JP2002113866A - 静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 - Google Patents
静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置Info
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- JP2002113866A JP2002113866A JP2001131711A JP2001131711A JP2002113866A JP 2002113866 A JP2002113866 A JP 2002113866A JP 2001131711 A JP2001131711 A JP 2001131711A JP 2001131711 A JP2001131711 A JP 2001131711A JP 2002113866 A JP2002113866 A JP 2002113866A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インクの腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストで、省資源で低
消費電力で、液体やインク液噴射のバラツキが低減さ
れ、高品質のインク画像が記録される静電アクチュエー
タ及びその製造方法並びにそれを具備する静電型マイク
ロポンプ、インクジェット記録ヘッドとそのインクジェ
ット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提
供する。 【解決手段】 静電力により振動する振動板１と、振動
板１に対向する電極基板２と、電極基板２上に形成され
て振動板１に隙間を介して対向する電極３と、電極３と
対向する振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜４と、耐腐食性薄膜４の振動板１の撓みの発生
を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなる。
撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インクの腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストで、省資源で低
消費電力で、液体やインク液噴射のバラツキが低減さ
れ、高品質のインク画像が記録される静電アクチュエー
タ及びその製造方法並びにそれを具備する静電型マイク
ロポンプ、インクジェット記録ヘッドとそのインクジェ
ット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提
供する。 【解決手段】 静電力により振動する振動板１と、振動
板１に対向する電極基板２と、電極基板２上に形成され
て振動板１に隙間を介して対向する電極３と、電極３と
対向する振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜４と、耐腐食性薄膜４の振動板１の撓みの発生
を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電力により振動
して作動する静電アクチュエータ及びその静電アクチュ
エータを製造する静電アクチュエータの製造方法並びに
びにその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロ
ポンプ及びその静電アクチュエータを具備してインク液
滴を静電力による圧力波で吐出するインクジェット記録
ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備してイン
ク画像を記録するインクジェット記録装置に関する。
して作動する静電アクチュエータ及びその静電アクチュ
エータを製造する静電アクチュエータの製造方法並びに
びにその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロ
ポンプ及びその静電アクチュエータを具備してインク液
滴を静電力による圧力波で吐出するインクジェット記録
ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備してイン
ク画像を記録するインクジェット記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電型のアクチュエータの応用製品に
は、静電型マイクロポンプやオンデマンド型インクジェ
ット記録ヘッドがある。液体輸送の為のマイクロポンプ
の駆動方式は圧電効果を用いたピエゾ方式や熱による液
体の膨張を利用したサーマル方式、静電引力を利用した
静電駆動方式等の方式が開示されている。その中でも、
静電駆動方式はシリコンデバイス加工技術を利用した加
工技術による微細化が容易であって、静電力を利用する
ために低消費電力には有利である。しかしながら、構成
部品材にシリコンを用いるため、アルカリ性、又は、酸
性等、輸送する液の性質によっては、構成部品のシリコ
ンが溶出し、マイクロポンプの破壊の原因となってい
た。この為、液が接するシリコン表面には液に対する耐
腐食性膜を形成するのが一般的である。この耐腐食性薄
膜を形成した例を以下に示す。インク液滴をノズル孔か
ら直接記録媒体上に噴射して記録する静電型のアクチュ
エータを用いたインクジェット記録装置用のインクジェ
ット記録ヘッドの駆動方法が種々提案されている。オン
デマンド方式のインクジェット記録装置に用いられる印
字ヘッドのインクジェット記録ヘッドであって、インク
に圧力を与えて吐出するためのインク液室の圧力室を構
成している振動板の表面にインクに耐腐食性を持つ、Ｔ
ｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3の耐インク性の耐腐食性薄膜
を形成することは公知である（国際公開０９８／４２５
１３号の公報を参照）。又は、インクに圧力を与えて吐
出するためのインク液室の圧力室を構成している振動板
の表面に酸化シリコン膜を形成した後、積層して耐イン
ク性を有する酸化物、窒化物、金属等の薄膜を形成し
て、振動板のピンホールを塞ぐことも公知である（特開
平１０−２９１３２２号公報を参照）。
は、静電型マイクロポンプやオンデマンド型インクジェ
ット記録ヘッドがある。液体輸送の為のマイクロポンプ
の駆動方式は圧電効果を用いたピエゾ方式や熱による液
体の膨張を利用したサーマル方式、静電引力を利用した
静電駆動方式等の方式が開示されている。その中でも、
静電駆動方式はシリコンデバイス加工技術を利用した加
工技術による微細化が容易であって、静電力を利用する
ために低消費電力には有利である。しかしながら、構成
部品材にシリコンを用いるため、アルカリ性、又は、酸
性等、輸送する液の性質によっては、構成部品のシリコ
ンが溶出し、マイクロポンプの破壊の原因となってい
た。この為、液が接するシリコン表面には液に対する耐
腐食性膜を形成するのが一般的である。この耐腐食性薄
膜を形成した例を以下に示す。インク液滴をノズル孔か
ら直接記録媒体上に噴射して記録する静電型のアクチュ
エータを用いたインクジェット記録装置用のインクジェ
ット記録ヘッドの駆動方法が種々提案されている。オン
デマンド方式のインクジェット記録装置に用いられる印
字ヘッドのインクジェット記録ヘッドであって、インク
に圧力を与えて吐出するためのインク液室の圧力室を構
成している振動板の表面にインクに耐腐食性を持つ、Ｔ
ｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3の耐インク性の耐腐食性薄膜
を形成することは公知である（国際公開０９８／４２５
１３号の公報を参照）。又は、インクに圧力を与えて吐
出するためのインク液室の圧力室を構成している振動板
の表面に酸化シリコン膜を形成した後、積層して耐イン
ク性を有する酸化物、窒化物、金属等の薄膜を形成し
て、振動板のピンホールを塞ぐことも公知である（特開
平１０−２９１３２２号公報を参照）。
【０００３】このようなＴｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3や
酸化シリコン膜からなる耐インク性の耐腐食性薄膜を単
層又は積層して形成した静電型のアクチュエータの振動
版は、座屈して生ずる撓みによる作動不良、腐食、その
製造方法においてはハンドリングする際の破損等により
歩留まりが低下してコスト高になっていた。このような
Ｔｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3や酸化シリコン膜からなる
耐インク性の耐腐食性薄膜を単層又は積層して形成した
静電型のアクチュエータを静電型マイクロポンプやイン
クジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に利
用した場合、その耐腐食性薄膜の内部応力や振動板上の
膜厚分布によって振動板が座屈することにより、撓みを
生じており、この振動板の撓みは、駆動電圧が上昇する
ために駆動回路コストの上昇や駆動電圧のバラツキが増
大し消費電力も大きく、液やインクの吐出時の噴射特性
のビット間のバラツキ、液やインク吐出不良、液やイン
クの種類によっては多少ながら腐食し万能ではなかっ
た。このような、例えば、従来の静電型マイクロポンプ
やインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装
置の製造方法は、厚さ２００μｍ程度のシリコン基板に
液やインク液室と数μｍの振動板を形成した第一のシリ
コン基板とｎ+又はｐ+型の不純物拡散駆動電極を形成し
た第二のシリコン基板を各々別々に作製し直接接合す
る、第一のシリコン基板をハンドリングする際の破損等
により歩留まりが低下していた。
酸化シリコン膜からなる耐インク性の耐腐食性薄膜を単
層又は積層して形成した静電型のアクチュエータの振動
版は、座屈して生ずる撓みによる作動不良、腐食、その
製造方法においてはハンドリングする際の破損等により
歩留まりが低下してコスト高になっていた。このような
Ｔｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3や酸化シリコン膜からなる
耐インク性の耐腐食性薄膜を単層又は積層して形成した
静電型のアクチュエータを静電型マイクロポンプやイン
クジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に利
用した場合、その耐腐食性薄膜の内部応力や振動板上の
膜厚分布によって振動板が座屈することにより、撓みを
生じており、この振動板の撓みは、駆動電圧が上昇する
ために駆動回路コストの上昇や駆動電圧のバラツキが増
大し消費電力も大きく、液やインクの吐出時の噴射特性
のビット間のバラツキ、液やインク吐出不良、液やイン
クの種類によっては多少ながら腐食し万能ではなかっ
た。このような、例えば、従来の静電型マイクロポンプ
やインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装
置の製造方法は、厚さ２００μｍ程度のシリコン基板に
液やインク液室と数μｍの振動板を形成した第一のシリ
コン基板とｎ+又はｐ+型の不純物拡散駆動電極を形成し
た第二のシリコン基板を各々別々に作製し直接接合す
る、第一のシリコン基板をハンドリングする際の破損等
により歩留まりが低下していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその
静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプや
その静電アクチュエータを具備するインクジェット記録
ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するイン
クジェット記録装置において、耐腐食性薄膜が形成され
た振動版が、座屈して生ずる撓みによる作動不良やその
腐食が発生し、その製造方法においてはハンドリングす
る際の破損等により歩留まりが低下してコスト高になる
と言う問題が発生していた。そこで本発明の課題は、こ
のような問題点を解決するものである。即ち、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが
向上して低コストで、省資源で低消費電力で、液体やイ
ンク液噴射のバラツキが低減され、高品質のインク画像
が記録される静電アクチュエータ及びその静電アクチュ
エータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具備
する静電型マイクロポンプやその静電アクチュエータを
具備するインクジェット記録ヘッドとそのインクジェッ
ト記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提供
することを目的とする。
ータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその
静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプや
その静電アクチュエータを具備するインクジェット記録
ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するイン
クジェット記録装置において、耐腐食性薄膜が形成され
た振動版が、座屈して生ずる撓みによる作動不良やその
腐食が発生し、その製造方法においてはハンドリングす
る際の破損等により歩留まりが低下してコスト高になる
と言う問題が発生していた。そこで本発明の課題は、こ
のような問題点を解決するものである。即ち、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが
向上して低コストで、省資源で低消費電力で、液体やイ
ンク液噴射のバラツキが低減され、高品質のインク画像
が記録される静電アクチュエータ及びその静電アクチュ
エータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具備
する静電型マイクロポンプやその静電アクチュエータを
具備するインクジェット記録ヘッドとそのインクジェッ
ト記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の本発明は、静電力により振動して作動す
る静電アクチュエータにおいて、静電力により振動する
振動板と、上記振動板に対向する電極基板と、上記電極
基板上に形成されて上記振動板に隙間を介して対向する
電極と、上記電極と対向する上記振動板上に耐腐食性の
薄膜が形成された耐腐食性薄膜と、上記耐腐食性薄膜の
上記振動板の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止
手段とからなる静電アクチュエータであることを最も主
要な特徴とする。請求項２の本発明は、請求項１に記載
の静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手
段は、振動板上に形成された耐腐食性薄膜の応力で上記
振動板の撓みの発生を防止する静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項３の本発明は、請求
項１又は２に記載の静電アクチュエータにおいて、振動
板撓み発生防止手段は、振動板上に形成された耐腐食性
薄膜の内部応力が引っ張り応力である静電アクチュエー
タであることを主要な特徴とする。請求項４の本発明
は、請求項１又は２に記載の静電アクチュエータにおい
て、振動板撓み発生防止手段は、振動板上に形成された
耐腐食性薄膜の内部応力を１．０＊１０10ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ2以下の圧縮応力である静電アクチュエータであるこ
とを主要な特徴とする。請求項５の本発明は、請求項
１、２、３又は４に記載の静電アクチュエータにおい
て、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄膜である静電アクチ
ュエータであることを主要な特徴とする。請求項６の本
発明は、請求項５に記載の静電アクチュエータにおい
て、窒化チタン薄膜の抵抗率は、１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ
以上である静電アクチュエータであることを主要な特徴
とする。請求項７の本発明は、請求項１、２、３又は４
に記載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜
は、酸化シリコン薄膜である静電アクチュエータである
ことを主要な特徴とする。
に、請求項１の本発明は、静電力により振動して作動す
る静電アクチュエータにおいて、静電力により振動する
振動板と、上記振動板に対向する電極基板と、上記電極
基板上に形成されて上記振動板に隙間を介して対向する
電極と、上記電極と対向する上記振動板上に耐腐食性の
薄膜が形成された耐腐食性薄膜と、上記耐腐食性薄膜の
上記振動板の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止
手段とからなる静電アクチュエータであることを最も主
要な特徴とする。請求項２の本発明は、請求項１に記載
の静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手
段は、振動板上に形成された耐腐食性薄膜の応力で上記
振動板の撓みの発生を防止する静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項３の本発明は、請求
項１又は２に記載の静電アクチュエータにおいて、振動
板撓み発生防止手段は、振動板上に形成された耐腐食性
薄膜の内部応力が引っ張り応力である静電アクチュエー
タであることを主要な特徴とする。請求項４の本発明
は、請求項１又は２に記載の静電アクチュエータにおい
て、振動板撓み発生防止手段は、振動板上に形成された
耐腐食性薄膜の内部応力を１．０＊１０10ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ2以下の圧縮応力である静電アクチュエータであるこ
とを主要な特徴とする。請求項５の本発明は、請求項
１、２、３又は４に記載の静電アクチュエータにおい
て、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄膜である静電アクチ
ュエータであることを主要な特徴とする。請求項６の本
発明は、請求項５に記載の静電アクチュエータにおい
て、窒化チタン薄膜の抵抗率は、１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ
以上である静電アクチュエータであることを主要な特徴
とする。請求項７の本発明は、請求項１、２、３又は４
に記載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜
は、酸化シリコン薄膜である静電アクチュエータである
ことを主要な特徴とする。
【０００６】請求項８の本発明は、請求項１、２、３又
は４に記載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄
膜は、ジルコニウム薄膜である静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、請求
項１、２、３又は４に記載の静電アクチュエータにおい
て、耐腐食性薄膜は、ジルコニウム化合物薄膜である静
電アクチュエータであることを主要な特徴とする。請求
項１０の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８又は９に記載の静電アクチュエータにおいて、耐
腐食性薄膜は、積層からなることを特徴とする静電アク
チュエータ。請求項１１の本発明は、請求項１又は２に
記載の静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防
止手段は、耐腐食性薄膜が形成された振動板が平坦であ
る静電アクチュエータであることを主要な特徴とする。
請求項１２の本発明は、請求項１１に記載の静電アクチ
ュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄膜で
ある静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項１３の本発明は、請求項１２に記載の静電ア
クチュエータにおいて、窒化チタン薄膜は、酸素原子が
含まれている静電アクチュエータであることを主要な特
徴とする。請求項１４の本発明は、請求項１２又は１３
に記載の静電アクチュエータにおいて、窒化チタン薄膜
は、酸素原子の濃度が１％以上含まれている静電アクチ
ュエータであることを主要な特徴とする。請求項１５の
本発明は、請求項１１、１２、１３又は１４に記載の静
電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、積層から
なる静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項１６の本発明は、請求項１又は２に記載の静
電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手段
は、耐腐食性薄膜が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向
の異なる２層以上の異応力複数層薄膜からなる静電アク
チュエータであることを主要な特徴とする。
は４に記載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄
膜は、ジルコニウム薄膜である静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、請求
項１、２、３又は４に記載の静電アクチュエータにおい
て、耐腐食性薄膜は、ジルコニウム化合物薄膜である静
電アクチュエータであることを主要な特徴とする。請求
項１０の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８又は９に記載の静電アクチュエータにおいて、耐
腐食性薄膜は、積層からなることを特徴とする静電アク
チュエータ。請求項１１の本発明は、請求項１又は２に
記載の静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防
止手段は、耐腐食性薄膜が形成された振動板が平坦であ
る静電アクチュエータであることを主要な特徴とする。
請求項１２の本発明は、請求項１１に記載の静電アクチ
ュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄膜で
ある静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項１３の本発明は、請求項１２に記載の静電ア
クチュエータにおいて、窒化チタン薄膜は、酸素原子が
含まれている静電アクチュエータであることを主要な特
徴とする。請求項１４の本発明は、請求項１２又は１３
に記載の静電アクチュエータにおいて、窒化チタン薄膜
は、酸素原子の濃度が１％以上含まれている静電アクチ
ュエータであることを主要な特徴とする。請求項１５の
本発明は、請求項１１、１２、１３又は１４に記載の静
電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、積層から
なる静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項１６の本発明は、請求項１又は２に記載の静
電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手段
は、耐腐食性薄膜が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向
の異なる２層以上の異応力複数層薄膜からなる静電アク
チュエータであることを主要な特徴とする。
【０００７】請求項１７の本発明は、請求項１６に記載
の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、少な
くとも窒化チタン薄膜からなる静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請
求項１６又は１７に記載の静電アクチュエータにおい
て、振動板撓み発生防止手段は、振動板と耐腐食性薄膜
の間に上記耐腐食性薄膜の応力を緩和する応力緩和薄膜
からなる静電アクチュエータであることを主要な特徴と
する。請求項１９の本発明は、請求項１８に記載の静電
アクチュエータにおいて、応力緩和薄膜は、有機系樹脂
からなる静電アクチュエータであることを主要な特徴と
する。請求項２０の本発明は、請求項１又は２に記載の
静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手段
は、振動板上に形成した耐腐食性薄膜と同等の応力を有
して上記振動板下に形成した同等応力薄膜からなる静電
アクチュエータであることを主要な特徴とする。請求項
２１の本発明は、請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、耐腐食性
薄膜の膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜か
らなる静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項２２の本発明は、請求項２１に記載の静電ア
クチュエータにおいて、膜厚均一薄膜は、積層からなる
静電アクチュエータであることを主要な特徴とする。請
求項２３の本発明は、静電力により振動して作動する上
記請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アクチュ
エータの製造方法において、振動板が形成される振動板
基板と電極が形成される電極基板を接合した後に、上記
振動板上に耐腐食性薄膜を形成する静電アクチュエータ
の製造方法であることを最も主要な特徴とする。請求項
２４の本発明は、請求項２３に記載の静電アクチュエー
タの製造方法において、振動板が形成される振動板基板
と電極が形成される電極基板を直接接合した静電アクチ
ュエータの製造方法であることを主要な特徴とする。
の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、少な
くとも窒化チタン薄膜からなる静電アクチュエータであ
ることを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請
求項１６又は１７に記載の静電アクチュエータにおい
て、振動板撓み発生防止手段は、振動板と耐腐食性薄膜
の間に上記耐腐食性薄膜の応力を緩和する応力緩和薄膜
からなる静電アクチュエータであることを主要な特徴と
する。請求項１９の本発明は、請求項１８に記載の静電
アクチュエータにおいて、応力緩和薄膜は、有機系樹脂
からなる静電アクチュエータであることを主要な特徴と
する。請求項２０の本発明は、請求項１又は２に記載の
静電アクチュエータにおいて、振動板撓み発生防止手段
は、振動板上に形成した耐腐食性薄膜と同等の応力を有
して上記振動板下に形成した同等応力薄膜からなる静電
アクチュエータであることを主要な特徴とする。請求項
２１の本発明は、請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、耐腐食性
薄膜の膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜か
らなる静電アクチュエータであることを主要な特徴とす
る。請求項２２の本発明は、請求項２１に記載の静電ア
クチュエータにおいて、膜厚均一薄膜は、積層からなる
静電アクチュエータであることを主要な特徴とする。請
求項２３の本発明は、静電力により振動して作動する上
記請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アクチュ
エータの製造方法において、振動板が形成される振動板
基板と電極が形成される電極基板を接合した後に、上記
振動板上に耐腐食性薄膜を形成する静電アクチュエータ
の製造方法であることを最も主要な特徴とする。請求項
２４の本発明は、請求項２３に記載の静電アクチュエー
タの製造方法において、振動板が形成される振動板基板
と電極が形成される電極基板を直接接合した静電アクチ
ュエータの製造方法であることを主要な特徴とする。
【０００８】請求項２５の本発明は、請求項２３又は２
４に記載の静電アクチュエータの製造方法において、振
動板上に耐腐食性薄膜をスパッタ法により形成する静電
アクチュエータの製造方法であることを主要な特徴とす
る。請求項２６の本発明は、請求項２３又は２４に記載
の静電アクチュエータの製造方法において、振動板上に
耐腐食性薄膜をＣＶＤ法により形成する静電アクチュエ
ータの製造方法であることを主要な特徴とする。請求項
２７の本発明は、請求項２３又は２４に記載の静電アク
チュエータの製造方法において、振動板上に耐腐食性薄
膜を酸化法により形成する静電アクチュエータの製造方
法であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、液滴を静電力による圧力波で吐出する静電型マイク
ロポンプにおいて、液滴を吐出するノズル孔と、上記ノ
ズル孔が連通する液流路の液室と、上記液室の壁面を形
成する請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アク
チュエータとからなる静電型マイクロポンプであること
を最も主要な特徴とする。請求項２９の本発明は、イン
ク液滴を静電力による圧力波で吐出するインクジェット
記録ヘッドにおいて、インク液滴を吐出するノズル孔
と、上記ノズル孔が連通するインク流路のインク液室
と、上記インク液室の壁面を形成する請求項１乃至２２
の何れか一項に記載の静電アクチュエータ又は請求項に
記載の静電型マイクロポンプとからなることを特徴とす
るインクジェット記録ヘッドであることを最も主要な特
徴とする。請求項３０の本発明は、静電アクチュエータ
からなるインクジェット記録ヘッドでインク画像を記録
するインクジェット記録装置において、インク画像を記
録する被記録体を搬送する被記録体搬送手段と、上記被
記録体搬送手段によって搬送される被記録体にインクを
吐出してインク記録画像を記録する請求項２９に記載の
インクジェット記録ヘッドとからなるインクジェット記
録装置であることを最も主要な特徴とする。
４に記載の静電アクチュエータの製造方法において、振
動板上に耐腐食性薄膜をスパッタ法により形成する静電
アクチュエータの製造方法であることを主要な特徴とす
る。請求項２６の本発明は、請求項２３又は２４に記載
の静電アクチュエータの製造方法において、振動板上に
耐腐食性薄膜をＣＶＤ法により形成する静電アクチュエ
ータの製造方法であることを主要な特徴とする。請求項
２７の本発明は、請求項２３又は２４に記載の静電アク
チュエータの製造方法において、振動板上に耐腐食性薄
膜を酸化法により形成する静電アクチュエータの製造方
法であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、液滴を静電力による圧力波で吐出する静電型マイク
ロポンプにおいて、液滴を吐出するノズル孔と、上記ノ
ズル孔が連通する液流路の液室と、上記液室の壁面を形
成する請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アク
チュエータとからなる静電型マイクロポンプであること
を最も主要な特徴とする。請求項２９の本発明は、イン
ク液滴を静電力による圧力波で吐出するインクジェット
記録ヘッドにおいて、インク液滴を吐出するノズル孔
と、上記ノズル孔が連通するインク流路のインク液室
と、上記インク液室の壁面を形成する請求項１乃至２２
の何れか一項に記載の静電アクチュエータ又は請求項に
記載の静電型マイクロポンプとからなることを特徴とす
るインクジェット記録ヘッドであることを最も主要な特
徴とする。請求項３０の本発明は、静電アクチュエータ
からなるインクジェット記録ヘッドでインク画像を記録
するインクジェット記録装置において、インク画像を記
録する被記録体を搬送する被記録体搬送手段と、上記被
記録体搬送手段によって搬送される被記録体にインクを
吐出してインク記録画像を記録する請求項２９に記載の
インクジェット記録ヘッドとからなるインクジェット記
録装置であることを最も主要な特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１乃至図４は本発明の一
実施形態の平面図、Ｗ−Ｗ線断面図、Ｘ−Ｘ線断面図、
及びＹ−Ｙ線断面図である。静電力により振動して作動
する静電アクチュエータ０は、静電力により振動して作
動する振動板１と、上記振動板１に対向する電極基板２
と、上記電極基板２上に形成されて上記振動板１に空隙
６を介して対向する電極３と、上記振動板１を振動して
作動するための電圧を印加する上記電極３と対向する上
記振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄
膜４と、上記耐腐食性薄膜４の上記振動板１の撓みの発
生を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなり、上
記耐腐食性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留ま
りが向上して低コストにすることが出来るようになっ
た。液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静
電型マイクロポンプ１０やインクジェット記録ヘッド２
０は、液滴やインク液滴を図示の矢印Ａ方向又は図示の
矢印Ｂ方向に吐出するノズル孔１１やノズル孔２１と、
上記ノズル孔１１やノズル孔２１が連通する液流路やイ
ンク流路の液室１２やインク液室２２と、上記液室１２
や上記インク液室２２の壁面を形成する上記静電アクチ
ュエータ０の上記振動板１に形成された上記耐腐食性薄
膜４の上記振動板１の撓みの発生を防止する上記振動板
撓み発生防止手段５からなる。振動板基板１ａは、面方
位（１１０）の単結晶シリコン基板で、上記振動板１、
個々の上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１に対応して
液やインク液滴が加圧される上記液室１２や上記インク
液室２２、共通液室１３や共通インク液室２３、液流路
１４やインク液流路２４が異方性エッチングにより形成
され、上記インク液室１２や上記インク液室２２と上記
共通液室１３や上記共通インク液室２３は上記液流路１
４や上記インク液流路２４によって連通されている。ノ
ズル板１１ａやノズル板２１ａは、ガラス板，金属板又
はシリコン板で、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１
と液供給路１５やインク液供給路２５が形成されてい
る。更に、上記振動板１の表面上、上記振動板基板１ａ
の表面上、上記インク液室１２の表面上、上記共通液室
１３の表面上、上記インク液流路１４の表面上にはイン
ク液滴に対する耐腐食性の膜の上記耐腐食性薄膜４が形
成されている。
を参照して詳細に説明する。図１乃至図４は本発明の一
実施形態の平面図、Ｗ−Ｗ線断面図、Ｘ−Ｘ線断面図、
及びＹ−Ｙ線断面図である。静電力により振動して作動
する静電アクチュエータ０は、静電力により振動して作
動する振動板１と、上記振動板１に対向する電極基板２
と、上記電極基板２上に形成されて上記振動板１に空隙
６を介して対向する電極３と、上記振動板１を振動して
作動するための電圧を印加する上記電極３と対向する上
記振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄
膜４と、上記耐腐食性薄膜４の上記振動板１の撓みの発
生を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなり、上
記耐腐食性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留ま
りが向上して低コストにすることが出来るようになっ
た。液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静
電型マイクロポンプ１０やインクジェット記録ヘッド２
０は、液滴やインク液滴を図示の矢印Ａ方向又は図示の
矢印Ｂ方向に吐出するノズル孔１１やノズル孔２１と、
上記ノズル孔１１やノズル孔２１が連通する液流路やイ
ンク流路の液室１２やインク液室２２と、上記液室１２
や上記インク液室２２の壁面を形成する上記静電アクチ
ュエータ０の上記振動板１に形成された上記耐腐食性薄
膜４の上記振動板１の撓みの発生を防止する上記振動板
撓み発生防止手段５からなる。振動板基板１ａは、面方
位（１１０）の単結晶シリコン基板で、上記振動板１、
個々の上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１に対応して
液やインク液滴が加圧される上記液室１２や上記インク
液室２２、共通液室１３や共通インク液室２３、液流路
１４やインク液流路２４が異方性エッチングにより形成
され、上記インク液室１２や上記インク液室２２と上記
共通液室１３や上記共通インク液室２３は上記液流路１
４や上記インク液流路２４によって連通されている。ノ
ズル板１１ａやノズル板２１ａは、ガラス板，金属板又
はシリコン板で、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１
と液供給路１５やインク液供給路２５が形成されてい
る。更に、上記振動板１の表面上、上記振動板基板１ａ
の表面上、上記インク液室１２の表面上、上記共通液室
１３の表面上、上記インク液流路１４の表面上にはイン
ク液滴に対する耐腐食性の膜の上記耐腐食性薄膜４が形
成されている。
【００１０】上記振動板撓み発生防止手段５は、上記耐
腐食性薄膜４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性
も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、
ＣＶＤ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１
の撓みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくと
も引っ張り応力（tensile stress）、又は、１．０Ｅ１
０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stres
s）をもつ単層の薄膜、或いは、微少穴のピンホール等
によるインク液滴漏洩等による作動不良を防止するため
順次積層された積層膜等であって、作動不良が抑制出来
るように好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ωｃｍ以上の
量産性に優れた窒化チタン薄膜４ａ、又は、量産性に優
れた酸化シリコン薄膜４ｂ、又は、耐腐食性に優れ膜応
力の制御が容易なジルコニウム薄膜４ｃ、又は、耐腐食
性に優れ膜応力の制御が容易な窒化ジルコニウム等のジ
ルコニウム化合物薄膜４ｄ、又は、圧縮応力と引っ張り
応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜４
ｅ、又は、上記振動板１上に形成した上記耐腐食性薄膜
４と同等の応力を有して上記振動板１下に形成した同等
応力薄膜４ｆ、又は、上記耐腐食性薄膜４の膜厚分布が
均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜４ｇである。上記電
極基板２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板で
ある。通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板
を用いられるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、
又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いて
も何ら問題は無い。上記電極３は、単結晶シリコン基板
の上記電極基板２上の酸化シリコン膜２ａの凹部２ｂ内
に形成された高融点金属からなり、上記振動板１を振動
して作動するための電圧が印加される。上記電極３は、
上記電極基板２と互いに絶縁分離されており、反応性ス
パッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タング
ステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いは
それらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは
窒化チタン又は、酸化シリコン膜２ａ上に順次形成され
るチタン、窒化チタンの積層構造からなる振動して作動
させる電極であって、単結晶シリコン基板の上記電極基
板２を熱酸化することにより形成した上記シリコン酸化
膜２ａの上記凹部２ｂ内に配置されている。
腐食性薄膜４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性
も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、
ＣＶＤ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１
の撓みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくと
も引っ張り応力（tensile stress）、又は、１．０Ｅ１
０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stres
s）をもつ単層の薄膜、或いは、微少穴のピンホール等
によるインク液滴漏洩等による作動不良を防止するため
順次積層された積層膜等であって、作動不良が抑制出来
るように好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ωｃｍ以上の
量産性に優れた窒化チタン薄膜４ａ、又は、量産性に優
れた酸化シリコン薄膜４ｂ、又は、耐腐食性に優れ膜応
力の制御が容易なジルコニウム薄膜４ｃ、又は、耐腐食
性に優れ膜応力の制御が容易な窒化ジルコニウム等のジ
ルコニウム化合物薄膜４ｄ、又は、圧縮応力と引っ張り
応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜４
ｅ、又は、上記振動板１上に形成した上記耐腐食性薄膜
４と同等の応力を有して上記振動板１下に形成した同等
応力薄膜４ｆ、又は、上記耐腐食性薄膜４の膜厚分布が
均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜４ｇである。上記電
極基板２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板で
ある。通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板
を用いられるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、
又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いて
も何ら問題は無い。上記電極３は、単結晶シリコン基板
の上記電極基板２上の酸化シリコン膜２ａの凹部２ｂ内
に形成された高融点金属からなり、上記振動板１を振動
して作動するための電圧が印加される。上記電極３は、
上記電極基板２と互いに絶縁分離されており、反応性ス
パッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タング
ステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いは
それらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは
窒化チタン又は、酸化シリコン膜２ａ上に順次形成され
るチタン、窒化チタンの積層構造からなる振動して作動
させる電極であって、単結晶シリコン基板の上記電極基
板２を熱酸化することにより形成した上記シリコン酸化
膜２ａの上記凹部２ｂ内に配置されている。
【００１１】上記凹部２ｂは、上記振動板１と上記電極
３間に上記空隙６を形成するためのものであって、上記
空隙６を介して上記振動板１と対向した上記電極３に電
圧を印加することで静電引力を発生させる。パッド部２
ｃは、上記電極３の電極パッド３ａに対して外部から電
圧を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング
等の実装を行うためのものである。従って、簡単な応力
の構成で、駆動中に充放電電流のみの省資源で低消費電
力で、上記振動板撓み発生防止手段５により上記耐腐食
性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して撓む作動
不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まりが向上
して低コストの上記静電アクチュエータ０及びそれを具
備する上記静電型マイクロポンプ１０やそれを具備する
上記インクジェット記録ヘッド２０を提供することが出
来るようになった。
３間に上記空隙６を形成するためのものであって、上記
空隙６を介して上記振動板１と対向した上記電極３に電
圧を印加することで静電引力を発生させる。パッド部２
ｃは、上記電極３の電極パッド３ａに対して外部から電
圧を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング
等の実装を行うためのものである。従って、簡単な応力
の構成で、駆動中に充放電電流のみの省資源で低消費電
力で、上記振動板撓み発生防止手段５により上記耐腐食
性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して撓む作動
不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まりが向上
して低コストの上記静電アクチュエータ０及びそれを具
備する上記静電型マイクロポンプ１０やそれを具備する
上記インクジェット記録ヘッド２０を提供することが出
来るようになった。
【００１２】図５乃至図２２は、本発明の実施形態に係
る、上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチ
ュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や
その上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジ
ェット記録ヘッド２０の製造方法を示す図である。静電
力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜４からなる
上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチュエ
ータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０やその
上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェッ
ト記録ヘッド２０は、図５と図６において、最初に、面
配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）のｐ
型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基板２
上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜２ａを形成する
酸化シリコン膜形成工程（ａ）と、図７と図８におい
て、次に、通常のフォトリソグラフィとドライエッチン
グ法、又は、ウェットエッチング法で行うエッチング
は、上記酸化シリコン膜２ａに上記電極３の領域と上記
パッド３ａの領域を規定するパターニング工程（ｂ）
と、図９と図１０において、上記パターニング工程
（ｂ）でパターニングされた上記酸化シリコン膜２ａ上
に反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタ
ン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化
物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、
望ましくは窒化チタンを順次形成される窒化チタンを全
面に成膜して上記電極３を形成する電極形成工程（ｃ）
と、図１１と図１２において、高融点金属の上記電極３
上にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって形成した
絶縁物３ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物
形成工程（ｄ）と、図１３と図１４において、上記絶縁
物３ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極
３をエッチングしパターニングして上記電極基板２を完
成する電極基板完成工程（ｅ）と、図１５と図１６にお
いて、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位（１１
０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１ａの片面
に上記振動板１の膜厚に等しくなる深さまでｐ型、或い
は、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／ｃｍ3以上
拡散させた拡散領域１ａ1と、更に、上記拡散領域１ａ1
と反対の面に、上記静電アクチュエータ０を具備する上
記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記
ノズル孔１１や上記ノズル孔２１と上記液室１２上記イ
ンク液室２２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シ
リコン，五酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチン
グマスタパターンを形成した上記振動板基板１ａと上記
電極基板２とアライメントして５００℃前後の温度で接
合した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い
直接接合法で接合する接合工程（ｆ）と、又は、上記振
動板基板１ａと上記電極基板２とをアライメント接合し
た後にエッチングマスクパターンを形成しても良い。更
に、面方位（１１０）単結晶シリコン基板の上にシリコ
ン酸化膜を介し，上記振動板１の膜厚に等しい単結晶薄
膜シリコンが形成されているＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）基板と上記電極基板２を直接接合しても良い。こ
の場合においても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、
上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイク
ロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上
記インクジェット記録ヘッド２０の上記ノズル孔１１や
上記ノズル孔２１と上記液室１２や上記インク液室１２
を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン膜，五酸化タ
ンタル等の単結晶シリコンエッチングマスタパターンを
あらかじめ形成した後に上記電極基板２と直接接合して
も良い。
る、上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチ
ュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や
その上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジ
ェット記録ヘッド２０の製造方法を示す図である。静電
力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜４からなる
上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチュエ
ータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０やその
上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェッ
ト記録ヘッド２０は、図５と図６において、最初に、面
配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）のｐ
型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基板２
上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜２ａを形成する
酸化シリコン膜形成工程（ａ）と、図７と図８におい
て、次に、通常のフォトリソグラフィとドライエッチン
グ法、又は、ウェットエッチング法で行うエッチング
は、上記酸化シリコン膜２ａに上記電極３の領域と上記
パッド３ａの領域を規定するパターニング工程（ｂ）
と、図９と図１０において、上記パターニング工程
（ｂ）でパターニングされた上記酸化シリコン膜２ａ上
に反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタ
ン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化
物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、
望ましくは窒化チタンを順次形成される窒化チタンを全
面に成膜して上記電極３を形成する電極形成工程（ｃ）
と、図１１と図１２において、高融点金属の上記電極３
上にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって形成した
絶縁物３ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物
形成工程（ｄ）と、図１３と図１４において、上記絶縁
物３ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極
３をエッチングしパターニングして上記電極基板２を完
成する電極基板完成工程（ｅ）と、図１５と図１６にお
いて、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位（１１
０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１ａの片面
に上記振動板１の膜厚に等しくなる深さまでｐ型、或い
は、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／ｃｍ3以上
拡散させた拡散領域１ａ1と、更に、上記拡散領域１ａ1
と反対の面に、上記静電アクチュエータ０を具備する上
記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記
ノズル孔１１や上記ノズル孔２１と上記液室１２上記イ
ンク液室２２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シ
リコン，五酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチン
グマスタパターンを形成した上記振動板基板１ａと上記
