JP2002128922A - エッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ
方向に対して異方的にエッチングすることができ、か
つ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチング
をすることができる樹脂膜のエッチング方法を提供する
ものである。 【解決手段】樹脂膜をエッチングするに際し、エッチン
グ前もしくはエッチング中の少なくとも一方において、
マイクロ波を照射することを特徴とする樹脂膜のエッチ
ング方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に用いら
れる樹脂膜に対するエッチング方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポリイミドなどの樹脂をエッチン
グする方法としては、ヒドラジンを主成分とする溶液を
用いてウエットエッチングする方法が開示されており
（特開平３−１０１２２８号公報、特開平５−２０２２
０６号公報）、他に水酸化カリウムを用いたエッチング
方法が開示されている（特開平５−３０１９８１号公
報）。

【０００３】しかしながら、通常のウエットエッチング
方法では、エッチングに非常に長い時間が必要な材質が
あり、場合によってはウエットエッチングできない材質
もあった。例えばこれまでにある宇部興産（株）製ポリ
イミド「ユーピレックス」やポリアミド、液晶ポリマー
などをウエットエッチングするには非常に長い時間が必
要であり、現実的ではなかった。ウエットエッチングが
容易な材質（例えば東レ・デュポン（株）製ポリイミド
「カプトン」など）においても、エッチングにむらが生
じる場合が多く、とりわけ大面積をエッチングしたり連
続でエッチングを行う場合に全体をきれいな形状でエッ
チングすることは困難であった。また、一般的に微細な
パターンになるほどエッチング時間が長くなり、エッチ
ングのばらつきも大きくなる問題も有していた。更に、
エッチングされる膜の横方向と厚さ方向とは通常同程度
にしかエッチングされないため、エッチングされる膜が
厚くなるにつれて微細なパターンのエッチングが困難で
あった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の背景に鑑み、短時間でエッチングされる膜の厚さ
方向に対して異方的にエッチングすることができ、か
つ、均一に整ったエッチングをすることができる樹脂膜
のエッチング方法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は樹脂
膜をエッチングするに際し、エッチング前もしくはエッ
チング中の少なくとも一方において、マイクロ波を照射
することを特徴とする樹脂膜のエッチング方法である。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明におけるマイクロ波照射
は、エッチング前、もしくはエッチング中、あるいはそ
の両方で行うことができる。エッチング前に照射する場
合は、主としてエッチングされる膜の表面改質に効果が
あり、表面を改質することで樹脂膜の厚さ方向に異方的
にエッチングすることができ、かつエッチング時間の短
縮にもつながる。エッチング中に照射する場合は、主と
してエッチング効率の向上に効果があり、短時間でのエ
ッチングが可能となり、本来不必要な樹脂膜への横方向
へのエッチングが起こる前にエッチングを終了できるた
め、結果として樹脂膜の厚さ方向に異方的にエッチング
できる。さらに、両方の照射方法を併用することで、前
記に示した両方の効果を奏することができる。

【０００７】本発明に用いられるマイクロ波としては、
３０ｃｍ〜０．３ｍｍの波長領域、１ＧＨｚ〜１０００
ＧＨｚの周波数領域が挙げられるが、このようなマイク
ロ波はＵＨＦ（ultrahigh frequency、〜３ＧＨｚ）、
ＳＨＦ（superhigh frequency、３ＧＨｚ〜３０ＧＨ
ｚ）、ＥＨＦ（３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ）などに区分
される。これらの中では１ＧＨｚ〜３０ＧＨｚが好まし
いが、これらに限定されない。

【０００８】本発明においては、エッチング時のマイク
ロ波照射時間は特に限定されないが、エッチング前に照
射する場合はそれぞれの樹脂膜に適した表面改質時間が
選ばれる。エッチング中に照射する場合は好ましくは間
欠的に照射するのがよく、すなわちエッチング時にマイ
クロ波照射の時間とマイクロ波無照射の時間とを交互に
設けるのがよい。マイクロ波照射を間欠的に行うことに
より、単純にマイクロ波を照射するよりも均一にエッチ
ングすることができる。マイクロ波を照射しない時間を
設けることで全体のばらつきを抑制でき、結果として均
一性を向上させることができる。マイクロ波を照射する
方法とマイクロ波を照射しない方法のどちらを先に始め
るかは任意であり、エッチングされる膜の種類などによ
って使い分けられる。このような複数回のエッチングを
行う場合、マイクロ波の種類は同じでも良く、１回ごと
に変化させてもよい。間欠的にエッチングする具体例と
しては、例えばマイクロ波を照射しながらまず１〜３０
０秒間エッチングし、次にマイクロ波照射をやめて１〜
２４００秒間エッチングし、再度マイクロ波を照射しな
がら１〜３００秒間エッチングするという方法が挙げら
れる。この場合、マイクロ波の種類は一定でもよいが、
それぞれ異なっていてもよい。

