JP2002116103A - 光ファイバセンサ - Google Patents

光ファイバセンサ

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JP2002116103A
JP2002116103A JP2000304957A JP2000304957A JP2002116103A JP 2002116103 A JP2002116103 A JP 2002116103A JP 2000304957 A JP2000304957 A JP 2000304957A JP 2000304957 A JP2000304957 A JP 2000304957A JP 2002116103 A JP2002116103 A JP 2002116103A
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optical fiber
unit
modulation
laser beam
optical path
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JP2000304957A
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English (en)
Inventor
Yasuyuki Nakajima
康行 中島
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度、深度等の準静的な物理量を測定するこ
とができる光ファイバセンサを得る。 【解決手段】 周波数変調したレーザ光を送出する光源
部2と、測定対象の物理量に応じて、光路となる長さを
変化させるセンシング用光ファイバ32を有し、光源部
2から送出されたレーザ光をセンシング用光ファイバに
透過させて反射したレーザ光を基準のレーザ光と干渉さ
せるセンサ部3と、干渉させたレーザ光を電気信号に変
換するO/E変換部4と、電気信号に基づいて干渉させ
たレーザ光に含まれる高調波成分を抽出する高調波成分
抽出部6と、抽出した高調波成分の前記振幅比に基づい
て、干渉させた光の位相差及び変調指数Cを算出し、干
渉させた光の位相差φに基づいて許容誤差範囲内である
と判断した場合に、変調指数Cに基づいて光路差ΔL及
び静圧Pを算出する復調部7とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバにより物
理量を測定する光ファイバセンサに関するものである。
特に、深度、温度等の準静的な物理量を測定するための
ものである。
【0002】
【従来の技術】物理量を測定するためのセンサシステム
として、光ファイバセンサ(以下、光ファイバセンサと
いう)が用いられる。光ファイバセンサは、センサ部分
が無電源であるため、電磁誘導に対する信頼性が高く、
また、信号は光伝送であるため低損失である。したがっ
て長距離かつ大規模な多点計測が可能であり、ハイドロ
ホン(音響センサ)、地震計(加速度センサ)等に利用
されている。
【0003】特開平7−140044号公報には、信号
の復調処理としてatan法を用いたシステムが開示さ
れている。atan法によるシステムでは、正弦波状の
周波数変調光を干渉型センサ部分に送出し(以下、PG
C(Phase Generated Carrier )という)、それにより
得られる干渉光の出力から変調周波数の1次及び2次高
調波成分を取り出す。そして、それらの振幅比の逆正接
(arctangent)から算出した位相差に基づいて物理量を
算出するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このようなatan法
をはじめとする従来の光ファイバセンサは、干渉光の出
力の瞬時的位相変化を復調処理するものである。そのた
め、物理量は、交流信号及び直流信号の相対値で表され
るものに限定される。そのため、温度、深度等の準静的
な物理量の測定を行うには不向きであった。このような
準静的な物理量の測定には圧電型センサが用いられる
が、圧電型センサでは光ファイバセンサほどの高信頼
性、低損失は実現できない。そのため、準静的な物理量
を測定する長距離かつ大規模な多点計測等を行えるシス
テムを構築できなかった。
【0005】そこで、温度、深度等の準静的な物理量を
測定することができる光ファイバセンサの実現が望まれ
ていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ファイバ
センサは、周波数変調したレーザ光を送出する光源部
と、測定対象の物理量に応じて、光路となる長さを変化
させるセンシング用光ファイバを有し、光源部から送出
されたレーザ光をセンシング用光ファイバに透過させて
反射したレーザ光を基準のレーザ光と干渉させるセンサ
部と、干渉させたレーザ光を電気信号に変換する光−電
気変換部と、電気信号に基づいて干渉させたレーザ光に
含まれる高調波成分を抽出する高調波成分抽出部と、抽
出した高調波成分の振幅比に基づいて、干渉させた光の
位相差及び変調指数を算出し、干渉させた光の位相差に
基づいて許容誤差範囲内であると判断した場合には、さ
らに、変調指数に基づいて光路差及び物理量を算出する
復調部とを備えている。本発明においては、光源部が送
出した周波数変調したレーザ光をセンサ部が干渉させる
が、測定対象の物理量に応じて光路の長さが変化するこ
とにより、干渉のレーザ光が変化する。光−電気変換部
が干渉させたレーザ光を変換した電気信号に基づいて、
高調波成分抽出部が高調波成分を抽出する。そして、復
調部が高調波成分の振幅比に基づいて、干渉させた光の
位相差及び変調指数を算出し、干渉させた光の位相差に