電極基板２とアライメントして５００℃前後の温度で接
合した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い
直接接合法で接合する接合工程（ｆ）と、又は、上記振
動板基板１ａと上記電極基板２とをアライメント接合し
た後にエッチングマスクパターンを形成しても良い。更
に、面方位（１１０）単結晶シリコン基板の上にシリコ
ン酸化膜を介し，上記振動板１の膜厚に等しい単結晶薄
膜シリコンが形成されているＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）基板と上記電極基板２を直接接合しても良い。こ
の場合においても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、
上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイク
ロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上
記インクジェット記録ヘッド２０の上記ノズル孔１１や
上記ノズル孔２１と上記液室１２や上記インク液室１２
を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン膜，五酸化タ
ンタル等の単結晶シリコンエッチングマスタパターンを
あらかじめ形成した後に上記電極基板２と直接接合して
も良い。
【００１３】図１７と図１８において、次に、上記接合
工程（ｆ）で上記振動板基板１ａと上記電極基板２を直
接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタパターン
が形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によって異方性
エッチングして、この時、高濃度に不純物を含む上記拡
散領域１ａ1でエッチングは自発的に停止して上記振動
板１を形成する振動板形成工程（ｇ）と、ＳＯＩ（Sili
con On Insulator）基板を用いて異方性エッチングした
場合は、酸化シリコン膜上でエッチングは停止する。
尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除去しても何ら問
題はない。
工程（ｆ）で上記振動板基板１ａと上記電極基板２を直
接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタパターン
が形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によって異方性
エッチングして、この時、高濃度に不純物を含む上記拡
散領域１ａ1でエッチングは自発的に停止して上記振動
板１を形成する振動板形成工程（ｇ）と、ＳＯＩ（Sili
con On Insulator）基板を用いて異方性エッチングした
場合は、酸化シリコン膜上でエッチングは停止する。
尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除去しても何ら問
題はない。
【００１４】図１９と図２０において、次に、上記振動
板基板１ａ表面と上記振動板１の全面にわたり同時にイ
ンク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜４を形成
する耐腐食性薄膜形成工程（ｈ）と、上記振動板撓み発
生防止手段５は、上記耐腐食性薄膜４を成膜時のボトム
カバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させるこ
とが出来る、且つ、安価に形成できるスパッタ法、ＣＶ
Ｄ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１の撓
みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくとも引
っ張り応力（tensilestress）、又は、１．０Ｅ１０ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stress）
をもつ単層の薄膜、或いは、順次積層された積層膜であ
って、好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ以上の
上記窒化チタン薄膜４ａ、又は、上記酸化シリコン薄膜
４ｂ、又は、上記ジルコニウム薄膜４ｃ、又は、窒化ジ
ルコニウム等の上記ジルコニウム化合物薄膜４ｄ、又
は、応力を緩和する上記応力緩和薄膜４ｅ、又は、同等
の応力を有する上記同等応力薄膜４ｆである。
板基板１ａ表面と上記振動板１の全面にわたり同時にイ
ンク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜４を形成
する耐腐食性薄膜形成工程（ｈ）と、上記振動板撓み発
生防止手段５は、上記耐腐食性薄膜４を成膜時のボトム
カバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させるこ
とが出来る、且つ、安価に形成できるスパッタ法、ＣＶ
Ｄ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１の撓
みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくとも引
っ張り応力（tensilestress）、又は、１．０Ｅ１０ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stress）
をもつ単層の薄膜、或いは、順次積層された積層膜であ
って、好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ以上の
上記窒化チタン薄膜４ａ、又は、上記酸化シリコン薄膜
４ｂ、又は、上記ジルコニウム薄膜４ｃ、又は、窒化ジ
ルコニウム等の上記ジルコニウム化合物薄膜４ｄ、又
は、応力を緩和する上記応力緩和薄膜４ｅ、又は、同等
の応力を有する上記同等応力薄膜４ｆである。
【００１５】図２１と図２２において、上記ノズル板１
１ａや上記ノズル板２１ａは、ガラス板や金属板からな
る基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工で、イ
ンク液供給用の上記インク液供給路１５が形成されて張
り付けられ、上記電極パッド３ａの上部領域の上記耐腐
食性薄膜４、上記振動板１、上記絶縁物３ｂをエッチン
グ除去するノズル板形成工程（ｉ）で製造される。従っ
て、取り扱い中の上記振動板１の破壊が防止され、上記
耐腐食性薄膜４が形成された上記振動板１の座屈して撓
む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まり
が大幅に向上して低コストの上記静電アクチュエータ０
及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マ
イクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド２０の製造方法を提供
することが出来るようになった。上記振動板基板１ａ
は、各上記ノズル孔１１や各上記ノズル孔２１に対応し
て、異方性エッチングにより形成される上記液室１２や
上記インク液室２２と、上記液室１２や上記インク液室
２２へ液体やインク液を供給するための上記共通液室１
３や上記共通インク液室２３が形成され，両者は異方性
エッチングで形成した上記液流路１４や上記インク液流
路２４で連通され、各々の表面には上記耐腐食性薄膜４
が形成された構造となる。静電力により振動して作動す
る上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエータ
０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型
マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備
する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記電極３に
上記電極パッド３ａを介して電圧を印加すると、上記振
動板１と上記電極３との間に静電力が働き、上記振動板
１は上記電極３方向に撓み、上記液室１２や上記インク
液室２２は引圧となり液体やインク液を供給のための上
記液流路１４や上記インク液流路２４を経て上記共通液
室１３や上記共通インク液室２３から液体やインク液が
供給される。上記電極３への上記電極パッド３ａを介し
ての電圧を切ると、上記振動板１の剛性によって元の位
置へ戻り、この時、上記液室１２や上記インク液室２２
内は加圧され上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１を経
て、上記振動板基板１ａに対して法線方向の図示の矢印
Ａ方向、又は、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１の
方向を変更する事で上記振動板基板１ａに対して水平方
向の図示の矢印Ｂ方向に液滴やインク液滴は吐出され
る。
１ａや上記ノズル板２１ａは、ガラス板や金属板からな
る基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工で、イ
ンク液供給用の上記インク液供給路１５が形成されて張
り付けられ、上記電極パッド３ａの上部領域の上記耐腐
食性薄膜４、上記振動板１、上記絶縁物３ｂをエッチン
グ除去するノズル板形成工程（ｉ）で製造される。従っ
て、取り扱い中の上記振動板１の破壊が防止され、上記
耐腐食性薄膜４が形成された上記振動板１の座屈して撓
む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まり
が大幅に向上して低コストの上記静電アクチュエータ０
及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マ
イクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド２０の製造方法を提供
することが出来るようになった。上記振動板基板１ａ
は、各上記ノズル孔１１や各上記ノズル孔２１に対応し
て、異方性エッチングにより形成される上記液室１２や
上記インク液室２２と、上記液室１２や上記インク液室
２２へ液体やインク液を供給するための上記共通液室１
３や上記共通インク液室２３が形成され，両者は異方性
エッチングで形成した上記液流路１４や上記インク液流
路２４で連通され、各々の表面には上記耐腐食性薄膜４
が形成された構造となる。静電力により振動して作動す
る上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエータ
０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型
マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備
する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記電極３に
上記電極パッド３ａを介して電圧を印加すると、上記振
動板１と上記電極３との間に静電力が働き、上記振動板
１は上記電極３方向に撓み、上記液室１２や上記インク
液室２２は引圧となり液体やインク液を供給のための上
記液流路１４や上記インク液流路２４を経て上記共通液
室１３や上記共通インク液室２３から液体やインク液が
供給される。上記電極３への上記電極パッド３ａを介し
ての電圧を切ると、上記振動板１の剛性によって元の位
置へ戻り、この時、上記液室１２や上記インク液室２２
内は加圧され上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１を経
て、上記振動板基板１ａに対して法線方向の図示の矢印
Ａ方向、又は、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１の
方向を変更する事で上記振動板基板１ａに対して水平方
向の図示の矢印Ｂ方向に液滴やインク液滴は吐出され
る。
【００１６】図２３において、静電力により振動して作
動する上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエ
ータ０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静
電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を
具備する上記インクジェット記録ヘッド２０において、
上記振動板撓み発生防止手段５は、液滴やインク液滴に
対する上記耐腐食性薄膜４を上記窒化チタン薄膜４ａと
上記ジルコニウム薄膜４ｃを用いて内部応力を種々変化
させた時、１Ｅ１９／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入さ
れた厚さ２μｍの上記振動板１が挫屈し撓みが発生する
かどうかと液体やインク液滴吐出噴射特性を評価した。
その結果、上記振動板撓み発生防止手段５は、応力で上
記振動板１の撓みの発生を緩和又は防止する、上記耐腐
食性薄膜４の上記窒化チタン薄膜４ａや上記ジルコニウ
ム薄膜４ｃの内部応力が少なくとも引っ張り応力（tens
ile stress）、若しくは、１Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以
下の圧縮応力（compressive stress）であれば、上記振
動板１は挫屈による撓みは発生せず噴射特性も良好であ
った。一方、２Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以上もの圧縮応
力では、上記振動板１は挫屈を生じ撓みが発生し、イン
ク液滴が吐出しないといった噴射不良が発生した。
動する上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエ
ータ０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静
電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を
具備する上記インクジェット記録ヘッド２０において、
上記振動板撓み発生防止手段５は、液滴やインク液滴に
対する上記耐腐食性薄膜４を上記窒化チタン薄膜４ａと
上記ジルコニウム薄膜４ｃを用いて内部応力を種々変化
させた時、１Ｅ１９／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入さ
れた厚さ２μｍの上記振動板１が挫屈し撓みが発生する
かどうかと液体やインク液滴吐出噴射特性を評価した。
その結果、上記振動板撓み発生防止手段５は、応力で上
記振動板１の撓みの発生を緩和又は防止する、上記耐腐
食性薄膜４の上記窒化チタン薄膜４ａや上記ジルコニウ
ム薄膜４ｃの内部応力が少なくとも引っ張り応力（tens
ile stress）、若しくは、１Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以
下の圧縮応力（compressive stress）であれば、上記振
動板１は挫屈による撓みは発生せず噴射特性も良好であ
った。一方、２Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以上もの圧縮応
力では、上記振動板１は挫屈を生じ撓みが発生し、イン
ク液滴が吐出しないといった噴射不良が発生した。
【００１７】図２４において、上記耐腐食性薄膜４とし
て上記窒化チタン薄膜４ａを用いた時に、上記窒化チタ
ン薄膜４ａの抵抗率とインク液滴に対する耐腐食性を評
価した。その結果は、上記耐腐食性薄膜４の上記窒化チ
タン薄膜４ａの抵抗率が１Ｅ−３Ω・ｃｍ以上ではイン
ク液滴に対して耐腐食性を示すのに対して、それ未満の
抵抗率ではインク液滴に対して腐食が観察された。
て上記窒化チタン薄膜４ａを用いた時に、上記窒化チタ
ン薄膜４ａの抵抗率とインク液滴に対する耐腐食性を評
価した。その結果は、上記耐腐食性薄膜４の上記窒化チ
タン薄膜４ａの抵抗率が１Ｅ−３Ω・ｃｍ以上ではイン
ク液滴に対して耐腐食性を示すのに対して、それ未満の
抵抗率ではインク液滴に対して腐食が観察された。
【００１８】図２５乃至図２８において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段１０５である
単層の耐腐食性薄膜１０４の窒化チタン薄膜１０４ａか
らなる静電アクチュエータ００及び上記静電アクチュエ
ータ００を具備する静電型マイクロポンプ１１０や上記
静電アクチュエータ００を具備するインクジェット記録
ヘッド１２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜
上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図
２２を参照）。電極基板１０２は、面方位（１００）、
抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板であ
る。電極１０３は、上記電極基板１０２の単結晶シリコ
ン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化
シリコン膜１０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部１
０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって
順次上記酸化シリコン膜１０２ａ上に形成した窒化チタ
ンであって互いに絶縁分離されている。上記電極１０３
である上記窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により
形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物１０
３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂ
は、振動板１０１と上記電極１０３の絶縁を確保するた
めの物である。上記電極基板１０２のパッド部１０２ｃ
は、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂをエッチング
除去されている領域であって，上記電極１０３に電極パ
ッド１０３ａを介して、上記振動板１０１を振動して作
動させる電圧を印加する領域である。振動板基板１０１
ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨ
で異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を
１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板１０
１が、空隙１０６内にある酸化シリコン膜の上記絶縁物
１０３ｂを介して上記電極１０３に対向して配置されて
いる。上記振動板基板１０１ａは、面方位（１１０）の
単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形
成した、液室１１２やインク液室１２２と、上記液室１
１２や上記インク液室１２２へインク液体を供給する共
通液室１１３や共通インク液室１２３が形成され、上記
液室１１２や上記インク液室１２２と上記共通液室１１
３や上記共通インク液室１２３の両者が液流路１１４や
インク液流路１２４によって連通されている。上記振動
板基板１０１ａの表面上、上記振動板１０１の表面上、
上記液室１１２の表面上や上記インク液室１２２の表面
上、上記共通液室１１３の表面上や上記共通インク液室
１２３の表面上、上記液流路１１４の表面上や上記イン
ク液流路１２４の表面上には液体やインク液に対する耐
腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜１０４である上記
窒化チタン薄膜１０４ａが、成膜時のボトムカバレージ
が良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来る
スパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により厚さ１０００Åで
形成されている。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段１０５である
単層の耐腐食性薄膜１０４の窒化チタン薄膜１０４ａか
らなる静電アクチュエータ００及び上記静電アクチュエ
ータ００を具備する静電型マイクロポンプ１１０や上記
静電アクチュエータ００を具備するインクジェット記録
ヘッド１２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜
上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図
２２を参照）。電極基板１０２は、面方位（１００）、
抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板であ
る。電極１０３は、上記電極基板１０２の単結晶シリコ
ン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化
シリコン膜１０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部１
０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって
順次上記酸化シリコン膜１０２ａ上に形成した窒化チタ
ンであって互いに絶縁分離されている。上記電極１０３
である上記窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により
形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物１０
３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂ
は、振動板１０１と上記電極１０３の絶縁を確保するた
めの物である。上記電極基板１０２のパッド部１０２ｃ
は、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂをエッチング
除去されている領域であって，上記電極１０３に電極パ
ッド１０３ａを介して、上記振動板１０１を振動して作
動させる電圧を印加する領域である。振動板基板１０１
ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨ
で異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を
１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板１０
１が、空隙１０６内にある酸化シリコン膜の上記絶縁物
１０３ｂを介して上記電極１０３に対向して配置されて
いる。上記振動板基板１０１ａは、面方位（１１０）の
単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形
成した、液室１１２やインク液室１２２と、上記液室１
１２や上記インク液室１２２へインク液体を供給する共
通液室１１３や共通インク液室１２３が形成され、上記
液室１１２や上記インク液室１２２と上記共通液室１１
３や上記共通インク液室１２３の両者が液流路１１４や
インク液流路１２４によって連通されている。上記振動
板基板１０１ａの表面上、上記振動板１０１の表面上、
上記液室１１２の表面上や上記インク液室１２２の表面
上、上記共通液室１１３の表面上や上記共通インク液室
１２３の表面上、上記液流路１１４の表面上や上記イン
ク液流路１２４の表面上には液体やインク液に対する耐
腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜１０４である上記
窒化チタン薄膜１０４ａが、成膜時のボトムカバレージ
が良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来る
スパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により厚さ１０００Åで
形成されている。
【００１９】上記振動板撓み発生防止手段１０５は、上
記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４
ａを、内部応力は１Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2、引っ張り
応力（tensile stress）で、抵抗率が６．０Ｅ−３Ω・
ｃｍである。ノズル板１１１ａやノズル板１２１ａは、
ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液供給
用の液供給路１１５やインク液供給路１２５とノズル孔
１１１やノズル孔１２１が形成されて、上記液室１１２
や上記インク液室１２２の上に張り付けられている。静
電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手
段１０５である単層の上記耐腐食性薄膜１０４の上記窒
化チタン薄膜１０４ａからなる上記静電アクチュエータ
００及び上記静電アクチュエータ００を具備する上記静
電型マイクロポンプ１１０や上記静電アクチュエータ０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２０にお
いては、上記振動板１０１を電気的に接地し、更に，上
記電極パッド１０３ａを介して、上記電極１０３に電圧
を印加すると、一定周波数で上記振動板１０１が振動し
て作動した。上記電極パッド１０３ａを介して上記電極
１０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振
動板１０１と上記電極１０３間に静電引力が働き、上記
振動板１０１は上記電極１０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段１０５は、上記耐腐食
性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａによる
上記振動板１０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引
力により上記電極１０３側に十分引かれた。その結果、
上記液室１１２や上記インク液室１２２は引圧となり、
液体やインク液供給のための上記液流路１１４や上記イ
ンク液流路１２４を経て上記共通液室１１３や上記共通
インク液室１２３から上記液室１１２や上記インク液室
１２２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド
１０３ａを介して上記電極１０３に印加される電圧の周
波数に対応して、上記振動板１０１はシリコンの剛性に
より元の位置へと戻り、この時上記液室１１２や上記イ
ンク液室１２２は加圧され，上記ノズル孔１１１や上記
ノズル孔１２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ
方向へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やイン
ク滴による信頼性試験を行った結果、抵抗率を制御した
上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０
４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４
ａを、内部応力は１Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2、引っ張り
応力（tensile stress）で、抵抗率が６．０Ｅ−３Ω・
ｃｍである。ノズル板１１１ａやノズル板１２１ａは、
ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液供給
用の液供給路１１５やインク液供給路１２５とノズル孔
１１１やノズル孔１２１が形成されて、上記液室１１２
や上記インク液室１２２の上に張り付けられている。静
電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手
段１０５である単層の上記耐腐食性薄膜１０４の上記窒
化チタン薄膜１０４ａからなる上記静電アクチュエータ
００及び上記静電アクチュエータ００を具備する上記静
電型マイクロポンプ１１０や上記静電アクチュエータ０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２０にお
いては、上記振動板１０１を電気的に接地し、更に，上
記電極パッド１０３ａを介して、上記電極１０３に電圧
を印加すると、一定周波数で上記振動板１０１が振動し
て作動した。上記電極パッド１０３ａを介して上記電極
１０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振
動板１０１と上記電極１０３間に静電引力が働き、上記
振動板１０１は上記電極１０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段１０５は、上記耐腐食
性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａによる
上記振動板１０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引
力により上記電極１０３側に十分引かれた。その結果、
上記液室１１２や上記インク液室１２２は引圧となり、
液体やインク液供給のための上記液流路１１４や上記イ
ンク液流路１２４を経て上記共通液室１１３や上記共通
インク液室１２３から上記液室１１２や上記インク液室
１２２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド
１０３ａを介して上記電極１０３に印加される電圧の周
波数に対応して、上記振動板１０１はシリコンの剛性に
より元の位置へと戻り、この時上記液室１１２や上記イ
ンク液室１２２は加圧され，上記ノズル孔１１１や上記
ノズル孔１２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ
方向へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やイン
ク滴による信頼性試験を行った結果、抵抗率を制御した
上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０
４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２０】図２９乃至図３２において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段２０５である
単層の耐腐食性薄膜２０４のジルコニウム薄膜２０４ｃ
からなる静電アクチュエータ２００及び上記静電アクチ
ュエータ２００を具備する静電型マイクロポンプ２１０
や上記静電アクチュエータ２００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド２２０は、上記酸化シリコン膜形成
工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される
（図５乃至図２２を参照）。電極基板２０２は、面方位
（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリ
コン基板である。電極２０３は、上記電極基板２０２の
単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって
形成した酸化シリコン膜２０２ａに形成した深さ０．４
μｍの凹部２０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッ
タ法によって順次上記酸化シリコン膜２０２ａ上に形成
した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記電極２０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ
法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶
縁物２０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物２
０３ｂは、振動板２０１と上記電極２０３の絶縁を確保
するためのものである。上記電極基板２０２のパッド部
２０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物２０３ｂをエ
ッチング除去されている領域であって，上記電極２０３
に電極パッド２０３ａを介して、上記振動板２０１を振
動して作動させる電圧を印加する領域である。振動板基
板２０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板
をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純
物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振
動板２０１が、空隙２０６内にある酸化シリコン膜の上
記絶縁物２０３ｂを介して上記電極２０３に対向して配
置されている。上記振動板基板２０１ａは、面方位（１
１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチン
グして形成した、液室２１２やインク液室２２２と、上
記液室２１２や上記インク液室２２２へ液体やインク液
を供給する共通液室２１３や共通インク液室２２３が形
成され、上記液室２１２や上記インク液室２２２と上記
共通液室２１３や上記共通インク液室２２３の両者が液
流路２１４やインク液流路２２４によって連通されてい
る。上記振動板基板２０１ａの表面上、上記振動板２０
１の表面上、上記液室２１２や上記インク液室２２２の
表面上、上記共通液室２１３のや上記共通インク液室２
２３の表面上、上記液流路２１４や上記インク液流路２
２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄
膜である上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウ
ム薄膜２０４ｃがスパッタ法により厚さ１０００Åで形
成されている。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段２０５である
単層の耐腐食性薄膜２０４のジルコニウム薄膜２０４ｃ
からなる静電アクチュエータ２００及び上記静電アクチ
ュエータ２００を具備する静電型マイクロポンプ２１０
や上記静電アクチュエータ２００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド２２０は、上記酸化シリコン膜形成
工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される
（図５乃至図２２を参照）。電極基板２０２は、面方位
（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリ
コン基板である。電極２０３は、上記電極基板２０２の
単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって
形成した酸化シリコン膜２０２ａに形成した深さ０．４
μｍの凹部２０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッ
タ法によって順次上記酸化シリコン膜２０２ａ上に形成
した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記電極２０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ
法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶
縁物２０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物２
０３ｂは、振動板２０１と上記電極２０３の絶縁を確保
するためのものである。上記電極基板２０２のパッド部
２０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物２０３ｂをエ
ッチング除去されている領域であって，上記電極２０３
に電極パッド２０３ａを介して、上記振動板２０１を振
動して作動させる電圧を印加する領域である。振動板基
板２０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板
をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純
物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振
動板２０１が、空隙２０６内にある酸化シリコン膜の上
記絶縁物２０３ｂを介して上記電極２０３に対向して配
置されている。上記振動板基板２０１ａは、面方位（１
１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチン
グして形成した、液室２１２やインク液室２２２と、上
記液室２１２や上記インク液室２２２へ液体やインク液
を供給する共通液室２１３や共通インク液室２２３が形
成され、上記液室２１２や上記インク液室２２２と上記
共通液室２１３や上記共通インク液室２２３の両者が液
流路２１４やインク液流路２２４によって連通されてい
る。上記振動板基板２０１ａの表面上、上記振動板２０
１の表面上、上記液室２１２や上記インク液室２２２の
表面上、上記共通液室２１３のや上記共通インク液室２
２３の表面上、上記液流路２１４や上記インク液流路２
２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄
膜である上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウ
ム薄膜２０４ｃがスパッタ法により厚さ１０００Åで形
成されている。
【００２１】上記振動板撓み発生防止手段２０５は、上
記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０
４ｃの内部応力は−５．０E０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応
力（compressive stress）である。ノズル板２１１ａや
ノズル板２２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラス
ト加工で液体やインク液供給用の液供給路２１５やイン
ク液供給路２２５とノズル孔２１１やノズル孔２２１が
形成されて、上記インク液室２１２の上に張り付けられ
ている。静電力により振動して作動する上記振動板撓み
発生防止手段２０５である単層の上記耐腐食性薄膜２０
４の上記ジルコニウム薄膜２０４ｃからなる上記静電ア
クチュエータ２００及び上記静電アクチュエータ２００
を具備する上記静電型マイクロポンプ２１０や上記静電
アクチュエータ２００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド２２０においては、上記振動板２０１を電気的
に接地し、更に、上記電極パッド２０３ａを介して、上
記電極２０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振
動板２０１が振動して作動した。上記電極パッド２０３
ａを介して上記電極２０３に電圧を印加すると、電圧を
印加した時、上記振動板２０１と上記電極２０３間に静
電引力が働き、上記振動板２０１は上記電極２０３方向
に引かれた。この時、上記振動板撓み発生防止手段２０
５は、上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム
薄膜２０４ｃによる上記振動板２０１の挫屈による撓み
は発生せず、静電引力により上記電極２０３側に十分引
かれた。その結果、上記液室２１２や上記インク液室２
２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液
流路２１４や上記インク液流路２２４を経て上記共通液
室２１３や上記共通インク液室２２３から上記液室２１
２や上記インク液室２２２へ液体やインク液が供給され
た。上記電極パッド２０３ａを介して上記電極２０３に
印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板２０１
はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記
液室２１２や上記インク液室２２２は加圧され，上記ノ
ズル孔２１１や上記ノズル孔２２１を経て液滴やインク
液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。更に、
この状態で液滴やインク液滴による信頼性試験を行った
結果、抵抗率を制御した上記耐腐食性薄膜２０４である
上記ジルコニウム薄膜２０４ｃは耐腐食性が十分あるこ
とが確認された。
記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０
４ｃの内部応力は−５．０E０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応
力（compressive stress）である。ノズル板２１１ａや
ノズル板２２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラス
ト加工で液体やインク液供給用の液供給路２１５やイン
ク液供給路２２５とノズル孔２１１やノズル孔２２１が
形成されて、上記インク液室２１２の上に張り付けられ
ている。静電力により振動して作動する上記振動板撓み
発生防止手段２０５である単層の上記耐腐食性薄膜２０
４の上記ジルコニウム薄膜２０４ｃからなる上記静電ア
クチュエータ２００及び上記静電アクチュエータ２００
を具備する上記静電型マイクロポンプ２１０や上記静電
アクチュエータ２００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド２２０においては、上記振動板２０１を電気的
に接地し、更に、上記電極パッド２０３ａを介して、上
記電極２０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振
動板２０１が振動して作動した。上記電極パッド２０３
ａを介して上記電極２０３に電圧を印加すると、電圧を
印加した時、上記振動板２０１と上記電極２０３間に静
電引力が働き、上記振動板２０１は上記電極２０３方向
に引かれた。この時、上記振動板撓み発生防止手段２０
５は、上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム
薄膜２０４ｃによる上記振動板２０１の挫屈による撓み
は発生せず、静電引力により上記電極２０３側に十分引
かれた。その結果、上記液室２１２や上記インク液室２
２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液
流路２１４や上記インク液流路２２４を経て上記共通液
室２１３や上記共通インク液室２２３から上記液室２１
２や上記インク液室２２２へ液体やインク液が供給され
た。上記電極パッド２０３ａを介して上記電極２０３に
印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板２０１
はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記
液室２１２や上記インク液室２２２は加圧され，上記ノ
ズル孔２１１や上記ノズル孔２２１を経て液滴やインク
液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。更に、
この状態で液滴やインク液滴による信頼性試験を行った
結果、抵抗率を制御した上記耐腐食性薄膜２０４である
上記ジルコニウム薄膜２０４ｃは耐腐食性が十分あるこ
とが確認された。
【００２２】図３３乃至図３６において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段３０５である
積層の耐腐食性薄膜３０４の酸化シリコン薄膜３０４ｂ
と窒化チタン３０４ａからなる静電アクチュエータ３０
０及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型
マイクロポンプ３１０や上記静電アクチュエータ３００
を具備するインクジェット記録ヘッド３２０は、上記酸
化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程
（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電極基
板３０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・
ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極３０３は、上
記電極基板３０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍ
の熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜３０２ａに
形成した深さ０．４μｍの凹部３０２ｂ内に配置され、
更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン
膜３０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁
分離されている。上記電極３０３である窒化チタン上に
は、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの
酸化シリコン膜の絶縁物３０３ｂを形成し、酸化シリコ
ン膜の上記絶縁物３０３ｂは、振動板３０１と上記電極
３０３の絶縁を確保するための物である。上記電極基板
３０２のパッド部３０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶
縁物３０３ｂをエッチング除去されている領域であっ
て，上記電極３０３に電極パッド３０３ａを介して、上
記振動板３０１を振動して作動させる電圧を印加する領
域である。振動板基板３０１ａは、面方位（１１０）の
単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形
成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む
膜厚２μｍの上記振動板３０１が、空隙３０６である酸
化シリコン膜の上記絶縁物３０３ｂを介して上記電極３
０３に対向して配置されている。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段３０５である
積層の耐腐食性薄膜３０４の酸化シリコン薄膜３０４ｂ
と窒化チタン３０４ａからなる静電アクチュエータ３０
０及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型
マイクロポンプ３１０や上記静電アクチュエータ３００
を具備するインクジェット記録ヘッド３２０は、上記酸
化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程
（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電極基
板３０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・
ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極３０３は、上
記電極基板３０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍ
の熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜３０２ａに
形成した深さ０．４μｍの凹部３０２ｂ内に配置され、
更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン
膜３０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁
分離されている。上記電極３０３である窒化チタン上に
は、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの
酸化シリコン膜の絶縁物３０３ｂを形成し、酸化シリコ
ン膜の上記絶縁物３０３ｂは、振動板３０１と上記電極
３０３の絶縁を確保するための物である。上記電極基板
３０２のパッド部３０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶
縁物３０３ｂをエッチング除去されている領域であっ
て，上記電極３０３に電極パッド３０３ａを介して、上
記振動板３０１を振動して作動させる電圧を印加する領
域である。振動板基板３０１ａは、面方位（１１０）の
単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形
成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む
膜厚２μｍの上記振動板３０１が、空隙３０６である酸
化シリコン膜の上記絶縁物３０３ｂを介して上記電極３
０３に対向して配置されている。
【００２３】上記振動板基板３０１ａは、面方位（１１
０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチング
して形成した、液室３１２やインク液室３２２と、上記
液室３１２や上記インク液室３２２へ液体やインク液を
供給する共通液室３１３や共通液室３２３が形成され、
上記液室３１２や上記インク液室３２２と上記共通液室
３１３や上記共通インク液室３２３の両者が液流路３１
４やインク液流路３２４によって連通されている。上記
振動板基板３０１ａの表面上、上記振動板３０１の表面
上、上記液室３１２や上記インク液室３２２の表面上、
上記共通液室３１３や上記共通インク液室３２３の表面
上、上記液流路３１４や上記インク液流路３２４の表面
上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上
記耐腐食性薄膜３０４である熱酸化法によって形成した
厚さ５００Åの上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと、スパ
ッタ法により形成した１０００Åの上記窒化チタン薄膜
３０４ａが順次に形成されている。この時、上記振動板
撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜
３０４の上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａは引っ張り応力（tensile stress）であ
って、上記酸化シリコン薄膜３０４ｂが１．０Ｅ０８ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ2で、上記窒化チタン薄膜３０４ａが１．
０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2であった。又、上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａの抵抗率は１．０Ｅ−２Ω・ｃｍであっ
た。ノズル板３１１ａやノズル板３２１ａは、ガラス板
からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用
の液供給路３１５やインク液供給路３２５とノズル孔３
１１やノズル孔３２１が形成されて、上記液室３１２や
上記インク液室３２２の上に張り付けられている。
０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチング
して形成した、液室３１２やインク液室３２２と、上記
液室３１２や上記インク液室３２２へ液体やインク液を
供給する共通液室３１３や共通液室３２３が形成され、
上記液室３１２や上記インク液室３２２と上記共通液室
３１３や上記共通インク液室３２３の両者が液流路３１
４やインク液流路３２４によって連通されている。上記
振動板基板３０１ａの表面上、上記振動板３０１の表面
上、上記液室３１２や上記インク液室３２２の表面上、
上記共通液室３１３や上記共通インク液室３２３の表面
上、上記液流路３１４や上記インク液流路３２４の表面
上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上
記耐腐食性薄膜３０４である熱酸化法によって形成した
厚さ５００Åの上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと、スパ
ッタ法により形成した１０００Åの上記窒化チタン薄膜
３０４ａが順次に形成されている。この時、上記振動板
撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜
３０４の上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａは引っ張り応力（tensile stress）であ
って、上記酸化シリコン薄膜３０４ｂが１．０Ｅ０８ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ2で、上記窒化チタン薄膜３０４ａが１．
０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2であった。又、上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａの抵抗率は１．０Ｅ−２Ω・ｃｍであっ
た。ノズル板３１１ａやノズル板３２１ａは、ガラス板
からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用
の液供給路３１５やインク液供給路３２５とノズル孔３
１１やノズル孔３２１が形成されて、上記液室３１２や
上記インク液室３２２の上に張り付けられている。
【００２４】静電力により振動して作動する上記振動板
撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜
３０４の上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａからなる上記静電アクチュエータ３００
及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型マ
イクロポンプ３１や上記静電アクチュエータ３００を具
備する上記インクジェット記録ヘッド３２０において
は、上記振動板３０１を電気的に接地し、更に、上記電
極パッド３０３ａを介して、上記電極３０３に電圧を印
加すると、一定周波数で上記振動板３０１が振動して作
動した。上記電極パッド３０３ａを介して上記電極３０
３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板
３０１と上記電極３０３間に静電引力が働き、上記振動
板３０１は上記電極３０３方向に引かれた。この時、上
記振動板撓み発生防止手段３０５は、上記耐腐食性薄膜
３０４である上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと順次形成
された上記窒化チタン薄膜３０４ａによる上記振動板３
０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記
電極３０３側に十分引かれた。その結果、上記液室３１
