が低い
ため、STN用の液晶表示素子には用いることができな
かった。表示特性の結果は、まとめて表2に示す。
Comparative Example 3 The varnish G obtained in Comparative Synthesis Example 2 was spin-coated on a glass substrate on which an ITO electrode was formed, and heated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes in the same manner as in Example 1. Processing, 80
A heat treatment at 140 ° C. for 90 minutes and a heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes were separately performed to give a film thickness of 6
A polyimide film having a thickness of 0 nm was obtained, but the product treated at 120 ° C. had poor orientation. An anti-parallel cell was manufactured in the same manner as in Example 1. Table 1 summarizes the results of the orientation and the pretilt angle. Similarly, the varnish G is spin-coated on the substrate on which the 640 × 200 dot ITO electrode is formed, and heat-treated at 80 ° C. for 2 minutes to 160 ° C. for 90 minutes and 80 ° C. for 2 minutes as in Example 1. A heat treatment at 90 ° C. for 90 minutes and a heat treatment at 80 ° C. for 2 minutes to 120 ° C. for 90 minutes were separately performed to obtain a polyimide film having a film thickness of 60 nm and 240 ° C.
The twist cell was rubbed, the cell was assembled, and liquid crystal was injected to produce a liquid crystal display device. Since the pretilt angle was low, it could not be used for a liquid crystal display element for STN. Table 2 shows the results of the display characteristics.

【0048】[0048]

【表1】 [Table 1]

【0049】[0049]

【表2】 [Table 2]

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明の液晶配向膜用組成物によれば、
120℃〜160℃の低温硬化条件でも良好な配向機能
が得られ、ラビング時のきずや削れの発生がない、高画
質の液晶表示装置を提供できる。また本発明の液晶配向
膜及びその製造法は、前記液晶配向膜組成物を用いるこ
とにより、160℃以下の低温硬化でもスーパーツイス
トネマチック(STN)用途として要求されている4°
以上のプレチルト角が得られる、高画質の画像を示すこ
とが可能なものである。さらに本発明の液晶挟持基板及
び液晶挟持装置は、上記液晶配向膜を用いることによ
り、高画質の画像を示すものである。
According to the composition for a liquid crystal alignment film of the present invention,
A good alignment function can be obtained even under low-temperature curing conditions of 120 ° C. to 160 ° C., and a high-quality liquid crystal display device free from scratches and scraping during rubbing can be provided. In addition, the liquid crystal alignment film of the present invention and the method for producing the same use the liquid crystal alignment film composition described above and are required to be used as a super twisted nematic (STN) 4 ° even at a low temperature of 160 ° C. or lower.
It is possible to show a high-quality image that can obtain the above pretilt angle. Further, the liquid crystal holding substrate and the liquid crystal holding device of the present invention show a high quality image by using the above liquid crystal alignment film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 直紀 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 Fターム(参考) 2H090 HB08Y HB10Y HB17Y HC06 KA05 KA08 MB01 4F071 AA60 AF35 AH12 AH19 BA02 BB02 BC02 4J002 CM041 GP00 GQ00  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Naoki Okuda 4-3-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical DuPont Microsystems Co., Ltd. Yamazaki Development Center F-term (reference) MB01 4F071 AA60 AF35 AH12 AH19 BA02 BB02 BC02 4J002 CM041 GP00 GQ00

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(I) 【化1】 (式中、Wは4価の有機基を示し、Rは2価の有機基を
示す)で表される繰り返し単位を有し、かつ、前記繰り
返し単位におけるWの少なくとも一部は3,3',4,
4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の残基
であり、前記繰り返し単位におけるRの少なくとも一部
は一般式(II) 【化2】 (式中、R及びRは、相互独立に、一価の基であ
る)で示される残基であるポリイミド又はその前駆体を
含有してなる液晶配向膜用組成物。
1. A compound of the general formula (I) (Wherein, W represents a tetravalent organic group and R represents a divalent organic group), and at least a part of W in the repeating unit is 3,3 ′ , 4,
4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, wherein at least a part of R in the repeating unit is a compound represented by the general formula (II): (Wherein, R 1 and R 2 are each independently a monovalent group). A composition for a liquid crystal alignment film, comprising polyimide or a precursor thereof, which is a residue represented by the formula:
【請求項2】繰り返し単位におけるWのうち、少なくと
も30モル%以上が3,3',4,4'−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物の残基である請求項1記載の
液晶配向膜用組成物。
2. The composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, wherein at least 30 mol% or more of W in the repeating unit is a residue of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. object.
【請求項3】繰り返し単位におけるRのうち、少なくと
も30モル%以上が、一般式(II)で示される残基で
ある請求項1又は2記載の液晶配向膜用組成物。
3. The composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, wherein at least 30 mol% or more of R in the repeating unit is a residue represented by the general formula (II).
【請求項4】請求項1、2又は3記載の液晶配向膜用組
成物から形成されるポリイミド膜を、ラビング処理して
得られる液晶配向膜。
4. A liquid crystal alignment film obtained by rubbing a polyimide film formed from the composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, 2 or 3.
【請求項5】請求項1、2又は3記載の液晶配向膜用組
成物を120℃以上160℃以下の温度で乾燥又は閉環
させてポリイミド膜を形成し、ついでラビング処理を行
う液晶配向膜の製造法。
5. A composition for a liquid crystal alignment film according to claim 1, 2 or 3, which is dried or closed at a temperature of 120 ° C. or more and 160 ° C. or less to form a polyimide film and then rubbing. Manufacturing method.
【請求項6】請求項4記載の液晶配向膜又は請求項5記
載の製造法により得られる液晶配向膜を有してなる液晶
挟持基板。
6. A liquid crystal sandwiching substrate comprising a liquid crystal alignment film according to claim 4 or a liquid crystal alignment film obtained by the production method according to claim 5.
【請求項7】請求項6記載の液晶挟持基板を有してなる
液晶表示装置。
7. A liquid crystal display device comprising the liquid crystal holding substrate according to claim 6.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004090016A1 (en) * 2003-04-09 2004-10-21 Nissan Chemical Industries, Ltd. Material for liquid crystal alignment layers
WO2022210109A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 Polyimide resin composition, polyimide precursor composition, varnish, and polyimide film
WO2024034634A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 三菱瓦斯化学株式会社 Manufacturing method for polyimide resin varnish

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004090016A1 (en) * 2003-04-09 2004-10-21 Nissan Chemical Industries, Ltd. Material for liquid crystal alignment layers
WO2022210109A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 Polyimide resin composition, polyimide precursor composition, varnish, and polyimide film
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