基づいて許容誤差範囲内であると判断した場合にのみ光
路差及び物理量を算出することにより、精度の高い測定
を行う。
【0007】
【発明の実施の形態】実施形態1.図1は本発明の第1
の実施の形態に係る光ファイバセンサの構成図である。
図1において、1は電源部である。また、2は光源部で
ある。図1ではレーザダイオードとしている。電源部1
及び光源部2により、PGCホモダイン方式の周波数変
調(変調周波数f0 、最大周波数偏移fd )が施された
レーザ光が送出される。3はセンサ部である。図1では
マイケルソン型の光ファイバ干渉計を用いている。セン
サ部3は、ミラー31a、31b、センシングファイバ
32、リファレンスファイバ33、光カプラ34、35
で構成されている。光源部2から送出されたレーザ光が
光カプラ35により光カプラ34に透過される。そし
て、光カプラ34で分岐され、センシングファイバ32
及びリファレンスファイバ33を通過する。ここで、セ
ンシングファイバ32の長さが物理量(ここでは静圧P
とする)に基づいて変化するため、ミラー31aにより
反射される光もそれにより位相が変化する。そのため、
ミラー31a、ミラー31bにより反射され、センシン
グファイバ32及びリファレンスファイバ33を通過し
て、光カプラ34により再度合成された干渉光も変化す
る。光カプラ35は、光カプラ34により干渉された干
渉光をO/E変換部4に透過する。
【0008】4はO/E変換部である。O/E変換部4
は、干渉光の波形(以下、干渉信号という)をアナログ
電気信号に変換する。5はアナログ電気信号をデジタル
電気信号に変換するA/D変換部である。6は例えばD
FT(Discrete Fourier Transform)等の高調波成分抽
出部である。高調波成分抽出部6は、デジタル電気信号
に基づいて干渉光における変調周波数f0 の1次
(f0 )、2次(2f0 )及び3次(3f0 )の高調波
成分を抽出する。7は復調部である。復調部7は抽出し
た高調波成分により、センシングファイバ32の長さ変
化に基づく光路差(直流的な光路差)ΔLを算出する。
【0009】光ファイバセンサにおいては、センシング
ファイバ32の長さは外部からの圧力に応じて変化す
る。それが光路差ΔLとなる。したがって、光路差ΔL
が算出できれば外部からの圧力も算出できる。第1の実
施の形態では、変調されたレーザ光の変調周波数f0
1次、2次及び3次の高調波成分を抽出する。実際にΔ
Lを算出する場合は1次及び3次の高調波成分を用いる
が、1次及び2次の高調波成分を用いてtanφ又はφ
を算出する。sinφ=0(つまり、φ=0又はφ=
π)近傍だと、バイアス誤差がΔLの値に影響する。そ
こで、sinφ=1(つまり、φ=±π/2)近傍のあ
らかじめ定めた範囲内にあるかどうかを判断し、その範
囲内にあればΔLを出力し、測定の精度を高める。
【0010】次にΔL算出までの処理について説明す
る。電源部1が変調周波数f0、最大周波数偏移fdで周
波数変調を行った電圧を印加する(以下、変調信号を送
信するという)場合、光源部2から送出されるレーザ光
の電界ベクトルは次式(1)で与えられる。ここでφ0
は初期位相項である。 E(t)=E0cos{2πνt+(fd/f0)sin2πf0t +φ0} …(1)
【0011】(1)式は理想状態である。しかし、レー
ザ光は非線形性の特性を有するため、強度変調を伴うこ
とになり、実際には次式(2)のようになる。ここでα
は強度変調率を表す値である。 E'(t)=E'0(1+αcos2πf0t)cos{2πνt +(fd/f0)sin2πf0t+φ0} …(2)
【0012】光源部2が送出したレーザ光がセンサ部3
に入力し、それに基づく干渉光がO/E変換部4に入力
される。ここで、準静的な物理量を表す静圧Pに対して
変化するセンシングファイバ32の光路差をΔLとする
と、干渉信号は次式(3)で与えられる。ここで、C=
2πfd nΔL/c(c:真空中の光速度、n:ファイ
バコアの実効屈折率)である。このCを変調指数とす
る。また、φは干渉計のドリフト位相差、A及びBはレ
ーザ光の振幅等に依存する定数である。 I'(t)=(1+αcos2πf0t)2 ×{A+Bcos(Ccos2πf0t+φ)} …(3)
【0013】(3)式を周波数分析すると、変調周波数
のn次高調波成分In は次式(4)で与えられる。ここ
でJn (C)はn次ベッセル関数である。 |I2m-1|=B[J2m-1(C)sinφ +α{J2m(C)−J2m-2(C)}cosφ] |I2m|=B[J2m(C)cosφ +α{J2m+1(C)−J2m-1(C)}sinφ] …(4)
【0014】(4)式から考えると、高調波成分抽出部
6から抽出される1次、2次及び3次高調波成分は次式
(5)で表される。 I1=B[J1(C)sinφ+α{J2(C)−J0(C)}cosφ] I2=B[J2(C)cosφ+α{J3(C)−J1(C)}sinφ] I3=B[J3(C)sinφ+α{J4(C)−J2(C)}cosφ] …(5)
【0015】復調部7は(5)式で算出された値に基づ
いて光路差ΔLを算出する。まず、1次高調波成分と3
次高調波成分との振幅比をX13とすると、X13は次式
(6)で与えられる。X13はCに依存する関数となるた
め、(6)式の逆関数に相当する変換関数又は変換テー
ブルをあらかじめ用意し、参照できるようにしておけば
変調指数Cを算出することができる。 X13=|I1|/|I3| =|BJ1(C)sinφ/BJ3(C)sinφ| =|J1(C)/J3(C)| …(6)
【0016】実際にはここに強度変調αが加わることに
なる。その場合には、次式(7)のようになる。ここ
で、J' (C)=J2 (C)−J0 (C)、J" (C)