２や上記インク液室３２２は引圧となり、液体やインク
液供給のための上記液流路３１４や上記インク液流路３
２４を経て上記共通液室３１３や上記共通インク液室３
２３から上記液室３１２や上記インク液室３２２へ液体
やインク液が供給された。上記電極パッド３０３ａを介
して上記電極３０３に印加される電圧の周波数に対応し
て、上記振動板３０１はシリコンの剛性により元の位置
へと戻り、この時上記液室３１２や上記インク液室３２
２は加圧され，上記ノズル孔３１１や上記ノズル孔３２
１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定し
て吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴による信
頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜３０４である
上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタン薄膜３
０４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜
３０４の上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタ
ン薄膜３０４ａからなる上記静電アクチュエータ３００
及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型マ
イクロポンプ３１や上記静電アクチュエータ３００を具
備する上記インクジェット記録ヘッド３２０において
は、上記振動板３０１を電気的に接地し、更に、上記電
極パッド３０３ａを介して、上記電極３０３に電圧を印
加すると、一定周波数で上記振動板３０１が振動して作
動した。上記電極パッド３０３ａを介して上記電極３０
３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板
３０１と上記電極３０３間に静電引力が働き、上記振動
板３０１は上記電極３０３方向に引かれた。この時、上
記振動板撓み発生防止手段３０５は、上記耐腐食性薄膜
３０４である上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと順次形成
された上記窒化チタン薄膜３０４ａによる上記振動板３
０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記
電極３０３側に十分引かれた。その結果、上記液室３１
２や上記インク液室３２２は引圧となり、液体やインク
液供給のための上記液流路３１４や上記インク液流路３
２４を経て上記共通液室３１３や上記共通インク液室３
２３から上記液室３１２や上記インク液室３２２へ液体
やインク液が供給された。上記電極パッド３０３ａを介
して上記電極３０３に印加される電圧の周波数に対応し
て、上記振動板３０１はシリコンの剛性により元の位置
へと戻り、この時上記液室３１２や上記インク液室３２
２は加圧され，上記ノズル孔３１１や上記ノズル孔３２
１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定し
て吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴による信
頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜３０４である
上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタン薄膜３
０４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２５】図３７乃至図４０において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段４０５である
積層の耐腐食性薄膜４０４の酸化シリコン薄膜４０４ｂ
とジルコニウム薄膜４０４ｃからなる静電アクチュエー
タ４００及び上記静電アクチュエータ４００を具備する
静電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ
４００を具備するインクジェット記録ヘッド４２０は、
上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成
工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電
極基板４０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０
Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極４０３
は、上記電極基板４０２の単結晶シリコン基板上の厚さ
2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜４０
２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部４０２ｂ内に配置
され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シ
リコン膜４０２ａ上に形成した窒化チタンであって互い
に絶縁分離されている。上記電極４０３である窒化チタ
ン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０
ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物４０３ｂを形成し、酸化
シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂは、振動板４０１と上
記電極４０３の絶縁を確保するためのものである。上記
電極基板４０２のパッド部４０２ｃは、酸化シリコン膜
の上記絶縁物４０３ｂをエッチング除去されている領域
であって，上記電極４０３に電極パッド４０３ａを介し
て、上記振動板４０１を振動して作動させる電圧を印加
する領域である。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段４０５である
積層の耐腐食性薄膜４０４の酸化シリコン薄膜４０４ｂ
とジルコニウム薄膜４０４ｃからなる静電アクチュエー
タ４００及び上記静電アクチュエータ４００を具備する
静電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ
４００を具備するインクジェット記録ヘッド４２０は、
上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成
工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電
極基板４０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０
Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極４０３
は、上記電極基板４０２の単結晶シリコン基板上の厚さ
2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜４０
２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部４０２ｂ内に配置
され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シ
リコン膜４０２ａ上に形成した窒化チタンであって互い
に絶縁分離されている。上記電極４０３である窒化チタ
ン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０
ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物４０３ｂを形成し、酸化
シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂは、振動板４０１と上
記電極４０３の絶縁を確保するためのものである。上記
電極基板４０２のパッド部４０２ｃは、酸化シリコン膜
の上記絶縁物４０３ｂをエッチング除去されている領域
であって，上記電極４０３に電極パッド４０３ａを介し
て、上記振動板４０１を振動して作動させる電圧を印加
する領域である。
【００２６】振動板基板４０１ａは、面方位（１１０）
の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして
形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含
む膜厚２μｍの上記振動板４０１が、空隙４０６である
酸化シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂを介して上記電極
４０３に対向して配置されている。上記振動板基板４０
１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯ
Ｈで異方性エッチングして形成した、液室４１２やイン
ク液室４２２と、上記液室４１２や上記インク液室４２
２へ液体やインク液を供給する共通液室４１３や共通イ
ンク液室４２３が形成され、上記液室４１２や上記イン
ク液室４２２と上記共通液室４１３や上記共通インク液
室４２３の両者が液流路４１４やインク液流路４２４に
よって連通されている。上記振動板基板４０１ａの表面
上、上記振動板４０１の表面上、上記液室４１２や上記
インク液室４２２の表面上、上記共通液室４１３や上記
共通インク液室４２３の表面上、上記液流路４１４や上
記インク液流路４２４の表面上には液体やインク液に対
する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜４０４であ
る熱酸化法によって形成した厚さ５００Åの上記酸化シ
リコン薄膜４０４ｂと、スパッタ法により形成した１０
００Åの上記ジルコニウム薄膜４０４ｃが順次に形成さ
れている。この時、上記振動板撓み発生防止手段４０５
である積層の上記耐腐食性薄膜４０４の上記酸化シリコ
ン薄膜４０４ｂと上記ジルコニウム薄膜４０４ｃは引っ
張り応力（tensile stress）であって、上記酸化シリコ
ン薄膜４０４ｂが１．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2で、上
記ジルコニウム薄膜４０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／
ｃｍ2であった。ノズル板４１１ａやノズル板４２１ａ
は、ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液
供給用の液供給路４１５やインク液供給路４２５とノズ
ル孔４１１やノズル孔４２１が形成されて、上記液室４
１２や上記インク液室４２２の上に張り付けられてい
る。
の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして
形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含
む膜厚２μｍの上記振動板４０１が、空隙４０６である
酸化シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂを介して上記電極
４０３に対向して配置されている。上記振動板基板４０
１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯ
Ｈで異方性エッチングして形成した、液室４１２やイン
ク液室４２２と、上記液室４１２や上記インク液室４２
２へ液体やインク液を供給する共通液室４１３や共通イ
ンク液室４２３が形成され、上記液室４１２や上記イン
ク液室４２２と上記共通液室４１３や上記共通インク液
室４２３の両者が液流路４１４やインク液流路４２４に
よって連通されている。上記振動板基板４０１ａの表面
上、上記振動板４０１の表面上、上記液室４１２や上記
インク液室４２２の表面上、上記共通液室４１３や上記
共通インク液室４２３の表面上、上記液流路４１４や上
記インク液流路４２４の表面上には液体やインク液に対
する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜４０４であ
る熱酸化法によって形成した厚さ５００Åの上記酸化シ
リコン薄膜４０４ｂと、スパッタ法により形成した１０
００Åの上記ジルコニウム薄膜４０４ｃが順次に形成さ
れている。この時、上記振動板撓み発生防止手段４０５
である積層の上記耐腐食性薄膜４０４の上記酸化シリコ
ン薄膜４０４ｂと上記ジルコニウム薄膜４０４ｃは引っ
張り応力（tensile stress）であって、上記酸化シリコ
ン薄膜４０４ｂが１．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2で、上
記ジルコニウム薄膜４０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／
ｃｍ2であった。ノズル板４１１ａやノズル板４２１ａ
は、ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液
供給用の液供給路４１５やインク液供給路４２５とノズ
ル孔４１１やノズル孔４２１が形成されて、上記液室４
１２や上記インク液室４２２の上に張り付けられてい
る。
【００２７】静電力により振動して作動する上記振動板
撓み発生防止手段４０５である積層の上記耐腐食性薄膜
４０４の上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニ
ウム薄膜４０４ｃからなる上記静電アクチュエータ４０
０及び上記静電アクチュエータ４００を具備する上記静
電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ４
００を具備する上記インクジェット記録ヘッド４２０に
おいては、上記振動板４０１を電気的に接地し、更に、
上記電極パッド４０３ａを介して、上記電極４０３に電
圧を印加すると、一定周波数で上記振動板４０１が振動
して作動した。上記電極パッド４０３ａを介して上記電
極４０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記
振動板４０１と上記電極４０３間に静電引力が働き、上
記振動板４０１は上記電極４０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段４０５は、上記耐腐食
性薄膜４０４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと順
次形成された上記ジルコニウム薄膜４０４ｃによる上記
振動板４０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力に
より上記電極４０３側に十分引かれた。その結果、上記
液室４１２や上記インク液室４２２は引圧となり、液体
やインク液供給のための上記液流路４１４や上記インク
液流路４２４を経て上記共通液室４１３や上記共通イン
ク液室４２３から上記液室４１２や上記インク液室４２
２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド４０
３ａを介して上記電極４０３に印加される電圧の周波数
に対応して、上記振動板４０１はシリコンの剛性により
元の位置へと戻り、この時上記液室４１２や上記インク
液室４２２は加圧され、上記ノズル孔４１１や上記ノズ
ル孔４２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向
へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴
による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜４０
４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニ
ウム薄膜４０４ｃは耐腐食性が十分あることが確認され
た。
撓み発生防止手段４０５である積層の上記耐腐食性薄膜
４０４の上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニ
ウム薄膜４０４ｃからなる上記静電アクチュエータ４０
０及び上記静電アクチュエータ４００を具備する上記静
電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ４
００を具備する上記インクジェット記録ヘッド４２０に
おいては、上記振動板４０１を電気的に接地し、更に、
上記電極パッド４０３ａを介して、上記電極４０３に電
圧を印加すると、一定周波数で上記振動板４０１が振動
して作動した。上記電極パッド４０３ａを介して上記電
極４０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記
振動板４０１と上記電極４０３間に静電引力が働き、上
記振動板４０１は上記電極４０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段４０５は、上記耐腐食
性薄膜４０４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと順
次形成された上記ジルコニウム薄膜４０４ｃによる上記
振動板４０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力に
より上記電極４０３側に十分引かれた。その結果、上記
液室４１２や上記インク液室４２２は引圧となり、液体
やインク液供給のための上記液流路４１４や上記インク
液流路４２４を経て上記共通液室４１３や上記共通イン
ク液室４２３から上記液室４１２や上記インク液室４２
２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド４０
３ａを介して上記電極４０３に印加される電圧の周波数
に対応して、上記振動板４０１はシリコンの剛性により
元の位置へと戻り、この時上記液室４１２や上記インク
液室４２２は加圧され、上記ノズル孔４１１や上記ノズ
ル孔４２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向
へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴
による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜４０
４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニ
ウム薄膜４０４ｃは耐腐食性が十分あることが確認され
た。
【００２８】図４１乃至図４４において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段５０５である
積層の耐腐食性薄膜５０４の窒化チタン薄膜５０４ａと
ジルコニウム薄膜５０４ｃからなる静電アクチュエータ
５００及び上記静電アクチュエータ５００を具備する静
電型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５
００を具備するインクジェット記録ヘッド５２０は、上
記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工
程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電極
基板５０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω
・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極５０３は、
上記電極基板５０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μ
ｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜５０２ａ
に形成した深さ０．４μｍの凹部５０２ｂ内に配置さ
れ、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリ
コン膜５０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに
絶縁分離されている。上記電極５０３である窒化チタン
上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎ
ｍの酸化シリコン膜の絶縁物５０３ｂを形成し、酸化シ
リコン膜の上記絶縁物５０３ｂは、振動板５０１と上記
電極５０３の絶縁を確保するためのものである。上記電
極基板５０２のパッド部５０２ｃは、酸化シリコン膜の
上記絶縁物５０３ｂをエッチング除去されている領域で
あって，上記電極５０３に電極パッド５０３ａを介し
て、上記振動板５０１を振動して作動させる電圧を印加
する領域である。振動板基板５０１ａは、面方位（１１
０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチング
して形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以
上含む膜厚２μｍの上記振動板５０１が、空隙５０６で
ある酸化シリコン膜の上記絶縁物５０３ｂを介して上記
電極５０３に対向して配置されている。上記振動板基板
５０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板を
ＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室５１２や
インク液室５２２と、上記液室５１２や上記インク液室
５２２へ液体やインク液を供給する共通液室５１３や共
通インク液室５２３が形成され、上記液室５１２や上記
インク液室５２２と上記共通液室５１３や上記共通イン
ク液室５２３の両者が液流路５１４やインク液流路５２
４によって連通されている。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段５０５である
積層の耐腐食性薄膜５０４の窒化チタン薄膜５０４ａと
ジルコニウム薄膜５０４ｃからなる静電アクチュエータ
５００及び上記静電アクチュエータ５００を具備する静
電型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５
００を具備するインクジェット記録ヘッド５２０は、上
記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工
程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電極
基板５０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω
・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。電極５０３は、
上記電極基板５０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μ
ｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜５０２ａ
に形成した深さ０．４μｍの凹部５０２ｂ内に配置さ
れ、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリ
コン膜５０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに
絶縁分離されている。上記電極５０３である窒化チタン
上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎ
ｍの酸化シリコン膜の絶縁物５０３ｂを形成し、酸化シ
リコン膜の上記絶縁物５０３ｂは、振動板５０１と上記
電極５０３の絶縁を確保するためのものである。上記電
極基板５０２のパッド部５０２ｃは、酸化シリコン膜の
上記絶縁物５０３ｂをエッチング除去されている領域で
あって，上記電極５０３に電極パッド５０３ａを介し
て、上記振動板５０１を振動して作動させる電圧を印加
する領域である。振動板基板５０１ａは、面方位（１１
０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチング
して形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以
上含む膜厚２μｍの上記振動板５０１が、空隙５０６で
ある酸化シリコン膜の上記絶縁物５０３ｂを介して上記
電極５０３に対向して配置されている。上記振動板基板
５０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板を
ＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室５１２や
インク液室５２２と、上記液室５１２や上記インク液室
５２２へ液体やインク液を供給する共通液室５１３や共
通インク液室５２３が形成され、上記液室５１２や上記
インク液室５２２と上記共通液室５１３や上記共通イン
ク液室５２３の両者が液流路５１４やインク液流路５２
４によって連通されている。
【００２９】上記振動板基板５０１ａの表面上、上記振
動板５０１の表面上、上記液室５１２や上記インク液室
５２２の表面上、上記共通液室５１３や上記共通インク
液室５２３の表面上、上記液流路５１４や上記インク液
流路５２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食
性の薄膜である上記耐腐食性薄膜５０４であるスパッタ
法によって形成した厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜
５０４ａと、スパッタ法により順次に形成した厚さ５０
０Åの上記ジルコニウム薄膜５０４ｃが形成されてい
る。この時、上記振動板撓み発生防止手段５０５である
積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化チタン薄膜５
０４ａが７．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応力（compr
essive stress）であって、順次に形成された上記ジル
コニウム薄膜５０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2
圧縮応力（tensile stress）であった。上記窒化チタン
薄膜５０４ａの抵抗率は、１．３Ｅ−３Ω・ｃｍであっ
た。ノズル板５１１ａやノズル板５２１ａは、ガラス板
からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用
の液供給路５１５やインク液供給路５２５とノズル孔５
１１やノズル孔５２１が形成されて、上記液室５１２や
上記インク液室５２２の上に張り付けられている。静電
力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段
５０５である積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化
チタン薄膜５０４ａと順次に形成された上記ジルコニウ
ム薄膜５０４ｃからなる上記静電アクチュエータ５００
及び上記静電アクチュエータ５００を具備する上記静電
型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド５２０にお
いては、上記振動板５０１を電気的に接地し、更に、上
記電極パッド５０３ａを介して、上記電極５０３に電圧
を印加すると、一定周波数で上記振動板５０１が振動し
て作動した。
動板５０１の表面上、上記液室５１２や上記インク液室
５２２の表面上、上記共通液室５１３や上記共通インク
液室５２３の表面上、上記液流路５１４や上記インク液
流路５２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食
性の薄膜である上記耐腐食性薄膜５０４であるスパッタ
法によって形成した厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜
５０４ａと、スパッタ法により順次に形成した厚さ５０
０Åの上記ジルコニウム薄膜５０４ｃが形成されてい
る。この時、上記振動板撓み発生防止手段５０５である
積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化チタン薄膜５
０４ａが７．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応力（compr
essive stress）であって、順次に形成された上記ジル
コニウム薄膜５０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2
圧縮応力（tensile stress）であった。上記窒化チタン
薄膜５０４ａの抵抗率は、１．３Ｅ−３Ω・ｃｍであっ
た。ノズル板５１１ａやノズル板５２１ａは、ガラス板
からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用
の液供給路５１５やインク液供給路５２５とノズル孔５
１１やノズル孔５２１が形成されて、上記液室５１２や
上記インク液室５２２の上に張り付けられている。静電
力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段
５０５である積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化
チタン薄膜５０４ａと順次に形成された上記ジルコニウ
ム薄膜５０４ｃからなる上記静電アクチュエータ５００
及び上記静電アクチュエータ５００を具備する上記静電
型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド５２０にお
いては、上記振動板５０１を電気的に接地し、更に、上
記電極パッド５０３ａを介して、上記電極５０３に電圧
を印加すると、一定周波数で上記振動板５０１が振動し
て作動した。
【００３０】上記電極パッド５０３ａを介して上記電極
５０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振
動板５０１と上記電極５０３間に静電引力が働き、上記
振動板５０１は上記電極５０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段５０５は、上記耐腐食
性薄膜５０４である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次
に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃによる上記
振動板５０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力に
より上記電極５０３方向に十分引かれた。その結果、上
記液室５１２や上記インク液室５２２は引圧となり、液
体やインク液供給のための上記液流路５１４や上記イン
ク液流路５２４を経て上記共通液室５１３や上記共通イ
ンク液室５２３から上記液室５１２や上記インク液室５
２２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド５
０３ａを介して上記電極５０３に印加される電圧の周波
数に対応して、上記振動板５０１はシリコンの剛性によ
り元の位置へと戻り、この時上記液室５１２あ上記イン
ク液室５２２は加圧され，上記ノズル孔５１１や上記ノ
ズル孔５２１を経てインク液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ
安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴に
よる信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜５０４
である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次に形成された
上記ジルコニウム薄膜５０４ｃは耐腐食性が十分あるこ
とが確認された。
５０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振
動板５０１と上記電極５０３間に静電引力が働き、上記
振動板５０１は上記電極５０３方向に引かれた。この
時、上記振動板撓み発生防止手段５０５は、上記耐腐食
性薄膜５０４である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次
に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃによる上記
振動板５０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力に
より上記電極５０３方向に十分引かれた。その結果、上
記液室５１２や上記インク液室５２２は引圧となり、液
体やインク液供給のための上記液流路５１４や上記イン
ク液流路５２４を経て上記共通液室５１３や上記共通イ
ンク液室５２３から上記液室５１２や上記インク液室５
２２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド５
０３ａを介して上記電極５０３に印加される電圧の周波
数に対応して、上記振動板５０１はシリコンの剛性によ
り元の位置へと戻り、この時上記液室５１２あ上記イン
ク液室５２２は加圧され，上記ノズル孔５１１や上記ノ
ズル孔５２１を経てインク液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ
安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴に
よる信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜５０４
である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次に形成された
上記ジルコニウム薄膜５０４ｃは耐腐食性が十分あるこ
とが確認された。
【００３１】図４５乃至図４８において、静電力により
振動して作動する静電アクチュエータ６００は、静電力
により振動して作動する振動板６０１と、上記振動板６
０１に対向する電極基板６０２と、上記電極基板６０２
上に形成されて上記振動板６０１に空隙６０６を介して
対向する電極６０３と、上記振動板６０１を振動して作
動するための電圧を印加する上記電極６０３と対向する
上記振動板６０１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜６０４と、上記耐腐食性薄膜６０４の上記振動
板６０１の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手
段６０５とからなり、上記振動板撓み発生防止手段６０
５は上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６
０１が平坦になるようにして、インク液滴噴射特性等の
作動特性のバラツキや不良が抑制され、上記耐腐食性薄
膜６０４の形成された上記振動板６０１の座屈して撓む
作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優れ、歩留
まりが向上して低コストにすることが出来るようになっ
た。液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静
電型マイクロポンプ６１０やインクジェット記録ヘッド
６２０は、インク液滴を図示の矢印Ｃ方向又は図示の矢
印Ｄ方向に吐出するノズル孔６１１やノズル孔６２１
と、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１が連通す
るインク流路の液室６１２やインク液室６２２と、上記
液室６１２や上記インク液室６２２の壁面を形成する上
記静電アクチュエータ６００の上記振動板６０１に形成
された上記耐腐食性薄膜６０４とからなる。振動板基板
６０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板
で、上記振動板６０１、個々の上記ノズル孔６１１や上
記ノズル孔６２１に対応して液滴やインク滴が加圧され
る上記液室６１２や上記インク液室６２２、共通液室６
１３や共通インク液室６２３、液流路６１４やインク液
流路６２４が異方性エッチングにより形成され、上記液
室６１２や上記インク液室６２２と上記共通液室６１３
や上記共通液室６２３は上記液流路６１４や上記インク
液流路６２４によって連通されている。ノズル板６１１
ａやノズル板６２１ａは、ガラス板、金属板又はシリコ
ン板で、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１と液
供給路６１５やインク液供給路６２５が形成されてい
る。更に、上記振動板６０１の表面上、上記振動板基板
６０１ａの表面上、上記液室６１２や上記インク液室６
２２の表面上、上記共通液室６１３や上記共通インク液
室６２３の表面上、上記液流路６１４や上記インク液流
路６２４の表面上には液滴やインク滴に対する耐腐食性
の膜の上記耐腐食性薄膜６０４が形成されている。
振動して作動する静電アクチュエータ６００は、静電力
により振動して作動する振動板６０１と、上記振動板６
０１に対向する電極基板６０２と、上記電極基板６０２
上に形成されて上記振動板６０１に空隙６０６を介して
対向する電極６０３と、上記振動板６０１を振動して作
動するための電圧を印加する上記電極６０３と対向する
上記振動板６０１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜６０４と、上記耐腐食性薄膜６０４の上記振動
板６０１の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手
段６０５とからなり、上記振動板撓み発生防止手段６０
５は上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６
０１が平坦になるようにして、インク液滴噴射特性等の
作動特性のバラツキや不良が抑制され、上記耐腐食性薄
膜６０４の形成された上記振動板６０１の座屈して撓む
作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優れ、歩留
まりが向上して低コストにすることが出来るようになっ
た。液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静
電型マイクロポンプ６１０やインクジェット記録ヘッド
６２０は、インク液滴を図示の矢印Ｃ方向又は図示の矢
印Ｄ方向に吐出するノズル孔６１１やノズル孔６２１
と、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１が連通す
るインク流路の液室６１２やインク液室６２２と、上記
液室６１２や上記インク液室６２２の壁面を形成する上
記静電アクチュエータ６００の上記振動板６０１に形成
された上記耐腐食性薄膜６０４とからなる。振動板基板
６０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板
で、上記振動板６０１、個々の上記ノズル孔６１１や上
記ノズル孔６２１に対応して液滴やインク滴が加圧され
る上記液室６１２や上記インク液室６２２、共通液室６
１３や共通インク液室６２３、液流路６１４やインク液
流路６２４が異方性エッチングにより形成され、上記液
室６１２や上記インク液室６２２と上記共通液室６１３
や上記共通液室６２３は上記液流路６１４や上記インク
液流路６２４によって連通されている。ノズル板６１１
ａやノズル板６２１ａは、ガラス板、金属板又はシリコ
ン板で、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１と液
供給路６１５やインク液供給路６２５が形成されてい
る。更に、上記振動板６０１の表面上、上記振動板基板
６０１ａの表面上、上記液室６１２や上記インク液室６
２２の表面上、上記共通液室６１３や上記共通インク液
室６２３の表面上、上記液流路６１４や上記インク液流
路６２４の表面上には液滴やインク滴に対する耐腐食性
の膜の上記耐腐食性薄膜６０４が形成されている。
【００３２】上記振動板撓み発生防止手段６０５は、上
記耐腐食性薄膜６０４を成膜時のボトムカバレージが良
く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパ
ッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により形成された厚さ１０Å
から２０００Å、好ましくは１００Å〜１０００Åであ
って、上記耐腐食性膜６０４を上記振動板６０１上に平
坦に形成されて、上記振動板６０１に撓みを生ずること
を防止している。上記振動板撓み発生防止手段６０５の
上記耐腐食性薄膜６０４は、単層、或いは、微少穴のピ
ンホール等による液滴やインク滴漏洩等による作動不良
を防止しするために、順次積層された積層膜、少なくと
も酸素原子を含み、好ましく酸素原子を濃度１％以上含
む耐液体や耐インク腐食に優れ、量産性に優れた窒化チ
タン６０４ａである。上記電極基板６０２は、ｎ型、又
は、ｐ型の単結晶シリコン基板である。通常は，面配向
（１００）の単結晶シリコン基板を用いられるが、プロ
セスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１
１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無く、
又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよ
い。
記耐腐食性薄膜６０４を成膜時のボトムカバレージが良
く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパ
ッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により形成された厚さ１０Å
から２０００Å、好ましくは１００Å〜１０００Åであ
って、上記耐腐食性膜６０４を上記振動板６０１上に平
坦に形成されて、上記振動板６０１に撓みを生ずること
を防止している。上記振動板撓み発生防止手段６０５の
上記耐腐食性薄膜６０４は、単層、或いは、微少穴のピ
ンホール等による液滴やインク滴漏洩等による作動不良
を防止しするために、順次積層された積層膜、少なくと
も酸素原子を含み、好ましく酸素原子を濃度１％以上含
む耐液体や耐インク腐食に優れ、量産性に優れた窒化チ
タン６０４ａである。上記電極基板６０２は、ｎ型、又
は、ｐ型の単結晶シリコン基板である。通常は，面配向
（１００）の単結晶シリコン基板を用いられるが、プロ
セスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１
１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無く、
又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよ
い。
【００３３】上記電極６０３は、単結晶シリコン基板の
上記電極基板６０２上の酸化シリコン膜６０２ａの凹部
６０２ｂ内に形成された高融点金属からなり、上記振動
板６０１を振動して作動するための電圧が印加される。
上記電極６０３は、上記電極基板６０２と互いに絶縁分
離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって
形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金
属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれら
の積層構造、望ましくは窒化チタン又は、上記酸化シリ
コン膜６０２ａ上に順次形成されるチタン、窒化チタン
の積層構造からなる振動して作動させる電極であって、
単結晶シリコン基板の上記電極基板６０２を熱酸化する
ことにより形成した上記酸化シリコン膜６０２ａの上記
凹部６０２ｂ内に配置されている。上記電極６０３上に
ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって絶縁物６０３
ｂが形成されている。上記凹部６０２ｂは、上記振動板
６０１と上記電極６０３間に上記空隙６０６を形成する
ためのものであって、上記空隙６０６を介して上記振動
板６０１と対向した上記電極６０３に電圧を印加するこ
とで静電引力を発生させる。パッド部６０２ｃは、上記
電極６０３の電極パッド６０３ａに対して外部から電圧
を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング等
の実装を行うためのものである。従って、上記振動板撓
み発生防止手段６０５により上記耐腐食性薄膜６０４の
形成された上記振動板６０１の座屈して撓む作動不良の
発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留ま
りが向上して低コストの上記静電アクチュエータ６００
及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電
型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０を提
供することが出来るようになった。
上記電極基板６０２上の酸化シリコン膜６０２ａの凹部
６０２ｂ内に形成された高融点金属からなり、上記振動
板６０１を振動して作動するための電圧が印加される。
上記電極６０３は、上記電極基板６０２と互いに絶縁分
離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって
形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金
属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれら
の積層構造、望ましくは窒化チタン又は、上記酸化シリ
コン膜６０２ａ上に順次形成されるチタン、窒化チタン
の積層構造からなる振動して作動させる電極であって、
単結晶シリコン基板の上記電極基板６０２を熱酸化する
ことにより形成した上記酸化シリコン膜６０２ａの上記
凹部６０２ｂ内に配置されている。上記電極６０３上に
ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって絶縁物６０３
ｂが形成されている。上記凹部６０２ｂは、上記振動板
６０１と上記電極６０３間に上記空隙６０６を形成する
ためのものであって、上記空隙６０６を介して上記振動
板６０１と対向した上記電極６０３に電圧を印加するこ
とで静電引力を発生させる。パッド部６０２ｃは、上記
電極６０３の電極パッド６０３ａに対して外部から電圧
を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング等
の実装を行うためのものである。従って、上記振動板撓
み発生防止手段６０５により上記耐腐食性薄膜６０４の
形成された上記振動板６０１の座屈して撓む作動不良の
発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留ま
りが向上して低コストの上記静電アクチュエータ６００
及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電
型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６０
０を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０を提
供することが出来るようになった。
【００３４】図４９乃至図６６において、上記静電アク
チュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を
具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電ア
クチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録
ヘッド６２０の製造方法を説明する。静電力により振動
して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電
アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静
電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット
記録ヘッド６２０は、図４９と図５０において、最初
に、面配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）
のｐ型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基
板６０２上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜６０２
ａを形成する酸化シリコン膜形成工程（ｋ）と、図５１
と図５２において、次に、通常のフォトリソグラフィと
ドライエッチング法、又は、ウェットエッチング法で行
うエッチングは、上記酸化シリコン膜６０２ａに上記電
極６０３の領域と上記パッド６０３ａの領域を規定する
パターニング工程（ｌ）と、図５３と図５４において、
上記パターニング工程（ｌ）でパターニングされた上記
酸化シリコン膜６０２ａ上に反応性スパッタ法、ＣＶＤ
法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル
等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、
或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタンを順次
形成される窒化チタンを全面に成膜して上記電極６０３
を形成する電極形成工程（ｍ）と、図５５と図５６にお
いて、高融点金属の上記電極６０３上にＣＶＤ法、スパ
ッタ法、蒸着法等によって形成した上記絶縁物６０３
ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物形成工程
（ｎ）と、図５７と図５８において、上記絶縁物６０３
ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極６０
３をエッチングしパターニングして上記電極基板６０２
を完成する電極基板完成工程（ｏ）と、図５９と図６０
において、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位
（１１０）の単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基板６０１ａ
の片面に上記振動板６０１の膜厚に等しくなる深さまで
ｐ型、或いは、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／
ｃｍ3以上拡散させた拡散領域６０１ａ1と、更に、上記
拡散領域６０１ａ1と反対の面に、上記静電アクチュエ
ータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０
や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６１１や上記
ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記インク液室６２
２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シリコン，五
酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチングマスタパ
ターンを形成した上記振動板基板６０１ａと上記電極基
板６０２とアライメントして５００℃前後の温度で接合
した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い直
接接合法で接合する接合工程（ｐ）と、
チュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を
具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電ア
クチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録
ヘッド６２０の製造方法を説明する。静電力により振動
して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電
アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静
電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット
記録ヘッド６２０は、図４９と図５０において、最初
に、面配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）
のｐ型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基
板６０２上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜６０２
ａを形成する酸化シリコン膜形成工程（ｋ）と、図５１
と図５２において、次に、通常のフォトリソグラフィと
ドライエッチング法、又は、ウェットエッチング法で行
うエッチングは、上記酸化シリコン膜６０２ａに上記電
極６０３の領域と上記パッド６０３ａの領域を規定する
パターニング工程（ｌ）と、図５３と図５４において、
上記パターニング工程（ｌ）でパターニングされた上記
酸化シリコン膜６０２ａ上に反応性スパッタ法、ＣＶＤ
法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル
等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、
或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタンを順次
形成される窒化チタンを全面に成膜して上記電極６０３
を形成する電極形成工程（ｍ）と、図５５と図５６にお
いて、高融点金属の上記電極６０３上にＣＶＤ法、スパ
ッタ法、蒸着法等によって形成した上記絶縁物６０３
ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物形成工程
（ｎ）と、図５７と図５８において、上記絶縁物６０３
ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極６０
３をエッチングしパターニングして上記電極基板６０２
を完成する電極基板完成工程（ｏ）と、図５９と図６０
において、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位
（１１０）の単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基板６０１ａ
の片面に上記振動板６０１の膜厚に等しくなる深さまで
ｐ型、或いは、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／
ｃｍ3以上拡散させた拡散領域６０１ａ1と、更に、上記
拡散領域６０１ａ1と反対の面に、上記静電アクチュエ
ータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０
や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６１１や上記
ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記インク液室６２