【０００９】マイクロ波の照射方法であるが、直接サン
プルにマイクロ波が当たるように照射してもよく、適当
に反射させたりしてもよい。エッチング液を用いるウエ
ットエッチングの場合では、サンプルにマイクロ波を照
射するのではなく、エッチング液にマイクロ波を照射す
ることで間接的に効果をもたらしてもよい。

【００１０】本発明を用いれば、樹脂膜を短時間で、ば
らつきなく均一に、かつ、きれいな形状でエッチングす
ることができる上に、異方的にエッチングすることがで
きる。樹脂膜を短時間でエッチングできるので、作業効
率が著しく向上し、とりわけ帯状の樹脂膜を連続でエッ
チングする場合に非常に有効である。また、ばらつきな
く均一にエッチングできるので、大面積の樹脂膜を一度
にエッチングすることができ、品質の整ったエッチング
ができ、かつ作業効率も向上する。更に、きれいな形状
でエッチングできるので、微細なパターン形成に優位な
だけでなく、エッチング後のメッキなどの工程が容易に
なる。異方的にエッチングできることは、微細なパター
ン形成に優位である。

【００１１】本発明によりエッチングされる樹脂膜とし
ては、たとえば樹脂膜の材質としては、ポリイミド（例
えば東レ・デュポン（株）製「カプトン」、宇部興産
（株）「ユーピレックス」、鐘淵化学工業（株）製「ア
ピカル」など）、ポリアミド（例えば東レ（株）製「ミ
クトロン」など）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート、例えば東
レ（株）製「ルミラー」など）、液晶ポリマー（例えば
東レ（株）製「シベラス」、ポリプラスチックス（株）
製「ベクトラ」、日本石油化学（株）製「ザイダー」な
ど）などが使用されるが、これらに限定されるものでは
ない。上記樹脂は単独で用いられても２種以上をブレン
ドしたり、貼り合わせたりしたものでもよい。また、樹
脂膜中に種々の添加剤を加えたものでもよい。かかる添
加剤としては、例えば難燃剤などのフィラー、ガラスク
ロスなどが使用されるが、これらに限定されない。これ
らの中でも、とりわけポリイミド、ポリアミドあるいは
液晶ポリマーからなる樹脂膜が好ましく使用される。

【００１２】上記樹脂膜は、適当な大きさに裁断された
ものでも帯状のものでもよい。また、支持体として別の
材質に貼りつけらていたり、接着されていてもよい。こ
の場合の支持体としては、金属、樹脂、ガラス、木材、
紙、シリコンウエハーなどを使用することができる。

【００１３】樹脂膜の厚みは、特に限定されず、用途に
合った厚みが選択できるが、好ましくは５００μｍ以
下、より好ましくは１００μｍ以下である。

【００１４】本発明のエッチングとしては、主としてエ
ッチング液を用いたウエットエッチング方法が好ましく
用いられる。かかるエッチング液としては、エッチング
される樹脂膜に適したエッチング液が選択される。

【００１５】すなわち、ポリイミド膜やポリアミド膜、
液晶ポリマーなどの樹脂膜をエッチングする場合には、
ヒドラジン系溶液、例えばエチレンジアミン、エタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ベンジルアミンなどの脂肪族アミン系溶液、例えば
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、３
−キリリレンジアミン、４−キシリレンジアミンなどの
芳香族アミン系溶液、水酸化カリウムや水酸化ナトリウ
ムなどのアルカリ金属化合物を含んだ溶液、及びこれら
の組み合わせたアルカリ性溶液などが用いられるが、こ
れらに限定されない。上記のエッチング液は非水系、水
系どちらでもよく、液の均一性を向上させるためにアル
コール系化合物を添加してもよい。また、場合によって
は、不均一な組み合わせでもよい。