=J4(C)−J2 (C)である。 X13=J1(C)/J3(C)[1+{J'(C)/J1(C) −J”(C)/J3(C)}αcotφ] …(7)
【0017】(7)式から考えると、フェージング時
(sinφ=0)には、発散するバイアス誤差が加算さ
れてしまう。そのため、特にφがφ=0又はφ=πの近
傍の値では干渉信号が劣化し、SNR(S/N比)が低
くなるので測定誤差が大きくなる。そこで、SNRの高
い±π/2近傍のある範囲内のφにより算出したΔLを
最終的に出力するようにする。そのためにφの値の推定
を行う。
【0018】そこで、1次高調波成分と2次高調波成分
との振幅比X12を算出する。X12は次式(8)で与えら
れる。 X12=|I1|/|I2| =|BJ1(C)sinφ/BJ2(C)cosφ| =|{J1(C)/J2(C)}tanφ| …(8)
【0019】(7)式から算出した変調指数Cに基づい
てJ1(C)/J2(C)を算出する。X12の値をJ
1(C)/J2(C)で除することにより、tanφ(又
はatan法等によりφ)の値を算出し、前述した範囲
内の値であるかどうかを判断する。そして、範囲内の値
であると判断すると、その値に基づいて算出した光路差
ΔLに基づいて静圧Pを算出し、出力する。
【0020】以上のように第1の実施の形態によれば、
変調部7において、1次及び3次の高調波成分の振幅比
を用いて算出した変調指数Cに比例する光路差ΔLを算
出するようにしたので、光ファイバセンサでも準静的な
物理量を測定することができる。また、1次及び2次の
高調波成分を用いてtanφ又はφを算出し、その値に
基づいて光路差ΔLを算出するかどうかを判断するよう
にしたので、高いSNRにより算出したΔLだけを算出
することができ、静圧Pの測定精度を高めることができ
る。
【0021】実施形態2.図2は本発明の第2の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図2にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。1Aは電源部である。電源部1Aは、第1の実
施の形態で行った周波数変調に加え、さらにパイロット
信号となるような低周波による周波数変調を行ったレー
ザ光が光源部2から送出されるような変調信号を送信す
る。つまり、2重にFM変調を行う。その場合の電界ベ
クトルをEp (t)とすると、電界ベクトルEp (t)
は次式(9)で与えられる。ここで、変調周波数
p-0 、最大周波数偏移fp-d されたレーザ光が送出さ
れる。また、φ01は初期位相項である。ここで、これ以
後第5の実施の形態までは、強度変調は無視できるもの
(α=0)として説明を行う。 Ep (t)=E0cos{2πνt+(fd/f0)sin2πf0t +(fp-d/fp-0)sin2πfp-0t+φ01} …(9)
【0022】また、高調波成分抽出部6Aは、デジタル
電気信号に基づいて干渉光の1次及び3次の高調波成分
だけを抽出する点で高調波成分抽出部6とは異なる。7
Aは復調部7Aは光路差ΔLの算出方法が復調部7とは
異なる。
【0023】第2の実施の形態においては、電源部1A
が2重にFM変調し、送信した変調信号に基づくレーザ
光により、センシングを行い、精度が高い光路差ΔLを
算出する。
【0024】次に光路差ΔL算出までの処理について説
明する。(9)式のような周波数変調に基づいて光源部
2がレーザ光を送出する。そのレーザ光がセンサ部3を
通って生じた干渉信号は次式(10)で表される。ここ
でDはパイロット信号に係るCと同様の変調指数であ
る。 I(t)=A+Bcos(Ccos2πf0t+Dcos2πfp-0t+φ) …(10)
【0025】高調波成分抽出部6Aは、デジタル電気信
号に基づいて干渉光の1次及び3次の高調波成分を抽出
する。1次及び3次高調波成分は次式(5)で与えられ
る。 I1=BJ1(C)sin(Dcos2πfp-0t+φ) I3=BJ3(C)sin(Dcos2πfp-0t+φ) …(11)
【0026】復調部7Aは、第1の実施の形態と同様に
(6)式に基づいて1次高調波成分と3次高調波成分と
の振幅比X13を算出し、そのX13に基づいて変調指数C
を算出する。ただ、実際には、レーザの発振波長特性の
非線形性を受け、最大周波数偏移fd もパイロット信号
と同じ周期(1/fp-0 )で変調を受ける。ここで、変
調電圧(変調信号)Vとレーザ発振波長λの特性の関係
を次式(12)で仮定する。 λ=γ0+γ1V+γ22 …(12)
【0027】その場合の最大周波数偏移fd は次式(1
3)で定義される。 fd=cΔλ/λ2∝Δλ …(13)
【0028】(12)式及び(13)式から次式(1
4)が導かれる。 fd∝γ1ΔV(1+2γ2/γ1V) …(14)
【0029】2重FM変調を行った場合、パイロット信
号となるように施す周波数変調により、Vがsin関数
で変化するので、最大周波数偏移fd が受ける変調は、
次式(15)で表されることになる。 fd'=fd(1+βsin2πfp-0t) …(15)
【0030】前述したように、変調指数CはC=2πf
dnΔL/cで与えられるので、(15)式から考える
と、Cも、C’=C(1+βsin2πfp-0t)とい
う変調を受ける。そこで、振幅比X13に基づいて導き出
した変調指数C’をパイロット信号の1周期分蓄積す
る。そして、例えばパイロット信号周期(1/fp-0
のsin関数であるy=a1 sin2πfp-0t+a2
等のような関数で最小二乗フィットし、フィット関数の
ベースラインであるa2 を代表値として、これを変調指
数Cとする。このCに基づいて光路差ΔLを算出する。
そして、光路差ΔLに基づいて静圧Pを算出し、出力す
る。
【0031】以上のように第2の実施の形態によれば、