２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シリコン，五
酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチングマスタパ
ターンを形成した上記振動板基板６０１ａと上記電極基
板６０２とアライメントして５００℃前後の温度で接合
した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い直
接接合法で接合する接合工程（ｐ）と、
【００３５】又は、上記振動板基板６０１ａと上記電極
基板６０２とをアライメント接合した後にエッチングマ
スクパターンを形成しても良い。更に、面方位（１１
０）単結晶シリコン基板の上にシリコン酸化膜を介し，
上記振動板６０１の膜厚に等しい単結晶薄膜シリコンが
形成されているＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板と
上記電極基板６０２を直接接合しても良い。この場合に
おいても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、上記静電
アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポ
ンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する
上記インクジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６
１１や上記ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記イン
ク液室６２２を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン
膜，五酸化タンタル等の単結晶シリコンエッチングマス
タパターンをあらかじめ形成した後に上記電極基板６０
２と直接接合しても良い。ガラス基板を用いた場合は、
陽極接合で行う。
基板６０２とをアライメント接合した後にエッチングマ
スクパターンを形成しても良い。更に、面方位（１１
０）単結晶シリコン基板の上にシリコン酸化膜を介し，
上記振動板６０１の膜厚に等しい単結晶薄膜シリコンが
形成されているＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板と
上記電極基板６０２を直接接合しても良い。この場合に
おいても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、上記静電
アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポ
ンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する
上記インクジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６
１１や上記ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記イン
ク液室６２２を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン
膜，五酸化タンタル等の単結晶シリコンエッチングマス
タパターンをあらかじめ形成した後に上記電極基板６０
２と直接接合しても良い。ガラス基板を用いた場合は、
陽極接合で行う。
【００３６】図６１と図６２において、次に、上記接合
工程（ｐ）で上記振動板基板６０１ａと上記電極基板６
０２を直接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタ
パターンが形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によっ
て異方性エッチングして、この時，高濃度に不純物を含
む上記拡散領域６０１ａ1でエッチングは自発的に停止
して上記振動板６０１を形成する振動板形成工程（ｑ）
と、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いて異方
性エッチングした場合は、酸化シリコン膜上でエッチン
グは停止する。尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除
去しても何ら問題はない。
工程（ｐ）で上記振動板基板６０１ａと上記電極基板６
０２を直接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタ
パターンが形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によっ
て異方性エッチングして、この時，高濃度に不純物を含
む上記拡散領域６０１ａ1でエッチングは自発的に停止
して上記振動板６０１を形成する振動板形成工程（ｑ）
と、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いて異方
性エッチングした場合は、酸化シリコン膜上でエッチン
グは停止する。尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除
去しても何ら問題はない。
【００３７】図６３と図６４において、次に、上記振動
板基板６０１ａ表面と上記振動板６０１の全面にわたり
同時にインク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜
６０４を形成する耐腐食性薄膜形成工程（ｒ）と、上記
振動板撓み発生防止手段６０５は、上記耐腐食性薄膜６
０４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸
素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ
法、酸化法により上記振動板６０１に形成された単層、
或いは、積層膜であって少なくとも酸素原子を含む、望
ましくは１．０％以上酸素原子を含む量産性に優れた上
記窒化チタン薄膜６０４ａで上記振動板６０１は平坦で
ある。ここで上記耐腐食性薄膜６０４は、液滴やインク
滴等に対して耐腐食性を持つ薄膜であれば何れでも良
い。
板基板６０１ａ表面と上記振動板６０１の全面にわたり
同時にインク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜
６０４を形成する耐腐食性薄膜形成工程（ｒ）と、上記
振動板撓み発生防止手段６０５は、上記耐腐食性薄膜６
０４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸
素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ
法、酸化法により上記振動板６０１に形成された単層、
或いは、積層膜であって少なくとも酸素原子を含む、望
ましくは１．０％以上酸素原子を含む量産性に優れた上
記窒化チタン薄膜６０４ａで上記振動板６０１は平坦で
ある。ここで上記耐腐食性薄膜６０４は、液滴やインク
滴等に対して耐腐食性を持つ薄膜であれば何れでも良
い。
【００３８】図６５と図６６において、上記ノズル板６
１１ａや上記ノズル板６２１ａは、ガラス板や金属板か
らなる基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工
で、液体やインク液供給用の上記液供給路６１５や上記
インク液供給路６２５が形成されて張り付けられ、上記
電極パッド６０３ａの上部領域の上記耐腐食性薄膜６０
４、上記振動板６０１、上記絶縁物６０３ｂをエッチン
グ除去するノズル板形成工程（ｓ）で製造される。従っ
て、取り扱い中の上記振動板６０１の破壊が防止され、
上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６０１
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コスト
の上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュ
エータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１
０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記イン
クジェット記録ヘッド６２０の製造方法を提供すること
が出来るようになった。上記振動板基板６０１ａは、各
上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１に対応して、
異方性エッチングにより形成される上記液室６１２や上
記インク液室６２２と、上記液室６１２や上記インク液
室６２２へ液体やインク液体を供給するための上記共通
液室６１３や上記共通インク液室６２３が形成され，両
者は異方性エッチングで形成した上記液流路６１４や上
記インク液流路６２４で連通され、各々の表面には上記
耐腐食性薄膜６０４が形成された構造となる。静電力に
より振動して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる
上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエ
ータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０
や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド６２０の上記電極６０３に上記電極
パッド６０３ａを介して電圧を印加すると、上記振動板
６０１と上記電極６０３との間に静電力が働き、上記振
動板６０１は上記電極６０３方向に撓み、上記液室６１
２や上記インク液室６２２は引圧となり液体やインク液
供給のための上記液流路６１４や上記インク液流路６２
４を経て上記共通液室６１３や上記共通インク液室６２
３から上記液室６１２や上記インク液室６２２へと液体
やインク液が供給される。上記電極６０３への上記電極
パッド６０３ａを介しての電圧を切ると、上記振動板６
０１の剛性によって元の位置へ戻り、この時、上記液室
６１２や上記インク液室６２２内は加圧され上記ノズル
孔６１１や上記ノズル孔６２１を経て、上記振動板基板
６０１ａに対して法線方向の図示の矢印Ｃ方向、又は、
上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１の方向を変更
する事で上記振動板基板６０１ａに対して水平方向の図
示の矢印Ｄ方向にインク液滴は吐出される。
１１ａや上記ノズル板６２１ａは、ガラス板や金属板か
らなる基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工
で、液体やインク液供給用の上記液供給路６１５や上記
インク液供給路６２５が形成されて張り付けられ、上記
電極パッド６０３ａの上部領域の上記耐腐食性薄膜６０
４、上記振動板６０１、上記絶縁物６０３ｂをエッチン
グ除去するノズル板形成工程（ｓ）で製造される。従っ
て、取り扱い中の上記振動板６０１の破壊が防止され、
上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６０１
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コスト
の上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュ
エータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１
０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記イン
クジェット記録ヘッド６２０の製造方法を提供すること
が出来るようになった。上記振動板基板６０１ａは、各
上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１に対応して、
異方性エッチングにより形成される上記液室６１２や上
記インク液室６２２と、上記液室６１２や上記インク液
室６２２へ液体やインク液体を供給するための上記共通
液室６１３や上記共通インク液室６２３が形成され，両
者は異方性エッチングで形成した上記液流路６１４や上
記インク液流路６２４で連通され、各々の表面には上記
耐腐食性薄膜６０４が形成された構造となる。静電力に
より振動して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる
上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエ
ータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０
や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド６２０の上記電極６０３に上記電極
パッド６０３ａを介して電圧を印加すると、上記振動板
６０１と上記電極６０３との間に静電力が働き、上記振
動板６０１は上記電極６０３方向に撓み、上記液室６１
２や上記インク液室６２２は引圧となり液体やインク液
供給のための上記液流路６１４や上記インク液流路６２
４を経て上記共通液室６１３や上記共通インク液室６２
３から上記液室６１２や上記インク液室６２２へと液体
やインク液が供給される。上記電極６０３への上記電極
パッド６０３ａを介しての電圧を切ると、上記振動板６
０１の剛性によって元の位置へ戻り、この時、上記液室
６１２や上記インク液室６２２内は加圧され上記ノズル
孔６１１や上記ノズル孔６２１を経て、上記振動板基板
６０１ａに対して法線方向の図示の矢印Ｃ方向、又は、
上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１の方向を変更
する事で上記振動板基板６０１ａに対して水平方向の図
示の矢印Ｄ方向にインク液滴は吐出される。
【００３９】図６７において、静電力により振動して作
動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電アクチ
ュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具
備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アク
チュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘ
ッド６２０において、液滴やインク滴に対する上記耐腐
食性薄膜６０４として窒化チタンを用いた時の１Ｅ１９
／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入された厚さ２μｍの上
記振動板６０１の撓み量とインク液滴の噴射スピードや
インク液滴の量の噴射特性のビット間のバラツキを評価
した。その結果、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板
６０１上に形成した時に、上記振動板６０１が平坦でな
く撓みが見られた場合、噴射特性のビット間にバラツキ
を生じ実用上大きな問題となることがわかった。この
為、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板６０１上に順
次形成した場合、少しでも上記振動板６０１上に撓みが
生じることは好ましくない。この傾向は、液滴やインク
滴に対して耐腐食性を持つ薄膜の何れを用いた場合でも
同様の結果を示した。
動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電アクチ
ュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具
備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アク
チュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘ
ッド６２０において、液滴やインク滴に対する上記耐腐
食性薄膜６０４として窒化チタンを用いた時の１Ｅ１９
／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入された厚さ２μｍの上
記振動板６０１の撓み量とインク液滴の噴射スピードや
インク液滴の量の噴射特性のビット間のバラツキを評価
した。その結果、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板
６０１上に形成した時に、上記振動板６０１が平坦でな
く撓みが見られた場合、噴射特性のビット間にバラツキ
を生じ実用上大きな問題となることがわかった。この
為、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板６０１上に順
次形成した場合、少しでも上記振動板６０１上に撓みが
生じることは好ましくない。この傾向は、液滴やインク
滴に対して耐腐食性を持つ薄膜の何れを用いた場合でも
同様の結果を示した。
【００４０】図６８において、次に、上記耐腐食性薄膜
６０４として上記窒化チタン薄膜６０４ａを用いた時
に、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に含まれる酸素原子
濃度と液滴やインク滴に対する耐腐食性を評価した。そ
の結果は、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に酸素原子が
含有していない場合には実用上大きな問題とはならなか
ったが、液滴やインク滴に対して多少の腐食がみられた
のに対し、酸素原子が少なくとも含まれた上記窒化チタ
ン薄膜６０４ａの場合には耐腐食性が向上すことがわか
った。更に、１％以上含有している上記窒化チタン薄膜
６０４ａの場合には耐腐食性がより向上する事が分かっ
た。このことから、上記耐腐食性薄膜６０４に上記窒化
チタン薄膜６０４ａを用いた場合には、少なくとも酸素
原子が含まれることが望ましく、酸素原子が１％以上含
有された上記窒化チタン薄膜６０４ａの場合には、更
に、望ましいことがわかる。
６０４として上記窒化チタン薄膜６０４ａを用いた時
に、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に含まれる酸素原子
濃度と液滴やインク滴に対する耐腐食性を評価した。そ
の結果は、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に酸素原子が
含有していない場合には実用上大きな問題とはならなか
ったが、液滴やインク滴に対して多少の腐食がみられた
のに対し、酸素原子が少なくとも含まれた上記窒化チタ
ン薄膜６０４ａの場合には耐腐食性が向上すことがわか
った。更に、１％以上含有している上記窒化チタン薄膜
６０４ａの場合には耐腐食性がより向上する事が分かっ
た。このことから、上記耐腐食性薄膜６０４に上記窒化
チタン薄膜６０４ａを用いた場合には、少なくとも酸素
原子が含まれることが望ましく、酸素原子が１％以上含
有された上記窒化チタン薄膜６０４ａの場合には、更
に、望ましいことがわかる。
【００４１】図６９乃至図７２において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段７０５である
単層の耐腐食性薄膜７０４の窒化チタン薄膜７０４ａか
らなる静電アクチュエータ７００及び上記静電アクチュ
エータ７００を具備する静電型マイクロポンプ７１０や
上記静電アクチュエータ７００を具備するインクジェッ
ト記録ヘッド７２０は、上記酸化シリコン膜形成工程
（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造される（図
４９乃至図６６を参照）。電極基板７０２は、面方位
（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリ
コン基板である。電極７０３は、上記電極基板７０２の
単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって
形成した酸化シリコン膜７０２ａに形成した深さ０．４
μｍの凹部７０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッ
タ法によって順次上記酸化シリコン膜７０２ａ上に形成
した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記電極７０３である上記窒化チタン上には、プラズマＣ
ＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜
の絶縁物７０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁
物７０３ｂは、振動板７０１と上記電極７０３の絶縁を
確保するための物である。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段７０５である
単層の耐腐食性薄膜７０４の窒化チタン薄膜７０４ａか
らなる静電アクチュエータ７００及び上記静電アクチュ
エータ７００を具備する静電型マイクロポンプ７１０や
上記静電アクチュエータ７００を具備するインクジェッ
ト記録ヘッド７２０は、上記酸化シリコン膜形成工程
（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造される（図
４９乃至図６６を参照）。電極基板７０２は、面方位
（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリ
コン基板である。電極７０３は、上記電極基板７０２の
単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって
形成した酸化シリコン膜７０２ａに形成した深さ０．４
μｍの凹部７０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッ
タ法によって順次上記酸化シリコン膜７０２ａ上に形成
した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記電極７０３である上記窒化チタン上には、プラズマＣ
ＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜
の絶縁物７０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁
物７０３ｂは、振動板７０１と上記電極７０３の絶縁を
確保するための物である。
【００４２】上記電極基板７０２のパッド部７０２ｃ
は、酸化シリコン膜の上記絶縁物７０３ｂをエッチング
除去されている領域であって，上記電極７０３に電極パ
ッド７０３ａを介して、上記振動板７０１を振動して作
動させる電圧を印加する領域である。振動板基板７０１
ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨ
で異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を
１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板７０
１が、空隙７０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物７
０３ｂを介して上記電極７０３に対向して配置されてい
る。上記振動板基板７０１ａは、面方位（１１０）の単
結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成
した、液室７１２やインク液室７２２と、上記液室７１
２や上記インク液室７２２へ液体やインク液を供給する
共通液室７１３や共通インク液室７２３が形成され、上
記液室７１２や上記インク液室７２２と上記共通液室７
１３や上記共通インク液室７２３の両者が液流路７１４
やインク液流路７２４によって連通されている。上記振
動板基板７０１ａの表面上、上記振動板７０１の表面
上、上記液室７１２や上記インク液室７２２の表面上、
上記共通液室７１３や上記共通インク液室７２３の表面
上、上記液流路７１４や上記インク液流路７２４の表面
上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上
記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チタン薄膜７０４
ａが、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸
素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ
法、酸化法により厚さ１０００Åで形成されている。
は、酸化シリコン膜の上記絶縁物７０３ｂをエッチング
除去されている領域であって，上記電極７０３に電極パ
ッド７０３ａを介して、上記振動板７０１を振動して作
動させる電圧を印加する領域である。振動板基板７０１
ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨ
で異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を
１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板７０
１が、空隙７０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物７
０３ｂを介して上記電極７０３に対向して配置されてい
る。上記振動板基板７０１ａは、面方位（１１０）の単
結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成
した、液室７１２やインク液室７２２と、上記液室７１
２や上記インク液室７２２へ液体やインク液を供給する
共通液室７１３や共通インク液室７２３が形成され、上
記液室７１２や上記インク液室７２２と上記共通液室７
１３や上記共通インク液室７２３の両者が液流路７１４
やインク液流路７２４によって連通されている。上記振
動板基板７０１ａの表面上、上記振動板７０１の表面
上、上記液室７１２や上記インク液室７２２の表面上、
上記共通液室７１３や上記共通インク液室７２３の表面
上、上記液流路７１４や上記インク液流路７２４の表面
上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上
記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チタン薄膜７０４
ａが、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸
素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ
法、酸化法により厚さ１０００Åで形成されている。
【００４３】上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チ
タン薄膜７０４ａ中には、酸素原子が約１０％含有して
いる。この時、上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化
チタン薄膜７０４が形成された状態で、上記振動板７０
１座屈による撓みは全く発生していなかった。ノズル板
７１１ａやノズル板７２１ａは、ガラス板からなり、サ
ンドブラスト加工でインク液供給用の液供給路７１５や
インク液供給路７２５とノズル孔７１１やノズル孔７２
１が形成されて、上記液室７１２や上記インク液室７２
２の上に張り付けられている。静電力により振動して作
動する上記振動板撓み発生防止手段７０５である単層の
上記耐腐食性薄膜７０４の上記窒化チタン薄膜７０４ａ
からなる上記静電アクチュエータ７００及び上記静電ア
クチュエータ７００を具備する上記静電型マイクロポン
プ７１０や上記静電アクチュエータ７００を具備する上
記インクジェット記録ヘッド７２０においては、上記振
動板７０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド７
０３ａを介して、上記電極７０３に電圧を印加すると、
一定周波数で上記振動板７０１が振動して作動した。上
記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３に電圧を
印加すると、電圧を印加した時、上記振動板７０１と上
記電極７０３間に静電引力が働き、上記振動板７０１は
酸素原子１０％含有する上記窒化チタン薄膜７０４ａに
よる上記振動板７０１が平坦で座屈による撓みが発生し
ていないため、静電引力により上記電極７０３側に十分
引かれた。その結果、上記液室７１２や上記インク液室
７２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記
液流路７１４や上記インク液流路７２４を経て上記共通
液室７１３や上記共通インク液室７２３から上記液室７
１２や上記インク液室７２２へ液体やインク液が供給さ
れた。上記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３
に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板７０
１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上
記液室７１２や上記インク液室７２２は加圧され、上記
ノズル孔７１１や上記ノズル孔７２１を経て液滴やイン
ク滴が、図示の矢印Ｄ方向へ安定して吐出した。更に、
この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結
果は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来る
ようになった。又、インク液滴による信頼性試験を行っ
た結果、耐腐食性が十分であることが確認された。
タン薄膜７０４ａ中には、酸素原子が約１０％含有して
いる。この時、上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化
チタン薄膜７０４が形成された状態で、上記振動板７０
１座屈による撓みは全く発生していなかった。ノズル板
７１１ａやノズル板７２１ａは、ガラス板からなり、サ
ンドブラスト加工でインク液供給用の液供給路７１５や
インク液供給路７２５とノズル孔７１１やノズル孔７２
１が形成されて、上記液室７１２や上記インク液室７２
２の上に張り付けられている。静電力により振動して作
動する上記振動板撓み発生防止手段７０５である単層の
上記耐腐食性薄膜７０４の上記窒化チタン薄膜７０４ａ
からなる上記静電アクチュエータ７００及び上記静電ア
クチュエータ７００を具備する上記静電型マイクロポン
プ７１０や上記静電アクチュエータ７００を具備する上
記インクジェット記録ヘッド７２０においては、上記振
動板７０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド７
０３ａを介して、上記電極７０３に電圧を印加すると、
一定周波数で上記振動板７０１が振動して作動した。上
記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３に電圧を
印加すると、電圧を印加した時、上記振動板７０１と上
記電極７０３間に静電引力が働き、上記振動板７０１は
酸素原子１０％含有する上記窒化チタン薄膜７０４ａに
よる上記振動板７０１が平坦で座屈による撓みが発生し
ていないため、静電引力により上記電極７０３側に十分
引かれた。その結果、上記液室７１２や上記インク液室
７２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記
液流路７１４や上記インク液流路７２４を経て上記共通
液室７１３や上記共通インク液室７２３から上記液室７
１２や上記インク液室７２２へ液体やインク液が供給さ
れた。上記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３
に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板７０
１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上
記液室７１２や上記インク液室７２２は加圧され、上記
ノズル孔７１１や上記ノズル孔７２１を経て液滴やイン
ク滴が、図示の矢印Ｄ方向へ安定して吐出した。更に、
この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結
果は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来る
ようになった。又、インク液滴による信頼性試験を行っ
た結果、耐腐食性が十分であることが確認された。
【００４４】図７３乃至図７６において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段８０５である
積層の耐腐食性薄膜８０４の窒化チタン薄膜８０４ａの
窒化チタン薄膜８０４ａ1と条件を変更した窒化チタン
８０４ａ2からなる静電アクチュエータ８００及び上記
静電アクチュエータ８００を具備する静電型マイクロポ
ンプ８１０や上記静電アクチュエータ８００を具備する
インクジェット記録ヘッド８２０は、上記酸化シリコン
膜形成工程（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造
される（図４９乃至図６６を参照）。電極基板８０２
は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ
単結晶シリコン基板である。電極８０３は、上記電極基
板８０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化
法によって形成した酸化シリコン膜８０２ａに形成した
深さ０．４μｍの凹部８０２ｂ内に配置され、更に、反
応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜８０２
ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離され
ている。上記電極８０３である窒化チタン上には、プラ
ズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリ
コン膜の絶縁物８０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上
記絶縁物８０３ｂは、振動板８０１と上記電極８０３の
絶縁を確保するためのものである。上記電極基板８０２
のパッド部８０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物８
０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記
電極８０３に電極パッド８０３ａを介して、上記振動板
８０１を振動して作動させる電圧を印加する領域であ
る。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段８０５である
積層の耐腐食性薄膜８０４の窒化チタン薄膜８０４ａの
窒化チタン薄膜８０４ａ1と条件を変更した窒化チタン
８０４ａ2からなる静電アクチュエータ８００及び上記
静電アクチュエータ８００を具備する静電型マイクロポ
ンプ８１０や上記静電アクチュエータ８００を具備する
インクジェット記録ヘッド８２０は、上記酸化シリコン
膜形成工程（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造
される（図４９乃至図６６を参照）。電極基板８０２
は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ
単結晶シリコン基板である。電極８０３は、上記電極基
板８０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化
法によって形成した酸化シリコン膜８０２ａに形成した
深さ０．４μｍの凹部８０２ｂ内に配置され、更に、反
応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜８０２
ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離され
ている。上記電極８０３である窒化チタン上には、プラ
ズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリ
コン膜の絶縁物８０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上
記絶縁物８０３ｂは、振動板８０１と上記電極８０３の
絶縁を確保するためのものである。上記電極基板８０２
のパッド部８０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物８
０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記
電極８０３に電極パッド８０３ａを介して、上記振動板
８０１を振動して作動させる電圧を印加する領域であ
る。
【００４５】振動板基板８０１ａは、面方位（１１０）
の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして
形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含
む膜厚２μｍの上記振動板８０１が、空隙８０６である
酸化シリコン膜の上記絶縁物８０３ｂを介して上記電極
８０３に対向して配置されている。上記振動板基板８０
１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯ
Ｈで異方性エッチングして形成した、液室８１２やイン
ク液室８２２と、上記液室８１２や上記インク液室８２
２へ液体やインク液を供給する共通液室８１３や共通イ
ンク液室８２３が形成され、上記液室８１２や上記イン
ク液室８２２と上記共通液室８１３や共通インク液室８
２３の両者が液流路８１４やインク液流路８２４によっ
て連通されている。上記振動板基板８０１ａの表面上、
上記振動板８０１の表面上、上記液室８１２や上記イン
ク液室８２２の表面上、上記共通液室８１３や上記共通
インク液室８２３の表面上、上記液流路８１４や上記イ
ンク液流路８２４の表面上には液体やインク液に対する
耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜８０４である上
記窒化チタン薄膜８０４ａの、成膜時のボトムカバレー
ジが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来
るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により形成した酸素原
子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８
０４ａ1と、更に、引き続いて条件を変更して、成膜時
のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有
させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法によ
り形成した酸素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上
記窒化チタン薄膜８０４ａ2とが順次に形成されてい
る。
の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして
形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含
む膜厚２μｍの上記振動板８０１が、空隙８０６である
酸化シリコン膜の上記絶縁物８０３ｂを介して上記電極
８０３に対向して配置されている。上記振動板基板８０
１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯ
Ｈで異方性エッチングして形成した、液室８１２やイン
ク液室８２２と、上記液室８１２や上記インク液室８２
２へ液体やインク液を供給する共通液室８１３や共通イ
ンク液室８２３が形成され、上記液室８１２や上記イン
ク液室８２２と上記共通液室８１３や共通インク液室８
２３の両者が液流路８１４やインク液流路８２４によっ
て連通されている。上記振動板基板８０１ａの表面上、
上記振動板８０１の表面上、上記液室８１２や上記イン
ク液室８２２の表面上、上記共通液室８１３や上記共通
インク液室８２３の表面上、上記液流路８１４や上記イ
ンク液流路８２４の表面上には液体やインク液に対する
耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜８０４である上
記窒化チタン薄膜８０４ａの、成膜時のボトムカバレー
ジが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来
るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により形成した酸素原
子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８
０４ａ1と、更に、引き続いて条件を変更して、成膜時
のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有
させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法によ
り形成した酸素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上
記窒化チタン薄膜８０４ａ2とが順次に形成されてい
る。
【００４６】この時、上記振動板撓み発生防止手段８０
５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸化窒化
チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と
上記窒化チタン薄膜８０４ａ2と形成された状態で、上
記振動板８０１の座屈による撓みは全く発生していなか
った。ノズル板８１１ａやノズル板８２１ａは、ガラス
板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給
用の液供給路８１５やインク液供給路８２５とノズル孔
８１１やノズル孔８２１が形成されて、上記液室８１２
や上記インク液室８２２の上に張り付けられている。静
電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手
段８０５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸
化窒化チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４
ａ1と上記窒化チタン薄膜８０４ａ2とからなる上記静電
アクチュエータ８００及び上記静電アクチュエータ８０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ８１０や上記静
電アクチュエータ８００を具備する上記インクジェット
記録ヘッド８２０においては、上記振動板８０１を電気
的に接地し、更に、上記電極パッド８０３ａを介して、
上記電極８０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記
振動板８０１が振動して作動した。上記電極パッド８０
３ａを介して上記電極８０３に電圧を印加すると、電圧
を印加した時、上記振動板８０１と上記電極８０３間に
静電引力が働き、上記振動板８０１は上記電極８０３方
向に引かれた。
５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸化窒化
チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と
上記窒化チタン薄膜８０４ａ2と形成された状態で、上
記振動板８０１の座屈による撓みは全く発生していなか
った。ノズル板８１１ａやノズル板８２１ａは、ガラス
板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給
用の液供給路８１５やインク液供給路８２５とノズル孔
８１１やノズル孔８２１が形成されて、上記液室８１２
や上記インク液室８２２の上に張り付けられている。静
電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手
段８０５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸
化窒化チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４
ａ1と上記窒化チタン薄膜８０４ａ2とからなる上記静電
アクチュエータ８００及び上記静電アクチュエータ８０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ８１０や上記静
電アクチュエータ８００を具備する上記インクジェット
記録ヘッド８２０においては、上記振動板８０１を電気
的に接地し、更に、上記電極パッド８０３ａを介して、
上記電極８０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記
振動板８０１が振動して作動した。上記電極パッド８０
３ａを介して上記電極８０３に電圧を印加すると、電圧
を印加した時、上記振動板８０１と上記電極８０３間に
静電引力が働き、上記振動板８０１は上記電極８０３方
向に引かれた。
【００４７】この時、上記振動板撓み発生防止手段８０
５は、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化チタ
ン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原子を
５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４
ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸素原
子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜
８０４ａ2による上記振動板８０１が平坦で挫屈による
撓みは発生せず、静電引力により上記電極８０３側に十
分引かれた。その結果、上記液室８１２や上記インク液
室８２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上
記液流路８１４や上記インク液流路８２４を経て上記共
通液室８１３や上記共通液室８２３から上記液室８１２
や上記インク液室８２２へ液体やインク液が供給され
た。上記電極パッド８０３ａを介して上記電極８０３に
印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板８０１
はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記
液室８１２や上記インク液室８２２は加圧され，上記ノ
ズル孔８１１や上記ノズル孔８２１を経て液滴やインク
滴が、図示の矢印D方向へ安定して吐出した。更に、こ
の状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果
は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来るよ
うになった。又、液滴やインク滴による信頼性試験を行
った結果、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化
チタン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原
子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８
０４ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸
素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン
薄膜８０４ａ2は、耐腐食性が十分あることが確認され
た。
５は、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化チタ
ン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原子を
５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４
ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸素原
子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜
８０４ａ2による上記振動板８０１が平坦で挫屈による
撓みは発生せず、静電引力により上記電極８０３側に十
分引かれた。その結果、上記液室８１２や上記インク液
室８２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上
記液流路８１４や上記インク液流路８２４を経て上記共
通液室８１３や上記共通液室８２３から上記液室８１２
や上記インク液室８２２へ液体やインク液が供給され
た。上記電極パッド８０３ａを介して上記電極８０３に
印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板８０１
はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記
液室８１２や上記インク液室８２２は加圧され，上記ノ
ズル孔８１１や上記ノズル孔８２１を経て液滴やインク
滴が、図示の矢印D方向へ安定して吐出した。更に、こ
の状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果
は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来るよ
うになった。又、液滴やインク滴による信頼性試験を行
った結果、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化
チタン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原
子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８
０４ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸
素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン
薄膜８０４ａ2は、耐腐食性が十分あることが確認され
た。
【００４８】図７７乃至図８０において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段９０５である
耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成で、圧縮
応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応
力複数層薄膜９０４ｅからなる静電アクチュエータ９０
０及び上記静電アクチュエータ９００を具備する静電型
マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００
を具備するインクジェット記録ヘッド９２０の上記異応
力複数層薄膜９０４ｅは、スパッタ法により形成されて
製造される。上記静電アクチュエータ９００及び上記静
電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド９２０は、シリコンの
振動板９０１、液体やインク液が加圧される液室や９１
２やインク液室９２２、共通液室９１３や共通インク液
室９２３、液流路９１４やインク液流路９２４が異方性
エッチングにより形成された面方位（１１０）の単結晶
シリコンの振動板基板９０１ａとノズル孔９１１やノズ
ル孔９２２、液供給路９１５やインク液供給路９２５が
形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板
９１１ａやノズル板９２１ａと電極基板９０２の部分で
構成されている。上記振動板基板９０１ａである単結晶
シリコン基板には上記液室９１２や上記インク液室９２
２と個々の上記ノズル９１１や上記ノズル９２１に対応
して、静電引力によって駆動するシリコンの上記振動板
９０１を形成し、そこへ液体やインク液を供給するため
の上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形
成されている。上記液室９１２や上記インク液室９２２
と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３は上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通
されている。更に、上記振動板基板９０１ａと、シリコ
ンの上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液
室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４
の液体やインク液が接する表面には、液体やインク液に
対して耐腐食性を有する上記異応力複数層薄膜９０４ｅ
の第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と第２耐腐食性薄膜９０
４ｅ2が厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１００
Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法
等により形成された窒化チタン等の金属である。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段９０５である
耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成で、圧縮
応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応
力複数層薄膜９０４ｅからなる静電アクチュエータ９０
０及び上記静電アクチュエータ９００を具備する静電型
マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００
を具備するインクジェット記録ヘッド９２０の上記異応
力複数層薄膜９０４ｅは、スパッタ法により形成されて
製造される。上記静電アクチュエータ９００及び上記静
電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド９２０は、シリコンの
振動板９０１、液体やインク液が加圧される液室や９１
２やインク液室９２２、共通液室９１３や共通インク液
室９２３、液流路９１４やインク液流路９２４が異方性
エッチングにより形成された面方位（１１０）の単結晶
シリコンの振動板基板９０１ａとノズル孔９１１やノズ
ル孔９２２、液供給路９１５やインク液供給路９２５が
形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板
９１１ａやノズル板９２１ａと電極基板９０２の部分で
構成されている。上記振動板基板９０１ａである単結晶
シリコン基板には上記液室９１２や上記インク液室９２
２と個々の上記ノズル９１１や上記ノズル９２１に対応
して、静電引力によって駆動するシリコンの上記振動板
９０１を形成し、そこへ液体やインク液を供給するため
の上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形