【００１６】具体的なエッチング液の組み合わせとして
は以下の例のものが好ましいが、これらに限定されな
い。

【００１７】（１）水酸化カリウム／水／アミン／アル
コールの組み合わせ（例えば水酸化カリウム／水／エチ
レンジアミン／エチレングリコール、水酸化カリウム／
水／エタノールアミン／エチレングリコール、水酸化カ
リウム／水／エチレンジアミン／エタノール、水酸化カ
リウム／水／エタノールアミン／エタノール、水酸化カ
リウム／水／エチレンジアミン／グリセリン、水酸化カ
リウム／水／エタノールアミン／グリセリン、水酸化カ
リウム／水／ベンジルアミン／エチレングリコール）、
（２）水酸化ナトリウム／水／アミン／アルコールの組
み合わせ（例えば水酸化ナトリウム／水／エチレンジア
ミン／エチレングリコール、水酸化ナトリウム／水／エ
タノールアミン／エチレングリコール、水酸化ナトリウ
ム／水／エチレンジアミン／エタノール、水酸化ナトリ
ウム／水／エアノールアミン／エタノール、水酸化ナト
リウム／水／エチレンジアミン／グリセリン、水酸化ナ
トリウム／水／エタノールアミン／グリセリン、水酸化
ナトリルム／水／ｐ−フェニレンジアミン／エタノー
ル）、（３）水酸化カリウム／水／アミンの組み合わせ
（例えば水酸化カリウム／水／エタノールアミン、水酸
化カリウム／水／ジエタノールアミン）、（４）水酸化
ナトリウム／水／アミンの組み合わせ（例えば水酸化ナ
トリウム／水／エタノールアミン、水酸化ナトリウム／
水／ジエタノールアミン）、（５）水酸化カリウム／ア
ミン／アルコールの組み合わせ（例えば水酸化カリウム
／エチレンジアミン／エタノール、水酸化カリウム／エ
タノールアミン／エタノール、水酸化カリウム／エチレ
ンジアミン／エチレングリコール、水酸化カリウム／エ
タノールアミン／エチレングリコール）、（６）水酸化
ナトリウム／アミン／アルコールの組み合わせ（例えば
水酸化ナトリウム／エチレンジアミン／エタノール、水
酸化ナトリウム／エタノールアミン／エタノール、水酸
化ナトリウム／エチレンジアミン／エチレングリコー
ル、水酸化ナトリウム／エタノールアミン／エチレング
リコール）が挙げられる。

【００１８】エッチング液の温度に関しては、エッチン
グされる膜の性質に大きく依存し、とりわけウエットエ
ッチングの場合にはエッチング液にも依存し、更に通常
はマイクロ波照射により時間と共に温度が変化するので
一概に言えないが、通常は５〜１００℃、好ましくは２
０〜９０℃の間に制御することが好ましい。あまり温度
を上げ過ぎるとエッチング中にエッチング液組成が変化
してしまい、逆に温度が低すぎるとエッチングの効率が
下がるので上記範囲で制御することが好ましい。

【００１９】本発明におけるエッチング方法では、エッ
チング液にエッチングされる膜を浸漬する方法、エッチ
ング液をエッチングされる膜に噴射する方法などが挙げ
られる。

【００２０】エッチング液を噴射する場合には、通常ス
プレーノズルを吹き出し口の先端に取り付け、圧力によ
り吹き出す方法が用いられる。スプレーノズルの形状に
ついては特に限定はないが、例えば（株）共立合金製作
所のミニミスト、ラウンドミスト、空気噴射ノズル、デ
スケーリングノズル、ＱＣノズル、フラットスプレーノ
ズル、ワイドフラットノズル、長円吹ノズル、斜方フラ
ットノズル、サイドスプレーノズル、サイドスプレーノ
ズル、フルコーンノズル、角吹ノズル、楕円吹ノズル、
渦巻ノズル、ホロコーンノズル、洗浄用ノズル、ニード
ルジェットノズルなどが使用されるが、これらに限定さ
れるものではない。ノズルは単独でも複数個使用しても
よく、また異なる種類のノズルを組み合わせて使用して
もよい。