電源部1Aから2重にFM変調した変調信号に基づくレ
ーザ光により、センシングを行うようにしたので、精度
が高い光路差ΔLを算出することができる。
【0032】実施形態3.図3は本発明の第3の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図3にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。図3において、6Bは高調波成分抽出部であ
る。高調波成分抽出部6Bは、デジタル電気信号に基づ
いて干渉光の1次、2次、3次及び4次の高調波成分を
抽出する点で高調波成分抽出部6とは異なる。7Bは復
調部である。干渉光の1次、2次、3次及び4次の高調
波成分に基づいて、変換関数又は変換テーブルを用いる
ことなく変換指数Cを直接算出できる方法を採る点で変
調部7とは異なる。
【0033】第3の実施の形態では、逆関数算出による
計算量の増加を防ぐために、ベッセル関数の関係式を用
い、変換関数又は変換テーブルを用いることなく変換指
数Cを直接算出する。
【0034】次に光路差ΔL算出までの処理について説
明する。レーザ光を送出し、センシングによる干渉光を
デジタル信号に変換するまでの動作は第1の実施の形態
で説明したことと同様の動作を行うので説明を省略す
る。高調波成分抽出部6Bは1次、2次、3次及び4次
高調波成分を抽出する。これらは(4)式に基づけば次
式(16)で表される。 I1=BJ1(C)sinφ I2=BJ2(C)cosφ I3=BJ3(C)sinφ I4=BJ4(C)cosφ …(16)
【0035】ここで、ベッセル関数の関係式は次式(1
7)で与えられる。 {Jm-1(x)+Jm+1(x)}=(2m/x)Jm(x) …(17)
【0036】したがって、これをI1 、I2 、I3 及び
4 を用いて表すと次式(18)のようになる。 I1+I3={4BJ2(C)sinφ}/C I2+I4={6BJ3(C)cosφ}/C …(18)
【0037】(18)式から変調指数Cを算出できるよ
うに、次式(19)にI1 、I2 、I3 及びI4 を代入
する。そして、算出した変調指数Cに基づいて光路差Δ
Lを算出する。そして、光路差ΔLに基づいて静圧Pを
算出し、出力する。 C=[24(I23)/(I1+I3)/(I2+I4)]1/2 …(19)
【0038】以上のように第3の実施の形態によれば、
高調波成分抽出部6Bにおいて1次、2次、3次及び4
次高調波成分を抽出しておき、変調部7Bにおいて、
(17)式で与えられるベッセル関数の関係式に基づい
て、変調指数Cを直接算出するようにしたので、ベッセ
ル関数の逆変換を行わなくても変調指数Cを算出するこ
とができ、計算量を抑えることができる。
【0039】実施形態4.図4は本発明の第4の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図4にお
いて、図3と同じ図番を付しているものは、第1及び第
3の実施の形態で説明したことと同様の動作を行うので
説明を省略する。図4において、復調部7Cは、φの影
響を除いた上で、干渉光信号Iの波形の最大値及び最小
値に基づいてBの値を算出して変調指数C、光路差ΔL
を算出するという点で復調部7Cとは異なる。
【0040】第4の実施の形態においては、ベッセル関
数の関係式に基づいて信号劣化の原因であるφの影響を
除いた上で変調指数Cを算出することにより、精度の高
い光路差ΔLを算出する。
【0041】次に光路差ΔL算出までの処理について説
明する。レーザ光を送出し、センシングによる干渉光の
1次、2次、3次及び4次高調波成分を抽出するまでの
動作は第1及び第3の実施の形態で説明したことと同様
の動作を行うので説明を省略する。
【0042】復調部7Cは、(16)式のI1 、I2
3 及びI4 により、(17)式に基づいてI1 +I3
及びI2 +I4 を算出する。そして、次式(20)に代
入する。このとき、sin2 φ+cos2 φ=1である
から、sinφ及びcosφを消去することができる。 I3(I1+I3)/4+I2(I2+I4)/6=B22(C)J3(C)/C …(20)
【0043】(3)式から考えると、干渉信号Iの波形
の最大値はA+Bとなり、最小値はA−Bとなる。そこ
で、Bは(最大値−最小値)/2で算出できる。算出し
たBの値を(20)式に代入すると、変調指数Cだけの
関数となる。そこで、前述した変換関数又は変換テーブ
ルに基づいて変調指数Cを算出する。このCに基づいて
光路差ΔLを算出する。そして、光路差ΔLに基づいて
静圧Pを算出し、出力する。
【0044】以上のように第4の実施の形態によれば、
復調部7Cにおいて、ベッセル関数の関係式に基づいて
1 +I3 及びI2 +I4 を算出し、(20)式に基づ
いてφを除き、干渉信号Iの波形に基づいてBを除いて
変調指数Cだけの関数とした上で、変換関数又は変換テ
ーブルを用いて変換指数Cを算出し、光路差ΔLを算出
するようにしたので、信号劣化の原因であるφの影響を
除いた光路差ΔLが算出されることになり、精度の高い
光路差ΔLを出力することができる。
【0045】実施形態5.図5は本発明の第5の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図5にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。図5において、高調波成分抽出部6Cは、デジ
タル電気信号に基づいて干渉光の1次、2次、3次、4
次及び5次の高調波成分を抽出する点で高調波成分抽出
部6及び高調波成分抽出部6Aとは異なる。復調部7D
は、干渉光の1次〜4次の高調波成分及び2次〜4次の
高調波成分に基づいて変換指数Cを算出する点で変調部
7Cとは異なる。