成されている。上記液室９１２や上記インク液室９２２
と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３は上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通
されている。更に、上記振動板基板９０１ａと、シリコ
ンの上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液
室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４
の液体やインク液が接する表面には、液体やインク液に
対して耐腐食性を有する上記異応力複数層薄膜９０４ｅ
の第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と第２耐腐食性薄膜９０
４ｅ2が厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１００
Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法
等により形成された窒化チタン等の金属である。
【００４９】窒化チタン以外でも耐腐食性を持つ材料で
有れば何れでも良い。上記異応力複数層薄膜９０４ｅの
各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記第２耐腐食性
薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆の応力を有している。
つまり、各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が圧縮応力
の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は引っ
張り応力であって、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が
引っ張り応力の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2
の応力は圧縮応力である。この様に、上記異応力複数層
薄膜９０４ｅの各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ 1と上
記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆となる
ように設定されている。又、上記異応力複数層薄膜９０
４ｅを２層以上の複数層を積層した場合は、各上記第１
耐腐食性薄膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４
ｅ2、・・・上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnの応力を各
々制御し、ｎ層を積層された上記異応力複数層薄膜９０
４ｅの全体として応力を緩和することにより上記振動板
９０１の撓みを緩和させる。又、各上記第１耐腐食性薄
膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2、・・・
上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnのｎ層した上記異応力
複数層薄膜９０４ｅの全体として応力を緩和するばかり
でなく、微少欠陥等によるピンホールを抑制することも
出来るようになった。
有れば何れでも良い。上記異応力複数層薄膜９０４ｅの
各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記第２耐腐食性
薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆の応力を有している。
つまり、各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が圧縮応力
の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は引っ
張り応力であって、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が
引っ張り応力の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2
の応力は圧縮応力である。この様に、上記異応力複数層
薄膜９０４ｅの各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ 1と上
記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆となる
ように設定されている。又、上記異応力複数層薄膜９０
４ｅを２層以上の複数層を積層した場合は、各上記第１
耐腐食性薄膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４
ｅ2、・・・上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnの応力を各
々制御し、ｎ層を積層された上記異応力複数層薄膜９０
４ｅの全体として応力を緩和することにより上記振動板
９０１の撓みを緩和させる。又、各上記第１耐腐食性薄
膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2、・・・
上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnのｎ層した上記異応力
複数層薄膜９０４ｅの全体として応力を緩和するばかり
でなく、微少欠陥等によるピンホールを抑制することも
出来るようになった。
【００５０】図８１乃至図８４において、静電力により
振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段９０５で
ある上記耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成
で、圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以
上の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電ア
クチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００
を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電
アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層
された互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての窒
化チタン薄膜９０４ｅ3の窒化チタン薄膜９０４ｅ31と
窒化チタン薄膜９０４ｅ32は、内部応力の制御性に優
れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成され
て製造される。上記電極基板９０２は、面方位（１０
０）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶Ｓｉ基板であ
る。電極９０３は、上記電極基板９０２上の厚さ２μｍ
の酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μｍの
凹部３０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって
順次酸化膜上に形成した厚さ１５０ｎｍの窒化チタンで
あって互いに絶縁分離されている。上記酸化シリコン膜
９０２ａは、熱酸化法によって形成した。更に、上記電
極９０３の窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により
形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物９０
３ｂを形成した。上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９
０１と上記電極９０３の絶縁を確保するためのものであ
る。パッド部９０２ｃは、上記絶縁物９０３ｂがエッチ
ング除去されている領域であって，上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記インクジェット記録ヘッド９２０に
駆動電圧を印加する上記電極９０３の電極パッド９０３
ａが形成されたパッド領域である。
振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段９０５で
ある上記耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成
で、圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以
上の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電ア
クチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００
を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電
アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層
された互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての窒
化チタン薄膜９０４ｅ3の窒化チタン薄膜９０４ｅ31と
窒化チタン薄膜９０４ｅ32は、内部応力の制御性に優
れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成され
て製造される。上記電極基板９０２は、面方位（１０
０）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶Ｓｉ基板であ
る。電極９０３は、上記電極基板９０２上の厚さ２μｍ
の酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μｍの
凹部３０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって
順次酸化膜上に形成した厚さ１５０ｎｍの窒化チタンで
あって互いに絶縁分離されている。上記酸化シリコン膜
９０２ａは、熱酸化法によって形成した。更に、上記電
極９０３の窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により
形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物９０
３ｂを形成した。上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９
０１と上記電極９０３の絶縁を確保するためのものであ
る。パッド部９０２ｃは、上記絶縁物９０３ｂがエッチ
ング除去されている領域であって，上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記インクジェット記録ヘッド９２０に
駆動電圧を印加する上記電極９０３の電極パッド９０３
ａが形成されたパッド領域である。
【００５１】面方位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板の上記
振動板基板９０１ａをＫＯＨで異方性エッチングして形
成したボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜
厚２μｍのシリコンの上記振動板９０１が、ギャップス
ペーサである上記酸化シリコン膜９０２ａを介して空隙
９０６を形成して上記電極９０３に対向して配置されて
いる。面方位（１１０）単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基
板９０１ａには，ＫＯＨの異方性エッチングで形成した
上記液室９１２や上記インク液室９２２と、上記液室９
１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液を供給す
る上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形
成され、上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記
共通液室９１３や上記共通インク液室９２３の両者が上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通
されている。上記振動板基板９０１ａ表面と、上記振動
板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２
と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４表面には、上
記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ 1に相当する上記窒化チタ
ン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ31をス
パッタ法により形成した。上記窒化チタン薄膜９０４ｅ
31は、シリコンの上記振動板９０１上での膜厚が５００
Åであって、５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。更
に、シリコンの上記振動板９０１上での厚さが５００Å
であって５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力を有する上
記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2に相当する上記窒化チタ
ン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ32をス
パッタ条件を変更し順次形成した。この時、上記振動板
９０１は、窒化チタン薄膜９０４ｅ31を積層しない場合
に比較して、著しく抑制されている事を光干渉を利用し
た撓み量の観察で確認出来た。更に、サンドブラスト加
工で液体やインク液供給用の上記液供給路９１５や上記
インク液供給路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズ
ル孔９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１
ａや上記ノズル板９２１ａが上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２の上に張り付けられている。
振動板基板９０１ａをＫＯＨで異方性エッチングして形
成したボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜
厚２μｍのシリコンの上記振動板９０１が、ギャップス
ペーサである上記酸化シリコン膜９０２ａを介して空隙
９０６を形成して上記電極９０３に対向して配置されて
いる。面方位（１１０）単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基
板９０１ａには，ＫＯＨの異方性エッチングで形成した
上記液室９１２や上記インク液室９２２と、上記液室９
１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液を供給す
る上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形
成され、上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記
共通液室９１３や上記共通インク液室９２３の両者が上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通
されている。上記振動板基板９０１ａ表面と、上記振動
板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２
と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上
記液流路９１４や上記インク液流路９２４表面には、上
記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ 1に相当する上記窒化チタ
ン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ31をス
パッタ法により形成した。上記窒化チタン薄膜９０４ｅ
31は、シリコンの上記振動板９０１上での膜厚が５００
Åであって、５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。更
に、シリコンの上記振動板９０１上での厚さが５００Å
であって５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力を有する上
記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2に相当する上記窒化チタ
ン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ32をス
パッタ条件を変更し順次形成した。この時、上記振動板
９０１は、窒化チタン薄膜９０４ｅ31を積層しない場合
に比較して、著しく抑制されている事を光干渉を利用し
た撓み量の観察で確認出来た。更に、サンドブラスト加
工で液体やインク液供給用の上記液供給路９１５や上記
インク液供給路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズ
ル孔９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１
ａや上記ノズル板９２１ａが上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２の上に張り付けられている。
【００５２】上記静電アクチュエータ９００及び上記静
電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド９２０において，上記
振動板９０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド
９０３ａを介して上記電極９０３に駆動電圧を印加し一
定周波数で駆動した。上記電極９０３に駆動電圧を印加
したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には静
電引力が働き、上記振動板９０１は撓みが発生していな
いため、静電引力により上記電極９０３側に十分引かれ
た。その結果、上記液室９１２や上記インク液室９２２
は、十分に引圧となり液体やインク液供給のための上記
液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上記共通
液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記液室９
１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液が供給さ
れた。駆動電圧の周波数に対応して上記振動板９０１
は、Ｓｉの剛性により元の位置へと戻り、このとき上記
液室９１２や上記インク液室９２２は加圧され，上記ノ
ズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て液体やインク
液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出された。更に、この
状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果
は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。
また液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐
腐食性が十分あることが確認された。
電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記インクジェット記録ヘッド９２０において，上記
振動板９０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド
９０３ａを介して上記電極９０３に駆動電圧を印加し一
定周波数で駆動した。上記電極９０３に駆動電圧を印加
したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には静
電引力が働き、上記振動板９０１は撓みが発生していな
いため、静電引力により上記電極９０３側に十分引かれ
た。その結果、上記液室９１２や上記インク液室９２２
は、十分に引圧となり液体やインク液供給のための上記
液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上記共通
液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記液室９
１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液が供給さ
れた。駆動電圧の周波数に対応して上記振動板９０１
は、Ｓｉの剛性により元の位置へと戻り、このとき上記
液室９１２や上記インク液室９２２は加圧され，上記ノ
ズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て液体やインク
液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出された。更に、この
状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果
は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。
また液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐
腐食性が十分あることが確認された。
【００５３】図８５乃至図８８において、上記振動板基
板９０１ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と
上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室
９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４
や上記インク液流路９２４の液体やインク液が接する表
面には、液体やインク液に対して耐腐食性を有する上記
異応力複数層薄膜９０４ｅの上記第１耐腐食性薄膜９０
４ｅ1と、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1の応力を緩和
する為の望ましくは柔軟性に優れる有機系樹脂からな
る、簡単な応力の他の構成で、上記異応力複数層薄膜９
０４ｅの上記応力緩和薄膜９０４ｅ4が形成されてい
る。この場合、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4の応力は圧
縮応力でも引っ張り応力でも何れでも良く、上記応力緩
和薄膜９０４ｅ4により応力を緩和することにより上記
振動板９０１の撓みを緩和させる。又、積層した上記第
１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
は、応力を緩和するばかりでなく、微少欠陥等によるピ
ンホールを抑制することもできる。更に、個々の上記ノ
ズル孔９１１や上記ノズル孔９２１に対応して上記液室
９１２や上記インク液室９２２を構成しているシリコン
の上記振動板９０１は、上記酸化シリコン膜９０２ａを
ギャップスペーサーとして上記空隙９０６を形成して、
上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエ
ータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０
や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド９２０を駆動するための電圧を印加
する上記電極９０３に対向して各々配置されている。
板９０１ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と
上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室
９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４
や上記インク液流路９２４の液体やインク液が接する表
面には、液体やインク液に対して耐腐食性を有する上記
異応力複数層薄膜９０４ｅの上記第１耐腐食性薄膜９０
４ｅ1と、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1の応力を緩和
する為の望ましくは柔軟性に優れる有機系樹脂からな
る、簡単な応力の他の構成で、上記異応力複数層薄膜９
０４ｅの上記応力緩和薄膜９０４ｅ4が形成されてい
る。この場合、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4の応力は圧
縮応力でも引っ張り応力でも何れでも良く、上記応力緩
和薄膜９０４ｅ4により応力を緩和することにより上記
振動板９０１の撓みを緩和させる。又、積層した上記第
１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
は、応力を緩和するばかりでなく、微少欠陥等によるピ
ンホールを抑制することもできる。更に、個々の上記ノ
ズル孔９１１や上記ノズル孔９２１に対応して上記液室
９１２や上記インク液室９２２を構成しているシリコン
の上記振動板９０１は、上記酸化シリコン膜９０２ａを
ギャップスペーサーとして上記空隙９０６を形成して、
上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエ
ータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０
や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インク
ジェット記録ヘッド９２０を駆動するための電圧を印加
する上記電極９０３に対向して各々配置されている。
【００５４】図示の矢印Ｅは、上記ノズル孔９１１や上
記ノズル孔９２１の配置方向によって決まる液体やイン
ク液の吐出方向である。上記電極基板９０２は、ｎ型、
又は、ｐ型の単結晶のシリコン基板であって、通常は，
面配向（１００）の単結晶のＳｉ基板を用いるが、プロ
セスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１
１）)の単結晶のシリコン基板を用いても何ら問題は無
い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いて
もよい。上記電極９０３は、単結晶のシリコン基板の上
記電極基板９０２上の上記酸化シリコン膜９０２ａの上
記凹部９０２ｂ内に形成された上記静電アクチュエータ
９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上
記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエー
タ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２
０を駆動するための電圧を印加するものであって、導体
であれは何れでも良い。上記電極９０３は、互いに絶縁
分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によっ
て形成した望ましくはチタン、タングステン、タンタル
等の高融点金属とその窒化物、或いは、それらの化合
物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン、
又は、上記酸化シリコン膜９０２ａ上に順次形成される
チタンと窒化チタンの積層構造であって単結晶シリコン
基板の上記電極基板９０２を熱酸化することにより形成
した上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサ内
に配置されている。上記酸化シリコン膜９０２ａのギャ
ップスペーサはシリコンの上記振動板９０１と上記電極
９０３に上記空隙９０６を形成するためのものであっ
て、上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサー
を介してシリコンの上記振動板９０１と対向した上記電
極９０３に電圧を印加することで静電引力を発生させ
る。上記パッド部９０２ｃは、上記電極９０３に対して
導通するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電
極基板９０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣや
ワイヤーボンデイング等の実装を行うための上記電極パ
ッド９０３ａである。
記ノズル孔９２１の配置方向によって決まる液体やイン
ク液の吐出方向である。上記電極基板９０２は、ｎ型、
又は、ｐ型の単結晶のシリコン基板であって、通常は，
面配向（１００）の単結晶のＳｉ基板を用いるが、プロ
セスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１
１）)の単結晶のシリコン基板を用いても何ら問題は無
い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いて
もよい。上記電極９０３は、単結晶のシリコン基板の上
記電極基板９０２上の上記酸化シリコン膜９０２ａの上
記凹部９０２ｂ内に形成された上記静電アクチュエータ
９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上
記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエー
タ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２
０を駆動するための電圧を印加するものであって、導体
であれは何れでも良い。上記電極９０３は、互いに絶縁
分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によっ
て形成した望ましくはチタン、タングステン、タンタル
等の高融点金属とその窒化物、或いは、それらの化合
物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン、
又は、上記酸化シリコン膜９０２ａ上に順次形成される
チタンと窒化チタンの積層構造であって単結晶シリコン
基板の上記電極基板９０２を熱酸化することにより形成
した上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサ内
に配置されている。上記酸化シリコン膜９０２ａのギャ
ップスペーサはシリコンの上記振動板９０１と上記電極
９０３に上記空隙９０６を形成するためのものであっ
て、上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサー
を介してシリコンの上記振動板９０１と対向した上記電
極９０３に電圧を印加することで静電引力を発生させ
る。上記パッド部９０２ｃは、上記電極９０３に対して
導通するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電
極基板９０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣや
ワイヤーボンデイング等の実装を行うための上記電極パ
ッド９０３ａである。
【００５５】静電力により振動して作動する上記振動板
撓み発生防止手段９０５である上記耐腐食性薄膜９０４
が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上
の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電アク
チュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を
具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電ア
クチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録
ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層さ
れた互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての上記
第１腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
は、スパッタ法により形成されて製造される。この構成
は、上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては窒化チタン
を用い、上記振動板９０１の間に上記第１腐食性薄膜９
０４ｅ1の応力を緩和する応力緩和層の上記応力緩和薄
膜９０４ｅ4に柔軟性に優れる有機系樹脂の一つである
ポリイミドを用いて形成した例である。上記電極基板９
０２は、面方位（１００）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ
単結晶のシリコン基板である。上記電極９０３は、単結
晶のシリコン基板の上記電極基板９０２上の厚さ２μｍ
の上記酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μ
ｍの上記凹部９０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法
によって順次上記酸化シリコン膜９０２ａ上に形成した
厚さ１５０ｎｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離さ
れている。上記酸化シリコン膜９０２ａは、熱酸化法に
よって形成した。更に、上記電極９０３である窒化チタ
ン上にはプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎ
ｍの酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂを形成した。
上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９０１と上記電極９
０３の絶縁を確保するためのものである。
撓み発生防止手段９０５である上記耐腐食性薄膜９０４
が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上
の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電アク
チュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を
具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電ア
クチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録
ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層さ
れた互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての上記
第１腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
は、スパッタ法により形成されて製造される。この構成
は、上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては窒化チタン
を用い、上記振動板９０１の間に上記第１腐食性薄膜９
０４ｅ1の応力を緩和する応力緩和層の上記応力緩和薄
膜９０４ｅ4に柔軟性に優れる有機系樹脂の一つである
ポリイミドを用いて形成した例である。上記電極基板９
０２は、面方位（１００）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ
単結晶のシリコン基板である。上記電極９０３は、単結
晶のシリコン基板の上記電極基板９０２上の厚さ２μｍ
の上記酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μ
ｍの上記凹部９０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法
によって順次上記酸化シリコン膜９０２ａ上に形成した
厚さ１５０ｎｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離さ
れている。上記酸化シリコン膜９０２ａは、熱酸化法に
よって形成した。更に、上記電極９０３である窒化チタ
ン上にはプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎ
ｍの酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂを形成した。
上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９０１と上記電極９
０３の絶縁を確保するためのものである。
【００５６】上記パッド部９０２ｃは、上記電極９０３
の酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂがエッチング除
去されている領域であって、上記静電アクチュエータ９
００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記
静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ
９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０
を駆動するための電圧を印加する上記電極９０３の上記
電極パッド９０３ａが形成された領域である。面方位
（１１０）の単結晶のシリコン基板の上記振動板基板９
０１ａをＫＯＨで異方性エッチング゛して形成したボロ
ン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシ
リコンの上記振動板９０１が、ギャップスペーサである
上記酸化シリコン膜９０２ａを介して上記電極９０３に
対向して配置されている。面方位（１１０）単結晶のシ
リコン基板の上記振動板９０１には、ＫＯＨの異方性エ
ッチングで形成した上記液室９１２や上記インク液室９
２２と、上記液室９１２や上記インク液室９２２へ液体
やインク液を供給する上記共通液室９１３や上記共通イ
ンク液室９２３が形成され、上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液
室９２３の両者が上記液流路９１４や上記インク液流路
９２４によって連通されている。上記振動板基板９０１
ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と上記液室
９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や
上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記イ
ンク液流路９２４表面には、上記応力緩和薄膜９０４ｅ
4として厚さ５μｍのポリイミドを形成した。更に、上
記応力緩和薄膜９０４ｅ4としてのポリイミド上には、
上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては上記振動板９０
１上の厚さ５００Åであって１Ｅ０９dyne/ｃｍ2圧縮応
力を有する窒化チタンを順次形成した。
の酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂがエッチング除
去されている領域であって、上記静電アクチュエータ９
００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記
静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ
９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０
を駆動するための電圧を印加する上記電極９０３の上記
電極パッド９０３ａが形成された領域である。面方位
（１１０）の単結晶のシリコン基板の上記振動板基板９
０１ａをＫＯＨで異方性エッチング゛して形成したボロ
ン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシ
リコンの上記振動板９０１が、ギャップスペーサである
上記酸化シリコン膜９０２ａを介して上記電極９０３に
対向して配置されている。面方位（１１０）単結晶のシ
リコン基板の上記振動板９０１には、ＫＯＨの異方性エ
ッチングで形成した上記液室９１２や上記インク液室９
２２と、上記液室９１２や上記インク液室９２２へ液体
やインク液を供給する上記共通液室９１３や上記共通イ
ンク液室９２３が形成され、上記液室９１２や上記イン
ク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液
室９２３の両者が上記液流路９１４や上記インク液流路
９２４によって連通されている。上記振動板基板９０１
ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と上記液室
９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や
上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記イ
ンク液流路９２４表面には、上記応力緩和薄膜９０４ｅ
4として厚さ５μｍのポリイミドを形成した。更に、上
記応力緩和薄膜９０４ｅ4としてのポリイミド上には、
上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては上記振動板９０
１上の厚さ５００Åであって１Ｅ０９dyne/ｃｍ2圧縮応
力を有する窒化チタンを順次形成した。
【００５７】この時、光干渉を利用した上記振動板９０
１の撓みを観察した結果、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
としてのポリイミドを形成しない場合に比較して撓み量
は著しく抑制されている事が確認出来た。又、上記応力
緩和薄膜９０４ｅ4を形成した場合は、上記応力緩和薄
膜９０４ｅ4である窒化チタンの応力が圧縮応力でも、
引っ張り応力でもシリコンの上記振動板９０１の撓みは
抑制されることが確認できた。更に，サンドブラスト加
工で液体やインク液供給用の上記液流路９１５や上記イ
ンク液流路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔
９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１ａや
上記ノズル板９２１ａ上が、上記液室９１２や上記液室
９２２の上に張り付けられている。上記静電アクチュエ
ータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュ
エータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド
９２０において、上記振動板９０１を電気的に接地し、
更に、上記電極パッド９０３ａを介して上記電極９０３
に駆動電圧を印加して一定周波数で駆動した。電圧を印
加したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には
静電引力が働き、シリコンの上記振動板９０１は撓みが
発生していないため、静電引力により上記電極９０３側
に十分引かれた。その結果、上記液室９１２や上記液室
９２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のため
の上記液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上
記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記
液室９１２や上記インク液室９２２)へ液体やインク液
が供給された。駆動電圧の周波数に対応して、上記振動
板９０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、
このとき上記液室９１２や上記インク液室９２２は加圧
され、上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て
液体やインク液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出され
た。更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを
測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得ることが
出来た。又、液体やインク液による信頼性試験を行った
結果、耐腐食性も十分あることが確認された。
１の撓みを観察した結果、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4
としてのポリイミドを形成しない場合に比較して撓み量
は著しく抑制されている事が確認出来た。又、上記応力
緩和薄膜９０４ｅ4を形成した場合は、上記応力緩和薄
膜９０４ｅ4である窒化チタンの応力が圧縮応力でも、
引っ張り応力でもシリコンの上記振動板９０１の撓みは
抑制されることが確認できた。更に，サンドブラスト加
工で液体やインク液供給用の上記液流路９１５や上記イ
ンク液流路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔
９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１ａや
上記ノズル板９２１ａ上が、上記液室９１２や上記液室
９２２の上に張り付けられている。上記静電アクチュエ
ータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備す
る上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュ
エータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド
９２０において、上記振動板９０１を電気的に接地し、
更に、上記電極パッド９０３ａを介して上記電極９０３
に駆動電圧を印加して一定周波数で駆動した。電圧を印
加したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には
静電引力が働き、シリコンの上記振動板９０１は撓みが
発生していないため、静電引力により上記電極９０３側
に十分引かれた。その結果、上記液室９１２や上記液室
９２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のため
の上記液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上
記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記
液室９１２や上記インク液室９２２)へ液体やインク液
が供給された。駆動電圧の周波数に対応して、上記振動
板９０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、
このとき上記液室９１２や上記インク液室９２２は加圧
され、上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て
液体やインク液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出され
た。更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを
測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得ることが
出来た。又、液体やインク液による信頼性試験を行った
結果、耐腐食性も十分あることが確認された。
【００５８】図８９乃至図９２において、静電力により
振動して作動する振動板撓み発生防止手段１１０５であ
る耐腐食性薄膜１１０４が、簡単な応力の他の構成で、
同等応力薄膜１１０４ｆの振動板１１０１上に形成した
耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振
動板１１０１下に形成した同等応力薄膜１１０４ｆ2か
らなる静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチ
ュエータ１１００を具備する静電型マイクロポンプ１１
１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備するイン
クジェット記録ヘッド１１２０の上記同等応力薄膜１１
０４ｆは、内部応力緩和の制御性に優れ、且つ、安価に
形成できるスパッタ法により形成されて製造される。上
記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエ
ータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１
１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記
インクジェット記録ヘッド１１２０は、シリコンの上記
振動板１１０１、液体やインク液が加圧される液室１１
１２やインク液室１１２２、共通液室１１１３や共通イ
ンク液室１１２３、液流路１１１４やインク液流路１１
２４が異方性エッチングにより形成された面方位（１１
０）の単結晶のシリコン基板の振動板基板１１０１ａ
と、ノズル孔１１１１やノズル孔１１２１、液供給路１
１１５や液供給路１１２５が形成されたガラス板、金属
板、シリコン板等のノズル板１１１１ａやノズル板１１
２１ａと、電極基板１１０２等で構成されている。単結
晶のシリコン基板である上記振動板基板１１０１ａに
は、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と個々
の上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応
して、静電引力によって駆動する上記振動板１１０１を
形成し、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ
液体やインク液を供給するための上記共通液室１１１３
や上記共通インク液室１１２３が形成されている。
振動して作動する振動板撓み発生防止手段１１０５であ
る耐腐食性薄膜１１０４が、簡単な応力の他の構成で、
同等応力薄膜１１０４ｆの振動板１１０１上に形成した
耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振
動板１１０１下に形成した同等応力薄膜１１０４ｆ2か
らなる静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチ
ュエータ１１００を具備する静電型マイクロポンプ１１
１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備するイン
クジェット記録ヘッド１１２０の上記同等応力薄膜１１
０４ｆは、内部応力緩和の制御性に優れ、且つ、安価に
形成できるスパッタ法により形成されて製造される。上
記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエ
ータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１
１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記
インクジェット記録ヘッド１１２０は、シリコンの上記
振動板１１０１、液体やインク液が加圧される液室１１
１２やインク液室１１２２、共通液室１１１３や共通イ
ンク液室１１２３、液流路１１１４やインク液流路１１
２４が異方性エッチングにより形成された面方位（１１
０）の単結晶のシリコン基板の振動板基板１１０１ａ
と、ノズル孔１１１１やノズル孔１１２１、液供給路１
１１５や液供給路１１２５が形成されたガラス板、金属
板、シリコン板等のノズル板１１１１ａやノズル板１１
２１ａと、電極基板１１０２等で構成されている。単結
晶のシリコン基板である上記振動板基板１１０１ａに
は、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と個々
の上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応
して、静電引力によって駆動する上記振動板１１０１を
形成し、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ
液体やインク液を供給するための上記共通液室１１１３
や上記共通インク液室１１２３が形成されている。
【００５９】上記液室１１１２や上記インク液室１１２
２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２
３は、上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４
によって連通されている。更に、上記振動板基板１１０
１ａ表面と、上記振動板１１０１上表面と上記液室１１
１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３
や上記共通インク液室１１２３と上記液流路１１１４や
上記インク液流路１１２４の液体やインク液が接する表
面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する窒化チ
タン等の上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1が形成されてい
る。上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1は、耐腐食性を持つ
材料で有れば何れでも良い。一方、シリコンの上記振動
板１１０１を介して逆の下面には上記耐腐食性薄膜１１
０４ｆ1の応力の方向と値が等しい応力を持つ層の上記
同等応力薄膜１１０４ｆ2が形成されている。つまり、
上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力が圧縮応力の場合
は、上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等
応力薄膜１１０４ｆ2も圧縮応力とする。逆に、上記耐
腐食性薄膜１１０４ｆ1が引っ張り応力の場合には、上
記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄
膜１１０４ｆ2も引っ張り応力とする。この様な構成で
は、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力を上記振動板
１１０１を介した層でバランスをとり、応力緩和するこ
とにより上記振動板１１０１の撓みを緩和することが出
来る。
２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２