【００２１】また、吹き出す圧力についても、エッチン
グされる膜の種類や厚みなどによって大きく異なるが、
好ましくは９０００〜１０００００００Ｐａ圧力で噴き
出す手段が採用される。噴き出す方向は、エッチングさ
れる膜の厚さ方向や、エッチング膜の横方向や斜め方向
から噴射させることがあるが、より好ましくはエッチン
グされる膜の厚さ方向である。

【００２２】次に、本発明であるエッチング方法の一連
の手順ついて説明するが、この方法に限定されるもので
はない。

【００２３】まず、樹脂膜上にエッチング用マスク（銅
マスク、ステンレスマスク、レジストマスクなど）を形
成する。マスク形成方法としては、接着剤を介して樹脂
膜に接着させる方法、スパッタやメッキなどにより直接
樹脂膜上に形成する方法、樹脂膜に密着させる方法など
が挙げられる。マスクはあらかじめパターンを形成させ
ておいてもよく、樹脂膜上に形成後にパターニングして
もよい。マスクのパターン形成としては、レジストによ
る方法、レーザー加工法などが挙げられる。

【００２４】樹脂膜上にパターニングされたマスクを形
成した後、マイクロ波を照射しながら適当なエッチング
液をマスク側から供給してエッチングする。あるいはま
ずマイクロ波をあらかじめ照射しておき、その後にエッ
チング液をマスク側から供給してエッチングする。エッ
チング液の供給方法としては、エッチング液中に樹脂膜
を浸漬させる方法、スプレーによる噴射方法などが挙げ
られる。エッチングは通常片面からのみ行われるので、
樹脂膜のマスク形成されていない側は適当な材質で保護
しておくのが好ましい。保護材としては銅やステンレ
ス、レジストなどが挙げられる。

【００２５】本発明によるエッチング方法で処理された
樹脂膜は、エッチングのパターンに応じた貫通孔があい
ている。この貫通孔に導通を取るための金属（銅やアル
ミニウムなど）を埋め込むことにより、樹脂膜の両面の
導通を取ることが可能となる。更に樹脂膜の両方の表面
に配線を施すことにより、両面の導通が取れた２層配線
の配線板が得られる。

【００２６】本発明を用いれば、導通を取るための孔を
形状良く微細化できるので、それだけ配線に使用できる
面積が増え、結果として高密度の配線板を形成すること
ができる。高密度配線板は、パソコン用マザーボードと
いった大きな基板からＣＳＰ（チップスケールパッケー
ジ）用インターポーザといった小さな基板まで、幅広い
用途に採用することができる。

【００２７】

【実施例】以下実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【００２８】実施例１及び比較例１ ポリイミドフイルム「カプトンＥＮ」、「ユーピレック
スＳ」、「アピカルＮＰＩ」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラＣＸ」を
５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り取った。これらの樹
脂にクロムスパッタ、銅スパッタ、銅メッキを施して厚
さ８μｍの銅箔を両面に形成した。この銅箔の両面にヘ
キスト社製ポジ型フォトレジスト「ＡＺ Ｐ４０００」
をスピンコーターで塗布し、ホットプレート上で１００
℃、３分乾燥した。乾燥膜厚は１０μｍであった。

【００２９】次に、３００μｍφの孔を２ｍｍおきに２
４個×２４個の格子状に配置したマスクを使い、ｇ線用
ステッパーにて片面を３００ｍＪ／ｃｍ²で露光し、Ａ
Ｚ４００Ｋデベロッパーを水で５倍希釈した現像液を用
いて３分間現像し、マスクに合った３００μｍφのパタ
ーンを格子状に形成した。

【００３０】パターン形成されたフォトレジストを銅エ
ッチングマスクとし、エッチング液として４０℃の塩化
鉄水溶液を用い、（株）共立合金製作所製フルコーンノ
ズル（型番１／４ＫＳＦＨＳ０６６５）から圧力１９６
１３３Ｐａで塩化鉄水溶液を噴射し、５分間エッチング
した。