【0046】第5の実施の形態においては、ベッセル関
数の関係式に基づいたパラメータを算出し、信号劣化の
原因であるφの影響を除いた上で変調指数Cを算出する
ことにより、精度の高い光路差ΔLを算出する。
【0047】次に光路差ΔL算出までの処理について説
明する。レーザ光を送出し、センシングによる干渉信号
をデジタル信号に変換するまでの動作は第1の実施の形
態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省略す
る。
【0048】高調波成分抽出部6Cは1次、2次、3
次、4次及び5次高調波成分を抽出する。これらは
(4)式に基づいて次式(21)のようになる。 I1=BJ1(C)sinφ I2=BJ2(C)cosφ I3=BJ3(C)sinφ I4=BJ4(C)cosφ I5=BJ5(C)sinφ …(21)
【0049】復調部7Dは、(21)式のI1 、I2
3 及びI4 により、(17)式に基づいてI1+I3
びI2+I4を算出する。そして、(20)式に代入す
る。同様に、(21)式のI2 、I3 、I4 及びI5
より、(17)式に基づいてI3 +I5 及びI2 +I4
を算出する。そして、次式(22)式に代入する。 I3(I3+I5)/8+I2(I2+I4)/6=B23(C)J4(C)/C …(22)
【0050】(20)式及び(22)式の比を算出する
ことで、B2 は消去され、残るのはJ2(C)/J
4(C)となるが、これは2次高調波成分と4次高調波
成分との振幅比X24である。(6)式と同様に考えれ
ば、X24はCに依存する関数となるため、変換関数又は
変換テーブルに基づき変調指数Cを算出することができ
る。このCに基づいて光路差ΔLを算出する。そして、
光路差ΔLに基づいて静圧Pを算出し、出力する。
【0051】以上のように第5の実施の形態によれば、
ベッセル関数の関係式に基づいてI 1 +I3 及びI2
4 を算出して(20)式に基づいてφを除き、またI
3 +I5 及びI2 +I4 を算出して(22)式に基づい
てφを除き、それらの比を算出することで、Bを除いて
変調指数Cだけの関数とした上で、変換関数又は変換テ
ーブルを用いて変換指数Cを算出し、光路差ΔLを算出
するようにしたので、信号劣化の原因であるφの影響を
除いた光路差ΔLが算出されることになり、精度の高い
光路差ΔLを出力することができる。
【0052】実施形態6.図6は本発明の第6の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図6にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。図6において、O/E変換部4AはO/E変換
部4と同じものである。また、A/D変換部5AはA/
D変換部5と同じものである。8は強度変調信号除去部
である。強度変調信号除去部8は、理想的な干渉信号が
得られるように、強度変調信号が含まれた干渉信号から
強度変調信号である送出光を除するものである。9は光
分配器となる光カプラである。
【0053】前述したように、光源部2から送出される
レーザ光は強度変調を伴う(ここでは、強度変調信号を
含むという表現とする)。これをそのまま高調波成分抽
出部6で高調波成分を抽出すると、(5)式に表されて
いるように誤差成分が含まれる。これは、(7)式のよ
うに振幅比X13の誤差として表れる。これは、たとえφ
±π/2近傍であったとしても、次式(23)のように
なり、変調指数C、ひいては光路差ΔLはφに依存して
しまう。そこで、第6の実施の形態では、干渉信号から
強度変調信号を除去するようにし、φの影響を抑えてか
ら高調波成分抽出部6で高調波成分を抽出するように
し、精度の高い光路差ΔLを得るようにする。 X13=J1(C)/J3(C)[1+{J'(C)/J1(C) −J”(C)/J3(C)}α・−(±π/2−φ)] …(23)
【0054】光源部2から送出されるレーザ光は(2)
式で与えられる。これをO/E変換部4Aで変換した場
合、その信号(以下、送出信号という)は次式(24)
で与えられる。 〈|E'|2〉=(|E'02/2)(1+αcos2πf0t)2 …(24)
【0055】一方、強度変調信号を含む干渉信号は、前
述した(3)式で与えられる。強度変調信号除去部8は
(3)式の干渉信号を(24)式で除する。すると、次
式(25)のような理想の干渉信号を得ることができ
る。この干渉信号に基づいて、高調波成分抽出部6にお
いて高調波成分を抽出し、復調部7で光路差ΔLを算出
し、また、静圧Pを算出し、出力する。 I=A+Bcos(Ccos2πf0t+φ) …(25)
【0056】以上のように第5の実施の形態によれば、
変調信号除去部8において、強度変調信号を含む干渉信
号を送出信号で除することで、干渉信号から強度変調信
号を除去するようにし、φの影響を抑えてから高調波成
分抽出部6で高調波成分を抽出するようにしたので、精
度の高い光路差ΔLを算出することができる。
【0057】実施形態7.図7は本発明の第7の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図7にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。図7において、A/D変換部5Bは、電源部1
Bの変調信号に含まれるトリガー信号(同期信号)を受
信し、同期信号に基づいて同期し、強度変調信号除去部
8に強度変調信号を含む干渉信号を送信する。10は擬
似信号作成部である。あらかじめ電源部1が送出する信
号を測定しておき、同様に変調した送出光擬似信号を強
度変調信号除去部8に送信する。
【0058】第7の実施の形態は、第6の実施の形態と
同様に、あらかじめ強度変調信号を除去した干渉信号に