３は、上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４
によって連通されている。更に、上記振動板基板１１０
１ａ表面と、上記振動板１１０１上表面と上記液室１１
１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３
や上記共通インク液室１１２３と上記液流路１１１４や
上記インク液流路１１２４の液体やインク液が接する表
面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する窒化チ
タン等の上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1が形成されてい
る。上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1は、耐腐食性を持つ
材料で有れば何れでも良い。一方、シリコンの上記振動
板１１０１を介して逆の下面には上記耐腐食性薄膜１１
０４ｆ1の応力の方向と値が等しい応力を持つ層の上記
同等応力薄膜１１０４ｆ2が形成されている。つまり、
上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力が圧縮応力の場合
は、上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等
応力薄膜１１０４ｆ2も圧縮応力とする。逆に、上記耐
腐食性薄膜１１０４ｆ1が引っ張り応力の場合には、上
記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄
膜１１０４ｆ2も引っ張り応力とする。この様な構成で
は、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力を上記振動板
１１０１を介した層でバランスをとり、応力緩和するこ
とにより上記振動板１１０１の撓みを緩和することが出
来る。
【００６０】上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と上記振動
板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１
０４ｆ2は、厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１
００Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸
化法等により形成する金属膜や酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜等のシリコン化合物等であって応力を制御出来
るのもで有れば何れでもよい。微細欠陥によるピンホー
ル防止のためには、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1を積
層してもよい。この時、上記振動板１１０１を介して形
成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2で応力のバラ
ンスをとり、応力緩和を行うため上記振動板１１０１の
撓みを緩和することが出来る。更に、個々の上記ノズル
孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応して上記液室
１１１２や上記インク液室１１２２を構成しているシ上
記振動板１１０１は、酸化シリコン膜１１０２ａをギャ
ップスペーサーとして、上記静電アクチュエータ１１０
０及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記
静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエー
タ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１
１２０を駆動するための電圧を印加する電極１１０３に
対向して各々配置されている。
板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１
０４ｆ2は、厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１
００Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸
化法等により形成する金属膜や酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜等のシリコン化合物等であって応力を制御出来
るのもで有れば何れでもよい。微細欠陥によるピンホー
ル防止のためには、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1を積
層してもよい。この時、上記振動板１１０１を介して形
成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2で応力のバラ
ンスをとり、応力緩和を行うため上記振動板１１０１の
撓みを緩和することが出来る。更に、個々の上記ノズル
孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応して上記液室
１１１２や上記インク液室１１２２を構成しているシ上
記振動板１１０１は、酸化シリコン膜１１０２ａをギャ
ップスペーサーとして、上記静電アクチュエータ１１０
０及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記
静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエー
タ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１
１２０を駆動するための電圧を印加する電極１１０３に
対向して各々配置されている。
【００６１】図示の矢印Ｆ方向は、上記ノズル孔１１１
１や上記ノズル孔１１２１の配置方向によって決まる液
体やインク液の吐出方向である。上記電極基板１１０２
は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、
通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用い
るが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方
位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題
は無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用
いてもよい。電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上
記電極基板１１０２上の上記酸化シリコン膜１１０２ａ
の凹部１１０２ｂ内に形成された、上記静電アクチュエ
ータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具
備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電ア
クチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド１１２０を駆動するための電圧を印加する駆動
電極であって導体であれは何れでも良い。上記電極１１
０３は、互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ
法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタン、タ
ングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或
いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望まし
くは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜１１０２ａ
上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積層構造から
なる駆動電極であって、上記電極基板１１０２の単結晶
シリコン基板を熱酸化することにより形成した上記酸化
シリコン膜１１０２ａのギャップスペーサ内に配置され
ている。上記酸化シリコン膜１１０２ａのギャップスペ
ーサは、上記振動板１１０１と上記電極１１０３に空隙
１１０６を形成するためのものであって、絶縁物１１０
３ｂを介して上記振動板１１０１と対向した上記電極１
１０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
パッド部１１０２ｃは、上記電極１１０３に対して導通
するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電極基
板１１０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣやワ
イヤーボンデイン等の実装を行うための電極パッド１１
０３ａからなるようになっている。
１や上記ノズル孔１１２１の配置方向によって決まる液
体やインク液の吐出方向である。上記電極基板１１０２
は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、
通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用い
るが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方
位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題
は無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用
いてもよい。電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上
記電極基板１１０２上の上記酸化シリコン膜１１０２ａ
の凹部１１０２ｂ内に形成された、上記静電アクチュエ
ータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具
備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電ア
クチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド１１２０を駆動するための電圧を印加する駆動
電極であって導体であれは何れでも良い。上記電極１１
０３は、互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ
法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタン、タ
ングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或
いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望まし
くは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜１１０２ａ
上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積層構造から
なる駆動電極であって、上記電極基板１１０２の単結晶
シリコン基板を熱酸化することにより形成した上記酸化
シリコン膜１１０２ａのギャップスペーサ内に配置され
ている。上記酸化シリコン膜１１０２ａのギャップスペ
ーサは、上記振動板１１０１と上記電極１１０３に空隙
１１０６を形成するためのものであって、絶縁物１１０
３ｂを介して上記振動板１１０１と対向した上記電極１
１０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
パッド部１１０２ｃは、上記電極１１０３に対して導通
するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電極基
板１１０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣやワ
イヤーボンデイン等の実装を行うための電極パッド１１
０３ａからなるようになっている。
【００６２】静電力により振動して作動する上記振動板
撓み発生防止手段１１０５である上記耐腐食性薄膜１１
０４が上記同等応力薄膜１１０４ｆの上記振動板１１０
１上に窒化チタンを用いて形成した上記耐腐食性薄膜１
１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振動板１１０１下
に酸化シリコンで形成した上記同等応力薄膜１１０４ｆ
2からなる上記静電アクチュエータ１１００及び上記静
電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイク
ロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を
具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０の上記
同等応力薄膜１１０４ｆは、内部応力の制御性に優れ、
且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製
造される。上記電極基板１１０２は、面方位（１０
０）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板で
ある。上記電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上記
電極基板１１０２上の厚さ２μｍの上記酸化シリコン膜
１１０２ａに形成した深さ０．５μｍの上記凹部１１０
２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次上記
酸化シリコン膜１１０２ａに上に形成した厚さ１５０ｎ
ｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記酸化シリコン膜１１０２ａは熱酸化法によって形成し
た。更に、上記電極１１０３である窒化チタン上にはプ
ラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの上記絶
縁物１１０３ｂを形成した。
撓み発生防止手段１１０５である上記耐腐食性薄膜１１
０４が上記同等応力薄膜１１０４ｆの上記振動板１１０
１上に窒化チタンを用いて形成した上記耐腐食性薄膜１
１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振動板１１０１下
に酸化シリコンで形成した上記同等応力薄膜１１０４ｆ
2からなる上記静電アクチュエータ１１００及び上記静
電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイク
ロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を
具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０の上記
同等応力薄膜１１０４ｆは、内部応力の制御性に優れ、
且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製
造される。上記電極基板１１０２は、面方位（１０
０）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板で
ある。上記電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上記
電極基板１１０２上の厚さ２μｍの上記酸化シリコン膜
１１０２ａに形成した深さ０．５μｍの上記凹部１１０
２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次上記
酸化シリコン膜１１０２ａに上に形成した厚さ１５０ｎ
ｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上
記酸化シリコン膜１１０２ａは熱酸化法によって形成し
た。更に、上記電極１１０３である窒化チタン上にはプ
ラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの上記絶
縁物１１０３ｂを形成した。
【００６３】上記絶縁物１１０３ｂは、上記振動板１１
０１と上記電極１１０３の絶縁を確保するためのもので
ある。上記パッド部１１０２ｃは、酸化シリコン膜の上
記絶縁物１１０３ｂがエッチング除去されている領域で
あって、上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電
アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具
備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０に駆動電
圧を印加する上記電極１１０３の上記パッド部１１０３
ａが形成される領域である。面方位（１１０）の単結晶
シリコン基板の上記振動板基板１１０１ａをＫＯＨで異
方性エッチングして形成したボロン不純物原子を１Ｅ２
０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシリコンの上記振動板１
１０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜
１１０２ａを介して上記電極１１０３に対向して配置さ
れている。面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上
記振動板基板１１０１ａには、ＫＯＨの異方性エッチン
グで形成した上記液室１１１２や上記インク液室１１２
２、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液体
やインク液を供給する上記共通液室１１１３や上記共通
インク液室１１２３が形成され、上記液室１１１２や上
記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共
通インク液室１１２３の両者が上記液流路１１１４や上
記インク液流路１１２４によって連通されている。
０１と上記電極１１０３の絶縁を確保するためのもので
ある。上記パッド部１１０２ｃは、酸化シリコン膜の上
記絶縁物１１０３ｂがエッチング除去されている領域で
あって、上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電
アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロ
ポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具
備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０に駆動電
圧を印加する上記電極１１０３の上記パッド部１１０３
ａが形成される領域である。面方位（１１０）の単結晶
シリコン基板の上記振動板基板１１０１ａをＫＯＨで異
方性エッチングして形成したボロン不純物原子を１Ｅ２
０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシリコンの上記振動板１
１０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜
１１０２ａを介して上記電極１１０３に対向して配置さ
れている。面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上
記振動板基板１１０１ａには、ＫＯＨの異方性エッチン
グで形成した上記液室１１１２や上記インク液室１１２
２、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液体
やインク液を供給する上記共通液室１１１３や上記共通
インク液室１１２３が形成され、上記液室１１１２や上
記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共
通インク液室１１２３の両者が上記液流路１１１４や上
記インク液流路１１２４によって連通されている。
【００６４】上記振動板基板１１０１ａ表面と、シリコ
ンの上記振動板１１０１表面と上記液室１１１２や上記
インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通
インク液室１１２３と上記液流路１１１４や上記インク
液流路１１２４表面には、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ
1である窒化チタンを、内部応力の制御性に優れ、且
つ、安価に形成できるスパッタ法により形成した。上記
耐腐食性薄膜１１０４ｆ1である窒化チタンは、シリコ
ンの上記振動板１１０１上での膜厚が５００Åであって
５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。更に、上記振動
板１１０１を介して反対の上記振動板１１０１下面には
上記同等応力薄膜１１０４ｆ2として厚さ１０００Å、
５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力を有する酸化シリコン膜
が形成されている。この時、光干渉を利用した上記振動
板１１０１の撓みを観察した結果、上記同等応力薄膜１
１０４ｆ2として酸化シリコン膜を形成しない場合に比
較して撓み量は著しく抑制されている事が確認出来た。
更に、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上
記液供給路１１１５や上記インク液供給路１１２５と上
記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１が形成され
たガラス板の上記ノズル板１１１１ａや上記ノズル板１
１１１ａが、上記液室１１１２や上記インク液室１１２
２の上に張り付けられている。上記静電アクチュエータ
１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備す
る上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチ
ュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘ
ッド１１２０において、上記振動板１１０１を電気的に
接地し、更に，上記パッド部１１０２ｃの上記電極パッ
ド１１０３ａを介して上記電極１１０３に駆動電圧を印
加して一定周波数で駆動した。駆動電圧を印加したと
き、上記振動板１１０１と上記電極１１０３間には静電
引力が働き、上記振動板１１０１は撓みが発生していな
いため、静電引力により上記電極１１０３側に十分引か
れた。その結果、上記液室１１１２や上記インク液室１
１２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のため
の上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４を経
て、上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２
３から上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液
体やインク液が供給された。駆動電圧の周波数に対応し
て上記振動板１１０１は、シリコンの剛性により元の位
置へと戻り、このとき上記液室１１１２や上記インク液
室１１２２は加圧され、上記ノズル孔１１１１や上記ノ
ズル孔１１２１を経て、液体やインク液は図示の矢印Ｆ
方向へ安定に吐出された。更に、この状態で噴射特性の
ビット間のバラツキを測定した結果も、非常に均一性の
良い噴射特性を得ることが出来た。又、液体やインク液
による信頼性試験を行った結果、耐腐食性も十分あるこ
とが確認された。
ンの上記振動板１１０１表面と上記液室１１１２や上記
インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通
インク液室１１２３と上記液流路１１１４や上記インク
液流路１１２４表面には、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ
1である窒化チタンを、内部応力の制御性に優れ、且
つ、安価に形成できるスパッタ法により形成した。上記
耐腐食性薄膜１１０４ｆ1である窒化チタンは、シリコ
ンの上記振動板１１０１上での膜厚が５００Åであって
５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。更に、上記振動
板１１０１を介して反対の上記振動板１１０１下面には
上記同等応力薄膜１１０４ｆ2として厚さ１０００Å、
５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力を有する酸化シリコン膜
が形成されている。この時、光干渉を利用した上記振動
板１１０１の撓みを観察した結果、上記同等応力薄膜１
１０４ｆ2として酸化シリコン膜を形成しない場合に比
較して撓み量は著しく抑制されている事が確認出来た。
更に、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上
記液供給路１１１５や上記インク液供給路１１２５と上
記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１が形成され
たガラス板の上記ノズル板１１１１ａや上記ノズル板１
１１１ａが、上記液室１１１２や上記インク液室１１２
２の上に張り付けられている。上記静電アクチュエータ
１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備す
る上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチ
ュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘ
ッド１１２０において、上記振動板１１０１を電気的に
接地し、更に，上記パッド部１１０２ｃの上記電極パッ
ド１１０３ａを介して上記電極１１０３に駆動電圧を印
加して一定周波数で駆動した。駆動電圧を印加したと
き、上記振動板１１０１と上記電極１１０３間には静電
引力が働き、上記振動板１１０１は撓みが発生していな
いため、静電引力により上記電極１１０３側に十分引か
れた。その結果、上記液室１１１２や上記インク液室１
１２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のため
の上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４を経
て、上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２
３から上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液
体やインク液が供給された。駆動電圧の周波数に対応し
て上記振動板１１０１は、シリコンの剛性により元の位
置へと戻り、このとき上記液室１１１２や上記インク液
室１１２２は加圧され、上記ノズル孔１１１１や上記ノ
ズル孔１１２１を経て、液体やインク液は図示の矢印Ｆ
方向へ安定に吐出された。更に、この状態で噴射特性の
ビット間のバラツキを測定した結果も、非常に均一性の
良い噴射特性を得ることが出来た。又、液体やインク液
による信頼性試験を行った結果、耐腐食性も十分あるこ
とが確認された。
【００６５】図９３乃至図９６において、静電力により
振動して作動する静電アクチュエータ１２００及び上記
静電アクチュエータ１２００を具備する静電型マイクロ
ポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具
備するインクジェット記録ヘッド１２２０は、振動板撓
み発生防止手段１２０５である耐腐食性薄膜１２０４
の、簡単な応力の他の構成で、応力の設定範囲が広く形
成が容易で、膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一
薄膜１２０４ｇからなる。上記静電アクチュエータ１２
００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上
記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエ
ータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド
１２２０は、シリコンの振動板１２０１、液体やインク
液が加圧される液室１２１２やインク液室１２２２、共
通液室１２１３や共通インク液室１２２３、液流路１２
１４やインク液流路１２２４が異方性エッチングにより
形成された面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の振
動板基板１２０１ａと、ノズル孔１２１１やノズル孔１
２２１、液供給路１２１５やインク液供給路１２２５が
形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板
１２１１ａやノズル板１２２１ａと電極基板１２０２等
の部分で構成されている。単結晶シリコン基板の上記振
動板基板１２０１ａには、上記液室１２１２や上記イン
ク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノ
ズル孔１２２１に対応して、静電引力によって駆動する
シリコンの上記振動板１２０１を形成し、上記液室１２
１２や上記インク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１
２１１や上記ノズル孔１２２１へ液体やインク液を供給
するための上記共通液室１２１３や上記共通インク液室
１２２３が形成されている。
振動して作動する静電アクチュエータ１２００及び上記
静電アクチュエータ１２００を具備する静電型マイクロ
ポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具
備するインクジェット記録ヘッド１２２０は、振動板撓
み発生防止手段１２０５である耐腐食性薄膜１２０４
の、簡単な応力の他の構成で、応力の設定範囲が広く形
成が容易で、膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一
薄膜１２０４ｇからなる。上記静電アクチュエータ１２
００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上
記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエ
ータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド
１２２０は、シリコンの振動板１２０１、液体やインク
液が加圧される液室１２１２やインク液室１２２２、共
通液室１２１３や共通インク液室１２２３、液流路１２
１４やインク液流路１２２４が異方性エッチングにより
形成された面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の振
動板基板１２０１ａと、ノズル孔１２１１やノズル孔１
２２１、液供給路１２１５やインク液供給路１２２５が
形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板
１２１１ａやノズル板１２２１ａと電極基板１２０２等
の部分で構成されている。単結晶シリコン基板の上記振
動板基板１２０１ａには、上記液室１２１２や上記イン
ク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノ
ズル孔１２２１に対応して、静電引力によって駆動する
シリコンの上記振動板１２０１を形成し、上記液室１２
１２や上記インク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１
２１１や上記ノズル孔１２２１へ液体やインク液を供給
するための上記共通液室１２１３や上記共通インク液室
１２２３が形成されている。
【００６６】上記液室１２１２や上記インク液室１２２
２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２
３は上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４に
よって連通されている。更に、上記振動板基板１２０１
ａ表面と、シリコンの上記振動板１２０１表面と上記液
室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１
２１３や上記共通インク液室１２２３と上記液流路１２
１４や上記インク液流路１２２４の液体やインク液が接
する表面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する
上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り
応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが形成されており、
少なくとも上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一であ
る。この様に引っ張り応力を有し、且つ、均一な膜厚を
持つ上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、シリコンの上記振
動板１２０１上における平面的な応力の偏りが無くなる
ため、結果として応力が緩和されて、上記振動板１２０
１の撓みが緩和される。
２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２
３は上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４に
よって連通されている。更に、上記振動板基板１２０１
ａ表面と、シリコンの上記振動板１２０１表面と上記液
室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１
２１３や上記共通インク液室１２２３と上記液流路１２
１４や上記インク液流路１２２４の液体やインク液が接
する表面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する
上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り
応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが形成されており、
少なくとも上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一であ
る。この様に引っ張り応力を有し、且つ、均一な膜厚を
持つ上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、シリコンの上記振
動板１２０１上における平面的な応力の偏りが無くなる
ため、結果として応力が緩和されて、上記振動板１２０
１の撓みが緩和される。
【００６７】静電力により振動して作動する上記振動板
撓み発生防止手段１２０５である上記耐腐食性薄膜１２
０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄
膜１２０４ｇは、窒化チタン等の金属であって、厚さ１
０Åから５０００Å、好ましくは１００Å〜２０００Å
であって、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成
できるスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法等により形成す
る。上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは耐腐食性を持つ材料
で有れば何れでも良い。微細欠陥によるピンホール防止
のために上記膜厚均一薄膜１２０４ｇを積層してもよ
い。更に、個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔
１２２１に対応して上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２を構成している上記振動板１２０１は、酸化シ
リコン膜１２０２ａをギャップスペーサーとして、上記
静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエー
タ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１
０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記イ
ンクジェット記録ヘッド１２２０を駆動するための電圧
を印加する電極１２０３に対向して各々配置されてい
る。図示の矢印Ｇ方向は、上記ノズル孔１２１１や上記
ノズル孔１２２１の配置方向によって決まる、液体やイ
ンク液の吐出方向である。上記電極基板１２０２は、ｎ
型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、通常
は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いる
が、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位
（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は
無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用い
てもよい。上記電極１２０３は、単結晶シリコン基板の
上記電極基板１２０２上の上記酸化シリコン膜１２０２
ａの凹部１２０２ｂ内に形成され、上記静電アクチュエ
ータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具
備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電ア
クチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド１２２０を駆動するための電圧を印加する駆動
電極であって導体であれは何れでも良い。これらの上記
電極１２０３は、互いに絶縁分離されており、反応性ス
パッタ法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタ
ン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化
物、或い、はそれらの化合物、或いは、それらの積層構
造、望ましくは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜
１２０２ａ上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積
層構造からなる駆動電極であって、単結晶シリコン基板
の上記電極基板１２０２を熱酸化することにより形成し
た上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペーサ内
に配置されている。上記酸化シリコン膜１２０２ａのギ
ャップスペーサは、シリコンの上記振動板１２０１と上
記電極１２０３に空隙１２０６を形成するためのもので
あって、上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペ
ーサを介して、上記振動板１２０１と対向した上記電極
１２０３に電圧を印加することで静電引力を発生させ
る。
撓み発生防止手段１２０５である上記耐腐食性薄膜１２
０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄
膜１２０４ｇは、窒化チタン等の金属であって、厚さ１
０Åから５０００Å、好ましくは１００Å〜２０００Å
であって、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成
できるスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法等により形成す
る。上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは耐腐食性を持つ材料
で有れば何れでも良い。微細欠陥によるピンホール防止
のために上記膜厚均一薄膜１２０４ｇを積層してもよ
い。更に、個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔
１２２１に対応して上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２を構成している上記振動板１２０１は、酸化シ
リコン膜１２０２ａをギャップスペーサーとして、上記
静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエー
タ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１
０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記イ
ンクジェット記録ヘッド１２２０を駆動するための電圧
を印加する電極１２０３に対向して各々配置されてい
る。図示の矢印Ｇ方向は、上記ノズル孔１２１１や上記
ノズル孔１２２１の配置方向によって決まる、液体やイ
ンク液の吐出方向である。上記電極基板１２０２は、ｎ
型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、通常
は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いる
が、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位
（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は
無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用い
てもよい。上記電極１２０３は、単結晶シリコン基板の
上記電極基板１２０２上の上記酸化シリコン膜１２０２
ａの凹部１２０２ｂ内に形成され、上記静電アクチュエ
ータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具
備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電ア
クチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記
録ヘッド１２２０を駆動するための電圧を印加する駆動
電極であって導体であれは何れでも良い。これらの上記
電極１２０３は、互いに絶縁分離されており、反応性ス
パッタ法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタ
ン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化
物、或い、はそれらの化合物、或いは、それらの積層構
造、望ましくは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜
１２０２ａ上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積
層構造からなる駆動電極であって、単結晶シリコン基板
の上記電極基板１２０２を熱酸化することにより形成し
た上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペーサ内
に配置されている。上記酸化シリコン膜１２０２ａのギ
ャップスペーサは、シリコンの上記振動板１２０１と上
記電極１２０３に空隙１２０６を形成するためのもので
あって、上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペ
ーサを介して、上記振動板１２０１と対向した上記電極
１２０３に電圧を印加することで静電引力を発生させ
る。
【００６８】パッド部１２０２ｃは、上記電極１２０３
に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であっ
て、上記電極基板１２０２に外部から電圧を印加し、更
に、ＦＰＣやワイヤーボンデイン等の実装を行うための
電極パッド１２０３ａからなる。静電力により振動して
作動する上記振動板撓み発生防止手段１２０５である上
記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応
力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇからなる上記静電アク
チュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記
静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェ
ット記録ヘッド１２２０の耐腐食性薄膜の応力を引っ張
り応力とし上記振動板１２０１上の膜厚分布を均一にし
て上記振動板１２０１上の応力の偏りを抑えて撓みを緩
和する窒化チタンを用いた上記膜厚均一薄膜１２０４ｇ
は、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できる
スパッタ法により形成されて製造される。上記電極基板
１２０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・
ｃｍのp単結晶シリコン基板である。上記電極１２０３
は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１２０２上の厚
さ２μｍの上記酸化シリコン膜１２０２ａに形成した深
さ０．４μｍの上記凹部１２０２ｂ内に配置され、反応
性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜１２０２
ａ上に形成した窒化チタンであって、互いに絶縁分離さ
れている。上記酸化シリコン膜１２０２ａは、熱酸化法
によって形成した。更に、上記電極１２０３は、上記電
極１２０３である窒化チタン上にはプラズマＣＶＤ法に
より形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物
１２０３ｂを形成した。
に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であっ
て、上記電極基板１２０２に外部から電圧を印加し、更
に、ＦＰＣやワイヤーボンデイン等の実装を行うための
電極パッド１２０３ａからなる。静電力により振動して
作動する上記振動板撓み発生防止手段１２０５である上
記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応
力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇからなる上記静電アク
チュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２０
０を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記
静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェ
ット記録ヘッド１２２０の耐腐食性薄膜の応力を引っ張
り応力とし上記振動板１２０１上の膜厚分布を均一にし
て上記振動板１２０１上の応力の偏りを抑えて撓みを緩
和する窒化チタンを用いた上記膜厚均一薄膜１２０４ｇ
は、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できる
スパッタ法により形成されて製造される。上記電極基板
１２０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・
ｃｍのp単結晶シリコン基板である。上記電極１２０３
は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１２０２上の厚
さ２μｍの上記酸化シリコン膜１２０２ａに形成した深
さ０．４μｍの上記凹部１２０２ｂ内に配置され、反応
性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜１２０２
ａ上に形成した窒化チタンであって、互いに絶縁分離さ
れている。上記酸化シリコン膜１２０２ａは、熱酸化法
によって形成した。更に、上記電極１２０３は、上記電
極１２０３である窒化チタン上にはプラズマＣＶＤ法に
より形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物
１２０３ｂを形成した。
【００６９】上記絶縁物１２０３ｂは、上記振動板１２
０１と上記電極１２０３の絶縁を確保するための物であ
る。上記パッド部１２０２ｃは、上記絶縁物１２０３ｂ
がエッチング除去されている領域であって、上記静電ア
クチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２
００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上
記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジ
ェット記録ヘッド１２２０に駆動電圧を印加する上記電
極１２０３の上記電極パッド１２０３ａが形成された領
域である。面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上
記振動板基板１２０１ａをＫＯＨで異方性エッチングし
て形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む
上記振動板１２０１が、ギャップスペーサである上記酸
化シリコン膜１２０２ａを介して上記電極１２０３に対
向して配置されている。面方位（１１０）の単結晶シル
コン基板の上記振動板基板１２０１ａには、ＫＯＨの異
方性エッチングで形成した上記液室１２１２や上記イン
ク液室１２２２と、上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室１２
１３や上記共通インク液室１２２３が形成され、上記液
室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１
２１３や上記共通インク液室１２２３の両者が上記液流
路１２１４や上記インク液流路１２２４によって連通さ
れている。上記振動板基板１２０１ａ表面と、シリコン
の上記振動板１２０１表面と上記液室１２１２や上記液
室１２１２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液
室１２２３と上記液流路１２１４や上記インク液流路１
２２４表面には、スパッタ法により耐腐食性薄膜である
上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り
応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが窒化チタンで形成
されており、上記振動板１２０１上の厚さは５００Åで
ある。
０１と上記電極１２０３の絶縁を確保するための物であ
る。上記パッド部１２０２ｃは、上記絶縁物１２０３ｂ
がエッチング除去されている領域であって、上記静電ア
クチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２
００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上
記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジ
ェット記録ヘッド１２２０に駆動電圧を印加する上記電
極１２０３の上記電極パッド１２０３ａが形成された領
域である。面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上
記振動板基板１２０１ａをＫＯＨで異方性エッチングし
て形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む
上記振動板１２０１が、ギャップスペーサである上記酸
化シリコン膜１２０２ａを介して上記電極１２０３に対
向して配置されている。面方位（１１０）の単結晶シル
コン基板の上記振動板基板１２０１ａには、ＫＯＨの異
方性エッチングで形成した上記液室１２１２や上記イン
ク液室１２２２と、上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室１２
１３や上記共通インク液室１２２３が形成され、上記液
室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１
２１３や上記共通インク液室１２２３の両者が上記液流
路１２１４や上記インク液流路１２２４によって連通さ
れている。上記振動板基板１２０１ａ表面と、シリコン
の上記振動板１２０１表面と上記液室１２１２や上記液
室１２１２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液
室１２２３と上記液流路１２１４や上記インク液流路１
２２４表面には、スパッタ法により耐腐食性薄膜である
上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り
応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが窒化チタンで形成
されており、上記振動板１２０１上の厚さは５００Åで
ある。
【００７０】上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、窒化チタ
ンで、８Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力であり、シリ
コンの上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一である。
この時、光干渉を利用した上記振動板１２０１の撓みを
観察した結果、撓み量は著しく少ない事が確認出来た。
一方、シリコンの上記振動板１２０１上の上記膜厚均一
薄膜１２０４ｇの窒化チタンの膜厚分布が均一でない場
合、或いは、上記膜厚均一薄膜１２０４ｇの窒化チタン
膜の応力が圧縮応力の場合は著しい上記振動板１２０１
の撓みが観察された。更に、サンドブラスト加工で液体
やインク液供給用の上記液供給路１２１５や上記インク
液供給路１２２５と上記ノズル孔１２１１や上記ノズル
孔１２２１が形成されたガラス板の上記ノズル板１２１
１ａや上記ノズル板１２２１ａが上記液室１２１２や上
記インク液室１２２２の上に張り付けられている。上記
静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエー
タ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１
０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記イ
ンクジェット記録ヘッド１２２０において、上記振動板
１２０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド１２
０３ａを介して上記電極１２０３に駆動電圧を印加し
て、一定周波数で駆動した。駆動電圧を印加したとき、
上記振動板１２０１と上記電極１２０３間)には、静電
引力が働き、シリコンの上記振動板１２０１は撓みが発
生していないため、静電引力により上記電極１２０３側
に十分引かれた。その結果、上記液室１２１２や上記イ