【００３１】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度はパターン形成された銅をマスクとし、水
酸化カリウム３０ｇ、エチレングリコール２５ｇ、エチ
レンジアミン１０ｇ、水３５ｇで構成されるエッチング
液を初期温度３０℃で用い、浸漬させ、２．５ＧＨｚの
マイクロ波を照射しながらエッチングを行い、孔が貫通
するまでの時間を観察した。

【００３２】比較として、マイクロ波を照射しないで同
様のエッチングを行った。

【００３３】結果は表１に示す通りであり、マイクロ波
を照射することにより厚い樹脂から薄い樹脂までどの材
質でも短時間でエッチングできた。マイクロ波を照射し
ない場合、「ユーピレックスＳ」や「ミクトロン」、
「ベクトラＣＸ」ではエッチングできず、「カプトンＥ
Ｎ」や「アピカルＮＰＩ」もエッチングに長い時間が必
要であっった。

【００３４】

【表１】

【００３５】実施例２及び比較例２ ポリイミドフイルム「カプトンＥＮ」、「ユーピレック
スＳ」、「アピカルＮＰＩ」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラＣＸ」の
５０４ｍｍ幅のロール状のサンプルを用い、まず実施例
１と同様にして銅マスクを形成した。

【００３６】銅マスク形成後、水酸化カリウム３０ｇ、
エタノール１５ｇ、エチレンジアミン１０ｇ、水３５ｇ
で構成されるエッチング液を初期温度２０℃で用い、１
００ＧＨｚのマイクロ波を照射しながらエッチングを行
い、孔が貫通するまでの時間とエッチング形状、エッチ
ングのばらつきを観察した。

【００３７】比較として、マイクロ波を照射しないで同
様のエッチングを行った。

【００３８】実施例２および比較例２の場合のエッチン
グ時間は、マスクのサイズである５０４ｍｍ×５０４ｍ
ｍを１ユニットとすると、１ユニットのエッチングが終
了し次のユニットのエッチングに移る方法で連続１０時
間エッチングし、１ユニットに要したエッチング時間の
平均をエッチング時間とした。

【００３９】結果は表２に示す通りであり、マイクロ波
を照射することにより、厚い樹脂から薄い樹脂までどの
材質でも短時間で形状よく、均一にエッチングできた。

【００４０】しかし、マイクロ波を照射しない場合、
「ユーピレックスＳ」や「ミクトロン」、「ベクトラＣ
Ｘ」ではエッチングできず、「カプトンＥＮ」や「アピ
カルＮＰＩ」も形状が悪く、場所によるばらつきが多か
った。

【００４１】

【表２】

【００４２】実施例３および比較例３ 東洋メタライジング（株）製メタロイヤルフィルム（厚
さ２５μｍのポリイミドフィルム「カプトンＥＮ」に厚
さ８μｍの銅膜を両面に形成した材料）を５ｃｍ角の大
きさに切り取った。４０〜１５０μｍφの円形パターン
で構成されたマスクを用いたほかは、実施例１と同様に
銅のエッチングを行った。

【００４３】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度はパターン形成された銅をマスクとし、水
酸化ナトリウム３３ｇ、エチレングリコール４５ｇ、エ
チレンジアミン２２ｇ、水７０ｇで構成されたポリイミ
ド用エッチング液を初期温度２５℃で８０℃を越えない
ように制御し、（株）共立合金製作所製ホロコーンノズ
ル（型番ＫＳＣ００５）から圧力４９０３３２．５Ｐａ
でエッチング液を膜の厚さ方向に噴射し、１０ＧＨｚの
マイクロ波を照射しながら時間を変えてエッチングし
た。

【００４４】ポリイミドエッチング終了後、塩化鉄水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリイミドの
形状を観察した。結果は表３に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００４５】なお、「横方向に対する厚み方向の異方
性」であるが、これはエッチングされた膜の厚みと比較
して、横方向にどれだけエッチングされたかの比率を示
している。

【００４６】表３で例えばマスク設定パターン径が１５
０μｍの場合、レジスト側のポリイミドパターン径と底
側のポリイミドパターン径の差は１０μｍである。横方
向の場合は一方向ではなく二方向にエッチングされるの
で、横方向には５μｍエッチングされていることにな
る。エッチングされたポリイミド膜の厚みが２５μｍな
ので、この場合には、２５÷５＝５（倍）が異方性とな
る。