基づいて高調波成分を抽出し、精度の高い光路差ΔLを
得るようにするものである。第6の実施の形態と異なる
点は、例えば、別の処理装置のような擬似信号作成部1
0により、(24)式と同様の強度変調信号をデジタル
化した送出光擬似信号を作成しておき、強度変調信号除
去部8で除算を行い、理想の干渉信号を得る。
【0059】以上のように、第7の実施の形態によれ
ば、擬似信号作成部10であらかじめ送出光擬似信号を
作成しておき、変調信号除去部8において、強度変調信
号を含む干渉信号を送出光擬似信号で除することで、干
渉信号から強度変調信号を除去するようにし、φの影響
を抑えてから高調波成分抽出部6で高調波成分を抽出す
るようにしたので、精度の高い光路差ΔLを算出するこ
とができる。
【0060】実施形態8.図8は本発明の第8の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図8にお
いて、図1と同じ図番を付しているものは、第1の実施
の形態で説明したことと同様の動作を行うので説明を省
略する。図8において、電源部1Cは、あらかじめ強度
変調による歪み分を補正したレーザ光を光源部2から送
出させるようにした点で電源部1とは異なる。
【0061】PGCホモダイン方式では、次式(26)
で表される変調信号を加えることにより、光源部2から
(1)式に示すようなレーザ光が送出される。 V(t)=Voffset+Vampsin2πf0t …(26)
【0062】しかし、実際には、レーザが非線形性を有
する特性であるため、送出される電界ベクトルには、次
式(27)のように、2次歪み振幅係数β及び位相係数
θで与えられる2次成分が加わることになる。 E(t)=E0cos[2πνt+(fd/f0){sin2πf0t +βsin(4πf0t+θ)+φ0}] …(27)
【0063】したがって、干渉信号は次式(28)で表
される。 I(t)=A+Bcos{Ccos2πf0t +βCsin(4πf0t+θ)+φ} …(28)
【0064】このときに1次高調波成分と3次高調波成
分の振幅比X13は次式(29)のようになる。ここで、
J' (C)=J3 (C)−J1 (C)、J" (C)=J
1 (C)+J5 (C)である。 X13=J1(C)/J3(C)[1+{J'(C)/J1(C) −J”(C)/J3(C)}βCcotφ] …(29)
【0065】このような場合、(28)式から考える
と、1次信号成分のサイドバンドが3次成分に重なって
しまうことになり、SNRが劣化する。そこで、本実施
の形態の電源部1Cでは、純粋な正弦波変調ではなく、
この歪み成分の逆特性となる次式(30)式を変調信号
として光源部2に送信する。 V(t)=Voffset+Vamp{sin2πf0t −β(sin4πf0t+θ)} …(30)
【0066】以上のように、第8の実施の形態によれ
ば、電源部1Cが送信する変調信号でもあらかじめ2次
成分の補正を行っておくことにより、φの影響を抑える
ことができ、精度の高い光路差ΔLを算出し、静圧Pを
出力することができる。
【0067】実施形態9.図9は本発明の第9の実施の
形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図9にお
いて、以前に説明した図と同じ図番を付しているもの
は、上述の実施の形態で説明したことと同様の動作を行
うので説明を省略する。図9において、11は光路差Δ
0 が一定の標準干渉計である。標準干渉計11による
干渉信号に基づいて算出した変調指数をC0 とする。ま
た、変調部7Eは、変調指数C及びC 0 を算出する2系
統の復調処理部を有している。この復調処理部は、第1
の実施の形態で説明したものと同様であるので説明を省
略する。そして、算出した変調指数C、C0 及び既知の
値である光路差ΔL0 に基づいて、光路差ΔLを出力す
る。
【0068】準静的な物理量の測定においては、最大周
波数偏移fd の長期的な時間での変動(ドリフト)が測
定誤差となる。この最大周波数偏移fd の時間的変動を
次式(31)のように表す。 C(t)=2πfd(t)nΔL/c …(31)
【0069】一方、同様に考えると、変調指数C0 と光
路差ΔL0 との関係は次式(32)で表される。 C0(t)=2πfd(t)nΔL0/c …(32)
【0070】そこで、両者の比を算出する。比を算出す
ることにより、fd(t)を消去することができる。C
(t)、C0 (t)の値は算出され、ΔL0 の値は既
知であるので、ΔLは次式(33)で表されることにな
る。 C(t)/C0(t)=ΔL/ΔL0 ΔL=ΔL0{C(t)/C0(t)} …(33)
【0071】以上のように第9の実施の形態において
は、光路差ΔL0 が一定である標準干渉計11により算
出した変調指数C0 とセンサ部3を通過した干渉信号に
基づいて算出した変調指数Cとに基づいて光路差ΔLを
(33)式に基づいて算出するようにしたので、最大周
波数偏移fd の長期的な時間での変動に基づく測定誤差
を抑えることができる。
【0072】実施形態10.図10は本発明の第10の
実施の形態に係る光ファイバセンサの構成図である。図
10において、図1と同じ図番を付しているものは、第
1の実施の形態で説明したことと同様の動作を行うので
説明を省略する。図10において、12は波長フィルタ
部である。波長フィルタ部12は、肩特性を利用して送
出したレーザ光の周波数変調を強度変調に変換する。復
調部7Fはその変調振幅を算出処理を行う点で、復調部
7Eとは異なる。
【0073】この振幅は、第9の実施の形態で説明した
最大周波数偏移fd (t)に比例するものである。した
がって、干渉信号に基づいて算出した変調指数Cを変調
振幅で除することにより最大周波数偏移fd (t)の長