ンク液室１２２２は、十分に引圧となり、液体やインク
液供給のための上記液流路１２１４や上記インク液流路
１２２４を経て、上記共通液室１２１３や上記共通イン
ク液室１２２３から上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２へ液体やインク液が供給された。
ンで、８Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力であり、シリ
コンの上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一である。
この時、光干渉を利用した上記振動板１２０１の撓みを
観察した結果、撓み量は著しく少ない事が確認出来た。
一方、シリコンの上記振動板１２０１上の上記膜厚均一
薄膜１２０４ｇの窒化チタンの膜厚分布が均一でない場
合、或いは、上記膜厚均一薄膜１２０４ｇの窒化チタン
膜の応力が圧縮応力の場合は著しい上記振動板１２０１
の撓みが観察された。更に、サンドブラスト加工で液体
やインク液供給用の上記液供給路１２１５や上記インク
液供給路１２２５と上記ノズル孔１２１１や上記ノズル
孔１２２１が形成されたガラス板の上記ノズル板１２１
１ａや上記ノズル板１２２１ａが上記液室１２１２や上
記インク液室１２２２の上に張り付けられている。上記
静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエー
タ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１
０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記イ
ンクジェット記録ヘッド１２２０において、上記振動板
１２０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド１２
０３ａを介して上記電極１２０３に駆動電圧を印加し
て、一定周波数で駆動した。駆動電圧を印加したとき、
上記振動板１２０１と上記電極１２０３間)には、静電
引力が働き、シリコンの上記振動板１２０１は撓みが発
生していないため、静電引力により上記電極１２０３側
に十分引かれた。その結果、上記液室１２１２や上記イ
ンク液室１２２２は、十分に引圧となり、液体やインク
液供給のための上記液流路１２１４や上記インク液流路
１２２４を経て、上記共通液室１２１３や上記共通イン
ク液室１２２３から上記液室１２１２や上記インク液室
１２２２へ液体やインク液が供給された。
【００７１】駆動電圧の周波数に対応して上記振動板１
２０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、こ
のとき、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２は
加圧され、上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２
１を経て、液体やインク液は、図示の矢印Ｇ方向へ安定
に吐出された。更に、この状態で噴射特性のビット間の
バラツキを測定した結果も、非常に均一性の良い噴射特
性を得ることが出来た。又、液体やインク液による信頼
性試験を行った結果、耐腐食性も十分あることが確認さ
れた。
２０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、こ
のとき、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２は
加圧され、上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２
１を経て、液体やインク液は、図示の矢印Ｇ方向へ安定
に吐出された。更に、この状態で噴射特性のビット間の
バラツキを測定した結果も、非常に均一性の良い噴射特
性を得ることが出来た。又、液体やインク液による信頼
性試験を行った結果、耐腐食性も十分あることが確認さ
れた。
【００７２】図９７において、インクジェット記録装置
５０は、インク画像を記録する被記録体（Ｐ）の記録紙
を搬送する被記録体搬送手段５１と、上記被記録体搬送
手段５１によって搬送される被記録体（Ｐ）の記録紙に
インクを吐出してインク記録画像を形成する上記インク
ジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）から
なる。上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）は、キャリッジ５２に取り付けられ、上
記キャリッジ５２はガイドレール５３に移動自在に取り
付けられており、上記被記録体搬送手段５１のローラ５
１ａによって搬送され送り出される被記録体（Ｐ）の記
録紙の図示の矢印Ｈ方向の幅方向にその位置が制御され
て、被記録体（Ｐ）の記録用紙にインク画像を記録する
ようになっている。
５０は、インク画像を記録する被記録体（Ｐ）の記録紙
を搬送する被記録体搬送手段５１と、上記被記録体搬送
手段５１によって搬送される被記録体（Ｐ）の記録紙に
インクを吐出してインク記録画像を形成する上記インク
ジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）から
なる。上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）は、キャリッジ５２に取り付けられ、上
記キャリッジ５２はガイドレール５３に移動自在に取り
付けられており、上記被記録体搬送手段５１のローラ５
１ａによって搬送され送り出される被記録体（Ｐ）の記
録紙の図示の矢印Ｈ方向の幅方向にその位置が制御され
て、被記録体（Ｐ）の記録用紙にインク画像を記録する
ようになっている。
【００７３】図９８と図９９において、他のインクジェ
ット記録装置５０ａは、インク画像を記録する被記録体
（Ｐ）の記録紙を搬送する上記被記録体搬送手段５１
と、上記被記録体搬送手段５１によって搬送される被記
録体（Ｐ）の記録紙にインクを吐出してインク記録画像
を形成する上記インクジェット記録ヘッド２０（１２
０，〜，１２２０）からなる。上記他のインクジェット
記録装置５０ａは、記録装置本体５０ａ1の内部におい
て、図示の矢印Ｉ方向の主走査方向に移動可能なキャリ
ッジ５２と、上記キャリッジ５２に搭載した上記インク
ジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）と、
インクを供給するインクカートリッジ等で構成される印
字機構部５４と、上記記録装置本体５０ａ1の下方部に
は前方側から多数枚の被記録体（Ｐ）の用紙を積載可能
な給紙ユニット５１ｂの給紙カセット、或いは、給紙ト
レイを抜き差し自在に装着することができ、被記録体
（Ｐ）の用紙を手差しで給紙するための手差しトレイ等
からなる。上記他のインクジェット記録装置５０ａは、
上記給紙ユニット５１ｂから給送される被記録体（Ｐ）
の記録紙を取り込み、上記印字機構部５４によって所要
のインク画像を記録した後、後面側に装着された排紙ト
レイ５５に排紙されて収納される。上記印字機構部５４
は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である
上記ガイドレール５３の主ガイドロッドと従ガイドロッ
ドとで上記キャリッジ５２を、図示の矢印Ｉ方向の主走
査方向に摺動自在に保持し、上記キャリッジ５２にはイ
エロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラッ
ク（Ｂｋ）の各色のインク液滴を吐出する上記インクジ
ェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）を複数
の図示しない上記ノズル孔のインク液滴の吐出口を図示
の矢印Ｉ方向の主走査方向と交叉する方向に配列し、イ
ンク液滴吐出方向を下方に向けて装着している。上記キ
ャリッジ５２は、後方側を主ガイドロッドに摺動自在に
嵌装し、前方側を従ガイドロッドに摺動自在に載置して
いる。そして、上記キャリッジ５２は、主走査方向に移
動走査するため、主走査モータ５２ａで回転駆動される
駆動プーリ５２ｂと従動プーリ５２ｃとの間にタイミン
グベルト５２ｄを張装し、上記タイミングベルト５２ｄ
を上記キャリッジ５２に固定しており、上記主走査モー
タ５２ａの正逆回転により上記キャリッジ５２が往復駆
動される。
ット記録装置５０ａは、インク画像を記録する被記録体
（Ｐ）の記録紙を搬送する上記被記録体搬送手段５１
と、上記被記録体搬送手段５１によって搬送される被記
録体（Ｐ）の記録紙にインクを吐出してインク記録画像
を形成する上記インクジェット記録ヘッド２０（１２
０，〜，１２２０）からなる。上記他のインクジェット
記録装置５０ａは、記録装置本体５０ａ1の内部におい
て、図示の矢印Ｉ方向の主走査方向に移動可能なキャリ
ッジ５２と、上記キャリッジ５２に搭載した上記インク
ジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）と、
インクを供給するインクカートリッジ等で構成される印
字機構部５４と、上記記録装置本体５０ａ1の下方部に
は前方側から多数枚の被記録体（Ｐ）の用紙を積載可能
な給紙ユニット５１ｂの給紙カセット、或いは、給紙ト
レイを抜き差し自在に装着することができ、被記録体
（Ｐ）の用紙を手差しで給紙するための手差しトレイ等
からなる。上記他のインクジェット記録装置５０ａは、
上記給紙ユニット５１ｂから給送される被記録体（Ｐ）
の記録紙を取り込み、上記印字機構部５４によって所要
のインク画像を記録した後、後面側に装着された排紙ト
レイ５５に排紙されて収納される。上記印字機構部５４
は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である
上記ガイドレール５３の主ガイドロッドと従ガイドロッ
ドとで上記キャリッジ５２を、図示の矢印Ｉ方向の主走
査方向に摺動自在に保持し、上記キャリッジ５２にはイ
エロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラッ
ク（Ｂｋ）の各色のインク液滴を吐出する上記インクジ
ェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）を複数
の図示しない上記ノズル孔のインク液滴の吐出口を図示
の矢印Ｉ方向の主走査方向と交叉する方向に配列し、イ
ンク液滴吐出方向を下方に向けて装着している。上記キ
ャリッジ５２は、後方側を主ガイドロッドに摺動自在に
嵌装し、前方側を従ガイドロッドに摺動自在に載置して
いる。そして、上記キャリッジ５２は、主走査方向に移
動走査するため、主走査モータ５２ａで回転駆動される
駆動プーリ５２ｂと従動プーリ５２ｃとの間にタイミン
グベルト５２ｄを張装し、上記タイミングベルト５２ｄ
を上記キャリッジ５２に固定しており、上記主走査モー
タ５２ａの正逆回転により上記キャリッジ５２が往復駆
動される。
【００７４】被記録体搬送手段５１において、一方、上
記給紙ユニット５１ｂにセットした被記録体（Ｐ）の記
録紙を上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）の下方側に搬送するために、上記給紙ユ
ニット５１ｂから被記録体（Ｐ）の記録紙を分離給送す
る給紙ローラ５１ｃ、及び、フリクションパッド５１ｄ
と、被記録体（Ｐ）の記録紙を案内するガイド部材５１
ｅと、給送された被記録体（Ｐ）の記録紙を反転させて
搬送する搬送ローラ５１ｆと、上記搬送ローラ５１ｆの
周面に押し付けられる搬送コロ５１ｇ、及び、上記搬送
ローラ５１ｆからの被記録体（Ｐ）の記録紙の送り出し
角度を規定する先端コロ５１ｈとを設けている。上記搬
送ローラ５１ｆは、副走査モータ５１ｉによって図示し
ない歯車列を介して回転駆動される。そして、上記キャ
リッジ５２の図示の矢印Ｉ方向の主走査方向の移動範囲
に対応して上記搬送ローラ５１ｆから送り出された被記
録体（Ｐ）の記録紙を、上記インクジェット記録ヘッド
２０（１２０，〜，１２２０）の下方側で案内する記録
紙ガイド部材である印写受け部材５１ｊを設けている。
記給紙ユニット５１ｂにセットした被記録体（Ｐ）の記
録紙を上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）の下方側に搬送するために、上記給紙ユ
ニット５１ｂから被記録体（Ｐ）の記録紙を分離給送す
る給紙ローラ５１ｃ、及び、フリクションパッド５１ｄ
と、被記録体（Ｐ）の記録紙を案内するガイド部材５１
ｅと、給送された被記録体（Ｐ）の記録紙を反転させて
搬送する搬送ローラ５１ｆと、上記搬送ローラ５１ｆの
周面に押し付けられる搬送コロ５１ｇ、及び、上記搬送
ローラ５１ｆからの被記録体（Ｐ）の記録紙の送り出し
角度を規定する先端コロ５１ｈとを設けている。上記搬
送ローラ５１ｆは、副走査モータ５１ｉによって図示し
ない歯車列を介して回転駆動される。そして、上記キャ
リッジ５２の図示の矢印Ｉ方向の主走査方向の移動範囲
に対応して上記搬送ローラ５１ｆから送り出された被記
録体（Ｐ）の記録紙を、上記インクジェット記録ヘッド
２０（１２０，〜，１２２０）の下方側で案内する記録
紙ガイド部材である印写受け部材５１ｊを設けている。
【００７５】上記印写受け部材５１ｊの記録紙搬送方向
下流側には、被記録体（Ｐ）の記録紙を排紙方向へ送り
出すために回転駆動される搬送コロ５１ｋ、拍車５１ｌ
を設け、更に、被記録体（Ｐ）の記録紙を上記排紙トレ
イ５５に送り出す排紙ローラ５１ｍ及び拍車５１ｎと、
排紙経路を形成するガイド部材５１ｏとガイド部材５１
ｐとを配設している。インク画像の記録時には、上記キ
ャリッジ５２を移動させながらインク記録画像信号に応
じて、上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）を駆動することにより、停止している被
記録体（Ｐ）の記録紙にインク液滴を吐出して１行分を
記録し、被記録体（Ｐ）の記録紙を所定量搬送後、次の
行の記録を行う。インク画像の記録終了信号、又は、被
記録体（Ｐ）の記録紙の後端が記録領域に到達した信号
を受けることにより、インク記録動作を終了させ被記録
体（Ｐ）の記録紙を排紙する。従って、耐腐食性薄膜が
形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止
して、低消費電力で高精細な印字が出来る、耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストの上記静電アク
チュエータ０（１１０，〜，１２１０）からなる上記イ
ンクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）
を具備する上記インクジェット記録装置５０や上記イン
クジェット記録装置５０ａを提供することが出来るよう
になった。
下流側には、被記録体（Ｐ）の記録紙を排紙方向へ送り
出すために回転駆動される搬送コロ５１ｋ、拍車５１ｌ
を設け、更に、被記録体（Ｐ）の記録紙を上記排紙トレ
イ５５に送り出す排紙ローラ５１ｍ及び拍車５１ｎと、
排紙経路を形成するガイド部材５１ｏとガイド部材５１
ｐとを配設している。インク画像の記録時には、上記キ
ャリッジ５２を移動させながらインク記録画像信号に応
じて、上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，
〜，１２２０）を駆動することにより、停止している被
記録体（Ｐ）の記録紙にインク液滴を吐出して１行分を
記録し、被記録体（Ｐ）の記録紙を所定量搬送後、次の
行の記録を行う。インク画像の記録終了信号、又は、被
記録体（Ｐ）の記録紙の後端が記録領域に到達した信号
を受けることにより、インク記録動作を終了させ被記録
体（Ｐ）の記録紙を排紙する。従って、耐腐食性薄膜が
形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止
して、低消費電力で高精細な印字が出来る、耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストの上記静電アク
チュエータ０（１１０，〜，１２１０）からなる上記イ
ンクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）
を具備する上記インクジェット記録装置５０や上記イン
クジェット記録装置５０ａを提供することが出来るよう
になった。
【００７６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項１の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生
防止手段により振動板の撓みの発生を防止するようにし
たので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓
む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に
優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエー
タを提供することが出来るようになった。請求項２の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐
腐食性薄膜の応力の振動板撓み発生防止手段により振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、簡単な応力
で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項３の発明
によれば、静電力により振動する振動板に対向する電極
基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電極
と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の振動板上に形成さ
れた耐腐食性薄膜の内部応力を引っ張り応力により振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、簡単な応力
の構成で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食
に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエ
ータを提供することが出来るようになった。請求項４の
発明によれば、静電力により振動する振動板に対向する
電極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する
電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された
耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の振動板上に形
成された耐腐食性薄膜の振動板上に形成された耐腐食性
薄膜の内部応力を１．０＊１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下
の圧縮応力により振動板の撓みの発生を防止するように
したので、簡単な構成で確実に、耐腐食性薄膜が形成さ
れた振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、
耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コ
ストの静電アクチュエータを提供することが出来るよう
になった。
ているので、請求項１の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生
防止手段により振動板の撓みの発生を防止するようにし
たので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓
む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に
優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエー
タを提供することが出来るようになった。請求項２の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐
腐食性薄膜の応力の振動板撓み発生防止手段により振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、簡単な応力
で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項３の発明
によれば、静電力により振動する振動板に対向する電極
基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電極
と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐
食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の振動板上に形成さ
れた耐腐食性薄膜の内部応力を引っ張り応力により振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、簡単な応力
の構成で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食
に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエ
ータを提供することが出来るようになった。請求項４の
発明によれば、静電力により振動する振動板に対向する
電極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する
電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成された
耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の振動板上に形
成された耐腐食性薄膜の振動板上に形成された耐腐食性
薄膜の内部応力を１．０＊１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下
の圧縮応力により振動板の撓みの発生を防止するように
したので、簡単な構成で確実に、耐腐食性薄膜が形成さ
れた振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、
耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コ
ストの静電アクチュエータを提供することが出来るよう
になった。
【００７７】請求項５の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の窒化チタン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動
板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止す
るようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の
座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐イ
ンク腐食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更に
低コストの静電アクチュエータを提供することが出来る
ようになった。請求項６の発明によれば、静電力により
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の抵抗率は、１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ以上の窒化チ
タン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防
止手段により振動板の撓みの発生を防止するようにした
ので、確実に、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈
して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク
腐の食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更に低
コストの静電アクチュエータを提供することが出来るよ
うになった。請求項７の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の酸化シリコン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振
動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止
するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更
に低コストの静電アクチュエータを提供することが出来
るようになった。請求項８の発明によれば、静電力によ
り振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振
動板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に
耐腐食性のジルコニウム薄膜が形成された耐腐食性薄膜
の振動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を
防止するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振
動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体
や耐インク腐食により優れ、歩留まりが向上して膜応力
の制御が容易で更に低コストの静電アクチュエータを提
供することが出来るようになった。
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の窒化チタン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動
板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止す
るようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の
座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐イ
ンク腐食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更に
低コストの静電アクチュエータを提供することが出来る
ようになった。請求項６の発明によれば、静電力により
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の抵抗率は、１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ以上の窒化チ
タン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防
止手段により振動板の撓みの発生を防止するようにした
ので、確実に、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈
して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク
腐の食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更に低
コストの静電アクチュエータを提供することが出来るよ
うになった。請求項７の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性の酸化シリコン薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振
動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止
するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが向上して量産性に優れ更
に低コストの静電アクチュエータを提供することが出来
るようになった。請求項８の発明によれば、静電力によ
り振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振
動板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に
耐腐食性のジルコニウム薄膜が形成された耐腐食性薄膜
の振動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を
防止するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振
動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体
や耐インク腐食により優れ、歩留まりが向上して膜応力
の制御が容易で更に低コストの静電アクチュエータを提
供することが出来るようになった。
【００７８】請求項９の発明によれば、静電力により振
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性のジルコニウム化合物薄膜が形成された耐腐食性薄
膜の振動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生
を防止するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された
振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液
体や耐インク腐食により優れ、歩留まりが向上して膜応
力の制御が容易で更に低コストの静電アクチュエータを
提供することが出来るようになった 請求項１０の発明によれば、静電力により振動する振動
板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介
して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜
が積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止
手段により振動板の撓みの発生を防止するようにしたの
で、微少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等によ
る作動不良を防止し、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電
アクチュエータを提供することが出来るようになった。
請求項１１の発明によれば、静電力により振動する振動
板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介
して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜
が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の
耐腐食性薄膜が形成された振動板を平坦にすることによ
り振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、イン
ク液滴噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制さ
れ、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項１２の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の窒化チタン薄膜が形
成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐腐
食性薄膜が形成された振動板を平坦することにより振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、インク液滴
噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制され、耐
腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良
の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留
まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電アク
チュエータを提供することが出来るようになった。
動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板
に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐
食性のジルコニウム化合物薄膜が形成された耐腐食性薄
膜の振動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生
を防止するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された
振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液
体や耐インク腐食により優れ、歩留まりが向上して膜応
力の制御が容易で更に低コストの静電アクチュエータを
提供することが出来るようになった 請求項１０の発明によれば、静電力により振動する振動
板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介
して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜
が積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止
手段により振動板の撓みの発生を防止するようにしたの
で、微少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等によ
る作動不良を防止し、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐
インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電
アクチュエータを提供することが出来るようになった。
請求項１１の発明によれば、静電力により振動する振動
板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介
して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜
が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の
耐腐食性薄膜が形成された振動板を平坦にすることによ
り振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、イン
ク液滴噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制さ
れ、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項１２の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の窒化チタン薄膜が形
成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐腐
食性薄膜が形成された振動板を平坦することにより振動
板の撓みの発生を防止するようにしたので、インク液滴
噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制され、耐
腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良
の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留
まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電アク
チュエータを提供することが出来るようになった。
【００７９】請求項１３の発明によれば、静電力により
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜が形成
された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐腐食
性薄膜が形成された振動板を平坦することにより振動板
の撓みの発生を防止するようにしたので、インク液滴噴
射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制され、耐腐
食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の
発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に更に優れ、歩
留まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電ア
クチュエータを提供することが出来るようになった。請
求項１４の発明によれば、静電力により振動する振動板
に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介し
て対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の濃度が
１％以上含む酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜が
形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐
腐食性薄膜が形成された振動板を平坦にすることにより
振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、インク
液滴噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制さ
れ、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐インク腐食に更に優れ、歩
留まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電ア
クチュエータを提供することが出来るようになった。請
求項１５の発明によれば、静電力により振動する振動板
に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介し
て対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が
積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手
段の耐腐食性薄膜が形成された振動板を平坦することに
より振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、微
少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等による作動
不良を防止し、インク液滴噴射特性等の作動特性のバラ
ツキや不良が抑制され、耐腐食性薄膜が形成された振動
板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や
耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静
電アクチュエータを提供することが出来るようになっ
た。
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜が形成
された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐腐食
性薄膜が形成された振動板を平坦することにより振動板
の撓みの発生を防止するようにしたので、インク液滴噴
射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制され、耐腐
食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の
発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に更に優れ、歩
留まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電ア
クチュエータを提供することが出来るようになった。請
求項１４の発明によれば、静電力により振動する振動板
に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介し
て対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の濃度が
１％以上含む酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜が
形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段の耐
腐食性薄膜が形成された振動板を平坦にすることにより
振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、インク
液滴噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制さ
れ、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐インク腐食に更に優れ、歩
留まりが向上して量産性に優れて更に低コストの静電ア
クチュエータを提供することが出来るようになった。請
求項１５の発明によれば、静電力により振動する振動板
に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介し
て対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が
積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手
段の耐腐食性薄膜が形成された振動板を平坦することに
より振動板の撓みの発生を防止するようにしたので、微
少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等による作動
不良を防止し、インク液滴噴射特性等の作動特性のバラ
ツキや不良が抑制され、耐腐食性薄膜が形成された振動
板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や
耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静
電アクチュエータを提供することが出来るようになっ
た。
【００８０】請求項１６の発明によれば、静電力により
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は耐腐食性薄膜が圧縮応力と引
っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層
薄膜からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成
で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項１７の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が少なくとも窒
化チタン薄膜で形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は少なくとも窒化チタン薄膜形
成された耐腐食性薄膜が圧縮応力と引っ張り応力の応力
方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜からなるよう
にしたので、簡単な応力の他の構成で、広範囲の応力制
御が容易で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈し
て撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュ
エータを提供することが出来るようになった。請求項１
８の発明によれば、静電力により振動する振動板に対向
する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向
する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成さ
れた耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段により振動
板の撓みの発生を防止すると共に振動板撓み発生防止手
段は振動板と耐腐食性薄膜の間に耐腐食性薄膜の応力を
緩和する応力緩和薄膜からなるようにしたので、簡単な
応力の他の構成で、応力の伝達が抑制されて、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが
向上して低コストの静電アクチュエータを提供すること
が出来るようになった。請求項１９の発明によれば、静
電力により振動する振動板に対向する電極基板上に形成
されて振動板に隙間を介して対向する電極と対向する振
動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振
動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止
すると共に振動板撓み発生防止手段は振動板と耐腐食性
薄膜の間に耐腐食性薄膜の応力を緩和する有機系樹脂か
らなる応力緩和薄膜からなるようにしたので、簡単な応
力の他の構成で、柔軟性に優れ、応力の伝達が抑制され
て、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を確実に防止して、耐液体や耐インク腐食
に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエ
ータを提供することが出来るようになった。
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は耐腐食性薄膜が圧縮応力と引
っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層
薄膜からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成
で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優
れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエータ
を提供することが出来るようになった。請求項１７の発
明によれば、静電力により振動する振動板に対向する電
極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向する電
極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が少なくとも窒
化チタン薄膜で形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は少なくとも窒化チタン薄膜形
成された耐腐食性薄膜が圧縮応力と引っ張り応力の応力
方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜からなるよう
にしたので、簡単な応力の他の構成で、広範囲の応力制
御が容易で、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈し
て撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュ
エータを提供することが出来るようになった。請求項１
８の発明によれば、静電力により振動する振動板に対向
する電極基板上に形成されて振動板に隙間を介して対向
する電極と対向する振動板上に耐腐食性の薄膜が形成さ
れた耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防止手段により振動
板の撓みの発生を防止すると共に振動板撓み発生防止手
段は振動板と耐腐食性薄膜の間に耐腐食性薄膜の応力を
緩和する応力緩和薄膜からなるようにしたので、簡単な
応力の他の構成で、応力の伝達が抑制されて、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが
向上して低コストの静電アクチュエータを提供すること
が出来るようになった。請求項１９の発明によれば、静
電力により振動する振動板に対向する電極基板上に形成
されて振動板に隙間を介して対向する電極と対向する振
動板上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振
動板撓み発生防止手段により振動板の撓みの発生を防止
すると共に振動板撓み発生防止手段は振動板と耐腐食性
薄膜の間に耐腐食性薄膜の応力を緩和する有機系樹脂か
らなる応力緩和薄膜からなるようにしたので、簡単な応
力の他の構成で、柔軟性に優れ、応力の伝達が抑制され
て、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作
動不良の発生を確実に防止して、耐液体や耐インク腐食
に優れ、歩留まりが向上して低コストの静電アクチュエ
ータを提供することが出来るようになった。
【００８１】請求項２０の発明によれば、静電力により
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は振動板上に形成した耐腐食性
薄膜と同等の応力を有して振動板下に形成した同等応力
薄膜からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成
で、応力緩和の制御性に優れ、耐腐食性薄膜が形成され
た振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐
液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コス
トの静電アクチュエータを提供することが出来るように
なった。請求項２１の発明によれば、静電力により振動
する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板に
隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食
性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防
止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に振動
板撓み発生防止手段は振動板上に形成した耐腐食性薄膜
と同等の応力を有して振動板下に形成した同等応力薄膜
からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成で、応
力緩和の制御性に優れ、耐腐食性薄膜が形成された振動
板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や
耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静
電アクチュエータを提供することが出来るようになっ
た。請求項２２の発明によれば、静電力により振動する
振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間
を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の
薄膜が積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生
防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に振
動板撓み発生防止手段は耐腐食性薄膜の膜厚分布が均一
で引っ張り応力の膜厚均一薄膜からなるようにしたの
で、微少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等によ
る作動不良を防止し、簡単な応力の他の構成で、応力の
設定範囲が広く形成が容易で、耐腐食性薄膜が形成され
た振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐
液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コス
トの静電アクチュエータを提供することが出来るように
なった。請求項２３の発明によれば、振動板が形成され
る振動板基板と電極が形成される電極基板を接合した後
に振動板上に耐腐食性薄膜を形成して静電アクチュエー
タを製造するようにしたので、取り扱い中の振動板の破
壊が防止され、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈
して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優
れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの静電アクチュ
エータの製造方法を提供することが出来るようになっ
た。
振動する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動
板に隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐
腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発
生防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に
振動板撓み発生防止手段は振動板上に形成した耐腐食性
薄膜と同等の応力を有して振動板下に形成した同等応力
薄膜からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成
で、応力緩和の制御性に優れ、耐腐食性薄膜が形成され
た振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐
液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コス
トの静電アクチュエータを提供することが出来るように
なった。請求項２１の発明によれば、静電力により振動
する振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板に
隙間を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食
性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生防
止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に振動
板撓み発生防止手段は振動板上に形成した耐腐食性薄膜
と同等の応力を有して振動板下に形成した同等応力薄膜
からなるようにしたので、簡単な応力の他の構成で、応
力緩和の制御性に優れ、耐腐食性薄膜が形成された振動
板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や
耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの静
電アクチュエータを提供することが出来るようになっ
た。請求項２２の発明によれば、静電力により振動する
振動板に対向する電極基板上に形成されて振動板に隙間
を介して対向する電極と対向する振動板上に耐腐食性の
薄膜が積層に形成された耐腐食性薄膜の振動板撓み発生