【００４７】また比較例３として、ポリイミドのエッチ
ング時にマイクロ波を照射しない以外は実施例３と同様
に行った。実施例３と比較してエッチングに長い時間を
要し、形状がいびつでばらつきの多いエッチングであっ
た。

【００４８】

【表３】

【００４９】実施例４および比較例４ 東洋メタライジング（株）製メタロイヤルフィルム（厚
さ５０μｍのポリイミドフィルム「カプトンＥＮ」に厚
さ８μｍの銅膜を両面に形成した材料）を用い、銅のエ
ッチング液として塩化銅水溶液を用いた以外は実施例３
と同様に行い、銅をエッチングした。

【００５０】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度はパターン形成された銅をマスクとし、水
酸化カリウム３３ｇ、モノエタノールアミン２２ｇ、エ
チレンジアミン１０ｇ、水３５ｇで構成されるポリイミ
ド用エッチング液を初期温度３０℃で用い、エッチング
液に浸漬させ、６００ＧＨｚのマイクロ波を照射しなが
ら時間を変えてエッチングした。

【００５１】ポリイミドエッチング終了後、塩化銅水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリイミドの
形状を観察した。結果は表４に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００５２】また比較例４として、ポリイミドのエッチ
ング時にマイクロ波を照射しない以外は実施例４と同様
に行った。実施例４と比較してエッチングに長い時間を
要し、エッチングできなかった。

【００５３】

【表４】

【００５４】実施例５および比較例５ 厚さ２５μｍのポリアミドフィルム「ミクトロン」の片
面にクロム、銅をこの順にスパッタし、その後電解メッ
キにより厚さ８μｍの銅膜を両面に形成した。この材料
を用い、実施例３と同様の方法で銅をエッチングした。

【００５５】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度は銅をマスクとし、水酸化カリウム１１
ｇ、モノエタノールアミン４３ｇ、水４６ｇで構成され
るポリアミド用エッチング液を初期温度２０℃で用い、
エッチング液に浸漬させ、３ＧＨｚのマイクロ波を照射
しながら時間を変えてエッチングした。

【００５６】ポリアミドエッチング終了後、塩化鉄水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリアミドの
形状を観察した。結果は表５に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００５７】また比較例５として、ポリアミドのエッチ
ング時にマイクロ波を照射しない以外は実施例５と同様
に行った。実施例５と比較してエッチングに長い時間を
要し、エッチングできなかった。

【００５８】

【表５】

【００５９】実施例６および比較例６ 厚さ５０μｍの液晶ポリマーフィルム「ベクトラＣＸ」
の片面にクロム、銅をこの順にスパッタし、その後電解
メッキにより厚さ８μｍの銅膜を両面に形成した。この
材料を用い、実施例３と同様の方法で銅をエッチングし
た。

【００６０】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度は銅をマスクとし、水酸化カリウム２０
ｇ、モノエタノールアミン４３ｇ、エチレンジアミン１
１ｇ、水２６ｇで構成される液晶ポリマー用エッチング
液を初期温度３５℃で用い、エッチング液に浸漬させ、
２００ＧＨｚのマイクロ波を照射しながら時間を変えて
エッチングした。

【００６１】液晶ポリマーエッチング終了後、塩化鉄水
溶液を用いて銅を除去し、エッチングされた液晶ポリマ
ーの形状を観察した。結果は表６に示す通りであり、短
時間で良好なエッチングができた。

【００６２】また比較例６として、液晶ポリマーのエッ
チング時にマイクロ波を照射しない以外は実施例６と同
様に行った。実施例６と比較してエッチングに長い時間
を要し、エッチングできなかった。

【００６３】

【表６】

【００６４】実施例７ 実施例３の銅のエッチングを施したサンプルを用いた。
銅のエッチング終了後、フォトレジストを除去した。そ
れから実施例１で用いたマイクロ波を用い、パターン化
された銅側から１０秒間マイクロ波を照射した。マイク
ロ波照射後、今度は銅をマスクとし、実施例１で用いた
ポリイミド用エッチング液を初期温度３０℃で用い、エ
ッチング液に浸漬させ、実施例２で用いたマイクロ波を
使用し、マイクロ波を照射しながら時間を変えてエッチ
ングした。