期的な時間での変動による影響を除去し、精度の高い光
路差ΔLを出力する。ここで肩とは、スペクトルのピー
クのフラットな所ではなく、ピークからずれた傾きのあ
る部分のことである。この領域を利用することにより、
波長変化を強度変化に変換することができる。
【0074】以上のように第10の実施の形態によれ
ば、第9の実施の形態のように標準干渉計11を用いな
くても最大周波数偏移fd (t)の長期的な時間での変
動による誤差(影響)を除去できるような光ファイバセ
ンサを得ることができる。そのため、標準干渉計11を
設けるスペース等が少なくすむ。
【0075】実施形態11.上述の実施の形態では、マ
イケルソン型の光ファイバ干渉計を用いて説明したが、
これに限定されるものではなく、例えばマッハツェンダ
型干渉計等の2ビーム干渉計でもよい。また、光ファイ
バ干渉計でなく、バルク型干渉計でもよい。
【0076】実施形態12.上述の実施の形態では第1
次高調波成分及び第3次高調波成分に基づいて変調指数
Cを算出し、第1次高調波成分及び第3次高調波成分に
基づいてφを算出するようにしたが、これに限定される
ものではない。変調指数については、奇数次(偶数次)
の高調波成分同士の振幅比に基づいて算出すればよい。
また、φについては、奇数次と偶数次との高調波成分の
振幅比に基づいて算出すればよい(ただし、高次のベッ
セル関数を用いると感度、ダイナミックレンジ等は劣化
する)。
【0077】実施形態13.上述の実施の形態では、A
/D変換部5及び高周波成分抽出部6を用いて周波数分
析を行うことで説明したが、これを従来のatan法の
ような同期検波によるアナログ処理にしてもよい。
【0078】実施形態14.上述の実施の形態では、直
流信号を計測するためのセンサ単体で説明したが、多数
のセンサを時分割等で多重化した分布状計測でも行うこ
とができる。
【0079】実施形態15.上述の第1の実施の形態で
は、1次高調波成分と2次高調波成分を用いて振幅比を
用いてtanφを算出し、φの範囲を推測するようにし
ているが、tanφでなくてもφの範囲を推測できるも
のであればよい。
【0080】実施形態16.第2の実施の形態におい
て、フィット関数を、例えばsin関数であるy=a 1
sin2πfp-0 t+a2 としたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、他の関数を用いてもよい。
【0081】実施形態17.上述の第4の実施の形態で
は、干渉出力の波形の最大値及び最小値に基づいてBの
値を算出したが、これに限定されるものではなく、別の
方法を用いてもよい。また、AGC(Automatic Gain C
ontrol)を用いることで、Bの値を一定に保持するよう
にしてもよい。
【0082】実施形態18.上述の第6の実施の形態か
ら第10の実施の形態は、レーザ光の変動や非線形効果
を補償し、精度を高めるものであるので、このような光
ファイバセンサだけでなく、従来の光ファイバセンサ等
にも適用できる。
【0083】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高調波成
分抽出部が干渉させたレーザ光にから抽出した高調波成
分に基づいて、復調部がその振幅比を算出し、干渉させ
た光の位相差及び変調指数を算出し、干渉させた光の位
相差に基づいて許容誤差範囲内であると判断した場合に
のみ光路差及び物理量を算出するようにしたので、高い
SNRにより算出することができ、測定精度を高めるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図5】本発明の第5の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図6】本発明の第6の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図7】本発明の第7の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図8】本発明の第8の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図9】本発明の第9の実施の形態に係る光ファイバセ
ンサの構成図である。
【図10】本発明の第10の実施の形態に係る光ファイ
バセンサの構成図である。
【符号の説明】
1、1A、1B、1C 電源部 2 光源部 3 センサ部 31a、31b ミラー 32 センシングファイバ 33 リファレンスファイバ 34、35、9 光カプラ 4、4A O/E変換部 5、5A、5B A/D変換部 6、6A、6B、6C 高調波成分抽出部 7、7A、7B、7C、7D、7E、7F 復調部 8 強度変調信号除去部 10 擬似信号作成部 11 標準干渉計 12 波長フィルタ部

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周波数変調したレーザ光を送出する光源
    部と、 測定対象の物理量に応じて、光路となる長さを変化させ
    るセンシング用光ファイバを有し、前記光源部から送出
    されたレーザ光を前記センシング用光ファイバに透過さ
    せて反射したレーザ光を基準のレーザ光と干渉させるセ
    ンサ部と、 前記干渉させたレーザ光を電気信号に変換する光−電気
    変換部と、 前記電気信号に基づいて前記干渉させたレーザ光に含ま
    れる高調波成分を抽出する高調波成分抽出部と、 抽出した前記高調波成分の前記振幅比に基づいて、前記
    干渉させた光の位相差及び変調指数を算出し、前記干渉
    させた光の位相差に基づいて許容誤差範囲内であると判
    断した場合には、さらに、前記変調指数に基づいて前記