防止手段により振動板の撓みの発生を防止すると共に振
動板撓み発生防止手段は耐腐食性薄膜の膜厚分布が均一
で引っ張り応力の膜厚均一薄膜からなるようにしたの
で、微少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等によ
る作動不良を防止し、簡単な応力の他の構成で、応力の
設定範囲が広く形成が容易で、耐腐食性薄膜が形成され
た振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐
液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コス
トの静電アクチュエータを提供することが出来るように
なった。請求項２３の発明によれば、振動板が形成され
る振動板基板と電極が形成される電極基板を接合した後
に振動板上に耐腐食性薄膜を形成して静電アクチュエー
タを製造するようにしたので、取り扱い中の振動板の破
壊が防止され、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈
して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優
れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの静電アクチュ
エータの製造方法を提供することが出来るようになっ
た。
【００８２】請求項２４の発明によれば、振動板が形成
される振動板基板と電極が形成される電極基板を直接接
合した後に振動板上に耐腐食性薄膜を形成して静電アク
チュエータを製造するようにしたので、取り扱い中の振
動板の破壊が防止され、接合精度が良く、耐腐食性薄膜
が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防
止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上し
て低コストの静電アクチュエータの製造方法を提供する
ことが出来るようになった。請求項２５の発明によれ
ば、振動板が形成される振動板基板と電極が形成される
電極基板を接合した後に振動板上にスパッタ法により耐
腐食性薄膜を形成して静電アクチュエータを製造するよ
うにしたので、成膜時のボトムカバレージが良く制御性
も良く酸素原子を含有させることが可能で、取り扱い中
の振動板の破壊が防止され、耐腐食性薄膜が形成された
振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐イ
ンク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの
静電アクチュエータの製造方法を提供することが出来る
ようになった。請求項２６の発明によれば、振動板が形
成される振動板基板と電極が形成される電極基板を接合
した後に振動板上にＣＶＤ法により耐腐食性薄膜を形成
して静電アクチュエータを製造するようにしたので、成
膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を
含有させることが可能で、取り扱い中の振動板の破壊が
防止され、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優れ、
歩留まりが大幅に向上して低コストの静電アクチュエー
タの製造方法を提供することが出来るようになった。請
求項２７の発明によれば、振動板が形成される振動板基
板と電極が形成される電極基板を接合した後に振動板上
に酸化法により耐腐食性薄膜を形成して静電アクチュエ
ータを製造するようにしたので、成膜時のボトムカバレ
ージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが可
能で、取り扱い中の振動板の破壊が防止され、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向
上して低コストの静電アクチュエータの製造方法を提供
することが出来るようになった。請求項２８の発明によ
れば、液滴を吐出するノズル孔が連通する液流路の液室
の壁面に請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電ア
クチュエータを形成するようにしたので、耐腐食性薄膜
が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防
止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コ
ストで、省資源で低消費電力で、液体噴射のバラツキが
低減された静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプを提供することが出来るようになった。
される振動板基板と電極が形成される電極基板を直接接
合した後に振動板上に耐腐食性薄膜を形成して静電アク
チュエータを製造するようにしたので、取り扱い中の振
動板の破壊が防止され、接合精度が良く、耐腐食性薄膜
が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防
止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上し
て低コストの静電アクチュエータの製造方法を提供する
ことが出来るようになった。請求項２５の発明によれ
ば、振動板が形成される振動板基板と電極が形成される
電極基板を接合した後に振動板上にスパッタ法により耐
腐食性薄膜を形成して静電アクチュエータを製造するよ
うにしたので、成膜時のボトムカバレージが良く制御性
も良く酸素原子を含有させることが可能で、取り扱い中
の振動板の破壊が防止され、耐腐食性薄膜が形成された
振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐イ
ンク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの
静電アクチュエータの製造方法を提供することが出来る
ようになった。請求項２６の発明によれば、振動板が形
成される振動板基板と電極が形成される電極基板を接合
した後に振動板上にＣＶＤ法により耐腐食性薄膜を形成
して静電アクチュエータを製造するようにしたので、成
膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を
含有させることが可能で、取り扱い中の振動板の破壊が
防止され、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して
撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優れ、
歩留まりが大幅に向上して低コストの静電アクチュエー
タの製造方法を提供することが出来るようになった。請
求項２７の発明によれば、振動板が形成される振動板基
板と電極が形成される電極基板を接合した後に振動板上
に酸化法により耐腐食性薄膜を形成して静電アクチュエ
ータを製造するようにしたので、成膜時のボトムカバレ
ージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが可
能で、取り扱い中の振動板の破壊が防止され、耐腐食性
薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生
を防止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向
上して低コストの静電アクチュエータの製造方法を提供
することが出来るようになった。請求項２８の発明によ
れば、液滴を吐出するノズル孔が連通する液流路の液室
の壁面に請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電ア
クチュエータを形成するようにしたので、耐腐食性薄膜
が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防
止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コ
ストで、省資源で低消費電力で、液体噴射のバラツキが
低減された静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプを提供することが出来るようになった。
【００８３】請求項２９の発明によれば、インク液滴を
吐出するノズル孔が連通するインク流路のインク液室の
壁面を形成する請求項１乃至２２の何れか一項に記載の
静電アクチュエータの振動板に形成された耐腐食性薄膜
とからなりインク液滴を静電力による圧力波で吐出する
ようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座
屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に
優れ、歩留まりが向上して更に低コストで、駆動中に充
放電電流のみの省資源で低消費電力で、インク液噴射の
バラツキが低減された静電アクチュエータを具備するイ
ンクジェット記録ヘッドを提供することが出来るように
なった。請求項３０の発明によれば、インク画像を記録
する被記録体を搬送する被記録体搬送手段によって搬送
される被記録体に請求項２９に記載のインクジェット記
録ヘッドでインクを吐出してインク記録画像を記録する
するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストで、省資源で低
消費電力で、高品質のインク画像が記録される静電アク
チュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備す
るインクジェット記録装置を提供することが出来るよう
になった。
吐出するノズル孔が連通するインク流路のインク液室の
壁面を形成する請求項１乃至２２の何れか一項に記載の
静電アクチュエータの振動板に形成された耐腐食性薄膜
とからなりインク液滴を静電力による圧力波で吐出する
ようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座
屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に
優れ、歩留まりが向上して更に低コストで、駆動中に充
放電電流のみの省資源で低消費電力で、インク液噴射の
バラツキが低減された静電アクチュエータを具備するイ
ンクジェット記録ヘッドを提供することが出来るように
なった。請求項３０の発明によれば、インク画像を記録
する被記録体を搬送する被記録体搬送手段によって搬送
される被記録体に請求項２９に記載のインクジェット記
録ヘッドでインクを吐出してインク記録画像を記録する
するようにしたので、耐腐食性薄膜が形成された振動板
の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐
食に優れ、歩留まりが向上して低コストで、省資源で低
消費電力で、高品質のインク画像が記録される静電アク
チュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備す
るインクジェット記録装置を提供することが出来るよう
になった。
【図１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエー
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図２】図１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３】図１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】図１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエー
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を説明す
る説明図である。
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を説明す
る説明図である。
【図６】図５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエー
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説
明する説明図である。
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説
明する説明図である。
【図８】図７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図９】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエー
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説
明する説明図である。
タ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイク
ロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインク
ジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説
明する説明図である。
【図１０】図９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図１２】図１１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図１４】図１３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図１６】図１５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図１８】図１７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図２０】図１９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図２２】図２１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の内部応力と振
動板１の撓みとインク液滴吐出噴射の特性を説明する表
図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の内部応力と振
動板１の撓みとインク液滴吐出噴射の特性を説明する表
図である。
【図２４】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の抵抗率とイン
ク液滴に対する耐腐食性の特性を説明する表図である。
ータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイ
クロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するイン
クジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の抵抗率とイン
ク液滴に対する耐腐食性の特性を説明する表図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図２６】図２５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図２７】図２５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図２８】図２５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３０】図２９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３１】図２９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図３２】図２９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図３３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３４】図３３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３５】図３３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図３６】図３３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図３７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３８】図３７におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３９】図３７におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４０】図３７におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図４２】図４１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図４３】図４１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４４】図４１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図４６】図４５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図４７】図４５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４８】図４５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を
説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を
説明する説明図である。
【図５０】図４９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図５２】図５１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図５４】図５３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図５６】図５５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図５８】図５７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図６０】図５９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図６２】図６１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図６４】図６３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工
程を説明する説明図である。
【図６６】図６５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの振動板６０１の撓み量とイ
ンク液滴の噴射の特性を説明する表図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの振動板６０１の撓み量とイ
ンク液滴の噴射の特性を説明する表図である。
【図６８】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの窒化チタン薄膜６０４ａ中
に含まれる酸素原子濃度とインク液滴に対する耐腐食性
の特性を説明する表図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドの窒化チタン薄膜６０４ａ中
に含まれる酸素原子濃度とインク液滴に対する耐腐食性
の特性を説明する表図である。
【図６９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７０】図６９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７１】図６９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図７２】図６９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図７３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７４】図７３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７５】図７３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図７６】図７３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図７７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７８】図７７におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７９】図７７におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８０】図７７におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図８２】図８１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図８３】図８１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８４】図８１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図８６】図８５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図８７】図８５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８８】図８５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図９０】図８９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図９１】図８９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図９２】図８９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図９３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
ュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型
マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備する
インクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図９４】図９３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図９５】図９３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図９６】図９３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図９７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエ
ータからなるインクジェット記録ヘッドを具備するイン
クジェット記録装置を説明する斜視図である。
ータからなるインクジェット記録ヘッドを具備するイン
クジェット記録装置を説明する斜視図である。
【図９８】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備する
インクジェット記録装置を説明する説明図である。
ュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備する
インクジェット記録装置を説明する説明図である。
【図９９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチ
ュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備する
インクジェット記録装置の主要部を説明する斜視図であ
る。
ュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備する
インクジェット記録装置の主要部を説明する斜視図であ
る。
０ 静電アクチュエータ １ 振動板、１ａ 振動板基板、１ａ1 拡散領域 ２ 電極基板、２ａ 酸化シリコン膜、２ｂ 凹部、２
ｃ パッド部 ３ 電極、３ａ 電極パッド、３ｂ 絶縁物 ４ 耐腐食性薄膜、４ａ 窒化チタン薄膜、４ｂ 酸化
シリコン薄膜、４ｃ ジルコニウム薄膜、４ｄ ジルコ
ニウム化合物薄膜、４ｅ 異応力複数層薄膜、４ｅ1
第１耐腐食性薄膜、４ｅ2 第２耐腐食性薄膜、４ｅ3
窒化チタン薄膜、４ｅ4 応力緩和薄膜、４ｆ 同等
応力薄膜、４ｆ1 耐腐食性薄膜、４ｆ2 同等応力薄
膜、４ｇ 膜厚均一薄膜 ５ 振動板撓み発生防止手段 ６ 空隙 １０ 静電型マイクロポンプ １１ ノズル孔、１１ａ ノズル板 １２ 液室 １３ 共通液室 １４ 液流路 １５ 液供給路 ２０ インクジェット記録ヘッド ２１ ノズル孔、２１ａ ノズル板 ２２ インク液室 ２３ 共通インク液室 ２４ インク液流路 ２５ インク液供給路 ５０ インクジェット記録装置、５０ａ 他のインクジ
ェット記録装置、５０ａ1 記録装置本体 ５１ 被記録体搬送手段、５１ａ ローラ、５１ｂ 給
紙ユニット、５１ｃ 給紙ローラ、５１ｄ フリクショ
ンパッド、５１ｅ ガイド部材、５１ｆ 搬送ローラ、
５１ｇ 搬送コロ、５１ｈ 先端コロ、５１ｉ 副走査
モータ、５１ｊ 印写受け部材、５１ｋ 搬送コロ、５
１ｌ 拍車、５１ｍ 排紙ローラ、５１ｎ 拍車、５１
ｏ ガイド部材、５１ｐ ガイド部材 ５２ キャリッジ、５２ａ 主走査モータ、５２ｂ 駆
動プーリ、５２ｃ 従動プーリ、５２ｄ タイミングベ
ルト ５３ ガイドレール ５４ 印字機構部 ５５ 排紙トレイ １００ 静電アクチュエータ １０１ 振動板、１０１ａ 振動板基板 １０２ 電極基板、１０２ａ 酸化シリコン膜、１０２
ｂ 凹部、１０２ｃ パッド部 １０３ 電極、１０３ａ 電極パッド、１０３ｂ 絶縁
物 １０４ 耐腐食性薄膜、１０４ａ 窒化チタン薄膜 １０５ 振動板撓み発生防止手段 １０６ 空隙 １１０ 静電型マイクロポンプ １１１ ノズル孔、１１１ａ ノズル板 １１２ 液室 １１３ 共通液室 １１４ 液流路 １１５ 液供給路 １２０ インクジェット記録ヘッド １２１ ノズル孔、１２１ａ ノズル板 １２２ インク液室 １２３ 共通インク液室 １２４ インク液流路 １２５ インク液供給路 ２００ 静電アクチュエータ ２０１ 振動板、２０１ａ 振動板基板 ２０２ 電極基板、２０２ａ 酸化シリコン膜、２０２
ｂ 凹部、２０２ｃ パッド部、２０３ 電極、２０３
ａ 電極パッド、２０３ｂ 絶縁物 ２０４ 耐腐食性薄膜、２０４ｃ ジルコニウム薄膜 ２０５ 振動板撓み発生防止手段 ２０６ 空隙 ２１０ 静電型マイクロポンプ ２１１ ノズル孔、２１１ａ ノズル板 ２１２ 液室 ２１３ 共通液室 ２１４ 液流路 ２１５ 液供給路 ２２０ インクジェット記録ヘッド ２２１ ノズル孔、２２１ａ ノズル板 ２２２ インク液室 ２２３ 共通インク液室 ２２４ インク液流路 ２２５ インク液供給路 ３００ 静電アクチュエータ ３０１ 振動板、３０１ａ 振動板基板 ３０２ 電極基板、３０２ａ 酸化シリコン膜、３０２
ｂ 凹部、３０２ｃ パッド部 ３０３ 電極、３０３ａ 電極パッド、３０３ｂ 絶縁
物 ３０４ 耐腐食性薄膜、３０４ａ 窒化チタン薄膜、３
０４ｂ 酸化シリコン薄膜 ３０５ 振動板撓み発生防止手段 ３０６ 空隙 ３１０ 静電型マイクロポンプ ３１１ ノズル孔、３１１ａ ノズル板 ３１２ 液室 ３１３ 共通液室 ３１４ 液流路 ３１５ 液供給路 ３２０ インクジェット記録ヘッド ３２１ ノズル孔、３２１ａ ノズル板 ３２２ インク液室 ３２３ 共通インク液室 ３２４ インク液流路 ３２５ インク液供給路 ４００ 静電アクチュエータ ４０１ 振動板、４０１ａ 振動板基板 ４０２ 電極基板、４０２ａ 酸化シリコン膜、４０２
ｂ 凹部、４０２ｃ パッド部 ４０３ 電極、４０３ａ 電極パッド、４０３ｂ 絶縁
物 ４０４ 耐腐食性薄膜、４０４ｂ 酸化シリコン薄膜、
４０４ｃ ジルコニウム薄膜 ４０５ 振動板撓み発生防止手段 ４０６ 空隙 ４１０ 静電型マイクロポンプ ４１１ ノズル孔、４１１ａ ノズル板 ４１２ 液室 ４１３ 共通液室 ４１４ 液流路 ４１５ 液供給路 ４２０ インクジェット記録ヘッド ４２１ ノズル孔、４２１ａ ノズル板 ４２２ インク液室 ４２３ 共通インク液室 ４２４ インク液流路 ４２５ インク液供給路 ５００ 静電アクチュエータ ５０１ 振動板、５０１ａ 振動板基板 ５０２ 電極基板、５０２ａ 酸化シリコン膜、５０２
ｂ 凹部、５０２ｃ パッド部 ５０３ 電極、５０３ａ 電極パッド、５０３ｂ 絶縁
物 ５０４ 耐腐食性薄膜、５０４ａ 窒化チタン薄膜、５
０４ｃ ジルコニウム薄膜 ５０５ 振動板撓み発生防止手段 ５０６ 空隙 ５１０ 静電型マイクロポンプ ５１１ ノズル孔、５１１ａ ノズル板 ５１２ 液室 ５１３ 共通液室 ５１４ 液流路 ５１５ 液供給路 ５２０ インクジェット記録ヘッド ５２１ ノズル孔、５２１ａ ノズル板 ５２２ インク液室 ５２３ 共通インク液室 ５２４ インク液流路 ５２５ インク液供給路 ６００ 静電アクチュエータ ６０１ 振動板、６０１ａ 振動板基板、６０１ａ1
拡散領域 ６０２ 電極基板、６０２ａ 酸化シリコン膜、６０２
ｂ 凹部、６０２ｃ パッド部 ６０３ 電極、６０３ａ 電極パッド、６０３ｂ 絶縁
物 ６０４ 耐腐食性薄膜、６０４ａ 窒化チタン薄膜 ６０５ 振動板撓み発生防止手段 ６０６ 空隙 ６１０ 静電型マイクロポンプ ６１１ ノズル孔、６１１ａ ノズル板 ６１２ 液室 ６１３ 共通液室 ６１４ 液流路 ６１５ 液供給路 ６２０ インクジェット記録ヘッド ６２１ ノズル孔、６２１ａ ノズル板 ６２２ インク液室 ６２３ 共通インク液室 ６２４ インク液流路 ６２５ インク液供給路 ７００ 静電アクチュエータ ７０１ 振動板、７０１ａ 振動板基板 ７０２ 電極基板、７０２ａ 酸化シリコン膜、７０２
ｂ 凹部、７０２ｃ パッド部 ７０３ 電極、７０３ａ 電極パッド、７０３ｂ 絶縁
物 ７０４ 耐腐食性薄膜、７０４ａ 窒化チタン薄膜 ７０５ 振動板撓み発生防止手段 ７０６ 空隙 ７１０ 静電型マイクロポンプ ７１１ ノズル孔、７１１ａ ノズル板 ７１２ 液室 ７１３ 共通液室 ７１４ 液流路 ７１５ 液供給路 ７２０ インクジェット記録ヘッド ７２１ ノズル孔、７２１ａ ノズル板 ７２２ インク液室 ７２３ 共通液室 ７２４ インク液流路 ７２５ インク液供給路 ８００ 静電アクチュエータ ８０１ 振動板、８０１ａ 振動板基板 ８０２ 電極基板、８０２ａ 酸化シリコン膜、８０２
ｂ 凹部、８０２ｃ パッド部 ８０３ 電極、８０３ａ 電極パッド、８０３ｂ 絶縁
物 ８０４ 耐腐食性薄膜、８０４ａ 窒化チタン薄膜、８
０４ａ1 窒化チタン薄膜、８０４ａ2 窒化チタン薄膜 ８０５ 振動板撓み発生防止手段 ８０６ 空隙 ８１０ 静電型マイクロポンプ ８１１ ノズル孔、８１１ａ ノズル板 ８１２ 液室 ８１３ 共通液室 ８１４ 液流路 ８１５ 液供給路 ８２０ インクジェット記録ヘッド ８２１ ノズル孔、８２１ａ ノズル板 ８２２ インク液室 ８２３ 共通インク液室 ８２４ インク液流路 ８２５ インク液供給路 ９００ 静電アクチュエータ ９０１ 振動板、９０１ａ 振動板基板 ９０２ 電極基板、９０２ａ 酸化シリコン膜、９０２
ｂ 凹部、９０２ｃ パッド部 ９０３ 電極、９０３ａ 電極パッド、９０３ｂ 絶縁
物 ９０４ 耐腐食性薄膜、９０４ｅ 異応力複数層薄膜、
９０４ｅ1 第１耐腐食性薄膜、９０４ｅ2 第２耐腐食
性薄膜、９０４ｅ3 窒化チタン薄膜、９０４ｅ31 窒
化チタン薄膜、９０４ｅ32 窒化チタン薄膜、９０４ｅ
4 応力緩和薄膜 ９０５ 振動板撓み発生防止手段 ９０６ 空隙 ９１０ 静電型マイクロポンプ ９１１ ノズル孔、９１１ａ ノズル板 ９１２ 液室 ９１３ 共通液室 ９１４ 液流路 ９１５ 液供給路 ９２０ インクジェット記録ヘッド ９２１ ノズル孔、９２１ａ ノズル板 ９２２ インク液室 ９２３ 共通インク液室 ９２４ インク液流路 ９２５ インク液供給路 １１００ 静電アクチュエータ １１０１ 振動板、１１０１ａ 振動板基板 １１０２ 電極基板、１１０２ａ 酸化シリコン膜、１
１０２ｂ 凹部、１１０２ｃ パッド部 １１０３ 電極、１１０３ａ 電極パッド、１１０３ｂ
絶縁物 １１０４ 耐腐食性薄膜、１１０４ｆ 同等応力薄膜、
１１０４ｆ1 耐腐食性薄膜、１１０４ｆ2 同等応力薄
膜、１１０５ 振動板撓み発生防止手段 １１０６ 空隙 １１１０ 静電型マイクロポンプ １１１１ ノズル孔、１１１１ａ ノズル板 １１１２ 液室 １１１３ 共通液室 １１１４ 液流路 １１１５ 液供給路 １１２０ インクジェット記録ヘッド １１２１ ノズル孔、１１２１ａ ノズル板 １１２２ インク液室 １１２３ 共通インク液室 １１２４ インク液流路 １１２５ インク液供給路 １２００ 静電アクチュエータ １２０１ 振動板、１２０１ａ 振動板基板 １２０２ 電極基板、１２０２ａ 酸化シリコン膜、１
２０２ｂ 凹部、１２０２ｃ パッド部 １２０３ 電極、１２０３ａ 電極パッド、１２０３ｂ
絶縁物 １２０４ 耐腐食性薄膜、１２０４ｇ 膜厚均一薄膜 １２０５ 振動板撓み発生防止手段 １２０６ 空隙 １２１０ 静電型マイクロポンプ １２１１ ノズル孔、１２１１ａ ノズル板 １２１２ 液室 １２１３ 共通液室 １２１４ 液流路 １２１５ 液供給路 １２２０ インクジェット記録ヘッド １２２１ ノズル孔、１２２１ａ ノズル板 １２２２ インク液室 １２２３ 共通インク液室 １２２４ インク液流路 １２２５ インク液供給路 （ａ） 酸化シリコン膜形成工程 （ｂ） パターニング工程 （ｃ） 電極形成工程 （ｄ） 絶縁物形成工程 （ｅ） 電極基板完成工程 （ｆ） 接合工程 （ｇ） 振動板形成工程 （ｈ） 耐腐食性薄膜形成工程 （ｉ） ノズル板形成工程 （ｋ） 酸化シリコン膜形成工程 （ｌ） パターニング工程 （ｍ） 電極形成工程 （ｎ） 絶縁物形成工程 （ｏ） 電極基板完成工程 （ｐ） 接合工程 （ｑ） 振動板形成工程 （ｒ） 耐腐食性薄膜形成工程 （ｓ） ノズル板形成工程
ｃ パッド部 ３ 電極、３ａ 電極パッド、３ｂ 絶縁物 ４ 耐腐食性薄膜、４ａ 窒化チタン薄膜、４ｂ 酸化
シリコン薄膜、４ｃ ジルコニウム薄膜、４ｄ ジルコ
ニウム化合物薄膜、４ｅ 異応力複数層薄膜、４ｅ1
第１耐腐食性薄膜、４ｅ2 第２耐腐食性薄膜、４ｅ3
窒化チタン薄膜、４ｅ4 応力緩和薄膜、４ｆ 同等
応力薄膜、４ｆ1 耐腐食性薄膜、４ｆ2 同等応力薄
膜、４ｇ 膜厚均一薄膜 ５ 振動板撓み発生防止手段 ６ 空隙 １０ 静電型マイクロポンプ １１ ノズル孔、１１ａ ノズル板 １２ 液室 １３ 共通液室 １４ 液流路 １５ 液供給路 ２０ インクジェット記録ヘッド ２１ ノズル孔、２１ａ ノズル板 ２２ インク液室 ２３ 共通インク液室 ２４ インク液流路 ２５ インク液供給路 ５０ インクジェット記録装置、５０ａ 他のインクジ
ェット記録装置、５０ａ1 記録装置本体 ５１ 被記録体搬送手段、５１ａ ローラ、５１ｂ 給
紙ユニット、５１ｃ 給紙ローラ、５１ｄ フリクショ
ンパッド、５１ｅ ガイド部材、５１ｆ 搬送ローラ、
５１ｇ 搬送コロ、５１ｈ 先端コロ、５１ｉ 副走査
モータ、５１ｊ 印写受け部材、５１ｋ 搬送コロ、５
１ｌ 拍車、５１ｍ 排紙ローラ、５１ｎ 拍車、５１
ｏ ガイド部材、５１ｐ ガイド部材 ５２ キャリッジ、５２ａ 主走査モータ、５２ｂ 駆
動プーリ、５２ｃ 従動プーリ、５２ｄ タイミングベ
ルト ５３ ガイドレール ５４ 印字機構部 ５５ 排紙トレイ １００ 静電アクチュエータ １０１ 振動板、１０１ａ 振動板基板 １０２ 電極基板、１０２ａ 酸化シリコン膜、１０２
ｂ 凹部、１０２ｃ パッド部 １０３ 電極、１０３ａ 電極パッド、１０３ｂ 絶縁
物 １０４ 耐腐食性薄膜、１０４ａ 窒化チタン薄膜 １０５ 振動板撓み発生防止手段 １０６ 空隙 １１０ 静電型マイクロポンプ １１１ ノズル孔、１１１ａ ノズル板 １１２ 液室 １１３ 共通液室 １１４ 液流路 １１５ 液供給路 １２０ インクジェット記録ヘッド １２１ ノズル孔、１２１ａ ノズル板 １２２ インク液室 １２３ 共通インク液室 １２４ インク液流路 １２５ インク液供給路 ２００ 静電アクチュエータ ２０１ 振動板、２０１ａ 振動板基板 ２０２ 電極基板、２０２ａ 酸化シリコン膜、２０２
ｂ 凹部、２０２ｃ パッド部、２０３ 電極、２０３
ａ 電極パッド、２０３ｂ 絶縁物 ２０４ 耐腐食性薄膜、２０４ｃ ジルコニウム薄膜 ２０５ 振動板撓み発生防止手段 ２０６ 空隙 ２１０ 静電型マイクロポンプ ２１１ ノズル孔、２１１ａ ノズル板 ２１２ 液室 ２１３ 共通液室 ２１４ 液流路 ２１５ 液供給路 ２２０ インクジェット記録ヘッド ２２１ ノズル孔、２２１ａ ノズル板 ２２２ インク液室 ２２３ 共通インク液室 ２２４ インク液流路 ２２５ インク液供給路 ３００ 静電アクチュエータ ３０１ 振動板、３０１ａ 振動板基板 ３０２ 電極基板、３０２ａ 酸化シリコン膜、３０２
ｂ 凹部、３０２ｃ パッド部 ３０３ 電極、３０３ａ 電極パッド、３０３ｂ 絶縁
物 ３０４ 耐腐食性薄膜、３０４ａ 窒化チタン薄膜、３
０４ｂ 酸化シリコン薄膜 ３０５ 振動板撓み発生防止手段 ３０６ 空隙 ３１０ 静電型マイクロポンプ ３１１ ノズル孔、３１１ａ ノズル板 ３１２ 液室 ３１３ 共通液室 ３１４ 液流路 ３１５ 液供給路 ３２０ インクジェット記録ヘッド ３２１ ノズル孔、３２１ａ ノズル板 ３２２ インク液室 ３２３ 共通インク液室 ３２４ インク液流路 ３２５ インク液供給路 ４００ 静電アクチュエータ ４０１ 振動板、４０１ａ 振動板基板 ４０２ 電極基板、４０２ａ 酸化シリコン膜、４０２
ｂ 凹部、４０２ｃ パッド部 ４０３ 電極、４０３ａ 電極パッド、４０３ｂ 絶縁
物 ４０４ 耐腐食性薄膜、４０４ｂ 酸化シリコン薄膜、
４０４ｃ ジルコニウム薄膜 ４０５ 振動板撓み発生防止手段 ４０６ 空隙 ４１０ 静電型マイクロポンプ ４１１ ノズル孔、４１１ａ ノズル板 ４１２ 液室 ４１３ 共通液室 ４１４ 液流路 ４１５ 液供給路 ４２０ インクジェット記録ヘッド ４２１ ノズル孔、４２１ａ ノズル板 ４２２ インク液室 ４２３ 共通インク液室 ４２４ インク液流路 ４２５ インク液供給路 ５００ 静電アクチュエータ ５０１ 振動板、５０１ａ 振動板基板 ５０２ 電極基板、５０２ａ 酸化シリコン膜、５０２
ｂ 凹部、５０２ｃ パッド部 ５０３ 電極、５０３ａ 電極パッド、５０３ｂ 絶縁
物 ５０４ 耐腐食性薄膜、５０４ａ 窒化チタン薄膜、５
０４ｃ ジルコニウム薄膜 ５０５ 振動板撓み発生防止手段 ５０６ 空隙 ５１０ 静電型マイクロポンプ ５１１ ノズル孔、５１１ａ ノズル板 ５１２ 液室 ５１３ 共通液室 ５１４ 液流路 ５１５ 液供給路 ５２０ インクジェット記録ヘッド ５２１ ノズル孔、５２１ａ ノズル板 ５２２ インク液室 ５２３ 共通インク液室 ５２４ インク液流路 ５２５ インク液供給路 ６００ 静電アクチュエータ ６０１ 振動板、６０１ａ 振動板基板、６０１ａ1
拡散領域 ６０２ 電極基板、６０２ａ 酸化シリコン膜、６０２
ｂ 凹部、６０２ｃ パッド部 ６０３ 電極、６０３ａ 電極パッド、６０３ｂ 絶縁
物 ６０４ 耐腐食性薄膜、６０４ａ 窒化チタン薄膜 ６０５ 振動板撓み発生防止手段 ６０６ 空隙 ６１０ 静電型マイクロポンプ ６１１ ノズル孔、６１１ａ ノズル板 ６１２ 液室 ６１３ 共通液室 ６１４ 液流路 ６１５ 液供給路 ６２０ インクジェット記録ヘッド ６２１ ノズル孔、６２１ａ ノズル板 ６２２ インク液室 ６２３ 共通インク液室 ６２４ インク液流路 ６２５ インク液供給路 ７００ 静電アクチュエータ ７０１ 振動板、７０１ａ 振動板基板 ７０２ 電極基板、７０２ａ 酸化シリコン膜、７０２
ｂ 凹部、７０２ｃ パッド部 ７０３ 電極、７０３ａ 電極パッド、７０３ｂ 絶縁
物 ７０４ 耐腐食性薄膜、７０４ａ 窒化チタン薄膜 ７０５ 振動板撓み発生防止手段 ７０６ 空隙 ７１０ 静電型マイクロポンプ ７１１ ノズル孔、７１１ａ ノズル板 ７１２ 液室 ７１３ 共通液室 ７１４ 液流路 ７１５ 液供給路 ７２０ インクジェット記録ヘッド ７２１ ノズル孔、７２１ａ ノズル板 ７２２ インク液室 ７２３ 共通液室 ７２４ インク液流路 ７２５ インク液供給路 ８００ 静電アクチュエータ ８０１ 振動板、８０１ａ 振動板基板 ８０２ 電極基板、８０２ａ 酸化シリコン膜、８０２
ｂ 凹部、８０２ｃ パッド部 ８０３ 電極、８０３ａ 電極パッド、８０３ｂ 絶縁
物 ８０４ 耐腐食性薄膜、８０４ａ 窒化チタン薄膜、８
０４ａ1 窒化チタン薄膜、８０４ａ2 窒化チタン薄膜 ８０５ 振動板撓み発生防止手段 ８０６ 空隙 ８１０ 静電型マイクロポンプ ８１１ ノズル孔、８１１ａ ノズル板 ８１２ 液室 ８１３ 共通液室 ８１４ 液流路 ８１５ 液供給路 ８２０ インクジェット記録ヘッド ８２１ ノズル孔、８２１ａ ノズル板 ８２２ インク液室 ８２３ 共通インク液室 ８２４ インク液流路 ８２５ インク液供給路 ９００ 静電アクチュエータ ９０１ 振動板、９０１ａ 振動板基板 ９０２ 電極基板、９０２ａ 酸化シリコン膜、９０２
ｂ 凹部、９０２ｃ パッド部 ９０３ 電極、９０３ａ 電極パッド、９０３ｂ 絶縁
物 ９０４ 耐腐食性薄膜、９０４ｅ 異応力複数層薄膜、
９０４ｅ1 第１耐腐食性薄膜、９０４ｅ2 第２耐腐食
性薄膜、９０４ｅ3 窒化チタン薄膜、９０４ｅ31 窒
化チタン薄膜、９０４ｅ32 窒化チタン薄膜、９０４ｅ
4 応力緩和薄膜 ９０５ 振動板撓み発生防止手段 ９０６ 空隙 ９１０ 静電型マイクロポンプ ９１１ ノズル孔、９１１ａ ノズル板 ９１２ 液室 ９１３ 共通液室 ９１４ 液流路 ９１５ 液供給路 ９２０ インクジェット記録ヘッド ９２１ ノズル孔、９２１ａ ノズル板 ９２２ インク液室 ９２３ 共通インク液室 ９２４ インク液流路 ９２５ インク液供給路 １１００ 静電アクチュエータ １１０１ 振動板、１１０１ａ 振動板基板 １１０２ 電極基板、１１０２ａ 酸化シリコン膜、１
１０２ｂ 凹部、１１０２ｃ パッド部 １１０３ 電極、１１０３ａ 電極パッド、１１０３ｂ
絶縁物 １１０４ 耐腐食性薄膜、１１０４ｆ 同等応力薄膜、
１１０４ｆ1 耐腐食性薄膜、１１０４ｆ2 同等応力薄
膜、１１０５ 振動板撓み発生防止手段 １１０６ 空隙 １１１０ 静電型マイクロポンプ １１１１ ノズル孔、１１１１ａ ノズル板 １１１２ 液室 １１１３ 共通液室 １１１４ 液流路 １１１５ 液供給路 １１２０ インクジェット記録ヘッド １１２１ ノズル孔、１１２１ａ ノズル板 １１２２ インク液室 １１２３ 共通インク液室 １１２４ インク液流路 １１２５ インク液供給路 １２００ 静電アクチュエータ １２０１ 振動板、１２０１ａ 振動板基板 １２０２ 電極基板、１２０２ａ 酸化シリコン膜、１
２０２ｂ 凹部、１２０２ｃ パッド部 １２０３ 電極、１２０３ａ 電極パッド、１２０３ｂ
絶縁物 １２０４ 耐腐食性薄膜、１２０４ｇ 膜厚均一薄膜 １２０５ 振動板撓み発生防止手段 １２０６ 空隙 １２１０ 静電型マイクロポンプ １２１１ ノズル孔、１２１１ａ ノズル板 １２１２ 液室 １２１３ 共通液室 １２１４ 液流路 １２１５ 液供給路 １２２０ インクジェット記録ヘッド １２２１ ノズル孔、１２２１ａ ノズル板 １２２２ インク液室 １２２３ 共通インク液室 １２２４ インク液流路 １２２５ インク液供給路 （ａ） 酸化シリコン膜形成工程 （ｂ） パターニング工程 （ｃ） 電極形成工程 （ｄ） 絶縁物形成工程 （ｅ） 電極基板完成工程 （ｆ） 接合工程 （ｇ） 振動板形成工程 （ｈ） 耐腐食性薄膜形成工程 （ｉ） ノズル板形成工程 （ｋ） 酸化シリコン膜形成工程 （ｌ） パターニング工程 （ｍ） 電極形成工程 （ｎ） 絶縁物形成工程 （ｏ） 電極基板完成工程 （ｐ） 接合工程 （ｑ） 振動板形成工程 （ｒ） 耐腐食性薄膜形成工程 （ｓ） ノズル板形成工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ０４Ｂ 15/00 Ｆ０４Ｂ 43/02 Ａ 17/06 Ｂ 19/04 Ｃ 43/02 43/04 Ｂ Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ａ １０３Ｈ 43/04 Ｆ０４Ｂ 21/00 Ｎ 53/00 Ｚ Ｆターム(参考） 2C057 AF70 AF93 AG12 AG54 AG55 AP22 AP23 AP27 AP34 AP52 AP53 AP56 AQ01 AQ02 AQ06 BA03 BA15 3H069 AA04 BB01 CC10 DD01 DD11 DD41 DD42 DD43 DD44 EE06 EE41 3H071 AA05 BB01 CC11 CC17 CC31 CC32 CC33 CC34 DD04 DD06 EE15 3H075 AA07 BB04 BB21 CC25 CC30 CC32 CC33 CC34 CC35 CC36 DA05 DA30 DB01 DB02 3H077 AA06 BB10 CC02 CC09 CC11 DD06 EE21 EE22 EE23 EE25 EE26 EE34 EE35 FF02 FF03 FF07 FF08 FF12 FF14 FF22 FF36 (54)【発明の名称】 静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具 備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッド とそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置
Claims (30)
- 【請求項１】 静電力により振動して作動する静電アク
チュエータにおいて、静電力により振動する振動板と、
上記振動板に対向する電極基板と、上記電極基板上に形
成されて上記振動板に隙間を介して対向する電極と、上
記電極と対向する上記振動板上に耐腐食性の薄膜が形成
された耐腐食性薄膜と、上記耐腐食性薄膜の上記振動板
の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手段とから
なることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の静電アクチュエータに
おいて、振動板撓み発生防止手段は、振動板上に形成さ
れた耐腐食性薄膜の応力で上記振動板の撓みの発生を防
止することを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の静電アクチュエ
ータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、振動板上に
形成された耐腐食性薄膜の内部応力が引っ張り応力であ
ることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の静電アクチュエ
ータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、振動板上に
形成された耐腐食性薄膜の内部応力が１．０＊１０10ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力であることを特徴とする
静電アクチュエータ。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４に記載の静電ア
クチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄
膜であることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項６】 請求項５に記載の静電アクチュエータに
おいて、窒化チタン薄膜の抵抗率は、１．０Ｅ−３Ω・
ｃｍ以上であることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項７】 請求項１、２、３又は４に記載の静電ア
クチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、酸化シリコン
薄膜であることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項８】 請求項１、２、３又は４に記載の静電ア
クチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、ジルコニウム
薄膜であることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項９】 請求項１、２、３又は４に記載の静電ア
クチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、ジルコニウム
化合物薄膜であることを特徴とする静電アクチュエー
タ。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８又は９に記載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食
性薄膜は、積層からなることを特徴とする静電アクチュ
エータ。 - 【請求項１１】 請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、耐腐食性
薄膜が形成された振動板が平坦であることを特徴とする
静電アクチュエータ。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の静電アクチュエー
タにおいて、耐腐食性薄膜は、窒化チタン薄膜であるこ
とを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の静電アクチュエー
タにおいて、窒化チタン薄膜は、酸素原子が含まれてい
ることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項１４】 請求項１２又は１３に記載の静電アク
チュエータにおいて、窒化チタン薄膜は、酸素原子の濃
度が１％以上含まれていることを特徴とする静電アクチ
ュエータ。 - 【請求項１５】 請求項１１、１２、１３又は１４に記
載の静電アクチュエータにおいて、耐腐食性薄膜は、積
層からなることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項１６】 請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、耐腐食性
薄膜が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層
以上の異応力複数層薄膜からなることを特徴とする静電
アクチュエータ。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の静電アクチュエー
タにおいて、耐腐食性薄膜は、少なくとも窒化チタン薄
膜からなることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項１８】 請求項１６又は１７に記載の静電アク
チュエータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、振動
板と耐腐食性薄膜の間に上記耐腐食性薄膜の応力を緩和
する応力緩和薄膜からなることを特徴とする静電アクチ
ュエータ。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の静電アクチュエー
タにおいて、応力緩和薄膜は、有機系樹脂からなること
を特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項２０】 請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、振動板上
に形成した耐腐食性薄膜と同等の応力を有して上記振動
板下に形成した同等応力薄膜からなることを特徴とする
静電アクチュエータ。 - 【請求項２１】 請求項１又は２に記載の静電アクチュ
エータにおいて、振動板撓み発生防止手段は、耐腐食性
薄膜の膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜か
らなることを特徴とする静電アクチュエータ。 - 【請求項２２】 請求項２１に記載の静電アクチュエー
タにおいて、膜厚均一薄膜は、積層からなることを特徴
とする静電アクチュエータ。 - 【請求項２３】 静電力により振動して作動する上記請
求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アクチュエー
タの製造方法において、振動板が形成される振動板基板
と電極が形成される電極基板を接合した後に、上記振動
板上に耐腐食性薄膜を形成することを特徴とする静電ア
クチュエータの製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の静電アクチュエー
タの製造方法において、振動板が形成される振動板基板
と電極が形成される電極基板を直接接合したことを特徴
とする静電アクチュエータの製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２３又は２４に記載の静電アク
チュエータの製造方法において、振動板上に耐腐食性薄
膜をスパッタ法により形成することを特徴とする静電ア
クチュエータの製造方法。 - 【請求項２６】 請求項２３又は２４に記載の静電アク
チュエータの製造方法において、振動板上に耐腐食性薄
膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とする静電アク
チュエータの製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２３又は２４に記載の静電アク
チュエータの製造方法において、振動板上に耐腐食性薄
膜を酸化法により形成することを特徴とする静電アクチ
ュエータの製造方法。 - 【請求項２８】 液滴を静電力による圧力波で吐出する
静電型マイクロポンプにおいて、液滴を吐出するノズル
孔と、上記ノズル孔が連通する液流路の液室と、上記液
室の壁面を形成する請求項１乃至２２の何れか一項に記
載の静電アクチュエータとからなることを特徴とする静
電型マイクロポンプ。 - 【請求項２９】 インク液滴を静電力による圧力波で吐
出するインクジェット記録ヘッドにおいて、インク液滴
を吐出するノズル孔と、上記ノズル孔が連通するインク
流路のインク液室と、上記インク液室の壁面を形成する
請求項１乃至２２の何れか一項に記載の静電アクチュエ
ータ又は請求項に記載の静電型マイクロポンプとからな
ることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項３０】 静電アクチュエータからなるインクジ
ェット記録ヘッドでインク画像を記録するインクジェッ
ト記録装置において、インク画像を記録する被記録体を
搬送する被記録体搬送手段と、上記被記録体搬送手段に
よって搬送される被記録体にインクを吐出してインク記
録画像を記録する請求項２９に記載のインクジェット記
録ヘッドとからなることを特徴とするインクジェット記
録装置。
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