【００６５】ポリイミドエッチング終了後、塩化鉄水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリイミドの
形状を観察した。結果は表７に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００６６】

【表７】

【００６７】実施例９ 実施例３の銅のエッチングを施したサンプルを用いた。
銅のエッチング終了後、フォトレジストを除去し、今度
は銅をマスクとし、水酸化カリウム３３ｇ、エチレング
リコール２２ｇ、エチレンジアミン１１ｇ、水３４ｇで
構成されるポリイミド用エッチング液を初期温度２０℃
で８０℃を越えないよう制御し、（株）共立合金製作所
製ホロコーンノズル（型番ＫＳＣ００５）から圧力４９
０３３２．５Ｐａでエッチング液を膜の厚さ方向に噴射
し、実施例１で用いたマイクロ波を使用し、厚さ方向に
マイクロ波を照射しながら１０秒エッチングした。

【００６８】次に、マイクロ波の照射をやめて同様のエ
ッチングを２０秒行った。

【００６９】ポリイミドエッチング終了後、塩化鉄水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリイミドの
形状を観察した。結果は表８に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００７０】実施例１０ 実施例９において、ポリイミドのエッチングの際に先に
マイクロ波照射なしで２０秒のエッチングを行い、次に
マイクロ波を照射しながら１０秒間エッチングする以外
は全て実施例９と同様にしてポリイミドをエッチングし
た。

【００７１】ポリイミドエッチング終了後、塩化鉄水溶
液を用いて銅を除去し、エッチングされたポリイミドの
形状を観察した。結果は表８に示す通りであり、短時間
で良好なエッチングができた。

【００７２】

【表８】

【００７３】実施例１１ 実施例３の銅のエッチングを施したサンプルを用いた。
銅のエッチング終了後、フォトレジストを除去し、今度
は銅をマスクとし、水酸化カリウム３３ｇ、モノエタノ
ールアミン１１ｇ、エチレングリコール１１ｇ、エチレ
ンジアミン１１ｇ、水３４ｇで構成されるポリイミド用
エッチング液を初期温度２０℃で用い、エッチング液に
浸漬させ、実施例２で用いたマイクロ波を使用し、厚さ
方向にマイクロ波照射しながら５秒エッチングした。

【００７４】次に、マイクロ波の照射をやめて同様のエ
ッチングを１０秒行った。その後、再度マイクロ波照射
を行いながら同様のエッチングを５秒行った。ポリイミ
ドエッチング終了後、塩化銅水溶液を用いて銅を除去
し、エッチングされたポリイミドの形状を観察した。結
果は表９に示す通りであり、短時間で良好なエッチング
ができた。

【００７５】実施例１２ 実施例１１において、ポリイミドのエッチングの際に先
にマイクロ波照射なしで５秒エッチングを行い、次にマ
イクロ波を照射しながら１５秒エッチングし、その後再
びマイクロ波照射なしで５秒のエッチングを行う以外は
全て実施例１１と同様にしてポリイミドをエッチングし
た。ポリイミドエッチング終了後、塩化鉄水溶液を用い
て銅を除去し、エッチングされたポリイミドの形状を観
察した。結果は表９に示す通りであり、短時間で良好な
エッチングができた。

【００７６】

【表９】

【００７７】

【発明の効果】本発明を用いれば、配線基板に用いられ
る樹脂膜を短時間で厚さ方向に異方的にエッチングでき
る。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂膜をエッチングするに際し、エッチン
   グ前もしくはエッチング中の少なくとも一方において、
   マイクロ波を照射することを特徴とする樹脂膜のエッチ
   ング方法。
2. 【請求項２】前記樹脂膜が、ポリイミド、ポリアミド、
   ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレ
   ート、液晶ポリマーから選ばれた少なくとも１種である
   ことを特徴とする請求項１記載の樹脂膜のエッチング方
   法。
3. 【請求項３】マイクロ波の周波数が１ＧＨｚ〜１０００
   ＧＨｚであることを特徴とする請求項１記載の樹脂膜の
   エッチング方法。
4. 【請求項４】エッチング中にマイクロ波を照射する場合
   において、マイクロ波の照射を間欠的に行うことを特徴
   とする請求項１記載の樹脂膜のエッチング方法。