    光路差及び前記物理量を算出する復調部とを備えたこと
    を特徴とする光ファイバセンサ。
  2. 【請求項2】 前記高調波成分抽出部は、2以上の奇数
    次の高調波成分又は2つ以上の偶数次の高調波成分を抽
    出し、 前記復調部は、奇数次と偶数次の高調波成分の振幅比に
    基づいて前記干渉させた光の位相差を算出し、奇数次同
    士又は偶数次同士の高調波成分の振幅比に基づいて前記
    変調指数を算出することを特徴とする請求項1記載の光
    ファイバセンサ。
  3. 【請求項3】 前記光源部は、パイロット信号となる周
    波数を含む2つの周波数で周波数変調したレーザ光を送
    出し、 前記変調部は、前記パイロット信号の1周期分の前記変
    調指数を蓄積し、蓄積した変調指数の代表値を算出し
    て、その代表値に基づいて前記光路差及び前記物理量を
    算出することを特徴とする請求項1記載の光ファイバセ
    ンサ。
  4. 【請求項4】 前記代表値の算出は、パイロット信号の
    周波数に基づくsin関数の最小自乗により算出するこ
    とを特徴とする請求項3記載の光ファイバセンサ。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の高調波成分抽出部及び
    復調部の代わりに、 前記電気信号に基づいて、前記干渉させたレーザ光に含
    まれる連続する4つの次数の高調波成分を抽出する高調
    波成分抽出部と、 前記連続する4つの次数の高調波成分の振幅及びベッセ
    ル関数の関係式に基づいて変調指数を算出し、前記変調
    指数に基づいて前記光路差及び前記物理量を算出する復
    調部を備えたことを特徴とする請求項1記載の光ファイ
    バセンサ。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の高調波成分抽出部及び
    復調部の代わりに、 前記電気信号に基づいて、前記干渉させたレーザ光に含
    まれる連続する4つの次数の高調波成分を抽出する高調
    波成分抽出部と、 前記連続する4つの次数の高調波成分、ベッセル関数の
    関係式、sin2φ +cos2φ =1、前記干渉させた
    レーザ光の波形により算出した前記レーザ光に基づく定
    数に基づいて、変調指数に依存する関数を算出し、前記
    関数に基づいて変調指数を算出し、前記変調指数に基づ
    いて前記光路差及び前記物理量を算出する復調部を備え
    たことを特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の高調波成分抽出部及び
    復調部の代わりに、 前記電気信号に基づいて、前記干渉させたレーザ光に含
    まれる連続する5つの次数の高調波成分を抽出する高調
    波成分抽出部と、 前記連続する5つの次数の高調波成分を前4つの連続す
    る次数の高調波成分と後4つの連続する次数の高調波成
    分とに分け、ベッセル関数の関係式及びsin 2φ +c
    os2φ =1に基づいて、それぞれの変調指数に依存す
    る関数を算出し、前記関数に基づいて変調指数を算出
    し、前記変調指数に基づいて前記光路差及び前記物理量
    を算出する復調部を備えたことを特徴とする請求項1記
    載の光ファイバセンサ。
  8. 【請求項8】 前記干渉させたレーザ光の成分を、前記
    光源部が送出したレーザ光の成分で除してから前記高調
    波成分抽出部に前記高調波成分を抽出させるようにする
    ことを特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
  9. 【請求項9】 前記干渉させたレーザ光に基づいた擬似
    信号を作成する擬似信号作成部をさらに備え、 前記干渉させたレーザ光の成分を、前記擬似信号で除し
    てから前記高調波成分抽出部に前記高調波成分を抽出さ
    せるようにすることを特徴とする請求項1記載の光ファ
    イバセンサ。
  10. 【請求項10】 前記光源部は、変調歪みの逆特性分だ
    け歪ませた周波数変調を施したレーザ光を送出すること
    を特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
  11. 【請求項11】 光路となる長さが一定の光ファイバを
    有し、前記光源部から送出されたレーザ光を前記光ファ
    イバに透過させて反射したレーザ光を基準のレーザ光と
    干渉させる基準干渉計部をさらに有し、 前記復調部は、前記センサ部が干渉させたレーザ光及び
    前記基準干渉計部が干渉させたレーザ光に基づいてそれ
    ぞれの変調指数を算出し、変調指数と光路差との比に基
    づいて光路差を算出し、前記物理量を算出することを特
    徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
  12. 【請求項12】 肩特性に基づいて、光源部が送出した
    レーザ光の周波数変調を強度変調に変換する波長フィル
    タ部をさらに備え、 前記復調部は、前記センサ部が干渉させたレーザ光及び
    前記波長フィルタ部が変換した強度変調の変調振幅に基
    づいてそれぞれの変調指数を算出し、変調指数と光路差
    との比に基づいて光路差を算出し、前記物理量を算出す
    ることを特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
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